JP6345006B2 - インクジェット記録ヘッド用基板の製造方法 - Google Patents
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Description
基板上に蓄熱層を形成する工程と、前記蓄熱層上に接する、電気熱変換部を含む発熱抵抗体層を形成する工程と、を備えるインクジェット記録ヘッド用基板の製造方法において、
前記蓄熱層を形成する工程が、気相法でポーラス状の環状シロキサン膜を成膜する工程を含むことを特徴とするインクジェット記録ヘッド用基板の製造方法、が提供される。
[インクジェット記録装置の説明]
図4Aは、本発明に係るインクジェット記録ヘッドを搭載可能なインクジェット記録装置を示す概略斜視図である。図4Aに示すように、リードスクリュー5004は、駆動モータ5013の正逆回転に連動して駆動力伝達ギア5008,5009を介して回転する。キャリッジHCはインクジェットヘッドユニット410を載置可能であり、リードスクリュー5004の螺旋溝5005に係合するピン(不図示)を有しており、リードスクリュー5004が回転することによって矢印a,b方向に往復移動される。
図4Bはインクジェットヘッドユニットの一例を示す斜視図である。インクジェットヘッドユニット410は、インクジェット記録ヘッド1と、インクジェット記録ヘッド1へ供給するインクを収容するインク収容部404を備え、これらが一体となったインクジェットカートリッジを構成している。インクジェット記録ヘッド1は図4Aに示す記録媒体Pに対向する面に設けられている。なお、これらは必ずしも一体になっている必要はなく、インク収容部404が取り外し可能な形態を取ることもできる。402はインクジェット記録ヘッド1に電力を供給するための端子を有するTAB(Tape Automated Bonding)用のテープ部材である。このテープ部材402は、記録装置本体から接点403を介して電力や各種信号をやり取りすることができる。図4Cは、本発明の第一の実施形態に係るインクジェット記録ヘッド1の模式的な斜視図である。
以下、本発明の一実施形態に係るインクジェット記録ヘッド用基板及びインクジェット記録ヘッドの製造工程の一例を説明する。
図2(a)〜(e)は図1(a)に示したインクジェット記録ヘッド1の製造工程を説明するための模式的断面図である。
なお、以下の製造工程は、Siでなる基板101、ないしは電気熱変換部108を選択的に駆動するためのスイッチングトランジスタ等の半導体素子でなる駆動素子が予め作り込こまれた基板に対して実施されるものである。しかし簡略化のために、以下の図ではSiでなる基板101が図示されている(図2(a))。
駆動周波数:10KHz、駆動パルス幅:2μsec
駆動電圧:インクを吐出する発泡電圧の1.3倍
◎:5.0×109パルス以上の耐久がある。
○:3.0×109パルス以上5.0×109パルス未満で破断する。
×:3.0×109パルス未満で破断する。
◎:熱伝導率が1.00W・K−1・m−1未満、かつ熱ストレスによる耐久評価で5.0×109パルス以上の耐久がある。
○:熱伝導率が1.00W・K−1・m−1未満、かつ熱ストレスによる耐久評価で3.0×109パルス以上5.0×109パルス未満で破断する。または、熱伝導率が1.00W・K−1・m−1以上1.30 W・K−1・m−1未満であり、かつ熱ストレスによる耐久評価で5.0×109パルス以上まで破断しない。
×:上記以外。
実施例1の原料ガスに代えて、テトラフルオロシラン(SiF4)、酸素ガス及び水素ガスを用いて、表2に示した2A〜2Fの成膜条件で蓄熱層102を形成した。形成された蓄熱層は、下記式(D)の環状シロキサン構造を持つポーラス状のSiOFHからなるものと推定される。
実施例1の原料ガスに代えて、テトラフルオロシラン(SiF4)、トリメチルシラン(3MS)、及び酸素ガスを用いて、表3に示した3A〜3Fの成膜条件にて蓄熱層102を形成した。形成された蓄熱層は、下記式(E)の環状シロキサン構造を持つポーラス状のSiOCHF膜からなるものと推定される。
実施例1の原料ガスに代えて、トリメチルシラン(3MS)、三フッ化窒素(NF3)及び酸素ガスを用いて、表4に示した4A〜4Fの成膜条件で蓄熱層102を0.5〜2μmの膜厚で形成した。形成された蓄熱層は、例えば、下記式(F)のような環状シロキサン構造を持つポーラス状のSiOCHNFからなるものと推定される。
以下、本発明の別の実施形態に係るインクジェットヘッド用基板の製造工程の一例を説明する。図3(a)〜(f)は図1(b)に示したインクジェット記録ヘッド1の製造工程を説明するための模式的断面図である。
さらにその封孔処理膜103上に実施例1と同様に発熱抵抗体層104、配線層105、絶縁保護層106、液流路116を構成する流路形成部材120、インク供給口107となる貫通口を形成した(図3(c)〜(f))。以上の工程を経て、本実施例のインクジェット記録ヘッド1は製造される。
100 インクジェット記録ヘッド用基板
101 基板
102 蓄熱層(環状シロキサン膜)
103 封孔処理膜
104 発熱抵抗体層
105 配線層
106 絶縁保護層
107 インク供給口
108 電気熱変換部
116 液流路
117 熱作用部
120 流路形成部材
121 インク吐出口
201 ヒータ
202 トッププレート
203 シャワープレート
204 マスフローコントローラ
205 基板
206 RF電源
207 成膜室
410 インクジェットヘッドユニット
Claims (17)
- 基板上に蓄熱層を形成する工程と、前記蓄熱層上に接する、電気熱変換部を含む発熱抵抗体層を形成する工程と、を備えるインクジェット記録ヘッド用基板の製造方法において、
前記蓄熱層を形成する工程は、気相法でポーラス状の環状シロキサン膜を成膜する工程を含むことを特徴とするインクジェット記録ヘッド用基板の製造方法。 - 前記環状シロキサン膜は、環骨格を構成するシロキサン単位(−Si−O−)nの結合数nが3〜20である請求項1に記載のインクジェット記録ヘッド用基板の製造方法。
- 前記環状シロキサン膜が、構成原子としてSi,O,C,Hを含む請求項2に記載のインクジェット記録ヘッド用基板の製造方法。
- 前記環状シロキサン膜を成膜する工程は、ジエトキシメチルシランとノルボルナジエンを原料ガスとして用いるプラズマCVD法にて実施される請求項3に記載のインクジェット記録ヘッド用基板の製造方法。
- ジエトキシメチルシラン:ノルボルナジエンのガス流量比が、10:90から50:50までの範囲である請求項4に記載のインクジェット記録ヘッド用基板の製造方法。
- 前記環状シロキサン膜が、構成原子としてSi,O,F,Hを含む請求項2に記載のインクジェット記録ヘッド用基板の製造方法。
- 前記環状シロキサン膜を成膜する工程は、テトラフルオロシラン、酸素ガス、及び水素ガスを用いるプラズマCVD法にて実施される請求項6に記載のインクジェット記録ヘッド用基板の製造方法。
- テトラフルオロシラン、水素ガス、酸素ガスの各流量が、テトラフルオロシラン50sccmに対して、水素ガスが50〜15sccm、酸素ガスが40〜12sccmの範囲である請求項7に記載のインクジェット記録ヘッド用基板の製造方法。
- 前記環状シロキサン膜が、構成原子としてSi,O,C,H,Fを含む請求項2に記載のインクジェット記録ヘッド用基板の製造方法。
- 前記環状シロキサン膜を成膜する工程は、トリメチルシラン、テトラフルオロシラン、及び酸素ガスを原料ガスとして用いるプラズマCVD法にて実施される請求項9に記載のインクジェット記録ヘッド用基板の製造方法。
- 前記環状シロキサン膜が、構成原子としてSi,O,C,H,N,Fを含む請求項2に記載のインクジェット記録ヘッド用基板の製造方法。
- 前記環状シロキサン膜を成膜する工程は、トリメチルシラン、三フッ化窒素、及び酸素ガスを原料ガスとして用いるプラズマCVD法にて実施される請求項11に記載のインクジェット記録ヘッド用基板の製造方法。
- 前記環状シロキサン膜が、30%以上60%以下の範囲の空孔率を有する請求項3乃至5のいずれか1項に記載のインクジェット記録ヘッド用基板の製造方法。
- 前記環状シロキサン膜が、30%以上65%以下の範囲の空孔率を有する請求項6乃至12のいずれか1項に記載のインクジェット記録ヘッド用基板の製造方法。
- 前記蓄熱層の形成が、気相法で環状シロキサン膜を成膜する工程と、該環状シロキサン膜の上に該膜の表面の空孔を封止する封孔処理膜を成膜する工程とを含む請求項1乃至14のいずれか1項に記載のインクジェット記録ヘッド用基板の製造方法。
- 前記封孔処理膜が、窒化シリコン膜である請求項15に記載のインクジェット記録ヘッド用基板の製造方法。
- 前記発熱抵抗体層上に前記発熱抵抗体層に電気的に接続される配線層を形成する工程と、前記発熱抵抗体層及び前記配線層を覆う絶縁保護層を形成する工程と、をさらに含む請求項1乃至16のいずれか1項に記載のインクジェット記録ヘッド用基板の製造方法。
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