KR101204413B1 - 발광소자 및 조명기구 - Google Patents

발광소자 및 조명기구 Download PDF

Info

Publication number
KR101204413B1
KR101204413B1 KR1020117026981A KR20117026981A KR101204413B1 KR 101204413 B1 KR101204413 B1 KR 101204413B1 KR 1020117026981 A KR1020117026981 A KR 1020117026981A KR 20117026981 A KR20117026981 A KR 20117026981A KR 101204413 B1 KR101204413 B1 KR 101204413B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
light emitting
emitting device
emitting diode
phosphor
red
Prior art date
Application number
KR1020117026981A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20110128217A (ko
Inventor
나오토 히로사키
겐 사쿠마
교타 우에다
하지메 야마모토
Original Assignee
도쿠리츠교세이호징 붓시쯔 자이료 겐큐키코
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=34857936&utm_source=google_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=KR101204413(B1) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Application filed by 도쿠리츠교세이호징 붓시쯔 자이료 겐큐키코 filed Critical 도쿠리츠교세이호징 붓시쯔 자이료 겐큐키코
Publication of KR20110128217A publication Critical patent/KR20110128217A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101204413B1 publication Critical patent/KR101204413B1/ko

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/0883—Arsenides; Nitrides; Phosphides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/77—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
    • C09K11/7728—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing europium
    • C09K11/77348—Silicon Aluminium Nitrides or Silicon Aluminium Oxynitrides
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52—Encapsulations
    • H01L33/54—Encapsulations having a particular shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
    • H01L33/502—Wavelength conversion materials
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02B—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES RELATED TO BUILDINGS, e.g. HOUSING, HOUSE APPLIANCES OR RELATED END-USER APPLICATIONS
    • Y02B20/00—Energy efficient lighting technologies, e.g. halogen lamps or gas discharge lamps

Abstract

종래의 청색 발광 다이오드와 조합한 발광 다이오드 설계는, 장식성, 따스함이 결여되는 결점이 있었다. 본 발명은, 따스함이 있는 고휘도 백색을 발광하는 백색 발광 다이오드, 다양한 색조의 고휘도 발광에 부응할 수 있는 중간색 발광 다이오드를 제공하고자 하는 것이다.
그 해결수단은, CaAlSiN3 결정상(結晶相) 속에 Mn, Ce, Pr, Nd, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Lu로부터 선택되는 1종류 또는 2종류 이상의 원소를 고용(固溶)시켜서 이루어지는, 황적색ㆍ적색 중 어느 하나로 발광하는 형광물질을 사용하고, 이를 녹색ㆍ황녹색ㆍ황색 중 어느 하나로 발광하는 형광물질과 혼합하여, 이 혼합형광체를 청보라색 또는 청색으로 발광하는 반도체 발광소자와 조합한 바에 있고, 이 구성에 의해, 따스함이 있는 백색을 고효율로 발광하는 백색 발광 다이오드를 제작한다.

