KR100956580B1 - 반도체 디바이스 및 이것으로 제조된 전자 디바이스에있어서 레벨내 또는 레벨간 유전체로서 초저 유전 상수재료를 제조하는 개량 방법 - Google Patents

반도체 디바이스 및 이것으로 제조된 전자 디바이스에있어서 레벨내 또는 레벨간 유전체로서 초저 유전 상수재료를 제조하는 개량 방법 Download PDF

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비시누브하이 브이. 파텔
신후이 왕
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Abstract

본 발명은 플라즈마 강화형 화학 증기 증착("PECVD") 공정을 이용하는 병렬 플레이트 유형의 화학 증착 반응기 내에서 Si, C, O 및 H를 포함하는 열적 안정한 초저 유전 상수 필름을 제조하는 방법을 개시하고 있다. 또한, 본 발명은 상기 방법으로 제조한 열적 안정한 초저 유전 상수 재료의 절연 층을 함유하는 전자 디바이스도 개시하고 있다. 열적 안정한 초저 유전 상수 필름의 제조를 가능하도록 하기 위해서는, 특정한 전구체 재료, 예컨대 실란 유도체, 예를 들면 디에톡시메틸실란(DEMS)와 유기 분자, 예를 들면 바이시클로헵타디엔 및 시클로펜텐 옥사이드를 사용한다.
플라즈마 강화형 화학 증기 증착(PECVD) 공정, 초저 유전 상수(k) 재료. 전자 구조체

Description

반도체 디바이스 및 이것으로 제조된 전자 디바이스에 있어서 레벨내 또는 레벨간 유전체로서 초저 유전 상수 재료를 제조하는 개량 방법{AN IMPROVED METHOD FOR FABRICATING AN ULTRALOW DIELECTRIC CONSTANT MATERIAL AS AN INTRALEVEL OR INTERLEVEL DIELECTRIC IN A SEMICONDUCTOR DEVICE AND ELECTRONIC DEVICE}
본 발명은 일반적으로 초저 유전 상수(또는 초저 k)를 갖는 유전체 재료 및 이러한 유전체 재료를 함유하는 전자 디바이스를 제조하는 방법에 관한 것이다. 보다 구체적으로, 본 발명은 "ULSI"(ultra-large-scale integration) "BEOL"(back-end-of-the-line) 배선 구조체에 있어서 레벨내 또는 레벨간 유전체로서 사용하기 위한 열적 안정한 초저 k 필름을 제조하는 방법 및 이러한 방법에 의해 형성된 전자 구조체(electronic structure)에 관한 것이다.
최근 ULSI 회로에 사용되는 전자 디바이스의 치수의 지속적인 축소하는 과정은 결과적으로 BEOL 금속화의 레지스턴스를 증가시킬 뿐만 아니라 층내 및 층간 유전체의 커패시턴스를 증가시키고 있다. 이러한 조합 효과는 ULSI 전자 디바이스에서 신호 지연을 증가시킨다. 미래 ULSI 회로의 스위칭 성능(switching performance)을 개선시키기 위해서, 저 유전 상수(k) 절연체, 특히 규소 산화물 보다 현저하게 낮은 k를 갖는 절연체가 커패시턴스를 감소시키는 데 필요하다. 낮은 k 값을 갖는 유전체 재료(즉, 유전체)가 상업적으로 이용가능하다. 이와 같이 상업적으로 이용가능한 한가지 재료로는 예를 들면 폴리테트라플루오로에틸렌("PTFE")이 있으며, 이것은 약 2.0의 유전 상수를 갖고 있다. 그러나, 대부분 상업적으로 이용가능한 유전체 재료는 약 300℃ 이상의 온도에 노출시 열적으로 안정하지 못한다. 현행 ULSI 칩에서 저 k 유전체의 집적화는 400℃ 이상에서 열적 안정성을 필요로 한다.
ULSI 디바아스에서의 용도에 고려되고 있는 저 k 재료는 Si, C, 0 및 H의 원소를 함유하는 중합체, 예컨대 메틸실록산, 메틸실세스퀴옥산, 및 다른 유기 및 무기 중합체를 포함한다. 실제 예를 들면, 논문(N. Hacker et al. "Properties of new low dielectric constant spin-on silicon oxide based dielectrics" Mat. Res. Soc. Symp. Proc. 476 (1997): 25)에는 열적 안정성 요건을 만족하는 것으로 보이는 재료들이 기재되어 있지만, 이들 재료 중 일부는 스핀-온(spin-on) 기법으로 필름을 제조할 경우 인터커넥트 구조체 내에 집적하는 데 요구되는 두께에 도달할 때 균열을 쉽게 전파시킨다. 게다가, 이러한 종래 기술의 전구체 재료는 가격이 매우 높고, 대량 생산에 사용하는 것이 금지되어 있다. 더구나, "VLSI"(very-large-scale-integration) 및 ULSI 칩의 제조 단계 대부분은 플라즈마 강화형 화학 또는 물리 증착 기법에 의해 수행한다.
종래 장치된 이용가능한 공정 장비를 사용하는 플라즈마 강화형 화학 증착(PECVD) 기법으로 저 k 재료를 제조할 수 있다는 점은 제조 공정에서의 그 집적화를 단순화하고, 제조 비용을 감소시키며, 보다 덜 유해한 폐기물을 산출하게 된 다. 미국 특허 제6,147,009호 및 제6,497,963호에는 Si, C, 0 및 H 원자의 원소로 구성되어 있고 3.6 이하의 유전 상수를 가지고 있으며 매우 낮은 균열 전파 속도를 나타내는 저 유전 상수 재료가 기재되어 있다.
미국 특허 제6,312,793호, 제6,441,491호, 제6,541,398 및 제6,479,110 B2호에는 Si, C, 0 및 H의 원소로 구성된 매트릭스 상과 C 및 H로 주구성된 다른 상으로 구성되어 있는 다상 저 k 유전체 재료가 기재되어 있다. 전술한 특허에 개시된 유전체 재료는 3.2 이하의 유전 상수를 갖고 있다.
미국 특허 제6,437,443호에는 2 이상의 상을 갖는 저 k 유전 재료가 기재되어 있으며, 여기서 제1 상은 SiCOH 재료로 형성되어 있다. 상기 저 k 유전체 재료는 플라즈마 강화형 화학 증착 체임버에서 Si, C, 0 및 H의 원자를 함유하는 제1 전구체 기체와 C 및 H의 원자를 주로 함유하고 임의로 F, N 및 0의 원자를 함유하는 하나 이상의 제2 전구체 기체를 반응시킴으로써 제공된다.
저 k 유전체 재료에 대한 다수의 개시내용에도 불구하고, 약 2.5 이하의 유전 상수를 갖고 있고 현행 ULSI 기술에서 사용되는 공정 온도 내에서 낮은 응력 및 열적 안정성을 갖고 있는 유전체 재료를 개발해야 할 필요성은 지속적으로 대두되고 있다.
발명의 개요
본 발명은 약 2.5 이하의 유전 상수를 갖고 있는 초저 유전 상수(즉, 초저 k) 재료를 제조하는 방법을 제공한다. 본 발명에 제공되는 초저 k 재료에 대한 유전 상수는 약 1.5 내지 약 2.5인 것이 보다 바람직하고, 유전 상수는 약 1.8 내지 약 2.25인 것이 가장 바람직하다. 모든 유전 상수는 달리 특정하지 않는 한 진공에 상대적인 것임을 유의해야 한다.
또한, 본 발명은 2 이상의 전구체로 된 혼합물로부터 Si, C, 0 및 H 원자를 포함하는 초저 유전 상수 재료를 제조하는 방법을 제공하며, 상기 방법에서 제1 전구체는 분자식 SiRR'R"R"'을 갖는 실란(SiH4) 유도체로부터 선택되고, 상기 식 중 R, R', R" 및 R"'는 동일하거나 상이할 수 있으며, H, 알킬 및 알콕시 중에서 선택된다. R, R', R" 및 R"'는 동일하거나 상이하며, 메틸, 에틸, 메톡시 및 에톡시인 것이 바람직하다. 바람직한 제1 전구체로는 디에톡시디메틸실란, 디에톡시메틸실란(DEMS), 에톡시트리메틸실란, 에톡시디메틸실란, 디메톡시디메틸실란, 디메톡시메틸실란, 트리에톡시실란, 및 트리메톡시메틸실란을 들 수 있지만, 이에 국한되는 것은 아니다.
본 발명의 용도에서 사용되는 제2 전구체는 하기 화학식의 화합물들 중에서 선택되는 유기 화합물이다.
Figure 112006082525462-pct00001
상기 식 중에서, R1, R2, R3, R4, R5 및 R6은 동일하거나 상이할 수 있고, 수소, 알킬, 알케닐 또는 알키닐 기 중에서 선택되며, 이들 기는 선형, 분지형, 고리형, 다고리형일 수 있고, 산소, 질소 또는 불소 함유 치환체에 의해 작용화될 수 있다. 바람직한 제2 전구체로는 에틸렌 옥사이드, 프로필렌 옥사이드, 시클로펜텐 옥사이드, 이소부틸렌 옥사이드, 2,2,3-트리메틸옥시란, 부타디엔모노옥사이드, 바이시클로헵타디엔, 1,2-에폭시-5-헥센, 2-메틸-2-비닐옥시란, 1-이소프로필-시클로헥사-1,3-디엔 및 tert-부틸메틸에테르를 들 수 있지만, 이에 국한되는 것은 아니다.
실란 유도체를 제2 유기 전구체와 조합하여 포함하는 제1 전구체를 사용하는 것은 SiCOH 매트릭스 내로 소공 형성 상을 효율적으로 혼입하는 것 및 종래 기술에서 설명한 전구체로 제조한 것보다 더 저렴한 비용으로 SiCOH 필름을 제조하는 것을 가능하게 한다.
실란 유도체를 제2 유기 전구체와 조합하여 포함하는 제1 전구체를 사용하는 것은 본 발명의 방법에 따라 감소된 인장 응력을 갖고 있는 다공성 SiCOH 유전체를 가능하게 한다.
또한, 본 발명은 병렬 플레이트 유형의 플라즈마 강화형 화학 증착("PECVD") 반응기에서 초저 유전체를 제조 하는 방법을 제공할 뿐만 아니라 "BEOL" 인터커넥트 구조체에 있어서 레벨내 또는 레벨간 유전체로서 전자 구조체 내에 사용하기 위한 초저 k 재료를 제조하는 방법을 제공한다.
다른 양태에서, 또한 본 발명은 저 내부 응력 및 약 2.5 이하의 유전 상수를 갖고 있는 열적 안정한 초저 k 재료를 제공한다. 초저 k 재료에 대한 유전 상수는 약 1.5 내지 약 2.5인 것이 보다 바람직하고, 유전 상수는 약 1.8 내지 약 2.25인 것이 바람직하다.
