KR20010031169A - 잉크젯 인쇄기술을 사용한 유기 반도체 디바이스 제조방법및 디바이스 및 이를 사용하는 시스템 - Google Patents

잉크젯 인쇄기술을 사용한 유기 반도체 디바이스 제조방법및 디바이스 및 이를 사용하는 시스템 Download PDF

Info

Publication number
KR20010031169A
KR20010031169A KR1020007004091A KR20007004091A KR20010031169A KR 20010031169 A KR20010031169 A KR 20010031169A KR 1020007004091 A KR1020007004091 A KR 1020007004091A KR 20007004091 A KR20007004091 A KR 20007004091A KR 20010031169 A KR20010031169 A KR 20010031169A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
conjugated organic
electrode
buffer layer
conjugated
electrodes
Prior art date
Application number
KR1020007004091A
Other languages
English (en)
Inventor
양 양
Original Assignee
더 리전트 오브 더 유니버시티 오브 캘리포니아
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 더 리전트 오브 더 유니버시티 오브 캘리포니아 filed Critical 더 리전트 오브 더 유니버시티 오브 캘리포니아
Publication of KR20010031169A publication Critical patent/KR20010031169A/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K99/00—Subject matter not provided for in other groups of this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
    • H01L21/4814—Conductive parts
    • H01L21/4846—Leads on or in insulating or insulated substrates, e.g. metallisation
    • H01L21/4867—Applying pastes or inks, e.g. screen printing
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having a potential-jump barrier or a surface barrier
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/17—Passive-matrix OLED displays
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/221—Static displays, e.g. displaying permanent logos
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H10K71/12—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating
    • H10K71/13—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating using printing techniques, e.g. ink-jet printing or screen printing
    • H10K71/135—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating using printing techniques, e.g. ink-jet printing or screen printing using ink-jet printing
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • H10K50/125—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers specially adapted for multicolour light emission, e.g. for emitting white light
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/17—Passive-matrix OLED displays
    • H10K59/173—Passive-matrix OLED displays comprising banks or shadow masks
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/30—Coordination compounds
    • H10K85/321—Metal complexes comprising a group IIIA element, e.g. Tris (8-hydroxyquinoline) gallium [Gaq3]
    • H10K85/324—Metal complexes comprising a group IIIA element, e.g. Tris (8-hydroxyquinoline) gallium [Gaq3] comprising aluminium, e.g. Alq3
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/615—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/631—Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • H10K85/656—Aromatic compounds comprising a hetero atom comprising two or more different heteroatoms per ring
    • H10K85/6565—Oxadiazole compounds

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Thin Film Transistor (AREA)

Abstract

시각영상을 제공하는 방출 시스템이 발표된다. 방출시스템은 기질위에 배치되며 기질과 접촉하는 제 1전극(90)을 포함한다. 하나 이상의 공액 유기 버퍼층(40)이 제 1전극위에서 제 1전극과 접촉하며 제 2전극(22)이 공액 유기 버퍼층위에 배치된다. 공액 유기 버퍼층(40)은 제 1전극(90)과 제 2전극(22)간의 전류흐름을 조절한다. 각 공액 유기 버퍼층(40)배치 전 또는 후, 제 2전극(22) 배치전 공액 유기 침전물(34, 36, 38)이 적어도 하나의 공액 유기 버퍼층과 접촉하도록 잉크-젯 인쇄된다. 공액 유기 침전물(34, 36, 38)은 전압 자극이 제 1전극(90) 및 제 2전극(22)에 적용될 대 인디케이터를 발생하는 역할을 한다. 공액 유기 침전물(34, 36, 38) 재료에 따라서 인디케이터는 발광, 형광 또는 전도를 한다. 제 1전극(90)과 제 2전극(22)을 가로질러 전압자극을 선택적으로 적용하기 위해서 전압원이 사용된다.

