JP2016016578A5 - インクジェット記録ヘッド用基板の製造方法 - Google Patents
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Description
本発明は、インクジェット方式によりインクを吐出して記録媒体に記録を行うためのインクジェット記録ヘッド用基板の製造方法に関するものである。
本発明の一態様によれば、上記目的を達成するものとして、
基板上に蓄熱層を形成する工程と、前記蓄熱層上に接する、電気熱変換部を含む発熱抵抗体層を形成する工程と、を備えるインクジェット記録ヘッド用基板の製造方法において、
前記蓄熱層を形成する工程が、気相法でポーラス状の環状シロキサン膜を成膜する工程を含むことを特徴とするインクジェット記録ヘッド用基板の製造方法、が提供される。
基板上に蓄熱層を形成する工程と、前記蓄熱層上に接する、電気熱変換部を含む発熱抵抗体層を形成する工程と、を備えるインクジェット記録ヘッド用基板の製造方法において、
前記蓄熱層を形成する工程が、気相法でポーラス状の環状シロキサン膜を成膜する工程を含むことを特徴とするインクジェット記録ヘッド用基板の製造方法、が提供される。
Claims (17)
- 基板上に蓄熱層を形成する工程と、前記蓄熱層上に接する、電気熱変換部を含む発熱抵抗体層を形成する工程と、を備えるインクジェット記録ヘッド用基板の製造方法において、
前記蓄熱層を形成する工程は、気相法でポーラス状の環状シロキサン膜を成膜する工程を含むことを特徴とするインクジェット記録ヘッド用基板の製造方法。 - 前記環状シロキサン膜は、環骨格を構成するシロキサン単位（−Ｓｉ−Ｏ−）ｎの結合数ｎが３〜２０である請求項１に記載のインクジェット記録ヘッド用基板の製造方法。
- 前記環状シロキサン膜が、構成原子としてＳｉ，Ｏ，Ｃ，Ｈを含む請求項２に記載のインクジェット記録ヘッド用基板の製造方法。
- 前記環状シロキサン膜を成膜する工程は、ジエトキシメチルシランとノルボルナジエンを原料ガスとして用いるプラズマＣＶＤ法にて実施される請求項３に記載のインクジェット記録ヘッド用基板の製造方法。
- ジエトキシメチルシラン：ノルボルナジエンのガス流量比が、１０：９０から５０：５０までの範囲である請求項４に記載のインクジェット記録ヘッド用基板の製造方法。
- 前記環状シロキサン膜が、構成原子としてＳｉ，Ｏ，Ｆ，Ｈを含む請求項２に記載のインクジェット記録ヘッド用基板の製造方法。
- 前記環状シロキサン膜を成膜する工程は、テトラフルオロシラン、酸素ガス、及び水素ガスを用いるプラズマＣＶＤ法にて実施される請求項６に記載のインクジェット記録ヘッド用基板の製造方法。
- テトラフルオロシラン、水素ガス、酸素ガスの各流量が、テトラフルオロシラン５０ｓｃｃｍに対して、水素ガスが５０〜１５ｓｃｃｍ、酸素ガスが４０〜１２ｓｃｃｍの範囲である請求項７に記載のインクジェット記録ヘッド用基板の製造方法。
- 前記環状シロキサン膜が、構成原子としてＳｉ，Ｏ，Ｃ，Ｈ，Ｆを含む請求項２に記載のインクジェット記録ヘッド用基板の製造方法。
- 前記環状シロキサン膜を成膜する工程は、トリメチルシラン、テトラフルオロシラン、及び酸素ガスを原料ガスとして用いるプラズマＣＶＤ法にて実施される請求項９に記載のインクジェット記録ヘッド用基板の製造方法。
- 前記環状シロキサン膜が、構成原子としてＳｉ，Ｏ，Ｃ，Ｈ，Ｎ，Ｆを含む請求項２に記載のインクジェット記録ヘッド用基板の製造方法。
- 前記環状シロキサン膜を成膜する工程は、トリメチルシラン、三フッ化窒素、及び酸素ガスを原料ガスとして用いるプラズマＣＶＤ法にて実施される請求項１１に記載のインクジェット記録ヘッド用基板の製造方法。
- 前記環状シロキサン膜が、３０％以上６０％以下の範囲の空孔率を有する請求項３乃至５のいずれか１項に記載のインクジェット記録ヘッド用基板の製造方法。
- 前記環状シロキサン膜が、３０％以上６５％以下の範囲の空孔率を有する請求項６乃至１２のいずれか１項に記載のインクジェット記録ヘッド用基板の製造方法。
- 前記蓄熱層の形成が、気相法で環状シロキサン膜を成膜する工程と、該環状シロキサン膜の上に該膜の表面の空孔を封止する封孔処理膜を成膜する工程とを含む請求項１乃至１４のいずれか１項に記載のインクジェット記録ヘッド用基板の製造方法。
- 前記封孔処理膜が、窒化シリコン膜である請求項１５に記載のインクジェット記録ヘッド用基板の製造方法。
- 前記発熱抵抗体層上に前記発熱抵抗体層に電気的に接続される配線層を形成する工程と、前記発熱抵抗体層及び前記配線層を覆う絶縁保護層を形成する工程と、をさらに含む請求項１乃至１６のいずれか１項に記載のインクジェット記録ヘッド用基板の製造方法。
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