또다른 양태에서, 본 발명은 "BEOL" 배선 구조체에서 레벨내 또는 레벨간 유전체로서 절연 재료 층을 혼입하고 있는 전자 구조체를 제공하며, 여기서 절연 재료 층 중 2개 이상은 본 발명의 초저 k 재료를 포함한다.
또다른 실시양태에서, 본 발명은 "BEOL" 배선 구조체에서 레벨내 또는 레벨간 유전체로서 본 발명의 초저 k 재료 층을 갖고 있고 "RIE"(reactive ion etch) 정지 층 또는 화학적-기계적 폴리싱 정지 층 또는 확산 차단 층으로서 하나 이상의 유전체 캡 층(dielectric cap layer)을 추가로 함유하고 있는 전자 구조체를 제공한다.
본 발명에 따르면, 본 발명은 Si, C, 0, 및 H 원자를 포함하는 매트릭스 및 원자 레벨 나노다공도(nanoporosity)를 갖고 있는 열적 안정한 유전체 재료를 제조하는 방법을 제공한다. 바람직한 실시양태에서, 그 유전체 재료는 Si, C, O, 및 H로 주구성되는 매트릭스를 갖는다. 추가로, 본 발명은 플라즈마 강화형 화학 증착("PECVD") 반응기에서 Si, C, 0, 및 H의 원자를 포함하는 제1 규소 함유 전구체 기체와 C 및 H의 원자를 포함하고 임의로 0, F 및 N를 함유하는 하나 이상의 제2 유기 함유 전구체 기체를 반응시킴으로써 유전체 재료를 제조하는 방법을 제공한다. 이 본 발명의 유전체 재료는 3개의 피이크로 풀어질(deconvoluted) 수 있는 Si-O 흡수 밴드를 갖고 있는 FTIR 스펙트럼을 갖는다. 추가로, 본 발명은 ("BEOL") 배선 구조체에서 사용된 레벨내 또는 레벨간 유전체로서 절연 재료 층을 갖고 있는 전자 구조체(즉, 기판)를 제공하며, 여기서 절연 재료는 본 발명의 초저 k 필름일 수 있다.
바람직한 실시양태에서, 본 발명은 열적 안정한 초저 k 필름을 제조하는 방법을 제공하며, 상기 방법은 플라즈마 강화형 화학 증착 ("PECVD") 반응기를 제공하는 단계; 이 반응기 내에 전자 구조체(즉, 기판) 배치하는 단계; 반응기 내로 Si, C, 0, 및 H의 원자를 포함하는 제1 규소 함유 전구체 기체를 유동시키는 단계; 반응기 내로 C 및 H의 원자를 포함하고 임의로 0, F 및 N의 원자를 포함하는 제2 유기 함유 전구체 기체 혼합물을 유동시키는 단계; 및 기판에 초저 k 필름을 증착시키는 단계를 포함한다.
바람직하게는, 제1 전구체는 분자식 SiRR'R"R"'을 갖는 실란(SiH4) 유도체로부터 선택되고, 상기 식 중 R, R', R" 및 R"'는 동일하거나 상이할 수 있으며, H, 알킬 및 알콕시, 바람직하게는 메틸, 에틸, 메톡시 및 에톡시 중에서 선택된다. 바람직한 제1 전구체로는 디에톡시디메틸실란, 디에톡시메틸실란(DEMS), 에톡시트리메틸실란, 에톡시디메틸실란, 디메톡시디메틸실란, 디메톡시메틸실란, 트리에톡시실란, 및 트리메톡시메틸실란을 들 수 있지만, 이에 국한되는 것은 아니다.
본 발명의 용도에서 사용되는 제2 전구체는 하기 화학식의 화합물들 중에서 선택되는 유기 화합물이다.
Figure 112006082525462-pct00002
상기 식 중에서, R1, R2, R3, R4, R5 및 R6은 동일하거나 상이할 수 있고, 수소, 알킬, 알케닐 또는 알키닐 기 중에서 선택되며, 이들 기는 선형, 분지형, 고리형, 다고리형일 수 있고, 산소, 질소 또는 불소 함유 치환체에 의해 작용화될 수 있다. 바람직한 제2 전구체로는 에틸렌 옥사이드, 프로필렌 옥사이드, 시클로펜텐 옥사이드, 이소부틸렌 옥사이드, 2,2,3-트리메틸옥시란, 부타디엔모노옥사이드, 바이시클로헵타디엔(또한, 2,5-노르보나디엔으로 공지되어 있기도 함), 1,2-에폭시-5-헥센, 2-메틸-2-비닐옥시란, 1-이소프로필-시클로헥사-1,3-디엔 및 tert-부틸메틸에테르를 들 수 있지만, 이에 국한되는 것은 아니다.
임의로, 본 발명의 증착된 필름은 약 0.25 시간 이상의 시간 동안 약 300℃ 이상의 온도에서 열 처리할 수 있다. 대안으로, 본 발명의 증착된 필름은 UV 또는 전자빔 처리할 수 있다.
본 발명의 방법은 병렬 플레이트 유형의 반응기를 제공하는 단계를 더 포함할 수 있으며, 상기 반응기는 약 300 cm2 내지 약 800 cm2의 기판 척(chuck) 면적을 갖고, 약 1 cm 내지 약 10 cm의 기판과 상부 전극 간의 갭을 갖는다.
대안으로, 다중-스테이션 반응기도 필름 증착에 사용할 수 있다. 여기에서는 고주파수 RF 전력을 약 12 MHz 내지 약 15 MHz의 주파수에서 전극 중 하나에 인가한다. 임의로, 추가의 낮은 주파수 전력, 예를 들면 2MHz 또는 그 이하 주파수(350-450 KHz)의 전력을 전극 중 하나에 인가할 수 있다.
열 처리 단계는 추가로 제1 시간 동안 약 300℃ 이하의 온도에서 수행한 후, 제2 시간 동안 약 380℃ 이상의 온도에서 수행할 수 있으며. 상기 제2 시간은 제1 시간보다 더 길다. 제2 시간은 제1 시간의 약 10 배 이상 더 길 수 있다. 열적으로 처리된 필름은 UV 방사선 또는 전자빔에 노출시킴으로써 임의로 처리할 수 있다.
본 발명의 초저 k 필름의 증착 단계는 추가로 약 25℃ 내지 약 400℃로 기판 온도를 설정하는 단계; 약 0.05 W/cm2 내지 약 3.5 W/cm2로 고주파수 RF 전력 밀도를 설정하는 단계; 약 5 sccm 내지 약 1,000 sccm으로 제1 전구체 유속을 설정하는 단계; 약 5 sccm 내지 약 1,000 sccm으로 제2 전구체 유속을 설정하는 단계; 0 sccm 내지 약 1,000 sccm으로 캐리어 기체(He) 유속을 설정하는 단계; 및 약 50 mtorr 내지 약 8,000 mtorr의 압력으로 반응기 압력을 설정하는 단계를 더 포함한다. 임의로, 초저 주파수 전력은 약 10 W 내지 약 300 W로 플라즈마에 첨가할 수 있다.
다른 바람직한 실시양태에서, 본 발명은 초저 k 필름을 제조하는 방법을 제공하며, 상기 방법은 플라즈마 강화를 갖는 병렬 플레이트 유형 화학 증착 반응기를 제공하는 단계; 약 300 cm2 내지 약 800 cm2의 면적을 보유하는 기판 척 상에 예비 처리된 웨이퍼를 배치하고 그 웨이퍼와 상부 전극 간의 갭을 약 1 cm 내지 약 10 cm으로 유지하는 단계; 분자식 SiRR'R"R"'(식 중, R, R', R" 및 R"'는 동일하거나 상이하며, H, 알킬 및 알콕시 중에서 선택되고, R, R', R" 및 R"'는 각각 독립적으로 메틸, 에틸, 메톡시 또는 에톡시임)을 갖는 실란 유도체 분자를 포함하는 제1 전구체 기체를 반응기 내로 유동시키는 단계; 하기 화학식의 화합물들로 이루어진 군 중에서 선택된 유기 분자를 포함하는 하나 이상의 전구체 기체를 반응기 내로 유동시키는 단계; 및 웨이퍼 상에 초저 k 필름을 증착시키는 단계를 포함한다.
Figure 112006082525462-pct00003
상기 식 중에서, R1, R2, R3, R4, R5 및 R6은 동일하거나 상이할 수 있고, 수소, 알킬, 알케닐 또는 알키닐 기 중에서 선택되며, 이들 기는 선형, 분지형, 고리형, 다고리형일 수 있고, 산소, 질소 또는 불소 함유 치환체에 의해 작용화될 수 있다.
상기 방법은 추가로 증착 단계 후 약 0.25 시간 이상의 시간 동안 약 300℃ 이상의 온도에서 필름을 열 처리하는 단계 또는 증착 단계 후 필름을 UV 또는 전자빔 처리하는 단계를 더 포함할 수 있다. 상기 방법은 추가로 웨이퍼에 RF 전력을 인가하는 단계를 더 포함할 수 있다. 상기 열 처리 단계는 추가로 제1 시간 동안 약 300℃ 이하의 온도에서 수행한 후, 제2 시간 동안 약 380℃ 이상의 온도에서 수행할 수 있으며. 상기 제2 시간은 제1 시간보다 더 길다. 제2 시간은 제1 시간의 약 10 배 이상 더 길 수 있다.
사용된 실란 유도체 전구체는 디에톡시메틸실란(DEMS)일 수 있으며, 유기 전구체는 바이시클로헵타디엔(BCHD)일 수 있다. 초저 k 필름을 위한 증착 단계는 추가로 약 25℃ 내지 약 400℃로 웨이퍼 온도를 설정하는 단계; 약 0.05 W/cm2 내지 약 3.5 W/cm2로 고주파수 RF 전력 밀도를 설정하는 단계; 약 5 sccm 내지 약 1,000 sccm으로 실란 유도체 유속을 설정하는 단계; 약 5 sccm 내지 약 1,000 sccm으로 유기 전구체 유속을 설정하는 단계; 0 sccm 내지 약 1,000 sccm으로 캐리어 기체(He) 유속을 설정하는 단계; 및 약 50 mtorr 내지 약 8000 mtorr의 압력으로 반응기 압력을 설정하는 단계를 더 포함한다. 부가적으로, 증착 단계는 디에톡시메틸실란에 대한 바이시클로헵타디엔의 유속 비율을 약 0.1 내지 약 3, 바람직하게는 약 0.2 내지 0.6으로 설정하는 단계를 더 포함할 수 있다. 기판 척의 전도성 면적은 인자 X에 의해 변할 수 있으며, 인자 X는 동일 인자 X에 의한 RF 전력 변화를 유도한다.