Description

잉크젯 인쇄기술을 사용한 유기 반도체 디바이스 제조방법 및 디바이스 및 이를 사용하는 시스템{PROCESS FOR FABRICATING ORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES USING INK-JET PRINTING TECHNOLOGY AND DEVICE AND SYSTEM EMPLOYING SAME}
실리콘과 같은 무기 반도체는 현대적 반도체 및 광학 디바이스 제조에 사용된다. 이들 무기 반도체 디바이스의 가공은 복잡하며 비용이 들며 결정성장, 웨이퍼의 절단 및 마무리처리 및 웨이퍼 상에 집적된 전자회로의 구축과 같은 공정단계를 포함한다. 이에 반하여 폴리머(플라스틱이라고 칭하기도 함)는 가공이 비교적 쉽다. 예컨대 플라스틱 부품을 제조하는데에는 용융된 플라스틱 재료를 몰드에 주입하는 것과 같은 비교적 간단한 공정단계가 필요하다. 폴리머는 신축성이며 경량이고 넓은 표면적 위로 제조될 수 있다. 그러나 전통적인 플라스틱은 반도체가 아니므로 반도체 디바이스 제조에 부적합하다.
공액 폴리머는 반도체의 전기적 및 광학적 성질을 플라스틱의 가공성과 조합시킨 유기재료이다. 공액 폴리머의 반도체 성질은 폴리(페닐렌비닐렌), 폴리티오펜(PT), 및 폴리(2-메톡시-5-(2'-에틸-헥실옥시)-1,4-페닐렌 비닐렌)(MEH-PPV)와 같은 탄소함유 폴리머와는 다르게 공액 폴리머는 이중결합을 포함하므로 절연체라기 보다는 반도체이다. 공액 폴리머는 전통적인 폴리머의 저렴한 가공비용, 신축성, 경량서, 및 대량 생산성과 실리콘의 일반적 반도체 특성을 갖는다.
공액 폴리머 디바이스는 스핀-코팅에 의해 제조된다. 스핀-코팅은 액체 공액 폴리머 방울을 포함한 기질을 축 주위에 고속으로 방사시켜서 액체 공액 폴리머를 외향으로 흐르게 하여 기질을 얇은 재료막으로 코팅시킴으로써 폴리머의 용액 가공성을 이용한다. 그러나 스핀-코팅과 관련된 단점이 있다. 액체 공액 폴리머의 대부분이 표면을 코팅하지 않고 기질에서 벗어나므로 스핀-코팅은 용액 낭비를 가져온다. 추가로 스핀-코팅은 기질 표면상의 먼지나 불완전성에 민감하고 투영의 경우에 액체 유기 재료가 기질 표면을 가로질러 확산하므로 음영효과를 초래하며 불완전성 뒤에 비교적 얇은 유기재료 잔량을 남긴다.
스핀-코팅동안 액체 공액 폴리머의 제어되지 않은 흐름은 필요한 패턴의 형성을 허용하지 않으므로 공액 폴리머의 상용성을 제한시킨다. 예컨대 두 전극사이에 샌드위치된 발광성 공액 폴리머를 LED 및 발광 로고(LEL)제조에 사용될 수 있지만 스핀-코팅에 의해 제조된 패턴화 안된 공액 폴리머 단일층은 이러한 디바이스를 단색으로 제한하며 전극에 패턴화를 시킬 필요가 있다. 게다가 패턴화된 전극 생성에 유용한 사진 석판술은 공액 유기 재료내 이중결합이 사진 석판 공저에 의해 파괴되므로 공액 폴리머층을 패턴화하는데 사용될 수 있다.
다른 부류의 유기 반도체 재료는 소형 공액 유기 분자이다. 공액 유기화합물은 폴리머(분자쇄마다 두 개 이상의 반복단위를 갖는 유기물)와 소형 유기분자(단일 분자로 구성된 유기물)를 포함한다. 소형 유기분자는 공액 폴리머와 유사한 물리적(전자적 및 광학적) 성질을 공유하지만 약간 다른 가공기술을 활용한다. 유기 분자는 얇은 필름(약 100 mm 두께의)을 형성하기 위해서 초진공 환경에서 열적 승화를 사용하여 처리된다. 유기 분자는 종종 공액 폴리머에서 사용된 것과 유사한 디바이스 구조, 즉 두전극사이에 샌드위치된 얇은 유기 필름을 사용한다. 얇은 유기 필름의 패턴화는 섀도우 마스크를 사용하여 달성될 수 있지만, 이 방법은 섀도우 마스크의 정확한 정절을 필요로 하므로 느리고 비용이 드는 공정이다. 게다가 측부 해상도가 제한된다. 유기 분자 역시 전통적인 스핀-코팅 공정을 사용하여 가공될 수 있지만 이 방법은 패턴화 능력이 부족하다. 유기 분자는 분자를 공액 폴리머와 블렌딩 함으로써 가공되어서 블렌드는 필름형성 폴리머의 기계적 성질을 유지한다. 버퍼층과 잉크젯 인쇄 침전물용으로 적합한 대표적인 유기 화합물의 예가 도 18a, 18b 및 18c에 제시된다.
잉크젯 인쇄(IJP)기술이 고해상도로 패턴화된 공액 유기재료를 침전시키는데 사용될 수 있다. 패턴화된 공액 유기물 침전을 위한 IJP의 적용은 다음에서 발표된다 : "Ink-jet printing of doped polymers for organic light emitting devices" by T.R.Hebner et al., Applied Physics Letters, Vol. 72, p. 519(1998). 그러나 기존의 IJP기술을 사용하기 위해서 저농도의 염료-함유 폴리머 용액이 인쇄된다. 그 결과 고급 반도체 디바이스로는 부적합한 불량 필름이 형성된다.
적당한 공액 유기물 패턴이 하부전극위로 침전될 수 있는 경우에도 다른 문제가 존재한다. IJP의 도트-형성 성질 때문에 IJP를 사용하여 인쇄된 유기 필름은 핀홀을 포함할 수 있다. 패턴화된 공액 유기물 박막위로 상부 전극의 배치는 일부 상부 전극 재료를 핀홀을 통해 하부전극과 접촉시켜 디바이스를 사용할 수 없게 만드는 단락을 일으킬 수 있다.
본 발명과 유기 반도체 디바이스, 특히 잉크젯 인쇄기술을 사용한 유기 반도체 제조방법 및 디바이스 및 이를 사용한 시스템에 관계한다.
그러므로 기질표면 불완전성에 민감하지 않으며 전통적인 반도체의 전기적 및 광학적 성질과 전통적인 유기물의 저렴한 가공성, 신축성, 경량성 및 대량 생산성을 조합시킨 혼성 잉크젯 인쇄기술을 사용하여 유기 반도체 디바이스를 제조하는 방법 및 디바이스 및 이를 포함시킨 시스템을 제공하는 것이 본 발명의 목적이다.
정확하게 패턴화된 단색 또는 다색 방출 디스플레이, 디바이스, 로고 및 고립된 방출 영역을 포함한 회색 사진의 형성을 허용하는 혼성 잉크젯 인쇄기술을 사용하여 유기 반도체 디바이스와 이를 포함한 시스템 및 디바이스를 제공하는 것도 본 발명의 목적이다.
반도체 디바이스, 바이오-센서, 광전지 디바이스 및 광탐지기 제조를 위한 고급 섀도우 마스크의 형성을 허용하는 혼성 잉크젯 인쇄기술을 사용하여 유기 반도체 디바이스와 이를 포함한 시스템 및 디바이스를 제공하는 것도 본 발명의 목적이다.
이러한 목적은 시각 영상을 제시하는 방출시스템에 따라 달성된다. 방출시스템은 기질위에 침전되며 기질과 접촉하는 제1전극을 포함한다. 하나 이상의 공액 유기 버퍼층이 제 1 전극위에 침전되며 제 1 전극과 접촉하고 제 2 전극이 공액 유기 버퍼층 위로 배치된다. 공액 유기 버퍼층은 제 1 전극과 제 2 전극간 전류 흐름을 조절한다. 고액 유기 버퍼층 침전 전 또는 후, 제 2 전극 배치전 공액 유기 침전물이 적어도 하나의 공액 유기 버퍼층과 접촉하도록 잉크젯 인쇄된다.
공액 유기 침전물은 제 1 전극과 제 2 전극을 가로질러 전압 자극이 적용될 때 인디케이터를 발생한다. 공액 유기 침전물 재료에 따라서 인디케이터는 발광, 형광 또는 전도한다. 제 1 전극과 제 2 전극을 가로질러 전압 자극을 선택적으로 적용하기 위해 전압원이 사용된다.
도 1은 본 발명에 따라 공액 유기 버퍼층 위로 공액 유기 침전물의 IJP를 보여준다.
도2a는 본 발명에 따라 단일한 공액 유기 버퍼층에 인쇄된 단일한 공액 유기 침전물층을 샌드위치시키는 단일한 제 2 전극 및 단일한 제 1 전극을 포함한 공액 유기 반도체 디바이스를 보여준다.
도 2b는 본 발명에 따라 단일한 공액 유기 버퍼층에 인쇄된 단일한 공액 유기 침전물층을 샌드위치시키는 다중 제 2 전극 및 다중 제 1 전극(도면에 도시안됨)을 포함한 공액 유기 반도체 디바이스를 보여준다.
도3a는 본 발명에 따라 단일한 공액 유기 침전물층위로 배치된 단일한 공액 유기 버퍼층을 샌드위치시키는 단일한 제 2 전극 및 단일한 제 1 전극을 포함한 공액 유기 반도체 디바이스를 보여준다.
도3b는 본 발명에 따라 단일한 공액 유기 침전물층위로 배치된 단일한 공액 유기 버퍼층을 샌드위치시키는 다중 제 2 전극 및 다중 제 1 전극(도시안된)을 포함한 공액 유기 반도체 디바이스를 보여준다.
