KR101215283B1 - 적어도 부분적인 패키징을 갖는 디바이스 - Google Patents

적어도 부분적인 패키징을 갖는 디바이스 Download PDF

Info

Publication number
KR101215283B1
KR101215283B1 KR1020117006446A KR20117006446A KR101215283B1 KR 101215283 B1 KR101215283 B1 KR 101215283B1 KR 1020117006446 A KR1020117006446 A KR 1020117006446A KR 20117006446 A KR20117006446 A KR 20117006446A KR 101215283 B1 KR101215283 B1 KR 101215283B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
layer
electrically conductive
conductive layer
circuit device
circuit devices
Prior art date
Application number
KR1020117006446A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20110043788A (ko
Inventor
조지 레알
지-후아 즈하오
에드워드 알. 프락
로버트 제이. 웬젤
브라이언 디. 사우어
데이빗 지. 원토르
마크 알란 만그럼
Original Assignee
프리스케일 세미컨덕터, 인크.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 프리스케일 세미컨덕터, 인크. filed Critical 프리스케일 세미컨덕터, 인크.
Publication of KR20110043788A publication Critical patent/KR20110043788A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101215283B1 publication Critical patent/KR101215283B1/ko

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • H01L23/3107Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
    • H01L23/3121Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed a substrate forming part of the encapsulation
    • H01L23/3128Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed a substrate forming part of the encapsulation the substrate having spherical bumps for external connection
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • H01L21/561Batch processing
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • H01L21/565Moulds
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • H01L21/568Temporary substrate used as encapsulation process aid
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • H01L23/3107Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/50Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor for integrated circuit devices, e.g. power bus, number of leads
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/52Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
    • H01L23/538Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames the interconnection structure between a plurality of semiconductor chips being formed on, or in, insulating substrates
    • H01L23/5389Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames the interconnection structure between a plurality of semiconductor chips being formed on, or in, insulating substrates the chips being integrally enclosed by the interconnect and support structures
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/18High density interconnect [HDI] connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/19Manufacturing methods of high density interconnect preforms
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/82Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected by forming build-up interconnects at chip-level, e.g. for high density interconnects [HDI]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/93Batch processes
    • H01L24/95Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H01L24/96Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being encapsulated in a common layer, e.g. neo-wafer or pseudo-wafer, said common layer being separable into individual assemblies after connecting
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/93Batch processes
    • H01L24/95Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H01L24/97Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/16Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/04105Bonding areas formed on an encapsulation of the semiconductor or solid-state body, e.g. bonding areas on chip-scale packages
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/12Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/12105Bump connectors formed on an encapsulation of the semiconductor or solid-state body, e.g. bumps on chip-scale packages
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/18High density interconnect [HDI] connectors; Manufacturing methods related thereto
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321Disposition
    • H01L2224/32151Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32225Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321Disposition
    • H01L2224/32151Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32245Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/91Methods for connecting semiconductor or solid state bodies including different methods provided for in two or more of groups H01L2224/80 - H01L2224/90
    • H01L2224/92Specific sequence of method steps
    • H01L2224/921Connecting a surface with connectors of different types
    • H01L2224/9212Sequential connecting processes
    • H01L2224/92142Sequential connecting processes the first connecting process involving a layer connector
    • H01L2224/92144Sequential connecting processes the first connecting process involving a layer connector the second connecting process involving a build-up interconnect
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/93Batch processes
    • H01L2224/95Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H01L2224/97Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/065Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
    • H01L25/0655Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00 the devices being arranged next to each other
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01004Beryllium [Be]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01013Aluminum [Al]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01015Phosphorus [P]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01027Cobalt [Co]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01029Copper [Cu]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01033Arsenic [As]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01047Silver [Ag]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01058Cerium [Ce]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01079Gold [Au]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01082Lead [Pb]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/013Alloys
    • H01L2924/014Solder alloys
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/14Integrated circuits
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/146Mixed devices
    • H01L2924/1461MEMS
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151Die mounting substrate
    • H01L2924/153Connection portion
    • H01L2924/1531Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface
    • H01L2924/15311Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface being a ball array, e.g. BGA
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181Encapsulation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181Encapsulation
    • H01L2924/1815Shape
    • H01L2924/1816Exposing the passive side of the semiconductor or solid-state body
    • H01L2924/18162Exposing the passive side of the semiconductor or solid-state body of a chip with build-up interconnect
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/1901Structure
    • H01L2924/1904Component type
    • H01L2924/19041Component type being a capacitor
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/191Disposition
    • H01L2924/19101Disposition of discrete passive components
    • H01L2924/19105Disposition of discrete passive components in a side-by-side arrangement on a common die mounting substrate
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30Technical effects
    • H01L2924/301Electrical effects
    • H01L2924/3011Impedance
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30Technical effects
    • H01L2924/301Electrical effects
    • H01L2924/3025Electromagnetic shielding

Abstract

일 실시예에서, 회로 디바이스(15)는 도전층(10)의 개구내에 위치되고, 회로 디바이스(15)의 활성 표면이 도전층(10)과 동일 평면이도록 캡슐제(24)로 캡슐화된다. 일 실시예에서, 도전층(10)의 적어도 일 부분은 기준 전압면(예를 들어, 접지면)으로서 이용될 수 있다. 일 실시예에서, 회로 디바이스(115)의 활성 표면은 도전층(100)과 회로 디바이스(115)의 대향 표면 사이에 있도록 회로 디바이스(115)는 도전층(100)상에 위치한다. 이 실시예에서, 도전층(100)은 회로 디바이스(115)의 활성 표면을 노출시키기 위해 적어도 하나의 개구(128)를 갖는다. 캡슐제 층(24, 126, 326)은 일 실시예들에서 전기적으로 도전성일 수 있고 다른 실시예들에서 전기적으로 비-도전성일 수 있다.

