JP2012084912A5 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- JP2012084912A5 JP2012084912A5 JP2011278688A JP2011278688A JP2012084912A5 JP 2012084912 A5 JP2012084912 A5 JP 2012084912A5 JP 2011278688 A JP2011278688 A JP 2011278688A JP 2011278688 A JP2011278688 A JP 2011278688A JP 2012084912 A5 JP2012084912 A5 JP 2012084912A5
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- porogen
- composition
- precursor
- atomic
- cyclooctane
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Description
本発明を、いくつかの好ましい実施形態に関して、記載してきたが、本発明の範囲はそれらの実施形態よりも広いと考えられ、以下の請求の範囲から確認すべきである。
本発明の実施態様としては下記の態様をあげることができる:
〈1〉下記式によって表される多孔性有機シリカガラスフィルムを製造するための化学気相蒸着方法であって:
式Si v O w C x H y F z
(式中、v+w+x+y+z=100原子%、vは10〜35原子%、wは10〜65原子%、xは5〜30原子%、yは10〜50原子%、かつzは0〜15原子%である)
下記の工程を含む、化学気相蒸着方法:
基材を真空チャンバー内に提供すること;
真空チャンバー内に、オルガノシラン及びオルガノシロキサンからなる群から選択される少なくとも1種の前駆体、及び前駆体から区別しうるポロゲンを含むガス状試薬を導入すること、ここで、ポロゲンは非分岐構造を有しかつ2以下の不飽和度を有するC 4 〜C 14 環状炭化水素化合物である;
エネルギーを真空チャンバー中のガス状試薬に適用してガス状試薬の反応を誘導し、予備的フィルムを基材上に蒸着させること、ここで、予備的フィルムはホロゲンを含有する;及び
不安定有機物質の実質的全てを予備的フィルムから除去して細孔を有しかつ誘電定数が2.6未満である多孔性フィルムを提供すること。
〈2〉上記誘電定数が2.2未満である、上記〈1〉項に記載の方法。
〈3〉vが20〜30原子%であり、wが20〜45原子%であり、xが5〜20原子%であり、yが15〜40原子%であって、zが0である、上記〈1〉項に記載の方法。
〈4〉上記エネルギーがプラズマエネルギーであって、上記ポロゲンが紫外線照射への曝露によって除去される、上記〈1〉項に記載の方法。
〈5〉上記多孔性フィルム中の水素のほとんどが炭素に結合している、上記〈1〉項に記載の方法。
〈6〉上記多孔性フィルムが1.5g/ml未満の密度を有する、上記〈1〉項に記載の方法。
〈7〉上記細孔が5nm以下の球体相当直径を有する、上記〈1〉項に記載の方法。
〈8〉上記多孔性フィルムのフーリエ変換赤外(FTIR)スペクトルが、ポロゲン前駆体がないことを除いて上記方法と実質的に同一の方法によって調製された対照フィルムの対照FTIRと実質的に同一である、上記〈1〉項に記載の方法。
〈9〉上記多孔性フィルムがN 2 中で425℃の等温下で1.0wt%/時間未満の平均重量損失を有する、上記〈1〉項に記載の方法。
〈10〉上記多孔性フィルムが空気中で425℃の等温下で1.0wt%/時間未満の平均重量損失を有する、上記〈1〉項に記載の方法。
〈11〉上記ポロゲンがC 7 〜C 10 環状炭化水素化合物である、上記〈1〉項に記載の方法。
〈12〉上記ポロゲンがシクロオクタン、シクロヘプタン、シクロオクテン、シクロオクタジエン、シクロヘプテン、及びそれらの混合物からなる群から選択される、上記〈11〉項に記載の方法。
〈13〉上記ポロゲンがC 8 環状炭化水素化合物である、上記〈11〉項に記載の方法。
〈14〉上記ポロゲンがシクロオクタン、シクロオクテン、及びそれらの混合物からなる群から選択される、上記〈13〉項に記載の方法。
〈15〉上記ポロゲンがシクロオクタンである、上記〈14〉項に記載の方法。
〈16〉上記オルガノシロキサンがジエトキシメチルシラン(DEMS)である、上記〈1〉項に記載の方法。
〈17〉上記少なくとも1種の前駆体が下記の式によって表される、上記〈13〉項に記載の方法:
(a)式R 1 n (OR 2 ) p (O(O)CR 3 ) 4−(n+p) Si
(式中、R 1 は独立に、H、又はC 1 〜C 4 の、直鎖又は分岐鎖の、飽和、一不飽和又は多不飽和の、環状の、部分的に又は完全にフッ素化されている炭化水素であり;R 2 は独立に、C 1 〜C 6 の、直鎖又は分岐鎖の、飽和、一不飽和又は多不飽和の、環状の、芳香族の、部分的に又は完全にフッ素化されている炭化水素であり;R 3 は独立に、H、C 1 〜C 6 の、直鎖又は分岐鎖の、飽和、一不飽和又は多不飽和の、環状の、芳香族の、部分的に又は完全にフッ素化されている炭化水素であり;nは1〜3であり;pは0〜3である);
(b)式R 1 n (OR 2 ) p (O(O)CR 4 ) 3−n−p Si−O−SiR 3 m (O(O)CR 5 ) q (OR 6 ) 3−m−q
(式中、R 1 及びR 2 は独立に、H、又はC 1 〜C 4 の、直鎖又は分岐鎖の、飽和、一不飽和又は多不飽和の、環状の、部分的に又は完全にフッ素化されている炭化水素であり;R 2 及びR 6 は独立に、C 1 〜C 6 の、直鎖又は分岐鎖の、飽和、一不飽和又は多不飽和の、環状の、芳香族の、部分的に又は完全にフッ素化されている炭化水素であり;R 4 及びR 5 は独立に、H、C 1 〜C 6 の、直鎖又は分岐鎖の、飽和、一不飽和又は多不飽和の、環状の、芳香族の、部分的に又は完全にフッ素化されている炭化水素であり;nは0〜3であり;mは0〜3であり;qは0〜3であり;pは0〜3であり;ただし、n+m≧1、n+p≦3、及びm+q≦3である);
(c)式R 1 n (OR 2 ) p (O(O)CR 4 ) 3−n−p Si−SiR 3 m (O(O)CR 5 ) q (OR 6 ) 3−m−q
(式中、R 1 及びR 3 は独立に、H、又はC 1 〜C 4 の、直鎖又は分岐鎖の、飽和、一不飽和又は多不飽和の、環状の、部分的に又は完全にフッ素化されている炭化水素であり;R 2 及びR 6 は独立に、C 1 〜C 6 の、直鎖又は分岐鎖の、飽和、一不飽和又は多不飽和の、環状の、芳香族の、部分的に又は完全にフッ素化されている炭化水素であり;R 4 及びR 5 は独立に、H、C 1 〜C 6 の、直鎖又は分岐鎖の、飽和、一不飽和又は多不飽和の、環状の、芳香族の、部分的に又は完全にフッ素化されている炭化水素であり;nは0〜3であり;mは0〜3であり;qは0〜3であり;pは0〜3であり;ただし、n+m≧1、n+p≦3、及びm+q≦3である);
