JPS6163850A - 電子写真感光体 - Google Patents
電子写真感光体Info
- Publication number
- JPS6163850A JPS6163850A JP18453484A JP18453484A JPS6163850A JP S6163850 A JPS6163850 A JP S6163850A JP 18453484 A JP18453484 A JP 18453484A JP 18453484 A JP18453484 A JP 18453484A JP S6163850 A JPS6163850 A JP S6163850A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- photoconductive layer
- light
- electrophotographic photoreceptor
- photosensitivity
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、電子写真感光体、特にレーザープリンタ用電
子写真感光体に関する。
子写真感光体に関する。
近年、レーザービームプリンタと言われる計算機の端末
、インテリジェントコピア等に使用される高級複写機の
需要が急速に高まっており、その光源として、Ｈｅ−Ｎ
ｅ、Ａｒ等のガスレーザーが用いられてきたが、最近、
装置の小型化。
、インテリジェントコピア等に使用される高級複写機の
需要が急速に高まっており、その光源として、Ｈｅ−Ｎ
ｅ、Ａｒ等のガスレーザーが用いられてきたが、最近、
装置の小型化。
低コスト化、変調の行ない易さ、等の点で半導体レーザ
ーが用いられるよう罠なってきた。
ーが用いられるよう罠なってきた。
しかしながら、半導体レーザーの発振波長は、現在実用
レベルでは８００ ｎｍ付近が最も短かく、８ｅ−Ｔｅ
系、Ｓｅ Ａｓ系、 ａ−８ｉ 、 ａ−８ｉ：Ｇｅ等
の材料を用いた電子写真感光体における長波長感度上昇
の努力が進められているが、十分な光感度を持ち、かつ
Ｆｉシ返し特性が良好で長寿命なものは得られてムない
０特罠ケイ素を主体とする非晶気層を光４′Ｆｂ、層と
した感光体は、その長寿命、良好な繰シ返し特性にもか
かわらず長波長感度がわずかに不足しており実用化のレ
ベルとしては不十分である０ またレーザー光はコヒーレントな光であるため、大気中
から自体に入射されて反射されると、その位相が反転し
、入射光と干渉し、これを減衰させるように作用する０
この位相の反転した反射光と入射光との干渉による入射
光の減衰は入射角が小さい程大きく、また反射表面の平
滑性が良い程大きくなる０この様な入射光の減衰により
みかけの光１１３匹は低下する。当然のことながら反射
率が大きい程みかけの光感度の低下も大きくなる。また
入射光がコヒーレントな光でない場合も１表面反射によ
りみかけの光感度の低下は見られるが、コヒーレント光
の場合は。
レベルでは８００ ｎｍ付近が最も短かく、８ｅ−Ｔｅ
系、Ｓｅ Ａｓ系、 ａ−８ｉ 、 ａ−８ｉ：Ｇｅ等
の材料を用いた電子写真感光体における長波長感度上昇
の努力が進められているが、十分な光感度を持ち、かつ
Ｆｉシ返し特性が良好で長寿命なものは得られてムない
０特罠ケイ素を主体とする非晶気層を光４′Ｆｂ、層と
した感光体は、その長寿命、良好な繰シ返し特性にもか
かわらず長波長感度がわずかに不足しており実用化のレ
ベルとしては不十分である０ またレーザー光はコヒーレントな光であるため、大気中
から自体に入射されて反射されると、その位相が反転し
、入射光と干渉し、これを減衰させるように作用する０
この位相の反転した反射光と入射光との干渉による入射
光の減衰は入射角が小さい程大きく、また反射表面の平
滑性が良い程大きくなる０この様な入射光の減衰により
みかけの光１１３匹は低下する。当然のことながら反射
率が大きい程みかけの光感度の低下も大きくなる。また
入射光がコヒーレントな光でない場合も１表面反射によ
りみかけの光感度の低下は見られるが、コヒーレント光
の場合は。
非コヒーレント光の場合の倍に近い低下率を示すことに
なる。その為、以上に述べた様な５ｅ−Ｔｅ系、 ８Ｆ
