CN101207075B - 有机电致发光器件及其制造方法 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 71
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title abstract description 22
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 81
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 40
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 claims abstract description 25
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims description 77
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 52
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 claims description 49
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 16
- 150000003384 small molecules Chemical class 0.000 claims description 8
- GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N Indium phosphide Chemical compound [In]#P GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);selenium(2-) Chemical compound [Se-2].[Cd+2] UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 claims description 7
- MARUHZGHZWCEQU-UHFFFAOYSA-N 5-phenyl-2h-tetrazole Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=NNN=N1 MARUHZGHZWCEQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 42
- 125000003368 amide group Chemical group 0.000 description 28
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 25
- 239000004205 dimethyl polysiloxane Substances 0.000 description 16
- 235000013870 dimethyl polysiloxane Nutrition 0.000 description 16
- CXQXSVUQTKDNFP-UHFFFAOYSA-N octamethyltrisiloxane Chemical compound C[Si](C)(C)O[Si](C)(C)O[Si](C)(C)C CXQXSVUQTKDNFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 238000010422 painting Methods 0.000 description 16
- 238000004987 plasma desorption mass spectroscopy Methods 0.000 description 16
- 229920000435 poly(dimethylsiloxane) Polymers 0.000 description 16
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 15
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 8
- 230000027756 respiratory electron transport chain Effects 0.000 description 6
- 239000000412 dendrimer Substances 0.000 description 5
- 229920000736 dendritic polymer Polymers 0.000 description 5
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 5
