JPS6035745A - 電子写真感光体 - Google Patents
電子写真感光体Info
- Publication number
- JPS6035745A JPS6035745A JP14531883A JP14531883A JPS6035745A JP S6035745 A JPS6035745 A JP S6035745A JP 14531883 A JP14531883 A JP 14531883A JP 14531883 A JP14531883 A JP 14531883A JP S6035745 A JPS6035745 A JP S6035745A
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- JP
- Japan
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- layer
- semiconductor layer
- photosensitive
- semiconductor
- electrophotographic photoreceptor
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は金属上形成した第１の半導体層上に、前記第１
の半導体層と誘′亀率の異なる第２の半導体層を形成し
た電子写真感光体において、両者の接触面における第１
の半導体層表面を凹凸にすることにより、両者の密着性
を向上させた′電子写真、Ｉｐｉ ；′を洋ＩＣ＋ら１
する。
の半導体層と誘′亀率の異なる第２の半導体層を形成し
た電子写真感光体において、両者の接触面における第１
の半導体層表面を凹凸にすることにより、両者の密着性
を向上させた′電子写真、Ｉｐｉ ；′を洋ＩＣ＋ら１
する。
近年、電荷の発生を担う感光Ｐｈｉと電荷の輸送と帯電
圧を担う電荷輸送層とに機能を分離した２ ｒｑｊ１ｉ
’を造の電子写真感光体が普及しはじめている。その中
でも感光層にアモルファスシリコン（以下ではα−８１
とかく）を用い、電荷輸送層に炭化シリコン（以下では
ＢｉＯとかく）を用いた電子写真感光体は、その優れた
特性から注目を集めている。
圧を担う電荷輸送層とに機能を分離した２ ｒｑｊ１ｉ
’を造の電子写真感光体が普及しはじめている。その中
でも感光層にアモルファスシリコン（以下ではα−８１
とかく）を用い、電荷輸送層に炭化シリコン（以下では
ＢｉＯとかく）を用いた電子写真感光体は、その優れた
特性から注目を集めている。
１例として第１図に示す（ｔＩ造、すなわち、アルミの
支持体１０１の上に電荷輸送層５ｉ０１０２と感光ＪＨ
’）ｉ ａ −Ｓ ｉ １０３をつけた構造について、
１１１１単に原理を説明する。
支持体１０１の上に電荷輸送層５ｉ０１０２と感光ＪＨ
’）ｉ ａ −Ｓ ｉ １０３をつけた構造について、
１１１１単に原理を説明する。
第１図のように、感光層表向を正’ｉ’１５’ １ｋｉ
さぜた状態で感光層α−８１の禁止帯幅より大きなエネ
ルギー（ｈシンのホトンをもつ光を照射する。このブＣ
により感光層１０６の表面近傍、すなわち吸収領域内で
電子・正孔対が生成される。電子は１Ｌ界によって感光
層表面に達し、正′の帯電電荷を打消す。一方、正孔は
感光Ｊｉ（ｉ ｏ ５と電荷輸送層１０２を通って、ア
ルミ支持体１０１に達し、見かけ上砂光層と電荷１ｉｔ
ｉ１送層の中を電流が流れ、帯′重電荷が消滅したこと
