JP2014116576A5

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Publication number: JP2014116576A5
Application number: JP2013096456A
Authority: JP
Filing date: 2013-05-01
Publication date: 2016-07-07
Anticipated expiration: 2033-05-01

Description

また、本発明の更に別の側面に係るＳｉＣＯ膜は、Ｓｉ原子、Ｏ原子、Ｃ原子、及びＨ原子を含む重合体からなるＳｉＣＯ膜であって、該ＳｉＣＯ膜をフーリエ変換赤外分光法によって分析して得たスペクトルの信号のうち、波数１０１０ｃｍ^−１近傍に見られる信号、波数１０５０ｃｍ^−１近傍に見られる信号、波数１０７５ｃｍ^−１近傍に見られる信号、波数１１０８ｃｍ^−１近傍に見られる信号、及び波数１１４０ｃｍ^−１近傍に見られる信号の信号面積の総和を１００％としたときに、波数１１０８ｃｍ^−１近傍に見られる信号の面積比が２５％以上である。

上述した複数の波数近傍に見られる信号はそれぞれ、互いに異なる結合角を有するシロキサン結合を示す信号であり、これら信号のうち波数１１０８ｃｍ^−１近傍に見られる信号は、結合角が約１５０°のシロキサン結合を示す信号である。波数１１０８ｃｍ^−１近傍に見られる信号の面積比が２５％以上である場合には、ＳｉＣＯ膜は、その直鎖構造の対称性を高めるシロキサン結合を多く含むようになる。したがって、当該ＳｉＣＯ膜は、低い比誘電率を有するＳｉＣＯ膜となる。

Claims

プラズマ生成室と該プラズマ生成室の下方の処理室とを含む空間を画成する処理容器と、
前記処理室に設けられた載置台と、
前記プラズマ生成室に希ガスを供給する第１のガス供給系と、
前記プラズマ生成室を封止するように設けられた誘電体窓と、
前記誘電体窓を介して前記プラズマ生成室にマイクロ波を供給するアンテナと、
前記処理室に前駆体ガスを供給する第２のガス供給系と、
前記プラズマ生成室と前記処理室との間に設けられており、該プラズマ生成室と該処理室とを連通させる複数の開口を有し、紫外線に対する遮蔽性を有する遮蔽部と、
前記処理室に接続された排気装置と、
を備え、
前記プラズマ生成室の圧力が前記処理室の圧力の４倍以上に設定され、且つ、前記処理室から前記プラズマ生成室への前記前駆体ガスの拡散度が、０．０１以下に設定されており、ここで、前記拡散度は、前記処理室への前記前駆体ガスの流量が１ｓｃｃｍ増加したときの前記プラズマ生成室の圧力のパスカル単位での増加量として定義される、成膜装置。
前記遮蔽部に接続されたバイアス電源であり、前記プラズマ生成室において生成されたイオンを前記遮蔽部に引き込むためのバイアス電力を前記遮蔽部に与える該バイアス電源を更に備える、請求項１に記載の成膜装置。
前記第１のガス供給系は、前記プラズマ生成室に、前記希ガスと共に水素ガスを供給する、請求項２に記載の成膜装置。
前記第２のガス供給系は、前記処理室に、前記前駆体ガスと共にトルエンガスを供給する、請求項１〜３の何れか一項に記載の成膜装置。
前記遮蔽部は、４０ｃｍ以上の直径を有する、請求項１〜４の何れか一項に記載の成膜装置。
前記遮蔽部は、前記プラズマ生成室から前記処理室に向かうイオンに電子を供与する請求項１〜５の何れか一項に記載の成膜装置。
処理容器内の処理室に設けられた被処理基体上に低誘電率膜を形成する方法であって、
前記処理容器内において前記処理室の上方に設けられたプラズマ生成室においてマイクロ波を用いて希ガスのプラズマを生成し、
前記プラズマ生成室と前記処理室との間に設けられており、該プラズマ生成室と該処理室とを連通させる複数の開口を有し、紫外線に対する遮蔽性を有する遮蔽部を介して、前記プラズマ生成室から前記処理室に粒子を供給し、
前記処理室に前駆体ガスを供給する、
ことを含み、
前記プラズマ生成室の圧力が前記処理室の圧力の４倍以上に設定され、且つ、前記処理室から前記プラズマ生成室への前記前駆体ガスの拡散度が、０．０１以下に設定されており、ここで、前記拡散度は、前記処理室への前記前駆体ガスの流量が１ｓｃｃｍ増加したときの前記プラズマ生成室の圧力のパスカル単位での増加量として定義される、方法。
比誘電率が２．７より小さく、且つ、屈折率が１．５より大きい、ＳｉＣＯ膜。
請求項８に記載のＳｉＣＯ膜をキャップ層として有する、ダマシン配線構造。
Ｓｉ原子、Ｏ原子、Ｃ原子、及びＨ原子を含む重合体からなるＳｉＣＯ膜であって、
該ＳｉＣＯ膜をフーリエ変換赤外分光法によって分析して得たスペクトルの信号のうち、波数１０１０ｃｍ^−１近傍に見られる信号、波数１０５０ｃｍ^−１近傍に見られる信号、波数１０７５ｃｍ^−１近傍に見られる信号、波数１１０８ｃｍ^−１近傍に見られる信号、及び波数１１４０ｃｍ^−１近傍に見られる信号の信号面積の総和を１００％としたときに、波数１１０８ｃｍ^−１近傍に見られる信号の面積比が２５％以上である、
ＳｉＣＯ膜。
前記波数１１０８ｃｍ^−１近傍に見られる信号の面積比が４０％以上であり、波数１１０８ｃｍ^−１近傍に見られる信号の全半値幅が３５以下である、請求項１０に記載のＳｉＣＯ膜。