Description

발광소자 및 조명기구{Light emitting device and lighting fixture}
본 발명은, 조명용 고휘도 백색 발광 다이오드, 특수장식 조명용 중간색 발광 다이오드, 및 이들을 이용한 조명기구에 관한 것이다.
근래, 청색 발광 다이오드 소자와 청색흡수 황색 발광형광체를 조합한 백색 발광 다이오드가 활발하게 연구되어, 특허문헌을 비롯하여 각종 문헌에 있어서 제안, 발표되고 있다(예컨대, 비특허문헌 1, 특허문헌 1 내지 특허문헌 5 참조). 최근에는, 상기 조합에 의한 조명기구, 조명기기, 조명장치가 실용에 공여되고 있다.
그 중에서도 특히 잘 이용되고 있는 형광체로서, 일반식(Y, Gd)3 (Al, Ga)5 O12 : Ce3 ＋로 표현되고, 세륨으로 부활(付活; activate)되어 이루어지는 이트륨ㆍ알루미늄ㆍ가닛(garnet)계 형광체가 알려져 있다. 그러나, 청색 발광 다이오드 소자와 이트륨ㆍ알루미늄ㆍ가닛계 형광체로 이루어지는 백색 발광 다이오드는 적색성분의 부족으로 푸르스름한 백색 발광이 되는 특징을 가져서, 칼라 묘사성(演色性)에 치우침을 보인다는 문제가 있었다.
한편, 조명기술은, 그 용도나 사용형태, 요청은 다양화되고 있어, 상기 발광 다이오드를 이용한 조명기술에 있어서도 색온도가 높은 백색뿐만 아니라, 종래의 통상의 조명기구에 보이는 각종 색온도의 백색을 실현하는 것을 비롯하여, 다양한 색조(色調)설계가 요구되고 있다. 예컨대, 전구색이라고 불리우는 따스함이 있는 백색을 달성한 백색 발광 다이오드가 요구되고 있다. 이와 같은 배경으로부터, 2종류의 형광체를 혼합ㆍ분산시킴으로써 이트륨ㆍ알루미늄ㆍ가닛계 형광체에서는 부족한 적색성분을 별도의 적색형광체로 보충하는 백색 발광 다이오드가 검토되고 있다.
이와 같은 백색 발광 다이오드가, 특허문헌 4(「백색 발광소자」), 특허문헌 5(「질화물 형광체 및 그 제조방법」) 등에 있어서 제안되고 있다. 그러나, 이들 제안에 따른 발명에 있어서도 상기 과제가 충분히 달성되어 있다고는 할 수 없어서, 다양한 색채나 색도를 요구하는 요청에 대해서는, 이에 충분히 부응할 수 있는 상황에서는 멀고, 또한, 발광강도도 불충분하여, 여전히 개선해야 할 문제를 내포하고 있는 것이었다. 즉, 특허문헌 4에 기재된 발명은, 사용하는 적색형광체가 Cd 즉 카드뮴원소를 함유하여 이루어지는 점에서 어려움이 있는 것이었다. 최근, 환경오염의 우려로 인해, 카드뮴 및 카드뮴을 포함하는 화합물은, 이를 사용에서 제외하고, 카드뮴을 함유하지 않는 물질로 대체하는 것이 행하여지고 있다. 이와 같은 배려는 형광물질의 설계에 있어서도 마찬가지의 접근을 하는 것이 바람직하다고 생각되며, 이를 사용하는 것은 바람직하다고는 할 수 없다.
또한 특허문헌 5에 기재된, Ca1 .97 Si5N8 : Eu0 . 03를 대표예로 하는 적색 발광형광체는, 카드뮴 등 환경오염의 우려가 있는 원소를 포함하지 않는 점에서는 문제가 없지만, 그 발광강도는 불충분하여, 더욱 개선이 요망되는 것이었다. 게다가, 이들 특허문헌 4, 5에 기재된 기술사상은, 한결같이 백색의 실현에 대해서만 언급되어 있는 것에 지나지 않는 것이었다. 조명기술은, 그 용도가 다양하다는 것은 상술한 바와 같고, 장식효과도 요구되고 있다. 그 때문에 다채로운 색조, 색어울림이 요구되고 있고, 이를 위하여 색조를 조제(調製) 실현하는 각종 광원이 필요하게 되고 있다. 즉, 백색 발광 다이오드만으로는 이와 같은 요청에 부응할 수 없고, 게다가 각종 중간색의 발광 다이오드의 실현이 요망되었다. 덧붙여, 색조표현을 충분히 하기 위해서는, 가능한 한 원하는 색조로, 색도(色度)범위를 넓히는 것이 요망되었다.
일본국 특허 제2900928호 명세서 일본국 특허 제2927279호 명세서 일본국 특허 제3364229호 명세서 일본국 특허공개 평10-163535호 공보 일본국 특허공개 2003-321675호 공보
M. Yamada et al., Jpn. J. Appl. Phys., vol. 42 (2003), pp. L20-23
본 발명은, 이상 서술한 종래기술에 있어서는, 다양한 색조, 색도, 발광강도 등의 점에서, 더 나아가서는 환경에 악영향을 미치는 점에서 불리함이 있는 것이었던 바로부터, 이와 같은 문제가 없는 발광 다이오드, 따스함이 있는 백색을 발광하는 백색 발광 다이오드, 다양한 색조의 발광에 부응할 수 있는 중간색 발광 다이오드를 제공하고자 하는 것이다. 더욱 상세하게 서술하면, 본 발명은, 환경오염의 우려가 없는 성분으로 이루어지는 발광효율이 높은 신규의 적색형광체를 재료설계하고, 이를 청색 발광 다이오드와 조합하여, 채용함으로써, 따스함이 있는 백색을 발광하고, 고효율로 발광하는 백색 발광 다이오드를 제공하고자 하는 것이다. 또한, 넓은 색도(色度)범위로부터 임의로 발광색을 선택가능하게 하는 중간색 발광 다이오드를 제공하고자 하는 것이다.
상기 목적을 달성하기 위해서, 본 발명자들은 예의 연구한 결과, 본 발명자들이 먼저 개발하여, 특허출원(일본국 특허출원 2003-394855호)한 발명에 관련된 형광체, 즉, CaAlSiN3 결정상(結晶相) 속에 Mn, Ce, Pr, Nd, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Lu로부터 선택되는 1종류 또는 2종류 이상의 원소를 고용(固溶)하여 이루어지는, 황적색ㆍ적색 중 어느 하나로 발광하는 형광물질을 사용하고, 이 형광체에 더욱 녹색ㆍ황녹색ㆍ황색 중 어느 하나로 발광하는 형광물질을 소정 비율 혼합하고, 이 혼합한 형광체에 대하여 청보라색 또는 청색으로 발광하는 반도체 발광소자를 조합하여, 이 혼합한 형광체를 이 반도체소자 근방에 실장(實裝)하고, 반도체 발광소자에 통전(通電)하여 발광시킴으로써 고효율로 따스함이 있는 백색을 발광하는 백색 발광 다이오드, 혹은, 넓은 색도(色度)범위로부터 임의의 선택가능한 색조의 광을 발광하는 다이오드, 이른바 중간색 발광 다이오드를 제작하여, 제공하는 것에 성공하였다.
본 발명은 상기한 성공, 지적 발견에 근거하여 이루어진 것으로서, 그 강구한 기술적 사항은 이하 ⑴ 내지 ⑺에 기재한 바와 같다. 이로써 상기 과제를 해결하는데 성공하였다.
⑴ 청보라색 또는 청색으로 발광하는 반도체 발광소자와, 이 반도체 발광소자를 올려놓기 위한 오목부를 구비하며 또한 오목부의 경사면은 가시파장역 광선 반사면으로 하여 구성된 지지부재와, 이 반도체 발광소자에 전력을 공급하기 위한 단자와, 이 발광소자로부터의 발광의 일부 또는 전부를 흡수하여 다른 파장의 형광을 발하는 형광물질을 적어도 포함하고, 이 형광물질은 적어도 녹색ㆍ황녹색ㆍ황색 중 어느 하나로 발광하는 제1 형광물질 X퍼센트와, 황적색ㆍ적색 중 어느 하나로 발광하는 제2 형광물질 Y퍼센트를 혼합한 것으로서, 그 혼합비율은 0≤X＜100 또한 0＜Y≤100 또한 0＜X＋Y≤100인 가시광 발광 디바이스로서, 이 제2 형광물질은 CaAlSiN3 결정상(結晶相) 속에 Mn, Ce, Pr, Nd, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Lu로부터 선택되는 1종류 또는 2종류 이상의 원소가 고용(固溶)되어 이루어지는 것인 것을 특징으로 하는 발광 디바이스.
⑵ 이 제2 형광물질은 적어도 Eu를 함유하고 있는 것을 특징으로 하는 상기 ⑴에 기재된 발광 디바이스.
⑶ 반도체 발광소자로서 발광 주(主)파장 380㎚ 내지 485㎚의 청색 발광 다이오드이고, 이 제1 형광물질은 발광 주파장 495㎚ 내지 585㎚의 형광체분말이고, 이 제2 형광물질은 발광 주파장 585㎚ 내지 780㎚의 형광체분말이고, 이 형광체분말은 혼합되어 수지에 분산되어 이 청색 발광 다이오드 소자를 피복(被覆)하도록 실장(實裝)되어 이루어지는 것을 특징으로 하는 상기 ⑴ 또는 ⑵에 기재된 임의의 색을 발광하는 발광 디바이스.
⑷ 청보라색 또는 청색으로 발광하는 반도체 발광소자와, 이 반도체 발광소자를 올려놓기 위한 오목부를 구비하며 또한 오목부의 경사면은 가시파장역 광선 반사면으로 하여 구성된 지지부재와, 이 반도체 발광소자에 전력을 공급하기 위한 단자와, 이 발광소자로부터의 발광의 일부 또는 전부를 흡수하여 다른 파장의 형광을 발하는 형광물질을 적어도 포함하고, 이 형광물질은 적어도 녹색ㆍ황녹색ㆍ황색 중 어느 하나로 발광하는 제1 형광물질과, 황적색ㆍ적색 중 어느 하나로 발광하는 제2 형광물질 중 어느 한쪽을 적어도 포함하는 발광 디바이스를, 하나 이상 포함하는 광원유닛을, 3유닛 이상 포함하는 조명장치로서, 이 발광 디바이스에 있어서의 제1 형광물질과 제2 형광물질의 배합비가 광원유닛마다 혹은 발광 디바이스마다 다르고, 부위에 따라 발광색이 달라서 시각적으로 인식(視認)되도록 한 것을 특징으로 하는 조명장치.
⑸ 이 발광 디바이스로서 상기 ⑴항 내지 ⑶항에 기재된 발광 디바이스를 사용한 것을 특징으로 하는 상기 ⑷항에 기재된 조명장치.
⑹ 각각의 광원유닛에는 산란(散亂)요소를 포함하는 도광(導光)부재가 광학적으로 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 상기 ⑸항에 기재된 조명장치.
⑺ 이 산란요소는 기포로 이루어지고, 이 도광부재는 투명수지로 만든 봉 형상 부재인 것을 특징으로 하는 상기 ⑹항에 기재된 조명장치.
이상의 특징은, CaAlSiN3 결정상(結晶相) 속에 Mn, Ce, Pr, Nd, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Lu로부터 선택되는 1종류 또는 2종류 이상의 원소를 고용(固溶)시켜 이루어지는, 황적색ㆍ적색 중 어느 하나로 발광하는 형광물질을 사용하고, 이를 녹색ㆍ황녹색ㆍ황색 중 어느 하나로 발광하는 형광물질과 혼합하고, 이 혼합형광체를 청보라색 또는 청색으로 발광하는 반도체 발광소자와 조합한 바에 있고, 이 구성에 의해, 따스함이 있는 백색을 고효율로 발광하는 백색 발광 다이오드를 제작하는데 성공한 것으로서, 얻어지는 효과는 매우 크다.
더더욱 본 발명은, 상기 구성에 의해, 임의의 색조(色調)를 가능하게 하고, 중간색을 발광하는 중간색 발광 다이오드를 제작, 제공하는 것에 성공한 것으로서, 그 의의도 또한, 극히 크다. 이로써, 종래 공지의 적색형광체를 이용한 경우보다도 색도범위가 넓고 칼라 묘사성(演色性)이 뛰어난 것을 달성할 수 있는 등 각별한 효과가 얻어져서, 금후 장식용을 비롯하여 각종 용도로 크게 이용되고, 조명기술을 통하여 널리 산업의 발전에 크게 기여할 것으로 기대된다.
또한 이 발광 다이오드의 높은 발광효율로 인해, 금후 에너지절약형 조명기구의 실현에 직결되어, 각별한 효과가 얻어질 것으로 기대된다.