다른 바람직한 실시양태에서, 본 발명은 열적 안정한 초저 k 유전체 필름을 제조하는 방법을 제공하며, 상기 방법은 병렬 플레이트 유형의 플라즈마 강화형 화학 증착 반응기를 제공하는 단계; 약 300 cm2 내지 약 800 cm2의 전도성 면적을 보유하는 기판 척 상에 웨이퍼를 배치하고 그 웨이퍼와 상부 전극 간의 갭을 약 1 cm 내지 약 10 cm으로 유지하는 단계; 전술한 실란 유도체와 유기 분자와의 전구체 기체 혼합물을 반응기내 웨이퍼 위로 유동시키는데, 약 100 mtorr 내지 약 8,000 mtorr로 반응기 압력을 유지하면서 약 25℃ 내지 약 400℃의 온도에서 약 25 sccm 내지 약 1,000 sccm의 총 유속으로 유지하는 것인 단계; 약 0.25 W/cm2 내지 약 3 W/cm2의 RF 전력 밀도 하에서 웨이퍼 상에 유전체 필름을 증착시키는 단계; 및 임의로 약 0.25 시간 이상 동안 약 300℃ 이상의 온도에서 초저 k 필름을 어닐링 처리하는 단계를 포함한다.
본 발명의 방법은 추가로 제1 시간 동안 약 300℃ 이하의 온도에서, 이어서 제2 시간 동안 약 380℃ 이상의 온도에서 필름을 어닐링 처리하는 단계를 더 포함할 수 있으며, 여기서 상기 제2 시간은 제1 시간보다 더 길다. 제2 시간은 제1 시간의 약 10 배 이상 더 길게 설정할 수 있다. 실란 유도체는 디에톡시메틸실란(DEMS)일 수 있고, 유기 전구체는 바이시클로헵타디엔(BCHD)일 수 있다.
또한, 발명은 "BEOL" 인터커넥트 구조체에서 레벨내 또는 레벨간 유전체로서 절연 재료 층들을 보유하는 전자 구조체에 관한 것이며, 상기 전자 구조체는 제1 절연 재료 층에 매립된 제1 금속 영역, Si, C, 0 및 H의 원자 및 다수의 나노미터 크기 소공을 포함하고 약 2.5 이하의 유전 상수를 갖는 본 발명의 초저 k 유전체의 제2 절연 재료 층에 매립된 제1 전도체 영역, 및 제1 전도체 영역과 전기 소통하고 본 발명의 초저 k 유전체를 포함하는 제3 절연 재료 층에 매립된 제2 전도체 영역을 보유하고, 여기서 제2 절연 재료 층은 제1 절연 재료 층과 친밀한 접촉 상태로 존재하고, 제1 전도체 영역은 제1 금속 영역과 전기 소통하며, 제3 절연 재료 층은 제2 절연 재료 층과 친밀한 접촉 상태로 존재하는 것인 예비 처리된 반도체 기판을 포함한다. 상기 전자 구조체는 추가로 제2 절연 재료 층과 제3 절연 재료 층 사이에 위치한 유전체 캡 층을 더 포함할 수 있다. 상기 전자 구조체는 추가로 제2 절연 재료 층과 제3 절연 재료 층 사이에 위치한 제1 유전체 캡 층, 및 제3 절연 재료 층의 상부에 위치한 제2 유전체 캡 층을 더 포함할 수 있다.
상기 유전체 캡 재료는 규소 산화물(silon oxide), 규소 질화물(silicon nitride), 규소 옥시질화물(silicon oxynitride), 규소 탄소 질화물(silicon carbon nitride)(SiCN), 규소 탄소 옥시질화물(silicon carbon oxynitride)(SiCON), 내화성 금속 규소 질화물(rafractory metal silicon nitride)(여기서, 내화성 금속은 Ta, Zr, Hf 및 W로 이루어진 군 중에서 선택됨), 규소 탄화물, 탄소 도핑된 산화물 또는 이들의 수소화 화합물 중에서 선택할 수 있다. 제1 및 2제2 유전체 캡 층은 유전체 재료의 동일 군으로부터 선택할 수 있다. 제1 절연 재료 층은 규소 산화물 또는 규소 질화물 또는 이들 재료의 도핑된 변형, 예컨대 포스포러스 실리케이트 유리("PSG": phosphorous silicate glass) 또는 보론 포스포러스 실리케이트 유리("BPSG": boron phosphorus silicate glass)일 수 있다. 전자 구조체는 추가로 제2 및 제3 절연 재료 층 중 하나 이상에 증착된 유전체 재료의 확산 차단 층을 더 포함할 수 있다. 전자 구조체는 추가로 제2 절연 재료 층의 상부에 유전체를 더 포함할 수 있으며, 그 유전체는 "RIE" 하드 마스크 및 폴리싱 정지 층으로서 또는 이 유전체 RIE 하드 마스크 및 폴리싱 정지 층에 위치한 유전체 확산 차단 층으로서 작용을 한다. 전자 구조체는 추가로 제2 절연 재료 층의 상부에 위치한 제1 유전체 RIE 하드 마스크/폴리싱 정지 층, 제1 유전체 폴리싱 정지 층의 상부에 위치한 제1 유전체 RIE 하드 마스크/확산 차단 층, 제3 절연 재료 층의 상부에 위치한 제2 유전체 RIE 하드 마스크/폴리싱 정지 층, 및 제2 유전체 폴리싱 정지 층 상에 위치한 제2 유전체 확산 차단 층을 더 포함할 수 있다. 전자 구조체는 추가로 초저 k 유전체의 레벨간 유전체와 초저 k 유전체의 레벨내 유전체 사이에, 상기 언급한 바와 같은 동일 물질의 유전체 갭 층을 더 포함할 수 있다.
도면의 간단한 설명
본 발명의 전술한 목적, 특징 및 이점은 하기 설명하는 발명의 상세한 설명 및 첨부된 도면으로부터 명백하게 이해할 수 있으며, 상기 도면은 간단히 설명하면 다음과 같다.
도 1은 본 발명에 사용될 수 있는 병렬 플레이트 유형 화학 증착 반응기의 단면도를 도시한 것이다.
도 2는 디에톡시메틸실란("DEMS")와 바이시클로헵타디엔("BCHD")의 혼합물로부터 증착된 본 발명의 초저 k 재료로부터 얻어지는 "FTIR"(Fourier Transform Infrared) 스펙트럼을 도시한 것이다.
도 3은 디에톡시메틸실란 ("DEMS")과 시클로펜탄 옥사이드("CPO")의 혼합물로부터 증착된 또다른 본 발명의 초저 k 재료로부터 얻어지는 "FTIR" 스펙트럼을 도시한 것이다.
도 4는 본 발명에 따른 초저 k 물질의 레벨내 유전체 층 및 레벨간 유전체 층을 보유하는 전자 디바이스의 확대된 단면도를 도시한 것이다.
도 5는 본 발명에 따른 초저 k 재료 필름의 상부에 위치한 추가의 확산 차단 유전체 캡 층을 보유하는 도 4의 전자 구조체의 확대된 단면도를 도시한 것이다.
도 6은 본 발명에 따른 폴리싱 정지 층의 상부에 위치한 추가의 RIE 하드 마스크/폴리싱 정지 유전체 캡 층 및 유전체 캡 확산 차단층을 보유하는 도 5의 전자 구조체의 확대된 단면도를 도시한 것이다.
도 7은 본 발명에 따른 레벨간 초저 k 재료 필름의 상부에 위치한 추가의 RIE 하드 마스크/폴리싱 정지 유전체 층을 보유하는 도 6의 전자 구조체의 확대된 단면도를 도시한 것이다.
도 8은 다상 재료 필름의 상부에 배치된 추가의 RIE 하드 마스크/폴리싱 정지 유전체 층을 보유하는 도 7의 본 발명의 전자 구조체의 확대된 단면도를 도시한 것이다.
발명의 상세한 설명
본 발명은 병렬 플레이트 유형의 플라즈마 강화형 화학 증착("PECVD") 반응기에서 열적 안정한 초저 유전 상수 필름을 제조하는 방법을 개시하고 있다. 바람직한 실시양태에서 개시된 재료는 무작위 공유 결합된 네트워크 내에 Si, C, 0 및 H를 포함하고 약 2.5 이하의 유전 상수를 가지며, 추가로 분자 크기 공극, 대략 0.5 내지 20 나노미터의 직경을 갖는 것을 보유할 수 있고, 추가로 유전 상수를 약 2.0 이하의 값으로 감소시키는 수소화된 산화 규소 탄소 재료(SiCOH)의 매트릭스를 함유한다. 초저 k 필름에 대한 유전 상수는 약 1.5 내지 약 2.5인 것이 보다 바람직하고, 유전 상수는 약 1.8 내지 약 2.25인 것이 가장 바람직하다. 본 발명의 초저 k 유전체 재료는 전형적으로 Si, C, 0 및 H로 주구성되는 제1 상 및 C 및 H로 주구성되는 제2 상, 및 다수의 나노미터 크기의 소공을 포함하는 다상 필름인 것을 특징으로 한다.
초저 k의 열 안정성 필름을 제조하기 위해서, 구체적 성장 조건에 따라 증착 반응기의 특이적 기하구조가 필요하다. 실제 예를 들면, 병렬 플레이트 유형 반응기에서, 기판 척의 전도성 면적은 약 300 cm2 내지 약 800 cm2가 되어야 하고, 기판과 정상 전극 간의 갭은 약 1 cm 내지 약 10 cm가 되어야 한다. 기판에는 RF 전력이 인가된다. 본 발명에 따르면, 초저 k 필름은 구체적인 반응 조건 하에 특이적으로 배치된 증착 반응기에서 실란 유도체, 예컨대 DEMS와 하기 화학식의 화합물들로 이루어진 군 중에서 선택된 유기 분자인 제2 전구체, 예컨대 바이시클로헵타디엔(BCHD)와의 혼합물로부터 형성된다.
Figure 112006082525462-pct00004
상기 식 중에서, R1, R2, R3, R4, R5 및 R6은 동일하거나 상이할 수 있고, 수소, 알킬, 알케닐 또는 알키닐 기 중에서 선택되며, 이들 기는 선형, 분지형, 고리형, 다고리형일 수 있고, 산소, 질소 또는 불소 함유 치환체에 의해 작용화될 수 있다. 본 발명의 초저 k 필름은 추가로 약 0.25 이상의 시간 동안 약 300℃ 이상의 온도에서 열 처리하여 유전 상수를 감소시킬 수 있다. 또한, 필름은 증착 후 또는 열 처리 후 UV 또는 전자빔 처리도 할 수 있다. 이러한 증착후 처리 단계 동안, 탄소 및 수소를 포함하고 임의로 산소 원자를 포함하는 제2 전구체 기체(또는 기체 혼합물)로부터 유도된 분자 단편은 열적으로 분해될 수 있고, 필름으로부터 방출되는 보다 작은 분자로 전환될 수 있다. 임의로, 공극의 추가 발생이 분자 단편의 전환 및 방출 과정에 의해 필름 내에서 일어날 수 있다. 따라서, 필름 밀도가 감소되고, 이에 상응하게 유전 상수와 굴절율이 감소하게 된다.
본 발명은 BEOL 배선 구조체에서 집적화하기에 적합한, 초저 k, 즉 2.5 이하인 k를 갖는 재료를 제조하는 방법을 제공한다. 본 발명의 초저 k 필름을 위한 유전 상수는 약 1.5 내지 약 2.5인 것이 보다 바람직하고, 그 유전 상수는 약 1.8 내지 약 2.25인 것이 가장 바람직하다. 본 발명의 필름은 2 이상의 적합한 전구체 및 하기 설명한 바와 같은 공정 파라미터들의 특이적 조합을 선택함으로써 제조할 수 있다. 바람직하게는, 제1 전구체는 분자식 SiRR'R"R"'을 갖는 실란(SiH4) 유도체로부터 선택되고, 상기 식 중 R, R', R" 및 R"'는 동일하거나 상이할 수 있으며, H, 알킬 및 알콕시, 바람직하게는 메틸, 에틸, 메톡시 및 에톡시 중에서 선택된다. 바람직한 제1 전구체로는 디에톡시디메틸실란, 디에톡시메틸실란(DEMS), 에톡시트리메틸실란, 에톡시디메틸실란, 디메톡시디메틸실란, 디메톡시메틸실란, 트리에톡시실란, 및 트리메톡시메틸실란을 들 수 있지만, 이에 국한되는 것은 아니다.
본 발명의 용도에서 사용되는 제2 전구체는 하기 화학식의 화합물들 중에서 선택되는 유기 화합물이다.
Figure 112006082525462-pct00005
상기 식 중에서, R1, R2, R3, R4, R5 및 R6은 동일하거나 상이할 수 있고, 수소, 알킬, 알케닐 또는 알키닐 기 중에서 선택되며, 이들 기는 선형, 분지형, 고리형, 다고리형일 수 있고, 산소, 질소 또는 불소 함유 치환체에 의해 작용화될 수 있다. 부가적으로, 제2 전구체 분자 내에는 다른 원자, 예컨대 S, Si, 또는 다른 할로겐도 함유될 수 있다. 이러한 전구체 분자 화학종 중 가장 적합한 것은 에틸렌 옥사이드, 프로필렌 옥사이드, 시클로펜텐 옥사이드, 이소부틸렌 옥사이드, 2,2,3-트리메틸옥시란, 부타디엔모노옥사이드, 바이시클로헵타디엔, 1,2-에폭시-5-헥센, 2-메틸-2-비닐옥시란, 1-이소프로필-시클로헥사-1,3-디엔 및 tert-부틸메틸에테르가 있다.
도 1에 도시되어 있는 바와 같이, 병렬 플레이트 유형의 플라즈마 강화형 화학 증착("PECVD) 반응기(10)는 200 mm 웨이퍼를 공정 처리하는 데 적합한 유형이다. 반응기(10)의 내부 직경, X는 대략 13 인치이고, 그 높이는, Y는 대략 8.5 인치이다. 기판 척(12)의 직경은 대략 10.8 인치이다. 반응물 기체는 약 1 인치의 갭(Z)으로 기판 척(12)으로부터 이격되어 있는 기체 분배 플레이트("GDP")(16)를 통해 반응기(10) 내로 도입되고, 3 인치 배출구(18)를 통해 반응기(10) 외부로 배출된다. RF 전력(20)은 GDP(16)에 연결되어 있고, 반응기(10)로부터 전기 절연되어 있으며, 기판 척(12)은 접지되어 있다. 실제 목적을 위해서는, 반응기의 모든 부품은 접지되어 있다. 다른 실시양태에서, RF 전력(20)은 기판 척(12)에 연결되어 기판(22)에 전달될 수 있다. 이러한 경우, 기판은 음의 바이어스(bias)를 수득하게 되는데, 그 값은 반응기 기하구조 및 플라즈마 파라미터에 의존적이다. 또다른 실시양태에서, 하나 이상의 전기력 공급원이 사용될 수 있다. 실제 예를 들면, 2개의 전력 공급원이 동일한 RF 주파수로 작동할 수 있거나, 하나가 저 주파수로 작동하고 나머지 하나가 고 주파수로 작동할 수 있다. 2개의 전력 공급원은 동일 전극에 연결되거나 개별 전극에 연결될 수 있다. 다른 실시양태에서, RF 전력 공급원은 증착 동안 펄스 온 및 오프로 펄스화할 수 있다. 저 k 필름의 증착 동안 제어된 공정 변수가 RF 전력 밀도, 전구체 혼합물 및 유속, 반응기내 압력, 전극 이격(spacing), 및 기판 온도이다.(가열된 웨이퍼 척의 온도는 기판 온도를 제어한다).
본 발명에 따르면, 적합한 제1 및 2 전구체 및 상기 설명한 공정 파라미터의 특이적 조합은 제조되는 본 발명의 초저 k 재료가 약 5 원자% 내지 40 원자%의 Si; 약 5 원자% 내지 약 70 원자%의 C; 0 내지 약 50 원자%의 O; 및 약 5 원자% 내지 약 55 원자%의 H를 포함하도록 사용된다. 본 발명의 일부 실시양태에서, C 함량은 약 70% 정도로 높을 수 있다.
필름을 위한 증착 공정 동안 제어되는 주요 공정 변수는 RF 전력, 전구체의유속, 반응기 압력 및 기판 온도이다. 하기 설명에는 본 발명에 따른 제1 전구체 디에톡시메틸실란(DEMS) 및 제2 전구체 바이시클로헵타디엔(BCHD)의 증착에 대한 몇가지 실시예가 제시되어 있다. 일부 실시예에서는, DEMS 전구체 증기를 캐리어 기체로서 He(또는 Ar)을 사용하여 반응기 내로 수송한다. 임의로, 필름은 증착 후 400℃에서 열 처리하여 k를 감소시킨다. 대안으로, 예를 들면 미국 출원 연속 번호 제10/758,724호에서 설명하고 있는 바와 같이, 필름은 UV 또는 전자빔 처리하여 k를 감소시키고 가교 결합을 증가시킨다. 열 처리는 단독으로 이용할 수 있거나, 또는 상기 제10/758.724호의 출원에서 개시한 처리 방법 중 하나와 조합하여 이용할 수 있다.
구체적으로, As 증착된 필름은, 상기 제10/758,724호의 출원에 따라, 임의로 에너지 공급원을 사용하여 처리하여 필름을 안정화시키고 그 필름 특성(전기, 기계, 접착 특성)을 개선시킬 수 있는데, 이는 결과적으로 최종 최적합 필름을 형성하게 된다. 적합한 에너지 공급원은 열, 화학, 자외선(UV), 전자빔(e-빔), 마이크로파 및 플라즈마 에너지 공급원을 포함한다. 또한, 상기 에너지 공급원들의 조합도 본 발명에 이용할 수 있다. 본 발명에 사용된 에너지 공급원은 As 증착된 유전체의 Si-O 결합 네트워크를 변형시키고, 그 재료내 다른 결합을 변형시키며, 보다 많은 Si-O 가교 결합을 발생시키고, 일부 경우 탄화수소 상을 제거하는 데 이용하며, 상기 모든 변형은 결과적으로 보다 높은 탄성 모듈러스, 보다 높은 경도, 또는 보다 낮은 내부 응력 또는 상기 특성들의 조합을 형성하게 된다. 보다 높은 모듈러스 또는 보다 낮은 응력은 결과적으로 보다 낮은 균열 전파 속도를 형성하게 되고, 보다 높은 모듈러스와 보다 낮은 응력의 조합은 에너지 처리의 바람직한 결과가 된다.
열 에너지 공급원은 예를 들면 증착된 재료를 약 300℃ 내지 약 500℃의 온도로 가열할 수 있는 가열 부재 또는 램프와 같은 임의의 공급원을 포함한다. 보다 바람직하게는, 열 에너지 공급원은 증착된 유전체 재료를 약 350℃ 내지 약 430℃의 온도로 가열할 수 있다. 이 열 처리 공정은 다양한 시간 동안 수행할 수 있으며, 전형적으로는 약 1 분 내지 약 300 분 시간이다. 열 처리 단계는 전형적으로 He 및 Ar과 같은 불활성 기체의 존재 하에 수행한다. 열 처리 단계는 급속한 열적 어닐링, 퍼니스 어닐링, 레이저 어닐링 또는 스파이크 어닐링 조건이 이용되는 어닐링 단계에 관한 것일 수 있다.
UV 처리 단계는 약 500 nm 내지 약 150 nm의 파장을 갖는 광을 발생하여 기판을 조사할 수 있는 공급원을 이용하여 수행하고, 동시에 웨이퍼 온도를 250℃ 내지 500℃의 온도, 바람직하게는 300℃ 내지 450℃의 온도를 유지한다. ＞ 370 nm를 지닌 방사선은 중요한 결합을 해리 또는 활성화시키는 데 불충분한 에너지이므로, 파장 범위는 150-370 nm가 바람직한 범위이다. As 증착된 필름에 대하여 측정한 문헌상 데이터 및 흡광도 스펙트럼을 이용할 경우, 본 발명은 ＜ 170 nm 방사선이 SiCOH 필름의 분해 때문에 유리하지 못할 수 있는 것으로 밝혀졌다. 추가로, 에너지 범위 310 - 370 nm는, 이 310 - 370 nm의 광자에 대한 에너지가 상대적으로 낮기 때문에, 범위 150 - 310 nm보다 덜 유용하다. 150 - 310 nm 범위 내에서, As 증착된 필름의 흡광도 스펙트럼 및 필름 특성(예컨대, 소수성)의 최소 열화에 의한 최적합한 오버랩은 SiCOH 특성을 변화시키기 위한 UV 스펙트럼의 가장 효과적인 범위를 선택하는 데 임의로 이용할 수 있다.
전자빔 처리 단계는 0.5 내지 25 keV의 에너지 및 0.1 내지 100 마microAmp/cm2(바람직하게는 1 내지 5 microAmp/cm2)의 전류 밀도로 웨이퍼에 걸쳐 균일한 전자 플럭스를 발생시킬 수 있는 공급원을 이용하여 수행하고, 동시에 웨이퍼 온도를 25℃ 내지 500℃의 온도, 바람직하게는 300℃ 내지 450℃의 온도로 유지한다. 전자 빔 처리 단계에서 사용된 전자의 선량은 50 내지 500 microcoulombs/cm2인 것이 바람직하고, 100 내지 300 microcoulombs/cm2인 것이 가장 바람직하다.
플라즈마 처리 단계는 원자 수소(H), 및 임의로 CH3 또는 다른 탄화수소 라디칼을 발생시킬 수 있는 공급원을 이용하여 수행한다. 다운스트림 플라즈마 공급원은 직접 플라즈마 노출보다 바람직하다. 플라즈마 처리 동안, 웨이퍼 온도는 25℃ 내지 500℃의 온도, 바람직하게는 300℃ 내지 450℃의 온도로 유지한다.
플라즈마 처리 단계는 플라즈마를 발생시킬 수 있는 반응기 내로 기체를 도입하여 수행하며, 그 도입 이후 기체는 플라즈마로 전환된다. 플라즈마 처리에 사용될 수 있는 기체는 불활성 기체, 예컨대 Ar, N, He, Xe 또는 Kr, 바람직하게는 He; 원자 수소, 메탄, 메틸실란의 수소 또는 관련 공급원, CH3 기의 관련 공급원 및 이들 공급원의 혼합물을 포함한다. 플라즈마 처리 기체의 유속은 사용되는 반응기 시스템에 따라 다양할 수 있다. 체임버 압력은 0.05 torr 내지 20 torr 범위에 속하는 임의의 범위일 수 있지만, 바람직한 압력 조작은 1 torr 내지 10 torr이다. 플라즈마 처리 단계는 일정 시간 동안 수행하며, 그 시간은 전형적으로 1/2 분 내지 약 10 분이고, 한편 이보다 더 긴 시간이 본 발명 내에서 사용될 수 있다.
RF 또는 마이크파 전력 공급원은 전형적으로 상기 플라즈마를 발생시키는 데 사용된다. RF 전력 공급원은 고 주파수 범위(약 100 W 또는 그 이상의 크기); 저 주파수 범위(250 W 미만)로 작동할 수 있거나, 또는 양 주파수의 조합도 사용할 수 있다. 고 주파수 전력 밀도는 0.1 내지 2.0 W/cm2에 속하는 임의의 범위이지만, 바람직한 작동 범위가 0.2 내지 1.0 W/cm2이다. 저 주파수 전력 밀도는 0.1 내지 1.0 W/cm2에 속하는 임의의 범위일 수 있지만, 바람직한 작동 범위는 0.2 내지 0.5 W/cm2이다. 선택된 전력 레벨은 노출된 유전체 표면의 유의적인 스퍼터 에칭(＜ 5 나노미터 제거)을 피하도록 충분히 낮아야 한다.
이용되는 증착 조건은 또한 본 발명에 따른 증착 공정의 성공적인 실시를 가능하게 하는 데에도 중요하다. 실제 예를 들면, 약 25℃ 내지 약 420℃, 바람직하게는 60℃ 내지 약 350℃의 웨이퍼 온도를 사용한다. 약 0.05 W/cm2 내지 약 3.5 W/cm2, 바람직하게는 약 0.25 W/cm2 내지 약 1 W/cm2의 RF 전력 밀도를 사용한다. 바람직한 공정에서, 라디오 주파수 에너지는 13.6 MHz의 주파수 및 (200 - 450 W를 사용할 수 있긴 하지만) 약 350 W의 전력으로 기체 도입 플레이트("샤워헤드")에, 또한 13.6 MHz의 주파수 및 (50 - 200 W를 사용할 수 있긴 하지만) 약 100 W의 전력으로 웨이퍼 척에 인가한다. 해당 기술 분야에 공지되어 있는 바와 같이, 상이한 RF 주파수(0.26,0.35, 0.45 MHz)도 본 발명에서는 사용할 수 있다.
약 5 sccm 내지 약 1,000 sccm, 바람직하게는 약 25 sccm 내지 약 200 sccm의 DEMS 반응물 기체 유속을 사용한다. 약 5 sccm 내지 약 1,000 sccm, 바람직하게는 약 10 sccm 내지 약 120 sccm의 BCHD 반응물 기체 유속을 사용한다. 액체 전구체 전달을 이용하는 경우, 액체 유속은 각 전구체 당 500 - 5,000 mg/분의 범위로 사용된다. 임의로, He를 첨가할 수 있으며, 바람직한 He 유속은 100 - 2000 sccm 범위 내에 있지만, 다른 유속도 본 발명 내에서 사용할 수 있다. 증착 공정 동안 반응기 압력은 전형적으로 약 50 mtorr 내지 약 10,000 mtorr이다.
다중-스테이션 증착 반응기를 사용하는 경우,기판의 면적은 개별 기판 척에 관한 것이고, 기체의 유속은 1개의 개별 증착 스테이션에 관한 것이다. 따라서, 반응기에 대한 전체 유속 및 전체 전력 입력은 반응기 내부에 있는 증착 스테이션의 총 수로 곱한 것이 된다.
증착된 필름은 추가 집적화 공정 처리를 수행하기 전에 안정화시킨다. 안정화 공정은 퍼니스-어닐링 단계에서 약 0.5 시간 내지 약 4 시간 동안 약 300℃ 내지 약 430℃에서 수행할 수 있다. 이 안정화 공정은 또한 급속 어닐링 공정에서 약 300℃ 이상의 온도에서도 수행할 수 있다. 또한, 안정화 공정은 UV 또는 전자빔 체임버에서 약 300℃ 이상의 온도에서도 수행할 수 있다. 본 발명에 따라 얻어지는 필름의 유전 상수는 약 2.5 이하이다. 본 발명에 따라 얻어지는 필름의 열적 안정성은 비산화 주위에서 적어도 약 430℃까지 이른다.
본 발명에 따라 제조된 유전체 디바이스는 도 4 내지 7에 도시되어 있다. 도 4 내지 7에 도시된 디바이스는 단지 본 발명에 따른 실시예를 예시하기 위한 것이고, 한편 본 발명에 따라 무수한 다른 디바이스도 제조할 수 있다는 점을 유의해야 한다.
도 4는 규소 기판(32)에 형성된 전자 디바이스(30)를 도시한 것이다. 규소 기판(32)의 상부에는 제1 절연 재료 층(34)이 이 층에 매립된 제1 금속 영역(36)과 함께 형성된다. 화학적 기계적 폴리싱("CMP") 공정을 제1 금속 영역(36)에 수행한 후, 제1 절연 재료 층(34) 및 제1 금속 영역(36)의 상부에는 초저 k 필름(38)과 같은 필름을 증착시킨다. 임의로, 층(34)과 층(38) 사이에는 추가의 유전체 캡 층(도시되어 있지 않음)을 추가할 수 있다. 제1 절연 재료 층(34)은 규소 산화물, 규소 질화물, 이들 물질의 도핑된 변형 또는 임의의 다른 적합한 절연 재료로 형성되는 것이 적합할 수 있다. 초저 k 필름(38)은 포토리쏘그래피 공정으로 패턴화하고, 그 위에는 전도체 층(40)을 증착시킨다. 제1 전도체 층(40)에 대하여 CMP 공정을 수행한 후, 제2 초저 k 필름 층(44)은 제1 초저 k 필름(38) 및 제1 전도체 층(40) 위에 플라즈마 강화형 화학 증착("PECVD") 공정에 의해 증착된다. 전도체 층(40)은 금속류 전도성 재료 및 비금속류 전도성 재료로 증착될 수 있다. 실제 예를 들면, 금속류 전도성 재료, 예컨대 알루미나 또는 구리, 또는 비금속류 전도성 재료, 예컨대 질화물 또는 폴리규소를 사용할 수 있다. 제1 전도체(40)는 제1 금속 영역(36)과 전기 소통한다.
제2 초저 k 필름 층(44)에서 포토리쏘그래피 공정을 수행한 후, 제2 전도체 재료에 대한 증착 공정을 수행하여 제2 전도체 영역(50)을 형성시킨다. 또한, 제2 전도체(50)는 제1 전도체 층(40)을 증착할 때 이용된 것과 유사한 금속류 재료 및 비금속류 재료로도 증착시킬 수 있다. 제2 전도체 영역(50)은 제1 전도체 영역(40)과 전기 소통하고, 제2 초저 k 절연체 층(44)에 매립되어 있다. 제2 초저 k 필름 층은 제1 절연 재료 층(38)과 친밀한 접촉 상태로 존재한다. 이러한 구체적인 예에서, 본 발명에 따른 초저 k 재료인 제1 절연 재료 층(38)은 레벨내 유전체 재료로서 작용을 하고, 반면에 제2 절연 재료 층, 즉 초저 k 필름(44)은 레벨내 및 레벨간 유전체로서 모두 작용을 한다. 초저 k 필름의 저 유전 상수에 기초하여, 매우 우수한 절연 특성은 제1 절연 재료 층(38)과 제2 절연체 층(44)에 의해 달성될 수 있다.
도 5는 본 발명에 따른 전자 디비아스(60)를 도시한 것으로, 이것은 도 4에 도시된 전자 디바이스(30)와 유사하고, 다만 제1 절연 재료 층(38)과 제2 절연 재료 층(44) 사이에 추가의 유전체 캡 층(62)이 배치되어 있다는 점을 예외로 한다. 유전체 캡 층(62)은 규소 산화물, 규소 질화물, 규소 옥시질화물, 규소 탄화물, 규소 탄소 질화물(SiCN), 규소 탄소 산화물(SiCO), 변형된 초저 k 화합물 및 이것의 수소화 화합물 뿐만 아니라 내화성 금속 규소 질화물과 같은 재료로 형성되는 것이 적합할 수 있으며, 여기서 내화성 금속은 Ta, Zr, Hf, 및 W으로 이루어진 군 중에서 선택된다. 부가적으로, 유전체 캡 층(62)은 제1 전도체 층(40)이 제2 절연 재료 층(44) 내로 또는 하부 층, 특히 층(34) 및 층(32) 내로 확산되는 것을 방지하기 위한 확산 차단 층으로서 작용을 한다.
도 6은 본 발명에 따른 전자 디바이스(70)의 또다른 대안 실시양태를 도시한 것이다. 전자 디바이스(70)에서는, RIE 마스크 및 CMP(chemical-mechanical polishing) 폴리싱 정지 층으로서 작용을 하는 2개의 추가 유전체 캡 층(72 및 74)을 사용한다. 제1 유전체 캡 층(72)은 제1 절연 재료 층(38)의 상부에 증착시킨다. 유전체 층(72)의 기능은 제1 전도체 층(40)을 평탄화하는 경우에 이용되는 CMP 공정에 대한 종점을 제공하는 것이다. 폴리싱 정지 층(72)은 규소 산화물, 규소 질화물, 규소 옥시질화물, 규소 탄화물, 규소 탄소 산화물(SiCO), 규소 탄소 질화물(SiCN), 변형된 초저 k 화합물 및 이것의 수소화 화합물 뿐만 아니라 내화성 금속 규소 질화물과 같은 적합한 유전체 재료로 증착시킬 수 있으며, 여기서 내화성 금속은 Ta, Zr, Hf, 및 W으로 이루어진 군 중에서 선택된다. 유전체 층(72)의 상부 표면은 제1 전도체 층(40)과 동일한 레벨에서 존재한다. 제2 유전체 층(74)은 동일한 목적으로 제2 절연 재료 층(44)의 상부에 추가할 수 있다.
도 7은 본 발명에 따른 전자 디바이스(80)의 또다른 대안 실시양태를 도시한 것이다. 이 대안 실시양태에서는 추가의 유전체 층(82)을 증착시키고, 제2 절연 재료 층(44)을 2개의 개별 층(84)과 층(86)으로 분할한다. 그러므로, 도 7에 도시되어 있는 바와 같은 레벨내 또는 레벨간 유전체 층(44)은, 도 8에 도시되어 있는 바와 같이, 인터커넥트(92)와 인터커넥트(94) 사이의 경계부에서 층간 유전체 층(84)과 레벨내 유전체 층(86)으로 분할된다. 추가의 확산 차단 층(96)이 상부 유전체 층(74)의 상부에 추가 증착될 수 있다. 전자 구조체(80)의 이러한 대안 실시양태에 의해 제공된 추가 이점은 유전체 층(82)이 매우 우수한 인터커넥트 깊이 제어를 제공하므로, 전도체 저항에 비하여 매우 우수한 제어를 제공하는 RIE 에칭 정지층으로서 작용을 한다는 점이다.
다음의 실시예는 본 발명에 따른 초저 k 유전체 필름의 제조 방법을 예시할 뿐만 아니라 그 방법으로부터 얻을 수 있는 이점을 입증하기 위해서 제시한 것이다.
실시예 1
본 실시예에서는, 도 1에 따라, 먼저 슬릿 밸브(14)를 통해 반응기(10) 내로 웨이퍼를 도입하여 웨이퍼를 제조하고, 그 웨이퍼를 임의로 아르곤 기체로 예비 에칭 처리하였다. 이러한 웨이퍼 제조 공정에서는 웨이퍼 온도를 약 180℃로 설정하고, 아르곤 유속을 약 25 sccm으로 설정하여 약 100 mtorr의 압력을 달성하였다. 이어서, RF 전력을 약 60 초 동안 약 125 W로 공급하였다. 이어서, RF 전력 및 아르곤 기체 유속을 중단하였다.
DEMS 전구체를 반응기 내로 운반하여 넣었다. 본 발명에 따른 초저 k 필름은 먼저 DEMS 및 BCHD의 유속을 소정의 유속 및 압력, 즉 약 약 4 sccm의 DEMS 및 약 3 sccm의 BCHD와 약 500 mtorr로 달성함으로써 증착하였다. 이어서, RF 전력을 약 50 분의 시간 동안 약 30 W로 공급하였다. 이어서, RF 전력 및 기체 유속을 중단하였다. 이어서, 웨이퍼를 반응기(10)로부터 제거하였다.
증착된 필름의 유전 상수를 감소시키기 위해서, 그리고 그 필름의 열적 안정성을 더욱 개선시키기 위해서, 즉 그 필름을 300℃ 이상의 온도에서 안정화시키기 위해서, 필름을 후 처리하여 휘발성 내용물을 증발시키고 필름을 치수적으로 안정화시켰다. 후 처리 공정은 다음의 단계들에 의해 어닐링 퍼니스에서 수행할 수 있다. 먼저 퍼니스는 (장입 스테인션 내에 필름 샘플을 함유한 채로) 약 5 분 동안 질소를 사용하여 약 10 리터/분으로 퍼지 처리하였다. 이어서, 필름 샘플을 퍼니스 반응기 내로 옮긴 후, 필름을 약 5℃/분의 가열 속도로 하여 약 280℃로 가열하고, 약 5 분 동안 약 280℃로 유지하며, 약 5℃/분의 제2 가열 속도로 하여 약 400℃로 가열하고, 약 4 시간 동안 약 400℃에서 유지하며, 퍼니스의 전원을 끄고, 필름 샘플을 약 100℃ 이하의 온도로 냉각시키는, 후 어닐링 주기를 개시하였다. 적합한 제1 유지 시간은 약 280℃ 내지 약 300℃일 수 있지만, 적합한 제2 유지 시간은 약 300℃ 내지 약 400℃일 수 있다. 이와 같이 얻어지는 필름은 유전 상수가 1.81이었다. 대안으로, 필름은 30 분 이하 동안 300℃ 이상의 온도에서 UV 또는 전자빔 처리할 수 있다.
제1 실시양태의 결과는 도 2을 참조하여 이하 논의한다. 도 2는 본 발명에 따른 DEMS + BCHD의 혼합물로부터 제조된 초저 k 필름으로부터 얻어지는 FTIR 스 펙트럼을 제시한 것이다. 스펙트럼은 약 1,000-1100 cm-1에서 Si-O 흡수 밴드, 약 1268 cm-1 에서 Si-CH3 흡수 피이크, 그리고 약 2900-3000 cm-1에서 C-H 흡수 피이크를 나타낸다. 초저 k 필름의 FTIR 스펙트럼의 한가지 특성은, 구체적으로 도 2에 예시되어 있는 바와 같이, Si-O 피이크가 1141 cm-1, 1064 cm-1 및 1030 cm-1에서 중심을 이루는 3개의 피이크로 풀어질 수 있다는 점이다.
실시예 2
본 실시예에서, 웨이퍼는 실시예 1에서와 같은 도구로 제조하였다. 먼저 웨이퍼를 반응 체임버 내로 도입하였다. 웨이퍼 온도를 약 180℃로 설정하였다. DEMS 전구체를 반응기 내로 운반해 넣었다. 본 발명에 따른 초저 k 필름은 먼저 DEMS 및 부타디엔모노옥사이드(BMO)의 유속을 소정의 유속 및 압력, 즉 1 sccm의 DEMS 및 약 4 sccm의 BMO 및 약 500 mtorr의 압력으로 달성함으로써 증착시켰다. 이어서, RF 전력을 약 50 분의 시간 동안 약 30 W로 공급하였다. 이어서, RF 전력 및 기체 유속을 중단하였다. 이어서, 웨이퍼를 반응기(10)로부터 제거하였다.
이어서, 필름을 실시예 1에서 설명한 것과 동일한 방법으로 처리하였다. 형성된 필름은 유전 상수가 1.77이었다.
실시예 3
본 실시예에서, 웨이퍼는 실시예 1에서와 같은 도구로 제조하였다. 먼저 웨이퍼를 반응 체임버 내로 도입하였다. 웨이퍼 온도를 약 180℃로 설정하였다. DEMS 전구체를 반응기 내로 운반해 넣었다. 본 발명에 따른 초저 k 필름은 먼저 DEMS 및 2-메틸-2-비닐옥시란(MVOX)의 유속을 소정의 유속 및 압력, 즉 2 sccm의 DEMS 및 약 3 sccm의 MVOX 및 약 500 mtorr의 압력으로 달성함으로써 증착시켰다. 이어서, RF 전력을 약 50 분의 시간 동안 약 30 W로 공급하였다. 이어서, RF 전력 및 기체 유속을 중단하였다. 이어서, 웨이퍼를 반응기(10)로부터 제거하였다.
이어서, 필름을 실시예 1에서 설명한 것과 동일한 방법으로 처리하였다. 형성된 필름은 유전 상수가 2.08이었다.
실시예 4
본 실시예에서는 웨이퍼를 8-인치 PECVD 도구에서 제조하였다. 먼저 웨이퍼를 반응 체임버 내로 도입하였다. 웨이퍼 온도를 약 200℃로 설정하였다. DEMS 및 시클로펜텐 옥사이드(CPO)는 캐리어 기체로서 He를 사용하여 반응기 내로 운반해 넣었다. 본 발명에 따른 초저 k 필름은 먼저 DEMS 및 CPO와 He의 기체 유속을 소정의 유속 및 압력, 즉 약 70 sccm의 DEMS 및 약 320 sccm의 CPO와 약 300 sccm의 He, 그리고 약 2000 mtorr의 압력으로 달성함으로써 증착시켰다. 이어서, RF 전력을 약 10 분의 시간 동안 약 300 W로 공급하였다. 이어서, RF 전력 및 유속을 중단하였다. 이어서, 웨이퍼를 반응 체임버로부터 제거하였다.
이어서, 필름을 실시예 1에서 설명한 것과 동일한 방법으로 처리하였다. 형성된 필름은 유전 상수가 2.19이었다.
결과는 도 3을 참조하여 이하 논의한다. 도 3은 본 발명에 따른 DEMS/CPO 및 He으로부터 제조된 초저 k 필름으로부터 얻어지는 FTIR 스펙트럼을 제시한 것이 다. 스펙트럼은 약 1,000-1100 cm-1에서 Si-O 흡수 밴드, 약 1267 cm-1 에서 Si-CH3 흡수 피이크, 그리고 약 2900-3000 cm-1에서 C-H 흡수 피이크를 나타낸다. 초저 k 필름의 FTIR 스펙트럼의 한가지 특성은, 구체적으로 도 3에 예시되어 있는 바와 같이, Si-O 피이크가 1132 cm-1, 1058 cm-1 및 1024 cm-1에서 중심을 이루는 3개의 피이크로 풀어질 수 있다는 점이다.
또한, 급속 열적 어닐링("RTA") 공정은 초저 k 필름을 안정시키는 데 이용할 수 있다. 본 발명에 따라 얻어지는 필름은 유전 상수가 약 2.5 이하인 것을 특징으로 하고, 정상적으로 약 400℃까지의 온도에서 처리되는 "BEOL" 인터커넥트 구조체에서 집적화하는 데 열적으로 안정하다. 그러므로, 본 발명의 교시내용은 로직 및 메모리 디바이스의 경우 "BEOL" 공정에서 레벨내 또는 레벨간 유전체로서의 필름을 제조할 때 용이하게 적용할 수 있다.
그러므로, 본 발명에 따른 방법 및 이 방법으로부터 제조된 전자 다바이스는 전술한 상세한 설명에서 그리고 첨부된 도면 4 내지 8에서 완전히 입증되어 있다. 도 4 내지 8에 도시된 전자 구조체의 예는 단지 무수한 전자 디바아스의 제조에서 적용될 수 있는 본 발명의 방법을 예시하기 위해서만 사용한 것임을 강조하고자 한다.
해당 기술 분야에 공지되어 있는 바와 같이, 상기 4개의 방법 실시예에서 열거한 기체 유속 단위는 액체 유량 제어(liquid mass flow control)를 이용하는 경 우 액체 유량 단위로 대체할 수 있다.
이상, 본 발명은 예시적인 방식으로 설명하기 했지만, 사용된 용어는 한정하는 용어이기보다는 설명하는 용어로 기재된 것임을 이해해야 한다.
더구나, 본 발명은 바람직한 실시양태 및 몇가지 대안 실시양태에 대하여 구체적으로 제시하고 설명하긴 했지만, 해당 기술 분야의 당업자면 본 발명의 기술적 사상 및 영역으로부터 벗어나는 일 없이 본 발명의 다른 가능한 변형예에 본 발명의 교시내용을 용이하게 적용할 수 있다는 점을 이해해야 한다.
배타적인 소유권 또는 특허권이 특허청구되는 본 발명의 실시양태는 하기 첨부된 청구의 범위에 한정된다.

Claims (64)

  1. 초저 유전 상수(k) 필름의 제조 방법으로서,
    플라즈마 강화형 화학 증착(PECVD) 반응기의 체임버 내로 선형 분자식 SiRR'R"R"'(식 중, R, R', R" 및 R"'는 동일하거나 상이하며, H, 알킬 및 알콕시 중에서 선택됨)을 갖는 제1 전구체 기체를 유동시키는 단계;
    상기 체임버 내로 하기 화학식 중 하나를 갖는 제2 전구체 기체를 유동시키는 단계; 및
    Figure 112010015250604-pct00006
    [상기 식 중, R1, R2, R3, R4, R5 및 R6은 동일하거나 상이할 수 있고, 수소, 알킬, 알케닐 또는 알키닐 기 중에서 선택되며, 이들 기는 선형, 분지형, 고리형, 다고리형일 수 있고, 산소, 질소 또는 불소 함유 치환체에 의해 작용화될 수 있음]
    상기 전구체 기체로부터 초저 k 필름을 기판 상에 증착시키는 단계로서, 상기 초저 k 필름은 Si, C, O 및 H의 원자를 포함하며, Si-O 흡수 피크, Si-CH3 흡수 피크 및 복수개의 C-H 흡수 피크를 포함하는 FTIR 스펙트럼을 보유하고, 여기서 Si-O 흡수 피크는 3개의 피크로 풀어지는(deconvoluted) 것인 단계
    를 포함하는 제조 방법.
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  26. 열적 안정한 초저 k 필름의 제조 방법으로서,
    소정 유형의 플라즈마 강화형 화학 증착(PECVD) 반응기를 제공하는 단계;
    300 cm2 내지 800 cm2의 면적을 보유하는 기판 척(chuck) 상에 예비 처리된 웨이퍼를 배치하고, 상기 웨이퍼와 상부 전극 간의 갭을 1 cm 내지 10 cm로 유지하는 단계;
    상기 PECVD 반응기 내로 실란 유도체 분자를 포함하는 제1 전구체 기체를 유동시키는 단계;
    상기 PECVD 반응기 내로 하기 화학식 중 하나를 갖는 화합물을 포함하는 적어도 제2 전구체 기체를 유동시키는 단계; 및
    Figure 112010015250604-pct00007
    [상기 식 중, R1, R2, R3, R4, R5 및 R6은 동일하거나 상이할 수 있고, 수소, 알킬, 알케닐 또는 알키닐 기 중에서 선택되며, 이들 기는 선형, 분지형, 고리형, 다고리형일 수 있고, 산소, 질소 또는 불소 함유 치환체에 의해 작용화될 수 있음]
    상기 웨이퍼 상에 초저 k 필름을 증착시키는 단계로서, 상기 초저 k 필름은 Si, C, O 및 H의 원자를 포함하며, Si-O 흡수 피크, Si-CH3 흡수 피크 및 복수개의 C-H 흡수 피크를 포함하는 FTIR 스펙트럼을 보유하고, 여기서 Si-O 흡수 피크는 3개의 피크로 풀어지는 것인 단계
    를 포함하는 제조 방법.
  27. 열적 안정한 초저 k 필름의 제조 방법으로서,
    소정 유형의 플라즈마 강화형 화학 증착(PECVD) 반응기를 제공하는 단계;
    300 cm2 내지 800 cm2의 면적을 보유하는 기판 척 상에 웨이퍼를 배치하고, 상기 웨이퍼와 상부 전극 간의 갭을 1 cm 내지 10 cm로 유지하는 단계;
    상기 반응기내로 25℃ 내지 400℃의 온도로 유지된 상기 웨이퍼 위에 실란 유도체의 제1 전구체 기체를 5 sccm 내지 1,000 sccm의 유속으로, 그리고 제2 전구체 기체를 5 sccm 내지 1,000 sccm의 유속으로 유동시키면서, 상기 반응기내 압력을 50 mtorr 내지 8,000 mtorr로 유지하는 단계로서, 상기 제2 전구체 기체는 하기 화학식 중 하나를 갖는 화합물을 포함하는 것인 단계;
    Figure 112010015250604-pct00008
    [상기 식 중, R1, R2, R3, R4, R5 및 R6은 동일하거나 상이할 수 있고, 수소, 알킬, 알케닐 또는 알키닐 기 중에서 선택되며, 이들 기는 선형, 분지형, 고리형, 다고리형일 수 있고, 산소, 질소 또는 불소 함유 치환체에 의해 작용화될 수 있음]
    0.05 W/cm2 내지 3.0 W/cm2의 RF 전력 밀도 하에 상기 웨이퍼 상에 초저 k 필름을 증착시키는 단계; 및
    상기 초저 k 필름을 처리하여 상기 필름의 안정성을 개선시키는 단계로서, 상기 처리는 열 공급원, 화학 공급원, 자외선(UV) 공급원, 전자빔(e-빔) 공급원, 마이크로파 공급원, 플라즈마 공급원 및 이들의 조합 중에서 선택된 에너지 공급원을 포함하며, 상기 초저 k 필름은 Si, C, O 및 H의 원자를 포함하며, Si-O 흡수 피크, Si-CH3 흡수 피크 및 복수개의 C-H 흡수 피크를 포함하는 FTIR 스펙트럼을 보유하고, 여기서 Si-O 흡수 피크는 3개의 피크로 풀어지는 것인 단계
    를 포함하는 제조 방법.
  28. 삭제
  29. Si, C, O 및 H의 원소를 포함하며, 무작위 공유 결합된 3차원 네트워크 구조, 2.5 이하의 유전 상수, 및 3개의 피크로 풀어지는 Si-O 흡수 피크, Si-CH3 흡수 피크 및 복수개의 C-H 흡수 피크를 포함하는 FTIR 스펙트럼을 보유하는 유전체 재료로서,
    상기 Si, C, O 및 H의 원소는 분자식 SiRR'R"R"'(식 중, R, R', R" 및 R"'는 동일하거나 상이하며, H, 알킬 및 알콕시 중에서 선택됨)을 갖는 제1 전구체, 및 하기 화학식 중 하나를 갖는 제2 전구체로부터 유도되는 것인 유전체 재료:
    Figure 112010015250604-pct00025
    상기 식 중, R1, R2, R3, R4, R5 및 R6은 동일하거나 상이할 수 있고, 수소, 알킬, 알케닐 또는 알키닐 기 중에서 선택되며, 이들 기는 선형, 분지형, 고리형, 다고리형일 수 있고, 산소, 질소 또는 불소 함유 치환체에 의해 작용화될 수 있다.
  30. 삭제
  31. 삭제
  32. 삭제
  33. 삭제
  34. BEOL(back-end-of-the-line) 절연체, 캡 또는 하드 마스크 층으로서 유전체 재료를 포함하는 BEOL 인터커넥트 구조체로서,
    상기 유전체 재료는 Si, C, O 및 H의 원소를 포함하고, 무작위 공유 결합된 3차원 네트워크 구조, 2.5 이하의 유전 상수, 및 Si-O 흡수 피크, Si-CH3 흡수 피크 및 복수개의 C-H 흡수 피크를 포함하는 FTIR 스펙트럼을 보유하며, 여기서 Si-O 흡수 피크는 3개의 피크로 풀어지고, 상기 Si, C, O 및 H의 원소는 분자식 SiRR'R"R"'(식 중, R, R', R" 및 R"'는 동일하거나 상이하며, H, 알킬 및 알콕시 중에서 선택됨)을 갖는 제1 전구체, 및 하기 화학식 중 하나를 갖는 제2 전구체로부터 유도되는 것인 BEOL 인터커넥트 구조체:
    Figure 112010015250604-pct00010
    상기 식 중, R1, R2, R3, R4, R5 및 R6은 동일하거나 상이할 수 있고, 수소, 알킬, 알케닐 또는 알키닐 기 중에서 선택되며, 이들 기는 선형, 분지형, 고리형, 다고리형일 수 있고, 산소, 질소 또는 불소 함유 치환체에 의해 작용화될 수 있다.
  35. 배선 구조체에 있어서 레벨내 또는 레벨간 유전체로서 절연 재료 층들을 보유하는 전자 구조체로서,
    제1 절연 재료 층에 매립된 제1 금속 영역을 갖는 예비 처리된 반도체 기판;
    초저 k 재료로 형성된 제2 절연 재료 층에 매립된 제1 전도체 영역으로서, 상기 초저 k 재료는 Si, C, O 및 H, 그리고 다수의 나노미터 크기의 소공을 포함하고, 상기 초저 k 재료는 2.5 이하의 유전 상수, 및 Si-O 흡수 피크, Si-CH3 흡수 피크 및 복수개의 C-H 흡수 피크를 포함하는 FTIR 스펙트럼을 보유하며, 여기서 Si-O 흡수 피크는 3개의 피크로 풀어지고, 상기 Si, C, O 및 H의 원소는 분자식 SiRR'R"R"'(식 중, R, R', R" 및 R"'는 동일하거나 상이하며, H, 알킬 및 알콕시 중에서 선택됨)을 갖는 제1 전구체, 및 하기 화학식 중 하나를 갖는 제2 전구체로부터 유도되며, 상기 제2 절연 재료 층은 상기 제1 절연 재료 층과 친밀한 접촉 상태로 존재하고, 상기 제1 전도체 영역은 상기 제1 금속 영역과 전기 소통하는 것인 제1 전도체 영역; 및
    상기 제1 전도체 영역과 전기 소통하고 상기 초저 k 재료를 포함하는 제3 절연 재료 층에 매립된 제2 전도체 영역으로서, 상기 제3 절연 재료 층은 상기 제2 절연 재료 층과 친밀한 접촉 상태로 존재하는 것인 제2 전도체 영역
    을 포함하는 전자 구조체:
    Figure 112010015250604-pct00011
    상기 식 중, R1, R2, R3, R4, R5 및 R6은 동일하거나 상이할 수 있고, 수소, 알킬, 알케닐 또는 알키닐 기 중에서 선택되며, 이들 기는 선형, 분지형, 고리형, 다고리형일 수 있고, 산소, 질소 또는 불소 함유 치환체에 의해 작용화될 수 있다.
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  38. 삭제
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  42. 삭제
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  47. 배선 구조체에 있어서 레벨내 또는 레벨간 유전체로서 절연 재료 층들을 보유하는 전자 구조체로서,
    제1 절연 재료 층에 매립된 제1 금속 영역을 갖는 예비 처리된 반도체 기판; 및
    초저 k 재료로 형성된 하나 이상의 제2 절연 재료 층에 매립된 하나 이상의 제1 전도체 영역으로서, 상기 초저 k 재료는 Si, C, O 및 H, 그리고 다수의 나노미터 크기의 소공으로 주구성되며, 상기 초저 k 재료는 2.8 이하의 유전 상수, 및 Si-O 흡수 피크, Si-CH3 흡수 피크 및 복수개의 C-H 흡수 피크를 포함하는 FTIR 스펙트럼을 보유하며, 여기서 Si-O 흡수 피크는 3개의 피크로 풀어지고, 상기 Si, C, O 및 H의 원소는 분자식 SiRR'R"R"'(식 중, R, R', R" 및 R"'는 동일하거나 상이하며, H, 알킬 및 알콕시 중에서 선택됨)을 갖는 제1 전구체, 및 하기 화학식 중 하나를 갖는 제2 전구체로부터 유도되며, 상기 하나 이상의 제2 절연 재료 층 중 하나는 상기 제1 절연 재료 층과 친밀한 접촉 상태로 존재하고, 상기 하나 이상의 제1 전도체 영역 중 하나는 상기 제1 금속 영역과 전기 소통하는 것인 제1 전도체 영역
    을 포함하는 전자 구조체:
    Figure 112010015250604-pct00012
    상기 식 중, R1, R2, R3, R4, R5 및 R6은 동일하거나 상이할 수 있고, 수소, 알킬, 알케닐 또는 알키닐 기 중에서 선택되며, 이들 기는 선형, 분지형, 고리형, 다고리형일 수 있고, 산소, 질소 또는 불소 함유 치환체에 의해 작용화될 수 있다.
  48. 삭제
  49. 삭제
  50. 삭제
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  52. 삭제
  53. 삭제
  54. 배선 구조체에 있어서 레벨내 또는 레벨간 유전체로서 절연 재료 층들을 보유하는 전자 구조체로서,
    제1 절연 재료 층에 매립된 제1 금속 영역을 갖는 예비 처리된 반도체 기판;
    제2 절연 재료 층에 매립된 제1 전도체 영역으로서, 상기 제2 절연 재료 층은 상기 제1 절연 재료 층과 친밀한 접촉 상태로 존재하고 상기 제1 전도체 영역은 상기 제1 금속 영역과 전기 소통하는 것인 제1 전도체 영역;
    상기 제1 전도체 영역과 전기 소통하고 제3 절연 재료 층에 매립된 제2 전도체 영역으로서, 상기 제3 절연 재료 층은 상기 제2 절연 재료 층과 친밀한 접촉 상태로 존재하는 것인 제2 전도체 영역;
    상기 제2 절연 재료 층과 상기 제3 절연 재료 층 사이에 위치한 제1 유전체 캡 층; 및
    상기 제3 절연 재료 층의 상부에 위치한 제2 유전체 캡 층
    을 포함하고, 상기 제1 유전체 캡 층 및 상기 제2 유전체 캡 층은 초저 k 유전체 재료로 형성되고, 상기 초저 k 재료는 Si, C, O 및 H, 그리고 다수의 나노미터 크기의 소공을 포함하며, 상기 초저 k 재료는 2.5 이하의 유전 상수, 및 Si-O 흡수 피크, Si-CH3 흡수 피크 및 복수개의 C-H 흡수 피크를 포함하는 FTIR 스펙트럼을 보유하며, 여기서 Si-O 흡수 피크는 3개의 피크로 풀어지고, 상기 Si, C, O 및 H의 원소는 분자식 SiRR'R"R"'(식 중, R, R', R" 및 R"'는 동일하거나 상이하며, H, 알킬 및 알콕시 중에서 선택됨)을 갖는 제1 전구체, 및 하기 화학식 중 하나를 갖는 제2 전구체로부터 유도되는 것인 전자 구조체:
    Figure 112010015250604-pct00013
    상기 식 중, R1, R2, R3, R4, R5 및 R6은 동일하거나 상이할 수 있고, 수소, 알킬, 알케닐 또는 알키닐 기 중에서 선택되며, 이들 기는 선형, 분지형, 고리형, 다고리형일 수 있고, 산소, 질소 또는 불소 함유 치환체에 의해 작용화될 수 있다.
  55. 배선 구조체에 있어서 레벨내 또는 레벨간 유전체로서 절연 재료 층들을 보유하는 전자 구조체로서,
    제1 절연 재료 층에 매립된 제1 금속 영역을 갖는 예비 처리된 반도체 기판;
    제2 절연 재료 층에 매립된 제1 전도체 영역으로서, 상기 제2 절연 재료 층은 상기 제1 절연 재료 층과 친밀한 접촉 상태로 존재하고 상기 제1 전도체 영역은 상기 제1 금속 영역과 전기 소통하는 것인 제1 전도체 영역;
    상기 제1 전도체 영역과 전기 소통하고 제3 절연 재료 층에 매립된 제2 전도체 영역으로서, 상기 제3 절연 재료 층은 상기 제2 절연 재료 층과 친밀한 접촉 상태로 존재하는 것인 제2 전도체 영역; 및
    상기 제2 절연 재료 층과 상기 제3 절연 재료 층 중 하나 이상에 증착된 초저 k 유전체 재료를 포함하는 재료로 형성된 확산 차단 층
    을 포함하고, 상기 초저 k 재료는 Si, C, O 및 H, 그리고 다수의 나노미터 크기의 소공을 포함하며, 상기 초저 k 재료는 2.5 이하의 유전 상수, 및 Si-O 흡수 피크, Si-CH3 흡수 피크 및 복수개의 C-H 흡수 피크를 포함하는 FTIR 스펙트럼을 보유하며, 여기서 Si-O 흡수 피크는 3개의 피크로 풀어지고, 상기 Si, C, O 및 H의 원소는 분자식 SiRR'R"R"'(식 중, R, R', R" 및 R"'는 동일하거나 상이하며, H, 알킬 및 알콕시 중에서 선택됨)을 갖는 제1 전구체, 및 하기 화학식 중 하나를 갖는 제2 전구체로부터 유도되는 것인 전자 구조체:
    Figure 112010015250604-pct00014
    상기 식 중, R1, R2, R3, R4, R5 및 R6은 동일하거나 상이할 수 있고, 수소, 알킬, 알케닐 또는 알키닐 기 중에서 선택되며, 이들 기는 선형, 분지형, 고리형, 다고리형일 수 있고, 산소, 질소 또는 불소 함유 치환체에 의해 작용화될 수 있다.
  56. 배선 구조체에 있어서 레벨내 또는 레벨간 유전체로서 절연 재료 층들을 보유하는 전자 구조체로서,
    제1 절연 재료 층에 매립된 제1 금속 영역을 갖는 예비 처리된 반도체 기판; 및
    제2 절연 재료 층에 매립된 제1 전도체 영역으로서, 상기 제2 절연 재료 층은 상기 제1 절연 재료 층과 친밀한 접촉 상태로 존재하고 상기 제1 전도체 영역은 상기 제1 금속 영역과 전기 소통하는 것인 제1 전도체 영역;
    상기 제1 전도체 영역과 전기 소통하고 제3 절연 재료 층에 매립된 제2 전도체 영역으로서, 상기 제3 절연 재료 층은 상기 제2 절연 재료 층과 친밀한 접촉 상태로 존재하는 것인 제2 전도체 영역;
    상기 제2 절연 재료 층의 상부에 위치한 반응성 이온 에칭(RIE) 하드 마스크/폴리싱 정지 층; 및
    상기 RIE 하드 마스크/폴리싱 정지 층의 상부에 위치한 확산 차단 층
    을 포함하고, 상기 RIE 하드 마스크/폴리싱 정지 층 및 상기 확산 차단 층은 초저 k 유전체 재료로 형성되고, 상기 초저 k 재료는 Si, C, O 및 H, 그리고 다수의 나노미터 크기의 소공을 포함하며, 상기 초저 k 재료는 2.5 이하의 유전 상수, 및 Si-O 흡수 피크, Si-CH3 흡수 피크 및 복수개의 C-H 흡수 피크를 포함하는 FTIR 스펙트럼을 보유하며, 여기서 Si-O 흡수 피크는 3개의 피크로 풀어지고, 상기 Si, C, O 및 H의 원소는 분자식 SiRR'R"R"'(식 중, R, R', R" 및 R"'는 동일하거나 상이하며, H, 알킬 및 알콕시 중에서 선택됨)을 갖는 제1 전구체, 및 하기 화학식 중 하나를 갖는 제2 전구체로부터 유도되는 것인 전자 구조체:
    Figure 112010015250604-pct00015
    상기 식 중, R1, R2, R3, R4, R5 및 R6은 동일하거나 상이할 수 있고, 수소, 알킬, 알케닐 또는 알키닐 기 중에서 선택되며, 이들 기는 선형, 분지형, 고리형, 다고리형일 수 있고, 산소, 질소 또는 불소 함유 치환체에 의해 작용화될 수 있다.
  57. 청구항 57은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    배선 구조체에 있어서 레벨내 또는 레벨간 유전체로서 절연 재료 층들을 보유하는 전자 구조체로서,
    제1 절연 재료 층에 매립된 제1 금속 영역을 갖는 예비 처리된 반도체 기판; 및
    제2 절연 재료 층에 매립된 제1 전도체 영역으로서, 상기 제2 절연 재료 층은 상기 제1 절연 재료 층과 친밀한 접촉 상태로 존재하고 상기 제1 전도체 영역은 상기 제1 금속 영역과 전기 소통하는 것인 제1 전도체 영역;
    상기 제1 전도체 영역과 전기 소통하고 제3 절연 재료 층에 매립된 제2 전도체 영역으로서, 상기 제3 절연 재료 층은 상기 제2 절연 재료 층과 친밀한 접촉 상태로 존재하는 것인 제2 전도체 영역;
    상기 제2 절연 재료 층의 상부에 위치한 제1 RIE 하드 마스크/폴리싱 정지 층;
    상기 제1 RIE 하드 마스크/폴리싱 정지 층의 상부에 위치한 제1 확산 차단 층 ;
    상기 제3 절연 재료 층의 상부에 위치한 제2 RIE 하드 마스크/폴리싱 정지 층; 및
    상기 제2 RIE 하드 마스크/폴리싱 정지 층의 상부에 위치한 제2 확산 차단 층
    을 포함하고, 상기 RIE 하드 마스크/폴리싱 정지 층 및 상기 확산 차단 층은 초저 k 유전체 재료로 형성되고, 상기 초저 k 유전체 재료는 Si, C, O 및 H, 그리고 다수의 나노미터 크기의 소공을 포함하며, 상기 초저 k 재료는 2.8 이하의 유전 상수, 및 Si-O 흡수 피크, Si-CH3 흡수 피크 및 복수개의 C-H 흡수 피크를 포함하는 FTIR 스펙트럼을 보유하며, 여기서 Si-O 흡수 피크는 3개의 피크로 풀어지고, 상기 Si, C, O 및 H의 원소는 분자식 SiRR'R"R"'(식 중, R, R', R" 및 R"'는 동일하거나 상이하며, H, 알킬 및 알콕시 중에서 선택됨)을 갖는 제1 전구체, 및 하기 화학식 중 하나를 갖는 제2 전구체로부터 유도되는 것인 전자 구조체:
    Figure 112010015250604-pct00016
    상기 식 중, R1, R2, R3, R4, R5 및 R6은 동일하거나 상이할 수 있고, 수소, 알킬, 알케닐 또는 알키닐 기 중에서 선택되며, 이들 기는 선형, 분지형, 고리형, 다고리형일 수 있고, 산소, 질소 또는 불소 함유 치환체에 의해 작용화될 수 있다.
  58. 삭제
  59. 삭제
  60. 삭제
  61. 삭제
  62. 삭제
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