CN1868073A - 电致发光显示面板 - Google Patents
电致发光显示面板 Download PDFInfo
- Publication number
- CN1868073A CN1868073A CNA2004800299164A CN200480029916A CN1868073A CN 1868073 A CN1868073 A CN 1868073A CN A2004800299164 A CNA2004800299164 A CN A2004800299164A CN 200480029916 A CN200480029916 A CN 200480029916A CN 1868073 A CN1868073 A CN 1868073A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- layer
- micro
- contact printing
- display panel
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 42
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 31
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 claims abstract description 29
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 24
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 73
- 238000000813 microcontact printing Methods 0.000 claims description 45
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 24
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 claims description 15
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 claims description 10
- 229920002125 Sokalan® Polymers 0.000 claims description 10
- 239000004584 polyacrylic acid Substances 0.000 claims description 9
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 claims description 9
- 239000013047 polymeric layer Substances 0.000 claims description 7
- 238000003475 lamination Methods 0.000 claims description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 5
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 5
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229920000867 polyelectrolyte Polymers 0.000 claims description 4
- 239000002094 self assembled monolayer Substances 0.000 claims description 4
- 239000013545 self-assembled monolayer Substances 0.000 claims description 4
- JVTAAEKCZFNVCJ-UHFFFAOYSA-N Lactic Acid Natural products CC(O)C(O)=O JVTAAEKCZFNVCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 claims description 3
- 235000014655 lactic acid Nutrition 0.000 claims description 3
- 239000004310 lactic acid Substances 0.000 claims description 3
- 229920000768 polyamine Polymers 0.000 claims description 3
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 claims description 3
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 claims description 3
- 238000007704 wet chemistry method Methods 0.000 claims description 3
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- -1 polyethylene Polymers 0.000 claims description 2
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 claims description 2
- FQFILJKFZCVHNH-UHFFFAOYSA-N tert-butyl n-[3-[(5-bromo-2-chloropyrimidin-4-yl)amino]propyl]carbamate Chemical compound CC(C)(C)OC(=O)NCCCNC1=NC(Cl)=NC=C1Br FQFILJKFZCVHNH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 125000000999 tert-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 claims 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 abstract description 17
- 239000007788 liquid Substances 0.000 abstract description 16
