KR101941615B1 - 중앙 콘택 및 향상된 열적 특성을 갖는 향상된 적층형 마이크로전자 조립체 - Google Patents
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- H01L2224/32153—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being arranged next to each other, e.g. on a common substrate
- H01L2224/32175—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being arranged next to each other, e.g. on a common substrate the item being metallic
- H01L2224/32188—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being arranged next to each other, e.g. on a common substrate the item being metallic the layer connector connecting to a bonding area protruding from the surface of the item
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- H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
- H01L2224/491—Disposition
- H01L2224/4911—Disposition the connectors being bonded to at least one common bonding area, e.g. daisy chain
- H01L2224/49111—Disposition the connectors being bonded to at least one common bonding area, e.g. daisy chain the connectors connecting two common bonding areas, e.g. Litz or braid wires
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
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- H01L2924/153—Connection portion
- H01L2924/1531—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface
- H01L2924/15311—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface being a ball array, e.g. BGA
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- H01L2924/151—Die mounting substrate
- H01L2924/153—Connection portion
- H01L2924/1532—Connection portion the connection portion being formed on the die mounting surface of the substrate
- H01L2924/1533—Connection portion the connection portion being formed on the die mounting surface of the substrate the connection portion being formed both on the die mounting surface of the substrate and outside the die mounting surface of the substrate
- H01L2924/15331—Connection portion the connection portion being formed on the die mounting surface of the substrate the connection portion being formed both on the die mounting surface of the substrate and outside the die mounting surface of the substrate being a ball array, e.g. BGA
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Abstract
마이크로전자 조립체는, 서로 반대 방향을 향하는 제 1 면과 제 2 면, 상기 제 1 면과 상기 제 2 면 사이에서 연장되는 하나 이상의 개구, 및 전기 전도성 요소를 갖는 유전체 요소(dielectric element); 후면과 상기 유전체 요소의 제 1 면에 면하는 앞면, 제 1 에지, 및 상기 앞면에 노출되는 복수의 콘택(contact)을 갖는 제 1 마이크로전자 요소(microelectronic element); 후면과 상기 제 1 마이크로전자 요소의 후면에 면하는 앞면, 상기 제 1 마이크로전자 요소의 제 1 에지를 넘어 연장되고 상기 유전체 요소의 제 1 면으로부터 이격되는 상기 앞면의 돌출부, 및 상기 앞면의 돌출부에서 노출되는 복수의 콘택을 갖는 제 2 마이크로전자 요소; 상기 마이크로전자 요소들의 컨택들로부터 상기 하나 이상의 개구를 통해 상기 전도성 요소의 적어도 일부까지 연장되는 리드(lead); 및 상기 제 1 마이크로전자 요소 및 상기 제 2 마이크로전자 요소 중 적어도 하나에 열적으로 연결되는 열 분산기(heat spreader)를 포함한다.
Description
본 출원은, 2010년 10월 19일에 출원된 미국 출원 제 12/907,522호의 계속 출원으로서 이에 대한 우선권을 주장하며, 그 출원의 내용은 원용에 의해 본 명세서에 포함된다.
본 발명은 적층형 마이크로전자 조립체 및 이를 제조하는 방법과, 이러한 조립체에 사용할 수 있는 소자에 관한 것이다.
반도체 칩은 일반적으로 개별의 패키지화된 유닛으로서 제공된다. 표준 칩은, 칩의 내부 회로에 연결되는 콘택(contact)을 갖는 대형의 앞면(front face)을 포함하는 평평한 직사각형의 본체를 구비한다. 개별의 칩은 통상적으로 패키지에 실장되며, 패키지는 인쇄회로기판과 같은 회로 패널 상에 실장되고, 칩의 콘택을 회로 패널의 도체에 연결한다. 많은 종래의 설계에서, 칩 패키지는 회로 패널에서 칩 자체의 면적보다 훨씬 큰 영역을 차지한다. 앞면을 갖는 플랫(flat) 칩과 관련하여 본 개시에서 사용되는, "칩의 영역(면적)"은 앞면의 영역(면적)을 의미하는 것으로 이해하여야 한다. "플립 칩(flip chip)" 설계에서, 칩의 앞면은 패키지 기판, 즉, 칩 캐리어의 면과 맞닿고, 칩 상의 콘택은 솔더 볼(solder ball)이나 다른 연결 요소에 의해 칩 캐리어의 콘택에 직접 본딩된다. 그 결과, 칩 캐리어는 칩의 앞면 위에 배치되는 단자를 통해 회로 패널에 본딩될 수 있다. "플립 칩" 설계는 비교적 소형의 배치를 제공하며; 각각의 칩은 회로 패널에서 칩 앞면의 영역과 동일하거나 이보다 약간 큰 영역을 차지하는데, 이에 대해서는, 예를 들어, 공동 양도된 미국 특허 제 5,148,265호; 제 5,148,266호; 및 제 5,679,977호의 관련 실시예에 개시되어 있으며, 이것들의 내용은 원용에 의해 본 명세서에 포함된다.
일부 획기적인 실장 기술은 종래의 플립 칩 본딩(flip chip bonding)과 유사하거나 동일한 소형화(compactness) 방식을 제공한다. 칩 자체의 면적과 동일하거나 이보다 약간 큰 회로 패널의 영역에 단일의 칩을 수용할 수 있는 패키지를 일반적으로 "칩 사이즈 패키지(chip-sized package)"라고 한다.
마이크로전자 조립체가 차지하는 회로 패널의 평평한 영역을 최소화하는 것 외에, 회로 패널의 평면에 대하여 직각을 이루는 전체 높이 또는 치수가 작은 칩 패키지를 생산하는 것이 바람직하다. 이러한 박형의 마이크로전자 패키지에 의하면, 그 내부에 패키지가 실장되어 있는 회로 패널을 이웃하는 구조체에 매우 근접하게 배치하여 회로 패널을 포함하는 제품의 전체 크기를 생성하게 된다. 단일의 패키지 또는 모듈에 복수의 칩을 제공하기 위해 여러 가지 제안이 제기되고 있다. 종래의 "멀티 칩 모듈(multi-chip module)"에 있어서, 칩은 단일의 패키지 기판상에 나란하게 실장되고, 이 패키지 기판이 회로 패널에 설치될 수 있다. 이러한 방법에 의하면, 칩이 차지하는 회로 패널의 전체 영역이 제한적으로만 축소된다. 전체 영역은 모듈에서의 개별 칩의 전체 표면 영역보다 훨씬 더 크다.
또한, 복수의 칩을 "적층형(stack) 배치구성"으로 패키지화하는 방식, 즉, 하나의 칩 위에 다른 칩을 적층해서 복수의 칩을 배치하는 방식이 제안되었다. 이러한 적층형 배치구성에서는, 여러 개의 칩을 칩의 전체 영역보다 작은 회로 패널의 영역에 실장할 수 있다. 일부 적층형 칩 배치구성은, 예를 들어, 앞서 언급한 미국 특허 제 5,679,977호; 제 5,148,265호; 및 제 5,347,159호의 관련 실시예에 개시되고 있으며, 이것들의 내용은 원용에 의해 본 명세서에 포함된다. 미국 특허 제 4,941,033호에는, 하나의 칩 위에 다른 칩을 적층하고 칩과 관련된 소위 "배선 막(wiring film)" 상의 도체에 의해 서로 상호연결되는 배치구성이 개시되고 있으며, 이러한 내용은 원용에 의해 본 명세서에 포함된다.
본 기술 분야의 이러한 노력에도 불구하고, 칩의 중앙 영역에 실질적으로 배치되는 콘택을 구비하는 칩을 위한 멀티 칩 패키지에 대한 개선이 필요하다. 메모리 칩과 같은 일부 반도체 칩은 일반적으로, 실질적으로 칩의 중심축을 따라 콘택을 하나 또는 두 개의 열로 배치해서 형성한다.
마이크로전자 조립체는, 서로 반대 방향을 향하는 제 1 면과 제 2 면, 상기 제 1 면과 상기 제 2 면 사이에서 연장되는 하나 이상의 개구, 및 전기 전도성 요소를 갖는 유전체 요소(dielectric element); 후면과 상기 유전체 요소의 제 1 면을 향하는 앞면, 제 1 에지, 및 상기 앞면에 노출되는 복수의 콘택(contact)을 갖는 제 1 마이크로전자 요소(microelectronic element); 후면과 상기 제 1 마이크로전자 요소의 후면을 향하는 앞면, 상기 제 1 마이크로전자 요소의 제 1 에지를 넘어 연장되고 상기 유전체 요소의 제 1 면으로부터 이격되는 상기 앞면의 돌출부, 및 상기 앞면의 돌출부에서 노출되는 복수의 콘택을 갖는 제 2 마이크로전자 요소; 상기 마이크로전자 요소의 컨택으로부터 상기 하나 이상의 개구를 통해 상기 전도성 요소의 적어도 일부까지 연장되는 리드(lead); 및 상기 제 1 마이크로전자 요소 및 상기 제 2 마이크로전자 요소 중 적어도 하나에 열적으로 연결되는 열 분산기(heat spreader)를 포함한다.
도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 적층형 마이크로전자 조립체를 개략적으로 나타낸 입단면도이다.
도 2는 도 1의 적층형 조립체의 저면도이다.
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 적층형 마이크로전자 배치구성을 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 적층형 마이크로전자 조립체를 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 5는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 적층형 마이크로전자 조립체를 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 6은 본 발명의 일실시예에 따른 적층형 마이크로전자 조립체를 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 7은 본 발명의 일실시예에 따른 시스템을 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 2는 도 1의 적층형 조립체의 저면도이다.
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 적층형 마이크로전자 배치구성을 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 적층형 마이크로전자 조립체를 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 5는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 적층형 마이크로전자 조립체를 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 6은 본 발명의 일실시예에 따른 적층형 마이크로전자 조립체를 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 7은 본 발명의 일실시예에 따른 시스템을 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 일실시예에 따른 적층형 마이크로전자 조립체(10)는, 제 1 마이크로전자 요소(12)와 제 2 마이크로전자 요소(14)를 포함한다. 일부 실시예에서, 제 1 및 제 2 마이크로전자 요소(12, 14)는 반도체 칩이나 웨이퍼 등일 수 있다.
