KR20140038116A - Ｌｅ ｄ 램프 - Google Patents

Ｌｅ ｄ 램프 Download PDF

Info

Publication number
KR20140038116A
KR20140038116A KR1020120104430A KR20120104430A KR20140038116A KR 20140038116 A KR20140038116 A KR 20140038116A KR 1020120104430 A KR1020120104430 A KR 1020120104430A KR 20120104430 A KR20120104430 A KR 20120104430A KR 20140038116 A KR20140038116 A KR 20140038116A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
led
lamp
led modules
led lamp
side structure
Prior art date
Application number
KR1020120104430A
Other languages
English (en)
Inventor
정재우
김성인
Original Assignee
제이앤제이 패밀리 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 제이앤제이 패밀리 주식회사 filed Critical 제이앤제이 패밀리 주식회사
Priority to KR1020120104430A priority Critical patent/KR20140038116A/ko
Priority to US13/963,384 priority patent/US8946883B2/en
Publication of KR20140038116A publication Critical patent/KR20140038116A/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • H01L21/561—Batch processing
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21V—FUNCTIONAL FEATURES OR DETAILS OF LIGHTING DEVICES OR SYSTEMS THEREOF; STRUCTURAL COMBINATIONS OF LIGHTING DEVICES WITH OTHER ARTICLES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21V29/00—Protecting lighting devices from thermal damage; Cooling or heating arrangements specially adapted for lighting devices or systems
    • F21V29/50—Cooling arrangements
    • F21V29/70—Cooling arrangements characterised by passive heat-dissipating elements, e.g. heat-sinks
    • F21V29/74—Cooling arrangements characterised by passive heat-dissipating elements, e.g. heat-sinks with fins or blades
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
    • H01L23/49811—Additional leads joined to the metallisation on the insulating substrate, e.g. pins, bumps, wires, flat leads
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21V—FUNCTIONAL FEATURES OR DETAILS OF LIGHTING DEVICES OR SYSTEMS THEREOF; STRUCTURAL COMBINATIONS OF LIGHTING DEVICES WITH OTHER ARTICLES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21V17/00—Fastening of component parts of lighting devices, e.g. shades, globes, refractors, reflectors, filters, screens, grids or protective cages
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
    • H01L21/4814—Conductive parts
    • H01L21/4846—Leads on or in insulating or insulated substrates, e.g. metallisation
    • H01L21/486—Via connections through the substrate with or without pins
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/481—Internal lead connections, e.g. via connections, feedthrough structures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
    • H01L23/538—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames the interconnection structure between a plurality of semiconductor chips being formed on, or in, insulating substrates
    • H01L23/5389—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames the interconnection structure between a plurality of semiconductor chips being formed on, or in, insulating substrates the chips being integrally enclosed by the interconnect and support structures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/544—Marks applied to semiconductor devices or parts, e.g. registration marks, alignment structures, wafer maps
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/18—High density interconnect [HDI] connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/19—Manufacturing methods of high density interconnect preforms
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/93—Batch processes
    • H01L24/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H01L24/96—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being encapsulated in a common layer, e.g. neo-wafer or pseudo-wafer, said common layer being separable into individual assemblies after connecting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • H01L21/568—Temporary substrate used as encapsulation process aid
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
    • H01L2223/544—Marks applied to semiconductor devices or parts
    • H01L2223/54426—Marks applied to semiconductor devices or parts for alignment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
    • H01L2223/544—Marks applied to semiconductor devices or parts
    • H01L2223/54473—Marks applied to semiconductor devices or parts for use after dicing
    • H01L2223/54486—Located on package parts, e.g. encapsulation, leads, package substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/0401—Bonding areas specifically adapted for bump connectors, e.g. under bump metallisation [UBM]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/04105—Bonding areas formed on an encapsulation of the semiconductor or solid-state body, e.g. bonding areas on chip-scale packages
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/12105—Bump connectors formed on an encapsulation of the semiconductor or solid-state body, e.g. bumps on chip-scale packages
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
    • H01L23/49811—Additional leads joined to the metallisation on the insulating substrate, e.g. pins, bumps, wires, flat leads
    • H01L23/49816—Spherical bumps on the substrate for external connection, e.g. ball grid arrays [BGA]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
    • H01L23/49827—Via connections through the substrates, e.g. pins going through the substrate, coaxial cables
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204—Optical Diode
    • H01L2924/12041—LED
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204—Optical Diode
    • H01L2924/12042—LASER
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation

Abstract

본 발명에 따르는 LED 램프는, 외부형태가 미리 정해진 램프의 상부 외형규격에 따르며, 다수의 방열핀으로 구성되며 상면에서 저면방향으로 개구가 형성된 측면 구조물; LED 모듈들; 상기 측면 구조물에 형성된 개구의 내측 저면에 위치하며 상기 LED 모듈들이 장착된 기판; 상기 LED 모듈들의 전면에 위치하여 LED 모듈들을 보호하고 광을 확산하는 확산렌즈; 상기 기판에 장착된 LED 모듈들을 구동하는 구동회로부; 상기 구동회로부와 외부를 연결하는 접속 핀들; 및 상기 측면 구조물과 상기 구동회로부와 상기 접속 핀들을 지지 고정하며, 외부 형태가 상기 미리 정해진 램프의 하부 외형규격에 따르는 핀 커넥터부;를 구비하며, 상기 LED 모듈들이 장착된 기판과 확산렌즈는, 상기 방열핀의 높이를 미리 정해둔 값으로 나눈 값에 대응되는 측면 구조물의 위치에 위치하여, 상기 방열핀의 상부에 대해 전체 외부면이 외부로 노출됨을 특징으로 한다.

Description

ＬＥ Ｄ 램프{LED LAMP}
본 발명은 LED 램프에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 정해진 외형규격안에서 방열 면적을 증대시킨 방열 구조를 가지는 LED 램프에 관한 것이다.
LED(Light Emitting Diode)는 종래의 광원에 비하여 소형이고 수명이 길뿐만 아니라 전기 에너지가 빛 에너지로 직접 변환되기 때문에 전력이 적게 소모되어 에너지 효율이 우수한 고광도를 발하는 특성을 지니고 있다.
이러한 LED를 광원으로 하는 다양한 램프가 개발되고 있으며, 근래에는 기존의 백열전구 소켓 또는 12V 소형 할로겐 램프 소켓에 호환 설치가 가능한 소형 LED 램프가 큰 호응을 얻고 있다.
이와 같은 LED 램프는 상기한 장점을 지니는 반면에 점등시 고열이 발생되고, 방열이 원활하게 되지 못할 경우에는 LED의 수명이 단축될 뿐만 아니라 조도가 저하되는 문제가 있었다. 이에따라 LED 램프의 방열구조는 LED 램프의 품질을 좌우한다.
한편 규격이 표준화되어 있는 MR16 할로겐 램프를 대체하는 소형의 MR16 LED 램프가 널리 사용되고 있는 데, 상기 MR16 LED 램프는 MR16의 규격을 만족하기 위하여 하우징의 규격이 정해져 있고, 그 정해진 규격의 하우징을 LED 방열에 사용해야 하기 때문에 방열 효과를 극대화하기가 어려웠다.
이러한 MR16 LED 램프에 대한 선행특허로는 대한민국 특허청에 엘이디 램프의 전원공급제어부 방열구조(HEAT DISCHARGE STRUCTURE FOR LED LAMP)를 명칭으로 하여 특허출원된 제10-2008-0092156호가 있다.
종래의 MR16 LED 램프의 구조를 도 1을 참조하여 설명한다.
상기 MR16 LED 램프는 측면구조물(100)과 기판(102)과 LED 모듈들(104)과 핀 커넥터부(106)와 접속핀들(108)로 구성된다.
상기 MR16 LED 램프의 전면 중앙에는 원형 평판 형상의 기판(102)이 위치하며, 상기 기판(102)에는 LED 모듈들(104)이 배치되어 결착된다. 상기 LED 모듈들(104)의 전면으로 커버(110)가 위치된다.
상기 측면구조물(100)은 다수의 방열핀으로 구성된다. 상기 다수의 방열핀의 외부 형태는 미리 규정된 MR16 램프의 외형규격에 따른 형상이며, 상면에서 저면에 이르는 개구가 형성된다. 상기 개구의 제1종단면에는 상기 기판(102)이 끼워져 들어가 결착된다. 상기 개구의 내측에는 LED 구동 회로 등이 내장되는 내부 공간이 형성된다.
상기 측면구조물(100)의 개구의 제2종단면에는 핀 커넥터부(106)가 위치하며, 상기 핀 커넥터부(106)는 상기 MR16 LED 램프의 각 구성과 접속핀들(108)이 고정되어 결착되도록 지지한다.
상기 접속핀들(108)은 MR16 램프 소켓의 접속핀들인 외부전원 접속핀과 상기 MR16 LED 램프에 구비된 LED 구동회로를 연결한다.
