JP2009519612A5 - - Google Patents

Claims (14)

1. 低誘電率膜を堆積させる方法であって：
   第一有機シリコン化合物を第一流量でチャンバへ導入するステップであって、該第一有機シリコン化合物がＳｉ原子あたり平均一つ以上のＳｉ-Ｃ結合を有し、該第一有機シリコン化合物は少なくとも一つのＳｉ−Ｈ結合を有する、前記ステップと；
   第二有機シリコン化合物を第二流量で該チャンバへ導入するステップであって、該第二有機シリコン化合物のＳｉ原子あたりのＳｉ-Ｃ結合の平均数が、該第一有機シリコン化合物におけるＳｉ原子あたりのＳｉ-Ｃ結合の平均数より大きく、且つ該第一流量と該第二流量の合計量に対して該第二流量が約５％〜約５０％である、前記ステップと；
   該第一有機シリコン化合物と該第二有機シリコン化合物をＲＦ電力の存在下に反応させて、該チャンバ内で基板上に低誘電率膜を堆積させるステップと；
   を含む、前記方法。
2. 該第一有機シリコン化合物が、少なくとも一つのＳｉ-Ｏ結合を含む、請求項１に記載の方法。
3. 該第一有機シリコン化合物が、二つのＳｉ-Ｏ結合を含む、請求項２に記載の方法。
4. 該第二有機シリコン化合物が、酸素を含む、請求項１に記載の方法。
5. 該第二有機シリコン化合物が、ジメチルシラン、トリメチルシラン、テトラメチルシラン、（Ｃ_６Ｈ_５)_ｙＳｉＨ_４−ｙ、ここで、ｙは２−４である、（ＣＨ_２＝ＣＨ)_ｚＳｉＨ_４−ｚ、ここで、ｚは２−４である、１,１,３,３−テトラメチルジシロキサン、ヘキサメチルジシロキサン、ヘキサメチルトリシロキサン、オクタメチルシクロテトラシロキサン、デカメチルペンタシロキサン、ジメチルジエトキシシラン、メチルフェニルジエトキシシラン、ＣＦ_３−Ｓｉ−(ＣＨ_３)_３、及びそれらの部分的にフッ素化された炭素誘導体からなる群より選ばれる、請求項１に記載の方法。
6. 酸化ガスを該チャンバへ導入するステップを更に含む、請求項１に記載の方法。
7. 該低誘電率膜をＵＶ、電子ビーム、熱後処理、又はそれらの組合わせで後処理するステップを更に含む、請求項１に記載の方法。
8. 低誘電率膜を堆積させる方法であって：
   第一有機シリコン化合物を第一流量でチャンバへ導入するステップであって、該第一有機シリコン化合物がＳｉ原子あたり平均一つ以上のＳｉ−Ｃ結合を有し、該第一有機シリコン化合物は少なくとも一つのＳｉ−Ｈ結合を有する、前記ステップと；
   第二有機シリコン化合物を第二流量で該チャンバへ導入するステップであって、該第二有機シリコン化合物のＳｉ原子あたりのＳｉ−Ｃ結合の平均数が、該第一有機シリコン化合物におけるＳｉ原子あたりのＳｉ−Ｃ結合の該平均数より大きく、且つ該第一流量と該第二流量の合計量に対して該第二流量が約５％〜約５０％である、前記ステップと；
   熱に不安定な化合物を該チャンバへ導入するステップと；
   該第一有機シリコン化合物と、該第二有機シリコン化合物と、該熱に不安定な化合物とをＲＦ電力の存在下に反応させて、該チャンバ内で基板上に低誘電率膜を堆積させる、前記ステップと；
   を含む、前記方法。
9. 該熱に不安定な化合物が炭化水素である、請求項８に記載の方法。
10. 該炭化水素が、環状炭化水素である、請求項９に記載の方法。
11. 該環状炭化水素が、アルファ-テルピネン、ノルボルナジエン、ビニルシクロヘキサン、及び酢酸フェニルからなる群より選ばれる、請求項１０に記載の方法。
12. 該低誘電率膜をＵＶ、電子ビーム、熱後処理、又はそれらの組合わせで後処理するステップを更に含む、請求項８に記載の方法。
13. 低誘電率膜を堆積させる方法であって：
    メチルジエトキシシランを第一流量でチャンバへ導入するステップと；
    トリメチルシランを第二流量で該チャンバへ導入するステップであって、該第一流量と該第二流量の合計量に対し該第二流量が約５％〜約５０％である、前記ステップと；
    アルファ-テルピネンを該チャンバへ導入するステップと；
    該メチルジエトキシシランと、トリメチルシランと、アルファ-テルピネンとをＲＦ電力の存在下に反応させて、該チャンバ内で基板上に低誘電率膜を堆積させる、前記ステップと；
    を含む、前記方法。
14. 該第一流量と該第二流量の合計で割った該第二流量が、約１０％〜約４５％である、請求項１３に記載の方法。