Description

적어도 부분적인 패키징을 갖는 디바이스{A device with at least partial packaging}
본 발명은 일반적으로 회로 디바이스에 관한 것으로서, 특히 적어도 부분적인 패키징을 갖는 회로 디바이스 및 회로 디바이스를 형성하기 위한 방법에 관한 것이다.
전기, 광, 능동, 및 수동 (이에 제한되지 않음)을 포함하는 모든 타입의 회로 디바이스들은, 일반적으로 회로 디바이스를 보호하고, 원할 때 회로 디바이스를 외부와 커플링하도록 허용하고, 회로 디바이스의 기능적인 이용을 여전히 허용하는 반면 비용이 저렴한 형태로 패키징된다. 회로 디바이스들의 패키징 향상이 가능한 표준, 기존의 패키징 툴들 및 프로세스들을 이용하는 것은 회로 디바이스 패키징의 발달에 대한 저렴한 접근법이다.
부분적으로만 패키징된 회로 디바이스들을 상업적으로 유통(transfer) 또는 판매하는 것이 보다 일반화되고 있다. 이러한 부분적으로 패키징된 회로 디바이스들은, 원하는 최종 회로를 생산하기 위해 다른 회로 디바이스들과 조합되고 최종 형태로 패키징될 수 있다.
본 발명의 목적은 적어도 부분적인 패키징을 갖는 디바이스를 제공하는 것이다.
본 발명의 상기 적어도 부분적인 패키징을 갖는 디바이스는: 능동 회로를 포함하는 제 1 표면, 상기 제 1 표면과 대향하는 제 2 표면, 및 상기 제 1 및 제 2 표면들과 실질적으로 수직한 측벽 표면들을 갖는 회로 디바이스; 및 상기 회로 디바이스의 상기 측벽 표면들 및 상기 제 2 표면 위에 놓여지고, 상기 회로 디바이스의 상기 제 1 표면의 적어도 일 부분을 노출시키는 전기적 도전 캡슐제(encapsulant)를 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명으로 인하여, 적어도 부분적인 패키징을 갖는 디바이스가 제공된다.
도 1 내지 4는 본 발명의 실시예에 따라 형성된 적어도 부분적인 패키징을 갖는 복수의 회로 디바이스들의 순차적인 단면도를 도시한 도면.
도 5는 본 발명의 실시예에 따라 형성된 도 4의 적어도 부분적인 패키징을 갖는 복수의 회로 디바이스들의 저면도를 도시한 도면.
도 6은 본 발명의 실시예에 따라 형성된 적어도 부분적인 패키징을 갖는 복수의 회로 디바이스들의 단면도를 도시한 도면.
도 7은 본 발명의 실시예에 따라 형성된 적어도 부분적인 패키징을 갖는 회로 디바이스의 평면도를 도시한 도면.
도 8은 본 발명의 실시예에 따라 형성된 도 7의 적어도 부분적인 패키징을 갖는 복수의 회로 디바이스의 단면도를 도시한 도면.
본 발명은 예를 들어 설명되었고, 첨부된 도면들로 제한되지 않으며, 동일한 참조들은 유사한 요소들을 나타낸다.
당업자들은 도면들내 요소들이 간단함 및 명료함을 위해 도시되었으며 스케일링할 필요가 없음을 이해할 것이다. 예를 들어, 도면들 내 몇몇 요소들의 크기가 본 발명의 실시예들의 이해를 돕기 위해 다른 요소들과 상대적으로 과장될 수 있다.
도 1은 접착층(12) 위에 위치된 전기적 도전층(10)의 단면도를 도시한다. 본 발명의 일부 실시예들에서, 지지 구조(9)는 접착층(12)을 지지하도록 이용된다. 전기적 도전층(10)과 접착층(12) 사이의 인터페이스는 평면(plane)(11)을 형성한다. 전기적 도전층(10)은 임의의 전기적 도전 물질로 형성될 수 있다. 본 발명의 일부 실시예들에서, 전기적 도전층(10)은 예를 들어, 리드 프레임(leadframe)과 같은 전기적 도전 프레임일 수 있다. 리드 프레임은 예를 들어, 구리 또는 합금(42) 같은 적절한 성질들의 임의의 전기적 도전 물질로 이루어질 수 있다. 본 발명의 대안적인 실시예들에서, 전기적 도전층(10)은 예를 들어, 복수의 상호 접속층들을 포함하는 다층 기판(multi-layer substrate)과 같은 전기적 도전층일 수 있다. 접착층(12)은 임의의 접착성 물질로 형성될 수 있다. 본 발명의 일 실시예에서, 접착층(12)은, 평면(11)을 따라 전기적 도전층(10)과 접촉하는 접착 표면을 갖는 테이프이다. 본 발명의 대안적인 실시예에서, 도 2까지 접착층(12)은 접착성을 갖지 않을 수 있다. 본 발명의 일 실시예에서, 전기적 도전층(10)은 개구들(405 내지 407)을 갖는다. 본 발명의 대안적인 실시예는 전기적 도전층(10)에서 임의의 형상과 개수의 개구들을 가질 수 있다.
도 2는, 복수의 회로 디바이스들(14)이 부가된 도 1의 순차적인 단면도를 도시한다. 복수의 회로 디바이스들(14)은 개구(405)에 위치한 회로 디바이스(15)와, 개구(406)에 위치한 회로 디바이스(16)와, 개구(407)에 위치한 회로 디바이스(17)를 포함한다. 개구들(405 내지 407)은 그들의 대응하는 회로 디바이스(15 내지 17)를 적어도 부분적으로 둘러싼다는 것을 주목한다. 본 발명의 일부 실시예들에서, 개구들(405 내지 407)은 그들의 대응하는 회로 디바이스(15 내지 17)를 완전히 둘러싼다. 본 발명의 대안적인 실시예들에서, 하나 이상의 회로 디바이스(예를 들어, 15 내지 17)가 단일 개구(405 내지 407)에 위치할 수 있음을 주목한다. 하나 이상의 복수의 회로 디바이스들(14)은 동일한 기능을 수행하는 동일한 회로 디바이스들일 수 있고, 또는 상이한 기능들을 수행하는 상이한 회로 디바이스들 일 수 있다. 본 발명의 일부 실시예들에서, 접착제가, 회로 디바이스들(14)이 그들의 개별적인 개구들(405 내지 407)내에 위치하기 이전에 하나 이상의 회로 디바이스들(14)에 도포된다. 이후, 하나 이상의 회로 디바이스들(14)에 도포된 접착제는 접착층(12)과 접촉하고, 후속 캡슐화 단계 동안 회로 디바이스들이 제자리에 있게 고정하는 접착층(12)의 접착부를 형성한다.(도 3 참조)
회로 디바이스들(14)은, 전기적 도전층(10)의 표면과 (예를 들어, 도 2에 도시된 실시예의 평면(11)을 따라) 실질적으로 동일 평면이며, 활성인 적어도 하나의 표면을 갖는다. 설명된 실시예에서, 회로 디바이스들(15 내지 17)의 활성 표면은 회로 디바이스들(15 내지 17)의 하부(bottom)로 여겨지고, 이러한 하부 표면들은 접착층(12)과 접착적으로 접속된다. 도 2에 도시된 실시예에서, 회로 디바이스(15)의 활성 표면은 복수의 접점 패드들(18)을 포함하고, 회로 디바이스(16)의 활성 표면은 복수의 접점 패드들(19)을 포함하고, 회로 디바이스(17)의 활성 표면은 복수의 접점 패드들(20)을 포함한다. 본 발명의 대안적인 실시예들은 각각의 회로 디바이스들(14)상에 이보다 더 많거나 더 적은 수의 접점 패드들을 포함할 수 있다. 이러한 접점 패드들(18 내지 20)은, 당 분야에 공지된 다양한 프로세스들 및 물질들을 이용하여 임의의 방식으로 회로 디바이스(14 내지 17) 상에 형성된다. 본 발명의 일 실시예들에서, 적어도 하나의 개구(405 내지 407)(도 1 참조)는 회로 디바이스들(15 내지 17) 중 적어도 하나를 적어도 부분적으로 둘러싼다.
도 3은 다이 세트(21)가 부가되어 캐비티(cavity)(22)를 형성하는 도 2의 순차적 단면도를 도시한다. 캡슐제(encapsulat)는 예를 들어, 주입 몰딩 또는 이송 몰딩과 같은 임의의 적절한 캡슐화 방법을 이용한 하나 이상의 개구들(414)의 방법으로 제공될 것이다. 예를 들어, 디스펜스 몰딩(dispense molding) 및 캐비티 주입 몰딩(cavity injection molding)과 같은 다른 대안적인 캡슐화 방법들이 이용될 수 있다.
도 4는, 회로 디바이스들(14)과 전기적 도전층(10) 사이에 하나 이상의 캡들을 포함하여, 캐비티(22)가 캡슐제 층(24)으로 부분적 또는 전적으로 채워진 이후 다이 세트(21)가 제거된 도 3의 순차적인 단면도를 도시한다. 본 발명의 임의의 실시예들에서, 예를 들어, 접착층(12)이 접착 테이프인 경우 접착층(12)이 제거될 수 있다. 본 발명의 일부의 실시예들에서, 캡슐제 층(24)은 예를 들어, 열경과성 모드 화합물들과 같이 몰딩될 수 있거나 절연 물질들로서 역할하는 또는 필드 열가소성 수지들이 채워질 수 있는 임의의 타입의 전기적 비-도전 물질(non-electrically conductive material)일 수 있다. 본 발명의 대안적인 실시예들에서, 캡슐제 층(24)은 예를 들어, 금속성 필러(filler)를 갖는 열경화성 에폭시 또는 금속성 필러를 갖는 열가소성과 같이 몰딩될 수 있는 임의의 타입의 전기적 도전 물질일 수 있다. 금속성 필러는 예를 들어, 은, 구리, 전기적 도전성 코팅된 폴리머 구들(electrically conductive coated polymer spheres)로 코딩된 전기적 도전체, 및 도전 나노-입자들(conductive nano-particles)과 같은 임의의 적절한 전기적 도전 물질일 수 있다. 금속성 필터는 입자 형태일 수 있다. 본 발명의 일부 실시예들에서, 전기적 도전층(10), 또는 이것의 부분들은 예를 들어 접지면과 같은 기준 전압면 또는 보다 높은 기준 전압면으로서 역할하는 것을 주목한다. 이러한 기준 전압면의 한 가지 혜택은 예를 들어, 상호 접속층(328) 내에 제조될 도체(461)(도 8 참조)와 같은 하나 이상의 제어된 임피던스 회로들을 인에이블링하는 것이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따라 형성된 도 4의 적어도 부분적인 패키징을 갖는 복수의 회로 디바이스들(15 내지 17)에 근사한 저면도를 도시한다. 또한, 도 5에 도시된 구조는, 도 4에 도시되지 않은 복수의 부가적인 회로 디바이스들(28)을 포함한다. 본 발명의 대안적인 실시예들에서, 회로 디바이스들(15 내지 17 및 28)은 몇 개의 회로 디바이스들을 포함할 수 있으며, 임의의 합리적인 사이즈의 일차원 또는 이차원 어레이로 배열될 수 있다. 어레이는 대칭이거나 아닐 수 있다.
