JP6466897B2 - 炭素ドープケイ素含有膜を堆積するための組成物及び方法 - Google Patents
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Description
限定されないが、炭素をさらに含むケイ素含有膜、例えば炭素をさらに含む酸化ケイ素膜、窒化ケイ素膜、炭窒化ケイ素膜又は酸窒化ケイ素膜（本明細書で、炭素ドープケイ素含有膜とまとめて述べられる）の堆積に用いることができる前駆体、特に有機アミノシラン前駆体を本明細書に記載する。さらに他の１つの態様では、本明細書に記載するものは、デバイスの製造時の、例えば限定されないが集積回路デバイスの製造時の、ケイ素含有膜を堆積するためのこの有機アミノシラン前駆体の使用である。これらの態様又は他の態様では、この有機アミノシラン前駆体を、様々な堆積プロセスに関して、例えば限定されないが原子層堆積（ＡＬＤ）、化学気相成長（ＣＶＤ）、プラズマ強化化学気相成長（ＰＥＣＶＤ）、低圧化学気相成長（ＬＰＣＶＤ）及び常圧化学気相成長に関して、用いることができる。
複数の種類の化合物を、炭素ドープケイ素含有膜のための前駆体として用いることができる。前駆体としての使用に適切なこれらの化合物の例としては、シラン、クロロシラン、ポリシラザン、アミノシラン及びアジドシランが挙げられる。不活性キャリアガス又は希釈剤を用いて、例えば限定されないが、ヘリウム、水素、窒素等を用いて、前駆体を反応チャンバーに提供する。
炭素ドープケイ素含有膜のいくつかの重要な特性は、ウェットエッチング耐性及び疎水性である。一般的に、ケイ素含有膜への炭素の導入は、ウェットのエッチング速度を低下させ、かつ疎水性を向上させる。ケイ素含有膜への炭素の添加のさらなる利点は、誘電率を低下させること、又はその膜の他の電気的若しくは物理的特性に改良を与えることである。
炭素ドープケイ素含有膜を堆積するための前駆体及びプロセスのさらなる例は、以下の文献で与えられている。出願人の特許である特許文献１〜３は、誘電膜、例えば酸化ケイ素膜及び炭窒化ケイ素膜を、化学気相成長又は原子層堆積で堆積するためにも用いられるアミノシランの種類を記載している。
特許文献４は、次の式を有する化学気相成長でケイ素含有薄膜を堆積するための材料を記載している：ＨＳｉＭｅ（Ｒ１）（ＮＲ２Ｒ３）（Ｒ１＝ＮＲ４Ｒ５、Ｃ１〜５アルキル；Ｒ２，Ｒ４＝Ｈ，Ｃ１〜５アルキル；Ｒ３，Ｒ５＝Ｃ１〜５アルキル）。そのケイ素含有膜は、３００〜５００℃の範囲の温度で形成される。
特許文献５は、高いエッチング耐性を有する炭素含有酸化ケイ素膜又は炭素含有窒化ケイ素膜を堆積するためのプロセスを記載している。このプロセスは、ケイ素を含有する構造前駆体、及び炭素を含有するドーパント前駆体を用いること；そのドーパント前駆体と構造前駆体とを混合して、２％〜８５％の混合比率Ｒｍ（構造前駆体に加えたドーパント前駆体の重量％）及び流速Ｆｍを有する混合物を得ること；流速Ｆｃを有する化学修飾剤を与えること；Ｒ２＝Ｆｍ／Ｆｃとして定義された、２５％〜７５％の流量比Ｒ２を有していること；そして、高いエッチング耐性を有する炭素を含有するケイ素含有膜又は炭素を含有する酸化ケイ素膜を生成することを含み、このエッチング耐性は、炭素の組込みを高めることで高くなる。
特許文献６は、ケイ素源を提供する第１の前駆体及びフィルムに炭素を付与する第２の前駆体を用いて、炭素ドープ窒化ケイ素層を製造するプロセスを記載している。特許文献６に記載された第１の前駆体の例は、ハロゲン化シラン及びジシラン、アミノシラン、シクロジシラザン、直鎖シラザン及び分岐シラザン、アジドシラン、１，２，４，５−テトラアザ−３，６−ジシラシクロヘキサン、並びにシリルヒドラジンが挙げられる。特許文献６に記載された第２の前駆体の例は、一般式ＳｉＲ４（Ｒは、任意のリガンドであり、限定されないが、例えば水素、アルキル及びアリールである（全てのＲ基は独立である））を有するアルキルシラン、アルキルポリシラン、ハロゲン化アルキルシラン、炭素橋架けシラン前駆体、及びシリルエタン／エチレン前駆体である。
特許文献７は、窒化ケイ素膜、酸化ケイ素膜、酸窒化ケイ素膜、又は炭化ケイ素膜を形成するプロセスを記載しており、これは、堆積速度を向上させ、かつ／又は膜特性の調節、例えば膜応力の調節を可能とするために、非ケイ素前駆体（例えばゲルマニウム前駆体、炭素前駆体等）を添加する。
特許文献８は、（ａ）ＳｉＯ２を堆積する基材を、約５０〜７５０ｍｔｏｒｒに維持した減圧下で、約１５０〜５００度に加熱する工程；（ｂ）その減圧下に、有機シラン含有供給物、及びＯ含有供給物を導入する工程、ここで有機シラン含有供給物は、Ｒ１Ｓｉ（Ｈ２）Ｃｘ（Ｒ４）２Ｓｉ（Ｈ２）Ｒ２（ここで、Ｒ１、Ｒ２＝Ｃ１〜６アルキル、アルケニル、アルキニル、若しくはアリール、又はＲ１及びＲ２は結合してアルキル鎖（Ｃｘ（Ｒ３）２；Ｒ３＝Ｈ、ＣｘＨ２ｘ＋１；ｘ＝１〜６；Ｒ４＝Ｈ、ＣｙＨ２ｙ＋１；かつｙ＝１〜６）を形成する）の一般式を有する１以上の化合物から本質的になる；及び、その温度及び減圧度を維持し、それによりＳｉＯ２の薄膜を上記基材に堆積する工程、を含むプロセスを開示している。
炭素ドープ酸化ケイ素膜を堆積するのに用いられる前駆体及びプロセスは、通常は５５０℃超の温度でその膜を堆積する。半導体デバイスの縮小化及び低いサーマルバジェット（ｔｈｅｒｍａｌ ｂｕｄｇｅｔ）の傾向は、比較的低い処理温度及び比較的高い堆積速度を必要とする。さらに、炭素ドープケイ素含有膜に含まれる炭素含量のより効率的な制御を可能とする、新規な前駆体又は新規な前駆体の組合せを与えることは、本分野において求められている。したがって、次の特性の１以上を示す膜を与える、炭素ドープケイ素含有膜を堆積するための前駆体の組成物を与える必要性が、引き続き本分野において存在している：個々の単独の前駆体を用いて堆積させた膜に比べて、より低いエッチング速度、より高い疎水性、より高い堆積速度、より高い密度。
本明細書に記載するものは、炭素をドープしたケイ素を含む膜（本明細書で「ケイ素含有膜」とする）、例えば限定されないが、化学量論的又は非化学量論的炭素ドープ酸化ケイ素、化学量論的又は非化学量論的炭素ドープ窒化ケイ素、酸窒化ケイ素、炭窒化ケイ素、及びこれらの組合せを、基材の少なくとも１部に形成するための組成物及びこれを用いる方法である。特定の実施態様では、動的二次イオン質量分析法（ＳＩＭＳ）によって測定した場合に、炭素ドープケイ素含有物は、２×１０１９炭素原子／ｃｃ以下の炭素含有量を有することができる。別の実施態様では、炭素ドープケイ素含有膜は、動的ＳＩＭＳで測定した場合に約２×１０１９炭素原子／ｃｃ〜１０２２炭素原子／ｃｃの炭素含有量を有することができる。
また、本明細書に開示するものは、炭素ドープケイ素含有膜又はコーティングを、処理する対象に、例えば半導体ウェハーに、形成するための方法である。本明細書に記載した方法の１つの実施態様では、炭素ドープ酸化ケイ素層を基材に生成するための条件において、堆積チャンバーで、本明細書に記載した前駆体組成物及び酸化剤を用いて、ケイ素、炭素及び酸素を含む層を基材に堆積させる。本明細書に記載した方法の他の１つの実施態様では、炭素ドープ窒化ケイ素層を基材に生成するための条件において、堆積チャンバーで、本明細書に記載した前駆体組成物及び窒素含有前駆体を用いて、ケイ素、炭素及び窒素を含む層を基材に堆積させる。さらなる実施態様では、本明細書に記載した有機アミノシラン前駆体を、金属含有膜のためのドーパントとして、例えば限定されないが、金属酸化物膜又は金属窒化物膜のためのドーパントとして、用いることもできる。本明細書に記載したプロセスでは、式Ｉを有する有機アミノシランを、ケイ素含有前駆体の少なくとも１種として用いる。ある種の実施態様では、本明細書に記載した前駆体組成物を用いて炭素ドープケイ素含有膜を堆積する堆積方法は、サイクリック化学気相成長（ＣＣＶＤ）、原子層堆積（ＡＬＤ）、プラズマＡＬＤ（ＰＥＡＬＤ）、及びプラズマサイクリックＣＶＤ（ＰＥＣＣＶＤ）からなる群より選択される。
１つの態様において、以下の（ａ）を含有し、かつ（ｂ）を含有してもよい、炭素ドープケイ素含有膜を堆積するための組成物が与えられる：
（ａ）以下の群より選択される、少なくとも１種を含む第１の前駆体：
（ｉ） Ｒ５Ｓｉ（ＮＲ３Ｒ４）ｘＨ３−ｘ（ここで、ｘ＝１、２、３）の式を有する有機アミノアルキルシラン；
（ｉｉ） Ｒ６Ｓｉ（ＯＲ７）ｘＨ３−ｘ（ここで、ｘ＝１、２、３）の式を有する有機アルコキシアルキルシラン；
（ｉｉｉ）Ｒ８Ｎ（ＳｉＲ９（ＮＲ１０Ｒ１１）Ｈ）２の式を有する有機アミノシラン；
（ｉｖ） Ｒ８Ｎ（ＳｉＲ９ＬＨ）２の式を有する有機アミノシラン；及び
これらの組合せ
（ここで、Ｒ３、Ｒ４及びＲ７は、Ｃ１〜Ｃ１０の直鎖又は分岐鎖アルキル基、Ｃ３〜Ｃ１０の環状アルキル基、直鎖又は分岐鎖のＣ２〜Ｃ１０のアルケニル基、直鎖又は分岐鎖のＣ２〜Ｃ１０のアルキニル基、Ｃ５〜Ｃ１０の芳香族基、及びＣ３〜Ｃ１０の飽和又は不飽和の複素環基からなる群よりそれぞれ独立して選択され；
Ｒ５及びＲ６は、Ｃ１〜Ｃ１０の直鎖又は分岐鎖アルキル基、Ｃ３〜Ｃ１０の環状アルキル基、直鎖又は分岐鎖のＣ２〜Ｃ１０のアルケニル基、直鎖又は分岐鎖のＣ２〜Ｃ１０のアルキニル基、Ｃ５〜Ｃ１０の芳香族基、及びＣ３〜Ｃ１０の飽和又は不飽和の複素環基、並びにハロゲン原子（ｈａｌｉｄｅ ａｔｏｍ）からなる群よりそれぞれ独立して選択され；
Ｒ８及びＲ９は、水素、Ｃ１〜Ｃ１０の直鎖又は分岐鎖アルキル基、Ｃ３〜Ｃ１０の環状アルキル基、直鎖又は分岐鎖のＣ２〜Ｃ１０のアルケニル基、直鎖又は分岐鎖のＣ２〜Ｃ１０のアルキニル基、Ｃ５〜Ｃ１０の芳香族基、及びＣ３〜Ｃ１０の飽和又は不飽和の複素環基からなる群よりそれぞれ独立して選択され；かつ
Ｒ１０及びＲ１１は、Ｃ１〜Ｃ１０の直鎖又は分岐鎖アルキル基、Ｃ３〜Ｃ１０の環状アルキル基、直鎖又は分岐鎖のＣ２〜Ｃ１０のアルケニル基、直鎖又は分岐鎖のＣ２〜Ｃ１０のアルキニル基、Ｃ５〜Ｃ１０の芳香族基、及びＣ３〜Ｃ１０の飽和又は不飽和の複素環基からなる群よりそれぞれ独立して選択され、またＬは、Ｃｌ、Ｂｒ又はＩであり；
Ｒ３及びＲ４は、環又はアルキル置換した環を形成することができ；かつＲ１０及びＲ１１は、環又はアルキル置換した環を形成することができる）、
（ｂ）次の式を有する有機アミノシランを含む第２の前駆体：Ｓｉ（ＮＲ１Ｒ２）Ｈ３（Ｒ１及びＲ２は、Ｃ１〜Ｃ１０の直鎖又は分岐鎖アルキル基、Ｃ３〜Ｃ１０の環状アルキル基、直鎖又は分岐鎖のＣ２〜Ｃ１０のアルケニル基、直鎖又は分岐鎖のＣ３〜Ｃ１０のアルキニル基、Ｃ５〜Ｃ１０の芳香族基、及びＣ３〜Ｃ１０の飽和又は不飽和の複素環基からなる群よりそれぞれ独立して選択され；かつＲ１及びＲ２は、環又はアルキル置換した環を形成することができる）。
（ａ）以下の群より選択される、少なくとも１種を含む第１の前駆体：
（ｉ） Ｒ５Ｓｉ（ＮＲ３Ｒ４）ｘＨ３−ｘ（ここで、ｘ＝１、２、３）の式を有する有機アミノアルキルシラン；
（ｉｉ） Ｒ６Ｓｉ（ＯＲ７）ｘＨ３−ｘ（ここで、ｘ＝１、２、３）の式を有する有機アルコキシアルキルシラン；
（ｉｉｉ）Ｒ８Ｎ（ＳｉＲ９（ＮＲ１０Ｒ１１）Ｈ）２の式を有する有機アミノシラン；
（ｉｖ） Ｒ８Ｎ（ＳｉＲ９ＬＨ）２の式を有する有機アミノシラン；及び
これらの組合せ
（ここで、Ｒ３、Ｒ４及びＲ７は、Ｃ１〜Ｃ１０の直鎖又は分岐鎖アルキル基、Ｃ３〜Ｃ１０の環状アルキル基、直鎖又は分岐鎖のＣ２〜Ｃ１０のアルケニル基、直鎖又は分岐鎖のＣ２〜Ｃ１０のアルキニル基、Ｃ５〜Ｃ１０の芳香族基、及びＣ３〜Ｃ１０の飽和又は不飽和の複素環基からなる群よりそれぞれ独立して選択され；
Ｒ５及びＲ６は、Ｃ１〜Ｃ１０の直鎖又は分岐鎖アルキル基、Ｃ３〜Ｃ１０の環状アルキル基、直鎖又は分岐鎖のＣ２〜Ｃ１０のアルケニル基、直鎖又は分岐鎖のＣ２〜Ｃ１０のアルキニル基、Ｃ５〜Ｃ１０の芳香族基、及びＣ３〜Ｃ１０の飽和又は不飽和の複素環基、並びにハロゲン原子（ｈａｌｉｄｅ ａｔｏｍ）からなる群よりそれぞれ独立して選択され；
Ｒ８及びＲ９は、水素、Ｃ１〜Ｃ１０の直鎖又は分岐鎖アルキル基、Ｃ３〜Ｃ１０の環状アルキル基、直鎖又は分岐鎖のＣ２〜Ｃ１０のアルケニル基、直鎖又は分岐鎖のＣ２〜Ｃ１０のアルキニル基、Ｃ５〜Ｃ１０の芳香族基、及びＣ３〜Ｃ１０の飽和又は不飽和の複素環基からなる群よりそれぞれ独立して選択され；かつ
Ｒ１０及びＲ１１は、Ｃ１〜Ｃ１０の直鎖又は分岐鎖アルキル基、Ｃ３〜Ｃ１０の環状アルキル基、直鎖又は分岐鎖のＣ２〜Ｃ１０のアルケニル基、直鎖又は分岐鎖のＣ２〜Ｃ１０のアルキニル基、Ｃ５〜Ｃ１０の芳香族基、及びＣ３〜Ｃ１０の飽和又は不飽和の複素環基からなる群よりそれぞれ独立して選択され、またＬは、Ｃｌ、Ｂｒ又はＩであり；
Ｒ３及びＲ４は、環又はアルキル置換した環を形成することができ；かつＲ１０及びＲ１１は、環又はアルキル置換した環を形成することができる）、
（ｂ）次の式を有する有機アミノシランを含む第２の前駆体：Ｓｉ（ＮＲ１Ｒ２）Ｈ３（Ｒ１及びＲ２は、Ｃ１〜Ｃ１０の直鎖又は分岐鎖アルキル基、Ｃ３〜Ｃ１０の環状アルキル基、直鎖又は分岐鎖のＣ２〜Ｃ１０のアルケニル基、直鎖又は分岐鎖のＣ３〜Ｃ１０のアルキニル基、Ｃ５〜Ｃ１０の芳香族基、及びＣ３〜Ｃ１０の飽和又は不飽和の複素環基からなる群よりそれぞれ独立して選択され；かつＲ１及びＲ２は、環又はアルキル置換した環を形成することができる）。
さらなる態様では、以下の第１の前駆体を含有し、かつ第２の前駆体を含有してもよい、炭素ドープケイ素含有膜を堆積するための組成物が与えられる：
以下の群より選択される、少なくとも１種を含む第１の前駆体：
Ｒ５Ｓｉ（ＮＲ３Ｒ４）ｘＨ３−ｘ（ここで、ｘ＝１、２、３）の式を有する有機アミノアルキルシラン；
Ｒ６Ｓｉ（ＯＲ７）ｘＨ３−ｘ（ここで、ｘ＝１、２、３）の式を有する有機アルコキシアルキルシラン；
Ｒ８Ｎ（ＳｉＲ９（ＮＲ１０Ｒ１１）Ｈ）２の式を有する有機アミノシラン；
Ｒ８Ｎ（ＳｉＲ９ＬＨ）２の式を有する有機アミノシラン；及び
これらの組合せ
（ここで、Ｒ３、Ｒ４及びＲ７は、Ｃ１〜Ｃ１０の直鎖又は分岐鎖アルキル基、Ｃ３〜Ｃ１０の環状アルキル基、直鎖又は分岐鎖のＣ２〜Ｃ１０のアルケニル基、直鎖又は分岐鎖のＣ２〜Ｃ１０のアルキニル基、Ｃ５〜Ｃ１０の芳香族基、及びＣ３〜Ｃ１０の飽和又は不飽和の複素環基からなる群よりそれぞれ独立して選択され；
Ｒ５及びＲ６は、Ｃ１〜Ｃ１０の直鎖又は分岐鎖アルキル基、Ｃ３〜Ｃ１０の環状アルキル基、直鎖又は分岐鎖のＣ２〜Ｃ１０のアルケニル基、直鎖又は分岐鎖のＣ２〜Ｃ１０のアルキニル基、Ｃ５〜Ｃ１０の芳香族基、及びＣ３〜Ｃ１０の飽和又は不飽和の複素環基、並びにハロゲン原子からなる群よりそれぞれ独立して選択され；
Ｒ８及びＲ９は、水素、Ｃ１〜Ｃ１０の直鎖又は分岐鎖アルキル基、Ｃ３〜Ｃ１０の環状アルキル基、直鎖又は分岐鎖のＣ２〜Ｃ１０のアルケニル基、直鎖又は分岐鎖のＣ２〜Ｃ１０のアルキニル基、Ｃ５〜Ｃ１０の芳香族基、及びＣ３〜Ｃ１０の飽和又は不飽和の複素環基からなる群よりそれぞれ独立して選択され；かつ
Ｒ１０及びＲ１１は、Ｃ１〜Ｃ１０の直鎖又は分岐鎖アルキル基、Ｃ３〜Ｃ１０の環状アルキル基、直鎖又は分岐鎖のＣ２〜Ｃ１０のアルケニル基、直鎖又は分岐鎖のＣ２〜Ｃ１０のアルキニル基、Ｃ５〜Ｃ１０の芳香族基、及びＣ３〜Ｃ１０の飽和又は不飽和の複素環基からなる群よりそれぞれ独立して選択され、またＬは、Ｃｌ、Ｂｒ又はＩであり；
Ｒ３及びＲ４は、環又はアルキル置換した環を形成することができ；かつＲ１０及びＲ１１は、環又はアルキル置換した環を形成することができる）、
次の式を有する有機アミノシランを含む第２の前駆体：Ｒ１２Ｓｉ（ＮＲ１３Ｒ１４）ｘＨ３−ｘ（ここで、ｘ＝１、２、３、４であり；Ｒ１２、Ｒ１３及びＲ１４は、Ｈ、Ｃ１〜Ｃ１０の直鎖又は分岐鎖アルキル基、Ｃ３〜Ｃ１０の環状アルキル基、直鎖又は分岐鎖のＣ２〜Ｃ１０のアルケニル基、直鎖又は分岐鎖のＣ２〜Ｃ１０のアルキニル基、Ｃ５〜Ｃ１０の芳香族基、及びＣ３〜Ｃ１０の飽和又は不飽和の複素環基からなる群よりそれぞれ独立して選択され；かつＲ１３及びＲ１４は、環又はアルキル置換した環を形成することができる）。
以下の群より選択される、少なくとも１種を含む第１の前駆体：
Ｒ５Ｓｉ（ＮＲ３Ｒ４）ｘＨ３−ｘ（ここで、ｘ＝１、２、３）の式を有する有機アミノアルキルシラン；
Ｒ６Ｓｉ（ＯＲ７）ｘＨ３−ｘ（ここで、ｘ＝１、２、３）の式を有する有機アルコキシアルキルシラン；
Ｒ８Ｎ（ＳｉＲ９（ＮＲ１０Ｒ１１）Ｈ）２の式を有する有機アミノシラン；
Ｒ８Ｎ（ＳｉＲ９ＬＨ）２の式を有する有機アミノシラン；及び
これらの組合せ
（ここで、Ｒ３、Ｒ４及びＲ７は、Ｃ１〜Ｃ１０の直鎖又は分岐鎖アルキル基、Ｃ３〜Ｃ１０の環状アルキル基、直鎖又は分岐鎖のＣ２〜Ｃ１０のアルケニル基、直鎖又は分岐鎖のＣ２〜Ｃ１０のアルキニル基、Ｃ５〜Ｃ１０の芳香族基、及びＣ３〜Ｃ１０の飽和又は不飽和の複素環基からなる群よりそれぞれ独立して選択され；
Ｒ５及びＲ６は、Ｃ１〜Ｃ１０の直鎖又は分岐鎖アルキル基、Ｃ３〜Ｃ１０の環状アルキル基、直鎖又は分岐鎖のＣ２〜Ｃ１０のアルケニル基、直鎖又は分岐鎖のＣ２〜Ｃ１０のアルキニル基、Ｃ５〜Ｃ１０の芳香族基、及びＣ３〜Ｃ１０の飽和又は不飽和の複素環基、並びにハロゲン原子からなる群よりそれぞれ独立して選択され；
Ｒ８及びＲ９は、水素、Ｃ１〜Ｃ１０の直鎖又は分岐鎖アルキル基、Ｃ３〜Ｃ１０の環状アルキル基、直鎖又は分岐鎖のＣ２〜Ｃ１０のアルケニル基、直鎖又は分岐鎖のＣ２〜Ｃ１０のアルキニル基、Ｃ５〜Ｃ１０の芳香族基、及びＣ３〜Ｃ１０の飽和又は不飽和の複素環基からなる群よりそれぞれ独立して選択され；かつ
Ｒ１０及びＲ１１は、Ｃ１〜Ｃ１０の直鎖又は分岐鎖アルキル基、Ｃ３〜Ｃ１０の環状アルキル基、直鎖又は分岐鎖のＣ２〜Ｃ１０のアルケニル基、直鎖又は分岐鎖のＣ２〜Ｃ１０のアルキニル基、Ｃ５〜Ｃ１０の芳香族基、及びＣ３〜Ｃ１０の飽和又は不飽和の複素環基からなる群よりそれぞれ独立して選択され、またＬは、Ｃｌ、Ｂｒ又はＩであり；
Ｒ３及びＲ４は、環又はアルキル置換した環を形成することができ；かつＲ１０及びＲ１１は、環又はアルキル置換した環を形成することができる）、
次の式を有する有機アミノシランを含む第２の前駆体：Ｒ１２Ｓｉ（ＮＲ１３Ｒ１４）ｘＨ３−ｘ（ここで、ｘ＝１、２、３、４であり；Ｒ１２、Ｒ１３及びＲ１４は、Ｈ、Ｃ１〜Ｃ１０の直鎖又は分岐鎖アルキル基、Ｃ３〜Ｃ１０の環状アルキル基、直鎖又は分岐鎖のＣ２〜Ｃ１０のアルケニル基、直鎖又は分岐鎖のＣ２〜Ｃ１０のアルキニル基、Ｃ５〜Ｃ１０の芳香族基、及びＣ３〜Ｃ１０の飽和又は不飽和の複素環基からなる群よりそれぞれ独立して選択され；かつＲ１３及びＲ１４は、環又はアルキル置換した環を形成することができる）。
他の態様において、以下を含有する、炭素ドープケイ素含有膜を堆積するための組成物が与えられる：
次の式を有する有機アミノアルキルシランを含む第１の前駆体：Ｒ５Ｓｉ（ＮＲ３Ｒ４）ｘＨ３−ｘ（ここで、ｘ＝１、２、３；Ｒ３及びＲ４は、Ｃ１〜Ｃ１０の直鎖又は分岐鎖アルキル基、Ｃ３〜Ｃ１０の環状アルキル基、直鎖又は分岐鎖のＣ２〜Ｃ１０のアルケニル基、直鎖又は分岐鎖のＣ２〜Ｃ１０のアルキニル基、Ｃ５〜Ｃ１０の芳香族基、及びＣ３〜Ｃ１０の飽和又は不飽和の複素環基からなる群よりそれぞれ独立して選択され；Ｒ５は、Ｃ１〜Ｃ１０の直鎖又は分岐鎖アルキル基、Ｃ３〜Ｃ１０の環状アルキル基、直鎖又は分岐鎖のＣ２〜Ｃ１０のアルケニル基、直鎖又は分岐鎖のＣ２〜Ｃ１０のアルキニル基、Ｃ５〜Ｃ１０の芳香族基、及びＣ３〜Ｃ１０の飽和又は不飽和の複素環基、並びにハロゲン原子からなる群より選択され；かつＲ３及びＲ４は、環又はアルキル置換した環を形成することができる）。
この実施態様又は他の実施態様において、この組成物は、次の式を有する有機アミノシランを含む第二の前駆体をさらに含有する：Ｓｉ（ＮＲ１Ｒ２）Ｈ３（Ｒ１及びＲ２は、Ｃ１〜Ｃ１０の直鎖又は分岐鎖アルキル基、Ｃ３〜Ｃ１０の環状アルキル基、直鎖又は分岐鎖のＣ２〜Ｃ１０のアルケニル基、直鎖又は分岐鎖のＣ３〜Ｃ１０のアルキニル基、Ｃ５〜Ｃ１０の芳香族基、及びＣ３〜Ｃ１０の飽和又は不飽和の複素環基からなる群よりそれぞれ独立して選択され；かつＲ１及びＲ２は、環又はアルキル置換した環を形成することができる）。
次の式を有する有機アミノアルキルシランを含む第１の前駆体：Ｒ５Ｓｉ（ＮＲ３Ｒ４）ｘＨ３−ｘ（ここで、ｘ＝１、２、３；Ｒ３及びＲ４は、Ｃ１〜Ｃ１０の直鎖又は分岐鎖アルキル基、Ｃ３〜Ｃ１０の環状アルキル基、直鎖又は分岐鎖のＣ２〜Ｃ１０のアルケニル基、直鎖又は分岐鎖のＣ２〜Ｃ１０のアルキニル基、Ｃ５〜Ｃ１０の芳香族基、及びＣ３〜Ｃ１０の飽和又は不飽和の複素環基からなる群よりそれぞれ独立して選択され；Ｒ５は、Ｃ１〜Ｃ１０の直鎖又は分岐鎖アルキル基、Ｃ３〜Ｃ１０の環状アルキル基、直鎖又は分岐鎖のＣ２〜Ｃ１０のアルケニル基、直鎖又は分岐鎖のＣ２〜Ｃ１０のアルキニル基、Ｃ５〜Ｃ１０の芳香族基、及びＣ３〜Ｃ１０の飽和又は不飽和の複素環基、並びにハロゲン原子からなる群より選択され；かつＲ３及びＲ４は、環又はアルキル置換した環を形成することができる）。
この実施態様又は他の実施態様において、この組成物は、次の式を有する有機アミノシランを含む第二の前駆体をさらに含有する：Ｓｉ（ＮＲ１Ｒ２）Ｈ３（Ｒ１及びＲ２は、Ｃ１〜Ｃ１０の直鎖又は分岐鎖アルキル基、Ｃ３〜Ｃ１０の環状アルキル基、直鎖又は分岐鎖のＣ２〜Ｃ１０のアルケニル基、直鎖又は分岐鎖のＣ３〜Ｃ１０のアルキニル基、Ｃ５〜Ｃ１０の芳香族基、及びＣ３〜Ｃ１０の飽和又は不飽和の複素環基からなる群よりそれぞれ独立して選択され；かつＲ１及びＲ２は、環又はアルキル置換した環を形成することができる）。
さらなる態様において、以下を含有する、炭素ドープケイ素含有膜を堆積するための組成物が与えられる：
次の式を有する有機アルコキシアルキルシランを含む第１の前駆体：Ｒ６Ｓｉ（ＯＲ７）ｘＨ３−ｘ（ここで、ｘ＝１、２、３；Ｒ７は、Ｃ１〜Ｃ１０の直鎖又は分岐鎖アルキル基、Ｃ３〜Ｃ１０の環状アルキル基、直鎖又は分岐鎖のＣ２〜Ｃ１０のアルケニル基、直鎖又は分岐鎖のＣ２〜Ｃ１０のアルキニル基、Ｃ５〜Ｃ１０の芳香族基、及びＣ３〜Ｃ１０の飽和又は不飽和の複素環基からなる群より独立して選択され；かつＲ６は、Ｃ１〜Ｃ１０の直鎖又は分岐鎖アルキル基、Ｃ３〜Ｃ１０の環状アルキル基、直鎖又は分岐鎖のＣ２〜Ｃ１０のアルケニル基、直鎖又は分岐鎖のＣ２〜Ｃ１０のアルキニル基、Ｃ５〜Ｃ１０の芳香族基、及びＣ３〜Ｃ１０の飽和又は不飽和の複素環基、並びにハロゲン原子からなる群より独立して選択され；Ｒ８及びＲ９は、水素、Ｃ１〜Ｃ１０の直鎖又は分岐鎖アルキル基、Ｃ３〜Ｃ１０の環状アルキル基、直鎖又は分岐鎖のＣ２〜Ｃ１０のアルケニル基、直鎖又は分岐鎖のＣ２〜Ｃ１０のアルキニル基、Ｃ５〜Ｃ１０の芳香族基、及びＣ３〜Ｃ１０の飽和又は不飽和の複素環基からなる群よりそれぞれ独立して選択される）。
この実施態様又は他の実施態様において、この組成物は、次の式を有する有機アミノシランを含む第二の前駆体をさらに含有する：Ｓｉ（ＮＲ１Ｒ２）Ｈ３（Ｒ１及びＲ２は、Ｃ１〜Ｃ１０の直鎖又は分岐鎖アルキル基、Ｃ３〜Ｃ１０の環状アルキル基、直鎖又は分岐鎖のＣ２〜Ｃ１０のアルケニル基、直鎖又は分岐鎖のＣ２〜Ｃ１０のアルキニル基、Ｃ５〜Ｃ１０の芳香族基、及びＣ３〜Ｃ１０の飽和又は不飽和の複素環基からなる群よりそれぞれ独立して選択され；かつＲ１及びＲ２は、環又はアルキル置換した環を形成することができる）。
次の式を有する有機アルコキシアルキルシランを含む第１の前駆体：Ｒ６Ｓｉ（ＯＲ７）ｘＨ３−ｘ（ここで、ｘ＝１、２、３；Ｒ７は、Ｃ１〜Ｃ１０の直鎖又は分岐鎖アルキル基、Ｃ３〜Ｃ１０の環状アルキル基、直鎖又は分岐鎖のＣ２〜Ｃ１０のアルケニル基、直鎖又は分岐鎖のＣ２〜Ｃ１０のアルキニル基、Ｃ５〜Ｃ１０の芳香族基、及びＣ３〜Ｃ１０の飽和又は不飽和の複素環基からなる群より独立して選択され；かつＲ６は、Ｃ１〜Ｃ１０の直鎖又は分岐鎖アルキル基、Ｃ３〜Ｃ１０の環状アルキル基、直鎖又は分岐鎖のＣ２〜Ｃ１０のアルケニル基、直鎖又は分岐鎖のＣ２〜Ｃ１０のアルキニル基、Ｃ５〜Ｃ１０の芳香族基、及びＣ３〜Ｃ１０の飽和又は不飽和の複素環基、並びにハロゲン原子からなる群より独立して選択され；Ｒ８及びＲ９は、水素、Ｃ１〜Ｃ１０の直鎖又は分岐鎖アルキル基、Ｃ３〜Ｃ１０の環状アルキル基、直鎖又は分岐鎖のＣ２〜Ｃ１０のアルケニル基、直鎖又は分岐鎖のＣ２〜Ｃ１０のアルキニル基、Ｃ５〜Ｃ１０の芳香族基、及びＣ３〜Ｃ１０の飽和又は不飽和の複素環基からなる群よりそれぞれ独立して選択される）。
この実施態様又は他の実施態様において、この組成物は、次の式を有する有機アミノシランを含む第二の前駆体をさらに含有する：Ｓｉ（ＮＲ１Ｒ２）Ｈ３（Ｒ１及びＲ２は、Ｃ１〜Ｃ１０の直鎖又は分岐鎖アルキル基、Ｃ３〜Ｃ１０の環状アルキル基、直鎖又は分岐鎖のＣ２〜Ｃ１０のアルケニル基、直鎖又は分岐鎖のＣ２〜Ｃ１０のアルキニル基、Ｃ５〜Ｃ１０の芳香族基、及びＣ３〜Ｃ１０の飽和又は不飽和の複素環基からなる群よりそれぞれ独立して選択され；かつＲ１及びＲ２は、環又はアルキル置換した環を形成することができる）。
さらなる態様において、以下を含有する、炭素ドープケイ素含有膜を堆積するための組成物が与えられる：
次の式を有する有機アルコキシアルキルシランを含む第１の前駆体：Ｒ８Ｎ（ＳｉＲ９（ＮＲ１０Ｒ１１）Ｈ）２（Ｒ８及びＲ９は、水素、Ｃ１〜Ｃ１０の直鎖又は分岐鎖アルキル基、Ｃ３〜Ｃ１０の環状アルキル基、直鎖又は分岐鎖のＣ２〜Ｃ１０のアルケニル基、直鎖又は分岐鎖のＣ２〜Ｃ１０のアルキニル基、Ｃ５〜Ｃ１０の芳香族基、及びＣ３〜Ｃ１０の飽和又は不飽和の複素環基からなる群よりそれぞれ独立して選択され；Ｒ１０及びＲ１１は、Ｃ１〜Ｃ１０の直鎖又は分岐鎖アルキル基、Ｃ３〜Ｃ１０の環状アルキル基、直鎖又は分岐鎖のＣ２〜Ｃ１０のアルケニル基、直鎖又は分岐鎖のＣ２〜Ｃ１０のアルキニル基、Ｃ５〜Ｃ１０の芳香族基、及びＣ３〜Ｃ１０の飽和又は不飽和の複素環基からなる群よりそれぞれ独立して選択され；かつＲ１０及びＲ１１は、環又はアルキル置換した環を形成することができる）。
この実施態様又は他の実施態様において、この組成物は、次の式を有する有機アミノシランを含む第二の前駆体をさらに含有する：Ｓｉ（ＮＲ１Ｒ２）Ｈ３（Ｒ１及びＲ２は、Ｃ１〜Ｃ１０の直鎖又は分岐鎖アルキル基、Ｃ３〜Ｃ１０の環状アルキル基、直鎖又は分岐鎖のＣ２〜Ｃ１０のアルケニル基、直鎖又は分岐鎖のＣ２〜Ｃ１０のアルキニル基、Ｃ５〜Ｃ１０の芳香族基、及びＣ３〜Ｃ１０の飽和又は不飽和の複素環基からなる群よりそれぞれ独立して選択され；かつＲ１及びＲ２は、環又はアルキル置換した環を形成することができる）。
次の式を有する有機アルコキシアルキルシランを含む第１の前駆体：Ｒ８Ｎ（ＳｉＲ９（ＮＲ１０Ｒ１１）Ｈ）２（Ｒ８及びＲ９は、水素、Ｃ１〜Ｃ１０の直鎖又は分岐鎖アルキル基、Ｃ３〜Ｃ１０の環状アルキル基、直鎖又は分岐鎖のＣ２〜Ｃ１０のアルケニル基、直鎖又は分岐鎖のＣ２〜Ｃ１０のアルキニル基、Ｃ５〜Ｃ１０の芳香族基、及びＣ３〜Ｃ１０の飽和又は不飽和の複素環基からなる群よりそれぞれ独立して選択され；Ｒ１０及びＲ１１は、Ｃ１〜Ｃ１０の直鎖又は分岐鎖アルキル基、Ｃ３〜Ｃ１０の環状アルキル基、直鎖又は分岐鎖のＣ２〜Ｃ１０のアルケニル基、直鎖又は分岐鎖のＣ２〜Ｃ１０のアルキニル基、Ｃ５〜Ｃ１０の芳香族基、及びＣ３〜Ｃ１０の飽和又は不飽和の複素環基からなる群よりそれぞれ独立して選択され；かつＲ１０及びＲ１１は、環又はアルキル置換した環を形成することができる）。
