CN102779949B - 薄膜元件组装体 - Google Patents

薄膜元件组装体 Download PDF

Info

Publication number
CN102779949B
CN102779949B CN201210135457.4A CN201210135457A CN102779949B CN 102779949 B CN102779949 B CN 102779949B CN 201210135457 A CN201210135457 A CN 201210135457A CN 102779949 B CN102779949 B CN 102779949B
Authority
CN
China
Prior art keywords
thin
base material
film component
component assembly
protuberance
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201210135457.4A
Other languages
English (en)
Other versions
CN102779949A (zh
Inventor
汤川弦
八木岩
野田真
胜原真央
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sony Corp filed Critical Sony Corp
Publication of CN102779949A publication Critical patent/CN102779949A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN102779949B publication Critical patent/CN102779949B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K77/00—Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
    • H10K77/10—Substrates, e.g. flexible substrates
    • H10K77/111—Flexible substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301—Details of OLEDs
    • H10K2102/311—Flexible OLED
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549—Organic PV cells
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
    • Y10T428/24479—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.] including variation in thickness
    • Y10T428/24612—Composite web or sheet
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
    • Y10T428/24752—Laterally noncoextensive components

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Thin Film Transistor (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Electrochromic Elements, Electrophoresis, Or Variable Reflection Or Absorption Elements (AREA)

Abstract

本发明公开了一种薄膜元件组装体，其包括具有可挠性的基材和设置在所述基材的第一表面上的多个薄膜元件，其中，在所述基材中，在设有多个薄膜元件的第一区域的外侧形成有未设置薄膜元件的第二区域，并且其中，在所述基材的第一表面的第二区域、或者第二表面的第二区域、或者第一表面和第二表面每一者的第二区域中形成有凸部。由于凸部形成在基材的未设置薄膜元件的第二区域中，因而即使当卷取薄膜元件组装体时，也能够可靠地防止基材的第二表面与形成在第一表面上的多个薄膜元件接触，并且能够向薄膜元件组装体赋予进一步的耐久性。