본 발명의 일 실시예에서, 전기적 도전층(10)은, 회로 디바이스들(15 내지 17 및 28)을 수용하기 위해, 개구들을 갖는 기준 전압면들의 어레이로서 도시된다. 도 5에 도시된 본 발명의 실시예에서, 기준 전압면들은, 전기적 도전층(10)의 부분이고 간결함을 위해 도 1 내지 도 4에는 도시되지 않은 복수의 스파들(spars)(예를 들어, 스파들 416)에 의해 함께 유지됨을 주목한다. 본 발명의 대안적인 실시예들은 스파들(416)을 이용하지 않을 수 있다. 스파들(416)은 개구들(예를 들어, 405 및 406)을 갖는 복수의 기준 전압면들의 물리적으로 접속시키는 방법을 제공하여, 하나 이상의 회로 디바이스(예를 들어, 15 및 16)의 부분적 또는 전체 패키징은 동일한 전기적 도전층(10)을 이용하여 동시에 수행될 수 있다. 본 발명의 일부 실시예들에서, 스파들(416)은 외측 레일 또는 프레임(도시 없음)에 대해 보호될 수 있다. 이후, 스파들(416) 및 기준면들(405 내지 407) 사이에 위치한 다른 물질들을 통해 절단함으로써 단일화(singulation)가 성취될 수 있다. 회로 디바이스들(15 내지 17 및 28)은 각각의 개별 회로 디바이스(15 내지 17, 28)를 둘러싸는 적절한 스파들(416)을 통해 절단함으로써 단일화된다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따라 형성된 적어도 부분적인 패키징을 갖는 복수의 회로 디바이스들(115 내지 117)의 단면도를 도시한다. 접착층(112)은 전기적 도전층(100)과 회로 디바이스들(115 내지 117) 사이에 삽입된다. 캡슐제 층(126)은 도 4의 동일한 방식과 캡슐제 층(24)과 동일한 재료들로 형성될 수 있다. 전기적 도전층(100)의 하나 이상의 개구들(128)은, 회로 디바이스(115)의 활성 표면 상의 하나 이상의 접점 패드들(118)과 전기적으로 접속시키는데 이용될 수 있다. 전기적 도전층(100)의 하나 이상의 개구들(129)은 회로 디바이스(116)의 활성 표면 상의 하나 이상의 접점 패드들(119)과 전기적으로 접속시키는데 이용될 수 있다. 전기적 도전층(100)의 하나 이상의 개구들(130)은 회로 디바이스(117)의 활성 표면상에 하나 이상의 접점 패드들(120)과 전기적으로 접속되도록 이용될 수 있다. 전기적 도전층(100)은, 개구들(128 내지 130)을 통해 상호 접속들을 형성하는데 이용되는 프로세싱을 간소화하기 위해 회로 디바이스들 예를 들면 (115 내지 117)이 위치되는 영역에서 얇아질 수 있음을 주목한다. 도 6에 도시된 실시예에서, 도전층(100)은, 회로 디바이스들(117 내지 119) 사이의 층과, 순차적으로 부가된 임의의 상호 접속층(들)(예를 들어, 도 8의 328)을 분리(decoupling)하는 스트레스(stress)로서 역할할 수 있으며 이로써 잠재적인 신뢰성을 향상시킨다. 이 스트레스 버퍼링 기능은 기준면으로 역할하는 도전층(100)에 부가될 수 있다.
도 6에 도시된 실시예에서, 회로 디바이스들(115 내지 117)의 활성 표면은 전기적 도전층(100)의 한 표면과 실질적으로 동일 평면인 반면, (회로 디바이스들(116 및 117)에서와 같이) 능동 또는 비-능동 중 하나인 대향 표면은 캡슐제 층(126)에 의해 전부 캡슐화될 수 있거나, 대안으로는 (회로 디바이스들(115)에서와 같이) 캡슐제 층(126)의 대향 표면과 실질적으로 동일 평면일 수 있다. 디바이스(15)의 대향 표면(430)은 캡슐제 층(126)의 대향 표면(431)과 실질적으로 동일 평면인 경우, 회로 디바이스(115)로부터 열을 방출하기 위해 열 싱크(heat sink)를 회로 디바이스(115)의 표면(430)에 직접 접착하는 것이 가능하다. 회로 디바이스(115)가, 상당한 양의 전력을 이용하는 회로 디바이스인 경우 이것은 특히 중요할 수 있다. 캡슐제 층(126)의 표면(431)과 실질적으로 동일 평면에 있는 회로 디바이스(예를 들어, 회로 디바이스(15))의 대향 표면(430)을 갖는 것은 예를 들어, 도 4 및 도 8에서 설명하고 도시하는 실시예들을 포함하는 본 발명의 임의의 양호한 실시예에서 이용될 수 있다. 또한, 활성 표면을 갖는 각각의 회로 디바이스(115 내지 117)의 하부는 회로 디바이스(115 내지 117)의 상부와 전기적 도전층(100)의 상부 사이에 위치함을 주목한다.
전기적 도전층(100)은 전기적 도전성인, 적절한 성질들을 갖는 임의의 재료로 형성될 수 있다. 본 발명의 일부 실시예들에서, 전기적 도전층(100)은 예를 들어, 리드 프레임(leadframe)과 같은 전기적 도전 프레임일 수 있다. 리드 프레임은 예를 들어, 구리 또는 합금(42)과 같은 임의의 전기적 도전 물질로 형성될 수 있다. 본 발명의 대안적인 실시예들에서, 전기적 도전층(100)은, 예를 들어, 복수의 상호 접속층들을 포함하는 다층 기판과 같은 전기적 도전 기판일 수 있다. 접착층(112)은 임의의 접착 물질로 형성될 수 있다. 본 발명의 일 실시예에서, 접착층(112)은 전기적 도전층(100)과 접속하는 접착 표면을 갖는 테이프이다. 본 발명의 대안적인 실시예에서, 접착층(112)은, 회로 디바이스들(115 내지 117)이 전기적 도전층(100) 상에 위치할 때까지, 접착층(12)과 회로 디바이스들(115 내지 117) 사이에 삽입된 접착을 이용하여 어떤 접착도 도포되지 않을 수 있다. 일부 실시예들에서, 접착층(12)은, 회로 디바이스들(115 내지 117)의 배치 이전에 디핑(dipping), 디스펜싱(dispensing), 또는 스탬프 트랜스퍼(stamp transfer)를 통해 도포된 에폭시와 같은 용액 접착제 또는 테이프일 수 있다.
도 6은 또한, 전기적 도전층(100)이 캡슐제 층(126)의 동일한 대향 표면(431)과 실질적으로 동일 평면에 있는 하나 이상의 부분들을 가질 수 있는 예를 도시한다. 도 6은 전기 디바이스(102)가 예를 들어 솔더링(soldering) 또는 도전성 접착과 같은 당 분야에 공지된 다양한 방법들을 이용하여 접점 패드들/상호 접속(101) 방식에 의해 전기적 도전층(100)의 부분들에 접속되는 예를 도시한다. 전기 디바이스(102)는 임의의 타입의 능동 또는 수동 디바이스일 수 있고, 몇 개의 단자들을 가질 수 있다. 본 발명의 일부 실시예들에서, 전기 디바이스(102)가 캡슐제 층(126)에 매립(embedded)되지 않으므로, 테스팅 목적 및 대체 목적으로 쉽게 접근할 수 있음을 주목한다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따라 형성된 적어도 부분적인 패키징을 갖는 회로 디바이스(200)의 평면도를 도시한다. 본 발명이 일 실시예에서, 회로 디바이스(200)는 집적 회로 다이(die)일 수 있다. 본 발명의 일부 실시예들에서, 회로 디바이스들(15 내지 17, 28)(도 1 내지 5 참조), 및 회로 디바이스들(115 내지 117)(도 6 참조)은 집적 회로 다이일 수 있음을 주목한다. 도 8은 도 7의 적어도 부분적인 패키징을 갖는 회로 디바이스(200)의 단면도를 도시한다.
도 7은 입력/출력 전원(201)으로 불리는 기준 전압면으로부터 보다 높은 전압을 수신하도록 전기적으로 접속되고, 코어 전원(203)으로 불리는 기준 전압면으로부터 보다 높은 전압을 수신하기 위해 전기적으로 접속되고, 입력/출력 접지(204)로 불리는 기준 전압면으로부터 보다 낮거나 접지 전압을 수신하기 위해 전기적으로 접속되고, 코어 접지(202)로 불리는 기준 전압면으로부터 보다 낮거나 접지 전압을 수신하도록 전기적으로 접속된다. 본 발명의 일부 실시예들에서, 입력/출력 전원(201), 코어 전원(203), 입력/출력 접지(204), 및 코어 접지(202)는, 상호 전기적으로 절연된, 전기적 도전층의 부분들 모두이다. 본 발명의 일 실시예에서, 입력/출력 전원(201) 및 입력/출력 접지(204)는 커패시터들(212 및 213)을 분리하는 방식에 의해 전기적으로 분리된다. 유사하게, 코어 전원(203) 및 코어 접지(202)는 커패시터들(214 및 215)을 분리하는 방식에 의해 전기적으로 분리될 수 있다. 설명된 실시예에서, 접점 패드들(216)은 커패시터들(212 내지 215)이 기준 전압면들(201 내지 204)과 전기적으로 접속시키는데 이용됨을 주목한다. 커패시터들(212 내지 215)을 분리하는 것은 예를 들어, 솔더링 또는 도전성 접착과 같은 당 분야에 공지된 다양한 방법들을 이용하여 접점 패드들(216)과 전기적으로 접속될 수 있다.