この実施態様又は他の実施態様において、この組成物は、次の式を有する有機アミノシランを含む第二の前駆体をさらに含有する：Ｓｉ（ＮＲ１Ｒ２）Ｈ３（Ｒ１及びＲ２は、Ｃ１〜Ｃ１０の直鎖又は分岐鎖アルキル基、Ｃ３〜Ｃ１０の環状アルキル基、直鎖又は分岐鎖のＣ２〜Ｃ１０のアルケニル基、直鎖又は分岐鎖のＣ２〜Ｃ１０のアルキニル基、Ｃ５〜Ｃ１０の芳香族基、及びＣ３〜Ｃ１０の飽和又は不飽和の複素環基からなる群よりそれぞれ独立して選択され；かつＲ１及びＲ２は、環又はアルキル置換した環を形成することができる）。
さらなる態様において、次の工程を含む、原子層堆積プロセスによって炭素ドープ酸化ケイ素膜を形成するための方法が与えられる：
ａ．基材を反応器に与える工程；
ｂ．上記反応器に、以下の群より選択される、少なくとも１種の化合物を含む第１の前駆体を導入する工程：
（ｉ） Ｒ５Ｓｉ（ＮＲ３Ｒ４）ｘＨ３−ｘ（ここで、ｘ＝１、２、３）の式を有する有機アミノアルキルシラン、
（ｉｉ） Ｒ６Ｓｉ（ＯＲ７）ｘＨ３−ｘ（ここで、ｘ＝１、２、３）の式を有する有機アルコキシアルキルシラン、
（ｉｉｉ）Ｒ８Ｎ（ＳｉＲ９（ＮＲ１０Ｒ１１）Ｈ）２の式を有する有機アミノシラン、
（ｉｖ） Ｒ８Ｎ（ＳｉＲ９ＬＨ）２の式を有する有機アミノシラン、及び
これらの組合せ
（ここで、Ｒ３、Ｒ４及びＲ７は、Ｃ１〜Ｃ１０の直鎖又は分岐鎖アルキル基、Ｃ３〜Ｃ１０の環状アルキル基、直鎖又は分岐鎖のＣ２〜Ｃ１０のアルケニル基、直鎖又は分岐鎖のＣ２〜Ｃ１０のアルキニル基、Ｃ５〜Ｃ１０の芳香族基、及びＣ３〜Ｃ１０の飽和又は不飽和の複素環基からなる群よりそれぞれ独立して選択され；
Ｒ５及びＲ６は、Ｃ１〜Ｃ１０の直鎖又は分岐鎖アルキル基、Ｃ３〜Ｃ１０の環状アルキル基、直鎖又は分岐鎖のＣ２〜Ｃ１０のアルケニル基、直鎖又は分岐鎖のＣ３〜Ｃ１０のアルキニル基、Ｃ５〜Ｃ１０の芳香族基、及びＣ３〜Ｃ１０の飽和又は不飽和の複素環基、並びにハロゲン原子からなる群よりそれぞれ独立して選択され；
Ｒ８及びＲ９は、水素、Ｃ１〜Ｃ１０の直鎖又は分岐鎖アルキル基、Ｃ３〜Ｃ１０の環状アルキル基、直鎖又は分岐鎖のＣ２〜Ｃ１０のアルケニル基、直鎖又は分岐鎖のＣ２〜Ｃ１０のアルキニル基、Ｃ５〜Ｃ１０の芳香族基、及びＣ３〜Ｃ１０の飽和又は不飽和の複素環基からなる群よりそれぞれ独立して選択され；かつ
Ｒ１０及びＲ１１は、Ｃ１〜Ｃ１０の直鎖又は分岐鎖アルキル基、Ｃ３〜Ｃ１０の環状アルキル基、直鎖又は分岐鎖のＣ２〜Ｃ１０のアルケニル基、直鎖又は分岐鎖のＣ２〜Ｃ１０のアルキニル基、Ｃ５〜Ｃ１０の芳香族基、及びＣ３〜Ｃ１０の飽和又は不飽和の複素環基からなる群よりそれぞれ独立して選択され、またＬは、Ｃｌ、Ｂｒ又はＩであり；
Ｒ３及びＲ４は、環又はアルキル置換した環を形成することができ；かつＲ１０及びＲ１１は、環又はアルキル置換した環を形成することができる）；
ｃ．上記反応器を、パージガスでパージする工程；
ｄ．上記反応器に、酸素源を導入する工程；
ｅ．上記反応器に、次の式を有する第二の前駆体を導入する工程：Ｓｉ（ＮＲ１Ｒ２）Ｈ３（Ｒ１及びＲ２は、Ｃ１〜Ｃ１０の直鎖又は分岐鎖アルキル基、Ｃ３〜Ｃ１０の環状アルキル基、直鎖又は分岐鎖のＣ２〜Ｃ１０のアルケニル基、直鎖又は分岐鎖のＣ２〜Ｃ１０のアルキニル基、Ｃ５〜Ｃ１０の芳香族基、及びＣ３〜Ｃ１０の飽和又は不飽和の複素環基からなる群よりそれぞれ独立して選択され；かつＲ１及びＲ２は、環又はアルキル置換した環を形成することができる）；
ｆ．上記反応器を、パージガスでパージする工程；
ｇ．上記反応器に、酸素源を導入する工程；
ｈ．上記反応器を、パージガスでパージする工程；
ｉ．上記膜の所望の厚みが得られるまで、ｂ〜ｈの工程を繰り返す工程。
ここに記載した方法の特定の実施態様では、工程ｂでの前駆体は、（ｉ）としてここに記載した有機アミノアルキルシランを含む。より特定的には、工程ｂでの前駆体は、２，６−ジメチルピペリジノメチルシランである有機アミノアルキルシランを含む。
ａ．基材を反応器に与える工程；
ｂ．上記反応器に、以下の群より選択される、少なくとも１種の化合物を含む第１の前駆体を導入する工程：
（ｉ） Ｒ５Ｓｉ（ＮＲ３Ｒ４）ｘＨ３−ｘ（ここで、ｘ＝１、２、３）の式を有する有機アミノアルキルシラン、
（ｉｉ） Ｒ６Ｓｉ（ＯＲ７）ｘＨ３−ｘ（ここで、ｘ＝１、２、３）の式を有する有機アルコキシアルキルシラン、
（ｉｉｉ）Ｒ８Ｎ（ＳｉＲ９（ＮＲ１０Ｒ１１）Ｈ）２の式を有する有機アミノシラン、
（ｉｖ） Ｒ８Ｎ（ＳｉＲ９ＬＨ）２の式を有する有機アミノシラン、及び
これらの組合せ
（ここで、Ｒ３、Ｒ４及びＲ７は、Ｃ１〜Ｃ１０の直鎖又は分岐鎖アルキル基、Ｃ３〜Ｃ１０の環状アルキル基、直鎖又は分岐鎖のＣ２〜Ｃ１０のアルケニル基、直鎖又は分岐鎖のＣ２〜Ｃ１０のアルキニル基、Ｃ５〜Ｃ１０の芳香族基、及びＣ３〜Ｃ１０の飽和又は不飽和の複素環基からなる群よりそれぞれ独立して選択され；
Ｒ５及びＲ６は、Ｃ１〜Ｃ１０の直鎖又は分岐鎖アルキル基、Ｃ３〜Ｃ１０の環状アルキル基、直鎖又は分岐鎖のＣ２〜Ｃ１０のアルケニル基、直鎖又は分岐鎖のＣ３〜Ｃ１０のアルキニル基、Ｃ５〜Ｃ１０の芳香族基、及びＣ３〜Ｃ１０の飽和又は不飽和の複素環基、並びにハロゲン原子からなる群よりそれぞれ独立して選択され；
Ｒ８及びＲ９は、水素、Ｃ１〜Ｃ１０の直鎖又は分岐鎖アルキル基、Ｃ３〜Ｃ１０の環状アルキル基、直鎖又は分岐鎖のＣ２〜Ｃ１０のアルケニル基、直鎖又は分岐鎖のＣ２〜Ｃ１０のアルキニル基、Ｃ５〜Ｃ１０の芳香族基、及びＣ３〜Ｃ１０の飽和又は不飽和の複素環基からなる群よりそれぞれ独立して選択され；かつ
Ｒ１０及びＲ１１は、Ｃ１〜Ｃ１０の直鎖又は分岐鎖アルキル基、Ｃ３〜Ｃ１０の環状アルキル基、直鎖又は分岐鎖のＣ２〜Ｃ１０のアルケニル基、直鎖又は分岐鎖のＣ２〜Ｃ１０のアルキニル基、Ｃ５〜Ｃ１０の芳香族基、及びＣ３〜Ｃ１０の飽和又は不飽和の複素環基からなる群よりそれぞれ独立して選択され、またＬは、Ｃｌ、Ｂｒ又はＩであり；
Ｒ３及びＲ４は、環又はアルキル置換した環を形成することができ；かつＲ１０及びＲ１１は、環又はアルキル置換した環を形成することができる）；
ｃ．上記反応器を、パージガスでパージする工程；
ｄ．上記反応器に、酸素源を導入する工程；
ｅ．上記反応器に、次の式を有する第二の前駆体を導入する工程：Ｓｉ（ＮＲ１Ｒ２）Ｈ３（Ｒ１及びＲ２は、Ｃ１〜Ｃ１０の直鎖又は分岐鎖アルキル基、Ｃ３〜Ｃ１０の環状アルキル基、直鎖又は分岐鎖のＣ２〜Ｃ１０のアルケニル基、直鎖又は分岐鎖のＣ２〜Ｃ１０のアルキニル基、Ｃ５〜Ｃ１０の芳香族基、及びＣ３〜Ｃ１０の飽和又は不飽和の複素環基からなる群よりそれぞれ独立して選択され；かつＲ１及びＲ２は、環又はアルキル置換した環を形成することができる）；
ｆ．上記反応器を、パージガスでパージする工程；
ｇ．上記反応器に、酸素源を導入する工程；
ｈ．上記反応器を、パージガスでパージする工程；
ｉ．上記膜の所望の厚みが得られるまで、ｂ〜ｈの工程を繰り返す工程。
ここに記載した方法の特定の実施態様では、工程ｂでの前駆体は、（ｉ）としてここに記載した有機アミノアルキルシランを含む。より特定的には、工程ｂでの前駆体は、２，６−ジメチルピペリジノメチルシランである有機アミノアルキルシランを含む。
さらなる態様において、次の工程を含む、原子層堆積プロセスによって炭素ドープ窒化ケイ素膜を形成するための方法が与えられる：
ａ．基材を反応器に与える工程；
ｂ．上記反応器に、以下の群より選択される、少なくとも１種の化合物を含む第１の前駆体を導入する工程：
（ｉ） Ｒ５Ｓｉ（ＮＲ３Ｒ４）ｘＨ３−ｘ（ここで、ｘ＝１、２、３）の式を有する有機アミノアルキルシラン、
（ｉｉ） Ｒ６Ｓｉ（ＯＲ７）ｘＨ３−ｘ（ここで、ｘ＝１、２、３）の式を有する有機アルコキシアルキルシラン、
（ｉｉｉ）Ｒ８Ｎ（ＳｉＲ９（ＮＲ１０Ｒ１１）Ｈ）２の式を有する有機アミノシラン、
（ｉｖ） Ｒ８Ｎ（ＳｉＲ９ＬＨ）２の式を有する有機アミノシラン、及び
これらの組合せ
（ここで、Ｒ３、Ｒ４及びＲ７は、Ｃ１〜Ｃ１０の直鎖又は分岐鎖アルキル基、Ｃ３〜Ｃ１０の環状アルキル基、直鎖又は分岐鎖のＣ２〜Ｃ１０のアルケニル基、直鎖又は分岐鎖のＣ２〜Ｃ１０のアルキニル基、Ｃ５〜Ｃ１０の芳香族基、及びＣ３〜Ｃ１０の飽和又は不飽和の複素環基からなる群よりそれぞれ独立して選択され；
Ｒ５及びＲ６は、Ｃ１〜Ｃ１０の直鎖又は分岐鎖アルキル基、Ｃ３〜Ｃ１０の環状アルキル基、直鎖又は分岐鎖のＣ２〜Ｃ１０のアルケニル基、直鎖又は分岐鎖のＣ３〜Ｃ１０のアルキニル基、Ｃ５〜Ｃ１０の芳香族基、及びＣ３〜Ｃ１０の飽和又は不飽和の複素環基、並びにハロゲン原子からなる群よりそれぞれ独立して選択され；
Ｒ８及びＲ９は、水素、Ｃ１〜Ｃ１０の直鎖又は分岐鎖アルキル基、Ｃ３〜Ｃ１０の環状アルキル基、直鎖又は分岐鎖のＣ２〜Ｃ１０のアルケニル基、直鎖又は分岐鎖のＣ２〜Ｃ１０のアルキニル基、Ｃ５〜Ｃ１０の芳香族基、及びＣ３〜Ｃ１０の飽和又は不飽和の複素環基からなる群よりそれぞれ独立して選択され；かつ
Ｒ１０及びＲ１１は、Ｃ１〜Ｃ１０の直鎖又は分岐鎖アルキル基、Ｃ３〜Ｃ１０の環状アルキル基、直鎖又は分岐鎖のＣ２〜Ｃ１０のアルケニル基、直鎖又は分岐鎖のＣ２〜Ｃ１０のアルキニル基、Ｃ５〜Ｃ１０の芳香族基、及びＣ３〜Ｃ１０の飽和又は不飽和の複素環基からなる群よりそれぞれ独立して選択され、またＬは、Ｃｌ、Ｂｒ又はＩであり；
Ｒ３及びＲ４は、環又はアルキル置換した環を形成することができ；かつＲ１０及びＲ１１は、環又はアルキル置換した環を形成することができる）；
ｃ．上記反応器を、パージガスでパージする工程；
ｄ．上記反応器に、窒素源を導入する工程；
ｅ．上記反応器に、次の式を有する第二の前駆体を導入する工程：Ｓｉ（ＮＲ１Ｒ２）Ｈ３（Ｒ１及びＲ２は、Ｃ１〜Ｃ１０の直鎖又は分岐鎖アルキル基、Ｃ３〜Ｃ１０の環状アルキル基、直鎖又は分岐鎖のＣ２〜Ｃ１０のアルケニル基、直鎖又は分岐鎖のＣ２〜Ｃ１０のアルキニル基、Ｃ５〜Ｃ１０の芳香族基、及びＣ３〜Ｃ１０の飽和又は不飽和の複素環基からなる群よりそれぞれ独立して選択され；かつＲ１及びＲ２は、環又はアルキル置換した環を形成することができる）；
ｆ．上記反応器を、パージガスでパージする工程；
ｇ．上記反応器に、窒素源を導入する工程；
ｈ．上記反応器を、パージガスでパージする工程；
ｉ．上記膜の所望の厚みが得られるまで、ｂ〜ｈの工程を繰り返す工程。
ここに記載した方法の特定の実施態様では、工程ｂでの前駆体は、（ｉ）としてここに記載した有機アミノアルキルシランを含む。より特定的には、工程ｂでの前駆体は、２，６−ジメチルピペリジノメチルシランである有機アミノアルキルシランを含む。
ａ．基材を反応器に与える工程；
ｂ．上記反応器に、以下の群より選択される、少なくとも１種の化合物を含む第１の前駆体を導入する工程：
（ｉ） Ｒ５Ｓｉ（ＮＲ３Ｒ４）ｘＨ３−ｘ（ここで、ｘ＝１、２、３）の式を有する有機アミノアルキルシラン、
（ｉｉ） Ｒ６Ｓｉ（ＯＲ７）ｘＨ３−ｘ（ここで、ｘ＝１、２、３）の式を有する有機アルコキシアルキルシラン、
（ｉｉｉ）Ｒ８Ｎ（ＳｉＲ９（ＮＲ１０Ｒ１１）Ｈ）２の式を有する有機アミノシラン、
（ｉｖ） Ｒ８Ｎ（ＳｉＲ９ＬＨ）２の式を有する有機アミノシラン、及び
これらの組合せ
（ここで、Ｒ３、Ｒ４及びＲ７は、Ｃ１〜Ｃ１０の直鎖又は分岐鎖アルキル基、Ｃ３〜Ｃ１０の環状アルキル基、直鎖又は分岐鎖のＣ２〜Ｃ１０のアルケニル基、直鎖又は分岐鎖のＣ２〜Ｃ１０のアルキニル基、Ｃ５〜Ｃ１０の芳香族基、及びＣ３〜Ｃ１０の飽和又は不飽和の複素環基からなる群よりそれぞれ独立して選択され；
Ｒ５及びＲ６は、Ｃ１〜Ｃ１０の直鎖又は分岐鎖アルキル基、Ｃ３〜Ｃ１０の環状アルキル基、直鎖又は分岐鎖のＣ２〜Ｃ１０のアルケニル基、直鎖又は分岐鎖のＣ３〜Ｃ１０のアルキニル基、Ｃ５〜Ｃ１０の芳香族基、及びＣ３〜Ｃ１０の飽和又は不飽和の複素環基、並びにハロゲン原子からなる群よりそれぞれ独立して選択され；
Ｒ８及びＲ９は、水素、Ｃ１〜Ｃ１０の直鎖又は分岐鎖アルキル基、Ｃ３〜Ｃ１０の環状アルキル基、直鎖又は分岐鎖のＣ２〜Ｃ１０のアルケニル基、直鎖又は分岐鎖のＣ２〜Ｃ１０のアルキニル基、Ｃ５〜Ｃ１０の芳香族基、及びＣ３〜Ｃ１０の飽和又は不飽和の複素環基からなる群よりそれぞれ独立して選択され；かつ
Ｒ１０及びＲ１１は、Ｃ１〜Ｃ１０の直鎖又は分岐鎖アルキル基、Ｃ３〜Ｃ１０の環状アルキル基、直鎖又は分岐鎖のＣ２〜Ｃ１０のアルケニル基、直鎖又は分岐鎖のＣ２〜Ｃ１０のアルキニル基、Ｃ５〜Ｃ１０の芳香族基、及びＣ３〜Ｃ１０の飽和又は不飽和の複素環基からなる群よりそれぞれ独立して選択され、またＬは、Ｃｌ、Ｂｒ又はＩであり；
Ｒ３及びＲ４は、環又はアルキル置換した環を形成することができ；かつＲ１０及びＲ１１は、環又はアルキル置換した環を形成することができる）；
ｃ．上記反応器を、パージガスでパージする工程；
ｄ．上記反応器に、窒素源を導入する工程；
ｅ．上記反応器に、次の式を有する第二の前駆体を導入する工程：Ｓｉ（ＮＲ１Ｒ２）Ｈ３（Ｒ１及びＲ２は、Ｃ１〜Ｃ１０の直鎖又は分岐鎖アルキル基、Ｃ３〜Ｃ１０の環状アルキル基、直鎖又は分岐鎖のＣ２〜Ｃ１０のアルケニル基、直鎖又は分岐鎖のＣ２〜Ｃ１０のアルキニル基、Ｃ５〜Ｃ１０の芳香族基、及びＣ３〜Ｃ１０の飽和又は不飽和の複素環基からなる群よりそれぞれ独立して選択され；かつＲ１及びＲ２は、環又はアルキル置換した環を形成することができる）；
ｆ．上記反応器を、パージガスでパージする工程；
ｇ．上記反応器に、窒素源を導入する工程；
ｈ．上記反応器を、パージガスでパージする工程；
ｉ．上記膜の所望の厚みが得られるまで、ｂ〜ｈの工程を繰り返す工程。
ここに記載した方法の特定の実施態様では、工程ｂでの前駆体は、（ｉ）としてここに記載した有機アミノアルキルシランを含む。より特定的には、工程ｂでの前駆体は、２，６−ジメチルピペリジノメチルシランである有機アミノアルキルシランを含む。
さらなる態様において、次の工程を含む、原子層堆積プロセスによって炭素ドープ酸化ケイ素膜を形成するための方法が与えられる：
ａ．基材を反応器に与える工程；
ｂ．上記反応器に、以下の群より選択される、少なくとも１種の化合物を含む第１の前駆体を導入する工程：
（ｉ） Ｒ５Ｓｉ（ＮＲ３Ｒ４）ｘＨ３−ｘ（ここで、ｘ＝１、２、３）の式を有する有機アミノアルキルシラン、
（ｉｉ） Ｒ６Ｓｉ（ＯＲ７）ｘＨ３−ｘ（ここで、ｘ＝１、２、３）の式を有する有機アルコキシアルキルシラン、
（ｉｉｉ）Ｒ８Ｎ（ＳｉＲ９（ＮＲ１０Ｒ１１）Ｈ）２の式を有する有機アミノシラン、
（ｉｖ） Ｒ８Ｎ（ＳｉＲ９ＬＨ）２の式を有する有機アミノシラン、及び
これらの組合せ
（ここで、Ｒ３、Ｒ４及びＲ７は、Ｃ１〜Ｃ１０の直鎖又は分岐鎖アルキル基、Ｃ３〜Ｃ１０の環状アルキル基、直鎖又は分岐鎖のＣ２〜Ｃ１０のアルケニル基、直鎖又は分岐鎖のＣ２〜Ｃ１０のアルキニル基、Ｃ５〜Ｃ１０の芳香族基、及びＣ３〜Ｃ１０の飽和又は不飽和の複素環基からなる群よりそれぞれ独立して選択され；
Ｒ５及びＲ６は、Ｃ１〜Ｃ１０の直鎖又は分岐鎖アルキル基、Ｃ３〜Ｃ１０の環状アルキル基、直鎖又は分岐鎖のＣ２〜Ｃ１０のアルケニル基、直鎖又は分岐鎖のＣ３〜Ｃ１０のアルキニル基、Ｃ５〜Ｃ１０の芳香族基、及びＣ３〜Ｃ１０の飽和又は不飽和の複素環基、並びにハロゲン原子からなる群よりそれぞれ独立して選択され；
Ｒ８及びＲ９は、水素、Ｃ１〜Ｃ１０の直鎖又は分岐鎖アルキル基、Ｃ３〜Ｃ１０の環状アルキル基、直鎖又は分岐鎖のＣ２〜Ｃ１０のアルケニル基、直鎖又は分岐鎖のＣ２〜Ｃ１０のアルキニル基、Ｃ５〜Ｃ１０の芳香族基、及びＣ３〜Ｃ１０の飽和又は不飽和の複素環基からなる群よりそれぞれ独立して選択され；かつ
Ｒ１０及びＲ１１は、Ｃ１〜Ｃ１０の直鎖又は分岐鎖アルキル基、Ｃ３〜Ｃ１０の環状アルキル基、直鎖又は分岐鎖のＣ２〜Ｃ１０のアルケニル基、直鎖又は分岐鎖のＣ２〜Ｃ１０のアルキニル基、Ｃ５〜Ｃ１０の芳香族基、及びＣ３〜Ｃ１０の飽和又は不飽和の複素環基からなる群よりそれぞれ独立して選択され、またＬは、Ｃｌ、Ｂｒ又はＩであり；
Ｒ３及びＲ４は、環又はアルキル置換した環を形成することができ；かつＲ１０及びＲ１１は、環又はアルキル置換した環を形成することができる）；
ｃ．上記反応器を、パージガスでパージする工程；
ｄ．上記反応器に、酸素源を導入する工程；
ｅ．上記反応器に、次の式を有する第二の前駆体を導入する工程：Ｒ１２Ｓｉ（ＮＲ１３Ｒ１４）ｘＨ３−ｘ（ここで、ｘ＝１、２、３、４であり；Ｒ１２、Ｒ１３及びＲ１４は、Ｈ、Ｃ１〜Ｃ１０の直鎖又は分岐鎖アルキル基、Ｃ３〜Ｃ１０の環状アルキル基、直鎖又は分岐鎖のＣ２〜Ｃ１０のアルケニル基、直鎖又は分岐鎖のＣ２〜Ｃ１０のアルキニル基、Ｃ５〜Ｃ１０の芳香族基、及びＣ３〜Ｃ１０の飽和又は不飽和の複素環基からなる群よりそれぞれ独立して選択され；かつＲ１３及びＲ１４は、環又はアルキル置換した環を形成することができる）；
ｆ．上記反応器を、パージガスでパージする工程；
ｇ．上記反応器に、酸素源を導入する工程；
ｈ．上記反応器を、パージガスでパージする工程；
ｉ．上記膜の所望の厚みが得られるまで、ｂ〜ｈの工程を繰り返す工程。
ここに記載した方法の特定の実施態様では、工程ｂでの前駆体は、（ｉ）としてここに記載した有機アミノアルキルシランを含む。より特定的には、工程ｂでの前駆体は、２，６−ジメチルピペリジノメチルシランである有機アミノアルキルシランを含む。
ａ．基材を反応器に与える工程；
ｂ．上記反応器に、以下の群より選択される、少なくとも１種の化合物を含む第１の前駆体を導入する工程：
（ｉ） Ｒ５Ｓｉ（ＮＲ３Ｒ４）ｘＨ３−ｘ（ここで、ｘ＝１、２、３）の式を有する有機アミノアルキルシラン、
（ｉｉ） Ｒ６Ｓｉ（ＯＲ７）ｘＨ３−ｘ（ここで、ｘ＝１、２、３）の式を有する有機アルコキシアルキルシラン、
（ｉｉｉ）Ｒ８Ｎ（ＳｉＲ９（ＮＲ１０Ｒ１１）Ｈ）２の式を有する有機アミノシラン、
（ｉｖ） Ｒ８Ｎ（ＳｉＲ９ＬＨ）２の式を有する有機アミノシラン、及び
これらの組合せ
（ここで、Ｒ３、Ｒ４及びＲ７は、Ｃ１〜Ｃ１０の直鎖又は分岐鎖アルキル基、Ｃ３〜Ｃ１０の環状アルキル基、直鎖又は分岐鎖のＣ２〜Ｃ１０のアルケニル基、直鎖又は分岐鎖のＣ２〜Ｃ１０のアルキニル基、Ｃ５〜Ｃ１０の芳香族基、及びＣ３〜Ｃ１０の飽和又は不飽和の複素環基からなる群よりそれぞれ独立して選択され；
Ｒ５及びＲ６は、Ｃ１〜Ｃ１０の直鎖又は分岐鎖アルキル基、Ｃ３〜Ｃ１０の環状アルキル基、直鎖又は分岐鎖のＣ２〜Ｃ１０のアルケニル基、直鎖又は分岐鎖のＣ３〜Ｃ１０のアルキニル基、Ｃ５〜Ｃ１０の芳香族基、及びＣ３〜Ｃ１０の飽和又は不飽和の複素環基、並びにハロゲン原子からなる群よりそれぞれ独立して選択され；
Ｒ８及びＲ９は、水素、Ｃ１〜Ｃ１０の直鎖又は分岐鎖アルキル基、Ｃ３〜Ｃ１０の環状アルキル基、直鎖又は分岐鎖のＣ２〜Ｃ１０のアルケニル基、直鎖又は分岐鎖のＣ２〜Ｃ１０のアルキニル基、Ｃ５〜Ｃ１０の芳香族基、及びＣ３〜Ｃ１０の飽和又は不飽和の複素環基からなる群よりそれぞれ独立して選択され；かつ
Ｒ１０及びＲ１１は、Ｃ１〜Ｃ１０の直鎖又は分岐鎖アルキル基、Ｃ３〜Ｃ１０の環状アルキル基、直鎖又は分岐鎖のＣ２〜Ｃ１０のアルケニル基、直鎖又は分岐鎖のＣ２〜Ｃ１０のアルキニル基、Ｃ５〜Ｃ１０の芳香族基、及びＣ３〜Ｃ１０の飽和又は不飽和の複素環基からなる群よりそれぞれ独立して選択され、またＬは、Ｃｌ、Ｂｒ又はＩであり；
Ｒ３及びＲ４は、環又はアルキル置換した環を形成することができ；かつＲ１０及びＲ１１は、環又はアルキル置換した環を形成することができる）；
ｃ．上記反応器を、パージガスでパージする工程；
ｄ．上記反応器に、酸素源を導入する工程；
ｅ．上記反応器に、次の式を有する第二の前駆体を導入する工程：Ｒ１２Ｓｉ（ＮＲ１３Ｒ１４）ｘＨ３−ｘ（ここで、ｘ＝１、２、３、４であり；Ｒ１２、Ｒ１３及びＲ１４は、Ｈ、Ｃ１〜Ｃ１０の直鎖又は分岐鎖アルキル基、Ｃ３〜Ｃ１０の環状アルキル基、直鎖又は分岐鎖のＣ２〜Ｃ１０のアルケニル基、直鎖又は分岐鎖のＣ２〜Ｃ１０のアルキニル基、Ｃ５〜Ｃ１０の芳香族基、及びＣ３〜Ｃ１０の飽和又は不飽和の複素環基からなる群よりそれぞれ独立して選択され；かつＲ１３及びＲ１４は、環又はアルキル置換した環を形成することができる）；
ｆ．上記反応器を、パージガスでパージする工程；
ｇ．上記反応器に、酸素源を導入する工程；
ｈ．上記反応器を、パージガスでパージする工程；
ｉ．上記膜の所望の厚みが得られるまで、ｂ〜ｈの工程を繰り返す工程。
ここに記載した方法の特定の実施態様では、工程ｂでの前駆体は、（ｉ）としてここに記載した有機アミノアルキルシランを含む。より特定的には、工程ｂでの前駆体は、２，６−ジメチルピペリジノメチルシランである有機アミノアルキルシランを含む。
さらなる態様において、次の工程を含む、原子層堆積プロセスによって炭素ドープ窒化ケイ素膜を形成するための方法が与えられる：
ａ．基材を反応器に与える工程；
ｂ．上記反応器に、以下の群より選択される、少なくとも１種の化合物を含む第１の前駆体を導入する工程：
（ｉ） Ｒ５Ｓｉ（ＮＲ３Ｒ４）ｘＨ３−ｘ（ここで、ｘ＝１、２、３）の式を有する有機アミノアルキルシラン、
（ｉｉ） Ｒ６Ｓｉ（ＯＲ７）ｘＨ３−ｘ（ここで、ｘ＝１、２、３）の式を有する有機アルコキシアルキルシラン、
（ｉｉｉ）Ｒ８Ｎ（ＳｉＲ９（ＮＲ１０Ｒ１１）Ｈ）２の式を有する有機アミノシラン、
（ｉｖ） Ｒ８Ｎ（ＳｉＲ９ＬＨ）２の式を有する有機アミノシラン、及び
これらの組合せ
（ここで、Ｒ３、Ｒ４及びＲ７は、Ｃ１〜Ｃ１０の直鎖又は分岐鎖アルキル基、Ｃ３〜Ｃ１０の環状アルキル基、直鎖又は分岐鎖のＣ２〜Ｃ１０のアルケニル基、直鎖又は分岐鎖のＣ２〜Ｃ１０のアルキニル基、Ｃ５〜Ｃ１０の芳香族基、及びＣ３〜Ｃ１０の飽和又は不飽和の複素環基からなる群よりそれぞれ独立して選択され；
Ｒ５及びＲ６は、Ｃ１〜Ｃ１０の直鎖又は分岐鎖アルキル基、Ｃ３〜Ｃ１０の環状アルキル基、直鎖又は分岐鎖のＣ２〜Ｃ１０のアルケニル基、直鎖又は分岐鎖のＣ３〜Ｃ１０のアルキニル基、Ｃ５〜Ｃ１０の芳香族基、及びＣ３〜Ｃ１０の飽和又は不飽和の複素環基、並びにハロゲン原子からなる群よりそれぞれ独立して選択され；
Ｒ８及びＲ９は、水素、Ｃ１〜Ｃ１０の直鎖又は分岐鎖アルキル基、Ｃ３〜Ｃ１０の環状アルキル基、直鎖又は分岐鎖のＣ２〜Ｃ１０のアルケニル基、直鎖又は分岐鎖のＣ２〜Ｃ１０のアルキニル基、Ｃ５〜Ｃ１０の芳香族基、及びＣ３〜Ｃ１０の飽和又は不飽和の複素環基からなる群よりそれぞれ独立して選択され；かつ
Ｒ１０及びＲ１１は、Ｃ１〜Ｃ１０の直鎖又は分岐鎖アルキル基、Ｃ３〜Ｃ１０の環状アルキル基、直鎖又は分岐鎖のＣ２〜Ｃ１０のアルケニル基、直鎖又は分岐鎖のＣ２〜Ｃ１０のアルキニル基、Ｃ５〜Ｃ１０の芳香族基、及びＣ３〜Ｃ１０の飽和又は不飽和の複素環基からなる群よりそれぞれ独立して選択され、またＬは、Ｃｌ、Ｂｒ又はＩであり；
Ｒ３及びＲ４は、環又はアルキル置換した環を形成することができ；かつＲ１０及びＲ１１は、環又はアルキル置換した環を形成することができる）；
ｃ．上記反応器を、パージガスでパージする工程；
ｄ．上記反応器に、窒素源を導入する工程；
ｅ．上記反応器に、次の式を有する第二の前駆体を導入する工程：Ｒ１２Ｓｉ（ＮＲ１３Ｒ１４）ｘＨ３−ｘ（ここで、ｘ＝１、２、３、４であり；Ｒ１２、Ｒ１３及びＲ１４は、Ｈ、Ｃ１〜Ｃ１０の直鎖又は分岐鎖アルキル基、Ｃ３〜Ｃ１０の環状アルキル基、直鎖又は分岐鎖のＣ２〜Ｃ１０のアルケニル基、直鎖又は分岐鎖のＣ２〜Ｃ１０のアルキニル基、Ｃ５〜Ｃ１０の芳香族基、及びＣ３〜Ｃ１０の飽和又は不飽和の複素環基からなる群よりそれぞれ独立して選択され；かつＲ１３及びＲ１４は、環又はアルキル置換した環を形成することができる）；
ｆ．上記反応器を、パージガスでパージする工程；
ｇ．上記反応器に、窒素源を導入する工程；
ｈ．上記反応器を、パージガスでパージする工程；
ｉ．上記膜の所望の厚みが得られるまで、ｂ〜ｈの工程を繰り返す工程。
ここに記載した方法の特定の実施態様では、工程ｂでの前駆体は、（ｉ）としてここに記載した有機アミノアルキルシランを含む。より特定的には、工程ｂでの前駆体は、２，６−ジメチルピペリジノメチルシランである有機アミノアルキルシランを含む。
ａ．基材を反応器に与える工程；
ｂ．上記反応器に、以下の群より選択される、少なくとも１種の化合物を含む第１の前駆体を導入する工程：
（ｉ） Ｒ５Ｓｉ（ＮＲ３Ｒ４）ｘＨ３−ｘ（ここで、ｘ＝１、２、３）の式を有する有機アミノアルキルシラン、
（ｉｉ） Ｒ６Ｓｉ（ＯＲ７）ｘＨ３−ｘ（ここで、ｘ＝１、２、３）の式を有する有機アルコキシアルキルシラン、
（ｉｉｉ）Ｒ８Ｎ（ＳｉＲ９（ＮＲ１０Ｒ１１）Ｈ）２の式を有する有機アミノシラン、
（ｉｖ） Ｒ８Ｎ（ＳｉＲ９ＬＨ）２の式を有する有機アミノシラン、及び
これらの組合せ
（ここで、Ｒ３、Ｒ４及びＲ７は、Ｃ１〜Ｃ１０の直鎖又は分岐鎖アルキル基、Ｃ３〜Ｃ１０の環状アルキル基、直鎖又は分岐鎖のＣ２〜Ｃ１０のアルケニル基、直鎖又は分岐鎖のＣ２〜Ｃ１０のアルキニル基、Ｃ５〜Ｃ１０の芳香族基、及びＣ３〜Ｃ１０の飽和又は不飽和の複素環基からなる群よりそれぞれ独立して選択され；
Ｒ５及びＲ６は、Ｃ１〜Ｃ１０の直鎖又は分岐鎖アルキル基、Ｃ３〜Ｃ１０の環状アルキル基、直鎖又は分岐鎖のＣ２〜Ｃ１０のアルケニル基、直鎖又は分岐鎖のＣ３〜Ｃ１０のアルキニル基、Ｃ５〜Ｃ１０の芳香族基、及びＣ３〜Ｃ１０の飽和又は不飽和の複素環基、並びにハロゲン原子からなる群よりそれぞれ独立して選択され；
Ｒ８及びＲ９は、水素、Ｃ１〜Ｃ１０の直鎖又は分岐鎖アルキル基、Ｃ３〜Ｃ１０の環状アルキル基、直鎖又は分岐鎖のＣ２〜Ｃ１０のアルケニル基、直鎖又は分岐鎖のＣ２〜Ｃ１０のアルキニル基、Ｃ５〜Ｃ１０の芳香族基、及びＣ３〜Ｃ１０の飽和又は不飽和の複素環基からなる群よりそれぞれ独立して選択され；かつ
Ｒ１０及びＲ１１は、Ｃ１〜Ｃ１０の直鎖又は分岐鎖アルキル基、Ｃ３〜Ｃ１０の環状アルキル基、直鎖又は分岐鎖のＣ２〜Ｃ１０のアルケニル基、直鎖又は分岐鎖のＣ２〜Ｃ１０のアルキニル基、Ｃ５〜Ｃ１０の芳香族基、及びＣ３〜Ｃ１０の飽和又は不飽和の複素環基からなる群よりそれぞれ独立して選択され、またＬは、Ｃｌ、Ｂｒ又はＩであり；
Ｒ３及びＲ４は、環又はアルキル置換した環を形成することができ；かつＲ１０及びＲ１１は、環又はアルキル置換した環を形成することができる）；
ｃ．上記反応器を、パージガスでパージする工程；
ｄ．上記反応器に、窒素源を導入する工程；
ｅ．上記反応器に、次の式を有する第二の前駆体を導入する工程：Ｒ１２Ｓｉ（ＮＲ１３Ｒ１４）ｘＨ３−ｘ（ここで、ｘ＝１、２、３、４であり；Ｒ１２、Ｒ１３及びＲ１４は、Ｈ、Ｃ１〜Ｃ１０の直鎖又は分岐鎖アルキル基、Ｃ３〜Ｃ１０の環状アルキル基、直鎖又は分岐鎖のＣ２〜Ｃ１０のアルケニル基、直鎖又は分岐鎖のＣ２〜Ｃ１０のアルキニル基、Ｃ５〜Ｃ１０の芳香族基、及びＣ３〜Ｃ１０の飽和又は不飽和の複素環基からなる群よりそれぞれ独立して選択され；かつＲ１３及びＲ１４は、環又はアルキル置換した環を形成することができる）；
ｆ．上記反応器を、パージガスでパージする工程；
ｇ．上記反応器に、窒素源を導入する工程；
ｈ．上記反応器を、パージガスでパージする工程；
ｉ．上記膜の所望の厚みが得られるまで、ｂ〜ｈの工程を繰り返す工程。
ここに記載した方法の特定の実施態様では、工程ｂでの前駆体は、（ｉ）としてここに記載した有機アミノアルキルシランを含む。より特定的には、工程ｂでの前駆体は、２，６−ジメチルピペリジノメチルシランである有機アミノアルキルシランを含む。