상기한 바와 같이 종래의 MR16 LED 램프는 LED 모듈들(104)의 램프의 전면에 위치시킴과 아울러 측면구조물(100)의 내측으로 내부공간을 형성하고, 측면 구조물(100)의 외부면에 형성된 방열핀들을 이용하는 구조를 제시하고 있으나, 이는 방열효과가 크지 않은 문제가 있다.
좀더 설명하면, LED 모듈들(104)의 배면에 위치한 기판(102)은 LED 모듈들(104)로부터의 열을 측면구조물(100)의 방열핀들로 전달하고, 상기 방열핀들은 상기 전달된 열을 외부면만을 이용하여 방열시켰다. 즉, 내부면은 밀폐됨에 따라 방열에 활용되지 못했다.
이와같이 측면구조물(100)는 모든 면을 이용하여 방열하는 것이 아니라, 외부면을 통해서만 방열하므로 방열효과가 제한적이었다.
더욱이 내부공간을 크게 형성함에 따라 방열핀의 길이(B)가 짧아 효과적인 방열을 할 수 없는 문제도 있었다.
이에 종래에는 미리 정해진 MR16 램프의 외형 규격안에서 방열 면적을 증대시킨 방열 구조를 가지는 LED 램프의 개발이 절실하게 요망되었다.
대한민국 특허출원 제10-2008-0092156호
본 발명은 미리 정해진 MR16 램프의 외형 규격안에서 방열 면적을 증대시킨 방열 구조를 가지는 LED 램프를 제공하는 것을 그 목적으로 한다.
상기한 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따르는 LED 램프는, 외부형태가 미리 정해진 램프의 상부 외형규격에 따르며, 다수의 방열핀으로 구성되며 상면에서 저면방향으로 개구가 형성된 측면 구조물; LED 모듈들; 상기 측면 구조물에 형성된 개구의 내측 저면에 위치하며 상기 LED 모듈들이 장착된 기판; 상기 LED 모듈들의 전면에 위치하여 LED 모듈들을 보호하고 광을 확산하는 확산렌즈; 상기 기판에 장착된 LED 모듈들을 구동하는 구동회로부; 상기 구동회로부와 외부를 연결하는 접속 핀들; 및 상기 측면 구조물과 상기 구동회로부와 상기 접속 핀들을 지지 고정하며, 외부 형태가 상기 미리 정해진 램프의 하부 외형규격에 따르는 핀 커넥터부;를 구비하며, 상기 LED 모듈들이 장착된 기판과 확산렌즈는, 상기 방열핀의 높이를 미리 정해둔 값으로 나눈 값에 대응되는 측면 구조물의 위치에 위치하여, 상기 방열핀의 상부에 대해 전체 외부면이 외부로 노출됨을 특징으로 한다.
상기한 본 발명은 미리 정해진 MR16 램프의 외형 규격안에서 방열면적을 증대시켜 MR16 LED 램프의 신뢰도 및 안정성을 향상시키는 효과가 있다.
도 1은 종래의 MR16 LED 램프의 개략적인 구조도.
도 2는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 MR16 LED 램프의 구조도.
도 3은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 MR16 LED 램프의 방열과정을 도시한 도면.
본 발명은 미리 정해진 MR16 램프의 외형 규격안에서 방열면적을 증대시켜 MR16 LED 램프의 신뢰도 및 안정성을 향상시킨다.
다시 말해 본 발명은 MR16 LED 램프의 외형규격을 따르면서, LED 모듈들의 설치위치를 저부로 이동시킴으로써 측면구조물의 방열핀의 길이를 길게 형성할 수 있게 함은 물론이며 측면구조물의 방열핀이 모든 면을 통해 방열할 수 있게 한다.
또한 본 발명은 LED 모듈들의 설치위치를 측면구조물의 저부로 이동됨에 따라 방열핀의 내부면을 통해 LED 모듈들로부터 발광되는 광을 반사시켜 LED 램프의 배광특성이 MR16 램프의 배광특성도 유지할 수 있게 한다.
<MR16 LED 램프의 구조>
이러한 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 MR16 LED 램프의 구조를 도 2를 참조하여 설명한다.