도 1은, JIS Z8701에 의한 XYZ표색계(表色系; colorimetric system)의 색도도(色度圖)(CIE; Chromaticity Diagram)와 본 발명의 색도(色度)범위를 나타낸 도면.
도 2는, 형광 분광 광도계로 측정한 제1 형광체와 제2 형광체의 발광 스펙트럼(여기파장은 실시예에서 이용한 청색 발광 다이오드 소자와 같은 460㎚로 하였다)을 나타낸 도면.
도 3은, 형광 분광 광도계로 측정한 제1 형광체와 제2 형광체의 여기 스펙트럼(발광 모니터 파장은, 각각의 발광 피크 파장 543㎚와 653㎚)을 나타낸 도면.
도 4는, 포탄형(砲彈型; bullet-type) 발광 다이오드 램프로서 실장(實裝)한 제1 실시예의 모식도.
도 5는, 제1 실시예의 발광 다이오드의 발광 스펙트럼을 나타낸 도면.
도 6은, 칩형(chip-type) 발광 다이오드 램프로서 실장한 제2 실시예의 모식도.
도 7은, 다수의 중간색 발광 다이오드를 일렬로 배치하여 그라데이션(gradation) 형상의 발광을 실현한 장식성이 높은 조명장치인 제3 실시예의 모식도.
도 8은, 도 7 중의 조명장치 중 색도(色度)가 황색을 띤 백색인 제1 램프유닛의 발광 다이오드 램프의 발광 스펙트럼을 나타낸 도면.
도 9는, 도 7 중의 조명장치 중 색도가 엷은 핑크인 제9 램프유닛의 발광 다이오드 램프의 발광 스펙트럼을 나타낸 도면.
이하, 본 발명을 도면, 실시예 등에 의해 구체적으로 설명한다. 본 명세서 속에 있어서, 「황적색ㆍ적색 중 어느 하나로 발광하는 제2 형광물질」 혹은 「CaAlSiN3 결정상(結晶相) 속에 Mn, Ce, Pr, Nd, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Lu로부터 선택되는 1종류 또는 2종류 이상의 원소가 고용(固溶)되어 이루어지는」 제2 형광물질이라는 것은, 본 발명자들의 개발에 의한 것으로, 이미 특허출원(일본국 특허출원 2003-394855호)되어 있는 것이다. 즉, 이 「황적색ㆍ적색 중 어느 하나로 발광하는」, 「CaAlSiN3 결정상(結晶相) 속에 Mn, Ce, Pr, Nd, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Lu로부터 선택되는 1종류 또는 2종류 이상의 원소가 고용되어 이루어지는」 제2 형광물질은, 상기 앞의 특허출원에 그 제조방법을 개시함으로써 용이하게 입수방법을 분명하게 하고 있지만, 이 점은, 본 명세서에 있어서도 후술하는 실시예에 있어서, 상기 선행출원과 마찬가지로, 구체적으로 그 제조방법, 조제방법을 용이하게 취득가능하게 개시하여, 분명하게 하고 있다.
이하에, 본 발명을 실시예 및 도면에 근거하여 구체적으로 설명하는데, 다만, 이들 실시예는, 어디까지나 본 발명을 용이하게 이해하기 위한 일조(一助)로서 나타낸 것으로 본 발명을 한정하는 취지는 아니다.
우선, 본 발명의 발광 다이오드 램프의 구조와 작동원리에 대하여 간단하게 설명한다. 반도체 청색 발광 다이오드 소자를 준비하고, 이 반도체 발광 다이오드 소자를 도 4에 모식적으로 나타낸 바와 같이 오목부 구조의 지지부재에 올려놓고, 외부로부터 전력을 공급하기 위한 적어도 2개의 도전로(導電路)를 접속하고, 이 위를 투명수지에 분산하여, 상기 청색 발광 다이오드 소자로부터 발생된 광을 흡수하여 녹색, 및 적색 등 다른 파장의 형광을 발하는 제1 및 제2 형광체를 피복(被覆)하여, 실장(實裝)한다. 이 도 4에 나타낸 발광 다이오드 램프는, 그 외관형상으로 인해 포탄형(砲彈型; bullet-type)이라고 불리우는 것이다.
도 1은, 상기 제작한 발광 다이오드 램프에 통전하여, 발광시킨 경우의 발광 스펙트럼을 나타낸 CIE의 XYZ표색계의 색도도(色度圖)(JIS Z8701 참조)이다. 이 도면에 있어서, B점(▲)은, 청색 발광 다이오드 소자의 발광의 색도좌표이다. G점(●)은, 청색광으로 여기되어 녹색의 발광을 나타낸 제1 형광물질의 색도좌표이다. R점(◆)은, 청색광으로 여기되어 적색의 발광을 나타낸 제2 형광물질의 색도좌표이다. 이와 관련하여 특허문헌 4에서는, 이 청ㆍ녹ㆍ적의 혼합에 의해 (x, y)가 0.21≤x≤0.48, 0.19≤y≤0.45 범위의 백색을 얻는 기술에 대하여 개시하고 있지만, 실제로는 특허문헌 4의 기술에 의해, B, G, R의 3좌표점을 연결하여 형성되는 삼각형 내측의 임의의 중간색의 발광을 얻는 것이 가능하다.
본 발명에서는, 상기 발광 스펙트럼으로 설명한 원리에 의해 각종 백색 및 다채로운 중간색의 발광 다이오드를 달성할 수 있다. 다만, 본 발명의 특징은, 실질적으로는 제2 형광물질에 신규의 재료를 이용함으로써, 고휘도발광이 가능하게 된 것이다. 이 제2 형광물질은, 본 발명자들의 발명에 의한 앞의 특허출원(일본국 특허출원 2003-394855호)에 관련된 것으로서, Eu로 부활(付活; activate)시킨 CaAlSiN3 결정(結晶)으로 이루어지는 신규 형광물질이다. 이 제2 신규 형광물질은 종래 공지의 청색여기 적색발광 형광물질과 비교하여 고휘도이고, 또한 보다 장파장에서의 발광을 나타낸 재료이다. 도 2 및 도 3에, 그 발광 스펙트럼과 여기 스펙트럼을 나타낸다.
청색ㆍ녹색ㆍ적색의 혼합에 의해 임의의 중간색을 실현함에 있어서, JIS Z8110의 계통색명(系統色名; system color names)의 일반적인 색도구분을 이용하여 설명한다. 청색으로서는, 청보라색 혹은 청색 범위의 광원이 바람직하다. 단색광원으로 한다면 파장범위로서 380㎚ 내지 485㎚이다. 삼각형의 면적을 넓게 하여 달성가능한 색도범위를 넓게 하는 관점에서는 단파장인 것이 바람직할 것 같이도 생각되지만, 실제로는 비시감도(比視感度; relative visibility property) 특성의 문제로 인해 장파장인 쪽이 인간에게 밝게 느껴지므로, 그 점도 고려하여 파장을 결정하게 된다.
후술하는 실시예에서는, 시판되고 있는 입수가 용이한 청색 발광 다이오드 소자 중에서 발광 중심파장 460㎚의 것을 채용하였다. 녹색으로서는, 파장 495㎚ 내지 550㎚의 녹색 범위의 형광물질이 바람직하지만, 임의의 중간색이 아니라, 따스함이 있는 백색만을 실현하고자 하는 실시형태에 있어서는, 파장 550㎚ 내지 585㎚의 황녹색 혹은 황색의 범위에서 발광하는 형광물질이어도 좋다. 후술하는 실시예에서는, 종래 공지의 이트륨ㆍ알루미늄ㆍ가닛계 형광체분말을 채용하였다.
적색에 대해서는, 파장 610㎚ 내지 780㎚의 적색 범위에서 발광하는 형광물질이 바람직하지만, 파장 585㎚ 내지 610㎚의 황적색이어도 좋다. 본 발명에서는 적색형광체로서 Eu로 부활(付活)시킨 CaAlSiN3 결정의 신규물질로 이루어지는 형광체분말을 채용하였다(그 취득방법에 대해서는 후술하는 실시예에 있어서 분명하게 한다). 종래는 청색 여기로 충분한 휘도를 나타내는 좋은 적색형광물질이 없었다.
특허문헌 4에서는, 도 1의 R로 나타낸 색도좌표(座標)도, 황적색이나 혹은 황적색과 적색의 경계부근의 색도이다. 또한, 특허문헌 5에서는, 예컨대 그 실시예 1은 x＝0.583, y＝0.406이고, 이들도 역시 황적색이다. Eu로 부활시킨 CaAlSiN3 결정에서는, 고휘도인 것에 더하여, 그 발광색도도 종래에 없는 장파장의 발광에 의한 적색으로 되어 있고, 본건 실시예의 경우에는 x＝0.670, y＝0.327이다.
이 형광물질을 사용하여 제작한 본 발명의 따스함이 있는 백색 발광 다이오드는, 종래기술에 의해 제작한 경우와 비교하여 고휘도이다. 또한, 이 형광물질을 사용하여 제작한 본 발명의 중간색 발광 다이오드는 종래기술에 의해 제작한 경우에 비하여, 고휘도임과 동시에 표현가능한 색도범위가 넓게 되어 있다. 이와 같이, 본 발명은 분명하게 신규성과 진보성을 가진다. 여기서, 칼라 묘사성(演色性) 향상을 위해 형광물질은 3종류 이상을 혼합하여도 좋다.
이하, 본 발명을 더욱 실시예에 근거하여 구체적으로 설명한다.
백색 다이오드 설계에 기본적으로 필요한 3가지 색의 형광체, 즉, 적색형광체, 녹색형광체, 청색형광체의 준비를 이하와 같이 행하였다.
[적색형광체의 준비]
우선, 사용할 적색형광체는, 앞의 출원에 관련된 일본국 특허출원 2003-394855호에 기재된 CaAlSiN3 결정상을 주체로 하는 질화물 형광체분말을 사용하였다. 그 조제방법은, 이하와 같다. 원료분말은, 평균 입경(粒徑) 0.5㎛, 산소함유량 0.93중량％, α형 함유율 92％의 질화규소분말, 비표면적 3.3㎡/g, 산소함유량 0.79％의 질화알루미늄분말, 질화칼슘분말, 금속유로퓸을 암모니아 속에서 질화하여 합성한 질화유로퓸을 이용하였다. 조성식 Eu0 .0005 Ca0 .9995 AlSiN3로 표현되는 조성이 얻어지도록, 질화규소분말 34.0735중량％와 질화알루미늄분말 29.8705중량％, 질화칼슘분말 35.9956중량％, 질화유로퓸분말 0.06048중량％를 각각 칭량(秤量)하고, 마노(瑪瑙) 막자사발(agate mortar)과 막자(pestle)로 30분간 혼합을 행하여, 얻어진 혼합물을, 금형을 이용하여 20㎫의 압력을 가하여 성형하여, 직경 12㎜, 두께 5㎜의 성형체로 하였다.
다만, 분말의 칭량, 혼합, 성형의 각 공정은 모두, 수분(水分) 1ppm 이하 산소 1ppm 이하의 질소분위기를 유지할 수 있는 글로브 박스 속에서 조작을 행하였다. 이 성형체는 질화붕소로 만들어진 도가니에 넣어 흑연저항 가열방식의 전기로에 세트하였다. 소성(燒成)조작은, 우선, 확산펌프에 의해 소성분위기를 진공으로 하고, 실온(室溫)에서 800℃까지 매시 500℃의 속도로 가열하고, 800℃에서 순도가 99.999체적％의 질소를 도입하여 압력을 1㎫로 하고, 매시 500℃로 1800℃까지 승온하고, 1800℃에서 2시간 유지하여 행하였다. 소성 후, 얻어진 소결체를 마노 막자사발과 막자를 이용하여 분말로 분쇄하고, Cu의 Kα선을 이용한 분말 X선 회절측정을 행한 바, 얻어진 차트로부터 CaAlSiN3 결정상(結晶相)인 것이 확인되었다. 이 분말을, 히타치 제작소에서 제작된 분광 형광 광도계 F-4500으로 측정하여, 도 2에 나타낸 발광 스펙트럼 및 도 3에 나타낸 여기 스펙트럼을 얻었다.
광도계는, 로다민(rhodamine) B를 참조시료로 하여 여기(勵起) 보정을 실시하고, 그런 후에 미국 NIST에 준거한 표준광원을 이용하여 교정하였다. 발광 스펙트럼의 측정에 있어서는, 실시예에서 이용한 청색 발광 다이오드 소자의 발광 중심파장과 동일한 460㎚를 여기파장으로 하였다. 발광 스펙트럼은 도 2에 나타낸 바와 같이 653㎚가 발광 피크파장이 되는 폭넓은 것이었다. 도 2의 발광 스펙트럼으로부터 구한 CIE의 XYZ표색계(表色系) 색도도(色度圖) 상의 색도좌표는 x＝0.670, y＝0.327이고, 주파장(도미넌트(dominant) 파장)은 612㎚이었다. 이는, JIS Z8110의 참고로 첨부된 도면 1 계통색명의 일반적인 색도구분으로 「적색」의 범위이다.