도 7 및 8을 참조하면, 본 발명의 일부 실시예들에서, 회로 디바이스(200)는 상호 접속층(328)의 부분(450)에 의해 전기적 도전층(201 내지 204, 224)의 코어 전원 부분(203)에 전기적으로 접속될 수 있음을 주목한다. 대안적인 실시예들에서, 회로 디바이스(200)는 전기적 도전층(201 내지 204, 224)의 임의의 원하는 부분(예를 들어, 201 내지 204)에 전기적으로 접속될 수 있다. 전기적 도전층(201 내지 204, 224), 또는 이들의 전기적으로 절연된 부분들은 하나 이상의 기준 전압면들로서 기능할 수 있다.
본 발명의 일부 실시예들에 대해, 캡슐제 층(326)(도 8 참조)은 전기적으로 도전될 수 있다. 캡슐제 층(326)이 전기적으로 도전되면, 하나 이상의 개구들(예를 들어, 개구(470))는 도전층(202, 203, 224)을 통하여 상호 접속층(328)까지 형성될 수 있다. 개구(470)는 도전층(203, 202, 224)의 부분(203)내 개구이다. 개구(470)는 비어(332)에 의해 캡슐제 층(326)과 상호 접속층(328)의 하나 이상의 부분들을 전기적으로 접속하는데 이용될 수 있다. 예를 들어, 캡슐제 층(326)은 개구(470), 비어(332), 및 상호 접속층(328)에 의해 적절한 전압(예를 들어, 전원 또는 접지)을 캡슐제 층(326)에 전기적으로 접속함으로써 기준 전압면으로서 이용될 수 있다. 이 실시예에서, 도전층(202, 203)의 영역 커버리지가 작을지라도, 예를 들어, 도체(460)(도 8 참조)와 같은 제어된 임피던스 회로들이 기준면으로 역할하는 캡슐제 층(326)과 함께 상호 접속층(328)내에 가능하다. 또한, 캡슐제 층(326)은 회로 디바이스(200)용 전기적 차폐 기능(electrically shielding function)을 수행할 수 있다. 캡슐제 층(326)이 전기적 도체이면, 전기적 디바이스(예를 들어, 220)는, 그 단자들이 전기적으로 단락되는 사실로 인해 도 8에 도시된 바와 같이 캡슐제 층(326)내에서 캡슐화되지 않을 것이다.
본 발명의 대안적인 실시예들은 전기적 도체인 캡슐제를 이용하지 않을 수 있다. 도 8을 참조하여, 캡슐제 층(326)이 전기적 비도전성이면, 전기적 도전층(415)은 전기적 차폐 및 전압 기준을 제공하기 위해 회로 디바이스(200) 위에 위치하여 형성될 수 있다. 전기적 도전층(415)은 다중-단계 캡슐화 프로세스의 일부로서 형성될 수 있음을 주목한다. 전기적 비-도전 캡슐제 층(326)은 이후의 다중-단계 캡슐화 프로세스의 후속 일부로서 층(415) 위에 위치하여 형성될 수 있다. 본 발명의 대안적인 실시예들에서, 하나 이상의 회로 디바이스(예를 들어, 200)는 단일 전기적 도전층(415)내에 위치될 수 있다.
상호 접속층(328)은 하나 이상의 레벨들의 상호 접속을 포함할 수 있고, 예를 들어, 고밀도 상호 접속 빌드-업(high density interconnect build-up), 적층물(lamination), 또는 박막 프로세싱과 같은 당 분야에서 공지된 다양한 회로화 프로세스들을 이용하여 형성될 수 있다. 본 발명의 일부 실시예들에서, 컴플리언트 폴리머 층(412)을 통과하는 비어(331)는 상호 접속층(328)의 접점 패드(330)를 전기적 도전 볼(334)과 접속시킨다. 본 발명의 대안적인 실시예들은 상호 접속층(328)과 전기적으로 접속하는 복수의 이러한 비어들과 복수의 볼들(예를 들어, 334)을 가질 수 있다. 전기적 도전 볼(334)은 예를 들어, 솔더, 또는 폴리머 코어(338)를 둘러싸는 솔더(336)와 같은 임의의 적절한 도전 물질로 형성될 수 있다. 본 발명의 일부 실시예들에서, 상호 접속층(328)(예를 들어, 412, 331, 330,334)의 아래의 구조는 상호 접속층(328)과, 전기적 도전 볼들(예를 들어, 334)에 그 후에 접착된 부가적인 구조(도시 없음) 사이에 스트레스 버퍼링을 제공하도록 기능할 수 있다.
본 발명의 일부 실시예들에서, 수동 또는 능동 중 하나인 전기 디바이스(220)는 전기적 도전층(224)의 상부 표면에 전기적으로 접속될 수 있으며, 이는 도전층(202)의 절연된 부분 그 자체이다. 전기 디바이스(220)의 좌측 단자에 전기적으로 접속된 좌측 부분(224)은, 전기 디바이스(220)의 우측 단자에 전기적으로 접속된 좌측 부분(224)으로부터 전기적으로 절연될 수 있음을 주목한다. 일 실시예에서, 전기 디바이스(220)는 224의 상부 표면 상에 제작된 하나 이상의 접점 패드들(228)에 의해 전기적 도전층(224)에 전기적으로 접속된다. 따라서, 전기 디바이스(220)는 도전층(224)에 의해 상호 접속층(328)에 전기적으로 접속된다. 본 발명의 일부 실시예들에서, 캡슐제 층(326)의 하나 이상의 부분들(예를 들어, 226)은 도전층(예를 들어, 224)의 하나 이상의 부분들을 절연시키는 역할을 할 수 있다. 디바이스(220)의 전기적 접속은 예를 들어, 솔더링 또는 도전성 접착과 같은 당 분야에 공지된 다양한 방법들을 이용하여 수행될 수 있다. 본 발명의 일부 실시예들에서, 도전층(224)은, 회로 디바이스(220)에 대한 보다 낮은 접착 높이와 패키지에 대한 보다 낮은 포텐셜 프로파일을 허용하는 도전층(202 및 203)의 잔여 부분들과 비교하여 높이가 감소될 수 있음을 주목한다.
전기적 도전층(202, 203, 224)은 임의의 적절한 전기적 도전 물질로 형성될 수 있다. 본 발명의 일부 실시예들에서, 전기적 도전층(202, 203, 224)은 예를 들어, 리드 프레임과 같은 전기적 도전 프레임일 수 있다. 리드 프레임은 예를 들어 구리 또는 합금(42)과 같은 임의의 전기적 도전 물질로 형성될 수 있다. 본 발명의 대안적인 실시예들에서, 전기적 도전층(202, 203, 224)은 복수의 상호 접속층들을 포함하는, 예를 들어 다중-층 기판과 같은 전기적 도전 기판일 수 있다.
상호 접속층(328)이 예를 들어, 액정 폴리머(Liquid crystal polymer)(LCP) 또는 폴리페닐렌 황화물(Polyphenylene sulfide))(PPS)과 같이 열가소성 같은, 캡슐제 층(326)과 동일한 카테고리의 물질을 이용하여 형성되면, 회로 디바이스(200) 및 상호 접속층(328)내의 이에 대응하는 상호 접속들은 심리스(seemless)내에 인케이싱(encased)될 수 있고, 도 8에 도시된 캡슐제 층(326)과 상호 접속층(328) 사이의 인터페이스들을 나타내는 수평선들과 물질의 모노리식 블록(monolithic block)은 더 이상 존재하지 않을 것임을 주목한다. 이러한 패키지 구성은, 박막으로 갈라진 비유사 물질들 사이의 인터페이스들의 수가 감소하고 보다 적은 수분 인그레스(less moisture ingress)로 인해 신뢰성이 개선됨을 증명한다. 본 발명의 일 실시예에서, 상호 접속층(328)의 제조를 위한 적층 기술은, 동일한 카테고리의 물질이 캡슐제 층(326)과 상호 접속층(328)을 위해 이용되는 경우에 이용될 수 있다. 또한 주입 몰딩은 이 경우의 캡슐제 층(326)을 도포하는데 이용될 수 있다.
본 발명의 일부 실시예들에서, 캡슐제 층(126)이 전기적으로 도전되지 않을 때, 전기적 도전층(예를 들어, 도 6의 100; 도 7의 201 내지 204 및 224; 도 8의 224)의 하나 이상의 부분들은 전기 접속들을 다른 디비이스들로 제공하기 위해 (예를 들어, 도 6의 102와 도 8의 220) 물리적으로 분리되거나 그렇지 않으면 전기적 도전층의 다른 부분들로부터 전기적으로 절연될 수 있음을 주목한다.
앞의 명세서에서, 본 발명은 특정 실시예들을 참조하여 설명되었다. 그러나, 당업자는 아래의 청구 범위에 제시된 본 발명의 범위로부터 벗어남 없이 다양한 수정들과 변경들이 이루어질 수 있음을 이해한다. 따라서, 설명서 및 도면들은 제한적이기 보다는 설명적인 의미로 이해하여야하고, 이러한 모든 수정들이 본 발명의 범위내에 포함됨을 의도한다.
혜택들, 다른 유익함들, 및 문제들에 대한 해결들이 특정 실시예들에 관해 상술되었다. 그러나, 임의의 혜택, 유익함, 또는 발생하거나 더욱 표명되는 해결들을 유발할 수 있는 혜택들, 다른 유익함들, 문제들에 대한 해결들, 및 임의의 요소(들)는 임의의 또는 모든 청구 범위들의 결정적인, 요구된, 필수적 특징 또는 요소로 해석되어서는 않된다. 여기에 이용된 용어들, "포함하다"는 비-배타적인 포함까지 포함하도록 의도하여, 리스트된 요소들을 포함하는 프로세스, 방법, 물품, 또는 장치는 그 요소들만을 포함하는 것은 아니고, 명시적으로 리스트되지 않은 다른 요소들, 또는 이러한 프로세스, 방법, 물품, 또는 장치에 대한 본래의 요소를 포함할 수 있다.
9 : 지지 구조 10 : 전기적 도전층
12 : 접착층 14 : 회로 디바이스들
19 : 접점 패드들 24 : 캡슐제 층