- 229910004613 CdTe Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 4
- 238000001125 extrusion Methods 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- MRNHPUHPBOKKQT-UHFFFAOYSA-N indium;tin;hydrate Chemical compound O.[In].[Sn] MRNHPUHPBOKKQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 3
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 3
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 2
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 2
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- PYJJCSYBSYXGQQ-UHFFFAOYSA-N trichloro(octadecyl)silane Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCC[Si](Cl)(Cl)Cl PYJJCSYBSYXGQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 2
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 125000000118 dimethyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000000855 fermentation Methods 0.000 description 1
- 230000004151 fermentation Effects 0.000 description 1
- 238000012858 packaging process Methods 0.000 description 1
- 229920005573 silicon-containing polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 1
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TYHJXGDMRRJCRY-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) tin(4+) Chemical compound [O-2].[Zn+2].[Sn+4].[In+3] TYHJXGDMRRJCRY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
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- H10K50/841—Self-supporting sealing arrangements
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/842—Containers
- H10K50/8426—Peripheral sealing arrangements, e.g. adhesives, sealants
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/844—Encapsulations
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/846—Passivation; Containers; Encapsulations comprising getter material or desiccants
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/123—Connection of the pixel electrodes to the thin film transistors [TFT]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
- H01L2924/1204—Optical Diode
- H01L2924/12044—OLED
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Abstract
