KR100828250B1 - 전자 사진 감광체, 전자 사진 감광체의 제조 방법,프로세스 카트리지 및 전자 사진 장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은, 클리닝 블레이드의 주름 무늬 또는 외전의 문제점, 또는 접찰 메모리의 문제점이 발생하기 어려운 전자 사진 감광체, 및 상기 전자 사진 감광체를 갖는 프로세스 카트리지 및 전자 사진 장치를 제공한다. 본 발명의 전자 사진 감광체는, 전자 사진 감광체의 주위면이 딤플 형상의 오목부를 복수개 갖고, 전자 사진 감광체 주위면의 주위 방향으로 소인하여 측정한 십점 평균 조도 Rzjis (A)가 0.3 내지 2.5 ㎛이고, 전자 사진 감광체 주위면의 모선 방향으로 소인하여 측정한 십점 평균 조도 Rzjis (B)가 0.3 내지 2.5 ㎛이고, 전자 사진 감광체 주위면의 주위 방향으로 소인하여 측정한 요철의 평균 간격 RSm (C)가 5 내지 120 ㎛이고, 전자 사진 감광체 주위면의 모선 방향으로 소인하여 측정한 요철의 평균 간격 RSm (D)가 5 내지 120 ㎛이고, 요철의 평균 간격 RSm (D)의 요철의 평균 간격 RSm (C)에 대한 비의 값 (D/C)가 0.5 내지 1.5이다.
전자 사진 감광체, 프로세스 카트리지, 전자 사진 장치, 클리닝 블레이드, 접찰 메모리

Description

전자 사진 감광체, 전자 사진 감광체의 제조 방법, 프로세스 카트리지 및 전자 사진 장치 {ELECTROPHOTOGRAPHY PHOTOSENSITIVE BODY, METHOD FOR PRODUCING ELECTROPHOTOGRAPHY PHOTOSENSITIVE BODY, PROCESS CARTRIDGE AND ELECTROPHOTOGRAPH}
본 발명은 전자 사진 감광체, 전자 사진 감광체의 제조 방법, 전자 사진 감광체를 갖는 프로세스 카트리지 및 전자 사진 장치에 관한 것이다.
전자 사진 감광체로서는, 저가격 및 고생산성 등의 이점으로부터, 광 도전성 물질(전하 발생 물질 또는 전하 수송 물질)로서 유기 재료를 사용한 감광층(유기 감광층)을 원통형 지지체 위에 설치하여 이루어지는 전자 사진 감광체, 소위 유기 전자 사진 감광체가 보급되어 있다. 유기 전자 사진 감광체로서는, 고감도 및 고내구성 등의 이점으로부터, 광 도전성 염료 또는 광 도전성 안료 등의 전하 발생 물질을 함유하는 전하 발생층과 광 도전성 중합체 또는 광 도전성 저분자 화합물 등의 전하 수송 물질을 함유하는 전하 수송층을 적층하여 이루어지는 감광층, 소위 적층형 감광층을 갖는 전자 사진 감광체가 주류를 이루고 있다.
또한, 전자 사진 감광체로서는, 원통형 지지체 위에 감광층을 설치하여 이루어지는 원통형인 것이 일반적이다.
전자 사진 감광체의 주위면(표면)에는, 대전(일차 대전), 노광(화상 노광), 토너에 의한 현상, 종이 등의 전사재에 대한 전사, 전사 잔여 토너의 클리닝 등의 전기적 외력 및(또는) 기계적 외력이 직접 가해지기 때문에, 전자 사진 감광체에는 이들의 외력에 대한 내구성도 요구된다. 구체적으로는 이들의 외력에 의한 표면의 손상 또는 마모의 발생에 대한 내구성, 즉 내상성 및 내마모성 등이 요구된다.
유기 전자 사진 감광체 주위면의 내상성 또는 내마모성을 향상시키는 기술로서, 예를 들면 일본 특허 공개 (평)02-127652호 공보에는, 결착 수지로서 경화성 수지를 사용한 경화층을 표면층(전자 사진 감광체의 최외측 표면에 위치하는 층, 바꾸어 말하면 지지체로부터 가장 이격된 위치에 있는 층)으로 한 전자 사진 감광체가 개시되어 있다.
또한, 일본 특허 공개 (평)05-216249호 공보 또는 일본 특허 공개 (평)07-072640호 공보에는, 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 단량체와 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 전하 수송성 단량체를 열 또는 빛 에너지에 의해 경화 중합시킴으로써 형성되는 전하 수송성 경화층을 표면층으로 한 전자 사진 감광체가 개시되어 있다.
또한, 일본 특허 공개 제2000-066424호 공보 또는 일본 특허 공개 제2000-066425호 공보에는, 동일한 분자 내에 연쇄 중합성 관능기를 갖는 정공 수송성 화합물을 전자선의 에너지에 의해 경화 중합시킴으로써 형성되는 전하 수송성 경화층을 표면층으로 한 전자 사진 감광체가 개시되어 있다.
이와 같이, 최근 유기 전자 사진 감광체 주위면의 내상성 또는 내마모성을 향상시키는 기술로서, 전자 사진 감광체의 표면층을 경화층으로 함으로써 표면층의 기계적 강도를 높이는 기술이 확립되어 있다.
또한, 전자 사진 감광체는 상술한 바와 같이, 대전 공정-노광 공정-현상 공정-전사 공정-클리닝 공정을 포함하는 전자 사진 화상 형성 공정에 사용된다.
전자 사진 화상 형성 공정 중, 전사 공정 후에 전자 사진 감광체에 잔류하는 토너, 소위 전사 잔여 토너를 제거함으로써 상기 전자 사진 감광체의 주위면을 클리닝하는 클리닝 공정은, 선명한 화상을 얻기 위한 중요한 공정이다.
클리닝 방법으로서는, 클리닝 블레이드를 전자 사진 감광체에 접촉시켜 상기 클리닝 블레이드와 상기 전자 사진 감광체 사이의 간극을 없애고, 토너의 탈락을 방지함으로써, 전사 잔여 토너를 스크래치하는 방법이 비용 및 설계의 용이성 등의 이점이 있기 때문에 주류를 이루고 있다.
특히, 풀컬러의 화상 형성을 행하는 경우, 마젠타, 시안, 옐로우 및 블랙 등의 복수 색깔의 토너를 중첩시킴으로써 원하는 색을 재현하기 때문에, 토너의 사용량이 모노크롬의 화상 형성의 경우보다 더욱 많고, 그 때문에 클리닝 블레이드를 사용하는 클리닝 방법은 최적이다.
그러나, 클리닝 블레이드를 사용하는 클리닝 방법은 클리닝 블레이드와 전자 사진 감광체의 마찰력이 크기 때문에, 클리닝 블레이드의 주름 무늬(chatter mark) 또는 외전(外轉)이 발생하기 쉬워진다는 결점이 있었다. 여기서, 클리닝 블레이드의 주름 무늬란, 클리닝 블레이드와 전자 사진 감광체 주위면의 마찰 저항이 커짐으로써 클리닝 블레이드가 진동하는 현상이며, 클리닝 블레이드의 외전이란, 전자 사진 감광체의 이동 방향으로 클리닝 블레이드가 반전되는 현상이다.
이러한 클리닝 블레이드의 문제점은, 전자 사진 감광체의 표면층의 기계적 강도가 높아질수록, 즉 전자 사진 감광체의 주위면이 마모되기 어려워질수록 현저해진다.
또한, 유기 전자 사진 감광체의 표면층은 일반적으로 침지 도포법에 의해 형성되는 것이 많지만, 침지 도포법에 의해 형성된 표면층의 표면, 즉 전자 사진 감광체의 주위면은 매우 평활해지기 때문에, 클리닝 블레이드와 전자 사진 감광체 주위면의 접촉 면적이 커지고, 클리닝 블레이드와 전자 사진 감광체 주위면의 마찰 저항이 증대되어 상기 문제점이 현저해진다.
클리닝 블레이드의 주름 무늬 또는 외전을 극복하는 방법 중 하나로서, 전자 사진 감광체의 주위면을 적절하게 조면화하는 방법이 알려져 있다.
전자 사진 감광체의 주위면을 조면화하는 기술로서, 예를 들면 일본 특허 공개 (소)53-092133호 공보에는, 전자 사진 감광체의 주위면으로부터 전사재의 분리를 용이하게 하기 위해, 전자 사진 감광체의 표면 조도(주위면의 조도)를 규정된 범위 내로 하는 기술이 개시되어 있다. 일본 특허 공개 (소)53-092133호 공보에는, 표면층을 형성할 때의 건조 조건을 제어함으로써, 전자 사진 감광체의 주위면을 유자 껍질 형상으로 조면화하는 방법이 개시되어 있다.
또한, 일본 특허 공개 (소)52-026226호 공보에는, 표면층에 입자를 함유시킴으로써, 전자 사진 감광체의 주위면을 조면화하는 기술이 개시되어 있다.
또한, 일본 특허 공개 (소)57-094772호 공보에는, 금속제의 와이어 브러시를 사용하여 표면층의 표면을 연마함으로써, 전자 사진 감광체의 주위면을 조면화하는 기술이 개시되어 있다.
또한, 일본 특허 공개 (평)01-099060호 공보에는, 특정한 클리닝 수단 및 토너를 사용하여, 특정한 공정 속도 이상의 전자 사진 장치에서 사용한 경우 문제점이 되는 클리닝 블레이드의 반전(외전) 또는 단부의 결함을 해결하기 위해, 유기 전자 사진 감광체의 주위면을 조면화하는 기술이 개시되어 있다.
또한, 일본 특허 공개 (평)02-139566호 공보에는, 필름형 연마재를 사용하여 표면층의 표면을 연마함으로써, 전자 사진 감광체의 주위면을 조면화하는 기술이 개시되어 있다.
또한, 일본 특허 공개 (평)02-150850호 공보에는, 블라스트 처리에 의해 전자 사진 감광체의 주위면을 조면화하는 기술이 개시되어 있다. 단, 이와 같이 하여 조면화한 전자 사진 감광체 주위면의 형상은 상세하게는 불분명하다.
그러나, 상기한 종래 기술에서는, 상술한 클리닝 블레이드의 주름 무늬 또는 외전의 문제점을 충분하게 해결할 수 없었다.
또한, 전자 사진 감광체 주위면의 마찰이 큰 경우, 대전 및 노광이 없는 전회전을 행했을 때 접찰(摺擦) 메모리의 문제점도 발생하기 쉬워지지만, 상기한 종래 기술에서는 이 문제점도 충분하게 해결할 수 없었다.
본 발명의 목적은 상술한 클리닝 블레이드의 주름 무늬 또는 외전의 문제점, 또는 접찰 메모리의 문제점이 발생하기 어려운 전자 사진 감광체, 상기 전자 사진 감광체의 제조 방법, 및 상기 전자 사진 감광체를 갖는 프로세스 카트리지 및 전자 사진 장치를 제공하는 것에 있다.
본 발명자들은 예의 검토한 결과, 전자 사진 감광체의 주위면에 딤플 형상의 오목부를 가질 뿐만 아니라 특정한 표면 조도로 하면, 상술한 문제점을 효과적으로 개선할 수 있는 것을 발견하여 본 발명에 이르렀다.
즉, 본 발명은 원통형 지지체 및 상기 원통형 지지체 위에 설치된 유기 감광층을 갖는 원통형의 전자 사진 감광체에서,
상기 전자 사진 감광체의 주위면이 딤플 형상의 오목부를 복수개 갖고, 상기 전자 사진 감광체 주위면의 주위 방향으로 소인(掃引)하여 측정한 십점 평균 조도 Rzjis (A)가 0.3 내지 2.5 ㎛이고, 상기 전자 사진 감광체 주위면의 모선 방향으로 소인하여 측정한 십점 평균 조도 Rzjis (B)가 0.3 내지 2.5 ㎛이고, 상기 전자 사진 감광체 주위면의 주위 방향으로 소인하여 측정한 요철의 평균 간격 RSm (C)가 5 내지 120 ㎛이고, 상기 전자 사진 감광체 주위면의 모선 방향으로 소인하여 측정한 요철의 평균 간격 RSm (D)가 5 내지 120 ㎛이고, 상기 요철의 평균 간격 RSm (D)의 상기 요철의 평균 간격 RSm (C)에 대한 비의 값 (D/C)가 0.5 내지 1.5인 것을 특징으로 하는 전자 사진 감광체이다.
또한, 본 발명은 상기 전자 사진 감광체의 제조 방법이며, 상기 전자 사진 감광체의 표면층을 형성하는 표면층 형성 공정과, 상기 표면층의 표면을 건식 블라스트 처리 또는 습식 호닝 처리함으로써, 상기 표면층의 표면에 딤플 형상의 오목부를 형성하는 오목부 형성 공정을 갖는 것을 특징으로 하는 전자 사진 감광체의 제조 방법이다.
또한, 본 발명은 상기 전자 사진 감광체 또는 상기 제조 방법에 의해 제조된 전자 사진 감광체와, 대전 수단, 현상 수단 및 클리닝 수단을 포함하는 군으로부터 선택되는 1개 이상의 수단을 일체형으로 지지하여, 전자 사진 장치 본체에 대해 착탈이 자유로운 것을 특징으로 하는 프로세스 카트리지이다.
또한, 본 발명은 상기 전자 사진 감광체 또는 상기 제조 방법에 의해 제조된 전자 사진 감광체, 및 대전 수단, 노광 수단, 현상 수단, 전사 수단 및 클리닝 수단을 갖는 것을 특징으로 하는 전자 사진 장치이다.
본 발명에 따르면, 상술한 클리닝 블레이드의 주름 무늬 또는 외전의 문제점, 또는 접찰 메모리의 문제점이 발생하기 어려운 전자 사진 감광체, 및 상기 전자 사진 감광체를 갖는 프로세스 카트리지 및 전자 사진 장치를 제공할 수 있다.
도 1은 건식 블라스트 처리 장치의 예를 나타내는 도면이다.
도 2는 피셔스코프 H100V(피셔사 제조)의 출력 차트의 개략도를 나타낸 도면이다.
도 3은 피셔스코프 H100V(피셔사 제조)의 출력 차트의 일례를 나타낸 도면이다.
도 4A, 4B, 4C, 4D, 4E, 4F, 4G, 4H 및 4I는 본 발명의 전자 사진 감광체의 층 구성의 예를 나타내는 도면이다.
도 5는 본 발명의 전자 사진 감광체를 갖는 프로세스 카트리지를 구비한 전자 사진 장치의 개략적 구성의 일례를 나타낸 도면이다.
도 6은 본 발명의 전자 사진 감광체 주위면의 확대도(일례)이다.
<발명을 실시하기 위한 최선의 형태>
본 발명의 전자 사진 감광체는, 주위면에 딤플 형상의 오목부를 복수개 갖는 전자 사진 감광체(유기 전자 사진 감광체)이다.
딤플 형상의 오목부의 합계 면적은, 딤플 형상의 오목부가 아닌 부분(조면화하기 전의 기준면 상태인 부분)의 합계 면적보다 큰 것이 바람직하다.
또한, 딤플 형상의 오목부는 각각 고립되어 존재하는 것이 바람직하며, 특히 딤플 형상의 오목부가 전자 사진 감광체의 주위 방향 또는 모선 방향(회전축 방향)으로 연속되어 줄무늬형으로 되어 있지 않은 것이 바람직하다. 줄무늬형으로 되어 있으면, 대전 생성물 등의 저저항 물질이 그의 줄무늬형 부분에 축적되어, 고온 고습 환경하에 장기간 사용했을 때, 줄무늬형의 화상 결함이 발생하기 쉬워진다. 또한, 이 줄무늬형의 화상 결함은 전자 사진 감광체 주위면의 탄성 변형률이 커질수록, 구체적으로는 전자 사진 감광체 주위면의 탄성 변형률이 바람직하게는 40 ％ 이상, 보다 바람직하게는 45 ％ 이상, 더욱 바람직하게는 50 ％ 이상이 되면 특히 현저해진다.
또한, 전자 사진 감광체의 주위면이 지나치게 평활하면, 클리닝 블레이드와의 접찰 저항이 커져 클리닝 블레이드의 주름 무늬 또는 외전이 발생하거나, 접찰 메모리가 발생하거나, 전자 사진 감광체의 주위면에 축적된 대전 생성물이 주위면에 연장되어 잔류함으로써, 정전 잠상의 번짐 및 출력 화상의 불선명이 발생하는 경우가 있다.
이 문제점을 해결하기 위한 방법으로서, 본 발명의 전자 사진 감광체와 같이 주위면에 딤플 형상의 오목부를 복수개 갖게 하는 것이 효과적이다. 대전 생성물이 전자 사진 감광체의 주위면에 부착하여도, 오목부가 특정한 방향으로 넓어지고 있지 않기 때문에(오목부가 줄무늬형이 아니고 딤플 형상이기 때문에), 정전 잠상이 번지는 통로가 작아, 정전 잠상이 번지기 어렵다.
또한, 딤플 형상의 오목부 중에서 최장 직경이 1 내지 50 ㎛의 범위이며, 깊이가 0.1 내지 2.5 ㎛의 범위인 딤플 형상의 오목부의 개수는, 전자 사진 감광체 주위면의 10000 ㎛2(100 ㎛×100 ㎛)당 5 내지 50개인 것이 바람직하고, 5 내지 40개인 것이 보다 바람직하다.
또한, 딤플 형상의 오목부 중에서 최장 직경이 1 내지 50 ㎛의 범위이며, 깊이가 0.1 내지 2.5 ㎛의 범위인 딤플 형상의 오목부의 합계 면적은, 전자 사진 감광체의 주위면 전체의 면적에 대하여 3 내지 60 ％(딤플 형상의 오목부의 면적률)인 것이 바람직하며, 3 내지 50 ％인 것이 보다 바람직하다.
딤플 형상의 오목부의 개수가 지나치게 많거나, 지나치게 적어도, 또한 면적률이 지나치게 크거나, 지나치게 작아도 본 발명의 효과를 얻기 어려워진다.
또한, 딤플 형상의 오목부 중에서 최장 직경이 1 내지 50 ㎛의 범위이며, 깊이가 0.1 내지 2.5 ㎛의 범위인 딤플 형상의 오목부의 평균 종횡비는, 0.50 내지 0.95인 것이 바람직하다.
딤플 형상의 오목부의 평균 종횡비가 지나치게 작으면, 고온 고습 환경하에 사용한 경우, 화상 번짐이 발생하는 경우가 있다.
본 발명에서, 전자 사진 감광체 주위면의 딤플 형상의 오목부의 측정은, (주) 료까 시스템제의 표면 형상 측정 시스템 서페이스 익스플로러 SX-520DR형기를 사용하여, 이하와 같이 하여 행하였다.
우선, 측정 대상의 전자 사진 감광체를 워크(work) 보관대에 설치하고, 틸트 조정하여 수평을 맞추고, 웨이브 모드로 전자 사진 감광체 주위면의 3차원 형상 데이터를 저장하였다. 이때, 대물 렌즈의 배율을 50배로 하고, 100 ㎛×100 ㎛(10000 ㎛2)의 시야 관찰로 하였다.
이어서, 데이터 해석 소프트 중의 입자 해석 프로그램을 이용하여 전자 사진 감광체 주위면의 등고선 데이터를 표시하였다.
오목부의 딤플 형상 또는 면적 등을 구할 때의 구멍 해석 매개 변수는, 최장 직경 상한을 50 ㎛, 최장 직경 하한을 1 ㎛, 깊이 하한을 0.1 ㎛, 부피 하한을 1 ㎛3 이상으로 하였다. 그리고, 해석 화면 위의 딤플 형상으로 판별할 수 있는 오목부의 개수를 카운트하여, 이것을 딤플 형상의 오목부의 개수로 하였다. 관찰은 100 ㎛×100 ㎛(10000 ㎛2)의 시야로 행하였다.
또한, 상기와 동일한 시야 및 해석 조건으로, 상기 입자 해석 프로그램을 이용하여 구해지는 각 딤플 형상의 오목부 면적의 합계로부터 딤플 형상의 오목부의 합계 면적을 산출하고, "(딤플 형상의 오목부의 합계 면적/총 면적)×100[％]"로부 터 딤플 형상의 오목부의 면적률을 산출하였다. 또한, 총 면적은 10000 ㎛2(100 ㎛×100 ㎛)으로 하였다.
또한, 상기와 동일한 시야 및 해석 조건으로, 식별할 수 있는 각 딤플 형상의 오목부의 종횡비의 평균값을 산출하고, 이것을 딤플 형상의 오목부의 평균 종횡비로 하였다.
또한, 본 발명에서 전자 사진 감광체의 주위면에 딤플 형상의 오목부를 복수개 갖게 하는 방법에 제한은 없지만, 상기 방법으로서, 예를 들면 전자 사진 감광체의 표면층을 형성한 후, 표면층의 표면을 건식 블라스트 처리 또는 습식 호닝 처리함으로써 표면층의 표면에 딤플 형상의 오목부를 형성하는 방법을 들 수 있다. 특히, 건식 블라스트 처리는, 습도 조건에 민감한 전자 사진 감광체를 물 등의 용매에 접촉시키지 않고 조면화할 수 있기 때문에 바람직하다.
건식 블라스트 처리의 방법으로서는, 예를 들면 압축 공기를 이용하여 입자(연마 입자)를 분사하고, 상기 입자를 표면층의 표면에 충돌시키는 방법이나, 모터를 동력으로 하여 입자(연마 입자)를 분사하여, 상기 입자를 표면층의 표면에 충돌시키는 방법 등을 들 수 있지만, 조면화를 정밀한 제어하에 행하는 것이 가능하며 설비의 간이성의 면에서, 압축 공기를 이용하는 방법이 바람직하다.
건식 블라스트 처리에 사용하는 입자(연마 입자)의 재질로서는, 예를 들면 산화알루미늄, 지르코니아, 탄화규소 및 유리 등의 세라믹, 스테인레스, 철 및 아연 등의 금속, 폴리아미드 수지, 폴리카르보네이트 수지, 에폭시 수지 및 폴리에스 테르 수지 등의 수지를 들 수 있다. 이들 중에서도, 조면화 효율 또는 비용의 관점에서 세라믹이 바람직하며, 산화알루미늄, 지르코니아 및 유리가 보다 바람직하다.
건식 블라스트 처리 장치의 예를 도 1에 도시한다.
도 1에서, 용기(도시되지 않음)에 체류되어 있는 입자(연마 입자)는 경로 (104)로부터 분사 노즐 (101)로 유도되며, 경로 (103)으로부터 도입된 압축 공기를 이용하여 분사 노즐 (101)로부터 분사되어, 워크 지지 부재 (106)에 의해 지지되어 자전하고 있는 원통형의 워크(조면화 전의 원통형의 전자 사진 감광체) (107)에 충돌한다. (105)는 분출된 입자(연마 입자)이다.
이때 분사 노즐 (101)과 워크 (107)의 거리는, 노즐 고정 조정 기구 (102), (109) 또는 암(arm)에 의해 조정되어 결정된다. 분사 노즐 (101)을 지지하는 분사 노즐 지지 부재 (108)이 워크 (107)의 회전축 방향으로 이동함으로써, 분사 노즐 (101)은 워크 (107)의 회전축 방향으로 이동하면서 워크 (107)의 주위면의 조면화 처리를 행한다.