(d)式R 1 n(OR 2 ) p (O(O)CR 4 ) 3−n−p Si−R 7 −SiR 3 m (O(O)CR 5 )q(OR 6 ) 3−m−q
(式中、R 1 及びR 3 は独立に、H、又はC 1 〜C 4 の、直鎖又は分岐鎖の、飽和、一不飽和又は多不飽和の、環状の、部分的に又は完全にフッ素化されている炭化水素であり;R 2 、R 6 及びR 7 は独立に、C 1 〜C 6 の、直鎖又は分岐鎖の、飽和、一不飽和又は多不飽和の、環状の、芳香族の、部分的に又は完全にフッ素化されている炭化水素であり;R 4 及びR 5 は独立に、H、C 1 〜C 6 の、直鎖又は分岐鎖の、飽和、一不飽和又は多不飽和の、環状の、芳香族の、部分的に又は完全にフッ素化されている炭化水素であり;nは0〜3であり;mは0〜3であり;qは0〜3であり;pは0〜3であり;ただし、n+m≧1、n+p≦3、及びm+q≦3である);
(e)式(R 1 n (OR 2 ) p (O(O)CR 3 ) 4−(n+p) Si) t CH 4−t
(式中、R 1 は独立に、H、又はC 1 〜C 4 の、直鎖又は分岐鎖の、飽和、一不飽和又は多不飽和の、環状の、部分的に又は完全にフッ素化されている炭化水素であり;R 2 は独立に、C 1 〜C 6 の、直鎖又は分岐鎖の、飽和、一不飽和又は多不飽和の、環状の、芳香族の、部分的に又は完全にフッ素化されている炭化水素であり;R 3 は独立に、H、C 1 〜C 6 の、直鎖又は分岐鎖の、飽和、一不飽和又は多不飽和の、環状の、芳香族の、部分的に又は完全にフッ素化されている炭化水素であり;nは1〜3であり;pは0〜3であり;tは2〜4であり;ただし、n+p≦4である);
(f)式(R 1 n (OR 2 ) p (O(O)CR 3 ) 4−(n+p) Si) t NH 3−t
(式中、R 1 は独立に、H、C 1 〜C 4 の、直鎖又は分岐鎖の、飽和、一不飽和又は多不飽和の、環状の、部分的に又は完全にフッ素化されている炭化水素であり;R 2 は独立に、C 1 〜C 6 の、直鎖又は分岐鎖の、飽和、一不飽和又は多不飽和の、環状の、芳香族の、部分的に又は完全にフッ素化されている炭化水素であり;R 3 は独立に、H、C 1 〜C 6 の、直鎖又は分岐鎖の、飽和、一不飽和又は多不飽和の、環状の、芳香族の、部分的に又は完全にフッ素化されている炭化水素であり;nは1〜3であり;pは0〜3であり、tは1〜3であり;ただし、n+p≦4である);又は
(g)式(OSiR 1 R 3 ) x の環状シロキサン
(式中、R 1 及びR 3 は独立に、H、C 1 〜C 4 の、直鎖又は分岐鎖の、飽和、一不飽和又は多不飽和の、環状の、部分的に又は完全にフッ素化されている炭化水素であり;xは2〜8の整数である)。
〈18〉上記少なくとも1種の前駆体が、ジエトキシメチルシラン、ジメトキシメチルシラン、ジイソプロポキシメチルシラン、ジ−t−ブトキシメチルシラン、メチルトリエトキシシラン、メチルトリメトキシシラン、メチルトリイソプロポキシシラン、メチルトリ−t−ブトキシシラン、ジメチルジメトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、ジメチルジイソプロポキシシラン、ジメチルジ−t−ブトキシシラン、及びテトラエトキシシランからなる群から選択される、上記〈14〉項に記載の方法。
〈19〉上記少なくとも1種の前駆体が、2以下のSi−O結合を有する第1の有機ケイ素前駆体、及び3以上のSi−O結合を有する第2の有機ケイ素前駆体の混合物であって、上記混合物が、多孔性フィルムの化学組成を調整するように提供される、上記〈1〉項に記載の方法。
〈20〉上記ガス状試薬が、ジエトキシメチルシラン及びテトラエトキシシランの混合物を含む、上記〈1〉項に記載の方法。
〈21〉下記の成分を含有する、組成物:
(a)(i)ジエトキシメチルシラン、ジメトキシメチルシラン、ジ−イソプロポキシメチルシラン、ジ−t−ブトキシメチルシラン、メチルトリエトキシシラン、メチルトリメトキシシラン、メチルトリ−イソプロポキシシラン、メチルトリ−t−ブトキシシラン、ジメチルジメトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、ジメチルジ−イソプロポキシシラン、ジメチルジ−t−ブトキシシラン、及びテトラエトキシシラン、トリメチルシラン、テトラメチルシラン、ジエトキシメチルシラン、ジメトキシメチルシラン、ジターシャリーブトキシメチルシラン、メチルトリエトキシシラン、ジメチルジメトキシシラン、ジメチルエトキシシラン、メチルトリアセトキシシラン、メチルジアセトキシシラン、メチルエトキシジシロキサン、ジメチルジアセトキシシラン、ビス(トリメトキシシリル)メタン、ビス(ジメトキシシリル)メタン、テトラエトキシシラン、トリエトキシシラン、及びそれらの混合物からなる群から選択される少なくとも1種の前駆体;及び
(ii)上記少なくとも1種の前駆体から区別されうるポロゲンであって、シクロオクテン、シクロヘプテン、シクロオクタン、シクロオクタジエン、シクロヘプタン、シクロヘプタジエン、シクロヘプタトリエン、及びそれらの混合物から選択されるポロゲン。
〈22〉上記ポロゲン及び上記前駆体が、別々の容器に維持されるキットで提供される、上記〈21〉項に記載の組成物。
〈23〉上記容器の少なくとも1つが、圧縮可能なステンレス鋼容器である、上記〈22〉項に記載の組成物。
〈24〉上記ポロゲン及び上記前駆体が、上記ポロゲン及び上記前駆体を別々に維持するための分離手段を有する単一の容器中に維持さている、上記〈21〉項に記載の組成物。
本発明の実施態様としては下記の態様をあげることができる:
〈1〉下記式によって表される多孔性有機シリカガラスフィルムを製造するための化学気相蒸着方法であって:
式Si v O w C x H y F z
(式中、v+w+x+y+z=100原子%、vは10〜35原子%、wは10〜65原子%、xは5〜30原子%、yは10〜50原子%、かつzは0〜15原子%である)
下記の工程を含む、化学気相蒸着方法:
基材を真空チャンバー内に提供すること;
真空チャンバー内に、オルガノシラン及びオルガノシロキサンからなる群から選択される少なくとも1種の前駆体、及び前駆体から区別しうるポロゲンを含むガス状試薬を導入すること、ここで、ポロゲンは非分岐構造を有しかつ2以下の不飽和度を有するC 4 〜C 14 環状炭化水素化合物である;
エネルギーを真空チャンバー中のガス状試薬に適用してガス状試薬の反応を誘導し、予備的フィルムを基材上に蒸着させること、ここで、予備的フィルムはホロゲンを含有する;及び