本发明公开了一种用于制造有机电致发光器件的方法,包括:在具有子像素的基板上形成第一电极和第一载流子传输层,该子像素包括用于第一颜色的第一发光区域、用于第二颜色的第二发光区域、和用于第三颜色的第三发光区域;使用第一疏水材料在第一发光区域中形成第一颜色发光层;使用第二疏水材料在第二发光区域中形成第二颜色发光层;在第一、第二和第三发光区域中或第三发光区域中形成第三颜色发光层;在第三发光区域上形成第二载流子传输层;以及在第二载流子传输层上形成第二电极。
Description
本申请要求享有2006年12月20日提出的申请号为No.P2006-130662的韩国专利申请的优先权,在此结合其全部内容作为参考。
技术领域
本发明的实施方式涉及一种显示器件,尤其是,涉及一种有机电致发光器件及其制造方法。
背景技术
平板显示器的一种代表性示例是重量轻和功耗小的液晶显示(LCD)器件。从而,LCD器件在整个世界已经广泛的用于平板显示器。然而,LCD器件不是发光器件。即,对于LCD器件需要采用额外的光源,例如背光单元来发光。同时,LCD器件在亮度、对比度、和视角方面具有技术局限性,并且在增加有效显示区域的大小方面存在困难。为了解决上述问题,很多开发者对于改进的平板显示器进行透彻的研究。
有机电致发光器件是一种自发光器件。有机电致发光器件具有优于LCD器件的理想的视角和对比度。不需要使用背光。有机电致发光器件可以制造的尺寸小、重量轻、并且厚度薄。同时,有机电致发光器件具有优于LCD器件的功耗。例如,有机电致发光器件可以用DC低电压驱动,具有快速的响应速度,因为其由固体制成,因此具有对外界碰撞很强的抵抗力,具有宽范围的可适应的温度,并且由低价的元件构成。因此,有机电致发光器件优于液晶显示(LCD)器件。
有机电致发光器件的制造工序不同于液晶显示(LCD)和等离子显示面板(PDP),主要由沉积工序和封装工序组成,从而有机电致发光器件的制造工序被认为非常简单。
图1示出了现有技术的有机电致发光器件的单位像素的能带(band)的示意图。参照图1,有机电致发光器件包括位于阳极1和阴极7之间的空穴传输层3(也称为空穴传输层)、发光层4(也称为发光层)、和电子传输层5(也称为电子传输层)。为了有效注入空穴和电子,有机电致发光器件还可以包括位于电子传输层5和阴极7之间的空穴注入层2和电子注入层6。这样,从阳极1向空穴注入层2和空穴传输层3发射空穴,然后将其注入发光层4。从阴极7向电子注入层6和电子传输层5发射电子,然后将其注入发光层4。空穴和电子形成激子8,从而激子8产生对应于电子和空穴之间的能量的光。
阳极1是从具有高功函的透明导电材料中选择,例如ITO(氧化铟锡)、IZO(氧化铟锌)、和ITZO(氧化铟锡锌),从而光通过阳极1。阴极7从具有低功函的化学性稳定的金属中选择。
上述有机电致发光器件可以为各像素形成具有三种颜色(红、绿、蓝)之一的发光层。发光层主要由发光材料构成。
在上述发光材料的制造工序中,因为单独颜色区域的发光材料具有不同的干燥时间和不同的粘度,因此在发光层中出现不规则图案,从而发光层不适合于几微米的精细的发光层并且在发光层的边缘部分的附近会出现意想不到的混合颜色,导致颜色纯度的恶化。
发明内容
因此,本发明的实施方式涉及一种有机电致发光器件及其制造方法,其基本上消除由于现有技术的局限性和缺陷引起的一个或多个问题。
本发明的实施方式的一个目的在于提供一种具有几微米的精细的发光层的有机电致发光器件及其制造方法。
本发明的另一个目的在于提供一种在发光层的各颜色中具有提高的颜色纯度的有机电致发光器件及其制造方法。
本发明的其它优点、目的和特征将在说明书中阐明,熟悉本领域的技术人员从说明书可以明白,或可以通过本发明的实施方式理解。本发明的目的和其它优点将通过说明书和权利要求书以及附图所指出的结构来实现和获得。
为了获得这些目的和其它的优点并根据本发明的目的,如在此具体和广泛描述的,一种用于制造有机电致发光器件的方法,包括:在具有子像素的基板上形成第一电极和第一载流子传输层,该子像素包括用于第一颜色的第一发光区域、用于第二颜色的第二发光区域、和用于第三颜色的第三发光区域;使用第一疏水材料在第一发光区域中形成第一颜色发光层;使用第二疏水材料在第二发光区域中形成第二颜色发光层;在第一、第二和第三发光区域中或第三发光区域中形成第三颜色发光层;在第三发光区域上形成第二载流子传输层;以及在第二载流子传输层上形成第二电极。
在另一方面,一种用于制造有机电致发光器件的方法,包括:在具有子像素的基板上形成第一电极和第一载流子传输层,该子像素包括用于第一颜色的第一发光区域、用于第二颜色的第二发光区域、和用于第三颜色的第三发光区域;在第一发光区域的第一载流子传输层上形成第一亲水材料;在第一亲水材料上形成第一颜色发光层;在第二发光区域的第一载流子传输层上形成第二亲水材料;在第二亲水材料上形成第二颜色发光层;在第三发光区域的第一载流子传输层、第一颜色发光层和第二颜色发光层上、或者第三发光区域的第一载流子传输层上形成第三亲水材料;在第三亲水材料上形成第三颜色发光层;在第三颜色发光层上形成第二载流子传输层;以及在第二载流子传输层上形成第二电极。