제 1 마이크로전자 요소(12)는 앞면(16), 앞면과 이격되어 있는 뒷면(18) 및 앞면과 뒷면 사이에서 연장되는 제 1 에지(edge)(27)와 제 2 에지(29)를 포함한다. 제 1 마이크로전자 요소(12)의 앞면(16)은, 제 1 및 제 2 단부 영역(15, 17)과 제 1 및 제 2 단부 영역(15, 17) 사이에 위치한 중앙 영역(13)을 포함한다. 제 1 단부 영역(15)은 중앙 영역(13)과 제 1 에지(27) 사이에서 연장되고, 제 2 단부 영역(17)은 중앙 영역(13)과 제 2 에지(29) 사이에서 연장된다. 전기 콘택(electrical contact)(20)이 제 1 마이크로전자 요소(12)의 앞면(16)에서 노출된다. 본 개시에서 사용될 때, 전기 전도성 요소가 구조체의 표면에서 "노출"된다는 표현은 전기 전도성 요소가 구조체의 외부로부터 표면을 향해 표면에 직각인 방향으로 이동하는 이론적인 점과 접촉할 수 있게 된다는 의미이다. 그러므로, 구조체의 표면에서 노출되는 단자 또는 기타 전도성 요소는 이러한 표면으로부터 돌출되거나; 표면과 동일한 높이를 갖거나; 또는 표면에 대해 우묵 들어가게 형성되어, 구조체에서의 홀(hole) 또는 오목부(depression)를 통해 노출될 수 있다. 제 1 마이크로전자 요소(12)의 콘택(20)은 중앙 영역(13) 내에 앞면(16)에서 노출된다. 예를 들어, 콘택(20)은 앞면(16)의 중앙에 인접하여 하나 또는 두 개의 평행한 열로 배치될 수 있다.
제 2 마이크로전자 요소(14)는 앞면(22), 앞면과 이격되어 있는 뒷면(24) 및 앞면과 뒷면 사이에서 연장된 제 1 에지(35)와 제 2 에지(37)를 포함한다. 제 2 마이크로전자 요소(14)의 앞면(22)은, 제 1 및 제 2 단부 영역(21, 23)과 제 1 및 제 2 단부 영역(21, 23) 사이에 위치한 중앙 영역(19)을 포함한다. 제 1 단부 영역(21)은 중앙 영역(19)과 제 1 에지(35) 사이에서 연장되고, 제 2 단부 영역(23)은 중앙 영역(19)과 제 2 에지(37) 사이에서 연장된다. 전기 콘택(26)이 제 2 마이크로전자 요소(14)의 앞면(22)에서 노출된다. 제 2 마이크로전자 요소(14)의 콘택(26)은 중앙 영역(19) 내에 앞면(22)에서 노출된다. 예를 들어, 콘택(26)은 앞면(22)의 중앙에 인접하여 하나 또는 두 개의 평행한 열로 배치될 수 있다.
도 1에 도시된 바와 같이, 제 1 및 제 2 마이크로전자 요소(12, 14)는 서로에 대해서 적층된다. 일부 실시예에서, 제 2 마이크로전자 요소(14)의 앞면(22)와 제 1 마이크로전자 요소(12)의 뒷면(18)은 서로 면하고 있다. 제 2 마이크로전자 요소(14)의 제 2 단부 영역(23)의 적어도 일부는, 제 1 마이크로전자 요소(12)의 제 2 단부 영역(17)의 적어도 일부 위에 위치한다. 제 2 마이크로전자 요소(14)의 중앙 영역(19)의 적어도 일부는, 제 1 마이크로전자 요소(12)의 제 2 에지(29)를 넘어 연장된다. 나아가, 제 2 마이크로전자 요소(14)의 부분(43)은 제 1 마이크로전자 요소(12)의 제 2 에지(29)를 넘어 연장된다. 따라서, 제 2 마이크로전자 요소(14)의 콘택(26)은, 제 1 마이크로전자 요소(12)의 제 2 에지(29)를 넘어선 위치에 배치된다.
마이크로전자 조립체(10)는, 서로 반대 방향을 향하는 제 1 면(32)과 제 2 면(34)를 갖는 유전체 요소(30)를 더 포함한다. 도 1에서는 한 개의 유전체 요소(30)만이 도시되고 있지만, 마이크로전자 조립체(10)는 둘 이상의 유전체 요소를 포함할 수 있다. 하나 이상의 전기 전도성 요소 또는 단자(36)가 유전체 요소(30)의 제 1 면(32)에서 노출된다. 이러한 단자(36) 중 적어도 일부는 제 1 및/또는 제 2 마이크로전자 요소(12, 14)에 대하여 이동이 가능할 수 있다.
유전체 요소(30)는 하나 이상의 개구를 더 포함할 수 있다. 도 1에 나타낸 실시예에서는, 유전체 요소(30)는, 제 1 마이크로전자 요소(12)의 중앙 영역(13)과 실질적으로 정렬되는 제 1 개구(33) 및 제 2 마이크로전자 요소(14)의 중앙 영역(19)과 실질적으로 정렬되는 제 2 개구(39)를 포함함으로써, 콘택(20, 26)에 대한 액세스를 제공할 수 있다.
도 1에 나타낸 바와 같이, 유전체 요소(30)는 제 1 마이크로전자 요소(12)의 제 1 에지(27)와 제 2 마이크로전자 요소(14)의 제 2 에지(35)를 넘어 연장될 수 있다. 유전체 요소(30)의 제 2 면(34)은 제 1 마이크로전자 요소(12)의 앞면(16)과 평행하게 배치(juxtapose)될 수 있다. 유전체 요소(30)는 부분적으로 또는 전체적으로 임의의 적절한 유전체 재료로 형성될 수 있다. 예를 들어, 유전체 요소(30)는 폴리이미드, BT 레진 또는 테이프 자동 본딩(tape automated bonding, TAB) 테이프를 만드는데에 일반적으로 사용되는 기타 유전체 물질로 된 층과 같은 플렉서블한 재료로 된 층을 포함한다. 이와 달리, 유전체 요소(30)는, 비교적 강성의 보드형 재료, 예를 들어, Fr-4 또는 Fr-5 기판 등의, 섬유 강화 에폭시로 된 두꺼운 층과 같은 재료를 포함할 수 있다. 사용되는 재료에 상관없이, 유전체 요소(30)는 유전체 재료로 된 단일 층 또는 다층으로 이루어질 수 있다.
유전체 요소(30)는 제 1 면(32)상에 노출되는 전기 전도성 요소(40)와 전기 전도성 트레이스(42)를 더 포함할 수 있다. 전기 전도성 트레이스(42)를 통해, 전기 전도성 요소(40)가 단자(36)에 전기적으로 연결된다.
접착층(adhesive layer)과 같은 간격 또는 지지요소(31)가, 제 2 마이크로전자 요소(14)의 제 1 단부 영역(21)과 유전체 요소(30)의 일부분 사이에 배치될 수 있다. 간격 층(31)이 접착제를 포함하는 경우, 접착제를 통해, 제 2 마이크로전자 요소(14)가 유전체 요소(30)에 연결된다. 다른 간격 층(60)이, 제 2 마이크로전자 요소(14)의 제 2 단부 영역(23)과 제 1 마이크로전자 요소(12)의 제 2 단부 영역(17) 사이에 배치될 수 있다. 이러한 간격 층(60)은, 제 1 마이크로전자 요소(12)와 제 2 마이크로전자 요소(14)를 서로 본딩시키기 위해 접착제를 포함할 수 있다. 이 경우, 간격 층(60)은 부분적으로 또는 전체적으로 다이 부착용 접착제(die-attach adhesive)로 이루어지거나, 실리콘 엘라스토머(silicone elastomer)와 같은 낮은 탄성 계수의 재료로 이루어질 수 있다. 하지만, 간격 층(60)은, 2개의 마이크로전자 요소(12, 14)가 동일한 재료로 형성되는 종래의 칩인 경우에, 부분적으로 또는 전체적으로 높은 탄성 계수의 접착제 또는 솔더(solder)의 얇은 층으로 형성될 수 있는데, 이것은 마이크로전자 요소가 온도 변화에 따라 함께 팽창 및 수축하는 경향이 있기 때문이다. 사용되는 재료에 상관없이, 간격 층(31, 60)은 단일 층 또는 다층으로 구성될 수 있다.
도 1 및 도 2에 나타낸 바와 같이, 전기 연결부(connection) 또는 리드(lead)(70)를 통해, 제 1 마이크로전자 요소(12)의 콘택(20)이 유전체 요소(30) 상의 일부 전기 전도성 요소(40)에 전기적으로 연결된다. 전기 연결부(70)는, 제 1 마이크로전자 요소(12)의 콘택과 전도성 요소(40)를 전기적으로 연결하는 복수의 와이어 본드(72, 74)를 포함할 수 있다. 와이어 본드(72, 74)는 제 1 개구(33)를 통해 연장되며, 서로에 대해 실질적으로 평행하다. 와이어 본드(72, 74) 각각은 콘택(20)을 유전체 요소의 대응하는 전도성 요소(40)에 전기적으로 연결한다. 본 실시예에 따른 다중 와이어 본드 구조체는, 연결된 콘택들 사이에서 전류가 흐르도록 하는 추가 경로를 제공함으로써 와이어 본드 연결체의 인덕턴스(inductance)를 실질적으로 감소시킬 수 있다.
다른 전기 연결부 또는 리드(50)는 제2 마이크로전자 요소(14)의 콘택(26)을 일부 전도성 요소(40)에 전기적으로 연결한다. 전기 연결부(50)는, 제 2 마이크로 전자요소(14)의 콘택과 전도성 요소(40)를 전기적으로 연결하는 복수의 와이어 본드(52, 54)를 포함할 수 있다. 와이어 본드(52, 54)는 제2 개구(39)를 통해 연장되어 있으며, 서로에 대해 실질적으로 평행하다. 와이어 본드(52, 54) 모두는 콘택(26)을 유전체 요소(30)의 대응하는 전도성 요소(40)에 전기적으로 연결한다. 본 실시예에 따른 다중 와이어 본드 구조체는, 연결된 콘택들 사이에서 전류가 흐르도록 하는 추가 경로를 제공함으로써 와이어 본드 접속체의 인덕턴스를 실질적으로 감소시킬 수 있다.