Description

薄膜元件组装体
相关申请的交叉参考
本发明包含于2011年5月12日向日本专利局提交的日本在先专利申请JP2011-107287所公开的内容相关的主题，在此将该日本在先申请的全部内容以引用的方式并入本文。
技术领域
本发明涉及一种薄膜元件组装体。
背景技术
目前，在诸如包括有机电致发光元件(有机EL元件)或微胶囊型电泳显示元件的显示装置或者液晶显示装置等图像显示装置中，期望实现具有可挠性的图像显示装置。具有可挠性的图像显示装置具有大屏幕，薄、轻、可卷取，并且易于携带。然而，另一方面，当这种图像显示装置被卷取时，易于发生诸如因接触面之间的磨擦而出现擦伤或磨损等问题。
为了应付该问题，例如JP-A-2008-185853披露了与柔性显示装置相关的公开内容，其中发光元件形成在柔性基体上，为收纳而卷取该柔性显示装置时使得发光侧表面和背侧表面相互接触，并且发光侧表面的硬度大于背侧表面的硬度。
然而，在JP-A-2008-185853披露的柔性显示装置中，期望进一步改善耐久性。
发明内容
因此，期望提供一种具有能够进一步改善耐久性的构造和结构的薄膜元件组装体。
在本发明实施例的薄膜元件组装体中，在具有可挠性的基材的第一表面上设有多个薄膜元件，在所述基材中，在设有多个薄膜元件的第一区域的外侧形成有未设置薄膜元件的第二区域，并且在所述基材的第一表面的第二区域、或者第二表面的第二区域、或者第一表面和第二表面每一者的第二区域中形成有凸部。
在本发明实施例的薄膜元件组装体中，由于凸部形成在基材的未设置薄膜元件的第二区域中，因而即使当卷取薄膜元件组装体时，也能够可靠地防止基材的第二表面与形成在第一表面上的多个薄膜元件接触，并且能够向薄膜元件组装体赋予进一步的耐久性。
附图说明
图1A是第一实施例的薄膜元件组装体从第一方向看的示意性侧面图，图1B是薄膜元件组装体从第二表面侧看的示意性立体图。
图2A是第一实施例的薄膜元件组装体从第一表面侧看的示意性立体图，图2B是第二实施例的薄膜元件组装体从第二表面侧看的示意性立体图。
图3A是第三实施例的薄膜元件组装体从第一方向看的示意性侧面图，图3B是薄膜元件组装体从第二表面侧看的示意性立体图。
图4A是第四实施例的薄膜元件组装体从第一方向看的示意性侧面图，图4B是薄膜元件组装体从第一表面侧看的示意性立体图。
图5是第五实施例的薄膜元件组装体从第一表面侧看的示意性立体图。
图6A和图6B分别是第六实施例及其变形例的薄膜元件组装体从第一方向看的示意性侧面图。
图7A和图7B分别是第七实施例和第八实施例的薄膜元件的示意性部分截面图。
图8A和图8B分别是第九实施例和第十实施例的薄膜元件的示意性部分截面图。
图9是第十一实施例的薄膜元件的示意性部分截面图。
图10A是实施例的薄膜元件组装体的变形例的示意性部分截面图，图10B是用于说明实施例的薄膜元件组装体的制造方法的支撑基板等的示意性部分截面图。
具体实施方式
下面，将参照附图基于实施例对本发明进行说明。然而，本发明不限于这些实施例，并且在各实施例中记载的各种数值及材料仅仅是例子。将按照下面的顺序进行说明。
1.本发明的薄膜元件组装体的总体说明
2.第一实施例(本发明的薄膜元件组装体)
3.第二实施例(第一实施例的变形例)
4.第三实施例(第一实施例的另一变形例)
5.第四实施例(第一实施例的又一变形例)
6.第五实施例(第四实施例的变形例)
7.第六实施例(第一实施例和第四实施例的变形例)
8.第七实施例(第一实施例~第六实施例的变形例)
9.第八实施例(第一实施例~第六实施例的另一变形例)
10.第九实施例(第一实施例~第六实施例的又一变形例)
11.第十实施例(第一实施例~第六实施例的再一变形例)
12.第十一实施例(第一实施例~第六实施例的另一变形例)和替换实施例
本发明的薄膜元件组装体的总体说明
在本发明的薄膜元件组装体中，
基材可以具有两条相对边在第一方向上延伸而另两条相对边在第二方向上延伸的矩形形状，和
凸部可以沿着在第一方向上延伸的两条边形成在第二区域中。在这种优选构造中，所述基材可绕着平行于第二方向的轴线卷取。也就是说，所述基材可沿着第一方向卷取。在这种优选构造中，每个凸部可以具有平行于第二方向延伸的切口部。在这些优选构造中，薄膜元件组装体可以具有如下结构，其中：
所述凸部形成在所述基材的第二表面的第二区域或者所述基材的第一表面和第二表面每一者的第二区域中，
在所述基材的第二表面的至少第一区域中形成有在第二方向上延伸的加强部件，并且
所述加强部件的高度低于形成在所述基材的第二表面的第二区域中的凸部的高度。在包括这些优选构造和结构的本发明的薄膜元件组装体中，薄膜元件组装体可以具有如下结构，其中：
所述凸部形成在所述基材的第一表面的第二区域或者所述基材的第一表面和第二表面每一者的第二区域中，并且
沿着在第二方向上延伸的两条边在基材的第一表面的第二区域中形成有附加凸部。也就是说，在这种结构中，在基材的第一表面的第二区域中设置有包围第一区域的框架状凸部。
在包括上述优选构造和结构的本发明的薄膜元件组装体中，所述凸部优选由选自发泡材料、凝胶状材料和橡胶状材料的至少一种材料形成。在这种情况下，还优选的是，所述凸部含有抗静电剂。
在包括上述优选构造和结构的本发明的薄膜元件组装体(下文中，将其简化统称为“本发明的薄膜元件组装体”)中，虽然基材具有可挠性，但表述“基材具有可挠性”指的是即使当厚度为1mm以下的基材绕着半径为5cm的圆柱体卷取时以及当厚度为1mm以上的基材绕着半径为20cm的圆柱体卷取时基材也不会折断。此外，尽管本发明的薄膜元件组装体总体上具有可挠性，但表述“薄膜元件组装体具有可挠性”指的是即使绕着半径为20cm的圆柱体卷取时薄膜元件组装体也不会折断。
在本发明的薄膜元件组装体中，发泡材料的例子包括聚氨酯泡沫和丙烯酸酯泡沫，凝胶状材料的例子包括硅凝胶和丙烯酸凝胶，橡胶状材料的例子包括硅酮橡胶、三元乙丙橡胶(EPDM)、氯丁二烯橡胶(CR)、NBR、SBR、异戊二烯橡胶(IR)和天然橡胶，抗静电剂的例子包括碳、氧化钛、碳纳米管、铜、铝、表面活性剂、离子导电机构和电子导电机构。然而，构成凸部的材料不限于上面的材料，也可以使用后面描述的构成基材的塑料材料。在这种情况下，构成基材的塑料材料可以与构成凸部的塑料材料相同或者不同。构成加强部件的材料可以包括上面的材料，或者可以使用后面描述的构成基材的塑料材料。在这种情况下，构成基材的塑料材料可以与构成加强部件的塑料材料相同或者不同。可选择地，构成加强部件的材料的例子包括聚乙烯树脂(PE)、聚对苯二甲酸乙二醇酯树脂(PET)、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(EVA)、聚氯乙烯树脂(PVC)、聚丙烯树脂(PP)、聚苯乙烯树脂(PS)、丙烯腈-丁二烯-苯乙烯聚合树脂(ABS)、环状烯烃共聚物(COC)、聚碳酸酯树脂(PC)、聚酰胺树脂(PA)、酚醛树脂和TPE。
制造凸部和加强部件的方法的例子包括：利用模具对片状部件进行冲压的方法、注射成型方法和挤出成型方法。制造出来的凸部和加强部件可以利用粘合剂贴附到基材上，可选择地，制造出来的凸部和加强部件可以基于热熔结合方法、光固化方法以及使用胶带的方法固定到基材上。可选择地，凸部和加强部件可以直接形成在基材上。此外，凸部和加强部件可以彼此一体形成，并且凸部和加强部件可以与基材一体形成。凸部可以具有带状形状、由线段的集合形成的形状以及由点的集合形成的形状。在第二区域中沿着在第一方向上延伸的一条边的凸部的数量可以是一个或多个。为了方便，将形成在基材的第一表面的第二区域中的凸部称作“第一凸部”，并且为了方便，将形成在基材的第二表面的第二区域中的凸部称作“第二凸部”。
在本发明的薄膜元件组装体中，构成基材的材料的例子包括：选自聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚酰亚胺、聚碳酸酯(PC)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚乙烯醇(PVA)、聚乙烯基苯酚(PVP)、聚砜、聚醚砜(PES)和聚砜酰亚胺的至少一种树脂(塑料材料或塑料膜)，或者薄膜玻璃、诸如不锈钢箔或铝箔等金属箔以及合金箔。
在本发明的薄膜元件组装体中，当凸部的高度为H并且与基材的第一方向平行的两条相对边之间的距离为W时，H的值优选比W的值小得多。此外，在本发明的薄膜元件组装体中，当加强部件的高度为H3并且第二凸部的高度为H2时，优选满足如下关系：H3<H2。另外，当薄膜元件的厚度为H0并且第一凸部的高度为H1时，需要满足如下关系：H0<H1且H0<H2。
