JP2011135084A5 - - Google Patents
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- チャンバ内でプラズマ化学気相成長法（ＰＥＣＶＤ）を用いて２５０℃よりも下の温度で無機ＳｉＯ2膜を堆積する方法であって、オルトケイ酸テトラエチル（ＴＥＯＳ）及びＯ2を前駆体として１５：１と２５：１との間のＯ2／ＴＥＯＳ比で供給することを含むことを特徴とする方法。
- 前記前駆体を、ＲＦ駆動シャワーヘッドを用いて堆積し、前記ＲＦ駆動シャワーヘッドを、高周波成分及び低周波成分を用いて駆動する請求項１に記載の方法。
- 前記高周波成分は、１３．５６ＭＨｚであり、前記低周波成分は、３５０ｋＨｚ−２ＭＨｚである請求項２に記載の方法。
- 前記高周波成分で供給される電力は、前記低周波成分で供給される電力の２倍である請求項２又は３に記載の方法。
- 堆積された膜にＨ2プラズマ処理を施すことを更に含む請求項１から４のうちのいずれか１項に記載の方法。
- 前記Ｈ2プラズマ処理を真空破壊後に施す請求項５に記載の方法。
- 前記Ｈ2プラズマ処理は、前記膜の表面にＳｉ−Ｈ結合を形成し又は再形成する請求項５又は６に記載の方法。
- ＴＥＯＳ前駆体及び前駆体を含む酸素を用いたＳｉＯ2膜のＰＥＣＶＤの方法であって、堆積された膜にＨ2プラズマ処理を施すことを含むことを特徴とする方法。
- 前記前駆体を、ＲＦ駆動シャワーヘッドを用いて堆積し、前記ＲＦ駆動シャワーヘッドを、高周波成分及び低周波成分を用いて駆動する請求項８に記載の方法。
- ＲＦ駆動シャワーヘッドを用いて堆積されるＴＥＯＳ前駆体及び前駆体を含む酸素を用いた２５０℃より下の温度でのＳｉＯ2膜のＰＥＣＶＤの方法であって、前記ＲＦ駆動シャワーヘッドを、高周波成分及び低周波成分を用いて駆動することを特徴とする方法。
- 前記高周波成分は、１３．５６ＭＨｚであり、前記低周波成分は、３５０ｋＨｚ−２ＭＨｚである請求項１０に記載の方法。
- 前記膜を、１５０℃−２００℃の範囲の温度で堆積する請求項１から１１のうちのいずれか１項に記載の方法。
- 前記Ｈ2プラズマ処理に対して単一の無線周波数を用いる請求項５から７のうちのいずれか１項に記載の方法。
- 前記単一の無線周波数は１３．５６ＭＨｚである請求項１３に記載の方法。
- 前記プラズマ温度は、１２５℃−２５０℃の範囲である請求項５から７のうちのいずれか１項に記載の方法。
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