不安定有機物質の実質的全てを予備的フィルムから除去して細孔を有しかつ誘電定数が2.6未満である多孔性フィルムを提供すること。
〈2〉上記誘電定数が2.2未満である、上記〈1〉項に記載の方法。
〈3〉vが20〜30原子%であり、wが20〜45原子%であり、xが5〜20原子%であり、yが15〜40原子%であって、zが0である、上記〈1〉項に記載の方法。
〈4〉上記エネルギーがプラズマエネルギーであって、上記ポロゲンが紫外線照射への曝露によって除去される、上記〈1〉項に記載の方法。
〈5〉上記多孔性フィルム中の水素のほとんどが炭素に結合している、上記〈1〉項に記載の方法。
〈6〉上記多孔性フィルムが1.5g/ml未満の密度を有する、上記〈1〉項に記載の方法。
〈7〉上記細孔が5nm以下の球体相当直径を有する、上記〈1〉項に記載の方法。
〈8〉上記多孔性フィルムのフーリエ変換赤外(FTIR)スペクトルが、ポロゲン前駆体がないことを除いて上記方法と実質的に同一の方法によって調製された対照フィルムの対照FTIRと実質的に同一である、上記〈1〉項に記載の方法。
〈9〉上記多孔性フィルムがN 2 中で425℃の等温下で1.0wt%/時間未満の平均重量損失を有する、上記〈1〉項に記載の方法。
〈10〉上記多孔性フィルムが空気中で425℃の等温下で1.0wt%/時間未満の平均重量損失を有する、上記〈1〉項に記載の方法。
〈11〉上記ポロゲンがC 7 〜C 10 環状炭化水素化合物である、上記〈1〉項に記載の方法。
〈12〉上記ポロゲンがシクロオクタン、シクロヘプタン、シクロオクテン、シクロオクタジエン、シクロヘプテン、及びそれらの混合物からなる群から選択される、上記〈11〉項に記載の方法。
〈13〉上記ポロゲンがC 8 環状炭化水素化合物である、上記〈11〉項に記載の方法。
〈14〉上記ポロゲンがシクロオクタン、シクロオクテン、及びそれらの混合物からなる群から選択される、上記〈13〉項に記載の方法。
〈15〉上記ポロゲンがシクロオクタンである、上記〈14〉項に記載の方法。
〈16〉上記オルガノシロキサンがジエトキシメチルシラン(DEMS)である、上記〈1〉項に記載の方法。
〈17〉上記少なくとも1種の前駆体が下記の式によって表される、上記〈13〉項に記載の方法:
(a)式R 1 n (OR 2 ) p (O(O)CR 3 ) 4−(n+p) Si
(式中、R 1 は独立に、H、又はC 1 〜C 4 の、直鎖又は分岐鎖の、飽和、一不飽和又は多不飽和の、環状の、部分的に又は完全にフッ素化されている炭化水素であり;R 2 は独立に、C 1 〜C 6 の、直鎖又は分岐鎖の、飽和、一不飽和又は多不飽和の、環状の、芳香族の、部分的に又は完全にフッ素化されている炭化水素であり;R 3 は独立に、H、C 1 〜C 6 の、直鎖又は分岐鎖の、飽和、一不飽和又は多不飽和の、環状の、芳香族の、部分的に又は完全にフッ素化されている炭化水素であり;nは1〜3であり;pは0〜3である);
(b)式R 1 n (OR 2 ) p (O(O)CR 4 ) 3−n−p Si−O−SiR 3 m (O(O)CR 5 ) q (OR 6 ) 3−m−q
(式中、R 1 及びR 2 は独立に、H、又はC 1 〜C 4 の、直鎖又は分岐鎖の、飽和、一不飽和又は多不飽和の、環状の、部分的に又は完全にフッ素化されている炭化水素であり;R 2 及びR 6 は独立に、C 1 〜C 6 の、直鎖又は分岐鎖の、飽和、一不飽和又は多不飽和の、環状の、芳香族の、部分的に又は完全にフッ素化されている炭化水素であり;R 4 及びR 5 は独立に、H、C 1 〜C 6 の、直鎖又は分岐鎖の、飽和、一不飽和又は多不飽和の、環状の、芳香族の、部分的に又は完全にフッ素化されている炭化水素であり;nは0〜3であり;mは0〜3であり;qは0〜3であり;pは0〜3であり;ただし、n+m≧1、n+p≦3、及びm+q≦3である);
(c)式R 1 n (OR 2 ) p (O(O)CR 4 ) 3−n−p Si−SiR 3 m (O(O)CR 5 ) q (OR 6 ) 3−m−q
(式中、R 1 及びR 3 は独立に、H、又はC 1 〜C 4 の、直鎖又は分岐鎖の、飽和、一不飽和又は多不飽和の、環状の、部分的に又は完全にフッ素化されている炭化水素であり;R 2 及びR 6 は独立に、C 1 〜C 6 の、直鎖又は分岐鎖の、飽和、一不飽和又は多不飽和の、環状の、芳香族の、部分的に又は完全にフッ素化されている炭化水素であり;R 4 及びR 5 は独立に、H、C 1 〜C 6 の、直鎖又は分岐鎖の、飽和、一不飽和又は多不飽和の、環状の、芳香族の、部分的に又は完全にフッ素化されている炭化水素であり;nは0〜3であり;mは0〜3であり;qは0〜3であり;pは0〜3であり;ただし、n+m≧1、n+p≦3、及びm+q≦3である);
(d)式R 1 n(OR 2 ) p (O(O)CR 4 ) 3−n−p Si−R 7 −SiR 3 m (O(O)CR 5 )q(OR 6 ) 3−m−q
(式中、R 1 及びR 3 は独立に、H、又はC 1 〜C 4 の、直鎖又は分岐鎖の、飽和、一不飽和又は多不飽和の、環状の、部分的に又は完全にフッ素化されている炭化水素であり;R 2 、R 6 及びR 7 は独立に、C 1 〜C 6 の、直鎖又は分岐鎖の、飽和、一不飽和又は多不飽和の、環状の、芳香族の、部分的に又は完全にフッ素化されている炭化水素であり;R 4 及びR 5 は独立に、H、C 1 〜C 6 の、直鎖又は分岐鎖の、飽和、一不飽和又は多不飽和の、環状の、芳香族の、部分的に又は完全にフッ素化されている炭化水素であり;nは0〜3であり;mは0〜3であり;qは0〜3であり;pは0〜3であり;ただし、n+m≧1、n+p≦3、及びm+q≦3である);
(e)式(R 1 n (OR 2 ) p (O(O)CR 3 ) 4−(n+p) Si) t CH 4−t
(式中、R 1 は独立に、H、又はC 1 〜C 4 の、直鎖又は分岐鎖の、飽和、一不飽和又は多不飽和の、環状の、部分的に又は完全にフッ素化されている炭化水素であり;R 2 は独立に、C 1 〜C 6 の、直鎖又は分岐鎖の、飽和、一不飽和又は多不飽和の、環状の、芳香族の、部分的に又は完全にフッ素化されている炭化水素であり;R 3 は独立に、H、C 1 〜C 6 の、直鎖又は分岐鎖の、飽和、一不飽和又は多不飽和の、環状の、芳香族の、部分的に又は完全にフッ素化されている炭化水素であり;nは1〜3であり;pは0〜3であり;tは2〜4であり;ただし、n+p≦4である);
(f)式(R 1 n (OR 2 ) p (O(O)CR 3 ) 4−(n+p) Si) t NH 3−t