마이크로전자 조립체(10)는, 적어도 제 1 마이크로전자 요소(12)와 제 2 마이크로전자 요소(14)를 커버하는 오버몰드(overmold)(11)를 더 포함한다. 도 1에 나타낸 바와 같이, 오버몰드(11)는 또한, 제 1 마이크로전자 요소(12)의 제 1 에지(27)와 제 2 마이크로전자 요소(14)의 제 1 에지(35)를 넘어 연장되는 유전체 요소(30)의 일부분을 커버한다.
도 3은, 적어도 2개의 적층되고 전기적으로 상호연결되는 마이크로전자 조립체(900)를 포함하는 구조체(1000)를 나타낸다. 마이크로전자 조립체(900A, 900B)는 앞서 설명한 조립체들 중 하나가 될 수 있다. 마이크로전자 조립체 중 하나 이상의 마이크로전자 조립체는, 자신의 단자에 부착되는 전도성 결합 유닛(conductive joiniing unit)을 포함하는데, 이와 같은 결합 유닛에는 솔더 볼(solder ball)(981) 또는 기타 일정량의 본드(bond) 및 금속, 예를 들어, 주석(tin), 인듐(indium) 또는 이것들의 조합물이 있다. 2개의 마이크로전자 조립체(900)는 임의의 적절한 전기 전도성 연결부를 통해 서로 전기적으로 연결된다. 예를 들어, 이러한 마이크로전자 조립체는, 각각의 마이크로전자 요소의 유전체 요소(930A, 930B) 상의 패드(도시 안 됨)에 결합되는 솔더 컬럼(solder column)(990)을 통해 서로 전기적으로 연결될 수 있다. 도 3에 나타낸 특정 실시예에서, 전기 전도성 포스트(992)와 솔더(994)는 2개의 마이크로전자 조립체(900A, 900B)를 전기적으로 상호연결하는 데에 사용될 수 있다. 포스트(992)는 제 1 조립체 및 제 2 조립체 중 하나로부터 다른 하나를 향해 연장될 수 있거나, 2개의 조립체 상에 제공되는 포스트는 서로를 향해 연장될 수 있다.
도 3을 계속 참조하면, 열 분산기(heat spreader)(970)은, 적층형 마이크로 전자 조립체의 배치 내에서 열을 균일하게 분산시키는데 도움을 주도록 제 1 및 제 2 마이크로전자 조립체(900A, 900B) 사이에 배치될 수 있다. 또한, 열 분산기(970)는 주변 환경으로의 방열성(heat dissipation)을 향상시킬 수 있다. 열 분산기는 부분적으로 또는 전체적으로 임의의 적절한 열 전도성 재료로 형성될 수 있다. 적절한 열 전도성 재료의 예로는, 금속, 흑연, 열 전도성 접착제, 예컨대, 열 전도성 에폭시 등의, 또는 솔더 등, 또는 이런 재료들의 조합물을 들 수 있지만, 이것들에 한정되지 않는다. 일예에서, 열분산기는 실질적으로 연속적인 금속 시트일 수 있다. 특정 실시예에서, 금속 또는 다른 열 전도성 재료로부터 미리 형성된 열 분산기(970)는, 예를 들어, 열 전도성 접착제 또는 열 전도성 그리스(grease)와 같은 열 전도성 재료를 사용하여 제 2 마이크로전자 조립체(900B)의 유전체 요소(930B)의 앞면(932B)에 부착되거나 이것 상에 배치될 수 있다. 접착제는, 존재한다면, 열 분산기와 마이크로전자 요소 또는 이것에 부착되는 유전체 요소 사이의 상대적인 이동을 허용하는 유연한(compliant) 재료일 수 있는데, 이것은, 예를 들어, 유연하게 부착되는 요소들 사이의 열적 팽창의 격차를 수용하기 위함이다. 열 분산기(970)는 모노리스식 구조체(monolithic sructure)일 수 있고, 유전체 요소(930B)의 개구(933B, 939B)와 각각 실질적으로 정렬되는 하나 이상의 개구(972, 974)를 포함할 수 있다. 일실시예에서, 열 분산기(970)의 개구(972, 974)의 각각은, 유전체 요소(930B)의 개구(933B) 또는 개구(939B)를 커버하는 봉지재(encapsulant)(980B 또는 982B)를 수용하기 적절한 크기로 형성될 수 있다. 이와 달리, 열 분산기(970)는 서로 이격된 복수의 분산부(spreader portion)를 포함할 수 있다. 이와 달리, 도시되지는 않았지만, 열 분산기(970)는, 마이크로전자 조립체(900A)의 제 2 마이크로전자 요소(914A)의 후면(924A), 또는 마이크로전자 조립체(900A)의 제 1 마이크로전자 요소(912A)의 후면(918A), 또는 마이크로전자 요소(912A, 914A)의 후면들 모두에 부착될 수 있다. 특정 실시예에서, 열 분배기는 제 1 및 제 2 마이크로전자 요소(912A, 914A) 중 하나 이상의 마이크로전자 요소의 후면의 적어도 일부분에 직접 결합되는 솔더 층이거나 이러한 솔더 층을 포함할 수 있다.
본 명세서에서 설명되는 실시예 중 임의의 실시예에서, 마이크로전자 조립체는, 마이크로전자 조립체의 다른 위치에 배치되는 열 분산기를 추가로 포함할 수 있다.
도 4는, 전술한 바와 같이, 적어도 제 2 마이크로전자 요소(1214)의 후면(1224)에 부착되는 열 분산기(1280)를 포함하는 마이크로전자 조립체(1200)를 나타낸다. 열 분산기(1280)는 제 2 마이크로전자 요소(1214)의 전체 후면(1224)과의 열 전도가 가능할 수 있고, 제 2 마이크로전자 요소(1214)의 제 1 에지(1235) 및 제 2 에지(1237)를 넘어 연장될 수 있다. 지지요소(1290)가 실리콘 또는 임의의 기타 적절한 재료로 형성될 수 있고, 제 1 마이크로전자 요소(1212)의 제 1 단부 영역(1215)과 열 분산기(1280) 사이에 배치될 수 있다. 지지요소는 열 전도성 재료로부터 형성될 수 있는데, 이와 같은 열 전도성 재료에는, 금속, 금속 충진된 폴리머 재료, 예를 들어, 전도성 에폭시 등, 흑연, 접착제, 솔더, 또는 조립체 내에서와 조립체와 환경 사이에서의 열 전도성 및 방열성을 향상시키는데 적합한 임의의 재료를 들 수 있다.
다른 지지요소(1292)가 유전체 요소(1230)와 제 2 마이크로전자 요소(1214)의 제 1 단부 영역(1221) 사이에 배치될 수 있다. 지지요소(1292)는 부분적으로 또는 전체적으로 실리콘으로 형성될 수 있다. 열 분산기(1280)는 제 1 마이크로전자 요소(1212)의 제 1 에지(1227) 및 제 2 에지(1229)를 넘어 연장될 수 있다. 전술한 바와 같이, 열 분산기(1280)는 부분적으로 또는 전체적으로 금속, 흑연, 또는 임의의 다른 적절한 열 전도성 재료로 형성될 수 있고, 유연성을 가질 수 있는 열 전도성 접착제 또는 열 전도성 그리스를 통해 조립체의 다른 부분에 부착될 수 있거나 이 부분과의 열전도가 가능할 수 있다. 일실시예에서, 특히, 마이크로전자 요소가 한가지 유형의 반도체 재료, 예를 들어, 실리콘을 필수적으로 포함하는 경우, 지지요소(1290, 1292)는 동일한 반도체 재료를 포함할 수 있다.
열 분산기(1280)에 추가하여, 마이크로전자 조립체(1200)는 하나 이상의 열 전도성 볼(1282, 1284)을 포함할 수 있다. 열 전도성 볼(1282, 1284)은 일반적으로 솔더로부터 형성되나, 참조번호 "1283"으로 나타내는, 구리 포스트(post) 또는 구리 볼과 같은 열 전도성 금속으로 된 코어(core)를 포함할 수 있다. 열 전도성 볼(1282)은, 제 1 마이크로전자 요소(1212)의 제 1 에지(1227)와 실질적으로 정렬되어 유전체 요소(1230)의 앞면(1232)에 부착될 수 있다. 열 전도성 커넥터(1286)가 하나 이상의 열 전도성 볼(1282)에 부착될 수 있으며, 유전체 요소(1230)을 관통하여 연장될 수 있다. 열 전도성 볼(1284)은, 제 2 마이크로전자 요소(1214)의 제 1 에지(1235)와 실질적으로 정렬되어 유전체 요소(1230)의 앞면(1232)에 부착될 수 있다. 열 전도성 커넥터(1288)가 하나 이상의 열 전도성 볼(1284)에 부착될 수 있으며, 유전체 요소(1230)를 관통하여 연장될 수 있다.
도 5는, 도 4에서 나타낸 실시예의 변형예를 나타낸다. 이 변형예에서, 마이크로전자 조립체(1400)는, 열 분산기(1380)와 제 1 마이크로전자 요소(1312)의 제 1 단부 영역(1315) 사이에 지지요소를 포함할 필요가 없다. 열 분산기(1380)는 제 2 마이크로전자 요소(1314)의 제 2 에지(1337)에 인접한 단차부(1398)를 포함한다. 단차부(1398)에 의해, 열 분산기(1380)는 제 1 마이크로전자 요소(1312)의 후면(1318)과 접촉하게 되거나, 적어도 근방에 위치하게 된다.
