JP3000088B2 - 電子写真用感光体 - Google Patents
電子写真用感光体Info
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Description
用感光体に関する。
は、導電性支持体上にセレンないしセレン合金を主体と
する光導電層を設けたもの、酸化亜鉛、硫酸カドミウム
などの無機系光導電材料をバインダー中に分散させたも
の、ポリ−N−ビニルカルバゾールとトリニトロフルオ
レノンあるいはアゾ顔料などの有機光導電材料を用いた
もの、及び非結晶シリコン系材料を用いたもの等が一般
に知られている。
感光体をまず暗所で、例えばコロナ放電によって帯電さ
せ、次いで像露光し、露光部のみの電荷を選択的に散逸
せしめて静電潜像を得、この潜像部を染料、顔料などの
着色材と高分子物質などの結合剤とから構成される検電
微粒子(トナー)で現像し可視化して画像を形成する様
にした画像形成法の一つである。
的な特性としては (1)暗所で適当な電位に帯電できること。
上それぞれ優れた特徴及び欠点を有している。例えば、
セレンヌはセレン合金(Se−Te,Se−As,Se−Te−As系な
ど)を主体とする感光体は最も古くから一般的に使用さ
れてきたものであり、優れた光感度を有する一方、電子
写真プロセスにおける機械的負荷(現像、クリーニン
グ、ペーパージャム等)に起因する表面のキズで画像品
質が影響(白スジ、黒スジ等)を受けやいという欠点を
有している。
を有し、光感度も比較的高いが、製造コストが高く、実
使用上では電子写真プロセスの帯電チャージャー等から
発生されるオゾン等により表面が化学的に劣化し画像流
れといった異常画像が発生しやすいという問題を有して
いる。
比較的自由な感光体設計ができる等の理由により、有機
系感光体の発展が著しい。
材料を結着樹脂の中へ分散あるいは溶解して導電性支持
体上に塗布したものであり、ひとつの層で電荷保持、電
荷発生、電荷輸送の機能を有する単層型と電荷発生の機
能を有する電荷発生層(CGL)、帯電電荷の保持とCGLか
ら注入された電荷の輸送機能を有する電荷輸送層(CT
L)、更には必要に応じて支持体からの電荷の注入を阻
止する、あるいは支持体での光の反射を防止する等の機
能を有した層などを積層した構成の機能分離型とが知ら
れている。
しているが、有機材料であるがゆえに表面硬度が低く、
複写プロセスでの実使用時に現像剤、転写紙、クリーニ
ング部材等から受ける機械的な負荷によって、摩耗や傷
が発生しやすいという本質的な欠点も有している。
また局部的な傷はコピー上でスジ状の異常画像を発生さ
せる原因になり、いずれも感光体寿命を左右する重要な
問題である。
表面に保護層を設けて、複写機内外で受ける機械的負荷
に対する耐久性を改善する方法が提案されている。
(特公昭38−015446)、無機酸化物を設ける方法(特公
昭43−014517)、接着層を設けた後、絶縁層を積層する
方法(特公昭43−027591)、或いはプラズマCVD法・光C
VD法等によってa−Si層、s−Si:N:H層、a−Si:O:H層
等を積層する方法(特開昭57−179859、特開昭59−0584
37)などが開示されている。これらの方法は有機系やSe
系の感光体の機械的耐久性の向上に対して一応の効果を
有することが認められている。しかし、有機フィルムの
積層をおこなう場合に有機系感光体に影響を及ぼさない
溶剤を使用しなければならないため、材料の選択自由度
が小さく、またシリコン系の保護層では前述の様に03等
による化学的な劣化をしやすいという本質的な問題を有
しており、実使用上、まだ解決しなければならない問題
点が多い。
又は炭素を主成分として成る高硬度薄膜の応用が近年活
発している。
る保護層を設けたもの(特開昭60−249155)、最表面に
ダイヤモンド状カーボン保護層を設けたもの(特開昭61
−255352)、感光層上に炭素を主成分とする高硬度絶縁
層を形成したもの(特開昭61−264355)あるいは有機感
光層上に窒素原子、酸素原子、ハロゲン原子、アルカリ
金属原子等の原子を少なくとも含むプラズマ有機重合膜
から成る保護層を設けたもの(特開昭63−97961〜
4)、有機感光層上にカルコゲン原子、III属原子、IV