도4a는 본 발명에 따라 다중 공액 유기 버퍼층에 인쇄된 다중 공액 유기 침전물층을 샌드위치시키는 단일한 제 2 전극 및 단일한 제 1 전극을 포함한 공액 유기 반도체 디바이스를 보여준다.
도4b는 본 발명에 따라 다중 공액 유기 버퍼층에 인쇄된 다중 공액 유기 침전물층을 샌드위치시키는 다중 제 2 전극 및 다중 제 1 전극(도시안된)을 포함한 공액 유기 반도체 디바이스를 보여준다.
도5a는 본 발명에 따라 다중 공액 유기 침전물층위로 배치된 다중 공액 유기 버퍼층을 샌드위치시키는 단일한 제 2 전극 및 단일한 제 1 전극을 포함한 공액 유기 반도체 디바이스를 보여준다.
도5b는 본 발명에 따라 다중 공액 유기 침전물층위로 배치된 다중 공액 유기 버퍼층을 샌드위치시키는 다중 제 2 전극 및 다중 제 1 전극(도시안된)을 포함한 공액 유기 반도체 디바이스를 보여준다.
도6은 본 발명에 따라 단일한 공액 유기 버퍼층을 샌드위치시키는 다중 제 2 전극 및 다중 제 1 전극(도시안된)을 포함한 공액 유기 반도체 디바이스를 보여준다.
도7a는 본 발명에 따라 단일한 공액 유기 버퍼층에 인쇄된 단일한 전도/전하전달 유기 침전물을 샌드위치시키는 단일한 제 2 전극 및 단일한 제 1 전극을 포함한 공액 유기 반도체 디바이스를 보여준다.
도 7b는 본 발명에 따라 단일한 전도/전하전달 공액 유기 침전물위에 배치된 단일한 공액 유기 버퍼층을 샌드위치시키는 단일한 제 2 전극 및 단일한 제 1 전극을 포함한 공액 유기 반도체 디바이스를 보여준다.
도8a는 본 발명에 따라 단일한 발광성 공액 유기 버퍼층상에 인쇄된 단일한 발광성 공액 유기 침전물을 샌드위치시키는 단일한 제 2 전극 및 단일한 제 1 전극을 포함한 공액 유기 반도체 디바이스를 보여준다.
도8b는 본 발명에 따라 단일한 발광성 공액 유기 침전물위로 배치된 단일한 발광성 공액 유기 버퍼층을 샌드위치시키는 단일한 제 2 전극 및 단일한 제 1 전극을 포함한 공액 유기 반도체 디바이스를 보여준다.
도9는 본 발명에 따라 단일한 발광성 공액 유기 버퍼층상에 인쇄된 단일한 발광성 및 확산성 공액 유기 침전물을 샌드위치시키는 단일한 제 2 전극 및 단일한 제 1 전극을 포함한 공액 유기 반도체 디바이스를 보여준다.
도10a는 본 발명에 따라 공액 유기 반도체 디바이스상에 다중 제 2전극을 형성하기 위해서 유기 마스크, 제 2 전극재료 및 접착 쉬이트를 배치함을 보여준다.
도 10b는 본 발명에 따라 공액 유기 반도체 디바이스상에 다중 제 2전극을 형성하기 위해서 접착 쉬이트및 유기 마스크를 제거함을 보여준다.
도11a는 본 발명에 따라 수동 매트릭스 다색 방출 디스플레이어에 있는 적색, 녹샌 및 청색 공액 유기 LED를 보여준다.
도 11B는 본 발명에 따라 능동 매트릭스 다색 방출 디스플레이어에 있는 적색, 녹샌 및 청색 공액 유기 LED와 제어 트랜지스터를 보여준다.
도12a는 본 발명에 따라 상이한 농도의 발광성 공액 유기 도핑물질이 발광성 공액 유기 버퍼층에 도입될 때 공액 유기 LED의 방출 칼라가 변하는 양태를 보여주는 그래프이다.
도12b는 발광성 공액 유기 버퍼층에 도입된 공액 유기 도핑물질의 농도에 관계없이 공액 유기 LED의 I-V 특성이 동일함을 보여주는 그래프이다.
도 13a는 본 발명에 따라 실리콘-산화물 분할기를 사용하여 다색 방출 디스플레이용 공액 유기 LED 배열을 형성시킴을 보여준다.
도 13b는 본 발명에 따라 실리콘-산화물 분할기를 사용하여 다색 방출 디스플레이용 공액 유기 LED 배열을 형성시킴을 보여주는 측면도이다.
도 14a는 본 발명에 따른 LEL제조를 보여준다.
도 14b는 도 14a의 측면도이다.
도 15는 공액 유기 침전물이 있거나 없는 디바이스의 광고-전압(L-V)곡선으로서, 본 발명에 따라 공액 유기 침전물을 첨가시 성능이 개선됨을 보여준다.
도 16a는 본 발명에 따라 발광 사진을 발생하는데 사용하는 방출 도트의 밀도에 의해 한정된 4-수준 그레이 스케일을 보여준다.
도16b는 도16a 그레이 스케일에 대해서 광도과 방출도트의 밀도간 관계를 보여주는 광도 그래프이다.
도17a는 본 발명에 따라 전도로 인디케이터를 갖는 인공코를 보여준다.
도 17b는 본 발명에 따라 전도로 인디케이터를 갖는 인공코를 보여준다.
도18a, 18b 및 18c는 버퍼층과 잉크젯 인쇄 침전물용으로 적합한 유기화합물을 보여준다.
*부호설명
10 공액 유기 반도체 디바이스 12 기질
14 제 1 전극 16, 40 공액 유기 버퍼층
18 IJP 헤드 20, 34, 36, 38 공액 유기 침전물
22 제 2 전극 24 전류
42 적색 44 녹색
46 청색 48 트랜지스터
50 절연물질 54 분할기
56, 58 전극 60 유리기질
62 전도성 폴리머 로고 64 버퍼층
66 칼슘 음극재료 68 커버 유리
72 유기 마스크 74 제 2 전극물질
76 접착제 쉬이트 84 전극
86 샘플
공액 유기물은 유기물의 저렴한 가공성, 신축성, 경량성 및 대량생산성을 유지하면서 무기 반도체의 반도체 특성을 가진다. 도1은 본 발명에 따른 공액 유기 반도체 디바이스(10)를 보여준다. 공액 유기 반도체 디바이스(10)에서 금속 또는 금속 산화물질인 제 1 전극(14)이 전통적인 배치기술을 사용하여 기질(12)위에 형성된다. 기질은 얇은 절연층이 위에 배치된 금속판, 유리, 플라스틱 및 반도체 웨이퍼와 같은 고체재료나 얇은 절연층이 위에 배치된 금속코일 및 플라스틱과 같은 신축성 재료로 구성될 수 있다. 선호되는 구체예에서 제 1 전극(14)은 인듐-주석 산화물(ITO)으로 구성된다. 1-1000nm 두께로 균일한 공액 유기 버퍼층(16)이 스핀 코팅, 열적 승화 또는 다른 종래적인 적용기술을 사용하여 제 1전극(14)위로 형성된다. 이후에 IJP헤드(18)가 사용되어서 공액 유기 버퍼층(16)위로 적어도 하나의 유기침전물(20)을 인쇄한다. IJP는 스핀코팅과는 다르게 마이크로미터 해상도로 공액 유기 침전물(20)을 인쇄할 수 있으며, 공액 유기 침전물(20)이 수평으로 흐르기 보다는 공액 유기 버퍼층(16) 표면에 수직으로 분무되므로 먼지 및 기질 결함에 민감하지 않으며, 적용공정동안 많은 재료를 낭비하지 않기 때문에 사용된다.
도 2a에 도시된 바와같이 전통적인 금속 침전기술을 사용하여 제 2전극(22)이 공액 유기 침전물(20) 및 공액 유기 버퍼층(16)위로 침전된다. 공액 유기 버퍼층(16)은 충분히 절연성이기 때문에 제2전극(22)과 제1전극(14)간의 단락이 일어날 수없다.
도3a의 구체예에서 IJP를 사용하여 공액 유기 침전물(20)이 제 1전극(14)위로 직접 침전된다. 이후에 스핀-코팅 또는 기타 방법을 사용하여 공액 유기 버퍼층(16)이 공액 유기 침전물(20) 및 제 1전극(14)위로 형성된다. 전통적인 금속 침전 기술을 사용하여 제 2전극(22)이 공액 유기 버퍼층(16)위에 침전된다.
도4a 및 5a의 구체예에서 다중 공액 유기 버퍼층(16)과 다중 공액 유기 침전물(20)층이 형성되어서 수직 또는 제3칫수를 증가시키고 반도체 디바이스의 기능 밀도를 증진시킬 수 있다.
도2a, 3a, 4a 및 5a 가 단일한 제 1전극(14)과 단일한 제 2전극(22)을 갖는 구체예를 보여주지만 도 2b, 3b, 4b 및 5b의 구체예에서 각 공액 유기 침전물(20) 위에 다중 제 1전극(14) 및 다중 제 2전극(22)이 침전될 수 있다. 도 2b, 3b, 4b, 5b 및 6에서 다중 제 1전극(14)을 도시하지 않지만 이들은 다중 제 2전극(22)(도 2b, 3b, 4b, 5b 및 6에서 다눕에 도시된)에 대해서 가로 방향으로 형성된다.
도 6에서 다중 제 1전극(14)(도시안된)이 기질(12)위로 잉크젯 인쇄된다. 이후에 스핀-코팅 또는 다른 종래적인 적용방법을 사용하여 공액 유기 버퍼층(16)이 다중 제 1전극(14)위에 형성된다. 다중 제 2전극(22)은 공액 유기 버퍼층(16) 위에 잉크젯 인쇄된다.