在本发明的薄膜元件组装体中，薄膜元件可以由有机电致发光元件(有机EL元件)形成，或者可以由微胶囊型电泳显示元件或半导体发光元件(半导体激光元件或LED)形成，或者可以由液晶显示装置形成。有机EL元件、微胶囊型电泳显示元件、半导体发光元件和液晶显示装置可以具有已知的构造和结构。
可选择地，在本发明的薄膜元件组装体中，薄膜元件可以具有包括如下部件的结构：
第一电极和第二电极；
活性层，所述活性层形成在第一电极与第二电极之间；和
控制电极，所述控制电极经由之间的绝缘层面对所述活性层。
在这种情况下，具体地，薄膜元件可以具有这样的结构：薄膜元件由诸如有机晶体管(更具体地，包括薄膜晶体管(TFT)的场效应晶体管(FET))等三端子器件形成，
第一电极和第二电极相当于源极/漏极，
控制电极相当于栅极，
绝缘层相当于栅绝缘层，和
活性层相当于沟道形成区域。可选择地，薄膜元件可以具有包括如下部件的结构：
第一电极和第二电极；和
活性层，所述活性层形成在第一电极与第二电极之间。在这种情况下，更具体地，薄膜元件可以具有这样的结构：薄膜元件由诸如光电转换元件、光伏电池、图像传感器或者包括光传感器的各种传感器等二端子器件形成。在这些情况下，活性层可以具有这样的构造：活性层例如由有机半导体材料形成。
装配有本发明的薄膜元件组装体的图像显示装置的例子包括所谓的桌上型个人电脑、笔记本型个人电脑、移动型个人电脑、PDA(个人数字助理)、手机、游戏机、电子书、电子纸(电子报纸)、公告板(例如，看板、海报或黑板)、影印机、代替打印纸的可重写纸、计算器、家用电器的显示单元或者点卡的卡片显示单元以及各种图像显示装置(例如，电子广告或e-POP)。此外，图像显示装置的例子包括各种照明装置。
当薄膜元件由底栅底接触型薄膜晶体管形成时，可以通过如下步骤制造该薄膜晶体管：
(a)在基材上形成栅极，然后在所述基材的整个表面上形成栅绝缘层；
(b)在所述栅绝缘层上形成源极/漏极；和
(c)在至少位于所述源极/漏极之间的栅绝缘层上形成由有机半导体材料层形成的沟道形成区域。底栅底接触型薄膜晶体管包括：
(A)形成在基材上的栅极；
(B)形成在所述栅极和所述基材上的栅绝缘层；
(C)形成在所述栅绝缘层上的源极/漏极；和
(D)形成在所述源极/漏极之间的栅绝缘层上的由有机半导体材料层形成的沟道形成区域。
此外，当薄膜元件由底栅顶接触型薄膜晶体管形成时，可以通过如下步骤制造该薄膜晶体管：
(a)在基材上形成栅极，然后在所述基材的整个表面上形成栅绝缘层；
(b)在所述栅绝缘层上形成由有机半导体材料层形成的沟道形成区域和沟道形成区域延伸部；和
(c)在所述沟道形成区域延伸部上形成源极/漏极。底栅顶接触型薄膜晶体管包括：
(A)形成在基材上的栅极；
(B)形成在所述栅极和所述基材上的栅绝缘层；
(C)形成在所述栅绝缘层上的由有机半导体材料层形成的沟道形成区域和沟道形成区域延伸部；和
(D)形成在所述沟道形成区域延伸部上的源极/漏极。
此外，当薄膜元件由顶栅底接触型薄膜晶体管形成时，该薄膜晶体管可以通过如下步骤形成：
(a)在基材上形成源极/漏极；
(b)在所述基材的整个表面上形成由有机半导体材料层形成的沟道形成区域；和
(c)在所述基材的整个表面上形成栅绝缘层，然后在所述沟道形成区域上的一部分栅绝缘层中形成栅极。顶栅底接触型薄膜晶体管包括：
(A)形成在基材上的源极/漏极；
(B)形成在源极/漏极之间的基材上的由有机半导体材料层形成的沟道形成区域；
(C)形成在所述沟道形成区域上的栅绝缘层；和
(D)形成在所述栅绝缘层上的栅极。
此外，当薄膜元件由顶栅顶接触型薄膜晶体管形成时，该薄膜晶体管可以通过如下步骤形成：
(a)在基材上形成由有机半导体材料层形成的沟道形成区域和沟道形成区域延伸部；
(b)在所述沟道形成区域延伸部上形成源极/漏极；和
(c)在所述基材的整个表面上形成栅绝缘层，然后在所述沟道形成区域上的一部分栅绝缘层中形成栅极。顶栅顶接触型薄膜晶体管包括：
(A)形成在基材上的由有机半导体材料层形成的沟道形成区域和沟道形成区域延伸部；
(B)形成在所述沟道形成区域延伸部上的源极/漏极；
(C)形成在所述源极/漏极和所述沟道形成区域上的栅绝缘层；和
(D)形成在所述栅绝缘层上的栅极。
薄膜元件可以具有这样的结构：通过施加到控制电极的电压来控制从第一电极朝向第二电极流入活性层的电流。具体地，如上所述，薄膜元件可以具有如下构造：薄膜元件由场效应晶体管(包括薄膜晶体管)形成，其中控制电极相当于栅极，第一电极和第二电极相当于源极/漏极，绝缘层相当于栅绝缘层，并且活性层相当于沟道形成区域。可选择地，薄膜元件可以具有如下构造：薄膜元件由发光元件(有机发光元件或有机发光晶体管)形成，其中在向控制电极以及第一电极和第二电极施加电压时活性层发光。这里，在发光元件中，构成活性层的有机半导体材料具有基于电荷积累以及注入的电子和空穴的复合而发光的功能，其中电荷积累基于施加到控制电极的电压而被调节。作为构成活性层的有机半导体材料，可以广泛地使用具有p型导电性的有机半导体材料或者未掺杂的有机半导体材料。在其中活性层由具有p型导电性的有机半导体材料形成的发光元件(有机发光晶体管)中，发光强度与漏电流的绝对值成比例并且可以通过栅极电压以及源极/漏极之间的电压进行调节。薄膜元件是发挥作为场效应晶体管的功能还是发挥作为发光元件的功能取决于向第一电极和第二电极的电压施加状态(偏压)。首先，当在未从第二电极注入电子的范围内施加偏压的条件下对控制电极进行调节时，电流从第一电极流向第二电极。这是晶体管的工作。另一方面，当在充分积累空穴的条件下增大施加到第一电极和第二电极的偏压时，开始电子注入，并且通过与空穴的复合而发光。可选择地，薄膜元件可以具有这样的构造：薄膜元件由光电转换元件形成，其中利用光对活性层进行照射使电流在第一电极与第二电极之间流动。当光电转换元件由薄膜元件形成时，具体地，光伏电池或图像传感器可以由光电转换元件形成。在这种情况下，可以不向控制电极施加电压或者可以向控制电极施加电压。当施加电压时，可以通过向控制电极施加电压来调节流动的电流。当将薄膜元件构造成发光元件或光电转换元件时，发光元件或光电转换元件的构造和结构例如可以与上述四种薄膜晶体管中任一者的构造和结构相同。
有机半导体材料的例子包括聚噻吩、其中己基被引入聚噻吩中的聚3-己基噻吩(P3HT)、并五苯[2，3，6，7-二苯并蒽]、包括迫呫吨并呫吨在内的二氧杂蒽嵌蒽系化合物、聚蒽、并四苯、并六苯、并七苯、二苯并五苯、四苯并五苯、、苝、晕苯、三萘嵌二苯、卵苯、四萘嵌三苯、循环蒽、苯并芘、二苯并芘、苯并菲、聚吡咯、聚苯胺、聚乙炔、聚二乙炔、聚苯撑、聚呋喃、聚吲哚、聚乙烯咔唑、聚硒吩、聚碲吩、聚异硫茚、聚咔唑、聚苯乙炔、聚苯硫醚、聚乙烯基硫醚、聚噻吩乙炔、聚萘、聚芘、聚薁、酞菁铜代表的酞菁、部花青、半花菁、聚亚乙基二氧基噻吩、哒嗪、萘四甲酸二酰亚胺、聚(3，4-亚乙基二氧基噻吩)/聚苯乙烯磺酸(PEDOT/PSS)和喹吖啶酮。可选择地，有机半导体材料的例子包括选自稠合多环芳香族化合物、卟啉系衍生物、苯基亚乙烯基系共轭低聚物和噻吩系共轭低聚物的化合物。其具体例子包括稠合多环芳香族化合物(例如，并苯系分子(并五苯、并四苯等))、卟啉系分子和共轭低聚物(苯基亚乙烯基系或噻吩系)。
可选择地，有机半导体材料的例子包括卟啉、4，4’-联苯基二硫醇(BPDT)、4，4’-二异氰基联苯、4，4’-二异氰基-p-三联苯、2，5-双(5’-硫代乙酰基-2’-苯硫基)噻吩、2，5-双(5’-硫代乙酰氧基-2’-苯硫基)噻吩、4，4’-二异氰基苯、联苯胺(联苯-4，4’-二胺)、TCNQ(四氰基对苯二醌二甲烷)、四硫富瓦烯(TTF)-TCNQ配合物、双亚乙基四硫富瓦烯(BEDTTTF)-高氯酸配合物、BEDTTTF-碘配合物和TCNQ-碘配合物代表的电荷转移配合物、联苯基-4，4’-二甲酸、1，4-二(4-苯硫基乙炔基)-2-乙基苯、1，4-二(4-异氰基苯基乙炔基)-2-乙基苯、树枝状聚合物、诸如C60、C70、C76、C78或C84等富勒烯、l，4-二(4．苯硫基乙基)-2-乙基苯、2，2”-二羟基．1，1’：4’，1”-三联苯、4，4’-联苯基二乙醛、4，4’-联苯基二醇、4，4’-联苯基异氰酸酯、1，4-二乙酰基苯、二乙基联苯基_4，4’-二甲酸酯、苯并[1，2-c；3，4-c’；5，6-c”]三[1，2]二硫醇-1，4，7-三硫酮、α-六噻吩、四硫并四苯、四硒并四苯、四碲并四苯、聚(3-烷基噻吩)、聚(3-噻吩-β-乙烷磺酸)、聚(N-烷基吡咯)聚(3-烷基吡咯)、聚(3，4-二烷基吡咯)、聚(2，2’-噻吩基吡咯)和聚(二苯并噻吩硫化物)。