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 7
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 abstract description 2
- 208000034699 Vitreous floaters Diseases 0.000 description 32
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 20
- 238000009736 wetting Methods 0.000 description 12
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 10
- 239000000976 ink Substances 0.000 description 4
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 4
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 4
- RICKKZXCGCSLIU-UHFFFAOYSA-N 2-[2-[carboxymethyl-[[3-hydroxy-5-(hydroxymethyl)-2-methylpyridin-4-yl]methyl]amino]ethyl-[[3-hydroxy-5-(hydroxymethyl)-2-methylpyridin-4-yl]methyl]amino]acetic acid Chemical compound CC1=NC=C(CO)C(CN(CCN(CC(O)=O)CC=2C(=C(C)N=CC=2CO)O)CC(O)=O)=C1O RICKKZXCGCSLIU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 3
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 3
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 238000003682 fluorination reaction Methods 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- MRNHPUHPBOKKQT-UHFFFAOYSA-N indium;tin;hydrate Chemical compound O.[In].[Sn] MRNHPUHPBOKKQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 3
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 3
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 3
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 3
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N Thiophene Chemical compound C=1C=CSC=1 YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 2
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 2
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 2
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 2
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- PYJJCSYBSYXGQQ-UHFFFAOYSA-N trichloro(octadecyl)silane Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCC[Si](Cl)(Cl)Cl PYJJCSYBSYXGQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IOVFHLJNAMPRHI-UHFFFAOYSA-N 2-oxo-2-thiophen-3-ylacetaldehyde Chemical compound O=CC(=O)C=1C=CSC=1 IOVFHLJNAMPRHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001244 carboxylic acid anhydrides Chemical class 0.000 description 1
- 239000002322 conducting polymer Substances 0.000 description 1
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 1
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 1
- 125000000118 dimethyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 1
- 239000004205 dimethyl polysiloxane Substances 0.000 description 1
- 235000013870 dimethyl polysiloxane Nutrition 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000000609 electron-beam lithography Methods 0.000 description 1
- 239000000839 emulsion Substances 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 210000003195 fascia Anatomy 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 238000001540 jet deposition Methods 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- CXQXSVUQTKDNFP-UHFFFAOYSA-N octamethyltrisiloxane Chemical compound C[Si](C)(C)O[Si](C)(C)O[Si](C)(C)C CXQXSVUQTKDNFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 1
