JP2013016859A5 - - Google Patents
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- 窒素含有気体と、以下の式:
[RR1N]xSiR3 y(R2)z
{式中、x+y+z=4、x=1〜3、y=0〜2、及びz=1〜3であり;R、R1及びR3が、水素、C1〜C10アルカン、C2〜C10アルケン、又はC4〜C12芳香族から選択され;各R2が、ビニル、アリル、又はビニル含有官能基である。}を有する前駆体〔ビス(ジメチルアミノ)メチルビニルシランを除く。〕とを反応させることを含む、窒化シリコン薄膜又は炭窒化シリコン薄膜の堆積方法。 - 前記前駆体が、ビス(イソプロピルアミノ)ビニルメチルシラン(BIPAVMS)、ビス(イソプロピルアミノ)ジビニルシラン(BIPADVS)、ビス(イソプロピルアミノ)ビニルシラン、ビス(イソプロピルアミノ)アリルメチルシラン、ビス(イソプロピルアミノ)アリルシラン、ビス(t-ブチルアミノ)ビニルメチルシラン、ビス(t-ブチルアミノ)ビニルシラン、ビス(t-ブチルアミノ)アリルメチルシラン、ビス(t-ブチルアミノ)アリルシラン、ビス(ジエチルアミノ)ビニルメチルシラン、ビス(ジエチルアミノ)ジビニルシラン、ビス(ジエチルアミノ)ビニルシラン、ビス(ジエチルアミノ)アリルメチルシラン、ビス(ジエチルアミノ)アリルシラン、ビス(ジメチルアミノ)ビニルメチルシラン、ビス(ジメチルアミノ)ジビニルシラン、ビス(ジメチルアミノ)ビニルシラン、ビス(ジメチルアミノ)アリルメチルシラン、ビス(ジメチルアミノ)ジアリルシラン、ビス(ジメチルアミノ)アリルシラン、ビス(メチルエチルアミノ)ビニルメチルシラン、ビス(メチルエチルアミノ)ビニルシラン、ビス(メチルエチルアミノ)アリルメチルシラン、ビス(メチルエチルアミノ)アリルシラン、ジピペリジノビニルメチルシラン、ジピペリジノビニルシラン、ジピペリジノアリルメチルシラン、ジピペリジノジアリルシラン、ジピペリジノアリルシラン、ジピロリジノビニルメチルシラン、ジピロリジノビニルシラン、ジピロリジノアリルメチルシラン、ジピロリジノジアリルシラン、ジピロリジノアリルシランから成る群から選ばれる、請求項1に記載の窒化シリコン薄膜又は炭窒化シリコン薄膜の堆積方法。
- 以下の式:
[RR1N]xSiR3 y(R2)z
{式中、x+y+z=4、x=1〜3、y=0〜2、及びz=1〜3であり;R、R1及びR3が、水素、C1〜C10アルカン、C2〜C10アルケン、又はC4〜C12芳香族から選択され;各R2が、ビニル、アリル、又はビニル含有官能基である。}を有する、気相堆積方法によって薄膜を堆積するための前駆体〔ビス(ジメチルアミノシラン)を除く。〕。 - 前記前駆体が、ビス(イソプロピルアミノ)ビニルメチルシラン(BIPAVMS)、ビス(イソプロピルアミノ)ジビニルシラン(BIPADVS)、ビス(イソプロピルアミノ)ビニルシラン、ビス(イソプロピルアミノ)アリルメチルシラン、ビス(イソプロピルアミノ)アリルシラン、ビス(t-ブチルアミノ)ビニルメチルシラン、ビス(t-ブチルアミノ)ビニルシラン、ビス(t-ブチルアミノ)アリルメチルシラン、ビス(t-ブチルアミノ)アリルシラン、ビス(ジエチルアミノ)ビニルメチルシラン、ビス(ジエチルアミノ)ジビニルシラン、ビス(ジエチルアミノ)ビニルシラン、ビス(ジエチルアミノ)アリルメチルシラン、ビス(ジエチルアミノ)アリルシラン、ビス(ジメチルアミノ)ビニルメチルシラン、ビス(ジメチルアミノ)ジビニルシラン、ビス(ジメチルアミノ)ビニルシラン、ビス(ジメチルアミノ)アリルメチルシラン、ビス(ジメチルアミノ)ジアリルシラン、ビス(ジメチルアミノ)アリルシラン、ビス(メチルエチルアミノ)ビニルメチルシラン、ビス(メチルエチルアミノ)ビニルシラン、ビス(メチルエチルアミノ)アリルメチルシラン、ビス(メチルエチルアミノ)アリルシラン、ジピペリジノビニルメチルシラン、ジピペリジノビニルシラン、ジピペリジノアリルメチルシラン、ジピペリジノジアリルシラン、ジピペリジノアリルシラン、ジピロリジノビニルメチルシラン、ジピロリジノビニルシラン、ジピロリジノアリルメチルシラン、ジピロリジノジアリルシラン、ジピロリジノアリルシランから成る群から選ばれる、請求項1に記載の気相堆積方法によって薄膜を堆積するための前駆体。
- ビス(イソプロピルアミノ)ビニルメチルシラン(BIPAVMS)を含む、請求項4に記載の気相堆積方法によって薄膜を堆積するための前駆体。
- ビス(イソプロピルアミノ)ジビニルシラン(BIPADVS)を含む、請求項4に記載の気相堆積方法によって薄膜を堆積するための前駆体。
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US11362408P | 2008-11-12 | 2008-11-12 | |
US61/113,624 | 2008-11-12 | ||
US12/609,542 US8580993B2 (en) | 2008-11-12 | 2009-10-30 | Amino vinylsilane precursors for stressed SiN films |
US12/609,542 | 2009-10-30 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009259203A Division JP5175261B2 (ja) | 2008-11-12 | 2009-11-12 | 応力を加えたSiN膜用アミノ・ビニルシラン前駆体 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013016859A JP2013016859A (ja) | 2013-01-24 |
JP2013016859A5 true JP2013016859A5 (ja) | 2013-03-07 |
JP5508496B2 JP5508496B2 (ja) | 2014-05-28 |
Family
ID=41509788
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009259203A Expired - Fee Related JP5175261B2 (ja) | 2008-11-12 | 2009-11-12 | 応力を加えたSiN膜用アミノ・ビニルシラン前駆体 |
JP2012214658A Active JP5508496B2 (ja) | 2008-11-12 | 2012-09-27 | 応力を加えたSiN膜用アミノ・ビニルシラン前駆体 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009259203A Expired - Fee Related JP5175261B2 (ja) | 2008-11-12 | 2009-11-12 | 応力を加えたSiN膜用アミノ・ビニルシラン前駆体 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US8580993B2 (ja) |
EP (2) | EP2192207B1 (ja) |
JP (2) | JP5175261B2 (ja) |
KR (2) | KR101396139B1 (ja) |
CN (2) | CN101899651B (ja) |
TW (2) | TWI437117B (ja) |
Families Citing this family (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8580993B2 (en) * | 2008-11-12 | 2013-11-12 | Air Products And Chemicals, Inc. | Amino vinylsilane precursors for stressed SiN films |
US8889235B2 (en) * | 2009-05-13 | 2014-11-18 | Air Products And Chemicals, Inc. | Dielectric barrier deposition using nitrogen containing precursor |
US9997357B2 (en) | 2010-04-15 | 2018-06-12 | Lam Research Corporation | Capped ALD films for doping fin-shaped channel regions of 3-D IC transistors |
US8637411B2 (en) | 2010-04-15 | 2014-01-28 | Novellus Systems, Inc. | Plasma activated conformal dielectric film deposition |
US9373500B2 (en) | 2014-02-21 | 2016-06-21 | Lam Research Corporation | Plasma assisted atomic layer deposition titanium oxide for conformal encapsulation and gapfill applications |
US9892917B2 (en) | 2010-04-15 | 2018-02-13 | Lam Research Corporation | Plasma assisted atomic layer deposition of multi-layer films for patterning applications |
US9257274B2 (en) | 2010-04-15 | 2016-02-09 | Lam Research Corporation | Gapfill of variable aspect ratio features with a composite PEALD and PECVD method |
US8460753B2 (en) | 2010-12-09 | 2013-06-11 | Air Products And Chemicals, Inc. | Methods for depositing silicon dioxide or silicon oxide films using aminovinylsilanes |
US8647993B2 (en) * | 2011-04-11 | 2014-02-11 | Novellus Systems, Inc. | Methods for UV-assisted conformal film deposition |
EP3929326A3 (en) * | 2011-06-03 | 2022-03-16 | Versum Materials US, LLC | Compositions and processes for depositing carbon-doped silicon-containing films |
JP6538300B2 (ja) | 2012-11-08 | 2019-07-03 | ノベラス・システムズ・インコーポレーテッドNovellus Systems Incorporated | 感受性基材上にフィルムを蒸着するための方法 |
US9564312B2 (en) | 2014-11-24 | 2017-02-07 | Lam Research Corporation | Selective inhibition in atomic layer deposition of silicon-containing films |
US10566187B2 (en) | 2015-03-20 | 2020-02-18 | Lam Research Corporation | Ultrathin atomic layer deposition film accuracy thickness control |
KR20170019668A (ko) * | 2015-08-12 | 2017-02-22 | (주)디엔에프 | 플라즈마 원자층 증착법을 이용한 실리콘 질화 박막의 제조방법 |
US9773643B1 (en) | 2016-06-30 | 2017-09-26 | Lam Research Corporation | Apparatus and method for deposition and etch in gap fill |
US10062563B2 (en) | 2016-07-01 | 2018-08-28 | Lam Research Corporation | Selective atomic layer deposition with post-dose treatment |
WO2018016871A1 (ko) * | 2016-07-22 | 2018-01-25 | (주)디엔에프 | 플라즈마 원자층 증착법을 이용한 실리콘 질화 박막의 제조방법 |
US10037884B2 (en) | 2016-08-31 | 2018-07-31 | Lam Research Corporation | Selective atomic layer deposition for gapfill using sacrificial underlayer |
US10269559B2 (en) | 2017-09-13 | 2019-04-23 | Lam Research Corporation | Dielectric gapfill of high aspect ratio features utilizing a sacrificial etch cap layer |
SG11202111962QA (en) | 2019-05-01 | 2021-11-29 | Lam Res Corp | Modulated atomic layer deposition |
KR20210118284A (ko) * | 2020-03-19 | 2021-09-30 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
CN114447435A (zh) * | 2022-01-21 | 2022-05-06 | 恒实科技发展(南京)有限公司 | 用于锂二次电池的非水电解液及其制备方法和应用 |
Family Cites Families (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2854787B2 (ja) * | 1993-08-31 | 1999-02-03 | 信越化学工業株式会社 | シリコーンゴム組成物の製造方法 |
JP3430097B2 (ja) | 1999-12-22 | 2003-07-28 | 日本電気株式会社 | 薄膜トランジスタアレイ基板の製造方法 |
JP2002246381A (ja) * | 2001-02-15 | 2002-08-30 | Anelva Corp | Cvd方法 |
JP2004223769A (ja) * | 2003-01-20 | 2004-08-12 | Dainippon Printing Co Ltd | 透明積層フィルム、反射防止フィルム及びそれを用いた偏光板、液晶表示装置 |
US7122222B2 (en) * | 2003-01-23 | 2006-10-17 | Air Products And Chemicals, Inc. | Precursors for depositing silicon containing films and processes thereof |
US7579496B2 (en) * | 2003-10-10 | 2009-08-25 | Advanced Technology Materials, Inc. | Monosilane or disilane derivatives and method for low temperature deposition of silicon-containing films using the same |
JP2005310861A (ja) | 2004-04-19 | 2005-11-04 | Mitsui Chemicals Inc | 炭化窒化珪素膜の形成方法 |
US7129187B2 (en) * | 2004-07-14 | 2006-10-31 | Tokyo Electron Limited | Low-temperature plasma-enhanced chemical vapor deposition of silicon-nitrogen-containing films |
US20060045986A1 (en) | 2004-08-30 | 2006-03-02 | Hochberg Arthur K | Silicon nitride from aminosilane using PECVD |
JP2006120992A (ja) | 2004-10-25 | 2006-05-11 | C Bui Res:Kk | シリコン窒化膜の製造方法及びその製造装置 |