도 2에서, 종래 공지의 이트륨ㆍ알루미늄ㆍ가닛계 형광체의 발광 스펙트럼과의 비교로부터도 분명한 바와 같이, 이 CaAlSiN3 결정상에 Eu를 고용(固溶)시킨 적색형광체는, 파장 460㎚의 청색광의 여기로 이전에 없는 고휘도의 적색발광을 나타내었다. 도 3의 여기 스펙트럼은, 발광 피크파장인 653㎚를 발광 모니터 파장으로 하여 측정한 것이다. 460㎚ 부근을 중심으로 상당히 넓은 파장범위에서 고효율로 여기할 수 있는 것을 알 수 있다.
[녹색형광체의 준비]
종래 공지의 이트륨ㆍ알루미늄ㆍ가닛계 형광체로서, CRT용 녹색형광체로서 시판되고 있는 것을 이용하였다. 교정한 F-4500으로 측정한 발광 스펙트럼을 도 2에, 여기 스펙트럼을 도 3에 나타낸다. 발광 스펙트럼은 여기파장 460㎚로 측정한 것이고, 543㎚가 발광 피크파장이 되는 폭넓은 것이었다. 도 2의 발광 스펙트럼으로부터 구한 색도좌표는 x＝0.422, y＝0.547이고, 주파장 563㎚이었다. 이는, 계통색명의 일반적인 색도구분에서 「황녹색」의 범위이다. 도 3의 여기 스펙트럼은, 발광 피크파장인 543㎚를 발광 모니터 파장으로 하여 측정한 것이다. 다만, 녹색형광체는, 청색으로 여기되어 녹색, 황녹색, 황색 중 어느 하나의 색으로 발광하는 것이면 이에 한정되는 것은 아니다.
[청색 발광소자의 준비]
청색 발광소자에는, 발광 중심파장 460㎚인 시판되고 있는 청색 발광 다이오드 소자를 이용하였다. 여기서 사용한 것은 탄화규소를 기판으로 하는 InGaN 반도체 발광 다이오드 소자로서, 양면에 전극이 있는 형상의 것이다. 다만, 청색 발광소자는, 사파이어를 기판으로 하여 편면에 2개의 전극을 가지는 형상의 발광 다이오드 소자이어도 좋다. 또한, 청색으로 발광하여 각 형광체를 여기가능한 것이라면, 발광 다이오드 이외의 발광소자이어도 좋다.
이상의 준비 후, 본 발명에 의한 백색 발광 다이오드를, 설계구조와 제작 프로세스에 근거하여 구체적으로 나타낸다.
＜실시예 1＞
도 4에 나타낸 이른바 포탄형(砲彈型; bullet-type) 백색 발광 다이오드 램프(1)를 제작하였다.
2개의 리드 와이어(2, 3)가 있고, 그 중 하나(2)에는, 오목부가 있어, 청색 발광 다이오드 소자(4)가 올려놓아져 있다. 청색 발광 다이오드 소자(4)의 하부전극과 오목부의 바닥면(底面)이 도전성 페이스트에 의해 전기적으로 접속되어 있고, 상부전극과 또 하나의 리드 와이어(3)가 금세선(金細線; thin gold line)(5)에 의해 전기적으로 접속되어 있다. 형광체는 제1 형광체와 제2 형광체를 혼합한 것(7)이 수지에 분산되어, 발광 다이오드 소자(4) 근방에 실장(實裝)되어 있다. 이 형광체를 분산한 제1 수지(6)는, 투명하고, 청색 발광 다이오드 소자(4)의 전체를 피복(被覆)하고 있다. 오목부를 포함하는 리드 와이어의 선단부, 청색 발광 다이오드 소자, 형광체를 분산한 제1 수지는, 투명한 제2 수지(8)에 의해 밀봉되어 있다. 투명한 제2 수지(8)는 전체가 대략 원기둥 형상이고, 그 선단부가 렌즈형상의 곡면으로 되어 있어, 포탄형(砲彈型)이라고 통칭되고 있다.
본 실시예에서는, 제1 형광체분말과 제2형광체분말의 혼합비율을 5대2로 하고, 그 혼합분말을 35중량％의 농도로 에폭시수지에 섞어, 이를 디스펜서를 이용하여 적정량 적하(滴下)하여, 형광체를 혼합한 것(7)을 분산한 제1 수지(6)를 형성하였다. 얻어진 색도는 x＝0.338, y＝0.330이고, 대략 백색이었다. 도 5에 실시예 1의 백색 발광 다이오드의 발광 스펙트럼을 나타낸다.
다음으로, 이 제1 실시예의 포탄형 백색 발광 다이오드의 제조순서를 설명한다. 우선, 1세트의 리드 와이어의 한쪽(2)에 있는 소자 재치(載置)용 오목부에 청색 발광 다이오드 소자(4)를 도전성 페이스트를 이용하여 다이 본딩(die bonding)하여, 리드 와이어와 청색 발광 다이오드 소자의 하부전극을 전기적으로 접속함과 함께 청색 발광 다이오드 소자(4)를 고정한다. 다음으로, 청색 발광 다이오드 소자(4)의 상부전극과 또 하나의 리드 와이어를 와이어 본딩하여, 전기적으로 접속한다. 미리 녹색의 제1 형광체분말과 적색의 제2 형광체분말을 혼합비율을 5대2로 하여 섞어 놓고, 이 혼합 형광체분말을 에폭시수지에 35중량％의 농도로 섞는다. 다음으로 이를 오목부에 청색 발광 다이오드 소자를 피복하도록 하여 디스펜서로 적정량 도포하고, 경화시켜 제1 수지부(6)를 형성한다. 마지막으로 캐스팅법(casting method)에 의해 오목부를 포함하는 리드 와이어의 선단부, 청색 발광 다이오드 소자, 형광체를 분산한 제1 수지의 전체를 제2 수지로 밀봉한다. 본 실시예에서는, 제1 수지와 제2 수지의 양쪽에 동일 에폭시수지를 사용하였지만, 실리콘수지 등의 다른 수지 혹은 유리 등의 투명재료이어도 좋다. 가능한 한 자외선광에 의한 열화가 적은 재료를 선정하는 것이 바람직하다.
＜실시예 2＞
기판 실장(實裝)용 칩형(chip-type) 백색 발광 다이오드 램프(21)를 제작하였다. 구도를 도 6에 나타낸다. 가시광선 반사율이 높은 백색의 알루미나 세라믹스 기판(29)에 2개의 리드 와이어(22, 23)가 고정되어 있고, 그들 와이어의 한쪽 끝은 기판의 거의 중앙부에 위치하고 또한 다른쪽 끝은 각각 외부에 나와 있어 전기기판에 대한 실장(實裝)시에는 납땜되는 전극으로 되어 있다. 리드 와이어 중 하나(22)는, 그 한쪽 끝에, 기판중앙부가 되도록 청색 발광 다이오드 소자(24)가 올려놓아져 고정되어 있다. 청색 발광 다이오드 소자(24)의 하부전극과 하측의 리드 와이어는 도전성 페이스트에 의해 전기적으로 접속되어 있고, 상부전극과 또 하나의 리드 와이어(23)가 금세선(金細線)(25)에 의해 전기적으로 접속되어 있다.
형광체는 제1 형광체와 제2 형광체를 혼합한 것(27)이 수지에 분산되고, 발광 다이오드 소자 근방에 실장되어 있다. 이 형광체를 분산한 제1 수지(26)는, 투명하고, 청색 발광 다이오드 소자(24)의 전체를 피복하고 있다. 또한, 세라믹 기판 상에는 중앙부에 구멍이 뚫린 형상인 벽면부재(30)가 고정되어 있다. 벽면부재(30)는, 도 6에 나타낸 바와 같이 그 중앙부가 청색 발광 다이오드 소자(24) 및 형광체(27)를 분산시킨 제1 수지(26)가 수납되기 위한 구멍으로 되어 있고, 중앙에 대면한 부분은 경사면으로 되어 있다. 이 경사면은 광을 전방으로 내보내기 위한 반사면으로서, 그 경사면의 곡면형태는 광의 반사방향을 고려하여 결정된다. 또한, 적어도 반사면을 구성하는 면은 백색 또는 금속광택을 가진 가시광선 반사율이 높은 면으로 되어 있다. 본 실시예에서는, 이 벽면부재(30)를 백색의 실리콘수지에 의해 구성하였다. 벽면부재 중앙부의 구멍은, 칩형 발광 다이오드 램프의 최종 형상으로서는 오목부를 형성하지만, 여기서는 청색 발광 다이오드 소자(24) 및 형광체(27)를 분산시킨 제1 수지(26) 전체를 밀봉하도록 하여 투명한 제2 수지(28)를 충전하고 있다. 본 실시예에서는, 제1 수지(26)와 제2 수지(28)에는 동일 에폭시수지를 이용하였다. 제1 형광체와 제2 형광체의 혼합비율, 달성된 색도 등은, 제1 실시예와 대략 동일하다. 제조순서는, 알루미나 세라믹스 기판(29)에 리드 와이어(22, 23) 및 벽면부재(30)를 고정하는 부분을 제외하고서는, 제1 실시예의 제조순서와 대략 동일하다.
＜실시예 3＞
실시예 1의 포탄형 발광 다이오드 램프를 다수개 이용하여, 그라데이션 형상으로 발광색도가 변화하고 있는 장식성이 높은 조명장치(41)를 실현하였다. 모식도를 도 7에 나타낸다. 상부의 가로로 긴 지지체(51)는, 건물의 천정부에 직접 장착, 혹은 사슬 등으로 매달아서 조명장치(41)의 전체를 지지하는 것이다. 지지체(51)의 내부에, 발광 다이오드 램프 구동부의 전기회로가 수납되어 있고, 외부에 상용교류 100V 전원으로부터의 전력을 공급을 받아, 발광 다이오드 램프에 적절한 전류를 흐르게 한다. 구동부는, 도시하지 않은 전원스위치 및 조광(調光) 다이얼에 접속되어 있어, 수동으로 조명전원의 ON 혹은 OFF와 조명 발광강도의 조정이 가능하게 되어 있다. 지지체에는 복수의 램프유닛(52)이 접속되어 있다. 본 실시예에서는, 9 유닛이다. 개개의 램프유닛에는, 다수개의 포탄형 발광 다이오드 램프가 설치되어 있다. 본 실시예서는, 각 램프유닛에 18개씩의 포탄형 발광 다이오드 램프를 동심원 형상으로 배치하였다. 발광 다이오드는, 유닛 단위로 그 색도를 변경하여 제작하였다.
중앙의 제5 램프유닛에 탑재된 18개의 발광 다이오드는 제1 형광체와 제2 형광체의 혼합비율을 5대 2로 하여 그 색도를 제1 실시예ㆍ제2 실시예와 마찬가지로 x＝0.34, y＝0.33의 백색으로 하였다. 한쪽 단부(端部)의 제1 램프유닛은, 혼합비율을 12대 1로 하여, 색도좌표 x＝0.37, y＝0.42의 황색을 띤 백색으로 하였다. 또 한쪽의 단부(端部)의 제9 램프유닛은, 혼합비율을 4대 5로 하여, 색도좌표 x＝0.38, y＝0.32의 엷은 핑크로 하였다. 중간에 위치하는 제2, 제3, 제4, 제6, 제7, 제8 램프유닛은, 각각 단계적으로 혼합비율을 변경하여, 그라데이션 형상으로 색도가 변화하는 구성으로 하였다.
다만, 제1 형광체와 제2 형광체의 혼합비율을 변경한 이외에, 적절한 색도가 되도록 제1 수지를 도포할 때의 도포량을 적절하게 조정하여 각각의 포탄형 발광 다이오드 램프를 제조하였다. 각각의 램프유닛의 하부에는, 산란(散亂)요소를 포함하는 도광(導光)부재(53)를 배치하고, 이에 램프유닛으로부터의 광이 입사하도록 배치하였다. 구체적으로는, 적당한 정도로 기포를 포함하는 투명수지로 만든 원기둥 형상의 부재를 이용하였다. 이와 같이 하여, 고휘도인 중간색 발광 다이오드 램프를 이용한, 오로라를 이미지화한 고도로 장식적인 조명장치가 달성되었다.
최근, 청색 발광 다이오드 소자와 형광체를 이용한 조명용 백색 발광 다이오드가 빠르게 확대되고 있다. 본 발명은, 이 분야에 직접 이용할 수 있는 것은 분명하며, 종래 없었던 따스함이 있는 고휘도 백색조명, 혹은 다양한 색채, 색도설계가 가능하게 되어, 원하는 중간색을 창출하는 것이 가능하게 되었으므로, 크게 이용될 것이라 기대된다.
1, 21: 백색 발광 다이오드 램프
2, 3, 22, 23: 리드 와이어
4, 24: 청색 발광 다이오드 소자
5, 25: 금세선
6, 26: 제1 수지
7, 27: 형광체를 혼합한 것
8, 28: 제2 수지
29: 기판
30: 벽면부재
41: 조명장치
51: 지지체
52: 램프유닛
53: 도광부재

Claims (9)

  1. 반도체 발광소자와, 상기 반도체 발광소자로부터의 발광의 일부 또는 전부를 흡수하여 다른 파장의 형광을 발하는 복수의 형광물질을 적어도 포함하는 포탄(砲彈)형 또는 기판실장(實裝)용 칩형 발광 다이오드 램프로서,
    상기 복수의 형광물질은, CaAlSiN3 결정상(結晶相)을 주체로 하는 형광체를 포함하는 것
    을 특징으로 하는 포탄형 또는 기판실장용 칩형 발광 다이오드 램프.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 형광체가, 585㎚ 내지 780㎚의 발광 주(主)파장을 가지고, 또한 JIS Z8110의 일반적인 색도(色度)구분에서 "빨강"의 범위로 발광하는 것
    을 특징으로 하는 포탄형 또는 기판실장용 칩형 발광 다이오드 램프.
  3. 청구항 1에 있어서,
    상기 포탄형 또는 기판실장용 칩형 발광 다이오드 램프가, JIS Z8701에 의한 XYZ 표색계(表色系)의 색도도(色度圖)(CIE)에 있어서 색도좌표 x = 0.34 ~ 0.38 및 색도좌표 y = 0.32 ~ 0.42의 색을 발광하는 것
    을 특징으로 하는 포탄형 또는 기판실장용 칩형 발광 다이오드 램프.
  4. 청보라색 또는 청색으로 발광하는 반도체 발광소자와, 상기 반도체 발광소자를 올려놓기 위한 지지부재와, 상기 반도체 발광소자에 전력을 공급하기 위한 단자와, 상기 반도체 발광소자로부터의 발광의 일부 또는 전부를 흡수하여 다른 파장의 형광을 발하는 형광물질을 적어도 포함하는 가시광 발광 디바이스로서,
    상기 형광물질은 저항가열방식의 전기로를 사용하여 소성된 CaAlSiN3 결정상(結晶相)을 주체로 하는 질화물 형광체를 포함하는 것
    을 특징으로 하는 발광 디바이스.
  5. 청구항 4에 있어서,
    상기 질화물 형광체는, 소성분위기를 진공으로 한 후에 가열함으로써 얻어진 것인 것
    을 특징으로 하는 발광 디바이스.
  6. 청구항 4에 있어서,
    상기 질화물 형광체는, 질화붕소로 만든 도가니를 이용하여 소성한 것인 것
    을 특징으로 하는 발광 디바이스.
  7. 청구항 4에 있어서,
    상기 질화물 형광체는, 질소분위기 속에서 소성 후, 분쇄된 것인 것
    을 특징으로 하는 발광 디바이스.
  8. 청구항 4에 있어서,
    상기 질화물 형광체는, 585㎚ 내지 780㎚의 발광 주(主)파장을 가지고, 또한 JIS Z8110의 일반적인 색도(色度)구분에서 "빨강"의 범위로 발광하는 것
    을 특징으로 하는 발광 디바이스.
  9. 청구항 9은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    청구항 4에 있어서,
    상기 질화물 형광체는, CaAlSiN3 결정상(結晶相)을 주체로 하는 형광체인 것
    을 특징으로 하는 발광 디바이스.
KR1020117026981A 2004-02-18 2005-02-15 발광소자 및 조명기구 KR101204413B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2004-041502 2004-02-18
JP2004041502A JP3931239B2 (ja) 2004-02-18 2004-02-18 発光素子及び照明器具
PCT/JP2005/002675 WO2005078811A1 (ja) 2004-02-18 2005-02-15 発光素子及び照明器具

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020067016623A Division KR101174629B1 (ko) 2004-02-18 2006-08-18 발광소자 및 조명기구

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20110128217A KR20110128217A (ko) 2011-11-28
KR101204413B1 true KR101204413B1 (ko) 2012-12-04

Family

ID=34857936

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020117026981A KR101204413B1 (ko) 2004-02-18 2005-02-15 발광소자 및 조명기구
KR1020067016623A KR101174629B1 (ko) 2004-02-18 2006-08-18 발광소자 및 조명기구

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020067016623A KR101174629B1 (ko) 2004-02-18 2006-08-18 발광소자 및 조명기구

Country Status (7)

Country Link
US (2) US7573190B2 (ko)
JP (1) JP3931239B2 (ko)
KR (2) KR101204413B1 (ko)
CN (1) CN100483756C (ko)
DE (1) DE112005000396B4 (ko)
TW (1) TWI278128B (ko)
WO (1) WO2005078811A1 (ko)

Families Citing this family (92)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10340424B2 (en) 2002-08-30 2019-07-02 GE Lighting Solutions, LLC Light emitting diode component
JP3837588B2 (ja) 2003-11-26 2006-10-25 独立行政法人物質・材料研究機構 蛍光体と蛍光体を用いた発光器具
JP3931239B2 (ja) * 2004-02-18 2007-06-13 独立行政法人物質・材料研究機構 発光素子及び照明器具
TWI262609B (en) * 2004-02-27 2006-09-21 Dowa Mining Co Phosphor and manufacturing method thereof, and light source, LED using said phosphor
JP4511849B2 (ja) * 2004-02-27 2010-07-28 Ｄｏｗａエレクトロニクス株式会社 蛍光体およびその製造方法、光源、並びにｌｅｄ
EP2078978A3 (en) * 2004-04-26 2009-07-22 Mitsubishi Chemical Corporation LCD backlight containing a LED with adapted light emission and suitable colour filters
EP1749074B1 (en) 2004-04-27 2016-04-20 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Light-emitting device using phosphor composition
JP5226929B2 (ja) * 2004-06-30 2013-07-03 三菱化学株式会社 発光素子並びにそれを用いた照明装置、画像表示装置
JP4565141B2 (ja) 2004-06-30 2010-10-20 独立行政法人物質・材料研究機構 蛍光体と発光器具
JP4511885B2 (ja) * 2004-07-09 2010-07-28 Ｄｏｗａエレクトロニクス株式会社 蛍光体及びｌｅｄ並びに光源
JP4543250B2 (ja) * 2004-08-27 2010-09-15 Ｄｏｗａエレクトロニクス株式会社 蛍光体混合物および発光装置
JP4543251B2 (ja) * 2004-08-31 2010-09-15 Ｄｏｗａエレクトロニクス株式会社 蛍光体及び光源
JP4543253B2 (ja) * 2004-10-28 2010-09-15 Ｄｏｗａエレクトロニクス株式会社 蛍光体混合物および発光装置
WO2006062437A1 (en) * 2004-11-25 2006-06-15 OBSCHESTVO S OGRANICHENNOY OTVESTVENNOSTIU 'DiS PLUS' LTD Method for forming a movable matrix image and device for a light-emitting-diode running letters
JP4892193B2 (ja) * 2005-03-01 2012-03-07 Ｄｏｗａホールディングス株式会社 蛍光体混合物および発光装置
TWI413274B (zh) 2005-03-18 2013-10-21 Mitsubishi Chem Corp 發光裝置，白色發光裝置，照明裝置及影像顯示裝置
JP5130640B2 (ja) * 2005-04-01 2013-01-30 三菱化学株式会社 蛍光体の製造方法
KR101346580B1 (ko) 2005-04-01 2014-01-02 미쓰비시 가가꾸 가부시키가이샤 무기 기능재 원료용 합금 분말 및 형광체
KR100704492B1 (ko) * 2005-05-02 2007-04-09 한국화학연구원 형광체를 이용한 백색 발광 다이오드의 제조 방법
EP1887067B1 (en) 2005-05-24 2014-04-16 Mitsubishi Chemical Corporation Phosphor and use thereof
US7329907B2 (en) * 2005-08-12 2008-02-12 Avago Technologies, Ecbu Ip Pte Ltd Phosphor-converted LED devices having improved light distribution uniformity
US7262439B2 (en) * 2005-11-22 2007-08-28 Lumination Llc Charge compensated nitride phosphors for use in lighting applications
US7859182B2 (en) 2005-08-31 2010-12-28 Lumination Llc Warm white LED-based lamp incoporating divalent EU-activated silicate yellow emitting phosphor
JP4832995B2 (ja) * 2005-09-01 2011-12-07 シャープ株式会社 発光装置
US20070075629A1 (en) * 2005-09-30 2007-04-05 The Regents Of The University Of California Nitride and oxy-nitride cerium based phosphor materials for solid-state lighting applications
US8159126B2 (en) * 2005-11-07 2012-04-17 Koninklijke Philips Electronics N.V. Light emitting device with an improved CaAlSiN light converting material
JP4899431B2 (ja) * 2005-11-12 2012-03-21 日亜化学工業株式会社 窒化物系蛍光体及びそれを用いた発光装置
EP1964104A4 (en) 2005-12-21 2012-01-11 Cree Inc SHIELD AND LIGHTING PROCEDURE
JP4932248B2 (ja) 2005-12-21 2012-05-16 Ｎｅｃライティング株式会社 黄色発光蛍光体、それを用いた白色発光素子、およびそれを用いた照明装置
JP5137847B2 (ja) 2005-12-21 2013-02-06 クリー インコーポレイテッド 照明装置、および照明方法
BRPI0711255A2 (pt) 2006-04-18 2011-08-30 Cree Led Lighting Solutions dispositivo de iluminação e método de iluminação
US9921428B2 (en) 2006-04-18 2018-03-20 Cree, Inc. Light devices, display devices, backlighting devices, edge-lighting devices, combination backlighting and edge-lighting devices
US8513875B2 (en) 2006-04-18 2013-08-20 Cree, Inc. Lighting device and lighting method
US9084328B2 (en) * 2006-12-01 2015-07-14 Cree, Inc. Lighting device and lighting method
WO2007142946A2 (en) 2006-05-31 2007-12-13 Cree Led Lighting Solutions, Inc. Lighting device and method of lighting
JP4911578B2 (ja) 2006-06-06 2012-04-04 シャープ株式会社 酸窒化物蛍光体および発光装置
US7616359B2 (en) * 2006-06-14 2009-11-10 Kabushiki Kaisha Toshiba Image reading apparatus, image forming apparatus, and image forming method
EP3624560A1 (en) * 2006-08-23 2020-03-18 IDEAL Industries Lighting LLC Lighting device and lighting method
JP2008050496A (ja) 2006-08-25 2008-03-06 Sony Corp 発光組成物、光源装置、及び表示装置
US7842960B2 (en) * 2006-09-06 2010-11-30 Lumination Llc Light emitting packages and methods of making same
US7659549B2 (en) * 2006-10-23 2010-02-09 Chang Gung University Method for obtaining a better color rendering with a photoluminescence plate
US9441793B2 (en) * 2006-12-01 2016-09-13 Cree, Inc. High efficiency lighting device including one or more solid state light emitters, and method of lighting
JP4228012B2 (ja) 2006-12-20 2009-02-25 Ｎｅｃライティング株式会社 赤色発光窒化物蛍光体およびそれを用いた白色発光素子
KR100946015B1 (ko) * 2007-01-02 2010-03-09 삼성전기주식회사 백색 발광장치 및 이를 이용한 ｌｃｄ 백라이트용 광원모듈
JP4840776B2 (ja) * 2007-01-25 2011-12-21 独立行政法人物質・材料研究機構 色変換器、これを用いた植物育成装置及び植物育成方法
KR100862446B1 (ko) * 2007-01-26 2008-10-08 삼성전기주식회사 백색 ｌｅｄ 광원 모듈
TWI560405B (en) * 2007-02-22 2016-12-01 Cree Inc Lighting devices, methods of lighting, light filters and methods of filtering light
JP4564027B2 (ja) * 2007-04-16 2010-10-20 株式会社リガク 放射線画像読取装置および方法
WO2008137975A1 (en) * 2007-05-08 2008-11-13 Cree Led Lighting Solutions, Inc. Lighting device and lighting method
JP2009010315A (ja) * 2007-05-30 2009-01-15 Sharp Corp 蛍光体の製造方法、発光装置および画像表示装置
US7851990B2 (en) * 2007-09-06 2010-12-14 He Shan Lide Electronic Enterprise Company Ltd. Method for generating low color temperature light and light emitting device adopting the same
KR101022621B1 (ko) * 2007-09-19 2011-03-16 하바텍 코포레이션 고효율 방열 기능을 가지는 발광 다이오드 램프 구조체 및어셈블리
CN101262038B (zh) * 2008-04-15 2010-11-03 罗维鸿 暖白色半导体及其具有红色石榴石结构的荧光粉
CN101572284B (zh) * 2008-04-29 2011-02-16 北京宇极科技发展有限公司 半导体发光装置
CN102083941B (zh) 2008-07-02 2016-04-27 迪睿合电子材料有限公司 红色荧光体、制造红色荧光体的方法、白色光源、照明装置、及液晶显示装置
US20110316452A1 (en) * 2009-03-10 2011-12-29 Mingjie Zhou Method for generating white light and lighting device
US8337030B2 (en) 2009-05-13 2012-12-25 Cree, Inc. Solid state lighting devices having remote luminescent material-containing element, and lighting methods
FI20095967A (fi) 2009-09-18 2011-03-19 Valoya Oy Valaisinsovitelma
US8901845B2 (en) 2009-09-24 2014-12-02 Cree, Inc. Temperature responsive control for lighting apparatus including light emitting devices providing different chromaticities and related methods
US8593040B2 (en) 2009-10-02 2013-11-26 Ge Lighting Solutions Llc LED lamp with surface area enhancing fins
CN102115669B (zh) * 2009-12-31 2013-05-08 海洋王照明科技股份有限公司 硼铝酸盐绿色发光材料及其制备方法
US8508116B2 (en) * 2010-01-27 2013-08-13 Cree, Inc. Lighting device with multi-chip light emitters, solid state light emitter support members and lighting elements
US8450770B2 (en) * 2010-05-11 2013-05-28 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Light emitting package structure
CN102917978A (zh) 2010-05-14 2013-02-06 渲染材料公司 基于碳氮化物的磷光体及使用该材料的发光器件
EP2857479B1 (en) 2010-05-14 2016-08-24 Lightscape Materials Inc. Oxycarbonitride phosphors and light emitting devices using the same
JP5273108B2 (ja) * 2010-09-06 2013-08-28 三菱化学株式会社 発光素子並びにそれを用いた照明装置、画像表示装置
CN103155707A (zh) 2010-09-10 2013-06-12 渲染材料公司 基于碳氮化硅的磷光体及使用该材料的照明器件
US8654064B2 (en) * 2010-10-18 2014-02-18 Samsung Display Co., Ltd. Backlight having blue light emitting diodes and method of driving same
JP2012153873A (ja) 2011-01-04 2012-08-16 Sony Chemical & Information Device Corp 赤色蛍光体、赤色蛍光体の製造方法、白色光源、照明装置、および液晶表示装置
JP5695968B2 (ja) 2010-12-28 2015-04-08 デクセリアルズ株式会社 赤色蛍光体、赤色蛍光体の製造方法、白色光源、照明装置、および液晶表示装置
US8808578B2 (en) 2010-12-28 2014-08-19 Dexerials Corporation Red phosphor, method for producing red phosphor, white light source, illuminating device, and liquid crystal display device
CN102093887B (zh) * 2011-01-27 2014-06-18 中国科学院上海硅酸盐研究所 一种低色温白光led用氮化硅橙红光发光材料及其制备方法
TW201231619A (en) * 2011-01-31 2012-08-01 Everlight Electronics Co Ltd Method of preparing nitride-based red phosphor powder and package structure of light emitting diode
JP5339385B2 (ja) * 2011-05-26 2013-11-13 独立行政法人物質・材料研究機構 色変換器
JP5919504B2 (ja) 2011-06-30 2016-05-18 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 発光装置
US9017574B2 (en) 2011-12-19 2015-04-28 Lightscape Materials, Inc. Carbidonitride phosphors and LED lighting devices using the same
JP6078948B2 (ja) 2012-01-20 2017-02-15 日亜化学工業株式会社 発光装置用パッケージ成形体及びそれを用いた発光装置
WO2013157524A1 (ja) * 2012-04-20 2013-10-24 株式会社カネカ 蛍光体及びその製造方法
US9500355B2 (en) 2012-05-04 2016-11-22 GE Lighting Solutions, LLC Lamp with light emitting elements surrounding active cooling device
CN102829408B (zh) * 2012-07-23 2014-09-24 贵州光浦森光电有限公司 通用型led灯泡构成方法及液态荧光法兰固定式led灯泡
CN102779927B (zh) * 2012-08-15 2014-12-24 内蒙古华延芯光科技有限公司 白光led及其封装方法
US8815121B2 (en) 2012-08-31 2014-08-26 Lightscape Materials, Inc. Halogenated oxycarbidonitride phosphor and devices using same
US9353917B2 (en) 2012-09-14 2016-05-31 Cree, Inc. High efficiency lighting device including one or more solid state light emitters, and method of lighting
US9657223B2 (en) 2013-01-04 2017-05-23 Korea Institute Of Machinery & Materials Method of stabilizing alpha-sialon phosphor raw powder, alpha-sialon phosphor composition obtained therefrom, and method of manufacturing alpha-sialon phosphor
DE102013113188A1 (de) 2013-11-28 2015-05-28 Osram Gmbh Lumineszenzkonversionselement und optoelektronisches Halbleiterbauteil mit einem solchen Lumineszenzkonversionselement
US9200198B1 (en) 2014-08-28 2015-12-01 Lightscape Materials, Inc. Inorganic phosphor and light emitting devices comprising same
US9315725B2 (en) 2014-08-28 2016-04-19 Lightscape Materials, Inc. Method of making EU2+ activated inorganic red phosphor
US9200199B1 (en) 2014-08-28 2015-12-01 Lightscape Materials, Inc. Inorganic red phosphor and lighting devices comprising same
JP6533766B2 (ja) * 2016-09-07 2019-06-19 日亜化学工業株式会社 発光装置用パッケージ成形体及びそれを用いた発光装置
WO2020153448A1 (ja) * 2019-01-24 2020-07-30 大日本印刷株式会社 動植物育成用のｌｅｄ照明シート、動植物育成用のｌｅｄ照明モジュール、動植物の育成棚用の棚板、動植物の育成棚、動植物育成工場、及び動植物育成用のｌｅｄ照明装置
JP7100269B2 (ja) * 2019-06-26 2022-07-13 日亜化学工業株式会社 発光装置およびその製造方法
CN113480311A (zh) * 2021-06-29 2021-10-08 南通大学 一种发射暖白光的Ce:YAG荧光陶瓷的制备方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20030030368A1 (en) * 2001-07-16 2003-02-13 Patent-Treuhand-Gesellschaft Fur Elektrische Gluehlampen Mbh Illumination unit having at least one LED as light source
JP2003321675A (ja) * 2002-04-26 2003-11-14 Nichia Chem Ind Ltd 窒化物蛍光体及びその製造方法

Family Cites Families (55)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1104799A1 (en) 1999-11-30 2001-06-06 Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH Red emitting luminescent material
JP2002076434A (ja) 2000-08-28 2002-03-15 Toyoda Gosei Co Ltd 発光装置
JP4077170B2 (ja) * 2000-09-21 2008-04-16 シャープ株式会社 半導体発光装置
JP5110744B2 (ja) * 2000-12-21 2012-12-26 フィリップス ルミレッズ ライティング カンパニー リミテッド ライアビリティ カンパニー 発光装置及びその製造方法
US20020084745A1 (en) * 2000-12-29 2002-07-04 Airma Optoelectronics Corporation Light emitting diode with light conversion by dielectric phosphor powder
US6891200B2 (en) * 2001-01-25 2005-05-10 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Light-emitting unit, light-emitting unit assembly, and lighting apparatus produced using a plurality of light-emitting units
JP3851174B2 (ja) * 2001-01-25 2006-11-29 松下電器産業株式会社 発光ユニット、発光ユニット組合せ体、および照明装置
DE10105800B4 (de) 2001-02-07 2017-08-31 Osram Gmbh Hocheffizienter Leuchtstoff und dessen Verwendung
WO2002091487A1 (fr) * 2001-05-02 2002-11-14 Kansai Technology Licensing Organization Co., Ltd. Appareil emetteur de lumiere
US6632379B2 (en) 2001-06-07 2003-10-14 National Institute For Materials Science Oxynitride phosphor activated by a rare earth element, and sialon type phosphor
JP3726131B2 (ja) 2002-05-23 2005-12-14 独立行政法人物質・材料研究機構 サイアロン系蛍光体
US6908574B2 (en) 2001-08-13 2005-06-21 Dowa Mining Co., Ltd. Tin-containing indium oxides, a process for producing them, a coating solution using them and electrically conductive coatings formed of them
DE10146719A1 (de) 2001-09-20 2003-04-17 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Beleuchtungseinheit mit mindestens einer LED als Lichtquelle
DE10147040A1 (de) 2001-09-25 2003-04-24 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Beleuchtungseinheit mit mindestens einer LED als Lichtquelle
KR100961324B1 (ko) * 2002-03-22 2010-06-04 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤 질화물 형광체와 그 제조 방법 및 발광 장치
JP4218328B2 (ja) 2002-11-29 2009-02-04 日亜化学工業株式会社 窒化物蛍光体及びそれを用いた発光装置
JP4214768B2 (ja) 2002-11-29 2009-01-28 日亜化学工業株式会社 窒化物蛍光体及びそれを用いた発光装置
JP4009828B2 (ja) 2002-03-22 2007-11-21 日亜化学工業株式会社 窒化物蛍光体及びその製造方法
JP4868685B2 (ja) 2002-06-07 2012-02-01 日亜化学工業株式会社 蛍光体
JP4056796B2 (ja) * 2002-05-30 2008-03-05 東京ライン株式会社 導光照明体
EP1542149A1 (en) 2002-07-30 2005-06-15 Yamanouchi Pharmaceutical Co. Ltd. Apparatus for forming molecular timetable and appratus for estimating circadian clock
JP4207489B2 (ja) 2002-08-06 2009-01-14 株式会社豊田中央研究所 α−サイアロン蛍光体
MY149573A (en) * 2002-10-16 2013-09-13 Nichia Corp Oxynitride phosphor and production process thereof, and light-emitting device using oxynitride phosphor
JP4415547B2 (ja) 2002-10-16 2010-02-17 日亜化学工業株式会社 オキシ窒化物蛍光体及びその製造方法
JP2004277663A (ja) 2003-03-18 2004-10-07 National Institute For Materials Science サイアロン蛍光体とその製造方法
JP3914987B2 (ja) 2003-06-20 2007-05-16 独立行政法人物質・材料研究機構 サイアロン蛍光体とその製造方法
JP3837551B2 (ja) 2003-06-20 2006-10-25 独立行政法人物質・材料研究機構 酸窒化物蛍光体
JP4415578B2 (ja) * 2003-06-30 2010-02-17 パナソニック株式会社 プラズマディスプレイ装置
CN1839193B (zh) * 2003-08-22 2010-05-05 独立行政法人物质·材料研究机构 氧氮化物荧光体和发光器具
JP2005103199A (ja) 2003-09-11 2005-04-21 Toshio Tanabe 鞄内部に挿入する収納用具又は装備した鞄
JP2005109085A (ja) * 2003-09-30 2005-04-21 Okaya Electric Ind Co Ltd 発光ダイオード
JP4834827B2 (ja) * 2003-10-03 2011-12-14 独立行政法人物質・材料研究機構 酸窒化物蛍光体
JP3837588B2 (ja) * 2003-11-26 2006-10-25 独立行政法人物質・材料研究機構 蛍光体と蛍光体を用いた発光器具
JP3931239B2 (ja) * 2004-02-18 2007-06-13 独立行政法人物質・材料研究機構 発光素子及び照明器具
JP5016187B2 (ja) 2004-07-14 2012-09-05 Ｄｏｗａエレクトロニクス株式会社 窒化物蛍光体、窒化物蛍光体の製造方法、並びに上記窒化物蛍光体を用いた光源及びｌｅｄ
JP4511849B2 (ja) 2004-02-27 2010-07-28 Ｄｏｗａエレクトロニクス株式会社 蛍光体およびその製造方法、光源、並びにｌｅｄ
JP3921545B2 (ja) * 2004-03-12 2007-05-30 独立行政法人物質・材料研究機構 蛍光体とその製造方法
EP1749074B1 (en) 2004-04-27 2016-04-20 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Light-emitting device using phosphor composition
KR100665298B1 (ko) * 2004-06-10 2007-01-04 서울반도체 주식회사 발광장치
JP4414821B2 (ja) 2004-06-25 2010-02-10 Ｄｏｗａエレクトロニクス株式会社 蛍光体並びに光源およびｌｅｄ
JP4565141B2 (ja) * 2004-06-30 2010-10-20 独立行政法人物質・材料研究機構 蛍光体と発光器具
JP4511885B2 (ja) 2004-07-09 2010-07-28 Ｄｏｗａエレクトロニクス株式会社 蛍光体及びｌｅｄ並びに光源
JP4422653B2 (ja) 2004-07-28 2010-02-24 Ｄｏｗａエレクトロニクス株式会社 蛍光体およびその製造方法、並びに光源
JP4933739B2 (ja) 2004-08-02 2012-05-16 Ｄｏｗａホールディングス株式会社 電子線励起用の蛍光体および蛍光体膜、並びにそれらを用いたカラー表示装置
US7138756B2 (en) 2004-08-02 2006-11-21 Dowa Mining Co., Ltd. Phosphor for electron beam excitation and color display device using the same
JP4524470B2 (ja) 2004-08-20 2010-08-18 Ｄｏｗａエレクトロニクス株式会社 蛍光体およびその製造方法、並びに当該蛍光体を用いた光源
US7476338B2 (en) 2004-08-27 2009-01-13 Dowa Electronics Materials Co., Ltd. Phosphor and manufacturing method for the same, and light source
JP4543250B2 (ja) 2004-08-27 2010-09-15 Ｄｏｗａエレクトロニクス株式会社 蛍光体混合物および発光装置
JP4729278B2 (ja) 2004-08-30 2011-07-20 Ｄｏｗａエレクトロニクス株式会社 蛍光体及び発光装置
JP4543251B2 (ja) 2004-08-31 2010-09-15 Ｄｏｗａエレクトロニクス株式会社 蛍光体及び光源
JP4543253B2 (ja) 2004-10-28 2010-09-15 Ｄｏｗａエレクトロニクス株式会社 蛍光体混合物および発光装置
JP4892193B2 (ja) 2005-03-01 2012-03-07 Ｄｏｗａホールディングス株式会社 蛍光体混合物および発光装置
JP4104013B2 (ja) * 2005-03-18 2008-06-18 株式会社フジクラ 発光デバイス及び照明装置
US7716862B2 (en) * 2006-07-24 2010-05-18 Safety Signs Method and apparatus to recycle a road sign
JP4958263B2 (ja) 2006-09-08 2012-06-20 学校法人北里研究所 有機発光性化合物及びその化合物を含有する発光層

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20030030368A1 (en) * 2001-07-16 2003-02-13 Patent-Treuhand-Gesellschaft Fur Elektrische Gluehlampen Mbh Illumination unit having at least one LED as light source
JP2003321675A (ja) * 2002-04-26 2003-11-14 Nichia Chem Ind Ltd 窒化物蛍光体及びその製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
DE112005000396T5 (de) 2007-02-08
US8148887B2 (en) 2012-04-03
KR101174629B1 (ko) 2012-08-17
US20070159091A1 (en) 2007-07-12
KR20110128217A (ko) 2011-11-28
WO2005078811A1 (ja) 2005-08-25
CN1922741A (zh) 2007-02-28
JP2005235934A (ja) 2005-09-02
US7573190B2 (en) 2009-08-11
KR20070013266A (ko) 2007-01-30
TWI278128B (en) 2007-04-01
TW200537713A (en) 2005-11-16
DE112005000396B4 (de) 2020-02-06
CN100483756C (zh) 2009-04-29
US20090167153A1 (en) 2009-07-02
JP3931239B2 (ja) 2007-06-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101204413B1 (ko) 발광소자 및 조명기구
JP4543253B2 (ja) 蛍光体混合物および発光装置
JP4543250B2 (ja) 蛍光体混合物および発光装置
KR100841677B1 (ko) 발광 디바이스 및 조명 장치
US8847507B2 (en) Illuminating device
JP4892193B2 (ja) 蛍光体混合物および発光装置
US7531956B2 (en) Light emitting device and phosphor for the same
CN101828273B (zh) 发光装置、使用该发光装置的车辆用灯具及前照灯
KR100666265B1 (ko) 형광체 및 이를 이용한 발광소자
US20070090381A1 (en) Semiconductor light emitting device
JP6275829B2 (ja) 発光装置
WO2007004493A1 (ja) 蛍光体とその製造方法および照明器具
WO2008018548A1 (en) Illuminating apparatus
CN101138278A (zh) 包括辐射源和荧光材料的照明系统
JP2007088248A (ja) 有色発光ダイオードランプ、装飾用照明装置及びカラーディスプレイサイン装置
JP4234161B2 (ja) 発光素子及び照明器具
JP4070219B2 (ja) 発光素子を用いた照明装置
JP2013207241A (ja) 半導体発光装置、半導体発光システムおよび照明器具
Zhang et al. Advances and Future of White LED Phosphors for Solid‐State Lighting
JP2007262357A (ja) アルミン酸系青色蛍光体およびそれを用いた発光装置

Legal Events

Date Code Title Description
A107 Divisional application of patent
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20151012

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20161012

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20171018

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20181018

Year of fee payment: 7