- 238000004987 plasma desorption mass spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920000435 poly(dimethylsiloxane) Polymers 0.000 description 1
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 1
- 238000001338 self-assembly Methods 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229920005573 silicon-containing polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- 229930192474 thiophene Natural products 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/12—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating
- H10K71/13—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating using printing techniques, e.g. ink-jet printing or screen printing
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
- H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
- H05B33/22—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of auxiliary dielectric or reflective layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
本发明涉及一种电致发光显示面板(2)，其包括基板和多个显示像素(3)，该显示像素包括在所述基板上或上方限定的电致发光材料。显示面板(2)进一步包括相邻显示像素(3)之间的至少一个微接触印刷的疏水层(11)。本发明进一步涉及一种用于制造电致发光显示面板的方法。该方法避免了对施加用于包含液体电致发光材料的光致抗蚀剂隔栅的需要。
Description
技术领域
本发明涉及电致发光显示面板，其包括基板和多个显示像素，该显示像素包括在所述基板上或上方限定的电致发光材料。
背景技术
使用在基板上或上方包括电致发光材料的显示像素的显示面板变得日益普遍。这些发光元件可以是发光二极管(LED)，其被结合入或者形成显示像素，该显示像素被配置成行和列的矩阵。在这种LED中使用的材料适合于在通过这些材料传送电流通过时产生光，诸如特种聚合物(PLED)和小分子有机(SMOLED)材料。因此，LED须被配置为可以驱动电流通过这些电致发光材料。典型地，区分为被动驱动和主动驱动矩阵显示器。对于主动矩阵显示器，显示像素自身包括有源电路，诸如一个或多个晶体管。
由于PLED材料的固有的热稳定性、柔性和可溶于水溶液或溶剂的特性，因此其提供了优于SMOLED材料的优点。结果，通过湿法化学技术，诸如旋涂或喷墨淀积，可以施加PLED材料。
EP-A-0 892 028公开了一种有机EL元件，其中在透明基板上形成透明像素电极。在像素电极之间形成光刻定义的光致抗蚀剂堤岸，以防止包括电致发光材料的液体墨滴非故意地流向相邻的显示像素。
关于该电致发光显示面板的制造工艺涉及施加升高的温度。需要这些升高的温度使光致抗蚀剂材料交联，和/或使光致抗蚀剂堤岸平滑，这是由于金属层通常淀积在该结构上以提供用于显示像素的电极。典型地，该温度被升高到高于所使用的光致抗蚀剂材料的玻璃温度。而且，对于被动矩阵显示面板，通常施加额外的光致抗蚀剂结构用于金属电极层的分离。对于这些被动矩阵显示面板，在淀积额外的光致抗蚀剂结构之前需要升高温度，以使光致抗蚀剂交联。
然而，在制造工艺中需要升高的温度是不利的。例如，如果使用柔性基板，升高的温度可能引起或导致该基板的相当大的尺寸变形。而且，由于光致抗蚀剂堤岸通常通过标准的逼近光刻施加，而逼近光刻受到光学衍射限制的困扰，因此这些堤岸典型地引起了显示像素之间的相当大的距离。而且，光刻是高成本的工艺步骤，其使该显示面板更加昂贵。而且，光致抗蚀剂堤岸需要额外的非润湿等离子体处理步骤，以防止印刷的墨滴同相邻的显示像素混合。
发明内容
本发明的目的在于提供一种电致发光显示面板，其中减少或消除至少一个上文提及的缺点。
该目的是通过提供一种电致发光显示面板实现的，其中所述显示面板进一步包括在相邻的像素电极之间的至少一个微接触印刷的疏水层。施加微接触印刷的疏水层，消除了对用于防止液体墨滴同电致发光材料混合的光致抗蚀剂堤岸的需要，并且因此消除了通过升高的温度使堤岸平滑的需要，即引起光刻定义的堤岸的初始锐利边缘弯曲的需要。微接触印刷不需要温度升高。而且，微接触印刷层增加了对发光有贡献的有效显示像素面积，分辨率优于通过标准的接近光刻定义的显示像素。而且，微接触印刷层避免了对光刻定义的光致抗蚀剂堤岸的需要，产生了较低成本的显示面板。应当注意，微接触印刷的疏水层包括这样的微接触印刷层，其在印刷之后通过印刷层的氟化获得或改善了其疏水特性。
在本发明的实施例中，疏水层是自组装的单层。已经发现这种单层具有关于包括电致发光材料的喷墨印刷液滴的差润湿特性，即液体或流体具有与该单层的高的前进接触角。应当注意，该液体可以包括传导聚合物，例如聚苯胺(PANI)或聚-3，4-二氧乙基噻吩(PEDOT)，或者发光物质，其包括电致发光材料或其前体材料。该流体可以是例如溶液、悬浊液或乳浊液。其可以包括例如呈现出电致发光特性的可溶解的聚合物。
在本发明的实施例中，基板是柔性基板。该柔性基板可以是透明塑料或非透明金属箔。该基板是有利的，因为其提供了形式自由度和较薄的显示面板。
在本发明的优选实施例中，显示面板进一步包括用于所述显示像素的第一和第二电极，以及在所述显示像素之间隔离或分离了所述第一和第二电极的保护层。该保护层可以是无机层，诸如二氧化硅，或者是有机层。该保护层足够厚以隔离像素区域外部的第一和第二电极。微接触印刷的疏水层可以定义在该保护层上或者上方。优选地，该微接触印刷的疏水层使一部分所述保护层暴露于所述电致发光材料。由于保护层优选地是亲水的，因此该配置改善了显示像素中的液体的均匀散布，避免了显示像素的边界附近的电致发光材料层的减小的厚度。