이때, 분사 노즐 (101)과 워크 (107)의 주위면의 최단 거리는 적절한 간격으로 조정할 필요가 있다. 거리가 너무 가깝거나 너무 멀면 가공 효율이 떨어지거나, 원하는 조면화를 행할 수 없는 경우가 있다. 입자(연마 입자)의 분사에 이용하는 압축 공기의 압력도 적절한 압력으로 조정할 필요가 있다.
전자 사진 감광체의 표면층에 표면에 대하여 건식 블라스트 처리를 실시함으로써, 전자 사진 감광체의 주위면에 딤플 형상의 오목부를 복수개 갖게 하는 경우, 건식 블라스트 처리를 실시하기 전의 전자 사진 감광체의 표면층에서 표면의 유니버셜 경도값 (HU)는 150 내지 220 N/㎟의 범위인 것이 바람직하며, 160 내지 200 N/㎟의 범위인 것이 보다 바람직하다. 또한, 건식 블라스트 처리를 실시하기 전의 전자 사진 감광체의 표면층에서 표면의 탄성 변형률은 40 ％ 이상인 것이 바람직하고, 45 ％ 이상인 것이 보다 바람직하고, 50 ％ 이상인 것이 더욱 바람직하고, 65 ％ 이하인 것이 가장 바람직하다.
또한, 원통형 지지체(이하 간단히 "지지체"라고도 함)의 표면 또는 지지체와 표면층 사이의 층의 표면에 대하여 건식 블라스트 처리 등의 조면화 처리를 실시하여도, 주위면에 딤플 형상의 오목부를 복수개 갖는 본 발명의 전자 사진 감광체는 얻어지지 않는다. 즉, 건식 블라스트 처리 등의 조면화 처리에 의해 전자 사진 감광체의 주위면에 딤플 형상의 오목부를 복수개 갖게 하는 경우에는, 표면층의 표면에 대하여 상술한 바와 같은 조면화 처리를 실시하는 것이 바람직하다.
또한, 상술한 바와 같이, 본 발명의 전자 사진 감광체는 그의 주위면에 상기한 딤플 형상의 오목부가 복수개 형성됨으로써, 주위면의 Rzjis (A) 및 Rzjis (B)가 각각 상기에서 특정한 바와 같이 0.3 내지 2.5 ㎛의 범위 내이며, RSm (C) 및 RSm (D)가 각각 상기에서 특정한 바와 같이 5 내지 120 ㎛의 범위 내이고, RSm (D)의 RSm (C)에 대한 비의 값 (D/C)가 상기에서 특정한 바와 같이 0.5 내지 1.5의 범위 내이지만, Rzjis (A) 및 Rzjis (B)는 각각 0.4 내지 2.0 ㎛의 범위 내인 것이 바람직하며, RSm (C) 및 RSm (D)는 각각 10 내지 100 ㎛의 범위 내인 것이 바람직하고, RSm (D)의 RSm (C)에 대한 비의 값 (D/C)는 0.8 내지 1.2의 범위 내인 것이 바람직하다.
Rzjis (A) 및 Rzjis (B)가 지나치게 작으면 본 발명의 효과가 떨어지게 되며, 지나치게 크면 출력 화상에 전자 사진 감광체 주위면의 조도에 기인하는 거칠음이 나타나거나, 클리닝 블레이드로부터의 토너의 탈락이 많아져 클리닝성이 저하되기도 한다.
또한, RSm (C) 및 RSm (D)가 지나치게 작으면 본 발명의 효과가 떨어지게 되며, 지나치게 크면 클리닝 블레이드로부터의 토너의 탈락이 많아져 클리닝성이 저하된다.
또한, RSm (D)의 RSm (C)에 대한 비의 값 (D/C)가 상기 특정한 범위 내인 것은, 딤플 형상의 오목부가 전자 사진 감광체의 주위 방향 또는 모선 방향으로 연속되어 줄무늬형으로 되어 있지 않은 것을 의미한다.
또한, 본 발명에서 전자 사진 감광체 주위면의 볼록부의 높이는 오목부의 깊이보다 작은 것이 바람직하다. 볼록부가 너무 높으면 클리닝 불량이 발생하거나, 클리닝 블레이드에 대한 국소적인 마찰 저항이 증가되어, 특히 장기간 반복하여 사용한 경우, 클리닝 블레이드의 단부가 결손되기도 하는 경우가 있다. 구체적으로는, 전자 사진 감광체 주위면의 최대 피크 높이 Rp (F)는 0.6 ㎛ 이하인 것이 바람직하며, 0.4 ㎛ 이하인 것이 보다 바람직하다. 또한, 전자 사진 감광체 주위면의 최대 밸리 깊이를 Rv (E)로 했을 때, Rv (E)의 Rp (F)에 대한 비의 값 (E/F)는 1.2 이상인 것이 바람직하며, 1.5 이상인 것이 보다 바람직하다.
본 발명에서, Rzjis (A) 및 Rzjis (B), RSm (C) 및 RSm (D), Rv (E) 및 Rp (F)의 측정은, 모두 JIS-B0601-2001을 기준으로 하여 (주) 고사카 겡뀨쇼제의 표면 조도 측정기 서프 코더 SE3500형을 사용하여 행하였다.
본 발명은 주위면이 마모되기 어려운 전자 사진 감광체에 적용했을 때 가장 효과적으로 작용한다. 상술한 바와 같이, 주위면이 마모되기 어려운 전자 사진 감광체는 내구성이 높은 한편, 클리닝 블레이드의 주름 무늬 또는 외전의 문제점, 또는 접찰 메모리의 문제점이 현저해지기 때문이다. 구체적으로, 전자 사진 감광체 주위면의 유니버셜 경도값 (HU)는 150 N/㎟ 이상인 것이 바람직하며, 160 N/㎟ 이상인 것이 보다 바람직하다.
또한, 주위면이 마모되기 어려우며, 손상이 발생하기 어려운 전자 사진 감광체는, 상기한 주위면 형상이 초기부터 반복하여 사용한 후에도 변화가 적고, 장기간 반복하여 사용한 경우에도 초기의 클리닝 특성을 유지할 수 있다.
전자 사진 감광체의 주위면이 마모되기 어려우며, 손상도 발생하기 어렵다는 관점에서, 전자 사진 감광체 주위면의 유니버셜 경도값 (HU)는 220 N/㎟ 이하인 것이 바람직하며, 200 N/㎟ 이하인 것이 보다 바람직하다. 또한, 전자 사진 감광체 주위면의 탄성 변형률은 40 ％ 이상인 것이 바람직하고, 45 ％ 이상인 것이 보다 바람직하고, 50 ％ 이상인 것이 더욱 바람직하고, 한편 전자 사진 감광체 주위면의 탄성 변형률은 65 ％ 이하인 것이 가장 바람직하다.
유니버셜 경도값 (HU)가 지나치게 크거나, 탄성 변형률이 지나치게 작으면, 전자 사진 감광체의 표면의 탄성력이 부족하기 때문에, 전자 사진 감광체의 주위면과 클리닝 블레이드 사이에 끼워진 종이 분말 또는 토너가 전자 사진 감광체의 주 위면을 문지름으로써, 전자 사진 감광체의 표면에 손상이 발생하기 쉬워지며, 이에 따라 마모도 발생하기 쉬워진다. 또한, 유니버셜 경도값 (HU)가 지나치게 크면, 가령 탄성 변형률이 높아도 탄성 변형량은 작아지기 때문에, 결과로서 전자 사진 감광체의 표면의 국부에 큰 압력이 가해지며, 따라서 전자 사진 감광체의 표면에 깊은 손상이 발생하기 쉬워진다.
또한, 유니버셜 경도값 (HU)가 상기한 범위에 있어도 탄성 변형률이 지나치게 작으면, 소성 변형량이 상대적으로 커지기 때문에, 전자 사진 감광체의 표면에 미세한 손상이 발생하기 쉬워지며, 마모도 발생하기 쉬워진다. 이것은 탄성 변형률이 지나치게 작을 뿐만 아니라, 유니버셜 경도값 (HU)도 지나치게 작은 경우 특히 현저해진다.
본 발명에서, 전자 사진 감광체 주위면의 유니버셜 경도값 (HU) 및 탄성 변형률은 25 ℃/50 ％ RH 환경하, 미소 경도 측정 장치 피셔스코프 H100V(피셔사 제조)를 사용하여 측정한 값이다. 이 피셔스코프 H100V는 측정 대상(전자 사진 감광체의 주위면)에 압자를 접촉하고, 이 압자에 연속적으로 하중을 가하여, 하중하에서의 가압 깊이를 직접 판독함으로써 연속적 경도가 구해지는 장치이다.
본 발명에서는, 압자로서 대면각 136 °의 비커스 사각추 다이아몬드 압자를 사용하여, 전자 사진 감광체의 주위면에 압자를 가압하며, 압자에 연속적으로 가하는 하중의 최종(최종 하중)을 6 mN으로 하고, 압자에 최종 하중 6 mN을 가한 상태를 유지하는 시간(유지 시간)을 0.1초로 하였다. 또한, 측정점은 273점으로 하였다.
피셔스코프 H100V(피셔사 제조)의 출력 차트의 개략도를 도 2에 도시한다. 또한, 본 발명의 전자 사진 감광체를 측정 대상으로 했을 때의 피셔스코프 H100V(피셔사 제조)의 출력 차트의 일례를 도 3에 도시한다. 도 2 및 3 중, 종축은 압자에 가한 하중 F(mN)를, 횡축은 압자의 가압 깊이 h(㎛)를 나타낸다. 도 2는, 압자에 가하는 하중을 단계적으로 증가시켜 하중이 최대가 된 후(A→B), 단계적으로 하중을 감소시켰을 때(B→C)의 결과를 나타내고 있다. 도 3은 압자에 가하는 하중을 단계적으로 증가시켜 최종적으로 하중을 6 mN으로 하고, 그 후 단계적으로 하중을 감소시켰을 때의 결과를 나타내고 있다.
유니버셜 경도값 (HU)는, 압자에 최종 하중 6 mN을 가했을 때의 상기 압자의 가압 깊이로부터 하기 수학식 1에 의해 구할 수 있다. 또한, 하기 수학식 중, HU는 유니버셜 경도(HU)를 의미하며, Ff는 최종 하중을 의미하고, Sf는 최종 하중을 가했을 때의 압자의 가압된 부분의 표면적을 의미하며, hf는 최종 하중을 가했을 때의 압자의 가압 깊이를 의미한다.
Figure 112006069447516-pct00001
또한, 탄성 변형률은 압자가 측정 대상(전자 사진 감광체의 주위면)에 대하여 행한 작업량(에너지), 즉 압자의 측정 대상(전자 사진 감광체의 주위면)에 대한 하중의 증감에 의한 에너지의 변화로부터 구할 수 있다. 구체적으로는, 탄성 변형 작업량 We를 전체 작업량 Wt로 나눈 값 (We/Wt)가 탄성 변형률이다. 또한, 전체 작업량 Wt는 도 2 중의 A-B-D-A로 둘러싸인 영역의 면적이며, 탄성 변형 작업량 We는 도 2 중의 C-B-D-C로 둘러싸인 영역의 면적이다.
전자 사진 감광체 주위면의 내상성 또는 내마모성을 향상시키기 위해서는, 전자 사진 감광체의 표면층을 경화층으로 하는 것이 바람직하며, 예를 들면 전자 사진 감광체의 표면층을 경화성 수지(의 단량체)를 사용하여 형성하거나, 중합성 관능기(연쇄 중합성 관능기 또는 축차 중합성 관능기 등)를 갖는 정공 수송성 화합물(정공 수송성 화합물의 분자의 일부에 중합성 관능기가 화학 결합되어 있는 것)을 사용하여 형성하는 것을 들 수 있다. 전하 수송능을 갖지 않는 경화성 수지를 사용하는 경우에는, 전하 수송 물질을 혼합하여 사용할 수도 있다.
특히, 주위면의 유니버셜 경도값 (HU) 및 탄성 변형률이 상기 범위인 전자 사진 감광체를 얻기 위해서는, 전자 사진 감광체의 표면층을 연쇄 중합성 관능기를 갖는 정공 수송성 화합물을 경화 중합(가교를 수반하는 중합)시킴으로써 형성하는 것, 특히 연쇄 중합성 관능기를 동일한 분자 내에 2개 이상 갖는 정공 수송성 화합물을 경화 중합시킴으로써 형성하는 것이 유효하다. 또한, 축차 중합성 관능기를 갖는 정공 수송성 화합물을 사용하는 경우에는, 상기 화합물로서 축차 중합성 관능기를 동일한 분자 내에 3개 이상 갖는 정공 수송성 화합물이 바람직하다.
이하, 연쇄 중합성 관능기를 갖는 정공 수송성 화합물을 사용하여 전자 사진 감광체의 표면층을 형성하는 방법에 대하여 보다 구체적으로 설명한다. 또한, 축차 중합성 관능기를 갖는 정공 수송성 화합물을 사용하는 경우도 마찬가지이다.
전자 사진 감광체의 표면층은, 연쇄 중합성 관능기를 갖는 정공 수송성 화합물 및 용제를 포함하는 표면층용 도포액을 도포하고, 상기 연쇄 중합성 관능기를 갖는 정공 수송성 화합물을 경화 중합시키며, 도포한 표면층용 도포액을 경화시킴으로써 형성할 수 있다.
표면층용 도포액을 도포할 때는, 예를 들면 침지 도포법(침지 코팅법), 분무 코팅법, 커튼 코팅법 및 스핀 코팅법 등의 도포 방법을 이용할 수 있다. 이들의 도포 방법 중에서도 효율성 또는 생산성의 관점에서, 침지 도포법 및 분무 코팅법이 바람직하다.
연쇄 중합성 관능기를 갖는 정공 수송성 화합물을 경화 중합시키는 방법으로서는, 열, 또는 가시광, 자외선 등의 빛, 또는 전자선 또는 γ선 등의 방사선을 이용하는 방법을 들 수 있다. 필요에 따라 표면층용 도포액에 중합 개시제를 함유시킬 수도 있다.
또한, 연쇄 중합성 관능기를 갖는 정공 수송성 화합물을 경화 중합시키는 방법으로서는, 전자선 또는 γ선 등의 방사선, 특히 전자선을 이용하는 방법이 바람직하다. 방사선에 의한 중합은 중합 개시제를 특별히 필요로 하지 않기 때문이다. 중합 개시제를 사용하지 않고 연쇄 중합성 관능기를 갖는 정공 수송성 화합물을 경화 중합시킴으로써, 매우 고순도인 3차원 매트릭스의 표면층을 형성할 수 있으며, 양호한 전자 사진 특성을 나타내는 전자 사진 감광체를 얻을 수 있다. 또한, 방사선 중에서도 전자선에 의한 중합은, 조사에 의한 전자 사진 감광체에 대한 손상이 매우 적고, 양호한 전자 사진 특성을 발현할 수 있다.
전자선의 조사에 의해 연쇄 중합성 관능기를 갖는 정공 수송성 화합물을 경화 중합시켜, 유니버셜 경도값 (HU) 및 탄성 변형률이 상기 범위에 있는 본 발명의 전자 사진 감광체를 얻기 위해서는, 전자선의 조사 조건을 고려하는 것이 중요하다.
전자선을 조사할 때는 스캐닝형, 일렉트로커튼형, 브로드빔형, 펄스형 및 라미너형 등의 가속기를 사용하여 행할 수 있다. 가속 전압은 250 kV 이하인 것이 바람직하며, 150 kV 이하인 것이 보다 바람직하다. 선량은 1 내지 1000 kGy(0.1 내지 100 Mrad)의 범위인 것이 바람직하며, 5 내지 200 kGy(0.5 내지 20 Mrad)의 범위인 것이 보다 바람직하다. 가속 전압 또는 선량이 지나치게 크면, 전자 사진 감광체의 전기적 특성이 열화되는 경우가 있다. 선량이 지나치게 작으면, 연쇄 중합성 관능기를 갖는 정공 수송성 화합물의 경화 중합이 불충해지며, 따라서 표면층용 도포액의 경화가 불충분해지는 경우가 있다.
또한, 표면층용 도포액의 경화를 촉진시키기 위해서는, 전자선에 의한 연쇄 중합성 관능기를 갖는 정공 수송성 화합물의 경화 중합시에, 피조사체(전자선이 조사되는 것)를 가열하는 것이 바람직하다. 가열하는 시점은 전자선 조사 전, 조사 중, 조사 후 중 어느 한 단계일 수도 있지만, 연쇄 중합성 관능기를 갖는 정공 수송성 화합물의 라디칼이 존재하는 동안 피조사체가 일정한 온도가 되어 있는 것이 바람직하다. 가열은 피조사체의 온도가 실온 내지 250 ℃(보다 바람직하게는 50 내지 150 ℃)가 되도록 행하는 것이 바람직하다. 가열의 온도가 너무 높으면, 전자 사진 감광체의 재료에 열화가 발생하는 경우가 있다. 가열의 온도가 지나치게 낮으면, 가열을 행함으로써 얻어지는 효과가 떨어지게 된다. 가열의 시간은 대략 수초 내지 수십분 정도가 바람직하며, 구체적으로는 2초 내지 30분이 바람직하다.
전자선 조사시 및 피조사체 가열시의 분위기는, 대기 중, 질소 또는 헬륨 등의 불활성 가스 중, 진공 중에서 어느 하나일 수도 있지만, 산소에 의한 라디칼의 실활을 억제할 수 있다는 점에서, 불활성 가스 중 또는 진공 중이 바람직하다.
또한, 전자 사진 감광체의 표면층의 막 두께는, 전자 사진 특성의 관점에서 30 ㎛ 이하인 것이 바람직하고, 20 ㎛ 이하인 것이 보다 바람직하고, 10 ㎛ 이하인 것이 더욱 바람직하고, 7 ㎛ 이하인 것이 가장 바람직하다. 한편, 전자 사진 감광체의 내구성의 관점에서, 0.5 ㎛ 이상인 것이 바람직하고, 1 ㎛ 이상인 것이 보다 바람직하다.
또한 연쇄 중합이란, 고분자물의 생성 반응을 크게 연쇄 중합과 축차 중합으로 나눈 경우의 전자의 중합 반응 형태를 나타내며, 상세하게는 그의 반응 형태가 주로 라디칼 또는 이온 등의 중간체를 경유하여 반응이 진행되는 불포화 중합, 개환 중합 또는 이성화 중합 등을 말한다.
연쇄 중합성 관능기란, 상기 반응 형태가 가능한 관능기를 의미한다. 이하, 응용 범위가 넓은 불포화 중합성 관능기 및 개환 중합성 관능기의 예를 나타낸다.
불포화 중합이란, 라디칼 또는 이온 등에 의해 불포화기, 예를 들면 C=C, C≡C, C=O, C=N 및 C≡N 등이 중합하는 반응이며, 그 중에서도 C=C가 바람직하다. 이하에, 불포화 중합성 관능기의 구체예를 나타낸다.
Figure 112006069447516-pct00002
상기 화학식 중, R1은 수소 원자, 치환 또는 비치환된 알킬기, 치환 또는 비치환된 아릴기 및 치환 또는 비치환된 아랄킬기 등을 나타낸다. 여기서 알킬기로서는 메틸기, 에틸기 및 프로필기 등을 들 수 있다. 아릴기로서는 페닐기, 나프틸기 및 안트릴기 등을 들 수 있다. 아랄킬기로서는 벤질기 및 페네틸기 등을 들 수 있다.
개환 중합이란, 탄소환, 옥소환 또는 질소 헤테로환 등의 변형을 갖는 불안정한 환상 구조가 개환됨과 동시에 중합을 반복하여, 쇄상 고분자를 생성하는 반응이며, 이온이 활성종으로서 작용하는 것이 대부분이다. 이하에, 개환 중합성 관능기의 구체예를 나타낸다.
Figure 112006069447516-pct00003
상기 화학식 중, R2는 수소 원자, 치환 또는 비치환된 알킬기, 치환 또는 비치환된 아릴기 및 치환 또는 비치환된 아랄킬기 등을 나타낸다. 여기서, 알킬기로서는 메틸기, 에틸기 및 프로필기 등을 들 수 있다. 아릴기로서는 페닐기, 나프틸기 및 안트릴기 등을 들 수 있다. 아랄킬기로서는 벤질기 및 페네틸기 등을 들 수 있다.
상기에 예시한 연쇄 중합성 관능기 중에서도, 하기 화학식 1 내지 3으로 표시되는 구조를 갖는 연쇄 중합성 관능기가 바람직하다.
Figure 112006069447516-pct00004
상기 화학식 1 중, E11은 수소 원자, 할로겐 원자, 치환 또는 비치환된 알킬기, 치환 또는 비치환된 아릴기, 치환 또는 비치환된 아랄킬기, 치환 또는 비치환된 알콕시기, 시아노기, 니트로기, -COOR11 또는 -CONR12R13을 나타낸다. W11은 치환 또는 비치환된 알킬렌기, 치환 또는 비치환된 아릴렌기, -CO0-, -O-, -00-, -S- 또는 CONR14-를 나타낸다. R11 내지 R14는 각각 독립적으로 수소 원자, 할로겐 원자, 치환 또는 비치환된 알킬기, 치환 또는 비치환된 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 아랄킬기를 나타낸다. 하부 문자인 X는 0 또는 1을 나타낸다. 여기서, 할로겐 원자로서는 불소 원자, 염소 원자 및 브롬 원자 등을 들 수 있다. 알킬기로서는 메틸기, 에틸기, 프로필기 및 부틸기 등을 들 수 있다. 아릴기로서는 페닐기, 나프틸기, 안트릴기, 피레닐기, 티오페닐기 및 푸릴기 등을 들 수 있다. 아랄킬기로서는 벤질기, 페네틸기, 나프틸메틸기, 푸르푸릴기 및 티에닐기 등을 들 수 있다. 알콕시기로서는 메톡시기, 에톡시기 및 프로폭시기 등을 들 수 있다. 알킬렌기로서는 메틸렌기, 에틸렌기 및 부틸렌기 등을 들 수 있다. 아릴렌기로서는 페닐렌기, 나프틸렌기 및 안트라세닐렌기 등을 들 수 있다.
상기 각 기가 가질 수도 있는 치환기로서는 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원 자 및 요오드 원자 등의 할로겐 원자, 메틸기, 에틸기, 프로필기 및 부틸기 등의 알킬기, 페닐기, 나프틸기, 안트릴기 및 피레닐기 등의 아릴기, 벤질기, 페네틸기, 나프틸메틸기, 푸르푸릴기 및 티에닐기 등의 아랄킬기, 메톡시기, 에톡시기 및 프로폭시기 등의 알콕시기, 페녹시기 및 나프톡시기 등의 아릴옥시기, 니트로기, 시아노기, 수산기 등을 들 수 있다.
Figure 112006069447516-pct00005
상기 화학식 2 중, R21 및 R22는 각각 독립적으로 수소 원자, 치환 또는 비치환된 알킬기, 치환 또는 비치환된 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 아랄킬기를 나타낸다. 하부 문자인 Y는 1 내지 10의 정수를 나타낸다. 여기서, 알킬기로서는 메틸기, 에틸기, 프로필기 및 부틸기 등을 들 수 있다. 아릴기로서는 페닐기 및 나프틸기 등을 들 수 있다. 아랄킬기로서는 벤질기 및 페네틸기 등을 들 수 있다.
상기 각 기가 가질 수도 있는 치환기로서는 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자 및 요오드 원자 등의 할로겐 원자, 메틸기, 에틸기, 프로필기 및 부틸기 등의 알킬기, 페닐기, 나프틸기, 안트릴기 및 피레닐기 등의 아릴기, 벤질기, 페네틸기, 나프틸메틸기, 푸르푸릴기 및 티에닐기 등의 아랄킬기, 메톡시기, 에톡시기 및 프로폭시기 등의 알콕시기, 페녹시기 및 나프톡시기 등의 아릴옥시기 등을 들 수 있 다.
Figure 112006069447516-pct00006
상기 화학식 3 중, R31 및 R32는 각각 독립적으로 수소 원자, 치환 또는 비치환된 알킬기, 치환 또는 비치환된 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 아랄킬기를 나타낸다. 하부 문자인 Z는 0 내지 10의 정수를 나타낸다. 여기서, 알킬기로서는 메틸기, 에틸기, 프로필기 및 부틸기 등을 들 수 있다. 아릴기로서는 페닐기 및 나프틸기 등을 들 수 있다. 아랄킬기로서는 벤질기 및 페네틸기 등을 들 수 있다.
상기 각 기가 가질 수도 있는 치환기로서는 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자 및 요오드 원자 등의 할로겐 원자, 메틸기, 에틸기, 프로필기 및 부틸기 등의 알킬기, 페닐기, 나프틸기, 안트릴기 및 피레닐기 등의 아릴기, 벤질기, 페네틸기, 나프틸메틸기, 푸르푸릴기 및 티에닐기 등의 아랄킬기, 메톡시기, 에톡시기 및 프로폭시기 등의 알콕시기, 페녹시기 및 나프톡시기 등의 아릴옥시기 등을 들 수 있다.
상기 화학식 1 내지 3으로 표시되는 구조를 갖는 연쇄 중합성 관능기 중에서도, 하기 화학식 P-1 내지 P-11로 표시되는 구조를 갖는 연쇄 중합성 관능기가 보다 바람직하다.
Figure 112006069447516-pct00007
상기 화학식 P-1 내지 P-11로 표시되는 구조를 갖는 연쇄 중합성 관능기 중에서도, 상기 화학식 P-1로 표시되는 구조를 갖는 연쇄 중합성 관능기, 즉 아크릴로일옥시기, 상기 화학식 P-2로 표시되는 구조를 갖는 연쇄 중합성 관능기, 즉 메타크릴로일옥시기가 보다 바람직하다.
본 발명에서는, 상기한 연쇄 중합성 관능기를 갖는 정공 수송성 화합물 중에서도, 연쇄 중합성 관능기를 (동일한 분자 내에) 2개 이상 갖는 정공 수송성 화합물이 바람직하다. 이하에 연쇄 중합성 관능기를 2개 이상 갖는 정공 수송성 화합물의 구체예를 나타낸다.
Figure 112006069447516-pct00008
상기 화학식 4 중, P41 및 P42는 각각 독립적으로 연쇄 중합성 관능기를 나타낸다. R41은 2가의 기를 나타낸다. A41은 정공 수송성기를 나타낸다. 하부 문자인 a, b, d는 각각 독립적으로 0 이상의 정수를 나타낸다. 단, a+b×d는 2 이상이다. 또한, a가 2 이상인 경우에는, a개의 P41은 동일하거나 상이할 수 있으며, b가 2 이상인 경우에는, b개의 [R41-(P42)d]는 동일하거나 상이할 수 있고, d가 2 이상인 경우에는, d개의 P42는 동일하거나 상이할 수 있다.
상기 화학식 4 중의 (P41)a 및 [R41-(P42)d]b를 모두 수소 원자로 치환한 것을 예시하면, 옥사졸 유도체, 옥사디아졸 유도체, 이미다졸 유도체, 트리아릴아민 유도체(트리페닐아민 등), 9-(p-디에틸아미노스티릴)안트라센, 1,1-비스-(4-디벤질아미노페닐)프로판, 스티릴안트라센, 스티릴피라졸린, 페닐히드라존류, 티아졸 유도체, 트리아졸 유도체, 페나진 유도체, 아크리딘 유도체, 벤조푸란 유도체, 벤즈이미다졸 유도체, 티오펜 유도체 및 N-페닐카르바졸 유도체 등을 들 수 있다. 이들(상기 화학식 4 중의 (P41)a 및 [R41-(P42)d]b를 모두 수소 원자로 치환한 것) 중에서도, 하기 화학식 5로 표시되는 구조를 갖는 것이 바람직하다.
Figure 112006069447516-pct00009
상기 화학식 5 중, R51은 치환 또는 비치환된 알킬기, 치환 또는 비치환된 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 아랄킬기를 나타낸다. Ar51 및 Ar52는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 아릴기를 나타낸다. R51, Ar51 및 Ar52는 N(질소 원자)과 직접 결합할 수도 있고, 알킬렌기(메틸기, 에틸기 및 프로필렌기 등), 헤테로 원자(산소 원자 및 황 원자 등) 또는 -CH=CH-를 통해 N(질소 원자)과 결합할 수도 있다. 여기서, 알킬기로서는 탄소 원자수가 1 내지 10인 것이 바람직하며, 메틸기, 에틸기, 프로필기 및 부틸기 등을 들 수 있다. 아릴기로서는 페닐기, 나프틸기, 안트릴기, 페난트릴기, 피레닐기, 티오페닐기, 푸릴기, 피리딜기, 퀴놀릴기, 벤조 퀴놀릴기, 카르바졸릴기, 페노티아지닐기, 벤조푸릴기, 벤조티오페닐기, 디벤조푸릴기 및 디벤조티오페닐기 등을 들 수 있다. 아랄킬기로서는 벤질기, 페네틸기, 나프틸메틸기, 푸르푸릴기 및 티에닐기 등을 들 수 있다. 또한, 상기 화학식 5 중의 R51은 치환 또는 비치환된 아릴기인 것이 바람직하다.
상기 각 기가 가질 수도 있는 치환기로서는 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자 및 요오드 원자 등의 할로겐 원자, 메틸기, 에틸기, 프로필기 및 부틸기 등의 알킬기, 페닐기, 나프틸기, 안트릴기 및 피레닐기 등의 아릴기, 벤질기, 페네틸기, 나프틸메틸기, 푸르푸릴기 및 티에닐기 등의 아랄킬기, 메톡시기, 에톡시기 및 프로폭시기 등의 알콕시기, 페녹시기 및 나프톡시기 등의 아릴옥시기, 디메틸아미노기, 디에틸아미노기, 디벤질아미노기, 디페닐아미노기 및 디(p-톨릴)아미노기 등의 치환 아미노기, 스티릴기 및 나프틸비닐기 등의 아릴비닐기, 니트로기, 시아노기나, 수산기 등을 들 수 있다.
상기 화학식 4 중의 R41의 2가의 기로서는 치환 또는 비치환된 알킬렌기, 치환 또는 비치환된 아릴렌기, -CR411=CR412-(R411 및 R412는 각각 독립적으로 수소 원자, 치환 또는 비치환된 알킬기, 또는 치환 또는 비치환된 아릴기를 나타냄), -CO-, -SO-, -SO2-, 산소 원자 및 황 원자 등, 또는 이들을 조합한 것을 들 수 있다. 이들 중에서도, 하기 화학식 6으로 표시되는 구조를 갖는 2가의 기가 바람직하며, 하기 화학식 7로 표시되는 구조를 갖는 2가의 기가 보다 바람직하다.
Figure 112006069447516-pct00010
Figure 112006069447516-pct00011
상기 화학식 6 중, X61 내지 X63은 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 알킬렌기, -(CR61=CR62)n6-(R61 및 R62는 각각 독립적으로 수소 원자, 치환 또는 비치환된 알킬기, 또는 치환 또는 비치환된 아릴기를 나타냄. 하부 문자인 n6은 1 이상의 정수를 나타냄(바람직하게는 5 이하)), -CO-, -SO-, -SO2-, 산소 원자 또는 황 원자를 나타낸다. Ar61 및 Ar62는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 아릴렌기를 나타낸다. 하부 문자인 p6, q6, r6, s6 및 t6은 각각 독립적으로 0 이상의 정수를 나타낸다(바람직하게는 10 이하, 보다 바람직하게는 5 이하). 단, p6, q6, r6, s6 및 t6 모두가 0인 경우는 없다. 여기서 알킬렌기로서는 탄소 원자수가 1 내지 20, 특히 1 내지 10인 것이 바람직하며, 메틸렌기, 에틸렌기 및 프로필렌기 등을 들 수 있다. 아릴렌기로서는 벤젠, 나프탈렌, 안트라센, 페난트렌, 피렌, 벤조티오펜, 피리딘, 퀴놀린, 벤조퀴놀린, 카르바졸, 페노티아진, 벤조푸란, 벤조티오펜, 디벤조푸란 및 디벤조티오펜 등으로부터 2개의 수소 원자를 가진 2가의 기를 들 수 있다. 알킬기로서는 메틸기, 에틸기 및 프로필기 등을 들 수 있다. 아릴기로서는 페닐기, 나프틸기 및 티오페닐기 등을 들 수 있다.
상기 각 기가 가질 수도 있는 치환기로서는 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자 및 요오드 원자 등의 할로겐 원자, 메틸기, 에틸기, 프로필기 및 부틸기 등의 알킬기, 페닐기, 나프틸기, 안트릴기 및 피레닐기 등의 아릴기, 벤질기, 페네틸기, 나프틸메틸기, 푸르푸릴기 및 티에닐기 등의 아랄킬기, 메톡시기, 에톡시기 및 프로폭시기 등의 알콕시기, 페녹시기 및 나프톡시기 등의 아릴옥시기, 디메틸아미노기, 디에틸아미노기, 디벤질아미노기, 디페닐아미노기 및 디(p-톨릴)아미노기 등의 치환 아미노기, 스티릴기 및 나프틸비닐기 등의 아릴비닐기, 니트로기, 시아노기, 수산기 등을 들 수 있다.
상기 화학식 7 중, X71 및 X72는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 알킬렌기, -(CR71=CR72)n7-(R71 및 R72는 각각 독립적으로 수소 원자, 치환 또는 비치환된 알킬기, 또는 치환 또는 비치환된 아릴기를 나타냄. 하부 문자인 n7은 1 이상의 정수를 나타냄(바람직하게는 5 이하)), -CO- 또는 산소 원자를 나타낸다. Ar71은 치환 또는 비치환된 아릴렌기를 나타낸다. 하부 문자인 p7, q7 및 r7은 각각 독립적으로 0 이상의 정수를 나타낸다(바람직하게는 10 이하, 보다 바람직하게는 5 이하). 단, p7, q7 및 r7 모두가 0인 경우는 없다. 여기서, 알킬렌기로서는 탄소 원자수가 1 내지 20, 특히 1 내지 10인 것이 바람직하며, 메틸렌기, 에틸렌기 및 프로필렌기 등을 들 수 있다. 아릴렌기로서는 벤젠, 나프탈렌, 안트라센, 페난트렌, 피렌, 벤조티오펜, 피리딘, 퀴놀린, 벤조퀴놀린, 카르바졸, 페노티아진, 벤조푸란, 벤조티오펜, 디벤조푸란 및 디벤조티오펜 등으로부터 2개의 수소 원자를 가진 2가의 기를 들 수 있다. 알킬기로서는 메틸기, 에틸기 및 프로필기 등을 들 수 있다. 아릴기로서는 페닐기, 나프틸기 및 티오페닐기 등을 들 수 있다.
상기 각 기가 가질 수도 있는 치환기로서는 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자 및 요오드 원자 등의 할로겐 원자, 메틸기, 에틸기, 프로필기 및 부틸기 등의 알킬기, 페닐기, 나프틸기, 안트릴기 및 피레닐기 등의 아릴기, 벤질기, 페네틸기, 나프틸메틸기, 푸르푸릴기 및 티에닐기 등의 아랄킬기, 메톡시기, 에톡시기 및 프 로폭시기 등의 알콕시기, 페녹시기 및 나프톡시기 등의 아릴옥시기, 디메틸아미노기, 디에틸아미노기, 디벤질아미노기, 디페닐아미노기 및 디(p-톨릴)아미노기 등의 치환 아미노기, 스티릴기 및 나프틸비닐기 등의 아릴비닐기, 니트로기, 시아노기, 수산기 등을 들 수 있다.
이하에 연쇄 중합성 관능기를 2개 이상 갖는 정공 수송성 화합물의 바람직한 예(화합물예)를 든다.
Figure 112006069447516-pct00012
Figure 112006069447516-pct00013
Figure 112006069447516-pct00014
Figure 112006069447516-pct00015
Figure 112006069447516-pct00016
Figure 112006069447516-pct00017
Figure 112006069447516-pct00018
Figure 112006069447516-pct00019
Figure 112006069447516-pct00020
Figure 112006069447516-pct00021
Figure 112006069447516-pct00022
Figure 112006069447516-pct00023
Figure 112006069447516-pct00024
Figure 112006069447516-pct00025
Figure 112006069447516-pct00026
Figure 112006069447516-pct00027
Figure 112006069447516-pct00028
Figure 112006069447516-pct00029
Figure 112006069447516-pct00030
이어서, 본 발명의 전자 사진 감광체에 대하여, 표면층 이외의 층도 포함시켜 더욱 상세히 설명한다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 전자 사진 감광체는 지지체(원통형 지지체) 및 상기 지지체(상기 원통형 지지체) 위에 설치된 유기 감광층(이하 간단히 "감광층"이라고 함)을 갖는 원통형의 전자 사진 감광체이다.
감광층은 전하 수송 물질과 전하 발생 물질을 동일한 층에 함유하는 단층형 감광층일 수도, 전하 발생 물질을 함유하는 전하 발생층과 전하 수송 물질을 함유하는 전하 수송층으로 분리한 적층형(기능 분리형) 감광층일 수도 있지만, 전자 사진 특성의 관점에서는 적층형 감광층이 바람직하다. 또한, 적층형 감광층에는, 지지체측으로부터 전하 발생층, 전하 수송층의 순으로 적층한 순층형 감광층과, 지지체측으로부터 전하 수송층, 전하 발생층의 순으로 적층한 역층형 감광층이 있지만, 전자 사진 특성의 관점에서는 순층형 감광층이 바람직하다. 또한, 전하 발생층을 적층 구조로 할 수도 있으며, 전하 수송층을 적층 구성으로 할 수도 있다.
도 4A 내지 도 4I에 본 발명의 전자 사진 감광체의 층 구성의 예를 나타낸 다.
도 4A에 도시된 층 구성의 전자 사진 감광체는, 지지체 (41) 위에 전하 발생 물질을 함유하는 층(전하 발생층) (441), 전하 수송 물질을 함유하는 층(제1 전하 수송층) (442)가 순서대로 설치되어 있으며, 그 위에 표면층으로서, 연쇄 중합성 관능기를 갖는 정공 수송성 화합물을 중합시킴으로써 형성한 층(제2 전하 수송층) (45)가 설치되어 있다.
또한, 도 4B에 도시된 층 구성의 전자 사진 감광체는, 지지체 (41) 위에 전하 발생 물질과 전하 수송 물질을 함유하는 층 (44)가 설치되어 있으며, 그 위에 표면층으로서, 연쇄 중합성 관능기를 갖는 정공 수송성 화합물을 중합시킴으로써 형성한 층 (45)가 설치되어 있다.
또한, 도 4C에 도시된 층 구성의 전자 사진 감광체는, 지지체 (41) 위에 전하 발생 물질을 함유하는 층(전하 발생층) (441)이 설치되어 있으며, 그 위에 표면층으로서 연쇄 중합성 관능기를 갖는 정공 수송성 화합물을 중합시킴으로써 형성한 층 (45)가 직접 설치되어 있다.
또한, 도 4D 내지 도 4I에 도시된 바와 같이, 지지체 (41)과 전하 발생 물질을 함유하는 층(전하 발생층) (441) 또는 전하 발생 물질과 전하 수송 물질을 함유하는 층 (44) 사이에, 배리어 기능 또는 접착 기능을 갖는 중간층("언더 코팅층"이라고도 함) (43) 또는 간섭 무늬 방지 등을 목적으로 하는 도전층 (42) 등을 설치할 수도 있다.
그 밖에 어떠한 층 구성으로 할 수도 있지만(예를 들면, 연쇄 중합성 관능기 를 갖는 정공 수송성 화합물을 중합시킴으로써 형성한 층은 없어도 관계없지만), 전자 사진 감광체의 표면층을 연쇄 중합성 관능기를 갖는 정공 수송성 화합물을 중합시킴으로써 형성한 층으로 하는 경우에는, 도 4A 내지 도 4I에 도시된 층 구성 중 도 4A, 도 4D 및 도 4G에 도시된 층 구성이 바람직하다.
지지체는 도전성을 나타내는 것(도전성 지지체)일 수 있으며, 예를 들면 철, 구리, 금, 은, 알루미늄, 아연, 티탄, 납, 니켈, 주석, 안티몬 및 인듐 등의 금속제의 지지체를 사용할 수 있다. 또한, 알루미늄, 알루미늄 합금 및 산화인듐-산화주석 합금 등을 진공 증착에 의해 피막 형성한 층을 갖는 상기 금속제 지지체 또는 플라스틱제 지지체를 사용할 수도 있다. 또한, 카본 블랙, 산화주석 입자, 산화티탄 입자 및 은 입자 등의 도전성 입자를 적당한 결착 수지와 함께 플라스틱 또는 종이에 함침한 지지체나, 도전성 결착 수지를 갖는 플라스틱제의 지지체 등을 사용할 수도 있다.
또한, 지지체의 표면에는, 레이저광 등의 산란에 의한 간섭 무늬의 방지 등을 목적으로 하여 절삭 처리, 조면화 처리 및 알루마이트 처리 등을 실시할 수도 있다.
상술한 바와 같이, 지지체와 감광층(전하 발생층 및 전하 수송층) 또는 후술하는 중간층 사이에는, 레이저광 등의 산란에 의한 간섭 무늬의 방지나, 지지체의 손상의 피복을 목적으로 한 도전층을 설치할 수도 있다.
도전층은 카본 블랙, 금속 입자 및 금속 산화물 입자 등의 도전성 입자를 결착 수지에 분산시켜 형성할 수 있다.
도전층의 막 두께는 1 내지 40 ㎛인 것이 바람직하며, 2 내지 20 ㎛인 것이 보다 바람직하다.
또한, 상술한 바와 같이, 지지체 또는 도전층과 감광층(전하 발생층 및 전하 수송층) 사이에는, 배리어 기능 또는 접착 기능을 갖는 중간층을 설치할 수도 있다. 중간층은 감광층의 접착성 개량, 도공성 개량, 지지체로부터의 전하 주입성 개량 및 감광층의 전기적 파괴에 대한 보호 등을 위해 형성된다.
중간층은 주로 폴리에스테르 수지, 폴리우레탄 수지, 폴리아크릴레이트 수지, 폴리에틸렌 수지, 폴리스티렌 수지, 폴리부타디엔 수지, 폴리카르보네이트 수지, 폴리아미드 수지, 폴리프로필렌 수지, 폴리이미드 수지, 페놀 수지, 아크릴 수지, 실리콘 수지, 에폭시 수지, 우레아 수지, 알릴 수지, 알키드 수지, 폴리아미드-이미드 수지, 나일론 수지, 폴리술폰 수지, 폴리알릴에테르 수지, 폴리아세탈 수지 및 부티랄 수지 등의 결착 수지를 사용하여 형성할 수 있다. 또한, 중간층에는 금속, 합금 또는 이들의 산화물, 염류 및 계면활성제 등을 함유시킬 수도 있다.
중간층의 막 두께는 0.05 내지 7 ㎛인 것이 바람직하며, 0.1 내지 2 ㎛인 것이 보다 바람직하다.
본 발명의 전자 사진 감광체에 사용되는 전하 발생 물질로서는, 예를 들면 셀레늄-텔루르, 피릴륨, 티아피릴륨계 염료, 각종 중심 금속 및 각종 결정계(α, β, γ, ε 및 X형 등)를 갖는 프탈로시아닌 안료, 안트론 안료, 디벤즈피렌퀴논 안료, 피란트론 안료, 모노아조, 디스아조 및 트리스아조 등의 아조 안료, 인디고 안료, 퀴나크리돈 안료, 비대칭 퀴노시아닌 안료, 퀴노시아닌 안료 또는 비정질 실 리콘 등을 들 수 있다. 이들의 전하 발생 물질은 1종만 사용할 수도 있으며, 2종 이상 사용할 수도 있다.
본 발명의 전자 사진 감광체에 사용되는 전하 수송 물질로서는, 상기한 연쇄 중합성 관능기를 갖는 정공 수송성 화합물 이외에, 예를 들면 피렌 화합물, N-알킬카르바졸 화합물, 히드라존 화합물, N,N-디알킬아닐린 화합물, 디페닐아민 화합물, 트리페닐아민 화합물, 트리페닐메탄 화합물, 피라졸린 화합물, 스티릴 화합물 및 스틸벤 화합물 등을 들 수 있다.
감광층을 전하 발생층과 전하 수송층으로 기능 분리하는 경우, 전하 발생층은 전하 발생 물질을 결착 수지 및 용제와 함께 분산시킴으로써 얻어지는 전하 발생층용 도포액을 도포하여, 이것을 건조시킴으로써 형성할 수 있다. 분산 방법으로서는 균질화기, 초음파 분산기, 볼밀, 진동 볼밀, 샌드밀, 롤밀, 아트라이터 및 액체 충돌형 고속 분산기 등을 사용한 방법을 들 수 있다. 전하 발생층 중의 전하 발생 물질의 비율은, 결착 수지와 전하 발생 물질의 합계 질량에 대하여 0.1 내지 100 질량％인 것이 바람직하며, 10 내지 80 질량％인 것이 보다 바람직하다. 또한, 전하 발생층 전체 질량에 대해서는 10 내지 100 질량％인 것이 바람직하며, 50 내지 100 질량％인 것이 보다 바람직하다. 또한, 상기 전하 발생 물질을 단독으로 증착법 등에 의해 성막하여, 전하 발생층으로 할 수도 있다.
전하 발생층의 막 두께는 0.001 내지 6 ㎛인 것이 바람직하며, 0.01 내지 2 ㎛인 것이 보다 바람직하다.
감광층을 전하 발생층과 전하 수송층으로 기능 분리하는 경우, 전하 수송층, 특히 전자 사진 감광체의 표면층이 아닌 전하 수송층은, 전하 수송 물질과 결착 수지를 용제에 용해시킴으로써 얻어지는 전하 수송층용 도포액을 도포하여, 이것을 건조시킴으로써 형성할 수 있다. 또한, 상기 전하 수송 물질 중 단독으로 성막성을 갖는 것은, 결착 수지를 사용하지 않고 단독으로 성막하여 전하 수송층으로 할 수도 있다. 전하 수송층 중의 전하 수송 물질의 비율은, 결착 수지와 전하 수송 물질의 합계 질량에 대하여 0.1 내지 100 질량％인 것이 바람직하며, 10 내지 80 ％인 것이 보다 바람직하다. 또한, 전하 수송층 전체 질량에 대해서는 20 내지 100 질량％인 것이 바람직하며, 30 내지 90 질량％인 것이 보다 바람직하다.
전하 수송층, 특히 전자 사진 감광체의 표면층이 아닌 전하 수송층의 막 두께는 5 내지 70 ㎛인 것이 바람직하며, 10 내지 30 ㎛인 것이 보다 바람직하다. 전하 수송층의 막 두께가 지나치게 얇으면 대전능을 유지하기 어려우며, 지나치게 두꺼우면 잔류 전위가 높아지는 경향이 있다.
전하 수송 물질과 전하 발생 물질을 동일한 층에 함유시키는 경우, 상기 층은 상기 전하 발생 물질, 상기 전하 수송 물질을 결착 수지 및 용제와 함께 분산시켜 얻어지는 상기 층용의 도포액을 도포하여 건조함으로써 형성할 수 있다. 또한, 상기 층의 막 두께는 8 내지 40 ㎛인 것이 바람직하며, 12 내지 30 ㎛인 것이 보다 바람직하다. 또한, 상기 층 중의 광 도전성 물질(전하 발생 물질 및 전하 수송 물질)의 비율은 상기 층 전체 질량에 대하여 20 내지 100 질량％인 것이 바람직하며, 30 내지 90 질량％인 것이 보다 바람직하다.
감광층(전하 수송층 및 전하 발생층)에 사용되는 결착 수지로서는, 예를 들 면 아크릴 수지, 알릴 수지, 알키드 수지, 에폭시 수지, 실리콘 수지, 페놀 수지, 부티랄 수지, 벤잘 수지, 폴리아크릴레이트 수지, 폴리아세탈 수지, 폴리아미드-이미드 수지, 폴리아미드 수지, 폴리알릴에테르 수지, 폴리아릴레이트 수지, 폴리이미드 수지, 폴리우레탄 수지, 폴리에스테르 수지, 폴리에틸렌 수지, 폴리카르보네이트 수지, 폴리술폰 수지, 폴리스티렌 수지, 폴리부타디엔 수지, 폴리프로필렌 수지 및 우레아 수지 등을 들 수 있다. 이들은 단독으로, 혼합하여 또는 공중합체로서 1종 또는 2종 이상 사용할 수 있다.
또한, 감광층 위에는 상기 감광층을 보호하는 것을 목적으로 하여, 보호층을 설치할 수도 있다. 보호층의 막 두께는 0.01 내지 10 ㎛인 것이 바람직하며, 0.1 내지 7 ㎛인 것이 보다 바람직하다. 보호층에는 가열 또는 방사선의 조사에 의해 경화 중합되는 경화성 수지 등을 사용하는 것이 바람직하다. 상기 경화성 수지의 수지 단량체로서는, 연쇄 중합성 관능기를 갖는 수지 단량체가 바람직하다. 또한, 보호층에는 금속 및 그의 산화물, 질화물, 염, 합금 및 카본 블랙 등의 도전성 재료를 함유시킬 수도 있다. 금속으로서는 철, 구리, 금, 은, 납, 아연, 니켈, 주석, 알루미늄, 티탄, 안티몬 및 인듐 등을 들 수 있다. 보다 구체적으로는 ITO, TiO2, ZnO, SnO2 및 Al2O3 등을 사용할 수 있다. 도전성 재료는 입자상인 것을 보호층에 분산 함유시키는 것이 바람직하며, 그의 입경은 0.001 내지 5 ㎛인 것이 바람직하고, 0.01 내지 1 ㎛인 것이 바람직하다. 보호층 중의 도전성 재료의 비율은 보호층 전체 질량에 대하여 1 내지 70 질량％인 것이 바람직하며, 5 내지 50 질량 ％인 것이 보다 바람직하다. 이들의 분산제로서 티탄 커플링제, 실란 커플링제 및 각종 계면활성 등을 사용할 수도 있다.
또한, 상기한 전자 사진 감광체를 구성하는 각 층에는, 산화 방지제 또는 광 열화 방지제 등을 첨가할 수도 있다. 또한, 전자 사진 감광체의 표면층에는, 전자 사진 감광체 주위면의 윤활성 또는 발수성을 향상시키는 것을 목적으로 하여, 각종 불소 화합물, 실란 화합물 및 금속 산화물 등을 첨가할 수도 있다. 또한, 이들을 입자상으로서 보호층에 분산 함유시킬 수도 있다. 또한, 이들의 분산제로서 계면활성제 등을 사용할 수도 있다. 전자 사진 감광체의 표면층 중의 상기 각종 첨가제의 비율은, 표면층 전체 질량에 대하여 1 내지 70 질량％인 것이 바람직하며, 5 내지 50 질량％인 것이 보다 바람직하다.
본 발명의 전자 사진 감광체의 각 층의 형성 방법에는, 증착법 또는 도포법 등의 각종 방법을 채용하는 것이 가능하지만, 이들 중에서도 도포법이 가장 바람직하다. 도포법은 박막의 층부터 후막의 층까지 다양한 조성의 층을 형성할 수 있다. 구체적으로는 바코터, 나이프코터, 롤코터 및 아트라이터를 사용한 도포법, 침지 도포법, 분무 코팅법, 빔 코팅법, 정전 도포법 또는 분체 도포법 등을 들 수 있다.
도 5에, 본 발명의 전자 사진 감광체를 갖는 프로세스 카트리지를 구비한 전자 사진 장치의 개략 구성의 일례를 나타낸다.
도 5에서, (1)은 원통형의 전자 사진 감광체이며, 축 (2)를 중심으로 화살표 방향으로 소정의 주속도(周速度)로 회전 구동된다.
회전 구동되는 전자 사진 감광체 (1)의 주위면은 대전 수단(일차 대전 수단: 대전 롤러 등) (3)에 의해 양 또는 음의 소정 전위로 균일하게 대전되며, 이어서 슬릿 노광 또는 레이저빔 주사 노광 등의 노광 수단(도시되지 않음)으로부터 출력되는 노광광(화상 노광광) (4)를 받는다. 이렇게 하여 전자 사진 감광체 (1)의 주위면에, 목적한 화상에 대응하는 정전 잠상이 차례로 형성된다.
전자 사진 감광체 (1)의 주위면에 형성된 정전 잠상은, 현상 수단 (5)의 현상제에 포함되는 토너에 의해 현상되어 토너상이 된다. 이어서, 전자 사진 감광체 (1)의 주위면에 형성 담지되어 있는 토너상이 전사 수단(전사 롤러 등) (6)으로부터의 전사 바이어스에 의해, 전사재 공급 수단(도시되지 않음)으로부터 전자 사진 감광체 (1)과 전사 수단 (6) 사이(접촉부)로, 전자 사진 감광체 (1)의 회전과 동시에 추출되어 급송된 전사재(종이 등) (P)에 차례로 전사된다.
토너상의 전사를 받은 전사재 (P)는, 전자 사진 감광체 (1)의 주위면으로부터 분리되어 정착 수단 (8)로 도입되어 상 정착됨으로써, 화상 형성물(인쇄물 및 복사물)로서 장치 밖으로 프린트 아웃된다.
토너상 전사 후의 전자 사진 감광체 (1)의 주위면은, 클리닝 수단(클리닝 블레이드 등) (7)에 의해 전사 잔여 현상제(토너)가 제거되어 청정면화되며, 전 노광 수단(도시되지 않음)으로부터의 전 노광광(도시되지 않음)에 의해 제전 처리된 후, 반복 화상 형성에 사용된다. 또한, 도 5에 도시된 바와 같이, 대전 수단 (3)이 대전 롤러 등을 사용한 접촉 대전 수단인 경우, 전 노광은 반드시 필요하지 않다.
상술한 전자 사진 감광체 (1), 대전 수단 (3), 현상 수단 (5), 전사 수단 (6) 및 클리닝 수단 (7) 등의 구성 요소 중, 복수의 것을 용기에 넣고 프로세스 카트리지로서 일체형으로 결합하여 구성하며, 이 프로세스 카트리지를 복사기 또는 레이저빔 프린터 등의 전자 사진 장치 본체에 대하여 착탈이 자유롭게 구성할 수도 있다. 도 5에서는, 전자 사진 감광체 (1)과 대전 수단 (3), 현상 수단 (5) 및 클리닝 수단 (7)을 일체형으로 지지하여 카트리지화하며, 전자 사진 장치 본체의 레일 등의 안내 수단 (10)을 사용하여 전자 사진 장치 본체에 대하여 착탈이 자유로운 프로세스 카트리지 (9)로 하고 있다.
또한, 클리닝 수단이 클리닝 블레이드를 사용하여 전자 사진 감광체 주위면의 전사 잔여 토너를 클리닝하는 수단인 경우, 클리닝성의 관점에서, 클리닝 블레이드의 전자 사진 감광체의 주위면에 대한 접촉압(선압)은 10 내지 45 g/㎝의 범위가 바람직하며, 클리닝 블레이드의 접촉각은 20 내지 30 °의 범위가 바람직하다.
도 6은 본 발명의 전자 사진 감광체의 주위면을 (주) 료까 시스템제의 표면 형상 측정 시스템 서페이스 익스플로러 SX-520DR형기를 사용하여, 100 ㎛×100 ㎛(10000 ㎛2)의 시야로 관찰하여 얻어진 딤플 형상의 오목부의 상을 처리하고, 최장 직경 1 ㎛ 이상, 깊이 0.1 ㎛ 이상의 오목부의 윤곽 부분만을 보이도록 하여 처리한 화상의 일례이다.
이어서, 본 발명을 실시예에 의해 상세히 설명한다. 단, 본 발명은 이들의 실시예에 한정되지 않는다. 또한, 실시예 중의 "부"는 "질량부"를 의미한다.
(실시예 1)
실시예 1에 사용하는 전자 사진 감광체를 이하와 같이 제조하였다.
우선, JIS A3003 알루미늄 합금을 사용하여, 길이 370 ㎜, 외경 84 ㎜, 두께 3 ㎜의 알루미늄 실린더를 절삭 가공에 의해 제조하였다.
제조한 알루미늄 실린더의 표면(주위면)의 모선 방향으로 소인하여 측정한 십점 평균 조도 Rzjis는 0.08 ㎛였다.
이 알루미늄 실린더를 순수한 물에 세제(상품명: 케미콜CT, 도끼와 가가꾸(주) 제조)를 함유시킨 세정액 중에서 초음파 세정하고, 이어서 세정액을 세척하여 제거한 후, 순수한 물 중에서 초음파 세정을 행하고 탈지 처리하여, 이것을 지지체(원통형 지지체)로 하였다.
이어서, 안티몬을 도핑한 산화주석의 피복막을 갖는 산화티탄 입자(상품명: 크로노스 ECT-62, 티탄 고교(주) 제조) 60부, 산화티탄 입자(상품명: 티톤 SR-1T, 사까이 가가꾸(주) 제조) 60부, 레졸형 페놀 수지(상품명: 페노라이트 J-325, 다이 닛본 잉크 가가꾸 고교(주) 제조, 고형분 70 ％) 70부, 2-메톡시-1-프로판올 50부 및 메탄올 50부를 포함하는 용액을 볼밀 장치로 20 시간 동안 분산함으로써, 도전층용 도포액을 제조하였다. 도전층용 도포액에 함유되는 입자의 평균 입경은 0.25 ㎛였다.
이 도전층용 도포액을 지지체 위에 침지 도포하고, 이것을 48분간, 150 ℃로 조정된 열풍 건조기 중에서 건조 및 경화시킴으로써, 막 두께가 15 ㎛인 도전층을 형성하였다.
이어서, 공중합 나일론 수지(상품명: 아밀란 CM8000, 도레이 (주)제조) 10부 및 메톡시메틸화 나일론 수지(상품명: 트레진 EF30T, 데이고꾸 가가꾸 산교(주) 제조) 30부를 메탄올 500부/부탄올 250부의 혼합 용제에 용해시킴으로써, 중간층용 도포액을 제조하였다.
이 중간층용 도포액을 도전층 위에 침지 도포하여, 이것을 22분간, 100 ℃로 조정된 열풍 건조기 중에서 건조시킴으로써, 막 두께가 0.45 ㎛인 중간층을 형성하였다.
이어서, CuKα 특성 X선 회절에서의 브래그각 2 θ±0.2 °의 7.4 ° 및 28.2 °로 강한 피크를 갖는 히드록시갈륨프탈로시아닌(전하 발생 물질) 4부, 폴리비닐부티랄 수지(상품명: 에스레크 BX-1, 세끼스이 가가꾸 고교(주) 제조) 2부 및 시클로헥사논 90부를 포함하는 용액을 직경 1 ㎜ 유리 비즈를 사용한 샌드밀 장치로 10 시간 동안 분산시킨 후, 이것에 아세트산에틸 110부를 첨가함으로써, 전하 발생층용 도포액을 제조하였다.
이 전하 발생층용 도포액을 중간층 위에 침지 도포하고, 이것을 22분간, 80 ℃로 조정된 열풍 건조기 중에서 건조시킴으로써, 막 두께가 0.17 ㎛인 전하 발생층을 형성하였다.
이어서, 하기 화학식 11로 표시되는 구조를 갖는 화합물(전하 수송 물질) 35부 및 비스페놀 Z형 폴리카르보네이트 수지(상품명: 유피론 Z400, 미쯔비시 엔지니어링 플라스틱스(주) 제조) 50부를 모노클로로벤젠 320부/디메톡시메탄 50부의 혼합 용제에 용해시킴으로써, 제1 전하 수송층용 도포액을 제조하였다.
Figure 112006069447516-pct00031
이 제1 전하 수송층용 도포액을 전하 발생층 위에 침지 도포하고, 이것을 40분간, 100 ℃로 조정된 열풍 건조기 중에서 건조시킴으로써, 막 두께가 20 ㎛인 제1 전하 수송층을 형성하였다.
이어서, 하기 화학식 12로 표시되는 구조를 갖는 화합물(중합성 관능기를 갖는 정공 수송성 화합물) 30부를 1-프로판올 35부 및 1,1,2,2,3,3,4-헵타플루오로시클로펜탄(상품명: 제올로라H, 닛본 제온(주) 제조) 35부의 혼합 용제에 용해시킨 후, 이것을 폴리테트라플루오로에틸렌(PTFE)제의 0.5 ㎛ 막 필터로 가압 여과함으로써, 제2 전하 수송층용 도포액을 제조하였다.
Figure 112006069447516-pct00032
이 제2 전하 수송층용 도포액을 제1 전하 수송층 위에 침지 도포한 후, 100 ℃의 조건하에 5분간 유지하여 용제를 풍건시켰다.
이것에, 질소 분위기(산소 농도 10 ppm)하에 가속 전압 150 kV, 선량 15 kGy(1.5 Mrad)의 조건으로 전자선을 조사하고, 그 후 동일한 분위기하에 전자 사진 감광체(=전자선의 피조사체)의 온도가 120 ℃가 되는 조건으로 90초간 가열 처리를 행하고, 대기 중에서 100 ℃로 조정된 열풍 건조기 중에서 20분간 가열 처리를 행함으로써, 막 두께가 5 ㎛인 경화성의 제2 전하 수송층을 형성하였다.
이어서, 개략적으로 도 1에 도시하는 구성의 건식 블라스트 처리 장치(후지 세이끼 세이조소 제조)를 사용하여, 하기 조건으로 제2 전하 수송층의 표면에 대하여 건식 블라스트 처리를 실시하여, 제2 전하 수송층의 표면에 복수의 딤플 형상의 오목부를 형성하였다.
ㆍ건식 블라스트 처리의 조건
입자(연마 입자): 평균 입경이 30 ㎛인 구상 유리 비즈(상품명: UB-01L, (주)유니온 제조)
공기(압축 공기) 분사 압력: 0.343 MPa(3.5 kgf/㎠)
분사 노즐 이동 속도: 430 ㎜/초
워크의 자전 속도: 288 rpm
분사 노즐의 토출구와 워크의 거리: 100 ㎜
입자(연마 입자)의 토출 각도: 90 °
입자(연마 입자)의 공급량: 200 g/분
블라스트의 횟수: 편도×2회
건식 블라스트 처리 후, 워크의 주위면에 잔존 부착된 입자(연마 입자)를 압축 공기의 분사에 의해 제거하였다.
이와 같이 하여 지지체 위에 도전층, 중간층, 전하 발생층, 제1 전하 수송층 및 제2 전하 수송층(경화층)을 설치하여 이루어지며, 상기 제2 전하 수송층이 표면층이고, 주위면에 딤플 형상의 오목부를 복수개 갖는 원통형의 전자 사진 감광체를 제조하였다.
제조한 전자 사진 감광체 주위면의 형상을 측정한 바, 표 1 및 2에 나타낸 수치였다.
또한, 전자 사진 감광체 주위면의 형상의 측정은 상술한 바와 같이, (주)고사까 겡뀨쇼제의 표면 조도 측정기 서프 코더 SE3500형을 사용하여 행하였다.
Rzjis (A) 및 RSm (C)의 측정은, 상기 장치용의 원주 조도 측정 장치를 사용하여 행하였다. 측정 조건은 측정 길이: 0.4 ㎜, 측정 속도: 0.1 ㎜/분으로 하였다. RSm (C) 및 (D) 측정시의 노이즈 차단 베이스 라인 수준 설정값은 10 ％(수준 설정)로 하였다.
또한, Rzjis (A) 및 (B), RSm (C) 및 (D), Rv (E) 및 Rp (F), 10000 ㎛2(100 ㎛×100 ㎛)당 딤플 형상의 오목부의 개수, 딤플 형상의 오목부의 면적률, 딤플 형상의 오목부의 평균 종횡비의 측정은 각각, 원통형의 전자 사진 감광체의 모선 방향의 한 단부로부터 5 ㎝ 부분, 중앙부 및 다른 단부로부터 5 ㎝ 부분의 3 부분에서 2 부분 이상 측정하여, 그의 평균값을 측정값으로 하였다.
또한, 상기와 같이 하여 유니버셜 경도값 (HU) 및 탄성 변형률 측정용의 전자 사진 감광체를 제조하여, 상기 건식 블라스트 처리 전후의 표면층(본 실시예에서는 제2 전하 수송층)의 표면 유니버셜 경도값 (HU) 및 탄성 변형률을 측정한 바, 표 3에 나타낸 수치였다. 또한, 표면층(본 실시예에서는 제2 전하 수송층)을 형성하여, 23 ℃/50 ％ RH 환경하에 24 시간 동안 방치한 후, 유니버셜 경도값 (HU) 및 탄성 변형률을 측정하고, 이어서 건식 블라스트 처리를 실시한 후, 유니버셜 경도값 (HU) 및 탄성 변형률을 재차 측정하였다.
제조한 전자 사진 감광체를 폴리우레탄 고무제의 클리닝 블레이드를 구비하는 캐논(주)제의 전자 사진 복사기 iRC6800의 개조기(음 대전형으로 개조)에 장착하여, 이하와 같이 평가를 행하였다.
우선, 23 ℃/50 ％ RH 환경하에서, 전자 사진 감광체의 암부 전위 (Vd)가 -700 V, 명부 전위 (Vl)이 -200 V가 되도록 전위의 조건을 설정하여, 전자 사진 감광체의 초기 전위를 조정하였다.
클리닝성의 평가로서, 클리닝 블레이드의 전자 사진 감광체의 주위면에 대한 접촉압의 설정을, 고압인 경우 및 저압인 경우의 두 조건으로 설정했을 때의 클리닝성을 평가하였다. 고압 설정의 클리닝 블레이드의 전자 사진 감광체의 주위면에 대한 접촉압(선압)은 40 g/㎝(이하 "블레이드 고압 설정"이라고도 함), 저압 설정의 클리닝 블레이드의 전자 사진 감광체의 주위면에 대한 접촉압(선압)은 16 g/㎝(이하 "블레이드 저압 설정"이라고도 함)로 하였다. 또한, 클리닝 블레이드의 접촉각은 24 °로 설정하였다.
평가 환경은 23 ℃/50 ％ RH 환경에서, A4 용지 테스트 화상 풀컬러 2매 간헐의 조건으로 5000매의 내구 시험을 행하였다. 내구 시험 종료 후 하프톤 화상 등의 테스트 화상을 출력함으로써, 출력 화상 위의 불량을 관찰하였다.
또한, 블레이드 고압 설정에서 내구 시험을 행했을 때 전자 사진 감광체의 회전 토크를 모터의 전류값으로부터 모니터하여, 클리닝 블레이드의 주름 무늬에 기인하는 소리와 클리닝 블레이드의 외전의 발생 상황을 평가하였다.
또한, 클리닝 블레이드의 전자 사진 감광체의 주위면에 대한 접촉압(선압)을 24 g/㎝로 설정하고, 전자 사진 감광체의 회전모터의 초기의 구동 전류값 A와 5000매 내구 시험 후의 구동 전류값 B로부터 B/A의 값을 구하여, 이것을 상대적인 토크 상승 비율로 하였다.
블레이드 저압 설정에서, 내구 시험을 행한 경우 클리닝 블레이드로부터의 토너 탈락에 의한 클리닝 불량의 발생 상황을 평가하였다.
본 실시예의 전자 사진 감광체는 어떠한 조건에서도 양호한 클리닝 특성을 나타내었으며, 블레이드 고압 설정에서도 전자 사진 감광체 회전시의 토크의 상승이 거의 없고, 클리닝 블레이드의 소리 및 외전의 발생도 없을 뿐만 아니라, 블레이드 저압 설정에서도 토너의 탈락에 의한 화상 불량의 발생은 없었다.
또한, 내구 평가를 계속하여, A4 용지 가로 크기 풀컬러 2매 간헐의 조건으로 50000매의 내구 시험을 행하여, 클리닝성의 평가를 행하였다.
또한, 상기와 동일하게 하여 고온 고습 환경하에 화상 평가용의 전자 사진 감광체를 제조하여, 화상 번짐에 대하여 평가하였다.
상기한 전자 사진 복사기를 30 ℃/80 ％ RH 환경하에 설치하고, 이것에 고온 고습 환경하에 화상 평가용의 전자 사진 감광체를 장착하고, 클리닝 블레이드의 전자 사진 감광체의 주위면에 대한 접촉압(선압)을 24 g/㎝로 설정하여, A4 용지 가로 크기 풀컬러 2매 간헐의 조건으로, 화상 패턴의 복사물을 10000매 출력한 후, 하프톤 화상 등의 샘플 화상 출력을 행하여, 화상 번짐의 발생 정도를 평가하였다.
본 실시예의 전자 사진 감광체는 화상 번짐의 발생에 대하여 매우 양호한 결과가 얻어졌다.
또한, 상기와 동일하게 하여 접찰 메모리 평가용의 전자 사진 감광체를 제조하여, 접찰 메모리에 대하여 평가하였다.
23 ℃/5 ％ RH 환경하에 상기한 전자 사진 복사기에 접찰 메모리 평가용의 전자 사진 감광체를 장착하고, 어두운 부분에서 전 노광을 소등하여 대전(일차 대전)을 OFF로 하고, 현상기 및 일차 전사 수단을 이격시키고, 클리닝 블레이드와 클리닝 브러시를 전자 사진 감광체의 주위면에 접촉시킨 상태로 15분간 공회전시켜, 전자 사진 감광체의 주위면과 클리닝 블레이드 및 클리닝 브러시를 접찰시켰다. 15분 후 공회전을 정지시켜 그 상태로 60분간 방치하고, 초기의 전위와 축적된 전위의 차를 측정ㆍ비교하여 접찰 메모리의 값으로 하였다.
본 실시예의 전자 사진 감광체는 주위면의 마찰 저항이 적고, 전자 사진 감광체 주위의 부재와 접찰하는 경우에도 접찰에 의한 폐해가 발생하기 어려워져 있었다.
이상의 평가의 결과를 표 4, 6, 8에 나타낸다.
(실시예 2)
실시예 1과 동일하게 하여, 지지체 위에 도전층, 중간층, 전하 발생층 및 제1 전하 수송층을 형성하였다.
이어서, 분산제로서 불소 원자 함유 수지(상품명: GF-300, 도아 고세이(주) 제조) 0.15부를 1,1,2,2,3,3,4-헵타플루오로시클로펜탄(상품명: 제올로라H, 닛본 제온(주) 제조) 35부/1-프로판올 35부의 혼합 용제에 용해시킨 후, 이것에 윤활제로서 4불화 에틸렌 수지 입자(상품명: 루브론L-2, 다이킨 고교(주) 제조) 3부를 첨가하고, 고압 분산기(상품명: 마이크로 플루이다이저 M-110EH, 미국 마이크로 플루이딕스사 제조)를 사용하여, 5880 Nkgf/㎠(600 kgf/㎠)의 압력으로 3회의 분산 처리를 실시하여 균일하게 분산시켰다.
이것을 PTFE제의 10 ㎛ 막 필터로 가압 여과하였다.
이것에, 상기 화학식 12로 표시되는 구조를 갖는 화합물(중합성 관능기를 갖는 정공 수송성 화합물) 27부를 첨가하고, PTFE제의 10 ㎛ 막 필터로 가압 여과함으로써, 제2 전하 수송층용 도포액을 제조하였다.
이 제2 전하 수송층용 도포액을 제1 전하 수송층 위에 침지 도포한 후, 100 ℃의 조건하에 5분간 유지하여 용제를 풍건시켰다.
이것에, 질소 분위기(산소 농도 10 ppm)하에 가속 전압 150 kV, 선량 15 kGy(1.5 Mrad)의 조건으로 전자선을 조사하고, 그 후 동일한 분위기하에 전자 사진 감광체(=전자선의 피조사체)의 온도가 120 ℃가 되는 조건으로 90초간 가열 처리를 행하고, 대기 중에서 전자 사진 감광체(=전자선의 피조사체)의 온도가 100 ℃로 조 정된 열풍 건조기 중에서 20분간 가열 처리를 행함으로써, 막 두께가 5 ㎛인 경화성의 제2 전하 수송층을 형성하였다.
이어서, 실시예 1의 조건과 동일한 조건의 건식 블라스트 처리에 의해, 제2 전하 수송층의 표면에 복수의 딤플 형상의 오목부를 형성하였다.
이와 같이 하여 지지체 위에 도전층, 중간층, 전하 발생층, 제1 전하 수송층 및 제2 전하 수송층(경화층)을 설치하여 이루어지며, 상기 제2 전하 수송층이 표면층이고, 주위면에 딤플 형상의 오목부를 복수개 갖는 원통형의 전자 사진 감광체를 제조하였다.
또한, 이것과 동일하게 하여 유니버셜 경도값 (HU) 및 탄성 변형률 측정용의 전자 사진 감광체, 고온 고습 환경하 화상 평가용의 전자 사진 감광체 및 접찰 메모리 평가용의 전자 사진 감광체를 제조하였다.
전자 사진 감광체 주위면의 형상, 유니버셜 경도값 (HU), 탄성 변형률의 측정 및 전자 사진 감광체의 평가는 실시예 1과 동일하게 하여 행하였다. 전자 사진 감광체 주위면의 형상, 유니버셜 경도값 (HU) 및 탄성 변형률의 측정 결과를 표 1 내지 3에, 전자 사진 감광체의 평가 결과를 표 4, 6, 8에 나타낸다.
(실시예 3)(참고예)
실시예 2와 동일하게 하여, 지지체 위에 도전층, 중간층, 전하 발생층, 제1 전하 수송층 및 제2 전하 수송층을 형성하였다.
이어서, 공기(압축 공기) 분사 압력을 0.343 MPa(3.5 kgf/㎠) 내지 0.196 MPa(2.0 kgf/㎠)로 변경한 것 이외에는, 실시예 2의 조건과 동일한 조건의 건식 블 라스트 처리에 의해, 제2 전하 수송층의 표면에 복수의 딤플 형상의 오목부를 형성하였다.
이와 같이 하여 지지체 위에 도전층, 중간층, 전하 발생층, 제1 전하 수송층 및 제2 전하 수송층(경화층)을 설치하여 이루어지며, 상기 제2 전하 수송층이 표면층이고, 주위면에 딤플 형상의 오목부를 복수개 갖는 원통형의 전자 사진 감광체를 제조하였다.
또한, 이것과 동일하게 하여 유니버셜 경도값 (HU) 및 탄성 변형률 측정용의 전자 사진 감광체, 고온 고습 환경하 화상 평가용의 전자 사진 감광체 및 접찰 메모리 평가용의 전자 사진 감광체를 제조하였다.
전자 사진 감광체 주위면의 형상, 유니버셜 경도값 (HU), 탄성 변형률의 측정 및 전자 사진 감광체의 평가는 실시예 1과 동일하게 하여 행하였다. 전자 사진 감광체 주위면의 형상, 유니버셜 경도값 (HU) 및 탄성 변형률의 측정 결과를 표 1 내지 3에, 전자 사진 감광체의 평가 결과를 표 2에 나타낸다.
(실시예 4)
실시예 1과 동일하게 하여 지지체 위에 도전층, 중간층, 전하 발생층 및 제1 전하 수송층을 형성하였다.
이어서, 분산제로서 불소 원자 함유 수지(상품명: GF-300, 도아 고세이(주) 제조) 0.45부를 1,1,2,2,3,3,4-헵타플루오로시클로펜탄(상품명: 제올로라H, 닛본 제온(주)제) 35부/1-프로판올 35부의 혼합 용제에 용해시킨 후, 이것에 윤활제로서 4불화 에틸렌 수지 입자(상품명: 루브론L-2, 다이킨 고교(주) 제조) 9부를 첨가하 고, 고압 분산기(상품명: 마이크로 플루이다이저 M-110EH, 미국 마이크로 플루이딕스사 제조)를 사용하여, 5880 Nkgf/㎠(600 kgf/㎠)의 압력으로 3회의 분산 처리를 실시하여 균일하게 분산시켰다.
이것을 PTFE제의 10 ㎛ 막 필터로 가압 여과하였다.
이것에, 상기 화학식 12로 표시되는 구조를 갖는 화합물(중합성 관능기를 갖는 정공 수송성 화합물) 21부를 첨가하고, PTFE제의 5 ㎛ 막 필터로 가압 여과함으로써, 제2 전하 수송층용 도포액을 제조하였다.
이 제2 전하 수송층용 도포액을 제1 전하 수송층 위에 침지 도포한 후, 100 ℃의 조건하에 5분간 유지하여 용제를 풍건시켰다.
이것에, 질소 분위기(산소 농도 10 ppm)하에 가속 전압 150 kV, 선량 15 kGy(1.5 Mrad)의 조건으로 전자선을 조사하고, 그 후 동일한 분위기하에 전자 사진 감광체(=전자선의 피조사체)의 온도가 120 ℃가 되는 조건으로 90초간 가열 처리를 행하고, 대기 중에서 100 ℃로 조정된 열풍 건조기 중에서 20분간 가열 처리를 행함으로써, 막 두께가 5 ㎛인 경화성의 제2 전하 수송층을 형성하였다.
이어서, 실시예 1의 조건과 동일한 조건의 건식 블라스트 처리에 의해, 제2 전하 수송층의 표면에 복수의 딤플 형상의 오목부를 형성하였다.
이와 같이 하여 지지체 위에 도전층, 중간층, 전하 발생층, 제1 전하 수송층 및 제2 전하 수송층(경화층)을 설치하여 이루어지며, 상기 제2 전하 수송층이 표면층이고, 주위면에 딤플 형상의 오목부를 복수개 갖는 원통형의 전자 사진 감광체를 제조하였다.
또한, 이것과 동일하게 하여 유니버셜 경도값 (HU) 및 탄성 변형률 측정용의 전자 사진 감광체, 고온 고습 환경하 화상 평가용의 전자 사진 감광체 및 접찰 메모리 평가용의 전자 사진 감광체를 제조하였다.
전자 사진 감광체 주위면의 형상, 유니버셜 경도값 (HU), 탄성 변형률의 측정 및 전자 사진 감광체의 평가는 실시예 1과 동일하게 하여 행하였다. 전자 사진 감광체 주위면의 형상, 유니버셜 경도값 (HU) 및 탄성 변형률의 측정 결과를 표 1 내지 3에, 전자 사진 감광체의 평가 결과를 표 4, 6, 8에 나타낸다.
(실시예 5)
실시예 2와 동일하게 하여 지지체 위에 도전층, 중간층, 전하 발생층 및 제1 전하 수송층을 형성하였다.
이어서, 상기 화학식 12로 표시되는 구조를 갖는 화합물 27부를 하기 화학식 13으로 표시되는 구조를 갖는 화합물 27부로 변경한 것 이외에는, 실시예 2와 동일하게 하여 제2 전하 수송층용 도포액을 제조하였다.
Figure 112006069447516-pct00033
이 제2 전하 수송층용 도포액을 제1 전하 수송층 위에 침지 도포한 후, 100 ℃의 조건하에 5분간 유지하여 용제를 풍건시켰다.
이것에, 질소 분위기(산소 농도 10 ppm)하에 가속 전압 150 kV, 선량 15 kGy(1.5 Mrad)의 조건으로 전자선을 조사하고, 그 후 동일한 분위기하에 전자 사진 감광체(=전자선의 피조사체)의 온도가 120 ℃가 되는 조건으로 90초간 가열 처리를 행하고, 대기 중에서 100 ℃로 조정된 열풍 건조기 중에서 20분간 가열 처리를 행함으로써, 막 두께가 5 ㎛인 경화성의 제2 전하 수송층을 형성하였다.
이어서, 실시예 2의 조건과 동일한 조건의 건식 블라스트 처리에 의해, 제2 전하 수송층의 표면에 복수의 딤플 형상의 오목부를 형성하였다.
이와 같이 하여 지지체 위에 도전층, 중간층, 전하 발생층, 제1 전하 수송층 및 제2 전하 수송층(경화층)을 설치하여 이루어지며, 상기 제2 전하 수송층이 표면층이고, 주위면에 딤플 형상의 오목부를 복수개 갖는 원통형의 전자 사진 감광체를 제조하였다.
또한, 이것과 동일하게 하여 유니버셜 경도값 (HU) 및 탄성 변형률 측정용의 전자 사진 감광체, 고온 고습 환경하 화상 평가용의 전자 사진 감광체 및 접찰 메모리 평가용의 전자 사진 감광체를 제조하였다.
전자 사진 감광체 주위면의 형상, 유니버셜 경도값 (HU), 탄성 변형률의 측정 및 전자 사진 감광체의 평가는 실시예 1과 동일하게 하여 행하였다. 전자 사진 감광체 주위면의 형상, 유니버셜 경도값 (HU) 및 탄성 변형률의 측정 결과를 표 1 내지 3에, 전자 사진 감광체의 평가 결과를 표 4, 6, 8에 나타낸다.
(실시예 6)
실시예 2와 동일하게 하여 지지체 위에 도전층, 중간층, 전하 발생층 및 제1 전하 수송층을 형성하였다.
이어서, 상기 화학식 12로 표시되는 구조를 갖는 화합물 27부를 하기 화학식 14로 표시되는 구조를 갖는 화합물 27부로 변경한 것 이외에는, 실시예 2와 동일하게 하여 제2 전하 수송층용 도포액을 제조하였다.
Figure 112006069447516-pct00034
이 제2 전하 수송층용 도포액을 제1 전하 수송층 위에 침지 도포한 후, 100 ℃의 조건하에 5분간 유지하여 용제를 풍건시켰다.
이것에, 질소 분위기(산소 농도 10 ppm)하에 가속 전압 150 kV, 선량 15 kGy(1.5 Mrad)의 조건으로 전자선을 조사하고, 그 후 동일한 분위기하에서 전자 사진 감광체(=전자선의 피조사체)의 온도가 120 ℃가 되는 조건으로 90초간 가열 처리를 행하고, 대기 중에서 100 ℃로 조정된 열풍 건조기 중에서 20분간 가열 처리를 행함으로써, 막 두께가 5 ㎛인 경화성의 제2 전하 수송층을 형성하였다.
이어서, 실시예 2의 조건과 동일한 조건의 건식 블라스트 처리에 의해, 제2 전하 수송층의 표면에 복수의 딤플 형상의 오목부를 형성하였다.
이와 같이 하여 지지체 위에 도전층, 중간층, 전하 발생층, 제1 전하 수송층 및 제2 전하 수송층(경화층)을 설치하여 이루어지며, 상기 제2 전하 수송층이 표면층이고, 주위면에 딤플 형상의 오목부를 복수개 갖는 원통형의 전자 사진 감광체를 제조하였다.
또한, 이것과 동일하게 하여 유니버셜 경도값 (HU) 및 탄성 변형률 측정용의 전자 사진 감광체, 고온 고습 환경하 화상 평가용의 전자 사진 감광체 및 접찰 메모리 평가용의 전자 사진 감광체를 제조하였다.
전자 사진 감광체 주위면의 형상, 유니버셜 경도값 (HU), 탄성 변형률의 측정 및 전자 사진 감광체의 평가는 실시예 1과 동일하게 하여 행하였다. 전자 사진 감광체 주위면의 형상, 유니버셜 경도값 (HU) 및 탄성 변형률의 측정 결과를 표 1 내지 3에, 전자 사진 감광체의 평가 결과를 표 4, 6, 8에 나타낸다.
(실시예 7)
실시예 2와 동일하게 하여 지지체 위에 도전층, 중간층, 전하 발생층 및 제1 전하 수송층을 형성하였다.
이어서, 상기 화학식 12로 표시되는 구조를 갖는 화합물 27부를 하기 화학식 15로 표시되는 구조를 갖는 화합물 27부로 변경한 것 이외에는, 실시예 2와 동일하게 하여 제2 전하 수송층용 도포액을 제조하였다.
Figure 112006069447516-pct00035
이 제2 전하 수송층용 도포액을 제1 전하 수송층 위에 침지 도포한 후, 100 ℃의 조건하에 5분간 유지하여 용제를 풍건시켰다.
이것에, 질소 분위기(산소 농도 10 ppm)하에 가속 전압 150 kV, 선량 15 kGy(1.5 Mrad)의 조건으로 전자선을 조사하고, 그 후 동일한 분위기하에 전자 사진 감광체(=전자선의 피조사체)의 온도가 120 ℃가 되는 조건으로 90초간 가열 처리를 행하고, 대기 중에서 100 ℃로 조정된 열풍 건조기 중에서 20분간 가열 처리를 행함으로써, 막 두께가 5 ㎛인 경화성의 제2 전하 수송층을 형성하였다.
이어서, 실시예 2의 조건과 동일한 조건의 건식 블라스트 처리에 의해, 제2 전하 수송층의 표면에 복수의 딤플 형상의 오목부를 형성하였다.
이와 같이 하여 지지체 위에 도전층, 중간층, 전하 발생층, 제1 전하 수송층 및 제2 전하 수송층(경화층)을 설치하여 이루어지며, 상기 제2 전하 수송층이 표면층이고, 주위면에 딤플 형상의 오목부를 복수개 갖는 원통형의 전자 사진 감광체를 제조하였다.
또한, 이것과 동일하게 하여 유니버셜 경도값 (HU) 및 탄성 변형률 측정용의 전자 사진 감광체, 고온 고습 환경하 화상 평가용의 전자 사진 감광체 및 접찰 메 모리 평가용의 전자 사진 감광체를 제조하였다.
전자 사진 감광체 주위면의 형상, 유니버셜 경도값 (HU), 탄성 변형률의 측정 및 전자 사진 감광체의 평가는 실시예 1과 동일하게 하여 행하였다. 전자 사진 감광체 주위면의 형상, 유니버셜 경도값 (HU) 및 탄성 변형률의 측정 결과를 표 1 내지 3에, 전자 사진 감광체의 평가 결과를 표 4, 6, 8에 나타낸다.
(실시예 8)
실시예 2와 동일하게 하여 지지체 위에 도전층, 중간층, 전하 발생층 및 제1 전하 수송층을 형성하였다.
이어서, 실시예 2의 제2 전하 수송층용 도포액과 동일한 액에 추가로 하기 화학식 16으로 표시되는 구조를 갖는 화합물(광 중합 개시제) 3부를 첨가하여, 이것을 제2 전하 수송층용 도포액으로 하였다.
Figure 112006069447516-pct00036
이 제2 전하 수송층용 도포액을 제1 전하 수송층 위에 침지 도포하고, 이것에 금속 할로겐 램프로부터 500 mW/㎠ 강도의 빛을 60초간 조사함으로써 이것을 경화시키고, 60분간, 120 ℃로 조정된 열풍 건조기 중에서 가열함으로써, 막 두께가 5 ㎛인 경화성의 제2 전하 수송층을 형성하였다.
이어서, 실시예 2의 조건과 동일한 조건의 건식 블라스트 처리에 의해, 제2 전하 수송층의 표면에 복수의 딤플 형상의 오목부를 형성하였다.
이와 같이 하여 지지체 위에 도전층, 중간층, 전하 발생층, 제1 전하 수송층 및 제2 전하 수송층(경화층)을 설치하여 이루어지며, 상기 제2 전하 수송층이 표면층이고, 주위면에 딤플 형상의 오목부를 복수개 갖는 원통형의 전자 사진 감광체를 제조하였다.
또한, 이것과 동일하게 하여 유니버셜 경도값 (HU) 및 탄성 변형률 측정용의 전자 사진 감광체, 고온 고습 환경하 화상 평가용의 전자 사진 감광체 및 접찰 메모리 평가용의 전자 사진 감광체를 제조하였다.
전자 사진 감광체 주위면의 형상, 유니버셜 경도값 (HU), 탄성 변형률의 측정 및 전자 사진 감광체의 평가는 실시예 1과 동일하게 하여 행하였다. 전자 사진 감광체 주위면의 형상, 유니버셜 경도값 (HU) 및 탄성 변형률의 측정 결과를 표 1 내지 3에, 전자 사진 감광체의 평가 결과를 표 4, 6, 8에 나타낸다.
(실시예 9)
실시예 8과 동일하게 하여 지지체 위에 도전층, 중간층, 전하 발생층 및 제1 전하 수송층을 형성하였다.
이어서, 상기 화학식 12로 표시되는 구조를 갖는 화합물 27부를 상기 화학식 15로 표시되는 구조를 갖는 화합물 27부로 변경한 것 이외에는, 실시예 8과 동일하게 하여 제2 전하 수송층용 도포액을 제조하였다.
이 제2 전하 수송층용 도포액을 제1 전하 수송층 위에 침지 도포하고, 이것에 금속 할로겐 램프로부터 500 mW/㎠ 강도의 빛을 60초간 조사함으로써 이것을 경화시키고, 60분간, 120 ℃로 조정된 열풍 건조기 중에서 가열함으로써, 막 두께가 5 ㎛인 경화성의 제2 전하 수송층을 형성하였다.
이어서, 실시예 8의 조건과 동일한 조건의 건식 블라스트 처리에 의해, 제2 전하 수송층의 표면에 복수의 딤플 형상의 오목부를 형성하였다.
이와 같이 하여 지지체 위에 도전층, 중간층, 전하 발생층, 제1 전하 수송층 및 제2 전하 수송층(경화층)을 설치하여 이루어지며, 상기 제2 전하 수송층이 표면층이고, 주위면에 딤플 형상의 오목부를 복수개 갖는 원통형의 전자 사진 감광체를 제조하였다.
또한, 이것과 동일하게 하여 유니버셜 경도값 (HU) 및 탄성 변형률 측정용의 전자 사진 감광체, 고온 고습 환경하 화상 평가용의 전자 사진 감광체 및 접찰 메모리 평가용의 전자 사진 감광체를 제조하였다.
전자 사진 감광체 주위면의 형상, 유니버셜 경도값 (HU), 탄성 변형률의 측정 및 전자 사진 감광체의 평가는 실시예 1과 동일하게 하여 행하였다. 전자 사진 감광체 주위면의 형상, 유니버셜 경도값 (HU) 및 탄성 변형률의 측정 결과를 표 1 내지 3에, 전자 사진 감광체의 평가 결과를 표 4, 6, 8에 나타낸다.
(실시예 10)
실시예 1과 동일하게 하여 지지체 위에 도전층, 중간층 및 전하 발생층을 형성하였다.
이어서, 상기 화학식 12로 표시되는 구조를 갖는 화합물 70부를 1,1,2,2,3,3,4-헵타플루오로시클로펜탄 15부/1-프로판올 15부의 혼합 용제에 용해시킨 후, 이것을 PTFE제의 0.5 ㎛ 막 필터로 가압 여과함으로써, 전하 수송층용 도 포액을 제조하였다.
이 전하 수송층용 도포액을 전하 발생층 위에 침지 도포한 후, 100 ℃의 조건하에 5분간 유지하여 용제를 풍건시켰다.
이것에, 질소 분위기(산소 농도 10 ppm)하에 가속 전압 150 kV, 선량 50 kGy(5 Mrad)의 조건으로 전자선을 조사하고, 그 후 동일한 분위기하에 전자 사진 감광체(=전자선의 피조사체)의 온도가 120 ℃가 되는 조건으로 90초간 가열 처리를 행하고, 대기 중에서 100 ℃로 조정된 열풍 건조기 중에서 20분간 가열 처리를 행함으로써, 막 두께가 10 ㎛인 경화성의 전하 수송층을 형성하였다.
이어서, 공기(압축 공기) 분사 압력을 0.343 MPa(3.5 kgf/㎠) 내지 0.441 MPa(4.5 kgf/㎠)로 변경한 것 이외에는, 실시예 1의 제2 전하 수송층의 표면에 대한 건식 블라스트 처리 조건과 동일한 조건의 건식 블라스트 처리에 의해, 전하 수송층의 표면에 복수개의 딤플 형상의 오목부를 형성하였다.
이와 같이 하여 지지체 위에 도전층, 중간층, 전하 발생층 및 전하 수송층(경화층)을 설치하여 이루어지며, 상기 전하 수송층이 표면층이고, 주위면에 딤플 형상의 오목부를 복수개 갖는 원통형의 전자 사진 감광체를 제조하였다.
또한, 이것과 동일하게 하여 유니버셜 경도값 (HU) 및 탄성 변형률 측정용의 전자 사진 감광체, 고온 고습 환경하 화상 평가용의 전자 사진 감광체 및 접찰 메모리 평가용의 전자 사진 감광체를 제조하였다.
전자 사진 감광체 주위면의 형상, 유니버셜 경도값 (HU), 탄성 변형률의 측정 및 전자 사진 감광체의 평가는 실시예 1과 동일하게 하여 행하였다. 전자 사진 감광체 주위면의 형상, 유니버셜 경도값 (HU) 및 탄성 변형률의 측정 결과를 표 1 내지 3에, 전자 사진 감광체의 평가 결과를 표 4, 6, 8에 나타낸다.
(실시예 11)
실시예 1과 동일하게 하여 지지체 위에 도전층, 중간층 및 전하 발생층을 형성하였다.
이어서, 분산제로서 불소 원자 함유 수지(상품명: GF-300, 도아 고세이(주) 제조) 0.35부를 1,1,2,2,3,3,4-헵타플루오로시클로펜탄(상품명: 제올로라H, 닛본 제온(주) 제조) 15부/1-프로판올 15부의 혼합 용제에 용해시킨 후, 이것에 윤활제로서 4불화 에틸렌 수지 입자(상품명: 루브론L-2, 다이킨 고교(주) 제조) 7부를 첨가하고, 고압 분산기(상품명: 마이크로 플루이다이저 M-110EH, 미국 마이크로 플루이딕스사 제조)를 사용하여, 5880 Nkgf/㎠(600 kgf/㎠)의 압력으로 3회의 분산 처리를 실시하여 균일하게 분산시켰다.
이것을 PTFE제의 10 ㎛ 막 필터로 가압 여과하였다.
이것에, 상기 화학식 12로 표시되는 구조를 갖는 화합물(중합성 관능기를 갖는 정공 수송성 화합물) 63부를 첨가하고, PTFE제의 10 ㎛ 막 필터로 가압 여과함으로써, 전하 수송층용 도포액을 제조하였다.
이 전하 수송층용 도포액을 전하 발생층 위에 침지 도포한 후, 100 ℃의 조건하에 5분간 유지하여 용제를 풍건시켰다.
이것에, 질소 분위기(산소 농도 10 ppm)하에 가속 전압 150 kV, 선량 50 kGy(5 Mrad)의 조건으로 전자선을 조사하고, 그 후 동일한 분위기하에 전자 사진 감광체(=전자선의 피조사체)의 온도가 120 ℃가 되는 조건으로 90초간 가열 처리를 행하고, 대기 중에서 100 ℃로 조정된 열풍 건조기 중에서 20분간 가열 처리를 행함으로써, 막 두께가 10 ㎛인 경화성의 전하 수송층을 형성하였다.
이어서, 실시예 10의 조건과 동일한 조건의 건식 블라스트 처리에 의해, 전하 수송층의 표면에 복수의 딤플 형상의 오목부를 형성하였다.
이와 같이 하여 지지체 위에 도전층, 중간층, 전하 발생층 및 전하 수송층(경화층)을 설치하여 이루어지며, 상기 전하 수송층이 표면층이고, 주위면에 딤플 형상의 오목부를 복수개 갖는 원통형의 전자 사진 감광체를 제조하였다.
또한, 이것과 동일하게 하여 유니버셜 경도값 (HU) 및 탄성 변형률 측정용의 전자 사진 감광체, 고온 고습 환경하 화상 평가용의 전자 사진 감광체 및 접찰 메모리 평가용의 전자 사진 감광체를 제조하였다.
전자 사진 감광체 주위면의 형상, 유니버셜 경도값 (HU), 탄성 변형률의 측정 및 전자 사진 감광체의 평가는 실시예 1과 동일하게 하여 행하였다. 전자 사진 감광체 주위면의 형상, 유니버셜 경도값 (HU) 및 탄성 변형률의 측정 결과를 표 1 내지 3에, 전자 사진 감광체의 평가 결과를 표 4, 6, 8에 나타낸다.
(실시예 12)
실시예 1과 동일하게 하여 지지체 위에 도전층, 중간층, 전하 발생층 및 제1 전하 수송층을 형성하였다.
이어서, 하기 화학식 17로 표시되는 구조를 갖는 열 경화성의 정공 수송성 구조를 갖는 히드록시메틸기 함유 페놀 화합물 30부를 메탄올 35부/에탄올 35부의 혼합 용제에 용해시킨 후, 이것을 PTFE제의 0.2 ㎛ 막 필터로 가압 여과함으로써, 제2 전하 수송층용 도포액을 제조하였다.
Figure 112006069447516-pct00037
이 제2 전하 수송층용 도포액을 제1 전하 수송층 위에 침지 도포하고, 이것을 1 시간, 145 ℃로 조정된 열풍 건조기 중에서 열 경화시킴으로써, 막 두께가 5 ㎛인 제2 전하 수송층을 형성하였다.
이어서, 실시예 1의 조건과 동일한 조건의 건식 블라스트 처리에 의해, 제2 전하 수송층의 표면에 복수의 딤플 형상의 오목부를 형성하였다.
이와 같이 하여 지지체 위에 도전층, 중간층, 전하 발생층, 제1 전하 수송층 및 제2 전하 수송층(경화층)을 설치하여 이루어지며, 상기 제2 전하 수송층이 표면층이고, 주위면에 딤플 형상의 오목부를 복수개 갖는 원통형의 전자 사진 감광체를 제조하였다.
또한, 이것과 동일하게 하여 유니버셜 경도값 (HU) 및 탄성 변형률 측정용의 전자 사진 감광체, 고온 고습 환경하 화상 평가용의 전자 사진 감광체 및 접찰 메모리 평가용의 전자 사진 감광체를 제조하였다.
전자 사진 감광체 주위면의 형상, 유니버셜 경도값 (HU), 탄성 변형률의 측정 및 전자 사진 감광체의 평가는 실시예 1과 동일하게 하여 행하였다. 전자 사진 감광체 주위면의 형상, 유니버셜 경도값 (HU) 및 탄성 변형률의 측정 결과를 표 1 내지 3에, 전자 사진 감광체의 평가 결과를 표 4, 6, 8에 나타낸다.
(실시예 13)
실시예 1과 동일하게 하여 지지체 위에 도전층, 중간층, 전하 발생층 및 제1 전하 수송층을 형성하였다.
이어서, 분산제로서 불소 원자 함유 수지(상품명: 서프론 S-381, 세이미케미칼(주) 제조) 0.34부를 메탄올 35부/에탄올 35부의 혼합 용제에 용해시킨 후, 이것에 윤활제로서 4불화 에틸렌 수지 입자(상품명: 루브론L-2, 다이킨 고교(주) 제조) 3부를 첨가하고, 고압 분산기(상품명: 마이크로 플루이다이저 M-110EH, 미국 마이크로 플루이딕스사 제조)를 사용하여, 5880 Nkgf/㎠(600 kgf/㎠)의 압력으로 3회의 분산 처리를 실시하여 균일하게 분산시켰다.
이것을 PTFE제의 10 ㎛ 막 필터로 가압 여과하였다.
이것에, 상기 화학식 17로 표시되는 구조를 갖는 열 경화성의 정공 수송성 구조를 갖는 히드록시메틸기 함유 페놀 화합물 27부를 용해시킨 후, 이것을 PTFE제의 0.5 ㎛ 막 필터로 가압 여과함으로써, 제2 전하 수송층용 도포액을 제조하였다.
이 제2 전하 수송층용 도포액을 제1 전하 수송층 위에 침지 도포하고, 이것을 1 시간, 145 ℃로 조정된 열풍 건조기 중에서 열 경화시킴으로써, 막 두께가 5 ㎛인 제2 전하 수송층을 형성하였다.
이어서, 실시예 1의 조건과 동일한 조건의 건식 블라스트 처리에 의해, 제2 전하 수송층의 표면에 복수의 딤플 형상의 오목부를 형성하였다.
이와 같이 하여 지지체 위에 도전층, 중간층, 전하 발생층, 제1 전하 수송층 및 제2 전하 수송층(경화층)을 설치하여 이루어지며, 상기 제2 전하 수송층이 표면층이고, 주위면에 딤플 형상의 오목부를 복수개 갖는 원통형의 전자 사진 감광체를 제조하였다.
또한, 이것과 동일하게 하여 유니버셜 경도값 (HU) 및 탄성 변형률 측정용의 전자 사진 감광체, 고온 고습 환경하 화상 평가용의 전자 사진 감광체 및 접찰 메모리 평가용의 전자 사진 감광체를 제조하였다.
전자 사진 감광체 주위면의 형상, 유니버셜 경도값 (HU), 탄성 변형률의 측정 및 전자 사진 감광체의 평가는 실시예 1과 동일하게 하여 행하였다. 전자 사진 감광체 주위면의 형상, 유니버셜 경도값 (HU) 및 탄성 변형률의 측정 결과를 표 1 내지 3에, 전자 사진 감광체의 평가 결과를 표 4, 6, 8에 나타낸다.
(실시예 14)
실시예 1과 동일하게 하여 지지체 위에 도전층, 중간층, 전하 발생층 및 제1 전하 수송층을 형성하였다.
이어서, 분산제로서 불소 원자 함유 수지(상품명: 서프론 S-381, 세이미케미 칼(주) 제조) 0.34부를 메탄올 35부/에탄올 35부의 혼합 용제에 용해시킨 후, 이것에 윤활제로서 4불화 에틸렌 수지 입자(상품명: 루브론 L-2, 다이킨 고교(주) 제조) 3부를 첨가하고, 고압 분산기(상품명: 마이크로 플루이다이저 M-110EH, 미국 마이크로 플루이딕스사 제조)를 사용하여, 5880 Nkgf/㎠(600 kgf/㎠)의 압력으로 3회의 분산 처리를 실시하여 균일하게 분산시켰다.
이것을 PTFE제의 10 ㎛ 막 필터로 가압 여과하였다.
이것에, 레졸형 페놀 수지 바니시(상품명: PL-4852, 군에이 가가꾸 고교(주) 제조, 불휘발 성분: 75 ％) 21.2부 및 하기 화학식 18로 표시되는 구조를 갖는 화합물(전하 수송 물질) 11.1부를 용해시킨 후, 이것을 PTFE제의 5 ㎛ 막 필터로 가압 여과함으로써, 제2 전하 수송층용 도포액을 제조하였다.
Figure 112006069447516-pct00038
이 제2 전하 수송층용 도포액을 제1 전하 수송층 위에 침지 도포하고, 이것을 1 시간, 145 ℃로 조정된 열풍 건조기 중에서 열 경화시킴으로써, 막 두께가 5 ㎛인 제2 전하 수송층을 형성하였다.
이어서, 실시예 1의 조건과 동일한 조건의 건식 블라스트 처리에 의해, 제2 전하 수송층의 표면에 복수의 딤플 형상의 오목부를 형성하였다.
이와 같이 하여 지지체 위에 도전층, 중간층, 전하 발생층, 제1 전하 수송층 및 제2 전하 수송층(경화층)을 설치하여 이루어지며, 상기 제2 전하 수송층이 표면층이고, 주위면에 딤플 형상의 오목부를 복수개 갖는 원통형의 전자 사진 감광체를 제조하였다.
또한, 이것과 동일하게 하여 유니버셜 경도값 (HU) 및 탄성 변형률 측정용의 전자 사진 감광체, 고온 고습 환경하 화상 평가용의 전자 사진 감광체 및 접찰 메모리 평가용의 전자 사진 감광체를 제조하였다.
전자 사진 감광체 주위면의 형상, 유니버셜 경도값 (HU), 탄성 변형률의 측정 및 전자 사진 감광체의 평가는 실시예 1과 동일하게 하여 행하였다. 전자 사진 감광체 주위면의 형상, 유니버셜 경도값 (HU) 및 탄성 변형률의 측정 결과를 표 1 내지 3에, 전자 사진 감광체의 평가 결과를 표 4, 6, 8에 나타낸다.
(실시예 15)
실시예 1과 동일하게 하여 지지체 위에 도전층, 중간층 및 전하 발생층을 형성하며, 상기 전하 발생층 위에 실시예 1의 제1 전하 수송층과 동일한 층을 전하 수송층으로서 형성하였다.
이어서, 안티몬 도핑 산화주석 입자(상품명: T-1, 미쯔비시 머테리얼(주) 제조, 평균 입경 0.02 ㎛) 100부를 하기 화학식 19로 표시되는 구조를 갖는 불소 원자 함유 화합물(상품명: LS-1090, 신에쯔 가가꾸 고교(주) 제조) 7부로 표면 처리하였다(이하 "처리량 7 ％"라고 기재함).
Figure 112006069447516-pct00039
이 표면 처리 후의 안티몬 도핑 산화주석 입자 50부 및 에탄올 150부를 샌드밀 장치로 60 시간 동안 분산시키고, 이것에 4불화 에틸렌 수지 입자(상품명: 루브론 L-2, 다이킨 고교(주) 제조) 20부를 첨가하여, 추가로 샌드밀 장치로 8 시간 동안 분산시켰다.
이것에 레졸형 페놀 수지 바니시(상품명: PL-4804, 군에이 가가꾸 고교(주) 제조) 30부를 용해시킴으로써, 보호층용 도포액을 제조하였다.
이 보호층용 도포액을 전하 수송층 위에 침지 도포하고, 이것을 1 시간, 145 ℃로 조정된 열풍 건조기 중에서 열 경화시킴으로써, 막 두께가 5 ㎛인 보호층을 형성하였다.
이어서, 실시예 1의 제2 전하 수송층의 표면에 대한 건식 블라스트 처리 조건과 동일한 조건의 건식 블라스트 처리에 의해, 보호층의 표면에 복수의 딤플 형상의 오목부를 형성하였다.
이와 같이 하여 지지체 위에 도전층, 중간층, 전하 발생층, 전하 수송층 및 보호층(경화층)을 설치하여 이루어지며, 상기 보호층이 표면층이고, 주위면에 딤플 형상의 오목부를 복수개 갖는 원통형의 전자 사진 감광체를 제조하였다.
또한, 이것과 동일하게 하여 유니버셜 경도값 (HU) 및 탄성 변형률 측정용의 전자 사진 감광체, 고온 고습 환경하 화상 평가용의 전자 사진 감광체 및 접찰 메 모리 평가용의 전자 사진 감광체를 제조하였다.
전자 사진 감광체 주위면의 형상, 유니버셜 경도값 (HU), 탄성 변형률의 측정 및 전자 사진 감광체의 평가는 실시예 1과 동일하게 하여 행하였다. 전자 사진 감광체 주위면의 형상, 유니버셜 경도값 (HU) 및 탄성 변형률의 측정 결과를 표 1 내지 3에, 전자 사진 감광체의 평가 결과를 표 4, 6, 8에 나타낸다.
(실시예 16)
실시예 1과 동일하게 하여 지지체 위에 도전층, 중간층 및 전하 발생층을 형성하고, 상기 전하 발생층 위에 실시예 1의 제1 전하 수송층과 동일한 층을 전하 수송층으로서 형성하였다.
이어서, 실시예 15에서 사용한 표면 처리 후의 안티몬 도핑 산화주석 입자와 동일한 표면 처리 후의 안티몬 도핑 산화주석 입자 45부, 하기 화학식 20으로 표시되는 구조를 갖는 아크릴 수지 단량체 18부, 2-메틸티옥산톤(광 중합 개시제) 6.8부, 4불화 에틸렌 수지 입자(루브론 L-2) 14부 및 에탄올 150부를 샌드밀 장치로 90 시간 동안 분산시킴으로써, 보호층용 도포액을 제조하였다.
Figure 112006069447516-pct00040
이 보호층용 도포액을 전하 수송층 위에 침지 도포하여 건조시킨 후, 이것에 고압 수은등으로부터 250 W/㎠ 강도의 자외선을 60초간 조사함으로써 경화시키고, 이것을 2 시간 동안 120 ℃의 열풍으로 건조시킴으로써, 막 두께가 5 ㎛인 경화성의 보호층을 형성하였다.
이어서, 실시예 1의 제2 전하 수송층의 표면에 대한 건식 블라스트 처리 조건과 동일한 조건의 건식 블라스트 처리에 의해, 보호층의 표면에 복수의 딤플 형상의 오목부를 형성하였다.
이와 같이 하여 지지체 위에 도전층, 중간층, 전하 발생층, 전하 수송층 및 보호층(경화층)을 설치하여 이루어지며, 상기 보호층이 표면층이고, 주위면에 딤플 형상의 오목부를 복수개 갖는 원통형의 전자 사진 감광체를 제조하였다.
또한, 이것과 동일하게 하여 유니버셜 경도값 (HU) 및 탄성 변형률 측정용의 전자 사진 감광체, 고온 고습 환경하 화상 평가용의 전자 사진 감광체 및 접찰 메모리 평가용의 전자 사진 감광체를 제조하였다.
전자 사진 감광체 주위면의 형상, 유니버셜 경도값 (HU), 탄성 변형률의 측정 및 전자 사진 감광체의 평가는 실시예 1과 동일하게 하여 행하였다. 전자 사진 감광체 주위면의 형상, 유니버셜 경도값 (HU) 및 탄성 변형률의 측정 결과를 표 1 내지 3에, 전자 사진 감광체의 평가 결과를 표 4, 6, 8에 나타낸다.
(실시예 17)
실시예 1과 동일하게 하여 지지체 위에 도전층, 중간층 및 전하 발생층을 형성하며, 상기 전하 발생층 위에 실시예 1의 제1 전하 수송층과 동일한 층을 전하 수송층으로서 형성하였다.
이어서, 실시예 15에서 사용한 표면 처리 후의 안티몬 도핑 산화주석 입자와 동일한 표면 처리 후의 안티몬 도핑 산화주석 입자 10부, 메틸에틸케톤 200부 및 1,4-디옥산 200부를 샌드밀 장치로 66 시간 동안 분산시켰다.
이것에 하기 화학식 21로 표시되는 구조를 갖는 열 경화성 에폭시 수지 단량체 6부 및 하기 화학식 22로 표시되는 구조를 갖는 산 무수물(경화 촉매) 1.4부를 첨가함으로써, 보호층용 도포액을 제조하였다.
Figure 112006069447516-pct00041
Figure 112006069447516-pct00042
이 보호층용 도포액을 전하 수송층 위에 분무 코팅하고, 이것을 30분간 80 ℃에서, 이어서 2 시간 동안 130 ℃에서 열 처리하며, 이것을 열 경화시킴으로써 막 두께가 5 ㎛인 보호층을 형성하였다.
이어서, 실시예 1의 제2 전하 수송층의 표면에 대한 건식 블라스트 처리 조건과 동일한 조건의 건식 블라스트 처리에 의해, 보호층의 표면에 복수의 딤플 형상의 오목부를 형성하였다.
이와 같이 하여 지지체 위에 도전층, 중간층, 전하 발생층, 전하 수송층 및 보호층(경화층)을 설치하여 이루어지며, 상기 보호층이 표면층이고, 주위면에 딤플 형상의 오목부를 복수개 갖는 원통형의 전자 사진 감광체를 제조하였다.
또한, 이것과 동일하게 하여 유니버셜 경도값 (HU) 및 탄성 변형률 측정용의 전자 사진 감광체, 고온 고습 환경하 화상 평가용의 전자 사진 감광체 및 접찰 메모리 평가용의 전자 사진 감광체를 제조하였다.
전자 사진 감광체 주위면의 형상, 유니버셜 경도값 (HU), 탄성 변형률의 측정 및 전자 사진 감광체의 평가는 실시예 1과 동일하게 하여 행하였다. 전자 사진 감광체 주위면의 형상, 유니버셜 경도값 (HU) 및 탄성 변형률의 측정 결과를 표 1 내지 3에, 전자 사진 감광체의 평가 결과를 표 4, 6, 8에 나타낸다.
(실시예 18)
실시예 1과 동일하게 하여 지지체 위에 도전층, 중간층, 전하 발생층 및 제1 전하 수송층을 형성하였다.
이어서, 상기 화학식 18로 표시되는 구조를 갖는 화합물(전하 수송 물질) 10부 및 하기 화학식 23으로 표시되는 구조를 갖는 뷰렛 변성체의 용액(고형분 67 질량％) 20부를 테트라히드로푸란 350부/시클로헥사논 150부의 혼합 용제에 용해시킴으로써, 제2 전하 수송층용 도포액을 제조하였다.
Figure 112006069447516-pct00043
이 제2 전하 수송층용 도포액을 전하 수송층 위에 분무 코팅하고, 이것을 30분간 실온에서 방치한 후, 이것을 1 시간 동안 145 ℃의 열풍에 의해 경화시킴으로 써, 막 두께가 5 ㎛인 제2 전하 수송층을 형성하였다.
이어서, 실시예 1의 조건과 동일한 조건의 건식 블라스트 처리에 의해, 제2 전하 수송층의 표면에 복수의 딤플 형상의 오목부를 형성하였다.
이와 같이 하여 지지체 위에 도전층, 중간층, 전하 발생층, 제1 전하 수송층 및 제2 전하 수송층(경화층)을 설치하여 이루어지며, 상기 제2 전하 수송층이 표면층이고, 주위면에 딤플 형상의 오목부를 복수개 갖는 원통형의 전자 사진 감광체를 제조하였다.
또한, 이것과 동일하게 하여 유니버셜 경도값 (HU) 및 탄성 변형률 측정용의 전자 사진 감광체, 고온 고습 환경하 화상 평가용의 전자 사진 감광체 및 접찰 메모리 평가용의 전자 사진 감광체를 제조하였다.
전자 사진 감광체 주위면의 형상, 유니버셜 경도값 (HU), 탄성 변형률의 측정 및 전자 사진 감광체의 평가는 실시예 1과 동일하게 하여 행하였다. 전자 사진 감광체 주위면의 형상, 유니버셜 경도값 (HU) 및 탄성 변형률의 측정 결과를 표 1 내지 3에, 전자 사진 감광체의 평가 결과를 표 4, 6, 8에 나타낸다.
(실시예 19)
실시예 1과 동일하게 하여 지지체 위에 도전층, 중간층, 전하 발생층 및 제1 전하 수송층을 형성하였다.
이어서, 상기 화학식 18로 표시되는 구조를 갖는 화합물(전하 수송 물질) 10부에 트리알콕시실란과 테트라알콕시실란의 가수분해 축합물을 주성분으로 하는 열 경화성 실리콘 수지(도시바 실리콘(주) 제조 토스가드 510)를 결착 수지의 불휘발 분이 13부가 되도록 첨가하고, 이것에 2-프로판올을 도포액 전체의 고형분이 30 질량％가 되도록 첨가함으로써, 제2 전하 수송층용 도포액을 제조하였다.
이 제2 전하 수송층용 도포액을 제1 전하 수송층 위에 침지 도포하고, 60분간 130 ℃에서 열 처리하고, 이것을 열 경화시킴으로써 막 두께가 5 ㎛인 제2 전하 수송층을 형성하였다.
이어서, 실시예 1의 조건과 동일한 조건의 건식 블라스트 처리에 의해, 제2 전하 수송층의 표면에 복수의 딤플 형상의 오목부를 형성하였다.
이와 같이 하여 지지체 위에 도전층, 중간층, 전하 발생층, 제1 전하 수송층 및 제2 전하 수송층(경화층)을 설치하여 이루어지며, 상기 제2 전하 수송층이 표면층이고, 주위면에 딤플 형상의 오목부를 복수개 갖는 원통형의 전자 사진 감광체를 제조하였다.
또한, 이것과 동일하게 하여 유니버셜 경도값 (HU) 및 탄성 변형률 측정용의 전자 사진 감광체, 고온 고습 환경하 화상 평가용의 전자 사진 감광체 및 접찰 메모리 평가용의 전자 사진 감광체를 제조하였다.
전자 사진 감광체 주위면의 형상, 유니버셜 경도값 (HU), 탄성 변형률의 측정 및 전자 사진 감광체의 평가는 실시예 1과 동일하게 행하였다. 전자 사진 감광체 주위면의 형상, 유니버셜 경도값 (HU) 및 탄성 변형률의 측정 결과를 표 1 내지 3에, 전자 사진 감광체의 평가 결과를 표 4, 6, 8에 나타낸다.
(실시예 20)
실시예 1과 동일하게 하여 지지체 위에 도전층, 중간층 및 전하 발생층을 형 성하였다.
이어서, 상기 화학식 11로 표시되는 구조를 갖는 화합물(전하 수송 물질) 36부, 하기 화학식 24로 표시되는 구조를 갖는 화합물(전하 수송 물질) 4부 및 하기 화학식 25a로 표시되는 반복 구조 단위와 하기 화학식 25b로 표시되는 반복 구조 단위를 갖는 2원 공중합형의 폴리아릴레이트 수지(공중합비 25a:25b=7:3, 중량 평균 분자량: 130000, 25a 및 25b의 프탈산 골격은 모두 테레:이소=1:1(몰비)) 50부를 모노클로로벤젠 350부/디메톡시메탄 50부의 혼합 용제에 용해시킴으로써, 전하 수송층용 도포액을 제조하였다.
Figure 112006069447516-pct00044
Figure 112006069447516-pct00045
Figure 112006069447516-pct00046
이 전하 수송층용 도포액을 전하 발생층 위에 침지 도포하고, 이것을 60분간, 110 ℃로 조정된 열풍 건조기 중에서 건조시킴으로써, 막 두께가 20 ㎛인 전하 수송층을 형성하였다.
이어서, 공기(압축 공기) 분사 압력을 0.343 MPa(3.5 kgf/㎠) 내지 0.098 MPa(1.0 kgf/㎠)로 변경한 것 이외에는, 실시예 1의 제2 전하 수송층의 표면에 대한 건식 블라스트 처리 조건과 동일한 조건의 건식 블라스트 처리에 의해, 전하 수송층의 표면에 복수의 딤플 형상의 오목부를 형성하였다.
이와 같이 하여 지지체 위에 도전층, 중간층, 전하 발생층 및 전하 수송층을 설치하여 이루어지며, 상기 전하 수송층이 표면층이고, 주위면에 딤플 형상의 오목부를 복수개 갖는 원통형의 전자 사진 감광체를 제조하였다.
또한, 이것과 동일하게 하여 유니버셜 경도값 (HU) 및 탄성 변형률 측정용의 전자 사진 감광체, 고온 고습 환경하 화상 평가용의 전자 사진 감광체 및 접찰 메모리 평가용의 전자 사진 감광체를 제조하였다.
전자 사진 감광체 주위면의 형상, 유니버셜 경도값 (HU), 탄성 변형률의 측정 및 전자 사진 감광체의 평가는 실시예 1과 동일하게 하여 행하였다. 전자 사진 감광체 주위면의 형상, 유니버셜 경도값 (HU) 및 탄성 변형률의 측정 결과를 표 1 내지 3에, 전자 사진 감광체의 평가 결과를 표 4, 6, 8에 나타낸다.
또한, 본 실시예의 전자 사진 감광체는 34000매 화상 출력한 시점에서, 마모에 의한 표면층 막 두께의 감소에 의해 대전 불량이 되었기 때문에, 내구 시험을 계속할 수 없게 되었다. 따라서, 50000매 내구 시험의 데이터는 얻어지지 않았다.
(실시예 21)
실시예 1과 동일하게 하여 지지체 위에 도전층, 중간층 및 전하 발생층을 형성하고, 상기 전하 발생층 위에 실시예 1의 제1 전하 수송층과 동일한 층을 전하 수송층으로서 형성하였다.
이어서, 공기(압축 공기) 분사 압력을 0.343 MPa(3.5 kgf/㎠) 내지 0.0784 MPa(0.8 kgf/㎠)로 변경한 것 이외에는, 실시예 1의 제2 전하 수송층의 표면에 대한 건식 블라스트 처리 조건과 동일한 조건의 건식 블라스트 처리에 의해, 전하 수송층의 표면에 복수의 딤플 형상의 오목부를 형성하였다.
이와 같이 하여 지지체 위에 도전층, 중간층, 전하 발생층 및 전하 수송층을 설치하여 이루어지며, 상기 전하 수송층이 표면층이고, 주위면에 딤플 형상의 오목부를 복수개 갖는 원통형의 전자 사진 감광체를 제조하였다.
또한, 이것과 동일하게 하여 유니버셜 경도값 (HU) 및 탄성 변형률 측정용의 전자 사진 감광체, 고온 고습 환경하 화상 평가용의 전자 사진 감광체 및 접찰 메모리 평가용의 전자 사진 감광체를 제조하였다.
전자 사진 감광체 주위면의 형상, 유니버셜 경도값 (HU), 탄성 변형률의 측정 및 전자 사진 감광체의 평가는 실시예 1과 동일하게 하여 행하였다. 전자 사진 감광체 주위면의 형상, 유니버셜 경도값 (HU) 및 탄성 변형률의 측정 결과를 표 1 내지 3에, 전자 사진 감광체의 평가 결과를 표 4, 6, 8에 나타낸다.
또한, 본 실시예의 전자 사진 감광체는 28000매 화상 출력한 시점에서, 마모에 의한 표면층 막 두께의 감소에 의해 대전 불량이 되었기 때문에, 내구 시험을 계속할 수 없게 되었다. 따라서, 50000매 내구 시험의 데이터는 얻어지지 않았다.
(비교예 1)
실시예 2에서, 제2 전하 수송층의 표면에 대한 건식 블라스트 처리를 행하지 않은 것 이외에는, 실시예 2와 동일하게 하여 전자 사진 감광체를 제조하였다.
또한, 이것과 동일하게 하여 유니버셜 경도값 (HU) 및 탄성 변형률 측정용의 전자 사진 감광체, 고온 고습 환경하 화상 평가용의 전자 사진 감광체 및 접찰 메모리 평가용의 전자 사진 감광체를 제조하였다.
전자 사진 감광체 주위면의 형상, 유니버셜 경도값 (HU), 탄성 변형률의 측정 및 전자 사진 감광체의 평가는 실시예 1과 동일하게 하여 행하였다. 전자 사진 감광체 주위면의 형상, 유니버셜 경도값 (HU) 및 탄성 변형률의 측정 결과를 표 1 내지 3에, 전자 사진 감광체의 평가 결과를 표 5, 7, 9에 나타낸다. 또한, 유니버셜 경도값 (HU) 및 탄성 변형률의 측정은 표면층(본 비교예에서는 제2 전하 수송층)을 형성하여, 23 ℃/50 ％ RH 환경하에 24 시간 동안 방치한 후 행하였다.
(비교예 2)
실시예 7에서, 제2 전하 수송층의 표면에 대한 건식 블라스트 처리를 행하지 않은 것 이외에는, 실시예 7과 동일하게 하여 전자 사진 감광체를 제조하였다.
또한, 이것과 동일하게 하여 유니버셜 경도값 (HU) 및 탄성 변형률 측정용의 전자 사진 감광체, 고온 고습 환경하 화상 평가용의 전자 사진 감광체 및 접찰 메모리 평가용의 전자 사진 감광체를 제조하였다.
전자 사진 감광체 주위면의 형상, 유니버셜 경도값 (HU), 탄성 변형률의 측정 및 전자 사진 감광체의 평가는 비교예 1과 동일하게 하여 행하였다. 전자 사진 감광체 주위면의 형상, 유니버셜 경도값 (HU) 및 탄성 변형률의 측정 결과를 표 1 내지 3에, 전자 사진 감광체의 평가 결과를 표 5, 7, 9에 나타낸다.
(비교예 3)
실시예 11에서, 전하 수송층의 표면에 대한 건식 블라스트 처리를 행하지 않은 것 이외에는, 실시예 11과 동일하게 하여 전자 사진 감광체를 제조하였다.,
또한, 이것과 동일하게 하여 유니버셜 경도값 (HU) 및 탄성 변형률 측정용의 전자 사진 감광체, 고온 고습 환경하 화상 평가용의 전자 사진 감광체 및 접찰 메모리 평가용의 전자 사진 감광체를 제조하였다.
전자 사진 감광체 주위면의 형상, 유니버셜 경도값 (HU), 탄성 변형률의 측정 및 전자 사진 감광체의 평가는 비교예 1과 동일하게 하여 행하였다. 전자 사진 감광체 주위면의 형상, 유니버셜 경도값 (HU) 및 탄성 변형률의 측정 결과를 표 1 내지 3에, 전자 사진 감광체의 평가 결과를 표 5, 7, 9에 나타낸다.
(비교예 4)
실시예 14에서, 제2 전하 수송층의 표면에 대한 건식 블라스트 처리를 행하지 않은 것 이외에는, 실시예 14와 동일하게 하여 전자 사진 감광체를 제조하였다.
또한, 이것과 동일하게 하여 유니버셜 경도값 (HU) 및 탄성 변형률 측정용의 전자 사진 감광체, 고온 고습 환경하 화상 평가용의 전자 사진 감광체 및 접찰 메모리 평가용의 전자 사진 감광체를 제조하였다.
전자 사진 감광체 주위면의 형상, 유니버셜 경도값 (HU), 탄성 변형률의 측정 및 전자 사진 감광체의 평가는 비교예 1과 동일하게 하여 행하였다. 전자 사진 감광체 주위면의 형상, 유니버셜 경도값 (HU) 및 탄성 변형률의 측정 결과를 표 1 내지 3에, 전자 사진 감광체의 평가 결과를 표 5, 7, 9에 나타낸다.
(비교예 5)
실시예 17에서, 보호층의 표면에 대한 건식 블라스트 처리를 행하지 않은 것 이외에는, 실시예 17과 동일하게 하여 전자 사진 감광체를 제조하였다.
또한, 이것과 동일하게 하여 유니버셜 경도값 (HU) 및 탄성 변형률 측정용의 전자 사진 감광체, 고온 고습 환경하 화상 평가용의 전자 사진 감광체 및 접찰 메모리 평가용의 전자 사진 감광체를 제조하였다.
전자 사진 감광체 주위면의 형상, 유니버셜 경도값 (HU), 탄성 변형률의 측정 및 전자 사진 감광체의 평가는 비교예 1과 동일하게 하여 행하였다. 전자 사진 감광체 주위면의 형상, 유니버셜 경도값 (HU) 및 탄성 변형률의 측정 결과를 표 1 내지 3에, 전자 사진 감광체의 평가 결과를 표 5, 7, 9에 나타낸다.
(비교예 6)
실시예 18에서, 제2 전하 수송층의 표면에 대한 건식 블라스트 처리를 행하지 않은 것 이외에는, 실시예 18과 동일하게 하여 전자 사진 감광체를 제조하였다.
또한, 이것과 동일하게 하여 유니버셜 경도값 (HU) 및 탄성 변형률 측정용의 전자 사진 감광체, 고온 고습 환경하 화상 평가용의 전자 사진 감광체 및 접찰 메모리 평가용의 전자 사진 감광체를 제조하였다.
전자 사진 감광체 주위면의 형상, 유니버셜 경도값 (HU), 탄성 변형률의 측정 및 전자 사진 감광체의 평가는 비교예 1과 동일하게 하여 행하였다. 전자 사진 감광체 주위면의 형상, 유니버셜 경도값 (HU) 및 탄성 변형률의 측정 결과를 표 1 내지 3에, 전자 사진 감광체의 평가 결과를 표 5, 7, 9에 나타낸다.
(비교예 7)
실시예 2에서, 제2 전하 수송층의 표면에 대한 건식 블라스트 처리를 이하의 표면 처리로 변경한 것 이외에는, 실시예 2와 동일하게 하여 전자 사진 감광체를 제조하였다.
즉, 우선 제2 전하 수송층의 표면 처리를 행하기 전의 전자 사진 감광체(제2 전하 수송층까지 형성한 것. 이하 "피처리체"라고도 함)를 회전식 연마기에 장착하였다.
이어서, 회전식 연마기에 장착한 피처리체의 주위면에 연마제 포함 브러시(형식명: TX#320C-W, 스테이트 고교 (주) 제조)를 브러시 가압량 0.5 ㎜에서 접촉시키고, 이어서 피처리체를 50 rpm으로 회전시키며, 연마제 포함 브러시를 피처리체의 회전 방향과는 역방향으로 2500 rpm으로 90초간 회전시킴으로써, 피처리체의 주위면을 주위 방향으로 연마하였다.
또한, 이것과 동일하게 하여 유니버셜 경도값 (HU) 및 탄성 변형률 측정용의 전자 사진 감광체, 고온 고습 환경하 화상 평가용의 전자 사진 감광체 및 접찰 메모리 평가용의 전자 사진 감광체를 제조하였다.
전자 사진 감광체 주위면의 형상, 유니버셜 경도값 (HU), 탄성 변형률의 측정 및 전자 사진 감광체의 평가는 실시예 1과 동일하게 하여 행하였다. 전자 사진 감광체 주위면의 형상, 유니버셜 경도값 (HU) 및 탄성 변형률의 측정 결과를 표 1 내지 3에, 전자 사진 감광체의 평가 결과를 표 5, 7, 9에 나타낸다. 또한, 표면층(본 비교예에서는 제2 전하 수송층)을 형성하여 23 ℃/50 ％ RH 환경하에 24 시간 동안 방치한 후, 유니버셜 경도값 (HU) 및 탄성 변형률을 측정하고, 이어서 상기 표면 처리를 실시한 후, 유니버셜 경도값 (HU) 및 탄성 변형률을 재차 측정하였다.
(비교예 8)
실시예 7에서, 제2 전하 수송층의 표면에 대한 건식 블라스트 처리를 비교예 7과 동일한 표면 처리로 변경한 것 이외에는, 실시예 7과 동일하게 하여 전자 사진 감광체를 제조하였다.
또한, 이것과 동일하게 하여 유니버셜 경도값 (HU) 및 탄성 변형률 측정용의 전자 사진 감광체, 고온 고습 환경하 화상 평가용의 전자 사진 감광체 및 접찰 메모리 평가용의 전자 사진 감광체를 제조하였다.
전자 사진 감광체 주위면의 형상, 유니버셜 경도값 (HU), 탄성 변형률의 측정 및 전자 사진 감광체의 평가는 비교예 7과 동일하게 하여 행하였다. 전자 사진 감광체 주위면의 형상, 유니버셜 경도값 (HU) 및 탄성 변형률의 측정 결과를 표 1 내지 3에, 전자 사진 감광체의 평가 결과를 표 5, 7, 9에 나타낸다.
(비교예 9)
실시예 11에서, 전하 수송층의 표면에 대한 건식 블라스트 처리를 비교예 7의 제2 전하 수송층의 표면에 대한 표면 처리와 동일한 표면 처리로 변경한 것 이외에는, 실시예 11과 동일하에 하여 전자 사진 감광체를 제조하였다.
또한, 이것과 동일하게 하여 유니버셜 경도값 (HU) 및 탄성 변형률 측정용의 전자 사진 감광체, 고온 고습 환경하 화상 평가용의 전자 사진 감광체 및 접찰 메모리 평가용의 전자 사진 감광체를 제조하였다.
전자 사진 감광체 주위면의 형상, 유니버셜 경도값 (HU), 탄성 변형률의 측정 및 전자 사진 감광체의 평가는 비교예 7과 동일하게 하여 행하였다. 전자 사진 감광체 주위면의 형상, 유니버셜 경도값 (HU) 및 탄성 변형률의 측정 결과를 표 1 내지 3에, 전자 사진 감광체의 평가 결과를 표 5, 7, 9에 나타낸다.
(비교예 10)
실시예 14에서, 제2 전하 수송층의 표면에 대한 건식 블라스트 처리를 비교예 7과 동일한 표면 처리로 변경한 것 이외에는, 실시예 14와 동일하게 하여 전자 사진 감광체를 제조하였다.
또한, 이것과 동일하게 하여 유니버셜 경도값 (HU) 및 탄성 변형률 측정용의 전자 사진 감광체, 고온 고습 환경하 화상 평가용의 전자 사진 감광체 및 접찰 메모리 평가용의 전자 사진 감광체를 제조하였다.
전자 사진 감광체 주위면의 형상, 유니버셜 경도값 (HU), 탄성 변형률의 측정 및 전자 사진 감광체의 평가는 비교예 1과 동일하게 하여 행하였다. 전자 사진 감광체 주위면의 형상, 유니버셜 경도값 (HU) 및 탄성 변형률의 측정 결과를 표 1 내지 3에, 전자 사진 감광체의 평가 결과를 표 5, 7, 9에 나타낸다.
(비교예 11)
실시예 17에서, 보호층의 표면에 대한 건식 블라스트 처리를 비교예 7의 제2 전하 수송층의 표면에 대한 표면 처리와 동일한 표면 처리로 변경한 것 이외에는, 실시예 17과 동일하게 하여 전자 사진 감광체를 제조하였다.
또한, 이것과 동일하게 하여 유니버셜 경도값 (HU) 및 탄성 변형률 측정용의 전자 사진 감광체, 고온 고습 환경하 화상 평가용의 전자 사진 감광체 및 접찰 메모리 평가용의 전자 사진 감광체를 제조하였다.
전자 사진 감광체 주위면의 형상, 유니버셜 경도값 (HU), 탄성 변형률의 측정 및 전자 사진 감광체의 평가는 비교예 1과 동일하게 하여 행하였다. 전자 사진 감광체 주위면의 형상, 유니버셜 경도값 (HU) 및 탄성 변형률의 측정 결과를 표 1 내지 3에, 전자 사진 감광체의 평가 결과를 표 5, 7, 9에 나타낸다.
(비교예 12)
실시예 18에서, 제2 전하 수송층의 표면에 대한 건식 블라스트 처리를 비교예 7과 동일한 표면 처리로 변경한 것 이외에는, 실시예 18과 동일하게 하여 전자 사진 감광체를 제조하였다.
또한, 이것과 동일하게 하여 유니버셜 경도값 (HU) 및 탄성 변형률 측정용의 전자 사진 감광체, 고온 고습 환경하 화상 평가용의 전자 사진 감광체 및 접찰 메모리 평가용의 전자 사진 감광체를 제조하였다.
전자 사진 감광체 주위면의 형상, 유니버셜 경도값 (HU), 탄성 변형률의 측정 및 전자 사진 감광체의 평가는 비교예 1과 동일하게 하여 행하였다. 전자 사진 감광체 주위면의 형상, 유니버셜 경도값 (HU) 및 탄성 변형률의 측정 결과를 표 1 내지 3에, 전자 사진 감광체의 평가 결과를 표 5, 7, 9에 나타낸다.
Figure 112006069447516-pct00047
Figure 112006069447516-pct00048
Figure 112006069447516-pct00049
또한, 표 3 중 비교예 7 내지 12에서, "건식 블라스트 처리 전"의 수치는 "건식 블라스트 처리를 대신한 표면 처리의 전"의 수치이며, "건식 블라스트 처리후"의 수치는 "건식 블라스트 처리를 대신한 표면 처리의 후"의 수치이다.
Figure 112006069447516-pct00050
Figure 112006069447516-pct00051
Figure 112006069447516-pct00052
Figure 112006069447516-pct00053
Figure 112006069447516-pct00054
Figure 112006069447516-pct00055
본 발명의 전자 사진 감광체는, 반복하여 사용하여도 클리닝 불량이 발생하기 어려우며, 고온 고습 환경하에 사용하여도 화상 불량이 발생하기 어렵다.
이 출원은 2004년 3월 26일에 출원된 일본 특허 출원 제2004-092099호, 2004년 4월 27일에 출원된 일본 특허 출원 제2004-131660호 및 2004년 10월 22일에 출원된 일본 특허 출원 제2004-308308호로부터의 우선권을 주장하는 것이며, 그의 내용을 인용하여 이 출원의 일부로 하는 것이다.

Claims (15)

  1. 원통형 지지체 및 상기 원통형 지지체 위에 설치된 유기 감광층을 갖는 원통형의 전자 사진 감광체에서,
    상기 전자 사진 감광체의 주위면이 딤플 형상의 오목부를 복수개 갖고, 상기 전자 사진 감광체 주위면의 주위 방향으로 소인하여 측정한 십점 평균 조도 Rzjis (A)가 0.3 내지 2.5 ㎛이고, 상기 전자 사진 감광체 주위면의 모선 방향으로 소인하여 측정한 십점 평균 조도 Rzjis (B)가 0.3 내지 2.5 ㎛이고, 상기 전자 사진 감광체 주위면의 주위 방향으로 소인하여 측정한 요철의 평균 간격 RSm (C)가 5 내지 120 ㎛이고, 상기 전자 사진 감광체 주위면의 모선 방향으로 소인하여 측정한 요철의 평균 간격 RSm (D)가 5 내지 120 ㎛이고, 상기 요철의 평균 간격 RSm (D)의 상기 요철의 평균 간격 RSm (C)에 대한 비의 값 (D/C)가 0.5 내지 1.5이고, 상기 딤플 형상의 오목부 중에서 최장 직경이 1 내지 50 ㎛의 범위이며, 깊이가 0.1 내지 2.5 ㎛의 범위인 딤플 형상의 오목부의 개수가 상기 전자 사진 감광체 주위면의 10000 ㎛2당 5 내지 50 개인 것을 특징으로 하는 전자 사진 감광체.
  2. 제1항에 있어서, 상기 십점 평균 조도 Rzjis (A)가 0.4 내지 2.0 ㎛이고, 상기 십점 평균 조도 Rzjis (B)가 0.4 내지 2.0 ㎛이고, 상기 요철의 평균 간격 RSm (C)가 10 내지 100 ㎛이고, 상기 요철의 평균 간격 RSm (D)가 10 내지 100 ㎛이고, 상기 요철의 평균 간격 RSm (D)의 상기 요철의 평균 간격 RSm (C)에 대한 비의 값 (D/C)가 0.8 내지 1.2인 전자 사진 감광체.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 전자 사진 감광체 주위면의 최대 피크 높이 Rp (F)가 0.6 ㎛ 이하이고, 상기 전자 사진 감광체 주위면의 최대 밸리 깊이 Rv (E)의 상기 최대 피크 높이 Rp (F)에 대한 비의 값 (E/F)가 1.2 이상인 전자 사진 감광체.
  4. 제3항에 있어서, 상기 최대 피크 높이 Rp (F)가 0.4 ㎛ 이하이고, 상기 최대 밸리 깊이 Rv (E)의 상기 최대 피크 높이 Rp (F)에 대한 비의 값 (E/F)가 1.5 이상인 전자 사진 감광체.
  5. 삭제
  6. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 딤플 형상의 오목부 중에서 최장 직경이 1 내지 50 ㎛의 범위이며, 깊이가 0.1 내지 2.5 ㎛의 범위인 딤플 형상의 오목부의 합계 면적이 상기 전자 사진 감광체의 주위면 전체의 면적에 대하여 3 내지 60 ％인 전자 사진 감광체.
  7. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 딤플 형상의 오목부 중에서 최장 직경이 1 내지 50 ㎛의 범위이며, 깊이가 0.1 내지 2.5 ㎛의 범위인 딤플 형상의 오목부의 평균 종횡비가 0.50 내지 0.95인 전자 사진 감광체.
  8. 제1항 또는 제2항에 있어서, 25 ℃／50 ％ RH 환경하, 최종 하중 6 mN 및 유지 시간 0.1 초의 조건으로 대면각 136 °의 비커스 사각추 다이아몬드 압자를 사용하여 측정되는, 상기 전자 사진 감광체 주위면의 유니버셜 경도값 (HU)가 150 내지 220 N/㎟인 전자 사진 감광체.
  9. 제1항 또는 제2항에 있어서, 25 ℃／50 ％ RH 환경하, 최종 하중 6 mN 및 유지 시간 0.1 초의 조건으로 대면각 136 °의 비커스 사각추 다이아몬드 압자를 사용하여 측정되는, 상기 전자 사진 감광체 주위면의 탄성 변형률이 40 ％ 이상인 전자 사진 감광체.
  10. 제9항에 있어서, 25 ℃／50 ％ RH 환경하, 최종 하중 6 mN 및 유지 시간 0.1 초의 조건으로 대면각 136 °의 비커스 사각추 다이아몬드 압자를 사용하여 측정되는, 상기 전자 사진 감광체 주위면의 탄성 변형률이 45 ％ 이상인 전자 사진 감광체.
  11. 제10항에 있어서, 25 ℃／50 ％ RH 환경하, 최종 하중 6 mN 및 유지 시간 0.1 초의 조건으로 대면각 136 °의 비커스 사각추 다이아몬드 압자를 사용하여 측정되는, 상기 전자 사진 감광체 주위면의 탄성 변형률이 50 ％ 이상인 전자 사진 감광체.
  12. 제1항 또는 제2항에 있어서, 25 ℃／50 ％ RH 환경하, 최종 하중 6 mN 및 유지 시간 0.1 초의 조건으로 대면각 136 °의 비커스 사각추 다이아몬드 압자를 사용하여 측정되는, 상기 전자 사진 감광체 주위면의 탄성 변형률이 65 ％ 이하인 전자 사진 감광체.
  13. 제1항에 기재된 전자 사진 감광체의 제조 방법이며, 상기 전자 사진 감광체의 표면층을 형성하는 표면층 형성 공정과, 상기 표면층의 표면을 건식 블라스트 처리 또는 습식 호닝 처리함으로써 상기 표면층의 표면에 딤플 형상의 오목부를 형성하는 오목부 형성 공정을 갖는 것을 특징으로 하는 전자 사진 감광체의 제조 방법.
  14. 제1항에 기재된 전자 사진 감광체 또는 제13항에 기재된 제조 방법에 의해 제조된 전자 사진 감광체와, 대전 수단, 현상 수단 및 클리닝 수단을 포함하는 군으로부터 선택되는 1개 이상의 수단을 일체형으로 지지하여, 전자 사진 장치 본체에 대해 착탈이 자유로운 것을 특징으로 하는 프로세스 카트리지.
  15. 제1항에 기재된 전자 사진 감광체 또는 제13항에 기재된 제조 방법에 의해 제조된 전자 사진 감광체, 및 대전 수단, 노광 수단, 현상 수단, 전사 수단 및 클리닝 수단을 갖는 것을 특징으로 하는 전자 사진 장치.
KR1020067019820A 2004-03-26 2005-03-25 전자 사진 감광체, 전자 사진 감광체의 제조 방법,프로세스 카트리지 및 전자 사진 장치 KR100828250B1 (ko)

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Families Citing this family (90)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4027407B2 (ja) * 2004-03-26 2007-12-26 キヤノン株式会社 電子写真感光体、電子写真感光体の製造方法、プロセスカートリッジおよび電子写真装置
JP3938210B2 (ja) * 2004-03-26 2007-06-27 キヤノン株式会社 電子写真感光体、電子写真感光体の製造方法、プロセスカートリッジおよび電子写真装置
JP4590308B2 (ja) * 2005-05-27 2010-12-01 キヤノン株式会社 画像形成方法
JP4834383B2 (ja) * 2005-11-07 2011-12-14 キヤノン株式会社 画像形成装置
JP4183267B2 (ja) 2006-01-31 2008-11-19 キヤノン株式会社 電子写真感光体、プロセスカートリッジ及び電子写真装置
JP4194631B2 (ja) * 2006-01-31 2008-12-10 キヤノン株式会社 画像形成方法ならびに該画像形成方法を用いた電子写真装置
JP4059518B2 (ja) * 2006-01-31 2008-03-12 キヤノン株式会社 電子写真感光体の製造方法
JP4101279B2 (ja) 2006-01-31 2008-06-18 キヤノン株式会社 電子写真感光体、プロセスカートリッジおよび電子写真装置
JP3963473B1 (ja) * 2006-01-31 2007-08-22 キヤノン株式会社 電子写真感光体の製造方法
JP4101278B2 (ja) 2006-01-31 2008-06-18 キヤノン株式会社 電子写真感光体、プロセスカートリッジおよび電子写真装置
JP4605126B2 (ja) * 2006-09-11 2011-01-05 コニカミノルタビジネステクノロジーズ株式会社 電子写真感光体
JP4796519B2 (ja) * 2007-02-15 2011-10-19 株式会社リコー 像担持体、それを用いた画像形成装置、プロセスカートリッジおよび画像形成方法
KR20120031314A (ko) 2007-03-27 2012-04-02 캐논 가부시끼가이샤 전자 사진 감광체, 프로세스 카트리지 및 전자 사진 장치
CN101646979B (zh) 2007-03-28 2012-07-18 佳能株式会社 电子照相感光构件、处理盒及电子照相设备
JP2009009049A (ja) * 2007-06-29 2009-01-15 Canon Inc アクティブマトリクス型有機ｅｌディスプレイ及びその階調制御方法
JP5241156B2 (ja) * 2007-07-04 2013-07-17 キヤノン株式会社 電子写真感光体および電子写真装置
JP4416829B2 (ja) 2007-07-26 2010-02-17 キヤノン株式会社 電子写真感光体、プロセスカートリッジおよび電子写真装置
JP4896083B2 (ja) * 2008-06-23 2012-03-14 株式会社沖データ 電子写真感光体、現像装置及び画像形成装置
CN102165375B (zh) 2008-09-26 2013-06-19 佳能株式会社 电子照相感光构件、处理盒和电子照相设备
JP4590484B2 (ja) * 2008-12-08 2010-12-01 キヤノン株式会社 電子写真装置およびプロセスカートリッジ
KR101533277B1 (ko) * 2008-12-09 2015-07-03 삼성전자주식회사 나노 조도가 형성된 현상제 접촉매체를 가진 화상형성장치
US8273511B2 (en) * 2008-12-25 2012-09-25 Fuji Xerox Co., Ltd. Electrophotographic photoreceptor, manufacturing method of electrophotographic photoreceptor, processing cartridge, and image forming apparatus
WO2010087520A1 (en) 2009-01-30 2010-08-05 Canon Kabushiki Kaisha Electrophotographic photosensitive member, process cartridge, and electrophotographic apparatus
JP2010186123A (ja) * 2009-02-13 2010-08-26 Konica Minolta Business Technologies Inc 有機感光体、画像形成方法及び画像形成装置
JP5534418B2 (ja) 2009-03-13 2014-07-02 株式会社リコー 電子写真感光体とその製造方法、画像形成装置および画像形成用プロセスカートリッジ
JP2010217438A (ja) * 2009-03-16 2010-09-30 Fuji Xerox Co Ltd 電子写真感光体、プロセスカートリッジ、及び画像形成装置
JP5477696B2 (ja) 2009-03-17 2014-04-23 株式会社リコー 電子写真感光体とその製造方法および画像形成装置と画像形成用プロセスカートリッジ
JP5564811B2 (ja) * 2009-03-24 2014-08-06 富士ゼロックス株式会社 電子写真感光体、プロセスカートリッジ、及び画像形成装置
JP5534395B2 (ja) 2009-06-16 2014-06-25 株式会社リコー 電子写真感光体、画像形成装置および画像形成用プロセスカートリッジ
JP2011013262A (ja) * 2009-06-30 2011-01-20 Ricoh Co Ltd 画像形成装置
US20110014557A1 (en) * 2009-07-20 2011-01-20 Xerox Corporation Photoreceptor outer layer
JP4663819B1 (ja) 2009-08-31 2011-04-06 キヤノン株式会社 電子写真装置
JP5601129B2 (ja) * 2009-09-29 2014-10-08 株式会社リコー 電子写真感光体、電子写真感光体の製造方法、及び画像形成装置
JP5482278B2 (ja) 2010-02-17 2014-05-07 株式会社リコー 電子写真感光体、画像形成装置および画像形成用プロセスカートリッジ
JP5625411B2 (ja) * 2010-03-17 2014-11-19 富士ゼロックス株式会社 画像形成装置、及び、プロセスカートリッジ
JP4940370B2 (ja) 2010-06-29 2012-05-30 キヤノン株式会社 電子写真感光体、プロセスカートリッジおよび電子写真装置
JP5899676B2 (ja) * 2010-08-25 2016-04-06 株式会社リコー 電子写真感光体
JP4975185B1 (ja) 2010-11-26 2012-07-11 キヤノン株式会社 円筒状電子写真感光体の表面層の表面に凸凹形状を形成する方法、および、表面層の表面に凸凹形状が形成された円筒状電子写真感光体を製造する方法
JP5696520B2 (ja) * 2011-02-17 2015-04-08 富士ゼロックス株式会社 画像形成装置
JP2012203133A (ja) * 2011-03-24 2012-10-22 Fuji Xerox Co Ltd 中間転写体及びその製造方法、中間転写体ユニット、並びに、画像形成装置
JP5680015B2 (ja) 2011-05-24 2015-03-04 キヤノン株式会社 電子写真感光体、プロセスカートリッジ、および電子写真装置
JP5875455B2 (ja) 2011-05-24 2016-03-02 キヤノン株式会社 電子写真感光体、プロセスカートリッジ、電子写真装置、電子写真感光体の製造方法、及びウレア化合物
CN103562798B (zh) * 2011-05-31 2016-10-12 佳能株式会社 电子照相感光构件、处理盒和电子照相设备
JP5127991B1 (ja) * 2011-05-31 2013-01-23 キヤノン株式会社 電子写真感光体、プロセスカートリッジおよび電子写真装置
JP5546574B2 (ja) 2011-11-30 2014-07-09 キヤノン株式会社 電子写真感光体、電子写真感光体の製造方法、プロセスカートリッジおよび電子写真装置
JP5535268B2 (ja) * 2011-11-30 2014-07-02 キヤノン株式会社 電子写真感光体、電子写真感光体の製造方法、プロセスカートリッジおよび電子写真装置
JP5899924B2 (ja) 2011-12-28 2016-04-06 富士電機株式会社 電子写真用感光体、プロセスカートリッジおよび電子写真用感光体の製造方法
JP6105974B2 (ja) 2012-03-15 2017-03-29 キヤノン株式会社 電子写真感光体の製造方法、および電荷輸送層用乳化液
JP2013200415A (ja) * 2012-03-23 2013-10-03 Fuji Xerox Co Ltd 電子写真感光体、プロセスカートリッジ、及び画像形成装置
JP5921471B2 (ja) 2012-04-17 2016-05-24 キヤノン株式会社 電子写真感光体の表面加工方法、および電子写真感光体を製造する方法
JP2014048602A (ja) * 2012-09-04 2014-03-17 Ricoh Co Ltd 画像形成装置、及びプロセスカートリッジ
JP6036057B2 (ja) * 2012-09-12 2016-11-30 富士ゼロックス株式会社 電子写真感光体、プロセスカートリッジ、及び画像形成装置
JP6036058B2 (ja) * 2012-09-12 2016-11-30 富士ゼロックス株式会社 電子写真感光体、プロセスカートリッジ、及び画像形成装置
JP6150817B2 (ja) 2012-11-21 2017-06-21 キヤノン株式会社 画像形成装置、電子写真感光体、及び電子写真感光体の製造方法
JP6024555B2 (ja) * 2013-03-26 2016-11-16 富士ゼロックス株式会社 電子写真感光体、プロセスカートリッジ、及び画像形成装置
FI126260B (en) * 2013-05-20 2016-09-15 Kemira Oyj Antifouling mixture and its use
JP6403586B2 (ja) 2014-02-21 2018-10-10 キヤノン株式会社 電子写真感光体、プロセスカートリッジおよび電子写真装置
JP2016038577A (ja) * 2014-08-06 2016-03-22 キヤノン株式会社 電子写真感光体、プロセスカートリッジおよび電子写真装置
US9594318B2 (en) 2014-09-04 2017-03-14 Canon Kabushiki Kaisha Electrophotographic photosensitive member, process cartridge, and electrophotographic apparatus
CA3135761C (en) 2015-02-27 2024-03-05 Canon Kabushiki Kaisha Drum unit, cartridge and coupling member
JP6541429B2 (ja) * 2015-05-22 2019-07-10 キヤノン株式会社 電子写真感光体、プロセスカートリッジおよび電子写真装置
JP6702844B2 (ja) 2015-12-14 2020-06-03 キヤノン株式会社 電子写真感光体、電子写真装置およびプロセスカートリッジ
JP6669400B2 (ja) 2016-04-14 2020-03-18 キヤノン株式会社 電子写真感光体、その製造方法、プロセスカートリッジおよび電子写真装置
JP6815758B2 (ja) 2016-06-15 2021-01-20 キヤノン株式会社 電子写真感光体、電子写真感光体の製造方法、該電子写真感光体を有する電子写真装置およびプロセスカートリッジ
JP7092033B2 (ja) 2016-09-29 2022-06-28 三菱ケミカル株式会社 電子写真感光体、電子写真感光体カートリッジ及び画像形成装置
JP6842992B2 (ja) 2017-05-22 2021-03-17 キヤノン株式会社 電子写真感光体、電子写真装置、プロセスカートリッジおよび電子写真感光体の製造方法
JP6896556B2 (ja) 2017-08-10 2021-06-30 キヤノン株式会社 電子写真感光体、電子写真感光体の製造方法、プロセスカートリッジおよび電子写真装置
JP6949620B2 (ja) 2017-08-18 2021-10-13 キヤノン株式会社 電子写真感光体、該電子写真感光体を有する電子写真装置およびプロセスカートリッジ
JP6887928B2 (ja) 2017-09-27 2021-06-16 キヤノン株式会社 電子写真感光体、その製造方法、プロセスカートリッジおよび電子写真装置
JP7034829B2 (ja) 2018-05-23 2022-03-14 キヤノン株式会社 電子写真感光体、その製造方法、プロセスカートリッジおよび電子写真画像形成装置
JP7150485B2 (ja) 2018-05-31 2022-10-11 キヤノン株式会社 電子写真感光体、プロセスカートリッジ及び電子写真装置
JP7054366B2 (ja) 2018-05-31 2022-04-13 キヤノン株式会社 電子写真感光体、プロセスカートリッジおよび電子写真装置
JP7261086B2 (ja) * 2018-05-31 2023-04-19 キヤノン株式会社 プロセスカートリッジおよび電子写真装置
JP7129225B2 (ja) 2018-05-31 2022-09-01 キヤノン株式会社 電子写真感光体および電子写真感光体の製造方法
US10747130B2 (en) * 2018-05-31 2020-08-18 Canon Kabushiki Kaisha Process cartridge and electrophotographic apparatus
JP7129238B2 (ja) 2018-06-22 2022-09-01 キヤノン株式会社 電子写真感光体、電子写真装置、プロセスカートリッジおよび電子写真感光体の製造方法
JP7115116B2 (ja) * 2018-07-30 2022-08-09 株式会社リコー 電子写真感光体、画像形成装置、及び画像形成方法
JP7187266B2 (ja) 2018-10-25 2022-12-12 キヤノン株式会社 電子写真感光体、プロセスカートリッジ及び電子写真装置
JP2020067635A (ja) 2018-10-26 2020-04-30 キヤノン株式会社 電子写真感光体、プロセスカートリッジおよび電子写真装置
JP7008616B2 (ja) * 2018-12-20 2022-01-25 日立金属株式会社 磁歪式トルクセンサ用シャフトの製造方法
JP7171419B2 (ja) 2018-12-21 2022-11-15 キヤノン株式会社 電子写真感光体、プロセスカートリッジ及び電子写真装置
JP7195940B2 (ja) * 2019-01-09 2022-12-26 キヤノン株式会社 電子写真感光体、プロセスカートリッジおよび電子写真装置
JP7214559B2 (ja) 2019-04-26 2023-01-30 キヤノン株式会社 電子写真感光体、プロセスカートリッジおよび電子写真装置
JP2020201467A (ja) 2019-06-13 2020-12-17 キヤノン株式会社 電子写真感光体、プロセスカートリッジおよび電子写真装置
JP2020201465A (ja) 2019-06-13 2020-12-17 キヤノン株式会社 電子写真感光体、プロセスカートリッジおよび電子写真装置
US11320754B2 (en) * 2019-07-25 2022-05-03 Canon Kabushiki Kaisha Process cartridge and electrophotographic apparatus
JP2021021858A (ja) 2019-07-29 2021-02-18 キヤノン株式会社 電子写真感光体、プロセスカートリッジおよび電子写真装置
US11249406B2 (en) * 2019-10-29 2022-02-15 Lexmark International, Inc. Method for a shaped charge generation layer for photoconductive drum
JP7346243B2 (ja) 2019-10-29 2023-09-19 キヤノン株式会社 電子写真感光体、プロセスカートリッジ、電子写真画像形成装置および電子写真感光体の製造方法
CN114659778B (zh) * 2022-04-26 2023-06-30 西华大学 一种水力机械叶片磨损测试装置及测试方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04175767A (ja) * 1990-11-08 1992-06-23 Minolta Camera Co Ltd 表面が微細に粗面化された有機系感光体
JP2000122434A (ja) 1998-10-15 2000-04-28 Canon Inc 画像形成装置
JP2002082465A (ja) 2000-06-21 2002-03-22 Canon Inc 電子写真感光体、該電子写真感光体を有するプロセスカートリッジ及び電子写真装置

Family Cites Families (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS609259B2 (ja) 1975-08-23 1985-03-08 三菱製紙株式会社 電子写真用感光材料
JPS5392133A (en) 1977-01-25 1978-08-12 Ricoh Co Ltd Electrophotographic photosensitive material
JPS5794772A (en) 1980-12-03 1982-06-12 Ricoh Co Ltd Polishing method of surface of organic electrophotographic photoreceptor
JPS5957247A (ja) * 1982-09-27 1984-04-02 Canon Inc 電子写真用感光体
JPS6163850A (ja) * 1984-09-05 1986-04-02 Toshiba Corp 電子写真感光体
JPS644754A (en) * 1987-06-26 1989-01-09 Minolta Camera Kk Photosensitive body
JPH0762762B2 (ja) 1987-10-12 1995-07-05 キヤノン株式会社 フルカラー電子写真装置
US5148639A (en) 1988-07-29 1992-09-22 Canon Kabushiki Kaisha Surface roughening method for organic electrophotographic photosensitive member
US4985330A (en) * 1988-11-08 1991-01-15 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Photosensitive material for electrophotography and method for making same
JPH02127652A (ja) 1988-11-08 1990-05-16 Matsushita Electric Ind Co Ltd 電子写真用感光体
JPH02139566A (ja) 1988-11-21 1990-05-29 Canon Inc 有機電子写真感光体の表面粗面化法
JPH02150850A (ja) * 1988-12-02 1990-06-11 Canon Inc 電子写真感光体の表面粗面化法
US5242773A (en) 1990-11-08 1993-09-07 Minolta Camera Kabushiki Kaisha Photosensitive member having fine cracks in surface protective layer
US5242776A (en) 1990-11-08 1993-09-07 Minolta Camera Kabushiki Kaisha Organic photosensitive member having fine irregularities on its surface
JPH0588392A (ja) * 1991-09-27 1993-04-09 Fuji Electric Co Ltd 電子写真感光体とそれに用いる基体および製造方法
JP3194392B2 (ja) 1992-01-31 2001-07-30 株式会社リコー 電子写真感光体
JP3332422B2 (ja) * 1992-10-23 2002-10-07 キヤノン株式会社 電子写真感光体
US5427880A (en) * 1993-02-01 1995-06-27 Ricoh Company, Ltd. Electrophotographic Photoconductor
JP3286704B2 (ja) 1993-02-01 2002-05-27 株式会社リコー 電子写真感光体
US5381211A (en) * 1993-05-24 1995-01-10 Xerox Corporation Texturing of overcoated imaging member for cleaning
EP0964309B1 (en) * 1998-06-12 2005-12-07 Canon Kabushiki Kaisha Electrophotographic photosensitive member, process cartridge and electrophotographic apparatus, and process for producing the same photosensitive member
JP4011790B2 (ja) 1998-06-12 2007-11-21 キヤノン株式会社 電子写真感光体の製造方法
JP4011791B2 (ja) 1998-06-12 2007-11-21 キヤノン株式会社 電子写真感光体の製造方法
JP4164175B2 (ja) * 1998-11-13 2008-10-08 キヤノン株式会社 電子写真感光体、プロセスカートリッジ及び電子写真装置、並びに、電子写真感光体の製造方法
US6562530B2 (en) 2000-06-21 2003-05-13 Canon Kabushiki Kaisha Electrophotographic photosensitive member, and process cartridge and electrophotographic apparatus having the electrophotographic photosensitive member
EP2328029B1 (en) * 2003-07-25 2012-05-23 Canon Kabushiki Kaisha Electrophotographic photosensitive member, process cartridge, and electrophotographic apparatus
JP3938210B2 (ja) * 2004-03-26 2007-06-27 キヤノン株式会社 電子写真感光体、電子写真感光体の製造方法、プロセスカートリッジおよび電子写真装置
JP4027407B2 (ja) 2004-03-26 2007-12-26 キヤノン株式会社 電子写真感光体、電子写真感光体の製造方法、プロセスカートリッジおよび電子写真装置

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04175767A (ja) * 1990-11-08 1992-06-23 Minolta Camera Co Ltd 表面が微細に粗面化された有機系感光体
JP2000122434A (ja) 1998-10-15 2000-04-28 Canon Inc 画像形成装置
JP2002082465A (ja) 2000-06-21 2002-03-22 Canon Inc 電子写真感光体、該電子写真感光体を有するプロセスカートリッジ及び電子写真装置

Also Published As

Publication number Publication date
EP1734411A1 (en) 2006-12-20
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US20060019185A1 (en) 2006-01-26
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JP3938210B2 (ja) 2007-06-27
JPWO2005093520A1 (ja) 2007-08-16
JP3938209B2 (ja) 2007-06-27
EP1734411A4 (en) 2011-08-03
US7226711B2 (en) 2007-06-05

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