在另一方面,一种有机电致发光器件包括:具有子像素的基板上的第一电极和第一载流子传输层,该子像素包括用于第一颜色的第一发光区域、用于第二颜色的第二发光区域、和用于第三颜色的第三发光区域;第一、第二和第三发光区域中的第一载流子传输层上的第一亲水材料;第一发光区域中的第一亲水材料上的第一颜色发光层;第二发光区域中的第一亲水材料上的第二颜色发光层;第一和第二颜色发光层上的第二亲水材料;第三发光区域中的第一亲水材料和第二亲水材料上的第三颜色发光层;第三颜色发光层上的第二载流子传输层;以及第二载流子传输层上的第二电极。
在另一发面,一种有机电致发光器件包括:具有子像素的基板上的第一电极和第一载流子传输层,该子像素包括用于第一颜色的第一发光区域、用于第二颜色的第二发光区域、和用于第三颜色的第三发光区域;第一、第二和第三发光区域中的第一载流子传输层上的亲水材料;第一发光区域中的亲水材料上的第一颜色发光层;第二发光区域中的亲水材料上的第二颜色发光层;第三发光区域中的亲水材料上的第三颜色发光层;第一、第二和第三发光层上的第二载流子传输层;以及第二载流子传输层上的第二电极。
应该理解,本发明上面的概括性描述和下面的详细说明都是示例性和解释性的,其目的在于对本发明的权利要求作进一步解释。
附图说明
本申请所包含的附图用于进一步理解本发明,其与说明书相结合并构成说明书的一部分,所述附图表示本发明的实施例并与说明书一起解释本发明的原理。在图中:
图1示出了现有技术的有机电致发光器件的单位像素的能带的示意图;
图2A至2K示出了根据本发明的实施方式的有机电致发光器件的制造工序的横截面图;以及
图3A至3E示出了根据本发明另一实施方式的第三发光层的可选制造工序的横截面图。
具体实施方式
现在详细参照附图所示的示例,说明本发明的优选实施方式。尽可能的,相同的附图标记在所有的图中指代相同或相似的部分。
图2A至2K示出了根据本发明的实施方式的有机电致发光器件的制造工序的横截面图。图2A至2K的有机电致发光器件在各子像素作为屏幕的最小单位的发光区域的基础上进行说明。
参照图2A,第一电极110沉积在包括不同颜色的发光区域的基板11上,例如红色(R)发光区域、绿色(G)发光区域、和蓝色(B)发光区域。第一载流子传输层118沉积在形成有第一电极110的基板11上。第一电极110对应于作为下电极的阳极。第一电极110从透明导电材料中选择。优选的,第一电极110可以由ITO、IZO、和ITZO的任意一种构成。第一载流子传输层118可以依次包括空穴注入层和空穴传输层。基板11用作有机电致发光器件的基板,从而其对应于包括薄膜晶体管(TFT)和存储电容的阵列基板。
参照图2B,第一聚二甲基硅氧烷(PDMS)印模120对准其上形成有第一载流子传输层118的基板11。PDMS印模120用于接触第一载流子传输层118。具体的,第一PDMS印模120具有突起的表面以接触绿色(G)发光区域和蓝色(B)发光区域,和红色(R)发光区域上方凹陷的表面。这样,第一十八烷基三氯硅烷(octadecyltrichlorosilane,OTS)图案122a由疏水材料构成。第一OTS图案122a对应于绿色(G)发光区域和蓝色(B)发光区域在第一PDMS印模120的突起表面上形成。
参照图2C,包括第一OTS图案122a的PDMS印模120开始接触第一载流子传输层118,从而第一OTS图案122a被转移到绿色(G)发光区域和蓝色(B)发光区域的第一载流子传输层118。第一OTS图案122a还可以由其他方法制成,例如辊轴印刷技术。根据辊轴印刷技术,使用印刷板在印刷辊上形成OTS图案122a,然后转印到第一载流子传输层118,从而形成OTS图案122a。
下面,如果配备有第一OTS图案122a的基板11浸入到包括亲水胺基的溶剂中,使得亲水材料的第一胺基图案124a仅在红色(R)发光区域的第一载流子传输层118上。
因此,由于第一OTS图案122a由疏水材料构成,各绿色(G)发光区域和蓝色(B)发光区域的第一载流子传输层118限定为疏水区域。由于第一胺基图案124a由亲水材料构成,红色(R)发光区域的第一载流子传输层118限定为亲水区域。
参照图2D,如果具有亲水区域和疏水区域的基板11涂覆有R(红色)—发光溶液,R发光层126a仅在第一胺基图案124a上形成,其中R发光层126a具有大约和之间的厚度。换句话说,如果涂覆红色(R)有机电致发光溶液,该R有机电致发光溶液没有涂覆在第一OTS图案122a上而是仅涂覆在由亲水材料构成的第一胺基图案124a上。
用于形成红色(R)发光层126a的红色(R)发光溶液可以从QD(量子点)溶液、小分子材料散布在有机溶剂的特殊溶液、和例如树枝状高分子(dendrimer)的溶液处理材料中选择。在QD溶液的情况下,亲水溶剂具有半导体材料量子点(QD),所述半导体材料量子点具有可见光区域中的能带隙,例如CdSe(硒化镉)、CdTe(碲化镉)或InP(磷化铟)。
存在各种涂覆方法用于提供R发光溶液,例如笔式涂覆方法、棒式涂覆方法、狭缝挤压涂覆方法、溶剂方法、和辊轴印刷方法。笔式涂覆方法允许笔、刀片(blade)、或狭缝紧紧附着在发光溶液沉积的基板的表面,向基板表面上的笔、刀片、或狭缝施加压力,并且在一个方向推笔、刀片、或狭缝。辊轴印刷方法使用印刷板在印刷辊上形成预定的图案,并且将该图案转印到基板上,从而形成想要的图案。