本发明进一步涉及一种电气设备，其包括如上文所述的显示面板。该电气设备可以涉及手持设备，诸如蜂窝电话、个人数字助理(PDA)或便携式计算机，并且涉及诸如个人电脑的监视器、电视机或者例如汽车仪表板上的显示器的设备。
本发明进一步涉及一种用于制造电致发光显示面板的方法，包括步骤：
-提供基板；
-在所述基板上或上方通过微接触印刷提供疏水层。
这些步骤产生了低成本的制造方法，其中不再需要用于使淀积的液体同电致发光材料分离的光致抗蚀剂隔栅。该方法可以包括用于制造显示面板的另外的步骤。这些步骤中的一个可以是微印刷材料的氟化步骤，其引起或改善了层的疏水特性。
在该方法的实施例中，将疏水层印刷在聚合物层上，该聚合物层可以是聚合物基板或者聚合物基板或其他材料的基板上面的聚合物层。该聚合物层可以例如用作保护层，用于隔离显示面板上的电极。在次权利要求中描述了用于在聚合物界面上进行微印刷的数个系统。
应当注意，显示器中的微接触印刷从US 2002/0051893中获知。然而，在本公开内容中，将传导材料印刷在无机或有机薄膜上，以用作阴极接触。而且，从US 6,380,101中了解到，在氧化铟锡上提供微接触印刷的自组装单层，作为抵抗湿法化学刻蚀的保护。
通过参考附图，将进一步说明本发明，附图示出了根据本发明的优选实施例。应当理解，本发明不以任何方式限于这些具体的和优选的实施例。
附图说明
在附图中：
图1示出了包括显示面板的电气设备；
图2以顶视图的形式，并且沿剖面A-A和B-B示出了根据现有技术的被动矩阵显示面板的一部分；
图3示出了根据现有技术的主动矩阵显示面板的一部分；
图4以顶视图的形式，并且沿剖面A-A示出了根据本发明实施例的被动矩阵显示面板的一部分；
图5示出了根据本发明实施例的显示面板上包括电致发光材料的液滴的说明；
图6A-6D示出了根据本发明实施例的制造工艺的数个步骤；
图7示出了根据本发明的“负版印刷”实施例的显示面板上包括电致发光材料的液滴的说明。
具体实施方式
图1示出了电气设备1，其包括主动显示面板2，具有排列成行4和列5的矩阵的多个显示像素3。显示面板2可以是主动矩阵显示器或被动矩阵显示器，其包括显示像素3，显示像素3包含有机发光二极管(OLED)。显示面板2可以是全色或单色显示面板。
图2以顶视图的形式，并且沿剖面A-A和B-B示出了根据现有技术的被动矩阵显示面板2的一部分。通过在基板7上施加的保护层6使行4中的独立像素3分离。保护层6隔离了阳极8和阴极(未示出)。保护层6进一步由光致抗蚀剂结构9覆盖。光致抗蚀剂结构9是这样获得的，即使用标准的光刻工艺，随后使温度升高到高于所施加的光致抗蚀剂材料的玻璃温度(glasst emperature)，以使结构9平滑。需要使抗蚀剂结构9平滑以避免阴极层(未示出)沿行4的中断。该抗蚀剂结构9形成为以便包含电致发光材料的液滴(未示出)，并且防止这些液滴在相邻的显示像素3之间混合。典型地，抗蚀剂结构9的高度是1～10微米。例如，可以通过喷墨印刷施加该液体。
该解决方案的缺点在于，光刻步骤是必要的以用于形成抗蚀剂结构9。温度典型地增加到例如200℃，以使一些抗蚀剂材料开始流动，以便于使抗蚀剂结构9平滑，即，使光刻定义的结构的锐利边缘弯曲。如果基板7例如是塑料的，则可能引起基板7上的结构的相当大的尺寸变形，例如数十微米。
在被动矩阵显示面板2中，通常提供了具有负边缘的另一抗蚀剂结构10，以获得相邻的行4的阴极线(未示出)的分离。抗蚀剂结构10的负边缘在具有电致发光材料的液滴上施加毛细力，将液体输送到相邻的显示像素3。应当注意，另一抗蚀剂结构10自身不需要施加高温。
图3说明了根据现有技术的主动矩阵显示面板的一部分，其中也呈现了光致抗蚀剂结构9，用于防止包括电致发光材料的液体同相邻的显示像素3混合。应当注意，对于主动矩阵显示面板2而言不需要具有负边缘的抗蚀剂材料10，这是由于这种面板典型地使用公共阴极(未示出)操作。
对于图2所示的被动矩阵显示面板和图3所示的主动矩阵显示面板，可执行表面处理以改变面板上不同部分的润湿特性。O2等离子体处理和随后的CF4等离子体处理确保了喷墨印刷的液体，例如聚二氧乙基噻吩(PEDOT)和发光聚合物(LEP)，使可以是氧化铟锡(ITO)的阳极8和可以是SiO2的保护层6润湿，但是受到有机光致抗蚀剂结构9的排斥。
图4以顶视图的形式，并且沿剖面A-A示出了根据本发明实施例的被动矩阵显示面板的一部分。基板7再次包括保护层6和阳极8，定义了显示像素3，用于在施加电流时发射红(R)、绿(G)和蓝(B)光。然而，显示面板2不再具有如图2和3所示的显示像素3之间的抗蚀剂结构9。作为替换，在显示像素3之间提供了微接触印刷层11。该微接触印刷层11可以具有或提供有疏水特性，其将在下文中更加详细的讨论。相似地，对于图3所示的主动矩阵显示面板2，抗蚀剂结构9可由微接触印刷层11替换。优选地，微接触印刷层11是在显示像素2周围施加的。应当注意，显示像素2的形状不限于图中的形状。其他的像素形状，诸如圆形、正方形或矩形也是可行的。
在微接触印刷技术中，具有被构图的引戳表面的引戳被涂墨有包括扩散到引戳中的用于印刷层11的分子的溶液。该引戳可以例如是聚二甲基硅氧烷(PDMS)。可以随后使该引戳干燥。然后使被构图的引戳接近显示面板2，由此引戳的凸起部分接触显示面板的适当部分。结果，在接触部分处，引戳上呈现的材料被转印到显示面板的表面，导致了微接触印刷层11。由于通过微接触印刷实现的增加的分辨率，微接触印刷提供了优于传统光刻技术的显著优点。微接触印刷的特征在于，非常高的分辨率使得能够将亚微米尺寸的图案传递到表面上。由于微接触印刷在程序上较不复杂，并且可以在环境条件下执行，因此其比光刻系统更加经济。此外，相比于其他技术，诸如电子束光刻(在需要较高分辨率的情况中使用的传统技术)，微接触印刷允许更高的生产产量。而且，微接触印刷可以应用于大的显示面板2，同时仍维持良好的印刷精确度。
图5说明了提供具有电致发光材料的液滴12的效果。微接触印刷层11具有或被赋予了排斥液体的疏水特性。可以容易地获得例如25～60°的高的前进接触角Φ，例如50°。该角度可比于使用现有技术的光致抗蚀剂结构9实现的角度。因此，由于将微接触层11印刷在与现有技术的结构9基本上相同的位置，该微接触层11适于执行防止液滴12同后来的显示像素3混合的功能，同时产生了上文提及的优于现有技术的优点。
图6A～6D示出了根据本发明实施例的制造工艺的数个步骤。
在图6A中提供了基板7。该基板可以例如是玻璃基板或聚合物基板。可向该基板提供聚合物层(未示出)。在图6A中，施加了另外的保护层6和ITO阳极8并对其构图。保护层6的厚度可以非常小。例如20nm的厚度足够用于使阳极8同阴极(在图6D中示出)隔离。保护层6可以是无机层，诸如SiO2，或者是具有低的交联温度的光致抗蚀剂层。对于主动矩阵显示面板2，典型地，在图6A～6D所示的层下方呈现了用于独立显示像素3(未示出)的电路。ITO层8具有范围为例如100～200nm的厚度。可对保护层6和ITO阳极8进行O2等离子体或UV臭氧处理，以改善这些层的润湿特性。