になる。また、負に帯電した場合も光によって生成され
た電子と正孔の動きが逆になるだけで原理的には上述の
説明と同じである第１図のように感光層１０３にα−１
３１、電荷軸送バグ１０２に８１０を用いた場合の利点
は、ａ−Ｂ１単層の感光体に比べて、 ■ ＳｉＯの耐電圧がα−８１より大きいので、大きな
帯′嬬電位を得ることができる。
さぜた状態で感光層α−８１の禁止帯幅より大きなエネ
ルギー（ｈシンのホトンをもつ光を照射する。このブＣ
により感光層１０６の表面近傍、すなわち吸収領域内で
電子・正孔対が生成される。電子は１Ｌ界によって感光
層表面に達し、正′の帯電電荷を打消す。一方、正孔は
感光Ｊｉ（ｉ ｏ ５と電荷輸送層１０２を通って、ア
ルミ支持体１０１に達し、見かけ上砂光層と電荷１ｉｔ
ｉ１送層の中を電流が流れ、帯′重電荷が消滅したこと
になる。また、負に帯電した場合も光によって生成され
た電子と正孔の動きが逆になるだけで原理的には上述の
説明と同じである第１図のように感光層１０３にα−１
３１、電荷軸送バグ１０２に８１０を用いた場合の利点
は、ａ−Ｂ１単層の感光体に比べて、 ■ ＳｉＯの耐電圧がα−８１より大きいので、大きな
帯′嬬電位を得ることができる。
■ ＥｌｉＯはα−８ｊ、に比べ誘電率が４１さし）の
で）膜厚が同じ場合、同じ’ｉｆ） １４．電位をｑｂ
るσ〕に、α−Ｂ１の場合に比べ少なＩ／）電子Ｕち走
で１−む。したがって、電荷の消滅も少なし）光、ｊＩ
Ｉでよく感度が高い。
で）膜厚が同じ場合、同じ’ｉｆ） １４．電位をｑｂ
るσ〕に、α−Ｂ１の場合に比べ少なＩ／）電子Ｕち走
で１−む。したがって、電荷の消滅も少なし）光、ｊＩ
Ｉでよく感度が高い。
■について数値例で説明する。α−５１１ｔｌｊの容量
をＣ８、上述の２層構造の場合の容ｈ（をＯｄ、帯電電
位をそれぞれｖ８．Ｖｄとし、各に巳各斐なイ＋Ｈ扛電
荷をＱｓ、Ｑｄとすると Ｑ、 ｓ ＝ ｃ ｓ Ｖ ｅ ゝ０−＝（］）Ｑｄ＝
： Ｏｄ Ｖ ｄ −・・・−（２）帯１ｉｃ ’ＦＬ
位を同じ、すなわちＶ ｓ ＝ Ｖ ｄ、とじたときの
両者の電荷の比は、 火Ｓ：讐ζ ・・・・・・（３） となる。
をＣ８、上述の２層構造の場合の容ｈ（をＯｄ、帯電電
位をそれぞれｖ８．Ｖｄとし、各に巳各斐なイ＋Ｈ扛電
荷をＱｓ、Ｑｄとすると Ｑ、 ｓ ＝ ｃ ｓ Ｖ ｅ ゝ０−＝（］）Ｑｄ＝
： Ｏｄ Ｖ ｄ −・・・−（２）帯１ｉｃ ’ＦＬ
位を同じ、すなわちＶ ｓ ＝ Ｖ ｄ、とじたときの
両者の電荷の比は、 火Ｓ：讐ζ ・・・・・・（３） となる。
第１図の感光体でａ−８１感光ハク１０６のｊゾさをｄ
ｌとし、Ｅｌ ｉ Ｏ’Ｆ［荷軸送層１０２のｊＩＩさ
をｄ、２ とすると、単位面積当りの容量（まε０１ε
１ 、Ｃ２はそれぞれ真空の誘電率−σ−［３１感光層
の誘電率、そしてＢｉＯ電荷軸送ｊ−の誘電率である。
ｌとし、Ｅｌ ｉ Ｏ’Ｆ［荷軸送層１０２のｊＩＩさ
をｄ、２ とすると、単位面積当りの容量（まε０１ε
１ 、Ｃ２はそれぞれ真空の誘電率−σ−［３１感光層
の誘電率、そしてＢｉＯ電荷軸送ｊ−の誘電率である。
一方、ａ−８１層のみの感光体の厚さをｄＯとし、２
Ｊ’Ｑ Ｊｆ＃ ａ （Ｄ １６光体とｌ’ｌ シ厚す
ＬＬｏ ＝ ｉ’ｔ ＋ ”ｚとすると、 ａｓ＝芽＝１弁玲 ・・・・・・（５）（８）、（４）
、（５）から ε＋＝１２＋６２ニアであるから、たとえばｄｌ ＝５
μｍ、ｄ、２＝：１５ｆｉｍとすれ４ｆすなわち、単層
に比べ、２層構造にすると同じ厚さで、同じ帯電電位を
得るのに約６５％の電荷量で良い。したがって、この′
電荷を消滅させるためのホトン数も６５％でよく、感圧
の良いことがわかる。
Ｊ’Ｑ Ｊｆ＃ ａ （Ｄ １６光体とｌ’ｌ シ厚す
ＬＬｏ ＝ ｉ’ｔ ＋ ”ｚとすると、 ａｓ＝芽＝１弁玲 ・・・・・・（５）（８）、（４）
、（５）から ε＋＝１２＋６２ニアであるから、たとえばｄｌ ＝５
μｍ、ｄ、２＝：１５ｆｉｍとすれ４ｆすなわち、単層
に比べ、２層構造にすると同じ厚さで、同じ帯電電位を
得るのに約６５％の電荷量で良い。したがって、この′
電荷を消滅させるためのホトン数も６５％でよく、感圧
の良いことがわかる。
このように、２層構造の感ブＣ体は利点があるにもかか
わらず、反面、異なる側斜を２層にするために２層間の
密着性が問題となる。
わらず、反面、異なる側斜を２層にするために２層間の
密着性が問題となる。
第２図は従来の２層構造の感光ドラムの構造を示す図で
ある。同図において、２０１はアルミ支持体、２０２は
電荷輸送層、２０３はｔ凸光層である。また、第３図は
電荷輸送層にＳｉｎ、感光層にα−８１を用いた従来の
感光ドラムを円筒軸に垂直に切断したときの断面の一部
を示したものである。同図において６０１はアルミ支持
体、６０２は［１１０層、３０３はα−８１層である。
ある。同図において、２０１はアルミ支持体、２０２は
電荷輸送層、２０３はｔ凸光層である。また、第３図は
電荷輸送層にＳｉｎ、感光層にα−８１を用いた従来の
感光ドラムを円筒軸に垂直に切断したときの断面の一部
を示したものである。同図において６０１はアルミ支持
体、６０２は［１１０層、３０３はα−８１層である。
従来の構造では表面粗さが０．０６μｍ以下のアルミ支
持体の表面に、１０〜２０μｍのＳｉＯをプラズマＯＶ
Ｄでつけている。したがって、８１０表面は、やはり０
．０６μ惧以下の表面ｘｑｔさをもつ、いわゆる鏡面で
ある。
持体の表面に、１０〜２０μｍのＳｉＯをプラズマＯＶ
Ｄでつけている。したがって、８１０表面は、やはり０
．０６μ惧以下の表面ｘｑｔさをもつ、いわゆる鏡面で
ある。
この表面上ＶＣ５〜１０μｍのα−８ｉをプラズマＯＶ
Ｄでつけるため、ａ−ＥｌとＥｌｉＯの密ンｈ性が悲
く、α−８１バグがはがれる場合が多い。たとえば、温
度が４０°Ｃ，湿度が９０％の雰囲気中に１０日以上放
’ｕコｔ Ｌ／た場合、マイナス１０°Ｃとプラス１０
０°Ｃの温度サイクルを５０回以上行なった場合等にα
−８１層がはがれることがしばしば起こる。また帯電露
光試験を１０万回以上行なった場合にも、１ｍｍφくら
いの円状ＶＣａ −Ｓ ｉがはがれることがある。
Ｄでつけるため、ａ−ＥｌとＥｌｉＯの密ンｈ性が悲
く、α−８１バグがはがれる場合が多い。たとえば、温
度が４０°Ｃ，湿度が９０％の雰囲気中に１０日以上放
’ｕコｔ Ｌ／た場合、マイナス１０°Ｃとプラス１０
０°Ｃの温度サイクルを５０回以上行なった場合等にα
−８１層がはがれることがしばしば起こる。また帯電露
光試験を１０万回以上行なった場合にも、１ｍｍφくら
いの円状ＶＣａ −Ｓ ｉがはがれることがある。
このように従来の２１１ ：ｉ’Ｊ造の感光体には密着
性が悪いという欠点がある。
性が悪いという欠点がある。
本発明はかかる欠点を除去したものであって、その目的
とするところは、２層わｑ造の感光体における両者の密
着性を良くすることにある。
とするところは、２層わｑ造の感光体における両者の密
着性を良くすることにある。
′電荷輸送ハ′りに１３１０を、感光層にａ−ｓｉを用
いた場合について本発明を説明する。本発明はｓｌａの
表面を従来の０．０６μ以下の表面粗さから、０１μｍ
以上の粗さにすることによって、従来の欠点を除去した
ものである。本発明の（ｊ、１７造全従来と対比して第
４図に示した。同図に於て、４０１はアルミ支持体、４
０２はＢ ｉ ＯＪ４ｉｉ、４０３は（Ｚ−８ｉバグ、
４０４は０１μｍ以上の表面粗さを有する境界面である
。製造方法については実施例をもって説明する。
いた場合について本発明を説明する。本発明はｓｌａの
表面を従来の０．０６μ以下の表面粗さから、０１μｍ
以上の粗さにすることによって、従来の欠点を除去した
ものである。本発明の（ｊ、１７造全従来と対比して第
４図に示した。同図に於て、４０１はアルミ支持体、４
０２はＢ ｉ ＯＪ４ｉｉ、４０３は（Ｚ−８ｉバグ、
４０４は０１μｍ以上の表面粗さを有する境界面である
。製造方法については実施例をもって説明する。
実施例１
フルミ支持体の上にモノシラン（ｓｊＨイ ）。
ジボラン（Ｂｚ”ａ）＋メタン（ＯＨ４） ＊水素（Ｈ
ｚ ）の混合ガスを用い通常のプラズマｏｖＤ法で約１
５ ／１ ｍ ８１０をつけたのち、ガスを切シ替えフ
レオンガス（５％の酸素を含む）を用いて、内圧０．７
−１．３ Ｔ ｏ ｒ ｒの状態で、１層分１ｉＪＪ高
ｌｉｄ波放電を行なう。高周波電力は２００〜３００Ｗ
である。
ｚ ）の混合ガスを用い通常のプラズマｏｖＤ法で約１
５ ／１ ｍ ８１０をつけたのち、ガスを切シ替えフ
レオンガス（５％の酸素を含む）を用いて、内圧０．７
−１．３ Ｔ ｏ ｒ ｒの状態で、１層分１ｉＪＪ高
ｌｉｄ波放電を行なう。高周波電力は２００〜３００Ｗ
である。
フレオンガス中での放′亀によりＳ’ａｃの表面は粗さ
が０１〜０．６μ舛となる。島周波放電の時間を延ばす
か、又は高周波′電力を増すことによって、表面粗さは
大きくすることができる。
が０１〜０．６μ舛となる。島周波放電の時間を延ばす
か、又は高周波′電力を増すことによって、表面粗さは
大きくすることができる。
フレオンガス中での放電終了後に、再びガスを切り替え
て、８１Ｈ，、Ｂ、Ｈ６、Ｈ２の混合ガスによってプラ
ズマＯＶＤ法で約５μｍのａ−８１をつける。
て、８１Ｈ，、Ｂ、Ｈ６、Ｈ２の混合ガスによってプラ
ズマＯＶＤ法で約５μｍのａ−８１をつける。
実施例２
実施例１と同じ方法で５ｉａＪｉ＃をっけたのち、１〜
２Ｔ６ｒｒのアルゴンガス中で高周波放電を行なう。高
周波電力は１〜１．５ＫＷ、時間は１０分である。この
放電によって、ＳｉＯの表面はｏ、 １〜０３μ情の粗
さになる。その上に通常のプラズマＯＶＤ法でα−８１
をつける。
２Ｔ６ｒｒのアルゴンガス中で高周波放電を行なう。高
周波電力は１〜１．５ＫＷ、時間は１０分である。この
放電によって、ＳｉＯの表面はｏ、 １〜０３μ情の粗
さになる。その上に通常のプラズマＯＶＤ法でα−８１
をつける。
実施例３
実施例１と同じ方法でＳｉＯをつけたのぢ、約３分間、
弗酸に浸したのち純水で超音波洗浄をし、乾燥さぜる。
弗酸に浸したのち純水で超音波洗浄をし、乾燥さぜる。
この工程によりＳｉＯの表面は０．１〜０６μ情の表向
粗さとなる。この表面上にプラズマＯＶＤ法により約５
μ善のＱ、−８１をっりる。
粗さとなる。この表面上にプラズマＯＶＤ法により約５
μ善のＱ、−８１をっりる。
実施例４
アルミ支持体の表面を、切削あるいは化学エツチングに
より０．５〜０．７μｍの表面粗さにする。
より０．５〜０．７μｍの表面粗さにする。
さらに洗浄乾燥後、プラズマＯＶＤにより約１５μ濯の
ＳｉＯをつける。アルミの支持体表面が粗いためその上
のＳｉＯの表面も粗さが０．１〜０６μ常になる。この
土にα−８１を５μｍつ番ブる。
ＳｉＯをつける。アルミの支持体表面が粗いためその上
のＳｉＯの表面も粗さが０．１〜０６μ常になる。この
土にα−８１を５μｍつ番ブる。
以上の方法により電荷輸送層の表面粗さを０１μｍより
粗くすることにより、感光層との密着性が非常によくな
る。
粗くすることにより、感光層との密着性が非常によくな
る。
信頼性試験の結果、温度４０ ’ｃ、湿度９０％の雰囲
気中に３０日問おき、さらにマイナス１０℃とプラスＩ
ＱＯ℃の温度サイクルを１００ ｐＪがけてもａ −ｓ
ｉ Ｈのはがれはまったくみられながった。
気中に３０日問おき、さらにマイナス１０℃とプラスＩ
ＱＯ℃の温度サイクルを１００ ｐＪがけてもａ −ｓ
ｉ Ｈのはがれはまったくみられながった。
また、帯電露光試験においても１０万同時点ではピンホ
ールの発生はみられなかった。
ールの発生はみられなかった。
このように本発明によって従来の欠点を除去することが
できた。
できた。
実施例のについては電荷輸送層に８１０１感光層にα−
８１を用いた場合について説明したが、−１ｒＬ、ン膜
上にポリビニルカルバゾール（ＰＶＫ）を２層感光体、
すなわぢ感光層セレン上に電荷輸送層を塗布したもので
も両者の密着性を上げるという点では、本発明の効果は
まったく同じであるまた、感光層と電荷輸送層の組合せ
として、ジメチルペリルイミドとオキサジアゾール、砒
繁セレンテルル合金とピラゾリン誘導体、あるいは、ト
リフェニルメタンとピリリウム塩等有機感光体の場合に
も本発明の効果は十分にある。
８１を用いた場合について説明したが、−１ｒＬ、ン膜
上にポリビニルカルバゾール（ＰＶＫ）を２層感光体、
すなわぢ感光層セレン上に電荷輸送層を塗布したもので
も両者の密着性を上げるという点では、本発明の効果は
まったく同じであるまた、感光層と電荷輸送層の組合せ
として、ジメチルペリルイミドとオキサジアゾール、砒
繁セレンテルル合金とピラゾリン誘導体、あるいは、ト
リフェニルメタンとピリリウム塩等有機感光体の場合に
も本発明の効果は十分にある。
以上から本発明は応用範囲も広く、実用面での効果も大
きい。
きい。
第１図は電荷輸送層と感ｙｔ、 ｒｙηを有する２層感
光体の原理図、第２図は従来の２層病造の感光ドラムの
（１“ｑ造を示す図、そして、第３図は電荷輸送層に８
１０、感光層にａ−８１を用いた従来の感光ドラムを円
曲軸に垂直に切断したときの断面の一部を示した図であ
る。 また、第４図は本発明の構造を示した図である１０１・
・・・・・アルミの支持体 １０２・・・・・・電荷輸送層 １０６・・・・・・感光層 ４０１・・・・・・アルミ支持体 ４０２・・・・・・８１０Ｊ帝 ４０３・・・・・・α−３ｉｌ誓グ ４０４・・・・・・境界部 以 上 出願人 株式会社諏ルｂ精工舎 第２図 て１５３０ 第４図
光体の原理図、第２図は従来の２層病造の感光ドラムの
（１“ｑ造を示す図、そして、第３図は電荷輸送層に８
１０、感光層にａ−８１を用いた従来の感光ドラムを円
曲軸に垂直に切断したときの断面の一部を示した図であ
る。 また、第４図は本発明の構造を示した図である１０１・
・・・・・アルミの支持体 １０２・・・・・・電荷輸送層 １０６・・・・・・感光層 ４０１・・・・・・アルミ支持体 ４０２・・・・・・８１０Ｊ帝 ４０３・・・・・・α−３ｉｌ誓グ ４０４・・・・・・境界部 以 上 出願人 株式会社諏ルｂ精工舎 第２図 て１５３０ 第４図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１） 金属上に形成した第１の半導体層上に、前記第
１の半導体層とは誘電率の異なる第２の半導体層を形成
した電子写真感光体において、第２の半導体ハクに接す
る第１の半導体層表面が凹凸面であることを特徴とする
電子写真感光体。 （２） 前記第１の半導体層表面の凹凸の振幅が０．１
μ善以上であることを特徴とする特許請求の範囲第１項
記載の電子写真感光体。 （８） ＋ｉｉＪ記第１の半導体ＩＦ＊とじて炭化シリ
コン（ｓｌａ）、Ｎｕの半導体層としてアモルファスシ
リコン（α−５１）を用いたことを特徴とする特バ１請
求の範囲幅１處記載の電子写真感光体。 （４） 前記第１の半導体層としてアモルファスシリコ
ン、第２の半導体層として炭化シリコンを用いたことを
特徴とする特許請求の範囲第１項記載の電子写真感光体
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14531883A JPS6035745A (ja) | 1983-08-09 | 1983-08-09 | 電子写真感光体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14531883A JPS6035745A (ja) | 1983-08-09 | 1983-08-09 | 電子写真感光体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6035745A true JPS6035745A (ja) | 1985-02-23 |
Family
ID=15382382
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14531883A Pending JPS6035745A (ja) | 1983-08-09 | 1983-08-09 | 電子写真感光体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6035745A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61238060A (ja) * | 1985-04-16 | 1986-10-23 | Canon Inc | 電子写真感光体及びその画像形成法 |
| JPS63195641U (ja) * | 1987-05-30 | 1988-12-16 |
-
1983
- 1983-08-09 JP JP14531883A patent/JPS6035745A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61238060A (ja) * | 1985-04-16 | 1986-10-23 | Canon Inc | 電子写真感光体及びその画像形成法 |
| JPH0547101B2 (ja) * | 1985-04-16 | 1993-07-15 | Canon Kk | |
| JPS63195641U (ja) * | 1987-05-30 | 1988-12-16 |
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