도 6은, 도 3에서 나타낸 실시예의 변형예를 나타낸다. 도 6에서 나타낸 변형예에서는, 열 분산기(971)는 마이크로전자 조립체(900B)의 제 1 마이크로전자 요소(912B) 및 제 2 마이크로전자 요소(914B)와 열전도가 가능하다. 열 분산기(971)는, 각각 제 1 및 제 2 마이크로전자 요소(912B, 914B)의 후면(918B, 924B)으로부터 먼 쪽을 향하는 실질적인 평면의 제 1 표면(987)을 구비할 수 있다. 또한, 열 분산기(971)는, 제 1 및 제 2 마이크로전자 요소(912B, 914B)의 후면(918B, 924B) 측으로 각각 향하는 실질적인 평면의 제 2 및 제 3 표면(989A, 989B)을 구비할 수 있다. 열 분산기(971)는, 제 2 마이크로전자 요소(914B)의 후면(924B) 위에 배치되고 후면(924B)과의 열전도가 가능한 제 1 부분(973)과, 제 1 마이크로전자 요소(912B)의 후면(918B) 위에 배치되고 후면(918B)과의 열전도가 가능한 제 2 부분(975)을 포함할 수 있다. 일특정 실시예에서, 열 분산기(971)의 제 1 부분(973)이 부분적으로 또는 전체적으로, 예를 들어, 솔더, 열 전도성 그리스 또는 열 전도성 접착제를 통해 제 2 마이크로전자 요소(914B)의 후면(924B)과 열 접촉을 할 수 있다. 마찬가지로, 열 분산기(971)의 제 2 부분(975)이 부분적으로 또는 전체적으로 제 1 마이크로전자 요소(912B)의 후면(918B)과 열 접촉을 할 수 있다. 열 분산기(971)의 제 2 부분(975)은 제 1 부분(973)보다 더 두꺼울 수 있다.
도 6을 계속 참조하면, 다른 열 분산기(977)가 마이크로전자 조립체(900A)의 제 1 및 제 2 마이크로전자 요소(912A, 914A)와 열전도가 가능하다. 열 분산기(977)는, 제 1 및 제 2 마이크로전자 요소(912A, 914A)로부터 먼 쪽을 향하는 실질적인 평면의 제 1 표면(991)을 구비할 수 있다. 또한, 열 분산기(977)는 제 1 및 제 2 마이크로전자 요소(912A, 914A)의 후면(918A, 924A) 측으로 각각 향하는 실질적인 평면의 제 2 표면(993A, 993B)을 구비할 수 있다. 또한, 열 분산기(977)는, 제 2 마이크로전자 요소(914A)의 후면(924A) 위에 배치되고 후면(924A)과의 열전도가 가능한 제 1 부분(979)과 제 1 마이크로전자 요소(912A)의 후면(918A) 위에 배치되고 후면(918A)과의 열전도가 가능한 제 2 부분(983)을 포함할 수 있다. 일특정 실시예에서, 열분산기(971)의 배치구조와 유사하게, 열 분산기(977)의 제 1 부분(979)이 부분적으로 또는 전체적으로 제 2 마이크로전자 요소(914A)의 후면(924A)과 열 접촉을 할 수 있다. 마찬가지로, 열 분산기(977)의 제 2 부분(983)이 부분적으로 또는 전체적으로 제 1 마이크로전자 요소(912A)의 후면(918A)과 열 접촉을 할 수 있다. 열 분산기(977)의 제 2 부분(983)은 제 1 부분(979)보다 더 두꺼울 수 있다.
열 전도성 재료(985)가, 열 분산기(977)와 유전체 요소(930B) 사이에 배치될 수 있다. 열 전도성 재료(985)는 임의의 적절한 재료로부터 형성되는 하나 이상의 층을 포함할 수 있으며, 25 내지 100μm의 두께를 가질 수 있다. 임의의 열 전도성의 재료에는, 열 전도성 그리스, 솔더, 인듐 또는 임의의 적절한 열 전도성 접착제를 포함하지만, 이것들에 제한되지 않는다. 열 전도성 재료(985)는, 유전체 요소(930B)와 열 분산기(977) 중 하나 또는 모두의 표면에 액체 또는 완전히 고화되지 않은 상태로 적용될 수 있다. 이런 방식으로, 재료가 유전체 요소(930B)와 열 분산기(977) 사이의 공간으로 흘러 들어갈 수 있다. 따라서, 열 전도성 재료는, 이것이 접촉하는 표면의 높이 변화에 부합할 수 있다. 일부 실시예에서, 열 전도성 재료(985)는, 제 1 및 제 2 마이크로전자 요소(912B, 914B)의 콘택(920, 926)과 실질적으로 정렬되는 하나 이상의 개구(999)를 포함하는 모노리스식 또는 일체형 구조체일 수 있다. 이와 달리, 열 전도성 재료(985)는 복수의 이격된 별개의 부분들로 이루어질 수 있다. 특정 실시예에서, 열 전도성 재료(985)는 전기 전도성일 수 있다. 이러한 실시예에서, 이런 전기 전도성 재료는 전도성 평면으로서 이용될 수 있으며, 접지에 전기적으로 연결될 수 있다. 마이크로전자 조립체(900A)는, 제 2 마이크로전자 요소(914A)와 유전체 요소(930A) 사이에 지지요소(931)를 포함할 수 있다.
도 6에 나타낸 바와 같이, 본 명세서에서 설명되는 임의의 마이크로전자 조립체는 회로 패널 또는 기판에 전기적으로 연결될 수 있다. 예를 들어, 마이크로전자 조립체(900A)는, 예를 들어, 솔더 볼(981) 또는 구리 필러와 같은 복수의 결합 유닛을 포함할 수 있다. 솔더 볼(981)을 통해, 마이크로전자 조립체(900A)가 회로 패널(1300)에 전기적으로 연결된다. 도 6은, 마이크로전자 조립체(900A)를 회로 패널(1300)에 연결하는 솔더 볼(981)만을 나타내고 있지만, 임의의 전기 전도성 요소가 회로 패널(1300)과 마이크로전자 조립체(900A)를 상호연결할 수도 있다. 하나 이상의 전기 전도성 요소 또는 단자(1302)가 회로 패널(1300)의 제 1 표면(1304)에서 노출된다. 회로 패널(1300)의 제 1 표면(1304)은 솔더 볼(981)을 향하고 있다. 솔더 볼(981)은 단자(1302)에 부착되어 있으므로, 솔더 볼(981)이 회로 패널(1300)에서의 회로들의 적어도 일부에 전기적으로 연결된다.
전술한 마이크로전자 조립체는, 도 7에 나타내는 바와 같이, 다양한 전자 시스템의 구축에 활용될 수 있다. 예를 들어, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 시스템(1100)은, 다른 전자부품(1108, 1110)과 관련하여 전술한 바와 같이, 마이크로전자 조립체(1106)를 포함한다. 도시된 예에서, 전자부품(1108)은 반도체칩인 반면, 전자부품(1110)은 디스플레이 스크린이지만, 다른 전자부품이 이용될 수 있다. 물론, 도시의 명확성을 위해 도 7에는 2개의 전자부품만이 도시되고 있지만, 시스템은 임의의 수의 이런 전자부품을 포함할 수 있다. 마이크로전자 조립체(1106)는 전술한 조립체들 중 임의의 조립체일 수 있다. 변형예에서는, 임의의 수의 이런 마이크로전자 조립체가 이용될 수 있다. 마이크로전자 조립체(1106)와 전자부품(1108, 1110)은, 개략적으로 점선으로 나타내는 공통 하우징(1101)에 설치되고, 원하는 회로를 형성하는데 필요한 만큼 서로 전기적으로 연결된다. 도시된 시스템의 예에서, 시스템은 플렉서블 인쇄회로기판과 같은 회로 패널(1102)을 포함하고, 회로 패널은 복수의 도체(1104)를 포함하는데, 도 7에서는 전자부품을 서로 연결하는 하나의 도체만이 도시된다. 하지만, 이런 구조는 예시일 뿐이며; 전자부품을 전기적으로 연결하기 위한 임의의 적절한 구조가 이용될 수 있다. 하우징(1101)은, 예를 들어, 휴대 전화 또는 개인용 디지털 단말기에서 사용가능한 유형의 휴대용 하우징으로서 도시되고, 스크린(1110)이 하우징 표면에서 노출된다. 조립체(1106)에 이미징 칩과 같은 감광성의 요소가 포함된다면, 렌즈(1111) 또는 기타 광학 장치가 조립체에 빛을 보내기 위해 제공된다. 다시 한번, 도 7에 간략하게 도시된 시스템은 단지 예시일 뿐이며; 데스크탑 컴퓨터, 라우터 등과 같은 고정된 구조로 일반적으로 간주되는 시스템을 포함하는 다른 시스템이 전술한 구조를 이용하여 만들어질 수 있다.
본 명세서에서 개시한 많은 종속 청구항 및 특징은 독립 청구항에 제시된 것보다 다양한 방식으로 조합될 수 있다. 개별 실시예들과 관련해서 기재한 특징들은 개시된 실싱예들의 다른 특징과 공유될 수 있다는 것을 이해하여야 한다.
본 명세서에서는 본 발명을 특정 실시예를 들어 설명하였지만, 이러한 실시예는 본 발명의 원리와 응용에 대한 예시에 불과하다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 따라서, 청구범위에서 청구하는 본 발명의 정신과 범위를 벗어나지 않고, 예시한 실시예에 대해 다양한 변형과 다른 배치구조가 가능하다는 것을 이해하여야 한다.
Claims (24)
- 서로 반대 방향을 향하는 제 1 면과 제 2 면, 상기 제 1 면과 상기 제 2 면 사이에서 연장되는 제 1 개구와 제 2 개구, 및 전도성 요소를 갖는 유전체 요소;
제 1 후면, 상기 유전체 요소의 제 1 면에 면하는 제 1 앞면, 및 상기 제 1 앞면과 제 1 후면 사이에서 연장되는 제 1 의 양쪽 에지면을 갖는 제 1 마이크로전자 요소로서, 상기 제 1 마이크로전자 요소는 제 1 마이크로전자 요소의 중앙 영역을 따라 상기 제 1 앞면에서 노출되는 복수의 콘택을 갖는, 제 1 마이크로전자 요소;
상기 유전체 요소의 제 1 면에 면하는 제 2 앞면, 반대 측의 제 2 후면, 및 상기 제 2 앞면과 제 2 후면 사이에서 연장되는 제 2 의 양쪽 에지면을 갖는 제 2 마이크로전자 요소로서, 상기 제 2 마이크로전자 요소는 상기 제 1 마이크로전자 요소 위에 놓여 상기 제 1 마이크로전자 요소의 제 1 의 양쪽 에지면 중 단지 하나의 에지면만이 상기 제 2 마이크로전자 요소의 제 2 의 양쪽 에지면 중 하나의 에지면을 넘어 연장되고, 상기 제 2 마이크로전자 요소는 제 2 마이크로전자 요소의 중앙 영역을 따라 상기 제 2 앞면에 복수의 콘택을 갖는, 제 2 마이크로전자 요소;
상기 제 1 마이크로전자 요소의 콘택으로부터 상기 제 1 개구를 통해 상기 전도성 요소의 적어도 일부까지 연장되는 제 1 리드, 및 상기 제 2 마이크로전자 요소의 콘택으로부터 상기 제 2 개구를 통해 상기 전도성 요소의 적어도 나머지 부분까지 연장되는 제 2 리드;
상기 제 1 마이크로전자 요소 및 상기 제 2 마이크로전자 요소 중 적어도 하나에 열적으로 연결되는 열 분산기(heat spreader); 및
상기 제 1 마이크로전자 요소 및 제 2 마이크로전자 요소를 커버하고, 상기 제 1 마이크로전자 요소의 제 1 의 양쪽 에지면과 상기 제 2 마이크로전자 요소의 제 2 의 양쪽 에지면을 넘어 연장되는 오버몰드
를 포함하는, 마이크로전자 조립체. - 제 1 항에 있어서,
상기 열 분산기는 적어도 상기 제 2 마이크로전자 요소의 후면과 열적으로 연결되는, 마이크로전자 조립체. - 제 1 항에 있어서,
상기 열 분산기는 상기 제 1 및 상기 제 2 마이크로전자 요소의 후면들과 열적으로 연결되는, 마이크로전자 조립체. - 제 1 항에 있어서,
상기 제 1 리드 및 제 2 리드는 와이어 본드(wire bond)인, 마이크로전자 조립체. - 제 1 항에 있어서,
상기 열 분산기는 부분적으로 또는 전체적으로 흑연으로 형성되는, 마이크로전자 조립체. - 제 1 항에 있어서,
상기 열 분산기는 금속 시트를 포함하는, 마이크로전자 조립체. - 제 1 항에 있어서,
상기 열 분산기는 적어도 상기 제 1 마이크로전자 요소의 후면을 커버하는, 마이크로전자 조립체. - 제 7 항에 있어서,
상기 열 분산기는, 상기 제 1 마이크로전자 요소 위에 배치되는 제 1 부분, 상기 제 2 마이크로전자 요소 위에 배치되는 제 2 부분, 및 상기 제 1 부분과 상기 제 2 부분 사이의 단차부를 포함하는, 마이크로전자 조립체. - 제 1 항에 있어서,
상기 유전체 요소에 열적으로 연결되는 열 전도성 볼을 더 포함하는, 마이크로전자 조립체. - 제 9 항에 있어서,
상기 열 전도성 볼은 상기 유전체 요소의 제 2 표면에 부착되는, 마이크로전자 조립체. - 제 9 항에 있어서,
각각의 열 전도성 볼은 이것에 매립되는 금속 코어(core)를 포함하는, 마이크로전자 조립체. - 제 9 항에 있어서,
상기 유전체 요소를 관통하여 연장되고 상기 열 전도성 볼 중 하나의 볼을 상기 유전체 요소에 연결하는 열전도성 커넥터를 더 포함하는, 마이크로전자 조립체. - 제 1 항에 있어서,
상기 열 분산기 전체는 평면을 따라 연장되는, 마이크로전자 조립체. - 제 13 항에 있어서,
상기 열 분산기와 상기 제 1 마이크로전자 요소의 후면의 부분 사이에 배치되어 상기 제 2 마이크로전자 요소의 제 2 의 양쪽 에지면 중 상기 하나의 에지면을 넘어 연장되는 지지 요소를 더 포함하는, 마이크로전자 조립체. - 마이크로전자 조립체에 있어서,
제 1 유닛;
제 2 유닛; 및
상기 제 1 유닛과 상기 제 2 유닛 사이에 배치되는 하나 이상의 열 분산기
를 포함하고, 각각의 유닛은:
(1) 서로 반대 방향을 향하는 제 1 면과 제 2 면, 상기 제 1 면과 상기 제 2 면 사이에서 연장되는 제 1 개구와 제 2 개구, 및 전기 전도성 요소를 갖는 유전체 요소;
(2) 제 1 후면, 상기 유전체 요소의 제 1 면에 면하는 제 1 앞면, 및 상기 제 1 앞면과 제 1 후면 사이에서 연장되는 제 1 의 양쪽 에지면을 갖는 제 1 마이크로전자 요소로서, 상기 제 1 마이크로전자 요소는 상기 제 1 앞면의 중앙 부분을 따라 상기 제 1 앞면에서 노출되는 복수의 콘택을 갖는, 제 1 마이크로전자 요소;
(3) 제 2 후면, 상기 유전체 요소의 제 1 면과 상기 제 1 마이크로전자 요소의 제 1 후면에 면하는 반대 측의 제 2 앞면, 및 상기 제 2 앞면과 제 2 후면 사이에서 연장되는 제 2 의 양쪽 에지면을 갖는 제 2 마이크로전자 요소로서, 상기 제 2 마이크로전자 요소는 상기 제 1 마이크로전자 요소 위에 놓여 상기 제 1 마이크로전자 요소의 제 1 의 양쪽 에지면 중 단지 하나의 에지면만이 상기 제 2 마이크로전자 요소의 제 2 의 양쪽 에지면 중 하나의 에지면을 넘어 연장되고 상기 제 1 마이크로전자 요소의 제 1 후면 중 적어도 일부가 상기 제 2 의 양쪽 에지면 중 상기 하나의 에지면을 넘어 연장되며, 상기 제 2 마이크로전자 요소는 상기 제 2 앞면의 중앙 부분을 따라 연장되는 복수의 콘택을 갖는, 제 2 마이크로전자 요소;
(4) 상기 제 1 마이크로전자 요소의 콘택으로부터 상기 제 1 개구를 통해 상기 유전체 요소 상의 상기 전도성 요소의 적어도 일부까지 연장되는 제 1 리드, 및 상기 제 2 마이크로전자 요소의 콘택으로부터 상기 제 2 개구를 통해 상기 전도성 요소의 나머지 부분까지 연장되는 제 2 리드
(5) 상기 제 1 유닛의 제 1 마이크로전자 요소 및 제 2 마이크로전자 요소와 상기 제 1 유닛의 유전체 요소의 부분들을 커버하고, 상기 제 1 유닛의 제 1 마이크로전자 요소 및 제 2 마이크로전자 요소의 제 1 에지면을 넘어 연장되는 오버몰드를 포함하고,
상기 제 2 유닛은 상기 제 1 유닛의 마이크로전자 요소들 위에 배치되고, 상기 조립체는 상기 제 1 유닛의 유전체 요소 상의 전도성 요소의 적어도 일부와 제 2 유닛의 유전체 요소 상의 전도성 요소의 적어도 일부를 전기적으로 연결하는 적층 상호연결부(stack interconnect)를 더 포함하며,
상기 하나 이상의 열 분산기는 제 1 또는 제 2 마이크로전자 유닛 중 적어도 하나에 열적으로 연결되며, 상기 열 분산기는 모노리스식 구조체이며 상기 유전체 요소의 제 1 개구와 제 2 개구 및 상기 제 2 유닛의 제 1 및 제 2 마이크로전자 요소의 콘택과 실질적으로 정렬되는 하나 이상의 개구를 포함하는, 마이크로전자 조립체. - 제 15 항에 있어서,
상기 열 분산기는, 상기 제 2 유닛의 제 1 및 제 2 마이크로전자 요소의 콘택과 실질적으로 정렬되는 개구를 갖는 모노리스식 구조체인, 마이크로전자 조립체. - 제 15 항에 있어서,
상기 열 분산기는 서로 이격되는 열 분산부(heat spreader portion)를 포함하는, 마이크로전자 조립체. - 제 15 항에 있어서,
상기 열 분산기는 상기 제 2 유닛의 유전체 요소의 제 2 표면에 부착되는, 마이크로전자 조립체. - 제 15 항에 있어서,
상기 리드는 와이어 본드인, 마이크로전자 조립체. - 제 15 항에 있어서,
상기 열 분산기는, 상기 제 1 유닛의 제 1 및 제 2 마이크로전자 요소의 각각의 후면을 향하는 실질적으로 평면의 표면을 포함하는, 마이크로전자 조립체. - 제 1 항의 조립체; 및
상기 조립체에 전기적으로 연결되는 하나 이상의 다른 전자부품
을 포함하는, 시스템. - 제 21 항에 있어서,
상기 시스템은 하우징을 더 포함하고,
상기 조립체와 상기 다른 전자부품이 상기 하우징에 설치되는, 시스템. - 제 15 항의 조립체; 및
상기 조립체에 전기적으로 연결되는 하나 이상의 다른 전자부품
을 포함하는, 시스템. - 제 23 항에 있어서,
상기 시스템은 하우징을 더 포함하고,
상기 조립체와 상기 다른 전자부품이 상기 하우징에 설치되는, 시스템.
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CN104718619A (zh) * | 2012-08-02 | 2015-06-17 | 泰塞拉公司 | 用于两个或更多个裸片的多裸片倒装堆叠 |
JP2015216263A (ja) * | 2014-05-12 | 2015-12-03 | マイクロン テクノロジー, インク. | 半導体装置 |
KR101640126B1 (ko) * | 2014-06-12 | 2016-07-15 | 주식회사 에스에프에이반도체 | 반도체 패키지 제조방법 |
US9953957B2 (en) | 2015-03-05 | 2018-04-24 | Invensas Corporation | Embedded graphite heat spreader for 3DIC |
KR102534732B1 (ko) | 2016-06-14 | 2023-05-19 | 삼성전자 주식회사 | 반도체 패키지 |
US20200273768A1 (en) * | 2019-02-27 | 2020-08-27 | Intel Corporation | Crystalline carbon heat spreading materials for ic die hot spot reduction |
WO2020185292A1 (en) * | 2019-03-11 | 2020-09-17 | Hrl Laboratories, Llc | Method to protect die during metal-embedded chip assembly (meca) process |
US11049791B1 (en) * | 2019-12-26 | 2021-06-29 | Intel Corporation | Heat spreading layer integrated within a composite IC die structure and methods of forming the same |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20050116358A1 (en) * | 2003-11-12 | 2005-06-02 | Tessera,Inc. | Stacked microelectronic assemblies with central contacts |
JP2006210892A (ja) * | 2004-12-27 | 2006-08-10 | Nec Corp | 半導体装置 |
JP2010501118A (ja) * | 2006-08-16 | 2010-01-14 | テッセラ,インコーポレイテッド | マイクロエレクトロニクスパッケージ |
Family Cites Families (189)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62107391A (ja) | 1985-11-06 | 1987-05-18 | Nippon Texas Instr Kk | 情報記憶媒体 |
US5138438A (en) | 1987-06-24 | 1992-08-11 | Akita Electronics Co. Ltd. | Lead connections means for stacked tab packaged IC chips |
JPH02174255A (ja) | 1988-12-27 | 1990-07-05 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体集積回路装置 |
US5148265A (en) | 1990-09-24 | 1992-09-15 | Ist Associates, Inc. | Semiconductor chip assemblies with fan-in leads |
US5679977A (en) | 1990-09-24 | 1997-10-21 | Tessera, Inc. | Semiconductor chip assemblies, methods of making same and components for same |
US5148266A (en) | 1990-09-24 | 1992-09-15 | Ist Associates, Inc. | Semiconductor chip assemblies having interposer and flexible lead |
US5222014A (en) | 1992-03-02 | 1993-06-22 | Motorola, Inc. | Three-dimensional multi-chip pad array carrier |
US5369552A (en) | 1992-07-14 | 1994-11-29 | Ncr Corporation | Multi-chip module with multiple compartments |
US5998864A (en) | 1995-05-26 | 1999-12-07 | Formfactor, Inc. | Stacking semiconductor devices, particularly memory chips |
US5861666A (en) | 1995-08-30 | 1999-01-19 | Tessera, Inc. | Stacked chip assembly |
KR100204753B1 (ko) | 1996-03-08 | 1999-06-15 | 윤종용 | 엘오씨 유형의 적층 칩 패키지 |
JP2806357B2 (ja) | 1996-04-18 | 1998-09-30 | 日本電気株式会社 | スタックモジュール |
US5892660A (en) | 1996-08-29 | 1999-04-06 | Micron Technology, Inc. | Single in line memory module adapter |
WO1998012568A1 (en) | 1996-09-18 | 1998-03-26 | Hitachi, Ltd. | Process for producing semiconductor device and semiconductor device |
WO1998025304A1 (fr) | 1996-12-04 | 1998-06-11 | Hitachi, Ltd. | Dispositif a semi-conducteur |
JP2978861B2 (ja) | 1997-10-28 | 1999-11-15 | 九州日本電気株式会社 | モールドbga型半導体装置及びその製造方法 |
JP3718039B2 (ja) | 1997-12-17 | 2005-11-16 | 株式会社日立製作所 | 半導体装置およびそれを用いた電子装置 |
US6742098B1 (en) | 2000-10-03 | 2004-05-25 | Intel Corporation | Dual-port buffer-to-memory interface |
US6021048A (en) | 1998-02-17 | 2000-02-01 | Smith; Gary W. | High speed memory module |
US6150724A (en) | 1998-03-02 | 2000-11-21 | Motorola, Inc. | Multi-chip semiconductor device and method for making the device by using multiple flip chip interfaces |
US6072233A (en) | 1998-05-04 | 2000-06-06 | Micron Technology, Inc. | Stackable ball grid array package |
US6180881B1 (en) | 1998-05-05 | 2001-01-30 | Harlan Ruben Isaak | Chip stack and method of making same |
US6369444B1 (en) | 1998-05-19 | 2002-04-09 | Agere Systems Guardian Corp. | Packaging silicon on silicon multichip modules |
US5977640A (en) | 1998-06-26 | 1999-11-02 | International Business Machines Corporation | Highly integrated chip-on-chip packaging |
US7525813B2 (en) | 1998-07-06 | 2009-04-28 | Renesas Technology Corp. | Semiconductor device |
US6353539B1 (en) | 1998-07-21 | 2002-03-05 | Intel Corporation | Method and apparatus for matched length routing of back-to-back package placement |
US6121576A (en) | 1998-09-02 | 2000-09-19 | Micron Technology, Inc. | Method and process of contact to a heat softened solder ball array |
US6093029A (en) | 1998-09-08 | 2000-07-25 | S3 Incorporated | Vertically stackable integrated circuit |
US6201695B1 (en) | 1998-10-26 | 2001-03-13 | Micron Technology, Inc. | Heat sink for chip stacking applications |
US6815251B1 (en) | 1999-02-01 | 2004-11-09 | Micron Technology, Inc. | High density modularity for IC's |
SE519108C2 (sv) | 1999-05-06 | 2003-01-14 | Sandvik Ab | Belagt skärverktyg för bearbetning av grått gjutjärn |
TW409377B (en) | 1999-05-21 | 2000-10-21 | Siliconware Precision Industries Co Ltd | Small scale ball grid array package |
KR100393095B1 (ko) | 1999-06-12 | 2003-07-31 | 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 | 반도체패키지와 그 제조방법 |
JP3360655B2 (ja) | 1999-07-08 | 2002-12-24 | 日本電気株式会社 | 半導体装置 |
JP2001053243A (ja) | 1999-08-06 | 2001-02-23 | Hitachi Ltd | 半導体記憶装置とメモリモジュール |
US6199743B1 (en) | 1999-08-19 | 2001-03-13 | Micron Technology, Inc. | Apparatuses for forming wire bonds from circuitry on a substrate to a semiconductor chip, and methods of forming semiconductor chip assemblies |
JP2001196407A (ja) | 2000-01-14 | 2001-07-19 | Seiko Instruments Inc | 半導体装置および半導体装置の形成方法 |
US6369448B1 (en) | 2000-01-21 | 2002-04-09 | Lsi Logic Corporation | Vertically integrated flip chip semiconductor package |
US6414396B1 (en) | 2000-01-24 | 2002-07-02 | Amkor Technology, Inc. | Package for stacked integrated circuits |
JP3768761B2 (ja) | 2000-01-31 | 2006-04-19 | 株式会社日立製作所 | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2001223324A (ja) | 2000-02-10 | 2001-08-17 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
TW579555B (en) * | 2000-03-13 | 2004-03-11 | Ibm | Semiconductor chip package and packaging of integrated circuit chip in electronic apparatus |
US6731009B1 (en) | 2000-03-20 | 2004-05-04 | Cypress Semiconductor Corporation | Multi-die assembly |
KR100583491B1 (ko) | 2000-04-07 | 2006-05-24 | 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 | 반도체패키지 및 그 제조방법 |
JP2002076252A (ja) * | 2000-08-31 | 2002-03-15 | Nec Kyushu Ltd | 半導体装置 |
JP3874062B2 (ja) | 2000-09-05 | 2007-01-31 | セイコーエプソン株式会社 | 半導体装置 |
JP3462166B2 (ja) * | 2000-09-08 | 2003-11-05 | 富士通カンタムデバイス株式会社 | 化合物半導体装置 |
US6492726B1 (en) | 2000-09-22 | 2002-12-10 | Chartered Semiconductor Manufacturing Ltd. | Chip scale packaging with multi-layer flip chip arrangement and ball grid array interconnection |
TW511405B (en) | 2000-12-27 | 2002-11-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Device built-in module and manufacturing method thereof |
SG95637A1 (en) | 2001-03-15 | 2003-04-23 | Micron Technology Inc | Semiconductor/printed circuit board assembly, and computer system |
SG106054A1 (en) | 2001-04-17 | 2004-09-30 | Micron Technology Inc | Method and apparatus for package reduction in stacked chip and board assemblies |
JP2002353398A (ja) * | 2001-05-25 | 2002-12-06 | Nec Kyushu Ltd | 半導体装置 |
US6472741B1 (en) | 2001-07-14 | 2002-10-29 | Siliconware Precision Industries Co., Ltd. | Thermally-enhanced stacked-die ball grid array semiconductor package and method of fabricating the same |
US6385049B1 (en) | 2001-07-05 | 2002-05-07 | Walsin Advanced Electronics Ltd | Multi-board BGA package |
JP2003101207A (ja) * | 2001-09-27 | 2003-04-04 | Nec Kyushu Ltd | 半田ボールおよびそれを用いた部品接続構造 |
US6977440B2 (en) | 2001-10-09 | 2005-12-20 | Tessera, Inc. | Stacked packages |
SG118103A1 (en) | 2001-12-12 | 2006-01-27 | Micron Technology Inc | BOC BGA package for die with I-shaped bond pad layout |
KR100480909B1 (ko) | 2001-12-29 | 2005-04-07 | 주식회사 하이닉스반도체 | 적층 칩 패키지의 제조 방법 |
TW523890B (en) | 2002-02-07 | 2003-03-11 | Macronix Int Co Ltd | Stacked semiconductor packaging device |
SG121705A1 (en) | 2002-02-21 | 2006-05-26 | United Test & Assembly Ct Ltd | Semiconductor package |
US7196415B2 (en) * | 2002-03-22 | 2007-03-27 | Broadcom Corporation | Low voltage drop and high thermal performance ball grid array package |
DE10215654A1 (de) | 2002-04-09 | 2003-11-06 | Infineon Technologies Ag | Elektronisches Bauteil mit mindestens einem Halbleiterchip und Flip-Chip-Kontakten sowie Verfahren zu seiner Herstellung |
US6924496B2 (en) | 2002-05-31 | 2005-08-02 | Fujitsu Limited | Fingerprint sensor and interconnect |
CN100377347C (zh) * | 2002-06-05 | 2008-03-26 | 株式会社瑞萨科技 | 半导体器件 |
US7132311B2 (en) * | 2002-07-26 | 2006-11-07 | Intel Corporation | Encapsulation of a stack of semiconductor dice |
JP2004063767A (ja) | 2002-07-29 | 2004-02-26 | Renesas Technology Corp | 半導体装置 |
US6762942B1 (en) | 2002-09-05 | 2004-07-13 | Gary W. Smith | Break away, high speed, folded, jumperless electronic assembly |
TW557556B (en) | 2002-09-10 | 2003-10-11 | Siliconware Precision Industries Co Ltd | Window-type multi-chip semiconductor package |
AU2003301632A1 (en) | 2002-10-22 | 2004-05-13 | Unitive International Limited | Stacked electronic structures including offset substrates |
US7268425B2 (en) * | 2003-03-05 | 2007-09-11 | Intel Corporation | Thermally enhanced electronic flip-chip packaging with external-connector-side die and method |
TW200419752A (en) | 2003-03-18 | 2004-10-01 | United Test Ct Inc | Semiconductor package with heat sink |
TWI313049B (en) | 2003-04-23 | 2009-08-01 | Advanced Semiconductor Eng | Multi-chips stacked package |
US7528421B2 (en) * | 2003-05-05 | 2009-05-05 | Lamina Lighting, Inc. | Surface mountable light emitting diode assemblies packaged for high temperature operation |
KR20050001159A (ko) | 2003-06-27 | 2005-01-06 | 삼성전자주식회사 | 복수개의 플립 칩들을 갖는 멀티칩 패키지 및 그 제조방법 |
SG148877A1 (en) | 2003-07-22 | 2009-01-29 | Micron Technology Inc | Semiconductor substrates including input/output redistribution using wire bonds and anisotropically conductive film, methods of fabrication and assemblies including same |
US7462936B2 (en) | 2003-10-06 | 2008-12-09 | Tessera, Inc. | Formation of circuitry with modification of feature height |
US7095104B2 (en) | 2003-11-21 | 2006-08-22 | International Business Machines Corporation | Overlap stacking of center bus bonded memory chips for double density and method of manufacturing the same |
JP2005166892A (ja) | 2003-12-02 | 2005-06-23 | Kingpak Technology Inc | スタック型小型メモリカード |
DE10360708B4 (de) | 2003-12-19 | 2008-04-10 | Infineon Technologies Ag | Halbleitermodul mit einem Halbleiterstapel, Umverdrahtungsplatte, und Verfahren zur Herstellung derselben |
US20050173807A1 (en) | 2004-02-05 | 2005-08-11 | Jianbai Zhu | High density vertically stacked semiconductor device |
JP2005251957A (ja) | 2004-03-04 | 2005-09-15 | Renesas Technology Corp | 半導体装置 |
US7489517B2 (en) * | 2004-04-05 | 2009-02-10 | Thomas Joel Massingill | Die down semiconductor package |
US7078808B2 (en) | 2004-05-20 | 2006-07-18 | Texas Instruments Incorporated | Double density method for wirebond interconnect |
CN100552926C (zh) * | 2004-05-21 | 2009-10-21 | 日本电气株式会社 | 半导体器件、配线基板及其制造方法 |
KR20050119414A (ko) | 2004-06-16 | 2005-12-21 | 삼성전자주식회사 | 에지 패드형 반도체 칩의 스택 패키지 및 그 제조방법 |
KR20060004298A (ko) | 2004-07-09 | 2006-01-12 | 삼성테크윈 주식회사 | 무선 전자 라벨 |
US7381593B2 (en) | 2004-08-05 | 2008-06-03 | St Assembly Test Services Ltd. | Method and apparatus for stacked die packaging |
JP4445351B2 (ja) * | 2004-08-31 | 2010-04-07 | 株式会社東芝 | 半導体モジュール |
JP4601365B2 (ja) | 2004-09-21 | 2010-12-22 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置 |
US20060097400A1 (en) * | 2004-11-03 | 2006-05-11 | Texas Instruments Incorporated | Substrate via pad structure providing reliable connectivity in array package devices |
US7786567B2 (en) * | 2004-11-10 | 2010-08-31 | Chung-Cheng Wang | Substrate for electrical device and methods for making the same |
US7217994B2 (en) | 2004-12-01 | 2007-05-15 | Kyocera Wireless Corp. | Stack package for high density integrated circuits |
TWI256092B (en) | 2004-12-02 | 2006-06-01 | Siliconware Precision Industries Co Ltd | Semiconductor package and fabrication method thereof |
JP2006172122A (ja) | 2004-12-15 | 2006-06-29 | Toshiba Corp | カード状記憶装置 |
US7755179B2 (en) * | 2004-12-20 | 2010-07-13 | Semiconductor Components Industries, Llc | Semiconductor package structure having enhanced thermal dissipation characteristics |
KR20060080424A (ko) | 2005-01-05 | 2006-07-10 | 삼성전자주식회사 | 멀티 칩 패키지를 장착하는 메모리 카드 |
US7205656B2 (en) | 2005-02-22 | 2007-04-17 | Micron Technology, Inc. | Stacked device package for peripheral and center device pad layout device |
KR100630741B1 (ko) * | 2005-03-04 | 2006-10-02 | 삼성전자주식회사 | 다중 몰딩에 의한 적층형 반도체 패키지 및 그 제조방법 |
US7196427B2 (en) | 2005-04-18 | 2007-03-27 | Freescale Semiconductor, Inc. | Structure having an integrated circuit on another integrated circuit with an intervening bent adhesive element |
US7250675B2 (en) | 2005-05-05 | 2007-07-31 | International Business Machines Corporation | Method and apparatus for forming stacked die and substrate structures for increased packing density |
KR101070913B1 (ko) * | 2005-05-19 | 2011-10-06 | 삼성테크윈 주식회사 | 반도체 칩 적층 패키지 |
US7402911B2 (en) | 2005-06-28 | 2008-07-22 | Infineon Technologies Ag | Multi-chip device and method for producing a multi-chip device |
SG130066A1 (en) | 2005-08-26 | 2007-03-20 | Micron Technology Inc | Microelectronic device packages, stacked microelectronic device packages, and methods for manufacturing microelectronic devices |
DE102005041451A1 (de) | 2005-08-31 | 2007-03-01 | Infineon Technologies Ag | Elektronische Steckeinheit |
JP4108701B2 (ja) | 2005-09-12 | 2008-06-25 | 株式会社ルネサステクノロジ | Icカードの製造方法 |
US7602054B2 (en) * | 2005-10-05 | 2009-10-13 | Semiconductor Components Industries, L.L.C. | Method of forming a molded array package device having an exposed tab and structure |
US20070152310A1 (en) | 2005-12-29 | 2007-07-05 | Tessera, Inc. | Electrical ground method for ball stack package |
JP2007188916A (ja) * | 2006-01-11 | 2007-07-26 | Renesas Technology Corp | 半導体装置 |
KR100673965B1 (ko) | 2006-01-11 | 2007-01-24 | 삼성테크윈 주식회사 | 인쇄회로기판 및 반도체 패키지 제조방법 |
KR100690247B1 (ko) | 2006-01-16 | 2007-03-12 | 삼성전자주식회사 | 이중 봉합된 반도체 패키지 및 그의 제조 방법 |
US20070176297A1 (en) | 2006-01-31 | 2007-08-02 | Tessera, Inc. | Reworkable stacked chip assembly |
CN101375299B (zh) | 2006-02-02 | 2012-08-08 | 松下电器产业株式会社 | 存储卡及存储卡的制造方法 |
SG135074A1 (en) | 2006-02-28 | 2007-09-28 | Micron Technology Inc | Microelectronic devices, stacked microelectronic devices, and methods for manufacturing such devices |
KR20070088177A (ko) | 2006-02-24 | 2007-08-29 | 삼성테크윈 주식회사 | 반도체 패키지 및 그 제조 방법 |
US20080002460A1 (en) * | 2006-03-01 | 2008-01-03 | Tessera, Inc. | Structure and method of making lidded chips |
US7514780B2 (en) * | 2006-03-15 | 2009-04-07 | Hitachi, Ltd. | Power semiconductor device |
US7368319B2 (en) | 2006-03-17 | 2008-05-06 | Stats Chippac Ltd. | Stacked integrated circuit package-in-package system |
US7768075B2 (en) * | 2006-04-06 | 2010-08-03 | Fairchild Semiconductor Corporation | Semiconductor die packages using thin dies and metal substrates |
CN100511588C (zh) | 2006-04-14 | 2009-07-08 | 泰特科技股份有限公司 | 导线架型芯片级封装方法 |
SG136822A1 (en) | 2006-04-19 | 2007-11-29 | Micron Technology Inc | Integrated circuit devices with stacked package interposers |
TW200743190A (en) | 2006-05-10 | 2007-11-16 | Chung-Cheng Wang | A heat spreader for electrical device |
JP5026736B2 (ja) | 2006-05-15 | 2012-09-19 | パナソニックヘルスケア株式会社 | 冷凍装置 |
US7944658B2 (en) * | 2006-06-20 | 2011-05-17 | Nxp B.V. | Integrated circuit and assembly therewith |
US20080023805A1 (en) | 2006-07-26 | 2008-01-31 | Texas Instruments Incorporated | Array-Processed Stacked Semiconductor Packages |
TWI306658B (en) | 2006-08-07 | 2009-02-21 | Chipmos Technologies Inc | Leadframe on offset stacked chips package |
US7906844B2 (en) | 2006-09-26 | 2011-03-15 | Compass Technology Co. Ltd. | Multiple integrated circuit die package with thermal performance |
TWI370515B (en) | 2006-09-29 | 2012-08-11 | Megica Corp | Circuit component |
KR100825784B1 (ko) | 2006-10-18 | 2008-04-28 | 삼성전자주식회사 | 휨 및 와이어 단선을 억제하는 반도체 패키지 및 그제조방법 |
KR100885911B1 (ko) * | 2006-11-16 | 2009-02-26 | 삼성전자주식회사 | 열방출 특성을 개선한 반도체 패키지 |
US7772683B2 (en) | 2006-12-09 | 2010-08-10 | Stats Chippac Ltd. | Stacked integrated circuit package-in-package system |
JP2008177241A (ja) * | 2007-01-16 | 2008-07-31 | Toshiba Corp | 半導体パッケージ |
JP5285224B2 (ja) | 2007-01-31 | 2013-09-11 | セミコンダクター・コンポーネンツ・インダストリーズ・リミテッド・ライアビリティ・カンパニー | 回路装置 |
CN101617400A (zh) | 2007-01-31 | 2009-12-30 | 富士通微电子株式会社 | 半导体器件及其制造方法 |
JP2008198841A (ja) | 2007-02-14 | 2008-08-28 | Elpida Memory Inc | 半導体装置 |
JP2008235576A (ja) * | 2007-03-20 | 2008-10-02 | Fujitsu Ltd | 電子部品の放熱構造及び半導体装置 |
US7638869B2 (en) * | 2007-03-28 | 2009-12-29 | Qimonda Ag | Semiconductor device |
US20080237844A1 (en) * | 2007-03-28 | 2008-10-02 | Aleksandar Aleksov | Microelectronic package and method of manufacturing same |
US20080237887A1 (en) * | 2007-03-29 | 2008-10-02 | Hem Takiar | Semiconductor die stack having heightened contact for wire bond |
US7872356B2 (en) | 2007-05-16 | 2011-01-18 | Qualcomm Incorporated | Die stacking system and method |
CN100539128C (zh) * | 2007-05-30 | 2009-09-09 | 力成科技股份有限公司 | 避免半导体堆叠发生微接触焊点断裂的封装堆叠装置 |
US20080296717A1 (en) * | 2007-06-01 | 2008-12-04 | Tessera, Inc. | Packages and assemblies including lidded chips |
JP2008306128A (ja) | 2007-06-11 | 2008-12-18 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
US7619901B2 (en) * | 2007-06-25 | 2009-11-17 | Epic Technologies, Inc. | Integrated structures and fabrication methods thereof implementing a cell phone or other electronic system |
SG148901A1 (en) | 2007-07-09 | 2009-01-29 | Micron Technology Inc | Packaged semiconductor assemblies and methods for manufacturing such assemblies |
KR101341566B1 (ko) | 2007-07-10 | 2013-12-16 | 삼성전자주식회사 | 소켓, 검사 장치, 그리고 적층형 반도체 소자 제조 방법 |
US8299626B2 (en) | 2007-08-16 | 2012-10-30 | Tessera, Inc. | Microelectronic package |
US7442045B1 (en) * | 2007-08-17 | 2008-10-28 | Centipede Systems, Inc. | Miniature electrical ball and tube socket with self-capturing multiple-contact-point coupling |
US20090051043A1 (en) | 2007-08-21 | 2009-02-26 | Spansion Llc | Die stacking in multi-die stacks using die support mechanisms |
US7872340B2 (en) | 2007-08-31 | 2011-01-18 | Stats Chippac Ltd. | Integrated circuit package system employing an offset stacked configuration |
US7880310B2 (en) | 2007-09-28 | 2011-02-01 | Intel Corporation | Direct device attachment on dual-mode wirebond die |
US7851267B2 (en) * | 2007-10-18 | 2010-12-14 | Infineon Technologies Ag | Power semiconductor module method |
JP2009164160A (ja) * | 2007-12-28 | 2009-07-23 | Panasonic Corp | 半導体デバイス積層体および実装方法 |
US20090168374A1 (en) * | 2008-01-02 | 2009-07-02 | Clayton James E | Thin multi-chip flex module |
US8138610B2 (en) | 2008-02-08 | 2012-03-20 | Qimonda Ag | Multi-chip package with interconnected stacked chips |
JP5207868B2 (ja) | 2008-02-08 | 2013-06-12 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置 |
US8354742B2 (en) | 2008-03-31 | 2013-01-15 | Stats Chippac, Ltd. | Method and apparatus for a package having multiple stacked die |
US8159052B2 (en) * | 2008-04-10 | 2012-04-17 | Semtech Corporation | Apparatus and method for a chip assembly including a frequency extending device |
US7928562B2 (en) * | 2008-07-22 | 2011-04-19 | International Business Machines Corporation | Segmentation of a die stack for 3D packaging thermal management |
US20100044861A1 (en) * | 2008-08-20 | 2010-02-25 | Chin-Tien Chiu | Semiconductor die support in an offset die stack |
US8253231B2 (en) | 2008-09-23 | 2012-08-28 | Marvell International Ltd. | Stacked integrated circuit package using a window substrate |
KR101479461B1 (ko) | 2008-10-14 | 2015-01-06 | 삼성전자주식회사 | 적층 패키지 및 이의 제조 방법 |
JP5056718B2 (ja) | 2008-10-16 | 2012-10-24 | 株式会社デンソー | 電子装置の製造方法 |
KR20100050981A (ko) * | 2008-11-06 | 2010-05-14 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 패키지 및 이를 이용한 스택 패키지 |
JP5176893B2 (ja) * | 2008-11-18 | 2013-04-03 | 日立金属株式会社 | はんだボール |
US8049339B2 (en) | 2008-11-24 | 2011-11-01 | Powertech Technology Inc. | Semiconductor package having isolated inner lead |
US7951643B2 (en) | 2008-11-29 | 2011-05-31 | Stats Chippac Ltd. | Integrated circuit packaging system with lead frame and method of manufacture thereof |
KR101011863B1 (ko) | 2008-12-02 | 2011-01-31 | 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 | 반도체 패키지 및 그 제조 방법 |
US20100193930A1 (en) | 2009-02-02 | 2010-08-05 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Multi-chip semiconductor devices having conductive vias and methods of forming the same |
US8026589B1 (en) | 2009-02-23 | 2011-09-27 | Amkor Technology, Inc. | Reduced profile stackable semiconductor package |
JP5389956B2 (ja) * | 2009-03-13 | 2014-01-15 | テッセラ,インコーポレイテッド | ボンドパッドを貫通して延在するバイアを有するスタック型マイクロ電子アセンブリ |
TWI401785B (zh) | 2009-03-27 | 2013-07-11 | Chipmos Technologies Inc | 多晶片堆疊封裝 |
US8039316B2 (en) | 2009-04-14 | 2011-10-18 | Stats Chippac Ltd. | Integrated circuit packaging system with stacked integrated circuit and heat spreader with openings and method of manufacture thereof |
KR101601847B1 (ko) | 2009-05-21 | 2016-03-09 | 삼성전자주식회사 | 반도체 패키지 |
KR20100134354A (ko) | 2009-06-15 | 2010-12-23 | 삼성전자주식회사 | 반도체 패키지, 스택 모듈, 카드 및 전자 시스템 |
TWM370767U (en) | 2009-06-19 | 2009-12-11 | fu-zhi Huang | Modulized computer |
US20100327419A1 (en) | 2009-06-26 | 2010-12-30 | Sriram Muthukumar | Stacked-chip packages in package-on-package apparatus, methods of assembling same, and systems containing same |
US20110085304A1 (en) | 2009-10-14 | 2011-04-14 | Irvine Sensors Corporation | Thermal management device comprising thermally conductive heat spreader with electrically isolated through-hole vias |
US10128206B2 (en) | 2010-10-14 | 2018-11-13 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Conductive pillar structure |
US8553420B2 (en) | 2010-10-19 | 2013-10-08 | Tessera, Inc. | Enhanced stacked microelectronic assemblies with central contacts and improved thermal characteristics |
US8378478B2 (en) | 2010-11-24 | 2013-02-19 | Tessera, Inc. | Enhanced stacked microelectronic assemblies with central contacts and vias connected to the central contacts |
KR101061531B1 (ko) | 2010-12-17 | 2011-09-01 | 테세라 리써치 엘엘씨 | 중앙 콘택을 구비하며 접지 또는 배전을 개선한 적층형 마이크로전자 조립체 |
TW201239998A (en) | 2011-03-16 | 2012-10-01 | Walton Advanced Eng Inc | Method for mold array process to prevent peripheries of substrate exposed |
US8304881B1 (en) | 2011-04-21 | 2012-11-06 | Tessera, Inc. | Flip-chip, face-up and face-down wirebond combination package |
US8970028B2 (en) | 2011-12-29 | 2015-03-03 | Invensas Corporation | Embedded heat spreader for package with multiple microelectronic elements and face-down connection |
US8928153B2 (en) | 2011-04-21 | 2015-01-06 | Tessera, Inc. | Flip-chip, face-up and face-down centerbond memory wirebond assemblies |
US8338963B2 (en) | 2011-04-21 | 2012-12-25 | Tessera, Inc. | Multiple die face-down stacking for two or more die |
US8502390B2 (en) | 2011-07-12 | 2013-08-06 | Tessera, Inc. | De-skewed multi-die packages |
US8436457B2 (en) | 2011-10-03 | 2013-05-07 | Invensas Corporation | Stub minimization for multi-die wirebond assemblies with parallel windows |
US8723327B2 (en) | 2011-10-20 | 2014-05-13 | Invensas Corporation | Microelectronic package with stacked microelectronic units and method for manufacture thereof |
-
2010
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2015
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Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20050116358A1 (en) * | 2003-11-12 | 2005-06-02 | Tessera,Inc. | Stacked microelectronic assemblies with central contacts |
JP2006210892A (ja) * | 2004-12-27 | 2006-08-10 | Nec Corp | 半導体装置 |
JP2010501118A (ja) * | 2006-08-16 | 2010-01-14 | テッセラ,インコーポレイテッド | マイクロエレクトロニクスパッケージ |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN103262237B (zh) | 2016-06-15 |
JP2013540371A (ja) | 2013-10-31 |
US9312239B2 (en) | 2016-04-12 |
TWI480960B (zh) | 2015-04-11 |
US20120092832A1 (en) | 2012-04-19 |
WO2012054335A1 (en) | 2012-04-26 |
US8941999B2 (en) | 2015-01-27 |
EP2630657A1 (en) | 2013-08-28 |
DE202011110802U1 (de) | 2016-06-15 |
US20150145117A1 (en) | 2015-05-28 |
CN103262237A (zh) | 2013-08-21 |
TW201222682A (en) | 2012-06-01 |
WO2012054335A8 (en) | 2013-06-06 |
US8553420B2 (en) | 2013-10-08 |
KR20140001898A (ko) | 2014-01-07 |
US20140035121A1 (en) | 2014-02-06 |
JP5883456B2 (ja) | 2016-03-15 |
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