(式中、R 1 は独立に、H、C 1 〜C 4 の、直鎖又は分岐鎖の、飽和、一不飽和又は多不飽和の、環状の、部分的に又は完全にフッ素化されている炭化水素であり;R 2 は独立に、C 1 〜C 6 の、直鎖又は分岐鎖の、飽和、一不飽和又は多不飽和の、環状の、芳香族の、部分的に又は完全にフッ素化されている炭化水素であり;R 3 は独立に、H、C 1 〜C 6 の、直鎖又は分岐鎖の、飽和、一不飽和又は多不飽和の、環状の、芳香族の、部分的に又は完全にフッ素化されている炭化水素であり;nは1〜3であり;pは0〜3であり、tは1〜3であり;ただし、n+p≦4である);又は
(g)式(OSiR 1 R 3 ) x の環状シロキサン
(式中、R 1 及びR 3 は独立に、H、C 1 〜C 4 の、直鎖又は分岐鎖の、飽和、一不飽和又は多不飽和の、環状の、部分的に又は完全にフッ素化されている炭化水素であり;xは2〜8の整数である)。
〈18〉上記少なくとも1種の前駆体が、ジエトキシメチルシラン、ジメトキシメチルシラン、ジイソプロポキシメチルシラン、ジ−t−ブトキシメチルシラン、メチルトリエトキシシラン、メチルトリメトキシシラン、メチルトリイソプロポキシシラン、メチルトリ−t−ブトキシシラン、ジメチルジメトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、ジメチルジイソプロポキシシラン、ジメチルジ−t−ブトキシシラン、及びテトラエトキシシランからなる群から選択される、上記〈14〉項に記載の方法。
〈19〉上記少なくとも1種の前駆体が、2以下のSi−O結合を有する第1の有機ケイ素前駆体、及び3以上のSi−O結合を有する第2の有機ケイ素前駆体の混合物であって、上記混合物が、多孔性フィルムの化学組成を調整するように提供される、上記〈1〉項に記載の方法。
〈20〉上記ガス状試薬が、ジエトキシメチルシラン及びテトラエトキシシランの混合物を含む、上記〈1〉項に記載の方法。
〈21〉下記の成分を含有する、組成物:
(a)(i)ジエトキシメチルシラン、ジメトキシメチルシラン、ジ−イソプロポキシメチルシラン、ジ−t−ブトキシメチルシラン、メチルトリエトキシシラン、メチルトリメトキシシラン、メチルトリ−イソプロポキシシラン、メチルトリ−t−ブトキシシラン、ジメチルジメトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、ジメチルジ−イソプロポキシシラン、ジメチルジ−t−ブトキシシラン、及びテトラエトキシシラン、トリメチルシラン、テトラメチルシラン、ジエトキシメチルシラン、ジメトキシメチルシラン、ジターシャリーブトキシメチルシラン、メチルトリエトキシシラン、ジメチルジメトキシシラン、ジメチルエトキシシラン、メチルトリアセトキシシラン、メチルジアセトキシシラン、メチルエトキシジシロキサン、ジメチルジアセトキシシラン、ビス(トリメトキシシリル)メタン、ビス(ジメトキシシリル)メタン、テトラエトキシシラン、トリエトキシシラン、及びそれらの混合物からなる群から選択される少なくとも1種の前駆体;及び
(ii)上記少なくとも1種の前駆体から区別されうるポロゲンであって、シクロオクテン、シクロヘプテン、シクロオクタン、シクロオクタジエン、シクロヘプタン、シクロヘプタジエン、シクロヘプタトリエン、及びそれらの混合物から選択されるポロゲン。
〈22〉上記ポロゲン及び上記前駆体が、別々の容器に維持されるキットで提供される、上記〈21〉項に記載の組成物。
〈23〉上記容器の少なくとも1つが、圧縮可能なステンレス鋼容器である、上記〈22〉項に記載の組成物。
〈24〉上記ポロゲン及び上記前駆体が、上記ポロゲン及び上記前駆体を別々に維持するための分離手段を有する単一の容器中に維持さている、上記〈21〉項に記載の組成物。
Claims (11)
- 下記の成分を含有する、組成物:
(i)ジエトキシメチルシラン、ジメトキシメチルシラン、ジ−イソプロポキシメチルシラン、ジ−t−ブトキシメチルシラン、メチルトリエトキシシラン、メチルトリメトキシシラン、メチルトリ−イソプロポキシシラン、メチルトリ−t−ブトキシシラン、ジメチルジメトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、ジメチルジ−イソプロポキシシラン、ジメチルジ−t−ブトキシシラン、テトラエトキシシラン、トリメチルシラン、テトラメチルシラン、ジエトキシメチルシラン、ジメトキシメチルシラン、ジターシャリーブトキシメチルシラン、メチルトリエトキシシラン、ジメチルジメトキシシラン、ジメチルエトキシシラン、メチルトリアセトキシシラン、メチルジアセトキシシラン、メチルエトキシジシロキサン、ジメチルジアセトキシシラン、ビス(トリメトキシシリル)メタン、ビス(ジメトキシシリル)メタン、テトラエトキシシラン、トリエトキシシラン、及びそれらの混合物からなる群から選択される少なくとも1種の前駆体;並びに
(ii)前記少なくとも1種の前駆体から区別されうるポロゲンであって、シクロオクテン、シクロヘプテン、シクロオクタン、シクロオクタジエン、シクロヘプタン、シクロヘプタジエン、シクロヘプタトリエン、及びそれらの混合物から選択されるポロゲン。 - 前記ポロゲン及び前記前駆体が、別々の容器に維持されるキットで提供される、請求項1に記載の組成物。
- 前記容器の少なくとも1つが、圧縮可能なステンレス鋼容器である、請求項2に記載の組成物。
- 前記ポロゲン及び前記前駆体が、前記ポロゲン及び前記前駆体を別々に維持するための分離手段を有する単一の容器中に維持さている、請求項1に記載の組成物。
- 下記式によって表される多孔性有機シリカガラスフィルムを化学気相堆積法によって堆積させるための組成物であって:
式SivOwCxHyFz
(式中、v+w+x+y+z=100原子%、vは10〜35原子%、wは10〜65原子%、xは5〜30原子%、yは10〜50原子%、かつzは0〜15原子%である)
オルガノシラン及びオルガノシロキサンからなる群から選択される少なくとも1種の前駆体、及び
非分岐構造を有しかつ2以下の不飽和度を有するC4〜C14環状炭化水素化合物を含むポロゲン、
を含む、組成物。 - 前記ポロゲンがC7〜C10環状炭化水素化合物である、請求項1に記載の組成物。
- 前記ポロゲンが、シクロオクタン、シクロヘプタン、シクロオクテン、シクロオクタジエン、シクロヘプテン、及びそれらの混合物からなる群から選択される、請求項6に記載の組成物。
- 前記ポロゲンがC8環状炭化水素化合物である、請求項5に記載の組成物。
- 前記ポロゲンが、シクロオクタン、シクロオクテン、及びそれらの混合物からなる群から選択される、請求項5に記載の組成物。
- 前記ポロゲンが、シクロオクタンである、請求項9に記載の組成物。
- 前記オルガノシロキサンがジエトキシメチルシラン(DEMS)である、請求項1に記載の組成物。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US12/115,087 US20080268177A1 (en) | 2002-05-17 | 2008-05-05 | Porogens, Porogenated Precursors and Methods for Using the Same to Provide Porous Organosilica Glass Films with Low Dielectric Constants |