参照图2E,具有第一OTS图案122a的基板11浸入到OTS去除溶液来去除第一OTS图案122a从而完成R发光层126a的制造工序。
参照图2F,包括第二OTS图案的第二PDMS印模(图2F中未示出)对准配备有R发光层126a的第一载流子传输层118。第二PDMS印模开始接触基板110,从而第二OTS图案122b被转移到蓝色(B)发光区域和R发光层126a的第一载流子传输层118。即,第二PDMS印模具有接触蓝色(B)发光区域和R发光层126a的突起表面。然后,第二OTS图案122b在第二PDMS印模的突起表面上形成。当第二PDMS印模开始接触基板11时,第二OTS图案122b被转移到蓝色(B)发光区域和R发光层126a的第一载流子传输层118。这样,由于R发光层126a已经在红色(R)发光区域中形成,在红色(R)发光区域和蓝色(B)发光区域之间产生阶梯差。然而,第二PDMS印模具有轮廓线,从而第二OTS图案122b可以在蓝色(B)发光区域和R发光区域的R发光层126a的第一载流子传输层118上形成而不接触绿色(G)发光区域。在可供选择的方法中,还可以由其他方法形成,例如滚轴印刷方法。根据滚轴印刷方法,第二OTS图案使用印刷板在印刷辊上形成,并被转印到第一载流子传输层118和R发光层126a上,从而形成第二OTS图案。
下面,当配备有第二OTS图案122b的基板11浸入到包括亲水胺基的溶剂中时,由亲水材料构成的第二胺基图案124b仅在绿色(G)发光区域的第一载流子传输层118上形成。因此,由于第二OTS图案122b由疏水材料构成,蓝色(B)发光区域的第一载流子传输层118和红色(R)发光区域的红色(R)发光层126a被限定为疏水区域。由于第一胺基图案124a由亲水材料构成,绿色(G)发光区域的第一载流子传输层118限定为亲水区域。
参照图2G,如果具有亲水或疏水区域的基板11涂覆有G发光溶液,G发光层126b仅在第二胺基图案124b上形成,其中G发光层126b具有和之间的厚度。换句话说,当涂覆绿色(G)有机电致发光溶液时,该G有机电致发光溶液没有涂覆在第二OTS图案122b上,而是仅涂覆在由亲水材料构成的第二胺基图案124b上。
用于形成绿色(G)发光层126b的绿色(G)发光溶液可以从QD(量子点)溶液、小分子材料散布在有机溶剂的特殊溶液、和例如树枝状高分子的溶液处理材料中选择。在这种情况下,QD溶液是具有半导体材料量子点(QD)的亲水溶剂,所述半导体材料量子点具有可见光区域中的能带隙,例如CdSe、CdTe或InP。
存在各种涂覆方法用于提供G发光溶液,例如笔式涂覆方法、棒式涂覆方法、狭缝挤压涂覆方法、溶剂方法、和辊轴印刷方法。笔式涂覆方法允许笔、刀片、或狭缝紧紧附着在发光溶液沉积的基板的表面,向基板表面上的笔、刀片、或狭缝施加压力,并且在一个方向推笔、刀片、或狭缝。辊轴印刷方法使用印刷板在印刷辊上形成预定的图案,并且将该图案转印到基板上,从而形成想要的图案。
参照图2H,具有第二OTS图案122b的基板11浸入到OTS去除溶液来去除第二OTS图案122b从而完成G发光层126b的制造工序。
参照图2I,当配备有R和G发光层126a和126b的基板11浸入到亲水胺基的溶剂中时,第三胺基图案124c在蓝色(B)发光区域的第一载流子传输层118、R发光层126a、和G发光层126b上形成。因此,由于第三胺基图案124c由亲水材料构成,蓝色(B)发光区域的第一载流子传输层118、R发光层126a、和G发光层126b具有亲水区域。即,由于用于R和G发光层126a和126b的QD溶液是亲水溶剂,第三胺基图案124c在R和G发光层126a和126b以及蓝色(B)发光区域的第一载流子传输层118上形成。
参照图2J,如果具有亲水或疏水区域的基板11涂覆有蓝色(B)发光溶液,B发光层126c在由亲水材料构成的第三胺基图案124c上形成。用于形成蓝色(B)发光层126c的蓝色(B)发光溶液可以从QD(量子点)溶液、小分子材料散布在有机溶剂的特殊溶液、和例如树枝状高分子的溶液处理材料中选择。在这种情况下,QD溶液是具有半导体材料量子点(QD)的亲水溶剂,所述半导体材料量子点具有可见光区域中的能带隙,例如CdSe、CdTe或InP。
在这种情况下,蓝色(B)发光层126c通过由三种发光区域(即,R区域、G区域、和B区域)构成的第三胺基图案124c在各发光区域中形成。在蓝色(B)发光区域中形成的蓝色(B)发光层126c具有到的厚度,而在红色(B)发光区域中形成的红色(R)发光层126a或在绿色(G)发光区域中形成的绿色(G)发光层126b具有到的厚度,从而在红色(R)发光层126a和绿色(G)发光层126b上形成的蓝色(B)发光层126c具有到的厚度。这样,在红色(R)发光层126a和绿色(G)发光层126b上形成的蓝色(B)发光层126c用作空穴阻止层(HBL)。空穴阻止层(HBL)使空穴能够保持在红色和绿色发光层126a和126b中更长时间,从而已经由单独发光层的不同的能带隙位置减少的复合的概率可能增加。