在图6B中，层11被微接触印刷，或者如上文所述被定义。微接触印刷层11优选地是自组装单层(SAM)，其例如1～3nm厚。可替换地，可以施加较厚的层11，其是通过例如使用非干燥引戳获得的。对于SiO2保护层6，适当的候选单层是十八烷基三氯硅烷(OTS)，但是优选地该单层其中具有氟成分。对此适当的候选者是来自Aldrich的三甲基(3，3，3-三氟丙基)硅烷。
可替换地，保护层6是薄的聚合物层。许多聚合物具有其自己适当的具有所需的差润湿特性的单层11。下文将描述某些材料系统，但是应当认识到，本发明不以任何方式限制于这些示例。应当注意，层11还可以被微接触印刷在聚合物层7上。
在湿法化学处理之后，羧酸酐改性聚乙烯(PE)可以压印有聚丙烯酸叔丁酯(PTBA)以产生聚丙烯酸(PAA)超分枝膜。PAA膜可以通过氟化改性，以获得疏水层11。该氟化也可以通过浸渍技术完成。引起注意的方面在于ITO将不被氟化，并因此仍具有良好的润湿特性。
另一示例是，通过将聚苯乙烯-block-聚丙烯酸(PS-b-PAA)微接触印刷在聚电解质叠层的暴露的聚胺层上，对亲水聚苯乙烯(hPS)上的聚电解质叠层逐层地构图。可从架(shelf)上向基板7提供这种叠层。氟化处理可以改善微接触印刷层11的疏水特性。
另一示例是，在聚苯乙烯(PS)上印刷聚(乳酸)-聚(乙二醇)(PLA-PEG)。PS自身不具有非常好的润湿特性。通过微接触印刷，可以定义具有良好润湿特性的PLA-PEG区域，留下了具有差润湿特性的非印刷PS区域13。这样，采用如图7所示的“负版”印刷方法。
如所说明的，层11被定义为使得在淀积具有电致发光材料的液体之前使保护层的部分6A暴露。由于亲水部分6A将液体吸引到显示像素3的边缘，这些部分6A使电致发光材料能够在显示像素区域上均匀地散布。可以对层11进行氟化处理，以获得或改善该层的疏水特性。
在图6C中，在已通过图5描述的微接触印刷层11之间施加并包含含有电致发光材料12的液体。
在图6D中，施加金属层13作为阴极，其具有100～200nm的厚度。应当注意，该阴极13还可以是透明的，如顶发射显示面板2所需要的。本发明适用于底发射和顶发射显示面板。
图7示出了根据本发明的“负版印刷”实施例，显示面板上包括电致发光材料的液滴的示例。聚苯乙烯层13以聚(乳酸)-聚(乙二醇)(PLA-PEG)进行微接触印刷。PS自身不具有非常好的润湿特性。通过微接触印刷，可以定义具有良好的润湿特性的PLA-PEG区域14，留下了具有差润湿特性的非印刷PS区域13。这样，实现了“负版印刷”方法。
Claims (17)
1.电致发光显示面板(2)，包括基板(7)和多个显示像素(3)，所述显示像素包括在所述基板上或上方限定的电致发光材料，其中所述显示面板进一步包括在至少一些相邻显示像素(3)之间的至少一个微接触印刷的疏水层(11)。
2.权利要求1的电致发光显示面板(2)，其中所述疏水层(11)是自组装单层。
3.权利要求1的电致发光显示面板(2)，其中所述基板(7)是柔性基板。
4.权利要求1的电致发光显示面板(2)，其中所述显示面板(2)进一步包括用于所述显示像素(3)的第一和第二电极(8、13)，以及在所述显示像素(3)之间隔离了所述第一和所述第二电极(6、13)的保护层(6)。
5.权利要求4的电致发光显示面板，其中所述微接触印刷的疏水层(11)定义在所述保护层(11)的至少一部分上或者上方。
6.权利要求5的电致发光显示面板，其中所述微接触印刷的疏水层(11)使一部分(6A)所述保护层(6)暴露于所述电致发光材料(12)。
7.电气设备(1)，包括根据前面权利要求中的任何一个的电致发光显示面板(2)。
8.用于制造电致发光显示面板(2)的方法，包括步骤：
-提供基板(7)；
-在所述基板上或上方通过微接触印刷提供疏水层(11)。
9.权利要求8的方法，其中所述方法进一步包括步骤：
-在所述基板(7)上或上方提供第一电极(8)；
-在所述第一基板(7)上或上方提供保护层(6)；
-对所述保护层(6)构图以确定显示像素区域(3)；
-在所述显示像素区域(3)之间通过微接触印刷提供所述疏水层(11)。
10.权利要求8或9的方法，其中所述方法进一步包括步骤：
将至少一个电致发光材料(12)淀积在所述基板上；
在至少所述电致发光材料(12)上或上方提供金属层(13)。
11.权利要求8的方法，其中所述疏水层是通过使微接触印刷层(11)氟化而获得的。
12.权利要求8～11中的任何一个的方法，其中所述疏水层(11)被微接触印刷在无机层上，诸如SiO2或ITO。
13.权利要求12的方法，其中所述疏水层(11)是三甲氧基(3，3，3-三氟丙基)硅烷。
14.权利要求8～11中的任何一个的方法，其中所述疏水层被微接触印刷在聚合物层上。
15.权利要求14的方法，其中所述疏水层通过下列步骤获得：
-在聚乙烯层上微接触印刷聚丙烯酸叔丁酯；
-对所述聚丙烯酸叔丁酯进行湿法化学处理，以产生聚丙烯酸超分枝膜；
-使至少一部分所述聚丙烯酸超分枝膜氟化。
16.权利要求14的方法，其中所述疏水层通过下列步骤获得：
-在亲水聚苯乙烯层上提供聚胺层的聚电解质叠层；
-在所述聚电解质叠层的暴露的聚胺层上微接触印刷聚苯乙烯-blcok-聚丙烯酸；
-使所述聚苯乙烯-block-聚丙烯酸氟化。
17.权利要求14的方法，其中所述疏水层通过下列步骤获得：
-提供亲水聚苯乙烯层；
-在所述聚苯乙烯层上微接触印刷聚(乳酸)-聚(乙二醇)。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| EP03103773 | 2003-10-13 | ||
| EP03103773.2 | 2003-10-13 | ||
| PCT/IB2004/051993 WO2005036509A2 (en) | 2003-10-13 | 2004-10-06 | Electroluminescent display panel |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN1868073A true CN1868073A (zh) | 2006-11-22 |
| CN1868073B CN1868073B (zh) | 2012-05-30 |
Family
ID=34429477
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN2004800299164A Expired - Fee Related CN1868073B (zh) | 2003-10-13 | 2004-10-06 | 电致发光显示面板 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20070063640A1 (zh) |
| EP (1) | EP1676329A2 (zh) |