！−Ａｓ系、ａ−８ｉ等半導体レーザーの長波長限界で
１ＯｃｌＩＬ 柵板の光吸収係数を持つ実質的に−）
を感度の低い材靭においては、位相の反転した反射光と
入射光との干渉による入射光の減衰というみかけの光感
度の低下は致命的である。
なる。その為、以上に述べた様な５ｅ−Ｔｅ系、 ８Ｆ
！−Ａｓ系、ａ−８ｉ等半導体レーザーの長波長限界で
１ＯｃｌＩＬ 柵板の光吸収係数を持つ実質的に−）
を感度の低い材靭においては、位相の反転した反射光と
入射光との干渉による入射光の減衰というみかけの光感
度の低下は致命的である。
本発明は１以上のような事情にもとづいてなされたもの
で、みかけの光感度の低下を抑制し、長波長光九十分な
光感度を持つ電子写真感光体を提供することを目的とす
る０ 〔発明の概要〕 本発明は、上記目的を達成するために１導電性支持体上
に光導電層を形成してなる電子写真感光体くおいて、光
導電１−中に粗な界面を有し、入射光を乱射させること
により、位相の反転した反射光と入射光との干渉による
入射光の減衰というみかけの光感度の低下を抑制する電
子写真感光体である。
で、みかけの光感度の低下を抑制し、長波長光九十分な
光感度を持つ電子写真感光体を提供することを目的とす
る０ 〔発明の概要〕 本発明は、上記目的を達成するために１導電性支持体上
に光導電層を形成してなる電子写真感光体くおいて、光
導電１−中に粗な界面を有し、入射光を乱射させること
により、位相の反転した反射光と入射光との干渉による
入射光の減衰というみかけの光感度の低下を抑制する電
子写真感光体である。
以下、本発明を図示の一実施例を参照しながら説明する
。
。
第１図は、本発明の電子写真感光体の基本的なＣＸ＃成
例を説明する為の模式的構成図である０電子写真感光体
１０の層構成は導電性支持体１１の上に光４１ｈ層１２
をａ層してなる０導電性支持体１１は、例えばアルミニ
ウム。
例を説明する為の模式的構成図である０電子写真感光体
１０の層構成は導電性支持体１１の上に光４１ｈ層１２
をａ層してなる０導電性支持体１１は、例えばアルミニ
ウム。
ステンレス等の全編又はガラス、高分子フィルムの表面
に導電性もしくは半弓電性物質をコーティングしたもの
が利用でキ、−１ｌＩ−根状あるいは円筒状に形成して
用いられる。
に導電性もしくは半弓電性物質をコーティングしたもの
が利用でキ、−１ｌＩ−根状あるいは円筒状に形成して
用いられる。
光導電層１２中には、導１ｂ、性支持体１１が平面ある
いは、これに近似できる曲面の場合は平行に、また導電
性支持体１１が円筒状の場合は、同軸円筒面に谷々粗な
界面１３が設けられており、その凹凸が電子写真感光体
本体の表面１４に反映されることになる。本来、入射光
の乱反射を目的とするものである為、電子写真感光体本
体の表面１４を粗にする方がより直接的であるが、現実
にｔｉル、子写真感光体本体の表面１４は一般に必然的
に機械的強度が強く、化学的安定性の大きなものなので
、成膜後、粗にするより、光導電層１２中罠粗な界面１
３を設け、この界面の上に均一に積層することで電子写
真感光体本体の表面１４上に徂な昇面の凹凸を反映きせ
る方が簡率である。この為、光導電１１１＃ １２中の
粗な界面１３は電子写真感光体本体の表面１４の近傍に
あった方が望ましい。逆に導電性支持体１１の近傍に粗
な界面を設けると電子写真感光体本体の表面１４への凹
凸の反映が少なくなり、更にとの界面で乱反射が起こる
と画像のにじみを生じ易く望ましくない。
いは、これに近似できる曲面の場合は平行に、また導電
性支持体１１が円筒状の場合は、同軸円筒面に谷々粗な
界面１３が設けられており、その凹凸が電子写真感光体
本体の表面１４に反映されることになる。本来、入射光
の乱反射を目的とするものである為、電子写真感光体本
体の表面１４を粗にする方がより直接的であるが、現実
にｔｉル、子写真感光体本体の表面１４は一般に必然的
に機械的強度が強く、化学的安定性の大きなものなので
、成膜後、粗にするより、光導電層１２中罠粗な界面１
３を設け、この界面の上に均一に積層することで電子写
真感光体本体の表面１４上に徂な昇面の凹凸を反映きせ
る方が簡率である。この為、光導電１１１＃ １２中の