Claims (1)

  1. 적어도 부분적인 패키징을 갖는 디바이스에 있어서:
    능동 회로를 포함하는 제 1 표면, 상기 제 1 표면과 대향하는 제 2 표면, 및 상기 제 1 및 제 2 표면들과 수직한 측벽 표면들을 갖는 회로 디바이스; 및
    상기 회로 디바이스의 상기 측벽 표면들 및 상기 제 2 표면 위에 놓여지고, 상기 회로 디바이스의 상기 제 1 표면의 적어도 일부분을 노출시키는 전기적 도전 캡슐제(encapsulant)를 포함하는, 적어도 부분적인 패키징을 갖는 디바이스.
KR1020117006446A 2003-04-18 2004-04-06 적어도 부분적인 패키징을 갖는 디바이스 KR101215283B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US10/418,790 2003-04-18
US10/418,790 US6921975B2 (en) 2003-04-18 2003-04-18 Circuit device with at least partial packaging, exposed active surface and a voltage reference plane
PCT/US2004/011871 WO2004095514A2 (en) 2003-04-18 2004-04-06 Circuit device with at least partial packaging and method for forming

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020057019853A Division KR101165580B1 (ko) 2003-04-18 2004-04-06 적어도 부분적인 패키징을 갖는 회로 디바이스 및 형성하기위한 방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20110043788A KR20110043788A (ko) 2011-04-27
KR101215283B1 true KR101215283B1 (ko) 2012-12-26

Family

ID=33159184

Family Applications (3)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020117006445A KR101142314B1 (ko) 2003-04-18 2004-04-06 적어도 부분적인 패키징을 갖는 디바이스 및 형성하기 위한 방법
KR1020117006446A KR101215283B1 (ko) 2003-04-18 2004-04-06 적어도 부분적인 패키징을 갖는 디바이스
KR1020057019853A KR101165580B1 (ko) 2003-04-18 2004-04-06 적어도 부분적인 패키징을 갖는 회로 디바이스 및 형성하기위한 방법

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020117006445A KR101142314B1 (ko) 2003-04-18 2004-04-06 적어도 부분적인 패키징을 갖는 디바이스 및 형성하기 위한 방법

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020057019853A KR101165580B1 (ko) 2003-04-18 2004-04-06 적어도 부분적인 패키징을 갖는 회로 디바이스 및 형성하기위한 방법

Country Status (6)

Country Link
US (3) US6921975B2 (ko)
EP (1) EP1618606A4 (ko)
JP (1) JP5042623B2 (ko)
KR (3) KR101142314B1 (ko)
CN (1) CN100413065C (ko)
WO (1) WO2004095514A2 (ko)

Families Citing this family (142)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6930256B1 (en) 2002-05-01 2005-08-16 Amkor Technology, Inc. Integrated circuit substrate having laser-embedded conductive patterns and method therefor
US9691635B1 (en) 2002-05-01 2017-06-27 Amkor Technology, Inc. Buildup dielectric layer having metallization pattern semiconductor package fabrication method
US7633765B1 (en) 2004-03-23 2009-12-15 Amkor Technology, Inc. Semiconductor package including a top-surface metal layer for implementing circuit features
US7548430B1 (en) 2002-05-01 2009-06-16 Amkor Technology, Inc. Buildup dielectric and metallization process and semiconductor package
US7723210B2 (en) 2002-11-08 2010-05-25 Amkor Technology, Inc. Direct-write wafer level chip scale package
US6905914B1 (en) 2002-11-08 2005-06-14 Amkor Technology, Inc. Wafer level package and fabrication method
JP3940694B2 (ja) * 2003-04-18 2007-07-04 株式会社東芝 半導体装置及びその製造方法
US6921975B2 (en) * 2003-04-18 2005-07-26 Freescale Semiconductor, Inc. Circuit device with at least partial packaging, exposed active surface and a voltage reference plane
US7112472B2 (en) * 2003-06-25 2006-09-26 Intel Corporation Methods of fabricating a composite carbon nanotube thermal interface device
US8569142B2 (en) * 2003-11-28 2013-10-29 Blackberry Limited Multi-level thin film capacitor on a ceramic substrate and method of manufacturing the same
US7005325B2 (en) * 2004-02-05 2006-02-28 St Assembly Test Services Ltd. Semiconductor package with passive device integration
US10811277B2 (en) 2004-03-23 2020-10-20 Amkor Technology, Inc. Encapsulated semiconductor package
US11081370B2 (en) 2004-03-23 2021-08-03 Amkor Technology Singapore Holding Pte. Ltd. Methods of manufacturing an encapsulated semiconductor device
US20070000595A1 (en) * 2005-06-29 2007-01-04 Intel Corporation Adhesive substrate and method for using
US7245009B2 (en) * 2005-06-29 2007-07-17 Motorola, Inc. Hermetic cavity package
KR100722597B1 (ko) * 2005-07-04 2007-05-28 삼성전기주식회사 구리 패턴이 형성된 더미 영역을 구비한 반도체 패키지기판
DE102005045767B4 (de) * 2005-09-23 2012-03-29 Infineon Technologies Ag Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauteils mit Kunststoffgehäusemasse
US7572681B1 (en) 2005-12-08 2009-08-11 Amkor Technology, Inc. Embedded electronic component package
US20070212813A1 (en) * 2006-03-10 2007-09-13 Fay Owen R Perforated embedded plane package and method
US8829661B2 (en) * 2006-03-10 2014-09-09 Freescale Semiconductor, Inc. Warp compensated package and method
US7425464B2 (en) * 2006-03-10 2008-09-16 Freescale Semiconductor, Inc. Semiconductor device packaging
DE102006012738A1 (de) * 2006-03-17 2007-09-20 Infineon Technologies Ag Nutzen aus einer Verbundplatte mit Halbleiterchips und Kunststoffgehäusemasse sowie Verfahren und Moldform zur Herstellung desselben
JP2007266150A (ja) * 2006-03-28 2007-10-11 Fujitsu Ltd 熱伝導性接合材、半導体パッケージ、ヒートスプレッダ、半導体チップ、及び半導体チップとヒートスプレッダとを接合する接合方法
US7687882B2 (en) * 2006-04-14 2010-03-30 Allegro Microsystems, Inc. Methods and apparatus for integrated circuit having multiple dies with at least one on chip capacitor
US7573112B2 (en) * 2006-04-14 2009-08-11 Allegro Microsystems, Inc. Methods and apparatus for sensor having capacitor on chip
US7993972B2 (en) 2008-03-04 2011-08-09 Stats Chippac, Ltd. Wafer level die integration and method therefor
US8072059B2 (en) * 2006-04-19 2011-12-06 Stats Chippac, Ltd. Semiconductor device and method of forming UBM fixed relative to interconnect structure for alignment of semiconductor die
JP4791244B2 (ja) * 2006-05-11 2011-10-12 新光電気工業株式会社 電子部品内蔵基板及びその製造方法
US7902660B1 (en) 2006-05-24 2011-03-08 Amkor Technology, Inc. Substrate for semiconductor device and manufacturing method thereof
US7405102B2 (en) * 2006-06-09 2008-07-29 Freescale Semiconductor, Inc. Methods and apparatus for thermal management in a multi-layer embedded chip structure
US7892882B2 (en) * 2006-06-09 2011-02-22 Freescale Semiconductor, Inc. Methods and apparatus for a semiconductor device package with improved thermal performance
US20080013298A1 (en) * 2006-07-14 2008-01-17 Nirmal Sharma Methods and apparatus for passive attachment of components for integrated circuits
TWI313943B (en) * 2006-10-24 2009-08-21 Chipmos Technologies Inc Light emitting chip package and manufacturing thereof
US7550857B1 (en) 2006-11-16 2009-06-23 Amkor Technology, Inc. Stacked redistribution layer (RDL) die assembly package
US7807511B2 (en) 2006-11-17 2010-10-05 Freescale Semiconductor, Inc. Method of packaging a device having a multi-contact elastomer connector contact area and device thereof
US7588951B2 (en) * 2006-11-17 2009-09-15 Freescale Semiconductor, Inc. Method of packaging a semiconductor device and a prefabricated connector
US7476563B2 (en) 2006-11-17 2009-01-13 Freescale Semiconductor, Inc. Method of packaging a device using a dielectric layer
US7696016B2 (en) * 2006-11-17 2010-04-13 Freescale Semiconductor, Inc. Method of packaging a device having a tangible element and device thereof
US7674656B2 (en) * 2006-12-06 2010-03-09 Freescale Semiconductor, Inc. Die positioning for packaged integrated circuits
US20080246126A1 (en) * 2007-04-04 2008-10-09 Freescale Semiconductor, Inc. Stacked and shielded die packages with interconnects
US8106496B2 (en) * 2007-06-04 2012-01-31 Stats Chippac, Inc. Semiconductor packaging system with stacking and method of manufacturing thereof
US7648858B2 (en) * 2007-06-19 2010-01-19 Freescale Semiconductor, Inc. Methods and apparatus for EMI shielding in multi-chip modules
US8217511B2 (en) * 2007-07-31 2012-07-10 Freescale Semiconductor, Inc. Redistributed chip packaging with thermal contact to device backside
US7838420B2 (en) * 2007-08-29 2010-11-23 Freescale Semiconductor, Inc. Method for forming a packaged semiconductor device
US7679177B2 (en) * 2007-09-21 2010-03-16 Stats Chippac Ltd. Integrated circuit packaging system with passive components
TWI360207B (en) 2007-10-22 2012-03-11 Advanced Semiconductor Eng Chip package structure and method of manufacturing
US10074553B2 (en) * 2007-12-03 2018-09-11 STATS ChipPAC Pte. Ltd. Wafer level package integration and method
US9460951B2 (en) 2007-12-03 2016-10-04 STATS ChipPAC Pte. Ltd. Semiconductor device and method of wafer level package integration
US7759212B2 (en) * 2007-12-26 2010-07-20 Stats Chippac, Ltd. System-in-package having integrated passive devices and method therefor
US20090170241A1 (en) * 2007-12-26 2009-07-02 Stats Chippac, Ltd. Semiconductor Device and Method of Forming the Device Using Sacrificial Carrier
US7741194B2 (en) * 2008-01-04 2010-06-22 Freescale Semiconductor, Inc. Removable layer manufacturing method
US7950144B2 (en) * 2008-04-30 2011-05-31 Freescale Semiconductor, Inc. Method for controlling warpage in redistributed chip packaging panels
US8032030B2 (en) * 2008-05-30 2011-10-04 Freescale Semiconductor, Inc. Multiple core system
US8294483B2 (en) * 2008-05-30 2012-10-23 Freescale Semiconductor, Inc. Testing of multiple integrated circuits
US8093704B2 (en) * 2008-06-03 2012-01-10 Intel Corporation Package on package using a bump-less build up layer (BBUL) package
US8093670B2 (en) 2008-07-24 2012-01-10 Allegro Microsystems, Inc. Methods and apparatus for integrated circuit having on chip capacitor with eddy current reductions
US8236609B2 (en) * 2008-08-01 2012-08-07 Freescale Semiconductor, Inc. Packaging an integrated circuit die with backside metallization
US20100052424A1 (en) * 2008-08-26 2010-03-04 Taylor William P Methods and apparatus for integrated circuit having integrated energy storage device
US7763976B2 (en) * 2008-09-30 2010-07-27 Freescale Semiconductor, Inc. Integrated circuit module with integrated passive device
US7935571B2 (en) * 2008-11-25 2011-05-03 Freescale Semiconductor, Inc. Through substrate vias for back-side interconnections on very thin semiconductor wafers
US8344503B2 (en) * 2008-11-25 2013-01-01 Freescale Semiconductor, Inc. 3-D circuits with integrated passive devices
US7960827B1 (en) 2009-04-09 2011-06-14 Amkor Technology, Inc. Thermal via heat spreader package and method
US8623753B1 (en) 2009-05-28 2014-01-07 Amkor Technology, Inc. Stackable protruding via package and method
US8222538B1 (en) 2009-06-12 2012-07-17 Amkor Technology, Inc. Stackable via package and method
TWI456715B (zh) * 2009-06-19 2014-10-11 Advanced Semiconductor Eng 晶片封裝結構及其製造方法
TWI466259B (zh) * 2009-07-21 2014-12-21 Advanced Semiconductor Eng 半導體封裝件、其製造方法及重佈晶片封膠體的製造方法
TWI405306B (zh) * 2009-07-23 2013-08-11 Advanced Semiconductor Eng 半導體封裝件、其製造方法及重佈晶片封膠體
US8471154B1 (en) 2009-08-06 2013-06-25 Amkor Technology, Inc. Stackable variable height via package and method
US8796561B1 (en) 2009-10-05 2014-08-05 Amkor Technology, Inc. Fan out build up substrate stackable package and method
US20110084372A1 (en) * 2009-10-14 2011-04-14 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Package carrier, semiconductor package, and process for fabricating same
US8148206B2 (en) * 2009-10-27 2012-04-03 Freescale Semiconductor, Inc. Package for high power integrated circuits and method for forming