상기 MR16 LED 램프는 측면구조물(200)과 기판(202)과 LED 모듈들(204)과 광학렌즈(206)와 핀 커넥터부(208)와 접속핀들(210)로 구성된다.
상기 MR16 LED 램프의 측면구조물(200)은 중점을 기준으로 방사선 방향으로 슬롯형태의 다수의 방열핀이 배열된 것이며, 다수의 방열핀의 외부 형태가 미리 규정된 MR16 램프의 상부 외형 규격에 따른 형상을 가진다. 또한 상기 측면 구조물(200)에는 상면에서 저면 방향으로 돔 형태의 제1개구(H1)가 형성되고, 저면에서 상측방향으로 제2개구(H2)가 형성된다.
상기 다수의 방열핀은 슬롯형태를 가지므로 통풍효과가 극대화된다. 또한 상기 다수의 방열핀의 내부면에는 미리 설정된 배광특성에 따라 상기 LED 모듈들(204)이 발광하는 광을 반사할 수 있게 하는 반사면이 형성된다.
상기 MR16 LED 램프의 측면구조물(200)의 방열핀들은 외부면에서 제1개구(H1)의 내부면까지의 길이(A)를 가지도록 형성된다. 상기 길이(A)는 기판(202)의 크기가 소형화됨에 따라 상대적으로 길어지며, 이에따라 방열면적이 넓어진다. 여기서, 상기 방열핀은 두께 1MM 이상이고 길이(A)가 15MM 이상이 되게 구성된다.
또한 상기 제1개구(H1)에 의해 상기 방열핀들은 모든 면에 대해 외부와 맞닿으므로 모든 면으로 방열을 이행한다. 또한 상기 제1개구(H1)는 공기 순환을 야기하여 외부면으로 전달된 열이 공기의 흐름을 통해 빠르게 배출되게 한다.
상기 측면구조물(200)의 제1개구(H1)의 내측 저면에는 기판(202)이 위치하며, 상기 기판(202)은 파워가 크고 면적이 적은 소수의 LED 모듈들(204)을 안착하기 위한 것으로 그 크기가 종래 기술에 대해 상대적으로 작게 형성된다.
상기 기판(202)의 상면에는 COB 타입의 파워가 크고 면적이 적은 소수의 LED 모듈들(204)이 안착된다. 상기 LED 모듈들(204)은 종래 방식에 비해 그 면적이 작고 적은 수임에도 불구하고 파워가 크므로 요구 광량을 제공할 수 있다.
상기 소수의 LED 모듈들(204)의 상면에는 광학렌즈(206)가 장착된다. 여기서, 상기 기판(202)과 광학렌즈(206)의 위치는 방열핀의 높이를 미리 정해둔 값(2)으로 나눈 값(높이/2)에 대응되는 측면구조물(200)의 위치에 위치하도록 구성할 수 있다.
상기 측면구조물(200)의 제2개구(H2)에는 상기 LED 모듈들(204)에 대한 구동회로가 삽입된다.
상기 핀 커넥터부(208)는 상기 측면구조물(200) 및 상기 LED 모듈들(204)에 대한 구동회로, 접속핀들(210)을 고정 지지하며, MR16 램프의 하부 외형 규격에 따른 형상을 가진다.
상기 접속핀들(210)은 MR16 램프 소켓의 접속핀인 외부 전원 접속핀과 상기 MR16 LED 램프에 구비된 LED 모듈들(204)에 대한 구동회로를 연결한다.
<MR16 LED 램프의 방열과정>
상기한 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 MR16 LED 램프의 방열과정을 도 3을 참조하여 좀 더 상세하게 설명한다.
MR16 LED 램프의 LED 모듈들(204)로부터 발열되는 열은 기판(202)을 따라 측면구조물(200)의 방열핀들로 전달된다.
상기 방열핀들은 상부가 슬롯 형태로 이루어짐과 아울러 제1개구(H1)를 통해 밀폐됨이 없이 개방됨에 따라 모든 면이 외부로 노출되므로 모든 면을 통해 방열이 이루어짐은 물론이며, 슬롯 형태의 방열핀 사이로 공기가 순환되게 하여 방열효율을 높인다.
특히 상기 측면구조물(200)은 제1개구(H1)를 통해 LED 모듈들(202)의 전면을 개방함과 아울러 상기 방열핀들에 의해 가열된 공기가 빠르게 순환될 수 있도록 순환경로를 형성한다. 이로서 방열핀들에 의한 방열이 원활하게 이루어질 수 있게 한다.
200 : 측면구조물
202 : 기판
204 : LED 모듈들
206 : 광학렌즈
208 : 핀 커넥터부
210 : 접속핀들