存在各种B发光溶液的涂覆方法,例如笔式涂覆方法、棒式涂覆方法、狭缝挤压涂覆方法、溶剂方法、和辊轴印刷方法。笔式涂覆方法允许笔、刀片、或狭缝紧紧附着在发光溶液沉积的基板的表面,向基板表面上的笔、刀片、或狭缝施加压力,并且在一个方向推笔、刀片、或狭缝。辊轴印刷方法使用印刷板在印刷辊上形成预定的图案,并且将该图案转印到基板上,从而形成想要的图案。
参照图2K,第二载流子传输层128和第二电极129在B发光层126c上依次形成。如果第二电极129对应于阴极,第二电极129可以从具有低功函的至少一种金属(例如,铝(AL))中选择,并且第二载流子传输层128依次包括电子传输层和电子注入层。有机电致发光器件包括第一和第二电极110和129。第一载流子传输层118,发光层126a、126b、126c,以及第二载流子传输层128在第一电极110和第二电极129之间依次排列,从而形成有机电致发光器件。
图3A至3E示出了根据本发明另一实施方式的第三发光层的可选制造工序的横截面图。除了如图2I所示,使用亲水胺基的溶剂在蓝色(B)发光区域的第一载流子传输层118、R发光层126a、和G发光层126b上形成第三胺基图案124c之外,使用第三OTS图案122c形成由亲水材料构成的第三胺基图案124c。然后,B发光层126c仅在第三胺基图案124c上形成。
如图3A所示,包括由疏水材料构成的第三OTS图案122c的第三PDMS印模(图3A未示出)对准配备有R发光层126a和G发光层126b的第一载流子传输层118。第三PDMS印模开始接触基板110从而第三OTS图案122c被转移到R发光层126a和G发光层126b。即,第三PDMS印模接触R发光层126a和G发光层126b。然后,在第三PDMS印模的表面上形成的第三OTS图案122c被转移到R发光层126a和G发光层126b。在可供选择的方法中,第三OTS图案122c还可以由其它方法形成,例如滚轴印刷方法。根据滚轴印刷方法,第三OTS图案122c使用印刷板在印刷辊上形成,并被转印到R发光层126a和G发光层126b上,从而形成第三OTS图案122c。
如图3B所示,当配备有第三OTS图案122c的基板11浸入到包括亲水胺基的溶剂中时,由亲水材料形成的第三胺基图案124c仅在蓝色(B)发光区域的第一载流子传输层118上形成。由于第三OTS图案122c由疏水材料构成,R发光层126a和G发光层126b被限定为疏水区域。此外,由于第三胺基图案124c由亲水材料构成,蓝色(B)发光区域的第一载流子传输层118被限定为亲水区域。
参照图3C,如果具有亲水或疏水区域的基板11涂覆有B发光溶液,B发光层126c’仅在亲水区域(第三胺基图案124c)上形成,其中B发光层126c’具有290和390之间的厚度。换句话说,当涂覆蓝色(B)有机电致发光溶液时,该B有机电致发光溶液没有涂覆在第三OTS图案122c上,而是仅涂覆在由亲水材料构成的第三胺基图案124c上。
用于形成蓝色(B)发光层126c’的蓝色(B)发光溶液可以从QD(量子点)溶液、小分子材料散布在有机溶剂的特殊溶液、和例如树枝状高分子的溶液处理材料中选择。在这种情况下,QD溶液是具有半导体材料量子点(QD)的亲水溶剂,所述半导体材料量子点具有可见光区域中的能带隙,例如CdSe、CdTe或InP。
存在各种用于提供B发光溶液的涂覆方法,例如笔式涂覆方法、棒式涂覆方法、狭缝挤压涂覆方法、溶剂方法、和辊轴印刷方法。笔式涂覆方法允许笔、刀片、或狭缝紧紧附着在发光溶液沉积的基板的表面,向基板表面上的笔、刀片、或狭缝施加压力,并且在一个方向推笔、刀片、或狭缝。辊轴印刷方法使用印刷板在印刷辊上形成预定的图案,并且将该图案转印到基板上,从而形成想要的图案。
参照图3D,具有第三OTS图案122c的基板11浸入到OTS去除溶液来去除第三OTS图案122c从而完成B发光层126c’的制造工序。
参照图3E,第二载流子传输层128和第二电极129在发光层126a、126b、和126c’上依次形成。如果第二电极129对应于阴极,第二电极129可以从具有低功函的至少一种金属(例如,铝(AL))中选择,并且第二载流子传输层128依次包括电子传输层和电子注入层。有机电致发光器件包括第一和第二电极110和129。第一载流子传输层118,胺层中的胺基图案124a、124b、和124c,发射层中的发光层126a、126b、和126c’,以及第二载流子传输层128在第一电极110和第二电极129之间依次排列,从而形成有机电致发光器件。
亲水胺基图案的制造工序不局限于使用亲水溶剂形成亲水胺基图案的上述方法,在没有脱离本发明的精神或范围的情况下可以在各方面修改。此外,疏水OTS图案的制造工序不局限于经由配备有OTS的PDMS形成疏水OTS图案的上述方法,并且在没有脱离本发明的精神或范围的情况下可以在各方面修改。虽然本发明已经公开了用于在形成R发光层之后形成G发光层的方法,应该注意本发明的范围还可以应用于能够依次形成G发光层和R发光层的其它方法。