| JP (1) | JP2007508674A (zh) |
| KR (1) | KR20070004527A (zh) |
| CN (1) | CN1868073B (zh) |
| TW (1) | TWI380489B (zh) |
| WO (1) | WO2005036509A2 (zh) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102779949A (zh) * | 2011-05-12 | 2012-11-14 | 索尼公司 | 薄膜元件组装体 |
| CN108075045A (zh) * | 2016-11-16 | 2018-05-25 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 用于印刷oled像素的限定结构及其制备方法 |
| CN109994532A (zh) * | 2019-04-08 | 2019-07-09 | 京东方科技集团股份有限公司 | 像素界定层及其制备方法和包含它的显示基板和显示装置 |
| CN110767681A (zh) * | 2018-10-31 | 2020-02-07 | 昆山国显光电有限公司 | 显示屏及显示终端 |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006116584A2 (en) * | 2005-04-27 | 2006-11-02 | Dynamic Organic Light, Inc. | Light emitting polymer devices using self-assembled monolayer structures |
| JP4745062B2 (ja) | 2005-06-02 | 2011-08-10 | 三星モバイルディスプレイ株式會社 | 平板表示装置及びその製造方法 |
| EP1729358B1 (en) * | 2005-06-02 | 2016-03-02 | Samsung SDI Germany GmbH | Substrate for inkjet printing |
| GB2430547A (en) * | 2005-09-20 | 2007-03-28 | Seiko Epson Corp | A method of producing a substrate having areas of different hydrophilicity and/or oleophilicity on the same surface |
| GB2437328A (en) * | 2006-04-10 | 2007-10-24 | Cambridge Display Tech Ltd | Electric devices and methods of manufacture |
| KR100848339B1 (ko) * | 2007-01-10 | 2008-07-25 | 삼성에스디아이 주식회사 | 도너기판 및 그를 이용한 유기전계발광표시장치의 제조방법 |
| KR101326127B1 (ko) * | 2007-09-05 | 2013-11-06 | 재단법인서울대학교산학협력재단 | 패턴 어레이 형성 방법 및 이를 사용하여 형성된 패턴어레이를 포함하는 유기 소자 |
| KR101107160B1 (ko) | 2009-07-10 | 2012-01-25 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
| KR101737757B1 (ko) * | 2016-03-04 | 2017-05-18 | 주식회사 소프스톤 | 투습방지를 위한 기능성 하이브리드 코팅막의 형성방법 및 이를 이용한 유기 전자소자의 제조방법 |
Family Cites Families (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6586763B2 (en) * | 1996-06-25 | 2003-07-01 | Northwestern University | Organic light-emitting diodes and methods for assembly and emission control |
| US6166439A (en) * | 1997-12-30 | 2000-12-26 | Advanced Micro Devices, Inc. | Low dielectric constant material and method of application to isolate conductive lines |
| KR100940110B1 (ko) * | 1999-12-21 | 2010-02-02 | 플라스틱 로직 리미티드 | 잉크젯으로 제조되는 집적회로 및 전자 디바이스 제조 방법 |
| CA2395004C (en) * | 1999-12-21 | 2014-01-28 | Plastic Logic Limited | Solution processing |
| US7163712B2 (en) * | 2000-03-03 | 2007-01-16 | Duke University | Microstamping activated polymer surfaces |
| GB0024294D0 (en) * | 2000-10-04 | 2000-11-15 | Univ Cambridge Tech | Solid state embossing of polymer devices |
| US7524528B2 (en) * | 2001-10-05 | 2009-04-28 | Cabot Corporation | Precursor compositions and methods for the deposition of passive electrical components on a substrate |
| AU2003217184A1 (en) * | 2002-01-11 | 2003-09-02 | Massachusetts Institute Of Technology | Microcontact printing |
| GB0207134D0 (en) * | 2002-03-27 | 2002-05-08 | Cambridge Display Tech Ltd | Method of preparation of organic optoelectronic and electronic devices and devices thereby obtained |