US12/115,087 | 2008-05-05 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009112216A Division JP5270442B2 (ja) | 2008-05-05 | 2009-05-01 | ポロゲン、ポロゲン化前駆体、および低誘電定数を有する多孔性有機シリカガラスフィルムを得るためにそれらを用いる方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012084912A JP2012084912A (ja) | 2012-04-26 |
JP2012084912A5 true JP2012084912A5 (ja) | 2012-06-14 |
Family
ID=40996827
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009112216A Active JP5270442B2 (ja) | 2008-05-05 | 2009-05-01 | ポロゲン、ポロゲン化前駆体、および低誘電定数を有する多孔性有機シリカガラスフィルムを得るためにそれらを用いる方法 |
JP2011278688A Pending JP2012084912A (ja) | 2008-05-05 | 2011-12-20 | ポロゲン、ポロゲン化前駆体、及び低誘電定数を有する多孔性有機シリカガラスフィルムを得るためにそれらを用いる方法 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009112216A Active JP5270442B2 (ja) | 2008-05-05 | 2009-05-01 | ポロゲン、ポロゲン化前駆体、および低誘電定数を有する多孔性有機シリカガラスフィルムを得るためにそれらを用いる方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20080268177A1 (ja) |
EP (1) | EP2116632A3 (ja) |
JP (2) | JP5270442B2 (ja) |
KR (5) | KR20090115915A (ja) |
CN (2) | CN103147066A (ja) |
TW (1) | TWI397606B (ja) |
Families Citing this family (24)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP2363512A1 (en) * | 2010-02-04 | 2011-09-07 | Air Products And Chemicals, Inc. | Methods to prepare silicon-containing films |
US8703625B2 (en) * | 2010-02-04 | 2014-04-22 | Air Products And Chemicals, Inc. | Methods to prepare silicon-containing films |
CN102859666B (zh) * | 2010-02-09 | 2015-05-13 | 西江大学校产学协力团 | 纳米多孔超低介电薄膜及其包括高温臭氧处理的制备方法 |
KR20130043084A (ko) * | 2010-02-17 | 2013-04-29 | 레르 리키드 쏘시에떼 아노님 뿌르 레?드 에렉스뿔라따시옹 데 프로세데 조르즈 클로드 | SiCOH 로우-K 필름의 증착 방법 |
CN102770580A (zh) * | 2010-02-25 | 2012-11-07 | 应用材料公司 | 藉由等离子体增强化学气相沉积使用含有具有机官能基的硅的杂化前驱物所形成的超低介电材料 |
CN101789418B (zh) * | 2010-03-11 | 2011-12-28 | 复旦大学 | 一种多孔超低介电常数材料薄膜及其制备方法 |
US8460753B2 (en) | 2010-12-09 | 2013-06-11 | Air Products And Chemicals, Inc. | Methods for depositing silicon dioxide or silicon oxide films using aminovinylsilanes |
US8441006B2 (en) * | 2010-12-23 | 2013-05-14 | Intel Corporation | Cyclic carbosilane dielectric films |
US8772154B2 (en) * | 2011-06-17 | 2014-07-08 | GlobalFoundries, Inc. | Integrated circuits including barrier polish stop layers and methods for the manufacture thereof |
US9054110B2 (en) * | 2011-08-05 | 2015-06-09 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Low-K dielectric layer and porogen |
DE102013215400A1 (de) * | 2013-08-06 | 2015-02-12 | Robert Bosch Gmbh | Silicat-Aerogel und Verfahren zu seiner Herstellung |
CN104008997A (zh) * | 2014-06-04 | 2014-08-27 | 复旦大学 | 一种超低介电常数绝缘薄膜及其制备方法 |
US9922818B2 (en) * | 2014-06-16 | 2018-03-20 | Versum Materials Us, Llc | Alkyl-alkoxysilacyclic compounds |
WO2016126911A2 (en) * | 2015-02-06 | 2016-08-11 | Air Products And Chemicals, Inc. | Compositions and methods using same for carbon doped silicon containing films |