属原子、V属原子等の原子を少なくとも含むグロー放電
により生成された非晶質炭化水素膜から成る保護層を設
けたもの(特開昭63−220166〜9)などを挙げることが
できる。
ス(スパッタリング、プラズマCVD、グロー放電分解
法、光CVD法等)により作製した炭素又は炭素を主成分
とする高硬度の薄膜(i−カーボン膜あるいはダイヤモ
ンド状炭素膜という総称で呼ばれるものに属する。)を
形成したものである。
プロセスにより得られるため、有機系感光体に及ぼす影
響が小さい。またこの保護層は高い硬度を有し、更に膜
そのものは03等の酸化雰囲気に強い特徴を有しているた
め、有機系あるいはSe系感光体の耐久性を向上する上で
優れた効果が認められてきている。
ス中で長期的に繰返し使用された場合、高湿下あるいは
急激な湿度上昇の環境下でコピーあるいはプリント画像
が流れる、いわゆる「画像ボケ」等と呼ばれる異常画像
が発生するという問題がまだあることが明らかになって
きている。
て 帯電等の目的で用いられるコロナ放電に繰返しさらさ
れることにより、コロナ放電により発生するオゾン等で
感光体表面が化学的に劣化(酸化等)し、親水性に変化
する。
分、炭酸ガス等の不純物と反応し、窒素化合物、カルボ
キシル基、アルデヒド基等を含む親水性の化合物を形成
され、これらが感光体表面に付着、堆積することにより
親水性に変化する。
性になった感光体表面に水分が吸着して表面の2次元方
向の抵抗が下がることによって異常画像が発生する。
られているが、炭素又は炭素を主成分とする高硬度保護
層を有する感光体の場合は表面の微細な凹凸(ビッチ10
0〜5000Å、深さ50〜2500Å程度の軸方向、周方向に指
向性のないランダムな形成の凹凸)の凹み部分にの親
水性物質が付着、堆積していくことにより発生すると考
えられている。
あって、高い機械的耐久性を有し、かつ電子写真プロセ
スで繰返し使用されても長期的に良好な耐環境性、画像
品質を維持することができる電子写真用感光体を提供す
ることを目的とする。
と、 前記感光層上又は中間層を介して上に炭素又は炭素を
主成分とする表面保護層とを有する電子写真感光体にお
いて、 前記表面保護層は封孔された凹部を有し、 封孔する材料が前記感光層を構成する電荷輸送機能を有
する材料の少なくともひとつであることを特徴とする電
子写真感光体、及び、 (2)導電性支持体と、 前記導電性支持体上又は下引層を介して上に有機材料
を主成分とする感光層と、前記感光層上又は中間層を介
して上に炭素又は炭素を主成分とする表面保護層とを有
する電子写真感光体において、 前記表面保護層は封孔された凹部を有し、 封孔する材料が前記感光層を構成する電荷輸送機能を
有する材料の少なくともひとつであることを特徴とする
電子写真感光体が各々提供される。
り、導電性支持体1上に感光層2、炭素又は炭素を主成
分とする表面保護層3、3の微小な凹凸の凹部を封孔処
理する為の材料4を設けた構成となっている。
はそれぞれ本発明の他の実施態様に係る電子写真用感光
体の構成例を示すものである。
層2の間に下引層5を設けた構成のものであり、 第2図(b)は第1図における感光層2と炭素又は炭
素を主成分とする表面保護層3の間に中間層6を設けた
構成のものであり、 第2図(c)は第1図における感光層2が支持体側よ
り電荷発生層7、電荷輸送層8の順で積層した機能分離
型感光層2′となっているもの、 第2図(d)は第2図(c)の機能分離型感光層2′
が支持体側より電荷輸送層8、電荷発生層7の順に積層
されているもの、 第2図(e)は第1図における封孔処理材料4が炭素
又は炭素を主成分とする表面保護層3の微小な凹凸の凸
部も覆う様に形成されているものである。
な凹凸の少なくとも凹部が封孔処理されている構成であ
れば、すべて本発明に属するものであり、感光層自体の
限定は特にされるものではない。
るいは導電処理をした絶縁体、たとえばAl、Ni、Fe、C
u、Auなどの金属あるいはそれらの合金の他、ポリエス
テル、ポリカーボネート、ポリイミド、ガラス等の絶縁
性基体上にAl、Ag、Au等の金属あるいはIn2O3、SuO2等
の導電材料の薄膜を形成したもの、導電処理をした紙等
が使用できる。
あるいはベルト状のいずれのものも使用できる。
下引層は感光層と支持体との接着性向上や入射光の干渉
