JPS6061759A - 電子写真感光体 - Google Patents
電子写真感光体Info
- Publication number
- JPS6061759A JPS6061759A JP17065483A JP17065483A JPS6061759A JP S6061759 A JPS6061759 A JP S6061759A JP 17065483 A JP17065483 A JP 17065483A JP 17065483 A JP17065483 A JP 17065483A JP S6061759 A JPS6061759 A JP S6061759A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- sic
- photosensitive
- semiconductor layer
- dielectric constant
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は金属上に形成した第１の半導体層上に、前記第
１の半導体層と誘電率の異なる第２の半導体層を形成し
た電子写真感光体において、両者の間に第１の半導体層
の誘電率と第２の半導体層の誘電率の中間値の誘電率を
有する、第３、必要に応じて第４の半導体層を設けるこ
とにより、両者の密着性を向上させた電子写真感光体に
関する。
１の半導体層と誘電率の異なる第２の半導体層を形成し
た電子写真感光体において、両者の間に第１の半導体層
の誘電率と第２の半導体層の誘電率の中間値の誘電率を
有する、第３、必要に応じて第４の半導体層を設けるこ
とにより、両者の密着性を向上させた電子写真感光体に
関する。
近年、電荷の発生を担う感光層と電荷の輸送と帯電圧を
担う電荷輸送層とに機能を分離した２層構造の電子写真
感光体が普及しはじめている。その中でも感光層にアモ
ルファス・シリコン（以下ではα−８ｉと略す）を用い
、電荷輸送層に炭化シリコン（以下ではＳａＣと略す）
をｍ−た電子写真感光体は、その優れた特性から注目を
集めている。
担う電荷輸送層とに機能を分離した２層構造の電子写真
感光体が普及しはじめている。その中でも感光層にアモ
ルファス・シリコン（以下ではα−８ｉと略す）を用い
、電荷輸送層に炭化シリコン（以下ではＳａＣと略す）
をｍ−た電子写真感光体は、その優れた特性から注目を
集めている。
１例として第１図如示す構造、すなわち、アルミの支持
体１０１の上に電荷輸送層８ｉｃ １０２と感光Ｊ※ａ
−８ｊ１０３をつけた構造について、簡単に原理を説明
する。
体１０１の上に電荷輸送層８ｉｃ １０２と感光Ｊ※ａ
−８ｊ１０３をつけた構造について、簡単に原理を説明
する。
第１図のように、感光層表面を正帯電させた状態で感光
層α−ＳＺの禁止帯幅より大きなエネルギー（ｈｖ）の
ホトンをもつ光を照射する。この光によりｌ、＆光層１
０３の表面近傍、すなわち吸収領域内で電子・正孔対が
生成される。電子は電界によって感光層表面に達し、正
の帯電電荷を打ち消す。一方、正孔は感光層１０３と電
荷輸送層１０２を通って、アルミ支持体１０１に達し、
見かけ上窓光層と電荷輸送層の中を電流が流れ、帯電電
荷が消滅したことになる。また、負に帯電した場合も光
によって生成された逗子と正孔の動きが逆になるだけで
原理的には上述の説明と同じである。
層α−ＳＺの禁止帯幅より大きなエネルギー（ｈｖ）の
ホトンをもつ光を照射する。この光によりｌ、＆光層１
０３の表面近傍、すなわち吸収領域内で電子・正孔対が
生成される。電子は電界によって感光層表面に達し、正
の帯電電荷を打ち消す。一方、正孔は感光層１０３と電
荷輸送層１０２を通って、アルミ支持体１０１に達し、
見かけ上窓光層と電荷輸送層の中を電流が流れ、帯電電
荷が消滅したことになる。また、負に帯電した場合も光
によって生成された逗子と正孔の動きが逆になるだけで
原理的には上述の説明と同じである。
第１図のように感光層１０３にα−ＳＺ、電荷輸送層１
０２にＳａＣを用いた場合の利点は、α−ｓｚ単層の感
光体に比べて、 ■ＳａＣの耐電圧がα−Ｓ＜より大きいので、大きな帯
電電位を得ることができる。
０２にＳａＣを用いた場合の利点は、α−ｓｚ単層の感
光体に比べて、 ■ＳａＣの耐電圧がα−Ｓ＜より大きいので、大きな帯
電電位を得ることができる。
■ＳｉＣはアルミ支持体と非常に強固な付着力をもつ。
■ｓｉｅはα−ＳＺに比べ誘電率が小さいので、膜厚が
同じ場合、同じ帯電電位を得るのに、α−ｓ４の場合に
比べ少ない電荷量ですむ。したがって、電荷の消滅も少
ない光量でよく感度が高−０■について数値例で説明す
る。α−ＳＺ単層の容量をＣＳ 、上述の２層構造の場
合の容量をＣｄ 。
同じ場合、同じ帯電電位を得るのに、α−ｓ４の場合に
比べ少ない電荷量ですむ。したがって、電荷の消滅も少
ない光量でよく感度が高−０■について数値例で説明す
る。α−ＳＺ単層の容量をＣＳ 、上述の２層構造の場
合の容量をＣｄ 。
帯電電位をそれぞれＶＢ 、 Ｖｄとし、各々に必要な
帯電電荷をＱ、ｓ 、 Ｑｄとすると Ｑｓ＝ＣｓＶｓ ｅ ｅ ＠１１＋ Ｑ、ｄ ＝ ＣｄＶｄ −−−（２１ 帯電電位を同じ、すなわちＶｇ−Ｖｄとしたときの両者
の電荷の比は、 Ｑｄ／Ｑ、ｓ ＝ Ｃｔｉ／Ｃｓ −−−１３１となる
。
帯電電荷をＱ、ｓ 、 Ｑｄとすると Ｑｓ＝ＣｓＶｓ ｅ ｅ ＠１１＋ Ｑ、ｄ ＝ ＣｄＶｄ −−−（２１ 帯電電位を同じ、すなわちＶｇ−Ｖｄとしたときの両者
の電荷の比は、 Ｑｄ／Ｑ、ｓ ＝ Ｃｔｉ／Ｃｓ −−−１３１となる
。
第１図の感光体でα−ｓ６感光層１０３の厚さをｄｌと
し、ＳａＣ電荷輸送層１０２の厚さをｄ２とすると、単
位面積当シの容量は ε０ 、ｄｌ 、ε２はそれぞれ真空の誘電率、α−ｓ
４感光）ｖの誘電率、そしてＳａＣ翫荷輻送層の誘電率
である。
し、ＳａＣ電荷輸送層１０２の厚さをｄ２とすると、単
位面積当シの容量は ε０ 、ｄｌ 、ε２はそれぞれ真空の誘電率、α−ｓ
４感光）ｖの誘電率、そしてＳａＣ翫荷輻送層の誘電率
である。
一方、α−ｓｉ層のみの感光体の厚さをｄｏとし、２層
構造の感光体と同じ厚さｄＱ＝ｄ１＋ｄ２とすると、 。、＝２１工＝１Ｌ顆−−−１５１ （ｔｏ ｄｌ＋ｄ２ １３１ 、１４１ 、１５１から εｘ′：１２．ε２＝７であるから、たとえばｄｌ＝５
１ｔｆｒＬｄ ｘ ＝ １５ｔｔｍとすレバＱ勢、８中
０．６５ すなわち、単層に比べ、２層構造にすると同じ厚さで、
同じ帯電電位を得るのに約６５チの電荷量で良い。した
がって、この電荷を消滅させるためのホトン数も６５％
でよく、感度の良いことがわかる。
構造の感光体と同じ厚さｄＱ＝ｄ１＋ｄ２とすると、 。、＝２１工＝１Ｌ顆−−−１５１ （ｔｏ ｄｌ＋ｄ２ １３１ 、１４１ 、１５１から εｘ′：１２．ε２＝７であるから、たとえばｄｌ＝５
１ｔｆｒＬｄ ｘ ＝ １５ｔｔｍとすレバＱ勢、８中
０．６５ すなわち、単層に比べ、２層構造にすると同じ厚さで、
同じ帯電電位を得るのに約６５チの電荷量で良い。した
がって、この電荷を消滅させるためのホトン数も６５％
でよく、感度の良いことがわかる。
このように、２層構造の感光体は利点があるにもかかわ
らず、反面、異なる利料を２層にするために２層間の密
着性が問題となる。
らず、反面、異なる利料を２層にするために２層間の密
着性が問題となる。
第２図は従来の２層構造の感光ドラムの構造を示す図で
ある。同図において、２０１はアルミ支持体、２０２は
電荷輸送層、２０３は感光層である。また、第３図は電
荷輸送層にＳｉＣ、感光層にα−ｓ６を用いた従来の感
光ドラムを円筒軸に垂直に切断したときの断面の一部を
示したものである。同図において３０１はアルミ支持体
、３０２はＳａＣ層、３０３はα−８ｉ府である。
ある。同図において、２０１はアルミ支持体、２０２は
電荷輸送層、２０３は感光層である。また、第３図は電
荷輸送層にＳｉＣ、感光層にα−ｓ６を用いた従来の感
光ドラムを円筒軸に垂直に切断したときの断面の一部を
示したものである。同図において３０１はアルミ支持体
、３０２はＳａＣ層、３０３はα−８ｉ府である。
従来の構造では表面粗さが０．０６μｍ以下のアルミ支
持体の表面に、１０〜２０μｍのＳｉＣをブヲズマＣＶ
Ｄでつけている。したがって、 ＳａＣ表面は、やは、
り ０．０６μｍ以下の表面粗さをもつ、いわゆる鏡面
である。
持体の表面に、１０〜２０μｍのＳｉＣをブヲズマＣＶ
Ｄでつけている。したがって、 ＳａＣ表面は、やは、
り ０．０６μｍ以下の表面粗さをもつ、いわゆる鏡面
である。
この表面上に５〜１０μｍのα−８ｉをプラズマＣＶＤ
でつけるため、α−ｓ７とＳａＣの密着性が悪く、α−
ｓ７層がはがれる場合が多い。たとえば、温度が４０℃
、温度が９０係の雰囲気中に１０日以上放置した場合、
マイナス１０℃とプラス１００℃の温度サイクルを５０
回以上行なった場合等にα−Ｓ１層がはがれることがし
ばしは起こる。また帯電露光試験を１層万回以上行なっ
た場合にも、１藺φ程度の円状にα−ＳＺがはがれるこ
とがある。
でつけるため、α−ｓ７とＳａＣの密着性が悪く、α−
ｓ７層がはがれる場合が多い。たとえば、温度が４０℃
、温度が９０係の雰囲気中に１０日以上放置した場合、
マイナス１０℃とプラス１００℃の温度サイクルを５０
回以上行なった場合等にα−Ｓ１層がはがれることがし
ばしは起こる。また帯電露光試験を１層万回以上行なっ
た場合にも、１藺φ程度の円状にα−ＳＺがはがれるこ
とがある。
このように従来の２層構造の感光体には密着性が悪いと
いう欠点がある。
いう欠点がある。
本発明はかかる欠点を除去したものであって、その目的
とするところは、２層構造の感光体における両層の密着
性を良くすることにある。
とするところは、２層構造の感光体における両層の密着
性を良くすることにある。
電荷輸送層にＳｉＣを、感光層にα−ＳＺを用いた場合
について本発明を説明する。本発明はＳａＣ電荷翰送層
とα−ＳＺ感光層の間に、ダンパ一層として、ＳａＣ層
より膜中の炭素量が少なく、誘電率がＳｉＣ層とα−ｓ
７層の中間値であるアモルファスＳａＣ層を設けること
によって、従来の欠点を除去したものである。本発明の
構造を従来と対比して第４図に示した。同図において、
４０１はアルミ支持体４０２はＳａＣ層、４０３はα−
５ａＣダンパ一層、４０４はα−ｓ７層である。以下に
第４図を使用して製造方法を説明する。
について本発明を説明する。本発明はＳａＣ電荷翰送層
とα−ＳＺ感光層の間に、ダンパ一層として、ＳａＣ層
より膜中の炭素量が少なく、誘電率がＳｉＣ層とα−ｓ
７層の中間値であるアモルファスＳａＣ層を設けること
によって、従来の欠点を除去したものである。本発明の
構造を従来と対比して第４図に示した。同図において、
４０１はアルミ支持体４０２はＳａＣ層、４０３はα−
５ａＣダンパ一層、４０４はα−ｓ７層である。以下に
第４図を使用して製造方法を説明する。
アルミ支持体４０１の上如、モノシラン（５ｉＨ４）、
ジボラン（Ｂ２１Ｈ６） ＋メタン（ＣＨａ ） ＋水
素（Ｈｚ）の混合ガスを用い通常のプラズマＣＶＤ法で
約１ ｊμｒｎ ｓａｃ層４０２をつけたのち、ＣＨ４
ガス流量を少なく、Ｂ２Ｈ，流量を適正量に変え高周波
放電を行ない、約１μｍのα−５ａＣ層４０３をつける
。
ジボラン（Ｂ２１Ｈ６） ＋メタン（ＣＨａ ） ＋水
素（Ｈｚ）の混合ガスを用い通常のプラズマＣＶＤ法で
約１ ｊμｒｎ ｓａｃ層４０２をつけたのち、ＣＨ４
ガス流量を少なく、Ｂ２Ｈ，流量を適正量に変え高周波
放電を行ない、約１μｍのα−５ａＣ層４０３をつける
。
さらにガスを、ｓ＄１（４，Ｂ２ ＨＯｙ Ｂ２の混合
ガスに切シ替えてプラズマＣＶＤ法で約５μｍのα−ｓ
７層４０４を成膜する。
ガスに切シ替えてプラズマＣＶＤ法で約５μｍのα−ｓ
７層４０４を成膜する。
α−５ａＣ層はα−８４層とＳａＣ層の中間的性質を有
するため、両者との密着性がよく、それ故、Ｅ３ｉＣ／
ａ −ＢｉＣ／ａ −Ｂｉ３層構造にすることによシ、
電荷輸送層と感光層の密着性が非常によくなる。
するため、両者との密着性がよく、それ故、Ｅ３ｉＣ／
ａ −ＢｉＣ／ａ −Ｂｉ３層構造にすることによシ、
電荷輸送層と感光層の密着性が非常によくなる。
信頼性試験の結果、温度４０℃、湿度９０チの雰囲気中
に３０日問おき、さらにマイナス１０℃とプラス１００
℃の温度サイクルを５０回かけてもα−８ｉ層のはがれ
はまったくみられなかった。