US20180047898A1 (en) * | 2015-03-09 | 2018-02-15 | Versum Materials Us, Llc | Process for depositing porous organosilicate glass films for use as resistive random access memory |
US20170125241A1 (en) * | 2015-10-30 | 2017-05-04 | Applied Materials, Inc. | Low temp single precursor arc hard mask for multilayer patterning application |
US10249489B2 (en) * | 2016-11-02 | 2019-04-02 | Versum Materials Us, Llc | Use of silyl bridged alkyl compounds for dense OSG films |
US11749563B2 (en) | 2018-06-27 | 2023-09-05 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Interlayer dielectric layer |
CN110952074B (zh) * | 2018-08-10 | 2023-06-13 | 弗萨姆材料美国有限责任公司 | 硅化合物和使用硅化合物沉积膜的方法 |
WO2020112782A1 (en) * | 2018-11-27 | 2020-06-04 | Versum Materials Us, Llc | 1-methyl-1-iso-propoxy-silacycloalkanes and dense organosilica films made therefrom |
EP4010441B1 (en) * | 2019-08-09 | 2023-09-06 | Merck Patent GmbH | Low dielectric constant siliceous film manufacturing composition and methods for producing cured film and electronic device using the same |
WO2021050798A1 (en) * | 2019-09-13 | 2021-03-18 | Versum Materials Us, Llc | Monoalkoxysilanes and dialkoxysilanes and dense organosilica films made therefrom |
CN114616652A (zh) * | 2019-09-13 | 2022-06-10 | 弗萨姆材料美国有限责任公司 | 单烷氧基硅烷及由其制备的致密有机二氧化硅膜 |
CN115516129A (zh) * | 2020-03-31 | 2022-12-23 | 弗萨姆材料美国有限责任公司 | 用于沉积具有高弹性模量的膜的新前体 |
Family Cites Families (37)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2536013A1 (de) * | 1975-08-13 | 1977-03-03 | Bosch Gmbh Robert | Verfahren zur verbesserung der haltbarkeit von aus siliciumoxiden bestehenden schutzschichten |
US5296624A (en) * | 1992-11-25 | 1994-03-22 | Huls America, Inc. | Preparation of sterically-hindered organosilanes |
MY113904A (en) | 1995-05-08 | 2002-06-29 | Electron Vision Corp | Method for curing spin-on-glass film utilizing electron beam radiation |
JP3173426B2 (ja) * | 1997-06-09 | 2001-06-04 | 日本電気株式会社 | シリカ絶縁膜の製造方法及び半導体装置の製造方法 |
US6068884A (en) * | 1998-04-28 | 2000-05-30 | Silcon Valley Group Thermal Systems, Llc | Method of making low κ dielectric inorganic/organic hybrid films |
US6054206A (en) * | 1998-06-22 | 2000-04-25 | Novellus Systems, Inc. | Chemical vapor deposition of low density silicon dioxide films |
US6171945B1 (en) | 1998-10-22 | 2001-01-09 | Applied Materials, Inc. | CVD nanoporous silica low dielectric constant films |
JP3888794B2 (ja) * | 1999-01-27 | 2007-03-07 | 松下電器産業株式会社 | 多孔質膜の形成方法、配線構造体及びその形成方法 |
US6207555B1 (en) | 1999-03-17 | 2001-03-27 | Electron Vision Corporation | Electron beam process during dual damascene processing |
JP3084367B1 (ja) | 1999-03-17 | 2000-09-04 | キヤノン販売株式会社 | 層間絶縁膜の形成方法及び半導体装置 |
US6312793B1 (en) * | 1999-05-26 | 2001-11-06 | International Business Machines Corporation | Multiphase low dielectric constant material |
US6204201B1 (en) | 1999-06-11 | 2001-03-20 | Electron Vision Corporation | Method of processing films prior to chemical vapor deposition using electron beam processing |
US6541367B1 (en) * | 2000-01-18 | 2003-04-01 | Applied Materials, Inc. | Very low dielectric constant plasma-enhanced CVD films |
