JPS6035745A - 電子写真感光体 - Google Patents
電子写真感光体Info
- Publication number
- JPS6035745A JPS6035745A JP14531883A JP14531883A JPS6035745A JP S6035745 A JPS6035745 A JP S6035745A JP 14531883 A JP14531883 A JP 14531883A JP 14531883 A JP14531883 A JP 14531883A JP S6035745 A JPS6035745 A JP S6035745A
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- JP
- Japan
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- layer
- semiconductor layer
- photosensitive
- semiconductor
- electrophotographic photoreceptor
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は金属上形成した第1の半導体層上に、前記第1
の半導体層と誘′亀率の異なる第2の半導体層を形成し
た電子写真感光体において、両者の接触面における第1
の半導体層表面を凹凸にすることにより、両者の密着性
を向上させた′電子写真、Ipi ;′を洋IC+ら1
する。
の半導体層と誘′亀率の異なる第2の半導体層を形成し
た電子写真感光体において、両者の接触面における第1
の半導体層表面を凹凸にすることにより、両者の密着性
を向上させた′電子写真、Ipi ;′を洋IC+ら1
する。
近年、電荷の発生を担う感光Phiと電荷の輸送と帯電
圧を担う電荷輸送層とに機能を分離した2 rqj1i
’を造の電子写真感光体が普及しはじめている。その中
でも感光層にアモルファスシリコン(以下ではα−81
とかく)を用い、電荷輸送層に炭化シリコン(以下では
BiOとかく)を用いた電子写真感光体は、その優れた
特性から注目を集めている。
圧を担う電荷輸送層とに機能を分離した2 rqj1i
’を造の電子写真感光体が普及しはじめている。その中
でも感光層にアモルファスシリコン(以下ではα−81
とかく)を用い、電荷輸送層に炭化シリコン(以下では
BiOとかく)を用いた電子写真感光体は、その優れた
特性から注目を集めている。
1例として第1図に示す(tI造、すなわち、アルミの
支持体101の上に電荷輸送層5i0102と感光JH
’)i a −S i 103をつけた構造について、
1111単に原理を説明する。
支持体101の上に電荷輸送層5i0102と感光JH
’)i a −S i 103をつけた構造について、
1111単に原理を説明する。
第1図のように、感光層表向を正’i’15’ 1ki
さぜた状態で感光層α−81の禁止帯幅より大きなエネ
ルギー(hシンのホトンをもつ光を照射する。このブC
により感光層106の表面近傍、すなわち吸収領域内で
電子・正孔対が生成される。電子は1L界によって感光
層表面に達し、正′の帯電電荷を打消す。一方、正孔は
感光Ji(i o 5と電荷輸送層102を通って、ア
ルミ支持体101に達し、見かけ上砂光層と電荷1it
i1送層の中を電流が流れ、帯′重電荷が消滅したこと
になる。また、負に帯電した場合も光によって生成され
た電子と正孔の動きが逆になるだけで原理的には上述の
説明と同じである第1図のように感光層103にα−1
31、電荷軸送バグ102に810を用いた場合の利点
は、a−B1単層の感光体に比べて、 ■ SiOの耐電圧がα−81より大きいので、大きな
帯′嬬電位を得ることができる。
さぜた状態で感光層α−81の禁止帯幅より大きなエネ
ルギー(hシンのホトンをもつ光を照射する。このブC
により感光層106の表面近傍、すなわち吸収領域内で
電子・正孔対が生成される。電子は1L界によって感光
層表面に達し、正′の帯電電荷を打消す。一方、正孔は
感光Ji(i o 5と電荷輸送層102を通って、ア
ルミ支持体101に達し、見かけ上砂光層と電荷1it
i1送層の中を電流が流れ、帯′重電荷が消滅したこと
になる。また、負に帯電した場合も光によって生成され
た電子と正孔の動きが逆になるだけで原理的には上述の
説明と同じである第1図のように感光層103にα−1
31、電荷軸送バグ102に810を用いた場合の利点
は、a−B1単層の感光体に比べて、 ■ SiOの耐電圧がα−81より大きいので、大きな
帯′嬬電位を得ることができる。
■ EliOはα−8j、に比べ誘電率が41さし)の
で)膜厚が同じ場合、同じ’if) 14.電位をqb
るσ〕に、α−B1の場合に比べ少なI/)電子Uち走
で1−む。したがって、電荷の消滅も少なし)光、jI
Iでよく感度が高い。
で)膜厚が同じ場合、同じ’if) 14.電位をqb
るσ〕に、α−B1の場合に比べ少なI/)電子Uち走
で1−む。したがって、電荷の消滅も少なし)光、jI
Iでよく感度が高い。
■について数値例で説明する。α−511tljの容量
をC8、上述の2層構造の場合の容h(をOd、帯電電
位をそれぞれv8.Vdとし、各に巳各斐なイ+H扛電
荷をQs、Qdとすると Q、 s = c s V e ゝ0−=(])Qd=
: Od V d −・・・−(2)帯1ic ’FL
位を同じ、すなわちV s = V d、とじたときの
両者の電荷の比は、 火S:讐ζ ・・・・・・(3) となる。
をC8、上述の2層構造の場合の容h(をOd、帯電電
位をそれぞれv8.Vdとし、各に巳各斐なイ+H扛電
荷をQs、Qdとすると Q、 s = c s V e ゝ0−=(])Qd=
: Od V d −・・・−(2)帯1ic ’FL
位を同じ、すなわちV s = V d、とじたときの
両者の電荷の比は、 火S:讐ζ ・・・・・・(3) となる。
第1図の感光体でa−81感光ハク106のjゾさをd
lとし、El i O’F[荷軸送層102のjIIさ
をd、2 とすると、単位面積当りの容量(まε01ε
1 、C2はそれぞれ真空の誘電率−σ−[31感光層
の誘電率、そしてBiO電荷軸送j−の誘電率である。
lとし、El i O’F[荷軸送層102のjIIさ
をd、2 とすると、単位面積当りの容量(まε01ε
1 、C2はそれぞれ真空の誘電率−σ−[31感光層
の誘電率、そしてBiO電荷軸送j−の誘電率である。
一方、a−81層のみの感光体の厚さをdOとし、2
J’Q Jf# a (D 16光体とl’l シ厚す
LLo = i’t + ”zとすると、 as=芽=1弁玲 ・・・・・・(5)(8)、(4)
、(5)から ε+=12+62ニアであるから、たとえばdl =5
μm、d、2=:15fimとすれ4fすなわち、単層
に比べ、2層構造にすると同じ厚さで、同じ帯電電位を
得るのに約65%の電荷量で良い。したがって、この′
電荷を消滅させるためのホトン数も65%でよく、感圧
の良いことがわかる。
J’Q Jf# a (D 16光体とl’l シ厚す
LLo = i’t + ”zとすると、 as=芽=1弁玲 ・・・・・・(5)(8)、(4)
、(5)から ε+=12+62ニアであるから、たとえばdl =5
μm、d、2=:15fimとすれ4fすなわち、単層
に比べ、2層構造にすると同じ厚さで、同じ帯電電位を
得るのに約65%の電荷量で良い。したがって、この′
電荷を消滅させるためのホトン数も65%でよく、感圧
の良いことがわかる。
このように、2層構造の感ブC体は利点があるにもかか
わらず、反面、異なる側斜を2層にするために2層間の
密着性が問題となる。
わらず、反面、異なる側斜を2層にするために2層間の
密着性が問題となる。
第2図は従来の2層構造の感光ドラムの構造を示す図で
ある。同図において、201はアルミ支持体、202は
電荷輸送層、203はt凸光層である。また、第3図は
電荷輸送層にSin、感光層にα−81を用いた従来の
感光ドラムを円筒軸に垂直に切断したときの断面の一部
を示したものである。同図において601はアルミ支持
体、602は[110層、303はα−81層である。
ある。同図において、201はアルミ支持体、202は
電荷輸送層、203はt凸光層である。また、第3図は
電荷輸送層にSin、感光層にα−81を用いた従来の
感光ドラムを円筒軸に垂直に切断したときの断面の一部
を示したものである。同図において601はアルミ支持
体、602は[110層、303はα−81層である。
従来の構造では表面粗さが0.06μm以下のアルミ支
持体の表面に、10〜20μmのSiOをプラズマOV
Dでつけている。したがって、810表面は、やはり0
.06μ惧以下の表面xqtさをもつ、いわゆる鏡面で
ある。
持体の表面に、10〜20μmのSiOをプラズマOV
Dでつけている。したがって、810表面は、やはり0
.06μ惧以下の表面xqtさをもつ、いわゆる鏡面で
ある。
この表面上VC5〜10μmのα−8iをプラズマOV
Dでつけるため、a−ElとEliOの密ンh性が悲
く、α−81バグがはがれる場合が多い。たとえば、温
度が40°C,湿度が90%の雰囲気中に10日以上放
’uコt L/た場合、マイナス10°Cとプラス10
0°Cの温度サイクルを50回以上行なった場合等にα
−81層がはがれることがしばしば起こる。また帯電露
光試験を10万回以上行なった場合にも、1mmφくら
いの円状VCa −S iがはがれることがある。
Dでつけるため、a−ElとEliOの密ンh性が悲
く、α−81バグがはがれる場合が多い。たとえば、温
度が40°C,湿度が90%の雰囲気中に10日以上放
’uコt L/た場合、マイナス10°Cとプラス10
0°Cの温度サイクルを50回以上行なった場合等にα
−81層がはがれることがしばしば起こる。また帯電露
光試験を10万回以上行なった場合にも、1mmφくら
いの円状VCa −S iがはがれることがある。
このように従来の211 :i’J造の感光体には密着
性が悪いという欠点がある。
性が悪いという欠点がある。
本発明はかかる欠点を除去したものであって、その目的
とするところは、2層わq造の感光体における両者の密
着性を良くすることにある。
とするところは、2層わq造の感光体における両者の密
着性を良くすることにある。
′電荷輸送ハ′りに1310を、感光層にa−siを用
いた場合について本発明を説明する。本発明はslaの
表面を従来の0.06μ以下の表面粗さから、01μm
以上の粗さにすることによって、従来の欠点を除去した
ものである。本発明の(j、17造全従来と対比して第
4図に示した。同図に於て、401はアルミ支持体、4
02はB i OJ4ii、403は(Z−8iバグ、
404は01μm以上の表面粗さを有する境界面である
。製造方法については実施例をもって説明する。
いた場合について本発明を説明する。本発明はslaの
表面を従来の0.06μ以下の表面粗さから、01μm
以上の粗さにすることによって、従来の欠点を除去した
ものである。本発明の(j、17造全従来と対比して第
4図に示した。同図に於て、401はアルミ支持体、4
02はB i OJ4ii、403は(Z−8iバグ、
404は01μm以上の表面粗さを有する境界面である
。製造方法については実施例をもって説明する。
実施例1
フルミ支持体の上にモノシラン(sjHイ )。
ジボラン(Bz”a)+メタン(OH4) *水素(H
z )の混合ガスを用い通常のプラズマovD法で約1
5 /1 m 810をつけたのち、ガスを切シ替えフ
レオンガス(5%の酸素を含む)を用いて、内圧0.7
−1.3 T o r rの状態で、1層分1iJJ高
lid波放電を行なう。高周波電力は200〜300W
である。
z )の混合ガスを用い通常のプラズマovD法で約1
5 /1 m 810をつけたのち、ガスを切シ替えフ
レオンガス(5%の酸素を含む)を用いて、内圧0.7
−1.3 T o r rの状態で、1層分1iJJ高
lid波放電を行なう。高周波電力は200〜300W
である。
フレオンガス中での放′亀によりS’acの表面は粗さ
が01〜0.6μ舛となる。島周波放電の時間を延ばす
か、又は高周波′電力を増すことによって、表面粗さは
大きくすることができる。
が01〜0.6μ舛となる。島周波放電の時間を延ばす
か、又は高周波′電力を増すことによって、表面粗さは
大きくすることができる。
フレオンガス中での放電終了後に、再びガスを切り替え
て、81H,、B、H6、H2の混合ガスによってプラ
ズマOVD法で約5μmのa−81をつける。
て、81H,、B、H6、H2の混合ガスによってプラ
ズマOVD法で約5μmのa−81をつける。
実施例2
実施例1と同じ方法で5iaJi#をっけたのち、1〜
2T6rrのアルゴンガス中で高周波放電を行なう。高
周波電力は1〜1.5KW、時間は10分である。この
放電によって、SiOの表面はo、 1〜03μ情の粗
さになる。その上に通常のプラズマOVD法でα−81
をつける。
2T6rrのアルゴンガス中で高周波放電を行なう。高
周波電力は1〜1.5KW、時間は10分である。この
放電によって、SiOの表面はo、 1〜03μ情の粗
さになる。その上に通常のプラズマOVD法でα−81
をつける。
実施例3
実施例1と同じ方法でSiOをつけたのぢ、約3分間、
弗酸に浸したのち純水で超音波洗浄をし、乾燥さぜる。
弗酸に浸したのち純水で超音波洗浄をし、乾燥さぜる。
この工程によりSiOの表面は0.1〜06μ情の表向
粗さとなる。この表面上にプラズマOVD法により約5
μ善のQ、−81をっりる。
粗さとなる。この表面上にプラズマOVD法により約5
μ善のQ、−81をっりる。
実施例4
アルミ支持体の表面を、切削あるいは化学エツチングに
より0.5〜0.7μmの表面粗さにする。
より0.5〜0.7μmの表面粗さにする。
さらに洗浄乾燥後、プラズマOVDにより約15μ濯の
SiOをつける。アルミの支持体表面が粗いためその上
のSiOの表面も粗さが0.1〜06μ常になる。この
土にα−81を5μmつ番ブる。
SiOをつける。アルミの支持体表面が粗いためその上
のSiOの表面も粗さが0.1〜06μ常になる。この
土にα−81を5μmつ番ブる。
以上の方法により電荷輸送層の表面粗さを01μmより
粗くすることにより、感光層との密着性が非常によくな
る。
粗くすることにより、感光層との密着性が非常によくな
る。
信頼性試験の結果、温度40 ’c、湿度90%の雰囲
気中に30日問おき、さらにマイナス10℃とプラスI
QO℃の温度サイクルを100 pJがけてもa −s
i Hのはがれはまったくみられながった。
気中に30日問おき、さらにマイナス10℃とプラスI
QO℃の温度サイクルを100 pJがけてもa −s
i Hのはがれはまったくみられながった。
また、帯電露光試験においても10万同時点ではピンホ
ールの発生はみられなかった。
ールの発生はみられなかった。
このように本発明によって従来の欠点を除去することが
できた。
できた。
実施例のについては電荷輸送層に8101感光層にα−
81を用いた場合について説明したが、−1rL、ン膜
上にポリビニルカルバゾール(PVK)を2層感光体、
すなわぢ感光層セレン上に電荷輸送層を塗布したもので
も両者の密着性を上げるという点では、本発明の効果は
まったく同じであるまた、感光層と電荷輸送層の組合せ
として、ジメチルペリルイミドとオキサジアゾール、砒
繁セレンテルル合金とピラゾリン誘導体、あるいは、ト
リフェニルメタンとピリリウム塩等有機感光体の場合に
も本発明の効果は十分にある。
81を用いた場合について説明したが、−1rL、ン膜
上にポリビニルカルバゾール(PVK)を2層感光体、
すなわぢ感光層セレン上に電荷輸送層を塗布したもので
も両者の密着性を上げるという点では、本発明の効果は
まったく同じであるまた、感光層と電荷輸送層の組合せ
として、ジメチルペリルイミドとオキサジアゾール、砒
繁セレンテルル合金とピラゾリン誘導体、あるいは、ト
リフェニルメタンとピリリウム塩等有機感光体の場合に
も本発明の効果は十分にある。
以上から本発明は応用範囲も広く、実用面での効果も大
きい。
きい。
第1図は電荷輸送層と感yt、 ryηを有する2層感
光体の原理図、第2図は従来の2層病造の感光ドラムの
(1“q造を示す図、そして、第3図は電荷輸送層に8
10、感光層にa−81を用いた従来の感光ドラムを円
曲軸に垂直に切断したときの断面の一部を示した図であ
る。 また、第4図は本発明の構造を示した図である101・
・・・・・アルミの支持体 102・・・・・・電荷輸送層 106・・・・・・感光層 401・・・・・・アルミ支持体 402・・・・・・810J帝 403・・・・・・α−3il誓グ 404・・・・・・境界部 以 上 出願人 株式会社諏ルb精工舎 第2図 て1530 第4図
光体の原理図、第2図は従来の2層病造の感光ドラムの
(1“q造を示す図、そして、第3図は電荷輸送層に8
10、感光層にa−81を用いた従来の感光ドラムを円
曲軸に垂直に切断したときの断面の一部を示した図であ
る。 また、第4図は本発明の構造を示した図である101・
・・・・・アルミの支持体 102・・・・・・電荷輸送層 106・・・・・・感光層 401・・・・・・アルミ支持体 402・・・・・・810J帝 403・・・・・・α−3il誓グ 404・・・・・・境界部 以 上 出願人 株式会社諏ルb精工舎 第2図 て1530 第4図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 (1) 金属上に形成した第1の半導体層上に、前記第
1の半導体層とは誘電率の異なる第2の半導体層を形成
した電子写真感光体において、第2の半導体ハクに接す
る第1の半導体層表面が凹凸面であることを特徴とする
電子写真感光体。 (2) 前記第1の半導体層表面の凹凸の振幅が0.1
μ善以上であることを特徴とする特許請求の範囲第1項
記載の電子写真感光体。 (8) +iiJ記第1の半導体IF*とじて炭化シリ
コン(sla)、Nuの半導体層としてアモルファスシ
リコン(α−51)を用いたことを特徴とする特バ1請
求の範囲幅1處記載の電子写真感光体。 (4) 前記第1の半導体層としてアモルファスシリコ
ン、第2の半導体層として炭化シリコンを用いたことを
特徴とする特許請求の範囲第1項記載の電子写真感光体
。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14531883A JPS6035745A (ja) | 1983-08-09 | 1983-08-09 | 電子写真感光体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14531883A JPS6035745A (ja) | 1983-08-09 | 1983-08-09 | 電子写真感光体 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6035745A true JPS6035745A (ja) | 1985-02-23 |
Family
ID=15382382
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP14531883A Pending JPS6035745A (ja) | 1983-08-09 | 1983-08-09 | 電子写真感光体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6035745A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61238060A (ja) * | 1985-04-16 | 1986-10-23 | Canon Inc | 電子写真感光体及びその画像形成法 |
JPS63195641U (ja) * | 1987-05-30 | 1988-12-16 |
-
1983
- 1983-08-09 JP JP14531883A patent/JPS6035745A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61238060A (ja) * | 1985-04-16 | 1986-10-23 | Canon Inc | 電子写真感光体及びその画像形成法 |
JPH0547101B2 (ja) * | 1985-04-16 | 1993-07-15 | Canon Kk | |
JPS63195641U (ja) * | 1987-05-30 | 1988-12-16 |
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