如果需要，活性层或沟道形成区域(有机半导体材料层)可以含有聚合物。聚合物可以溶解在有机溶剂中。具体地，聚合物(有机结合剂或粘合剂)的例子包括聚苯乙烯、聚-α-甲基苯乙烯和聚烯烃。另外，如果需要，可以加入添加剂(例如，诸如n型杂质或p型杂质等所谓的掺杂材料)。
用于制备有机半导体材料溶液的溶剂的例子包括：诸如甲苯、二甲苯、均三甲苯或四氢化萘等芳香族类，诸如环戊酮或环己酮等酮类，以及诸如十氢化萘等烃类。其中，从晶体管特性以及在形成有机半导体材料层的过程中防止有机半导体材料急剧变干的观点来看，使用诸如均三甲苯、四氢化萘或十氢化萘等具有相对较高沸点的溶剂是优选的。
涂布法可以用作形成活性层、沟道形成区域或者沟道形成区域和沟道形成区域延伸部的方法。这里，可以没有问题地使用任何一种一般的涂布法，具体地，例如可以使用以下的各种涂布法。也就是说，涂布法的例子包括：各种印刷法，例如丝网印刷法、喷墨印刷法、胶版印刷法、逆胶版印刷法、凹版印刷法、凹版胶版印刷法、凸版印刷法、柔版印刷法和微接触法；旋转涂布法；各种涂布法，例如气刀涂布法、刮板涂布法、棒涂布法、刮刀涂布法、挤压涂布法、逆转辊涂布法、转移辊涂布法、照相凹版涂布法、吻合涂布法、流延涂布法、喷涂法、狭缝涂布法、狭缝口涂布法、压延涂布法、铸造法、毛细管涂布法、杆涂布法和浸渍法；喷雾法；使用分配器的方法；以及涂布液体材料的方法(被称作压印法)。
构成控制电极、第一电极、第二电极、栅极和源极/漏极的材料的例子包括：诸如铂(Pt)、金(Au)、钯(Pd)、铬(Cr)、钼(Mo)、镍(Ni)、铝(Al)、银(Ag)、钽(Ta)、钨(W)、铜(Cu)、钛(Ti)、铟(In)、锡(Sn)、铁(Fe)、钴(Co)、锌(Zn)和镁(Mg)等金属；含有这些金属元素的合金；由这些金属构成的导电粒子；含有这些金属的合金的导电粒子；以及诸如含有杂质的多晶硅等导电性材料。可以使用含有这些元素的层的堆叠结构。此外，构成控制电极、第一电极、第二电极、栅极和源极/漏极的材料的例子包括：诸如聚(3,4-亚乙基二氧基噻吩)/聚苯乙烯磺酸[PEDOT/PSS]和聚苯胺等有机材料(导电性聚合物)。构成控制电极、第一电极、第二电极、栅极和源极/漏极的材料可以相同或不同。
形成控制电极、第一电极、第二电极、栅极和源极/漏极的方法取决于其构成材料，但可以是根据需要的图案化技术与下述方法中任一种的组合：上述各种涂布法；物理气相沉积法(PVD法)；脉冲激光沉积法(PLD)、电弧放电法、包括MOCVD法的各种化学气相沉积法(CVD法)；剥离法；遮蔽掩模法；电镀法或化学镀法以及它们的组合。PVD法的例子包括：(a)诸如电子束加热法、电阻加热法、闪蒸法和坩埚加热法等各种真空蒸发法；(b)等离子体蒸发法；(c)诸如双极溅射法、直流溅射法、直流磁控管溅射法、高频溅射法、磁控管溅射法、离子束溅射法和偏压溅射法等各种溅射法；以及(d)诸如DC(直流)法、RF法、多阴极法、活化反应法、电场蒸发法、高频离子镀法和反应离子镀法等各种离子镀法。当形成抗蚀剂图案时，例如，在涂布抗蚀剂材料形成抗蚀剂膜后，采用光刻技术、激光绘制技术、电子束绘制技术或X射线绘制技术使该抗蚀剂膜图案化。可以采用抗蚀剂转印法形成抗蚀剂图案。当基于蚀刻法形成控制电极、第一电极、第二电极、栅极和源极/漏极时，采用干式蚀刻法或湿式蚀刻法。干式蚀刻法的例子包括离子铣削和反应性离子蚀刻(RIE)。此外，控制电极、第一电极、第二电极、栅极和源极/漏极可以基于激光烧蚀法、掩模蒸发法和激光转印法等形成。
绝缘层或栅绝缘层(在下文中，有时统称为“栅绝缘层等”)可以包括单层或多层。构成栅绝缘层等的材料的例子不仅包括无机绝缘材料，例如，诸如氧化硅系材料、氮化硅(SiNY)、氧化铝(Al2O3)和HfO2等金属氧化物高介电绝缘膜，还可以包括有机绝缘材料(有机聚合物)，例如，一端具有可与控制电极和栅极结合的官能团的直链烃类(例如，聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)；聚乙烯基苯酚(PVP)；聚乙烯醇(PVA)；聚酰亚胺；聚碳酸酯(PC)；聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)；聚苯乙烯；诸如N-2(氨基乙基)3-氨基丙基三甲氧基硅烷(AEAPTMS)、3-巯基丙基三甲氧基硅烷(MPTMS)或十八烷基三氯硅烷(OTS)等硅烷醇衍生物(硅烷偶联剂)；十八硫醇；或者十二烷基异氰酸酯)，或其组合。这里，氧化硅系材料的例子包括：氧化硅(SiOX)、BPSG、PSG、BSG、AsSG、PbSG、氮氧化硅(SiON)、SOG(旋涂玻璃)或低介电常数SiO2系材料(例如，聚芳醚、环状全氟碳聚合物、苯并环丁烯、环状氟树脂、聚四氟乙烯、氟芳基醚、聚氟酰亚胺、无定形碳和有机SOG)。
形成栅绝缘层等的方法可以是根据需要的图案化技术与下述方法中任一种的组合：上述各种涂布法、剥离法、溶胶-凝胶法、电沉积法和遮蔽掩模法。
可选择地，栅绝缘层可以通过对控制电极和栅极的表面进行氧化或氮化来形成，或者通过在控制电极和栅极的表面上形成氧化膜或氮化膜来形成。对控制电极和栅极的表面进行氧化的方法取决于构成控制电极和栅极的材料，但是例如可以采用使用O2等离子体的氧化法或阳极氧化法。对控制电极和栅极的表面进行氮化的方法取决于构成控制电极和栅极的材料，但是例如可以采用使用N2等离子体的氮化法。可选择地，例如，对于Au电极，通过用具有可与控制电极和栅极形成化学键的官能团的绝缘分子(诸如一端被巯基修饰的直链烃)，利用诸如浸渍法等方法以自组织方式涂布控制电极和栅极的表面，可以在控制电极和栅极的表面上形成栅绝缘层。可选择地，可以通过利用硅烷醇衍生物(硅烷偶联剂)修饰控制电极和栅极的表面来形成栅绝缘层。
第一实施例
第一实施例涉及本发明的薄膜元件组装体。图1A示出了第一实施例的薄膜元件组装体从第一方向看的示意性侧面图。图1B示出了薄膜元件组装体从第二表面侧看的示意性立体图。图2A示出了薄膜元件组装体从第一表面侧看的示意性立体图。
在第一实施例的薄膜元件组装体中，在具有可挠性的基材20的第一表面21上设有多个薄膜元件10。在基材20中，在设有多个薄膜元件10的第一区域的外侧形成有未设置薄膜元件10的第二区域。此外，在第一实施例中，在第二表面22的第二区域中形成有凸部(第二凸部31)。
这里，基材20由聚酰亚胺树脂形成，并且具有两条相对边20A和20C在第一方向上延伸而另两条相对边20B和20D在第二方向上延伸的矩形形状。边20A和20C的长度设定为140mm，边20B和20D的长度(与基材20的第一方向平行的两条相对边20A和20C之间的距离W)设定为76mm。通过使用模具对片状部件进行冲压的方法制造第二凸部31，第二凸部31沿着在第一方向上延伸的两条边20A和20C形成在第二区域中。第二凸部31具有带状形状，其宽度为5mm，其长度与边20A和20C的长度相同。此外，第二凸部31的高度H2设定成0.05mm。也就是说，H/W=H2/W=0.05/76。第二凸部31利用由丙烯酸酯粘合剂形成的粘合剂(未示出)与基材20贴合。第二凸部31可以含有抗静电剂。
此外，基材20可以绕着平行于第二方向的轴线卷取。也就是说，基材20可以沿着第一方向卷取。在第一实施例的薄膜元件组装体中，由于凸部形成在基材的未设置薄膜元件的第二区域中，因而即使当卷取薄膜元件组装体时，也能够可靠地防止基材的第二表面与形成在第一表面上的多个薄膜元件接触。此外，能够防止薄膜元件出现擦伤和损坏，并且能够向薄膜元件组装体赋予进一步的耐久性。在JP-A-2008-185853披露的柔性显示装置中，本发明人发现，当反复地进行卷取试验时，不能完全防止由于发光侧表面与背侧表面之间的接触而在发光侧表面上出现的擦伤和损坏。
第二实施例
第二实施例是第一实施例的变形例。在第二实施例的薄膜元件组装体中，图2B示出了薄膜元件组装体从第二表面侧看的示意性立体图，其中每个凸部(第二凸部32)具有平行于第二方向延伸的切口部33。除此之外，由于第二实施例的薄膜元件组装体的构造和结构与第一实施例中说明的薄膜元件组装体的构造和结构相同，因此不再提供详细的说明。其中凸部具有切口部的第二实施例的薄膜元件组装体的构造和结构可以适用于下面说明的各种实施例。
第三实施例
第三实施例也是第一实施例的变形例。在第三实施例的薄膜元件组装体中，图3A示出了薄膜元件组装体从第一方向看的示意性侧面图，图3B示出了薄膜元件组装体从第二表面侧看的示意性立体图，
在基材20的第二表面22的至少第一区域中(在第三实施例中，第一区域和第二区域)形成有在第二方向上延伸的加强部件34，并且
加强部件34的高度H3低于形成在基材20的第二表面22的第二区域中的凸部(第二凸部31)的高度H2。具体地，H3/H2=1/3。加强部件34由金属材料形成并且利用由丙烯酸酯粘合剂形成的粘合剂(未示出)贴合到基材20上。加强部件34和第二凸部31以梯子状装配在一起，使得两个第二凸部31相当于梯子的框架，而加强部件34相当于阶梯或台阶。
除了上面的以外，由于第三实施例的薄膜元件组装体的构造和结构与第一实施例中说明的薄膜元件组装体的构造和结构相同，因此不再提供详细的说明。其中在基材的第二表面上设有加强部件的第三实施例的薄膜元件组装体的构造和结构可以适用于下面说明的其中在基材的第二表面上设有凸部的各种实施例。
第四实施例
第四实施例也是第一实施例的变形例。图4A示出了第四实施例的薄膜元件组装体从第一方向看的示意性侧面图，图4B示出了薄膜元件组装体从第一表面侧看的示意性立体图。在第四实施例的薄膜元件组装体中，在基材20的第一表面21的第二区域中形成有凸部(第一凸部41)。除此之外，由于第四实施例的薄膜元件组装体的构造和结构与第一实施例中说明的薄膜元件组装体的构造和结构相同，因此不再提供详细的说明。第一凸部41沿着在第一方向上延伸的两条边20A和20C形成在第二区域中。
第五实施例
第五实施例是第四实施例的变形例。图5示出了第五实施例的薄膜元件组装体从第一表面侧看的示意性立体图，在第五实施例的薄膜元件组装体中，沿着在第二方向上延伸的两条边20B和20D在基材20的第一表面21的第二区域中还形成有附加凸部(第一凸部42)。也就是说，在第五实施例中，在基材20的第一表面21的第二区域中设置有包围第一区域的框架状凸部(第一凸部42)。除此之外，由于第五实施例的薄膜元件组装体的构造和结构与第四实施例中说明的薄膜元件组装体的构造和结构相同，因此不再提供详细的说明。
第六实施例
第六实施例是第一实施例和第四实施例的变形例或者第三实施例和第四实施例的变形例。图6A或图6B示出了第六实施例的薄膜元件组装体从第一方向看的示意性侧面图，在第六实施例的薄膜元件组装体中，凸部包括第四实施例的第一凸部41和第一实施例的第二凸部31。除此之外，由于第六实施例的薄膜元件组装体的构造和结构与第一实施例、第三实施例和第四实施例中说明的薄膜元件组装体的构造和结构相同，因此不再提供详细的说明。
第七实施例
在第七实施例和下面说明的第八实施例~第十一实施例中，将要说明薄膜元件。
图7A示出了示意性部分截面图，在第七实施例中，薄膜元件10A包括：
第一电极和第二电极；
活性层，所述活性层形成在第一电极与第二电极之间；和
控制电极，所述控制电极经由之间的绝缘层面对所述活性层。
更具体地，薄膜元件组装体10A由场效应晶体管(FET)(具体地，薄膜晶体管(TFT))形成，
第一电极和第二电极相当于源极/漏极53，
控制电极相当于栅极51，
绝缘层相当于栅绝缘层52，和
活性层相当于沟道形成区域54。此外，通过施加到控制电极的电压来控制从第一电极朝向第二电极流入活性层的电流。
这里，由TFT形成的薄膜元件10A更具体地是底栅底接触型TFT，包括：
(A)形成在基材20上的栅极51(相当于控制电极)；
(B)形成在栅极51和基材20上的栅绝缘层52(相当于绝缘层)；
(C)形成在栅绝缘层52上的源极/漏极53(相当于第一电极和第二电极)；和
(D)形成在源极/漏极53之间的栅绝缘层52上的由有机半导体材料层形成的沟道形成区域54(相当于活性层)。
在第七实施例~第十实施例中，控制电极(栅极51)以及第一电极和第二电极(源极/漏极53)由金(Au)形成，绝缘层(栅绝缘层52)由SiO2形成，活性层(沟道形成区域54)由TIPS(三异丙基甲硅烷基)-并五苯形成。
在下文中，说明第七实施例的薄膜元件的制造方法和图像显示装置的制造方法。在下面的说明中，将控制电极和栅极统称为栅极，将第一电极和第二电极以及源极/漏极统称为源极/漏极，将绝缘层和栅绝缘层统称为栅绝缘层，将活性层和沟道形成区域统称为沟道形成区域。
[步骤-700]
首先，在基材20上形成栅极51。具体地，在基材20上基于光刻技术形成抗蚀剂层(未示出)，在该抗蚀剂层中除去将要形成栅极51的部分。此后，通过真空蒸发法在基材的整个表面上依次形成作为接触层的钛(Ti)层(未示出)和作为栅极51的金(Au)层，然后除去抗蚀剂层。以此方式，基于所谓的剥离法能够获得栅极51。
[步骤-710]
随后，在具体地包括栅极51的基材20的整个表面上形成栅绝缘层52。具体地，基于溅射法在栅极51和基材20上形成由SiO2形成的栅绝缘层52。当形成栅绝缘层52时，通过用硬掩模覆盖栅极51的一部分，在不使用光刻工艺的情况下能够形成栅极51的引出部(未示出)。
[步骤-720]
此后，在栅绝缘层52上形成由金(Au)层形成的源极/漏极53。具体地，基于真空蒸发法依次形成作为接触层的厚度约0.5nm的钛(Ti)层(未示出)和作为源极/漏极53的厚度约25nm的金(Au)层。当形成这些层时，通过用硬掩模覆盖栅绝缘层52的一部分，在不使用光刻工艺的情况下能够形成源极/漏极53。
[步骤-730]
随后，将有机半导体材料溶液涂布在至少位于源极/漏极53之间的栅绝缘层52上，并且干燥，从而形成由有机半导体材料层形成的沟道形成区域54。这里，预先制备有机半导体材料溶液。具体地，将作为有机半导体材料的1克TIPS-并五苯溶解在作为有机溶剂的100克1,2,3,4-四氢化萘中。此外，在使用有机半导体材料溶液通过旋转涂布法形成有机半导体材料层之后，在90°C和1小时的条件下对形成的有机半导体材料层进行干燥。以此方式，能够得到沟道形成区域54(活性层)。
可选择地，在使用上述有机半导体材料溶液通过喷墨印刷法形成有机半导体材料层之后，通过在90°C和1小时的条件下对形成的有机半导体材料层进行干燥，能够得到沟道形成区域54(活性层)。
[步骤-740]
此后，在整个表面上形成钝化膜(未示出)，并且形成与栅极51和源极/漏极53连接的配线(未示出)。以此方式，能够得到底栅底接触型FET(具体地，TFT)(见图7A)。
在图像显示装置的制造过程中，在该步骤之后，可以基于已知方法在薄膜元件10A上或上方形成图像显示单元(具体地，例如由有机电致发光元件、微胶囊型电泳显示元件或半导体发光元件形成的图像显示单元)。
第八实施例
第八实施例是第七实施例的变形例。在第八实施例中，薄膜元件10B由底栅顶接触型FET(具体地，TFT)形成。图7B示出了示意性部分截面图，第八实施例的场效应晶体管包括：
(A)形成在基材20上的栅极51(相当于控制电极)；
(B)形成在栅极51和基材20上的栅绝缘层52(相当于绝缘层)；
(C)形成在栅绝缘层52上的由有机半导体材料层形成的沟道形成区域54(相当于活性层)和沟道形成区域延伸部55；和
(D)形成在沟道形成区域延伸部55上的源极/漏极53(相当于第一电极和第二电极)。
在下文中，将说明第八实施例的薄膜元件的制造方法的概述。
[步骤-800]
首先，与第七实施例的步骤-700~步骤-710相似地，在基材20上形成栅极51和栅绝缘层52。
[步骤-810]
随后，与第七实施例的步骤-730相似地，通过在栅绝缘层52上涂布有机半导体材料溶液并对涂布的有机半导体材料溶液进行干燥，形成由有机半导体材料层形成的沟道形成区域54和沟道形成区域延伸部55。
[步骤-820]
此后，在沟道形成区域延伸部55上形成源极/漏极53，使得沟道形成区域54夹在源极/漏极53之间。具体地，与第七实施例的步骤-720相似地，基于真空蒸发法依次形成作为接触层的钛(Ti)层(未示出)和作为源极/漏极53的金(Au)层。当形成这些层时，通过用硬掩模覆盖沟道形成区域延伸部55的一部分，在不使用光刻工艺的情况下能够形成源极/漏极53。
[步骤-830]
随后，与第七实施例相似地进行钝化膜(未示出)的形成和配线(未示出)的形成，由此能够得到第八实施例的薄膜元件10B。
第九实施例
第九实施例也是第七实施例的变形例。在第九实施例中，薄膜元件10C由顶栅底接触型FET(具体地，TFT)形成。图8A示出了示意性部分截面图，第九实施例的场效应晶体管包括：
(A)形成在基材20上的源极/漏极53(相当于第一电极和第二电极)；
(B)形成在源极/漏极53之间的基材20上的由有机半导体材料层形成的沟道形成区域54(相当于活性层)；
(C)形成在沟道形成区域54上的栅绝缘层52(相当于绝缘层)；和
(D)形成在栅绝缘层52上的栅极51(相当于控制电极)。
在下文中，将说明第九实施例薄膜元件的制造方法的概述。
[步骤-900]
首先，与第七实施例的步骤-720相似地，在基材20上形成源极/漏极53之后，与第七实施例的步骤-730相似地，通过在整个表面(具体地，在包括源极/漏极53的基材20)上涂布有机半导体材料溶液并对涂布的有机半导体材料溶液进行干燥，形成由有机半导体材料层形成的沟道形成区域(活性层)54。
[步骤-910]
随后，通过与第七实施例的步骤-710相同的方法在整个表面上形成栅绝缘层52。此后，通过与第七实施例的步骤-700相同的方法在沟道形成区域54上的栅绝缘层52的一部分中形成栅极51。
[步骤-920]
随后，与第七实施例相似地进行钝化膜(未示出)的形成和配线(未示出)的形成，由此能够得到第九实施例的薄膜元件10C。
第十实施例
第十实施例也是第七实施例的变形例。在第十实施例中，薄膜元件10D由顶栅顶接触型FET(具体地，TFT)形成。图8B示出了示意性部分截面图，第十实施例的场效应晶体管包括：
(A)形成在基材20上的由有机半导体材料层形成的沟道形成区域54(相当于活性层)和沟道形成区域延伸部55；
(B)形成在沟道形成区域延伸部55上的源极/漏极53(第一电极和第二电极)；
(C)形成在源极/漏极53和沟道形成区域54上的栅绝缘层52(相当于绝缘层)；和
(D)形成在栅绝缘层52上的栅极51(相当于控制电极)。
在下文中，将说明第十实施例薄膜元件的制造方法的概述。
[步骤-1000]
首先，与第七实施例的步骤-730相似地，通过在基材20上涂布有机半导体材料溶液并对涂布的有机半导体材料溶液进行干燥，形成由有机半导体材料层形成的沟道形成区域54和沟道形成区域延伸部55。
[步骤-1010]
随后，通过与第七实施例的步骤-720相同的方法在沟道形成区域延伸部55上形成源极/漏极53。
[步骤-1020]
此后，通过与第七实施例的步骤-710相同的方法在整个表面上形成栅绝缘层52。随后，通过与第七实施例的步骤-700相同的方法在沟道形成区域54上的栅绝缘层52的一部分中形成栅极51。
[步骤-1030]
随后，与第七实施例相似地进行钝化膜(未示出)的形成和配线(未示出)的形成，由此能够得到第十实施例的薄膜元件10D。
第十一实施例
第十一实施例也是第七实施例的变形例。在第十一实施例中，薄膜元件10E具体地由二端子器件形成。更具体地，图9示出了示意性部分截面图，薄膜元件10E包括：
第一电极61和第二电极62；和
形成在第一电极61与第二电极62之间的活性层63。活性层63由有机半导体材料形成。此外，通过用光照射活性层63产生电力。也就是说，第十一实施例的薄膜元件10E用作光电转换元件或光伏电池。可选择地，薄膜元件10E用作在向第一电极61和第二电极62施加电压时使活性层63发光的发光元件。
除了上面的以外，由于第十一实施例的薄膜元件的构造和结构与第七实施例中说明的薄膜元件的构造和结构相同，因此不再提供详细的说明。通过与第七实施例的步骤-720、步骤-730和步骤-720基本相似地形成第一电极61、活性层63和第二电极62并且与第七实施例的步骤-740相似地形成配线，能够得到第十一实施例的薄膜元件。
虽然已经基于优选实施例说明了本发明，但本发明不限于这些实施例。薄膜元件组装体的结构和构造以及其形成和制造条件是示例性的并且可以适宜地变化。在各实施例中，尽管薄膜元件由三端子器件或两端器件形成，但薄膜元件例如可以由具有已知构造和结构的有机电致发光元件、微胶囊型电泳显示元件和半导体发光元件形成。此外，这些有机电致发光元件、微胶囊型电泳显示元件和半导体发光元件本身的制造方法可以采用已知的制造方法。
在各实施例中，尽管基材被配置成具有单层，但由不同材料(例如，与构成凸部的材料相同的材料)形成的第二基材和甚至第三基材、第四基材等可以贴合到基材的第二表面。在某些情况下，通过将由不同材料(例如，与构成凸部的材料相同的材料)形成的第二基材贴合到基材的第二表面并且例如经蚀刻对第二基材进行处理，可以在基材的第二表面上形成凸部。
可选择地，图10A和图10B示出了实施例的薄膜元件组装体的变形例的示意性部分截面图以及用于说明实施例的薄膜元件组装体的变形例的制造方法的支撑基板的示意性部分截面图，准备形成有与凸部对应的凹部的支撑基板25。可以基于如下步骤来制造薄膜元件组装体：
通过涂布法在支撑基板25上形成由树脂材料形成的第一基材23；
在第一基材23上形成由经加热或能量束照射可固化的树脂形成的第二基材24；
在第二基材24上形成薄膜元件10A~10D(或者薄膜元件10和10E)中任一者(见图10B)；和
将支撑基板25与第一基材23分离(见图10A)。这里，当将支撑基板25与第一基材23分离时，在第一基材23的第二表面上设置有与设置在支撑基板25上的凹部对应的凸部(第二凸部)。此外，第一基材23的第一表面与第二基材24的第二表面接合，并且在第二基材24的第一表面上形成薄膜元件。构成第一基材23的树脂材料的玻璃化转变温度优选为180°C以上。可选择地，构成第一基材23的树脂材料的玻璃化转变温度优选高于形成薄膜元件时的处理温度的最高温度。例如，在基于银膏的印刷和焙烤而形成与栅极和源极/漏极连接的配线时的银膏焙烤温度是薄膜元件或图像显示装置的一系列制造步骤中的处理温度的最高温度(具体地，150°C)。可选择地，可以基于如下步骤来制造薄膜元件组装体：
通过涂布法在支撑基板25上形成由非晶性热塑性树脂形成的第一基材23；
在第一基材23上形成由热塑性树脂或紫外线固化性树脂形成的第二基材24；
在第二基材24上形成薄膜元件；和
将支撑基板25与第一基材23分离。
如上所述，当在第一基材和第二基材的两层基材上形成薄膜元件之后将支撑基板与第一基材分离时，不需要大的制造装置而通过简单方法就能够制造薄膜元件。此外，通过使用后面描述的树脂材料形成第一基材，能够可靠地使第一基材与支撑基板分离。此外，由于在用第二基材覆盖第一基材的状态下而在第二基材上形成薄膜元件，因而能够可靠地防止在薄膜元件的形成过程中在第一基材上出现损坏。此外，由于通过涂布法在支撑基板上形成第一基材，因而能够容易地形成第一基材并且能够防止在支撑基板与第一基材之间出现气泡等。
针对支撑基板的剥离强度(具体地，贴合组件的90°剥离强度)优选为1.0N/cm(0.1kgf/cm)~4.9N/m(0.5kgf/cm)。贴合组件的90°剥离强度由JISK6854-1:1999标准规定。构成第一基材的树脂材料的具体例子包括：聚砜树脂、聚醚砜树脂和聚砜酰亚胺树脂。构成第二基材的材料的具体例子包括：诸如环氧系树脂等热塑性树脂和紫外线固化性树脂。也就是说，构成第一基材的材料与构成第二基材的材料的优选组合的具体例子包括聚砜树脂和环氧系树脂、聚醚砜树脂和环氧系树脂、以及聚砜酰亚胺树脂和环氧系树脂。为了在支撑基板上形成由树脂材料形成的第一基材，需要制备溶解有树脂材料的溶液。作为溶剂，可以适宜地单独使用或作为混合物使用：水；诸如乙醇、异丙醇和丁醇等醇类；诸如甲苯或二甲苯等芳香族类；诸如丙酮或2-丁酮等酮类；诸如PGMEA等烃类。此外，除了有机溶剂之外，可以加入诸如表面活性剂或流平剂等添加剂。另外，取决于赋予涂布性能或其他性能的目的，可以含有除了高分子材料以外的材料，这些材料的具体例子包括：氧化硅填料和玻璃纤维等。构成第一基材的树脂材料优选不会与支撑基板起化学反应。可以机械地进行支撑基板与第一基材的分离。具体地，可以利用机械或用手将支撑基板上的第一基材和第二基材切开，并且使支撑基板与第一基材分离，并且可选择地，可以利用机械或用手使第一基材与支撑基板分离。可选择地，可以利用机械或用手将支撑基板上的第一基材和第二基材切开，并且可以将水引入切开处，从而使支撑基板与第一基材分离，并且可选择地，使第一基材与支撑基板分离。第一基材的厚度可以使得第一基材能够可靠地支撑薄膜元件并且必要时向薄膜元件赋予可挠性。第二基材的厚度可以使得第二基材能够可靠地保护第一基材免受酮系溶剂的影响并且必要时向薄膜元件赋予可挠性。由于薄膜元件形成在第二基材上，因而第二基材优选具有绝缘性。作为在第一基材上形成第二基材的方法，可以采用上述各种涂布法。然而，所采用的方法不限于上述方法，也可以采用预先准备片状第二基材并在第一基材上堆叠第二基材的方法。支撑基板(支撑基材)的例子包括各种玻璃基板、表面上形成有绝缘膜的各种玻璃基板、石英基板、表面上形成有绝缘膜的石英基板、表面上形成有绝缘膜的硅基板、蓝宝石基板、以及由各种金属和诸如不锈钢等各种合金形成的金属基板。
本领域技术人员应当理解，依据设计要求和其他因素，可以在本发明所附的权利要求书或其等同物的范围内进行各种修改、组合、次组合以及改变。

Claims (7)

1.一种薄膜元件组装体，其包括：
具有可挠性的基材，和
设置在所述基材的第一表面上的多个薄膜元件，
其中，在所述基材中，在设有多个薄膜元件的第一区域的外侧形成有未设置薄膜元件的第二区域，并且
其中，在所述基材的第二表面的第二区域或者所述基材的第一表面和第二表面每一者的第二区域中形成凸部，
其中，在所述基材的第二表面的至少第一区域中形成有在第二方向上延伸的加强部件，并且
其中，所述加强部件的高度低于形成在所述基材的第二表面的第二区域中的所述凸部的高度。
2.根据权利要求1所述的薄膜元件组装体，
其中，所述基材具有两条相对边在第一方向上延伸而另两条相对边在第二方向上延伸的矩形形状，并且
其中，所述凸部沿着在第一方向上延伸的两条边形成在第二区域中。
3.根据权利要求2所述的薄膜元件组装体，其中，所述基材可绕着平行于第二方向的轴线卷取。
4.根据权利要求2所述的薄膜元件组装体，其中，每个凸部具有平行于第二方向延伸的切口部。
5.根据权利要求2所述的薄膜元件组装体，
其中，所述凸部形成在所述基材的第一表面和第二表面每一者的第二区域中，并且
其中，沿着在第二方向上延伸的两条边在所述基材的第一表面的第二区域中形成有附加凸部。
6.根据权利要求1所述的薄膜元件组装体，其中，所述凸部由选自发泡材料、凝胶状材料和橡胶状材料的至少一种材料形成。
7.根据权利要求6所述的薄膜元件组装体，其中，所述凸部含有抗静电剂。
CN201210135457.4A 2011-05-12 2012-05-03 薄膜元件组装体 Active CN102779949B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011-107287 2011-05-12
JP2011107287A JP2012238753A (ja) 2011-05-12 2011-05-12 薄膜素子組立体