| KR100437533B1 (ko) * | 2002-05-29 | 2004-06-30 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액티브 매트릭스형 유기전계발광 소자 및 그의 제조방법 |
| GB0218202D0 (en) * | 2002-08-06 | 2002-09-11 | Avecia Ltd | Organic light emitting diodes |
| KR101061882B1 (ko) * | 2002-09-11 | 2011-09-02 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 발광장치 및 그의 제조방법 |
| JP3966252B2 (ja) * | 2003-08-08 | 2007-08-29 | セイコーエプソン株式会社 | 有機ｅｌ装置とその製造方法、及び電子機器 |
| KR20050068860A (ko) * | 2003-12-30 | 2005-07-05 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 듀얼 플레이트 유기전계 발광소자용 상부기판 및 그의제조방법 |
-
2004
- 2004-10-06 EP EP04770184A patent/EP1676329A2/en not_active Withdrawn
- 2004-10-06 JP JP2006534868A patent/JP2007508674A/ja not_active Withdrawn
- 2004-10-06 US US10/575,430 patent/US20070063640A1/en not_active Abandoned
- 2004-10-06 CN CN2004800299164A patent/CN1868073B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2004-10-06 KR KR1020067006862A patent/KR20070004527A/ko not_active Application Discontinuation
- 2004-10-06 WO PCT/IB2004/051993 patent/WO2005036509A2/en not_active Application Discontinuation
- 2004-10-08 TW TW093130614A patent/TWI380489B/zh not_active IP Right Cessation
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102779949A (zh) * | 2011-05-12 | 2012-11-14 | 索尼公司 | 薄膜元件组装体 |
| CN102779949B (zh) * | 2011-05-12 | 2016-03-23 | 索尼公司 | 薄膜元件组装体 |
| CN108075045A (zh) * | 2016-11-16 | 2018-05-25 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 用于印刷oled像素的限定结构及其制备方法 |
| CN110767681A (zh) * | 2018-10-31 | 2020-02-07 | 昆山国显光电有限公司 | 显示屏及显示终端 |
| CN109994532A (zh) * | 2019-04-08 | 2019-07-09 | 京东方科技集团股份有限公司 | 像素界定层及其制备方法和包含它的显示基板和显示装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20070004527A (ko) | 2007-01-09 |
| EP1676329A2 (en) | 2006-07-05 |
| TW200532958A (en) | 2005-10-01 |
| TWI380489B (en) | 2012-12-21 |
| CN1868073B (zh) | 2012-05-30 |
| WO2005036509A2 (en) | 2005-04-21 |
| JP2007508674A (ja) | 2007-04-05 |
| US20070063640A1 (en) | 2007-03-22 |
| WO2005036509A3 (en) | 2005-07-14 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7764014B2 (en) | Organic EL display panel with banks defining line-state pixels | |
| US9087763B2 (en) | Light-emitting diode display substrate, method for manufacturing same, and display device | |
| CN102960068B (zh) | 有机电致发光显示面板及其制造方法 | |
| US20080036698A1 (en) | Display | |
| US7572667B2 (en) | Method of forming an organic semiconductor pattern and method of manufacturing an organic thin film transistor using the same | |
| CN108538892A (zh) | Oled显示器件的制作方法 | |
| US20060116001A1 (en) | Patterning method | |
| CN1868073B (zh) | 电致发光显示面板 | |
| JP5256676B2 (ja) | 有機半導体素子、有機半導体素子の製造方法、有機トランジスタアレイ、およびディスプレイ | |
| US20080128685A1 (en) | Organic semiconductor device, manufacturing method of same, organic transistor array, and display | |
| US20070145324A1 (en) | Method for manufacturing organic semiconductor composition and transistor, method for manufacturing active matrix device, method for manufacturing electro optical device, and method for manufacturing electronic apparatus | |