を防ぐ等の目的で設けられ、その材料としてはSiO、Al2
O3、シランカップリング剤、チタンカップリング剤、ク
ロムカップリング剤等の無機材料やポリアミド樹脂、ア
ルコール可溶性ポリアミド樹脂、水溶性ポリビニルブチ
ラール、ポリビニルブチラール、PVA等の接着性の良い
バインダー樹脂などが使用される。その他、前記接着性
の良い樹脂にZnO、TiO2、ZnS等を分散したものも使用で
きる。下引層の形成法としては無機材料単独の場合はス
パッタリング、蒸着等の方法が、また有機材料を用いた
場合は通常の塗布法が採用される。なお下引層の厚さは
5μm以下が適当である。
られる感光層としては無機系、有機系のいずれもが適用
できる。
e,Se−As,Se−As−Te etc)を用いた単層型あるいは機
能分離型感光層や非晶質シリコン系の材料(a−Si:H,a
−Si:C,H,a−Si:Ge,H etc)による単層型あるいは機能
分離型感光層等が挙げられる。
型のいずれもが適用できる。
鉛、酸化チタン、硫酸亜鉛等の光導電性粉体、セレン粉
体、無定形シリコン粉体、スクアリック塩顔料、フタロ
シアニン顔料、アズレニウム塩顔料、アゾ顔料等を必要
に応じて結着剤樹脂及び/又は後述する電子供与性化合
物と共に塗布形成されたもの、またピリリウム系染料と
ビスフェノールA系のポリカーボネートとから形成され
る共晶錯体に電子供与性化合物を添加した組成物を用い
たもの等が挙げられる。結着樹脂としては後述する機能
分離型感光層と同様のものを使用することができる。こ
の単層型感光層の厚さは5〜30μmが適当である。
L)と電荷輸送層(CTL)を積層したものが例示される。
発生層(CGL)としては、結晶セレン、セレン化ヒ素等
の無機光導電性粉体あるいは有機系染顔料を結着剤樹脂
に分散もしくは溶解させたものが用いられる。
ば、シーアイピグメントブルー25〔カラーインデックス
(CI)21180〕、シーアイピグメントレッド41(CI 2120
0)、シーアイアシッドレッド52(CI 45100)、シーア
イベーシンクレッド3(CI 45210)、さらに、ポリフィ
リン骨格を有するフタロシアニン系顔料、アズレニウム
塩顔料、スクアリック塩顔料、カルバゾール骨格を有す
るアゾ顔料(特開昭53−95033号公報に記載)、スチリ
ルスチルベン骨格を有するアゾ顔料(特開昭53−138229
号公報に記載)、トリフェニルアミン骨格を有するアゾ
顔料(特開昭53−132547号公報に記載)、ジベンゾチオ
フェン骨格を有するアゾ顔料(特開昭54−21728号公報
に記載)、オキサジアゾール骨格を有するアゾ顔料(特
開昭54−12742号公報に記載)、フルオレノン骨格を有
するアゾ顔料(特開昭54−22834号公報に記載)、ビス
スチルベン骨格を有するアゾ顔料(特開昭54−17733号
公報に記載)、ジスチリルオキサジアゾール骨格を有す
るアゾ顔料(特開昭54−2129号公報に記載)、ジスチリ
ルカルバゾール骨格を有するアゾ顔料(特開昭54−1773
4号公報に記載)、カルバゾール骨格を有するトリアゾ
顔料(特開昭57−195767号公報、同57−195768号公報に
記載)等、さらに、シーアイピグメントブルー16(CI 7
4100)等のフタロシアニン等顔料、シーアイバッドブラ
ウン5(CI73410)、シーアイバッドダイ(CI 73030)
等のインジゴ系顔料、アルゴスカーレットB(バイオレ
ッド社製)、インダスレンスカーレットR(バイエル社
製)等のペリレン系顔料等を使用することができる。
して用いられる。
00重量部用いるのが適当であり、好ましくは0〜50重量
部である。
リアミド、ポリウレタン、ポリエステル、エポキシ樹
脂、ポリカーボネート、ポリエーテルなどの縮合系樹脂
並びにポリスチレン、ポルアクリレート、ポリメタクリ
レート、ポリ−N−ビニルカルバゾール、ポリビニルブ
チラール、スチレン−ブタジエン共重合体、スチレン−
アクリロニトリル共重合体等の重合体および共重合体等
の接着性、絶縁性樹脂が挙げられる。
樹脂とともに、テトラヒドロフラン、シクロヘキサノ
ン、ジオキサン、ジクロルエタン等の溶媒を用いてボー
ルミル、アトライター、サンドミルなどにより分散し、
分散液を過度に希釈して塗布することにより形成でき
る。塗布は、浸漬塗工法やスプレーコート、ビードコー
ト法などを用いて行なうことができる。
り、好ましくは0.1〜2μmである。
ン又はセレン化ヒ素合金等の粒子を用いる場合には、電
子供与性結着剤及び/又は電子供与性有機化合物とが併
用される。このような電子供与性物質としてはポリビニ
ルカルバゾールおよびその誘導体(例えばカルバゾール
骨格に塩素、臭素などのハロゲン、メチル基、アミノ基
などの置換基を有するもの)、ポリビニルピレン、オキ
サジアゾール、ピラゾリン、ヒドラゾン、ジアリールメ
タン、α−フェニルスチルベン、トリフェニルアミン系
化合物などの窒素含有化合物およびジアリールメタン系
化合物等があるが、特にポリビニルカルバゾールおよび
その誘導体が好ましい。またこれらの物質は混合しても
用いられるが、この場合にはポリビニルカルバゾールお
よびその誘導体に他の電子供与性有機化合物を添加して
おくことが好ましい。この種の無機系電荷発生物質の含
有量は層全体の30〜90重量%が適当である。また無機系
電荷発生物質を用いた場合の電荷発生層の厚さは0.2〜
5μmが適当である。
により電荷発生層で発生分離した電荷を移動させて保持
していた帯電電荷と結合させることを目的とする層であ
る。帯電電荷を保持させる目的達成のために電気抵抗が
高いことが要求され、また保持した帯電電荷で高い表面
電位を得る目的を達成するためには、誘電率が小さくか
つ電荷移動性が良いことが要求される。
輸送物質および必要に応じて用いられるバインダー樹脂
より構成される。すなわち、以上の物質を適当な溶剤に
溶解ないし分散してこれを塗布乾燥することにより電荷
輸送層を形成することができる。
ある。
ルおよびその誘導体、ポリ−γ−カルバゾリルエチルグ
ルタメートおよびその誘導体、ピレン−ホルムアルデヒ
ド縮合物およびその誘導体、ポリビニルピレン、ポリビ
ニルフェナントレン、オキサゾール誘導体、オキサジア
ゾール誘導体、イミダゾール誘導体、トリフェニルアミ
ン誘導体、9−(p−ジエチルアミノスチリル)アント
ラセン、1,1−ビス−(4−ジベンジルアミノフェニ
ル)プロパン、スチリルアントラセン、スチリルピラゾ
リン、フェニルヒドラゾン類、α−フェニルスチルベン
誘導体等の電子供与性物質が挙げられる。
ロムアニル、テトラシアノエチレン、テトラシアノキノ
ンジメタン、2,4,7−トリニトロ−9−フルオレノン、
2,4,5,7−テトラニトロ−9−フルオレノン、2,4,5,7−
テトラニトロキサントン、2,4,8−トリニトロチオキサ
ントン、2,6,8−トリニトロ−4H−インデノ〔1,2−b〕
チオフェノン−4−オン、1,3,7−トリニトロジベンゾ
チオフェノン−5,5−ジオキサイドなどの電子受容物質
が挙げられる。
用いられる。
は、ポリスチレン、スチレン−アクリロニトリル共重合
体、スチレン−ブタジエン共重合体、スチレン−無水マ
レイン酸共重合体、ポリエステル、ポリ塩化ビニル、塩
化ビニル−酢酸ビニル共重合体、ポリ酢酸ビニル、ポリ
塩化ビニリデン、ポリアクリレート樹脂、フェノキシ樹
脂、ポリカーボネート、酢酸セルロース樹脂、エチルセ
ルロース樹脂、ポリビニルブチラール、ポリビニルホル
マール、ポリビニルトルエン、ポリ−N−ビニルカルバ
ゾール、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、エポキシ樹
脂、メラミン樹脂、ウレタン樹脂、フェノール樹脂、ア
ルキッド樹脂等の熱可塑性樹脂又は熱硬化性樹脂が挙げ
られる。
ルエン、モノクロルベンゼン、ジクロルエタン、塩化メ
チレンなどが用いられる。
また電荷輸送層中に可塑剤やレベリング剤を添加しても
よい。可塑剤としては、ジブチルフタレート,ジオクチ
ルフタレートなど一般の樹脂の可塑剤として使用されて
いるものがそのまま使用でき、その使用量は、バインダ
ー樹脂に対して0〜30重量%程度が適当である。レベリ
ング剤としては、ジメチルシリコーンオイル、メチルフ
ェニルシリコーンオイルなどのシリコーンオイル類が使
用され、その使用量はバインダー樹脂に対して、0〜1
重量%程度が適当である。
の順に積層しても、CTL、CGLの順に積層してもかまわな
い。
層との間に設けられる中間層には、SiO、Al2O3等の無機
材料を蒸着、スパッタリング、陽極酸化などの方法で設
けたものや、ポリアミド樹脂(特開昭58−30757号公
報、特開昭58−98739号公報)、アルコール可溶性ナイ
ロン樹脂(特開昭60−196766号公報)、水溶性ポリビニ
ルブチラルール樹脂(特開昭60−232553号公報)、ポリ
ビニルブチラール樹脂(特開昭58−106549号公報)、ポ
リビニルアルコールなどの樹脂層を用いることができ
る。
を分散したものも、中間層として用いることができる。
剤、チタンカップリング剤、クロムカップリング剤等を
使用することもできる。中間層の膜厚は0〜5μmが適
当である。
有機系感光層あるいは必要に応じて設けられる中間層の
少なくとも一層に酸化防止剤や光安定剤が添加されてい
てもかまわない。
して最表面に設けられる保護層は、炭素または炭素を主
成分としたもので、好ましくはSP3軌道を有するダイヤ
モンドと類似のC−C結合を有しており、ビッカース硬
度100〜3000kg/cm2、比抵抗(固有抵抗)1×107〜1×
1013Ω・cmの値を有し、光学的エネルギーバンド巾(Eg
という)が1.0eV以上である、赤外または可視領域で透
光性を有する薄膜で形成される。
D、グロー放電分解法、光CVD法などにより形成され、特
にその製膜法は限定されるものではないが、プラズマCV
D法でありながらスパッタ効果を伴わせつつ成膜させる
方法によって良好な特性を有する保護層を得ることがで
きる。この代表例としては、特許願「炭素被膜を有する
複合体及びその製造方法」(特願昭56−146929昭和56年
9月17日出願、特開昭58−49609)等が挙げられる。
極(カソード側)に基板を配設し、セルフバイアスを用
いて平坦面の上面に堆積させる製膜法であり、マイクロ
波励起方法により活性種を強く励起することによって高
硬度の炭素膜を得ることができる。
ましく適用されるが、たとえば第3図に示すようなプラ
ズマCVD装置によれば、同様の保護層を支持体形状にと
らわれることなく製膜することが可能である。
ト弁(9)によりロード/アンロード用予備室(7′)
と仕切られている。真空槽(7)内は排気系(20)[圧
力調整バルブ(21)、ターボ分子ポンプ(22)、ロータ
リーポンプ(23)より成る]により真空排気され、また
一定圧力に保たれる様になっている。真空槽(7)内に
は反応槽(50)が設けられている。反応槽は第4図
(A)(B)に示す様な枠構造体(2)(電極側より見
て四角または六角形状を有している)と、この両端の開
口部を覆う様にしたフード(8)(8′)、さらにこの
フード(8)(8′)に配設された一対の同一形状を有
する第一及び第二の電極(3)(3′)(アルミニウム
等の金属メッシュを用いている)より構成されている。
(30)は反応槽(50)内へ導入するガスラインを示して
おり、下記に示す様な各種ガス容器が接続されておりそ
れぞれ流量計(29)を経てノズル(25)より反応槽(5
0)の中へ導入される。
ン等) 添加物ガス:NF3,NH3,PH3,B2H6等 エッチング用ガス:O2等 枠構造体(2)中には、有機光導電層を形成した支持
体(1)〔(1−1)、(1−2)、…(1−n)〕が
第3図(A)(B)の様に配置される。なおこのそれぞ
れの支持体は、後述するように第三の電極として配置さ
れる。
加するための一対の電源(15)〔(15−1)、(15−
2)〕が用意されている。第一の交番電圧の周波数は1
〜100MHzである。
1)(16−2)とつながる。このマッチングトランスで
の位相は位相調整器により調整し、互いに180゜または
0゜ずれて供給できる。すなわち対称型又は同相型の出
力を有している。
それぞれ第一及び第二の電極(3)(3′)に連結され
ている。またトランスの出力側中点(5)は接地レベル
に保持されている。更にこの中点(5)と第三の電極す
なわち支持体(1)〔(1−1)、(1−2)、…(1
−n)〕またはそれらに電気的に連結するホルダ(2)
の間に第二の交番電圧を印加するための電源(17)が配
設されている。この第二の交番電圧の周波数は1〜500K
Hzである。
電極(3)(3′)間にプラズマが発生する。このプラ
ズマは上下のフード(8)(8′)、枠構造体(2)に
より取り囲まれているため、外側の外部空間(6)には
放出せず、また反応空間内でのプラズマ電位が均質にな
っている。ノズル(25)を通してこの反応空間に導入さ
れた反応用ガスはプラズマのエネルギーにより分解さ
れ、第二の交番電圧により支持体に印加されている負自
己バイアス(−10〜600V)によって加速され、支持体上
にスパッタしつつ成膜するので緻密な構造を有する被膜
が得られる。
力は13.56MHzの周波数の場合0.1〜1KWであり、第三の電
極すなわち支持体に印加する第二の交番電圧の出力は15
0KHzの周波数の場合約100Wである。
りその割合はNF3/C2H4=1/20〜4/1であり、反応時の真
空槽内圧力は0.001〜1.0torrである。
分解されて支持体上にNとFが添加されたダイヤモンド
状薄膜(DLCともいうが、添加物が添加されたDLCを含め
て本発明では炭素または炭素を主成分とする被膜とい
う。)が得られる。
製膜条件を変えることによって得られる被膜の物性(硬
度、光透過率、比抵抗等)を比較的自由に変化させるこ
とができる。特に硬度は支持体に印加される負自己バイ
アス及び反応圧力によって大きく変化させることができ
る。加えてこの方法では支持体を特に加熱する必要はな
く、150℃以下の低温で炭素または炭素を主成分とする
被膜を形成できるため、耐熱性の低い有機系感光層上に
も何ら支障なく保護層を製膜することが可能である。
0Å〜10μmであり、好ましくは1000Å〜2μmであ
る。
炭素または炭素を主成分とした保護層表面には微細な凹
凸形状(ピッチ100〜5000Å、深さ50〜2500Å程度の軸
方向、周方向に指向性の認められないランダムな形状の
凹凸)が観察される。
ときハロゲン元素、窒素、リン、ホウ素などの添加物を
必要に応じて添加することもでき、その濃度は膜の深さ
方向に対し、均一であっても勾配を設けてもかまわな
い。更にこの保護層は単層である必要はなく、添加剤の
有無、種類などを制御した多層構造から成っていてもか
まわない。
な凹凸の少なくとも凹部を封孔処理する材料に、要求さ
れる特性としては、その材料を用いて凹部を封孔処理す
る手段があること、封孔処理することにより感光体ある
いは保護層特性に及ぼす副作用が実質的に無視できる事
等が挙げられる。
素又は炭素を主成分とする表面保護層の微細な凹凸の少
なくとも凹部を封孔処理する材料として感光層を構成す
る材料の少なくともひとつを用いた場合に良好な結果が
得られることが判明した。
層がSeあるいはSe合金より構成されているものであれ
ば、SeあるいはSe合金そのものであり、感光層が有機材
料より構成されているものであれば、その感光層に使用
されている構成材料(電荷移動材料、)の少なくともひ
とつを意味する。
場合でも炭素又は炭素を主成分とする保護層により、機
械的耐久性が発現している為問題はない。
用いて炭素又は炭素を主成分とする表面保護層の封孔処
理をする方法としては真空蒸着法等の気相製膜法、デッ
ピング、スプレー法等の溶媒塗工法など種々の公知の方
法を用いることができ、本発明はこれら封孔処理法によ
り限定されるものではないことは明らかである。
説明する。
真空蒸着法によりSe−As系感光層を約60μmの膜厚で形
成した。
は8.0×10-6torr、蒸着材料はAsを35.5wt%含むSe−As
合金を用いた。
合液を塗布後、100℃で1時間乾燥して約2000Å厚の中
間層を設けた。
装置を用いて下記条件により炭素又は炭素を主成分とす
る保護層を製膜した。
は膜厚0.8μm、比抵抗1.0×1010Ωcm、ビッカース硬度
2300kg/mm2であり、表面にピッチ約1000Å、深さ約500
Å程度のランダムな微小凹凸を有していた。
層を作製した時と同様にしてSe−As合金を2000Å蒸着し
て微細な凹凸の封孔処理をおこない、実施例1の電子写
真用感光体を作製した。
孔処理しない以外は実施例1と全く同様にして比較例1
の電子写真用感光体を作製した。
さ360mm)に下記組成比の混合物をボールミルで12時間
分散し調製した下引層形成液を乾燥後の膜厚が約2μm
になる様に浸漬法で塗工し下引層を形成した。
工し、120℃で10分間乾燥させ、膜厚約0.15μmの電荷
発生層を形成した。
シクロヘキサノン:メチルエチルケトン=1:1(重量
比)の混合溶媒500重量部で希釈調製する。
工液を乾燥後の膜厚が約20μmになる様に浸漬塗工して
電荷輸送層を設けた。
は炭素を主成分とする保護層を形成した。
記電荷輸送層塗工液を乾燥膜厚が約2000Åになる用にス
プレー塗布して、微細な凹凸の封孔処理をおこない、実
施例2の電子写真様感光体を作製した。
液で封孔処理しない以外は実施例2と全く同様にして比
較例2の電子写真用感光体を作製した。
2)について実際の複写プロセス(ネガポジ現像タイプ
のレーザープリンター)に搭載し、くり返しプリントを
おこない画像評価をおこなった。ただし、実施例1、比
較例1の感光体は正帯電、実施例2、比較例2の感光体
は負帯電にて用いた。
上で良好に解像しているかどうかを特性値としておこな
った。
が封孔処理されていない場合(比較例1,2)は1万サイ
クルのプリント後に高温湿環境下で画像が流れる現象が
発生したが、封孔処理をした本発明(実施例1,2)の場
合には5万サイクルのプリント後でも高温湿環境下での
画像流れの発生は認められず、安定した画像が長期的に
得られることがわかる。
な摩耗は認められなかった。
又は炭素を主成分とする表面保護層への親水性物質の付
着、堆積がなくなるので長期間にわたって安定した高画
像品質を維持することのできる。
面図であり、第2図(a)〜(e)は他の実施態様の構
成を示す模式断面図である。 第3図は表面保護層の形成の際に用いるプラズマCVD装
置の1例の説明図であり、第4図はプラズマCVD装置の
枠構造体(2)の平面図である。 1……支持体、2……感光体 3……表面保護層、4……封孔処理材料 5……下引層、6……中間層 7……電荷発生層、8……電荷輸送層
Claims (2)
- 【請求項1】導電性支持体と、 前記導電性支持体上又は下引層を介して上に感光層と、 前記感光層上又は中間層を介して上に炭素又は炭素を主
成分とする表面保護層とを有する電子写真感光体におい
て、 前記表面保護層は封孔された凹部を有し、 封孔する材料が前記感光層を構成する電荷輸送機能を有
する材料の少なくともひとつであることを特徴とする電
子写真感光体。 - 【請求項2】導電性支持体と、 前記導電性支持体上又は下引層を介して上に有機材料を
主成分とする感光層と、前記感光層上又は中間層を介し
て上に炭素又は炭素を主成分とする表面保護層とを有す
る電子写真感光体において、 前記表面保護層は封孔された凹部を有し、 封孔する材料が前記感光層を構成する電荷輸送機能を有
する材料の少なくともひとつであることを特徴とする電
子写真感光体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9481890A JP3000088B2 (ja) | 1990-04-09 | 1990-04-09 | 電子写真用感光体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9481890A JP3000088B2 (ja) | 1990-04-09 | 1990-04-09 | 電子写真用感光体 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03291669A JPH03291669A (ja) | 1991-12-20 |
JP3000088B2 true JP3000088B2 (ja) | 2000-01-17 |
Family
ID=14120638
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP9481890A Expired - Lifetime JP3000088B2 (ja) | 1990-04-09 | 1990-04-09 | 電子写真用感光体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3000088B2 (ja) |
-
1990
- 1990-04-09 JP JP9481890A patent/JP3000088B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
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JPH03291669A (ja) | 1991-12-20 |
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