US20060182885A1 (en) * | 2005-02-14 | 2006-08-17 | Xinjian Lei | Preparation of metal silicon nitride films via cyclic deposition |
JP2006294485A (ja) | 2005-04-13 | 2006-10-26 | Konica Minolta Holdings Inc | 有機エレクトロルミネッセンス素子、その製造方法及び表示装置 |
US7875556B2 (en) | 2005-05-16 | 2011-01-25 | Air Products And Chemicals, Inc. | Precursors for CVD silicon carbo-nitride and silicon nitride films |
US7732342B2 (en) | 2005-05-26 | 2010-06-08 | Applied Materials, Inc. | Method to increase the compressive stress of PECVD silicon nitride films |
JP5158856B2 (ja) * | 2005-05-31 | 2013-03-06 | 東邦チタニウム株式会社 | アミノシラン化合物、オレフィン類重合用触媒成分および触媒並びにこれを用いたオレフィン類重合体の製造方法 |
JP2007092166A (ja) * | 2005-09-02 | 2007-04-12 | Japan Advanced Institute Of Science & Technology Hokuriku | 薄膜堆積装置、薄膜堆積方法及び化合物薄膜 |
US20080142046A1 (en) * | 2006-12-13 | 2008-06-19 | Andrew David Johnson | Thermal F2 etch process for cleaning CVD chambers |
US7790635B2 (en) * | 2006-12-14 | 2010-09-07 | Applied Materials, Inc. | Method to increase the compressive stress of PECVD dielectric films |
EP2123445A4 (en) | 2007-02-05 | 2012-04-11 | Konica Minolta Holdings Inc | TRANSPARENT FILM THAT IS WATERPROOFABLE AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME |
JP5391557B2 (ja) * | 2007-02-28 | 2014-01-15 | 住友化学株式会社 | 共役ジエン系重合体、共役ジエン系重合体の製造方法及び共役ジエン系重合体組成物 |
US8580993B2 (en) * | 2008-11-12 | 2013-11-12 | Air Products And Chemicals, Inc. | Amino vinylsilane precursors for stressed SiN films |
-
2009
- 2009-10-30 US US12/609,542 patent/US8580993B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2009-11-09 TW TW100140431A patent/TWI437117B/zh not_active IP Right Cessation
- 2009-11-09 TW TW098137987A patent/TWI412622B/zh not_active IP Right Cessation
- 2009-11-11 KR KR1020090108666A patent/KR101396139B1/ko active IP Right Grant
- 2009-11-12 EP EP09175806A patent/EP2192207B1/en not_active Not-in-force
- 2009-11-12 CN CN2009102468369A patent/CN101899651B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2009-11-12 CN CN201110404812.9A patent/CN102491990B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2009-11-12 JP JP2009259203A patent/JP5175261B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2009-11-12 EP EP12159248A patent/EP2465861A1/en not_active Withdrawn
-
2012
- 2012-09-27 JP JP2012214658A patent/JP5508496B2/ja active Active
- 2012-12-28 KR KR1020120156542A patent/KR101553863B1/ko active IP Right Grant
-
2013
- 2013-11-04 US US14/070,957 patent/US20140065844A1/en not_active Abandoned
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