도7a 및 7b 에서는 설명을 목적으로 단지 하나의 공액 유기 침전물(20)이 도시되는데, 공액 유기 침전물(20)은 전도 또는 전하전달 유기물질을 포함한다. 전도/전하 전달 공액 유기 침전물(20)은 전압이 제 2전극(22)과 제 1전극(14)을 가로질러 적용될 때 더 양호한 전하 주입 특성을 가지므로 전류가 제 2전극(22)과 제 1전극(14) 사이에서 흐르며 전조/전하 전달 공액 유기 침전물(20)이 인쇄된 곳에서만 공액 유기 버퍼층(16)을 통해 흐른다.
다양한 유기 반도체 디바이스 중에는 전기발광(EL) 디바이스가 미래의 광원, 단색 또는 다색 디스플레이, LEL, 다색 방풀 디바이스, 인사 카드, 및 저밀도 및 고밀도 정보 디스플레이에서 잠재적인 응용성 때문에 특히 매력은 끈다. 따라서 또다른 구체예에서 제 1전극(14) 및 기질(12)이 투명하고 공액 유기 버퍼층(16)은 발광물질을 포함한다. 이러한 구체예에서 공액 유기 버퍼층(16)을 통한 전류흐름(24)은 공액 유기 반도체 디바이스(10)로부터 발광(32)을 일으킨다.
설명을 목적으로 단지 하나의 공액 유기 침전물(20)이 도시된 도8a 및 8b에서 공액 유기 침전물(20)과 공액 유기 버퍼층(16)은 발광성 유기물질로 구성되고 제 1전극(14) 및 기질(12)은 투명하다. 충분히 높은 전압이 제 2전극(22) 및 제 1전극(14)을 가로질러 적용될 때 제 2전극(22) 과 제 1전극(14) 사이에 공액 유기 버퍼층(16)을 통해 전류(24)가 흐른다. 공액 유기 침전물(20)이 없는 영역에서(부호26)는 공액 버퍼층(16)의 조성에 따라 공액 유기 버퍼층(16)은 칼라를 발광한다. 공액 유기 침전물(20)이 있는 영역에서 발광의 색깔은 전자와 정공이 재조합하는 장소에 달려있다. 공액 유기 침전물(20)이 충분히 두꺼우면 전자와 정공은 공액 유기 침전물(20)내에서 재조합하여 발광의 색깔은 공액 유기 침전물(20)의 조성에 따른다(부호 32 참조). 공액 유기 침전물(20)이 충분히 얇으면 전자와 정공은 공액 유기 버퍼층(16)내에서 재조합하므로 발광의 색깔은 공액 유기 버퍼층(16)의 조성에 달려있다. 그러나 공액 유기 침전물(20)이 공액 유기 버퍼층과 동일한 두께일 경우에 전자는 공액 유기 침전물(20)과 공액 유기 버퍼층(16)의 경계 근처에서 재조합하므로 발광은 공액 유기 침전물(20) 및 공액 유기 버퍼층(16)의 조성에 따른 색깔을 포함할 수 있다.
설명을 목적으로 단지 하나의 공액 유기 침전물(20)이 도시된 도9에서 공액 유기 침전물(20)은 공액 유기 버퍼층(16)으로 부분적으로 확산할 수 있는 공액 유기 물질로 구성된다. 공액 유기 버퍼층(16)은 폴리-9-비닐카르바졸(PVK)또는 폴리플루오렌(PF) 또는 기타 유사 화합물로 구성되며 공액 유기 침전물(20)은 가용성 폴리(p-페닐렌비닐리덴)(PPV), MEH-PPV, 유기염료, PF유도체 또는 기타 유사화합물로 구성된다. 이러한 구체예에서 소량의 전도성 공액 유기 침전물(20)이 공액 유기 버퍼층(16)으로 확산되어서(부호30참조) 공액 유기 버퍼층(16)에서 전하전달 도핑제와 같은 작용을 한다. 호스트 버퍼층(공액 유기 버퍼층(16))으로 게스트 도핑제(공액 유기 침전물(20))의 확산을 호스트 및 게스트 물질의 특성과 용매 상용성(극성 또는 비극성)의 함수이다. 호스트로부터 게스트로의 에너지 전달을 촉진하고 전압이 제 2전극(22)과 제 1전극(14)에 적용될 때 전도성 공액 유기 침전물(20) 영역에서 제 2전극(22)과 제 1전극(14)간 전류 흐름(24)을 생성하기 위해서 소량의 도핑제가 필요할 뿐이다.
또다른 구체예에서 공액 유기 버퍼층(16)으로 확산할 수 있는 공액 유기 침전물 재료와 공액 유기 버퍼층(16)이 발광성이고 제 1전극(14)과 기질(12)이 투명하다. 공액 유기 버퍼층(16)을 통해 전류(24)가 유도될 때 공액 유기 침전물(20)이 공액 유기 버퍼층(16)으로 부분 확산된 영역(30)은 공액 유기 침전물(20) 및 공액 유기 버퍼층(16)을 구성하는 재료의 에너지 준위와 밴드갭에 따른 색깔을 발광한다. 공액 유기 침전물 재료가 공액 유기 버퍼층의 밴드갭보다 작은 밴드갭과 공액 유기 버퍼층 보다 낮은 에너지 준위를 가진다면 발광 색깔은 공액 유기 침전물(20)의 조성에 따른다(부호 28 참조). 그렇지 않으면 발광 색깔은 공액 유기 버퍼층(16)의 조성에 따른다.
IJP 는 도 2b, 3b, 4b, 5b 및 6에서 도시된 바와 같이 각 공액 유기 침전물(20)위로 다중 제1 및 제 2전극(14,22)을 형성하는데 활용될 수 있다. 도10a에 도시된 바와같이 도 2b의 다중 제 2전극(22)을 형성하기 위해서 유기 마스크(72)가 IJP를 사용하여 공액 유기 버퍼층(16)위에 침전된다. 다음에 제2전극재료(74)가 유기 마스크(72)와 공액 유기 버퍼층(16)위에 스핀-코팅 또는 다른 적용방법을 써서 침전된다. 제2전극재료(74)와 유기 마스크(72)를 구성하는 재료는 제2 전극재료(74)가 공액 유기 버퍼층(16)에 강하게 부착되지만 유기 마스크(72)를 구성하는 재료는 공액 유기 버퍼층(16)에 강하게 부착되지 않도록 선택된다. 이후에 접착테이프와 같은 접착제 쉬이트가 제2 전극재료(74)위로 접착된다. 도 10b에 도시된 바와같이 접착쉬이트(76)가 제거될 때 제2 전극재료(74)와 유기 마스크(72)의 상이한 접착성 때문에 접착쉬이트(76)를 따라 유기 마스크(72)와 제2 전극재료(74)는 다중 제 2전극(22)을 포함한다. 이와같은 다중 제 2전극(22) 형성방법은 도 3b, 4b, 5b 및 6의 다중 제 1 및 제 2전극(14,22)에도 적용될 수 있다.
본 발명은 마이크론 크기의 규칙적인 유기 LED배열을 발생하는 방법을 제공하는데, LED의 크기는 IJP헤드의 노즐크기에 의해서만 제한된다. 규칙적인 공액유기 LED배열의 적용분야는 텔레비젼 스크린 또는 컴퓨터 모니터와 같이 칼라 영상 발생에 적색, 녹색 및 청색 도트가 사용되는 다색 방출 디스플레이이다. 도11a에 도시된 바와같이 각각 적색, 녹색 및 청색에 상응하는 에너지 준위 및 밴드갭을 갖는 여러개의 발광성 및 확산성 공액 유기 침전물(34,36,38)이 청색에 상응하는 에너지 준위 및 밴드갭을 갖는 공액 유기 버퍼층(40)위로 침전된다. 발광성 및 확산성 공액 유기 침전물(34, 36, 38)은 버퍼층(40)에 부분적으로 확산하여서 버퍼층(40)의 EL 스펙트럼을 변경하므로 제 1전극(14)과 제 2전극(22)에 전압이 적용될 때 발광성 및 확산성 공액 유기 침전물(34, 36, 38) 아래의 버퍼층(40)은 각각 적색(42), 녹색(44) 및 청색(46)을 발광한다. 제 2전극(22)과 제 1전극(14)간에 전압을 선택적으로 적용함으로써 각 적색, 녹색 및 청색 LED가 켜지거나 꺼지고 수동 매트릭스 다색 방풀 디스플레이가 제조된다.
도 11b에서 능동 매트릭스 다색 방출 디스플레이가 도시된다. 다중 게이트 전극(92)이 IJP 또는 기타 침전기술을 사용하여 기질(12)위로 기질과 접촉하도록 침전된다. 절연물질(50)을 갖는 트랜지스터(48), 소스전극(90) 및 드레인 전극(88)이 다중 게이트 전극(92)위에 형성된다. 이후에 스핀-코팅 또는 기타 적용방법을 써서 공액 유기 버퍼층(40)이 트랜지스터위에 침전되며 공액 버퍼층(40)은 드레인 전극(88)과 접촉한다. 이후에 발광성 및 확산성 공액 유기 침전물(34,36,38)이 공액 유기 버퍼층(40)위에 잉크젯 인쇄된다. 마지막으로 단일한 제 2전극(22)이 발광성 및 확산성 공액 유기 침전물(34,36,38)위에 침전된다. 소스전극(90), 트랜지스터(38), 공액버퍼층(40), 공액 유기 침전물(34,36,38), 및 제 2전극(22)을 통한 전류와 확산된 공액 유기 버퍼층(40)의 발광성은 게이트 터미날(52)에서 전압에 의해 조절된다. 도11b는 예시적인 것이며 본 발명은 트랜지스터 기초 능동 다색 방출 디스플레이를 위해 다른 제조방법을 사용할 수 있다.
더 높은 밴드갭 및 에너지 준위를 갖는 발광성 물질(예, 도11a의 청색 버퍼층(40))이 동일한 또는 더 낮은 밴드갭 및 에너지 준위의 발광물질(예, 도 11a의 적색, 녹색 및 청색 유기 침전물(34,36,38))로 도핑될 경우에 결과의 물질은 바이어스 전압이 적용될 때 더 낮은 밴드갭 및 에너지 준위 물질의 색깔을 생성한다. 선호되는 구체예에서 이러한 색깔 변화를 위해서 25% 미만의 도핑 물질이 버퍼층 (40)에 확산될 필요가 있다. 도12a는 상이한 농도의 MEH-PPV가 폴리머 시스템에 도입될 때 폴리(파라-페닐렌)(PPP)LED의 방출 색깔이 변하는 양태를 보여준다. 도12b는 MEH-PPV의 농도에 관계없이 I-V 특성은 유지됨을 보여준다.
도 13a 및 13b에서 사전 패턴화된 전극(56)이 인쇄된 투명기질(12)상에 배치된 실리콘-산화물(SiO2) 또는 폴리머 분할기(54)를 활용하여 적색, 녹색 및 청색 LED배열이 제조된다. SiO2분할기(54)는 전극(56)위에 직접 공액 유기 버퍼층(16)과 적색, 녹색 및 청색 전도/전하 전달 폴리머(34,36,38)의 IJP를 허용하여 제 2전극(22) 침전을 위한 섀도우 마스크로서 작용한다.
발광성 공액 유기 반도체 디바이스(10)의 또다른 응용분야는 유기 LEL과 단색 또는 다색 방출 디바이스인데, 전도/전하전달 공액 유기 물질의 패턴을 인쇄하기 위해서 IJP가 조절된다. 관찰자에 의해 칼라 패턴이 일정하게 변하는 다색 디스플레이와 대조적으로 LEL과 단색 또는 다색 방출 디바이스는 더 크지만 고정된 칼라 방출 영역을 포함한다. 이러한 디바이스를 형성하기 위해서 전도성/ 전하전달 또는 발광성 공액 유기 침전물(20)이 공액 유기 버퍼층(16)(도7a)또는 투명한 제 1전극(14)(도7b)상에 직접 인쇄된다. 공액 유기 침전물(20)의 패턴은 광-방출 영역을 한정시킨다. 제 2전극(22)과 제 1전극(14)사이에 전압을 가함으로써 큰 LEL이 발광될 수 있다. 전류가 공액 유기 침전물(20)을 통해 흐르지만 침전물에 의해 운반되지 않으므로 공액 유기 침전물(20)은 불연속성(물리적으로 분리된 패턴)을 가질 수 있다. 배경에 대한 LEL의 고 콘트라스트는 십분의 몇 내지 100 cd/㎡의 범위에서 조절될 수 있다.
본 발명에 따른 LEL 제조가 도14a에 도시된다. 먼저 유리기질(60)상에 침전된 ITO전극(58)이 세제, 탈이온수, 아세톤 및 알콜을 계속 사용하여 초음파 세정처리를 받아 표면 오염물이 제거된다. 이후에 ITO 전극(58)과 유리기질(60)을 상승된 온도에서 약 12시간 굽는다. 이후에 IJP가 사용되어 3,4-폴리에틸렌디옥시티오펜-폴리스티렌술포네이트(PEDOT)수용액에서 전도성 폴리머 로고(62)를 ITO전극(58)상에 침전시킨다. 이후에 PEDOT 전도성 폴리머 로고(62)가 100°C 공기에서 12시간 건조된다. 또다른 구체예에서 스탬핑 방법과 같은 PEDOT 전도성 폴리머 로고(62) 침전 방법이 다음에서 기술된다 : "Microcontact printing and electroplating on curved substrates," by J.A. Rogers et al., Adv. Materials, Vol. 9, pp.475-477 (1997). 도 14b에 도시된 바와같이 약 1% MEH-PPV용액에서 제조된 MEH-PPV 버퍼층(64)이 분당 2500 회전속도(RPM)에서 PEDOT 전도성 폴리머 로고(62) 위에 스핀-코팅되고 MEH-PPV 버퍼층(64)위에 칼슘 음극물질(66)이 침전된다. 완성된 디바이스는 알루미늄 또는 커버유리(68)로 활성 음극 영역을 에폭시화 함으로써 캡슐화된다.
도15는 PEDOT 전도성 폴리머층이 있는 (70) 또는 없는 (78) 디바이스의 광도 전압(L-V)곡선을 보여주며, PEDOT 전도성 폴리머층의 첨가는 성능이 개선됨을 보여준다. 예컨대 디바이스가 5볼트에서 작동될 때 PEDOT 전도성 폴리머층을 갖는 LED는 200cd/㎡ 의 광도를 가져오지만 상기 폴리머층이 없는 LED는 3배 이하의 광도를 생성한다.
또다른 구체예에서 LED가 그레이-스케일 광-방출 영상 생성에 사용된다. 도 16a는 방출도트 밀도에 의해 정의된 4-수준 그레이 스케일(80)을 보여주며 도 16b는 광도와 방출 도트 밀도간의 관계를 보여주는 곡석(82)이다. 본 발명을 활용하는 그레이 스케일은 도트 크기나 도트 밀도를 변화시켜 연속으로 조절될 수 있다.
유기 EL 로고 및 디스플레이에 추가적인 본 발명은 다른 유기 전자 및 광전자 디바이스에 적용될 수 있다. (예, 트랜지스터, 광전지, 인공코, 물리적 디바이스, 화학적 디바이스, 바이오-디바이스 및 전자집적회로) 물리적 장치는 광센서, X-선 탐지기, 영상센서, 광탐지기, 광전 장치를 포함한다. 화학적 장치는 가스센서와 용매 센서를 포함한다. 바이오-장치는 혈당(글루코스) 탐지 센서, 효소 등을 포함한다. 추가로 IJP는 컴퓨터에서 칩내 및 칩간 통신, 전기통신에 사용될 광원으로서 반도체 웨이퍼상에 LED를 형성시키는 효과적인 방법을 제공한다. 전자장치 패턴화를 위해서 본 발명에서 사용되는 물질은 유기공액분자, 공액폴리머, 무기나노결정, 유기나노결정, 염료분자등이다. 이들 디바이스는 발광, 전도도 또는 형광 형태로 출력을 제공할 수 있다.
인공코는 표시형태로서 전도도 또는 형광을 활용하는 것이다. 도17a에 도시된 바와같이 다중 공액 유기 침전물(20)층과 다중 공액 유기 버퍼층(16)이 기질(12)위에 구축된다. 그러나 각 공액 유기 침전물(20)의 IJP에 앞서서 공액 유기 침전물(20)이 두전극(84)위에 형성되도록 두 전극(84)이 위치된다. 각 공액 유기 침전물(20)은 유체 또는 증기샘플(86)이 공액 유기 버퍼층(16)과 공액 유기 침전물(20)로 확산할 때 각 공액 유기 침전물(20)의 전도도가 변하는 재료로 구성된다. 각 공액 유기 침전물(20)의 전도도는 공액 유기 침전물(20)내의 두 전극(84)에 의해 감지된다. 각 층상의 다중 공액 유기 침전물(20)은 유체 또는 증기 샘플(86)의 화학조성을 식별하는데 사용될 수 있는 전도도 "신호"를 제공한다. 또다른 구체예에서 다중 공액 유기 버퍼층(16)은 유체 또는 증기 분리막으로 작용하는 재료로 구성된다. 따라서 공액 유기 침전물(20)의 각 층은 다른 형탱의 유체 또는 증기가 다중 공액 유기 버퍼층(16)에 의해 여과되므로 특별한 범주의 유체 또는 증기만을 테스트 하도록 설계될 수 있다.
도17b에서 다중 공액 유기 침전물(20)은 특정조건하에서 형광성이며 공액 유기 침전물(20)내에는 전극이 없다. 유체 또는 증기 샘플(86)이 공액 유기 버퍼층(16) 및 공액 유기 침전물(20)로 확산될 때 각 공액 유기 침전물(20)의 형광성이 변하도록 하는 재료는 상기 침전물(20)로 구성된다. 각 공액 유기 침전물의 형광성는 디바이스 위로 자외선 (UV)을 비추어서 감지될 수 있다. 각 층상의 다중 공액 유기 침전물(20)은 유체 또는 증기샘플(86)의 화학조성을 식별하는데 사용될 수 있는 형광"신호"를 제공한다. 또다른 구체예에서 다중 공액 유기 버퍼층(16)은 유체 또는 증기 분리막으로서 작용하는 재료로 구성된다. 따라서 다른형태의 유체 또는 증기는 다중 공액 유기 버퍼층(16)에 의해 여과되므로 공액 유기 침전물(20)의 각 층은 특정 유체 또는 증기만을 테스트하도록 설계될 수 있다.
그러므로 본 발명은 유기물의 저렴한 가공성, 신축성, 경량서 및 대량생산성과 반도체의 전기적 및 광학적 성질을 조합하며 기질 표면 결함에 민감하지 않은 잉크젯 인쇄기술을 사용하여 유기 반도체 디바이스 제조방법 및 이를 포함한 시스템 및 디바이스를 제공한다. 추가로 본 발명은 정확하게 패턴화된 단색 도는 다색 방출 디스플레이, 디바이스, 로고 및 그레이 스케일 영상(고립된 방출영역을 포함한)을 형성할 수 있다. 본 발명은 또한 반도체 디바이스, 바이오-센서, 광전??치 및 광탐지기 제조용 고급 섀도우 마스크를 형성시킬수 있다.

