JP6445375B2 - 有機アミノジシラン前駆体、及びそれを含む膜の堆積方法 - Google Patents

有機アミノジシラン前駆体、及びそれを含む膜の堆積方法 Download PDF

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Description

アモルファスシリコン、結晶性シリコン、窒化ケイ素、酸化ケイ素、炭窒化ケイ素及び酸窒化ケイ素の膜を含むが、これらに限定されないケイ素含有膜の堆積に用いることができる前駆体、特に有機アミノジシラン及びその組成物を本明細書で述べる。また、本明細書で述べるものは、集積回路デバイスの製造時にケイ素含有膜を堆積するためのこれらの有機アミノジシラン前駆体の使用である。本明細書で述べられる有機アミノジシラン前駆体を、様々な堆積プロセスに関して、例えば限定されないが原子層堆積（ＡＬＤ）、化学気相成長（ＣＶＤ）、プラズマ化学気相成長（ＰＥＣＶＤ）、低圧化学気相成長（ＬＰＣＶＤ）及び常圧ＣＶＤに関して、用いることができる。
複数の種類の化合物を、ケイ素含有膜用の前駆体、例えば限定されないが、酸化ケイ素膜又は窒化ケイ素膜用の前駆体として用いることができる。前駆体としての使用に適切なこれらの化合物の例としては、シラン、クロロシラン、ポリシラザン、アミノシラン及びアジドシランが挙げられる。また、不活性キャリアガス又は希釈剤、例えば限定されないが、ヘリウム、水素、窒素等を、この前駆体と共に用いて、前駆体を反応チャンバーに提供することができる。
低圧化学気相成長（ＬＰＣＶＤ）プロセスは、ケイ素含有膜の堆積に関して半導体産業で用いられる、比較的幅広く受け入れられている方法の１つである。アンモニアを用いる低圧化学気相成長（ＬＰＣＶＤ）では、適度な成長速度及び均質性を得るために、７５０℃超の堆積温度が必要となる場合がある。改良した膜特性を与えるために、比較的高い堆積温度が通常用いられる。窒化ケイ素又は他のケイ素含有膜を成長させるための比較的一般的な産業的方法の１つは、前駆体のシラン、ジクロロシラン及び／又はアンモニアを用いる、７５０℃超の温度でのホットウォール反応器（ｈｏｔ ｗａｌｌ ｒｅａｃｔｏｒ）内での低圧化学気相成長による。しかし、この方法を用いることには複数の欠点が存在している。例えば、ある種の前駆体、例えばシランは、自然発火性である。これは、取り扱い時及び使用時に問題点を提示する場合がある。また、シラン及びジクロロシランから堆積した膜は、ある種の不純物を含有する場合がある。例えば、ジクロロシランを用いて堆積した膜は、ある種の不純物、例えば塩素及び塩化アンモニウムを含有する場合があり、これらは堆積プロセスの間に副生成物として形成される。シランを用いて堆積した膜は、水素を含有する場合がある。
窒化ケイ素膜を堆積するのに用いられる前駆体、例えばＢＴＢＡＳ及びクロロシランは、通常、５５０℃超の温度で膜を堆積させる。半導体デバイスの縮小化及び低いサーマルバジェット（ｔｈｅｒｍａｌ ｂｕｄｇｅｔ）の傾向には、比較的低い処理温度及び比較的高い堆積速度が必要とされている。ケイ素膜を堆積させる温度は、格子中へのイオン拡散を防ぐために、特に金属化層（ｍｅｔａｌｌｉｚａｔｉｏｎ ｌａｙｅｒ）を有する基材に関して、また多くの３−５族デバイス及び２−６族デバイスにおいて、格子へのイオン拡散を防ぐために、低下させるべきである。したがって、５５０℃以下又は更には室温において、ＣＶＤ、ＡＬＤ又は他のプロセスにより堆積を可能とする、十分に化学的に反応性のある、ケイ素含有膜の堆積のための前駆体、例えば酸化ケイ素膜、酸窒化ケイ素膜、又は窒化ケイ素膜の堆積のための前駆体を与える必要性が、本分野において存在している。
非特許文献１は、Ｓｉ−Ｓｉ−Ｎ構造単位を有する、窒化ケイ素膜のＰＥＣＶＤ用の潜在的単一源前駆体（ｐｏｔｅｎｔｉａｌ ｓｉｎｇｌｅ−ｓｏｕｒｃｅ ｐｒｅｃｕｒｓｏｒ）について述べている。その構造単位には、例えば（Ｅｔ２Ｎ）２ＨＳｉ−ＳｉＨ３， （Ｅｔ２Ｎ）２ＨＳｉ−ＳｉＨ（ＮＥｔ２）２、［（ｉ−Ｐｒ）２Ｎ］Ｈ２Ｓｉ−ＳｉＨ３、 及び［（ｉ−Ｐｒ）２Ｎ］Ｈ２Ｓｉ−ＳｉＨ２［Ｎ（ｉ−Ｐｒ）２］が挙げられる。前駆体の１，２−ビス（ジ−ｉ−プロピルアミン）ジシラン（ＢＩＰＡＤＳ）を、窒化ケイ素膜のＰＥＣＶＤ堆積用に用いている。ＢＩＰＡＤＳ前駆体からの生成膜は、１．６３１〜１．８１４の範囲の屈折率を示し、かつ低い炭素含量及び非常に低い酸素含量であり、高いＳｉ結合水素含量であった。
非特許文献２は、完全に水素化したＳｉ結合を有する複数の開鎖かつ環状のジアミノジシランに関する、高収率での合成を記載している。
特許文献１は、ジシラン（Ｓｉ２Ｈ６）及び亜酸化窒素を用いたＰＥＣＶＤプロセスでの低温での高品質ＳｉＯ２膜の堆積について記載している。
特許文献２及び３は、塩素を含まず、かつ（（Ｒ）ＨＮ）３−Ｓｉ−Ｓｉ−（ＮＨ（Ｒ））３｛上記式中、ＲはＣ１〜Ｃ４のヒドロカルビルを独立して表している｝の式を有するヘキサキス（モノヒドロカルビラミノ）ジシラン又はシラン化合物の組成物及び調製方法について記載している。このヘキサキス（モノヒドロカルビラミノ）ジシラン前駆体を、窒化ケイ素膜又は酸窒化ケイ素膜の堆積に用いる。
特許文献４は、Ｓｉ２（ＮＭｅ２）５Ｙ｛式中、Ｙは、Ｈ、Ｃｌ、又はアミノ基からなる群より選択される｝の式を有するペンタキス（ジメチルアミノ）ジシラン化合物、及びＳｉＮ又はＳｉＯＮのケイ素含有エッチング停止膜又はケイ素含有ゲート膜を製造するためのその用途について記載している。
特許文献５は、ヘキサキス（モノアルキルアミノ）ジシラン、例えばヘキサキス（エチルアミノ）ジシランをケイ素源として用いて、かつオゾンを酸化剤として用いる、二酸化ケイ素含有薄膜を基材に堆積する方法について記載している。その成長速度は、約１．１Å／サイクルである。
特許文献６は、ヘキサクロロジシランをケイ素源として用いて、かつ水を酸化剤として用いて、触媒、例えばピリジンの存在下で、二酸化ケイ素含有薄膜を基材に堆積する方法について記載している。その成長速度は、５０〜１４０℃の基材温度で、２．６〜０．６Å／サイクルの範囲である。
特許文献７は、２つのＳｉ原子を有するアミノシラン系ガス、例えばヘキサキスエチルアミノジシラン（Ｃ１２Ｈ３６Ｎ６Ｓｉ２）を用いて薄膜に関するシード層を形成する方法を記載している。次の式を有する他のアミノシランを用いることもできる：（１）（Ｒ１Ｒ２）Ｎ）ｎＳｉ２Ｈ６−ｎ−ｍ（Ｒ３）ｍ｛ｎは、アミノ基の数であり、ｍはアルキル基の数である｝、又は（２）（Ｒ１）ＮＨ）ｎＳｉ２Ｈ６−ｎ−ｍ（Ｒ３）ｍ｛ｎは、アミノ基の数であり、ｍはアルキル基の数である｝。式（１）及び（２）では、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３＝ＣＨ３、Ｃ２Ｈ５、Ｃ３Ｈ７であり、Ｒ１＝Ｒ２＝Ｒ３、又は互いに同じでなくてもよく、ｎは１〜６の範囲の整数であり、かつｍ＝０及び１〜５である。
特許文献８〜１３は、少なくとも１つのジシラン誘導体を含むシラン前駆体について記載しており、これはアルキルアミノ官能基及び／又はジアルキルアミノ官能基で完全に置換されている。上記事項に加えて、本分野では、少数のモノジアルキルアミノジシランが報告されており、例えばジメチルアミノジシラン（ＣＡＳ＃１４３９６−２６−０Ｐ）、ジエチルアミノジシラン（ＣＡＳ＃１３２９０５−０−５）、及びジ−イソ−プロピルアミノジシラン（ＣＡＳ＃１５１６２５−２５−１）である。
米国特許第５，６６０，８９５号 米国特許第７，０１９，１５９号 米国特許第７，０６４，０８３号 米国特許第８，１５３，８３２号 米国特許出願公開第２００９／０２０９０８１号 米国特許第７，０７７，９０４号 米国特許出願公開第２０１３／０１０９１５５号 米国特許第７，４４６，２１７号 米国特許第７，５３１，６７９号 米国特許第７，７１３，３４６号 米国特許第７，７８６，３２０号 米国特許第７，８８７，８８３号 米国特許第７，９１０，７６５号
"Ｄｉｓｉｌａｎｙｌ−ａｍｉｎｅｓ−Ｃｏｍｐｏｕｎｄｓ Ｃｏｍｐｒｉｓｉｎｇ ｔｈｅ Ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ Ｕｎｉｔ Ｓｉ−Ｓｉ−Ｎ， ａｓ Ｓｉｎｇｌｅ−Ｓｏｕｒｃｅ Ｐｒｅｃｕｒｓｏｒｓ ｆｏｒ Ｐｌａｓｍａ−Ｅｎｈａｎｃｅｄ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ （ＰＥ−ＣＶＤ） ｏｆ Ｓｉｌｉｃｏｎ Ｎｉｔｒｉｄｅ"， Ｓｃｈｕｈ ｅｔ ａｌ．， Ｚｅｉｔｓｃｈｒｉｆｔ Ｆｕｅｒ Ａｎｏｒｇａｎｉｓｃｈｅ ｕｎｄ Ａｌｌｇｅｍｅｉｎｅ Ｃｈｅｍｉｅ， ６１９ （１９９３）， ｐｐ． １３４７−５２ "１，２−Ｄｉｓｉｌａｎｅｄｉｙｌ Ｂｉｓ（ｔｒｉｆｌａｔｅ）， Ｆ３ＣＳＯ３−ＳｉＨ２−ＳｉＨ２−Ｏ３ＳＣＦ３， ａｓ ｔｈｅ Ｋｅｙ Ｉｎｔｅｒｍｅｄｉａｔｅ ｆｏｒ ａ Ｆａｃｉｌｅ Ｐｒｅｐａｒａｔｉｏｎ ｏｆ Ｏｐｅｎ−Ｃｈａｉｎ ａｎｄ Ｃｙｃｌｉｃ １，１− ａｎｄ １，２−Ｄｉアミノジシランｓ"， Ｓｏｅｌｄｅｒ ｅｔ ａｌ．， Ｉｎｏｒｇａｎｉｃ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ， ３６ （１９９７）， ｐｐ． １７５８−６３
本明細書に記載するものは、ここに記載される式Ｉを有するＳｉ−Ｎ結合、Ｓｉ−Ｓｉ結合、及びＳｉ−Ｈ２基を有する有機アミノジシラン前駆体、及び式Ｉを有する有機アミノジシランを含む組成物、並びにこれを用いる、ケイ素含有膜を基材の少なくとも一部に形成するための方法である。ここで、ケイ素含有膜としては、例えば限定されないが、アモルファスシリコン、結晶性シリコン、酸化ケイ素、炭素ドープ酸化ケイ素、窒化ケイ素、酸窒化ケイ素、炭化ケイ素、炭窒化ケイ素及びこれらの組合せが挙げられる。さらに、本明細書に記載されるものは、ここに記載される有機アミノジシランを含む組成物であって、その有機アミノジシランが、アミン、ハロゲン、比較的高い分子量の物質種、及び金属から選択される少なくとも１種を実質的に有さない組成物である。これらの実施態様、又は他の実施態様において、この組成物はさらに溶媒を有していてもよい。また、本明細書に開示するものは、ケイ素含有膜又はケイ素含有コーティングを、ここに記載される式Ｉを有する有機アミノジシラン前駆体を用いて、処理対象に、例えば半導体ウェハーに、形成するための方法である。本明細書に記載した方法の１つの実施態様では、酸化ケイ素膜を基材に生成するための条件において、堆積チャンバーで、ここに記載される式Ｉを有する有機アミノジシラン前駆体及び酸素含有源を用いて、ケイ素及び酸素を含む膜を基材に堆積させる。本明細書に記載した方法の他の１つの実施態様では、窒化ケイ素膜を基材に生成するための条件において、堆積チャンバーで、式Ｉを有する有機アミノジシラン前駆体及び窒素含有前駆体を用いて、ケイ素及び窒素を含む膜を基材に堆積させる。さらなる実施態様では、ここに記載される式Ｉを有する有機アミノジシランを、金属含有膜のためのドーパントとして、例えば限定されないが、金属酸化物膜又は金属窒化物膜のためのドーパントとして、用いることもできる。本明細書に記載した組成物及び方法では、ここに記載される式Ｉを有する有機アミノジシランを、ケイ素含有前駆体の少なくとも１種として用いる。
１つの態様において、本明細書に記載される有機アミノジシラン前駆体は、次の式Ｉで表されるＳｉ−Ｎ結合、Ｓｉ−Ｓｉ結合、及びＳｉ−Ｈ２基を有する有機アミノジシラン前駆体の少なくとも１種を含む：
Figure 0006445375
 （ここで、Ｒ１及びＲ３は、直鎖又は分岐鎖のＣ３〜Ｃ１０のアルキル基、直鎖又は分岐鎖のＣ３〜Ｃ１０のアルケニル基、直鎖又は分岐鎖のＣ３〜Ｃ１０のアルキニル基、Ｃ１〜Ｃ６のジアルキルアミノ基、電子求引基、及びＣ６〜Ｃ１０のアリール基からそれぞれ独立して選択され；Ｒ２及びＲ４は、水素、直鎖又は分岐鎖のＣ１〜Ｃ１０のアルキル基、直鎖又は分岐鎖のＣ３〜Ｃ１０のアルケニル基、直鎖又は分岐鎖のＣ３〜Ｃ１０のアルキニル基、Ｃ１〜Ｃ６のジアルキルアミノ基、電子求引基、及びＣ６〜Ｃ１０のアリール基からそれぞれ独立して選択され；かつＲ１及びＲ２、Ｒ３及びＲ４、Ｒ１及びＲ３、若しくはＲ２及びＲ４のいずれか１つ又は全ては、共に結合して置換若しくは非置換の芳香環、又は置換若しくは非置換の脂肪族環から選択される環を形成し、又はこれら全てがそれらの環を形成しない。式Ｉのような特定の実施態様では、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４は、それらがイソ−プロピルにならないという条件の下で、同じである。他の実施態様では、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ２は、異なる。１つの実施態様では、Ｒ１及びＲ２、若しくはＲ３及びＲ４、若しくはＲ１及びＲ３、若しくはＲ２及びＲ４は、直鎖又は分岐鎖のＣ３〜Ｃ６のアルキル基から選択され、そして結合して環を形成する。さらなる実施態様では、Ｒ１及びＲ２、Ｒ３及びＲ４、Ｒ１及びＲ３、並びにＲ２及びＲ４の全てが環を形成するための結合をしない）。
他の１つの態様では、（ａ）次の式Ｉで表されるＳｉ−Ｎ結合、Ｓｉ−Ｓｉ結合、及びＳｉ−Ｈ２基を有する少なくとも１種の有機アミノジシラン前駆体、及び（ｂ）溶媒を含有する組成物が与えられる：
Figure 0006445375
 （ここで、Ｒ１及びＲ３は、直鎖又は分岐鎖のＣ３〜Ｃ１０のアルキル基、直鎖又は分岐鎖のＣ３〜Ｃ１０のアルケニル基、直鎖又は分岐鎖のＣ３〜Ｃ１０のアルキニル基、Ｃ１〜Ｃ６のジアルキルアミノ基、電子求引基、及びＣ６〜Ｃ１０のアリール基からそれぞれ独立して選択され；Ｒ２及びＲ４は、水素、直鎖又は分岐鎖のＣ１〜Ｃ１０のアルキル基、直鎖又は分岐鎖のＣ３〜Ｃ１０のアルケニル基、直鎖又は分岐鎖のＣ３〜Ｃ１０のアルキニル基、Ｃ１〜Ｃ６のジアルキルアミノ基、電子求引基、及びＣ６〜Ｃ１０のアリール基からそれぞれ独立して選択され；かつＲ１及びＲ２、Ｒ３及びＲ４、Ｒ１及びＲ３、若しくはＲ２及びＲ４のいずれか１つ又は全ては、共に結合して置換若しくは非置換の芳香環、又は置換若しくは非置換の脂肪族環から選択される環を形成し、又はこれら全てがそれらの環を形成しない。式Ｉのような特定の実施態様では、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４は、それらがイソ−プロピルにならないという条件の下で、同じである。他の実施態様では、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４は、異なる。１つの実施態様では、Ｒ１及びＲ２、若しくはＲ３及びＲ４、若しくはＲ１及びＲ３、若しくはＲ２及びＲ４は、直鎖又は分岐鎖のＣ３〜Ｃ６のアルキル基から選択され、そして結合して環を形成する。さらなる実施態様では、Ｒ１及びＲ２、Ｒ３及びＲ４、Ｒ１及びＲ３、並びにＲ２及びＲ４の全てが環を形成するための結合をしない）。
ここに記載した組成物の特定の実施態様において、典型的な溶媒としては、限定されないが、エーテル、第三級アミン、アルキル炭化水素、芳香族炭化水素、第三級アミノエーテル、及びこれらの組合せが挙げられる。特定の実施態様では、溶媒の沸点と、有機アミノジシランの沸点との差は、４０℃以下である。
他の１つの態様では、次の工程を含む、基材の少なくとも１つの表面にケイ素含有膜を形成する方法が与えられる：
反応チャンバーに上記基材の上記少なくとも１つの表面を与える工程；及び
次の式Ｉで表されるＳｉ−Ｎ結合、Ｓｉ−Ｓｉ結合、及びＳｉ−Ｈ２基を有する少なくとも１種の有機アミノジシラン前駆体から、化学気相成長プロセス及び原子層堆積プロセスから選択される堆積プロセスによって、上記少なくとも１つの表面に上記ケイ素含有膜を形成する工程：
Figure 0006445375
 （ここで、Ｒ１及びＲ３は、直鎖又は分岐鎖のＣ３〜Ｃ１０のアルキル基、直鎖又は分岐鎖のＣ３〜Ｃ１０のアルケニル基、直鎖又は分岐鎖のＣ３〜Ｃ１０のアルキニル基、Ｃ１〜Ｃ６のジアルキルアミノ基、電子求引基、及びＣ６〜Ｃ１０のアリール基からそれぞれ独立して選択され；Ｒ２及びＲ４は、水素、直鎖又は分岐鎖のＣ１〜Ｃ１０のアルキル基、直鎖又は分岐鎖のＣ３〜Ｃ１０のアルケニル基、直鎖又は分岐鎖のＣ３〜Ｃ１０のアルキニル基、Ｃ１〜Ｃ６のジアルキルアミノ基、電子求引基、及びＣ６〜Ｃ１０のアリール基からそれぞれ独立して選択され；かつＲ１及びＲ２、Ｒ３及びＲ４、Ｒ１及びＲ３、若しくはＲ２及びＲ４のいずれか１つ又は全ては、共に結合して置換若しくは非置換の芳香環、又は置換若しくは非置換の脂肪族環から選択される環を形成し、又はこれら全てがそれらの環を形成しない）。
他の１つの態様では、次の工程を含む、原子層堆積（ＡＬＤ）プロセス又はＡＬＤ類似プロセスによって酸化ケイ素を形成するための方法が与えられる：
ａ．基材を反応器に与える工程；
ｂ．上記反応器に、次の式Ｉによって表されるＳｉ−Ｎ結合、Ｓｉ−Ｓｉ結合、及びＳｉ−Ｈ２基を有する少なくとも１種の有機アミノジシラン前駆体から選択される少なくとも１種の有機アミノジシラン前駆体を導入する工程：
Figure 0006445375
 （ここで、Ｒ１及びＲ３は、直鎖又は分岐鎖のＣ３〜Ｃ１０のアルキル基、直鎖又は分岐鎖のＣ３〜Ｃ１０のアルケニル基、直鎖又は分岐鎖のＣ３〜Ｃ１０のアルキニル基、Ｃ１〜Ｃ６のジアルキルアミノ基、電子求引基、及びＣ６〜Ｃ１０のアリール基からそれぞれ独立して選択され；Ｒ２及びＲ４は、水素、直鎖又は分岐鎖のＣ１〜Ｃ１０のアルキル基、直鎖又は分岐鎖のＣ３〜Ｃ１０のアルケニル基、直鎖又は分岐鎖のＣ３〜Ｃ１０のアルキニル基、Ｃ１〜Ｃ６のジアルキルアミノ基、電子求引基、及びＣ６〜Ｃ１０のアリール基からそれぞれ独立して選択され；かつＲ１及びＲ２、Ｒ３及びＲ４、Ｒ１及びＲ３、若しくはＲ２及びＲ４のいずれか１つ又は全ては、共に結合して置換若しくは非置換の芳香環、又は置換若しくは非置換の脂肪族環から選択される環を形成し、又はこれら全てがそれらの環を形成しない）；
ｃ．上記反応器を、パージガスでパージする工程；
ｄ．上記反応器に、酸素含有源を導入する工程；
ｅ．随意に、上記反応器を、パージガスでパージする工程；
ここで、上記膜の所望の厚みが得られるまで、ｂ〜ｅの工程を繰り返す。
他の１つの態様では、次の工程を含む、プラズマ原子層堆積（ｐｌａｓｍａ ｅｎｈａｎｃｅｄ ａｔｏｍｉｃ ｌａｙｅｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）プロセスによって酸化ケイ素膜を形成するための方法が与えられる：
ａ．基材を反応器に与える工程；
ｂ．上記反応器に、次の式Ｉによって表されるＳｉ−Ｎ結合、Ｓｉ−Ｓｉ結合、及びＳｉ−Ｈ２基を有する少なくとも１種の有機アミノジシラン前駆体及び酸素源を導入する工程：
Figure 0006445375
 （ここで、Ｒ１及びＲ３は、直鎖又は分岐鎖のＣ３〜Ｃ１０のアルキル基、直鎖又は分岐鎖のＣ３〜Ｃ１０のアルケニル基、直鎖又は分岐鎖のＣ３〜Ｃ１０のアルキニル基、Ｃ１〜Ｃ６のジアルキルアミノ基、電子求引基、及びＣ６〜Ｃ１０のアリール基からそれぞれ独立して選択され；Ｒ２及びＲ４は、水素、直鎖又は分岐鎖のＣ１〜Ｃ１０のアルキル基、直鎖又は分岐鎖のＣ３〜Ｃ１０のアルケニル基、直鎖又は分岐鎖のＣ３〜Ｃ１０のアルキニル基、Ｃ１〜Ｃ６のジアルキルアミノ基、電子求引基、及びＣ６〜Ｃ１０のアリール基からそれぞれ独立して選択され；かつＲ１及びＲ２、Ｒ３及びＲ４、Ｒ１及びＲ３、若しくはＲ２及びＲ４のいずれか１つ又は全ては、共に結合して置換若しくは非置換の芳香環、又は置換若しくは非置換の脂肪族環から選択される環を形成し、又はこれら全てがそれらの環を形成しない）；
ｃ．上記反応器を、上記酸素含有源と共にパージガスでパージする工程；
ｄ．ＲＦプラズマを適用する工程；
ｅ．上記反応器を、パージガスでパージする工程、又は上記反応器を排気して反応副生成物を除去する工程；
ここで、上記膜の所望の厚みが得られるまで、ｂ〜ｅの工程を繰り返す。
さらなる態様では、次の工程を含む、ＣＶＤプロセスを用いて基材の少なくとも１つの表面に酸化ケイ素膜を形成するための方法が与えられる：
ａ．基材を反応器に与える工程；
ｂ．上記反応器に、次の式Ｉによって表されるＳｉ−Ｎ結合、Ｓｉ−Ｓｉ結合、及びＳｉ−Ｈ２基を有する少なくとも１種の有機アミノジシラン前駆体を導入する工程：
Figure 0006445375
 （ここで、Ｒ１及びＲ３は、直鎖又は分岐鎖のＣ３〜Ｃ１０のアルキル基、直鎖又は分岐鎖のＣ３〜Ｃ１０のアルケニル基、直鎖又は分岐鎖のＣ３〜Ｃ１０のアルキニル基、Ｃ１〜Ｃ６のジアルキルアミノ基、電子求引基、及びＣ６〜Ｃ１０のアリール基からそれぞれ独立して選択され；Ｒ２及びＲ４は、水素、直鎖又は分岐鎖のＣ１〜Ｃ１０のアルキル基、直鎖又は分岐鎖のＣ３〜Ｃ１０のアルケニル基、直鎖又は分岐鎖のＣ３〜Ｃ１０のアルキニル基、Ｃ１〜Ｃ６のジアルキルアミノ基、電子求引基、及びＣ６〜Ｃ１０のアリール基からそれぞれ独立して選択され；かつＲ１及びＲ２、Ｒ３及びＲ４、Ｒ１及びＲ３、若しくはＲ２及びＲ４のいずれか１つ又は全ては、共に結合して置換若しくは非置換の芳香環、又は置換若しくは非置換の脂肪族環から選択される環を形成し、又はこれら全てがそれらの環を形成しない）；
ｃ．酸素含有源を同時に与えて、基材の上記少なくとも１つの表面に上記酸化ケイ素膜を堆積させる工程。
他の１つの態様では、次の工程を含む、原子層堆積プロセス又はＡＬＤ類似プロセスによって窒化ケイ素膜を形成する方法が与えられる：
ａ．基材を反応器に与える工程；
ｂ．上記反応器に、次の式Ｉによって表されるＳｉ−Ｎ結合、Ｓｉ−Ｓｉ結合、及びＳｉ−Ｈ２基を有する少なくとも１種の有機アミノジシラン前駆体を導入する工程：
Figure 0006445375
 （ここで、Ｒ１及びＲ３は、直鎖又は分岐鎖のＣ３〜Ｃ１０のアルキル基、直鎖又は分岐鎖のＣ３〜Ｃ１０のアルケニル基、直鎖又は分岐鎖のＣ３〜Ｃ１０のアルキニル基、Ｃ１〜Ｃ６のジアルキルアミノ基、電子求引基、及びＣ６〜Ｃ１０のアリール基からそれぞれ独立して選択され；Ｒ２及びＲ４は、水素、直鎖又は分岐鎖のＣ１〜Ｃ１０のアルキル基、直鎖又は分岐鎖のＣ３〜Ｃ１０のアルケニル基、直鎖又は分岐鎖のＣ３〜Ｃ１０のアルキニル基、Ｃ１〜Ｃ６のジアルキルアミノ基、電子求引基、及びＣ６〜Ｃ１０のアリール基からそれぞれ独立して選択され；かつＲ１及びＲ２、Ｒ３及びＲ４、Ｒ１及びＲ３、若しくはＲ２及びＲ４のいずれか１つ又は全ては、共に結合して置換若しくは非置換の芳香環、又は置換若しくは非置換の脂肪族環から選択される環を形成し、又はこれら全てがそれらの環を形成しない）；
ｃ．上記反応器を、パージガスでパージする工程；
ｄ．上記反応器に、窒素含有源を導入する工程；
ｅ．上記反応器を、パージガスでパージする工程；
ここで、上記窒化ケイ素膜の所望の厚みが得られるまで、ｂ〜ｅの工程を繰り返す。
さらなる態様では、次の工程を含む、プラズマ原子層堆積プロセス又はプラズマ原子層堆積類似プロセスによって窒化ケイ素を形成するための方法が与えられる：
ａ．基材を反応器に与える工程；
ｂ．上記反応器に、次の式Ｉによって表されるＳｉ−Ｎ結合、Ｓｉ−Ｓｉ結合、及びＳｉ−Ｈ２基を有する少なくとも１種の有機アミノジシラン前駆体及び窒素含有源を導入する工程：
Figure 0006445375
 （ここで、Ｒ１及びＲ３は、直鎖又は分岐鎖のＣ３〜Ｃ１０のアルキル基、直鎖又は分岐鎖のＣ３〜Ｃ１０のアルケニル基、直鎖又は分岐鎖のＣ３〜Ｃ１０のアルキニル基、Ｃ１〜Ｃ６のジアルキルアミノ基、及びＣ６〜Ｃ１０のアリール基からそれぞれ独立して選択され；Ｒ２及びＲ４は、水素、直鎖又は分岐鎖のＣ１〜Ｃ１０のアルキル基、直鎖又は分岐鎖のＣ３〜Ｃ１０のアルケニル基、直鎖又は分岐鎖のＣ３〜Ｃ１０のアルキニル基、Ｃ１〜Ｃ６のジアルキルアミノ基、及びＣ６〜Ｃ１０のアリール基からそれぞれ独立して選択され；かつＲ１及びＲ２、Ｒ３及びＲ４、Ｒ１及びＲ３、若しくはＲ２及びＲ４のいずれか１つ又は全ては、共に結合して置換若しくは非置換の芳香環、又は置換若しくは非置換の脂肪族環から選択される環を形成し、又はこれら全てがそれらの環を形成しない）； ｃ．上記反応器を、上記窒素含有源と共にパージガスでパージする工程；
ｄ．ＲＦプラズマを適用する工程；及び
ｅ．上記反応器をパージガスでパージして、又は上記反応器を排気して、反応副生成物を除去する工程；
ここで、上記膜の所望の厚みが得られるまで、ｂ〜ｅの工程を繰り返す。
さらなる態様では、次の工程を含む、ＣＶＤプロセスを用いて基材の少なくとも１つの表面に窒化ケイ素膜を形成するための方法が与えられる：
ａ．基材を反応器に与える工程；
ｂ．上記反応器に、次の式Ｉによって表されるＳｉ−Ｎ結合、Ｓｉ−Ｓｉ結合、及びＳｉ−Ｈ２基を有する少なくとも１種の有機アミノジシラン前駆体及び窒素含有源を導入する工程：
Figure 0006445375
 （ここで、Ｒ１及びＲ３は、直鎖又は分岐鎖のＣ３〜Ｃ１０のアルキル基、直鎖又は分岐鎖のＣ３〜Ｃ１０のアルケニル基、直鎖又は分岐鎖のＣ３〜Ｃ１０のアルキニル基、Ｃ１〜Ｃ６のジアルキルアミノ基、及びＣ６〜Ｃ１０のアリール基からそれぞれ独立して選択され；Ｒ２及びＲ４は、水素、直鎖又は分岐鎖のＣ１〜Ｃ１０のアルキル基、直鎖又は分岐鎖のＣ３〜Ｃ１０のアルケニル基、直鎖又は分岐鎖のＣ３〜Ｃ１０のアルキニル基、Ｃ１〜Ｃ６のジアルキルアミノ基、及びＣ６〜Ｃ１０のアリール基からそれぞれ独立して選択され；かつＲ１及びＲ２、Ｒ３及びＲ４、Ｒ１及びＲ３、若しくはＲ２及びＲ４のいずれか１つ又は全ては、共に結合して置換若しくは非置換の芳香環、又は置換若しくは非置換の脂肪族環から選択される環を形成し、又はこれら全てがそれらの環を形成しない）； ｃ．窒素含有源を与える工程であって、上記少なくとも１種の有機アミノジシラン前駆体と、上記窒素含有源とを反応させて、ケイ素及び窒素の両方を含有する上記膜を上記少なくとも１つの表面に堆積させる工程。
本明細書に記載した方法のさらなる実施態様において、このプロセスは、アモルファスシリコン膜又は結晶性シリコン膜を、サイクリックＣＶＤ法を用いて堆積する。この実施態様では、この方法は、次の工程を含む：
１以上の基材を反応器に配置し、これを周囲温度から約７００℃の範囲の１以上の温度に加熱する工程；
次の式Ｉによって表されるＳｉ−Ｎ結合、Ｓｉ−Ｓｉ結合、及びＳｉ−Ｈ２基を有する少なくとも１種の有機アミノジシラン前駆体を導入する工程：
Figure 0006445375
 （ここで、Ｒ１及びＲ３は、直鎖又は分岐鎖のＣ３〜Ｃ１０のアルキル基、直鎖又は分岐鎖のＣ３〜Ｃ１０のアルケニル基、直鎖又は分岐鎖のＣ３〜Ｃ１０のアルキニル基、Ｃ１〜Ｃ６のジアルキルアミノ基、及びＣ６〜Ｃ１０のアリール基からそれぞれ独立して選択され；Ｒ２及びＲ４は、水素、直鎖又は分岐鎖のＣ１〜Ｃ１０のアルキル基、直鎖又は分岐鎖のＣ３〜Ｃ１０のアルケニル基、直鎖又は分岐鎖のＣ３〜Ｃ１０のアルキニル基、Ｃ１〜Ｃ６のジアルキルアミノ基、及びＣ６〜Ｃ１０のアリール基からそれぞれ独立して選択され；かつＲ１及びＲ２、Ｒ３及びＲ４、Ｒ１及びＲ３、若しくはＲ２及びＲ４のいずれか１つ又は全ては、共に結合して置換若しくは非置換の芳香環、又は置換若しくは非置換の脂肪族環から選択される環を形成し、又はこれら全てがそれらの環を形成しない。）；
随意に、還元剤源を反応器に与えて、上記少なくとも１種の有機アミノジシラン前駆体と少なくとも部分的に反応させて、そしてケイ素含有膜を１以上の基材に堆積させる工程。
還元剤を用いる実施態様では、還元剤は、水素、水素プラズマ、塩化水素からなる群より選択される。特定の実施態様では、この反応器は、堆積プロセスの間に、１０ｍＴｏｒｒ〜７６０Ｔｏｒｒの範囲の圧力に維持される。上記の工程を、ここに記載した方法に関して１サイクルと定義し、所望の厚みの膜が得られるまで、この工程のサイクルを繰り返すことができる。
他の１つの態様において、アモルファスシリコン膜又は結晶性シリコン膜を、原子層堆積プロセス又は原子層堆積類似プロセスによって形成するための方法が与えられる。この方法は、次の工程を含む：
ａ．基材を反応器に与える工程；
ｂ．上記反応器に、次の式Ｉによって表されるＳｉ−Ｎ結合、Ｓｉ−Ｓｉ結合、及びＳｉ−Ｈ２基を有する少なくとも１種の有機アミノジシラン前駆体を導入する工程：
Figure 0006445375
 （ここで、Ｒ１及びＲ３は、直鎖又は分岐鎖のＣ３〜Ｃ１０のアルキル基、直鎖又は分岐鎖のＣ３〜Ｃ１０のアルケニル基、直鎖又は分岐鎖のＣ３〜Ｃ１０のアルキニル基、Ｃ１〜Ｃ６のジアルキルアミノ基、及びＣ６〜Ｃ１０のアリール基からそれぞれ独立して選択され；Ｒ２及びＲ４は、水素、直鎖又は分岐鎖のＣ１〜Ｃ１０のアルキル基、直鎖又は分岐鎖のＣ３〜Ｃ１０のアルケニル基、直鎖又は分岐鎖のＣ３〜Ｃ１０のアルキニル基、Ｃ１〜Ｃ６のジアルキルアミノ基、及びＣ６〜Ｃ１０のアリール基からそれぞれ独立して選択され；かつＲ１及びＲ２、Ｒ３及びＲ４、Ｒ１及びＲ３、若しくはＲ２及びＲ４のいずれか１つ又は全ては、共に結合して置換若しくは非置換の芳香環、又は置換若しくは非置換の脂肪族環から選択される環を形成し、又はこれら全てがそれらの環を形成しない）； ｃ．上記反応器を、パージガスでパージする工程、又は上記反応器を排気して未反応の有機アミノジシラン及び反応副生成物を除去する工程；
ここで、上記膜の所望の厚みが得られるまで、ｂ及びｃの工程を繰り返す。
この実施態様、又は他の実施態様において、上記シリコン膜の厚みは、１Å超、１〜１００００Å、１〜１０００Å、又は１〜１００Åとなることができる。
他の１つの態様について、式Ｉを有する１種以上の有機アミノジシラン前駆体を含むケイ素含有膜を堆積させるための容器が、本明細書に記載される。１つの特定の実施態様では、その容器は、ＣＶＤ又はＡＬＤプロセスのために反応器への１種以上の前駆体の供給を可能とするのに適切なバルブ及び取付具を備えた、少なくとも１つの耐圧容器（好ましくはステンレス鋼製）を含む。
本明細書に記載した有機アミノジシランを、前駆体として用いて、化学量論的なケイ素含有膜及び非化学量論的なケイ素含有膜、例えば限定されないが、アモルファスシリコン、結晶性シリコン、酸化ケイ素、酸炭化ケイ素、窒化ケイ素、酸窒化ケイ素及び酸窒化炭化ケイ素を形成する。また、これらの前駆体を、例えば、金属含有膜のためのドーパントとして用いることもできる。半導体プロセスで用いられる有機アミノジシラン前駆体は、通常、高純度の揮発性液体前駆体化学物質であり、これらを気化させ、そして堆積チャンバー又は反応器にガスとして提供して、ＣＶＤ又はＡＬＤプロセスにより、半導体デバイス用のケイ素含有膜を堆積させる。堆積のための前駆体材料の選択は、所望の生成ケイ素含有材料又は膜に依存する。例えば、前駆体材料を、その化学元素の内容、化学元素の化学量論比及び／又はＣＶＤ下で形成する生成ケイ素含有膜若しくは生成ケイ素含有コーティングに関して、選択することができる。また、前駆体材料を、様々な他の特徴、例えばコスト、比較的低い毒性、取扱い性、室温で液相を維持する性能、揮発性、分子量及び／又は他の考慮事項に関して選択することができる。ある種の実施態様では、本明細書に記載した前駆体を、あらゆる手段で反応器システムに提供することができ、好ましくは堆積チャンバー又は反応器への液相の前駆体の提供を可能とする適切なバルブ及び取付具を備えた耐圧ステンレス鋼容器を用いて、反応器システムに提供することができる。
本明細書に記載した有機アミノジシラン前駆体は、マイクロエレクトロニクス製造プロセスにおけるＣＶＤ又はＡＬＤ前駆体としてそれらを理想的に適切とする、反応性及び安定性のバランスを示す。反応性に関して、ある種の前駆体では、気化させ、そして反応器に提供して基材に膜として堆積させるのに、高すぎる沸点を有する場合がある。比較的に高い沸点を有する前駆体では、所定の減圧度の下で、提供容器及び提供ラインを前駆体の沸点以上に加熱して、容器、ライン又はこの両方への凝縮物又は粒子の形成を、防ぐことが必要となる。安定性に関して、他の前駆体は、分解するにしたがって、シラン（ＳｉＨ４）又はジシラン（Ｓｉ２Ｈ６）を形成する場合がある。シランは、室温で自然発火性であり、又はそれは自発的に燃焼することがあり、これは安全性の問題と取扱いの問題を提示する。さらに、シラン又はジシラン及び他の副生成物の形成は、前駆体の純度を低下させる。また、１〜２％程の小さな化学的純度の変化が、信頼性のある半導体製造のためには許容できないものとみなされる場合がある。ある種の実施態様では、本明細書に記載した式Ｉを有する有機アミノジシラン前駆体は、６ヶ月以上又は１年以上の期間で保存した後に、２ｗｔ％以下、１ｗｔ％以下又は０．５ｗｔ％以下の副生成物（例えば、対応するビス−ジシランの副生成物）を含み、これは保存安定性の指標である。上記の利点に加えて、ある種の実施態様、例えばＡＬＤ堆積法、ＡＬＤ類似堆積法、ＰＥＡＬＤ堆積法、又はＣＣＶＤ堆積法を用いて、酸化ケイ素膜、窒化ケイ素膜、又はシリコン膜を堆積する実施態様では、本明細書に記載された有機アミノジシラン前駆体は、比較的低い堆積温度で、例えば５００℃以下、４００℃以下、３００℃以下、２００℃以下、１００℃以下、又は５０℃以下で、高密度材料を堆積できる場合がある。１つの特定の実施態様では、有機アミノジシラン前駆体、例えばジ−イソ−プロピルアミノジシラン、ジ−ｓｅｃ−ブチルアミノジシラン、又は２，６−ジメチルピペリジノジシランを用いて、ＡＬＤ又はＰＥＡＬＤによって、５０℃以下で、又は室温（例えば２５℃）程の低い温度で、ケイ素含有膜を堆積することができる。
１つの実施態様では、ここに記載された式Ｉを有する有機アミノジシラン及び溶媒を含む、ケイ素含有膜形成用の組成物が本明細書に記載される。あらゆる理論に拘束されることを望むものではないが、本明細書に記載された組成物は、純粋な有機アミノジシランと比較して１以上の利点を与えることができると考えられる。これらの利点としては、半導体プロセスにおける有機アミノジシランの良好な利用法、長期間での保管にわたる良好な安定性、フラッシュ気化による比較的清浄な気化、及び／又は直接液体注入（ＤＬＩ）化学気相成長プロセスでの全体的な良好な安定性が挙げられる。この組成物における有機アミノジシランの重量百分率は、残部を溶媒として、１〜９９％の範囲となることができ、この溶媒は、その有機アミノジシランと反応せず、かつその有機アミノジシランと近い沸点を有する。後者に関して、組成物中の有機アミノジシランと溶媒との沸点の差は、４０℃以下、より好ましくは２０℃以下又は１０℃以下である。典型的な組成物としては、限定されないが、ジ−イソ−プロピルアミノジシラン（沸点約１５７ｏＣ）及びオクタン（沸点１２５〜１２６℃）の混合物、ジ−イソ−プロピルアミノジシラン（沸点約１５７ｏＣ）及びエチルシクロヘキサン（沸点１３０〜１３２ｏＣ）の混合物、ジ−イソ−プロピルアミノジシラン（沸点約１５７ｏＣ）及びトルエン（沸点１１５ｏＣ）、ジ−ｓｅｃ−ブチルアミノジシラン及びデカン（沸点１７４ｏＣ）の混合物、ジ−ｓｅｃ−ブチルアミノジシラン及びデカンの混合物、ジ−ｓｅｃ−ブチルアミノジシラン及び２，２’−オキシビス（Ｎ，Ｎ−ジメチルエタンアミン（沸点１８９ｏＣ）の混合物が挙げられる。
１つの態様では、以下の式Ｉで表されるＳｉ−Ｎ結合、Ｓｉ−Ｓｉ結合、及びＳｉ−Ｈ２基を有する特定の前駆体又は有機アミノジシランが与えられる：
Figure 0006445375
 （ここで、Ｒ１及びＲ３は、直鎖又は分岐鎖のＣ３〜Ｃ１０のアルキル基、直鎖又は分岐鎖のＣ３〜Ｃ１０のアルケニル基、直鎖又は分岐鎖のＣ３〜Ｃ１０のアルキニル基、Ｃ１〜Ｃ６のジアルキルアミノ基、電子求引基、及びＣ６〜Ｃ１０のアリール基からそれぞれ独立して選択され；Ｒ２及びＲ４は、水素、直鎖又は分岐鎖のＣ１〜Ｃ１０のアルキル基、直鎖又は分岐鎖のＣ３〜Ｃ１０のアルケニル基、直鎖又は分岐鎖のＣ３〜Ｃ１０のアルキニル基、Ｃ１〜Ｃ６のジアルキルアミノ基、電子求引基、及びＣ６〜Ｃ１０のアリール基からそれぞれ独立して選択され；かつＲ１及びＲ２、Ｒ３及びＲ４、Ｒ１及びＲ３、若しくはＲ２及びＲ４のいずれか１つ又は全ては、共に結合して置換若しくは非置換の芳香環、又は置換若しくは非置換の脂肪族環から選択される環を形成し、又はこれら全てがそれらの環を形成しない。式Ｉの特定の実施態様では、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４は、それらがイソ−プロピルにならないという条件の下で、同じである。他の実施態様では、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４は、異なる。１つの実施態様では、Ｒ１及びＲ２、又はＲ３及びＲ４、又はＲ１及びＲ３、又はＲ２及びＲ４は、直鎖又は分岐鎖のＣ３〜Ｃ６のアルキル基から選択され、そして結合して環を形成する。さらなる実施態様では、Ｒ１及びＲ２、又はＲ３及びＲ４、又はＲ１及びＲ３、又はＲ２及びＲ４は、環を形成するための結合をしない）。
本明細書に記載した式中、また明細書を通じて、用語「アルキル」は、１〜２０、１〜１２又は１〜６の炭素原子を有する直鎖又は分岐鎖の官能基を意味する。典型的なアルキル基としては、限定されないが、メチル（Ｍｅ）、エチル（Ｅｔ）、プロピル（ｎ−Ｐｒ）、イソプロピル（イソ−Ｐｒ又はｉＰｒ）、ブチル（ｎ−Ｂｕ）、イソブチル（ｓＢｕ）、ｓｅｃ−ブチル（ｓＢｕ）、ｔｅｒｔ−ブチル（ｔＢｕ）、ペンチル、イソ−ペンチル、ｔｅｒｔ−ペンチル（アミル）、ヘキシル、イソ−ヘキシル及びネオ−ヘキシルが挙げられる。ある種の実施態様では、アルキル基は、自身に結合している１つ以上の官能基、例えば限定されないが、アルコキシ基、ジアルキルアミノ基又はこれらの組み合わせを有する場合がある。他の実施態様では、アルキル基は、自身に結合する１つ以上の官能基を有さない。
本明細書に記載した式中、また明細書を通じて、用語「環状アルキル」は、３〜１０、４〜１０又は５〜１０の炭素原子を有する環状官能基を意味する。典型的な環状アルキル基としては、限定されないが、シクロブチル、シクロペンチル、シクロヘキシル及びシクロオクチル基が挙げられる。
本明細書に記載した式中、また明細書を通じて、用語「アリール」は、５〜１２の炭素原子又は６〜１０の炭素原子を有する芳香族の環状官能基を意味する。典型的なアリール基としては、限定されないが、フェニル、ベンジル、クロロベンジル、トリル、及びｏ−トリルが挙げられる。
本明細書に記載した式中、また明細書を通じて、用語「アルケニル基」は、１つ以上の炭素−炭素二重結合を有し、且つ３〜１０、３〜６又は３〜４の炭素原子を有する基を意味する。
本明細書に記載した式中、また明細書を通じて、用語「アルキニル基」は、１つ以上の炭素−炭素三重結合を有し、且つ３〜１０、３〜６又は３〜４の炭素原子を有する基を意味する。
本明細書に記載した式中、また明細書を通じて、用語「アルコキシ」は、酸素原子に結合しており（例えばＲ−Ｏ）、且つ１〜１０、１〜６又は１〜４の炭素原子を有することができるアルキル基を意味する。典型的なアルコキシ基としては、限定されないが、メトキシ（−ＯＣＨ３）、エトキシ（−ＯＣＨ２ＣＨ３）、ｎ−プロポキシ（−ＯＣＨ２ＣＨ２ＣＨ３）及びイソ−プロポキシ（−ＯＣＨＭｅ２）が挙げられる。
本明細書に記載した式中、また明細書を通じて、用語「ジアルキルアミン基」は、窒素原子に結合している２つのアルキル基を有し、且つ１〜１０、２〜６又は２〜４の炭素原子を有する基を意味する。
本明細書に記載した式Ｉ中、また明細書を通じて、ここで用いられる場合、用語「電子求引基」は、Ｓｉ−Ｎ結合から電子を求引するように機能する原子又はその基について述べている。適切な電子求引基の例としては、限定されないが、ニトリル（ＣＮ）が挙げられる。ある種の実施態様では、電子求引置換基は、式Ｉのいずれか１つ中のＮに隣接又は近接させることができる。電子求引基のさらなる非限定的な例としては、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、ＣＮ、ＮＯ２、ＲＳＯ及び／又はＲＳＯ２が挙げられ、ここでＲは、Ｃ１〜Ｃ１０のアルキル基とすることができ、例えば限定されないが、メチル基又は他の１つの基とすることができる。
上記式中、及び明細書を通じて、ここで用いられる場合用語「不飽和」は、官能基、置換基、環又は架橋が、１以上の炭素二重結合又は三重結合を有することを意味している。不飽和環の例は、限定されないが、芳香族環、例えばフェニル環となることができる。用語「飽和」とは、官能基、置換基、環又は架橋が、１以上の炭素二重結合又は三重結合を有さないことを意味している。
ある種の実施態様では、式Ｉ中のアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アルコキシ基、ジアルキルアミノ基、アリール基及び／又は電子求引基の１つ以上が、置換されている場合があり、又は例えば水素原子の代わりに置換した１つ以上の原子若しくはその原子の基を有する場合がある。典型的な置換基の例としては、限定されないが、酸素、硫黄、ハロゲン原子（例えば、Ｆ、Ｃｌ、Ｉ又はＢｒ）、窒素及びリンが挙げられる。他の実施態様では、式Ｉ中のアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アルコキシ基、ジアルキルアミノアリール基及び／又は電子求引基の１つ以上が、置換されていない場合がある。ある種の実施態様では、式Ｉを有する少なくとも１種の有機アミノジシラン前駆体は、酸素原子を含む１つ以上の置換基を有する。これらの実施態様では、堆積プロセス中の酸素源の必要性を、回避することができる。他の実施態様では、式Ｉを有する少なくとも１種の有機アミノジシラン前駆体は、酸素原子を含む１つ以上の置換基を有し、且つ酸素源も用いる。この実施態様又は他の実施態様では、式Ｉ中の置換基Ｒ１及びＲ２、又はＲ３及びＲ４、又はＲ１及びＲ３、又はＲ２及びＲ４は、酸素原子を通じて結合して、環状構造を形成している。次の表１は、式Ｉを有する有機アミノジシランのある種の実施態様のいくつかの非限定的な例を与える。
ある種の実施態様において、Ｒ１及びＲ２、若しくはＲ３及びＲ４、若しくはＲ１及びＲ３、若しくはＲ２及びＲ４のいずれか１つ又は全てが、式Ｉにおいて結合して、環状構造を形成する。これらの実施態様では、Ｒ２、Ｒ４、又はこれらの両方が水素ではない。Ｒ１及びＲ２が結合して環を形成する実施態様では、Ｒ１に連結するために、Ｒ２は（水素置換基となる代わりに）結合に関わることができる。したがって、上記の例では、Ｒ２を、Ｃ１〜Ｃ１０のアルケニル部位、又は直鎖若しくは分岐鎖のＣ１〜Ｃ１０のアルキニル部位から選択することができる。これらの実施態様では、その環状構造は、不飽和構造又は飽和構造となることができ、例えば環状アルキル環、又はアリール環となることができる。さらに、これらの実施態様では、環状構造は、置換構造又は非置換構造となることもできる。１つの特定の実施態様では、有機アミノジシランは、置換脂肪族環、例えば５〜１０の炭素原子を有するヘテロ原子含有環状官能基、及び少なくとも１つの窒素原子を有することができる。これらの特定の実施態様の例としては、限定されないが、１，２−ビス（ピペリジノ）ジシラン（Ｒ１がプロピル、かつＲ２がＭｅ）、１，２−ビス（ピペリジノ）ジシラン（Ｒ１がプロピル、かつＲ２がＥｔ）、２，６−ジメチルピペリジノジシラン（Ｒ１がイソ−プロピル、かつＲ２がｓｅｃ−ブチル）、及び２，５−ジメチルピペリジノジシラン（Ｒ１がイソ−プロピル、かつＲ２がイソ−プロピル）が挙げられる。
他の実施態様では、Ｒ１及びＲ２、又はＲ３及びＲ４、又はＲ１及びＲ３、又はＲ２及びＲ４の全てが、式Ｉにおいて、環状構造を形成しない。
次の表１は、式Ｉを有する有機アミノジシランの特定の実施態様のいくつかの非限定的な例を与えている。
Figure 0006445375
Ｓｉ−Ｎ結合、Ｓｉ−Ｓｉ結合、及びＳｉＨ２基を有し、本明細書に記載した式Ｉで表される有機アミノジシランは、Ｓｉ−Ｎ結合及びＳｉ−Ｓｉ結合のみを有する公知の有機アミノジシラン前駆体よりも有利であるが、これは理論に拘束されないが、有機アミノジシランが、５つのＳｉ−Ｈ基及び１つのＳｉ−Ｓｉ結合を有することで反応性が高くなり、従来の前駆体、例えばクロロシラン、ヘキサクロロジシラン、又は有機アミノシランの場合よりも、堆積温度を、例えば４００℃未満に低下させるためと考えられる。
ある種の実施態様では、式Ｉを有する有機アミノジシランを、１，２−ジクロロジシラン（ＤＣＤＳ）と、次の式ＩＩ又はＩＩＩを有するアミンとを、反応させることによって、調製することができる。
Figure 0006445375
式ＩＩ又は式ＩＩＩ中で、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４は、上記式Ｉの置換基と同じである。次の反応式（１）は、反応機構又は合成経路の非限定的な例を与えており、これを用いて上記式Ｉを有する有機アミノジシランを作製することができる。反応式（１）の反応を、有機溶媒を用いて（例えば、有機溶媒の存在下で）、又は有機溶媒を用いずに（例えば、有機溶媒の不在下で）実行することができる。有機溶媒を用いる実施態様において、適切な有機溶媒の例としては、限定されないが、炭化水素、例えばヘキサン、オクタン、トルエン、並びにジエチルエーテル及びテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）等のエーテルが挙げられる。これらの実施態様、又は他の実施態様では、反応温度は、約−７０℃から、溶媒を用いる場合用いる溶媒の沸点までの範囲である。例えば、生成する有機アミノジシランを、全ての副生成物及び存在するならばあらゆる溶媒を除去した後で、減圧蒸留によって精製することができる。
Figure 0006445375
上記反応式（１）は、１，２−ジハロジシラン（ＸＳｉＨ２ＳｉＨ２Ｘ、ここでＸ＝Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ）と式ＩＩで表される第二級アミンとの反応を用いる、式Ｉを有する有機アミノジシランを作製するための合成経路の一例である。他の合成経路を用いて、上記の有機アミノジシランを作製することができ、例えばジアミノテトラクロロジシランを金属水素化物を用いて還元することによって、又はジアミノクロロジシランの不均化、又はジシランと第二級アミンとの触媒の存在下での反応によって、作製することができる。
ケイ素含有膜又はケイ素含有コーティングを形成するために用いる方法は、堆積プロセスである。本明細書で開示した方法に関して適切な堆積プロセスの例としては、限定されないが、サイクリックＣＶＤ（ＣＣＶＤ）、ＭＯＣＶＤ（有機金属ＣＶＤ）、熱化学気相成長、プラズマ化学気相成長（ＰＥＣＶＤ：ｐｌａｓｍａ ｅｎｈａｎｃｅｄ ｃｈｅｍｉｃａｌ ｖａｐｏｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）、高密度ＰＥＣＶＤ、光支援ＣＶＤ（ｐｈｏｔｏｎ ａｓｓｉｓｔｅｄ ＣＶＤ）、プラズマ−光支援（ＰＰＥＣＶＤ）、低温化学気相成長、化学支援気相成長（ｃｈｅｍｉｃａｌ ａｓｓｉｓｔｅｄ ｖａｐｏｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）、ホットフィラメント化学気相成長、液体ポリマー前駆体のＣＶＤ、超臨界流体からの堆積、及び低エネルギーＣＶＤ（ＬＥＣＶＤ）が挙げられる。ある種の実施態様では、金属含有膜を、原子層堆積（ＡＬＤ）プロセス、プラズマＡＬＤ（ＰＥＡＬＤ）プロセス、又はプラズマサイクリックＣＶＤ（ＰＥＣＣＶＤ）プロセスによって堆積させる。本明細書で用いられる場合、用語「化学気相成長プロセス」は、基材を、１種以上の揮発性前駆体に露出させ、１以上の揮発性前駆体を、基材表面で反応させ且つ／又は分解させて、所望の堆積物を生成する、あらゆるプロセスについて言及している。本明細書で用いられる場合、用語「原子層堆積プロセス」は、様々な組成の基材に材料の膜を堆積させる、自己制限的な（例えば、各反応サイクルで堆積される膜材料の量が一定である）、順次的な表面化学反応について言及している。本明細書で用いられる、前駆体、試薬及び物質源は、「ガス状」として記載される場合があるが、前駆体は、不活性ガスを用いて又は不活性ガスを用いずに、直接気化、バブリング又は昇華によって、反応器に輸送される、液体又は固体のいずれかであってよいことが理解される。いくつかの場合では、揮発した前駆体は、プラズマ発生器を通過することができる。１つの実施態様では、ケイ素含有膜を、ＡＬＤプロセスを用いて堆積させる。他の一つの実施態様では、ケイ素含有膜を、ＣＣＶＤプロセスを用いて堆積させる。さらなる実施態様では、ケイ素含有膜を、熱ＣＶＤプロセスを用いて堆積させる。本明細書で用いる場合、用語「反応器」は、限定を含まずに、反応チャンバー又は堆積チャンバーを含む。
ある種の実施態様では、本明細書に開示した方法は、反応器に導入する前に且つ／又は導入中に前駆体を分離しておくＡＬＤ法又はＣＣＶＤ法を用いることによって、前駆体の前反応を回避する。これに関連して、堆積技術、例えばＡＬＤプロセス又はＣＣＶＤプロセスを用いて、ケイ素含有膜を堆積させる。１つの実施態様では、基材表面を、ケイ素含有前駆体、酸素源、窒素含有源、又は他の前駆体若しくは試薬の１種以上に交互にさらすことによって、ＡＬＤプロセスを通じて、膜を堆積させる。膜の成長は、表面反応の自己制限的な制御、各前駆体又は試薬のパルス長さ、及び堆積温度によって進む。しかし、基材の表面が飽和すると、膜の成長は停止する。本明細書で記載する場合、ＡＬＤ類似プロセスは、５％以下の不均一性、１サイクル当たり１Å以上の堆積速度、又はこれらの両方を有する、高度にコンフォーマルなケイ素含有膜、例えばアモルファスシリコン、酸化ケイ素、炭素ドープ酸化ケイ素、炭窒化ケイ素、窒化ケイ素を、基材に与えるサイクリックＣＶＤプロセスである。
ある種の実施態様において、本明細書に記載した方法は、上記の式Ｉを有する有機アミノジシラン前駆体以外の、１種以上の追加のケイ素含有前駆体をさらに含む。追加のケイ素含有前駆体の例としては、限定されないが、有機ケイ素化合物、例えばモノアミノシラン（例えば、ジ−イソ−プロピルアミノシラン、ジ−ｓｅｃ−ブチルアミノシラン、フェニルメチルアミノシラン）；オルガノケイ素化合物、例えば、トリシリルアミン（ＴＳＡ）：モノアミノシラン（ジ−イソ−プロピルアミノシラン、 ジ−ｓｅｃ−ブチルアミノシラン、フェニルメチルアミノシラン）；シロキサン（例えば、ヘキサメチルジシロキサン（ＨＭＤＳＯ）及びジメチルシロキサン（ＤＭＳＯ））；有機シラン（例えばメチルシラン、ジメチルシラン、ビニルトリメチルシラン、トリメチルシラン、テトラメチルシラン、エチルシラン、ジシリルメタン、２，４−ジシラペンタン、１，４−ジシラブタン、２，５−ジシラへキサン、２，２−ジシリルプロパン、１，３，５−トリシラシクロヘキサン及びこれら化合物のフッ素化された誘導体）；フェニル含有有機ケイ素化合物（例えば、ジメチルフェニルシラン及びジフェニルメチルシラン）；酸素含有有機ケイ素化合物（例えば、ジメチルジメトキシシラン；１，３，５，７−テトラメチルシクロテトラシロキサン；１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン；１，３，５，７−テトラシラ−４−オキソ−へプタン、２，４，６，８−テトラシラ−３，７−ジオキソ−ノナン、２，２−ジメチル−２，４，６，８−テトラシラ−３，７−ジオキソ−ノナン、オクタメチルシクロテトラシロキサン、［１，３，５，７，９］−ペンタメチルシクロペンタシロキサン、１，３，５，７−テトラシラ−２，６−ジオキソ−シクロオクタン、ヘキサメチルシクロトリシロキサン、１，３−ジメチルジシロキサン、１，３，５，７，９−ペンタメチルシクロペンタシロキサン、ヘキサメトキシジシロキサン及びこれら化合物のフッ素化された誘導体）が挙げられる。
堆積方法に応じて、ある種の実施態様では、１種以上のケイ素含有前駆体を、所定のモル体積で又は約０．１〜約１０００マイクロモルで、反応器に導入することができる。この実施態様又は他の実施態様では、ケイ素含有前駆体及び／又は有機アミノジシラン前駆体を、所定の時間間隔で反応器に導入することができる。ある種の実施態様では、その時間間隔は、約０．００１〜約５００秒の範囲となる。
ある種の実施態様では、本明細書に記載した方法を用いて堆積させるケイ素含有膜を、酸素含有源、酸素を含む前駆体の存在下で形成させる。酸素含有源は、少なくとも１種の酸素含有源の形態で反応器に導入させることができ、且つ／又は堆積プロセスで用いる他の前駆体に付随して存在させることができる。適切な酸素含有源ガスとしては、例えば水（Ｈ２Ｏ）（例えば、脱イオン水、精製水、及び／又は蒸留水）、酸素（Ｏ２）、酸素プラズマ、オゾン（Ｏ３）、ＮＯ、ＮＯ２、一酸化炭素（ＣＯ）、二酸化炭素（ＣＯ２）及びこれらの組合せを挙げることができる。ある種の実施態様では、酸素含有源は、約１〜約２０００ｓｃｃｍ又は約１〜約１０００ｓｃｃｍの範囲の流量で反応器に導入する酸素源を含む。酸素含有源を、約０．１秒〜約１００秒の範囲の時間で導入することができる。１つの特定の実施態様では、酸素源は、１０℃以上の温度を持つ水を含む。膜をＡＬＤプロセス又はサイクリックＣＶＤプロセスによって堆積させる実施態様において、前駆体パルスは、０．０１秒超であるパルス時間を有することができ、且つ酸素含有源が、０．０１秒未満であるパルス時間を有することができ、さらに水のパルス時間が、０．０１秒未満であるパルス時間を有することができる。さらなる他の１つの実施態様では、パルスとパルスの間のパージ時間は、０秒程度まで低くすることができ、又はその間にパージをしないで連続的にパルスさせることができる。
ある種の実施態様では、ケイ素含有膜は、ケイ素及び窒素を含む。これらの実施態様では、本明細書に記載した方法を用いて堆積させるケイ素含有膜を、窒素含有源の存在下で形成させる。窒素含有源を、少なくとも１種の窒素源の形態で、同時に又は順次、反応器に導入させることができ、且つ／又は堆積プロセスで用いる他の前駆体に付随して存在させることができる。適切な窒素含有源としては、例えば、アンモニア、ヒドラジン、モノアルキルヒドラジン、ジアルキルヒドラジン、窒素、窒素／水素、アンモニアプラズマ、窒素プラズマ、窒素／水素プラズマ及びこれらの混合物が挙げられる。ある種の実施態様において、窒素含有源は、約１〜約２０００ｓｃｃｍ又は約１〜約１０００ｓｃｃｍの範囲の流量で反応器に導入するアンモニアプラズマ、又は水素／窒素プラズマ源ガスを含む。窒素含有源を、約０．１秒〜約１００秒の範囲の時間で導入することができる。膜をＡＬＤプロセス又はサイクリックＣＶＤプロセスによって堆積させる実施態様において、前駆体パルスは、０．０１秒超であるパルス時間を有することができ、且つ窒素含有源が、０．０１秒未満であるパルス時間を有することができ、さらに水のパルス時間が、０．０１秒未満であるパルス時間を有することができる。さらなる他の１つの実施態様では、パルスとパルスとの間のパージ時間は、０秒程度まで低くすることができ、又は間にパージをしないで連続的にパルスさせることができる。
本明細書で開示した堆積方法は、１種以上のパージガスを伴う場合がある。未反応の反応物及び／又は反応副生成物をパージするために用いるパージガスは、不活性ガスであり、これは前駆体と反応しない。典型的なパージガスとしては、限定されないが、アルゴン（Ａｒ）、窒素（Ｎ２）、ヘリウム（Ｈｅ）、ネオン、水素（Ｈ２）及びこれらの混合物が挙げられる。ある種の実施態様では、パージガス、例えばＡｒ又は窒素を、約０．１秒〜１０００秒の間に、約１０〜約２０００ｓｃｃｍの範囲の流量で反応器に供給することができ、それにより反応器に残留している場合がある未反応の材料及びあらゆる副生成物を、パージすることができる。
前駆体、酸素含有源、窒素含有源並びに／又は他の前駆体、他の物質源ガス及び／若しくは試薬を供給する各工程を、それらを供給する時間を変えることによって実行し、生成ケイ素含有膜の化学両論的な組成を変えることができ、又は工程の順番を変えることができる。
エネルギーを、前駆体、窒素含有源、還元剤、他の前駆体又はこれらの組合せの少なくとも１つに適用して、反応を誘導し、そしてケイ素含有膜又はコーティングを基材に形成させる。そのようなエネルギーは、限定されないが、熱、プラズマ、パルスプラズマ、ヘリコンプラズマ、高密度プラズマ、誘導結合プラズマ、Ｘ線、電子線、光子、リモートプラズマ法及びこれらの組合せによって与えることができる。ある種の実施態様では、二次高周波（ｓｅｃｏｎｄａｒｙ ｒｆ ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ）源を用いて、プラズマ特性を基材表面で変えることができる。堆積にプラズマを伴う実施態様では、プラズマ生成プロセスは、プラズマを反応器で直接的に生成させる直接プラズマ生成プロセス、あるいはプラズマを反応器の外部で生成させて反応器に供給するリモートプラズマ生成プロセスを、含むことができる。
式Ｉを有する有機アミノジシラン前駆体及び／又は他のケイ素含有前駆体を、反応チャンバー、例えばＣＶＤ反応器又はＡＬＤ反応器に、様々な方法で提供することができる。１つの実施態様では、液体提供システムを用いることができる。別の実施態様では、液体提供プロセスとフラッシュ気化プロセスが組み合わされたユニット、例えばターボ気化器（ＭＳＰ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ製、ショアビュー、ミネソタ州、米国）を用いて、低揮発度物質を容量分析的に供給することを可能とする。これは、前駆体の熱的分解のない状態で再現性のある輸送及び堆積をもたらすことができる。液体提供配合物中において、本明細書に記載された前駆体は、そのままの液体形態で提供することができ、あるいは、この前駆体を含む溶媒配合物中又は組成物中で使用することができる。それゆえ、ある種の実施態様において、その前駆体配合物は、基材上に膜を形成する特定の最終用途において所望であり且つ有利となるような、適切な特性を有する溶媒成分を含むことができる。
本明細書に記載した式Ｉを有する有機アミノジシラン前駆体及び溶媒を含む組成物に関する実施態様では、選択する溶媒又は溶媒混合物は、その有機アミノジシランと反応しない。その組成物中の重量％による溶媒の量は、０．５〜９９．５ｗｔ％又は１０〜７５ｗｔ％の範囲である。この実施態様又は他の実施態様において、溶媒は、式Ｉの有機アミノジシランの沸点（ｂ．ｐ．）に近いｂ．ｐ．を有し、又は溶媒のｂ．ｐ．と式Ｉの有機アミノジシランのｂ．ｐ．との差は、４０℃以下、３０℃以下、２０℃以下、又は１０℃である。あるいは、その沸点の差は、次を任意の端点とする範囲になる：０℃、１０℃、２０℃、３０℃又は４０℃。ｂ．ｐ．差の適切な範囲の例としては、限定されないが、０〜４０℃、２０〜３０℃、又は１０〜３０℃である。組成物中の適切な溶媒の例としては、限定されないが、エーテル（例えば、１，４−ジオキサン、ジブチルエーテル）、第三級アミン（例えば、ピリジン、１−メチルピペリジン、１−エチルピペリジン、Ｎ，Ｎ’−ジメチルピペラジン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチルエチレンジアミン）、ニトリル（例えば、ベンゾニトリル）、アルキル炭化水素（例えば、オクタン、ノナン、ドデカン、エチルシクロヘキサン）、芳香族炭化水素（例えば、トルエン、メシチレン）、第三級アミノエーテル（例えば、ビス（２−ジメチルアミノエチル）エーテル）又はこれらの混合物が挙げられる。非限定的ないくつかの典型的な組成物の例としては、限定されないが、ジ−イソ−プロピルアミノジシラン（ｂ．ｐ．約１５７℃）及びオクタン（ｂ．ｐ．１２５〜１２６℃）を含む組成物；ジ−イソ−プロピルアミノジシラン（ｂ．ｐ．約１５７℃）及びエチルシクロヘキサン（ｂ．ｐ．１３０〜１３２℃）を含む組成物；ジ−イソ−プロピルアミノジシラン（ｂ．ｐ．約１５７℃）及びトルエン（ｂ．ｐ．１１５℃）を含む組成物；ジ−ｓｅｃ−ブチルアミノジシラン及びデカン（ｂ．ｐ．１７４℃）を含む組成物；ジ−ｓｅｃ−ブチルアミノジシラン及びデカン（ｂ．ｐ．１７４℃）を含む組成物；ジ−ｓｅｃ−ブチルアミノジシラン及び２，２’−オキシビス（Ｎ，Ｎ−ジメチルエタンアミン（沸点１８９ｏＣ）を含む組成物が挙げられる。
他の１つの実施態様における、式Ｉを有する１種以上の有機アミノジシラン前駆体を含むケイ素含有膜を堆積するための容器について、本明細書で記載する。１つの特定の実施態様では、その容器は、ＣＶＤプロセス又はＡＬＤプロセスのための反応器に１種以上の前駆体を提供することを可能とするための適切なバルブ及び治具を備えた、少なくとも１つの耐圧容器（好ましくはステンレス鋼製）を有する。この実施態様又は他の実施態様では、式Ｉのいずれかを有する有機アミノジシラン前駆体を、ステンレス鋼から構成された耐圧容器で与え、そしてその前駆体の純度は、大部分の半導体用途に適切となる９８ｗｔ％以上、又は９９．５ｗｔ％以上である。ある種の実施態様では、そのような容器が、前駆体と、望むのであれば１種以上の追加の前駆体とを混合するための手段を有することもできる。これらの実施態様又は他の実施態様では、容器の内容物を、追加の前駆体と事前に混合することができる。あるいは、有機アミノシシラン前駆体及び／又は他の前駆体を、別個の容器に保持することができ、又は有機アミノシシラン前駆体と他の前駆体との分離を保存中に維持するための分離手段を有する単一の容器に、保持することができる。
本明細書に記載した方法の１つの実施態様では、サイクリック堆積プロセス、例えばＣＣＶＤ、ＡＬＤ又はＰＥＡＬＤを用いることができ、ここでは、本明細書に記載した式を有する有機アミノジシラン前駆体から選択される少なくとも１種のケイ素含有前駆体、及び随意に窒素含有源、例えば、アンモニア、ヒドラジン、モノアルキルヒドラジン、ジアルキルヒドラジン、窒素、窒素／水素、アンモニアプラズマ、窒素プラズマ、窒素／水素プラズマを用いることができる。
ある種の実施態様では、前駆体容器から反応チャンバーに連結するガスラインを、プロセスの必要性に応じて、１以上の温度に加熱し、本明細書に記載した式を有する有機アミノジシラン前駆体の容器を、バブリングのために１以上の温度で維持する。他の実施態様では、本明細書に記載した式を有する少なくとも１種のケイ素含有前駆体を含有する溶液を、直接液体注入（ｄｉｒｅｃｔ ｌｉｑｕｉｄ ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ）のために１以上の温度で維持した気化器に注入する。
アルゴン及び／又は他のガスの流れを、キャリアガスとして用いて、前駆体パルスの間の反応チャンバーへの少なくとも１種の有機アミノジシラン前駆体の蒸気の提供を、促進することができる。
典型的なＡＬＤ又はＣＣＶＤプロセスでは、基材、例えばケイ素若しくは金属窒化物基材又はフレキシブル基材を、反応チャンバー内のヒーター台で加熱し、これを初めにケイ素含有前駆体にさらして、この有機アミノジシランを基材の表面に化学的に吸着させる。パージガス、例えば窒素、アルゴンは、未吸着の余分な有機アミノジシランをプロセスチャンバーからパージする。十分なパージの後で、酸素含有源を、反応チャンバーに導入して、吸着した表面と反応させた後で、他の１つのパージガスによって、チャンバーから反応副生成物を除去することができる。このプロセスサイクルを、所望の膜厚さを得るように繰り返すことができる。他の実施態様では、減圧下での排出を用いて、未吸着の余分な有機アミノジシランをプロセスチャンバーから除去することができる。ポンプによる十分な排気の後で、酸素含有源を反応チャンバーに導入して、吸着した表面と反応させた後、もう一度ポンプによって排出することで、チャンバーから反応副生成物を除去することができる。さらに、他の実施態様では、有機アミノジシラン及び酸素含有源を、反応チャンバーに同時に流して、基材表面で反応させて酸化ケイ素を堆積させることができる。
この実施態様、又は他の実施態様において、本明細書に記載した方法の工程を、様々な順番で実行でき、順次的に又は同時に（例えば、他の１つの工程の少なくとも一部の間に）実行でき、そしてこれらのあらゆる組合せで実行することができると理解される。前駆体及び窒素含有前駆体源ガスを提供するそれぞれの工程を、それらを供給するための時間の持続時間を変えることによって実行して、生成ケイ素含有膜の化学量論的組成を変えることができる。
本明細書に開示した方法の他の１つの実施態様では、ケイ素及び窒素の両方を含有する膜を、次の工程を含む、ＡＬＤ堆積法、ＰＥＡＬＤ堆積法、ＣＣＶＤ堆積法又はＰＥＣＣＶＤ堆積法を用いて形成する：
ａ．基材をＡＬＤ反応器に与える工程；
ｂ．上記ＡＬＤ反応器に、次の式Ｉによって表されるＳｉ−Ｎ結合、Ｓｉ−Ｓｉ結合、及びＳｉ−Ｈ２基を有する少なくとも１種の有機アミノジシラン前駆体を導入する工程：
Figure 0006445375
 （ここで、Ｒ１及びＲ３は、直鎖又は分岐鎖のＣ３〜Ｃ１０のアルキル基、直鎖又は分岐鎖のＣ３〜Ｃ１０のアルケニル基、直鎖又は分岐鎖のＣ３〜Ｃ１０のアルキニル基、Ｃ１〜Ｃ６のジアルキルアミノ基、電子求引基、及びＣ６〜Ｃ１０のアリール基からそれぞれ独立して選択され；Ｒ２及びＲ４は、水素、直鎖又は分岐鎖のＣ１〜Ｃ１０のアルキル基、直鎖又は分岐鎖のＣ３〜Ｃ１０のアルケニル基、直鎖又は分岐鎖のＣ３〜Ｃ１０のアルキニル基、Ｃ１〜Ｃ６のジアルキルアミノ基、電子求引基、及びＣ６〜Ｃ１０のアリール基からそれぞれ独立して選択され；かつＲ１及びＲ２、Ｒ３及びＲ４、Ｒ１及びＲ３、若しくはＲ２及びＲ４のいずれか１つ又は全ては、共に結合して置換若しくは非置換の芳香環、又は置換若しくは非置換の脂肪族環から選択される環を形成し、又はこれら全てがそれらの環を形成しない）；
ｃ．上記少なくとも１種の有機アミノジシラン前駆体を、基材に化学吸着させる工程；
ｄ．未吸着の上記少なくとも１種の有機アミノジシラン前駆体を、パージガスを用いてパージする工程；
ｅ．窒素含有源を、加熱した上記基材上に与えて、上記吸着した少なくとも１種の有機アミノジシラン前駆体と反応させる工程；及び
ｆ．随意に、あらゆる未反応の窒素含有源をパージする工程。
上記方法の特定の態様では、所望の厚みの膜が得られるまで工程ｂ〜ｆを繰り返す。
本明細書に開示した方法の他の１つの実施態様では、誘電体膜を、次の工程を含む、ＡＬＤ堆積法を用いて形成する：
ａ．基材を反応器に与える工程；
ｂ．上記反応器に、次の式Ｉで表されるＳｉ−Ｎ結合、Ｓｉ−Ｓｉ結合、及びＳｉ−Ｈ２基を有する少なくとも１種の有機アミノジシラン前駆体を導入する工程：
Figure 0006445375
 （ここで、Ｒ１及びＲ３は、直鎖又は分岐鎖のＣ３〜Ｃ１０のアルキル基、直鎖又は分岐鎖のＣ３〜Ｃ１０のアルケニル基、直鎖又は分岐鎖のＣ３〜Ｃ１０のアルキニル基、Ｃ１〜Ｃ６のジアルキルアミノ基、電子求引基、及びＣ６〜Ｃ１０のアリール基からそれぞれ独立して選択され；Ｒ２及びＲ４は、水素、直鎖又は分岐鎖のＣ１〜Ｃ１０のアルキル基、直鎖又は分岐鎖のＣ３〜Ｃ１０のアルケニル基、直鎖又は分岐鎖のＣ３〜Ｃ１０のアルキニル基、Ｃ１〜Ｃ６のジアルキルアミノ基、電子求引基、及びＣ６〜Ｃ１０のアリール基からそれぞれ独立して選択され；かつＲ１及びＲ２、Ｒ３及びＲ４、Ｒ１及びＲ３、若しくはＲ２及びＲ４のいずれか１つ又は全ては、共に結合して置換若しくは非置換の芳香環、又は置換若しくは非置換の脂肪族環から選択される環を形成し、又はこれら全てがそれらの環を形成しない）；
ｃ．上記少なくとも１種の有機アミノジシラン前駆体を、基材に化学吸着させる工程；
ｄ．上記未吸着の少なくとも１種の有機アミノジシラン前駆体を、排気する又はパージガスを用いてパージする工程；
ｅ．酸素含有源又は窒素源を、加熱した上記基材上に与えて、上記吸着した少なくとも１種の有機アミノジシラン前駆体と反応させる工程；及び
ｆ．随意に、あらゆる未反応の酸素含有源又は窒素源をパージする工程。
上記方法の特定の態様では、所望の厚みの膜が得られるまで工程ｂ〜ｆを繰り返す。
他の１つの態様では、次の工程を含む、プラズマ原子層堆積プロセスによってケイ素含有膜を形成するための方法が与えられる：
ａ．基材を反応器に与える工程；
ｂ．上記反応器に、次の式Ｉによって表されるＳｉ−Ｎ結合、Ｓｉ−Ｓｉ結合、及びＳｉ−Ｈ２基を有する少なくとも１種の有機アミノジシラン前駆体及び酸素を導入する工程：
Figure 0006445375
 （ここで、Ｒ１及びＲ３は、直鎖又は分岐鎖のＣ３〜Ｃ１０のアルキル基、直鎖又は分岐鎖のＣ３〜Ｃ１０のアルケニル基、直鎖又は分岐鎖のＣ３〜Ｃ１０のアルキニル基、Ｃ１〜Ｃ６のジアルキルアミノ基、電子求引基、及びＣ６〜Ｃ１０のアリール基からそれぞれ独立して選択され；Ｒ２及びＲ４は、水素、直鎖又は分岐鎖のＣ１〜Ｃ１０のアルキル基、直鎖又は分岐鎖のＣ３〜Ｃ１０のアルケニル基、直鎖又は分岐鎖のＣ３〜Ｃ１０のアルキニル基、Ｃ１〜Ｃ６のジアルキルアミノ基、電子求引基、及びＣ６〜Ｃ１０のアリール基からそれぞれ独立して選択され；かつＲ１及びＲ２、Ｒ３及びＲ４、Ｒ１及びＲ３、若しくはＲ２及びＲ４のいずれか１つ又は全ては、共に結合して置換若しくは非置換の芳香環、又は置換若しくは非置換の脂肪族環から選択される環を形成し、又はこれら全てがそれらの環を形成しない）；
ｃ．上記反応器を、酸素と共にパージガスでパージする工程；
ｄ．ＲＦプラズマを適用する工程；
ｅ．上記反応器を、パージガスでパージする工程、又は上記反応器を排気して反応副生成物を除去する工程；
ここで、上記膜の所望の厚みが得られるまで、ｂ〜ｅの工程を繰り返す。
ここに記載した方法に関して、上記の工程は１サイクルを構成し；このサイクルを、ケイ素含有膜の所望の厚みを得るまで繰り返すことができる。この実施態様又は他の実施態様において、本明細書に記載した方法の工程を、様々な順番で実行することができ、順次的に又は同時に（例えば、他の１つの工程の少なくとも一部の間に）実行でき、そしてこれらのあらゆる組合せで実行することができると理解される。前駆体及び酸素含有源又は窒素源を提供するそれぞれの工程を、それらを供給するための時間の持続時間を変えることによって実行して、生成するケイ素含有膜の化学量論的組成を変えることができる。ただし、ここでは、利用可能なケイ素に対して、常に酸素を化学量論量よりも少なくして用いる。
多成分のケイ素含有膜に関して、他の前駆体、例えばケイ素含有前駆体、窒素含有前駆体、還元剤及び／又は他の試薬を、反応チャンバーに交互に導入することができる。
本明細書に記載した方法のさらなる実施態様では、ケイ素含有膜を、熱ＣＶＤプロセスを用いて堆積させる。この実施態様では、この方法は、次のステップを含む：
ａ．周囲温度（例えば、２５℃）から約７００℃までの範囲の１点以上の温度に加熱した反応器に、１以上の基材を配置するステップ；
ｂ．次の式Ｉで表されるＳｉ−Ｎ結合、Ｓｉ−Ｓｉ結合、及びＳｉ−Ｈ２基を有する少なくとも１種の有機アミノジシラン前駆体を導入するステップ：
Figure 0006445375
 （ここで、Ｒ１及びＲ３は、直鎖又は分岐鎖のＣ３〜Ｃ１０のアルキル基、直鎖又は分岐鎖のＣ３〜Ｃ１０のアルケニル基、直鎖又は分岐鎖のＣ３〜Ｃ１０のアルキニル基、Ｃ１〜Ｃ６のジアルキルアミノ基、電子求引基、及びＣ６〜Ｃ１０のアリール基からそれぞれ独立して選択され；Ｒ２及びＲ４は、水素、直鎖又は分岐鎖のＣ１〜Ｃ１０のアルキル基、直鎖又は分岐鎖のＣ３〜Ｃ１０のアルケニル基、直鎖又は分岐鎖のＣ３〜Ｃ１０のアルキニル基、Ｃ１〜Ｃ６のジアルキルアミノ基、電子求引基、及びＣ６〜Ｃ１０のアリール基からそれぞれ独立して選択され；かつＲ１及びＲ２、Ｒ３及びＲ４、Ｒ１及びＲ３、若しくはＲ２及びＲ４のいずれか１つ又は全ては、共に結合して置換若しくは非置換の芳香環、又は置換若しくは非置換の脂肪族環から選択される環を形成し、又はこれら全てがそれらの環を形成しない）；及び
ｃ．酸素含有源を、上記反応器に同時に与えて、上記少なくとも１種の有機アミノジシラン前駆体と少なくとも部分的に反応させ、そして上記１以上の基材にケイ素含有膜を堆積させるステップ。
このＣＶＤ法のある種の実施態様では、上記反応器を、上記堆積プロセスの間に１０ｍＴｏｒｒ〜７６０Ｔｏｒｒの範囲の圧力で維持する。ここ記載した方法に関して、上記の工程は１サイクルを構成し；このサイクルを、ケイ素含有膜の所望の厚みを得るまで繰り返すことができる。この実施態様又は他の実施態様において、本明細書に記載した方法の工程を、様々な順番で実行することができ、順次的に又は同時に（例えば、他の１つの工程の少なくとも一部の間に）実行でき、そしてこれらのあらゆる組合せで実行することができると理解される。前駆体及び酸素含有源又は窒素源を提供するそれぞれの工程を、それらを供給するための時間の持続時間を変えることによって実行して、生成するケイ素含有膜の化学量論的組成を変えることができる。ただし、ここでは、利用可能なケイ素に対して、常に酸素を化学量論量よりも少なくして用いる。
本明細書に記載した方法のさらなる実施態様において、このプロセスは、アモルファスシリコン膜又は結晶性シリコン膜を堆積する。この実施態様では、この方法は、次の工程を含む：
ａ．１以上の基材を反応器に配置し、これを周囲温度から約７００℃の範囲の１以上の温度に加熱する工程；
ｂ．次の式Ｉによって表されるＳｉ−Ｎ結合、Ｓｉ−Ｓｉ結合、及びＳｉ−Ｈ２基を有する少なくとも１種の有機アミノジシラン前駆体を導入する工程：
Figure 0006445375
 （ここで、Ｒ１及びＲ３は、直鎖又は分岐鎖のＣ３〜Ｃ１０のアルキル基、直鎖又は分岐鎖のＣ３〜Ｃ１０のアルケニル基、直鎖又は分岐鎖のＣ３〜Ｃ１０のアルキニル基、Ｃ１〜Ｃ６のジアルキルアミノ基、電子求引基、及びＣ６〜Ｃ１０のアリール基からそれぞれ独立して選択され；Ｒ２及びＲ４は、水素、直鎖又は分岐鎖のＣ１〜Ｃ１０のアルキル基、直鎖又は分岐鎖のＣ３〜Ｃ１０のアルケニル基、直鎖又は分岐鎖のＣ３〜Ｃ１０のアルキニル基、Ｃ１〜Ｃ６のジアルキルアミノ基、電子求引基、及びＣ６〜Ｃ１０のアリール基からそれぞれ独立して選択され；かつＲ１及びＲ２、Ｒ３及びＲ４、Ｒ１及びＲ３、若しくはＲ２及びＲ４のいずれか１つ又は全ては、共に結合して置換若しくは非置換の芳香環、又は置換若しくは非置換の脂肪族環から選択される環を形成し、又はこれら全てがそれらの環を形成しない）；
ｃ．還元剤源を上記反応器に与えて、上記少なくとも１種の有機アミノジシラン前駆体と少なくとも部分的に反応させて、そしてケイ素含有膜を１以上の基材に堆積させる工程。
これらの実施態様では、還元剤は、水素、水素プラズマ、塩化水素からなる群より選択される。
このＣＶＤ法のある種の実施態様では、上記反応器を、上記堆積プロセスの間に１０ｍＴｏｒｒ〜７６０Ｔｏｒｒの範囲の圧力で維持する。ここに記載した方法に関して、上記の工程は１サイクルを構成し；このサイクルを、ケイ素含有膜の所望の厚みを得るまで繰り返すことができる。
多成分のケイ素含有膜に関して、他の前駆体、例えばケイ素含有前駆体、窒素含有前駆体、酸素含有源、窒素含有源、還元剤及び／又は他の試薬を、反応チャンバーに交互に導入することができる。
本明細書に記載した方法のさらなる実施態様において、ケイ素含有膜を、熱ＣＶＤプロセスを用いて堆積する。この実施態様では、この方法は、次の工程を含む：
ａ．１以上の基材を反応器に配置し、これを周囲温度から約７００℃の範囲の温度に加熱する工程；
ｂ．次の式Ｉによって表されるＳｉ−Ｎ結合、Ｓｉ−Ｓｉ結合、及びＳｉ−Ｈ２基を有する少なくとも１種の有機アミノジシラン前駆体を導入する工程：
Figure 0006445375
 （ここで、Ｒ１及びＲ３は、直鎖又は分岐鎖のＣ３〜Ｃ１０のアルキル基、直鎖又は分岐鎖のＣ３〜Ｃ１０のアルケニル基、直鎖又は分岐鎖のＣ３〜Ｃ１０のアルキニル基、Ｃ１〜Ｃ６のジアルキルアミノ基、電子求引基、及びＣ６〜Ｃ１０のアリール基からそれぞれ独立して選択され；Ｒ２及びＲ４は、水素、直鎖又は分岐鎖のＣ１〜Ｃ１０のアルキル基、直鎖又は分岐鎖のＣ３〜Ｃ１０のアルケニル基、直鎖又は分岐鎖のＣ３〜Ｃ１０のアルキニル基、Ｃ１〜Ｃ６のジアルキルアミノ基、電子求引基、及びＣ６〜Ｃ１０のアリール基からそれぞれ独立して選択され；かつＲ１及びＲ２、Ｒ３及びＲ４、Ｒ１及びＲ３、若しくはＲ２及びＲ４のいずれか１つ又は全ては、共に結合して置換若しくは非置換の芳香環、又は置換若しくは非置換の脂肪族環から選択される環を形成し、又はこれら全てがそれらの環を形成しない）；
ｃ．窒素含有源を、上記反応器に同時に与えて、上記少なくとも１種の有機アミノジシラン前駆体と少なくとも部分的に反応させ、そして上記１以上の基材にケイ素含有膜を堆積させるステップ。このＣＶＤ法のある種の実施態様では、上記反応器を、上記堆積プロセスの間に１０ｍＴｏｒｒ〜７６０Ｔｏｒｒの範囲の圧力で維持する。
本明細書に記載した方法のさらなる実施態様において、上記の有機アミノジシラン前駆体を用いて、ケイ素含有膜を堆積する。このケイ素含有膜は、アモルファス膜、結晶性シリコン膜又はこれらの組合せである。これらの実施態様では、それらケイ素含有膜を、次の工程を含む、ＡＬＤ又はサイクリックＣＶＤから選択される堆積方法を用いて形成する：
ａ．基材を反応器に配置し、これを周囲温度から約７００℃の範囲の温度に加熱する工程；
ｂ．次の式Ｉによって表されるＳｉ−Ｎ結合、Ｓｉ−Ｓｉ結合、及びＳｉ−Ｈ２基を有する少なくとも１種の有機アミノジシラン前駆体を導入する工程：
Figure 0006445375
 （ここで、Ｒ１及びＲ３は、直鎖又は分岐鎖のＣ３〜Ｃ１０のアルキル基、直鎖又は分岐鎖のＣ３〜Ｃ１０のアルケニル基、直鎖又は分岐鎖のＣ３〜Ｃ１０のアルキニル基、Ｃ１〜Ｃ６のジアルキルアミノ基、電子求引基、及びＣ６〜Ｃ１０のアリール基からそれぞれ独立して選択され；Ｒ２及びＲ４は、水素、直鎖又は分岐鎖のＣ１〜Ｃ１０のアルキル基、直鎖又は分岐鎖のＣ３〜Ｃ１０のアルケニル基、直鎖又は分岐鎖のＣ３〜Ｃ１０のアルキニル基、Ｃ１〜Ｃ６のジアルキルアミノ基、電子求引基、及びＣ６〜Ｃ１０のアリール基からそれぞれ独立して選択され；かつＲ１及びＲ２、Ｒ３及びＲ４、Ｒ１及びＲ３、若しくはＲ２及びＲ４のいずれか１つ又は全ては、共に結合して置換若しくは非置換の芳香環、又は置換若しくは非置換の脂肪族環から選択される環を形成し、又はこれら全てがそれらの環を形成しない）；
ｃ．還元剤源を上記反応器に与えて、上記少なくとも１種の有機アミノジシラン前駆体と少なくとも部分的に反応させて、そしてケイ素含有膜を１以上の基材に堆積させる工程、ここで還元剤は、水素、水素プラズマ、塩化水素からなる群より選択される。
ここに記載した方法に関して、上記の工程は１サイクルを構成し；このサイクルを、ケイ素含有膜の所望の厚みを得るまで繰り返すことができる。上記膜の所望の厚みは、１Å超、１〜１００００Åとなることができる。
他の１つの態様において、アモルファスシリコン膜又は結晶性シリコン膜を、従来のケイ素前駆体よりも低い温度で原子層堆積プロセス又はサイクリック化学気相成長プロセス若しくは化学気相成長プロセスによって堆積する方法が与えられる。この方法は、次の工程を含む：
ａ．基材を反応器に与える工程；
ｂ．上記反応器に、次の式Ｉによって表されるＳｉ−Ｎ結合、Ｓｉ−Ｓｉ結合、及びＳｉ−Ｈ２基を有する少なくとも１種の有機アミノジシラン前駆体を導入する工程：
Figure 0006445375
 （ここで、Ｒ１及びＲ３は、直鎖又は分岐鎖のＣ３〜Ｃ１０のアルキル基、直鎖又は分岐鎖のＣ３〜Ｃ１０のアルケニル基、直鎖又は分岐鎖のＣ３〜Ｃ１０のアルキニル基、Ｃ１〜Ｃ６のジアルキルアミノ基、電子求引基、及びＣ６〜Ｃ１０のアリール基からそれぞれ独立して選択され；Ｒ２及びＲ４は、水素、直鎖又は分岐鎖のＣ１〜Ｃ１０のアルキル基、直鎖又は分岐鎖のＣ３〜Ｃ１０のアルケニル基、直鎖又は分岐鎖のＣ３〜Ｃ１０のアルキニル基、Ｃ１〜Ｃ６のジアルキルアミノ基、電子求引基、及びＣ６〜Ｃ１０のアリール基からそれぞれ独立して選択され；かつＲ１及びＲ２、Ｒ３及びＲ４、Ｒ１及びＲ３、若しくはＲ２及びＲ４のいずれか１つ又は全ては、共に結合して置換若しくは非置換の芳香環、又は置換若しくは非置換の脂肪族環から選択される環を形成し、又はこれら全てがそれらの環を形成しない）；
ｃ．上記反応器を、パージガスでパージする工程、
ここで、上記シリコン膜の所望の厚みが得られるまで、工程ｂ及びｃを繰り返す。
本明細書に記載した式Ｉの前駆体は、加熱によりＨ２Ｓｉ：二価基を生成し、これはＳｉ−Ｓｉ結合を含むオリゴマーの形成を促進することができ、又は基材表面への固定を促進することができると考えられる。それらオリゴマー又は固定されたＳｉＨ２は、さらにアモルファスシリコン膜を形成することができ、また重要なことに、それらはその後のケイ素膜又は酸化ケイ素膜の堆積用のシード層として機能することができる。
特定の実施態様では、本明細書に記載した式Ｉを有する有機アミノジシラン前駆体を、金属含有膜、例えば限定されないが、金属酸化物膜又は金属窒化物膜のドーパントとして用いることもできる。これらの実施態様では、金属含有膜を、ＡＬＤプロセス又はＣＶＤプロセス、例えば本明細書に記載したプロセスによって、金属アルコキシド前駆体、金属アミド前駆体又は有機金属前駆体を用いて堆積する。本明細書に開示した方法と共に用いることができる適切な金属アルコキシド前駆体の例としては、限定されないが、第３族〜第６族の金属アルコキシド、アルコキシ配位子とアルキル置換したシクロペンタジエニル配位子との両方を有する第３族〜第６族の金属錯体、アルコキシ配位子とアルキル置換したピロリル配位子との両方を有する第３族〜第６族の金属錯体、アルコキシ配位子とジケトナート配位子との両方を有する第３族〜第６族の金属錯体、アルコキシ配位子とケトエステル配位子との両方を有する第３族〜第６族の金属錯体が挙げられ；本明細書に開示した方法と共に用いることができる適切な金属アミド前駆体の例としては、限定されないが、テトラキス（ジメチルアミノ）ジルコニウム（ＴＤＭＡＺ）、テトラキス（ジエチルアミノ）ジルコニウム（ＴＤＥＡＺ）、テトラキス（エチルメチルアミノ）ジルコニウム（ＴＥＭＡＺ）、テトラキス（ジメチルアミノ）ハフニウム、（ＴＤＭＡＨ）、テトラキス（ジエチルアミノ）ハフニウム（ＴＤＥＡＨ）及びテトラキス（エチルメチルアミノ）ハフニウム（ＴＥＭＡＨ）、テトラキス（ジメチルアミノ）チタン（ＴＤＭＡＴ）、テトラキス（ジエチルアミノ）チタン（ＴＤＥＡＴ）、テトラキス（エチルメチルアミノ）チタン（ＴＥＭＡＴ）、ｔｅｒｔ−ブチルイミノトリ（ジエチルアミノ）タンタル（ＴＢＴＤＥＴ）、ｔｅｒｔ−ブチルイミノトリ（ジメチルアミノ）タンタル（ＴＢＴＤＭＴ）、ｔｅｒｔ−ブチルイミノトリ（エチルメチルアミノ）タンタル（ＴＢＴＥＭＴ）、エチルイミノトリ（ジエチルアミノ）タンタル（ＥＩＴＤＥＴ）、エチルイミノトリ（ジメチルアミノ）タンタル（ＥＩＴＤＭＴ）、エチルイミノトリ（エチルメチルアミノ）タンタル（ＥＩＴＥＭＴ）、ｔｅｒｔ−アミルイミノトリ（ジメチルアミノ）タンタル（ＴＡＩＭＡＴ）、ｔｅｒｔ−アミルイミノトリ（ジエチルアミノ）タンタル、ペンタキス（ジメチルアミノ）タンタル、ｔｅｒｔ−アミルイミノトリ（エチルメチルアミノ）タンタル、ビス（ｔｅｒｔ−ブチルイミノ）ビス（ジメチルアミノ）タングステン（ＢＴＢＭＷ）、ビス（ｔｅｒｔ−ブチルイミノ）ビス（ジエチルアミノ）タングステン、ビス（ｔｅｒｔ−ブチルイミノ）ビス（エチルメチルアミノ）タングステン及びこれらの組合せが挙げられる。本明細書に開示した方法と共に用いることができる適切な有機金属前駆体の例としては、限定されないが、第３族金属シクロペンタジエニル又は第３族金属アルキルシクロペンタジエニルが挙げられる。ここでの典型的な第３族〜第６族金属としては、限定されないが、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｅｒ、Ｙｂ、Ｌｕ、Ｔｉ、Ｈｆ、Ｚｒ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ及びＷが挙げられる。
ある種の実施態様では、生成するケイ素含有膜又はコーティングを、堆積後処理、例えば限定されないが、プラズマ処理、化学的処理、紫外線照射、電子線照射、及び／又は膜の１つ以上の特性に影響を与える他の処理にさらすことができる。
ある種の実施態様では、本明細書に記載したケイ素含有膜は、６以下の誘電率を有する。これらの実施態様又は他の実施態様では、膜は、約５以下、約４以下又は約３．５以下の誘電率を有する場合がある。しかし、他の誘電率（例えば、より高い値又は低い値）を有する膜を、膜の所望の最終用途に応じて形成できることが想定される。本明細書に記載した有機アミノジシラン前駆体及びプロセスを用いて形成されるケイ素含有膜の例は、式ＳｉｘＯｙＣｚＮｖＨｗを有し、ここで、原子百分率重量％で、Ｓｉは約１０〜約４０％の範囲を有し；Ｏは約０％〜約６５％の範囲を有し；Ｃは約０％〜約７５％又は約０％〜約５０％の範囲を有し；Ｎは約０％〜約７５％又は約０％〜約５０％の範囲を有し；Ｈは約０％〜約５０％の範囲を有し、且つｘ＋ｙ＋ｚ＋ｖ＋ｗ＝１００原子重量％であり、これは例えばＸＰＳ又は他の手段で測定される。
上述したように、本明細書に記載した方法を用いて、ケイ素含有膜を、基材の少なくとも一部に堆積させることができる。適切な基材の例としては、限定されないが、ケイ素、ＳｉＯ２、Ｓｉ３Ｎ４、ＯＳＧ、ＦＳＧ、炭化ケイ素、水素化した炭化ケイ素、窒化ケイ素、水素化した窒化ケイ素、炭化窒化ケイ素、水素化した炭化窒化ケイ素、窒化ホウ素、反射防止コーティング、フォトレジスト、有機ポリマー、多孔性有機及び無機材料、フレキシブル基材、金属（例えば銅及びアルミニウム）、及び拡散バリア層（例えば限定されないが、ＴｉＮ、Ｔｉ（Ｃ）Ｎ、ＴａＮ、Ｔａ（Ｃ）Ｎ、Ｔａ、Ｗ又はＷＮ）が挙げられる。この膜は、様々な続く処理ステップ、例えば化学機械平坦化（ＣＭＰ）処理及び異方性エッチング処理と適合する。
堆積させた膜は、限定されないが、コンピューターチップ、光学デバイス、磁気情報ストレージ、支持材料又は支持基材へのコーティング、微小電気機械素子（ＭＥＭＳ）、ナノ電気機械素子、薄膜トランジスター（ＴＦＴ）、発光ダイオード（ＬＥＤ）、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）、ＩＧＺＯ及び液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）を含む用途を有する。
次の実施例は、有機アミノジシラン前駆体の調製方法と共に、本明細書に記載した堆積させたケイ素含有膜の調製方法を例証し、決して限定することを意図していない。
例１：１，２−ビス（ジ−ｓｅｃ−ブチルアミノ）ジシランの合成
機械的撹拌器、コンデンサー、及び添加ロートを備えた３つ口丸底フラスコにおいて、１当量の１，２−ジクロロジシランのヘキサン溶液を、コールドバスを用いて−１０℃に冷却した。撹拌しながら、４当量のジ−ｓｅｃ−ブチルアミンを、添加ロートから滴下して加えた。添加が完了した後に、反応混合物を室温まで温めた。この反応混合物を室温で２時間撹拌して、続いて濾過を行った。溶媒のヘキサンを濾液から蒸溜によって除去した。生成物である１，２−ビス（ジ−ｓｅｃ−ブチルアミノ）ジシランを、減圧蒸留によって得た。ガスクロマトグラフィ（ＧＣ）は、生成物が９９％超の純度の１，２−ビス（ジ−ｓｅｃ−ブチルアミノ）ジシランであることを示した。
例２：１，２−ビス（シス−２，６−ジメチルピペリジノ）ジシランの合成
機械的撹拌器、コンデンサー、及び添加ロートを備えた３つ口丸底フラスコにおいて、１当量の１，２−ジクロロジシランのヘキサン溶液を、コールドバスを用いて−１０℃に冷却した。撹拌しながら、４当量のシス−２，６−ジメチルピペリジンを、添加ロートから滴下して加えた。添加が完了した後に、反応混合物を室温まで温めた。この反応混合物を室温で２時間撹拌して、続いて濾過を行った。溶媒のヘキサンを濾液から蒸溜によって除去した。生成物である１，２−ビス（シス−２，６−ジメチルピペリジノ）ジシランを、減圧蒸留によって得た。ガスクロマトグラフィ（ＧＣ）は、生成物が９９％超の純度の１，２−ビス（シス−２，６−ジメチルピペリジノ）ジシランであることを示した。

Claims (22)

  1. 次の（ａ）及び（ｂ）を含む、ケイ素含有膜を形成するための組成物：
    （ａ）次の式Ｉによって表されるＳｉ−Ｎ結合、Ｓｉ−Ｓｉ結合、及びＳｉ−Ｈ２基を有する少なくとも１種の有機アミノジシラン前駆体：
    Figure 0006445375
     （ここで、Ｒ１及びＲ３は、直鎖又は分岐鎖のＣ ３ 〜Ｃ１０のアルキル基、直鎖又は分岐鎖のＣ３〜Ｃ１０のアルケニル基、直鎖又は分岐鎖のＣ３〜Ｃ１０のアルキニル基、Ｃ１〜Ｃ６のジアルキルアミノ基、電子求引基、及びＣ６〜Ｃ１０のアリール基からそれぞれ独立して選択され；Ｒ２及びＲ４は、水素、直鎖又は分岐鎖のＣ１〜Ｃ１０のアルキル基、直鎖又は分岐鎖のＣ３〜Ｃ１０のアルケニル基、直鎖又は分岐鎖のＣ３〜Ｃ１０のアルキニル基、Ｃ１〜Ｃ６のジアルキルアミノ基、電子求引基、及びＣ６〜Ｃ１０のアリール基からそれぞれ独立して選択され；かつＲ１及びＲ２ 、並びに、Ｒ３及びＲ ４ のいずれか１つ又は全ては、共に結合して置換若しくは非置換の芳香環、又は置換若しくは非置換の脂肪族環から選択される環を形成し、又はこれら全てがそれらの環を形成せず；Ｒ １ 及びＲ ３ 、並びに、Ｒ ２ 及びＲ ４ の全ては非置換の脂肪族環を形成せず；ただし、Ｒ １ 、Ｒ ２ 、Ｒ ３ かつＲ ４ が、イソ−プロピル基とはならない。）；及び
    （ｂ）前記有機アミノジシランの沸点との差が４０℃以下である沸点を有する溶媒。
  2. 前記有機アミノジシラン前駆体が、１，２−ビス（ジメチルアミノ）ジシラン、１，２−ビス（ジエチルアミノ）ジシラン、１，２−ビス（ジエチルメチルアミノ）ジシラン、１，２−ビス（ジ−イソ−プロピルアミノ）ジシランからなる群より選択される１種を含む、請求項１に記載の組成物。
  3. 前記溶媒が、エーテル、第三級アミン、アルキル炭化水素、芳香族炭化水素、及び第三級アミノエーテルからなる群より選択される少なくとも１種を含む、請求項１又は２に記載の組成物。
  4. 次の工程を含む、化学気相成長プロセス及び原子層堆積プロセスから選択される堆積プロセスによって、基材の少なくとも１つの表面にケイ素含有膜を形成する方法：
    反応器に前記基材の前記少なくとも１つの表面を与える工程；及び
    次の式Ｉで表されるＳｉ−Ｎ結合、Ｓｉ−Ｓｉ結合、及びＳｉ−Ｈ２基を有する少なくとも１種の有機アミノジシラン前駆体を導入する工程：
    Figure 0006445375
     （ここで、Ｒ１及びＲ３は、直鎖又は分岐鎖のＣ３〜Ｃ１０のアルキル基、直鎖又は分岐鎖のＣ３〜Ｃ１０のアルケニル基、直鎖又は分岐鎖のＣ３〜Ｃ１０のアルキニル基、Ｃ１〜Ｃ６のジアルキルアミノ基、電子求引基、及びＣ６〜Ｃ１０のアリール基からそれぞれ独立して選択され；Ｒ２及びＲ４は、水素、直鎖又は分岐鎖のＣ１〜Ｃ１０のアルキル基、直鎖又は分岐鎖のＣ３〜Ｃ１０のアルケニル基、直鎖又は分岐鎖のＣ３〜Ｃ１０のアルキニル基、Ｃ１〜Ｃ６のジアルキルアミノ基、電子求引基、及びＣ６〜Ｃ１０のアリール基からそれぞれ独立して選択され；かつＲ１及びＲ２、並びに、Ｒ３及びＲ４のいずれか１つ又は全ては、共に結合して置換若しくは非置換の芳香環、又は置換若しくは非置換の脂肪族環から選択される環を形成し、又はこれら全てがそれらの環を形成せず；Ｒ１及びＲ３、並びに、Ｒ２及びＲ４の全ては非置換の脂肪族環を形成せず；ただし、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３かつＲ４が、イソ−プロピル基とはならない。）；
    窒素含有源を前記反応器に導入する工程であって、前記少なくとも１種の有機アミノジシラン前駆体と、前記窒素含有源とを反応させて、前記ケイ素含有膜を前記少なくとも１つの表面に与える工程。
  5. 次の工程を含む、原子層堆積（ＡＬＤ）の堆積プロセスによってケイ素含有膜を形成する方法：
    ａ．基材をＡＬＤ反応器に与える工程；
    ｂ．前記ＡＬＤ反応器に、次の式Ｉによって表されるＳｉ−Ｎ結合、Ｓｉ−Ｓｉ結合、及びＳｉ−Ｈ２基を有する少なくとも１種の有機アミノジシラン前駆体を与える工程：
    Figure 0006445375
     （ここで、Ｒ１及びＲ３は、直鎖又は分岐鎖のＣ３〜Ｃ１０のアルキル基、直鎖又は分岐鎖のＣ３〜Ｃ１０のアルケニル基、直鎖又は分岐鎖のＣ３〜Ｃ１０のアルキニル基、Ｃ１〜Ｃ６のジアルキルアミノ基、電子求引基、及びＣ６〜Ｃ１０のアリール基からそれぞれ独立して選択され；Ｒ２及びＲ４は、水素、直鎖又は分岐鎖のＣ１〜Ｃ１０のアルキル基、直鎖又は分岐鎖のＣ３〜Ｃ１０のアルケニル基、直鎖又は分岐鎖のＣ３〜Ｃ１０のアルキニル基、Ｃ１〜Ｃ６のジアルキルアミノ基、電子求引基、及びＣ６〜Ｃ１０のアリール基からそれぞれ独立して選択され；かつＲ１及びＲ２、並びに、Ｒ３及びＲ４のいずれか１つ又は全ては、共に結合して置換若しくは非置換の芳香環、又は置換若しくは非置換の脂肪族環から選択される環を形成し、又はこれら全てがそれらの環を形成せず；Ｒ１及びＲ３、並びに、Ｒ２及びＲ４の全ては非置換の脂肪族環を形成せず；ただし、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３かつＲ４が、イソ−プロピル基とはならない。）
    ｃ．前記ＡＬＤ反応器を、不活性ガスを用いてパージする工程；
    ｄ．前記ＡＬＤ反応器に、窒素含有源を与える工程；及び
    ｅ．前記ＡＬＤ反応器を、不活性ガスを用いてパージする工程、
    ここで、所望の厚みの前記ケイ素含有膜が得られるまで、工程ｂ〜ｅを繰り返す。
  6. 次の工程を含む、プラズマ原子層堆積（ＰＥＡＬＤ）プロセスを用いて、基材の少なくとも１つの表面にケイ素含有膜を形成するための方法：
    ａ．基材をＡＬＤ反応器に与える工程；
    ｂ．前記ＡＬＤ反応器に、次の式Ｉによって表されるＳｉ−Ｎ結合、Ｓｉ−Ｓｉ結合、及びＳｉ−Ｈ２基を有する少なくとも１種の有機アミノジシラン前駆体を与える工程：
    Figure 0006445375
     （ここで、Ｒ１及びＲ３は、直鎖又は分岐鎖のＣ３〜Ｃ１０のアルキル基、直鎖又は分岐鎖のＣ３〜Ｃ１０のアルケニル基、直鎖又は分岐鎖のＣ３〜Ｃ１０のアルキニル基、Ｃ１〜Ｃ６のジアルキルアミノ基、電子求引基、及びＣ６〜Ｃ１０のアリール基からそれぞれ独立して選択され；Ｒ２及びＲ４は、水素、直鎖又は分岐鎖のＣ１〜Ｃ１０のアルキル基、直鎖又は分岐鎖のＣ３〜Ｃ１０のアルケニル基、直鎖又は分岐鎖のＣ３〜Ｃ１０のアルキニル基、Ｃ１〜Ｃ６のジアルキルアミノ基、電子求引基、及びＣ６〜Ｃ１０のアリール基からそれぞれ独立して選択され；かつＲ１及びＲ２、並びに、Ｒ３及びＲ４のいずれか１つ又は全ては、共に結合して置換若しくは非置換の芳香環、又は置換若しくは非置換の脂肪族環から選択される環を形成し、又はこれら全てがそれらの環を形成せず；Ｒ１及びＲ３、並びに、Ｒ２及びＲ４の全ては非置換の脂肪族環を形成せず；ただし、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３かつＲ４が、イソ−プロピル基とはならない。）；
    ｃ．前記ＡＬＤ反応器を、不活性ガスでパージする工程；
    ｄ．プラズマ窒素含有源を、前記ＡＬＤ反応器に与える工程；及び
    ｅ．前記ＡＬＤ反応器を、不活性ガスでパージする工程、
    又は上記反応器を排気して反応副生成物を除去する工程；
    ここで、所望の厚みの前記ケイ素含有膜が得られるまで、工程ｂ〜ｅを繰り返す。
  7. 前記窒素含有源が、アンモニア、ヒドラジン、モノアルキルヒドラジン、ジアルキルヒドラジン、窒素、窒素／水素、アンモニアプラズマ、窒素プラズマ、窒素／水素プラズマ及びこれらの混合物からなる群より選択される、請求項４〜６のいずれか一項に記載の方法。
  8. 前記ケイ素含有膜が、窒化ケイ素及び炭窒化ケイ素からなる群より選択される、請求項４〜７のいずれか一項に記載の方法。
  9. 次の工程を含む、基材に酸化ケイ素膜を形成する方法：
    前記基材に前記酸化ケイ素膜を形成するために、気相成長プロセスにおいて、次の式Ｉによって表されるＳｉ−Ｎ結合、Ｓｉ−Ｓｉ結合、及びＳｉ−Ｈ２基を有する少なくとも１種の有機アミノジシラン前駆体を、酸素含有源と反応させる工程：
    Figure 0006445375
     （ここで、Ｒ１及びＲ３は、直鎖又は分岐鎖のＣ３〜Ｃ１０のアルキル基、直鎖又は分岐鎖のＣ３〜Ｃ１０のアルケニル基、直鎖又は分岐鎖のＣ３〜Ｃ１０のアルキニル基、Ｃ１〜Ｃ６のジアルキルアミノ基、電子求引基、及びＣ６〜Ｃ１０のアリール基からそれぞれ独立して選択され；Ｒ２及びＲ４は、水素、直鎖又は分岐鎖のＣ１〜Ｃ１０のアルキル基、直鎖又は分岐鎖のＣ３〜Ｃ１０のアルケニル基、直鎖又は分岐鎖のＣ３〜Ｃ１０のアルキニル基、Ｃ１〜Ｃ６のジアルキルアミノ基、電子求引基、及びＣ６〜Ｃ１０のアリール基からそれぞれ独立して選択され；かつＲ１及びＲ２、並びに、Ｒ３及びＲ４のいずれか１つ又は全ては、共に結合して置換若しくは非置換の芳香環、又は置換若しくは非置換の脂肪族環から選択される環を形成し、又はこれら全てがそれらの環を形成せず；Ｒ１及びＲ３、並びに、Ｒ２及びＲ４の全ては非置換の脂肪族環を形成せず；ただし、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３かつＲ４が、イソ−プロピル基とはならない。）。
  10. 前記気相成長が、化学気相成長、低圧化学気相成長、プラズマ化学気相成長、サイクリック化学気相成長、プラズマサイクリック化学気相成長、原子層堆積、及びプラズマ原子層堆積からなる群より選択される少なくとも１つである、請求項９に記載の方法。
  11. 次の工程を含む、基材に酸化ケイ素膜を形成する方法：
    気相成長によって、前記基材に前記酸化ケイ素膜を形成するために、次の式Ｉによって表されるＳｉ−Ｎ結合、Ｓｉ−Ｓｉ結合、及びＳｉ−Ｈ ２ 基を有する少なくとも１種の有機アミノジシラン前駆体を含む組成物を反応させる工程：
    Figure 0006445375
     （ここで、Ｒ１及びＲ３は、直鎖又は分岐鎖のＣ３〜Ｃ１０のアルキル基、直鎖又は分岐鎖のＣ３〜Ｃ１０のアルケニル基、直鎖又は分岐鎖のＣ３〜Ｃ１０のアルキニル基、Ｃ１〜Ｃ６のジアルキルアミノ基、電子求引基、及びＣ６〜Ｃ１０のアリール基からそれぞれ独立して選択され；Ｒ２及びＲ４は、水素、直鎖又は分岐鎖のＣ１〜Ｃ１０のアルキル基、直鎖又は分岐鎖のＣ３〜Ｃ１０のアルケニル基、直鎖又は分岐鎖のＣ３〜Ｃ１０のアルキニル基、Ｃ１〜Ｃ６のジアルキルアミノ基、電子求引基、及びＣ６〜Ｃ１０のアリール基からそれぞれ独立して選択され；かつＲ１及びＲ２、並びに、Ｒ３及びＲ４のいずれか１つ又は全ては、共に結合して置換若しくは非置換の芳香環、又は置換若しくは非置換の脂肪族環から選択される環を形成し、又はこれら全てがそれらの環を形成せず；Ｒ１及びＲ３、並びに、Ｒ２及びＲ４の全ては非置換の脂肪族環を形成せず；ただし、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３かつＲ４が、イソ−プロピル基とはならない。）、
    ここで、前記気相成長は、化学気相成長、低圧化学気相成長、プラズマ化学気相成長、サイクリック化学気相成長、プラズマサイクリック化学気相成長、原子層堆積、及びプラズマ原子層堆積からなる群より選択される少なくとも１つである。
  12. 次の工程を含む、基材に酸化ケイ素膜を形成する方法：
    次の式Ｉによって表されるＳｉ−Ｎ結合、Ｓｉ−Ｓｉ結合、及びＳｉ−Ｈ２基を有する少なくとも１種の有機アミノジシラン前駆体を反応器に導入する工程：
    Figure 0006445375
     （ここで、Ｒ１及びＲ３は、直鎖又は分岐鎖のＣ３〜Ｃ１０のアルキル基、直鎖又は分岐鎖のＣ３〜Ｃ１０のアルケニル基、直鎖又は分岐鎖のＣ３〜Ｃ１０のアルキニル基、Ｃ１〜Ｃ６のジアルキルアミノ基、電子求引基、及びＣ６〜Ｃ１０のアリール基からそれぞれ独立して選択され；Ｒ２及びＲ４は、水素、直鎖又は分岐鎖のＣ１〜Ｃ１０のアルキル基、直鎖又は分岐鎖のＣ３〜Ｃ１０のアルケニル基、直鎖又は分岐鎖のＣ３〜Ｃ１０のアルキニル基、Ｃ１〜Ｃ６のジアルキルアミノ基、電子求引基、及びＣ６〜Ｃ１０のアリール基からそれぞれ独立して選択され；かつＲ１及びＲ２、並びに、Ｒ３及びＲ４のいずれか１つ又は全ては、共に結合して置換若しくは非置換の芳香環、又は置換若しくは非置換の脂肪族環から選択される環を形成し、又はこれら全てがそれらの環を形成せず；Ｒ１及びＲ３、並びに、Ｒ２及びＲ４の全ては非置換の脂肪族環を形成せず；ただし、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３かつＲ４が、イソ−プロピル基とはならない。）；及び
    前記基材に前記酸化ケイ素膜を与えるために、少なくとも１種の酸素含有源を前記反応器に導入し、前記少なくとも１種の酸素含有源と前記有機アミノジシランとを反応させる工程。
  13. 次の工程を含む、厚みを有する酸化ケイ素膜を基材に形成する方法：
    ａ．次の式Ｉによって表されるＳｉ−Ｎ結合、Ｓｉ−Ｓｉ結合、及びＳｉ−Ｈ２基を有する少なくとも１種の有機アミノジシラン前駆体を導入する工程：
    Figure 0006445375
     （ここで、Ｒ１及びＲ３は、直鎖又は分岐鎖のＣ３〜Ｃ１０のアルキル基、直鎖又は分岐鎖のＣ３〜Ｃ１０のアルケニル基、直鎖又は分岐鎖のＣ３〜Ｃ１０のアルキニル基、Ｃ１〜Ｃ６のジアルキルアミノ基、電子求引基、及びＣ６〜Ｃ１０のアリール基からそれぞれ独立して選択され；Ｒ２及びＲ４は、水素、直鎖又は分岐鎖のＣ１〜Ｃ１０のアルキル基、直鎖又は分岐鎖のＣ３〜Ｃ１０のアルケニル基、直鎖又は分岐鎖のＣ３〜Ｃ１０のアルキニル基、Ｃ１〜Ｃ６のジアルキルアミノ基、電子求引基、及びＣ６〜Ｃ１０のアリール基からそれぞれ独立して選択され；かつＲ１及びＲ２、並びに、Ｒ３及びＲ４のいずれか１つ又は全ては、共に結合して置換若しくは非置換の芳香環、又は置換若しくは非置換の脂肪族環から選択される環を形成し、又はこれら全てがそれらの環を形成せず；Ｒ１及びＲ３、並びに、Ｒ２及びＲ４の全ては非置換の脂肪族環を形成せず；ただし、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３かつＲ４が、イソ−プロピル基とはならない。）；
    ｂ．前記基材に、前記少なくとも１種の有機アミノジシラン前駆体を化学吸着させる工程；
    ｃ．未反応の前記少なくとも１種の有機アミノジシラン前駆体を、パージガスを用いてパージする工程；
    ｄ．酸素源を、加熱した前記基材上の前記有機アミノジシラン前駆体に与えて、前記吸着されている少なくとも１種の有機アミノジシラン前駆体と反応させる工程；及び
    ｅ．随意に、あらゆる未反応の酸素含有源をパージする工程。
  14. 前記厚みのフィルムが得られるまで、工程ａ〜ｄ及び随意の工程ｅを繰り返す、請求項１３に記載の方法。
  15. 前記反応させる工程を、２００℃以下の温度で行う、請求項９〜１４のいずれか一項に記載の方法。
  16. 前記反応させる工程を、１００℃以下の温度で行う、請求項１５に記載の方法。
  17. 前記反応させる工程を、５０℃以下の温度で行う、請求項１６に記載の方法。
  18. 原子層堆積プロセスである、請求項９〜１７のいずれか一項に記載の方法。
  19. プラズマサイクリック化学気相成長プロセスである、請求項９〜１７のいずれか一項に記載の方法。
  20. 以下の工程を含む、ＡＬＤ堆積プロセス又はサイクリックＣＶＤ堆積プロセスから選択される堆積法を用いて、ケイ素含有膜を形成する方法：
    ａ．基材を反応器に配置し、これを約２５℃から約７００℃の範囲の１以上の温度に加熱する工程；
    ｂ．次の式Ｉによって表されるＳｉ−Ｎ結合、Ｓｉ−Ｓｉ結合、及びＳｉ−Ｈ２基を有する少なくとも１種の有機アミノジシラン前駆体を導入する工程：
    Figure 0006445375
     （ここで、Ｒ１及びＲ３は、直鎖又は分岐鎖のＣ３〜Ｃ１０のアルキル基、直鎖又は分岐鎖のＣ３〜Ｃ１０のアルケニル基、直鎖又は分岐鎖のＣ３〜Ｃ１０のアルキニル基、Ｃ１〜Ｃ６のジアルキルアミノ基、電子求引基、及びＣ６〜Ｃ１０のアリール基からそれぞれ独立して選択され；Ｒ２及びＲ４は、水素、直鎖又は分岐鎖のＣ１〜Ｃ１０のアルキル基、直鎖又は分岐鎖のＣ３〜Ｃ１０のアルケニル基、直鎖又は分岐鎖のＣ３〜Ｃ１０のアルキニル基、Ｃ１〜Ｃ６のジアルキルアミノ基、電子求引基、及びＣ６〜Ｃ１０のアリール基からそれぞれ独立して選択され；かつＲ１及びＲ２、並びに、Ｒ３及びＲ４のいずれか１つ又は全ては、共に結合して置換若しくは非置換の芳香環、又は置換若しくは非置換の脂肪族環から選択される環を形成し、又はこれら全てがそれらの環を形成せず；Ｒ１及びＲ３、並びに、Ｒ２及びＲ４の全ては非置換の脂肪族環を形成せず；ただし、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３かつＲ４が、イソ−プロピル基とはならない。）；
    ｃ．未反応の前記少なくとも１種の有機アミノジシラン前駆体を、パージガスを用いてパージする工程；
    ｄ．随意に、還元剤を前記反応器に与えて、前記少なくとも１種の有機アミノジシラン前駆体と少なくとも部分的に反応させる工程；
    ｅ．随意に、あらゆる未反応の還元剤をパージする工程、
    ここで、所望の厚みの前記ケイ素含有膜が得られるまで、前記工程ｂ〜ｃ及び随意の工程ｄ及びｅを繰り返す。を繰り返す。
  21. 前記還元剤は、水素、水素プラズマ、及び塩化水素からなる群より選択される少なくとも１種である、請求項２０に記載の方法。
  22. 以下の工程を含む、原子層堆積、サイクリック化学気相成長、及び化学気相成長から選択される堆積プロセスを用いて、シリコン膜を堆積する方法：
    ａ．反応器に基材を与える工程；
    ｂ．前記反応器に、次の式Ｉによって表されるＳｉ−Ｎ結合、Ｓｉ−Ｓｉ結合、及びＳｉ−Ｈ２基を有する少なくとも１種の有機アミノジシラン前駆体を導入する工程：
    Figure 0006445375
     （ここで、Ｒ１及びＲ３は、直鎖又は分岐鎖のＣ３〜Ｃ１０のアルキル基、直鎖又は分岐鎖のＣ３〜Ｃ１０のアルケニル基、直鎖又は分岐鎖のＣ３〜Ｃ１０のアルキニル基、Ｃ１〜Ｃ６のジアルキルアミノ基、電子求引基、及びＣ６〜Ｃ１０のアリール基からそれぞれ独立して選択され；Ｒ２及びＲ４は、水素、直鎖又は分岐鎖のＣ１〜Ｃ１０のアルキル基、直鎖又は分岐鎖のＣ３〜Ｃ１０のアルケニル基、直鎖又は分岐鎖のＣ３〜Ｃ１０のアルキニル基、Ｃ１〜Ｃ６のジアルキルアミノ基、電子求引基、及びＣ６〜Ｃ１０のアリール基からそれぞれ独立して選択され；かつＲ１及びＲ２、並びに、Ｒ３及びＲ４のいずれか１つ又は全ては、共に結合して置換若しくは非置換の芳香環、又は置換若しくは非置換の脂肪族環から選択される環を形成し、又はこれら全てがそれらの環を形成せず；Ｒ１及びＲ３、並びに、Ｒ２及びＲ４の全ては非置換の脂肪族環を形成せず；ただし、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３かつＲ４が、イソ−プロピル基とはならない。）；
    ｃ．随意に、パージガスを用いて前記反応器をパージする、又は前記反応器を排気する工程、
    ここで、所望の厚みの前記シリコン膜が得られるまで、工程ｂ〜ｃを繰り返す。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10378106B2 (en) 2008-11-14 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Method of forming insulation film by modified PEALD
US9394608B2 (en) 2009-04-06 2016-07-19 Asm America, Inc. Semiconductor processing reactor and components thereof
US8802201B2 (en) 2009-08-14 2014-08-12 Asm America, Inc. Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species
US9312155B2 (en) 2011-06-06 2016-04-12 Asm Japan K.K. High-throughput semiconductor-processing apparatus equipped with multiple dual-chamber modules
US9793148B2 (en) 2011-06-22 2017-10-17 Asm Japan K.K. Method for positioning wafers in multiple wafer transport
US10364496B2 (en) 2011-06-27 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Dual section module having shared and unshared mass flow controllers
US10854498B2 (en) 2011-07-15 2020-12-01 Asm Ip Holding B.V. Wafer-supporting device and method for producing same
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
US9017481B1 (en) 2011-10-28 2015-04-28 Asm America, Inc. Process feed management for semiconductor substrate processing
US8946830B2 (en) 2012-04-04 2015-02-03 Asm Ip Holdings B.V. Metal oxide protective layer for a semiconductor device
US12334332B2 (en) 2012-06-12 2025-06-17 Lam Research Corporation Remote plasma based deposition of silicon carbide films using silicon-containing and carbon-containing precursors
US20180347035A1 (en) 2012-06-12 2018-12-06 Lam Research Corporation Conformal deposition of silicon carbide films using heterogeneous precursor interaction
US10832904B2 (en) 2012-06-12 2020-11-10 Lam Research Corporation Remote plasma based deposition of oxygen doped silicon carbide films
US9234276B2 (en) 2013-05-31 2016-01-12 Novellus Systems, Inc. Method to obtain SiC class of films of desired composition and film properties
US10325773B2 (en) 2012-06-12 2019-06-18 Novellus Systems, Inc. Conformal deposition of silicon carbide films
US9558931B2 (en) 2012-07-27 2017-01-31 Asm Ip Holding B.V. System and method for gas-phase sulfur passivation of a semiconductor surface
US9659799B2 (en) 2012-08-28 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Systems and methods for dynamic semiconductor process scheduling
US9021985B2 (en) 2012-09-12 2015-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Process gas management for an inductively-coupled plasma deposition reactor
US9324811B2 (en) 2012-09-26 2016-04-26 Asm Ip Holding B.V. Structures and devices including a tensile-stressed silicon arsenic layer and methods of forming same
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
US9640416B2 (en) 2012-12-26 2017-05-02 Asm Ip Holding B.V. Single-and dual-chamber module-attachable wafer-handling chamber
JP5925673B2 (ja) * 2012-12-27 2016-05-25 東京エレクトロン株式会社 シリコン膜の成膜方法および成膜装置
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
US9589770B2 (en) 2013-03-08 2017-03-07 Asm Ip Holding B.V. Method and systems for in-situ formation of intermediate reactive species
US9484191B2 (en) 2013-03-08 2016-11-01 Asm Ip Holding B.V. Pulsed remote plasma method and system
US10297442B2 (en) * 2013-05-31 2019-05-21 Lam Research Corporation Remote plasma based deposition of graded or multi-layered silicon carbide film
US9796739B2 (en) * 2013-06-26 2017-10-24 Versum Materials Us, Llc AZA-polysilane precursors and methods for depositing films comprising same
US8993054B2 (en) 2013-07-12 2015-03-31 Asm Ip Holding B.V. Method and system to reduce outgassing in a reaction chamber
US9018111B2 (en) 2013-07-22 2015-04-28 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor reaction chamber with plasma capabilities
US9793115B2 (en) 2013-08-14 2017-10-17 Asm Ip Holding B.V. Structures and devices including germanium-tin films and methods of forming same
US9284642B2 (en) * 2013-09-19 2016-03-15 Asm Ip Holding B.V. Method for forming oxide film by plasma-assisted processing
US9240412B2 (en) 2013-09-27 2016-01-19 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor structure and device and methods of forming same using selective epitaxial process
US9905415B2 (en) * 2013-10-03 2018-02-27 Versum Materials Us, Llc Methods for depositing silicon nitride films
US9556516B2 (en) 2013-10-09 2017-01-31 ASM IP Holding B.V Method for forming Ti-containing film by PEALD using TDMAT or TDEAT
US11549181B2 (en) 2013-11-22 2023-01-10 Applied Materials, Inc. Methods for atomic layer deposition of SiCO(N) using halogenated silylamides
US10804094B2 (en) 2016-05-06 2020-10-13 Applied Materials, Inc. Methods of depositing SiCON with C, O and N compositional control
US10179947B2 (en) 2013-11-26 2019-01-15 Asm Ip Holding B.V. Method for forming conformal nitrided, oxidized, or carbonized dielectric film by atomic layer deposition
TWI739285B (zh) 2014-02-04 2021-09-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 金屬、金屬氧化物與介電質的選擇性沉積
US10683571B2 (en) 2014-02-25 2020-06-16 Asm Ip Holding B.V. Gas supply manifold and method of supplying gases to chamber using same
US10167557B2 (en) 2014-03-18 2019-01-01 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system, reactor including the system, and methods of using the same
US11015245B2 (en) 2014-03-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof
US10047435B2 (en) 2014-04-16 2018-08-14 Asm Ip Holding B.V. Dual selective deposition
US9404587B2 (en) 2014-04-24 2016-08-02 ASM IP Holding B.V Lockout tagout for semiconductor vacuum valve
JP6086250B2 (ja) * 2014-04-25 2017-03-01 大陽日酸株式会社 気液反応方法及びアミノシランの製造方法
EP3149011A4 (en) 2014-05-30 2018-06-13 Dow Corning Corporation Process of synthesizing diisopropylaminw-disilanes
CN106414462A (zh) * 2014-05-30 2017-02-15 道康宁公司 二氨基硅烷化合物
CN106459098A (zh) * 2014-05-30 2017-02-22 道康宁公司 单氨基硅烷化合物
JP5886381B2 (ja) * 2014-07-23 2016-03-16 株式会社日立国際電気 半導体装置の製造方法、基板処理装置、プログラムおよび記録媒体
US10858737B2 (en) 2014-07-28 2020-12-08 Asm Ip Holding B.V. Showerhead assembly and components thereof
US9543180B2 (en) 2014-08-01 2017-01-10 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for transporting wafers between wafer carrier and process tool under vacuum
US9890456B2 (en) 2014-08-21 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Method and system for in situ formation of gas-phase compounds
CN107002236B (zh) * 2014-09-23 2019-04-05 乔治洛德方法研究和开发液化空气有限公司 用于沉积含Si膜的碳硅烷取代的胺前体以及其方法
WO2016054566A1 (en) * 2014-10-02 2016-04-07 L'air Liquide, Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude Organodisilane precursors for ald/cvd silicon-containing film applications
US9875888B2 (en) 2014-10-03 2018-01-23 Applied Materials, Inc. High temperature silicon oxide atomic layer deposition technology
US9657845B2 (en) 2014-10-07 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Variable conductance gas distribution apparatus and method
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
SG11201703196WA (en) * 2014-10-24 2017-05-30 Versum Materials Us Llc Compositions and methods using same for deposition of silicon-containing films
US9879340B2 (en) * 2014-11-03 2018-01-30 Versum Materials Us, Llc Silicon-based films and methods of forming the same
KR102300403B1 (ko) 2014-11-19 2021-09-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
KR102263121B1 (ko) 2014-12-22 2021-06-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 및 그 제조 방법
US9478415B2 (en) 2015-02-13 2016-10-25 Asm Ip Holding B.V. Method for forming film having low resistance and shallow junction depth
US10529542B2 (en) 2015-03-11 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Cross-flow reactor and method
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
US9777025B2 (en) 2015-03-30 2017-10-03 L'Air Liquide, Société pour l'Etude et l'Exploitation des Procédés Georges Claude Si-containing film forming precursors and methods of using the same
US11124876B2 (en) 2015-03-30 2021-09-21 L'Air Liquide, Société Anonyme pour l'Etude et l'Exploitation des Procédés Georges Claude Si-containing film forming precursors and methods of using the same
US20160314964A1 (en) 2015-04-21 2016-10-27 Lam Research Corporation Gap fill using carbon-based films
JP6086942B2 (ja) 2015-06-10 2017-03-01 株式会社日立国際電気 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US10600673B2 (en) 2015-07-07 2020-03-24 Asm Ip Holding B.V. Magnetic susceptor to baseplate seal
WO2017007986A1 (en) * 2015-07-09 2017-01-12 L'air Liquide, Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude Alkylamino-substituted halocarbosilane precursors
US10043661B2 (en) 2015-07-13 2018-08-07 Asm Ip Holding B.V. Method for protecting layer by forming hydrocarbon-based extremely thin film
US9899291B2 (en) 2015-07-13 2018-02-20 Asm Ip Holding B.V. Method for protecting layer by forming hydrocarbon-based extremely thin film
US10083836B2 (en) 2015-07-24 2018-09-25 Asm Ip Holding B.V. Formation of boron-doped titanium metal films with high work function
US10428421B2 (en) 2015-08-03 2019-10-01 Asm Ip Holding B.V. Selective deposition on metal or metallic surfaces relative to dielectric surfaces
US10087525B2 (en) 2015-08-04 2018-10-02 Asm Ip Holding B.V. Variable gap hard stop design
US9647114B2 (en) 2015-08-14 2017-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming highly p-type doped germanium tin films and structures and devices including the films
US9711345B2 (en) 2015-08-25 2017-07-18 Asm Ip Holding B.V. Method for forming aluminum nitride-based film by PEALD
US9960072B2 (en) 2015-09-29 2018-05-01 Asm Ip Holding B.V. Variable adjustment for precise matching of multiple chamber cavity housings
US10695794B2 (en) 2015-10-09 2020-06-30 Asm Ip Holding B.V. Vapor phase deposition of organic films
US10814349B2 (en) 2015-10-09 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Vapor phase deposition of organic films
US9909214B2 (en) 2015-10-15 2018-03-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing dielectric film in trenches by PEALD
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
US10322384B2 (en) 2015-11-09 2019-06-18 Asm Ip Holding B.V. Counter flow mixer for process chamber
US9455138B1 (en) 2015-11-10 2016-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming dielectric film in trenches by PEALD using H-containing gas
US9905420B2 (en) 2015-12-01 2018-02-27 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming silicon germanium tin films and structures and devices including the films
US9607837B1 (en) 2015-12-21 2017-03-28 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon oxide cap layer for solid state diffusion process
US9627221B1 (en) 2015-12-28 2017-04-18 Asm Ip Holding B.V. Continuous process incorporating atomic layer etching
US9735024B2 (en) 2015-12-28 2017-08-15 Asm Ip Holding B.V. Method of atomic layer etching using functional group-containing fluorocarbon
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US9777373B2 (en) 2015-12-30 2017-10-03 American Air Liquide, Inc. Amino(iodo)silane precursors for ALD/CVD silicon-containing film applications and methods of using the same
US10053775B2 (en) 2015-12-30 2018-08-21 L'air Liquide, Societé Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procédés Georges Claude Methods of using amino(bromo)silane precursors for ALD/CVD silicon-containing film applications
US9701695B1 (en) 2015-12-30 2017-07-11 American Air Liquide, Inc. Synthesis methods for amino(halo)silanes
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US9754779B1 (en) 2016-02-19 2017-09-05 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10468251B2 (en) 2016-02-19 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Method for forming spacers using silicon nitride film for spacer-defined multiple patterning
US10501866B2 (en) 2016-03-09 2019-12-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution apparatus for improved film uniformity in an epitaxial system
US10343920B2 (en) 2016-03-18 2019-07-09 Asm Ip Holding B.V. Aligned carbon nanotubes
TWI753794B (zh) 2016-03-23 2022-01-21 法商液態空氣喬治斯克勞帝方法研究開發股份有限公司 形成含矽膜之組成物及其製法與用途
US9892913B2 (en) 2016-03-24 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Radial and thickness control via biased multi-port injection settings
US10087522B2 (en) 2016-04-21 2018-10-02 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides
US10865475B2 (en) 2016-04-21 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides and silicides
US10190213B2 (en) 2016-04-21 2019-01-29 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides
US10032628B2 (en) 2016-05-02 2018-07-24 Asm Ip Holding B.V. Source/drain performance through conformal solid state doping
US10367080B2 (en) 2016-05-02 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a germanium oxynitride film
US11081342B2 (en) 2016-05-05 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Selective deposition using hydrophobic precursors
KR102188816B1 (ko) * 2016-05-17 2020-12-11 디디피 스페셜티 일렉트로닉 머티리얼즈 유에스 9 엘엘씨 아미노클로로하이드리도다이실란
KR102592471B1 (ko) 2016-05-17 2023-10-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 배선 형성 방법 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조 방법
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US10373820B2 (en) 2016-06-01 2019-08-06 Asm Ip Holding B.V. Deposition of organic films
US10453701B2 (en) 2016-06-01 2019-10-22 Asm Ip Holding B.V. Deposition of organic films
US10388509B2 (en) 2016-06-28 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Formation of epitaxial layers via dislocation filtering
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US9793135B1 (en) 2016-07-14 2017-10-17 ASM IP Holding B.V Method of cyclic dry etching using etchant film
US10714385B2 (en) 2016-07-19 2020-07-14 Asm Ip Holding B.V. Selective deposition of tungsten
US10381226B2 (en) 2016-07-27 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Method of processing substrate
US20180033614A1 (en) * 2016-07-27 2018-02-01 Versum Materials Us, Llc Compositions and Methods Using Same for Carbon Doped Silicon Containing Films
KR102532607B1 (ko) 2016-07-28 2023-05-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 가공 장치 및 그 동작 방법
US10395919B2 (en) 2016-07-28 2019-08-27 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US10177025B2 (en) 2016-07-28 2019-01-08 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
KR102451069B1 (ko) * 2016-09-01 2022-10-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 탄화수소-기반 극박막을 형성하여 층을 보호하기 위한 방법
US10090316B2 (en) 2016-09-01 2018-10-02 Asm Ip Holding B.V. 3D stacked multilayer semiconductor memory using doped select transistor channel
US10703915B2 (en) * 2016-09-19 2020-07-07 Versum Materials Us, Llc Compositions and methods for the deposition of silicon oxide films
US10410943B2 (en) 2016-10-13 2019-09-10 Asm Ip Holding B.V. Method for passivating a surface of a semiconductor and related systems
US11149349B2 (en) 2016-10-25 2021-10-19 Basf Se Process for the generation of thin silicon-containing films
US10643826B2 (en) 2016-10-26 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for thermally calibrating reaction chambers
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10643904B2 (en) 2016-11-01 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a semiconductor device and related semiconductor device structures
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10435790B2 (en) 2016-11-01 2019-10-08 Asm Ip Holding B.V. Method of subatmospheric plasma-enhanced ALD using capacitively coupled electrodes with narrow gap
US10229833B2 (en) 2016-11-01 2019-03-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10134757B2 (en) 2016-11-07 2018-11-20 Asm Ip Holding B.V. Method of processing a substrate and a device manufactured by using the method
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US10002787B2 (en) 2016-11-23 2018-06-19 Lam Research Corporation Staircase encapsulation in 3D NAND fabrication
US10340135B2 (en) 2016-11-28 2019-07-02 Asm Ip Holding B.V. Method of topologically restricted plasma-enhanced cyclic deposition of silicon or metal nitride
US11430656B2 (en) 2016-11-29 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Deposition of oxide thin films
KR102762543B1 (ko) 2016-12-14 2025-02-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
US9916980B1 (en) 2016-12-15 2018-03-13 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
KR102700194B1 (ko) 2016-12-19 2024-08-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US10867788B2 (en) 2016-12-28 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US10655221B2 (en) 2017-02-09 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing oxide film by thermal ALD and PEALD
JP7169072B2 (ja) 2017-02-14 2022-11-10 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 選択的パッシベーションおよび選択的堆積
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
JP6937713B2 (ja) * 2018-03-06 2021-09-22 株式会社日本製鋼所 有機ｅｌ素子用の保護膜の形成方法、表示装置の製造方法および表示装置
US10529563B2 (en) 2017-03-29 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
KR20180110612A (ko) 2017-03-29 2018-10-10 (주)디엔에프 비스(아미노실릴)알킬아민 화합물을 포함하는 실리콘 함유 박막증착용 조성물 및 이를 이용하는 실리콘 함유 박막의 제조방법
US10283353B2 (en) 2017-03-29 2019-05-07 Asm Ip Holding B.V. Method of reforming insulating film deposited on substrate with recess pattern
US12518963B2 (en) 2017-03-29 2026-01-06 Dnf Co., Ltd. Composition for depositing silicon-containing thin film and method for manufacturing silicon-containing thin film using the same
US10103040B1 (en) 2017-03-31 2018-10-16 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for manufacturing a semiconductor device
USD830981S1 (en) 2017-04-07 2018-10-16 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate processing apparatus
KR102457289B1 (ko) 2017-04-25 2022-10-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
KR102805403B1 (ko) 2017-05-05 2025-05-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 산소 함유 박막의 형성을 제어하기 위한 플라즈마 강화 증착 공정
US11501965B2 (en) 2017-05-05 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Plasma enhanced deposition processes for controlled formation of metal oxide thin films
US10446393B2 (en) 2017-05-08 2019-10-15 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming silicon-containing epitaxial layers and related semiconductor device structures
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10892156B2 (en) 2017-05-08 2021-01-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
WO2018213018A1 (en) * 2017-05-16 2018-11-22 Asm Ip Holding B.V. Selective peald of oxide on dielectric
US10504742B2 (en) 2017-05-31 2019-12-10 Asm Ip Holding B.V. Method of atomic layer etching using hydrogen plasma
US10886123B2 (en) 2017-06-02 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming low temperature semiconductor layers and related semiconductor device structures
US12040200B2 (en) 2017-06-20 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and methods for calibrating a semiconductor processing apparatus
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
US10685834B2 (en) 2017-07-05 2020-06-16 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a silicon germanium tin layer and related semiconductor device structures
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US10541333B2 (en) 2017-07-19 2020-01-21 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11018002B2 (en) 2017-07-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10312055B2 (en) 2017-07-26 2019-06-04 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing film by PEALD using negative bias
US10605530B2 (en) 2017-07-26 2020-03-31 Asm Ip Holding B.V. Assembly of a liner and a flange for a vertical furnace as well as the liner and the vertical furnace
TWI815813B (zh) 2017-08-04 2023-09-21 荷蘭商Ａｓｍ智慧財產控股公司 用於分配反應腔內氣體的噴頭總成
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11139191B2 (en) 2017-08-09 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US10249524B2 (en) 2017-08-09 2019-04-02 Asm Ip Holding B.V. Cassette holder assembly for a substrate cassette and holding member for use in such assembly
US10236177B1 (en) 2017-08-22 2019-03-19 ASM IP Holding B.V.. Methods for depositing a doped germanium tin semiconductor and related semiconductor device structures
USD900036S1 (en) 2017-08-24 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Heater electrical connector and adapter
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
US11056344B2 (en) 2017-08-30 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method
KR102491945B1 (ko) 2017-08-30 2023-01-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
KR102401446B1 (ko) 2017-08-31 2022-05-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10607895B2 (en) 2017-09-18 2020-03-31 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming a semiconductor device structure comprising a gate fill metal
KR102630301B1 (ko) 2017-09-21 2024-01-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치
US10844484B2 (en) 2017-09-22 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US10319588B2 (en) 2017-10-10 2019-06-11 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a metal chalcogenide on a substrate by cyclical deposition
US10923344B2 (en) 2017-10-30 2021-02-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
US10910262B2 (en) 2017-11-16 2021-02-02 Asm Ip Holding B.V. Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure
KR102443047B1 (ko) 2017-11-16 2022-09-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11022879B2 (en) 2017-11-24 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer
WO2019103610A1 (en) 2017-11-27 2019-05-31 Asm Ip Holding B.V. Apparatus including a clean mini environment
WO2019103613A1 (en) 2017-11-27 2019-05-31 Asm Ip Holding B.V. A storage device for storing wafer cassettes for use with a batch furnace
US10290508B1 (en) 2017-12-05 2019-05-14 Asm Ip Holding B.V. Method for forming vertical spacers for spacer-defined patterning
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
WO2019142055A2 (en) 2018-01-19 2019-07-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a gap-fill layer by plasma-assisted deposition
TWI799494B (zh) 2018-01-19 2023-04-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 沈積方法
USD903477S1 (en) 2018-01-24 2020-12-01 Asm Ip Holdings B.V. Metal clamp
US11018047B2 (en) 2018-01-25 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Hybrid lift pin
US10535516B2 (en) 2018-02-01 2020-01-14 Asm Ip Holdings B.V. Method for depositing a semiconductor structure on a surface of a substrate and related semiconductor structures
USD880437S1 (en) 2018-02-01 2020-04-07 Asm Ip Holding B.V. Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
KR102657269B1 (ko) 2018-02-14 2024-04-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 주기적 증착 공정에 의해 기판 상에 루테늄-함유 막을 증착하는 방법
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US10731249B2 (en) 2018-02-15 2020-08-04 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10658181B2 (en) 2018-02-20 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method of spacer-defined direct patterning in semiconductor fabrication
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
US11114283B2 (en) 2018-03-16 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
JP6651663B1 (ja) * 2018-03-29 2020-02-19 住友精化株式会社 アミノシラン化合物、前記アミノシラン化合物を含むシリコン含有膜形成用の組成物
US11088002B2 (en) 2018-03-29 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate rack and a substrate processing system and method
US10510536B2 (en) 2018-03-29 2019-12-17 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing a co-doped polysilicon film on a surface of a substrate within a reaction chamber
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102501472B1 (ko) 2018-03-30 2023-02-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
KR102600229B1 (ko) 2018-04-09 2023-11-10 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 장치, 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
US20190318925A1 (en) * 2018-04-11 2019-10-17 Versum Materials Us, Llc Monoorganoaminodisilane Precursors and Methods for Depositing Films Comprising Same
US12025484B2 (en) 2018-05-08 2024-07-02 Asm Ip Holding B.V. Thin film forming method
TWI843623B (zh) 2018-05-08 2024-05-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構
US12272527B2 (en) 2018-05-09 2025-04-08 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for use with hydrogen radicals and method of using same
TWI879056B (zh) 2018-05-11 2025-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於基板上形成摻雜金屬碳化物薄膜之方法及相關半導體元件結構
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
TWI840362B (zh) 2018-06-04 2024-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 水氣降低的晶圓處置腔室
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
CN110581050B (zh) * 2018-06-07 2024-06-11 东京毅力科创株式会社 处理方法和等离子体处理装置
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
TWI819010B (zh) 2018-06-27 2023-10-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於形成含金屬材料及包含含金屬材料的膜及結構之循環沉積方法
CN120591748A (zh) 2018-06-27 2025-09-05 Asm Ip私人控股有限公司 用于形成含金属的材料的循环沉积方法及膜和结构
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
KR102686758B1 (ko) 2018-06-29 2024-07-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10767789B2 (en) 2018-07-16 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components
US10840087B2 (en) 2018-07-20 2020-11-17 Lam Research Corporation Remote plasma based deposition of boron nitride, boron carbide, and boron carbonitride films
US10483099B1 (en) 2018-07-26 2019-11-19 Asm Ip Holding B.V. Method for forming thermally stable organosilicon polymer film
US11053591B2 (en) 2018-08-06 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Multi-port gas injection system and reactor system including same
US10883175B2 (en) 2018-08-09 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein
US10829852B2 (en) 2018-08-16 2020-11-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution device for a wafer processing apparatus
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
KR102707956B1 (ko) 2018-09-11 2024-09-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11049751B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Asm Ip Holding B.V. Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith
CN110970344B (zh) 2018-10-01 2024-10-25 Asmip控股有限公司 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法
US12482648B2 (en) 2018-10-02 2025-11-25 Asm Ip Holding B.V. Selective passivation and selective deposition
JP2020056104A (ja) 2018-10-02 2020-04-09 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 選択的パッシベーションおよび選択的堆積
EP3844318B1 (en) * 2018-10-03 2025-12-10 Versum Materials US, LLC Methods for making silicon and nitrogen containing films
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR20240168471A (ko) 2018-10-04 2024-11-29 버슘머트리얼즈 유에스, 엘엘씨 고품질 실리콘 옥사이드 박막의 고온 원자 층 증착용 조성물
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
US10847365B2 (en) 2018-10-11 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Method of forming conformal silicon carbide film by cyclic CVD
US10811256B2 (en) 2018-10-16 2020-10-20 Asm Ip Holding B.V. Method for etching a carbon-containing feature
KR102921701B1 (ko) 2018-10-19 2026-02-03 램 리써치 코포레이션 갭 충진 (gapfill) 을 위한 도핑되거나 도핑되지 않은 실리콘 카바이드 증착 및 원격 수소 플라즈마 노출
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
USD948463S1 (en) 2018-10-24 2022-04-12 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus
US10381219B1 (en) 2018-10-25 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film
US12378665B2 (en) 2018-10-26 2025-08-05 Asm Ip Holding B.V. High temperature coatings for a preclean and etch apparatus and related methods
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR102748291B1 (ko) 2018-11-02 2024-12-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US11031242B2 (en) 2018-11-07 2021-06-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a boron doped silicon germanium film
US10847366B2 (en) 2018-11-16 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US10559458B1 (en) 2018-11-26 2020-02-11 Asm Ip Holding B.V. Method of forming oxynitride film
US12040199B2 (en) 2018-11-28 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
JP7504584B2 (ja) 2018-12-14 2024-06-24 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム
TWI819180B (zh) 2019-01-17 2023-10-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
KR102727227B1 (ko) 2019-01-22 2024-11-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN111524788B (zh) 2019-02-01 2023-11-24 Asm Ip私人控股有限公司 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法
TWI845607B (zh) 2019-02-20 2024-06-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用來填充形成於基材表面內之凹部的循環沉積方法及設備
KR20200102357A (ko) 2019-02-20 2020-08-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 3-d nand 응용의 플러그 충진체 증착용 장치 및 방법
KR102638425B1 (ko) 2019-02-20 2024-02-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 표면 내에 형성된 오목부를 충진하기 위한 방법 및 장치
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
TWI842826B (zh) 2019-02-22 2024-05-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材處理設備及處理基材之方法
KR102782593B1 (ko) 2019-03-08 2025-03-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR102858005B1 (ko) 2019-03-08 2025-09-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
KR102762833B1 (ko) 2019-03-08 2025-02-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOCN 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
JP2020167398A (ja) 2019-03-28 2020-10-08 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ドアオープナーおよびドアオープナーが提供される基材処理装置
KR102809999B1 (ko) 2019-04-01 2025-05-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
US11965238B2 (en) 2019-04-12 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Selective deposition of metal oxides on metal surfaces
US11447864B2 (en) 2019-04-19 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR102929471B1 (ko) 2019-05-07 2026-02-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR102869364B1 (ko) 2019-05-07 2025-10-10 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR102929472B1 (ko) 2019-05-10 2026-02-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP7598201B2 (ja) 2019-05-16 2024-12-11 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
JP7612342B2 (ja) 2019-05-16 2025-01-14 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD935572S1 (en) 2019-05-24 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Gas channel plate
USD922229S1 (en) 2019-06-05 2021-06-15 Asm Ip Holding B.V. Device for controlling a temperature of a gas supply unit
KR20200141003A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 가스 감지기를 포함하는 기상 반응기 시스템
KR102918757B1 (ko) 2019-06-10 2026-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 석영 에피택셜 챔버를 세정하는 방법
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
USD931978S1 (en) 2019-06-27 2021-09-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead vacuum transport
KR102911421B1 (ko) 2019-07-03 2026-01-12 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP7499079B2 (ja) 2019-07-09 2024-06-13 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646B (zh) 2019-07-10 2026-02-10 Asmip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR102895115B1 (ko) 2019-07-16 2025-12-03 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
KR102860110B1 (ko) 2019-07-17 2025-09-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
KR102903090B1 (ko) 2019-07-19 2025-12-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 토폴로지-제어된 비정질 탄소 중합체 막을 형성하는 방법
TWI839544B (zh) 2019-07-19 2024-04-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成形貌受控的非晶碳聚合物膜之方法
TWI851767B (zh) 2019-07-29 2024-08-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於利用n型摻雜物及/或替代摻雜物選擇性沉積以達成高摻雜物併入之方法
CN112309900B (zh) 2019-07-30 2025-11-04 Asmip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309899B (zh) 2019-07-30 2025-11-14 Asmip私人控股有限公司 基板处理设备
US12169361B2 (en) 2019-07-30 2024-12-17 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
KR20210018759A (ko) 2019-08-05 2021-02-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 화학물질 공급원 용기를 위한 액체 레벨 센서
KR20210018761A (ko) 2019-08-09 2021-02-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 냉각 장치를 포함한 히터 어셈블리 및 이를 사용하는 방법
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
JP7810514B2 (ja) 2019-08-21 2026-02-03 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
USD930782S1 (en) 2019-08-22 2021-09-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
KR102928101B1 (ko) 2019-08-23 2026-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR102868968B1 (ko) 2019-09-03 2025-10-10 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 칼코지나이드 막 및 상기 막을 포함한 구조체를 증착하기 위한 방법 및 장치
KR102806450B1 (ko) 2019-09-04 2025-05-12 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR102733104B1 (ko) 2019-09-05 2024-11-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US12469693B2 (en) 2019-09-17 2025-11-11 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a carbon-containing layer and structure including the layer
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
TW202128273A (zh) 2019-10-08 2021-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氣體注入系統、及將材料沉積於反應室內之基板表面上的方法
TWI846953B (zh) 2019-10-08 2024-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理裝置
KR20210042810A (ko) 2019-10-08 2021-04-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
TWI846966B (zh) 2019-10-10 2024-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成光阻底層之方法及包括光阻底層之結構
US12009241B2 (en) 2019-10-14 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette
TWI834919B (zh) 2019-10-16 2024-03-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR102845724B1 (ko) 2019-10-21 2025-08-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
KR20210050453A (ko) 2019-10-25 2021-05-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
US11139163B2 (en) 2019-10-31 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Selective deposition of SiOC thin films
KR102890638B1 (ko) 2019-11-05 2025-11-25 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR102861314B1 (ko) 2019-11-20 2025-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
CN112951697B (zh) 2019-11-26 2025-07-29 Asmip私人控股有限公司 基板处理设备
US11450529B2 (en) 2019-11-26 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively forming a target film on a substrate comprising a first dielectric surface and a second metallic surface
CN120432376A (zh) 2019-11-29 2025-08-05 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN120998766A (zh) 2019-11-29 2025-11-21 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP7527928B2 (ja) 2019-12-02 2024-08-05 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN112992667A (zh) 2019-12-17 2021-06-18 Asm Ip私人控股有限公司 形成氮化钒层的方法和包括氮化钒层的结构
US11527403B2 (en) 2019-12-19 2022-12-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures
TWI901623B (zh) 2020-01-06 2025-10-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氣體供應總成以及閥板總成
JP7636892B2 (ja) 2020-01-06 2025-02-27 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー チャネル付きリフトピン
US11993847B2 (en) 2020-01-08 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Injector
KR102882467B1 (ko) 2020-01-16 2025-11-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고 종횡비 피처를 형성하는 방법
KR102675856B1 (ko) 2020-01-20 2024-06-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법
TWI889744B (zh) 2020-01-29 2025-07-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 污染物捕集系統、及擋板堆疊
TWI871421B (zh) 2020-02-03 2025-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 包括釩或銦層的裝置、結構及其形成方法、系統
KR20210100010A (ko) 2020-02-04 2021-08-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 대형 물품의 투과율 측정을 위한 방법 및 장치
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
KR20210103953A (ko) 2020-02-13 2021-08-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 가스 분배 어셈블리 및 이를 사용하는 방법
KR102916725B1 (ko) 2020-02-13 2026-01-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 수광 장치를 포함하는 기판 처리 장치 및 수광 장치의 교정 방법
US11781243B2 (en) 2020-02-17 2023-10-10 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon
TWI895326B (zh) 2020-02-28 2025-09-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 專用於零件清潔的系統
CN113363196A (zh) 2020-03-04 2021-09-07 Asm Ip私人控股有限公司 用于反应器系统的对准夹具
US11876356B2 (en) 2020-03-11 2024-01-16 Asm Ip Holding B.V. Lockout tagout assembly and system and method of using same
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
KR102775390B1 (ko) 2020-03-12 2025-02-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 타겟 토폴로지 프로파일을 갖는 층 구조를 제조하기 위한 방법
US12173404B2 (en) 2020-03-17 2024-12-24 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing epitaxial material, structure formed using the method, and system for performing the method
TWI865747B (zh) 2020-03-30 2024-12-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 在兩不同表面上同時選擇性沉積兩不同材料
TWI862807B (zh) 2020-03-30 2024-11-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 相對於金屬表面在介電表面上之氧化矽的選擇性沉積
TW202140832A (zh) 2020-03-30 2021-11-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氧化矽在金屬表面上之選擇性沉積
KR102755229B1 (ko) 2020-04-02 2025-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TWI887376B (zh) 2020-04-03 2025-06-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 半導體裝置的製造方法
TWI888525B (zh) 2020-04-08 2025-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
KR20210128343A (ko) 2020-04-15 2021-10-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 크롬 나이트라이드 층을 형성하는 방법 및 크롬 나이트라이드 층을 포함하는 구조
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
US11996289B2 (en) 2020-04-16 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods
TW202143328A (zh) 2020-04-21 2021-11-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於調整膜應力之方法
US11898243B2 (en) 2020-04-24 2024-02-13 Asm Ip Holding B.V. Method of forming vanadium nitride-containing layer
TW202208671A (zh) 2020-04-24 2022-03-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成包括硼化釩及磷化釩層的結構之方法
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
KR102866804B1 (ko) 2020-04-24 2025-09-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 냉각 가스 공급부를 포함한 수직형 배치 퍼니스 어셈블리
TWI887400B (zh) 2020-04-24 2025-06-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於穩定釩化合物之方法及設備
KR102783898B1 (ko) 2020-04-29 2025-03-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
TWI907417B (zh) 2020-05-04 2025-12-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 半導體處理系統
JP7736446B2 (ja) 2020-05-07 2025-09-09 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 同調回路を備える反応器システム
KR102788543B1 (ko) 2020-05-13 2025-03-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
US12057314B2 (en) 2020-05-15 2024-08-06 Asm Ip Holding B.V. Methods for silicon germanium uniformity control using multiple precursors
KR102905441B1 (ko) 2020-05-19 2025-12-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR102795476B1 (ko) 2020-05-21 2025-04-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
KR20210145079A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판을 처리하기 위한 플랜지 및 장치
KR102702526B1 (ko) 2020-05-22 2024-09-03 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 과산화수소를 사용하여 박막을 증착하기 위한 장치
KR20210146802A (ko) 2020-05-26 2021-12-06 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 붕소 및 갈륨을 함유한 실리콘 게르마늄 층을 증착하는 방법
TWI876048B (zh) 2020-05-29 2025-03-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202212620A (zh) 2020-06-02 2022-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 處理基板之設備、形成膜之方法、及控制用於處理基板之設備之方法
KR20210156219A (ko) 2020-06-16 2021-12-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 붕소를 함유한 실리콘 게르마늄 층을 증착하는 방법
TWI908816B (zh) 2020-06-24 2025-12-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成含矽層之方法
TWI873359B (zh) 2020-06-30 2025-02-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TWI896694B (zh) 2020-07-01 2025-09-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 沉積方法、半導體結構、及沉積系統
TW202202649A (zh) 2020-07-08 2022-01-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TWI864307B (zh) 2020-07-17 2024-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於光微影之結構、方法與系統
TWI878570B (zh) 2020-07-20 2025-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
KR20220011092A (ko) 2020-07-20 2022-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 전이 금속층을 포함하는 구조체를 형성하기 위한 방법 및 시스템
TW202219303A (zh) 2020-07-27 2022-05-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 薄膜沉積製程
KR20220020210A (ko) 2020-08-11 2022-02-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 티타늄 알루미늄 카바이드 막 구조체 및 관련 반도체 구조체를 증착하는 방법
KR102915124B1 (ko) 2020-08-14 2026-01-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
US12040177B2 (en) 2020-08-18 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a laminate film by cyclical plasma-enhanced deposition processes
KR20220026500A (ko) 2020-08-25 2022-03-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면을 세정하는 방법
TW202534193A (zh) 2020-08-26 2025-09-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成金屬氧化矽層及金屬氮氧化矽層的方法
KR20220027772A (ko) 2020-08-27 2022-03-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다중 패터닝 공정을 사용하여 패터닝된 구조체를 형성하기 위한 방법 및 시스템
TWI904232B (zh) 2020-09-10 2025-11-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 沉積間隙填充流體之方法及相關系統和裝置
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
KR20220036866A (ko) 2020-09-16 2022-03-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 산화물 증착 방법
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
TWI889903B (zh) 2020-09-25 2025-07-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
CN112110948B (zh) * 2020-09-29 2023-07-14 合肥安德科铭半导体科技有限公司 一种液态双氨基取代的乙硅烷制备方法及其产物的应用
US12009224B2 (en) 2020-09-29 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for etching metal nitrides
CN114388427A (zh) 2020-10-06 2022-04-22 Asm Ip私人控股有限公司 用于在特征的侧壁上形成氮化硅的方法和系统
KR20220045900A (ko) 2020-10-06 2022-04-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 함유 재료를 증착하기 위한 증착 방법 및 장치
CN114293174A (zh) 2020-10-07 2022-04-08 Asm Ip私人控股有限公司 气体供应单元和包括气体供应单元的衬底处理设备
KR102855834B1 (ko) 2020-10-14 2025-09-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 단차형 구조 상에 재료를 증착하는 방법
KR102873665B1 (ko) 2020-10-15 2025-10-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자의 제조 방법, 및 ether-cat을 사용하는 기판 처리 장치
TW202217037A (zh) 2020-10-22 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 沉積釩金屬的方法、結構、裝置及沉積總成
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
TW202229620A (zh) 2020-11-12 2022-08-01 特文特大學 沉積系統、用於控制反應條件之方法、沉積方法
US11447865B2 (en) * 2020-11-17 2022-09-20 Applied Materials, Inc. Deposition of low-κ films
TW202229795A (zh) 2020-11-23 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 具注入器之基板處理設備
TW202235649A (zh) 2020-11-24 2022-09-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 填充間隙之方法與相關之系統及裝置
KR20220076343A (ko) 2020-11-30 2022-06-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치의 반응 챔버 내에 배열되도록 구성된 인젝터
KR20220077875A (ko) 2020-12-02 2022-06-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 샤워헤드 어셈블리용 세정 고정구
US12255053B2 (en) 2020-12-10 2025-03-18 Asm Ip Holding B.V. Methods and systems for depositing a layer
US12159788B2 (en) 2020-12-14 2024-12-03 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures for threshold voltage control
CN114639631A (zh) 2020-12-16 2022-06-17 Asm Ip私人控股有限公司 跳动和摆动测量固定装置
TW202232639A (zh) 2020-12-18 2022-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 具有可旋轉台的晶圓處理設備
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
TW202226899A (zh) 2020-12-22 2022-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 具匹配器的電漿處理裝置
TW202242184A (zh) 2020-12-22 2022-11-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 前驅物膠囊、前驅物容器、氣相沉積總成、及將固態前驅物裝載至前驅物容器中之方法
US12322592B2 (en) * 2021-02-12 2025-06-03 Applied Materials, Inc. Deposition of silicon-based dielectric films
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate
USD1099184S1 (en) 2021-11-29 2025-10-21 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1060598S1 (en) 2021-12-03 2025-02-04 Asm Ip Holding B.V. Split showerhead cover
CN114836730B (zh) * 2021-12-30 2024-01-02 长江存储科技有限责任公司 氧化膜的原子层沉积方法
KR102829807B1 (ko) * 2022-12-28 2025-07-03 에스케이트리켐 주식회사 실리콘 함유 박막 형성용 전구체, 이를 이용한 실리콘 함유 박막 형성 방법 및 상기 실리콘 함유 박막을 포함하는 반도체 소자.
JP2024139936A (ja) 2023-03-28 2024-10-10 東京エレクトロン株式会社 ＳｉＣＮ膜の形成方法及びプラズマ処理装置

Family Cites Families (36)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2907061B2 (ja) 1995-04-05 1999-06-21 信越化学工業株式会社 有機けい素化合物の製造方法
US5660895A (en) 1996-04-24 1997-08-26 Board Of Supervisors Of Louisiana State University And Agricultural And Mechanical College Low-temperature plasma-enhanced chemical vapor deposition of silicon oxide films and fluorinated silicon oxide films using disilane as a silicon precursor
JP4061440B2 (ja) 1997-11-14 2008-03-19 信越化学工業株式会社 オリゴシラニルエノールエーテル誘導体の製造方法
JP2000195801A (ja) 1998-12-24 2000-07-14 Fujitsu Ltd 半導体装置の製造方法
US6399208B1 (en) * 1999-10-07 2002-06-04 Advanced Technology Materials Inc. Source reagent composition and method for chemical vapor deposition formation or ZR/HF silicate gate dielectric thin films
US6837251B1 (en) 2000-06-21 2005-01-04 Air Products And Chemicals, Inc. Multiple contents container assembly for ultrapure solvent purging
US6526824B2 (en) 2001-06-07 2003-03-04 Air Products And Chemicals, Inc. High purity chemical container with external level sensor and liquid sump
JP4116283B2 (ja) 2001-11-30 2008-07-09 レール・リキード−ソシエテ・アノニム・プール・レテュード・エ・レクスプロワタシオン・デ・プロセデ・ジョルジュ・クロード ヘキサキス（モノヒドロカルビルアミノ）ジシランおよびその製造方法
JP4021653B2 (ja) * 2001-11-30 2007-12-12 レール・リキード−ソシエテ・アノニム・プール・レテュード・エ・レクスプロワタシオン・デ・プロセデ・ジョルジュ・クロード Ｃｖｄ法によるシリコン窒化物膜またはシリコンオキシ窒化物膜の製造方法
US7384471B2 (en) * 2002-04-17 2008-06-10 Air Products And Chemicals, Inc. Porogens, porogenated precursors and methods for using the same to provide porous organosilica glass films with low dielectric constants
KR100468729B1 (ko) 2002-04-25 2005-01-29 삼성전자주식회사 Ｈｃｄ 소스를 이용하여 실리콘 산화막을 원자층 증착하는방법
US7446217B2 (en) 2002-11-14 2008-11-04 Advanced Technology Materials, Inc. Composition and method for low temperature deposition of silicon-containing films
US7531679B2 (en) 2002-11-14 2009-05-12 Advanced Technology Materials, Inc. Composition and method for low temperature deposition of silicon-containing films such as films including silicon nitride, silicon dioxide and/or silicon-oxynitride
US7365029B2 (en) 2002-12-20 2008-04-29 Applied Materials, Inc. Method for silicon nitride chemical vapor deposition
JP4265409B2 (ja) * 2003-02-13 2009-05-20 三菱マテリアル株式会社 Ｓｉ−Ｓｉ結合を有する有機Ｓｉ含有化合物を用いたＳｉ含有薄膜の形成方法
US7345000B2 (en) 2003-10-10 2008-03-18 Tokyo Electron Limited Method and system for treating a dielectric film
US7601860B2 (en) * 2003-10-10 2009-10-13 Advanced Technology Materials, Inc. Composition and method for low temperature chemical vapor deposition of silicon-containing films including silicon carbonitride and silicon oxycarbonitride films
US20050227017A1 (en) 2003-10-31 2005-10-13 Yoshihide Senzaki Low temperature deposition of silicon nitride
JP2006096675A (ja) 2004-09-28 2006-04-13 L'air Liquide Sa Pour L'etude & L'exploitation Des Procede S Georges Claude 新規なアミノジシランおよび炭窒化珪素膜の形成方法
US7332618B2 (en) 2004-09-28 2008-02-19 Praxair Technology, Inc. Organometallic precursor compounds
US7514119B2 (en) 2005-04-29 2009-04-07 Linde, Inc. Method and apparatus for using solution based precursors for atomic layer deposition
CN101443338A (zh) 2006-04-03 2009-05-27 乔治洛德方法研究和开发液化空气有限公司 含五(二甲基氨基)二硅烷前体的化合物及其制备方法
CN1834288A (zh) * 2006-04-07 2006-09-20 中国科学院上海硅酸盐研究所 一种低温化学气相沉积制备氮化硅薄膜的方法
JP4820232B2 (ja) * 2006-08-08 2011-11-24 積水化学工業株式会社 Ｃｖｄ原料の供給方法及び供給装置
US7442822B2 (en) 2006-09-01 2008-10-28 Air Products And Chemicals, Inc. Stabilization of nitrogen-containing and oxygen-containing organosilanes using weakly basic ion-exchange resins
KR101593352B1 (ko) * 2007-06-28 2016-02-15 인티그리스, 인코포레이티드 이산화규소 간극 충전용 전구체
KR20090068179A (ko) 2007-12-21 2009-06-25 에이에스엠 인터내셔널 엔.브이. 실리콘 이산화물을 포함하는 박막의 제조 방법
US20100290945A1 (en) * 2009-05-13 2010-11-18 Ce Ma Solution based zirconium precursors for atomic layer deposition
US8367866B2 (en) * 2010-03-19 2013-02-05 United Technologies Corporation Single-source precursor and methods therefor
US8912353B2 (en) 2010-06-02 2014-12-16 Air Products And Chemicals, Inc. Organoaminosilane precursors and methods for depositing films comprising same
JP5689398B2 (ja) 2010-12-21 2015-03-25 東京エレクトロン株式会社 窒化シリコン膜の成膜方法及び成膜装置
JP5793398B2 (ja) 2011-10-28 2015-10-14 東京エレクトロン株式会社 シード層の形成方法及びシリコン含有薄膜の成膜方法
JP5829196B2 (ja) 2011-10-28 2015-12-09 東京エレクトロン株式会社 シリコン酸化物膜の成膜方法
JP5947710B2 (ja) 2012-12-27 2016-07-06 東京エレクトロン株式会社 シード層の形成方法、シリコン膜の成膜方法および成膜装置
JP6082712B2 (ja) 2013-07-31 2017-02-15 東京エレクトロン株式会社 シリコン膜の成膜方法および薄膜の成膜方法
CN105849221B (zh) 2013-09-27 2019-06-18 乔治洛德方法研究和开发液化空气有限公司 胺取代的三甲硅烷基胺和三-二甲硅烷基胺化合物

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