１種以上の前駆体を含む組成物、及びこの前駆体組成物を用いて、原子層堆積（ＡＬＤ）、サイクリック化学気相成長（ＣＣＶＤ）、プラズマＡＬＤ（ＰＥＡＬＤ）、又はプラズマＣＣＶＤ（ＰＥＣＣＶＤ）によって炭素ドープケイ素含有膜を堆積する方法が本明細書に記載されている。本明細書に記載されている組成物は、次の式を有する化合物の群から選択される化合物の少なくとも１種を含む第１の前駆体で構成されるか、第１の前駆体から本質的になるか、又は第１の前駆体からなる：（ｉ）Ｒ５Ｓｉ（ＮＲ３Ｒ４）ｘＨ３−ｘ；（ｉｉ）Ｒ６Ｓｉ（ＯＲ７）ｘＨ３−ｘ；（ｉｉｉ）Ｒ８Ｎ（ＳｉＲ９（ＮＲ１０Ｒ１１）Ｈ）２の式を有する有機アミノシラン；並びに（ｉ）、（ｉｉ）、（ｉｉｉ）の組合せ（ここで、Ｒ３、Ｒ４及びＲ７は、Ｃ１〜Ｃ１０の直鎖又は分岐鎖アルキル基、Ｃ３〜Ｃ１０の環状アルキル基、直鎖又は分岐鎖のＣ２〜Ｃ１０のアルケニル基、直鎖又は分岐鎖のＣ３〜Ｃ１０のアルキニル基、Ｃ５〜Ｃ１０の芳香族基、及びＣ３〜Ｃ１０の飽和又は不飽和の複素環基からなる群よりそれぞれ独立して選択され；Ｒ５及びＲ６は、Ｃ１〜Ｃ１０の直鎖又は分岐鎖アルキル基、Ｃ３〜Ｃ１０の環状アルキル基、直鎖又は分岐鎖のＣ２〜Ｃ１０のアルケニル基、直鎖又は分岐鎖のＣ３〜Ｃ１０のアルキニル基、Ｃ５〜Ｃ１０の芳香族基、及びＣ３〜Ｃ１０の飽和又は不飽和の複素環基、並びにハロゲン原子からなる群よりそれぞれ独立して選択され；Ｒ８及びＲ９は、水素、Ｃ１〜Ｃ１０の直鎖又は分岐鎖アルキル基、Ｃ３〜Ｃ１０の環状アルキル基、直鎖又は分岐鎖のＣ２〜Ｃ１０のアルケニル基、直鎖又は分岐鎖のＣ３〜Ｃ１０のアルキニル基、Ｃ５〜Ｃ１０の芳香族基、及びＣ３〜Ｃ１０の飽和又は不飽和の複素環基からなる群よりそれぞれ独立して選択され；かつＲ１０及びＲ１１は、Ｃ１〜Ｃ１０の直鎖又は分岐鎖アルキル基、Ｃ３〜Ｃ１０の環状アルキル基、直鎖又は分岐鎖のＣ２〜Ｃ１０のアルケニル基、直鎖又は分岐鎖のＣ３〜Ｃ１０のアルキニル基、Ｃ５〜Ｃ１０の芳香族基、及びＣ３〜Ｃ１０の飽和又は不飽和の複素環基からなる群よりそれぞれ独立して選択され；ｘ＝１、２、又は３であり；Ｒ３及びＲ４は、環又はアルキル置換した環を形成することができ；かつＲ１０及びＲ１１は、環又はアルキル置換した環を形成することができる）。
この実施態様又は他の実施態様において、この組成物は、次の式を有する有機アミノシランを含む第二の前駆体をさらに含有する：Ｓｉ（ＮＲ１Ｒ２）Ｈ３（Ｒ１及びＲ２は、Ｃ１〜Ｃ１０の直鎖又は分岐鎖アルキル基、Ｃ３〜Ｃ１０の環状アルキル基、直鎖又は分岐鎖のＣ２〜Ｃ１０のアルケニル基、直鎖又は分岐鎖のＣ３〜Ｃ１０のアルキニル基、Ｃ５〜Ｃ１０の芳香族基、及びＣ３〜Ｃ１０の飽和又は不飽和の複素環基からなる群よりそれぞれ独立して選択され；かつＲ１及びＲ２は、環又はアルキル置換した環を形成することができる）。
この実施態様又は他の実施態様において、この組成物は、次の式を有する有機アミノシランを含む第二の前駆体をさらに含有する：Ｓｉ（ＮＲ１Ｒ２）Ｈ３（Ｒ１及びＲ２は、Ｃ１〜Ｃ１０の直鎖又は分岐鎖アルキル基、Ｃ３〜Ｃ１０の環状アルキル基、直鎖又は分岐鎖のＣ２〜Ｃ１０のアルケニル基、直鎖又は分岐鎖のＣ３〜Ｃ１０のアルキニル基、Ｃ５〜Ｃ１０の芳香族基、及びＣ３〜Ｃ１０の飽和又は不飽和の複素環基からなる群よりそれぞれ独立して選択され；かつＲ１及びＲ２は、環又はアルキル置換した環を形成することができる）。
本明細書に記載した組成物中の前駆体は、典型的には非常に純度の高い揮発性液体前駆体の化学物質であり、これを気化し、そして堆積チャンバー又は反応器にガスとして供給して、半導体又は他のデバイス用のケイ素含有膜をＣＤＶ又はＡＬＤプロセスによって堆積する。堆積用の前駆体材料は、所望の生成誘電材料又は生成誘電膜に従って選択される。例えば、前駆体材料を、その化学元素の含有量、その化学元素の化学両論比、及び／又はＣＶＤの下で形成される生成ケイ素含有膜若しくは生成ケイ素含有コーティングに関して選択してもよい。また、組成物中で用いられる前駆体材料を、様々な他の特性、例えばコスト、比較的低い毒性、取扱い性、室温で液相を維持する性能、揮発性、分子量、及び／又は他の配慮に関して選択してもよい。ある種の実施態様では、本明細書に記載した組成物中の前駆体を、堆積チャンバー又は反応器への液相前駆体の供給を可能とする、任意の多数の手段で反応器系に供給することができ、好ましくは適切なバルブ及び取付具を有するステンレス鋼の圧力容器を用いて反応器系に供給することができる。
本明細書に記載した組成物中の前駆体は、ＣＶＤ又はＡＬＤ前駆体としてそれらを理想的に適切とする、反応性及び安定性のバランスを示す。反応性に関して、ある種の前駆体では、気化させ、そして反応器に提供して基材に膜として堆積させるのに、高すぎる沸点を有する場合がある。比較的に高い沸点を有する前駆体では、提供容器及び提供ラインを前駆体の沸点以上に加熱して、容器、ライン又はこの両方への凝縮物又は粒子の形成を、防ぐことを必要とする。安定性に関して、他の有機アミノシラン前駆体は、分解するにしたがって、シラン（ＳｉＨ４）を形成する場合がある。シランは、室温で自然発火性であり、又はそれは自発的に燃焼することがあり、これは安全性の問題と取扱いの問題を提示する。さらに、シラン及び他の副生成物の形成は、前駆体の純度を低下させる。また、１〜２％程の小さな化学的純度の変化が、信頼性のある半導体製造のためには許容できないものとみなされる場合がある。ある種の実施態様では、本明細書に記載した組成物中の前駆体は、６ヶ月以上又は１年以上の期間で保存した後に、２ｗｔ％未満、１ｗｔ％未満又は０．５ｗｔ％未満の副生成物（例えば、対応するビス−シランの副生成物）を含み、これは保存安定性があることを示す。上記の利点に加えて、ある種の実施態様、例えばＡＬＤ堆積法又はＰＥＡＬＤ堆積法を用いて酸化ケイ素膜又は窒化ケイ素膜を堆積する実施態様では、本明細書に記載された有機アミノシラン前駆体は、比較的低い堆積温度で、例えば５００℃以下、４００℃以下、３００℃以下、２００℃以下、１００℃以下、又は５０℃以下で、高密度材料を堆積できる場合がある。１つの特定の実施態様では、本明細書に記載した組成物は、約２５０℃以下で、２００℃以下、１００℃以下、又は５０℃以下の堆積温度で、炭素ドープケイ素含有膜を堆積することができる。
本明細書に記載した組成物を、炭素を含まないケイ素含有膜と比較して高いウェットエッチング耐性及び低い疎水性を示す炭素ドープケイ素含有膜を堆積するために用いることができる。理論に拘束されないが、ケイ素含有膜への炭素の導入、特に比較的低級のアルキル形態（例えば、Ｍｅ基、Ｅｔ基、Ｐｒ基）での導入は、ウェットのエッチング速度を低下させ、かつ疎水性を改良する。半導体のパターニングプロセスにおいては、選択的なエッチングは、特に重要である。ケイ素含有膜への炭素の添加の追加的な利点は、誘電率を低下させること、又は膜の他の電気的性質若しくは物理的性質についてである。ケイ素への低級アルキル置換基から形成されているＳｉ−Ｃ結合の強度、特にケイ素−メチル結合の強度は、本発明で記載された方法に従う膜形成の間に、少なくとも部分的には損傷を受けずに維持するのに十分である。ケイ素含有膜の残留するこの有機炭素は、低い誘電率を与え、かつ疎水性を高め、また薄いフッ化水素酸水溶液を用いるエッチングの速度を低下させる。
上述したように、本明細書に記載した組成物は、有機基、窒素原子、及びケイ素原子を含む少なくとも１種の前駆体を含有する。第１の前駆体は、次の式を有する化合物から選択された少なくとも１種の化合物で構成される：（ｉ）Ｒ５Ｓｉ（ＮＲ３Ｒ４）ｘＨ３−ｘ；（ｉｉ）Ｒ６Ｓｉ（ＯＲ７）ｘＨ３−ｘ；（ｉｉｉ）Ｒ８Ｎ（ＳｉＲ９（ＮＲ１０Ｒ１１）Ｈ）２及びこれらの組合せ。特定の実施態様では、本明細書に記載した単独又は組合せの前駆体は液体注入装置によって供給される。生成膜中の炭素含有量は、次の１つ以上で調整することができる：前駆体中に含有している炭素の量、前駆体中に含有している炭素の種類、堆積条件、特定の実施態様ではサイクリックＣＶＤ又はＡＬＤプロセスにおける第２の前駆体のサイクル数に対する第１の前駆体のサイクル数、特定の実施態様では第１の前駆体の第２の前駆体に対する比、又はこれらの組合せ。
１つの実施態様では、炭素ドープケイ素含有膜を堆積するためのこの組成物は、次の式を有する有機アミノアルキルシランを含む第１の前駆体を含有する：Ｒ５Ｓｉ（ＮＲ３Ｒ４）ｘＨ３−ｘ（ここで、ｘ＝１、２、３；Ｒ３、Ｒ４及びＲ７は、Ｃ１〜Ｃ１０の直鎖又は分岐鎖アルキル基、Ｃ３〜Ｃ１０の環状アルキル基、直鎖又は分岐鎖のＣ２〜Ｃ１０のアルケニル基、直鎖又は分岐鎖のＣ２〜Ｃ１０のアルキニル基、Ｃ５〜Ｃ１０の芳香族基、及びＣ３〜Ｃ１０の飽和又は不飽和の複素環基からなる群よりそれぞれ独立して選択され；Ｒ５は、Ｃ１〜Ｃ１０の直鎖又は分岐鎖アルキル基、Ｃ３〜Ｃ１０の環状アルキル基、直鎖又は分岐鎖のＣ２〜Ｃ１０のアルケニル基、直鎖又は分岐鎖のＣ３〜Ｃ１０のアルキニル基、Ｃ５〜Ｃ１０の芳香族基、及びＣ３〜Ｃ１０の飽和又は不飽和の複素環基、並びにハロゲン原子からなる群より選択され；かつＲ３及びＲ４は、環又はアルキル置換した環を形成することができる）。
Ｒ５Ｓｉ（ＮＲ３Ｒ４）ｘＨ３−ｘの式を有するこの有機アミノアルキルシランの特定の実施態様では、Ｒ３及びＲ４は結合して環状基を形成できる。これらの実施態様では、この環状基は、炭素環基又は複素環基となることができる。この環状基は、飽和していてもよく、また不飽和であってもよい。Ｒ５Ｓｉ（ＮＲ３Ｒ４）ｘＨ３−ｘの式を有するこの有機アミノアルキルシランの他の実施態様では、Ｒ３及びＲ４は、環状基を形成するための結合をしていない。
Ｒ５Ｓｉ（ＮＲ３Ｒ４）ｘＨ３−ｘの式を有するこの有機アミノアルキルシランの特定の実施態様では、Ｒ３及びＲ４は結合して環状基を形成できる。これらの実施態様では、この環状基は、炭素環基又は複素環基となることができる。この環状基は、飽和していてもよく、また不飽和であってもよい。Ｒ５Ｓｉ（ＮＲ３Ｒ４）ｘＨ３−ｘの式を有するこの有機アミノアルキルシランの他の実施態様では、Ｒ３及びＲ４は、環状基を形成するための結合をしていない。
他の実施態様では、炭素ドープケイ素含有膜を堆積するためのこの組成物は、次の式を有する有機アルコキシアルキルシランを含む第１の前駆体を含有する：Ｒ６Ｓｉ（ＯＲ７）ｘＨ３−ｘ（ここで、ｘ＝１、２、３；Ｒ７は、Ｃ１〜Ｃ１０の直鎖又は分岐鎖アルキル基、Ｃ３〜Ｃ１０の環状アルキル基、直鎖又は分岐鎖のＣ２〜Ｃ１０のアルケニル基、直鎖又は分岐鎖のＣ３〜Ｃ１０のアルキニル基、Ｃ５〜Ｃ１０の芳香族基、及びＣ３〜Ｃ１０の飽和又は不飽和の複素環基からなる群より独立して選択され；かつＲ６は、Ｃ１〜Ｃ１０の直鎖又は分岐鎖アルキル基、Ｃ３〜Ｃ１０の環状アルキル基、直鎖又は分岐鎖のＣ２〜Ｃ１０のアルケニル基、直鎖又は分岐鎖のＣ３〜Ｃ１０のアルキニル基、Ｃ５〜Ｃ１０の芳香族基、及びＣ３〜Ｃ１０の飽和又は不飽和の複素環基、並びにハロゲン原子からなる群より選択される）。
さらなる実施態様では、炭素ドープケイ素含有膜を堆積するためのこの組成物は、次の式を有する有機アルコキシアルキルシランを含む第１の前駆体を含有する：Ｒ８Ｎ（ＳｉＲ９（ＮＲ１０Ｒ１１）Ｈ）２（Ｒ８及びＲ９は、水素、Ｃ１〜Ｃ１０の直鎖又は分岐鎖アルキル基、Ｃ３〜Ｃ１０の環状アルキル基、直鎖又は分岐鎖のＣ２〜Ｃ１０のアルケニル基、直鎖又は分岐鎖のＣ３〜Ｃ１０のアルキニル基、Ｃ５〜Ｃ１０の芳香族基、及びＣ３〜Ｃ１０の飽和又は不飽和の複素環基からなる群よりそれぞれ独立して選択され；Ｒ１０及びＲ１１は、Ｃ１〜Ｃ１０の直鎖又は分岐鎖アルキル基、Ｃ３〜Ｃ１０の環状アルキル基、直鎖又は分岐鎖のＣ２〜Ｃ１０のアルケニル基、直鎖又は分岐鎖のＣ３〜Ｃ１０のアルキニル基、Ｃ５〜Ｃ１０の芳香族基、及びＣ３〜Ｃ１０の飽和又は不飽和の複素環基からなる群よりそれぞれ独立して選択され；かつＲ１０及びＲ１１は、環又はアルキル置換した環を形成することができる）。
Ｒ８Ｎ（ＳｉＲ９（ＮＲ１０Ｒ１１）Ｈ）２の式を有するこの有機アミノシランの特定の実施態様では、Ｒ１０及びＲ１１は結合して環状基を形成できる。これらの実施態様では、この環状基は、炭素環基又は複素環基となることができる。この環状基は、飽和していてもよく、また不飽和であってもよい。Ｒ８Ｎ（ＳｉＲ９（ＮＲ１０Ｒ１１）Ｈ）２の式を有するこの有機アミノシランの他の実施態様では、Ｒ１０及びＲ１１は、環状基を形成するための結合をしていない。
Ｒ８Ｎ（ＳｉＲ９（ＮＲ１０Ｒ１１）Ｈ）２の式を有するこの有機アミノシランの特定の実施態様では、Ｒ１０及びＲ１１は結合して環状基を形成できる。これらの実施態様では、この環状基は、炭素環基又は複素環基となることができる。この環状基は、飽和していてもよく、また不飽和であってもよい。Ｒ８Ｎ（ＳｉＲ９（ＮＲ１０Ｒ１１）Ｈ）２の式を有するこの有機アミノシランの他の実施態様では、Ｒ１０及びＲ１１は、環状基を形成するための結合をしていない。
他の実施態様では、第１の前駆体は、次の式を有する有機アミノシランを含む：Ｒ８Ｎ（ＳｉＲ９（ＮＲ１０Ｒ１１）Ｈ）２（Ｒ８及びＲ９は、水素、Ｃ１〜Ｃ１０の直鎖又は分岐鎖アルキル基、Ｃ３〜Ｃ１０の環状アルキル基、直鎖又は分岐鎖のＣ２〜Ｃ１０のアルケニル基、直鎖又は分岐鎖のＣ３〜Ｃ１０のアルキニル基、Ｃ５〜Ｃ１０の芳香族基、及びＣ３〜Ｃ１０の飽和又は不飽和の複素環基からなる群よりそれぞれ独立して選択され；Ｌは、Ｃｌ、Ｂｒ及びＩからなる群より選択されるハロゲン（ｈａｌｉｄｅ）である）。
ある種の実施態様において、炭素ドープケイ素含有膜を堆積するためのこの組成物は、次の式を有する有機アミノシランを含む第二の前駆体をさらに含有する：Ｓｉ（ＮＲ１Ｒ２）Ｈ３（Ｒ１及びＲ２は、Ｃ１〜Ｃ１０の直鎖又は分岐鎖アルキル基、Ｃ３〜Ｃ１０の環状アルキル基、直鎖又は分岐鎖のＣ２〜Ｃ１０のアルケニル基、直鎖又は分岐鎖のＣ３〜Ｃ１０のアルキニル基、Ｃ５〜Ｃ１０の芳香族基、及びＣ３〜Ｃ１０の飽和又は不飽和の複素環基からなる群よりそれぞれ独立して選択され；かつＲ１及びＲ２は、環又はアルキル置換した環を形成することができる）。
Ｓｉ（ＮＲ１Ｒ２）Ｈ３の式を有するこの有機アミノシランの特定の実施態様では、Ｒ１及びＲ２は結合して環状基を形成できる。これらの実施態様では、この環は、複素環基を含む。この環又は複素環は、飽和していてもよく、また不飽和であってもよい。Ｓｉ（ＮＲ１Ｒ２）Ｈ３の式を有するこの有機アミノシランの他の実施態様では、Ｒ１及びＲ２は、環状基を形成するための結合をしていない。
Ｓｉ（ＮＲ１Ｒ２）Ｈ３の式を有するこの有機アミノシランの特定の実施態様では、Ｒ１及びＲ２は結合して環状基を形成できる。これらの実施態様では、この環は、複素環基を含む。この環又は複素環は、飽和していてもよく、また不飽和であってもよい。Ｓｉ（ＮＲ１Ｒ２）Ｈ３の式を有するこの有機アミノシランの他の実施態様では、Ｒ１及びＲ２は、環状基を形成するための結合をしていない。
別の実施態様において、この随意の第二の前駆体は、次の式を有する有機アミノシランを含むことができる：Ｒ１２Ｓｉ（ＮＲ１３Ｒ１４）ｘＨ３−ｘ（ここで、ｘ＝１、２、３、及び４であり；Ｒ１２、Ｒ１３及びＲ１４は、Ｈ、Ｃ１〜Ｃ１０の直鎖又は分岐鎖アルキル基、Ｃ３〜Ｃ１０の環状アルキル基、直鎖又は分岐鎖のＣ２〜Ｃ１０のアルケニル基、直鎖又は分岐鎖のＣ２〜Ｃ１０のアルキニル基、Ｃ５〜Ｃ１０の芳香族基、及びＣ３〜Ｃ１０の飽和又は不飽和の複素環基からなる群よりそれぞれ独立して選択され；かつＲ１３及びＲ１４は、環又はアルキル置換した環を形成することができる）。
この式を有する有機アミノシランの特定の実施態様では、Ｒ１３及びＲ１４は結合して環状基を形成できる。これらの実施態様では、この環は、複素環基を含む。この環又は複素環は、飽和していてもよく、また不飽和であってもよい。この式を有するこの有機アミノシランの他の実施態様では、Ｒ１３及びＲ１４は、環状基を形成するための結合をしていない。
この式を有する有機アミノシランの特定の実施態様では、Ｒ１３及びＲ１４は結合して環状基を形成できる。これらの実施態様では、この環は、複素環基を含む。この環又は複素環は、飽和していてもよく、また不飽和であってもよい。この式を有するこの有機アミノシランの他の実施態様では、Ｒ１３及びＲ１４は、環状基を形成するための結合をしていない。
第１の前駆体及び第２の前駆体に関する上記の式、及び明細書を通じて、用語「アルキル」は、１〜１０、３〜１０又は１〜６の炭素原子を有する直鎖又は分岐鎖の官能基を意味する。典型的な直鎖アルキル基としては、限定されないが、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、及びヘキシル基が挙げられる。典型的な分岐鎖アルキル基としては、限定されないが、イソプロピル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、イソ−ペンチル基、ｔｅｒｔ−ペンチル基、イソヘキシル基及びネオヘキシル基が挙げられる。ある種の実施態様では、このアルキル基は、自身に結合している１つ以上の官能基、例えば限定されないが、アルコキシ基、ジアルキルアミノ基又はこれらの組み合わせを有する場合がある。他の実施態様では、アルキル基は、自身に結合する１つ以上の官能基を有さない。このアルキル基は、飽和していてもよく、又は不飽和であってもよい。
上記の式及び明細書を通じて、用語「環状アルキル」は、３〜１０又は５〜１０の炭素原子を有する環状官能基を意味する。典型的な環状アルキル基としては、限定されないが、シクロブチル、シクロペンチル、シクロヘキシル及びシクロオクチル基が挙げられる。ある種の実施態様において、この環状アルキル基は、酸素又は窒素を含むＣ１〜Ｃ１０の直鎖若しくは分岐鎖の、置換若しくは非置換の基を有してもよい。この実施態様又は他の実施態様では、環状アルキル基は、１以上の直鎖又は分岐鎖のアルキル基又はアルコキシ基を置換基として有してもよく、例えばメチルシクロヘキシル基又はメトキシヘキシル基であってもよい。
上記の式及び明細書を通じて、用語「アリール」は、５〜１０の炭素原子又は６〜１０の炭素原子を有する芳香族の環状官能基を意味する。典型的なアリール基としては、限定されないが、フェニル、ベンジル、クロロベンジル、トリル、及びｏ−キシリルが挙げられる。
上記の式及び明細書を通じて、用語「アルケニル基」は、１つ以上の炭素−炭素二重結合を有し、且つ２〜２０、２〜１０又は２〜６の炭素原子を有する基を意味する。
上記の式及び明細書を通じて、用語「アルキニル基」は、１つ以上の炭素−炭素三重結合を有し、且つ２〜２０、２〜１０又は２〜６の炭素原子を有する基を意味する。
上記の式及び明細書を通じて、ここで用いられる場合用語「不飽和」は、官能基、置換基、環又は架橋が、１以上の炭素二重結合又は三重結合を有することを意味している。不飽和環の例は、限定されないが、芳香族環、例えばフェニル環となることができる。用語「飽和」とは、官能基、置換基、環又は架橋が、１以上の炭素二重結合又は三重結合を有さないことを意味している。
上記の式及び明細書を通じて、「炭素環又は複素環」は、炭素環又は複素環を意味している。典型的な環置換又はアルキル置換環状基としては、限定されないが、シクロヘキシル、シクロペンチル、ピロリジノ、ピペリジノ、モルホリノ、２，５−ジメチルピロリジノ、２，６−ジメチルピペリジノ又は他のアルキル置換誘導体が挙げられる。
ある種の実施例では、上記式中のアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基及び／又は芳香族基の１つ以上を、置換することができ、又は例えば水素原子の代わりに置換した１つ以上の原子若しくはその原子の基を有することができる。典型的な置換基の例としては、限定されないが、酸素、硫黄、ハロゲン原子（例えば、Ｆ、Ｃｌ、Ｉ又はＢｒ）、窒素及びリンが挙げられる。他の実施態様では、上記式中のアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アルコキシアルキル基、アルコキシ基、アルキルアミノアルキル基、芳香族基及び／又はアリール基の１つ以上を、置換しなくてよい。
第１の前駆体として本明細書に記載した組成物に用いることができるメチル置換した化合物のいくつかの特定の例は、限定しないが、ビス（ジメチルアミノ）メチルシラン、ジエチルアミノメチルシラン、ｔ−ブチルアミノメチルシラン、及びイソプロピルアミノメチルシランが挙げられる。
特定の実施態様では、上記の式を有する第１の前駆体、第２の前駆体、又はその両方が、酸素原子を含む置換基を有する。これらの実施態様では、堆積プロセス中の酸素源の必要性を回避できる。他の実施態様では、上記の式を有する第１の前駆体、第２の前駆体、又はその両方が、酸素原子を含む置換基を有し、かつ酸素源を用いる。
ある種の実施態様では、本明細書に記載した組成物は、Ｒ５Ｓｉ（ＮＲ３Ｒ４）ｘＨ３−ｘ（ここで、ｘ＝１、２、３；かつＲ３、Ｒ４及びＲ５は、上記の置換基）の式を有する第１の前駆体又は有機アミノアルキルシランを含む。Ｒ５Ｓｉ（ＮＲ３Ｒ４）ｘＨ３−ｘの式を有する有機アミノアルキルシランを、アルキルアミンＲ３Ｒ４ＮＨ、とハロシラン又はアミノシランとを、ハロゲン化水素又はアミンを除去して、有機溶媒又は混合溶媒中で反応させることによって調製することができる。ハロゲン化水素を、第三級アミンを添加し、対応するアミン塩化水素塩を形成して、沈殿によって通常に除去することができる。１つの実施態様では、Ｒ５Ｓｉ（ＮＲ３Ｒ４）ｘＨ３−ｘ（ここで、ｘ＝１、２、３；かつＲ５＝Ｃｌ）の式を有する有機アミノアルキルシランを、例えば、以下の式（１）で示される反応によって調製することができる。ここで、Ｒ３及びＲ４は、上記の置換基である。
ある種の実施態様では、本明細書に記載した組成物は、Ｒ５Ｓｉ（ＮＲ３Ｒ４）ｘＨ３−ｘ（ここで、ｘ＝１、２、３；かつＲ３、Ｒ４及びＲ５は、上記の置換基）の式を有する第１の前駆体又は有機アミノアルキルシランを含む。Ｒ５Ｓｉ（ＮＲ３Ｒ４）ｘＨ３−ｘの式を有する有機アミノアルキルシランを、アルキルアミンＲ３Ｒ４ＮＨ、とハロシラン又はアミノシランとを、ハロゲン化水素又はアミンを除去して、有機溶媒又は混合溶媒中で反応させることによって調製することができる。ハロゲン化水素を、第三級アミンを添加し、対応するアミン塩化水素塩を形成して、沈殿によって通常に除去することができる。１つの実施態様では、Ｒ５Ｓｉ（ＮＲ３Ｒ４）ｘＨ３−ｘ（ここで、ｘ＝１、２、３；かつＲ５＝Ｃｌ）の式を有する有機アミノアルキルシランを、例えば、以下の式（１）で示される反応によって調製することができる。ここで、Ｒ３及びＲ４は、上記の置換基である。
Ｒ５Ｓｉ（ＮＲ３Ｒ４）ｘＨ３−ｘ（ここで、ｘ＝１；かつＲ５はＣ１〜Ｃ１０の直鎖又は分岐鎖のアルキル）の式を有する他の有機アミノアルキルシランを、例えば、以下の式（２）で示される反応によって調製することができる。ここで、Ｒ３、Ｒ４及びＲ５は、上記の置換基である。
他の実施態様では、本明細書に記載した組成物は、Ｒ８Ｎ（ＳｉＲ９（ＮＲ１０Ｒ１１）Ｈ）２（ここで、Ｒ８、Ｒ９、Ｒ１０及びＲ１１は、上記の置換基）の式を有する第１の前駆体を含む。Ｒ９が水素である上記の式の１つの特定の実施態様では、この化合物を、例えば次の式（３）及び式（４）に記載した方法で調製することができる。ここで、Ｒ８、Ｒ９、Ｒ１０及びＲ１１は、上記の置換基である。
さらに他の実施態様では、第１の前駆体は、Ｒ８Ｎ（ＳｉＲ９ＬＨ）２（ここで、Ｒ８及びＲ９は、上記の置換基であり、かつＬ＝Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉである）の式を有する有機アミノシランを含む。ＬがＣｌである上記の式の１つの特定の実施態様では、この有機アミノシランを、例えば以下の式（５）に記載の方法で調整することができる。ここで、Ｒ８及びＲ９は、上記の置換基である。
この組成物が、第１の前駆体及び第２の前駆体を含む実施態様では、第１の前駆体と第２の前駆体とは、近い沸点（ｂ．ｐ．）を有し、又は第１の前駆体のｂ．ｐ．と第２の前駆体のｂ．ｐ．との差は、４０℃以下、３０℃以下、２０℃以下、又は１０℃である。あるいは、第１の前駆体のｂ．ｐ．と第２の前駆体のｂ．ｐ．との差は、次を任意の端点とする範囲になる：０℃、１０℃、２０℃、３０℃又は４０℃。ｂ．ｐ．差の適切な範囲の例としては、限定されないが、０〜４０℃、２０〜３０℃、又は１０〜３０℃である。これらの実施態様において、第１の前駆体及び第２の前駆体を、直接液体注入（ｄｉｒｅｃｔ ｌｉｑｕｉｄ ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ）、ベーパードロー（Ｖａｐｏｒ Ｄｒａｗ）、又はバブリングによって、気相中で同じ液体比率を維持しながら供給することができる。
この組成物が、第１の前駆体及び第２の前駆体を含む実施態様では、第１の前駆体の組成物中の量は、組成物全体の重量％で、０．５〜９９．５ｗｔ％又は１０〜７５ｗｔ％の範囲であり、残部は第２の前駆体又は組成物に添加する任意の前駆体である。これらの実施態様又は他の実施態様において、第２の前駆体の組成物中の重量％での量は、０．５〜９９．５ｗｔ％又は１０〜７５ｗｔ％の範囲であり、残部は第１の前駆体又は任意の追加の前駆体である。別の実施態様では、この組成物は１００％の第１の前駆体を含む。
本発明の１つの実施態様は、Ｓｉ（ＮＲ１Ｒ２）Ｈ３の式を有する有機アミノシラン及びＲ５Ｓｉ（ＮＲ３Ｒ４）ｘＨ３−ｘの式を有する有機アミノアルキルシランからなる前駆体配合物に関する（ここで、Ｒ１〜４は、Ｃ１〜Ｃ１０の直鎖又は分岐鎖のアルキル、他の元素を含むアルキル、例えば酸素又は窒素を含むアルキル、環状アルキル、アルケニル、アルキニル、芳香族炭化水素からなる群より選択され；Ｒ５は、Ｃ１〜Ｃ１０の直鎖又は分岐鎖のアルキル、酸素又は窒素含有アルキル、環状アルキル、アルケニル、アルキニル、芳香族炭化水素、Ｃｒ、Ｂｒ及びＩからなる群より選択され；Ｒ１及びＲ２は、環又はアルキル置換した環を形成することができ；Ｒ３及びＲ４も、環又はアルキル置換した環を形成することができ；ｘ＝１、２、３；好ましくは、Ｒ１〜２は及びＲ３〜４は、同じＣ１〜Ｃ１０の直鎖又は分岐鎖のアルキルから独立して選択される）。
表１は、第１の前駆体及び第２の前駆体の両方を含む典型的な組成物を与えており、ここでは第１の前駆体が、Ｒ５Ｓｉ（ＮＲ３Ｒ４）ｘＨ３−ｘ（ここで、ｘ＝１、２、３）の式を有する有機アミノアルキルシランを含み、ここでＭｅ（メチル）、Ｅｔ（エチル）、ｎＰｒ（ノルマルプロピル）、ｉＰｒ（イソ−プロピル）、ｎＢｕ（ノルマルブチル）、ｉＢｕ（イソ−ブチル）、ｓＢｕ（セカンダリーブチル）、ｔＢｕ（ターシャリーブチル）であり、また随意の第２の前駆体が、Ｓｉ（ＮＲ１Ｒ２）Ｈ３の式を有する有機アミノシランを含む。これらの又は他の実施態様では、この典型的な組成物を、ステンレス鋼から構成された耐圧容器、例えば限定されないが保管用圧力容器で与えることができ、そして反応器に提供することができる。この又は他の実施態様では、その容器は、ＣＶＤプロセス又はＡＬＤプロセスのための反応器に第１の前駆体及び第２の前駆体を提供することを可能とするための適切なバルブ及び取付具を備えている。ある種の実施態様では、その容器は、第１の前駆体と（用いる場合）随意の第２の前駆体とを混合するための手段を有することもでき、事前混合することができる。あるいは、第１の前駆体と随意の第２の前駆体とを、別個の容器に保持することができ、又は組成物中の前駆体を保存中に分けて保持するための分離手段を有する単一の容器に保持することができる。
ケイ素含有膜又はケイ素含有コーティングを形成するのに用いる方法は、堆積プロセスである。本明細書で開示した方法に関して適切な堆積プロセスの例としては、限定されないが、サイクリックＣＶＤ（ＣＣＶＤ）、ＭＯＣＶＤ（有機金属ＣＶＤ）、熱化学気相成長、プラズマ強化化学気相成長（ＰＥＣＶＤ：ｐｌａｓｍａ ｅｎｈａｎｃｅｄ ｃｈｅｍｉｃａｌ ｖａｐｏｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）、高密度ＰＥＣＶＤ、光支援ＣＶＤ（ｐｈｏｔｏｎ ａｓｓｉｓｔｅｄ ＣＶＤ）、プラズマ−光支援（ＰＰＥＣＶＤ）、低温化学気相成長、化学支援気相成長（ｃｈｅｍｉｃａｌ ａｓｓｉｓｔｅｄ ｖａｐｏｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）、ホットフィラメント化学気相成長、液体ポリマー前駆体のＣＶＤ、超臨界流体からの堆積、及び低エネルギーＣＶＤ（ＬＥＣＶＤ）が挙げられる。ある種の実施態様では、金属含有膜を、原子層堆積（ＡＬＤ）プロセス、プラズマ強化ＡＬＤ（ＰＥＡＬＤ）プロセス、又はプラズマ強化サイクリックＣＶＤ（ＰＥＣＣＶＤ）プロセスによって堆積させる。本明細書で用いられる場合、用語「化学気相成長プロセス」は、基材表面で反応及び／又は分解して所望の堆積物を生成する１種以上の揮発性前駆体に、基材を曝露する、あらゆるプロセスについて言及している。本明細書で用いられる場合、用語「原子層堆積プロセス」は、様々な組成の基材に膜の材料を堆積させる、自己制限的な（例えば、各反応サイクルで堆積する膜材料の量が一定である）、順次的な表面化学反応について言及している。本明細書で用いられる前駆体、試薬及び物質源は、「ガス状」として記載される場合があるが、前駆体は、不活性ガスを用いて又は不活性ガスを用いずに、直接気化、バブリング又は昇華によって、反応器に輸送される、液体又は固体のいずれかであってよいことが理解される。いくつかの場合では、揮発した前駆体は、プラズマ発生器を通過することができる。１つの実施態様では、ケイ素含有膜を、ＡＬＤプロセスを用いて堆積させる。他の一つの実施態様では、ケイ素含有膜を、ＣＣＶＤプロセスを用いて堆積させる。さらなる実施態様では、ケイ素含有膜を、熱ＣＶＤプロセスを用いて堆積させる。本明細書で用いる場合、用語「反応器」は、限定しないが、反応チャンバー又は堆積チャンバーを含む。
ある種の実施態様では、本明細書に開示した方法は、反応器に導入する前に且つ／又は導入中に、前駆体を分離しておくＡＬＤ法又はＣＣＶＤ法を用いることによって、前駆体の前反応を回避する。これに関連して、堆積技術、例えばＡＬＤプロセス又はＣＣＶＤプロセスを用いて、炭素ドープケイ素含有膜を堆積させる。１つの実施態様では、基材表面を、第１の前駆体、酸化物膜であれば酸素源、窒化物膜であれば窒素含有源、第２の前駆体、又は他の前駆体若しくは試薬の１種以上に交互に曝露することによって、膜の成長は、表面反応の自己制限的な制御、各前駆体又は試薬のパルス長さ、及び堆積温度によって進む。しかし、基材の表面が飽和すると、膜の成長は停止する。
上述したように、ある種の実施態様、例えばＡＬＤ堆積法又はＰＥＡＬＤ堆積法を用いて炭素ドープケイ素含有膜、例えば酸化ケイ素膜又は窒化ケイ素膜を堆積する実施態様では、本明細書に記載した組成物は、比較的低い堆積温度で、例えば５００℃以下、４００℃以下、３００℃以下、２００℃以下、１００℃以下、５０℃以下又は室温で、膜を堆積するできる場合がある。これらの実施態様又は他の実施態様では、基材（堆積）温度は、次の任意の１つ以上の端点を範囲とすることができる：０℃、２５℃、５０℃、１００℃、２００℃、３００℃、４００℃又は５００℃。これらの範囲の例は、限定されないが、０〜１００℃、２５〜５０℃、１００〜３００℃又は１００〜５００℃である。特定の実施態様では、堆積温度は２００℃未満であり、これは生成膜に炭素を組み込み、低いエッチング速度を有する炭素ドープ酸化ケイ素等の膜を与えることを可能とする。
堆積方法に応じて、ある種の実施態様では、１種以上のケイ素含有前駆体を、所定のモル体積で又は約０．１〜約１０００マイクロモルで、反応器に導入することができる。この実施態様又は他の実施態様では、ケイ素含有前駆体及び／又は有機アミノシラン前駆体を、所定の時間間隔で反応器に導入することができる。ある種の実施態様では、その時間間隔は、約０．００１〜約５００秒の範囲となる。
ある種の実施態様では、本明細書に記載した方法を用いて堆積させるケイ素含有膜を、酸素源、試薬又は酸素を含む前駆体を用いて、酸素の存在下で形成させる。酸素源を、少なくとも１種の酸素源の形態で反応器に導入させることができ、且つ／又は堆積プロセスで用いる他の前駆体に付随して存在させることができる。適切な酸素源ガスとしては、例えば水（Ｈ２Ｏ）（例えば、脱イオン水、精製水、及び／又は蒸留水）、水プラズマ、酸素（Ｏ２）、過酸化物（Ｏ３）、酸素プラズマ、オゾン（Ｏ３）、ＮＯ、ＮＯ２、一酸化炭素（ＣＯ）、二酸化炭素（ＣＯ２）及びこれらの組合せを挙げることができる。ある種の実施態様では、酸素源は、約１〜約２０００ｓｃｃｍ又は約１〜約１０００ｓｃｃｍの範囲の流量で反応器に導入する酸素源を含む。酸素源を、約０．１秒〜約１００秒の範囲の時間で導入することができる。１つの特定の実施態様では、酸素源は、１０℃以上の温度を持つ水を含む。膜をＡＬＤプロセス又はサイクリックＣＶＤプロセスによって堆積させる実施態様において、前駆体パルスは、０．０１秒超であるパルス時間を有することができ、且つ酸素源が、０．０１秒未満であるパルス時間を有することができ、さらに水のパルス時間が、０．０１秒未満であるパルス時間を有することができる。さらなる他の１つの実施態様では、パルスとパルスの間のパージ時間は、０秒程度まで小さくすることができ、又はその間にパージをしないで連続的なパルスにすることができる。酸素源又は試薬を、分子の総量について、ケイ素前駆体に対する比を１：１より小さくして与えて、それにより少なくとも一定量の炭素を、堆積させるケイ素含有膜に保持させる。
ある種の実施態様では、ケイ素含有膜は、ケイ素及び窒素を含む。これらの実施態様では、本明細書に記載した方法を用いて堆積させるケイ素含有膜を、窒素含有源の存在下で形成させる。窒素含有源は、少なくとも１種の窒素含有源の形態で反応器に導入させることができ、且つ／又は堆積プロセスで用いる他の前駆体に付随して存在させることができる。適切な窒素含有源としては、例えば、アンモニア、ヒドラジン、モノアルキルヒドラジン、ジアルキルヒドラジン、窒素、窒素／水素、アンモニアプラズマ、窒素プラズマ、窒素／水素プラズマ及びこれらの混合物が挙げられる。ある種の実施態様において、窒素含有源は、約１〜約２０００ｓｃｃｍ又は約１〜約１０００ｓｃｃｍの範囲の流量で反応器に導入するアンモニアプラズマ、又は水素／窒素プラズマ源ガスを含む。窒素含有源を、約０．１秒〜約１００秒の範囲の時間で導入することができる。膜をＡＬＤプロセス又はサイクリックＣＶＤプロセスによって堆積させる実施態様において、前駆体パルスは、０．０１秒超であるパルス時間を有することができ、且つ窒素含有源が、０．０１秒未満であるパルス時間を有することができ、さらに水のパルス時間が、０．０１秒未満であるパルス時間を有することができる。さらなる他の１つの実施態様では、パルスとパルスとの間のパージ時間は、０秒程度まで小さくすることができ、又は間にパージをしないで連続的なパルスにすることができる。
本明細書で開示した堆積方法は、１種以上のパージガスを伴う場合がある。未反応の反応物及び／又は反応副生成物をパージするために用いるパージガスは、不活性ガスであり、これは前駆体と反応しない。典型的なパージガスとしては、限定されないが、アルゴン（Ａｒ）、窒素（Ｎ２）、ヘリウム（Ｈｅ）、ネオン、水素（Ｈ２）及びこれらの混合物が挙げられる。ある種の実施態様では、パージガス、例えばＡｒを、約０．１秒〜１０００秒の間に、約１０〜約２０００ｓｃｃｍの範囲の流量で反応器に供給することができ、それにより反応器に残留している場合がある未反応の材料及びあらゆる副生成物を、パージすることができる。
前駆体、酸素源、窒素含有源並びに／又は他の前駆体、他の物質源ガス及び／若しくは試薬を供給する各ステップを、それらを供給する時間を変えることによって実行し、生成ケイ素含有膜の化学両論的な組成を変えることができる。
エネルギーを、前駆体、酸素含有源、窒素含有源、還元剤、他の前駆体又はこれらの組合せの少なくとも１つに適用して、反応を誘導し、そしてケイ素含有膜又はコーティングを基材に形成させる。そのようなエネルギーは、限定されないが、熱、プラズマ、パルスプラズマ、ヘリコンプラズマ、高密度プラズマ、誘導結合プラズマ、Ｘ線、電子線、光子、リモートプラズマ法及びこれらの組合せによって与えることができる。ある種の実施態様では、二次高周波（ｓｅｃｏｎｄａｒｙ ｒｆ ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ）源を用いて、プラズマ特性を基材表面で変えることができる。堆積にプラズマを伴う実施態様では、プラズマ生成プロセスは、プラズマを反応器で直接的に生成させる直接プラズマ生成プロセス、あるいはプラズマを反応器の外部で生成させて反応器に供給するリモートプラズマ生成プロセスを、含むことができる。
有機アミノシラン前駆体及び／又は他のケイ素含有前駆体を、反応チャンバー、例えばＣＶＤ反応器又はＡＬＤ反応器に、様々な方法で提供することができる。１つの実施態様では、液体提供システムを用いることができる。別の実施態様では、液体提供プロセスとフラッシュ気化プロセスが組み合わされたユニット、例えばターボ気化器（ＭＳＰ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ製、ショアビュー、ミネソタ州、米国）を用いて、低揮発度物質を容量分析的に供給することを可能とする。これは、前駆体の熱的分解のない状態で再現性のある輸送及び堆積をもたらすことができる。液体提供配合物中又は液体提供組成物中において、本明細書に記載された前駆体は、そのままの液体形態で提供することができ、あるいは、この前駆体を含む溶媒配合物中又は組成物中で使用することができる。それゆえ、ある種の実施態様において、その前駆体配合物は、基材上に膜を形成する特定の最終用途において所望であり且つ有利となるような、適切な特性を有する溶媒成分を含むことができる。
他の１つの実施態様において、第1の前駆体及び随意の第２の前駆体を含む、又はこれらから本質的になる、もしくはこれらからなる組成物を含む、ケイ素含有膜を堆積するための容器について、本明細書で記載される。１つの特定の実施態様では、その容器は、ＣＶＤプロセス又はＡＬＤプロセスのための反応器に、第１の前駆体及び第２の前駆体を提供することを可能とするための適切なバルブ及び取付具を備えた、少なくとも１つの耐圧容器（好ましくはステンレス鋼製）を有する。この実施態様又は他の実施態様では、第１の前駆体及び随意の第２の前駆体を、ステンレス鋼から構成された耐圧容器で与え、そしてその前駆体の純度は、大部分の半導体用途に適切となる、９８ｗｔ％以上、又は９９．５ｗｔ％以上である。ある種の実施態様では、そのような容器が、第１の前駆体と存在するならば随意の第２の前駆体とを混合するための手段を有することもでき、又はこれらを、事前に混合することができる。あるいは、第１の前駆体及び随意の第２の前駆体を、別個の容器に保持することができ、又はこれらの前駆体の分離を保存中に維持するための分離手段を有する単一の容器に、保持することができる。
上述したように、この組成物中の前駆体の純度は、信頼性のある半導体の製造を可能とするのに十分に高い。ある種の実施態様では、本明細書に記載した前駆体は、次の不純物の１種以上を２重量％以下、１重量％以下、又は０．５重量％以下で有する：遊離アミン、ハロゲン化物及び比較的高い分子量の物質。本明細書に記載した前駆体の比較的高い純度は、次の１以上のプロセスを通じて得ることができる：精製、吸着及び／又は蒸留。
ある種の実施態様では、前駆体容器から反応チャンバーに連結するガスラインを、プロセスの必要性に応じて、１以上の温度に加熱し、（第１の前駆体及び随意の第２の前駆体（特定の実施態様）が、別個に提供されるか、共に提供されるかに応じて）１つ又は複数の容器を、バブリングのために１以上の温度で維持する。他の実施態様では、（第１の前駆体及び存在するならば随意の第２の前駆体が、別個に提供されるか、共に提供されるかに応じて）第１の前駆体及び随意の第２の前駆体を含む溶液を、直接液体注入のために１以上の温度で維持した気化器に注入する。
アルゴン及び／又は他のガスの流れを、キャリアガスとして用いて、前駆体パルスの間の反応チャンバーへの前駆体の蒸気の提供を、促進することができる。ある種の実施態様では、反応チャンバーのプロセス圧力は、約１Ｔｏｒｒである。
典型的なＡＬＤ又はＣＣＶＤプロセスでは、基材、例えば酸化ケイ素基材を、反応チャンバー内のヒーター台で加熱し、これを初めにケイ素含有前駆体にさらして、錯体を基材の表面に化学的に吸着させる。
パージガス、例えばアルゴンは、未吸着の余分な錯体をプロセスチャンバーからパージする。十分なパージの後で、窒素含有源を、反応チャンバーに導入して、吸着した表面と反応させた後で、他の１つのパージガスによって、チャンバーから反応副生成物を除去することができる。このプロセスサイクルを、所望の膜厚さを得るように繰り返すことができる。
この実施態様、又は他の実施態様において、本明細書に記載した方法の工程を、様々な順番で実行でき、順次的に又は同時に（例えば、他の１つの工程の少なくとも一部の間に）実行でき、そしてこれらのあらゆる組合せで実行することができると理解される。前駆体及び窒素含有前駆体源ガスを提供するそれぞれの工程を、それらを供給するための時間の持続時間を変えることによって実行して、生成するケイ素含膜の化学量論的組成を変えることができる。
ある種の実施態様では、炭素ドープケイ素含有膜を堆積する方法は、ＡＬＤ又はＣＶＤ法であり、この組成物は、第１の前駆体及び第２の前駆体を含む。これらの実施態様又は他の実施態様において、第１の前駆体と第２の前駆体との順番は、次の様式のいずれか１つ以上で提供することができ、ここでＡは第１の前駆体の提供を意味し、またＢは第２の前駆体の提供を意味する：ＡＢＡＢＡＢＡＢ（ここでは、第１の前駆体及び第２の前駆体は、所望のサイクル回数が達成されるまで交互にされる）；ＡＡＡＡＡＢＢＢＢＢ（ここでは、第１の前駆体を、このプロセスサイクルの前半に導入して、第２の前駆体をこのプロセスサイクルの後半に導入する）；及びこれらの組合せ。これらの実施態様、又は他の実施態様では、第２の前駆体に対する第１の前駆体のプロセスサイクルの回数を最適化して、炭素含有シリコン膜内で炭素を勾配させることができる。
本明細書に開示した方法は、前駆体組成物及び酸素源を用いて、炭素ドープ酸化ケイ素膜を形成する。１つの特定の実施態様では、この方法は、次の工程を含む：
工程１．有機アルコキシアルキルシランを含む第１の前駆体を含有し、かつ有機アミノシランを含む第２の前駆体を随意に含有する組成物からの蒸気を、基材と接触させて、加熱した基材上に前駆体を化学吸着させる工程；
工程２．あらゆる未反応の前駆体をパージする工程；
工程３．酸素源を加熱した基材に導入して、吸着した前駆体と反応させる工程；及び
工程４．未反応の酸素源をパージする工程。
工程１〜４を所望の厚みが得られるまで繰り返す。
工程１．有機アルコキシアルキルシランを含む第１の前駆体を含有し、かつ有機アミノシランを含む第２の前駆体を随意に含有する組成物からの蒸気を、基材と接触させて、加熱した基材上に前駆体を化学吸着させる工程；
工程２．あらゆる未反応の前駆体をパージする工程；
工程３．酸素源を加熱した基材に導入して、吸着した前駆体と反応させる工程；及び
工程４．未反応の酸素源をパージする工程。
工程１〜４を所望の厚みが得られるまで繰り返す。
他の１つの実施態様では、この方法は、次の工程を含む：
工程１．第１の前駆体から生成した蒸気を、基材と接触させて、加熱した基材上に前駆体を化学吸着させる工程、ここでその第１の前駆体は、次の式を有する化合物から選択される少なくとも１種の化合物である：
（ａ） Ｒ５Ｓｉ（ＮＲ３Ｒ４）ｘＨ３−ｘ（ここで、ｘ＝１、２、３）の式を有する有機アミノアルキルシラン；
（ｂ） Ｒ６Ｓｉ（ＯＲ７）ｘＨ３−ｘ（ここで、ｘ＝１、２、３）の式を有する有機アルコキシアルキルシラン；
（ｃ） Ｒ８Ｎ（ＳｉＲ９（ＮＲ１０Ｒ１１）Ｈ）２の式を有する有機アミノシラン；
（ここで、Ｒ３、Ｒ４及びＲ７は、Ｃ１〜Ｃ１０の直鎖又は分岐鎖アルキル基、Ｃ３〜Ｃ１０の環状アルキル基、直鎖又は分岐鎖のＣ２〜Ｃ１０のアルケニル基、直鎖又は分岐鎖のＣ２〜Ｃ１０のアルキニル基、Ｃ５〜Ｃ１０の芳香族基、及びＣ３〜Ｃ１０の飽和又は不飽和の複素環基からなる群よりそれぞれ独立して選択され；
Ｒ５及びＲ６は、Ｃ１〜Ｃ１０の直鎖又は分岐鎖アルキル基、Ｃ３〜Ｃ１０の環状アルキル基、直鎖又は分岐鎖のＣ２〜Ｃ１０のアルケニル基、直鎖又は分岐鎖のＣ２〜Ｃ１０のアルキニル基、Ｃ５〜Ｃ１０の芳香族基、及びＣ３〜Ｃ１０の飽和又は不飽和の複素環基、並びにハロゲン原子（ｈａｌｉｄｅ ａｔｏｍ）からなる群よりそれぞれ独立して選択され；
Ｒ８及びＲ９は、水素、Ｃ１〜Ｃ１０の直鎖又は分岐鎖アルキル基、Ｃ３〜Ｃ１０の環状アルキル基、直鎖又は分岐鎖のＣ２〜Ｃ１０のアルケニル基、直鎖又は分岐鎖のＣ２〜Ｃ１０のアルキニル基、Ｃ５〜Ｃ１０の芳香族基、及びＣ３〜Ｃ１０の飽和又は不飽和の複素環基からなる群よりそれぞれ独立して選択され；かつ
Ｒ１０及びＲ１１は、Ｃ１〜Ｃ１０の直鎖又は分岐鎖アルキル基、Ｃ３〜Ｃ１０の環状アルキル基、直鎖又は分岐鎖のＣ２〜Ｃ１０のアルケニル基、直鎖又は分岐鎖のＣ２〜Ｃ１０のアルキニル基、Ｃ５〜Ｃ１０の芳香族基、及びＣ３〜Ｃ１０の飽和又は不飽和の複素環基からなる群よりそれぞれ独立して選択され；
Ｒ３及びＲ４は、環又はアルキル置換した環を形成することができ；かつＲ１０及びＲ１１は、環又はアルキル置換した環を形成することができ；Ｌは、Ｃｌ、Ｂｒ又はＩである）；
工程２．あらゆる未反応の前駆体をパージする工程；
工程３．酸素源を加熱した基材に導入して、吸着したケイ素前駆体と反応させる工程；及び
工程４．未反応の酸素源をパージする工程；
工程５．随意の第２の前駆体から生成した蒸気を、基材と接触させて、加熱した基材上に第２の前駆体を化学吸着させる随意の工程、ここでその第２の前駆体は、次の式を有する：Ｓｉ（ＮＲ１Ｒ２）Ｈ３（Ｒ１及びＲ２は、Ｃ１〜Ｃ１０の直鎖又は分岐鎖アルキル基、Ｃ３〜Ｃ１０の環状アルキル基、直鎖又は分岐鎖のＣ２〜Ｃ１０のアルケニル基、直鎖又は分岐鎖のＣ２〜Ｃ１０のアルキニル基、Ｃ５〜Ｃ１０の芳香族基、及びＣ３〜Ｃ１０の飽和又は不飽和の複素環基からなる群よりそれぞれ独立して選択され；かつＲ１及びＲ２は、環又はアルキル置換した環を形成することができる）。
工程６．あらゆる未反応の前駆体をパージする工程；
工程７．酸素源を加熱した基材に導入して、吸着したケイ素前駆体と反応させる工程；及び
工程８．未反応の酸素源をパージする工程。
所望の厚みが達成されるまで工程１〜８を繰り返す。
工程１．第１の前駆体から生成した蒸気を、基材と接触させて、加熱した基材上に前駆体を化学吸着させる工程、ここでその第１の前駆体は、次の式を有する化合物から選択される少なくとも１種の化合物である：
（ａ） Ｒ５Ｓｉ（ＮＲ３Ｒ４）ｘＨ３−ｘ（ここで、ｘ＝１、２、３）の式を有する有機アミノアルキルシラン；
（ｂ） Ｒ６Ｓｉ（ＯＲ７）ｘＨ３−ｘ（ここで、ｘ＝１、２、３）の式を有する有機アルコキシアルキルシラン；
（ｃ） Ｒ８Ｎ（ＳｉＲ９（ＮＲ１０Ｒ１１）Ｈ）２の式を有する有機アミノシラン；
（ここで、Ｒ３、Ｒ４及びＲ７は、Ｃ１〜Ｃ１０の直鎖又は分岐鎖アルキル基、Ｃ３〜Ｃ１０の環状アルキル基、直鎖又は分岐鎖のＣ２〜Ｃ１０のアルケニル基、直鎖又は分岐鎖のＣ２〜Ｃ１０のアルキニル基、Ｃ５〜Ｃ１０の芳香族基、及びＣ３〜Ｃ１０の飽和又は不飽和の複素環基からなる群よりそれぞれ独立して選択され；
Ｒ５及びＲ６は、Ｃ１〜Ｃ１０の直鎖又は分岐鎖アルキル基、Ｃ３〜Ｃ１０の環状アルキル基、直鎖又は分岐鎖のＣ２〜Ｃ１０のアルケニル基、直鎖又は分岐鎖のＣ２〜Ｃ１０のアルキニル基、Ｃ５〜Ｃ１０の芳香族基、及びＣ３〜Ｃ１０の飽和又は不飽和の複素環基、並びにハロゲン原子（ｈａｌｉｄｅ ａｔｏｍ）からなる群よりそれぞれ独立して選択され；
Ｒ８及びＲ９は、水素、Ｃ１〜Ｃ１０の直鎖又は分岐鎖アルキル基、Ｃ３〜Ｃ１０の環状アルキル基、直鎖又は分岐鎖のＣ２〜Ｃ１０のアルケニル基、直鎖又は分岐鎖のＣ２〜Ｃ１０のアルキニル基、Ｃ５〜Ｃ１０の芳香族基、及びＣ３〜Ｃ１０の飽和又は不飽和の複素環基からなる群よりそれぞれ独立して選択され；かつ
Ｒ１０及びＲ１１は、Ｃ１〜Ｃ１０の直鎖又は分岐鎖アルキル基、Ｃ３〜Ｃ１０の環状アルキル基、直鎖又は分岐鎖のＣ２〜Ｃ１０のアルケニル基、直鎖又は分岐鎖のＣ２〜Ｃ１０のアルキニル基、Ｃ５〜Ｃ１０の芳香族基、及びＣ３〜Ｃ１０の飽和又は不飽和の複素環基からなる群よりそれぞれ独立して選択され；
Ｒ３及びＲ４は、環又はアルキル置換した環を形成することができ；かつＲ１０及びＲ１１は、環又はアルキル置換した環を形成することができ；Ｌは、Ｃｌ、Ｂｒ又はＩである）；
工程２．あらゆる未反応の前駆体をパージする工程；
工程３．酸素源を加熱した基材に導入して、吸着したケイ素前駆体と反応させる工程；及び
工程４．未反応の酸素源をパージする工程；
工程５．随意の第２の前駆体から生成した蒸気を、基材と接触させて、加熱した基材上に第２の前駆体を化学吸着させる随意の工程、ここでその第２の前駆体は、次の式を有する：Ｓｉ（ＮＲ１Ｒ２）Ｈ３（Ｒ１及びＲ２は、Ｃ１〜Ｃ１０の直鎖又は分岐鎖アルキル基、Ｃ３〜Ｃ１０の環状アルキル基、直鎖又は分岐鎖のＣ２〜Ｃ１０のアルケニル基、直鎖又は分岐鎖のＣ２〜Ｃ１０のアルキニル基、Ｃ５〜Ｃ１０の芳香族基、及びＣ３〜Ｃ１０の飽和又は不飽和の複素環基からなる群よりそれぞれ独立して選択され；かつＲ１及びＲ２は、環又はアルキル置換した環を形成することができる）。
工程６．あらゆる未反応の前駆体をパージする工程；
工程７．酸素源を加熱した基材に導入して、吸着したケイ素前駆体と反応させる工程；及び
工程８．未反応の酸素源をパージする工程。
所望の厚みが達成されるまで工程１〜８を繰り返す。
ある種の実施態様では、本明細書に記載した炭素ドープケイ素含有膜は、６以下の誘電率を有する。これらの実施態様又は他の実施態様では、膜は、約５以下、約４以下又は約３．５以下の誘電率を有する場合がある。しかし、他の誘電率（例えば、より高い値又は低い値）を有する膜を、膜の所望の最終用途に応じて形成できることが想定される。本明細書に記載した前駆体組成物及びプロセスを用いて形成される炭素ドープケイ素含有膜の例は、式ＳｉｘＯｙＣｚＮｖＨｗを有し、ここで、原子百分率重量％で、Ｓｉは約１０〜約４０％の範囲を有し；Ｏは約０％〜約６５％の範囲を有し；Ｃは約０％〜約７５％又は約０％〜約５０％の範囲を有し；Ｎは約０％〜約７５％又は約０％〜約５０％の範囲を有し；Ｈは約０％〜約５０％の範囲を有し、且つｘ＋ｙ＋ｚ＋ｖ＋ｗ＝１００原子重量％であり、これは例えばＸＰＳ又は他の手段で測定される。
上述したように、本明細書に記載した方法を用いて、炭素ドープケイ素含有膜を、基材の少なくとも一部に堆積させることができる。適切な基材の例としては、限定されないが、ケイ素、ＳｉＯ２、Ｓｉ３Ｎ４、ＯＳＧ、ＦＳＧ、炭化ケイ素、水素化した炭化ケイ素、窒化ケイ素、水素化した窒化ケイ素、炭化窒化ケイ素、水素化した炭化窒化ケイ素、窒化ホウ素、反射防止コーティング、フォトレジスト、有機ポリマー、多孔性有機及び無機材料、金属（例えば銅及びアルミニウム）、及び拡散バリア層（例えば限定されないが、ＴｉＮ、Ｔｉ（Ｃ）Ｎ、ＴａＮ、Ｔａ（Ｃ）Ｎ、Ｔａ、Ｗ又はＷＮ）、並びに透明アモルファス酸化物半導体（ＴＡＯＳ）又はａ−ＩＧＺＯ（アモルファスガリウムインジウム亜鉛酸化物）等の金属酸化物材料が挙げられる。この膜は、様々な続く処理ステップ、例えば化学機械平坦化（ＣＭＰ）処理及び異方性エッチング処理と適合する。
堆積させた膜は、限定されないが、コンピューターチップ、光学デバイス、磁気情報ストレージ、支持材料又は支持基材へのコーティング、微小電気機械素子（ＭＥＭＳ）、ナノ電気機械素子、薄膜トランジスター（ＴＦＴ）及び液晶ディスプレイを含む用途を有する。
次の実施例は、有機アミノシラン前駆体の調製方法と共に、本明細書に記載した堆積させたケイ素含有膜の調製方法を例証し、決して限定することを意図していない。
例１：２，６−ジメチルピペリジノ（メチル）シランの調製
２，６−ジメチルピペリジノ（クロロ）シランを、６Ｌの撹拌反応器中で、窒素雰囲気下、−２０℃で、０．０５２Ｎｍ３のジクロロシランを、４．３６Ｌのヘキサンに溶解することによって調製した。−２０℃を維持しながら、この溶液に、２４４ｇのトリエチルアミンを加え、そして撹拌しながら２６０ｇのシス−２，６−ジメチルピペリジンをゆっくりと添加した。この添加が完了したら、混合物を２０℃に温めて、１６時間撹拌した。多量の白い沈殿物が形成し、これをろ過により除去した。この沈殿物をヘキサンでリンスした。リンスしたろ過物は、２，６−ジメチルピペリジノ（クロロ）シランを含んでおり、これを減圧でストリッピングしてヘキサンを除去することで単離した。さらに、減圧下で１００℃で残渣を単蒸留することによって、精製物を得た。２，６−ジメチルピペリジノ（クロロ）シランの同定は、質量分光法によって決定され、これは２，６−ジメチルピペリジノ（クロロ）シランの分子量（１７７．７５）と一致する、１７７（Ｍ＋）、１６２（Ｍ−ＣＨ３）でピークを示した。
２，６−ジメチルピペリジノ（クロロ）シランを、６Ｌの撹拌反応器中で、窒素雰囲気下、−２０℃で、０．０５２Ｎｍ３のジクロロシランを、４．３６Ｌのヘキサンに溶解することによって調製した。−２０℃を維持しながら、この溶液に、２４４ｇのトリエチルアミンを加え、そして撹拌しながら２６０ｇのシス−２，６−ジメチルピペリジンをゆっくりと添加した。この添加が完了したら、混合物を２０℃に温めて、１６時間撹拌した。多量の白い沈殿物が形成し、これをろ過により除去した。この沈殿物をヘキサンでリンスした。リンスしたろ過物は、２，６−ジメチルピペリジノ（クロロ）シランを含んでおり、これを減圧でストリッピングしてヘキサンを除去することで単離した。さらに、減圧下で１００℃で残渣を単蒸留することによって、精製物を得た。２，６−ジメチルピペリジノ（クロロ）シランの同定は、質量分光法によって決定され、これは２，６−ジメチルピペリジノ（クロロ）シランの分子量（１７７．７５）と一致する、１７７（Ｍ＋）、１６２（Ｍ−ＣＨ３）でピークを示した。
上述のように調製した１３０ｇの２，６−ジメチルピペリジノ（クロロ）シランを３８６ｇのテトラヒドロフランに溶解して、不活性雰囲気下で２Ｌの反応器に置いた。この溶液を−２０℃に冷却して、２４７ｇの３モル濃度のテトラヒドロフラン中のメチルマグネシウムクロリド溶液を、−２０℃に維持しながら６０分に渡って撹拌しながら徐々に添加した。この混合物を、３０分に渡って２０℃に温め、そしてその温度で１８時間撹拌に付した。重い白い沈殿物が観察された。この混合物をろ過して、追加の１００ｍＬのテトラヒドロフランでリンスした。これらの複合のろ過物からテトラヒドロフランを、減圧下で単蒸留によって除去した。生成したイエローのスラリーを、４００ｍＬのヘキサンで抽出し、固体をろ過により除去し、５０ｍＬのヘキサンの２つの部分でリンスした。この複合のろ過物からヘキサンをストリッピングして、粗生成物を得て、これをさらに単蒸留により生成して、７０．４ｇの生成物を与えた。この材料の同定は質量分光法によって決定され（図２を参照）、これは２，６−ジメチルピペリジノ（メチル）シランの分子量（１５７．３３）と一致する、１５７（Ｍ＋）、１４２（Ｍ−ＣＨ３）でピークを示した。熱伝導検知器を有するガスクロマトグラフィは、約９７重量％の純度を示す。ＤＳＣによって測定された沸点は、大気圧で約１７３℃であった（図２を参照）。
３つの１０ｃｃのステンレス鋼容器を注意深く洗浄し、そして使用前に１７５℃で熱した。それぞれに、２ｍＬの２，６−ジメチルピペリジノ（メチル）シランのサンプルを含むアンプルを装填した。そして、１００℃±２℃で設定した実験室用オーブンを用いて、このアンプルを一定温度環境に３日間保存した。このサンプルを、ガスクロマトグラフィ（ＧＣ）で評価して、分解の程度を決定し、そして結果を図２に示した。加熱後の平均純度は、事実上変化を見せず、これは、良好な熱安定性を有すること、そして信頼性のある半導体プロセスのための安定な前駆体として用いることができることを示していた。
例２：ケイ素含有膜の原子層堆積
ケイ素含有膜の原子層堆積を、次の前駆体を用いて行った：２，６−ジメチルピペリジノ（メチル）シラン、及び２，６−ジメチルピペリジノ（メチル）シラン。堆積を、実験室スケールのＡＬＤプロセスツールで行った。全てのガス（例えば、パージガス、反応ガス又は前駆体及び酸素源）を、堆積ゾーンに入る前に１００℃に余熱した。ガス及び前駆体の流量を、高速作動するＡＬＤダイアフラムバルブで制御した。堆積に用いた基材は、基材の温度を確認するためにサンプルホルダーに取り付けた熱電対を有する１２インチの長さのシリコンストリップであった。酸素源ガスとしてオゾンを用いて、４００サイクルを基準として用いて、堆積を行った。また、堆積のプロセスパラメーターを表２に与える。
ケイ素含有膜の原子層堆積を、次の前駆体を用いて行った：２，６−ジメチルピペリジノ（メチル）シラン、及び２，６−ジメチルピペリジノ（メチル）シラン。堆積を、実験室スケールのＡＬＤプロセスツールで行った。全てのガス（例えば、パージガス、反応ガス又は前駆体及び酸素源）を、堆積ゾーンに入る前に１００℃に余熱した。ガス及び前駆体の流量を、高速作動するＡＬＤダイアフラムバルブで制御した。堆積に用いた基材は、基材の温度を確認するためにサンプルホルダーに取り付けた熱電対を有する１２インチの長さのシリコンストリップであった。酸素源ガスとしてオゾンを用いて、４００サイクルを基準として用いて、堆積を行った。また、堆積のプロセスパラメーターを表２に与える。
生成したケイ素含有膜を、堆積速度及び屈折率に関して特徴付けた。膜の厚み及び屈折率を、エリプソメーター（ＦｉｌｍＴｅｋ ２０００ＳＥ）を用いて、膜からの反射データを所定の物理的モデル（例えば、ローレンツ振動子モデル）にフィッティングすることによって、測定した。
ウェットのエッチングを、４９％のフッ化水素（ＨＦ）酸の脱イオン水中の１％溶液を用いて行った。熱酸化物ウェハーをエッチング試験の対照として用いた。サンプルと比較の酸化ケイ素の対照との両方の膜厚を、エリプソメーターを用いてエッチング前後で測定した。炭素ドーパントを有する酸化ケイ素膜は、酸化ケイ素膜よりも低いウェットのエッチング速度を有していた。
動的二次イオン質量分析（ＳＩＭＳ）技術を用いて、膜組成を解析した。フーリエ変換赤外分光法（ＦＴＩＲ）を用いて膜構造を確認する。比較のために、ＩＲスペクトルでの吸収は、膜厚で規格化されている。表３は、堆積温度、堆積速度、屈折率、ウェットエッチング速度、及び動的二次イオン質量分析（ＳＩＭＳ）を用いて測定された炭素含量の概要である。このケイ素含有膜を以下に記載の方法によって堆積した。
方法（ａ）は、３つの異なる基材温度：３００℃、１５０℃及び１００℃での、次のプロセス工程を用いた、２，６−ジメチルピペリジノシランを用いたケイ素含有膜の形成を記載する：
工程１：２，６−ジメチルピペリジノシランの蒸気を接触させる工程；
工程２：あらゆる未吸着の２，６−ジメチルピペリジノシランをパージする工程；
工程３：オゾンを導入して、吸着した２，６−ジメチルピペリジノシランと反応させる工程；
工程４：未反応のオゾンをパージする工程。
方法（ａ）に関する上記の工程を５００回繰り返した。堆積した膜を、ＦＴＩＲで確認したところ、２８００〜２９６０ｃｍ−１でのあらゆる有意なＣ−Ｈサイン、又は約１２５０ｃｍ−１でのあらゆる有意なＳｉ−ＣＨ３ピークを示さなかった。
工程１：２，６−ジメチルピペリジノシランの蒸気を接触させる工程；
工程２：あらゆる未吸着の２，６−ジメチルピペリジノシランをパージする工程；
工程３：オゾンを導入して、吸着した２，６−ジメチルピペリジノシランと反応させる工程；
工程４：未反応のオゾンをパージする工程。
方法（ａ）に関する上記の工程を５００回繰り返した。堆積した膜を、ＦＴＩＲで確認したところ、２８００〜２９６０ｃｍ−１でのあらゆる有意なＣ−Ｈサイン、又は約１２５０ｃｍ−１でのあらゆる有意なＳｉ−ＣＨ３ピークを示さなかった。
方法（ｂ）は、３つの異なる基材温度：３００℃、１５０℃及び１００℃での、次のプロセス工程を用いた、２，６−ジメチルピペリジノメチルシランを用いたケイ素含有膜の形成を記載する：
工程１：２，６−ジメチルピペリジノメチルシランの蒸気を接触させる工程；
工程２：あらゆる未吸着の２，６−ジメチルピペリジノメチルシランをパージする工程；
工程３：オゾンを導入して、吸着した２，６−ジメチルピペリジノメチルシランと反応させる工程；
工程４：未反応のオゾンをパージする工程。
これらの工程を５００回繰り返した。３００℃で堆積した膜は、方法（ａ）の２，６−ジメチルピペリジノシランと非常に類似したＩＲの特徴を示した（例えば、２８００〜２９６０ｃｍ−１でのＣ−Ｈサインの不存在、及び約１２５０ｃｍ−１でのＳｉ−ＣＨ３サインの不存在）。Ｃ−ＨとＳｉ−ＣＨ３との両方の吸収ピークが、１５０℃で堆積させた膜に現れ、１００℃で堆積させた膜ではより強まった。
工程１：２，６−ジメチルピペリジノメチルシランの蒸気を接触させる工程；
工程２：あらゆる未吸着の２，６−ジメチルピペリジノメチルシランをパージする工程；
工程３：オゾンを導入して、吸着した２，６−ジメチルピペリジノメチルシランと反応させる工程；
工程４：未反応のオゾンをパージする工程。
これらの工程を５００回繰り返した。３００℃で堆積した膜は、方法（ａ）の２，６−ジメチルピペリジノシランと非常に類似したＩＲの特徴を示した（例えば、２８００〜２９６０ｃｍ−１でのＣ−Ｈサインの不存在、及び約１２５０ｃｍ−１でのＳｉ−ＣＨ３サインの不存在）。Ｃ−ＨとＳｉ−ＣＨ３との両方の吸収ピークが、１５０℃で堆積させた膜に現れ、１００℃で堆積させた膜ではより強まった。
方法（ｃ）は、１００℃の基材温度での、第１の前駆体である２，６−ジメチルピペリジノメチルシランと、第２の前駆体である２，６−ジメチルピペリジノシランとの交互の投与を用いたケイ素含有膜の形成を記載する：
工程１：２，６−ジメチルピペリジノシランの蒸気を接触させる工程；
工程２：あらゆる未吸着の２，６−ジメチルピペリジノシランをパージする工程；
工程３：オゾンを導入して、吸着した２，６−ジメチルピペリジノシランと反応させる工程；
工程４：未反応のオゾンをパージする工程；
工程５：２，６−ジメチルピペリジノメチルシランの蒸気を接触させる工程；
工程６：あらゆる未吸着の２，６−ジメチルピペリジノメチルシランをパージする工程；
工程７：オゾンを導入して、吸着した２，６−ジメチルピペリジノメチルシランと反応させる工程；
工程８：未反応のオゾンをパージする工程。
これらの工程を２５０回繰り返した。
工程１：２，６−ジメチルピペリジノシランの蒸気を接触させる工程；
工程２：あらゆる未吸着の２，６−ジメチルピペリジノシランをパージする工程；
工程３：オゾンを導入して、吸着した２，６−ジメチルピペリジノシランと反応させる工程；
工程４：未反応のオゾンをパージする工程；
工程５：２，６−ジメチルピペリジノメチルシランの蒸気を接触させる工程；
工程６：あらゆる未吸着の２，６−ジメチルピペリジノメチルシランをパージする工程；
工程７：オゾンを導入して、吸着した２，６−ジメチルピペリジノメチルシランと反応させる工程；
工程８：未反応のオゾンをパージする工程。
これらの工程を２５０回繰り返した。
表３を参照すると、２，６−ジメチルピペリジノシランを用いたケイ素含有膜に関するウェットエッチング速度は、堆積温度に関わらず改良を示しておらず、これは膜への炭素の組込みがないことに一致する。しかし、予想外なことに、２，６−ジメチルピペリジノメチルシラン中のＳｉ−ＣＨ３基が生成ケイ素含有膜に組み込まれることが望まれたが、２，６−ジメチルピペリジノメチルシランを用いて３００℃で堆積させたケイ素含有膜は、２，６−ジメチルピペリジノシランからの膜と非常に類似したＩＲサインを示した（すなわち、２８００〜２９６０ｃｍ−１でのＣ−Ｈサインの不存在、及び約１２５０ｃｍ−１でのＳｉ−ＣＨ３サインの不存在）。さらに、２，６−ジメチルピペリジノメチルシランで堆積した膜中で、１５０℃で堆積した膜に、Ｃ−Ｈ及びＳｉ−ＣＨ３の両方の吸収ピークが現れ、１００℃で堆積した膜のピークはさらに強かった。ウェットエッチング速度は、膜への炭素の組込みの量に直接的に関連しており、すなわち炭素含量が高いと、ウェットのエッチング速度は低下している。２，６−ジメチルピペリジノシラン又は２，６−ジメチルピペリジノメチルシランのいずれかを用いて３００℃で堆積した膜中の炭素含量は、２×１０１９原子／ｃｃで非常に近く、これは２，６−ジメチルピペリジノメチルシラン中のＳｉ−ＣＨ３を、オゾンが効率的に酸化したことを示唆している。しかし、堆積温度を３００℃から１５０℃又は１００℃に低下させることで、有機アミノシランの酸化効率が低下して、膜中への炭素の組込みが増加した。重要なことは、この効果は、１００℃の温度で２，６−ジメチルピペリジノメチルシランから堆積させた、２桁より多い炭素原子の規模の膜に関して、より明らかになっていることである。さらに、理論に拘束されないが、膜中の炭素量は、他の複数の方法、例えばオゾンのパルス時間を短縮化すること、オゾン濃度を低下させること、炭素ドープケイ素含有膜の層を交互にすること、さらに炭素ドープケイ素含有膜と炭素非ドープケイ素含有膜とを共堆積することによっても調節できると考えられる。
図３は、１００℃で堆積させた２，６−ジメチルピペリジノメチルシランと、２，６−ジメチルピペリジノシランとのＩＲスペクトルの比較を示している。図５は、異なる温度で堆積させた２，６−ジメチルピペリジノメチルシラン環の比較を与えている。この例は、ケイ素含有膜の炭素含量を、様々な堆積温度によって、又は他の２つの異なる有機アミノシランを用いて、変えられることを示している。
本発明の態様としては、以下の態様を挙げることができる：
《態様１》
以下の群から選択される少なくとも１種の化合物を含む第１の前駆体を含有する、炭素ドープケイ素含有膜を堆積するための組成物：
（ｉ） Ｒ５Ｓｉ（ＮＲ３Ｒ４）ｘＨ３−ｘ（ここで、ｘ＝１、２、３）の式を有する有機アミノアルキルシラン；
（ｉｉ） Ｒ６Ｓｉ（ＯＲ７）ｘＨ３−ｘ（ここで、ｘ＝１、２、３）の式を有する有機アルコキシアルキルシラン；
（ｉｉｉ）Ｒ８Ｎ（ＳｉＲ９（ＮＲ１０Ｒ１１）Ｈ）２の式を有する有機アミノシラン；
（ｉｖ） Ｒ８Ｎ（ＳｉＲ９ＬＨ）２の式を有する有機アミノシラン；及び
これらの組合せ
（ここで、Ｒ３、Ｒ４及びＲ７は、Ｃ１〜Ｃ１０の直鎖又は分岐鎖アルキル基、Ｃ３〜Ｃ１０の環状アルキル基、直鎖又は分岐鎖のＣ２〜Ｃ１０のアルケニル基、直鎖又は分岐鎖のＣ２〜Ｃ１０のアルキニル基、Ｃ５〜Ｃ１０の芳香族基、及びＣ３〜Ｃ１０の飽和又は不飽和の複素環基からなる群よりそれぞれ独立して選択され；
Ｒ５及びＲ６は、Ｃ１〜Ｃ１０の直鎖又は分岐鎖アルキル基、Ｃ３〜Ｃ１０の環状アルキル基、直鎖又は分岐鎖のＣ２〜Ｃ１０のアルケニル基、直鎖又は分岐鎖のＣ２〜Ｃ１０のアルキニル基、Ｃ５〜Ｃ１０の芳香族基、及びＣ３〜Ｃ１０の飽和又は不飽和の複素環基、並びにハロゲン原子からなる群よりそれぞれ独立して選択され；
Ｒ８及びＲ９は、水素、Ｃ１〜Ｃ１０の直鎖又は分岐鎖アルキル基、Ｃ３〜Ｃ１０の環状アルキル基、直鎖又は分岐鎖のＣ２〜Ｃ１０のアルケニル基、直鎖又は分岐鎖のＣ２〜Ｃ１０のアルキニル基、Ｃ５〜Ｃ１０の芳香族基、及びＣ３〜Ｃ１０の飽和又は不飽和の複素環基からなる群よりそれぞれ独立して選択され；かつ
Ｒ１０及びＲ１１は、Ｃ１〜Ｃ１０の直鎖又は分岐鎖アルキル基、Ｃ３〜Ｃ１０の環状アルキル基、直鎖又は分岐鎖のＣ２〜Ｃ１０のアルケニル基、直鎖又は分岐鎖のＣ２〜Ｃ１０のアルキニル基、Ｃ５〜Ｃ１０の芳香族基、及びＣ３〜Ｃ１０の飽和又は不飽和の複素環基からなる群よりそれぞれ独立して選択され、；
Ｒ３及びＲ４は、環又はアルキル置換した環を形成することができ；かつＲ１０及びＲ１１は、環又はアルキル置換した環を形成することができ；かつＬは、Ｃｌ、Ｂｒ又はＩである）。
《態様２》
次の式を有する有機アミノシランを含む第２の前駆体をさらに含有する、態様１に記載の組成物：Ｓｉ（ＮＲ１Ｒ２）Ｈ３（ここで、Ｒ１及びＲ２は、Ｃ１〜Ｃ１０の直鎖又は分岐鎖アルキル基、Ｃ３〜Ｃ１０の環状アルキル基、直鎖又は分岐鎖のＣ２〜Ｃ１０のアルケニル基、直鎖又は分岐鎖のＣ２〜Ｃ１０のアルキニル基、Ｃ５〜Ｃ１０の芳香族基、及びＣ３〜Ｃ１０の飽和又は不飽和の複素環基からなる群よりそれぞれ独立して選択され；かつＲ１及びＲ２は、環又はアルキル置換した環を形成することができる）。
《態様３》
以下を含有する態様２に記載の組成物：
（ｉＰｒ２Ｎ）Ｒ５ＳｉＨ２（ここで、Ｒ５は、Ｍｅ、Ｅｔ、ｎＰｒ、ｉＰｒ、ｎＢｕ、ｉＢｕ、ｓＢｕ、ｔＢｕ、ペンチルの異性体、フェニル、ビニル、並びにアルキル置換フェニルからなる群より選択される）の式を有する第１の前駆体；及び
（ｉＰｒ２Ｎ）ＳｉＨ３を含む第２の前駆体。
《態様４》
以下を含有する態様２に記載の組成物：
（ｓＢｕ２Ｎ）Ｒ５ＳｉＨ２（ここで、Ｒ５は、Ｍｅ、Ｅｔ、ｎＰｒ、ｉＰｒ、ｎＢｕ、ｉＢｕ、ｓＢｕ、ｔＢｕ、ペンチルの異性体、フェニル、ビニル、及びアルキル置換フェニルからなる群より選択される）の式を有する第１の前駆体；及び
（ｓＢｕ２Ｎ）ＳｉＨ３を含む第２の前駆体。
《態様５》
以下を含有する態様２に記載の組成物：
（２，６−ジメチルピペリジノ）Ｒ５ＳｉＨ２（ここで、Ｒ５は、Ｍｅ、Ｅｔ、ｎＰｒ、ｉＰｒ、ｎＢｕ、ｉＢｕ、ｓＢｕ、ｔＢｕ、ペンチルの異性体、フェニル、ビニル、及びアルキル置換フェニルからなる群より選択される）の式を有する第１の前駆体；及び
（２，６−ジメチルピペリジノ）ＳｉＨ３を含む第２の前駆体。
《態様６》
以下を含有する態様２に記載の組成物：
（フェニルメチルアミノ）Ｒ５ＳｉＨ２（ここで、Ｒ５は、Ｍｅ、Ｅｔ、ｎＰｒ、ｉＰｒ、ｎＢｕ、ｉＢｕ、ｓＢｕ、ｔＢｕ、ペンチルの異性体、フェニル、ビニル、及びアルキル置換フェニルからなる群より選択される）の式を有する第１の前駆体；及び
（フェニルメチルアミノ）ＳｉＨ３を含む第２の前駆体。
《態様７》
次の工程を含む、原子層堆積プロセスによって炭素ドープ酸化ケイ素膜を形成する方法：
ａ．反応器に基材を与える工程；
ｂ．前記反応器に、以下の群より選択される少なくとも１種の化合物を含む第１の前駆体を導入する工程：
（ｉ） Ｒ５Ｓｉ（ＮＲ３Ｒ４）ｘＨ３−ｘ（ここで、ｘ＝１、２、３）の式を有する有機アミノアルキルシラン、
（ｉｉ） Ｒ６Ｓｉ（ＯＲ７）ｘＨ３−ｘ（ここで、ｘ＝１、２、３）の式を有する有機アルコキシアルキルシラン、
（ｉｉｉ）Ｒ８Ｎ（ＳｉＲ９（ＮＲ１０Ｒ１１）Ｈ）２の式を有する有機アミノシラン、
（ｉｖ） Ｒ８Ｎ（ＳｉＲ９ＬＨ）２の式を有する有機アミノシラン、及び
これらの組合せ
（ここで、Ｒ３、Ｒ４及びＲ７は、Ｃ１〜Ｃ１０の直鎖又は分岐鎖アルキル基、Ｃ３〜Ｃ１０の環状アルキル基、直鎖又は分岐鎖のＣ２〜Ｃ１０のアルケニル基、直鎖又は分岐鎖のＣ２〜Ｃ１０のアルキニル基、Ｃ５〜Ｃ１０の芳香族基、及びＣ３〜Ｃ１０の飽和又は不飽和の複素環基からなる群よりそれぞれ独立して選択され；
Ｒ５及びＲ６は、Ｃ１〜Ｃ１０の直鎖又は分岐鎖アルキル基、Ｃ３〜Ｃ１０の環状アルキル基、直鎖又は分岐鎖のＣ２〜Ｃ１０のアルケニル基、直鎖又は分岐鎖のＣ２〜Ｃ１０のアルキニル基、Ｃ５〜Ｃ１０の芳香族基、及びＣ３〜Ｃ１０の飽和又は不飽和の複素環基、並びにハロゲン原子からなる群よりそれぞれ独立して選択され；
Ｒ８及びＲ９は、水素、Ｃ１〜Ｃ１０の直鎖又は分岐鎖アルキル基、Ｃ３〜Ｃ１０の環状アルキル基、直鎖又は分岐鎖のＣ２〜Ｃ１０のアルケニル基、直鎖又は分岐鎖のＣ２〜Ｃ１０のアルキニル基、Ｃ５〜Ｃ１０の芳香族基、及びＣ３〜Ｃ１０の飽和又は不飽和の複素環基からなる群よりそれぞれ独立して選択され；かつ
Ｒ１０及びＲ１１は、Ｃ１〜Ｃ１０の直鎖又は分岐鎖アルキル基、Ｃ３〜Ｃ１０の環状アルキル基、直鎖又は分岐鎖のＣ２〜Ｃ１０のアルケニル基、直鎖又は分岐鎖のＣ２〜Ｃ１０のアルキニル基、Ｃ５〜Ｃ１０の芳香族基、及びＣ３〜Ｃ１０の飽和又は不飽和の複素環基からなる群よりそれぞれ独立して選択され、；
Ｒ３及びＲ４は、環又はアルキル置換した環を形成することができ；Ｒ１０及びＲ１１は、環又はアルキル置換した環を形成することができ；かつＬは、Ｃｌ、Ｂｒ又はＩである）；
ｃ．前記反応器を、パージガスでパージする工程；
ｄ．前記反応器に、酸素源を導入する工程；
ｅ．前記反応器に、次の式を有する第二の前駆体を導入する工程：Ｓｉ（ＮＲ１Ｒ２）Ｈ３（Ｒ１及びＲ２は、Ｃ１〜Ｃ１０の直鎖又は分岐鎖アルキル基、Ｃ３〜Ｃ１０の環状アルキル基、直鎖又は分岐鎖のＣ２〜Ｃ１０のアルケニル基、直鎖又は分岐鎖のＣ２〜Ｃ１０のアルキニル基、Ｃ５〜Ｃ１０の芳香族基、及びＣ３〜Ｃ１０の飽和又は不飽和の複素環基からなる群よりそれぞれ独立して選択され；かつＲ１及びＲ２は、環又はアルキル置換した環を形成することができる）；
ｆ．前記反応器を、パージガスでパージする工程；
ｇ．前記反応器に、酸素源を導入する工程；
ｈ．前記反応器を、パージガスでパージする工程；
ここで、前記ｂ〜ｈの工程は、前記膜の所望の厚みが得られるまで繰り返される。
《態様８》
前記第１の前駆体が、２，６−ジメチルピペリジノメチルシランを含む、態様７に記載の方法。
《態様９》
前記第２の前駆体が、２，６−ジメチルピペリジノシランを含む、態様８に記載の方法。
《態様１０》
前記炭素ドープ酸化ケイ素膜の炭素量を、前記第１の前駆体の前記第２の前駆体に対する比を調節することによって、調節する、態様７に記載の方法。
《態様１１》
次の工程を含む、炭素ドープ窒化ケイ素膜を形成する方法：
ａ．反応器に基材を与える工程；
ｂ．前記反応器に、以下の群より選択される少なくとも１種の化合物を含む第１の前駆体を導入する工程：
（ｉ） Ｒ５Ｓｉ（ＮＲ３Ｒ４）ｘＨ３−ｘ（ここで、ｘ＝１、２、３）の式を有する有機アミノアルキルシラン、
（ｉｉ） Ｒ６Ｓｉ（ＯＲ７）ｘＨ３−ｘ（ここで、ｘ＝１、２、３）の式を有する有機アルコキシアルキルシラン、
（ｉｉｉ）Ｒ８Ｎ（ＳｉＲ９（ＮＲ１０Ｒ１１）Ｈ）２の式を有する有機アミノシラン、
（ｉｖ） Ｒ８Ｎ（ＳｉＲ９ＬＨ）２の式を有する有機アミノシラン、及び
これらの組合せ
（ここで、Ｒ３、Ｒ４及びＲ７は、Ｃ１〜Ｃ１０の直鎖又は分岐鎖アルキル基、Ｃ３〜Ｃ１０の環状アルキル基、直鎖又は分岐鎖のＣ２〜Ｃ１０のアルケニル基、直鎖又は分岐鎖のＣ２〜Ｃ１０のアルキニル基、Ｃ５〜Ｃ１０の芳香族基、及びＣ３〜Ｃ１０の飽和又は不飽和の複素環基からなる群よりそれぞれ独立して選択され；
Ｒ５及びＲ６は、Ｃ１〜Ｃ１０の直鎖又は分岐鎖アルキル基、Ｃ３〜Ｃ１０の環状アルキル基、直鎖又は分岐鎖のＣ２〜Ｃ１０のアルケニル基、直鎖又は分岐鎖のＣ２〜Ｃ１０のアルキニル基、Ｃ５〜Ｃ１０の芳香族基、及びＣ３〜Ｃ１０の飽和又は不飽和の複素環基、並びにハロゲン原子からなる群よりそれぞれ独立して選択され；
Ｒ８及びＲ９は、水素、Ｃ１〜Ｃ１０の直鎖又は分岐鎖アルキル基、Ｃ３〜Ｃ１０の環状アルキル基、直鎖又は分岐鎖のＣ２〜Ｃ１０のアルケニル基、直鎖又は分岐鎖のＣ３〜Ｃ１０のアルキニル基、Ｃ５〜Ｃ１０の芳香族基、及びＣ３〜Ｃ１０の飽和又は不飽和の複素環基からなる群よりそれぞれ独立して選択され；かつ
Ｒ１０及びＲ１１は、Ｃ１〜Ｃ１０の直鎖又は分岐鎖アルキル基、Ｃ３〜Ｃ１０の環状アルキル基、直鎖又は分岐鎖のＣ２〜Ｃ１０のアルケニル基、直鎖又は分岐鎖のＣ２〜Ｃ１０のアルキニル基、Ｃ５〜Ｃ１０の芳香族基、及びＣ３〜Ｃ１０の飽和又は不飽和の複素環基からなる群よりそれぞれ独立して選択され、；
Ｒ３及びＲ４は、環又はアルキル置換した環を形成することができ；Ｒ１０及びＲ１１は、環又はアルキル置換した環を形成することができ；かつＬは、Ｃｌ、Ｂｒ又はＩである）；
ｃ．前記反応器を、パージガスでパージする工程；
ｄ．前記反応器に、窒素源を導入する工程；
ｅ．前記反応器に、次の式を有する第二の前駆体を導入する工程：Ｓｉ（ＮＲ１Ｒ２）Ｈ３（Ｒ１及びＲ２は、Ｃ１〜Ｃ１０の直鎖又は分岐鎖アルキル基、Ｃ３〜Ｃ１０の環状アルキル基、直鎖又は分岐鎖のＣ２〜Ｃ１０のアルケニル基、直鎖又は分岐鎖のＣ２〜Ｃ１０のアルキニル基、Ｃ５〜Ｃ１０の芳香族基、及びＣ３〜Ｃ１０の飽和又は不飽和の複素環基からなる群よりそれぞれ独立して選択され；かつＲ１及びＲ２は、環又はアルキル置換した環を形成することができる）；
ｆ．前記反応器を、パージガスでパージする工程；
ｇ．前記反応器に、窒素源を導入する工程；
ｈ．前記反応器を、パージガスでパージする工程；
ここで、前記ｂ〜ｈの工程は、前記膜の所望の厚みが得られるまで繰り返される。
《態様１２》
前記第１の前駆体が、２，６−ジメチルピペリジノメチルシランを含む、態様１１に記載の方法。
《態様１３》
前記第２の前駆体が、２，６−ジメチルピペリジノシランを含む、態様１２に記載の方法。
《態様１４》
前記炭素ドープ窒化ケイ素膜の炭素量を、前記第１の前駆体の前記第２の前駆体に対する比を調節することによって調節する、態様１１に記載の方法。
《態様１５》
以下を含有する、炭素ドープケイ素含有膜を堆積するための組成物：
Ｒ５Ｓｉ（ＮＲ３Ｒ４）ｘＨ３−ｘの式を有する第１の前駆体（ここで、ｘ＝１、２、３；Ｒ３及びＲ４は、Ｃ１〜Ｃ１０の直鎖又は分岐鎖アルキル基、Ｃ３〜Ｃ１０の環状アルキル基、直鎖又は分岐鎖のＣ２〜Ｃ１０のアルケニル基、直鎖又は分岐鎖のＣ２〜Ｃ１０のアルキニル基、Ｃ５〜Ｃ１０の芳香族基、及びＣ３〜Ｃ１０の飽和又は不飽和の複素環基からなる群よりそれぞれ独立して選択され；Ｒ５は、Ｃ１〜Ｃ１０の直鎖又は分岐鎖アルキル基、Ｃ３〜Ｃ１０の環状アルキル基、直鎖又は分岐鎖のＣ２〜Ｃ１０のアルケニル基、直鎖又は分岐鎖のＣ２〜Ｃ１０のアルキニル基、Ｃ５〜Ｃ１０の芳香族基、及びＣ３〜Ｃ１０の飽和又は不飽和の複素環基、並びにハロゲン原子からなる群より選択され；かつＲ３及びＲ４は、環又はアルキル置換した環を形成することができる）。
《態様１６》
ステンレス鋼容器に与えられている、態様１５に記載の組成物。
《態様１７》
以下を含有する、炭素ドープケイ素含有膜を堆積するための組成物：
Ｒ６Ｓｉ（ＯＲ７）ｘＨ３−ｘの式を有する第１の前駆体（ここで、ｘ＝１、２、３；Ｒ７は、Ｃ１〜Ｃ１０の直鎖又は分岐鎖アルキル基、Ｃ３〜Ｃ１０の環状アルキル基、直鎖又は分岐鎖のＣ２〜Ｃ１０のアルケニル基、直鎖又は分岐鎖のＣ２〜Ｃ１０のアルキニル基、Ｃ５〜Ｃ１０の芳香族基、及びＣ３〜Ｃ１０の飽和又は不飽和の複素環基からなる群より独立して選択され；かつＲ６は、Ｃ１〜Ｃ１０の直鎖又は分岐鎖アルキル基、Ｃ３〜Ｃ１０の環状アルキル基、直鎖又は分岐鎖のＣ２〜Ｃ１０のアルケニル基、直鎖又は分岐鎖のＣ２〜Ｃ１０のアルキニル基、Ｃ５〜Ｃ１０の芳香族基、及びＣ３〜Ｃ１０の飽和又は不飽和の複素環基、並びにハロゲン原子からなる群より独立して選択され；Ｒ８及びＲ９は、水素、Ｃ１〜Ｃ１０の直鎖又は分岐鎖アルキル基、Ｃ３〜Ｃ１０の環状アルキル基、直鎖又は分岐鎖のＣ２〜Ｃ１０のアルケニル基、直鎖又は分岐鎖のＣ３〜Ｃ１０のアルキニル基、Ｃ５〜Ｃ１０の芳香族基、及びＣ３〜Ｃ１０の飽和又は不飽和の複素環基からなる群よりそれぞれ独立して選択される）。
《態様１８》
ステンレス鋼容器に与えられている、態様１７に記載の組成物。
《態様１９》
以下を含有する、炭素ドープケイ素含有膜を堆積するための組成物：
Ｒ８Ｎ（ＳｉＲ９（ＮＲ１０Ｒ１１）Ｈ）２の式を有する第１の前駆体（ここで、Ｒ８及びＲ９は、水素、Ｃ１〜Ｃ１０の直鎖又は分岐鎖アルキル基、Ｃ３〜Ｃ１０の環状アルキル基、直鎖又は分岐鎖のＣ２〜Ｃ１０のアルケニル基、直鎖又は分岐鎖のＣ３〜Ｃ１０のアルキニル基、Ｃ５〜Ｃ１０の芳香族基、及びＣ３〜Ｃ１０の飽和又は不飽和の複素環基からなる群よりそれぞれ独立して選択され；Ｒ１０及びＲ１１は、Ｃ１〜Ｃ１０の直鎖又は分岐鎖アルキル基、Ｃ３〜Ｃ１０の環状アルキル基、直鎖又は分岐鎖のＣ２〜Ｃ１０のアルケニル基、直鎖又は分岐鎖のＣ３〜Ｃ１０のアルキニル基、Ｃ５〜Ｃ１０の芳香族基、及びＣ３〜Ｃ１０の飽和又は不飽和の複素環基からなる群よりそれぞれ独立して選択され；かつＲ１０及びＲ１１は、環又はアルキル置換した環を形成することができる）。
《態様２０》
ステンレス鋼容器に与えられている、態様１９に記載の組成物。
《態様２１》
以下を含有する、炭素ドープケイ素含有膜を堆積するための組成物：
Ｒ８Ｎ（ＳｉＲ９ＬＨ）２の式を有する第１の前駆体（ここで、Ｒ８及びＲ９は、水素、Ｃ１〜Ｃ１０の直鎖又は分岐鎖アルキル基、Ｃ３〜Ｃ１０の環状アルキル基、直鎖又は分岐鎖のＣ２〜Ｃ１０のアルケニル基、直鎖又は分岐鎖のＣ３〜Ｃ１０のアルキニル基、Ｃ５〜Ｃ１０の芳香族基、及びＣ３〜Ｃ１０の飽和又は不飽和の複素環基からなる群よりそれぞれ独立して選択され；かつＬ＝Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉからなる群より選択されるハロゲンである）。
《態様２２》
ステンレス鋼容器に与えられている、態様２１に記載の組成物。
本発明の態様としては、以下の態様を挙げることができる：
《態様１》
以下の群から選択される少なくとも１種の化合物を含む第１の前駆体を含有する、炭素ドープケイ素含有膜を堆積するための組成物：
（ｉ） Ｒ５Ｓｉ（ＮＲ３Ｒ４）ｘＨ３−ｘ（ここで、ｘ＝１、２、３）の式を有する有機アミノアルキルシラン；
（ｉｉ） Ｒ６Ｓｉ（ＯＲ７）ｘＨ３−ｘ（ここで、ｘ＝１、２、３）の式を有する有機アルコキシアルキルシラン；
（ｉｉｉ）Ｒ８Ｎ（ＳｉＲ９（ＮＲ１０Ｒ１１）Ｈ）２の式を有する有機アミノシラン；
（ｉｖ） Ｒ８Ｎ（ＳｉＲ９ＬＨ）２の式を有する有機アミノシラン；及び
これらの組合せ
（ここで、Ｒ３、Ｒ４及びＲ７は、Ｃ１〜Ｃ１０の直鎖又は分岐鎖アルキル基、Ｃ３〜Ｃ１０の環状アルキル基、直鎖又は分岐鎖のＣ２〜Ｃ１０のアルケニル基、直鎖又は分岐鎖のＣ２〜Ｃ１０のアルキニル基、Ｃ５〜Ｃ１０の芳香族基、及びＣ３〜Ｃ１０の飽和又は不飽和の複素環基からなる群よりそれぞれ独立して選択され；
Ｒ５及びＲ６は、Ｃ１〜Ｃ１０の直鎖又は分岐鎖アルキル基、Ｃ３〜Ｃ１０の環状アルキル基、直鎖又は分岐鎖のＣ２〜Ｃ１０のアルケニル基、直鎖又は分岐鎖のＣ２〜Ｃ１０のアルキニル基、Ｃ５〜Ｃ１０の芳香族基、及びＣ３〜Ｃ１０の飽和又は不飽和の複素環基、並びにハロゲン原子からなる群よりそれぞれ独立して選択され；
Ｒ８及びＲ９は、水素、Ｃ１〜Ｃ１０の直鎖又は分岐鎖アルキル基、Ｃ３〜Ｃ１０の環状アルキル基、直鎖又は分岐鎖のＣ２〜Ｃ１０のアルケニル基、直鎖又は分岐鎖のＣ２〜Ｃ１０のアルキニル基、Ｃ５〜Ｃ１０の芳香族基、及びＣ３〜Ｃ１０の飽和又は不飽和の複素環基からなる群よりそれぞれ独立して選択され；かつ
Ｒ１０及びＲ１１は、Ｃ１〜Ｃ１０の直鎖又は分岐鎖アルキル基、Ｃ３〜Ｃ１０の環状アルキル基、直鎖又は分岐鎖のＣ２〜Ｃ１０のアルケニル基、直鎖又は分岐鎖のＣ２〜Ｃ１０のアルキニル基、Ｃ５〜Ｃ１０の芳香族基、及びＣ３〜Ｃ１０の飽和又は不飽和の複素環基からなる群よりそれぞれ独立して選択され、；
Ｒ３及びＲ４は、環又はアルキル置換した環を形成することができ；かつＲ１０及びＲ１１は、環又はアルキル置換した環を形成することができ；かつＬは、Ｃｌ、Ｂｒ又はＩである）。
《態様２》
次の式を有する有機アミノシランを含む第２の前駆体をさらに含有する、態様１に記載の組成物：Ｓｉ（ＮＲ１Ｒ２）Ｈ３（ここで、Ｒ１及びＲ２は、Ｃ１〜Ｃ１０の直鎖又は分岐鎖アルキル基、Ｃ３〜Ｃ１０の環状アルキル基、直鎖又は分岐鎖のＣ２〜Ｃ１０のアルケニル基、直鎖又は分岐鎖のＣ２〜Ｃ１０のアルキニル基、Ｃ５〜Ｃ１０の芳香族基、及びＣ３〜Ｃ１０の飽和又は不飽和の複素環基からなる群よりそれぞれ独立して選択され；かつＲ１及びＲ２は、環又はアルキル置換した環を形成することができる）。
《態様３》
以下を含有する態様２に記載の組成物：
（ｉＰｒ２Ｎ）Ｒ５ＳｉＨ２（ここで、Ｒ５は、Ｍｅ、Ｅｔ、ｎＰｒ、ｉＰｒ、ｎＢｕ、ｉＢｕ、ｓＢｕ、ｔＢｕ、ペンチルの異性体、フェニル、ビニル、並びにアルキル置換フェニルからなる群より選択される）の式を有する第１の前駆体；及び
（ｉＰｒ２Ｎ）ＳｉＨ３を含む第２の前駆体。
《態様４》
以下を含有する態様２に記載の組成物：
（ｓＢｕ２Ｎ）Ｒ５ＳｉＨ２（ここで、Ｒ５は、Ｍｅ、Ｅｔ、ｎＰｒ、ｉＰｒ、ｎＢｕ、ｉＢｕ、ｓＢｕ、ｔＢｕ、ペンチルの異性体、フェニル、ビニル、及びアルキル置換フェニルからなる群より選択される）の式を有する第１の前駆体；及び
（ｓＢｕ２Ｎ）ＳｉＨ３を含む第２の前駆体。
《態様５》
以下を含有する態様２に記載の組成物：
（２，６−ジメチルピペリジノ）Ｒ５ＳｉＨ２（ここで、Ｒ５は、Ｍｅ、Ｅｔ、ｎＰｒ、ｉＰｒ、ｎＢｕ、ｉＢｕ、ｓＢｕ、ｔＢｕ、ペンチルの異性体、フェニル、ビニル、及びアルキル置換フェニルからなる群より選択される）の式を有する第１の前駆体；及び
（２，６−ジメチルピペリジノ）ＳｉＨ３を含む第２の前駆体。
《態様６》
以下を含有する態様２に記載の組成物：
（フェニルメチルアミノ）Ｒ５ＳｉＨ２（ここで、Ｒ５は、Ｍｅ、Ｅｔ、ｎＰｒ、ｉＰｒ、ｎＢｕ、ｉＢｕ、ｓＢｕ、ｔＢｕ、ペンチルの異性体、フェニル、ビニル、及びアルキル置換フェニルからなる群より選択される）の式を有する第１の前駆体；及び
（フェニルメチルアミノ）ＳｉＨ３を含む第２の前駆体。
《態様７》
次の工程を含む、原子層堆積プロセスによって炭素ドープ酸化ケイ素膜を形成する方法：
ａ．反応器に基材を与える工程；
ｂ．前記反応器に、以下の群より選択される少なくとも１種の化合物を含む第１の前駆体を導入する工程：
（ｉ） Ｒ５Ｓｉ（ＮＲ３Ｒ４）ｘＨ３−ｘ（ここで、ｘ＝１、２、３）の式を有する有機アミノアルキルシラン、
（ｉｉ） Ｒ６Ｓｉ（ＯＲ７）ｘＨ３−ｘ（ここで、ｘ＝１、２、３）の式を有する有機アルコキシアルキルシラン、
（ｉｉｉ）Ｒ８Ｎ（ＳｉＲ９（ＮＲ１０Ｒ１１）Ｈ）２の式を有する有機アミノシラン、
（ｉｖ） Ｒ８Ｎ（ＳｉＲ９ＬＨ）２の式を有する有機アミノシラン、及び
これらの組合せ
（ここで、Ｒ３、Ｒ４及びＲ７は、Ｃ１〜Ｃ１０の直鎖又は分岐鎖アルキル基、Ｃ３〜Ｃ１０の環状アルキル基、直鎖又は分岐鎖のＣ２〜Ｃ１０のアルケニル基、直鎖又は分岐鎖のＣ２〜Ｃ１０のアルキニル基、Ｃ５〜Ｃ１０の芳香族基、及びＣ３〜Ｃ１０の飽和又は不飽和の複素環基からなる群よりそれぞれ独立して選択され；
Ｒ５及びＲ６は、Ｃ１〜Ｃ１０の直鎖又は分岐鎖アルキル基、Ｃ３〜Ｃ１０の環状アルキル基、直鎖又は分岐鎖のＣ２〜Ｃ１０のアルケニル基、直鎖又は分岐鎖のＣ２〜Ｃ１０のアルキニル基、Ｃ５〜Ｃ１０の芳香族基、及びＣ３〜Ｃ１０の飽和又は不飽和の複素環基、並びにハロゲン原子からなる群よりそれぞれ独立して選択され；
Ｒ８及びＲ９は、水素、Ｃ１〜Ｃ１０の直鎖又は分岐鎖アルキル基、Ｃ３〜Ｃ１０の環状アルキル基、直鎖又は分岐鎖のＣ２〜Ｃ１０のアルケニル基、直鎖又は分岐鎖のＣ２〜Ｃ１０のアルキニル基、Ｃ５〜Ｃ１０の芳香族基、及びＣ３〜Ｃ１０の飽和又は不飽和の複素環基からなる群よりそれぞれ独立して選択され；かつ
Ｒ１０及びＲ１１は、Ｃ１〜Ｃ１０の直鎖又は分岐鎖アルキル基、Ｃ３〜Ｃ１０の環状アルキル基、直鎖又は分岐鎖のＣ２〜Ｃ１０のアルケニル基、直鎖又は分岐鎖のＣ２〜Ｃ１０のアルキニル基、Ｃ５〜Ｃ１０の芳香族基、及びＣ３〜Ｃ１０の飽和又は不飽和の複素環基からなる群よりそれぞれ独立して選択され、；
Ｒ３及びＲ４は、環又はアルキル置換した環を形成することができ；Ｒ１０及びＲ１１は、環又はアルキル置換した環を形成することができ；かつＬは、Ｃｌ、Ｂｒ又はＩである）；
ｃ．前記反応器を、パージガスでパージする工程；
ｄ．前記反応器に、酸素源を導入する工程；
ｅ．前記反応器に、次の式を有する第二の前駆体を導入する工程：Ｓｉ（ＮＲ１Ｒ２）Ｈ３（Ｒ１及びＲ２は、Ｃ１〜Ｃ１０の直鎖又は分岐鎖アルキル基、Ｃ３〜Ｃ１０の環状アルキル基、直鎖又は分岐鎖のＣ２〜Ｃ１０のアルケニル基、直鎖又は分岐鎖のＣ２〜Ｃ１０のアルキニル基、Ｃ５〜Ｃ１０の芳香族基、及びＣ３〜Ｃ１０の飽和又は不飽和の複素環基からなる群よりそれぞれ独立して選択され；かつＲ１及びＲ２は、環又はアルキル置換した環を形成することができる）；
ｆ．前記反応器を、パージガスでパージする工程；
ｇ．前記反応器に、酸素源を導入する工程；
ｈ．前記反応器を、パージガスでパージする工程；
ここで、前記ｂ〜ｈの工程は、前記膜の所望の厚みが得られるまで繰り返される。
《態様８》
前記第１の前駆体が、２，６−ジメチルピペリジノメチルシランを含む、態様７に記載の方法。
《態様９》
前記第２の前駆体が、２，６−ジメチルピペリジノシランを含む、態様８に記載の方法。
《態様１０》
前記炭素ドープ酸化ケイ素膜の炭素量を、前記第１の前駆体の前記第２の前駆体に対する比を調節することによって、調節する、態様７に記載の方法。
《態様１１》
次の工程を含む、炭素ドープ窒化ケイ素膜を形成する方法：
ａ．反応器に基材を与える工程；
ｂ．前記反応器に、以下の群より選択される少なくとも１種の化合物を含む第１の前駆体を導入する工程：
（ｉ） Ｒ５Ｓｉ（ＮＲ３Ｒ４）ｘＨ３−ｘ（ここで、ｘ＝１、２、３）の式を有する有機アミノアルキルシラン、
（ｉｉ） Ｒ６Ｓｉ（ＯＲ７）ｘＨ３−ｘ（ここで、ｘ＝１、２、３）の式を有する有機アルコキシアルキルシラン、
（ｉｉｉ）Ｒ８Ｎ（ＳｉＲ９（ＮＲ１０Ｒ１１）Ｈ）２の式を有する有機アミノシラン、
（ｉｖ） Ｒ８Ｎ（ＳｉＲ９ＬＨ）２の式を有する有機アミノシラン、及び
これらの組合せ
（ここで、Ｒ３、Ｒ４及びＲ７は、Ｃ１〜Ｃ１０の直鎖又は分岐鎖アルキル基、Ｃ３〜Ｃ１０の環状アルキル基、直鎖又は分岐鎖のＣ２〜Ｃ１０のアルケニル基、直鎖又は分岐鎖のＣ２〜Ｃ１０のアルキニル基、Ｃ５〜Ｃ１０の芳香族基、及びＣ３〜Ｃ１０の飽和又は不飽和の複素環基からなる群よりそれぞれ独立して選択され；
Ｒ５及びＲ６は、Ｃ１〜Ｃ１０の直鎖又は分岐鎖アルキル基、Ｃ３〜Ｃ１０の環状アルキル基、直鎖又は分岐鎖のＣ２〜Ｃ１０のアルケニル基、直鎖又は分岐鎖のＣ２〜Ｃ１０のアルキニル基、Ｃ５〜Ｃ１０の芳香族基、及びＣ３〜Ｃ１０の飽和又は不飽和の複素環基、並びにハロゲン原子からなる群よりそれぞれ独立して選択され；
Ｒ８及びＲ９は、水素、Ｃ１〜Ｃ１０の直鎖又は分岐鎖アルキル基、Ｃ３〜Ｃ１０の環状アルキル基、直鎖又は分岐鎖のＣ２〜Ｃ１０のアルケニル基、直鎖又は分岐鎖のＣ３〜Ｃ１０のアルキニル基、Ｃ５〜Ｃ１０の芳香族基、及びＣ３〜Ｃ１０の飽和又は不飽和の複素環基からなる群よりそれぞれ独立して選択され；かつ
Ｒ１０及びＲ１１は、Ｃ１〜Ｃ１０の直鎖又は分岐鎖アルキル基、Ｃ３〜Ｃ１０の環状アルキル基、直鎖又は分岐鎖のＣ２〜Ｃ１０のアルケニル基、直鎖又は分岐鎖のＣ２〜Ｃ１０のアルキニル基、Ｃ５〜Ｃ１０の芳香族基、及びＣ３〜Ｃ１０の飽和又は不飽和の複素環基からなる群よりそれぞれ独立して選択され、；
Ｒ３及びＲ４は、環又はアルキル置換した環を形成することができ；Ｒ１０及びＲ１１は、環又はアルキル置換した環を形成することができ；かつＬは、Ｃｌ、Ｂｒ又はＩである）；
ｃ．前記反応器を、パージガスでパージする工程；
ｄ．前記反応器に、窒素源を導入する工程；
ｅ．前記反応器に、次の式を有する第二の前駆体を導入する工程：Ｓｉ（ＮＲ１Ｒ２）Ｈ３（Ｒ１及びＲ２は、Ｃ１〜Ｃ１０の直鎖又は分岐鎖アルキル基、Ｃ３〜Ｃ１０の環状アルキル基、直鎖又は分岐鎖のＣ２〜Ｃ１０のアルケニル基、直鎖又は分岐鎖のＣ２〜Ｃ１０のアルキニル基、Ｃ５〜Ｃ１０の芳香族基、及びＣ３〜Ｃ１０の飽和又は不飽和の複素環基からなる群よりそれぞれ独立して選択され；かつＲ１及びＲ２は、環又はアルキル置換した環を形成することができる）；
ｆ．前記反応器を、パージガスでパージする工程；
ｇ．前記反応器に、窒素源を導入する工程；
ｈ．前記反応器を、パージガスでパージする工程；
ここで、前記ｂ〜ｈの工程は、前記膜の所望の厚みが得られるまで繰り返される。
《態様１２》
前記第１の前駆体が、２，６−ジメチルピペリジノメチルシランを含む、態様１１に記載の方法。
《態様１３》
前記第２の前駆体が、２，６−ジメチルピペリジノシランを含む、態様１２に記載の方法。
《態様１４》
前記炭素ドープ窒化ケイ素膜の炭素量を、前記第１の前駆体の前記第２の前駆体に対する比を調節することによって調節する、態様１１に記載の方法。
《態様１５》
以下を含有する、炭素ドープケイ素含有膜を堆積するための組成物：
Ｒ５Ｓｉ（ＮＲ３Ｒ４）ｘＨ３−ｘの式を有する第１の前駆体（ここで、ｘ＝１、２、３；Ｒ３及びＲ４は、Ｃ１〜Ｃ１０の直鎖又は分岐鎖アルキル基、Ｃ３〜Ｃ１０の環状アルキル基、直鎖又は分岐鎖のＣ２〜Ｃ１０のアルケニル基、直鎖又は分岐鎖のＣ２〜Ｃ１０のアルキニル基、Ｃ５〜Ｃ１０の芳香族基、及びＣ３〜Ｃ１０の飽和又は不飽和の複素環基からなる群よりそれぞれ独立して選択され；Ｒ５は、Ｃ１〜Ｃ１０の直鎖又は分岐鎖アルキル基、Ｃ３〜Ｃ１０の環状アルキル基、直鎖又は分岐鎖のＣ２〜Ｃ１０のアルケニル基、直鎖又は分岐鎖のＣ２〜Ｃ１０のアルキニル基、Ｃ５〜Ｃ１０の芳香族基、及びＣ３〜Ｃ１０の飽和又は不飽和の複素環基、並びにハロゲン原子からなる群より選択され；かつＲ３及びＲ４は、環又はアルキル置換した環を形成することができる）。
《態様１６》
ステンレス鋼容器に与えられている、態様１５に記載の組成物。
《態様１７》
以下を含有する、炭素ドープケイ素含有膜を堆積するための組成物：
Ｒ６Ｓｉ（ＯＲ７）ｘＨ３−ｘの式を有する第１の前駆体（ここで、ｘ＝１、２、３；Ｒ７は、Ｃ１〜Ｃ１０の直鎖又は分岐鎖アルキル基、Ｃ３〜Ｃ１０の環状アルキル基、直鎖又は分岐鎖のＣ２〜Ｃ１０のアルケニル基、直鎖又は分岐鎖のＣ２〜Ｃ１０のアルキニル基、Ｃ５〜Ｃ１０の芳香族基、及びＣ３〜Ｃ１０の飽和又は不飽和の複素環基からなる群より独立して選択され；かつＲ６は、Ｃ１〜Ｃ１０の直鎖又は分岐鎖アルキル基、Ｃ３〜Ｃ１０の環状アルキル基、直鎖又は分岐鎖のＣ２〜Ｃ１０のアルケニル基、直鎖又は分岐鎖のＣ２〜Ｃ１０のアルキニル基、Ｃ５〜Ｃ１０の芳香族基、及びＣ３〜Ｃ１０の飽和又は不飽和の複素環基、並びにハロゲン原子からなる群より独立して選択され；Ｒ８及びＲ９は、水素、Ｃ１〜Ｃ１０の直鎖又は分岐鎖アルキル基、Ｃ３〜Ｃ１０の環状アルキル基、直鎖又は分岐鎖のＣ２〜Ｃ１０のアルケニル基、直鎖又は分岐鎖のＣ３〜Ｃ１０のアルキニル基、Ｃ５〜Ｃ１０の芳香族基、及びＣ３〜Ｃ１０の飽和又は不飽和の複素環基からなる群よりそれぞれ独立して選択される）。
《態様１８》
ステンレス鋼容器に与えられている、態様１７に記載の組成物。
《態様１９》
以下を含有する、炭素ドープケイ素含有膜を堆積するための組成物：
Ｒ８Ｎ（ＳｉＲ９（ＮＲ１０Ｒ１１）Ｈ）２の式を有する第１の前駆体（ここで、Ｒ８及びＲ９は、水素、Ｃ１〜Ｃ１０の直鎖又は分岐鎖アルキル基、Ｃ３〜Ｃ１０の環状アルキル基、直鎖又は分岐鎖のＣ２〜Ｃ１０のアルケニル基、直鎖又は分岐鎖のＣ３〜Ｃ１０のアルキニル基、Ｃ５〜Ｃ１０の芳香族基、及びＣ３〜Ｃ１０の飽和又は不飽和の複素環基からなる群よりそれぞれ独立して選択され；Ｒ１０及びＲ１１は、Ｃ１〜Ｃ１０の直鎖又は分岐鎖アルキル基、Ｃ３〜Ｃ１０の環状アルキル基、直鎖又は分岐鎖のＣ２〜Ｃ１０のアルケニル基、直鎖又は分岐鎖のＣ３〜Ｃ１０のアルキニル基、Ｃ５〜Ｃ１０の芳香族基、及びＣ３〜Ｃ１０の飽和又は不飽和の複素環基からなる群よりそれぞれ独立して選択され；かつＲ１０及びＲ１１は、環又はアルキル置換した環を形成することができる）。
《態様２０》
ステンレス鋼容器に与えられている、態様１９に記載の組成物。
《態様２１》
以下を含有する、炭素ドープケイ素含有膜を堆積するための組成物：
Ｒ８Ｎ（ＳｉＲ９ＬＨ）２の式を有する第１の前駆体（ここで、Ｒ８及びＲ９は、水素、Ｃ１〜Ｃ１０の直鎖又は分岐鎖アルキル基、Ｃ３〜Ｃ１０の環状アルキル基、直鎖又は分岐鎖のＣ２〜Ｃ１０のアルケニル基、直鎖又は分岐鎖のＣ３〜Ｃ１０のアルキニル基、Ｃ５〜Ｃ１０の芳香族基、及びＣ３〜Ｃ１０の飽和又は不飽和の複素環基からなる群よりそれぞれ独立して選択され；かつＬ＝Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉからなる群より選択されるハロゲンである）。
《態様２２》
ステンレス鋼容器に与えられている、態様２１に記載の組成物。
Claims (9)
- 集積回路デバイスの製造に用いる半導体ウェハー上に炭素ドープケイ素含有膜を堆積するための組成物であって、以下の群から選択される少なくとも１種の化合物を含む前駆体を含有する、組成物：
(iii)Ｒ８Ｎ（ＳｉＲ９（ＮＲ１０Ｒ１１）Ｈ）２の式を有する有機アミノシラン；
(iv) Ｒ８Ｎ（ＳｉＲ９ＬＨ）２の式を有する有機アミノシラン；及び
これらの組合せ
（ここで、
Ｒ８及びＲ９は、水素、Ｃ１〜Ｃ１０の直鎖又は分岐鎖アルキル基、Ｃ３〜Ｃ１０の環状アルキル基、直鎖又は分岐鎖のＣ２〜Ｃ１０のアルケニル基、直鎖又は分岐鎖のＣ２〜Ｃ１０のアルキニル基、Ｃ５〜Ｃ１０の芳香族基、及びＣ３〜Ｃ１０の飽和又は不飽和の複素環基からなる群よりそれぞれ独立して選択され；
Ｒ１０及びＲ１１は、Ｃ１〜Ｃ１０の直鎖又は分岐鎖アルキル基、Ｃ３〜Ｃ１０の環状アルキル基、直鎖又は分岐鎖のＣ２〜Ｃ１０のアルケニル基、直鎖又は分岐鎖のＣ２〜Ｃ１０のアルキニル基、Ｃ５〜Ｃ１０の芳香族基、及びＣ３〜Ｃ１０の飽和又は不飽和の複素環基からなる群よりそれぞれ独立して選択され；Ｒ１０及びＲ１１は、環又はアルキル置換した環を形成することができ；かつ
Ｌは、Ｃｌ、Ｂｒ又はＩである）。 - 前記(iii)Ｒ８Ｎ（ＳｉＲ９（ＮＲ１０Ｒ１１）Ｈ）２の式を有する有機アミノシランを含み、Ｒ８が、Ｍｅ、Ｅｔ、ｎＰｒ、ｉＰｒ、ｎＢｕ、ｉＢｕ、ｓＢｕ、ｔＢｕ、ペンチルの異性体、フェニル、ビニル、及びアルキル置換フェニルからなる群より選択される、請求項１に記載の組成物。
- 前記(iii)Ｒ８Ｎ（ＳｉＲ９（ＮＲ１０Ｒ１１）Ｈ）２の式を有する有機アミノシランを含み、Ｒ９が、水素、Ｍｅ、Ｅｔ、ｎＰｒ、ｉＰｒ、ｎＢｕ、ｉＢｕ、ｓＢｕ、ｔＢｕ、ペンチルの異性体、フェニル、ビニル、及びアルキル置換フェニルからなる群より選択される、請求項１又は２に記載の組成物。
- 前記(iii)Ｒ８Ｎ（ＳｉＲ９（ＮＲ１０Ｒ１１）Ｈ）２の式を有する有機アミノシランを含み、Ｒ１０及びＲ１１が、水素、Ｍｅ、Ｅｔ、ｎＰｒ、ｉＰｒ、ｎＢｕ、ｉＢｕ、ｓＢｕ、ｔＢｕ、ペンチルの異性体、フェニル、ビニル、及びアルキル置換フェニルからなる群より選択される、請求項１〜３のいずれか一項に記載の組成物。
- 前記(iv)Ｒ８Ｎ（ＳｉＲ９ＬＨ）２の式を有する有機アミノシランを含み、Ｒ８が、Ｍｅ、Ｅｔ、ｎＰｒ、ｉＰｒ、ｎＢｕ、ｉＢｕ、ｓＢｕ、ｔＢｕ、ペンチルの異性体、フェニル、ビニル、及びアルキル置換フェニルからなる群より選択される、請求項１に記載の組成物。
- 前記(iv)Ｒ８Ｎ（ＳｉＲ９ＬＨ）２の式を有する有機アミノシランを含み、Ｒ９が、水素、Ｍｅ、Ｅｔ、ｎＰｒ、ｉＰｒ、ｎＢｕ、ｉＢｕ、ｓＢｕ、ｔＢｕ、ペンチルの異性体、フェニル、ビニル、及びアルキル置換フェニルからなる群より選択される、請求項１又は５に記載の組成物。
- 前記(iv)Ｒ８Ｎ（ＳｉＲ９ＬＨ）２の式を有する有機アミノシランを含み、Ｌが、Ｃｌ、Ｂｒ又はＩである、請求項１、５又は６に記載の組成物。
- 次の工程を含む、集積回路デバイスの製造に用いる半導体ウェハー上に炭素ドープ窒化ケイ素膜を原子層堆積によって形成する方法：
ａ．反応器に基材を与える工程；
ｂ．前記反応器に、以下の群より選択される少なくとも１種の化合物を含む第１の前駆体を導入する工程：
(iii)Ｒ８Ｎ（ＳｉＲ９（ＮＲ１０Ｒ１１）Ｈ）２の式を有する有機アミノシラン、
(iv) Ｒ８Ｎ（ＳｉＲ９ＬＨ）２の式を有する有機アミノシラン、及び
これらの組合せ
（ここで、
Ｒ８及びＲ９は、水素、Ｃ１〜Ｃ１０の直鎖又は分岐鎖アルキル基、Ｃ３〜Ｃ１０の環状アルキル基、直鎖又は分岐鎖のＣ２〜Ｃ１０のアルケニル基、直鎖又は分岐鎖のＣ２〜Ｃ１０のアルキニル基、Ｃ５〜Ｃ１０の芳香族基、及びＣ３〜Ｃ１０の飽和又は不飽和の複素環基からなる群よりそれぞれ独立して選択され；
Ｒ１０及びＲ１１は、Ｃ１〜Ｃ１０の直鎖又は分岐鎖アルキル基、Ｃ３〜Ｃ１０の環状アルキル基、直鎖又は分岐鎖のＣ２〜Ｃ１０のアルケニル基、直鎖又は分岐鎖のＣ２〜Ｃ１０のアルキニル基、Ｃ５〜Ｃ１０の芳香族基、及びＣ３〜Ｃ１０の飽和又は不飽和の複素環基からなる群よりそれぞれ独立して選択され；Ｒ１０及びＲ１１は、環又はアルキル置換した環を形成することができ；かつ
Ｌは、Ｃｌ、Ｂｒ又はＩである）；
ｃ．前記反応器を、パージガスでパージする工程；
ｄ．前記反応器に、窒素源を導入する工程；
ｅ．前記反応器を、パージガスでパージする工程；
ここで、前記ｂ〜ｅの工程は、前記膜の所望の厚みが得られるまで繰り返される。 - 次の工程を含む、集積回路デバイスの製造に用いる半導体ウェハー上に炭素ドープ酸化ケイ素膜を原子層堆積によって形成する方法：
ａ．反応器に基材を与える工程；
ｂ．前記反応器に、以下の群より選択される少なくとも１種の化合物を含む第１の前駆体を導入する工程：
(iii)Ｒ８Ｎ（ＳｉＲ９（ＮＲ１０Ｒ１１）Ｈ）２の式を有する有機アミノシラン、
(iv) Ｒ８Ｎ（ＳｉＲ９ＬＨ）２の式を有する有機アミノシラン、及び
これらの組合せ
（ここで、
Ｒ８及びＲ９は、水素、Ｃ１〜Ｃ１０の直鎖又は分岐鎖アルキル基、Ｃ３〜Ｃ１０の環状アルキル基、直鎖又は分岐鎖のＣ２〜Ｃ１０のアルケニル基、直鎖又は分岐鎖のＣ２〜Ｃ１０のアルキニル基、Ｃ５〜Ｃ１０の芳香族基、及びＣ３〜Ｃ１０の飽和又は不飽和の複素環基からなる群よりそれぞれ独立して選択され；
Ｒ１０及びＲ１１は、Ｃ１〜Ｃ１０の直鎖又は分岐鎖アルキル基、Ｃ３〜Ｃ１０の環状アルキル基、直鎖又は分岐鎖のＣ２〜Ｃ１０のアルケニル基、直鎖又は分岐鎖のＣ２〜Ｃ１０のアルキニル基、Ｃ５〜Ｃ１０の芳香族基、及びＣ３〜Ｃ１０の飽和又は不飽和の複素環基からなる群よりそれぞれ独立して選択され；
Ｒ１０及びＲ１１は、環又はアルキル置換した環を形成することができ；かつ
Ｌは、Ｃｌ、Ｂｒ又はＩである）；
ｃ．前記反応器を、パージガスでパージする工程；
ｄ．前記反応器に、酸素源を導入する工程；
ｅ．前記反応器を、パージガスでパージする工程；
ここで、前記ｂ〜ｅの工程は、前記膜の所望の厚みが得られるまで繰り返される。
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| DE102017204257A1 (de) * | 2017-03-14 | 2018-09-20 | Schunk Kohlenstofftechnik Gmbh | Beschichtetes Produkt und Verfahren zur Herstellung |
| KR20180110612A (ko) * | 2017-03-29 | 2018-10-10 | (주)디엔에프 | 비스(아미노실릴)알킬아민 화합물을 포함하는 실리콘 함유 박막증착용 조성물 및 이를 이용하는 실리콘 함유 박막의 제조방법 |
| KR102105976B1 (ko) * | 2017-03-29 | 2020-05-04 | (주)디엔에프 | 실리콘 함유 박막증착용 조성물 및 이를 이용하는 실리콘 함유 박막의 제조방법 |
| US10770286B2 (en) | 2017-05-08 | 2020-09-08 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures |
| US11306395B2 (en) | 2017-06-28 | 2022-04-19 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus |
| KR20190009245A (ko) | 2017-07-18 | 2019-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물 |
| US11374112B2 (en) | 2017-07-19 | 2022-06-28 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
| US10590535B2 (en) | 2017-07-26 | 2020-03-17 | Asm Ip Holdings B.V. | Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same |
| US10692741B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-06-23 | Asm Ip Holdings B.V. | Radiation shield |
| US10770336B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-09-08 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate lift mechanism and reactor including same |
| US11769682B2 (en) | 2017-08-09 | 2023-09-26 | Asm Ip Holding B.V. | Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith |
| US11830730B2 (en) | 2017-08-29 | 2023-11-28 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method and apparatus |
| US11295980B2 (en) | 2017-08-30 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
| KR102491945B1 (ko) | 2017-08-30 | 2023-01-26 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
| US11056344B2 (en) | 2017-08-30 | 2021-07-06 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method |
| US11049714B2 (en) * | 2017-09-19 | 2021-06-29 | Versum Materials Us, Llc | Silyl substituted organoamines as precursors for high growth rate silicon-containing films |
| US10658205B2 (en) | 2017-09-28 | 2020-05-19 | Asm Ip Holdings B.V. | Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber |
| US10403504B2 (en) | 2017-10-05 | 2019-09-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selectively depositing a metallic film on a substrate |
| CN111344522B (zh) | 2017-11-27 | 2022-04-12 | 阿斯莫Ip控股公司 | 包括洁净迷你环境的装置 |
| KR102597978B1 (ko) | 2017-11-27 | 2023-11-06 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 배치 퍼니스와 함께 사용하기 위한 웨이퍼 카세트를 보관하기 위한 보관 장치 |
| US10748760B2 (en) * | 2017-11-30 | 2020-08-18 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Varying temperature anneal for film and structures formed thereby |
| DE102018124675A1 (de) | 2017-11-30 | 2019-06-06 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Glühen von Film bei unterschiedlichen Temperaturen und dadurch ausgebildete Strukturen |
| US10872771B2 (en) | 2018-01-16 | 2020-12-22 | Asm Ip Holding B. V. | Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures |
| TW202325889A (zh) | 2018-01-19 | 2023-07-01 | 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 | 沈積方法 |
| KR20200108016A (ko) | 2018-01-19 | 2020-09-16 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 플라즈마 보조 증착에 의해 갭 충진 층을 증착하는 방법 |
| US11081345B2 (en) | 2018-02-06 | 2021-08-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method of post-deposition treatment for silicon oxide film |
| US10896820B2 (en) | 2018-02-14 | 2021-01-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process |
| CN111699278B (zh) | 2018-02-14 | 2023-05-16 | Asm Ip私人控股有限公司 | 通过循环沉积工艺在衬底上沉积含钌膜的方法 |
| KR102636427B1 (ko) | 2018-02-20 | 2024-02-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 및 장치 |
| US10975470B2 (en) | 2018-02-23 | 2021-04-13 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment |
| US11473195B2 (en) | 2018-03-01 | 2022-10-18 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate |
| US11629406B2 (en) | 2018-03-09 | 2023-04-18 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate |
| US11114283B2 (en) | 2018-03-16 | 2021-09-07 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same |
| KR102646467B1 (ko) | 2018-03-27 | 2024-03-11 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조 |
| US11230766B2 (en) | 2018-03-29 | 2022-01-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
| US10580645B2 (en) | 2018-04-30 | 2020-03-03 | Asm Ip Holding B.V. | Plasma enhanced atomic layer deposition (PEALD) of SiN using silicon-hydrohalide precursors |
| TWI811348B (zh) | 2018-05-08 | 2023-08-11 | 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 | 藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構 |
| KR102596988B1 (ko) | 2018-05-28 | 2023-10-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치 |
| US11718913B2 (en) | 2018-06-04 | 2023-08-08 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution system and reactor system including same |
| US11270899B2 (en) | 2018-06-04 | 2022-03-08 | Asm Ip Holding B.V. | Wafer handling chamber with moisture reduction |
| US11286562B2 (en) | 2018-06-08 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Gas-phase chemical reactor and method of using same |
| US10797133B2 (en) | 2018-06-21 | 2020-10-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures |
| KR102568797B1 (ko) | 2018-06-21 | 2023-08-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 시스템 |
| CN112292478A (zh) | 2018-06-27 | 2021-01-29 | Asm Ip私人控股有限公司 | 用于形成含金属的材料的循环沉积方法及包含含金属的材料的膜和结构 |
| TWI815915B (zh) | 2018-06-27 | 2023-09-21 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 用於形成含金屬材料及包含含金屬材料的膜及結構之循環沉積方法 |
| US10612136B2 (en) | 2018-06-29 | 2020-04-07 | ASM IP Holding, B.V. | Temperature-controlled flange and reactor system including same |
| US10388513B1 (en) | 2018-07-03 | 2019-08-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
| US10755922B2 (en) | 2018-07-03 | 2020-08-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
| US11430674B2 (en) | 2018-08-22 | 2022-08-30 | Asm Ip Holding B.V. | Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods |
| US10985010B2 (en) * | 2018-08-29 | 2021-04-20 | Versum Materials Us, Llc | Methods for making silicon and nitrogen containing films |
| US11024523B2 (en) | 2018-09-11 | 2021-06-01 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
| KR20200030162A (ko) | 2018-09-11 | 2020-03-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 |
| CN110970344A (zh) | 2018-10-01 | 2020-04-07 | Asm Ip控股有限公司 | 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法 |
| US11232963B2 (en) | 2018-10-03 | 2022-01-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
| US20210363639A1 (en) * | 2018-10-04 | 2021-11-25 | Versum Materials Us, Llc | Composition for high temperature atomic layer deposition of high quality silicon oxide thin films |
| KR102592699B1 (ko) | 2018-10-08 | 2023-10-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치 |
| KR102605121B1 (ko) | 2018-10-19 | 2023-11-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
| KR102546322B1 (ko) | 2018-10-19 | 2023-06-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
| US11087997B2 (en) | 2018-10-31 | 2021-08-10 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus for processing substrates |
| KR20200051105A (ko) | 2018-11-02 | 2020-05-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
| US11572620B2 (en) | 2018-11-06 | 2023-02-07 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate |
| US10818758B2 (en) | 2018-11-16 | 2020-10-27 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures |
| US10847366B2 (en) | 2018-11-16 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process |
| US11217444B2 (en) | 2018-11-30 | 2022-01-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film |
| KR102157137B1 (ko) * | 2018-11-30 | 2020-09-17 | 주식회사 한솔케미칼 | 실리콘 전구체 및 이를 이용한 실리콘 함유 박막의 제조방법 |
| WO2020111405A1 (ko) * | 2018-11-30 | 2020-06-04 | 주식회사 한솔케미칼 | 실리콘 전구체 및 이를 이용한 실리콘 함유 박막의 제조방법 |
| KR102636428B1 (ko) | 2018-12-04 | 2024-02-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치를 세정하는 방법 |
| US11158513B2 (en) | 2018-12-13 | 2021-10-26 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
| TW202037745A (zh) | 2018-12-14 | 2020-10-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 形成裝置結構之方法、其所形成之結構及施行其之系統 |
| TW202405220A (zh) | 2019-01-17 | 2024-02-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ 私人控股有限公司 | 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法 |
| KR20200091543A (ko) | 2019-01-22 | 2020-07-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
| KR102274412B1 (ko) | 2019-01-24 | 2021-07-07 | 주식회사 엘지에너지솔루션 | 배터리 특성 측정 장치 |
| SG11202107377VA (en) | 2019-01-24 | 2021-08-30 | Applied Materials Inc | Methods for depositing silicon nitride |
| JP7178918B2 (ja) * | 2019-01-30 | 2022-11-28 | 東京エレクトロン株式会社 | エッチング方法、プラズマ処理装置、及び処理システム |
| CN111524788B (zh) | 2019-02-01 | 2023-11-24 | Asm Ip私人控股有限公司 | 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法 |
| EP3902939A4 (en) * | 2019-02-05 | 2022-09-28 | Versum Materials US, LLC | CARBON DOPED SILICON OXIDE DEPOSIT |
| KR20200102357A (ko) | 2019-02-20 | 2020-08-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 3-d nand 응용의 플러그 충진체 증착용 장치 및 방법 |
| KR102626263B1 (ko) | 2019-02-20 | 2024-01-16 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치 |
| JP2020136678A (ja) | 2019-02-20 | 2020-08-31 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 基材表面内に形成された凹部を充填するための方法および装置 |
| CN111593319B (zh) | 2019-02-20 | 2023-05-30 | Asm Ip私人控股有限公司 | 用于填充在衬底表面内形成的凹部的循环沉积方法和设备 |
| JP2020133004A (ja) | 2019-02-22 | 2020-08-31 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 基材を処理するための基材処理装置および方法 |
| US11742198B2 (en) | 2019-03-08 | 2023-08-29 | Asm Ip Holding B.V. | Structure including SiOCN layer and method of forming same |
| KR20200108243A (ko) | 2019-03-08 | 2020-09-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법 |
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| JP2020167398A (ja) | 2019-03-28 | 2020-10-08 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | ドアオープナーおよびドアオープナーが提供される基材処理装置 |
| KR20200116855A (ko) | 2019-04-01 | 2020-10-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자를 제조하는 방법 |
| US11447864B2 (en) | 2019-04-19 | 2022-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method and apparatus |
| KR20200125453A (ko) | 2019-04-24 | 2020-11-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법 |
| KR20200130118A (ko) | 2019-05-07 | 2020-11-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법 |
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| JP2020188254A (ja) | 2019-05-16 | 2020-11-19 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． | ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法 |
| JP2020188255A (ja) | 2019-05-16 | 2020-11-19 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． | ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法 |
| USD947913S1 (en) | 2019-05-17 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
| USD975665S1 (en) | 2019-05-17 | 2023-01-17 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
| USD935572S1 (en) | 2019-05-24 | 2021-11-09 | Asm Ip Holding B.V. | Gas channel plate |
| KR20200141002A (ko) | 2019-06-06 | 2020-12-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 배기 가스 분석을 포함한 기상 반응기 시스템을 사용하는 방법 |
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| USD944946S1 (en) | 2019-06-14 | 2022-03-01 | Asm Ip Holding B.V. | Shower plate |
| USD931978S1 (en) | 2019-06-27 | 2021-09-28 | Asm Ip Holding B.V. | Showerhead vacuum transport |
| KR20210005515A (ko) | 2019-07-03 | 2021-01-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법 |
| JP7499079B2 (ja) | 2019-07-09 | 2024-06-13 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法 |
| CN112216646A (zh) | 2019-07-10 | 2021-01-12 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板支撑组件及包括其的基板处理装置 |
| KR20210010307A (ko) | 2019-07-16 | 2021-01-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
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| US11643724B2 (en) | 2019-07-18 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming structures using a neutral beam |
| CN112242296A (zh) | 2019-07-19 | 2021-01-19 | Asm Ip私人控股有限公司 | 形成拓扑受控的无定形碳聚合物膜的方法 |
| TW202113936A (zh) | 2019-07-29 | 2021-04-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 用於利用n型摻雜物及/或替代摻雜物選擇性沉積以達成高摻雜物併入之方法 |
| CN112309899A (zh) | 2019-07-30 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
| CN112309900A (zh) | 2019-07-30 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
| US11587814B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
| US11227782B2 (en) | 2019-07-31 | 2022-01-18 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
| US11587815B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
| CN112323048B (zh) | 2019-08-05 | 2024-02-09 | Asm Ip私人控股有限公司 | 用于化学源容器的液位传感器 |
| USD965524S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-10-04 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor support |
| USD965044S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
| JP2021031769A (ja) | 2019-08-21 | 2021-03-01 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． | 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置 |
| USD949319S1 (en) | 2019-08-22 | 2022-04-19 | Asm Ip Holding B.V. | Exhaust duct |
| USD930782S1 (en) | 2019-08-22 | 2021-09-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distributor |
| KR20210024423A (ko) | 2019-08-22 | 2021-03-05 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법 |
| USD979506S1 (en) | 2019-08-22 | 2023-02-28 | Asm Ip Holding B.V. | Insulator |
| USD940837S1 (en) | 2019-08-22 | 2022-01-11 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode |
| US11286558B2 (en) | 2019-08-23 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film |
| KR20210024420A (ko) | 2019-08-23 | 2021-03-05 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법 |
| KR20210029090A (ko) | 2019-09-04 | 2021-03-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법 |
| KR20210029663A (ko) | 2019-09-05 | 2021-03-16 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
| TWI761939B (zh) * | 2019-09-10 | 2022-04-21 | 美商慧盛材料美國責任有限公司 | 用於非共形沉積含矽膜的組合物及使用其的非共形沉積含矽膜的方法 |
| US11562901B2 (en) | 2019-09-25 | 2023-01-24 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing method |
| CN112593212B (zh) | 2019-10-02 | 2023-12-22 | Asm Ip私人控股有限公司 | 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法 |
| CN112635282A (zh) | 2019-10-08 | 2021-04-09 | Asm Ip私人控股有限公司 | 具有连接板的基板处理装置、基板处理方法 |
| KR20210042810A (ko) | 2019-10-08 | 2021-04-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법 |
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| US12009241B2 (en) | 2019-10-14 | 2024-06-11 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette |
| TWI834919B (zh) | 2019-10-16 | 2024-03-11 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法 |
| US11637014B2 (en) | 2019-10-17 | 2023-04-25 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selective deposition of doped semiconductor material |
| KR20210047808A (ko) | 2019-10-21 | 2021-04-30 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법 |
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| US11646205B2 (en) | 2019-10-29 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same |
| KR20210054983A (ko) | 2019-11-05 | 2021-05-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템 |