US8378466B2 (en) 2009-11-19 2013-02-19 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Wafer-level semiconductor device packages with electromagnetic interference shielding
TWI497679B (zh) * 2009-11-27 2015-08-21 Advanced Semiconductor Eng 半導體封裝件及其製造方法
US20110133732A1 (en) * 2009-12-03 2011-06-09 Allegro Microsystems, Inc. Methods and apparatus for enhanced frequency response of magnetic sensors
US8937381B1 (en) 2009-12-03 2015-01-20 Amkor Technology, Inc. Thin stackable package and method
US9691734B1 (en) 2009-12-07 2017-06-27 Amkor Technology, Inc. Method of forming a plurality of electronic component packages
US8569894B2 (en) 2010-01-13 2013-10-29 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Semiconductor package with single sided substrate design and manufacturing methods thereof
US8372689B2 (en) * 2010-01-21 2013-02-12 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Wafer-level semiconductor device packages with three-dimensional fan-out and manufacturing methods thereof
US8536462B1 (en) 2010-01-22 2013-09-17 Amkor Technology, Inc. Flex circuit package and method
US8320134B2 (en) 2010-02-05 2012-11-27 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Embedded component substrate and manufacturing methods thereof
TWI411075B (zh) 2010-03-22 2013-10-01 Advanced Semiconductor Eng 半導體封裝件及其製造方法
US8624374B2 (en) 2010-04-02 2014-01-07 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Semiconductor device packages with fan-out and with connecting elements for stacking and manufacturing methods thereof
US8278746B2 (en) 2010-04-02 2012-10-02 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Semiconductor device packages including connecting elements
US8324511B1 (en) 2010-04-06 2012-12-04 Amkor Technology, Inc. Through via nub reveal method and structure
US8866301B2 (en) * 2010-05-18 2014-10-21 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Package systems having interposers with interconnection structures
US8300423B1 (en) 2010-05-25 2012-10-30 Amkor Technology, Inc. Stackable treated via package and method
US8294276B1 (en) 2010-05-27 2012-10-23 Amkor Technology, Inc. Semiconductor device and fabricating method thereof
US8216918B2 (en) 2010-07-23 2012-07-10 Freescale Semiconductor, Inc. Method of forming a packaged semiconductor device
US8338229B1 (en) 2010-07-30 2012-12-25 Amkor Technology, Inc. Stackable plasma cleaned via package and method
US8440554B1 (en) 2010-08-02 2013-05-14 Amkor Technology, Inc. Through via connected backside embedded circuit features structure and method
US8717775B1 (en) 2010-08-02 2014-05-06 Amkor Technology, Inc. Fingerprint sensor package and method
US8598709B2 (en) * 2010-08-31 2013-12-03 Infineon Technologies Ag Method and system for routing electrical connections of semiconductor chips
US8461698B1 (en) * 2010-09-28 2013-06-11 Rockwell Collins, Inc. PCB external ground plane via conductive coating
US8487445B1 (en) 2010-10-05 2013-07-16 Amkor Technology, Inc. Semiconductor device having through electrodes protruding from dielectric layer
US8337657B1 (en) 2010-10-27 2012-12-25 Amkor Technology, Inc. Mechanical tape separation package and method
US8482134B1 (en) 2010-11-01 2013-07-09 Amkor Technology, Inc. Stackable package and method
TWI455265B (zh) * 2010-11-01 2014-10-01 矽品精密工業股份有限公司 具微機電元件之封裝結構及其製法
US9748154B1 (en) 2010-11-04 2017-08-29 Amkor Technology, Inc. Wafer level fan out semiconductor device and manufacturing method thereof
US8525318B1 (en) 2010-11-10 2013-09-03 Amkor Technology, Inc. Semiconductor device and fabricating method thereof
US8941222B2 (en) 2010-11-11 2015-01-27 Advanced Semiconductor Engineering Inc. Wafer level semiconductor package and manufacturing methods thereof
US8557629B1 (en) 2010-12-03 2013-10-15 Amkor Technology, Inc. Semiconductor device having overlapped via apertures
US8791501B1 (en) 2010-12-03 2014-07-29 Amkor Technology, Inc. Integrated passive device structure and method
US8535961B1 (en) 2010-12-09 2013-09-17 Amkor Technology, Inc. Light emitting diode (LED) package and method
US9406658B2 (en) 2010-12-17 2016-08-02 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Embedded component device and manufacturing methods thereof
US8390130B1 (en) 2011-01-06 2013-03-05 Amkor Technology, Inc. Through via recessed reveal structure and method
US9721872B1 (en) 2011-02-18 2017-08-01 Amkor Technology, Inc. Methods and structures for increasing the allowable die size in TMV packages
US9013011B1 (en) 2011-03-11 2015-04-21 Amkor Technology, Inc. Stacked and staggered die MEMS package and method
KR101140113B1 (ko) 2011-04-26 2012-04-30 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 반도체 디바이스
US8653674B1 (en) 2011-09-15 2014-02-18 Amkor Technology, Inc. Electronic component package fabrication method and structure
US8633598B1 (en) 2011-09-20 2014-01-21 Amkor Technology, Inc. Underfill contacting stacking balls package fabrication method and structure
US9029962B1 (en) 2011-10-12 2015-05-12 Amkor Technology, Inc. Molded cavity substrate MEMS package fabrication method and structure
US8552548B1 (en) 2011-11-29 2013-10-08 Amkor Technology, Inc. Conductive pad on protruding through electrode semiconductor device
US20130154091A1 (en) * 2011-12-14 2013-06-20 Jason R. Wright Semiconductor device packaging using encapsulated conductive balls for package-on-package back side coupling
US8629539B2 (en) 2012-01-16 2014-01-14 Allegro Microsystems, Llc Methods and apparatus for magnetic sensor having non-conductive die paddle
TWI446501B (zh) * 2012-01-20 2014-07-21 矽品精密工業股份有限公司 承載板、半導體封裝件及其製法
US9494660B2 (en) 2012-03-20 2016-11-15 Allegro Microsystems, Llc Integrated circuit package having a split lead frame
US9666788B2 (en) 2012-03-20 2017-05-30 Allegro Microsystems, Llc Integrated circuit package having a split lead frame
US9812588B2 (en) 2012-03-20 2017-11-07 Allegro Microsystems, Llc Magnetic field sensor integrated circuit with integral ferromagnetic material
US10234513B2 (en) 2012-03-20 2019-03-19 Allegro Microsystems, Llc Magnetic field sensor integrated circuit with integral ferromagnetic material
US9048298B1 (en) 2012-03-29 2015-06-02 Amkor Technology, Inc. Backside warpage control structure and fabrication method
US9129943B1 (en) 2012-03-29 2015-09-08 Amkor Technology, Inc. Embedded component package and fabrication method
US8916419B2 (en) * 2012-03-29 2014-12-23 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Lid attach process and apparatus for fabrication of semiconductor packages
US9040355B2 (en) 2012-07-11 2015-05-26 Freescale Semiconductor, Inc. Sensor package and method of forming same
KR101429344B1 (ko) 2012-08-08 2014-08-12 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 반도체 패키지 및 그 제조 방법
US8709868B2 (en) 2012-08-23 2014-04-29 Freescale Semiconductor, Inc. Sensor packages and method of packaging dies of differing sizes
US8659167B1 (en) 2012-08-29 2014-02-25 Freescale Semiconductor, Inc. Sensor packaging method and sensor packages
KR20140038116A (ko) 2012-09-20 2014-03-28 제이앤제이 패밀리 주식회사 Le d 램프
KR101366461B1 (ko) 2012-11-20 2014-02-26 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 반도체 디바이스 및 그 제조 방법
US9799592B2 (en) 2013-11-19 2017-10-24 Amkor Technology, Inc. Semicondutor device with through-silicon via-less deep wells
US9704780B2 (en) * 2012-12-11 2017-07-11 STATS ChipPAC, Pte. Ltd. Semiconductor device and method of forming low profile fan-out package with vertical interconnection units
US9258878B2 (en) * 2013-02-13 2016-02-09 Gerald Ho Kim Isolation of thermal ground for multiple heat-generating devices on a substrate
US8963318B2 (en) * 2013-02-28 2015-02-24 Freescale Semiconductor, Inc. Packaged semiconductor device
KR101488590B1 (ko) 2013-03-29 2015-01-30 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 반도체 디바이스 및 그 제조 방법
US9411025B2 (en) 2013-04-26 2016-08-09 Allegro Microsystems, Llc Integrated circuit package having a split lead frame and a magnet
US10418298B2 (en) 2013-09-24 2019-09-17 STATS ChipPAC Pte. Ltd. Semiconductor device and method of forming dual fan-out semiconductor package
KR101607981B1 (ko) 2013-11-04 2016-03-31 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 반도체 패키지용 인터포저 및 이의 제조 방법, 제조된 인터포저를 이용한 반도체 패키지
KR20170104496A (ko) 2015-01-28 2017-09-15 콘티넨탈 테베스 아게 운트 코. 오하게 대칭적으로 매립된 센서 엘리먼트들을 갖는 센서
DE102016201096A1 (de) 2015-01-28 2016-07-28 Continental Teves Ag & Co. Ohg Adapter mit eingebetteten Filterbauelementen für Sensoren
US10411498B2 (en) 2015-10-21 2019-09-10 Allegro Microsystems, Llc Apparatus and methods for extending sensor integrated circuit operation through a power disturbance
US9960328B2 (en) 2016-09-06 2018-05-01 Amkor Technology, Inc. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US10978897B2 (en) 2018-04-02 2021-04-13 Allegro Microsystems, Llc Systems and methods for suppressing undesirable voltage supply artifacts
US10991644B2 (en) 2019-08-22 2021-04-27 Allegro Microsystems, Llc Integrated circuit package having a low profile