US6790789B2 (en) * | 2000-10-25 | 2004-09-14 | International Business Machines Corporation | Ultralow dielectric constant material as an intralevel or interlevel dielectric in a semiconductor device and electronic device made |
US6768200B2 (en) * | 2000-10-25 | 2004-07-27 | International Business Machines Corporation | Ultralow dielectric constant material as an intralevel or interlevel dielectric in a semiconductor device |
KR100586133B1 (ko) * | 2000-10-25 | 2006-06-07 | 인터내셔널 비지네스 머신즈 코포레이션 | 반도체 장치에서 레벨내 또는 레벨간 유전체로서의 극저유전상수 물질, 이의 제조방법 및 상기 물질을 함유하는전자 장치 |
US6583048B2 (en) * | 2001-01-17 | 2003-06-24 | Air Products And Chemicals, Inc. | Organosilicon precursors for interlayer dielectric films with low dielectric constants |
KR100432152B1 (ko) * | 2001-04-12 | 2004-05-17 | 한국화학연구원 | 다분지형 폴리알킬렌 옥시드 포로젠과 이를 이용한저유전성 절연막 |
US6716770B2 (en) * | 2001-05-23 | 2004-04-06 | Air Products And Chemicals, Inc. | Low dielectric constant material and method of processing by CVD |
JP3418383B2 (ja) * | 2001-05-31 | 2003-06-23 | 沖電気工業株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
US7456488B2 (en) * | 2002-11-21 | 2008-11-25 | Advanced Technology Materials, Inc. | Porogen material |
US8293001B2 (en) * | 2002-04-17 | 2012-10-23 | Air Products And Chemicals, Inc. | Porogens, porogenated precursors and methods for using the same to provide porous organosilica glass films with low dielectric constants |
US7384471B2 (en) * | 2002-04-17 | 2008-06-10 | Air Products And Chemicals, Inc. | Porogens, porogenated precursors and methods for using the same to provide porous organosilica glass films with low dielectric constants |
ATE499458T1 (de) * | 2002-04-17 | 2011-03-15 | Air Prod & Chem | Verfahren zur herstellung einer porösen sioch- schicht |
US6846515B2 (en) * | 2002-04-17 | 2005-01-25 | Air Products And Chemicals, Inc. | Methods for using porogens and/or porogenated precursors to provide porous organosilica glass films with low dielectric constants |
US7056560B2 (en) * | 2002-05-08 | 2006-06-06 | Applies Materials Inc. | Ultra low dielectric materials based on hybrid system of linear silicon precursor and organic porogen by plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD) |
JP4139952B2 (ja) * | 2002-07-31 | 2008-08-27 | 日本電気株式会社 | 共重合高分子膜及びその形成方法、並びに共重合高分子膜を用いた半導体装置 |
US7098149B2 (en) * | 2003-03-04 | 2006-08-29 | Air Products And Chemicals, Inc. | Mechanical enhancement of dense and porous organosilicate materials by UV exposure |
US20040197474A1 (en) * | 2003-04-01 | 2004-10-07 | Vrtis Raymond Nicholas | Method for enhancing deposition rate of chemical vapor deposition films |
US8137764B2 (en) * | 2003-05-29 | 2012-03-20 | Air Products And Chemicals, Inc. | Mechanical enhancer additives for low dielectric films |
US20050048795A1 (en) * | 2003-08-27 | 2005-03-03 | Chung-Chi Ko | Method for ultra low-K dielectric deposition |
CN1229400C (zh) * | 2003-09-18 | 2005-11-30 | 中国石油化工股份有限公司 | 用于烯烃聚合的催化剂组分及其催化剂 |