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN102779949A CN102779949A (zh) 2012-11-14
CN102779949B true CN102779949B (zh) 2016-03-23

Family

ID=47124794

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201210135457.4A Active CN102779949B (zh) 2011-05-12 2012-05-03 薄膜元件组装体

Country Status (3)

Country Link
US (1) US20120288685A1 (zh)
JP (1) JP2012238753A (zh)
CN (1) CN102779949B (zh)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6179068B2 (ja) * 2012-03-30 2017-08-16 大日本印刷株式会社 有機半導体層の形成方法および基材上に配置された有機半導体層を含む支持部材付き基材
KR101984734B1 (ko) * 2012-11-16 2019-06-03 삼성디스플레이 주식회사 신축성 베이스 플레이트와 그것을 사용한 신축성 유기 발광 표시 장치 및 그 제조방법
KR102081891B1 (ko) * 2013-02-15 2020-02-26 삼성전자주식회사 그래핀 소자 및 이를 포함하는 전자 기기
US9373685B2 (en) * 2013-02-15 2016-06-21 Samsung Electronics Co., Ltd. Graphene device and electronic apparatus
KR102256084B1 (ko) 2014-08-04 2021-05-25 엘지디스플레이 주식회사 플렉서블 표시장치 및 이의 제조방법
US10529924B2 (en) 2015-04-13 2020-01-07 Shenzhen Royole Technologies Co. Ltd. Support and detachment of flexible substrates
KR102397179B1 (ko) * 2018-12-21 2022-05-11 삼성에스디아이 주식회사 하드마스크 조성물, 하드마스크 층 및 패턴 형성 방법

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1868073A (zh) * 2003-10-13 2006-11-22 皇家飞利浦电子股份有限公司 电致发光显示面板

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5639523A (en) * 1995-01-20 1997-06-17 Ellis; Dana R. Decorative sheet material
US5889910A (en) * 1997-02-18 1999-03-30 Minnesota Mining And Manufactouring Company Bend radius control jacket
US6693684B2 (en) * 1999-09-15 2004-02-17 Rainbow Displays, Inc. Construction of large, robust, monolithic and monolithic-like, AMLCD displays with wide view angle
US6448596B1 (en) * 2000-08-15 2002-09-10 Innotech Corporation Solid-state imaging device
US6891200B2 (en) * 2001-01-25 2005-05-10 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Light-emitting unit, light-emitting unit assembly, and lighting apparatus produced using a plurality of light-emitting units
JP4305811B2 (ja) * 2001-10-15 2009-07-29 株式会社日立製作所 液晶表示装置、画像表示装置およびその製造方法
US6849935B2 (en) * 2002-05-10 2005-02-01 Sarnoff Corporation Low-cost circuit board materials and processes for area array electrical interconnections over a large area between a device and the circuit board
GB2391686B (en) * 2002-07-31 2006-03-22 Dainippon Printing Co Ltd Electroluminescent display and process for producing the same
JP3816457B2 (ja) * 2003-03-18 2006-08-30 株式会社東芝 表示装置
US20050227389A1 (en) * 2004-04-13 2005-10-13 Rabin Bhattacharya Deformable organic devices
US7196689B2 (en) * 2003-03-31 2007-03-27 Canon Kabushiki Kaisha Information device
US7153620B2 (en) * 2003-09-23 2006-12-26 Eastman Kodak Company Transparent invisible conductive grid
US7083885B2 (en) * 2003-09-23 2006-08-01 Eastman Kodak Company Transparent invisible conductive grid
JP4747726B2 (ja) * 2004-09-09 2011-08-17 豊田合成株式会社 発光装置
JP2006269599A (ja) * 2005-03-23 2006-10-05 Sony Corp パターン形成方法、有機電界効果型トランジスタの製造方法、及び、フレキシブルプリント回路板の製造方法
US7501069B2 (en) * 2005-06-01 2009-03-10 The Board Of Trustees Of The University Of Illinois Flexible structures for sensors and electronics
JP5427340B2 (ja) * 2005-10-14 2014-02-26 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
TWI752316B (zh) * 2006-05-16 2022-01-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 液晶顯示裝置

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1868073A (zh) * 2003-10-13 2006-11-22 皇家飞利浦电子股份有限公司 电致发光显示面板

Also Published As

Publication number Publication date
CN102779949A (zh) 2012-11-14
JP2012238753A (ja) 2012-12-06
US20120288685A1 (en) 2012-11-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102779949B (zh) 薄膜元件组装体
CN102867914B (zh) 电子器件和半导体器件的制造方法
JP5109223B2 (ja) 電界効果型トランジスタ
KR101164614B1 (ko) 금속 단층막 형성 방법, 배선 형성 방법 및 전계 효과형 트랜지스터의 제조 방법
US8389346B2 (en) Method and structure for establishing contacts in thin film transistor devices
CN102867915A (zh) 半导体装置及其制造方法、图像显示装置的制造方法
US9246008B2 (en) Thin-film device, method of manufacturing the same, and method of manufacturing image display apparatus
US10134812B2 (en) Electronic device, image display device, and sensor to improve charge injection efficiency
CN1716060A (zh) 有机薄膜晶体管阵列面板及其制造方法
US20170222168A1 (en) Thin-film transistor and method of fabricating the same
JP5770104B2 (ja) 無電解めっきによる有機薄膜トランジスタのソース及びドレイン電極の形成方法
CN107408510A (zh) 薄膜晶体管、薄膜晶体管的制造方法及使用了薄膜晶体管的图像显示装置
CN104425624B (zh) 电子器件、图像显示装置和用于构成图像显示装置的基板
JP5110143B2 (ja) 電界効果型トランジスタ
CN105580120B (zh) 薄膜晶体管阵列及图像显示装置
EP2565954A2 (en) Transistor and method of producing same, and display
TW201503340A (zh) 電子器件及其製造方法，及影像顯示裝置以及用於構成影像顯示裝置之基板
CN104137267A (zh) 电子器件、电子器件制造方法和图像显示装置

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant