CN1922741A - 发光元件和照明器具 - Google Patents
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Abstract
以往的组合了蓝色发光二极管的发光二极管设计欠缺装饰性和暖光。本发明希望提供发射高亮度暖白色光的白色发光二极管,提供满足色调多样化的高亮度发光的中间色发光二极管。其解决手段在于,使用在CaAlSiN3结晶相中固溶了选自Mn、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu中的1种或2种或2种以上的元素、发射黄红色或红色光的荧光物质,将其与发射绿色、黄绿色、黄色光中任意一种光的荧光物质混合,该混合荧光体与发射蓝紫色或蓝色光的半导体发光元件组合,通过这种结构制成高效率发射暖白光的白色发光二极管。
Description
技术领域
本发明涉及一种高亮度白色发光二极管、一种特殊装饰照明用中间色发光二极管以及使用这些二极管的照明器具。
背景技术
近年来,由蓝色发光二极管元件和吸收蓝光发射黄光的发光荧光体组成的白色发光二极管得到了广泛的研究,并在以专利文献为首的各种文献中提案和发表(例如,参见非专利文献1,专利文献1-5)。近来,基于上述组合的照明器具、照明设备、照明装置已投入实用。
其中最常使用的荧光体是以化学式(Y,Gd)3(Al,Ga)5O12:Ce3+表示的经铈激活的钇铝石榴石系荧光体。但是,由蓝色发光二极管元件与钇铝石榴石系荧光体制成的白色发光二极管因红色成分不足而有发蓝白光的特点,存在彩色再现性不平衡的问题。
另一方面,照明技术的用途、使用方式和需要是多样化的,在利用上述发光二极管的照明技术方面也需要多样化的色调设计,不仅需要实现高色温的白色,还需要实现以往常规照明器具中可见的各种色温的白色。例如,正在寻求一种能实现称为“灯泡色”的暖白色的白色发光二极管。基于上述背景,正在研制一种白色发光二极管,该二极管是通过使两种荧光体混合和分散,用其它红色荧光体来弥补钇铝石榴石系荧光体中红色成分的不足。
这种白色发光二极管记载于专利文献4(“白色发光元件”)、专利文献5(“氮化物荧光体及其制造方法”)等文献中。但是,在这些文献中提出的发明还不能说充分解决了上述问题,远没有充分满足多样化的色彩和色度这一需求,此外,这些方案的发光强度不足,仍存在必须改善的问题。即,专利文献4中记载的发明存在一个问题,其所使用的红色荧光体含有Cd,即镉元素。近年来,从环境污染方面考虑,已经禁止使用镉及含镉化合物,而采用不含镉的物质作替代。从这方面考虑,希望在荧光物质的设计上也采用这样的手段,不能说使用这种就最好。
此外,专利文献5中记载的以Ca1.97Si5N8:Eu0.03为代表的红色发光荧光体虽然在不含有镉等污染环境的元素这一点上没有什么问题,但其发光强度不足,还有待于进一步改善。而且,专利文献4和5中记载的技术思路只不过仅涉及实现白色。照明技术需具有前述多样化用途,并要求具有装饰效果。因此,需要多彩的色调和色泽,因而需要调制和实现这些色调的各种光源。即,仅白色发光二极管是无法满足这些需求的,还需要其它各种中间色的发光二极管。此外,为了充分表现色调,对于非常希望的色调,希望扩大其色度范围。
非专利文献1:M.Yamada et al.,Jpn.J.Appl.Phys.,vol.42(2003),pp.L20-23
专利文献1:特许第2900928号
专利文献2:特许第2927279号
专利文献3:特许第3364229号
专利文献4:特开平10-163535号公报
专利文献5:特开2003-321675号公报
发明内容
上述现有技术在多样的色调、色度、发光强度等方面、以及对环境有负面影响方面存在问题,因此本发明希望提供一种不存在上述问题的发光二极管,发射暖白光的白色发光二极管、满足多样色调发光的中间色发光二极管。更详细地说,本发明通过设计无环境污染的成分制成的发光效率高的新型红色荧光体材料,将其与蓝色发光二极管相组合并采用之,从而提供一种发射暖白光的高效率发光的白色发光二极管。此外,本发明还希望提供能够发射从宽色度范围中任选的发光色的中间色发光二极管。
为实现上述目的,本发明的发明人经过认真研究,通过采用本发明人首先发明并已申请专利(特愿2003-394855)的荧光体,即一种发射黄红色光或红光的荧光物质,该物质是在CaAlSiN3结晶相中固溶了选自Mn、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu中的1种或2种或2种以上的元素,在该荧光体中混合预定比例的发射绿色、黄绿色、黄色光中任意一种光的荧光物质,该混合荧光体与发射蓝紫色或蓝色光的半导体发光元件组合,将该混合荧光体设置在该半导体发光元件附近,在半导体发光元件中通电使其发光,从而成功地制作和提供了高效率发射暖白光的白色发光二极管,或者能够发射在宽色度范围内任选色调的光的白色发光二极管即所谓的中间色发光二极管。
本发明是基于上述成功和知识而实现的,其中所述的技术内容记载于下述(1)至(7)。根据这些技术内容成功地解决了上述技术问题。
(1)一种发光装置,该可见光发光装置至少含有:发射蓝紫色或蓝色光的半导体发光元件,具有用于放置该半导体发光元件的凹部、且凹部的斜面作为可视波长范围光线反射面的支持构件,向该半导体发光元件供电的端子,吸收从该发光元件发射的部分或全部光、发射不同波长荧光的荧光物质;该荧光物质为至少发射绿色、黄绿色或黄色中一种颜色光的第一荧光物质X%与发射黄红色或红色光的第二荧光物质Y%的混合物,混合比例为0≤X<100、0<Y≤100、0<X+Y≤100,其特征在于,该第二荧光物质为在CaAlSiN3结晶相中固溶了选自Mn、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu的1种或2种或2种以上的元素。
(2)上述(1)中所述发光装置,其特征在于,所述第二荧光物质至少含有Eu。
(3)上述(1)或(2)中所述发射任意色光的发光装置,其特征在于,该半导体发光元件是发光主波长为380nm-485nm的蓝色发光二极管,该第一荧光物质为发光主波长495nm-585nm的荧光体粉末,该第二荧光物质为发光主波长585nm-780nm的荧光体粉末,该荧光体粉末被混合、分散在树脂中,并被安置用来覆盖该蓝色发光二极管元件。
(4)一种照明装置,该照明装置包括三个或更多光源单元,每个光源单元包括至少一个发光装置;该发光装置至少含有:发射蓝紫光或蓝光的半导体发光元件,具有用于放置该半导体发光元件的凹部、且凹部的斜面作为可视波长范围光线反射面的支持构件,向该半导体发光元件供电的端子,吸收从该发光元件发射的部分或全部光、发出不同波长荧光的荧光物质;该荧光物质含有发射绿色、黄绿色或黄色光的第一荧光物质与发射黄红色或红色光的第二荧光物质的至少一种,其特征在于,该发光装置中每个光源单元或每个发光装置的第一荧光物质与第二荧光物质的混合比有所不同,发光的颜色因部位的不同而有所不同。
(5)上述第(4)项所述照明装置,其特征在于,使用了上述第(1)一(3)项所记载的发光装置作为发光装置。
(6)上述第(5)项记载的照明装置,其特征在于每个光源单元与包括散射元件的导光构件光学连接。
(7)上述第(6)项记载的照明装置,其特征在于所述散射元件由气泡制成,该导光构件为透明树脂制成的棒状构件。
上述特征在于,使用在CaAlSiN3结晶相中固溶了选自Mn、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu中的1种或2种或2种以上的元素、发射黄红色或红色光的荧光物质、将其与发射绿色、黄绿色或黄色光中任一颜色的荧光物质混合,该混合荧光体与发蓝紫色或蓝色光的半导体发光元件组合,根据这种结构,成功地制造出高效率发射暖白光的白色发光二极管,效果显著。
此外,本发明根据上述结构成功地制造和提供发射中间色光的中间色发光二极管,能够获得任何色调,具有极大的意义。根据这种方式,本发明还能达到与使用已知的红色荧光体时相比色度范围更宽、实现彩色再现性优良的特别效果,今后本发明有望广泛地应用于以装饰为主的多种用途,通过照明技术对产业发展作出极大贡献。
此外,该发光二极管的发光效率高,因此其有望在今后直接实现节能照明器具、并取得特别的效果。
附图说明
图1:JIS Z8701规定的XYZ表色系统的色度图(CIE)、以及本发明的色度范围示意图。
图2:使用荧光分光光度计测定的第一荧光体和第二荧光体发光光谱(激发波长为460nm,与实施例使用的蓝色发光二极管元件相同)示意图。
图3:使用荧光分光光度计测定的第一荧光体和第二荧光体激发光谱(发光控制波长为各自的发光峰值波长543nm和653nm)示意图。
图4:安装炮弹型发光二极管灯的第一实施例的示意图。
图5:第一实施例的发光二极管的发光光谱图。
图6:安装薄片型发光二极管灯的第二实施例的示意图。
图7:多个中间色发光二极管设置成一列、实现渐进式发光的高装饰性照明装置的第三实施例的示意图。
图8:图7所示照明装置中色度为黄白色的第一个灯单元的发光二极管灯的发光光谱示意图。
图9:为图7所示照明装置中色度为淡粉色的第九个灯单元的发光二极管的发光光谱示意图。
具体实施方式
下面依照附图和实施例等对本发明作具体说明。本说明书中,“发射黄红色或红色光的第二荧光物质”或“在CaAlSiN3结晶相中固溶了选自Mn、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu中的1种或2种或2种以上的元素”的第二荧光物质是本发明人发明并已申请专利(特愿申请号2003-394855)。即,所述“发射黄红色或红色光”或“在CaAlSiN3结晶相中固溶了选自Mn、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu的1种或2种或2种以上元素”的第二荧光物质,因其制造方法记载于上述在先专利申请中,因而容易获得其制造方法,本说明书下文的实施例中与上述专利申请一样,也具体记载了其制造方法、调制方法,该方法也是容易获得的。
下面根据实施例和附图对本发明作具体说明,但是这些实施例仅仅是为了帮助理解本发明,而并非用于限制本发明。
首先简单说明本发明的发光二极管灯的构造和工作原理。准备半导体蓝色发光二极管元件,该半导体发光二极管元件按图4所示方式安装在具有凹部结构的支撑部件上,与至少2个导电路连接以便由外部供电,在其上覆盖分散在透明树脂中的第一和第二荧光体,它们吸收上述发光二极管元件发出的光并发射波长不同于绿色和红色等的荧光。图4所示发光二极管灯因其外观形状而被称为炮弹型。
图1是在上述制造的发光二极管灯中通电发光时显示发光光谱的CIE的XYZ表色系统的色度图(见JIS Z8701)。图中B点(▲)为蓝色发光二极管元件的发光色度坐标。G点(●)表示由蓝光激发而发绿光的第一荧光物质的色度坐标。R点(◆)表示由蓝光激发而发红光的第二荧光物质的色度坐标。顺便说一下,专利文献4中公开了将该蓝、绿、红混合、获得(x,y)为0.21≤x≤0.48、0.19≤y≤0.45范围的白色的技术,但实际上,根据专利文献4的技术可以实现发射连接B、G、R三个坐标点形成的三角形内部任意的中间色光。
本发明,根据对上述发光光谱说明的原理,能够实现各种白色及多彩的中间色发光二极管。而且,本发明的特征实际为,由于对第二荧光物质使用了新型材料,从而实现了高亮度发光。所述第二荧光物质与本发明人发明的在先专利申请(特愿2003-394855)有关,是由Eu激活的CaAlSiN3晶体制成的新型荧光物质。所述第二新型荧光物质是比已知蓝色激发红色发光荧光物质的亮度更高、并且发光波长更长的材料。图2及图3示出了其发光光谱和激发光谱。
当通过混合蓝色、绿色、红色以实现任意中间色时,使用JIS Z8110的系统色名的一般色度分类进行说明。作为蓝色,希望采用蓝紫色或蓝色范围的光源。如果采用单色光源,其波长范围是380nm至485nm。从扩大三角形的面积来扩大可能实现的色度范围的观点出发,认为使用短波长为宜,但实际上,由于比视感度的问题,长波长会使人们感觉更明亮,因此决定所使用的波长时也要考虑这个问题。
下文中的实施例采用市售的容易获得的蓝色发光二极管元件,其发光中心波长为460nm。作为绿色最好采用波长在495nm至550nm的绿色范围的荧光物质,但在为了实现无任何中间色的暖白色的实施方式,也可以使用发射波长为550nm至585nm范围的黄绿色或黄色光的荧光物质。下述实施例采用已知的钇铝石榴石系荧光体粉末。
关于红色,最好采用在波长为610nm至780nm的红色范围发光的荧光物质,也可采用波长为585nm至610nm的黄红色范围的。本发明采用的红色荧光体是Eu激活的CaAlSiN3晶体的新型物质制成的荧光体粉末(其制备方法在下述实施例中予以说明)。以往没有经蓝色激发而显示出充分亮度的红色荧光物质。
专利文献4中,图1中R所表示的色度坐标也是黄红色或黄红色与红色边界附近的色度。而且,专利文献5中,例如其实施例1为x=0.583、y=0.406,也仍然是黄红色。Eu激活的CaAlSiN3晶体具有高亮度,其发光色度也是以从前没有的长波长发光产生的红色,该实施例中x=0.670,y=0.327。
使用该荧光物质制造的本发明所述暖白色发光二极管的亮度高于使用以往技术制造的二极管。此外,使用该荧光物质制造的本发明所述中间色发光二极管与使用常规技术制造的二极管相比,亮度更高,同时可能表现的色度范围更宽。这样,本发明明显具有新颖性和创造性。此外,为了提高彩色再现性,也可以混合3种或3种以上的荧光物质。
下面,再根据实施例对本发明作具体说明。
根据下述内容制备设计白色二极管基本必要的三种颜色的荧光体,即红色荧光体、绿色荧光体和蓝色荧光体。
红色荧光体的制备
首先,使用的红色荧光体采用了在先专利申请所涉及的特愿2003-394855中记载的以CaAlSiN3结晶相为主体的氮化物荧光体粉末。其配制方法如下所述。原料粉末采用平均粒径为0.5μm、氧含量0.93重量%、α型含量92%的氮化硅粉末,比表面积为3.3m2/g、氧含量0.79%的氮化铝粉末,氮化钙粉末,通过在氨水中氮化金属铕而合成的氮化铕。为获得组成式Eu0.0005Ca0.9995AlSiN3所示组成,分别称量氮化硅粉末34.0735重量%与氮化铝粉末29.8705重量%、氮化钙粉末35.9956重量%、氮化铕粉末0.06048重量%,使用玛瑙研杵和研杵将其混合30分钟,制得混合物,使用金属模并施加20MPa的压力使获得的混合物成型,制成直径12mm、厚5mm的成型体。
此外,粉末的称量、混合、成型等各工序全部是在能保持含水量1ppm及其以下、含氧量1ppm及其以下的氮气气氛的手套箱中进行。将该成型体放入氮化硼制的坩埚中,放置在以石墨电阻加热的电炉中。烧结步骤为:首先,利用扩散泵使烧结气氛形成真空,以每小时500℃的速度加热使温度由室温升至800℃,在800℃通入纯度为99.999体积%的氮气,形成1MPa的压力,以每小时500℃的速度升温至1800℃,在1800℃保持2小时。烧结后,使用玛瑙研杵和研钵将所得的烧结体粉碎成粉末,在用Cu的Kα线进行粉末X射线衍射测定时,由测得的曲线确认了CaAlSiN3结晶相。所述粉末采用日立制作所制造的分光荧光光度计F-4500进行测定,获得图2所示的发光光谱及图3所示的激发光谱。
对于光度计,以若丹明(rhodamine)B作为参照试样进行激发校正,随后使用依据美国NIST的标准光源进行校准。测定发光光谱时,与实施例中使用的蓝光二极管元件的发光中心波长相同,以460nm作为激发波长。发光光谱如图2所示,发光峰值波长为653nm。由图2所示发光光谱获得在CIE的XYZ比色体系色度图上的色度坐标为x=0.670、y=0.327,主波长(主要的波长)为612nm。这处于根据JIS Z8110的参考附图1中系统色名的一般色度分类的“红色”范围内。
通过在图2中与已知的钇铝石榴石系荧光体的发光光谱相比较,也显示出Eu固溶在该CaAlSiN3结晶相中的红色荧光体,经波长为460nm的蓝光激发后发出从未有过的高亮度红光。图3所示的激发图谱是以发光峰值波长653nm作为发光控制波长测定的。可见在以460nm附近为中心的很宽范围内都能够高效率地激发。
绿色荧光体的制备
采用现有的CRT用绿色荧光体的市售钇铝石榴石系荧光体。使用经校正的F-4500测定的发光光谱如图2所示、激发光谱如图3所示。发光光谱是以460nm为激发波长测定的,具有发光峰值波长为543nm的宽范围。由图2所示发光光谱所得的色度坐标为x=0.422、y=0.547,主波长为563nm。这处于系统色名的一般色度分类的“黄绿”范围内。图3所示激发光谱是以发光峰值波长543nm作为发光控制波长测定的。此外,绿色荧光体只要是经蓝光激发而发射绿、黄绿、或黄色光的荧光体,就不受上述限制。
蓝色发光元件的制备
蓝色发光元件采用发光中心波长为460nm的市售蓝色发光二极管元件。此处所采用的是碳化硅为基板的InGaN半导体发光二极管元件,是两面都有电极的形状。此外,蓝色发光元件也可以采用蓝宝石为基板、单面有两个电极的发光二极管元件。而且,也可以采用除发光二极管之外的发蓝光并能激发各荧光体的发光元件。
完成上述准备后,根据设计构造和制作工艺来具体地说明本发明所述白色发光二极管。
实施例1
制造图4所示的所谓炮弹型白色发光二极管灯(1)。
具有两根导线(2、3),其中一根导线(2)上具有凹部,蓝色发光二极管元件(4)设置于其中。蓝色发光二极管元件(4)的下部电极与凹部底面利用导电胶导电连接,上部电极与另一根导线(3)通过细金线(5)导电相连。荧光体为第一荧光体与第二荧光体的混合物(7),分散于树脂中,安装在发光二极管元件(4)附近。所述分散有荧光体的第一树脂(6)为透明的,覆盖整个蓝色发光二极管元件(4)。包含凹部的导线的顶端、蓝色发光二极管元件以及有荧光体分散于其中的第一树脂通过透明的第二树脂(8)密封。透明的第二树脂(8)整体近似圆柱形,其顶端具有透镜状曲面,通称为炮弹型。
本实施例中,第一荧光体粉末与第二荧光体粉末的混合比例为5比2,该混合粉末以35重量%的浓度混入环氧树脂中,在其中滴入适量分散剂,形成分散有荧光体混合物(7)的第一树脂(6)。所得的色度为x=0.338、y=0.330,为略白色。图5所示为实施例1的白色发光二极管的发光光谱。
下面将说明第一实施例的炮弹型白色发光二极管的制造工序。首先,利用导电胶将蓝色发光二极管元件(4)晶片接合在1组导线中的一根(2)上的安置元件用凹部上,将导线与蓝色发光二极管元件的下部电极导电连接,同时固定蓝色发光二极管元件(4)。接着,将蓝色发光二极管元件(4)的上部电极与另一根导线进行引线接合,从而导电连接。预先将绿色的第一荧光体粉末与红色的第二荧光体粉末以5比2的比例混合,将该混合荧光体粉末以35重量%的浓度混入环氧树脂中。接下来用分散器将适量的树脂涂覆在凹部,以覆盖蓝色发光二极管元件,硬化后形成第一树脂部(6)。最后,采用浇铸法、用第二树脂将包含凹部的导线的顶端、蓝色发光二极管元件、分散有荧光体的第一树脂全部密封。尽管本实施例中所使用的第一树脂与第二树脂是相同的环氧树脂,但也可采用硅树脂等其它树脂或玻璃等透明材料。优选紫外线光引起的劣化小的材料。
实施例2
制造基板安装用薄片型白色发光二极管灯(21)。结构图如图6所示。在可见光反射率高的白色氧化铝陶瓷基板(29)上固定两根导线(22、23),这些导线的各自的一端基本位于基板中央,另一端延伸到外部从而形成装配时焊接到电气基板上的电极。在导线中的一根(22)的一端装置并固定蓝色发光二极管元件(24),使其位于基板中央。蓝色发光二极管元件(24)的下部电极与下方的导线通过导电胶而导电连接,上部电极与另一根导线(23)通过细金线(25)而导电连接。
荧光体为,第一树脂和第二荧光体的混合物(27)分散于树脂中,并安置在发光二极管元件附近。所述分散有荧光体的第一树脂(26)是透明的,并且覆盖住整个蓝色发光二极管元件(24)。此外,陶瓷基板上固定有中间开口的壁面部件(30)。如图6所示,壁面部件(30)的中央具有用于装入蓝色发光二极管元件及分散有荧光体(27)的第一树脂(26)的孔,面向中央的部分形成斜面。这一斜面是用于把光反射到前方的反射面,该斜面的曲面形状根据光的反射方向而确定。此外,至少构成反射面的面是白色或具有金属光泽的可视光反射率高的面。本实施例中该壁面部件由白色的硅树脂(30)构成。壁面部件中央的孔中形成具有薄片型发光二极管灯最终形状的凹部,在其中填充透明的第二树脂(28),以密封蓝色发光二极管元件(24)和分散有荧光体(27)的第一树脂(26)。本实施例所使用的第一树脂(26)和第二树脂(28)为同一种环氧树脂。第一荧光体与第二荧光体的混合比例、获得的色度等均与第一实施例相似。制造工序中,除了在氧化铝陶瓷基板(29)上固定导线(22、23)和壁面部件(30)的工序外,均与第一实施例的制造步骤相似。
实施例3
采用多个实施例1的炮弹型发光二极管灯,制成发光色度渐进式变化的高装饰性照明装置(41)。模型图如图7所示。上部的横向长的支持体(51)为,直接固定在建筑物的天花板或通过锁链等悬挂在该处,从而支持整个照明装置(41)。支持体(51)的内部设置发光二极管灯驱动部分的电路,外部从商用交流100V电源接受供电,从而供给适于发光二极管灯的电流。驱动部分与图中未示出的电源开关及调光拨盘连接,可以手动调整照明电源的ON和OFF状态以及照明发光强度。支持体上连接复数个灯单元(52)。本实施例中为9个单元。每个灯单元上设置多个炮弹型发光二极管灯。本实施例中每个灯单元中以同心圆形式设置18个炮弹型发光二极管灯。发光二极管以单元为单位来改变其色度。
中央的第5个灯单元中安装的18个发光二极管为第一荧光体和第二荧光体以5比2的比例混合、色度与第一实施例、第二实施例相同、x=0.34、y=0.33的白色。一端的第一灯单元是混合比例为12比1、色度坐标为x=0.37、y=0.42的黄白色。另一端的第9灯单元是混合比例为4比5、色度坐标为x=0.38、y=0.32的淡粉色。位于中间的第2、第3、第4、第6、第7、第8的灯单元各自的混合比例呈阶梯式变化,形成渐进式的色度变化。
制造每个炮弹型发光二极管灯时,除了改变第一荧光体与第二荧光体的混合比例,还适当调整涂覆第一树脂时的涂覆量,以获得适当的色度。每个灯单元的下部设置含有散射部件的导光构件(53),使得来自灯单元的光线入射至此处。具体而言,适当地采用含有气泡的透明树脂制成的圆柱状部件。通过这种方式,实现采用高亮度中间色发光二极管灯、呈现看似极光的装饰性高的照明装置。
工业实用性
近年来,采用蓝色发光二极管元件和荧光体的照明用白色发光二极管的应用迅速扩大。显然,本发明能直接应用于这一领域,能够实现以往没有的暖高亮度白色照明或多样化的色彩及色度设计,能够创造出所需的中间色,因而可望有更大的利用范围。
Claims (7)
1.一种发光装置,该可见光发光装置至少含有:
发射蓝紫色或蓝色光的半导体发光元件,
具有用于放置该半导体发光元件的凹部、且凹部的斜面作为可视波长范围光线反射面的支持构件,
向该半导体发光元件供电的端子,
吸收从该发光元件发射的部分或全部光、发射不同波长荧光的荧光物质,该荧光物质为至少发射绿色、黄绿色或黄色中一种颜色光的第一荧光物质X%与发射黄红色或红色光的第二荧光物质Y%的混合物,混合比例为0≤X<100、0<Y≤100、0<X+Y≤100,
其特征在于,该第二荧光物质为在CaAlSiN3结晶相中固溶了选自Mn、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu的1种或2种或2种以上的元素。
2.如权利要求1所述发光装置,其特征在于,所述第二荧光物质至少含有Eu。
3.如权利要求1或2所述发射任意色光的发光装置,其特征在于,该半导体发光元件是发光主波长为380nm-485nm的蓝色发光二极管,该第一荧光物质为发光主波长495nm-585nm的荧光体粉末,该第二荧光物质为发光主波长585nm-780nm的荧光体粉末,该荧光体粉末被混合、分散在树脂中,并被安置用来覆盖该蓝色发光二极管元件。
4.一种照明装置,该照明装置包括三个或更多光源单元,每个光源单元包括至少一个发光装置;该发光装置至少含有:发射蓝紫光或蓝光的半导体发光元件,具有用于放置该半导体发光元件的凹部、且凹部的斜面作为可视波长范围光线反射面的支持构件,向该半导体发光元件供电的端子,吸收从该发光元件发射的部分或全部光、发出不同波长荧光的荧光物质,该荧光物质含有至少发射绿色、黄绿色或黄色中一种颜色光的第一荧光物质与发射黄红色或红色光的第二荧光物质的至少一种,
其特征在于,该发光装置中每个光源单元或每个发光装置的第一荧光物质与第二荧光物质的混合比有所不同,发光的颜色因部位的不同而有所不同。
5.如权利要求4所述照明装置,其特征在于,使用了权利要求1-3记载的发光装置。
6.如权利要求5所述照明装置,其特征在于,每个光源单元与包括散射元件的导光构件光学连接。
7.如权利要求6所述照明装置,其特征在于,所述散射元件由气泡制成,该导光构件为透明树脂制成的棒状构件。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP041502/2004 | 2004-02-18 | ||
JP2004041502A JP3931239B2 (ja) | 2004-02-18 | 2004-02-18 | 発光素子及び照明器具 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
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CN1922741A true CN1922741A (zh) | 2007-02-28 |
CN100483756C CN100483756C (zh) | 2009-04-29 |
Family
ID=34857936
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CNB2005800051125A Active CN100483756C (zh) | 2004-02-18 | 2005-02-15 | 发光元件和照明器具 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US7573190B2 (zh) |
JP (1) | JP3931239B2 (zh) |
KR (2) | KR101204413B1 (zh) |
CN (1) | CN100483756C (zh) |
DE (1) | DE112005000396B4 (zh) |
TW (1) | TWI278128B (zh) |
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- 2005-02-15 KR KR1020117026981A patent/KR101204413B1/ko active IP Right Grant
- 2005-02-15 DE DE112005000396.5T patent/DE112005000396B4/de active Active
- 2005-02-15 WO PCT/JP2005/002675 patent/WO2005078811A1/ja active Application Filing
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DE112005000396T5 (de) | 2007-02-08 |
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KR101174629B1 (ko) | 2012-08-17 |
US20070159091A1 (en) | 2007-07-12 |
KR20110128217A (ko) | 2011-11-28 |
WO2005078811A1 (ja) | 2005-08-25 |
JP2005235934A (ja) | 2005-09-02 |
US7573190B2 (en) | 2009-08-11 |
KR20070013266A (ko) | 2007-01-30 |
TWI278128B (en) | 2007-04-01 |
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DE112005000396B4 (de) | 2020-02-06 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant | ||
CP01 | Change in the name or title of a patent holder |
Address after: Ibaraki Patentee after: NATIONAL INSTITUTE FOR MATERIALS SCIENCE Address before: Ibaraki Patentee before: National Institute for Materials Science |
|
CP01 | Change in the name or title of a patent holder |