粗な界面１３は電子写真感光体本体の表面１４の近傍に
あった方が望ましい。逆に導電性支持体１１の近傍に粗
な界面を設けると電子写真感光体本体の表面１４への凹
凸の反映が少なくなり、更にとの界面で乱反射が起こる
と画像のにじみを生じ易く望ましくない。
また光導ｔｒ＠１２は、単層から二層以上の被数層も可
能であり、その場合、粗な界面は異なった層の境界とす
ることが可能である。第２図は光導電層が二＃構造であ
る電子写真感光体の模式的構成図である。電子写真感光
体２０のｌ層構成は導電性支持体２１上に、光４電層２
２を成層してなり、光導電層２２は、粗な界面２３を境
界として支持体側の層２２−１と表面側のＨ２２−１と
の二層ｔｊ４造である。谷々の層は、支持体側の６２２
−１が光キャリアの発生、輸送という機能を付ち、表１
ｉ！１（′！ｌｌの鳩２２−２が表面沫禮という囁１１
’Ｆｊを待つ場合、支持体側の層２２−１が光キャリア
の輸送という機能を持ち、表面側の層２２−２が光キャ
リアの発生という機能をもつ場合、またその逆の場合、
更に支持体側のＮ４２２−１が導電性支持体２１から注
入されるキャリアの障壁という機能を持ち、表面側の層
２２−２が光キャリアの発生、輸送という機能を持つ場
合等がある。また第１図と同様。
能であり、その場合、粗な界面は異なった層の境界とす
ることが可能である。第２図は光導電層が二＃構造であ
る電子写真感光体の模式的構成図である。電子写真感光
体２０のｌ層構成は導電性支持体２１上に、光４電層２
２を成層してなり、光導電層２２は、粗な界面２３を境
界として支持体側の層２２−１と表面側のＨ２２−１と
の二層ｔｊ４造である。谷々の層は、支持体側の６２２
−１が光キャリアの発生、輸送という機能を付ち、表１
ｉ！１（′！ｌｌの鳩２２−２が表面沫禮という囁１１
’Ｆｊを待つ場合、支持体側の層２２−１が光キャリア
の輸送という機能を持ち、表面側の層２２−２が光キャ
リアの発生という機能をもつ場合、またその逆の場合、
更に支持体側のＮ４２２−１が導電性支持体２１から注
入されるキャリアの障壁という機能を持ち、表面側の層
２２−２が光キャリアの発生、輸送という機能を持つ場
合等がある。また第１図と同様。
粗な界１１ｔＩ２３の凹凸が電子写真感光体本体の表面
２４に反映されるようになっている。
２４に反映されるようになっている。
第３図は、光導電層が三層構造である電子写真感光体の
模式的イδ故図である◎電子写真感光体３０の層構ｂｘ
、＃ｉ、導亀性支持体３１上に光導電層３２を成層して
なり、先導ｖ１層３２は支持体側の層３２−１．中間層
３２−３．表面側の層３２−２の三層構造であシ表面側
の層３２−２と中間層３２−３との境界が粗な界面３３
となっている。各々の層は、支持体側の層３２−１が導
電性支持体３１から注入されるキャリアの障壁という機
能を持ち、中間層３２−３が光キャリアの発生及び輸送
という機能を持ち、表面側の層３２−３が表面保護、指
荷注入阻止という機能を持つ場合があるが、各層の機能
が重複することも可能である。また粗な界面３３の凹凸
＃ｉ［子写Ｊ￥感光体本体の表面３４に反映されるよう
になっている。
模式的イδ故図である◎電子写真感光体３０の層構ｂｘ
、＃ｉ、導亀性支持体３１上に光導電層３２を成層して
なり、先導ｖ１層３２は支持体側の層３２−１．中間層
３２−３．表面側の層３２−２の三層構造であシ表面側
の層３２−２と中間層３２−３との境界が粗な界面３３
となっている。各々の層は、支持体側の層３２−１が導
電性支持体３１から注入されるキャリアの障壁という機
能を持ち、中間層３２−３が光キャリアの発生及び輸送
という機能を持ち、表面側の層３２−３が表面保護、指
荷注入阻止という機能を持つ場合があるが、各層の機能
が重複することも可能である。また粗な界面３３の凹凸
＃ｉ［子写Ｊ￥感光体本体の表面３４に反映されるよう
になっている。
第４図は、光導を層が四層構造である電子写真感光体の
模式的構成図である。電子写真感光体４００層構成は、
導電性支持体４１上に光導電層４２を成層してなり、光
導電層４２は、支持体側の層４２−１．第２中間層４２
−４．中間層４２−３．表面側の／＃ ４２−２の四層
