TW468283B - EL display device and a method of manufacturing the same - Google Patents

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經濟部智慧財彦局員工消費合作社印製 4 6 8 28 3 a7 __B7__五、發明說明（1 ) 發明背景 I.發明領域 本發明係關於一種EL顯示裝置包含一EL元件，其由可 獲得夾在形成在一基底上之陽極和陰極間之EL(電致發光） 之發光有機材料（以下稱爲有機EL材料）所構成，和關於製 造具有此EL顯示裝置當成顯示部份（顯示器或顯示監視器） 之電子裝置（電子設備）之方法。上述之EL顯示裝置亦視爲 OLED(有機發光二極體）。 2.相關技藝之說明 近年來，利用發光有機材料之EL現象而使用EL元件當 成自我發光元件之顯示裝置（EL顯示裝置）之發展持續進行 著。由於EL顯示裝置爲自我發光型，其不需要如液晶顯示 裝置般之背光。再者，因爲EL顯示裝置之視角較廣，其可 視爲使用於室外之移動設備之顯示部份》 於此有兩種型式之EL顯示裝置，被動型（簡單矩陣型） 和主動型（主動矩陣型）。兩種型式之EL顯示裝置之發展皆 持續的進行。特別的，主動矩陣型EL顯示裝置現今更引人 注意。對於已被視爲EL元件之主軸之形成發光層之有機EL 材料方面，現已針對低分子有機EL材料和高分子有機EL材 料（有機聚合EL材料）進行硏究。高分子有機EL材料因爲比 低分子有機EL材料更易處理且具有較高的熱阻特性而更受 囑目。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -- - - - - ---^* — 1.— — — — — — . 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 4 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 4 6 8 28 3 at _B7__ 五、發明說明（2 ) 關於高分子有機EL材料之膜沉積方法方面，巾Seiko Epson公司所提出之噴墨法爲較佳之方法。關於此種技術， 可參考□本專利第〒.1 0- 1 23 77號，平1 0- 1 53967號，和平11-54270號。 但是，在噴墨法中，高分子有機EL材料噴灑在應用表 面上。囚此，如果介於應用表面和噴墨頭之噴嘴間之距離 未適當設定時，溶液滴會射至斗需要此應用之零件上，導 致如已知之飛行曲線之問題發生。關於飛行曲線之細節可 參考h述日本專利第平1 1 -54270號，其中從發射之位置Η標 發牛.50 " m或更多的滑動。 發明槪要 本發明乃有鑒於上述之問題而製成，且其目的乃在提 供一種a產量膜沉積機構以寧確的膜沉積以聚合物製成之 朽機EL材料而無任何位置移位。本發明之另一 Η的乃在提 供-種使用此機構之E L顯示裝置和其製造方法。再者，本 發明之又一目的乃在提供具存此E L顯示裝直當成其顯示部 份之電子設備。 爲Γ達成上述Π的，本發明之特徵在於藉由使用一一散 佈狀薄膜沉積裝置而形成紅色發光層，綠色發光層，和藍 色發光1#爲條紋狀。此條紋狀包括具有孔徑比爲2或更大的 長A窄矩形，和具佶長軸和短軸比等於2或更大得長且窄憜 圓形’.本發明之薄膜沉積裝置如圖1所示。 圖1 A爲當實施本發明時，π共軛基聚合物製成之有機 本紙張尺度適用令國國家標準（CNS)A4規格（210 Χ 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝--------訂--------•線* 4 6 8 28 3 A7 ___ B7 五、發明說明（3) E L材料之膜沉積狀態之示意圓。在圖} a中，所有以T F T形 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 成之圖素部份1 1 1，源極側驅動電路1 1 2，和閘極側驅動電 路Π 3形成在基底1 1 〇卜.=由連接辛:源極側驅動電路1 1 2之多 數源極接線和連接至丨别極側驅動窀路1 1 3之多數閘極接線所 圍繞之區域爲·圖素。TFT和電連接至TFT之EL元件形成在 圖素中。因此，圖素部份1 1 1以安排成矩陣之圖素形成。 於此，參考數字1 1 4a表示紅光有機EL材料和一溶劑（以 下稱爲紅色發光層應用液體）之混合物；1 1 4 b表示綠光有機 EL材料和一溶劑（以下稱爲綠色發光層應用液體）之混合物 ;和1 14c表不藍光有機EL材料和. ' 溶齊1((以下稱爲藍色發光 層應用液體）之混合物。一聚合物爲用於這些應用液體之有 機EL材料，且於此有將聚合材料直接溶解入應用溶劑之方 法，或對材料執行熱聚合之方法，其乃藉由溶解單體在溶 劑中而後執行膜沉積而形成，以形成一聚合物。在本發叨 中可使用任一方法形成聚合物。於此說明應用處埋成一聚 合物R溶解在一溶劑中之有機EL材料之例。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 在本發明屮，紅色發光層應用液體1 1 4 a ,綠色發光層 應用液體1 14b，和藍色發光層應用液體1 14c分別從薄膜沉 積裝置中釋放應用在箭頭所不方向。換言之，在發出紅 光之岡素列，發出綠光之圖素列，和發出藍光之圖素列中 ，條紋狀發光Μ (嚴格rfn B爲發光層之前身）同時形成。 此處之圖素列表示形成在源極接線上部份之由觸排丨2 1 所分隔之圖素列。亦即，由多數圖素沿源極接線串列排列 所構成之列稱爲圖素列。於此以形成在源極接線上之觸排 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 4 6 8 283 A7 ___B7____ 五、發明說明（4 ) 1 2 1之例說明，但是，其亦可提供在閘極接線之上部份。在 此例中，由多數圖素沿閘極接線串列排列所構成之列稱爲 圖素列。 <請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁} 因此，圖素部份1 1 1可視爲由提供在多數源極接線或閘 極接線之上部份上之條紋觸排分割之多數圖素列之組合、 當圖素部份視爲上述時，可說明的足，圓素部份1 1丨乃由形 成紅色條紋狀發光層之圖素列，形成綠色條紋狀發光層之 圓素列，和形成藍色條紋狀發光層之圖素列所構成。 再者，由於上述條紋觸排提供在多數源極接線或多數 閘極接線之上部份上，因此，圖素部份1 1 1可視爲由源極接 線或閛極接線所分隔之多數圖素列之組合。 其次，當執行如圖1 A所示之應用處理時，薄膜沉積裝 置之頭部份（亦稱爲釋放部份）之狀態如圖1 B所示。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 參考數字11 5表示薄膜沉積裝置之頭部份，其具有·用 於紅色之噴嘴1 1 6a，用於綠色之噴嘴1 1 6b ,和用於藍色之 噴嘴116c。再者，紅色發光屑應用液體114a,綠色發光層應 用液體1 1 4 b，和藍色發光層應用液體1 1 4 c儲存在相關噴嘴 內側=充塡惰性氣體之管1 ! 7加壓藉以釋放這些應用液體至 圖素部份111。頭部份115在沿向荠圖式前面所界定之空間 之垂直方向掃瞄，藉以執行如圖1 A所示之應用處理。 在本說明書中1頭部份皆以h述方向掃瞄。實際上， 基底由X - Y平台在垂直或水平方向移動。因此，頭部份在丛 底上在垂直或水平方向對應的掃瞄。當然，亦可使基底同 定，因此頭部份本身進行掃瞄。但是，從穩定的觀點Γίπ言 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 468 283 A7 B7___ 五、發明說明（5〉 ，移動基底之方法是較佳的。 圓1C爲由參:考數字U8所示之釋放部份附近之擴大圖。 形成在基底110上之圖素部份1 1 1爲由多數TFT 1 19 a至119c和 多數圖素電極】2 0 a至1 2 0 c組成之多數圖素之組合。在IS 1 B 屮，當以惰性氣體加壓噴嘴1 1 6a至1 1 6c時，應用液體1 1 4a至 144c會因爲此壓力而從噴嘴1 16a:半:1 16c釋放。 以樹脂材料形成之觸排12 ]提供在介於圆素間之空間以 防止應用液體混入介於圖素間之空間。在此構造中，觸排 1 2 1之寬度（由光石印之解析度所決定）製成較窄，因此，圖 素部份之整合程度可增加，且因此，可獲得高解析度影像 。特別的，在應用液體之黏度爲丨至30cp之例中尤佳。 但是，如果應用液體之黏度爲30cp或更大時，或如果 應用液體以溶劑或溶膠型式存在時，可從構造中省略觸排 。換言之，只要介於應用後之應用液體和應用表面間之接 觸角度夠大，應用液體則不會展開比需要的多=因此，不 需要提供用以防止應用液體展開比需要多之觸排。在此例 中，發光層之最終形狀會形成卵形（長軸和短軸比例爲2或 更大之長且窄橢圚形），典型的爲從圖素部份一端延伸至另 -·端之長且窄橢圓形。 關於形成觸排1 2 1之樹脂材料方而，可使用丙烯酸，聚 醯亞胺，聚醯胺，和聚醯胺亞胺。如果事先提供碳或黑顏 料提供在樹脂材料中以使樹脂材料變黒，則可使用觸排1 2 1 當成介於圓素間之遮光膜。 此外，藉由接附使用光反射器靠近噴嘴1 1 6 a , 1 1 6 b , 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） t-------I I--^--------I — I----線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作杜印製 4 6 8 28 3 A7 ____B7_____ 五、發明說明（6) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 和]1 6c之一之尖部之感應器，介於應用表面和噴嘴間之距 離可調整以始終保持固定距離=再者，提供用以調整在噴 嘴1 1 1 6c中之間隙以對應圖素節距（介於圖素間之距離） 之機構可使噴嘴應用至具有任何圖素節距之E L顯示裝置° 因此，從噴嘴1 1 6 a至丨1 6 c釋放之應用液體1 1 4 a至1 1 4 c乃 應用以覆蓋相關的圖素電極1 20a至1 20c。在應用應用液體 1 1 4a至1 1 4c後，在真空中執行熱處理（烘烤處埋或燃燒處理） 以蒸發包含在應用液體114a至114c中之有機溶劑，藉以形成 以有機EL材料製成之發光層。囚此，使用在低於有機EL材 料之玻璃暫態溫度（Tg)下會蒸發之有機溶劑。再者，最終形 成之發光層之膜厚度由有機EL材料之黏度決定。在此例中 ，雖然黏度可藉由選擇奋機溶劑或摻雜劑而調整，最好使 黏度介於丨至50 c p(較好爲介於5至20cp)= 如果在有機EL材料中有許多雜質會變成結晶核時，當 有機溶劑蒸發時，冇機EL材料之結晶可能性變高。當有機 EL材料結品時，發光效率降低，且因此較不佳。因此需儘 可能使有機EL材料不含雜質。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 爲了降低雜質，溶劑和有機EL材料強烈的精鍊，且當 將溶劑混合有機EL材料時，需儘可能保持環境之淸潔。關 於溶劑或有機EL材料之精鍊方面，最好重複的執行如蒸發 ，蒸餾，過濾，再結晶，再沉澱，色層，或滲析等技術a 所需的是儘可能降低如金屬元素和鹼性金屬元素之雜質至 〇_丨ppm或更小（最好爲〇.〇1 ppm或更小 此外，最好需注意在應用含以圖丨所示之薄膜沉積裝置 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21〇 X 297公釐） A7 B7 46 8 283 五、發明說明（7) 所形成之有機EL材料之應用液體時之氣壓。更特別而_ ’ 所需的是，上述有機EL材料之膜沉積在充塡以如氮氣& # 潔室屮且在一手套盒中執行。 因此，藉由使用薄膜沉積裝置，發出紅色，綠色，^ 藍色之二種發光層可同時形成。結果，可以高產量形成^ 高分子有機EL材料製成之發光層。此外，和噴墨法不同的 是，本發明之方法可應用應用液體成條紋狀至圖素列而無 任何間隔，藉以獲得極高的產量。 圖式簡單說明 @1 1 Α至]C爲本發明之有機EL材料之應用處理之圖： 圖2爲圖素部份之橫截面構造圖； 圖3A和3B分別爲圖素部份之頂構造和構造圖； 圖4A至4E爲EL顯示裝置之製造方法圖； 圖5 A至5D爲EL顯示裝置之製造方法圖； 圖6A至6C爲EL顯示裝置之製造力法圖： 圖7爲EL顯示裝置之外視圖； 圖8爲EL顯示裝置之電路方塊圓： 阊9爲圖素部份之擴大圖； 圖1 0爲EL顯示裝置之取樣電路之元件構造圖： 圖1 1 A和1 1 B分別爲主動矩陣EL顯示裝笸之頂構造和橫 截面構造圖； 圖1 2 A和1 2 B分別爲本發叨之有機E L材料之應W處埋之 圖和圖素部份之擴大圖； 本紙張尺度適用中國国家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） * I 11 I I I I — I -lull---訂----II---- (讀先閲讀背面之注意事項再填寫本頁} 經濟部智慧財產局員Η消費合作杜印製 46B 283 A7 —_______B7__ 五、發明說明（8 ) 圖13爲被動型EL顯示裝置之橫截面構造圖： 圖14 A和i 4 B爲圖素部份之擴大圖； (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ΚΙ 1 5爲被動型EL顯示裝置之橫截面構造圖； 圖1 6爲本發明之有機EL材料之應用處理之圖； Η 1 7 A至1 7 (:爲在圖部份中之噴嘴安排圖； 圖18A至18F爲電子設備之特殊例圖； Μ 1 9 A和1 9 B爲電子設備之特殊例圖； 關20爲主動矩陣EL顯示裝置之橫截面構造圖； 圖2 1 A和2 1 β爲基底之結合處理圖； 圖22Α和22Β爲基底之分割處理圖； 圖23爲主動矩陣EL顯示裝置之橫截而構造圖； 圖24八至24C爲EL顯示裝置之圖素之組成圖：和 圖2 5 A和25 B分別爲電流控制TFT之構造和圖素之組成圖 元件對照表 1 圖素部份 2 源極側驅動電路 經濟部智慧財產局員工消費合作杜印勒农 3 閘極側驅動電路 0 基底 4 a ，b，c 有機E L材料 5 頭部份 6 噴嘴 7 管 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 44 468283 A7 B7 k明說明（ 9 ) 1 8 釋 放 1 9 T F T 2 0 圖 素 電 極 1 基 底 2 基 絕 緣 膜 0 1 開 關 T FT 0 2 電 流 控 制T F T 3 源 極 區 域 4 汲 極 域 7 8 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 4 1 5 d LDD區域 尚濃度雑質區域 17b 通道形成區域 閘絕緣膜 19b 阐電極 第一中間層絕緣膜 源極接線 汲極接線 閘極接線 源極區域 汲極區域 L D D區域 通道形成區域 閘電極 源極接線 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 468 28 3 A7 五、發明說明（1C)) _B7 3 7 汲 極 接 線 2 0 3 E L 元 件 3 8 第 — 被 動 膜 3 9 第 一 中 間 層絕緣膜 4 0 m 素 電 極 4 2 發 光 層 4 3 電 洞 注 入 層 4 4 陽 極 4 5 第 一 被 動 膜 3 0 1 基 膜 3 0 0 基 底 3 0 3 保 護 膜 3 0 4 阻 止 光 罩 305，306 η型雜質區域 307〜310 半導體膜 ----------^---裝--------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 3 1 1 閘 極 絕 緣 膜 3 1 2〜 3 1 6 閘 電 極 3 1 7〜 3 2 3 雜 區 域 3 2 4 阻 止 光 罩 3 2 5〜 3 3 1 雜 質 區 域 3 3 2〜 3 3 4 雜 質 區 域 3 3 5 閘 極 接 線 3 3 6 第 — 中 間 層 絕 緣 膜 3 3 7〜3 4 0 源極接線 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（2]0 X 297公釐） 4 468 28 3 A7 B7 五、發明說明（ 11- 3 4 1〜3 4 3 第一被動膜 3 4 4 圓素電極 3 4 6 圖素電極 3 4 7 觸排 348 發光層 3 4 9 電洞注入層 3 5 0 陽極 3 5 1 第二被動膜 3 5 5 源極區域 3 5 6 汲極區域 357 LDD區域 3 5 8 通道形成區域 2 0 5 η 通 道 Τ F T 2 0 6 Ρ 通 道 Τ F T 9 0 1 a ，9 0 1 b L 9 0 3 閘 電 極 9 0 2 閘 極 絕 緣 膜 了 0 2 圖 素 部份 7 0 3 閘 極 側 驅 動 電 路 7 0 1 玻 璃 基 底 7 0 4 源 極 側 驅 動 電 路 7 0 5 開 關 Τ F T 7 0 6 閘 極 接 線 7 0 7 源 極 接 線 D D區域 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 4^ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 468 28 3 ^ A7 _ B7五、發明說明（12) 708 電流控制TFT 709 電流供應線 7 10 E L元件 7 11 F P C 7 12-714 連接接線 8 0 1 源極側驅動電路 8 0 7 閘極側驅動電路 8 1 1 閘極惻驅動電路 8 0 6 圖素部份 802 移位暫存器 8 0 3 位準移位器 804 緩衝器 8 0 5 取樣電路 808 移位暫存器 8 0 9 位準移位器 810 緩衝器 110 3 塡充材料 1101 蓋材料 1102 框材料 110 4 密封材料 1201 觸排 1203 圖素 1202 方塊 1301 塑膠基底 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 經濟部智慧財產局員工消費合作社印？农 4 6 8 2 8 3 a? _B7_五、發明說明（13) 1302 陰極 1303 觸排 1304 發光層 1 3 0 5 電洞注入層 1306 陽桦 1307 蓋材料 1 3 0 8 塡充材料 1309 密封材料 1310 框材料 1311 導電膏 13 12 F P C 1401 觸排 1 4 0 2 E L 層 1403 圖素 1404 觸排 1 4 0 5 E L 層 1 4 0 6 圖素 1501 發光層 1601 頭部份 5 2 a〜5 2 c 噴嘴 5 3 噴嘴 5 4 頭部份 5 7 頭部份 5 8 噴嘴 4# ----------I I ^--------訂----------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 468 28 3 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（14) 2 0 0 1 殼 2002 支持台 2 0 0 3 顯示部份 2101 主體 2 10 2 顯示部份 2 10 3 聲音輸入部份 2 10 4 操作開關 2105 電池 2106 影像接收部份 2201 主體 2202 訊號線 2203 頭固定帶 2 2 0 4 顯示部份 2 2 0 5 光學系統 2 2 0 6 E L顯示裝置 2301 主體 2 3 0 3 操作開關 2304 顯示部份 2 3 0 5 顯示部份 2 4 0 1 主 體 2 4 0 2 相 機 部 份 2 4 0 3 影 像 接 收部份 2 4 0 4 操 作 開 關 2 4 0 5 顯 示 部 份 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（2】0 X 297公芨） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 468 28 3 A7 _B7_ 五、發明說明（15) 2 5 0 1 主體 (請先閱讀背面之达意事項再填寫本頁) 2 5 0 2 殻 2 5 0 3 顯不部份 2 5 0 4 鍵盤 2 6 0 1 主體 2 6 0 2 聲咅輸出部份 2603 聲音輸入部份 2 6 0 4 顯示部份 2 6 0 5 操作開關 2 6 0 6 天線 2 7 0 1 主體 2 7 0 2 顯示部份 2 7 0 3 操作開關 2 7 0 4 操作開關 2 8 0 1 密封材料 2802 蓋材料 2803 濾色器 經濟部智慧財產局員工消費合作社印刺衣 2804 濾色器 2 8 0 5 空間 2 9 0 1 主動矩陣基底 2 9 0 2 密封材料 2 9 0 3 主動矩陣部份 2904 蓋材料 2905 刻劃槽 ---1& 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 4 6 8 28 3 . A7 B7 五、發明說明（16) 2906 區域 6 1 電流控制T F T 6 3 觸排 6 4 發光層 6 5 電十注人層 6 6 陰極 6 7 E L元件 71 源極接線 經濟部智慧財產局員工消費合作社印制衣 7 2 開 關 T F T 7 3 閘 極 接 線 7 4 電 流 控 制 T F 7 5 電 容 7 7 E L 元 件 7 6 ' 7 8 電 流 供 8 1 源 極 區 域 8 2 汲 極 區 域 8 3 L D D 1〇〇 域 8 4 通 道 形 成 區 域 8 5 閘 極 絕 緣 膜 8 6 閘 電 極 8 7 第 ―- 中 間 層 絕 8 8 源 極 接 線 8 9 汲 極 接 線 0 第一被動膜 ------------ -----1— 訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） A7 46 8 28 3 B7 五、發明說明（17) 91 源極接線 9 2 lA極接線 9 3 開關T F 丁

9 4 電流控制丁 F T 9 5 電容 9 6 E L元件 9 7 電流供應線。 較佳實施例之詳細說明 實施例模式 以_F參考圖2，3 A和3 B說明本發明之一些實施例。圖2 爲依照本發明之EL顯示裝置中之圖素部份之橫截面圖。圖 3 A爲圖素部份之頂視圖，和圖3 B爲其電路圖。在實際的構 造中，圖素乃以多數線安排成矩陣，籍以形成阊素部份（影 像顯示部份）。圖2爲沿圖3A之線A-A ’所截取之橫截面圖。 因此，在兩圖中，相同部份以相同參考數字表示，且參考 兩圖可有效的瞭解其構造。此外，在圖3 A之頂視圖中之兩 圖素Μ有相同構造。 在圖2中，參考數字1 1表示一基底，和1 2表示一底絕緣 膜（以下稱爲底膜）=關於基底1 1方面’可使用玻璃基底’石 英基底，玻璃陶瓷基底，矽基底，陶瓷基底，金屬基底， 或塑膠基底（包括塑膠膜）° 此外，雖然底膜1 2對含有移動離子之基底或具有導電 本紙張尺度遶用中國國家標準（CNS)A4規格（210 >= 297公f ) ------I ! I!^--------訂------------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 468283 ___B7______ 五、發明說明（18) 性之基底非常有效，但是其在石英基底例中無需提供。關 於底膜1 2方而，可使用含矽之絕緣膜。在此說明書中，含 矽絕緣膜表示含衍預定比例之矽，氣，或氮之絕緣膜，更 特別而言例如氧化矽膜，氮化矽膜或氮氣化矽膜（以S I Οχ N、) 較佳的是提供底膜Γ2熱輻射功能以分散產生在TFT中之 熱，以防止TFT或EL元件免於受到破壞。此熱輻射功能可以 任何已知材料提供。 在此例中，在一圖素中提供兩TFT。一 TFT20 1作用當成 開關件（開關TFT)，和另-· TFT202作用當成電流控制元件 以控制流經EL元件之電流量（電流控制TFT)。TFT20 1和 TFT202皆以η通道TFT製成。 由於η通道TFT比p通道TFT具有更大的場效移動率，ft 因此，η通道TFT可在高速下操作，且可接受更大的電流° 再者，相較於P通道TFT，相同量的電流可流經較小的尺寸 之η通道TFT。因此，所需的是使用η通道TFT當成電流控制 T F T，以增加顯示部份之有效發光區域= p通道TFT亦有其優點，例如，其中熱載子之注入難以 變成-問題且關閉電流値較小。因此，亦有P逋道TFT使用 當成開關TFT或電流控制TFT之構造。但是，在本發叨中， 即使在η通道T F T中，藉由提供L D D區域之安排，亦可克服 熱載子之注入和小關閉電流値之缺點。因此，在圖素中之 所有TFT皆可以η通道TFT製成。 但是，在本發明中，開關TFT和電流控制TFT無需限定 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS>A4規格（21〇x297公爱） ------------裝！-----訂--- I-----線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 4. 6 8 28 3 A7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 B7____五、發明說明（19) 爲η通道T F T，兩者或其中之_ '亦可爲P通道T F T。 開關T F Τ 2 0 1包括一源極區域1 3，一汲極區域1 4，包括 L D D區域1 5 a至1 5 d之主動層，高濃度雜質區域1 6和通道形成 區域1 7 a和1 7 b ,閘絕緣膜1 8，閘電極1 9 a和1 9 b ’第-·中間層 絕緣膜20，源極接線2 1，和汲極接線22。 此外，如閫3 A和3 B所示，閘電極ί 9 a和1 9 b藉由以不同 材料之閘極接線2 1 1 (其電阻率低於閘電極1 9 a和]9 b)而互相 遒連接，藉以形成所諝的雙阐極構造。當然’不只可使用 雙層構造，亦可使用所謂的多閘極構造（包含具有兩或多通 道形成區域串接之主動層之構造），如三閘極構造等ϋ 多閘極構造可極有效的降低關閉電流値u依照本發明 ，藉由提供在圖素中之開關元件2ϋ 1以多閘極構造，可達成 具有低關閉電流値之開關元件。 此外，主動層以包括結晶構造之半導體膜形成。其可 爲單晶半導體膜，多晶矽半導體膜，或微晶矽半導體膜。 閘絕緣膜1 8可以含矽絕緣膜形成。再者，任何種類之導電 膜皆可使用當成閘電極，源極接線，或汲極接線 再者，在開關TFT20 1中，提供LDD區域1 5a至1 5d以使不 會重叠關電極1 9 a和】9 b ^此種構造可極有效的降低關閉電 所需的是在通逍形成區域和LDD區域間形成-偏置區 域（一區域由如同通道形成區域相同的組成之半導體層形成 ，巨閘極電壓未施加於此），以降低關閉電流値。此外，在 具有兩或多個閘電極之多閘構造之例中，設置在通道形成 ---------- 裝·!--I--訂---.------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 468 283 A7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 ___B7______五、發明說明（2Q) 區域間之高濃度雜質區域可有效的降低關閉電流値。 如上所述，如果使用多閘極構造當成圖素之開關 TFT201，則可充分降低關閉電流値。換言之，低關閉電流 値意即應用至電流控制TFT之閘極之電壓可保持更長。N此 ，用以保持電位之電容，如日本專利第平10_ 1 8925 2號案之 圖2所示，可製成更小，甚至省略，而其優點爲可維持電流 控制TFT之閘極電流直到下一個寫週期。 而後，電流控制T F T 2 0 2包括：一源極區域3 1 ·汲極 區域3 2，包括-· LD D區域3 3和一通道形成區域3 4之一主動層 ，…閘絕緣膜1 8，一閘電極35 ’第一中間層絕緣膜20 ’ 一 源極接線3 6，和汲極接線3 7。雖然所示之閘電極3 5具有單 閘極構造，但是，其亦+可爲多閘極構造。 如圖2所示，開關TFT20丨之汲極連接至電流控制TFT20_2 之閘極〃具體而言，電流控制TFT202之閘電極35經由汲極 接線22而電連接至開關TFT20 1之汲極區域1 4。再者’源極 接線36連接至電源線21 2(圖3A)。 電流控制TFT202爲一裝置，以控制注入EL元件203之電 流S ·但是，考量對EL元件造成可能之破壞，最好不要使 大量電流流動。因此，爲了防止過量電流免於流經電流控 制TFT2.02，通道長度（Lr需設計成較長。所需的是，通道長 度（L)設計成每.-圖素Μ有〇 . 5至2 // m長（最好爲丨至1.5 " m .¼ 有鑒於上述之說明，如圖9所示，開關TFT之通道長度 爲L i (L 1 =L 1 a +L1 b)，且其通道寬度爲W 1，而電流控制TFT -ge---- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 x 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) A7 4 6 8 28 3 B7 ____- 五、發明說明（21) 之通道長度爲L2且其通道寬度爲W2最好設定爲：W 1爲0.1至 5μηι(典型的在0.5至2μη〇，W2在0.5至1〇μηι (典型的爲2至5μιη )，L1爲0.2至1 8μιη(典型的爲2至1 5μηι)，和L2爲1至50μηη(典 型的爲1 0至20μιη)。但是，本發明並不限於此。 形成在開關TFT201中之LDD區域之長度（寬度）設定在 0.5至3.5 # m之範園，典型的爲2.0至2.5 y m之範圍中。 如圖2所示之EL顯示裝置具有一特徵爲LDD區域33提供 在電流控制TFT202之汲極區域32和通道形成區域34間’且 此外，LDD區域33之一部份經由閘絕緣膜18重疊在閘電極35 上。 爲Γ使電流控制TFT202供應一電流以使£L元件204發光 ，最好採取可抵抗因如圖2所示之熱載子ΐ±:入而造成破壞之 步驟。 爲了抑制關閉電流値，可有效的形成LDD區域以使其 重疊一部份閘電極。在此例中，重疊閘電極之區域可抑制 熱載+注入，而未重疊閘電極之區域可防止關閉電流値。 重疊閛電極之LDD區域之長度爲0.1至3 # m(最好爲〇.3 至1 . 5 // m 再者，在L D D區域未重疊閘電極之例中，L D D 區域之長度爲1.0至3.5 " m (最好爲i. 5至2.0 // m卜 亦可使用-寄生電容（其亦視爲閘極電容），其形成在閘 電極和經由閘極絕緣膜重疊閛電極之LD D區域間之區域中 ，當成用以主動保持電位（保持電荷）之電容=在本實施例中 ，形成圖2中所示之LDD區域33藉以形成介於閘電極35和 LDD區域33間之閘極電容。此閘極電容使用當成用以保持電 本紙張尺度適用f國國家標準（CNS)A4規格（2〗0 X 297公釐） ------------ ----!訂·II------ (請先閱讀背&之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作杜印製 468283 A7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 B7__五、發明說明（22) 位之電容，如FI本專利第平10-1 89252號案之圖2所示。 當然，毫無問題的可形成一特殊電容=但是，藉由形 成具有如同本實施例之構造之電容，可形成用以保持電位 之電容在極小的面積上，因此可增加圖素之有效發光面積（ 可抽取從EL元件發出之光之表面積）。 載-户（在此例中爲電子）流動方向始終和電流控制T F T 2 0 2 相同，且因此，只在汲極區域側形成L D D區域即足以成爲 抵抗熱載子之對策。 從增加可能流動之電流量之觀點而言，可有效的增加 窀流控制TFT202之主動層之膜厚度（特別是在通道形成區域 上之厚度）（最好在5 0至1 0 〇 n m之範圍，且更好爲在6 0至8 0 nm之範圍）。Μ —方面，在開關TFT20 1之例中，從降低關閉 電流値之觀點而言，可有效的降低電流控制TFT202之3·:動 層之膜厚度（特別是在通道形成區域上之厚度）（最好在20至 50nm之範圍，且更好爲在25至40nm之範圍）。 再者，在本實施例中，電流控制TFT202顯示一單閘極 構造。但是，其亦可爲以多數TFT串聯連接組成之多閘極構 造。再者，電流控制TFT亦可爲多數TFT連接成列（並列）以 實質將通道形成區域分成多數區域之構造，藉以執行高效 率熱輻射。此…構造可當成有效的抵抗因熱造成破壞之對 策。 其次，參考數字38表示第一被動膜’和其膜厚度可爲 1 Onm至1 μιτι(最好爲介於200至500nm)。含矽之絕緣膜（特別 的，氮氧化矽膜或氮化矽膜）可使用當成被動膜材料u再者 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4親格（210 X 297公楚> A6B 283 A7 B7__ 五、發明說明（23) ，最好使第一被動膜38具有高熱輻射效采。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 形成在第一被動膜38上之第二中問層絕緣膜39(位準膜） 執行位準化由TFT所形成之步階。關於第Z中間層絕緣膜39 方面，可使用有機樹脂膜，如聚醯胺，聚酿亞胺，p/f烯酸 ，或BCB(苯並環丁烷）。當然亦可使用.-無機膜，如果其可 充分的位準化。 以第二中間層絕緣膜39在TFT中之步階部份之位準化極 爲重要。此乃因爲於後形成之EL層非常薄，且因此，由步 階部份之存在會造成相當差的發光。因此，最好在形成圖 素電極前執行位準化，以儘可能形成E L層如同一位準化表 面。 參考數字4 0表不以闻反射導電膜製成之圖素電極（E L元 件陰極）。在第二中間層絕緣膜3 9和第一被動膜3 8中形成接 觸孔（開口）後，形成圖素電極40以在開Γ」部份連接至電流控 制TFT202之汲極接線37 =最好使用低電阻導電膜，如鋁合 金和銅合金當成圖素電極4 ϋ »當然，亦可爲具有其它導電 膜之疊層構造。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 發光層4 2以例如圖i所示之薄膜沉積裝置形成。雖然圖 中只顯示-圖素，對應於相關顏色R(紅色），G(綠色），和 藍色）之發光層同時形成.。使用高分子材料當成典型的高分 子材料。如下述之聚合物可當成高分子材料：氰基聚苯撐 乙烯撐（PP V )基材料；聚苯撐乙烯撐（p V κ)基材料；和聚烷 基苯撐基材料。 於此有各種PPV基有機EL材料。其分子式如下。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210x 297公釐） 4 6 8 28 3 A7 五、發明說明（24) (H. Shenk, H. Becker, Ο. Gelsen, Ε. Kluge, W. Kreudei•，和Η. Spreitzer所發表的“用於發光二極體之聚合物 ”， Euro Display. Proceedings, 1999， pp.33-37) 化合物1

再者，亦可使用揭示於H本專利第10-92576號案之氰基 聚苯撐乙烯撐之分子式：化合物3 ----—------I t--------訂---------線 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印制^

化合物4 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 468 2Β3 Α7 Β7 五、 發明說明（25)

C H = C Η. ----------^---裝 i (請先閱讀背面之注意事項再境寫本頁> 再者，聚苯撐乙烯撐（PVK)基有機£L材料之分子式如 化合物5

错由洛解高分子有機E L材料在一溶劑中當其爲衆合，物 狀態或藉由溶解高分子有機EL材料在一溶劑中當其爲單p 狀態且而後執行聚合，可執行高分子有機EL材料之應用u 首先，在應用其在單體狀態之例中，形成一聚合物前身， 且而後，在真空中執行熱處理藉以將其聚合爲一聚合物。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印制取 關於具體發光層方面，使用如氰基聚苯撐乙烯撐在紅 色發光層中：聚苯撐乙烯撐在綠色發光層中；和聚苯撐乙 稀撐或聚烷基苯撐在藍色發光層中。發光層之膜厚度可介 於30至]50 nm(最好介於40至100 nm)。 此外，一螢光物質（典型爲coumarin 6，rublene，尼羅 紅，D C M , q u i n a c 1. i d ο η )摻雜入發光層中以轉換蛮光物質至 發光中央，且因此，可獲得所需的發光。可使用任何已知 的螢光物質。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格<210 X 297公釐） 4 6 8 28 3 A7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 B7五、發明說明（26) 但是，上述只是可使用當成本發明之發光屑之有機EL 材料之一些例而已，於此絕對不需要將E L材料限制於此。 在本發明中，藉由使用如圖1所示之方法，可應用有機孔材 料和一溶劑之混合物。而後蒸發溶劑，藉以移除溶劑而形 成一發光層。因此，在溶劑蒸發時，可使用不超過發光層 之玻璃暫態溫度之任何有機EL材料之結合。 典型的溶劑爲氯仿，二氯甲烷，r 丁基內酯，丁基纖 維素，或NMP。於此可有效的加入一摻雜劑以提升應用液 體之濃度， 再者，當形成發光層42時，處理氣體爲具有極少量濕 氣之乾燥氣體，最好在惰性氣體中執行此形成。由於濕氣 或氧存在會輕易的破壞EL層。因此，當形成EL層時，需耍 儘可能消除道些因素。例如，爲了達成此一 Η的，圖丨之薄 膜沉積裝置乃安裝在充塡以惰性氣體之淸潔室中。所需的 是，發光層之膜沉積處理可在此氣體下執行。 如果發光層4 2以上述方式形成時，其次形成電洞注入 層43。本實施例模式使用PEDOT或PAm當成電洞注入層43。 由於這些材料爲水溶性的，因此可形成發光層42而不會溶 解，且其膜厚度可爲5至3 0 n m (最好爲1 0至2 0 n m)。 以透明導電膜製成之陽極4 4提供在電洞注入層4 3中。 在本實施例之模式中，由發光層42產生之光發向t儒表而（ 在向著TFT之頂之方向）。因此，陽極必須K有透光性。可 使用氧化銦和氣化錫之化合物或氧化銦和氧化鋅之化合物 當成透明導電膜。但是，因爲透明導電膜形成在發光層和 ---------- ---I---II — — — 裝----丨丨訂— — ίι·! Ϊ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 468 28 3 A7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 ______Β7五、發明說明（27) 電洞注入層形成後，其熱阻較低，因此必須使用可在儘可 能低之溫度下形成膜之材料。 在形成陽極44時，可完成EL元件203。於此之EL元件 20 3表示以圖素電極（陰極）40形成之電容，電洞注入層43， 發光層4 2 >和陽極4 4。如圖3所示，由於圖索電杨4 0幾乎和 圖素之表面一致，整個圖素作用當成EL元件。因此，發光 之使用效率極高，使可顯示更明亮影像。 再者，在本實施例模式中，形成圖素電極40以使其構 造如同陰極。因此，由發光層產生之光皆發至陽極側。但 是，和此EL元件之構造不同的是，亦可形成圖素電極以使 其構造如同以透明導電膜製成之陽極模式。在此例中，由 於由發光層產生之光皆發射至陽極側，光可從基底〗1側觀ίτ ^ 在本實施例模式中，第二被動膜45進一步提供在陽極 44上。關於第二被動膜45方面，最好爲氮化矽膜或氮氧化 矽膜。其目的乃是遮蔽EL元件曝露於外界，且於此具有兩 意義，其-爲防止有機£L材料免於因氧化而受到破壞，而 另一爲抑制從有機EL材料而來之氣體之洩漏。因此，可增 加EL顯示裝置之可靠度。 本發明之EL顯示裝置具有含如圖2所示構造之圖素之圖 素部份，和Μ有不同構造以回應它們功能之TFT乃安排在圖 素中。具有充分低關閉電流値之開關TFT和可較強抵抗熱載 子注入之電流控制TFT可形成在相同圖素中，因此可形成具 有高可靠度和可顯示良好影像（高操作效能）之EL顯示裝置 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

^ — -----I ----HI 11I 本紙張尺度適用申國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 册 468 283 A7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 _____B7_五、發明說明（28) 雖然在本實施例模式中顯示平面TFT構造當成使用頂閘 TFT之例，於此亦可使用底閘TFT(典型的爲反向間隔TFT)。 本發明之特徵在於有機EL材料之薄膜沉積方法，且因此安 排在圖素中之TFT之構造並無限制。 第一實施例 本發明之本實施例使用圖4A至6C說明。於此說明圖素 部份和形成在圖素部份之周邊上之驅動電路部份之TFT之同 時製造方法。爲了簡化說明起見，於此使用一 CMOS電路當 成驅動電路之基本電路。 有先，如圖4 A所示’形成3 0 0 n m厚Z基膜3 0 1在一玻璃 基底300上。在第-·實施例中，疊層氮氧化矽膜當成基膜 301。在接觸玻璃基底300之膜中’最好設定氮濃度爲1 ()至 25 wt%。此外，最好使基膜301具有熱輻射效果，且可提供 —DLC(似鑽石碳）膜。 其次，以已知之沉積法形成50 nm厚之非晶矽膜（圖中 末顯示）在基膜30 1上》於此無需限制於非晶矽膜，只要是 其爲含非晶構造之半導體膜（包括微晶半導體膜）之任何膜皆 可形成。此外，亦可使用含非晶構造之化合半導體膜，如 非晶矽鍺膜。再者，膜厚度可從20至1 00 nm。 而後，非晶矽膜以已知之方法結晶，形成一結晶矽膜（ 亦視爲多晶矽膜）3 02。已知之結晶方法如使用電爐之熱結 晶，使用雷射之退火結晶’和使用紅外線燈之燈退火結晶 - --I---^------I^--------訂----I -----線， (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 468283 A7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 B7 ______五、發明說明（29) 在第一實施例中使用來自使用X e C丨氣體之準分f雷射之 光執行結晶。 在第一實施例中使用形成線性形狀之脈衝發射型準分 子雷射光，但是亦可使用矩形者，且亦可使用連續的發射 氬雷射光和連續發射準分+雷射光。 在第一實施例中，使用結晶矽膜當成TFT之主動層，但 是：亦可使用非晶矽膜當成主動層。 於此可藉由非晶矽膜而有效的形成開關TFT之主動層， 其中需要降低關閉電流，和以結晶矽膜形成電流控制TFT之 主動層。在非晶矽膜中，電流較難流動，此乃因爲載子移 動率較低，且關閉電流較難以流動。換言之，可採用之優 點爲非晶矽膜之電流不易流動，和結晶矽膜之電流可輕易 流動。 其次，如圖4B所示，保護膜303以氧化矽膜形成Π0 nm 厚在結晶矽膜302上。此厚度可選擇在100至200 nm範圍內（ 最好在130至170 nm間）。再者，亦可使用其它膜，只要是 含矽之絕緣膜。形成保護膜303，以使在添加雜質時，結晶 矽膜不直接曝露至電漿，因此可具有精細的雜質濃度控制 而後，阻止罩304a和3 04b形成在保護膜303上，和添加 授予η型導電率之雜質元素（以下稱η型雜質元素）。通常使用 週期表之第V Α族中之元素當成η型雜質元素，且典型的爲使 用磷或砷。於此使用電漿摻雜方法，其中磷化氫（ΡΗΟ受電 漿活化，而無質量之分離，且在第一實施例中磷以丨X 1 〇 h (讀先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) I —I I 丨 I I 訂 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210x 297公釐） A7 B7 30 468283 五、發明說明（ 原？ /c m;之濃度添加3當然亦可使用離子植入方法’其中執 行質量之分離。 調整劑量以使η型雜質元素包含在η型雜質區域3 0 5和 306，因此以此方法形成在濃度2 X 1〇16至5 X 10」原子/cnr:(最 好在5 X 1017至5 X W原子/ c nr’間）。 其次，如圖4C所示，移除保護膜303，和執行所添加週 期表VA族元素之活化。可使用已知之活化技術來活化’且 在第一實施例中使用準分子雷射光照射活化。亦可使用脈 衝型雷射和連續發射型雷射’ &對準分子雷射光之使用無 需有任何限制D此目的爲所添加雜質元素之活化’且較佳 的是在結晶矽膜不會熔化之能量位準上執行照射。雷射照 射亦可以保護膜303執行》 亦可隨著以雷射光之雜質元素之活化而執行以熱處理（ 爐退火）之活化3當以熱處理執行活化時，在考量基底之熱 阻f，最好執行熱處理在450至550°C之等級。 具有沿η型雜質區域305和306之端部份之邊界部份（連接 部份），亦即，在於η型雜質區域3 05和306中未添加η型雜質 元素之區域，乃由此方法所界定此意即，在當TFT於後完 成時點上，可在L D D區域和通道形成區域間形成良好的連 接。 其次，移除不需要之結晶矽膜之部份，如圖4 D，和形 成島形半導體膜（以下視爲主動層）3〇7至310 « 而後，如圖4 E所示，形成閘絕緣膜3 Π ’覆蓋主動層 307至3 10。含矽且厚度爲ί0至200 nm，最好爲50至150 nm 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ------------裝—-----訂------I---線 I (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 468 28 3 A7 ___B7五、發明說明（31) 之絕緣膜，可使用當成閘絕緣膜31丨。亦可使用單層構造或 疊層構造。在第一實施例中’使用π 0 之氮氧化矽膜 C 其次形成具有200至400 nm厚之導電膜且定圖樣’以形 成閘電極3 1 2至3 1 6。在第一實施例中’閘電極和電連接至 閘電極之引線（以下稱爲閘極接線）以提供導電路徑乃以不同 材料形成。特別的’使用具有比閘電極更低電阻之材料於 閘極接線。因此，可微處理之材料可使用於閘電極’而閘 極接線以可提供較小接線電阻但不適宜微處埋之材料形成 。當然，閘電極和閘極接線亦可以相同材料形成5 雖然閘極接線可以單層導電膜形成’且當有需要時， 最好使用兩層或三層疊層膜。所有已知之導電膜可使用當 成閘電極材料。但是，如上所述，最好使用可微處理之材 料，特別是，可定圖樣爲2 m或更小線寬度之材料。 典型的，可使用選自鈦（Ti)，鉬（Ta)，鉬（Mo)，鎢（W) ，鉻（Cr)和矽（S 1)之元素所製成之膜；或上述元素之氮化物 之膜（典型的，氮化鉅膜’氮化鎢膜’或氮化鈦膜）：或上述 元紊之結合之合金膜（典型的，Mo-W合金或Mo-Ta合金）；或 上述元素之矽化物膜（典型的’矽化鎢膜或矽化鉅膜）。當然 亦可使用單層膜或疊層膜。 在第此實施例中，使用30 tim厚之氮化鎢（WN)膜和370 nm厚之W膜之疊層膜。可以濺鍍形成此膜。再者，如果如 Xe或Ne之情性氣體添加至濺鍍氣體中時，可防止因爲應力 之膜剝離。 ^靖先閱讀背面之^<^項再填寫本頁) -I^--------訂 i—-— —----線· 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ____^87__468 283 A7 經濟部智慧財產局員工消費合作杜印製 五、發明說明（32) 此時形成閘電極313和316以分別重疊一部份之n型雜質 區域3 0 5和3 0 6，夾住閘絕緣膜3 11 u重疊部份於後變成重疊 卜贸電極之LDD區域。 其次，η型雜質元素（在第一實施例中使用磷）以自我對 準方式以閘電極3 1 2至3 I 6當成罩添加’如圖5 Α所示。可調 整此種添加，因此磷以雜質區域3 0 5和3 〇 6之濃度之〗/1 〇至1 / 2 (典型爲1 /4至1Π)添加至所形成之雜質區域3 1 7至3 2 3 u特別 的，濃度最好爲丨x丨016至5 x 101 s原子/cm (典型爲3 x 101和 3 x 〗Ο18原子 /cm';) u 其次形成阻止罩3 2 4 a至3 2 4 d以覆蓋聞電極1如圖5 B所 示，和添加11型雜質元素（在第一實施例中使用礎）’形成含 有高濃度碟之雜質區域3 2 5至3 3丨。於此亦執行使用憐化氫（ PH:)之離子摻雜，並調整以使此區域之磷濃度爲1 x 1〇2()至 1 X Π广原子/cm'(典型爲2 X〖和5 X 102U原子/cm3)。 以此方法形成η通道:TFT之源極區域或汲極區域’和在 開關TFT中’留下有由圖5 A之方法所形成之π型雜質區域3 20 至322之一部份。其餘區域相當於圖2之開關TFT之LDD區域 1 5 a 至 1 5 d 3 其次，如圖5 C所示，移去附止罩3 2 4 a至3 2 4 d，和形成 一新的阻止罩3 3 2。而後添加p型雜質元素（在第一實施例中 使用硼），形成含有高濃度硼之雜質區域333和3 3 4。於此使 用硼化氫（B2H.)之離子摻雜’而添加硼至濃度爲3 X 1 0”至 3 X 10;1原？*/cm':(典型爲5 X丨〇2fl和1 X 1CT':原子/cm j以形成雜 質區域333和334。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝 訂---.------線- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 468 28 3

五、發明說明（ _斤^ 磷巳以濃度爲1 X i〇i至1 X 1〇21原子/cm:1添加至雜質區 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 域3 3 3和334 ,但是，硼以至少磷濃度之三倍添加。因此，n 邶雜質區域已完全的形成反向爲P璺’且作用當成P型雜巧 區域。 其次，在移除阻止罩3 3 2後’以各種濃度添加至在動層 之η型和P型雜質元素受到活化。爐退火，雷射退火’或燈 退火可執行當成或化機構。在第一實施例中執行之熱處理 爲在電爐中在氮氣下在550t下熱處理4小時。 重要的是此時儘可能移除在氣體中之氧。此乃因爲如 果有少量氧存在時’電極之曝露表面會受到氧化’導致電 阻之增加’且同時變成難以於後續以閘電極形成歐姆接觸 。因此，較佳的是，在上述活化處理中之氣體之氧濃度持】 ppm或更小，最好爲〇.1 PPm或更小。 在活化處理完成後，形成厚度爲3〇〇 nm之閘接線335。 可使用具有鋁（A1)或銅（Cu)當成主要成份（包含50至1 〇〇%組 成）之金屬膜當成閘極接線335之材料。閘極接線335安徘如 同圖3 A之閘極接線211，以提供開關TFT之閘電極3 1 4和3 i 5( 相當於1M1 3A之閘電極19a和1 9b)之電連接。（見圖5D) 藉由使用此種型式之構造，閘極接線之接線電咀可製 成極小，&因此，可形成具有大表面積之影像顯示區域（圖 素部份）。亦即，依照本發明之圖素構造π了完成具有1 〇吋對 角線或更大（或3 0吋或更大對角線）之螢幕尺寸之E L顯示裝 置。 其次形成第一中間層絕緣膜3 3 6，如圖6Α所示。含矽之 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -β6- (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) - I 1 I I I--訂· I — — — — — — — t 4 68 28 3 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7___ 五、發明說明（34) 單層絕緣膜使用當成第-中間層絕緣膜3 3 6，但是亦可使用 -疊層膜。再者，可使用介於400 nm和1.5μπι之膜厚度。在 第一實施例中使用8 () 0 n.m厚氧化矽膜在2 00 n m厚氮氧化矽 膜L:之疊層構造。 此外’在含有3至1 0 0 %氫之氣體中執行氫化’以在3 0 () 至450°C上執行熱處理1至12小時。此處理爲在半導體膜中 以熱活化之氫做懸垂鍵之氫終結之處理之.一。亦可執行電 漿氫化（使用以電漿活化之氫）當成氫化之另一方式。 在第-中間層絕緣膜3 3 6之形成時亦可插入氫化步驟。 亦即，氫處理可如上述在形成2 0 0 n m厚之氮氧化矽膜後執 行，而後形成剩餘之800 nm厚之氧化矽膜。 其次在第一中間層絕緣膜3 36中形成接觸孔’和形成源 極接線337至340和汲極接線341至343。在第一實施例中’具 有1 0 0 n m鈦膜，3 0 0 n m含鈦鋁膜，和1 5 Ο n m鈦膜連續以濺 鍍形成之三層構造之疊層膜使用當成接線。當然亦可使用 其它導電膜。 其次形成厚度爲50至500 nm(典型的爲介於200和300 nm間）之第一被動膜344。在第一實施例中’使用3 00㈣厚 之氮氣化矽膜當成第一被動膜344。此亦可以氣化砂膜取代 之‘在氮氧化矽膜形成前’可有效的執行使用含如H:或NH; 之氫之氣體之電漿處理。以此先前處理活化之氫乃供應至 第一中間層絕緣膜3 3 6，：和藉由執行熱處理可改善第一被動 膜3 4 4之膜品質。同時’添加至第一中間層絕緣膜3 3 6之氫 擴散至下側，和主動層可有效的受到氫化。 ------- ---裝— —--訂--- ----- -線 — (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） 4 68 28 3 A7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 B7五、發明說明（35) 其次，如圖6B所示，以一有機樹脂形成第二中間層絕 緣膜3 4 5。關於有機樹脂方面，可使用聚醯胺’聚醯亞胺’ 丙嫌酸.和BCB(苯並環丁烷）等材料。特別的’由於第.二中 間層絕緣膜3 4 5主要使用以位準化’且因此’最好使用具有 優良位準特性之丙烯酸？在第一實施例中形成之@稀酸膜 具有之膜厚度爲可充分的位準因TFT之步階。此厚度最好從 j至5 μ m (更好介於2至4 μ m)。 而後，一接觸孔形成在第二中間層絕緣膜345和第一被 動膜3 4 4中到達汲極接線3 4 3，而後圖素電極3 4 6。在此實施 例中，形成厚度3 0 0 n m之鋁合金膜（含1 w t %之鈦之銘膜） 當成圖素電極346。 其次，如圖6C所示，形成以樹脂材料製成之觸排347。 觸排3 4 7可藉由定圖樣丨至2 // m厚之丙烯酸膜或聚醯亞胺膜 而形成。如圖3所示，觸排347形成條紋狀在圖素間u在第 -實施例中，觸排347沿源極接線3 3 9形成，但是’其亦可 沿接線336形成。 其次以膜沉積處理使用參考圖1所說明之薄膜沉積裝置 形成發光層3 4 8。特別的，變成發光層3 4 8之有機E L材料溶 解在如氯仿，二氣甲烷，二甲苯，甲苯，和四氫呋喃溶劑 中，而後應用。而後，執行熱處理以蒸發溶劑。因此可形 成以有機EL材料製之膜（發光層）= 在第-實施例中只顯示一圖素。但是，於此乃同時形 成紅色發光層，綠色發光層，和藍色發光層。在第——實施 例中，使用如氰基聚苯撐乙烯撐在紅色發光層中；聚苯搏 -------11111^------II 訂- -------線， (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用令國國家標準（CNS)A4規格（2】0 X 297公釐） 4 6 8 28 3 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（36) 乙烯撐在綠色發光層中；和聚烷基苯撐在藍色發光層中。 每個發光屑形成5 0 n m之厚度。此外，使用i . 2二氯甲苯當 成溶劑，而後，藉由執行在熱板上之熱處理80至1 5〇r , 1 至5分鐘，以蒸發溶劑。 其次，形成厚度爲2 0 n m之電洞注人層3 4 9。由於電洞 注入層349可共同的提供至所有圖素，藉由使用旋轉塗覆法 或印刷法可適當的形成電洞注入層349。在第一實施例中， 應用PEDOT當成溶液，和在1 00至1 5CTC之熱板上執行熱處理 1至5分鐘以蒸發濕氣。在此例中，因爲聚苯撐乙烯撐和聚 烷基苯撐不會溶解，因此可形成電洞注入層3 4 9而未溶解發 光層3 4 8。 亦可使用低分子有機EL材料當成電洞注入層349，在此 例中，藉由蒸鍍法可適當的形成電洞注入層= 在第一實施例中形成發光層和電洞注入層之雙層構造 。值是，亦wj提供如電洞傳送層，電t注入層，和電子傳 送層之其它層。已報導有許多結合其它層之各種疊層構造 之範例，其皆可使用於本發明中。 在形成發光層348和電洞注入層349後，形成厚度爲1 20 nm之以透明導電膜製成之陽極350。在第一實施例中，摻 雜1 0至20 wt %氧化鋅之氧化銦使用當成透明導電膜。關於 膜沉積方法方而，最好以蒸鍍法在室溫下形成陽極350，因 此，不會破壞發光層3 4 8和電洞注入層3 4 9。 在形成陽極3 50後，以電漿CVD法形成厚度爲300 nm之 以氮氧化矽膜製成之第二被動膜35丨。此時，必須注意膜沉 <請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝 --II 訂---.------線' 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格mo X 297公釐） 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 4 6 8 28 3 ' A7 B7 五、發明說明（37) 積溫度。亦可使用遠方電漿CVD以降低膜沉積溫度。 因此可完成見有如圖6C所示之構造之主動矩陣S底。 在形成觸排3 4 7後，可有效的使用薄膜沉積裝置之多室法[ 或線上法），連續且未曝露至空氣下處理膜之形成’直到形 成被動膜35 1。 在本實施例之主動矩陣基底中，具有最佳構造之TFT不 只安排在圖素部份中，且亦安排在驅動電路中，藉以指示 極高的可靠度和增加其操作效能。 首先，具有儘可能降低熱載子注入而無操作速度下降 之構造之丁FT乃使用當成形成驅動電路部份之CMOS電路之η 通道TFT205。於此，驅動電路包括如移位暫存器’緩衝器 ，位準移位器，和取樣電路（取樣和保持電路）等電路。當執 fr數位驅動時，亦包括有如D/Α轉換器之訊號轉換電路。 在第一實施例之例中，η通道TFT205之主動層包括一源 極區域355，一汲極區域356，一 LDD區域3 5 7，和--通道形 成區域358，如圖6C所示，且LDD區域357重疊閘電極3 1 3， 以夾住閘絕緣膜3 1 1。此構造和電流控制TFT202之構造相同 ·: 只在汲極側形成LD D區域乃是考量不降低操作速度。 再者，不必關心在η通道TFT205中之關閉電流値，而是應注 意操作速度。因此，最好是LDD區域3 5 7完全的重疊閘電極 ，以儘可能降低電阻成份至最小。換言之，最好能消除所 謂的偏置。 再者，在CMOS電路之ρ通道TFT206中，由於熱載子注 本紙張尺度適用t國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ---------^---裝-------訂---\------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 468283 A7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 B7______五、發明說明（38) 入而引起之破壞幾乎可忽略，S·因此，無需提供任何LDD 區域以用於P通道TFT2 0 6。當然亦可和η通道TFT+205相似的 ，提供用於Ρ通道TFT206之LDD區域以展現抵抗熱載子之對 策。 在驅動電路中，在和其它電路比較下，取樣電路較爲 特別，且大電流在通道形成區域中在兩方向流動。亦即， 源極區域和汲極區域之角色互換。此外’必須儘可能抑制 關閉電流値，且因此，最好安排具有在取樣電路中，在開 關TFT和電流控制TFT間之中介位準上之功能之TFT。 因此，最好安排具有如圓10所示構造之TFT當成η型TFT 以形成取樣電路如圖丨()所示，一部份的L D D區域9 Ο 1 a和 9 (H b重疊間電極9 0 3 ’夾住一鬧極絕緣膜9 0 2。此種效果所 獲得之效果如同說明於電流控制TFT202者。在TFT使用於取 樣電路之例中，L D D區域設置以安插通道形成區域9 0 4於其 間，其和電流控制TFT之例不同。 實際上，在完成至圖6 C後，最好使用具有非常小氣漏 之如高氣密保護膜（如疊層膜或紫外線硬化樹脂膜）或透光之 密封材料而額外的執行封裝（密封）’以使不會曝露至大氣。 藉由使密封材料內側成爲惰性環境’和藉由設置吸收劑（如 氣化鋇）在密封材料內’可增加E L層之可靠度° 再者，在以封裝處理增加氣密後，用以連接於來ΕΊ形 成在基底上之元件或電路之輸出端間之連接器（彈性印刷板 ，FPC)，和外部訊號端連接，以完成所製造之產品。在此 狀態下可裝運之完成產品在本說明書中視爲E L福小裝置（或 - (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 x 297公釐） 28 3 A7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 B7五、發明說明（39) EL模組）。 於此使用圖7之立體圖說明第一·實施例之主動矩陣型EL 顯示裝置之構成。此實施例之ΐ動矩陣型EL顯示裝置形成 在-玻璃基底70 1上，且由圖素部份702，閘極側驅動電路 703，和源極側驅動電路704組成。圖素部份之開關TFT70 5 爲η通道TFT，且設置在連接至閘極側驅動電路703之閘極接 線706和源極側驅動電路704之源極接線707之交叉處。再者 ，開關TFT705之汲極電連接至電流控制TFT708之閘極。 此外，電流控制TFT708之源極連接至電流供應線709 = 在第-實施例之構造中，接地電位（地電位）授予至電流供應 線709。再者，丑1元件710電連接至電流控制1^了708之汲極 。預定電壓（介於3至12V ,最好爲3和5V)應用至EL元件710 之陽極。 用以傳送訊號至驅動電路之連接接線7 1 2和7 1 3，和連 接至電流供應線7 09之連接接線71 4提供在FPC 7 Η中當成外 部輸人/輸出端。 圖8爲圖7所示之EL顯示裝置之電路構造之一例。本實 施例之EL顯示裝置具有源極側驅動電路8 0 I，閘極側驅動電 路（A ) 8 0 7，閘極側驅動電路（Β ) 8 1 1，和圖素部份8 0 6。在本 說明書中，驅動電路爲一般術語，其包括源極側驅動電路 和閘極側驅動電路。 源極側驅動電路80 1具有移位暫存器802 ’位準移位器 8 0 3，緩衝器804，和取樣電路（取樣和保持電路）8 05。此外 ，閘極側驅動電路（A)807具有移位暫存器808，位準移位器 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規柊（210 X 297公釐） 4^ 468 283 A7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 B7____五、發明說明（4Q) 809，和緩衝器810。閘極側驅動電路（Β)8Π具有相似的構造 移位暫存器8 0 2和8 0 8之驅動電壓從5至丨6 V (典型爲1 〇 V ) ，且以圖6C之參考數字205所示之構造適於η通道TFT使用在 CMOS電路中形成此電路。 再者，位準移位器803和809和緩衝器804和810，和移位 暫存器相似的，含圖5C之η通道TFT205之CMOS電路是合適 的。在使用多閘構造中，如用於閘極接線之雙閘構造或Η 閘構造，可有效的增加每一電路之可靠度5 此外，由於源極區域和閘極區域反向且需要降低關閉 電流値，因此，包括圖10所示之η通道TFT208之CMOS電路 是較適當的用於取樣電路805。 圖素部份806安排以具有圖2所示之構造之圖素。 藉由依照圖4A至6C所示之製造方法製造TFT ’可輕易 的完成上述之構造。再者，在此實施例中只顯示驅動電路 和圖素部份之構造，但是依照此實施例之製造方法’除了 驅動電路外，亦可形成其它邏輯電路在相同基底上’如訊 號分割電路’ d/a轉換器電路’運算放大器電路’和r校正 電路等。此外，亦可形成如記憶部份和微處理器等電路ΰ 再者，以下使用圖11 Α和1丨Β說明包含密封材料之此實 施例之E L模組.·'如果有需耍，可引述圖7和8中使用之符號 圖1 1 Α爲圖7所示之狀態提供以一密封構造之狀態之頂 視圖。·如虛線所示，參考數字7 〇 2表示--圖素部份，7 0 3爲 (請先閱讀背面之注項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 4^ 468 283 A7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 ___Β7___五、發明說明（41) --閘極側驅動電路，和704爲源極側驅動電路。本發明之密 封構造爲-·構造，其中一塡充材料（圖中未顯示），.一蓋材料 1101， -密封材料（圖中未顯示），和一框材料丨1 0 2提供至圖 7所示之狀態中= 圖1 1 B爲沿圖丨1 A之A - A ’線所截取之橫截面圖。在_ i 1 A 和1〗B中使用相同參考數字表示相同部份。 如圖1 i B所示，圖素部份7 0 _2和閘極側驅動電路7 〇 3形成 在基底701上。圖素部份702由包含電流控制TFT202和電連 接至電流控制TFT202之圖素電極346之多數圖素形成。再者 ，藉由使用η通道TFT205和p通道TFT206之互補結合之CMOS 電路而形成閘極側驅動電路703。 圖素電極3 4 6作用當成E L元件之陰極。此外，觸排3 4 7 形成在圖素電極346之兩端上，和發光層348和電洞注入層 349形成在觸排347之内側上。EL元件之陽極350和第二被動 膜351進一步形成在頂部。如本發明之實施例模式所說明的 ,EL元件當然可具有以圖素電極當成陽極之相反構造。 在第-實施例中，陽極350亦作用當成至所有圖素之共 同接線，且經由連接線71_2電連接至FPC7H。再者，包含在 圖素部份和閘極側驅動電路703中之所有元件乃由第二被動 膜35 1所覆蓋。亦可省略第二被動膜3 5 1 ,但是最好提供此 膜以將相關元件與外界隔離。 其次，提供塡充材料1 103以覆蓋EL元件。塡充材料 1 1 03亦可作用當成一黏劑以黏合蓋材料1 1 0 1。關於塡充材 料1103方面，可使用PVC，環氧樹脂，矽酮樹脂，PVB,或 <請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) I 裝----

n I 訂—；------線' 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格<210 x 297公釐） 44 46 8 28 3 A7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 ______B7___五、發明說明（42) EVA(乙二醇乙烯醋酸鹽）。最好設置一乾燥劑（圖中未顯示） 在塡充材料1 1 〇 3內侧，以維持吸收效果。此時，乾燥劑可 爲摻雜入塡充材料之乾燥劑，或包含在塡充材料中之乾燥 劑。但是，在第一實施例之例中，使用具有透光率之材料 ，藉以從塡充材料1103側發光u 再者，在第-實施例中，可使用玻璃板，F R P (玻璃纖 維強化塑膠）板，PVF(聚氯乙烯）膜，milar膜，聚酯膜，或 丙烯酸膜當成蓋材料11 〇 1。在第一實施例之例中，和瑱充 材料相似的是，蓋材料u 〇丨可以透光材料製成ύ於此可事 先有效的摻雜--乾燥劑，如氧化鋇，至塡充材料u 03中。 在使用塡充材料U 〇 3黏合蓋材料1 1 (Π後，接附框材料 1 1 02以覆蓋塡充材料1 103之側表面（曝露表面）。框材料1 1 02 以密封材料（作用當成黏劑）11 04黏合。此時，較佳的，使用 光硬化樹脂當成密封材料1 1 〇4。但是，亦可使用熱硬化樹 脂，只要EL層之熱阻允許的話。於此需要使用儘可能不會 使氧氣和濕氣穿透之材料當成密封材料1 1 04。此外，可將 乾燥劑加入密封材料11 04中》 因此，藉由使用上述步驟，EL元件密封入塡充材料 1 1 03屮，藉以使EL元件完全和外界空氣隔離，和防止如濕 氣和氧氣等物質從外界穿透，其會剌激因EL層之氧化而對 EL層之破壞。因此，可獲得高可靠度EL顯示裝置= 第二實施例 在第一實施例中顯示在長度方向或在側方向上同時形 -45—---- 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（2】〇 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 4 〇 B 28 3 A7 __ B7 五、發明說明（43) 成三種條紋狀發光層發出紅，綠，和藍色光之例。在第二 貫施例中顯术藉由將發光層在縱向上分割成多數分割部份 而形成之條紋狀發光層之例= 如圖1 2A所示，以TFT形成之圖素部份丨1 1 ,源極側驅動 電路1 1 2，和閘極側驅動電路1 1 3皆形成在基底11 0上。圖素 部份1 Η以觸排1 20 1分隔成矩陣。在第二實施例之例中，多 數圖素1 203安排在由觸排1 20 1所分隔之方塊1 202之--内，如 圖1 2 Β所示。但是，圖素數字並無任何限制。 在此狀態下，用以作用當成發光層之有機EL材料之膜 沉積處理使用圖1之薄膜沉積裝置執行。即使在此例中，紅 色應用液體114a,綠色應用液體U4b,和藍色應用液體I14c 亦藉由頭部份1 1 5同時分離應用。 第二實施例之特徵在於應用液體114a至i 14c可分離應用 至上述相關的方塊1 202。換言之，在圖1之方法中，紅色， 綠色，和藍色之每--顏色之應用液體只可分離應用成條紋 狀，而在第二實施例中，顏色可自由的安排在每一方塊中 。因此，如圖1 2A所示，可安排-顏色之應用液體至所選擇 之方塊，因此整體列（或行）移位。 再者，在方塊1 2 02中，亦可提供-ftl素，且在此例中 ，可採用之圖素構造-般視爲二角形構造（-種圖素構造其 中對應於RG B之圖素安排以始終形成三角形）。 用以執行第二實施例之Η的之頭部份1 1 5之操作如下。 11'先 > 頭部份1 1 5移向箭頭a指示之方向，藉以完成以應用 液體浸濕三方塊內側（分別對應於紅色，綠色，和藍色之方 II--— — — — — — — — ---- —--1 *11 — — — — — — T (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） A7 3 283 ________B7____ 五、發明說明（44) 塊）。在完成此操作後，頭部份1 1 5移向箭頭b指示之方向， 藉以施加應用液體至次三方塊。重覆此操作以將應用液聰 .施加至圖素部份》而後，以熱處理蒸發溶劑以形成有機EL 材料。 在習知噴墨法所述之例中，形成用於應用液體滴之有 機EL材料變成圓形。因此，難以覆蓋整個長且窄的圖素。 特別的，在第--實施例之例中，其中整個圖索作用當成發 光區域，整個圖素需要以有機EL材料覆蓋。另一方面，第 二實施例具有之優點爲藉由移動頭部份1 1 5在箭頭a所示之 方向，方塊可由應用液體完成充滿。 第二&施例之構成可使用於第-實施例所述之EL顯示 裝置之製造。藉由定圖樣，可將觸排I 20 1形成矩陣形，且 頭部份1 1 5之操作亦可以電控制。 第三實施例 參考圖1 3說明在第三實施例中使用本發明在被動型（簡 單矩陣型）E L顯示裝置之例。在圖1 3中，參考數字1 3 0 1表示 -塑膠板和丨302表示以鋁合金膜製成之陰極。陰極1 302以 第三實施例之蒸鍍法形成。雖然圖1 3来顯示，多數陰極線 乃安排成條紋狀，在所界定空間上之垂直方向中= 再者，形成觸排1 303以充塡介於安排成條紋狀之陰極 I 3 0 2間之空間。觸排1 3 0 3沿在所界定空間上之垂直方向中 之陰極]302形成。 而後，以高分子有機EL材料製成之發光層1 304a至1304 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 丨裝 ----訂---：------線_ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 4^ B 28 3 A7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印制衣 B7______五、發明說明（45) c乃以使用圖1之薄膜沉積裝置之膜沉積方法形成。當然 參考數字1304a爲紅色發光層，1304b爲綠色發光層，和〗304 c爲藍色發光層=和第一實施例相似的有機EL材料可使用在 第二實施例中"由於發光層沿凹槽（其由觸排1 3 0 2所形成）形 成，道些層在所界定空間t之垂直方向中安排成條紋狀。 而後，共冋用於所有圖素之電洞注入層1 3 0 5以旋轉塗 覆法或印刷法形成。電洞注入層亦相似於第一實施例者。 此外，以透明導電膜製成之陽極1 306形成在電洞注入層 1 3 0 5上。在第三實施例中，以蒸鍍法形成之氧化銦和氧化 鋅之化合物形成當成透明導電膜》雖然圖13未顯示，在所 界定空間上之多數陽極線之平行方向爲縱方向，因此. 陽極1 3 0 6安排成條紋狀以交叉陰極]3 0 2。再者，圖中未顯 71；-之-·接線乃牽引至於後FPC會接附之部份，因此，可應用 -預定電壓至陽極1 306。 再者，在陽極1 306形成後，可提供氮化矽膜當成被動 膜。 因此EL元件形成在基底1 301上=由於下側電極爲光遮 蔽電極，巾發光層]304a至1 3()4c所產生之光照射至L表面（ 相對於基底Γ30 1之表面）=但是，藉由使EL元件之構造相反 ，下側電極亦可爲透光陽極。在此例中，由發光層1 304a至 1 304c所產生之光照射至下表而（基底1 30 1)。 準備一塑膠板當成蓋材料1 307。如果有需要，可形成 光遮蔽膜或濾色器在表面h。在第三實施例之構造中，因 爲來自EL元件之光穿透蓋材料1 307且進入觀看者之眼睛， ---I--I---；---^--------訂---：------線 * (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公复） 4θ 8 283 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（46) 蓋材料1 3 0 7是透光的。在第三實施例中使用塑膠板，但是 ，亦可使用如PVB膜之透光基底（或透光膜）。當然，如前所 述，在使EL元件之構造反向之例中，蓋材料亦可Μ有光遮 蔽特性。因此，亦可使用陶瓷基底。 當準備蓋材料1 307後，蓋材料而後以摻雜氧化鋇當成 乾燥劑之塡充材料1 308(圖中未顯示）貼至基底上。而後，藉 由使用以紫外線硬化樹脂製成之密封材料1 3 0 9接附框材料 1 3 1 0 =在第二實施例中使用不鏽鋼當成框材料1 3 1 0。最後 ，經由導電膏1 3 1 1接附FPC，以完成一被動型EL顯示裝置。 第四實施例 當本發明之主動矩陣E L顯示裝置從圖1 1 Α方向觀察時， 圖素列會形成在縱向或側向上。換言之，圖素之安排變成 如圖圖1 4A之例，其中圖素列形成在縱向上。另一方面，圖 索之安排變成如圖圖1 4B之例，其中圖素列形成在側向上。 在圖丨4 A中，參考數字1 401表示一觸排形成條紋狀在縱 向上，1 402a爲紅色EL發光層，和1402b爲綠色EL發光層。 當然藍色EL發光層（圖中未顯示）形成在綠色發光層1 402b 後。在經由一絕緣膜之源極接線之上方向中，觸排1 4 0 1沿 源極接線形成。 於此之E L層表示以有助於層發光之有機E L材料製成之 層，如發光層，電荷注入層，和電荷傳送層。於此亦有形 成發光層當成單一層之例。但是，在形成電洞注入層和發 光層之曁層之例中，此疊層膜稱爲EL層此時，所需的是， <請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) I · ----I--訂---：1---線. 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 x 297公釐） 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 3 28 3 A7 __ B7五、發明說明（47) 由虛線指示之圖素1 403之相亙距離（D)設定爲E丄層之膜厚度（ t)之5倍或更大（最好爲1 〇倍或更大）。其原因是如果D < 5 t， 則會在圖素間發生串音之問題。如果介於_素間之距離（D) 太遠，則無法獲得高解析度影像。因此，最佳的距離〔D)爲 5t<D<50t (最好爲丨 Ot<D<35t)。 再者，在圖MB中，參考數字1 404表示一觸排形成條紋 狀在側向上，140 5a爲紅色EL發光層，1 405 b爲綠色EL發光 層，和1405c爲藍色EL發光層。在經由一絕緣膜之閘極接線 之ii方向中，觸排丨4〇4沿閘極接線形成。 在此例中，所需的是，由虛線指示之圖素1 4 0 6之相互 距離（D)設定爲EL層之膜厚度⑴之5倍或更大（最好爲10倍或 更大），且最好爲距離（D)爲51 < D < 5Ot (最好爲1 01 < D < 3 5 t )^ 第四實施例之構成可藉由結合第一至第三實施例之構 造而實施。藉由調整介於圖素之距離和EL層之膜厚度間之 關係如同第四實施例，可顯示高解析度影像而無串音。 第S實施例 藉由使用圖1之薄膜沉積裝置形成所有發光層，紅色發 光層，綠色發光層，和藍色發光層之例顯示於第一實施例 中。但是，藉由使用如圖1之薄膜沉積裝置形成之發光層亦 可爲用於至少紅色，綠色，和藍色之一顏色之之層。 亦即，在圖1 B中，省略噴嘴1 1 6 C (用以應用藍色發光層 之噴嘴）。藉由其它應用機構亦可應用藍色發光層應用液體 (請先閱讀背面之注項再填寫本頁) 本紙張尺度遶用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 468 283 A7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 __B7___五、發明說明（48) 1 1 4 c。此例如圖1 5所示u 圖1 5爲第7i實施例之構成使用在第三實施例之被動型 E L顯示.裝置中之例。其基本構造和圖丨3所示之被動型£ L顯 示裝置相同，因此只有改變不同部份之不同參.考數字，並 對此不同部份做說明。 在圖15中，在形成陰極1302在甚底1301上後，紅色發 光層1304a和綠色發光層1 3 04 b以圖1之薄膜沉積裝置形成。 而後，藍色發光層1 5 0 i以旋轉塗覆法，印刷法，或蒸鍍法 形成在其上。此外，形成電洞注入層丨305和陽極1 306。 而後，塡充材料1 308,蓋材料1 307,密封材料1 309，框 材料Π 1 0，導電膏1 3 1 1，和FPC 1 3 1 2依照第三實施例之說明 而形成，藉以完成圖1 5之被動型EL顯示裝置。 第五實施例之特徵在於以不同機構形成紅色發光層 1 304a,綠色發光層1 304b，和藍色發光層1501。當然，顔色 可自由的結合，即綠色發光層以旋轉塗覆法，印刷法，或 蒸鏤法形成而非上述之藍色發光層。 此外，綠色發光層藉由使用圖1之注入裝置而形成，和 紅色發光層和藍色發光層以旋轉塗覆法，印刷法，或蒸鍍 法形成。即使在此例中，顏色亦可自由結合。 依照第五實施例之構造，在發光圖素，紅色發光圖素 ，綠色發光圖素，和藍色發光圖素中，至少其中之-具有 兩種不同型式發光層之疊層當成發光層之構造。在此例中 ，在兩不同型式之發光層中，任-者會因爲能量之移動而 發出--顏色。但是，可事先檢查會發出那種顏色的光。因 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) I裝 ----訂---：------線- 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210x 297公釐） 4 6 8 283 A7 經濟部智慧財產局員Η消費合作社印製 ___B7__五、發明說明（49) 此，可適當的設計此構造以最終獲得紅，綠，藍等顏色。 關於如上所述構成發光層當成疊層之優點方面，例如 ，可降低由針孔所引起之短路之可能性。由於發光層非常 薄，在陰極和陽極中由針孔引起之短路變成一問題。但是 ，藉由構成疊層構造而執行針孔之充塡，可顯著降低發生 短路之可能性。在此--狀況下，藉由難以發生針孔之蒸鍍 法，可有效的形成提供在疊層構造之上層上之發光層° 在第五實施例中，以被動型EL顯示裝置當成範例說明 :但是，亦可使用主動矩陣EL顯示裝置。因此，第五實施 例之構成可藉由將其自由的結合第一至第四實施例之任一 構成而實施。 第六實施例 接附有三個噴嘴之頭部份之例如圖丨所示°但是，頭部 份可進一步接附以三或更多噴嘴以對應多數之圖素列，其 一例如圖16所示。於此，R，G，Β分別表示紅色，綠色，和 藍色。 Ρ 1 6爲集合的應用有機EL材料（應用液體）至形成在圖 素部份之所有圖素列之例。亦即，接附至頭部份1 6 0 1之噴 嘴之數Η和Ιϋ素列之數目相同。藉由構成此一構造，可在 一掃瞄中，應用應用液體至整個圖素列，藉以快速增加產 m ° 再者，圖素部份分割成多數區域。可使用提供以和包 含在每一區域中之圖素列數Η相同數Η之噴嘴之頭部份。 62--- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ----訂---：------線 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210x 297公釐） 468 28 3 A7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 B7五、發明說明（ 換辦之，如果圖素部份分成η個區域，則藉由掃瞄η次，有 機EL材料（應用液體）可應用至所有圖素列。 由於實際例中有圖素尺寸小的例子，如數十μ m ,則圖 素列之寬度亦爲約數十// m。在此例中，因爲難以安排噴B紫 在水平列上，需要設計噴嘴之安排= 圖17爲噴嘴接附至頭部份之位置改變之例。在圖17A中 ，噴嘴52a至52c形成在頭部份5 1上，而對角線的移動它們的 接附位置。參考數字5 2 a表示用以應用紅色發光層應用液體 之噴嘴，52b表示用以應用綠色發光層應用液體之噴嘴，和 5 2c表示用以應用藍色發光層應用液體之噴嘴。再者，每--箭頭對應於-·圖素列。 而後噴嘴52a至52c視爲一單元，以參考數字53表示。因 此，頭部份提供有一至數個單元。如果有一單元5 3，則有 機EL材料可同時應用至三列圖素。此意即如果有η個單元， 則有機EL材料可同時應用至η個三列圖素。 藉由形成此--構造，可提升在噴嘴安排空間上之自由 度，以執行本發明在更高解析之圖素部份毫無困難。此外 ，圖17Α之頭部份5 1可使用以集合的處理（應用應用液體於 此）在圖素部份中之所有圖素列，或亦可使用在圖素部份分 成多數區域且圖素列之處埋分成數次之例中。 圖1 7 Β所示之頭部份5 4爲圖1 7 Α之修改版。其爲增加包 含在一單元5 5中之噴嘴數Η之例。換言之，兩噴嘴5 6 a用以 應用紅色發光層應用液體，兩噴嘴5 6 b用以應用綠色發光層 應用液體，和兩噴嘴56c用以應用藍色發光層應用液體乃包 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝！！ — —訂---；------線, 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） eer 468 283 A7 五、發明說明（51) 含在單元5 5中。因此，整體六列圖素可同時以一單元5 5施 加以有機EL材料。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 在第六實施例中可提供一至多數單元5 5。如果Η有… 個單元55時，則有機EL材料可同時應用至六列圖素。如果 只有η個單元55時，則有機EL材料可同時應用至η個六列關 素。當然，提供在單元5 5中之噴嘴數目並不限於六個，於 此亦可提供其它數目之噴嘴。 在此構造之例中，和圖1 7 Α相似的，在圖素部份中之所 有圖素列可集合的處理，或當圖素部份分成多數區域時， 亦可將處理分成數次。 此外，亦可使用如圖I 7C所示之頭部份57之頭部份。在 頭部份5 7中，三列圖素之空問開放以提供用以應用紅色發 光層應用液體之噴嘴5 8a，用以應用綠色發光層應用液體之 噴嘴5 8 b ,和用以應用藍色發光層應用液體之噴嘴5 8 c。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 首先 > 頭部份57掃瞄一次以應甩有機EL材料至阖素列 。其次，頭部份57移位三列圖素至右邊且再度掃瞄。而後 ，頭部份進一步移位三列圖素至右邊且再度掃瞄。因此， 執行掃瞄三次，藉此，有機EL材料可應用至以紅，綠，藍 順序俳列之條紋。 再者，在此構造之例中，和圖1 7A之例相似的，在圖素 部份中之所有圖素列可集合的處理，或當圖素部份分成多 數區域時，亦可將處理分成數次。 因此，在圖1之薄膜沉積裝置中，藉由設計噴嘴接附至 頭部份之位置，本發明可在具有非常窄圖素節距（圖素間之 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 64 A7 4 6 8 283 _____B7 五、發明說明（52) 距離）之高解析圖素部份中實施。再者，可增加製造方法之 產量。 (請先間讀背面之注意事項再填寫本頁) 第六實施例之構成可藉由將其t：丨由的結合第一至第丁L 實施例之任--構成而實施。 第七實施例 當本發明實施以製造一主動矩陣EL顯示裝置時，可有 效的使用矽基底（矽晶圓）當成基底=在使用矽基底當成基底 之例中，可使用用於在習知IC, LSI等之MOSFET之製造技 術以製造形成在圖素部份中之開關元件和電流控制元件， 或形成在驅動電路部份屮之驅動元件。 如同在1C和LS I中之進步，MOSFET可形成具有極小變 化之電路=特別的，其可有效的用於以電流値執行分級顯 示之主動矩陣EL顯示裝置之類比驅動器= 矽基底爲不透光的，且因此，需構成從發光層而來之 光可照射至基底相對側之構造。第七實施例之EL顯示裝置 之構造和圖ί 1相似=但是，其問之差異爲MOSFET使用以形 成圖素部份702和驅動電路部份703而非TFT。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 第八實施例 藉由執仃本發明而形成之EL顯示裝置相較於液晶顯示 裝置在明亮位置上更具優良可見度，因爲其爲自我發射型 裝置，且其視場較廣》因此，其可使用當成各種電子裝置 之顯示部份。例如，可使用本發明之E.L顯示裝置當成一具 未紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210^ 297公釐） A7 h 8 28 3 ____B7 五、發明說明（53) 有對角線達3 0吋或更大之E L顯示器之顯示部份（典型爲4 () 口寸 或更大），以以大螢幕觀賞電視傳播； 再者，所有展現如個人電腦監視器，電視接收器，或 廣告顯示監視器之資訊之顯示器皆诃以E L顯示器達成。辱 者，本發明之E L顯示裝置亦可使用當成各種電子裝置之顯 示部份。 下列爲電子裝置之例：視頻攝影機；數位相機；魚眼勒 顯示器（頭戴型顯示器）；車輛導航系統；音頻再生裝置（如 車輛音響系統，咅頻組合系統）；筆記型個人電腦；遊戲設 備：手提資訊終端機（如手提電腦，行動電話，行動遊戲設 備，或電子書）；和提供記錄媒體之影像播放裝置（特別是， 可執行記錄媒體播放且可提供顯示這些影像之顯示器之裝 置，如數位視頻碟（DVD:))。特別的，由於手提資訊終端經 常從對角線觀看，視場之寬廣度非常重要。因此，最好使 用EL顯示裝置a這些電子裝置之範例顯示於圖1 8A至1 9B。 圖18A爲一EL顯示器，包含一殻2001，一支持台2002, 和-·顯示部份2 0 0 3 »本發明可使用在顯示部份2 0 0 3中。由 於EL顯示器爲自我發射型裝置，而無需要背光，其顯示部 份可製成比液晶顯示裝置薄。 圖1 8 B爲一視頻攝影機，且包含-主體2 1 0 1，一顯示部 份2 1 02，一聲音輸入部份2 1 03，操作開關2 1 04，一電池2 105 ，和一影像接收部份2 1 06。本發明之EL顯示裝置可使用在 顯示部份2102。 圖1 8 C爲一頭戴型EL顯示器之一部份（右側），包含一 ΐ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝---------訂---：------線， 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 68 283 B7_____ 五、發明說明（54) 體2201，一訊號纜線2202，一頭固定帶2203，一顯示部份 2204，-光學系統2 205，和一 EL顯示裝置2206。本發明可 使用在£L顯示裝置2206。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 圖1 8D爲一提供有記錄媒體之影像播放裝置（特別是， DVD播放裝置），且包含一主體2301，一記錄媒體（如DVD) 2 3 02，一操作開關2 3 0 3，一顯示部份U)2304 ’和一顯示部 份（b)2 305。顯示部份U)主要使用於顯示影像資訊，和顯示 部份（b)主要使用於顯示文字資訊，和本發明之EL顯示裝置 可使用在顯示部份（a)和顯示部份（b)。値得注意的是，遊戲 設備乃包括當成提供有記錄媒體之影像播放裝置° 圖1 8E爲一手提電腦，且包含一主體240 1，一相機部份 2 4 02，一影像接收部份2403，操作開關2404，和一顯示部份 2405。本發明之EL顯示裝置可使用在顯示部份2405。 圖18F爲一個人電腦，且包含一主體2501，一殼2502， - ·顯示部份2 5 0 3，和一鍵盤2 5 0 4。本發明之E L顯示裝置可 使用至顯示部份2503。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 再者，如果EL材料之發射亮度末來變高時，包括輸出 影像之光之投射可由透鏡等放大。而後，可使用本發明之 EL顯示裝置在前面型或背面型投影器中《 上述之電子裝置已變成經常使用以顯示經由如網際網 路或CATV(有線電視）之電子傳輸電路提供之資訊，且特別 的，用以顯示動態資訊之機會愈來愈多。EL材料之響應速 度極高’且因此，E L顯示器亦相當適合執行此種動態型式 之顯示。但是，介於圖素間之輪廓變成模糊，而因此整個 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 x 297公釐） 4 6 8 28 3 A7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 ____^五、發明說明（55) 動態亦變成模糊。因此，使用本發明之EL顯示裝置在電子 設備之顯示部份中極爲有效，因爲其可澄淸介於圖素間之 輪廓^ EL顯示裝置之發射部份耗損能源，且因此，最好顯示 資訊以使發射部份變成愈小愈好。因此，當使用EL顯示裝 置在主要顯示文字資訊之顯示部份時，如手提資訊終端機 ，特別是，行動電話和音頻再生裝置，最好藉由設定非發 射部份當成背景而將其驅動和形成文字資訊在發射部份。 圖1 9 A爲一行動電話，包含一主體2 601，- ·音頻輸出部 份2602，一音頻輸人部份2603，一顯示部份2604，操作開關 2 605，和一天線2606。本發明之EL顯示裝置可使用在顯示 部份2604。藉由在顯示部份2604中顯示白色文字在黑色背 景，可降低行動電話之電源耗損。 圖]9B爲一音頻再生裝置，特別是車輛音響系統，包含 -ΐ體2701，一顯示部份2702，和操作開關2703和27 04。本 發明之EL顯示裝置可使用在顯示部份2702。再者，用於車 輛之音頻再生裝置如第八實施例所不’但是亦可使用於行 動型或室內型音頻再生裝置。藉由在顯示部份2 7 0 4中顯示 内色文字在黑色背景，可降低電源耗損。在行動型音頻再 生裝置中特別有效。 如上所述，本發明之可應用範圍極廣，&本發明可應 用至所有領域之電子設備。再者’第一至七實施例中所示 之EL顯示裝置之任一構成可使用在第八實施例之電子裝置 中。 <請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ^--------^---：------ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 16 8 283 A7 -------B7_____ 五、發明說明（56) 第九實施例 在第九實施例中，參考圖2 0說明包覆和第一實施例之 圖Π所示之EL顯示裝置之橫截而構造不同之EL元件之方法 之例。於此，直到形成第九實施例之主動矩陣基底之步驟 乃和第一實施例相同，因此省略其說明。 依照第一 0施例形成之主動矩陣基底提供有密封材料 2 80 1，和一蓋材料黏著於此。具有黏著性之樹脂如紫外線 硬化樹脂可使用當成密封材料2 8 0 1。特別的，最好使用儘 可能不會讓濕氣穿透且極少氣漏之樹脂。此外，亦可使用 口ί搜取從形成在如玻璃基底，塑膠基底，或陶瓷基底之“ 有透光性窗構件之基底上之EL元件發出之光之材料當成蓋 材料2 8 0 2。 在第九實施例中，以紫外線硬化樹脂製成之密封材料 280 1形成以藉由使用散佈器包圍圖素部份7〇2和驅動電路部 份703，而後以塑膠製成之蓋材料28 02黏著於此。其次，密 封材料280 1照射紫外線而硬化，藉以結合蓋材料2 8 0 2至主 動矩陣基底= 以樹脂製成之濾色器2803和2804乃在黏著至基底前提 供在蓋材料2802上。濾色器2803和2804提供在每一圖素上以 改善從E L元件而來之光之顏色純度。如果不提供濾色器亦 無關係。 以主動矩陣基底' 蓋材料2 8 0 _2，和密封材料2 8 0 1形成 之封閉空間2 805充塡以惰性氣體（特別是氮氣或稀有氣體）。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 * 297公爱） 59· (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) I Μ. —I----訂—：------線· ι 〇8 283 A7 B7___ 五、發明說明（57〉 因此，最好在惰性氣體中執行主動矩陣基底和蓋材料之結 合》再者，可有效的提供一乾燥劑，如氧化鋇在封閉空間 2 8 0 5中=亦可額外的摻雜·乾燥劑在密封材料2 8 0 1，蓋材 料2 802，或濾色器2803和2804中。 第九實施例之構成可藉由將其自由的結合笫一至第七 實施例之任一構成而實施。由實施第九實施例所獲得之EL 顯示裝置亦可使用在第八實施例之任一電子設備屮。 笫十實施例 在第十實施例中說明製造木發明之多數EL顯示裝置在 --大基底上之例°於此使用圖2 1 A和2 1 B和圖2 2 A和2 2 B之頂 祝降丨說明。毎·頂視圖具有沿A - A1和B - B '線所截取之橫截面 圖。 閫2.1 AE主動矩陣基底之狀態，其依照第一至第七實施 例之一形成，且密封材料形成在其上。參考數字290 1表示 具有密封材料2902提供在數個位置之主動矩陣基底。 E L顯示裝置之圖素部份和驅動電路部份包含在以密封 材料2 9 0 2包圍之相關區域內。亦即，多數之主動矩陣部份 2903，其以圖素部份和驅動電路部份結合而形成，乃形成 在·大基底，即主動矩陣基底290 1上。典Μ的， 62 0 mm X 7 20 mm或400 mm X 500 mm之基底使用當成 大基底。當然，亦可使用具有其它面積之基底。 圖21B爲蓋材料2904黏著至主動矩陣基底2901之狀態。 具冇和主勖矩陣基底2 9 0 1相同而積之基底亦可使用於蓋材 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210x297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) i --------訂---：----線· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 册 16 8 283 A7 B7 五、發明說明（58) 料2 9 0 4。因此，在圖2 1 B所示之狀態中，可使用共同蓋材料 於所有主動矩陣部份。 其次，參考圖22A和22B說明在圖21 B所不狀態屮切割 動矩陣基底之法。 在第I·實施例中，使用一刻劃器進行主動矩陣基底 290 1和蓋材料2904之切割。刻劃器爲一裝置，其首先藉由 形成窄凹處（刻劃凹槽）在基底中，而後應用衝_至凹槽以沿 刻劃凹槽產生裂縫，而切割基底。 關於切割基底之另一裝置方面，已知的是一切割器。 此種切割器爲一裝置，其中以堅硬切割力（切割鋁）以高速轉 動並應用至基底，以切割基底。但是，當使用此切割器時 ，切割鋸必須噴灑水比防止產生熱和抛光灰塵之散佈。因 此，當製造E L顯示裝置時，最好使用刻劃器，其無須使用 水ϋ 在主動矩陣基底2 9 0 1和蓋材料2 9 0 4中形成刻釗凹槽之 顺序如下。首先，刻劃凹槽2905a形成在箭頭（a)所指示之方 向，而後，刻劃凹槽2905b形成在箭頭（b)所指示之方向 '最 後，刻劃凹槽2905c形成在箭頭（c)所指示之方向。 當形成刻劃凹槽時，以一桿施加衝擊至刻劃凹槽，該 桿以如矽酮樹脂之彈性材料製成，以產生裂縫，且而後主 動矩陣基底2 9 0 1和蓋材料2 9 0 4受到切割。圖2 2 B爲在切割卞 動矩陣基底2 9 0 1和蓋材料2 9 0 4後之狀態圖。在圖中，以主 動矩陣基底2 9 0 Γ和蓋材料2 9 04，組成之一組包含一主動矩陣 部份。 f請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝 ----訂---：------線· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210x 297公釐） 64 468 28 3 A7 B7 五、發明說明（59) 再者，此時之蓋材料2904，切割小於卞動矩陣基底290 Γ 。其目的乃是接附FPC(彈性印刷電路）至以參考數字2906表 A之區域=在FPC接附時，即完成EL顯示裝置。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 藉巾實施第_卜苡施例，可從一基底製造多數EL顯不裝 置。例如，可以6 2 0 m m X 7 2 0 m m之基底製造六個1 3至1 4 吋對角線EL顯示裝置或四個丨5至1 7吋對角線EL顯；Γ、.裝置。 因此，可達成產生之顯著增加和製造成本之降低。 第十一實施例 在第十一實施例中參考圖2 3說明第·實施例之圖素部 份中之EL元件203之構造相反之構造。介於第十一實施例之 構造和圖2之構造間之差異只有在EL元件和電流控制TFT之 部份，且因此，省略對其它部份之說明。 在圖23中，藉巾使用p通道TFT, X:構造和依照第·實 施例之製造方法形成之p通道TFT206相同，以形成電流控制 TFT6 1。因此，省略對電流控制TFT6 1之詳細說明。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 在第十一實施例中，透明導電膜使用當成圖素電極（陽 極）。特別的，可使用氧化銦和氧化鋅之化合物製成之導甫 膜。當然，亦可使用氧化麵和氧化錫之化合物製成之導電 膜。 在形成以絕緣膜製成之觸排6 3 a和6 3 b後，執行溶劑應 用，藉以形成以聚乙烯 製成之發光層6 4。以乙醯内酮 鉀製成之電子注入層6 5形成在發光層6 4上，乱而後，以鋁 合金製成之陰極66形成在其上。在此例中，陰極66亦作用 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（2W x 297公釐〉 6& A7 4 6 8 28 3 ___B7____ 五、發明說明（6〇) 當成一被動膜。因此可形成EL元件67。 在第十一實施例中，如箭頭所示，從發光.層6 4產生之 光照向上方形成有TFT之丛底。當形成如第十... .實施例之構 造時，最好以p通道TFT形成電流控制TFT6 1。佴是，亦可以 η通道TFT形成電流控制TFT。 第十…實施例之構成可藉由將其自由的結合第-至第 七，第九，和第十實施例之任一構成而實施。此外，可使 用具有第十一實施之構造之EL顯示裝置當成在第八苡施例 之任一電子設備中之顯示裝置。 第十二實施例 在第十二實施例中，說明圖24所示之圖素構成和圓3 B 所示之電路不同之例。在第十二實施例中，參考數字7 1表 +開關丁FT7 2之源極接線，73爲開關TFT72之閘極接線，74 爲電流控制TFT, 75爲電容，76和78爲電流線，和77爲EL元 件。 電容75使用以η通道TFT形成之電流控制TFT74之閘極電 容（形成在閘電極和LDD區域間之閘極電容）。實贸_的，未提 供電容7 5，且因此以虛線表示。當然，電容可形成不同構 造。 圖2 4 A爲電流線7 6共接在兩圖素問之例。亦即，其特徵 Yi:於兩圖素形成具有繞著電流線7 6線性對稱的特性。在此 例中，可降低電流線之數R，且因此，可製成較高解析度 之圖素部份。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) i 裝-----！訂·1-'1---線· 經濟邹智慧財產局員工消費合作社印制衣 〇 8 283 A7 B7 五、發明說明（61) 再者，圖24B爲電流線78平行閘極接線73而形成之例。 在圖24B中，形成一構造以使電流線78和閘極接線73不重疊 ，似是，假設兩者爲形成在不同層上之接線時，則它們可 形成經由一絕緣膜而重疊。在此例中，吋巾電流線7 8和閘 构接線7 3共用額外表面積，且圖紊部份可η有更高的解析 度。 再者，圖24C之特徵在於電流線78和閘極接線73平行形 成，如同圖24Β之構造，且，兩圖素形成以使繞著電流線78 線性對稱。此外，亦可有效的形成電流線7 8以重疊一閘極 接線7 3。在此例中，可降低電流線之數Η ,且圓素部份η.ί 具有更高的解析度。 第十二實施例之構成可藉由將其自由的結合第一至第 七，第九至第十一·實施例之仟…構成而實施。此外，可使 用具有第十二實施之構造之EL顯示裝置當成在第八實施例 之任一電子設備中之顯示裝置。 第十三實施例 在第十一實施例中，使用Ρ通道TFT當成電流控制TFT61 。使用貝有LDD區域之p通道TFT之例如第卜三實施例所；Ϊ；· 。第十三實施例之電流控制TFT之構造如圖25A所示。 在圓2 5 A中，參考數字8 1表示一源極區域，8 2爲一汲極 區域，8 3爲LD D區域，84爲一通道形成區域，8 5爲·閘極絕 緣膜，8 6爲一閘電極，8 7爲第-中問層絕緣膜，8 8爲…源 極接線，8 9爲汲極接線，和9 0爲第一被動膜。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210x 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ί ^--------訂----------線_ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 64 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 ^ 28 3 a? B7 五、發明說明（62) 在形成第十二實施例之構造之例中，其狀悲爲鬧電極 86經由閘極絕緣膜85重疊LDD區±或83，和閘極胃$#丨炎在# 間。笫卜三15施例之特徵在於使用閘極甫容當成W以維持 電流控制TFT之閘極電壓之電容。 依照第十三實施例之圖素構成例如阊2 5 B所示。在圖 2 5 B屮，參考數字9 1表示一源極接線，9 2爲一汲極接線，9 3 爲開關TFT , 94爲電流控制TFT，95爲以電流控制TFT之閘極 電容所形成之電容，9 6爲E L元件，和9 7爲電流線。 圖25 A之構造爲電流控制TFT之構造和在圖24A中之EL 元件之方向改變之構造。亦即，可形成圖素構成以使W有 如圖24B和24C所示之電路構成。 在形成第十二實施例之電流控制TFT之例屮，需要形成 P通道TFT之LDD區域之方法。但是，用以形成LDD區域83之 定圖樣處理和P型雜質元素之摻雜處理亦可加入第一實施例 之製造方法中。當加入這些處理時，可適當的設定包含在 LDD區域之p型雜質元素之濃度爲1 X 1015辛1 X 101!ί原子/ c rrr (典）¾ 的介於 5 X 1 016 至 5 X 1 01 _+ 原 _ Γ / c m)。 第十=實施例之構成可藉由將Κ Γ丨由的結合第一半第 七，第九至第丨·二實施例之任·構成而實施。此外，可使 用具有第十三實施之構造之EL顯示裝置當成在第八實施例 之任一電P設備屮之顯示裝置。 實施本發明毫無疑問的可執行有機EL材料之膜沉積， 而無在噴墨法中發生之飛行曲線之問題。亦即，由於可正 確的膜沉積高分子有機EL材料，而無位置移位之問題，因 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210* 297公釐） -------；---；---^--------訂---：------線· (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) .468 283 A7 _B7_ 五、發明說明（63) 此可增加使用高分子有機EL材料之EL顯示裝置之生產率= 用 應 式 形 之 占！ ί "1高 以得 中獲 法可 墨， 噴此 在因 同且 如， 非用 fi 應 料式 才形 Li之 E , 機1 有以 ,是 者ITIJ 再， 量 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) --^--------訂---；------線· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐）

Claims (1)

1. 4 6 B 2 8 3 A8 B8 C8 D8 々、申請專利範圍 1-—種EL顯示裝置，包含： 一圖素部份具有多數閘極接線，多數源極接線交叉多 數閘極接線，至少·薄膜電晶體由多數閘極接線和多數源 極接線所圍繞，和EL元件電連接至該薄肢電晶體， 其中該圖素部份包含多數圖素列沿該多數閘極接線分 刮，和 其中多數圖素列包含第一屬素列，其中形成紅色發光 層，第二圖素列，其中形成綠色發光層，和第二圖素列， 其中形成藍色發光層。 2. —種E L顯示裝置，包含： -圖素部份具有多數閘極接線，多數源極接線交义多 數閘極接線，至少一薄膜電晶體由多數閘極接線和多數源 極接線所圍繞，和EL元件電連接至該薄膜電晶體， 其中該圖尜部份包含多數_素列沿該多數源極接線分 割，和 其中多數圖素列包含第一圓素列，其中形成紅色發光 層，第二圖素列，其屮形成綠色發光層，和第厂圖素列， 其中形成藍色發光層。 3. 種EL顯示裝置，包含： •圖素部份具有多數閘極接線，多數源極接線交叉多 數閘極接線，多數觸排提供在該多數閘極接線h ,至少-薄膜電晶體由多數閘極接線和多數源極接線所圍繞，和EL 元件電連接至該薄膜電晶體， K.中該圖素部份包含多數圖素列沿該多數觸排分割， ---------------訂------蜋— - _ (請先閲讀背面之注項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度逋用中國國家棣率（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） -67 - 8 8 8 8 ABCD 4 6 8 283 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 X ，、Λ 申請專利範圍 1 I 和 1 I 其 中 多數圖素列 包 含 第 一 圖 素 列 > 其 中 形 成 紅 色 發 光 1 1 1 層 J 第 — 圖素列，其 中 形 成 綠 色 發 光 屑 > 和 第 圖 素 列 1 1 請 1 1 其 中 形 成 藍色發光層 U 先 聞 1 I 讀 1 4 . -種EL顯示裝 置 ， 包含 I 背 1 | 之 1 —- 圖 素部份具有 多 數 閘 極 接 線 多 數 源 極 接 線 交 叉 多 注 意 1 I 數 閘 極 接 線，多數觸 排 提 供 在 該 多 數 源 極 接 線 上 至 少 — 事 項 再 1 1 1 薄 膜 電 品 體巾多數閘 極 接 線 和 多 數 源 極 接 線 所 園 繞 ， 和 EL % 本 1 -八 元 件 電 連 接至該薄膜' 電 ώ體 頁 1 I 其 中 該圖素部份 包 含 多 數 圖 素 列 沿 該 多 數 觸 排 分 割 1 1 1 和 1 | 其 中 多數圖素列 包 含 第 一 圖 素 列 9 X： 中 形 成 紅 色 發 光 訂 | 1 第 — 圖素列，其 中 形 成 綠 色 發 光 屑 > 和 第 — 圖 素 列 1 1 其 中 形 成 藍色發光層 0 1 1 5. 種EL顯示裝 置 ! 包 含 1 1 一 圖 素部份Μ有 多 數 陰 極 安 排 成 條 紋 狀 1 多 數 陽 極 安 俳 成 條 紋 狀以交义多 數 陰 極 和 多 數 發 光 層 提 供 在 多 數 陽 i [ 極 和 多 數 陰極間， 1 1 其 中 該圖素部份 包 含 多 數 圖 素 列 沿 該 多 數 陰 極 分 割 ， 1 和 1 1 It 中 多數圖素列 包 含 第 一 圖 素 列 Κ 中 形 成 紅 色 發 光 | 層 f Α-/τ- 二 圖素列，其 中 形 成 綠 色 發 光 層 和 第 —* 圖 素 列 J 1 1 | 其 中 形 成 藍色發光層 〇 1 1 I 6. —- 種EL顯示裝 置 J 包含 1 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） _ - 468283 g D8 六、申請專利範圍 (請先閱讀背面之注^^項再填寫本頁) 一圖素部份具有多數陰極安排成條紋狀，多數陽極安 排成條紋狀以交叉多數陰極，多數觸排提供在多數陰極之 間隙中，和多數發光層提供在多數陽極和多數陰極間， Jt中該圖素部份包含多數圖素列沿該多數觸排分割， 和 其中多數圖素列包含第.圖索列，其中形成κ色發光 層，第二圓素列，其中形成綠色發光層，和第二圖素列， 其屮形成藍色發光層。 7 .如申請専利範圍第1項之EL顯示裝置，其中紅色發 光層，綠色發光層，和藍色發光層包含高分子冇機EL材料 j 8.如申請專利範圍第2項之EL顯示裝置，其中紅色發 光層，綠色發光層，和藍色發光層包含高分：Γ有機ELM料 9 -如申請專利範圍第3項之EL顯示裝置，其中紅色發 光層，綠色發光層，和藍色發光層包含高分有機EL材料 經濟部智慧財產局員工消費合作杜印製 1 0 .如申請專利範圍第4項之E L顯示裝置，其中紅色發 光層，綠色發光層，和藍色發光I#包含高分/·有機EL材料 C 1 1.如申請專利範圍第5項之E L顯示裴置，其中紅色發 光層，綠色發光層，和藍色發光Μ包含高分/·有機EL材料 1 2 .如申請專利範圍第6項之EL顯示裝置，Κ中紅色發 -69 - 本紙張尺度適用中國國家揉準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） 68 28 3 λ8 Βδ C8 _____D8 六、申請專利範圍 光層，綠色發光層，和藍色發光層包含高分子有機EL材料 〇 1 3 .如申請專利範鬧第1項之EL顯示裝置，：H：中該EL顯 示裝置安裝在一電子裝置中，該甫子裝置選自巾視頻相機 ，數位相機，魚眼型顯示器，車輛導航系統，音頻冉生裝 置，個人電腦，遊戲設備，和手提資訊終端所組成之群之 -- 〇 14. 如申請專利範圍第2項之EL顯示裝置，其屮該EL顯 不裝置安裝在一電子裝置中，該電子裝置選自由視頻相機 ，數位相機，魚眼型顯示器，車輛導航系統，音頻再生裝 置，個人電腦，遊戲設備，和手提資訊終端所組成之群之 * 15. 如申請專利範圍第3項之：EL顯示裝置，其中該EL顯 不-裝置安裝在一電子裝置中，該電子裝置選自由祝頻相機 ，數位相機，魚眼型顯示器，电輛導航系統，音頻再生裝 置，個人電腦，遊戲設備，和手提資訊終端所組成之群之 -- V 1 6 .如巾請專利範圍第4項之E L顯示裝置，其中該E L顯 示裝置安裝在..電子裝置屮，該電f裝茼選自由祝頻相機 ，數位相機，魚眼型顯示器，車輛導航系統，音頻再生裝 置，個人電腦，遊戲設備，和亍提資訊終端所組成之群之 - 〇 1 7 .如巾請專利範圍第5項之EL顯示裝置，其中該EL顯 示裝置安裝在一電子裝置中，該電子裝置選S丨丨1視頻相機 本紙張尺度逍用中國圃家揉準（CNS > A4规格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注項再填寫本頁} 4° "! 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -70 - 4.68 283 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 ，數位相機，魚眼型顯示器，車輛導航系統，音頻再生裝 置，個人電腦，遊戲設備，和亍提資訊終端所組成之群之 - L, 1 8 .如中請專利範圍笫6項之E L顯示裝直，其中Η亥E L顯 示裝置安裝在一電子裝置中，該電子裝置選自由視頻相機 ，數位相機，魚眼型顯示器，車輛導航系統，音頻肖牛裝 置，個人電腦，遊戲設備，和手提資訊終端所組成之群之 1 9 . 一種EL顯示裝置之製造方法，該EL顯示裝置具有 一圖素部份包含多數閘極接線，多數源極接線交义多數閘 極接線，至少一薄膜電晶體由多數閘極接線和多數源極接 線所圍繞，和EL元件電連接至該薄膜電晶體，該方法包含 之步驟爲： 藉由沿多數閘極接線分割該圖素部份而形成多數闽桌 列；和 在每個圖素列中形成一發光層， 其中該發光層選自巾紅色發光層，綠色發光層，和藍 色發光Μ所組成之群。 20.—種EL顯示裝置之製造方法，該EL顯示裝置具有 -·圖素部份包含多數閘極接線，多數源極接線交义多數閘 極接線，至少 '薄膜電晶體巾多數閘極接線和多數源極接 線所圍繞，和EL兀件電連接至該薄膜電晶體，該方法包含 之步驟爲： 藉由沿多數源極接線分割該Η素部份而形成多數圖素 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（2丨0X297公釐） 农------^------Μ· I (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智蒽財產局員工消費合作社印絮 -71 - Α8 BS C8 D8 468283 夂、申請專利範圍 列；和 在每個圖素列中形成一發光層， 具中該發光Μ選自由紅色發光層，綠色發光層，和藍 色發光層所組成之群。 _2 1 ·…種E L顯不裝置之製造方法，該E L顯示裝置;有 •圖素部份包含多數_極接線，多數源極接線交叉多數問 極接線，多數觸排提供在多數閘極接線丨:._，至少-薄膜電 晶體由多數閘極接線和多數源極接線所圍繞，和E L元件電 連接至該薄膜電晶體，該方法包含之步驟爲： 藉由沿多數觸排分割該圖素部份而形成多數丨勒素列； 和 在每個圖柰列中形成一發光jf , 其中該發光層選自由紅色發光層，綠色發光層，札[_藍 色發光層所組成之群。 22. ·種EL顯示裝置之製造方法，該EL顯示裝置μ有 --圖素部份包含多數閘極接線，多數源極接線交叉多數問 極接線，多數觸排提供在多數源極接線上，至少一薄m .電 晶體巾多數閘極接線和多數源極接線所圍繞，和E L元件-.¾ 迚接至該薄膜電晶體，該方法包含之步驟爲： 藉由沿多數觸排分割該圖素部份而形成多數圖素列； 和 在每個圖素列中形成一發光層， 其中該發光層選自由紅色發光層，綠色發光層，和g 色發光層所組成之群。 本紙張尺度適用中围國家揉準（CNS ) A4規格（210Χ297公釐） ----------」乂------訂------砷 I {請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 κ、申請專利範圍 23. —種EL顯示裝置之製造方法，該EL顯示裝置具存 -圖素部份包含多數陰極安排成條紋狀，多數陽極安排成 條紋狀以交叉多數陰極，和多數發光層提供在多數陽極和 多數陰極間s該方法包含之步驟爲： 藉巾沿多數陰極分割該圖素部份以形成多數圖素列； 和 在每個圖素列中形成發光層， 其中該發光層選自由紅色發光層，綠色發光層，和藍 色發光層所組成之群。 2 4 . —種E L顯示裝置之製造方法，該E L顯示裝置>4存 --圖素部份包含多數陰極安排成條紋狀，多數陽極安排成 條紋狀以交父多數陰極，多數觸排提供在多數陰極之問隙 中，和多數發光層提供在多數陽極和多數陰極間，該方法 包含之步驟爲 藉由沿多數觸排分割該圖素部份以形成多數Μ素列； 和 在每個圖素列中形成發光層， 其中該發光層選自由紅色發光層，綠色發光層，和藍 色發光層所組成之群。 25.如申請專利範圍第19項之EL顯示裝置之製造方？去 ，其中紅色發光屑，綠色發光層，和藍色發光層包含高分 子哲機EL材料。 2 6 .如申請專利範圍第2 〇項之E L顯示裝置之製造方法 ，其中紅色發光層，綠色發光層，和藍色發光層包含尚分 本紙張尺度適用中國圃家標準（CNS > A4規格（210X297公釐） · 73 _ ------r----/------^ (請先聞讀背面之注意Ϋ項再填寫本頁) 3 B 2 B 6 Λ ABCD 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 六、申請專利範圍 子有機EL材料。 27 ·如申誚專利範圍第2丨項之el顯示裝置之製造方法 ，其中紅色發光層，綠色發光層，和藍色發光層包含高分 子有機EL材料。 28，如中請專利範圍第22項之EL顯示裝置之製造方法 ，其屮紅色發光層，綠色發光層，和藍色發光層包食卨分 子有機EL材料。 29. 如巾請專利範園第23項之EL顯示裝置之製造方法 ，其中紅色發光層，綠色發光層，和藍色發光層包含高分 子有機EL材料。 30. 如申請專利範圍第24項之EL顯示裝置之製造方法 ,其屮紅色發光屑，綠色發光層，和藍色發光層包含高分 T-有機EL材料。 3 1 .如申請専利範圍第1 9項之EL顯示裝匿之製造方;:去 ，其中該方法進一步包含同時從分離噴嘴釋放變成紅色發 光層之紅色發光層應用液體，變成綠色發光層之綠色發光 j曾應用液體，和變成藍色發光層之藍色發光層應用液體， 和對所釋放之紅色發光層應用液體，綠色發光層應用 '液體 ，和藍色發光層應用液體執行熱處理。 3 2 .如申請專利範圍第2 0項之E L顯示裝置之製造力？+去 ，其屮該方法進一步包含同時從分離噴嘴釋放變成紅色發 光層之紅色發光層應用液體，變成綠色發光層之綠色發光 層應用液體，和變成藍色發光層之藍色發光層應用液體’ 和對所釋放之紅色發光層應用液體，綠色發光曆應用液體 (請先閱讀背面之注意事項存填寫本頁) 本紙張尺度逋用中困圃家梂準（CNS) Α4規格（210x297公釐） -74 - 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 468283 D8六、申請專利範圍 ，和藍色發光層應用液體執行熱處理。 3 3 .如巾請專利範圍第2 1項之EL顯示裝置之製造方法 ，其中該方法進一步包含同時從分離噴嘴釋放變成紅色發 光屑之紅色發光Μ應用液體，變成綠色發光Μ之綠色發光 j#應用液體，和變成藍色發光層之藍色發光層應用液體， 和對所釋放之紅色發光層應用液體，綠色發光層應用液體 ，和藍色發光層應用液體執行熱處理。 34. 如申請專利範圍第22項之EL顯示裝置之製造方法 ，其中該方法進-·步包含同時從分離噴嘴釋放變成紅色發 光層之紅色發光層應用液體，變成綠色發光層之綠色發光 Μ應用液體，和變成藍色發光層之藍色發光層應用液體， 和對所釋放之紅色發光層應用液體，綠色發光層應用液體 ,和藍色發光層應用液體執行熱處理。 35. 如中請專利範圍第23項之EL顯示裝置之製造力·法 ，其中該方法進一步包含同時從分離噴嘴釋放變成紅色發 光層之紅色發光層應用液體，變成綠色發光層之綠色發光 層應用液體，和變成藍色發光層之藍色發光層應用液.體， 和對所釋放之紅色發光層應用液體，綠色發光層應用液體 ，和藍色發光層應用液體執行熱處理。 3 6 .如申請專利範_第2 4項之E L顯示裝置之製造方法 ，其屮該方法進一步包含同時從分離噴嘴釋放變成紅色發 光層之紅色發光層應用液體，變成綠色發光層之綠色發光 層應用液體，和變成藍色發光層之藍色發光屑應用液體， 和對所釋放之紅色發光層應用液體，綠色發光層應用液體 (請先W讀背面之注$項再填寫本頁) 本紙張尺度逋用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） -75- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 〇Β B* D8六、申請專利範圍 ，和藍色發光屙應用液體執行熱處理。 37. 如申請專利範圍第19項之EL顯示裝置之製造方法 ,其屮至少該紅色發光層，綠色發光層，和藍色發光層之 一藉由對從噴嘴釋放之應用液體執行熱處理而形成，且剩 餘之發光層藉由選自以旋轉塗覆方法，印刷方法，和蒸鍍 方法所組成之群之一方法而形成。 38. 如申請專利範圍第20項之EL顯示裝置之製造方法 ，其中至少該紅色發光層，綠色發光層，和藍色發光Μ之 -藉由對從噴嘴釋放之應用液體執行熱處理而形成，且剩 餘之發光層藉由選自以旋轉塗覆方法1印刷方法，和蒸鍍 方法所組成之群之一方法而形成。 39. 如申請專利範圍第21項之EL顯不裝置之製造力法 ，其中至少該紅色發光層，綠色發光層，和藍色發光層之 一藉肉對從噴嘴釋放之應用液體執行熱處理而形成，且剩 餘之發光層藉由選自以旋轉塗覆方法，印刷方法，和蒸鍍 方法所組成之群之一方法而形成。 40. 如申請專利範圍第22項之EL顯示裝置之製造方法 .Κ中至少該紅色發光層，綠色發光層，和藍色發光屑之 一籍由對從噴嘴釋放之應用液體執行熱處理而形成，且剩 餘之發光層藉由選自以旋轉塗覆方法，印刷方法，和蒸鍍 方法所組成之群之-·方法而形成。 4 1.如申請專利範圍第23項之EL顯示裝匿之製造方法 ，其中至少該紅色發光層，綠色發光層1和藍色發光丨W之 一藉由對從噴嘴釋放之應用液體執行熱處理而形成，K剩 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標率（CNS ) A4規格（210X；297公釐） -76 - Α8 Β8 C8 D8 46 8 283 六、申請專利範圍 餘之發光層藉由選自以旋轉塗覆方法，印刷方法，和蒸鍍 方法所組成之群之一方法而形成。 4 2 .如申誧專利範圍第24項之EL顯示裝置之製造方法 ’其中至少該紅色發光層，綠色發光層，和藍色發光層之 一藉由對從噴嘴釋放之應用液體執行熱處理而形成，且剩 餘之發光Μ藉由選自以旋轉塗覆方法，印刷方法，和蒸鍍 力法所組成之群之一方法而形成。 4 3 .-·種EL顯示裝置之形成方法，包含之步驟爲： 形成- ' 圖素部份，具有至少兩相鄰圖素在基底丨二； 和 . 在對應於該基底移動一散佈器時，從該散佈器連續提 供·發光層應用在兩相鄰圖素中， 其中該發光層應用選β以紅色發光層應用，綠色發光 層應用，和藍色發光層應用所組成之群之一. 4 4 .如中請專利範圍第4 3項之E L顯示裝置之形成方法 ，其屮該方法進一步包含執行熱處理以形成—發光層。 4 5 · —種EL顯不裝置之形成方法，包含之步驟爲： 形成-圖素部份，具有至少-圖素列在基底上； 在對應於該基底移動一散佈器時，從該散佈器連續提 供·發光層應用在該圖素列中， 其中該發光層應用選β以紅色發光層應用，綠色，發光 層應用，和藍色發光層應用所組成之群之··。 46.如申請專利範圍第45項之EL顯示裝置之形成$ $ ，其中該方法進一步包含執行熱處理以形成一發光屑。 本紙張尺度適用中國國家揉準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ,ιτ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製