从上述说明显然看出,根据本发明的实施方式的用于制造有机电致发光器件的方法具有以下效果。根据本发明的实施方式的用于制造有机电致发光器件的方法限定了其中形成发光层的一个特定区域为亲水区域,限定了其中不形成发光层的另一个区域为疏水区域,并且进行发光层的制造工序。因此,本发明的实施方式防止由发光层的干燥时间和粘度的不同引起的不规则图案的出现,容易形成几微米(μm)的精细的发光层,并且不需要形成/去除分隔层,从而制造工序变得更简单。同时,根据本发明的实施方式的用于制造有机电致发光器件的方法限定了其中形成发光层的一个特定区域为亲水区域,限定了其中不形成发光层的另一个区域为疏水区域,并且进行发光层的制造工序,从而防止在有机电致发光器件的边缘部分的附近产生混合颜色,从而使各发光层的颜色纯度得到改善。
显然,对于熟悉本领域的技术人员来说在不脱离本发明精神或范围的情况下,对本发明可以进行各种修改和变形。从而,本发明意在覆盖落入所附权利要求书及其等同物范围内的本发明的修改和变形。
Claims (15)
1.一种用于制造有机电致发光器件的方法,包括:
在具有子像素的基板上形成第一电极和第一载流子传输层,该子像素包括用于第一颜色的第一发光区域、用于第二颜色的第二发光区域、和用于第三颜色的第三发光区域;
在第二和第三发光区域的第一载流子传输层上形成第一疏水材料;
在第一发光区域中的第一载流子传输层上形成第一亲水材料;
在第一亲水材料上形成第一颜色发光层;
在第一颜色发光层和第三发光区域中的第一载流子传输层上形成第二疏水材料;
在第二发光区域中的第一载流子传输层上形成第二亲水材料;
在第二发光区域中的第二亲水材料上形成第二颜色发光层;
在第一、第二和第三发光区域中或第三发光区域中形成第三颜色发光层;
在第一、第二和第三发光区域上形成第二载流子传输层;以及
在第二载流子传输层上形成第二电极。
2.根据权利要求1所述的用于制造有机电致发光器件的方法,其特征在于,还包括在形成第一颜色发光层之后从第一载流子传输层去除第一疏水材料。
3.根据权利要求1所述的用于制造有机电致发光器件的方法,其特征在于,所述第一亲水溶液包括散布在有机溶剂中的小分子材料。
4.根据权利要求3所述的用于制造有机电致发光器件的方法,其特征在于,所述小分子是硒化镉、碲化镉或磷化铟之一。
5.根据权利要求1所述的用于制造有机电致发光器件的方法,其特征在于,还包括在形成第二颜色发光层之后从第一载流子传输层和第一颜色发光层去除第二疏水材料。
6.根据权利要求1所述的用于制造有机电致发光器件的方法,其特征在于,所述形成第三颜色发光层的步骤包括:
在第三发光区域中的第一载流子传输层、第一颜色发光层和第二颜色发光层上形成第三亲水材料;
在第三亲水材料上形成第三颜色发光层。
7.根据权利要求1所述的用于制造有机电致发光器件的方法,其特征在于,所述形成第三颜色发光层的步骤包括:
在第一和第二颜色发光层上形成第三疏水材料;
在第三发光区域中的第一载流子传输层上形成第三亲水材料;以及
从第三亲水材料上的第三亲水溶液中形成第三颜色发光层。
8.根据权利要求7所述的用于制造有机电致发光器件的方法,其特征在于,所述第三亲水溶液包括散布在有机溶剂中的小分子材料。
9.根据权利要求8所述的用于制造有机电致发光器件的方法,其特征在于,所述小分子材料是硒化镉、碲化镉或磷化铟之一。
10.根据权利要求1所述的用于制造有机电致发光器件的方法,其特征在于,所述第一颜色发光层是红色,第二颜色发光层是绿色并且第三颜色发光层是蓝色。
11.根据权利要求1所述的用于制造有机电致发光器件的方法,其特征在于,所述第一颜色发光层是绿色,第二颜色发光层是红色并且第三颜色发光层是蓝色。
12.一种用于制造有机电致发光器件的方法,包括:
在具有子像素的基板上形成第一电极和第一载流子传输层,该子像素包括用于第一颜色的第一发光区域、用于第二颜色的第二发光区域、和用于第三颜色的第三发光区域;
在第一发光区域的第一载流子传输层上形成第一亲水材料;
在第一亲水材料上形成第一颜色发光层;
在第二发光区域的第一载流子传输层上形成第二亲水材料;
在第二亲水材料上形成第二颜色发光层;
在第三发光区域的第一载流子传输层上、第一颜色发光层和第二颜色发光层上、或者第三发光区域的第一载流子传输层上形成第三亲水材料;
在第三亲水材料上形成第三颜色发光层;
在第一、第二和第三发光区域上形成第二载流子传输层;以及
在第二载流子传输层上形成第二电极。
13.根据权利要求12所述的用于制造有机电致发光器件的方法,其特征在于,第一、第二和第三颜色发光层的至少其中之一从包括散布在有机溶剂中 的小分子材料的亲水溶液中形成。
14.一种有机电致发光器件,包括:
具有子像素的基板上的第一电极和第一载流子传输层,该子像素包括用于第一颜色的第一发光区域、用于第二颜色的第二发光区域、和用于第三颜色的第三发光区域;
第一、第二和第三发光区域中的第一载流子传输层上的第一亲水材料;
第一发光区域中的第一亲水材料上的第一颜色发光层;
第二发光区域中的第一亲水材料上的第二颜色发光层;
第一和第二颜色发光层上的第二亲水材料;
第三发光区域中的第一亲水材料上的和第二亲水材料上的第三颜色发光层;
第三颜色发光层上的第二载流子传输层;以及
