JP2013016859A5 - - Google Patents
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- 窒素含有気体と、以下の式：
［RR1N］xSiR3 y（R2）z
｛式中、x＋y＋z＝4、x＝1〜3、y＝0〜2、及びz＝1〜3であり；R、R1及びR3が、水素、C1〜C10アルカン、C2〜C10アルケン、又はC4〜C12芳香族から選択され；各R2が、ビニル、アリル、又はビニル含有官能基である。｝を有する前駆体〔ビス（ジメチルアミノ）メチルビニルシランを除く。〕とを反応させることを含む、窒化シリコン薄膜又は炭窒化シリコン薄膜の堆積方法。 - 前記前駆体が、ビス（イソプロピルアミノ）ビニルメチルシラン（BIPAVMS）、ビス（イソプロピルアミノ）ジビニルシラン（BIPADVS）、ビス（イソプロピルアミノ）ビニルシラン、ビス（イソプロピルアミノ）アリルメチルシラン、ビス（イソプロピルアミノ）アリルシラン、ビス（t-ブチルアミノ）ビニルメチルシラン、ビス（t-ブチルアミノ）ビニルシラン、ビス（t-ブチルアミノ）アリルメチルシラン、ビス（t-ブチルアミノ）アリルシラン、ビス（ジエチルアミノ）ビニルメチルシラン、ビス（ジエチルアミノ）ジビニルシラン、ビス（ジエチルアミノ）ビニルシラン、ビス（ジエチルアミノ）アリルメチルシラン、ビス（ジエチルアミノ）アリルシラン、ビス（ジメチルアミノ）ビニルメチルシラン、ビス（ジメチルアミノ）ジビニルシラン、ビス（ジメチルアミノ）ビニルシラン、ビス（ジメチルアミノ）アリルメチルシラン、ビス（ジメチルアミノ）ジアリルシラン、ビス（ジメチルアミノ）アリルシラン、ビス（メチルエチルアミノ）ビニルメチルシラン、ビス（メチルエチルアミノ）ビニルシラン、ビス（メチルエチルアミノ）アリルメチルシラン、ビス（メチルエチルアミノ）アリルシラン、ジピペリジノビニルメチルシラン、ジピペリジノビニルシラン、ジピペリジノアリルメチルシラン、ジピペリジノジアリルシラン、ジピペリジノアリルシラン、ジピロリジノビニルメチルシラン、ジピロリジノビニルシラン、ジピロリジノアリルメチルシラン、ジピロリジノジアリルシラン、ジピロリジノアリルシランから成る群から選ばれる、請求項１に記載の窒化シリコン薄膜又は炭窒化シリコン薄膜の堆積方法。
- 以下の式：
［RR1N］xSiR3 y（R2）z
｛式中、x＋y＋z＝4、x＝1〜3、y＝0〜2、及びz＝1〜3であり；R、R1及びR3が、水素、C1〜C10アルカン、C2〜C10アルケン、又はC4〜C12芳香族から選択され；各R2が、ビニル、アリル、又はビニル含有官能基である。｝を有する、気相堆積方法によって薄膜を堆積するための前駆体〔ビス（ジメチルアミノシラン）を除く。〕。 - 前記前駆体が、ビス（イソプロピルアミノ）ビニルメチルシラン（BIPAVMS）、ビス（イソプロピルアミノ）ジビニルシラン（BIPADVS）、ビス（イソプロピルアミノ）ビニルシラン、ビス（イソプロピルアミノ）アリルメチルシラン、ビス（イソプロピルアミノ）アリルシラン、ビス（t-ブチルアミノ）ビニルメチルシラン、ビス（t-ブチルアミノ）ビニルシラン、ビス（t-ブチルアミノ）アリルメチルシラン、ビス（t-ブチルアミノ）アリルシラン、ビス（ジエチルアミノ）ビニルメチルシラン、ビス（ジエチルアミノ）ジビニルシラン、ビス（ジエチルアミノ）ビニルシラン、ビス（ジエチルアミノ）アリルメチルシラン、ビス（ジエチルアミノ）アリルシラン、ビス（ジメチルアミノ）ビニルメチルシラン、ビス（ジメチルアミノ）ジビニルシラン、ビス（ジメチルアミノ）ビニルシラン、ビス（ジメチルアミノ）アリルメチルシラン、ビス（ジメチルアミノ）ジアリルシラン、ビス（ジメチルアミノ）アリルシラン、ビス（メチルエチルアミノ）ビニルメチルシラン、ビス（メチルエチルアミノ）ビニルシラン、ビス（メチルエチルアミノ）アリルメチルシラン、ビス（メチルエチルアミノ）アリルシラン、ジピペリジノビニルメチルシラン、ジピペリジノビニルシラン、ジピペリジノアリルメチルシラン、ジピペリジノジアリルシラン、ジピペリジノアリルシラン、ジピロリジノビニルメチルシラン、ジピロリジノビニルシラン、ジピロリジノアリルメチルシラン、ジピロリジノジアリルシラン、ジピロリジノアリルシランから成る群から選ばれる、請求項１に記載の気相堆積方法によって薄膜を堆積するための前駆体。
- ビス（イソプロピルアミノ）ビニルメチルシラン（ＢＩＰＡＶＭＳ）を含む、請求項４に記載の気相堆積方法によって薄膜を堆積するための前駆体。
- ビス（イソプロピルアミノ）ジビニルシラン（ＢＩＰＡＤＶＳ）を含む、請求項４に記載の気相堆積方法によって薄膜を堆積するための前駆体。
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