| US11501968B2 (en) | 2019-11-15 | 2022-11-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps |
| KR20210062561A (ko) | 2019-11-20 | 2021-05-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템 |
| US11450529B2 (en) | 2019-11-26 | 2022-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selectively forming a target film on a substrate comprising a first dielectric surface and a second metallic surface |
| CN112951697A (zh) | 2019-11-26 | 2021-06-11 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
| CN112885692A (zh) | 2019-11-29 | 2021-06-01 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
| CN112885693A (zh) | 2019-11-29 | 2021-06-01 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
| JP2021090042A (ja) | 2019-12-02 | 2021-06-10 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． | 基板処理装置、基板処理方法 |
| KR20210070898A (ko) | 2019-12-04 | 2021-06-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
| US11885013B2 (en) | 2019-12-17 | 2024-01-30 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming vanadium nitride layer and structure including the vanadium nitride layer |
| KR20210080214A (ko) | 2019-12-19 | 2021-06-30 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조 |
| TW202140135A (zh) | 2020-01-06 | 2021-11-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 氣體供應總成以及閥板總成 |
| US11993847B2 (en) | 2020-01-08 | 2024-05-28 | Asm Ip Holding B.V. | Injector |
| TW202129068A (zh) | 2020-01-20 | 2021-08-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 | 形成薄膜之方法及修飾薄膜表面之方法 |
| TW202130846A (zh) | 2020-02-03 | 2021-08-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 形成包括釩或銦層的結構之方法 |
| TW202146882A (zh) | 2020-02-04 | 2021-12-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 驗證一物品之方法、用於驗證一物品之設備、及用於驗證一反應室之系統 |
| US11776846B2 (en) | 2020-02-07 | 2023-10-03 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices |
| TW202146715A (zh) | 2020-02-17 | 2021-12-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 用於生長磷摻雜矽層之方法及其系統 |
| TW202203344A (zh) | 2020-02-28 | 2022-01-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 | 專用於零件清潔的系統 |
| KR20210116240A (ko) | 2020-03-11 | 2021-09-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치 |
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| CN113394086A (zh) | 2020-03-12 | 2021-09-14 | Asm Ip私人控股有限公司 | 用于制造具有目标拓扑轮廓的层结构的方法 |
| KR20210124042A (ko) | 2020-04-02 | 2021-10-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 형성 방법 |
| TW202146689A (zh) | 2020-04-03 | 2021-12-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 | 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法 |
| TW202145344A (zh) | 2020-04-08 | 2021-12-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法 |
| US11821078B2 (en) | 2020-04-15 | 2023-11-21 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film |
| US11996289B2 (en) | 2020-04-16 | 2024-05-28 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods |
| KR20210132600A (ko) | 2020-04-24 | 2021-11-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템 |
| TW202140831A (zh) | 2020-04-24 | 2021-11-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 形成含氮化釩層及包含該層的結構之方法 |
| TW202146831A (zh) | 2020-04-24 | 2021-12-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 垂直批式熔爐總成、及用於冷卻垂直批式熔爐之方法 |
| KR20210134226A (ko) | 2020-04-29 | 2021-11-09 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 고체 소스 전구체 용기 |
| KR20210134869A (ko) | 2020-05-01 | 2021-11-11 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환 |
| KR20210141379A (ko) | 2020-05-13 | 2021-11-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구 |
| KR20210143653A (ko) | 2020-05-19 | 2021-11-29 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
| KR20210145078A (ko) | 2020-05-21 | 2021-12-01 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법 |
| KR20210145080A (ko) | 2020-05-22 | 2021-12-01 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 과산화수소를 사용하여 박막을 증착하기 위한 장치 |
| TW202201602A (zh) | 2020-05-29 | 2022-01-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
| TW202218133A (zh) | 2020-06-24 | 2022-05-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 形成含矽層之方法 |
| TW202217953A (zh) | 2020-06-30 | 2022-05-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
| KR20220006455A (ko) | 2020-07-08 | 2022-01-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 |
| KR20220010438A (ko) | 2020-07-17 | 2022-01-25 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 포토리소그래피에 사용하기 위한 구조체 및 방법 |
| TW202204662A (zh) | 2020-07-20 | 2022-02-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 用於沉積鉬層之方法及系統 |
| US11725280B2 (en) | 2020-08-26 | 2023-08-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming metal silicon oxide and metal silicon oxynitride layers |
| USD990534S1 (en) | 2020-09-11 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Weighted lift pin |
| USD1012873S1 (en) | 2020-09-24 | 2024-01-30 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode for semiconductor processing apparatus |
| US12009224B2 (en) | 2020-09-29 | 2024-06-11 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and method for etching metal nitrides |
| TW202229613A (zh) | 2020-10-14 | 2022-08-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 於階梯式結構上沉積材料的方法 |
| TW202217037A (zh) | 2020-10-22 | 2022-05-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 沉積釩金屬的方法、結構、裝置及沉積總成 |
| TW202223136A (zh) | 2020-10-28 | 2022-06-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統 |
| KR20220076343A (ko) | 2020-11-30 | 2022-06-08 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치의 반응 챔버 내에 배열되도록 구성된 인젝터 |
| KR20220081905A (ko) | 2020-12-09 | 2022-06-16 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 질화물 증착용 실리콘 전구체 |
| US11946137B2 (en) | 2020-12-16 | 2024-04-02 | Asm Ip Holding B.V. | Runout and wobble measurement fixtures |
| TW202231903A (zh) | 2020-12-22 | 2022-08-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成 |
| USD981973S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-28 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor wall for substrate processing apparatus |
| USD980813S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate for substrate processing apparatus |
| USD980814S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distributor for substrate processing apparatus |
| USD1023959S1 (en) | 2021-05-11 | 2024-04-23 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode for substrate processing apparatus |
| USD990441S1 (en) | 2021-09-07 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate |
| WO2023042386A1 (ja) * | 2021-09-17 | 2023-03-23 | 株式会社Kokusai Electric | 半導体装置の製造方法、基板処理装置、プログラム及びコーティング方法 |
Family Cites Families (42)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| IL22431A (en) | 1964-11-12 | 1968-11-27 | Fuchs J | Process for the production of disilazanes and the products obtained by this method |
| FR2599037B1 (fr) | 1986-05-26 | 1990-05-04 | Europ Propulsion | Dihydrogeno-1,3 disilazanes fonctionnels et procede pour leur preparation |
| US4988573A (en) * | 1988-07-14 | 1991-01-29 | Tdk Corporation | Medium related members |
| JPH0812845B2 (ja) | 1989-04-06 | 1996-02-07 | 松下電子工業株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| US4950950A (en) * | 1989-05-18 | 1990-08-21 | Eastman Kodak Company | Electroluminescent device with silazane-containing luminescent zone |
| US5424095A (en) * | 1994-03-07 | 1995-06-13 | Eniricerche S.P.A. | Ceramic vapor deposited coating using a steam-containing carrier gas and non-alkoxy silane precursors |
| JP3396791B2 (ja) * | 1994-08-30 | 2003-04-14 | 富士通株式会社 | 絶縁膜の形成方法 |
| TW285753B (ja) | 1995-01-04 | 1996-09-11 | Air Prod & Chem | |
| US5888662A (en) | 1996-11-26 | 1999-03-30 | Motorola, Inc. | Modified electrodes for display devices |
| JP2000080476A (ja) * | 1998-06-26 | 2000-03-21 | Toshiba Corp | 気相成長方法および気相成長装置およびハロゲン化アンモニウム除去装置 |
| US7005392B2 (en) * | 2001-03-30 | 2006-02-28 | Advanced Technology Materials, Inc. | Source reagent compositions for CVD formation of gate dielectric thin films using amide precursors and method of using same |
| JP4049214B2 (ja) * | 2001-08-30 | 2008-02-20 | 東京エレクトロン株式会社 | 絶縁膜の形成方法及び絶縁膜の形成装置 |
| JP3585917B2 (ja) * | 2002-07-11 | 2004-11-10 | Ｔｄｋ株式会社 | 薄膜磁気ヘッド、その製造方法及びそれを用いた磁気ディスク装置 |
| US6995948B2 (en) | 2002-07-11 | 2006-02-07 | Tdk Corporation | Thin-film magnetic head, method for producing the same and magnetic disk device using the same |
| JP4032889B2 (ja) * | 2002-09-06 | 2008-01-16 | ソニー株式会社 | 絶縁膜の形成方法 |
| US7365029B2 (en) * | 2002-12-20 | 2008-04-29 | Applied Materials, Inc. | Method for silicon nitride chemical vapor deposition |
| US7553769B2 (en) * | 2003-10-10 | 2009-06-30 | Tokyo Electron Limited | Method for treating a dielectric film |
| US20050287747A1 (en) | 2004-06-29 | 2005-12-29 | International Business Machines Corporation | Doped nitride film, doped oxide film and other doped films |
| US7488690B2 (en) * | 2004-07-06 | 2009-02-10 | Applied Materials, Inc. | Silicon nitride film with stress control |
| JP4334425B2 (ja) * | 2004-07-09 | 2009-09-30 | 富士通株式会社 | ホームエージェント |
| US20060045986A1 (en) * | 2004-08-30 | 2006-03-02 | Hochberg Arthur K | Silicon nitride from aminosilane using PECVD |
| WO2006025356A1 (ja) | 2004-09-01 | 2006-03-09 | Konica Minolta Holdings, Inc. | ガスバリア積層体及びその製造方法 |
| JP4894153B2 (ja) * | 2005-03-23 | 2012-03-14 | 株式会社アルバック | 多孔質膜の前駆体組成物及びその調製方法、多孔質膜及びその作製方法、並びに半導体装置 |
| US20060228903A1 (en) | 2005-03-30 | 2006-10-12 | Mcswiney Michael L | Precursors for the deposition of carbon-doped silicon nitride or silicon oxynitride films |
| US7875556B2 (en) | 2005-05-16 | 2011-01-25 | Air Products And Chemicals, Inc. | Precursors for CVD silicon carbo-nitride and silicon nitride films |
| CN1834288A (zh) * | 2006-04-07 | 2006-09-20 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 一种低温化学气相沉积制备氮化硅薄膜的方法 |
| US7875312B2 (en) | 2006-05-23 | 2011-01-25 | Air Products And Chemicals, Inc. | Process for producing silicon oxide films for organoaminosilane precursors |
| US20080124946A1 (en) | 2006-11-28 | 2008-05-29 | Air Products And Chemicals, Inc. | Organosilane compounds for modifying dielectrical properties of silicon oxide and silicon nitride films |
| US20080207007A1 (en) | 2007-02-27 | 2008-08-28 | Air Products And Chemicals, Inc. | Plasma Enhanced Cyclic Chemical Vapor Deposition of Silicon-Containing Films |
| US7651961B2 (en) | 2007-03-30 | 2010-01-26 | Tokyo Electron Limited | Method for forming strained silicon nitride films and a device containing such films |
| US20090075490A1 (en) * | 2007-09-18 | 2009-03-19 | L'air Liquite Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude | Method of forming silicon-containing films |
| US7999355B2 (en) * | 2008-07-11 | 2011-08-16 | Air Products And Chemicals, Inc. | Aminosilanes for shallow trench isolation films |
| DE102008037896A1 (de) | 2008-08-15 | 2010-02-18 | Ksb Aktiengesellschaft | Energierückgewinnungseinrichtung und Verfahren zur Auslegung |
| JP4982457B2 (ja) * | 2008-09-11 | 2012-07-25 | 信越化学工業株式会社 | パターン形成方法 |
| EP2373830B1 (en) | 2008-10-20 | 2014-04-30 | Dow Corning Corporation | Cvd precursors |
| US8580993B2 (en) * | 2008-11-12 | 2013-11-12 | Air Products And Chemicals, Inc. | Amino vinylsilane precursors for stressed SiN films |
| JP2010183069A (ja) | 2009-01-07 | 2010-08-19 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 半導体装置の製造方法及び基板処理装置 |
| JP5547418B2 (ja) * | 2009-03-19 | 2014-07-16 | 株式会社Ａｄｅｋａ | 化学気相成長用原料及びこれを用いたシリコン含有薄膜形成方法 |
| US8889235B2 (en) * | 2009-05-13 | 2014-11-18 | Air Products And Chemicals, Inc. | Dielectric barrier deposition using nitrogen containing precursor |
| JP2010275602A (ja) * | 2009-05-29 | 2010-12-09 | Adeka Corp | 化学気相成長用原料とこれを用いたシリコン含有薄膜形成方法 |
| JP5467007B2 (ja) * | 2009-09-30 | 2014-04-09 | 株式会社日立国際電気 | 半導体装置の製造方法および基板処理装置 |
| US8329599B2 (en) * | 2011-02-18 | 2012-12-11 | Asm Japan K.K. | Method of depositing dielectric film by ALD using precursor containing silicon, hydrocarbon, and halogen |
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