構造であり、第３図と同様に表面側の層４２−２と中間
層４２−３との境界が粗な界面４３となっている。各層
の機能は、第２中間層４２−４以外は、第３図に示す三
層構造のものと同様であり、第２中間層４２−４Ｆｉ中
間層４２−３より更に光吸収の大きい、キャリア発生機
能を持つ場合、支持体側の層４２−１の障壁効果を大き
くする機能を持つ場合等がある０この場合第２中間層４
２−４と中間層４２−３の機能は逆転する場合も可能で
あり、各層の機能は重複する場合も可能である□また粗
な界面４３の凹凸は電子写Ｘ感光体本体の表面４４に反
映されるようになっている。
模式的構成図である。電子写真感光体４００層構成は、
導電性支持体４１上に光導電層４２を成層してなり、光
導電層４２は、支持体側の層４２−１．第２中間層４２
−４．中間層４２−３．表面側の／＃ ４２−２の四層
構造であり、第３図と同様に表面側の層４２−２と中間
層４２−３との境界が粗な界面４３となっている。各層
の機能は、第２中間層４２−４以外は、第３図に示す三
層構造のものと同様であり、第２中間層４２−４Ｆｉ中
間層４２−３より更に光吸収の大きい、キャリア発生機
能を持つ場合、支持体側の層４２−１の障壁効果を大き
くする機能を持つ場合等がある０この場合第２中間層４
２−４と中間層４２−３の機能は逆転する場合も可能で
あり、各層の機能は重複する場合も可能である□また粗
な界面４３の凹凸は電子写Ｘ感光体本体の表面４４に反
映されるようになっている。
更に光導を層が５層以上の層からなる場合も可能である
。
。
また粗の界面の位置も第２図から第４図に示す位五以外
、即ち、各層の境界以外でも有効である０ ところで、界面を徂にする方法としては、各種の乾式あ
るいは湿式のエツチング及び機械的処理法がある。乾式
エツチングとしては、プラズマを用いた反応性イオンエ
ンチング、スパッタエツチング等が、湿式エツチングと
しては、酸、アルカリを用いたもの、あるいは通電罠よ
る溶解、陽極酸化等があシ、機械的処理法としては、サ
ンドブラスト、バフ及びその他の研摩材を用いたものが
可能である。
、即ち、各層の境界以外でも有効である０ ところで、界面を徂にする方法としては、各種の乾式あ
るいは湿式のエツチング及び機械的処理法がある。乾式
エツチングとしては、プラズマを用いた反応性イオンエ
ンチング、スパッタエツチング等が、湿式エツチングと
しては、酸、アルカリを用いたもの、あるいは通電罠よ
る溶解、陽極酸化等があシ、機械的処理法としては、サ
ンドブラスト、バフ及びその他の研摩材を用いたものが
可能である。
次に以上述べた構造の電子写真感光体の具体的製法及び
実施例について説明する。
実施例について説明する。
実施例１
真空槽中、５０℃に加熱したアルミニツムドラム上に真
空蒸着によりＳｅ及びＳｅ Ｔｅ合金（Ｔｅ４８％含有
）を各々４５μｍ、３μｍの膜厚で積層した電子写真感
光体をｆ−Ａ試料とした。
空蒸着によりＳｅ及びＳｅ Ｔｅ合金（Ｔｅ４８％含有
）を各々４５μｍ、３μｍの膜厚で積層した電子写真感
光体をｆ−Ａ試料とした。
次にｌ−Ａ試料の成膜過程の中でＳｅの蒸着の後圧一度
真空槽から取り出し、グラダマリアクタ中でフレオンプ
ラズマに１０秒間曝射し、更に１−Ａ試料と同様に５ｅ
Ｔｅ合金の蒸着を行なったものを１−Ｂ試料とした０両
試料に対し６．５ＫＶの印加電圧によりコロナ帯電を施
し、８００ｖの表面電位に帯電させ、発振波長７９０μ
ｍの半導体レーザーを光源として蕗光したところ、半減
露光感度は１−Ａ試料で２．２μＪ／α２゜１−Ｂ試料
で１．５μＪ／ｃＲでありフレオンプラズマによる処理
で界面を粗罠することで、光感度かよくなることがわか
った。更に、同様の半棉体レーザーを用い、トナー現１
欣を行なったところにじみのなく、干渉縞のない良好な
画像が得られた。この様・に界面を粗にすることで電子
写真感光体表面での乱反射光と導電性支持体での反射光
との干渉が弱まり干渉縞がなくなるという効果も生ずる
。
真空槽から取り出し、グラダマリアクタ中でフレオンプ
ラズマに１０秒間曝射し、更に１−Ａ試料と同様に５ｅ
Ｔｅ合金の蒸着を行なったものを１−Ｂ試料とした０両
試料に対し６．５ＫＶの印加電圧によりコロナ帯電を施
し、８００ｖの表面電位に帯電させ、発振波長７９０μ
ｍの半導体レーザーを光源として蕗光したところ、半減
露光感度は１−Ａ試料で２．２μＪ／α２゜１−Ｂ試料
で１．５μＪ／ｃＲでありフレオンプラズマによる処理
で界面を粗罠することで、光感度かよくなることがわか
った。更に、同様の半棉体レーザーを用い、トナー現１
欣を行なったところにじみのなく、干渉縞のない良好な
画像が得られた。この様・に界面を粗にすることで電子
写真感光体表面での乱反射光と導電性支持体での反射光
との干渉が弱まり干渉縞がなくなるという効果も生ずる
。
実施例２
平行平板プラズマＣＶＤ装置中にアルミニウム平板（１
００ｍｍＸ １００ｗｍ）を設置し、１０−’Ｔｏｒｒ
の真空度まで減圧し、アルミニウム平板を２３０ ”Ｏ
まで加熱した。昇温後５ｉＨ４７ｏｓｃｃ昼Ａｒペース
Ｂ２１−１６１％力ｘ ３ ＳＣＣＭの原料カスを流し
ながら０．５Ｔｏｒｒの圧力に保ち１３．５６ＭＨｚ。
００ｍｍＸ １００ｗｍ）を設置し、１０−’Ｔｏｒｒ
の真空度まで減圧し、アルミニウム平板を２３０ ”Ｏ
まで加熱した。昇温後５ｉＨ４７ｏｓｃｃ昼Ａｒペース
Ｂ２１−１６１％力ｘ ３ ＳＣＣＭの原料カスを流し
ながら０．５Ｔｏｒｒの圧力に保ち１３．５６ＭＨｚ。
１２０Ｗの高周波電力を投入し、プラズマ放電を生起さ
せ３分間の成膜を、行なった。次にＳ １Ｈ４１４０８
ＣＣＭ、 ０．８ Ｔｏｒｒの圧力で２００Ｗ、の高周
波電力を投入し、２時間の成膜を行ない、更に５１ｇ４
７０ ＳＣＣＭ、 ０２１０ ＳＣＣＭ、 ０．５ Ｔ
ｏｒｒの圧力で１ｏｏＷの高周波電力を投入し、２分間
の成膜を行なった。試料が室温まで冷却された後、真空
を破り試料を取り出し、これを２−Ａ試料とした。次に
２−Ａ試料の成膜過程の中でＳ ｉＨ４１４Ｑ ＳＣＣ
Ｍ 、 Ｑ、ｇ Ｔｏｒｒの圧力で２００Ｗの高周波電
力Ｋｊルｆｆ１ｌ［：、Ｓ ｉ Ｈ４７Ｑ ＳＣＣＭ。
せ３分間の成膜を、行なった。次にＳ １Ｈ４１４０８
ＣＣＭ、 ０．８ Ｔｏｒｒの圧力で２００Ｗ、の高周
波電力を投入し、２時間の成膜を行ない、更に５１ｇ４
７０ ＳＣＣＭ、 ０２１０ ＳＣＣＭ、 ０．５ Ｔ
ｏｒｒの圧力で１ｏｏＷの高周波電力を投入し、２分間
の成膜を行なった。試料が室温まで冷却された後、真空
を破り試料を取り出し、これを２−Ａ試料とした。次に
２−Ａ試料の成膜過程の中でＳ ｉＨ４１４Ｑ ＳＣＣ
Ｍ 、 Ｑ、ｇ Ｔｏｒｒの圧力で２００Ｗの高周波電
力Ｋｊルｆｆ１ｌ［：、Ｓ ｉ Ｈ４７Ｑ ＳＣＣＭ。
０２１０ ＳＣＣＭ、 ０．５ Ｔｏｒｒの圧力で１０
０Ｗの高周波電力による成膜との間に、ＣＣＦ４１００
５ＣＣ，０２７５８ＣＣＭを流し、圧力Ｑ、＄Ｔｏｒｒ
に保ちつつ％１５０Ｗの為周波電力を投入し５分間のプ
ラズマエツチングを施した。試料冷却後、真空を破り試
料を取り出しこれを２−Ｂ試料とした。この両試料に対
して６．５ＫＶの印加電圧によりコロナ帯電を施し、５
００Ｖの表面電位に帯電させ発振波長７９０ｎｍの半導
体レーザーを光源として露光したところ半減蕗光感度は
２−Ａ試料で１．２ ｐＪ／ｃｍ２． ２− Ｂ試料テ
０．８μＪ／ｃＲ２であり、プラズマエツチングニよる
処理で界面を粗にすることで、光感反がよくなることが
わかった。
０Ｗの高周波電力による成膜との間に、ＣＣＦ４１００
５ＣＣ，０２７５８ＣＣＭを流し、圧力Ｑ、＄Ｔｏｒｒ
に保ちつつ％１５０Ｗの為周波電力を投入し５分間のプ
ラズマエツチングを施した。試料冷却後、真空を破り試
料を取り出しこれを２−Ｂ試料とした。この両試料に対
して６．５ＫＶの印加電圧によりコロナ帯電を施し、５
００Ｖの表面電位に帯電させ発振波長７９０ｎｍの半導
体レーザーを光源として露光したところ半減蕗光感度は
２−Ａ試料で１．２ ｐＪ／ｃｍ２． ２− Ｂ試料テ
０．８μＪ／ｃＲ２であり、プラズマエツチングニよる
処理で界面を粗にすることで、光感反がよくなることが
わかった。
以上説明したように本発明によれば、みかけの光感度の
低下を抑制し、長波長光に十分な光感糺を持つ電子写真
感光体を得ることができる。
低下を抑制し、長波長光に十分な光感糺を持つ電子写真
感光体を得ることができる。
第１図乃至第４図は本発明の一婁施例の電子写真感光体
を示す模式的描成図である。
を示す模式的描成図である。
Claims (5)
- （１）導電性支持体上に光導電層を形成してなる電子写
真感光体において、前記光導電層中に粗な界面を有する
ことを特徴とする電子写真感光体。 - （２）前記光導電層中の粗な界面が前記導電性支持体の
表面と平行あるいは同軸上にあることを特徴とする特許
請求の範囲第１項記載の電子写真感光体。 - （３）前記光導電層中の粗な界面が電子写真感光体本体
の表面近傍にあることを特徴とする特許請求の範囲第１
項又は第２項記載の電子写真感光体。 - （４）前記光導電層中の粗な界面の両側で成膜条件が異
なることを特徴とする特許請求の範囲第１項乃至第３項
のいずれかに記載の電子写真感光体。 - （５）前記光導電層がケイ素を主体とする非晶質層から
なることを特徴とする特許請求の範囲第１項乃至第４項
のいずれかに記載の電子写真感光体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18453484A JPS6163850A (ja) | 1984-09-05 | 1984-09-05 | 電子写真感光体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18453484A JPS6163850A (ja) | 1984-09-05 | 1984-09-05 | 電子写真感光体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6163850A true JPS6163850A (ja) | 1986-04-02 |
Family
ID=16154879
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18453484A Pending JPS6163850A (ja) | 1984-09-05 | 1984-09-05 | 電子写真感光体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6163850A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61238060A (ja) * | 1985-04-16 | 1986-10-23 | Canon Inc | 電子写真感光体及びその画像形成法 |
| WO2005093520A1 (ja) * | 2004-03-26 | 2005-10-06 | Canon Kabushiki Kaisha | 電子写真感光体、電子写真感光体の製造方法、プロセスカートリッジ および電子写真装置 |
-
1984
- 1984-09-05 JP JP18453484A patent/JPS6163850A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61238060A (ja) * | 1985-04-16 | 1986-10-23 | Canon Inc | 電子写真感光体及びその画像形成法 |
| JPH0547101B2 (ja) * | 1985-04-16 | 1993-07-15 | Canon Kk | |
| WO2005093520A1 (ja) * | 2004-03-26 | 2005-10-06 | Canon Kabushiki Kaisha | 電子写真感光体、電子写真感光体の製造方法、プロセスカートリッジ および電子写真装置 |
| US7226711B2 (en) | 2004-03-26 | 2007-06-05 | Canon Kabushiki Kaisha | Electrophotographic photosensitive member, method for manufacturing electrophotographic photosensitive member, process cartridge and electrophotographic apparatus |
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