Claims (5)

  1. LED 램프에 있어서,
    외부형태가 미리 정해진 램프의 상부 외형규격에 따르며, 다수의 방열핀으로 구성되며 상면에서 저면방향으로 개구가 형성된 측면 구조물;
    LED 모듈들;
    상기 측면 구조물에 형성된 개구의 내측 저면에 위치하며 상기 LED 모듈들이 장착된 기판;
    상기 LED 모듈들의 전면에 위치하여 LED 모듈들을 보호하고 광을 확산하는 확산렌즈;
    상기 기판에 장착된 LED 모듈들을 구동하는 구동회로부;
    상기 구동회로부와 외부를 연결하는 접속 핀들; 및
    상기 측면 구조물과 상기 구동회로부와 상기 접속 핀들을 지지 고정하며, 외부 형태가 상기 미리 정해진 램프의 하부 외형규격에 따르는 핀 커넥터부;를 구비하며,
    상기 LED 모듈들이 장착된 기판과 확산렌즈는, 상기 방열핀의 높이를 미리 정해둔 값으로 나눈 값에 대응되는 측면 구조물의 위치에 위치하여,
    상기 방열핀의 상부에 대해 전체 외부면이 외부로 노출됨을 특징으로 하는 LED 램프.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 LED 모듈은 COB 타입의 LED 모듈임을 하는 특징으로 하는 LED 램프.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 방열핀의 내부면에는,
    미리 설정된 배광특성에 따라 상기 LED 모듈이 발광하는 광을 반사시키는 반사면이 형성됨을 특징으로 하는 LED 램프.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 방열핀의 상부는,
    공기 통풍을 위해 슬롯 형태로 형성됨을 특징으로 하는 LED 램프.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 미리 정해진 램프는 MR16 LED 램프임을 특징으로 하는 LED 램프.