に３０日問おき、さらにマイナス１０℃とプラス１００
℃の温度サイクルを５０回かけてもα−８ｉ層のはがれ
はまったくみられなかった。
また、帯電露光試験におじでもｌＯ万回時点ではピンホ
ールの発生はみられなかった。
ールの発生はみられなかった。
このように本発明によって、電荷輸送層と感光層の密着
性を向上させることができた。
性を向上させることができた。
【図面の簡単な説明】
第１図は電荷輸送層と感光層を有する２層構造感光体の
原理図を示す。 ｇｇ２図は従来の２層構造の感光ドラムの構造を示す。 第３図は電荷輸送層にｓｉｃ 、感光層にα−ＳＺを用
いた従来の感光ドラムを円筒軸に垂直に切断したときの
断面の一部を示す図である。 第４図は本発明の電子写真感光体の構造を示す。 ４０１・・アルミ支持体 ４０２・・ＳｉＣ層４０３−
・α−８１，０層 ４０４・・α−ｓ４層。 以 上 ４４４ 区人ム且皇訪精工舎 第 １ 因 第２図
原理図を示す。 ｇｇ２図は従来の２層構造の感光ドラムの構造を示す。 第３図は電荷輸送層にｓｉｃ 、感光層にα−ＳＺを用
いた従来の感光ドラムを円筒軸に垂直に切断したときの
断面の一部を示す図である。 第４図は本発明の電子写真感光体の構造を示す。 ４０１・・アルミ支持体 ４０２・・ＳｉＣ層４０３−
・α−８１，０層 ４０４・・α−ｓ４層。 以 上 ４４４ 区人ム且皇訪精工舎 第 １ 因 第２図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １１）金属上に形成しｆｃ第１の半導体層上に、前記第
１の半導体層とは誘電率の異なる第２の半導体層を形成
した電子写真感光体において、第１の半導体層と第２の
半導体層の間に、第３の半導体層、必要に応じて第４の
半導体層を設けることを特徴とする電子写真感光体。 （２）前記第３及び第４の半導体の誘電率が、第１の半
導体の誘電率と第２の半導体の誘電率の中間値であるこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の電子写真感
光体。 （３）前記第１の半導体層として炭化シリコン（５ｉｃ
）ｔｉ２の半導体層としてアモルファスシリコン（α−
８ｉ）、第３．第４の半導体層としてアモルファス炭化
シリコンｃａ−ｓｉｃ）ｔｌ−用いた仁トヲ特徴とする
特許請求の範囲第１項記載の電子写真感光体。 １４１前記第１の半導体層としてアモルファスシリコン
、第２の半導体層として炭化シリコン、第３゜第４の半
導体層としてアモルファス炭化シリコンを用いた仁とを
特徴とする特許請求の範囲第１項記載の電子写真感光体
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17065483A JPS6061759A (ja) | 1983-09-16 | 1983-09-16 | 電子写真感光体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17065483A JPS6061759A (ja) | 1983-09-16 | 1983-09-16 | 電子写真感光体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6061759A true JPS6061759A (ja) | 1985-04-09 |
Family
ID=15908884
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17065483A Pending JPS6061759A (ja) | 1983-09-16 | 1983-09-16 | 電子写真感光体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6061759A (ja) |
-
1983
- 1983-09-16 JP JP17065483A patent/JPS6061759A/ja active Pending
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