US7018941B2 (en) * | 2004-04-21 | 2006-03-28 | Applied Materials, Inc. | Post treatment of low k dielectric films |
US7049247B2 (en) * | 2004-05-03 | 2006-05-23 | International Business Machines Corporation | Method for fabricating an ultralow dielectric constant material as an intralevel or interlevel dielectric in a semiconductor device and electronic device made |
US7332445B2 (en) * | 2004-09-28 | 2008-02-19 | Air Products And Chemicals, Inc. | Porous low dielectric constant compositions and methods for making and using same |
KR101409887B1 (ko) * | 2005-09-12 | 2014-06-20 | 후지필름 일렉트로닉 머티리얼스 유.에스.에이., 아이엔씨. | 사이클릭 알켄 유도체의 분해를 방지하기 위한 첨가제 |
US20070299239A1 (en) * | 2006-06-27 | 2007-12-27 | Air Products And Chemicals, Inc. | Curing Dielectric Films Under A Reducing Atmosphere |
-
2008
- 2008-05-05 US US12/115,087 patent/US20080268177A1/en not_active Abandoned
-
2009
- 2009-05-01 JP JP2009112216A patent/JP5270442B2/ja active Active
- 2009-05-04 KR KR1020090038919A patent/KR20090115915A/ko not_active Application Discontinuation
- 2009-05-04 EP EP09159354A patent/EP2116632A3/en not_active Withdrawn
- 2009-05-04 TW TW098114769A patent/TWI397606B/zh active
- 2009-05-05 CN CN2013100740001A patent/CN103147066A/zh active Pending
- 2009-05-05 CN CNA2009101380007A patent/CN101575700A/zh active Pending
-
2011
- 2011-12-20 JP JP2011278688A patent/JP2012084912A/ja active Pending
-
2012
- 2012-06-05 KR KR1020120060323A patent/KR20120073190A/ko not_active Application Discontinuation
-
2015
- 2015-04-30 KR KR1020150061429A patent/KR20150059149A/ko not_active Application Discontinuation
-
2017
- 2017-07-21 KR KR1020170092987A patent/KR101912534B1/ko active IP Right Grant
- 2017-07-21 KR KR1020170092984A patent/KR101911798B1/ko active IP Right Grant
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2012084912A5 (ja) | ||
JP6466897B2 (ja) | 炭素ドープケイ素含有膜を堆積するための組成物及び方法 | |
KR102242461B1 (ko) | 실리콘 옥사이드 필름의 증착을 위한 조성물 및 방법 | |
JP6864086B2 (ja) | 酸化ケイ素膜の堆積のための組成物及び方法 | |
JP5886818B2 (ja) | アルコキシシリルアミン化合物及びその応用 | |
JP6317377B2 (ja) | ビスアミノアルコキシシラン化合物及びケイ素含有膜を堆積するためのその使用法 | |
EP2944608B1 (en) | Organoaminodisilane precursors and methods for depositing films comprising same | |
JP6882468B2 (ja) | 表面フィーチャを充填する低k膜を作るための前駆体および流動性CVD法 | |
TWI803909B (zh) | 摻雜碳的矽氧化物的沉積 | |
JP5160237B2 (ja) | 低誘電率非晶質シリカ系被膜形成用塗布液および該塗布液から得られる低誘電率非晶質シリカ系被膜 | |
JP2016147861A5 (ja) | ||
KR102279764B1 (ko) | 2,2,4,4-테트라실릴펜타실란 및 이의 조성물, 방법 및 용도 | |
TWI680982B (zh) | 作為高成長速率含矽膜的前驅物的官能化環矽氮烷 | |
KR101139593B1 (ko) | 저유전상수 필름을 증착시키는 방법 | |
JP2004274052A5 (ja) | ||
JP2004312041A5 (ja) | ||
KR20210111360A (ko) | 규소 함유 필름을 위한 조성물 및 이의 사용 방법 | |
JP2010504648A5 (ja) | ||
JP2022504248A (ja) | 高品質酸化ケイ素薄膜の高温原子層堆積のための組成物 | |
TW202012419A (zh) | 矽化合物及使用其沉積膜的方法 | |
KR20200035493A (ko) | 알콕시실라사이클릭 또는 아실옥시실라사이클릭 화합물 및 이를 사용하여 막을 증착시키기 위한 방법 | |
KR101961253B1 (ko) | 반도체 공정에서 알콕시실란 가수분해 반응을 위한 촉매 및 그러한 촉매를 포함한 포뮬레이션 | |
JP5160880B2 (ja) | イオン拡散防止膜の製造方法、イオン拡散防止膜付基材および液晶表示セル | |
JP6993394B2 (ja) | ケイ素化合物及びケイ素化合物を使用してフィルムを堆積する方法 | |
CN110952074B (zh) | 硅化合物和使用硅化合物沉积膜的方法 |