| JP2006114480A (ja) | 有機電界発光表示装置及びその製造方法 | |
| CN107845661A (zh) | 一种像素界定层及其制备方法、显示面板 | |
| US8183563B2 (en) | Organic transistor, organic transistor array and display apparatus | |
| JP2005203215A (ja) | 有機ｅｌ素子 | |
| CN101207075B (zh) | 有机电致发光器件及其制造方法 | |
| KR20050051683A (ko) | 발광 디스플레이 제조 방법 | |
| JP2008200925A (ja) | 凸版およびそれを用いた電子デバイスの製造方法並びにそれによる電子デバイス並びに有機ｅｌ素子 | |
| CN1873999A (zh) | 平板显示器及其制造方法 | |
| JP5181586B2 (ja) | 有機半導体素子、有機半導体素子の製造方法、有機トランジスタアレイ、およびディスプレイ | |
| JP2006344545A (ja) | 有機ｅｌ素子の製造方法および有機ｅｌ素子 | |
| JP2008140579A (ja) | 有機ｅｌ素子及びその製造方法、凸版 | |
| KR102267967B1 (ko) | 유기발광소자, 그 제조 방법 및 이를 포함하는 표시장치 | |
| WO2017026127A1 (ja) | 導体とその製造方法、及びそれを用いた積層回路及び積層配線部材 | |
| JP5671784B2 (ja) | 印刷用凸版及びその印刷用凸版を用いた電子デバイスの製造方法並びに有機エレクトロルミネッセンス素子 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| ASS | Succession or assignment of patent right |
Owner name: TPO DISPLAYS CORP. Free format text: FORMER OWNER: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V. Effective date: 20080704 |
|
| C41 | Transfer of patent application or patent right or utility model | ||
| TA01 | Transfer of patent application right |
Effective date of registration: 20080704 Address after: Science Park, Taiwan, China Miaoli County, Hsinchu Province town, No. 12 Middle Road Applicant after: TOPPOLY OPTOELECTRONICS Corp. Address before: Holland Ian Deho Finn Applicant before: Koninklijke Philips Electronics N.V. |
|
| C12 | Rejection of a patent application after its publication | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Open date: 20061122 |
|
| CI01 | Publication of corrected invention patent application |
Correction item: Rejection of patent application Correct: Dismiss False: Reject Number: 32 Volume: 26 |
|
| ERR | Gazette correction |
Free format text: CORRECT: PATENT APPLICATION REJECTION AFTER THE ANNOUNCEMENT; FROM: REJECTION TO: CANCEL REJECTION |
|
| ASS | Succession or assignment of patent right |
Owner name: QIMEI ELECTRONIC CO LTD Free format text: FORMER OWNER: TONGBAO OPTOELECTRONICS CO., LTD. Effective date: 20110418 |
|
| C41 | Transfer of patent application or patent right or utility model | ||
| COR | Change of bibliographic data |
Free format text: CORRECT: ADDRESS; FROM: NO. 12, KEZHONG ROAD, ZHU'NAN TOWN, MIAOLI COUNTY, HSINCHU SCIENCE PARK, TAIWAN, CHINA TO: MIAOLI COUNTY, HSINCHU SCIENCE AND INDUSTRIAL PARK, TAIWAN PROVINCE |
|
| TA01 | Transfer of patent application right |
Effective date of registration: 20110418 Address after: Hsinchu science industry zone, Taiwan, Miaoli Province Applicant after: CHI MEI OPTOELECTRONICS CORP. Address before: Science Park, Taiwan, China Miaoli County, Hsinchu Province town, No. 12 Middle Road Applicant before: TOPPOLY OPTOELECTRONICS Corp. |
|
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20120530 Termination date: 20191006 |
|
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |