JPH03213869A - 電子写真用感光体の作製方法 - Google Patents
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Landscapes
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
め要約のデータは記録されません。
Description
写真用感光体に関する6 「従来技術j 従来、電子写真方式に於いて使用される感光体としては
、導電性支持体上にセレンなどの無機系光導電材料をバ
インダー中に分散させたもの、ボIJ−N−ビニルカル
バゾールとトリニトロフルオレオンあるいはアゾ顔料な
どの有機系光導電材料を用いたもの、及び非晶質シリコ
ン系材料を用いたもの等が一般に知られている。
光体をまず暗所で、例えばコロナ放電によって帯電させ
、次いで像露光し、露光部のみの電荷を選択的に散逸せ
しめて静電潜像を得、この潜像部を染料、顔料などの着
色材と高分子物質などの結合剤とから構成される検電微
粒子(トナー)で現像し可視化して画像を形成する様に
した画像形成法の一つである。
な特性としては (1)暗所で適当な電位に帯電できること。
と。
それぞれ優れた特徴及び欠点を有しているが、なかでも
近年は製造コストが安い、環境汚染が少ない、比較的自
由な感光体設計ができる等の理由により、有機系感光体
の発展が著しい。
分散あるいは熔解して導電性支持体上に塗布したもので
あり、ひとつの層で電荷保持、電荷発生、電荷輸送の機
能を有する単層型と電荷発生の機能を有する電荷発生層
(CGL)、帯電電荷の保持とCGLから注入された電
荷の輸送機能を有する電荷輸送層(CTL)、更には必
要に応じて支持体からの電荷の注入を阻止する、あるい
は支持体での光の反射を防止する等の機能を有した層な
どを積層した構成の機能分離型とが知られている。
いるが、有機材料であるがゆえに表面硬度が低く、複写
プロセスでの実使用時に現像剤。
摩耗や傷が発生しやすいという本質的な欠点も有してい
る。
た局部的な傷はコピー上でスジ状の異常画像を発生させ
る原因になり、いずれも感光体寿命を左右する重要な問
題である。
層を設けて、複写機内外で受ける機械的負荷に対する耐
久性を改善する方法が提案されている。
特公昭3B−15446) 、無機酸化物を設ける方法
(特公昭43−14517) 、接着層を設けた後絶縁
層を積層する方法(特公昭43−27591)、或いは
プラズマCVD法・光CVD法等によってa−3i層、
a−3i:N:H層、a−3i:0:H層等を積層する
方法(特開昭57−179859.特開昭59−584
37)などが開示されている。又近年、高硬度ダイヤモ
ンド状カーボン膜の保護層への応用が活発化している。
保護層を設けたもの(特開昭6O−249155) 。
特開昭6l−255352) 、感光層上に炭素を主成
分とする高硬度絶縁層を形成したもの(特開昭6126
4355) 、あるいは、有機感光層上に窒素原子。
機重合膜から成る保護層を設けたもの(特開昭63−9
7961〜4)、有機感光層上にカルコゲン原子、■属
原子、■属原子、V属原子等の原子を少なくとも含むグ
ロー放電により生成された非晶質炭化水素膜から成る保
護膜を設けたもの(特開昭63−220166〜9)な
どを挙げることができる。
ロセス (スパッタリング、プラズマC■D、グロー放
電法、光CVD法等)により作製した炭素又は炭素を主
成分とす゛る高硬度の薄膜(i−カーボン膜あるいはダ
イヤモンド状炭素膜という総称で呼ばれるものに属する
。)を形成したものである。
ことが可能になった。ところが表面が硬くなったがゆえ
に、感光体表面が摩耗しなくなった為に有機系感光層に
もともと存在していたピンホール、クラック等の凹部が
そのままの形状で残されることになった。このクラック
内にボケ物質と言われる表面低抵抗化物質が入り込み、
画像流れを発生させていた。
面電荷が感光体表面の低抵抗化により容易に移動して潜
像がぼやけてしまい、画像が流れたようになってしまう
事を言う。感光体表面の低抵抗化は帯電プロセス時のコ
ロナ放電により発生する窒素酸化物、トナー中に含まれ
るリン酸化物等のボケ物質と言われるものが、空気中の
水と反応してイオン化し、ここで発生した硝酸イオン、
硫酸イオン、アンモニウムイオン、水酸基イオンプロト
ン等が電荷移動のキャリアとなることより発生する。こ
れらボケ物質は表面硬度を高くする以前よりその存在自
身は知られていたが、表面硬度が低いが故に問題が顕在
化していなかった。すなわち、柔らかい表面と一緒にボ
ケ物質も感光体表面より除去されていたためである。
り表面硬度を高くしたが故に有機系感光体層のクランク
またはピンホール等(34)がそのままの形状で保存さ
れることになり、それらの凹部(34)にボケ物質が入
り込み、ボケ物質が存在する近傍部分の表面を低抵抗化
させ、高硬度の保護膜の凹部にこれらが存在するので、
削り取られてゆくことなく、感光体表面上に常に存在す
ることになりこれが画像流れの発生の原因となっていた
。
体上に有機系感光層、保護層を順次積層した構成を有す
る電子写真用感光体であって、少なくとも前記有機系感
光層に存在するピンホール、クランク等の凹部を充填し
ている絶縁材料が有機系感光層と保護膜との間に設けら
たことを特徴とする電子写真用感光体である。
0)又は有機感光体とその下引層(31)の凹部に絶縁
材料(35)を積極的に充填した後、表面上に保護層(
33)を形成し、ボケ物質が感光体表面上に存在しにく
い状態を実現し、画像流れ等の問題がない。耐久性の高
い感光体を提供するものである。
いは導電処理をした絶縁体が用いられる。
いは合金、ポリエステル、ポリカーボネート、ポリイミ
ド、ガラス等の絶縁性基体上にAI。
の導電材料の薄膜を形成したもの、導電処理をした紙等
が例示できる。
て板状、ドラム状、ベルト状のものが用いられる。
けられる有機系感光層には前述の様に単層型と機能分離
型とがある。
化チタン、硫化亜鉛等の光導電性粉体。
、フタロシアニン顔料、アズレニウム塩顔料、アゾ顔料
等を必要に応じて結着剤樹脂及び/又は後述する電子供
与性化合物と共に塗布形成されたもの、またピリリウム
系染料とビスフェノールA系のポリカーボネートとから
形成される共晶錯体に電子供与性化合物を添加した組成
物を用いたもの等が挙げられる。結着剤樹脂としては後
述する機能分離型感光層と同様のものを使用することが
できる。この単層型感光層の厚さは5〜30μmが適当
である。
を発生分離させるための電荷発生層(CGL)としては
、結晶セレン、セレン化ヒ素等の無機光導電性粉体ある
いは有機系染顔料を結着剤樹脂に分散もしくは溶解させ
たものが用いられる。
イピグメントブルー25〔カラーインデックス(CI)
21180) 、シーアイピグメントレッド4HCI2
1200) 、 シーアイアシッドレッド52(C1
45100)。
に、ポリフィリン骨格を有するフタロシアン系顔料。
ル骨格を有するアゾ顔料(特開昭53−95033号公
報に記載)、スチリルスチルベン骨格を有するアゾ顔料
(特開昭53−138229号公報に記載)、トリフェ
ニルアミン骨格を有するアゾ顔料(特開昭531325
47号公報に記載)、ジベンゾチオフィン骨格を有する
アゾ顔料(特開昭54−21728号公報に記載)、オ
キサジアゾール骨格を有するアゾ顔料(特開昭54−1
2742号公報に記載)、フルオレノン骨格を有するア
ゾ顔料(特開昭54−22834号公報に記載)、ビス
スチルベン骨格を有するアゾ顔料(特開昭54−177
33号公報に記載)、ジスチリルオキサジアゾール骨格
を有するアゾ顔料(特開昭54−2129号公報に記載
)、ジスチリルカルバゾール骨格を有するアゾ顔料(特
開昭54−2129号公報に記載)、ジスチリルカルバ
ゾール骨格を有するアゾ顔料(特開昭54−17734
号公報に記載)、カルバゾール骨格を有するトリアゾ顔
料(特開昭57−195767号公報、同57−195
768号公報に記載)等、さらにシーアイピグメントブ
ルー16(CI 74100)等のフタロシアニン系顔
料、シーアイバッドブラウン5(CI 73410)、
シーアイハツトダイ (C173030)9等のインジ
ゴ系顔料、アルゴスカーレッドB (パンオレット社製
)、インダスレンスカーレットR(バイエル社製)等の
ペリレン系顔料等を使用することができる。
用して用いられる。
100重量部用いるのが適当であり、好ましくは0〜5
0重量部である。
リイミド、ポリウレタン、ポリエステル。
合系樹脂並びにポリスチレン、ポリアクリレート、ポリ
メタクリレート、ポリ−N−ビニルカルバゾール、ポリ
ビニルブチラール、スチレン−ブタジェン共重合体、ス
チレン−アクリロニトリル共重合体等の重合体および共
重合体等の接着性、絶縁性樹脂が挙げられる。
脂とともに、テトラヒドロフラン、シクロヘキサノン、
ジオキサン、ジクロルエタン等の溶媒を用いてボールミ
ル、アトライター、サンドミルなどにより分散し、分散
液を適度に希釈して塗布することにより形成できる。塗
布は、浸漬塗工法やスプレーコート、ビードコート法な
どを用いて行なうことができる。
り、好ましくは0.1〜2μmである。
の粒子を用いる場合は電子供与性結着剤及び/又は電子
供与性有機化合物と併用される。このような電子供与性
物質としてはポリビニルカルバゾールおよびその誘導体
(例えばカルバゾール骨格に塩素、臭素などのハロゲン
、メチル基、アミノ基などの置換基を有するもの)、ポ
リビニルピレン、オキサジアゾール、ピラゾリン、ヒド
ラゾン、ジアリールメタン、α−フェニルスチルベン。
びジアリールメタン系化合物等があるが、特にポリビニ
ルカルバゾールおよびその誘導体が好ましい。またこれ
らの物質を混合して用いても良い。混合して用いる場合
もポリビニルカルバゾールおよびその誘導体に他の電子
供与性有機化合物を添加するのが好ましい。この種の無
機系電荷発生物質の含有量は層全体の30〜90重量%
が適当である。また無機系電荷発生物質を用いた場合の
電荷発生層の厚さは0.2〜5μmが適当である。
により電荷発生層で発生分離した電荷を移動させて保持
していた帯電電荷と結合させることを目的とする層であ
る。帯電電荷を保持させる目的達成のために電気抵抗が
高いことが要求され、また保持した帯電電荷で高い表面
電位を得る目的を達成するためには、誘電率が小さくか
つ電荷移動性が良いことが要求される。
送物質および必要に応じて用いられるバインダー樹脂よ
り構成される。すなわち、以上の物質を適当な溶剤に溶
解ないし分散してこれを塗布乾燥することにより電荷輸
送層を形成することができる。
。
およびその誘導体、ポリーT−カルバゾリルエチルグル
タメートおよびその誘導体、ピレン−ホルムアルデヒド
縮金物およびその誘導体。
パン、スチリルアントラセン、スチリルピラゾリン、フ
ェニルヒドラゾン類、α−フェニルスチルベン誘導体等
の電子供与性物質が挙げられる。
ムアニル、テトラシアノエチレン、テトラシアノキノン
ジメタン、2,4.7−1−ジニトロ−9フルオレノン
、2,4,5.7−テトラニトロ−9−フルオレノン、
2,4,5.7−テトラニトロキサントン、2゜4.8
−トリニドロチオキサントン、2.6.8− トリニト
ロ−4H−インデノ〔1,2−b )チオフェン−4−
オン、1,3.7−1−リニトロジベンゾチオフェノン
−5,5−ジオキサイドなどの電子受容性物質が挙げら
れる。
用いられる。
、ポリスチレン、スチレン−アクリロニトリル共重合体
、スチレン−ブタジェン共重合体。
リ塩化ビニル、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、ポリ
酢酸ビニル、ポリ塩化ビニリデン。
ート、酢酸セルロース樹脂、エチルセルロース樹脂、ポ
リビニルブチラール、ポリビニルホルマール ポリビニ
ルトルエン、ポリ−N−ビニルカルバゾール、アクリル
樹脂、シリコーン樹脂。
ル樹脂、アルキッド樹脂等の熱可塑性または熱硬化性樹
脂が挙げられる。
エン、モノクロルベンゼン、ジクロルエタン、塩化メチ
レンなどが用いられる。
よい、可塑剤としては、ジブチルフタレート、ジオクチ
ルフタレートなど一般の樹脂の可塑剤として使用されて
いるものがそのまま使用でき、その使用量は、バインダ
ー樹脂に対して0〜30重量%程度が適当である。レベ
リング剤としては、ジメチルシリコーンオイル、メチル
フェニルシリコーンオイルなどのシリコーンオイル類が
使用され、その使用量はバインダー樹脂に対して、0〜
1重量%程度が適当である。
,L、CTLの順に積層しても、CTL。
を充填する絶縁材料としては、下地材料である有機系感
光層とのなじみが良く、凹部を充填できる程度に流動活
動性の高い必要がある。
フォトレジスト、エポキシ樹脂や前述のCTL又はCG
Lに使用される有機樹脂等が挙げられる。
た場合、下地材料とのなじみが良好である。
その作成方法を以下に述べる。
0図面において、プラズマCVD装置の反応容器(7)
はロード/アンロード用予備室(7′)とゲート弁(9
)で仕切られている。ガス系(20)において、キャリ
アガスを(21)より、反応性気体を(22)より、添
加物気体を(23)より、反応容器のエツチング用気体
を(24)より、バルブ(28)、流量計(29)をへ
て反応容器(7)中にノズル(25)より導入する。
如く、枠構造体(2)(電極側よりみて四角または六角
形の枠構造を有する)を有し、この上方および下方の開
口部には、この開口部を覆うようにフード(8)。
配設された一対の同一形状を有する第1および第2の電
極(3)。
。反応性気体はノズル(25)より下方向に放出される
。第3の電極はアルミニウムシリンダー状支持体上に有
機系感光層を設けたものとし、直流的には感光層が絶縁
材料であるが、ここに第2の交番電圧を加え、交流的に
は実質的に導体化してバイアスを印加した。この基体(
1)上の被形成面(1“)を一対の電極(3) 、 (
3″)で生成されるプラズマ中に保持させて配設した。
即ち(1)には被形成面(1’−1)、(1’−2)
・・・(1−n)を有し、第2の交番電圧と負の直流
バイアスが印加された1〜500KHzの交番電圧が印
加されている。この場合の直流バイアスは第2の交番電
圧源と基体である第3の電極の間に設置したコンデンサ
(図示せず)に第2の交番電源により蓄積される自己バ
イアスと直流電源により積極的に印加される直流バイア
スのどちらでもよい。第1の高周波の交番電圧によりグ
ロー放電のプラズマ化した反応性気体は、反応空間(4
0)に均一に分散し、このプラズマは(2) 、 (8
) 、 (8’ )により取り囲まれるようにし、この
外側の外部空間(6)にはプラズマ状態で反応性気体が
到達しないようにして反応容器内壁に被膜が付着しない
ようにした。また反応空間でのプラズマ電位を均質にし
た。
るため、電源系(14)には二種類の周波数の交番電圧
が印加できるようになっている。第1の交番電圧は1〜
100KHzの高周波であり、一対をなす2つの電源(
15−1) 、 (15−2)よりマツチングトランス
(16−1) 、 (16−2)に至る。このマツチン
グトランスでの位相は位相調整器により調整し、互いに
180°または0°ずれて供給できるようにしている。
端(4)及び他端(4”)は一対の第1および第2の電
極(3)、(3’)にそれぞれ連結されている。
され、第2の1〜500KHzの交番電界(17)が印
加されている。その出力はコンデンサ(図示せず)を通
して基体(1−1’)、 (1−2’)、・・・(1−
n’)即ち(1)またはそれらに電気的に連結するホル
ダ(2)の第3の電極に連結されている。
子ポンプ(12)、 ロータリーポンプ(13)をへ
て不要気体を排気する。
〜l、Qtorrとし、この枠構造体(2)は四角形ま
たは六角形を有し、例えば四角形の場合は第4図(A)
に示す如き巾75cm、奥行き75cn+、縦50c+
++とした。
、(1−2) ・・・(1−n) ・・に示す如く
、ここでは16本を互いに等間隔で配設する。その外側
の枠構造(2)の内側にも等電界を形成するためのグミ
の母材(1−0) 、 (1−n+1)を配設している
。かかる空間において、1〜100KHzの高周波を0
.5〜5に賀(単位面積あたり0.3〜3W/cm”)
で第1の高周波電圧を加える。さらに第2の交番電圧に
よる交流バイアスの印加により、被形成面上には−10
〜−600vの負自己バイアス電圧が印加されており、
この負の自己バイアス電圧により加速された反応性気体
を基体上でスパッタしつつ成膜し、かつ緻密な膜とする
ことができる。この負自己バイアス電圧を制御すること
により被膜の硬さを制御することができるが、これは本
発明に用いる炭素膜形成方法の特徴の1つである。
としてメタン、エチレン等炭化水素または弗化炭素等の
炭化物気体を、添加物気体として弗化窒素、アンモニア
等の窒素化物を用いることができる。反応容器のエツチ
ング用気体として酸素もしくは弗化窒素、弗化炭素等の
弗化物気体を用いることができる。反応気体として例え
ばエチレンと弗化窒素とを導入すると、窒素と弗素が添
加されたダイヤモンド状炭素膜(DLCともいうが、添
加物が添加されたDLCを含めて本発明においては炭素
または炭素を主成分とする被膜という)が成膜できる。
し、その割合はNh/CJi=1/20〜4/1とする
。この割合を可変することにより、炭素又は炭素を主成
分とする被膜の透過率および比抵抗を制御することがで
きる。
じて加熱又は冷却を行なってもよい。
とする被膜の代表的な特性はSP″軌道を有するダイヤ
モンドと類似のC−C結合を作り、ビッカース硬度10
0〜3000Kg/mn+”、比抵抗(固有抵抗HX
107〜I XIO”Ωc#lを有するとともに、光学
的エネルギバンド巾(Egという)が1.OeV以上、
好ましくは1.5〜5.5eVを有する赤外または可視
領域で透光性のダイヤモンドと類似の特性を有するもの
である。
して用いるものであり、膜厚は0.1〜5μm、好まし
くは0.2〜lum、比抵抗は10@〜IQIIΩcm
好ましくは10″〜IO1!Ωcmとするのが良い。
主成分とする被膜は多層に積層することもできる。
、炭化珪素膜その他多数の材料を保護膜として使用する
ことが可能で、本発明の思想を変更することなく適用す
ることができる。但し、保護膜を炭素または他炭素を主
成分とする被膜以外を使用した場合には、下地材料であ
る有機系感光層との密着性に問題が生じる可能性があり
、その場合は保護膜の作成条件を下地材料に合わせて変
更したり、複数の材料の保護膜を積層して、密着性をあ
げる等の他の技術が必要となる。
縁材料としては、流動性が高く、微小な間隙に充填する
材料が好ましい。
ール溶液に溶解された有機系酸化珪素、ポリビニルピロ
リドン、ポリビニルアルコール等の溶媒を飛ばした後に
被膜を形成する材料、又は、下地材料である有機系感光
層を構成する前述のような材料を使用することができる
。
系感光層上に炭素または炭素を主成分とする被膜を作製
する例を示す。
静電複写用ドラムの断面図を示す。その要部の拡大図を
第1図(B)に示す。
す。
長さ250mm)に下記組成比の混合物をボールミルで
12時間分散し調整した下引形成液を乾燥後の膜厚が約
2μ驕になる用に浸漬法で塗工し下引層(31)を形成
し、第2図(A)の状態を得た。
ポリアミド樹脂(東し社製 CM−8000) 1重量
部メタノール 25重量部この
下引層上に下記処方の電荷発生層塗工液を浸漬塗工し、
120°Cで10分間乾燥させ、膜厚的0゜15μ腸の
電荷発生層を形成した。
ステル樹脂(東洋紡社製 バイロン)12重量部 シクロヘキサン 360重量部上記
混合物をボールミルで72時間分散した後更にシクロヘ
キサン:メチルエチルケトン=171(重量比)の混合
溶媒500重量部で希釈調整する。
液を乾燥後の膜厚が約20μmになるように浸漬塗工し
て電荷輸送層を設けた。
光体層(30)という。
される原因としては、塗膜工程でのゴミ、基体の傷、下
引層の凹凸、有機感光体自身の割れ等積々の原因が考え
られる。
名 パンライ)C1400:奇人化成■)シリコン油
0.0002重量部(商品名 KF
50:信越シリコーン■)テトラヒドロフラン
eo重を部次にこの有機系感光層(30)中に
存在するピンホールまたはクラックの凹部(34)を埋
める。
体の表面に存在するピンホールまたはクランクの凹部(
34)に絶縁材料(36)を積極的に充填するよう、表
面に塗布した。
フォトレジストを使用した。また、充填するピンホール
またはクラックの寸法が小さいので、このレジストの粘
度50CP以下のものを使用した。それ以上の場合凹部
への回り込みが難しいまたは非常に時間を要するので5
0CP以下の粘度が好ましかった。本実施例においては
5CPの粘度のレジストを使用した。
ーティングロール(37)を100回/分の回転数で回
転させて、レジストをロールになじませた後に感光体の
シリンダーを圧力を加えて密着させ、2〜10回転して
、感光体シリンダーの保護膜上にレジストを塗布し、第
2図(C)に示すように感光体層(30)上全面にレジ
スト(36)を形成した。次にこのレジストをプリベー
ク(50°C110分)した後に波長400nm付近の
紫外光を3秒感照射し、所定の現像液にて現像しピンホ
ールまたはクランクの凹部(34)にフォトレジスト(
35)を残し他の部分のレジストを除去した。
ルまたはクランクのフォトレジストまで充分な光が到達
し凹部のレジストまで現像処理時に除去されてしまう。
)して、第2図(D)のように平滑な表面を持つ有機感
光層を完成させた。
酸素を取り除くため、水素によるプラズマ処理を行った
。H2流量50SCCMとし、第1の交番電界(13,
56M Hz )によりプラズマを発生させ、第2の交
番電界(50kHz)によりバイアスを加えた。この時
のバイアス電圧のDC成分は一100■であった。
にして形成させた。
を55CCM、CJaの流量を805CCM、反応圧力
0.05Torr、第1の交番電界周波数13.56M
Hz、その出力400−1第2の交番電界周波数250
KHz、その電圧振幅100v、直流バイアス−50V
として有機系感光体上に比抵抗I Xl013Ωcmの
赤外または可視光に対し、透光性のアモルファス構造ま
たは結晶構造を有する第1の炭素または炭素を主成分と
する被膜(33)を0.8μm(中央部)生成させた。
0Kg/mm2、光学的エネルギーバンド巾は2.4e
Vを有していた。
被膜(33)、特に炭素中に水素を30原子%以下含有
するとともに、0.3〜3原子%弗素が混入し、また0
、3〜10原子%の窒素を混入させた炭素を形成させる
ことができ、電子写真プロセスにおいて発生するボケ物
質が吸着、付着または存在でき無い程度に平滑で耐摩耗
性の良い電子写真用感光体を完成することができた。
部に充填する材料として電荷輸送層に使用したものと同
じ材料を用いた場合の例である。
光層(30)を形成した後に電荷輸送層に使用したもの
と同じ材料(36)に浸漬塗工したのち熱処理を施し溶
媒を飛ばして、表面上に有機膜を形成した。この感光体
シリンダ表面にスキージ等の金属片をあて、表面の有機
膜を除去し凹部(35)に積極的に充填するとともに凹
部のみにこの電荷輸送層と同じ有機膜を充填し表面を平
滑な状態とした、この後実施例1と同様に炭素または炭
素を主成分とする被膜を保護膜(33)としてその上面
に形成し電子写真用感光体を完成した。
凹部に充填する材料として電荷輸送層に使用したものと
同じ材料を用いた場合の例である。
光層を形成して、仮に感光体を完成させる。次に実際に
第6図に示すような電子写真装置(41)にセットし、
1000回〜150000回電子写真プロセスを行う次
にこの感光体(1)を電子写真装置(41)より取り出
し、感光体層の表面を清浄化し、表面上に存在する低抵
抗化物質を除去後、実施例2と同様に有機系感光層表面
の凹部(34)に電荷輸送層と同じ材料を使用して絶縁
膜(35)を充填して電子写真用感光体層を完成した。
膜(33)を形成し、感光体を完成した。
プロセスで発生したクラックをも絶縁物で充填するので
、それ以後は新たなりランクの発生が無いため、これ以
後電子写真プロセスにおいて白抜け、白帯が新たに発生
する事がなかった。
で行ったような有機系感光層上の凹部を充填する処理を
行わなかった感光体とを比較実験した。これら実施例及
び比較例により作製された感光体それぞれを同一の電子
写真装置(41)に搭載し電子写真プロセスを1000
回行った後1時間電子写真装置を通電状態で放置すると
言う試験工程を1サイクルとして5サイクル行った後の
評価用原稿(42)のコピーを比較した。
、比較例の感光体の方には白帯白抜けが発生していた。
感光体はその初期の表面抵抗に比べて、抵抗値のオーダ
ーは変化せずその変化率(初期の抵抗値を測定値で割っ
たもの)は1.2〜2.5の範囲に入っていた。
な表面抵抗の変化を示していた。
順に積層した構成の電子写真用感光体において、有機系
感光層の表面に存在するピンホール、クラック等の凹部
に絶縁物を充填して、平滑な表面を持つ感光体を実現し
、感光体表面に部分的に低抵抗領域が形成されることを
防止し、電子写真プロセスでの白帯、白抜は等の不良が
無く且つ表面の耐摩耗性が向上した電子写真用感光体を
実現することができた。
のではなく、その他の支持基体例えば有機フィルム状の
感光体でも本発明の思想を変更することなく適用するこ
とができる。
とする被膜をコートした例を示す。 第2図は本発明の感光体を形成する工程の概略図を示す
。 第3図は本発明のプラズマCVD装置の概要を示第4図
(A) 、 (B)は第2図で示したプラズマCVD装
置における基体の配設方式を示す。 第5図は本発明の感光体を作成する際に使用したローラ
コーターの概略図である。 第6図は本発明の感光体を組み込んだ静電複写機を示す
。 第7図は従来の感光体表面の拡大断面図を示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、導電性支持体上に有機系感光層を形成する工程と前
記工程の後に少なくとも前記有機系感光層に存在するピ
ンホール、クラック等の凹部に対して、絶縁材料を充填
する工程と該工程の後に保護層を形成することを特徴と
した電子写真用感光体の作製方法。 2、特許請求の範囲第1項において、前記絶縁性材料を
ロールコーター方式により塗布し、前記有機系感光層に
存在するピンホールまたはクラックの凹部に前記絶縁性
材料を積極的に充填することを特徴とする電子写真用感
光体の作製方法。 3、特許請求の範囲第1項において、前記有機系感光層
上に前記絶縁性材料を浸漬塗工した後、スキージにより
その塗布面をなぞることにより前記有機感光層の凹部に
前記絶縁性材料を積極的に充填するとともに、不要な絶
縁性材料を除去する工程を有することを特徴とする電子
写真用感光体の作製方法 4、導電性支持体上に有機系感光層を形成して仮に電子
写真用感光体を完成させた後に前記感光体を用いて、電
子写真プロセスを行った後に前記電子写真用感光体表面
を清浄にした後に少なくとも前記有機系感光層に存在す
るピンホール、クラック等の凹部に対して、絶縁材料を
充填する工程と該工程の後に保護層を形成することを特
徴とした電子写真用感光体の作製方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7492590A JP2873602B2 (ja) | 1989-11-20 | 1990-03-23 | 電子写真用感光体の作製方法 |
US07/991,519 US5240801A (en) | 1989-11-20 | 1992-12-16 | Image-forming member for electrophotography and manufacturing method for the same |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP30240089 | 1989-11-20 | ||
JP1-302400 | 1989-11-20 | ||
JP7492590A JP2873602B2 (ja) | 1989-11-20 | 1990-03-23 | 電子写真用感光体の作製方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03213869A true JPH03213869A (ja) | 1991-09-19 |
JP2873602B2 JP2873602B2 (ja) | 1999-03-24 |
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JP (1) | JP2873602B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006317859A (ja) * | 2005-05-16 | 2006-11-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電子写真感光体およびその製造方法 |
-
1990
- 1990-03-23 JP JP7492590A patent/JP2873602B2/ja not_active Expired - Fee Related
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2006317859A (ja) * | 2005-05-16 | 2006-11-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電子写真感光体およびその製造方法 |
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