Claims (28)

  1. 반도체 디바이스를 지탱하는 기질;
    기질에 의해 지탱되는 하나 이상의 제 1전극;
    하나 이상의 제 1전극과 하나 이상의 제 2전극사이에 전류흐름을 도입하기 위해 기질에 의해 지탱되는 하나 이상의 제 2전극; 하나 이상의 제 1전극과 하나 이상의 제 2전극사이의 전류흐름을 조절하기 위해서 하나 이상의 제 1전극과 하나 이상의 제 2전극사이에서 지탱되는 하나 이상의 공액 유기 버퍼층; 자극에 대한 반응으로 반도체에 의해 생성된 인디케이터를 발생하기 위해서 하나 이상의 제 1전극과 하나 이상의 제 2전극 사이에 위치되며 하나 이상의 공액 유기 버퍼층과 접촉하는 잉크젯 인쇄된 하나 이상의 공액 유기 침전물을 포함하는 자극에 반하여 인디케이터를 생성하는 반도체 디바이스.
  2. 제 1항에 있어서, 하나 이상의 공액 유기 침전물이 하나 이상의 제 1전극과 하나 이상의 제 2전극에 적용된 전압 자극에 반응하여 공액 침전물과 하나 이상의 공액 유기 버퍼층을 통한 전류 흐름을 조장하는 전도성 물질을 포함함을 특징으로 하는 디바이스.
  3. 제 2 항에 있어서, 기질과 하나 이상의 제 1전극이 투명하고 하나 이상의 공액 유기 버퍼층이 전류가 흐를 때 발광성이 될 수 있는 물질로 구성됨을 특징으로 하는 디바이스.
  4. 제 2 항에 있어서, 기질과 하나 이상의 제 1전극이 투명하고 하나 이상의 공액 유기 침전물이 전류가 흐를 때 발광성이 될 수 있는 물질로 구성됨을 특징으로 하는 디바이스.
  5. 제 1항에 있어서, 기질과 하나 이상의 제 1전극이 투명하고 하나 이상의 공액 유기 침전물이 발광성이 될 수 있고 게스트 물질로 구성되며 하나 이상의 공액 유기 버퍼층이 발광성이 될 수 있는 호스트 물질로 구성되며 게스트 물질이 호스트 물질에 부분 확산되며, 하나 이상의 제 1전극과 하나 이상의 제 2전극에 적용된 전압 자극에 반응하여 반도체 디바이스가 게스트 물질에 따라 발광하도록 게스트 물질이 호스트 물질보다 크지 않은 밴드갭 폭과 에너지 준위를 가지며 하나 이상의 제 1전극과 하나 이상의 제 2전극 사잉에서 게스트 물질과 호스트 물질을 통해 전류가 흐름을 특징으로 하는 디바이스.
  6. 제 5항에 있어서, 디바이스가 복수의 공액 유기 침전물을 포함하며 각 공액 유기 침전물이 적색, 녹색 및 청색을 발광할 수 있는 게스트 물질로 구성된 3가지 공액 유기 침전물임을 특징으로 하는 디바이스.
  7. 제 5항에 있어서, 하나 이상의 공액 유기 버퍼층이 폴리플루오렌 유도체로 구성되며 하나 이상의 공액 유기 침전물이 가용성 폴리(p-페닐렌비닐렌) 유도체 및 폴리플루오렌 유도체로 구성되며 하나 이상의 제 1전극이 인듐 주석-산화물로 구성됨을 특징으로 하는 디바이스.
  8. 반도체 디바이스 지탱 기질;
    전류흐름을 도입하기 위해 기질에 의해 지탱되는 복수의 소스 전극; 전류흐름을 제어하기 위해 기질에 의해 지탱되는 복수의 게이트 전극; 복수의 소스전극과 전류흐름을 제어하는 복수의 게이트 전극사이에서 지탱되며 소스 전극에 연결된 소스 터미널, 게이트 전극에 연결된 게이트 터미널 및 드레인 터미널을 갖는 복수의 트랜지스터;
    복수의 트랜지스터의 드레인 터미널과 제 2전극간에 전류흐름을 촉진하기 위해 복수의 트랜지스터에 의해 지탱되는 제 2전극; 복수의 트랜지스터와 제 2전극 사이에서 지탱되며 복수의 트랜지스터의 드레인 터미널과 제 2전극과 접촉하여 복수의 트랜지스터 드레인 터미널과 제 2전극간 전류흐름을 조절하는 공액 유기 버퍼층; 자극에 반응하여 반도체 디바이스에 의해 생성된 인디케이터를 발생시키기 위해 공액 유기 버퍼층과 접촉하며 각 트랜지스터에 의해 지탱되는 잉크젯 인쇄된 복수의 공액 유기 침전물을 포함하는 자극에 반응하여 인디케이터를 생성하는 반도체 디바이스.
  9. 반도체 디바이스 지탱기질; 유체 흐름을 여과하기 위해서 기질에 의해 지탱되는 하나 이상의 공액 유기 버퍼층; 자극에 반응하여 반도체 디바이스에 의해 생성된 인디케이터를 발생하기 위해 하나 이상의 공액 유기 버퍼층에 침전된 잉크젯 인쇄된 하나 이상의 공액 유기 침전물을 포함하는 자극에 반응하여 인디케이터를 생성하는 반도체 디바이스.
  10. 제 9항에 있어서, 각 공액 유기 침전물이 공액 유기 침전물로 확산하는 유체 샘플의 자극에 반응하여 형광을 발휘함을 특징으로 하는 디바이스.
  11. 제 9항에 있어서, 공액 유기 침전물내에서 전도도를 감지하기 위해서 각 공액 유기 침전물내에 배치된 제 1전극 및 제 2전극 쌍을 더욱 포함하며 각 공액 유기 침전물의 전도도가 공액 유기 침전물로 확산하는 유체 샘플의 자극에 반응하여 변함을 특징으로 하는 디바이스.
  12. 기질위에 하나 이상의 제 1전극을 배치하고; 하나의 공액 유기 버퍼층이 각 제 1전극과 접촉하도록 하나 이상의 제 1전극위에 하나 이상의 공액 유기 버퍼층을 배치하고; 각 공액 유기 침전물이 하나 이상의 공액 유기 버퍼층과 접촉하도록 하나 이상의 제 1전극 위에 하나 이상의 공액 유기 침전물을 잉크젯 인쇄하고; 최상부 공액 유기 버퍼층위에 하나 이상의 제 2전극을 배치하는 단계를 포함하는 자극에 반응하여 인디케이터를 생성할 수 있는 반도체 디바이스 제조방법.
  13. 제 12항에 있어서, 최상부 공액 유기 버퍼층위에 하나 이상의 제 2전극을 배치하는 단계가
    - 최상부 공액 유기 버퍼층과 접촉시 낮은 접착강도를 가지는 하나 이상의 유기 마스크를 최상부 공액 유기 버퍼층위에 접촉시켜 잉크젯 인쇄하며;
    - 최상부 공액 유기 버퍼층 및 하나 이상의 유기 마스크와 접촉시 높은 접착강도를 가지는 제 2전극재료를 하나 이상의 유기 마스크 및 최상부 공액 유기 버퍼층 위에 접촉시켜 배치하고;
    - 제 2전극 재료에 접착 쉬이트를 적용하고;
    - 접착쉬이트를 제거하여 하나 이상의 유기 마스크와 그 위에 있는 제 2전극 재료가 제거되는 단계를 포함함을 특징으로 하는 제조방법.
  14. 제 12항에 있어서, 최상부 공액 유기 버퍼층위에 하나 이상의 제 2전극을 배치하는 단계가
    - 분할기를 사용하여 제 2전극재료가 침전되지 않을 최상부 공액 유기 버퍼층상의 영역을 섀도우 마스킹하며;
    - 분할기 사이에 제 2전극재료를 잉크젯 인쇄하는 단계를 포함함을 특징으로 하는 제조방법.
  15. 기질위에 복수의 소스전극을 배치하고;
    기질위에 복수의 게이트전극을 배치하고;
    복수의 소스전극과 복수의 게이트전극 사이에 소스전극에 연결된 소스단자, 게이트전극에 연결된 게이트단자, 및 드레인 단자를 가지는 복수의 트랜지스터를 배치하고; 복수의 트랜지스터 위에 제 2전극을 배치하고; 공액 유기 버퍼층이 복수의 트랜지스터 드레인 단자 및 제 2전극과 접촉하도록 복수의 트랜지스터와 제 2전극사이에 공액 유기 버퍼층을 배치하고; 복수의 공액 유기 침전물이 공액 유기 버퍼층 및 제 2전극과 접촉하도록 각 트랜지스터 위에 복수의 공액 유기 침전물을 잉크젯 인쇄하는 단계를 포함하는 자극에 반응하여 인디케이터를 생성할 수 있는 반도체 디바이스 제조방법.
  16. 기질위에 하나 이상의 공액 유기 침전물을 잉크젯 인쇄하고; 각 공액 유기 침전물이 제1 공액 유기 버퍼층과 접촉하도록 각 공액 유기 침전물 위에 제 1 공액 유기 버퍼층을 배치하는 단계를 포함하는 자극에 반응하여 인디케이터를 생성할 수 있는 반도체 디바이스 제조방법.