KR1020120104430A 2012-09-20 2012-09-20 Ｌｅ ｄ 램프 KR20140038116A (ko)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020120104430A KR20140038116A (ko) 2012-09-20 2012-09-20 Ｌｅ ｄ 램프
US13/963,384 US8946883B2 (en) 2012-09-20 2013-08-09 Wafer level fan-out package with a fiducial die

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020120104430A KR20140038116A (ko) 2012-09-20 2012-09-20 Ｌｅ ｄ 램프

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20140038116A true KR20140038116A (ko) 2014-03-28

Family

ID=50273627

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020120104430A KR20140038116A (ko) 2012-09-20 2012-09-20 Ｌｅ ｄ 램프

Country Status (2)

Country Link
US (1) US8946883B2 (ko)
KR (1) KR20140038116A (ko)

Families Citing this family (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9721872B1 (en) 2011-02-18 2017-08-01 Amkor Technology, Inc. Methods and structures for increasing the allowable die size in TMV packages
KR101366461B1 (ko) 2012-11-20 2014-02-26 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 반도체 디바이스 및 그 제조 방법
US9799592B2 (en) 2013-11-19 2017-10-24 Amkor Technology, Inc. Semicondutor device with through-silicon via-less deep wells
KR101607981B1 (ko) 2013-11-04 2016-03-31 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 반도체 패키지용 인터포저 및 이의 제조 방법, 제조된 인터포저를 이용한 반도체 패키지
US9589900B2 (en) 2014-02-27 2017-03-07 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Metal pad for laser marking
US9735129B2 (en) * 2014-03-21 2017-08-15 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Semiconductor packages and methods of forming the same
US9318452B2 (en) 2014-03-21 2016-04-19 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Semiconductor packages and methods of forming the same
US9666522B2 (en) * 2014-05-29 2017-05-30 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Alignment mark design for packages
US9881857B2 (en) 2014-06-12 2018-01-30 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Pad design for reliability enhancement in packages
US9824990B2 (en) 2014-06-12 2017-11-21 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Pad design for reliability enhancement in packages
US9543277B1 (en) * 2015-08-20 2017-01-10 Invensas Corporation Wafer level packages with mechanically decoupled fan-in and fan-out areas
US9543224B1 (en) * 2015-12-09 2017-01-10 Intel IP Corporation Hybrid exposure for semiconductor devices
US9960328B2 (en) 2016-09-06 2018-05-01 Amkor Technology, Inc. Semiconductor device and manufacturing method thereof
FR3061630B1 (fr) 2017-01-03 2021-07-09 St Microelectronics Grenoble 2 Procede de fabrication d'un capot pour boitier electronique et boitier electronique comprenant un capot
FR3061629A1 (fr) * 2017-01-03 2018-07-06 Stmicroelectronics (Grenoble 2) Sas Procede de fabrication d'un capot pour boitier electronique et boitier electronique comprenant un capot
US10672729B2 (en) 2017-03-30 2020-06-02 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Package structure and method of forming package structure
CN109686668A (zh) * 2018-11-22 2019-04-26 珠海越亚半导体股份有限公司 一种埋芯流程前置的集成电路封装方法及封装结构
CN110581079B (zh) * 2019-09-23 2021-09-03 合肥矽迈微电子科技有限公司 扇出型芯片封装方法及扇出型芯片封装体
WO2021071631A1 (en) * 2019-10-11 2021-04-15 Applied Materials, Inc. Die system and method of comparing alignment vectors
TWI749860B (zh) * 2020-11-10 2021-12-11 菱生精密工業股份有限公司 晶片封裝方法

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5250843A (en) 1991-03-27 1993-10-05 Integrated System Assemblies Corp. Multichip integrated circuit modules
US5353498A (en) 1993-02-08 1994-10-11 General Electric Company Method for fabricating an integrated circuit module
US5841193A (en) 1996-05-20 1998-11-24 Epic Technologies, Inc. Single chip modules, repairable multichip modules, and methods of fabrication thereof
JP2001118947A (ja) 1999-10-19 2001-04-27 Nec Corp 半導体装置用パッケージの製造方法及び半導体装置
KR100344833B1 (ko) 2000-04-03 2002-07-20 주식회사 하이닉스반도체 반도체 패키지 및 그의 제조방법
US6727576B2 (en) 2001-10-31 2004-04-27 Infineon Technologies Ag Transfer wafer level packaging
DE10157280B4 (de) 2001-11-22 2009-10-22 Qimonda Ag Verfahren zum Anschließen von Schaltungseinheiten
AU2003246268A1 (en) 2002-08-09 2004-02-25 Sharp Kabushiki Kaisha Image combination device, image combination method, image combination program, and recording medium containing the image combination program
US6905914B1 (en) 2002-11-08 2005-06-14 Amkor Technology, Inc. Wafer level package and fabrication method
US6838776B2 (en) 2003-04-18 2005-01-04 Freescale Semiconductor, Inc. Circuit device with at least partial packaging and method for forming
US6921975B2 (en) 2003-04-18 2005-07-26 Freescale Semiconductor, Inc. Circuit device with at least partial packaging, exposed active surface and a voltage reference plane
DE10334576B4 (de) 2003-07-28 2007-04-05 Infineon Technologies Ag Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelements mit einem Kunststoffgehäuse
US7514767B2 (en) 2003-12-03 2009-04-07 Advanced Chip Engineering Technology Inc. Fan out type wafer level package structure and method of the same
US7459781B2 (en) 2003-12-03 2008-12-02 Wen-Kun Yang Fan out type wafer level package structure and method of the same
US7015075B2 (en) 2004-02-09 2006-03-21 Freescale Semiconuctor, Inc. Die encapsulation using a porous carrier
US20050242425A1 (en) 2004-04-30 2005-11-03 Leal George R Semiconductor device with a protected active die region and method therefor
US7238602B2 (en) 2004-10-26 2007-07-03 Advanced Chip Engineering Technology Inc. Chip-size package structure and method of the same
US7326592B2 (en) 2005-04-04 2008-02-05 Infineon Technologies Ag Stacked die package
US7405102B2 (en) 2006-06-09 2008-07-29 Freescale Semiconductor, Inc. Methods and apparatus for thermal management in a multi-layer embedded chip structure
US20080182363A1 (en) 2007-01-31 2008-07-31 Freescale Semiconductor, Inc. Method for forming a microelectronic assembly including encapsulating a die using a sacrificial layer

Also Published As

Publication number Publication date
US8946883B2 (en) 2015-02-03
US20140077366A1 (en) 2014-03-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20140038116A (ko) Ｌｅ ｄ 램프
US9482395B2 (en) LED luminaire
KR101227527B1 (ko) 조명 장치
KR101349843B1 (ko) 조명 장치
JP6244893B2 (ja) Ｌｅｄ照明装置
KR20110108269A (ko) 엘이디 조명모듈 및 이를 이용한 조명램프
US8803409B1 (en) Lamp device, light-emitting device and luminaire
KR20110085117A (ko) 소켓형 ｌｅｄ 조명등기구
JP3150891U (ja) Ｌｅｄ照明装置
JP2011154832A5 (ko)
KR20100118136A (ko) 반도체 고상 조명기구 및 그 조명방법
KR101072584B1 (ko) 엘이디 조명 장치
JP6761968B2 (ja) 照明装置
US9874662B2 (en) Illumination device
KR101102455B1 (ko) Ｌｅｄ 조명기구
KR100959997B1 (ko) 엘이디 램프의 전원공급제어부 방열구조
KR101256865B1 (ko) 조명용 엘이디 램프
JP5802497B2 (ja) 電球型照明装置
JP2012064367A (ja) 光源装置及び電球型照明装置
JP2013232411A (ja) ランプカバー及びそれを備えた照明装置
CN103216741A (zh) 照明装置、以及具有该照明装置的灯具
KR102047686B1 (ko) 조명장치
KR200456082Y1 (ko) 엘이디 등기구
KR101020326B1 (ko) 엘이디 형광등
JP5469398B2 (ja) Ｌｅｄ照明器具

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
N231 Notification of change of applicant
E902 Notification of reason for refusal
E90F Notification of reason for final refusal
E601 Decision to refuse application