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001189411A (ja) * 2000-01-05 2001-07-10 Matsushita Electronics Industry Corp 樹脂封止型半導体装置の製造方法

Family Cites Families (55)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4246595A (en) 1977-03-08 1981-01-20 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Electronics circuit device and method of making the same
US4630096A (en) 1984-05-30 1986-12-16 Motorola, Inc. High density IC module assembly
US4722914A (en) 1984-05-30 1988-02-02 Motorola Inc. Method of making a high density IC module assembly
US4783695A (en) 1986-09-26 1988-11-08 General Electric Company Multichip integrated circuit packaging configuration and method
US4835704A (en) * 1986-12-29 1989-05-30 General Electric Company Adaptive lithography system to provide high density interconnect
US4890156A (en) 1987-03-13 1989-12-26 Motorola Inc. Multichip IC module having coplanar dice and substrate
US4792533A (en) 1987-03-13 1988-12-20 Motorola Inc. Coplanar die to substrate bond method
US4882200A (en) * 1987-05-21 1989-11-21 General Electric Company Method for photopatterning metallization via UV-laser ablation of the activator
US5643472A (en) * 1988-07-08 1997-07-01 Cauldron Limited Partnership Selective removal of material by irradiation
US5057903A (en) * 1989-07-17 1991-10-15 Microelectronics And Computer Technology Corporation Thermal heat sink encapsulated integrated circuit
JPH03125443A (ja) * 1989-10-09 1991-05-28 Sharp Corp 実装基板の電極及び該実装基板の電極を有する液晶表示装置
US5169678A (en) * 1989-12-26 1992-12-08 General Electric Company Laser ablatable polymer dielectrics and methods
US5161093A (en) 1990-07-02 1992-11-03 General Electric Company Multiple lamination high density interconnect process and structure employing a variable crosslinking adhesive
EP0547807A3 (en) 1991-12-16 1993-09-22 General Electric Company Packaged electronic system
US5331205A (en) * 1992-02-21 1994-07-19 Motorola, Inc. Molded plastic package with wire protection
US5310702A (en) * 1992-03-20 1994-05-10 Kulicke And Soffa Industries, Inc. Method of preventing short-circuiting of bonding wires
US5592025A (en) 1992-08-06 1997-01-07 Motorola, Inc. Pad array semiconductor device
US5353498A (en) 1993-02-08 1994-10-11 General Electric Company Method for fabricating an integrated circuit module
US5578869A (en) * 1994-03-29 1996-11-26 Olin Corporation Components for housing an integrated circuit device
US5604376A (en) * 1994-06-30 1997-02-18 Digital Equipment Corporation Paddleless molded plastic semiconductor chip package
JPH0873832A (ja) * 1994-09-05 1996-03-19 Hitachi Chem Co Ltd 樹脂ペースト及び半導体装置
US5525834A (en) * 1994-10-17 1996-06-11 W. L. Gore & Associates, Inc. Integrated circuit package
US5616958A (en) * 1995-01-25 1997-04-01 International Business Machines Corporation Electronic package
AU6415396A (en) 1995-06-23 1997-01-22 Micromet Gmbh Immortalized epithelial tumor cell
US5866952A (en) 1995-11-30 1999-02-02 Lockheed Martin Corporation High density interconnected circuit module with a compliant layer as part of a stress-reducing molded substrate
US5841193A (en) 1996-05-20 1998-11-24 Epic Technologies, Inc. Single chip modules, repairable multichip modules, and methods of fabrication thereof
JP3500016B2 (ja) * 1996-09-27 2004-02-23 三洋電機株式会社 半導体装置及びその製造方法
US5989935A (en) 1996-11-19 1999-11-23 Texas Instruments Incorporated Column grid array for semiconductor packaging and method
US5990545A (en) * 1996-12-02 1999-11-23 3M Innovative Properties Company Chip scale ball grid array for integrated circuit package
US6249046B1 (en) * 1997-02-13 2001-06-19 Seiko Epson Corporation Semiconductor device and method for manufacturing and mounting thereof, and circuit board mounted with the semiconductor device
US6114763A (en) * 1997-05-30 2000-09-05 Tessera, Inc. Semiconductor package with translator for connection to an external substrate
KR100309957B1 (ko) * 1997-09-08 2002-08-21 신꼬오덴기 고교 가부시키가이샤 반도체장치
US5835355A (en) * 1997-09-22 1998-11-10 Lsi Logic Corporation Tape ball grid array package with perforated metal stiffener
JP3563577B2 (ja) * 1997-10-31 2004-09-08 京セラ株式会社 電子部品表面実装用基板
JP3063846B2 (ja) * 1998-04-28 2000-07-12 日本電気株式会社 半導体装置
TW417220B (en) 1999-07-23 2001-01-01 Advanced Semiconductor Eng Packaging structure and method of semiconductor chip
US6573123B2 (en) * 1999-09-07 2003-06-03 Sai Man Li Semiconductor chip package and manufacturing method thereof
JP2001177005A (ja) * 1999-12-17 2001-06-29 Fujitsu Ltd 半導体装置及びその製造方法
US6396148B1 (en) * 2000-02-10 2002-05-28 Epic Technologies, Inc. Electroless metal connection structures and methods
JP3798220B2 (ja) * 2000-04-07 2006-07-19 シャープ株式会社 半導体装置およびそれを用いる液晶モジュール
EP1160861B1 (en) * 2000-06-01 2008-01-16 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Method of manufacturing a thermally conductive substrate with leadframe and heat radiation plate
US6576494B1 (en) * 2000-06-28 2003-06-10 Micron Technology, Inc. Recessed encapsulated microelectronic devices and methods for formation
US20020064931A1 (en) 2000-07-03 2002-05-30 E. C. Ong Method and apparatus for applying a protective over-coating to a ball-grid-array (BGA) structure
US6734534B1 (en) 2000-08-16 2004-05-11 Intel Corporation Microelectronic substrate with integrated devices
JP2002076040A (ja) * 2000-08-30 2002-03-15 Hitachi Ltd 半導体装置及びその製造方法
US6586822B1 (en) 2000-09-08 2003-07-01 Intel Corporation Integrated core microelectronic package
TW473962B (en) 2001-01-20 2002-01-21 Siliconware Precision Industries Co Ltd Cavity down ball grid array package and its manufacturing process
JP2002280491A (ja) * 2001-03-22 2002-09-27 Matsushita Electric Ind Co Ltd 電子部品およびその製造方法
JP2002314029A (ja) * 2001-04-09 2002-10-25 Taiyo Yuden Co Ltd モジュール電子部品
JP3983120B2 (ja) * 2001-07-30 2007-09-26 富士通日立プラズマディスプレイ株式会社 Icチップの実装構造及びディスプレイ装置
JP2003068932A (ja) * 2001-08-27 2003-03-07 Kyocera Corp 配線基板
JP2003249604A (ja) * 2002-02-25 2003-09-05 Kato Denki Seisakusho:Kk 樹脂封止半導体装置およびその製造方法、樹脂封止半導体装置に使用されるリードフレーム、ならびに半導体モジュール装置
JP3801121B2 (ja) * 2002-08-30 2006-07-26 松下電器産業株式会社 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法
US6921975B2 (en) * 2003-04-18 2005-07-26 Freescale Semiconductor, Inc. Circuit device with at least partial packaging, exposed active surface and a voltage reference plane
US6838776B2 (en) * 2003-04-18 2005-01-04 Freescale Semiconductor, Inc. Circuit device with at least partial packaging and method for forming

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001189411A (ja) * 2000-01-05 2001-07-10 Matsushita Electronics Industry Corp 樹脂封止型半導体装置の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR20110043788A (ko) 2011-04-27
WO2004095514A2 (en) 2004-11-04
KR20110043787A (ko) 2011-04-27
EP1618606A4 (en) 2011-07-27
US20060012036A1 (en) 2006-01-19
US20040207077A1 (en) 2004-10-21
KR20050123169A (ko) 2005-12-29
JP2006523964A (ja) 2006-10-19
KR101142314B1 (ko) 2012-05-17
US7361987B2 (en) 2008-04-22
CN100413065C (zh) 2008-08-20
CN1774802A (zh) 2006-05-17
KR101165580B1 (ko) 2012-07-23
WO2004095514A3 (en) 2005-08-18
EP1618606A2 (en) 2006-01-25
US8072062B2 (en) 2011-12-06
US6921975B2 (en) 2005-07-26
JP5042623B2 (ja) 2012-10-03
US20080142960A1 (en) 2008-06-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101215283B1 (ko) 적어도 부분적인 패키징을 갖는 디바이스
US6838776B2 (en) Circuit device with at least partial packaging and method for forming
KR101749284B1 (ko) 패키지 적층의 집적 회로 패키징 시스템 및 그 제조 방법
US6153928A (en) Substrate for semiconductor package, fabrication method thereof, and stacked-type semiconductor package using the substrate
US6906415B2 (en) Semiconductor device assemblies and packages including multiple semiconductor devices and methods
JP2819285B2 (ja) 積層型ボトムリード半導体パッケージ
US20180114783A1 (en) Chip package structure and manufacturing method thereof
CN107409469B (zh) 单层压体电流隔离体组件
US6916682B2 (en) Semiconductor package device for use with multiple integrated circuits in a stacked configuration and method of formation and testing
KR20000048471A (ko) 다수의 전원/접지면을 갖는 볼 그리드 어레이 패키지
JPH11251355A (ja) 集積回路用のワイヤーボンドされたパッケージの方法と装置
KR101377176B1 (ko) 패널 기반 리드 프레임 패키징 방법 및 디바이스
US8963318B2 (en) Packaged semiconductor device
CN112736031A (zh) 转接板及其制作方法,半导体器件及其制作方法
CN110634838A (zh) 一种超薄扇出型封装结构及其制作方法
TWI400773B (zh) 具有至少部份封裝之電路裝置及其形成之方法
CN110634830B (zh) 一种多芯片集成的封装方法和结构
US11721686B2 (en) Semiconductor package structure and packaging method thereof
TWI324385B (en) Multiple die integrated circuit package
CN111081563A (zh) 一种多层膜rf射频器件及其制造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A107 Divisional application of patent
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20151204

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20171211

Year of fee payment: 6