  17. 제 16항에 있어서, 기질위에 하나 이상의 공액 유기 침전물을 잉크젯 인쇄하는 단계에 앞서서 각 공액 유기 침전물이 제1 전극 및 제 2전극쌍위에 잉크젯 인쇄되도록 기질위에 제 1전극 및 제 2전극 쌍을 배치하는 단계를 더욱 포함하는 자극에 반응하여 인디케이터를 생성할 수 있는 반도체 디바이스 제조방법.
  18. 제 16항에 있어서, 제 1 공액 유기 버퍼층위에 하나 이상의 공액 유기 침전물층을 잉크젯 인쇄하고; 하나 이상의 추가 공액 유기 침전물층이 추가 공액 유기 버퍼층과 접촉하도록 각 추가 공액 유기 침전물층위에 추가 공액 유기 버퍼층을 배치하는 단계를 더욱 포함하는 제조방법.
  19. 제 18항에 있어서, 제 1공액 유기 버퍼층위에 하나 이상의 추가 공액 유기 침전물층을 잉크젯 인쇄하는 단계에 앞서서 각 공액 유기 침전물이 제 1전극과 제 2전극쌍 위에 잉크젯 인쇄되도록 제 1 공액 유기 버퍼층 위에 하나 이상의 제 1전극과 제 2전극쌍을 배치하는 단계를 더욱 포함하는 제조방법.
  20. 방출 시스템을 배치시키기 위한 기질; 기질에 의해 지탱되는 하나 이상의 제 1전극; 하나 이상의 제 1전극과 하나 이상의 제 2전극 사이에 전류 흐름을 도입하기 위해 기질에 의해 지탱되는 하나 이상의 제 2전극; 전류흐름을 조절하기 위해서 하나 이상의 제 1전극과 하나 이상의 제 2전극사이에 지탱되는 하나 이상의 공액 유기 버퍼층;
    제 1전극과 제 2전극에 전압자극이 가해질 때 인디케이터를 발생하기 위해서 제 1전극과 제 2전극사이에 위치되며 하나 이상의 공액 유기 버퍼층과 접촉하는 복수의 잉크젯 인쇄된 공액 유기 침전물; 하나 이상의 제 1전극과 하나 이상의 제 2전극에 전압 자극을 선택적으로 적용하는 전압원을 포함하는 시각영상을 제시하는 방출시스템.
  21. 제 20항에 있어서, 기질과 하나 이상의 제 1전극이 투명하고 복수의 공액 유기 침전물이 전압 자극에 반응하여 하나 이상의 공액 유기 침전물과 이와 접촉하는 각 공액 유기 버퍼층을 통해 국지화된 전류흐름을 조장하는 전도성물질로 구성되며 하나 이상의 공액 유기 버퍼층이 공액 유기 버퍼층을 통해 전류가 흐를 때 발광하는 재료로 구성됨을 특징으로 하는 시스템.
  22. 제 21항에 있어서, 하나 이상의 연속한 공액 유기 침전물이 인쇄되고 각 공액 유기 침전물은 하나 이상의 공액 유기 버퍼층을 통해 전류가 흐를 때 발광 로고를 형성함을 특징으로 하는 시스템.
  23. 제 21항에 있어서, 복수의 이산 공액 유기 침전물이 인쇄되고, 각 공액 유기 침전물은 일정한 밀도를 가지며 인쇄된 복수의 침전물을 하나 이상의 공액 유기 버퍼층을 통해 전류가 흐를 때 그레이-스케일 발광 영상을 형성함을 특징으로 하는 시스템.
  24. 제 20항에 있어서, 기질과 하나 이상의 제 1전극이 투명하고 복수의 공액 유기 침전물이 규칙적 배열의 공액 유기 침전물군으로 배열되며, 각 군은 공액 유기 침전물을 통해 전류가 흐를 때 적색, 녹색 및 청색 발광을 하는 게스트물질로 구성된 3개의 공액 유기 침전물을 포함하고, 규칙적 배열은 다색 발광 디스플레이를 형성함을 특징으로 하는 시스템.
  25. 제 20항에 있어서, 기질과 적어도 하나의 제 1전극이 투명하고 복수의 공액 유기 침전물이 발광성이 될 수 있는 게스트 물질로 구성되며 적어도 하나의 공액 유기 버퍼층이 발광성이 될 수 있는 호스트 물질로 구성되며 게스트 물질은 호스트 물질에 부분확산되며, 복수의 공액 유기 침전물은 규칙적 배열의 공액 유기 침전물군으로 정렬되고 각 군은 적색, 녹색 및 청색 발광을 하는 게스트 물질로 구성되며 전압자극이 가해질 때 각 군이 적색, 녹색 및 청색 발광을 하도록 게스트 물질이 호스트 물질보다 작은 밴드갭 폭 및 에너지 준위를 가지며, 규칙적 배열이 전류가 공액 유기 침전물을 통해 흐를 때 다색 발광 디스플레이를 형성함을 특징으로 하는 시스템.
  26. 방출시스템 지탱 기질; 전류흐름을 도입하기 위해 기질에 의해 지탱되는 복수의 소스 전극; 전류흐름을 제어하기 위해 기질에 의해 지탱되는 복수의 게이트 전극; 복수의 소스전극과 전류흐름을 제어하는 복수의 게이트 전극사이에서 지탱되며 소스 전극에 연결된 소스 터미널, 게이트 전극에 연결된 게이트 터미널 및 드레인 터미널을 갖는 복수의 트랜지스터;
    복수의 트랜지스터의 드레인 터미널과 제 2전극간에 전류흐름을 촉진하기 위해 복수의 트랜지스터에 의해 지탱되는 제 2전극; 복수의 트랜지스터와 제 2전극 사이에서 지탱되며 복수의 트랜지스터의 드레인 터미널과 제 2전극과 접촉하여 복수의 트랜지스터 드레인 터미널과 제 2전극간 전류흐름을 조절하는 공액 유기 버퍼층; 자극에 반응하여 반도체 디바이스에 의해 생성된 인디케이터를 발생시키기 위해 공액 유기 버퍼층과 접촉하며 각 트랜지스터에 의해 지탱되는 잉크젯 인쇄된 복수의 공액 유기 침전물; 복수의 소스전극과 제 2전극에 전압자극을 선택적으로 적용하기 위해 방출시스템에 연결된 전압원을 포함하는 시각영상 제시를 위한 방출시시템.
  27. 제 26항에 있어서, 기질과 하나 이상의 제 1전극이 투명하고 복수의 공액 유기 침전물이 규칙적 배열의 공액 유기 침전물군으로 배열되며, 각 군은 공액 유기 침전물을 통해 전류가 흐를 때 적색, 녹색 및 청색 발광을 하는 게스트물질로 구성된 3개의 공액 유기 침전물을 포함하고, 규칙적 배열은 다색 발광 디스플레이를 형성함을 특징으로 하는 시스템.
  28. 제 26항에 있어서, 기질과 적어도 하나의 제 1전극이 투명하고 복수의 공액 유기 침전물이 발광성이 될 수 있는 게스트 물질로 구성되며 적어도 하나의 공액 유기 버퍼층이 발광성이 될 수 있는 호스트 물질로 구성되며 게스트 물질은 호스트 물질에 부분 확산되며, 복수의 공액 유기 침전물은 규칙적 배열의 공액 유기 침전물군으로 정렬되고 각 군은 적색, 녹색 및 청색 발광을 하는 게스트 물질로 구성되며 전압자극이 가해질 때 각 군이 적색, 녹색 및 청색 발광을 하도록 게스트 물질이 호스트 물질보다 작은 밴드갭 폭 및 에너지 준위를 가지며, 규칙적 배열이 전류가 공액 유기 침전물을 통해 흐를 때 다색 발광 디스플레이를 형성함을 특징으로 하는 시스템.
KR1020007004091A 1997-10-17 1998-10-14 잉크젯 인쇄기술을 사용한 유기 반도체 디바이스 제조방법및 디바이스 및 이를 사용하는 시스템 KR20010031169A (ko)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US6229497P 1997-10-17 1997-10-17
US60/062,294 1997-10-17
US7270998P 1998-01-27 1998-01-27
US60/072,709 1998-01-27
PCT/US1998/021665 WO1999021233A1 (en) 1997-10-17 1998-10-14 Process for fabricating organic semiconductor devices using ink-jet printing technology and device and system employing same

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20010031169A true KR20010031169A (ko) 2001-04-16

Family

ID=26742089

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020007004091A KR20010031169A (ko) 1997-10-17 1998-10-14 잉크젯 인쇄기술을 사용한 유기 반도체 디바이스 제조방법및 디바이스 및 이를 사용하는 시스템

Country Status (7)

Country Link
EP (1) EP1029369A4 (ko)
JP (1) JP2001521269A (ko)
KR (1) KR20010031169A (ko)
CN (1) CN1280708A (ko)
AU (1) AU725148B2 (ko)
CA (1) CA2306948C (ko)
WO (1) WO1999021233A1 (ko)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100858223B1 (ko) * 2007-05-21 2008-09-10 연세대학교 산학협력단 자가정렬된 반도체 나노와이어 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법
KR101320808B1 (ko) * 2006-02-12 2013-10-21 박순영 시프트 레지스터로 제어되는 선형 디스플레이 모듈

Families Citing this family (33)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5167569B2 (ja) 1999-06-21 2013-03-21 ケンブリッジ・エンタープライズ・リミテッド トランジスタの製造方法
TW512543B (en) 1999-06-28 2002-12-01 Semiconductor Energy Lab Method of manufacturing an electro-optical device
DE19937724C1 (de) * 1999-08-10 2000-12-07 Bosch Gmbh Robert Lichtemittierende Matrixanzeige sowie Verfahren zur Herstellung einer lichtemittierenden Matrixanzeige
TW468283B (en) 1999-10-12 2001-12-11 Semiconductor Energy Lab EL display device and a method of manufacturing the same
TW480722B (en) 1999-10-12 2002-03-21 Semiconductor Energy Lab Manufacturing method of electro-optical device
TW471011B (en) 1999-10-13 2002-01-01 Semiconductor Energy Lab Thin film forming apparatus
US6294398B1 (en) * 1999-11-23 2001-09-25 The Trustees Of Princeton University Method for patterning devices
JP4827294B2 (ja) * 1999-11-29 2011-11-30 株式会社半導体エネルギー研究所 成膜装置及び発光装置の作製方法
EP1243035B1 (en) 1999-12-21 2016-03-02 Flexenable Limited Forming interconnects
CN1245769C (zh) * 1999-12-21 2006-03-15 造型逻辑有限公司 溶液加工
GB9930217D0 (en) 1999-12-21 2000-02-09 Univ Cambridge Tech Solutiion processed transistors
BR0016670A (pt) * 1999-12-21 2003-06-24 Plastic Logic Ltd Métodos para formar um circuito integrado e para definir um circuito eletrônico, e, dispositivo eletrônico
JP2003518754A (ja) 1999-12-21 2003-06-10 プラスティック ロジック リミテッド 溶液処理された素子
GB0002958D0 (en) * 2000-02-09 2000-03-29 Cambridge Display Tech Ltd Optoelectronic devices
US7163712B2 (en) * 2000-03-03 2007-01-16 Duke University Microstamping activated polymer surfaces
DE10012205A1 (de) 2000-03-13 2001-09-27 Siemens Ag Leuchtdiode auf der Basis von löslichen organischen Materialien
DE10045192A1 (de) 2000-09-13 2002-04-04 Siemens Ag Organischer Datenspeicher, RFID-Tag mit organischem Datenspeicher, Verwendung eines organischen Datenspeichers
US6424093B1 (en) * 2000-10-06 2002-07-23 Eastman Kodak Company Organic electroluminescent display device with performed images
GB2367788A (en) * 2000-10-16 2002-04-17 Seiko Epson Corp Etching using an ink jet print head
GB2369428B (en) * 2000-11-22 2004-11-10 Imperial College Detection system
WO2002078052A2 (de) * 2001-03-26 2002-10-03 Siemens Aktiengesellschaft Gerät mit zumindest zwei organischen elektronischen bauteilen und verfahren zur herstellung dazu
NL1020312C2 (nl) 2002-04-05 2003-10-07 Otb Groep B V Werkwijze en inrichting voor het vervaardigen van een display, zoals bijvoorbeeld een polymere OLED display, een display en een substraat ten gebruike bij de werkwijze.
GB0218202D0 (en) 2002-08-06 2002-09-11 Avecia Ltd Organic light emitting diodes
US7098060B2 (en) 2002-09-06 2006-08-29 E.I. Du Pont De Nemours And Company Methods for producing full-color organic electroluminescent devices
US7297621B2 (en) 2003-04-15 2007-11-20 California Institute Of Technology Flexible carbon-based ohmic contacts for organic transistors
DE112004000838T5 (de) 2003-05-21 2006-03-30 Dow Global Technologies, Inc., Midland Mischung von Viskositätsmodifzierungsmittel und lumineszenter Verbindung
DE10323889A1 (de) * 2003-05-27 2004-12-16 Ehrfeld Mikrotechnik Ag Wälzlager mit Polymerelektronik
US7446051B2 (en) 2003-09-09 2008-11-04 Csg Solar Ag Method of etching silicon
WO2005024920A1 (en) * 2003-09-09 2005-03-17 Csg Solar, Ag Improved method of forming openings in an organic resin material
JP2007505486A (ja) 2003-09-09 2007-03-08 シーエスジー ソーラー アクチェンゲゼルシャフト リフローによるマスクの調整
US7067841B2 (en) 2004-04-22 2006-06-27 E. I. Du Pont De Nemours And Company Organic electronic devices
US7268006B2 (en) 2004-12-30 2007-09-11 E.I. Du Pont De Nemours And Company Electronic device including a guest material within a layer and a process for forming the same
US8440785B2 (en) 2009-06-30 2013-05-14 Plextronics, Inc. Compositions, methods and polymers

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5132248A (en) * 1988-05-31 1992-07-21 The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy Direct write with microelectronic circuit fabrication
EP0443861B2 (en) * 1990-02-23 2008-05-28 Sumitomo Chemical Company, Limited Organic electroluminescence device
US5202261A (en) * 1990-07-19 1993-04-13 Miles Inc. Conductive sensors and their use in diagnostic assays
US6843937B1 (en) * 1997-07-16 2005-01-18 Seiko Epson Corporation Composition for an organic EL element and method of manufacturing the organic EL element

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101320808B1 (ko) * 2006-02-12 2013-10-21 박순영 시프트 레지스터로 제어되는 선형 디스플레이 모듈
KR100858223B1 (ko) * 2007-05-21 2008-09-10 연세대학교 산학협력단 자가정렬된 반도체 나노와이어 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법

Also Published As

Publication number Publication date
CA2306948A1 (en) 1999-04-29
AU1084699A (en) 1999-05-10
EP1029369A4 (en) 2002-04-03
JP2001521269A (ja) 2001-11-06
EP1029369A1 (en) 2000-08-23
AU725148B2 (en) 2000-10-05
CN1280708A (zh) 2001-01-17
CA2306948C (en) 2004-09-07
WO1999021233A1 (en) 1999-04-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20010031169A (ko) 잉크젯 인쇄기술을 사용한 유기 반도체 디바이스 제조방법및 디바이스 및 이를 사용하는 시스템
US6576975B2 (en) Organic semiconductor devices using ink-jet printing technology and device and system employing same
JP2001521269A5 (ko)
US6252253B1 (en) Patterned light emitting diode devices
US6087196A (en) Fabrication of organic semiconductor devices using ink jet printing
Lan et al. Inkjet printing for electroluminescent devices: emissive materials, film formation, and display prototypes
Hebner et al. Local tuning of organic light-emitting diode color by dye droplet application
US8828649B2 (en) Method of patterning a thin film
US5902689A (en) Electroluminescent device
US20060116001A1 (en) Patterning method
EP1374323B1 (en) Patterning method
KR100872154B1 (ko) 용액 처리 공정
US8344615B2 (en) Organic electroluminescent device and method for manufacturing the same
EP2328195A1 (en) Substrate having thin film, organic electroluminescence display device, color filter substrate and method for manufacturing substrate having thin film
TW200948177A (en) Process for forming lyophilic and lyophobic patterns and process for producing organic electroluminescence device
US7586245B2 (en) Using prismatic microstructured films for image blending in OLEDS
CN1390434A (zh) 电发光器件及其制造方法
CN101207075B (zh) 有机电致发光器件及其制造方法
US20050276910A1 (en) Post processing of films to improve film quality
US7285909B2 (en) Electroluminescent device with a color filter
Sprengard et al. OLED devices for signage applications: a review of recent advances and remaining challenges
CN1926698B (zh) 导电聚合物的沉积
US20170141171A1 (en) Electrical device to mask systematic luminance variation
WO2000029779A1 (en) Process for generating luminescence emissions from polymer solutions, gels, and liquid polymers in a compact cell configuration, and device employing same
US7619243B2 (en) Color organic electroluminescent display and method for fabricating the same

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E601 Decision to refuse application