第二载流子传输层上的第二电极。
15.一种有机电致发光器件,包括:
具有子像素的基板上的第一电极和第一载流子传输层,该子像素包括用于第一颜色的第一发光区域、用于第二颜色的第二发光区域、和用于第三颜色的第三发光区域;
第一、第二和第三发光区域中的第一载流子传输层上的亲水材料;
第一发光区域中的亲水材料上的第一颜色发光层;
第二发光区域中的亲水材料上的第二颜色发光层;
第三发光区域中的亲水材料上的第三颜色发光层;
第一、第二和第三颜色发光层上的第二载流子传输层;以及
第二载流子传输层上的第二电极。
Applications Claiming Priority (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR20060130662 | 2006-12-20 | ||
KR1020060130662 | 2006-12-20 | ||
KR10-2006-0130662 | 2006-12-20 | ||
KR1020070063032A KR101296651B1 (ko) | 2006-12-20 | 2007-06-26 | 유기전계발광 소자의 제조방법 |
KR10-2007-0063032 | 2007-06-26 | ||
KR1020070063032 | 2007-06-26 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN101207075A CN101207075A (zh) | 2008-06-25 |
CN101207075B true CN101207075B (zh) | 2010-12-08 |
Family
ID=39567136
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN2007101260025A Active CN101207075B (zh) | 2006-12-20 | 2007-06-29 | 有机电致发光器件及其制造方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR101296651B1 (zh) |
CN (1) | CN101207075B (zh) |
TW (1) | TWI357776B (zh) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102046293B1 (ko) * | 2012-05-07 | 2019-11-19 | 엘지디스플레이 주식회사 | 투명 도전막의 제조 방법 |
JP2014154354A (ja) * | 2013-02-08 | 2014-08-25 | Japan Display Inc | 発光素子表示装置 |
US9035286B2 (en) * | 2013-02-19 | 2015-05-19 | Au Optronics Corporation | Multi-color light emitting diode and method for making same |
CN105449111B (zh) * | 2016-01-08 | 2018-03-20 | 京东方科技集团股份有限公司 | 具有结合层的量子点发光二极管基板及其制备方法 |
CN114695751A (zh) * | 2020-12-31 | 2022-07-01 | Tcl科技集团股份有限公司 | 一种显示器件及其制备方法 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100561363B1 (ko) * | 2003-10-16 | 2006-03-16 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 유기전계발광소자 및 그의 제조방법 |
-
2007
- 2007-06-26 KR KR1020070063032A patent/KR101296651B1/ko active IP Right Grant
- 2007-06-29 TW TW096123892A patent/TWI357776B/zh active
- 2007-06-29 CN CN2007101260025A patent/CN101207075B/zh active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW200829075A (en) | 2008-07-01 |
KR20080058141A (ko) | 2008-06-25 |
TWI357776B (en) | 2012-02-01 |
KR101296651B1 (ko) | 2013-08-14 |
CN101207075A (zh) | 2008-06-25 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant |