JPS6194048A - 感光体 - Google Patents
感光体Info
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- JPS6194048A JPS6194048A JP21571684A JP21571684A JPS6194048A JP S6194048 A JPS6194048 A JP S6194048A JP 21571684 A JP21571684 A JP 21571684A JP 21571684 A JP21571684 A JP 21571684A JP S6194048 A JPS6194048 A JP S6194048A
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- photosensitive layer
- germanium
- carbon
- photoreceptor
- amorphous material
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
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- Inorganic Chemistry (AREA)
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は導電性支持体と感光層からなる感光体に関する
。
。
導電性支持体と感光層からなる感光体には、電子写真感
光体をはじめとして可視、赤外、紫外の光を吸収させる
イメーソセンサー、カラーセンサー、赤外センサー等の
光センサーあるいは、太陽電池等の光起電力素子等があ
る。この各種光センサーの中で電子写真感光を例にとる
と、従来非晶質セレン、非晶質セレン・テルル、非晶質
セレン・ヒ素、酸化亜鉛樹脂分散系、硫化カドミウム、
炭酸カドミウム樹脂分散系ｐｂｓ 。
光体をはじめとして可視、赤外、紫外の光を吸収させる
イメーソセンサー、カラーセンサー、赤外センサー等の
光センサーあるいは、太陽電池等の光起電力素子等があ
る。この各種光センサーの中で電子写真感光を例にとる
と、従来非晶質セレン、非晶質セレン・テルル、非晶質
セレン・ヒ素、酸化亜鉛樹脂分散系、硫化カドミウム、
炭酸カドミウム樹脂分散系ｐｂｓ 。
非晶質シリコン等の無機材料、ＰＶＫ 、 ＰＶＫ／Ｔ
ＮＦ有機顔料樹脂分散系等の有機材料があるが、いずれ
も吸収端が可視・紫外の狭い領域に限定されている。一
般に電子写真感光体は、光吸収能、光励起キャリア輸送
能、帯電能の三機能をもつことが電子写真特性を維持す
るために最低限必要であるが、特に光吸収能については
最近の電子写真感光体の多様化から、例えば、レーザー
ダイオードプリンタへの応用を目的として近赤外の長波
長に吸収をもつもの、また電子写真にカラー再現性をも
たせるため可視域の任意の波長に吸収端を設定できるも
の、更に吸収端が近紫外領域にあって可視光をほぼ完全
に透過する窓材として作用する主として表面層に使用さ
れるもの等が必要とされている。このように近赤外の長
波長から近紫外の短波長まで広範囲の波長領域の任意の
波長に吸収端をもつ感光体が要求されている。更に前記
した種々の感光体は、非晶質シリコンを除いて機械的強
度、熱的安定性にも問題のあるものが多い。またこれら
の問題は電子写真感光体にとどまらず、各種センサ、光
起電力素子等の感光体全般に共通する問題である。
ＮＦ有機顔料樹脂分散系等の有機材料があるが、いずれ
も吸収端が可視・紫外の狭い領域に限定されている。一
般に電子写真感光体は、光吸収能、光励起キャリア輸送
能、帯電能の三機能をもつことが電子写真特性を維持す
るために最低限必要であるが、特に光吸収能については
最近の電子写真感光体の多様化から、例えば、レーザー
ダイオードプリンタへの応用を目的として近赤外の長波
長に吸収をもつもの、また電子写真にカラー再現性をも
たせるため可視域の任意の波長に吸収端を設定できるも
の、更に吸収端が近紫外領域にあって可視光をほぼ完全
に透過する窓材として作用する主として表面層に使用さ
れるもの等が必要とされている。このように近赤外の長
波長から近紫外の短波長まで広範囲の波長領域の任意の
波長に吸収端をもつ感光体が要求されている。更に前記
した種々の感光体は、非晶質シリコンを除いて機械的強
度、熱的安定性にも問題のあるものが多い。またこれら
の問題は電子写真感光体にとどまらず、各種センサ、光
起電力素子等の感光体全般に共通する問題である。
本発明は上述した事情に着目してなされたもので、その
目的とするところは、吸収端を近赤外の長波長から近紫
外の短波長まで任意に選ぶことが可能で、かつ機械的強
度が強く熱的に安定な感光体を提供しようとするもので
ある。
目的とするところは、吸収端を近赤外の長波長から近紫
外の短波長まで任意に選ぶことが可能で、かつ機械的強
度が強く熱的に安定な感光体を提供しようとするもので
ある。
本発明は上記目的を達成するため、ゲルマニウムと炭素
のみの二元系の非晶質材料を用いゲルマニウム、炭素比
をかえることにより、吸収端をさらにダイナミックにか
えるととなできるようにするものである。一般にゲルマ
ニウムと炭素の二元系の非晶質材料は光学的禁制帯幅に
して、１ ｅＶ〜３．５ｅＶ４で任意に変えることがで
きる。これは吸収端波長にして１２００〜３５０ｎｍ程
度の値に相当し、近赤外から近紫外の全域の波長をカバ
ーすることができる。炭素とゲルマニウムを主体とした
非晶質材料（以下、非晶質炭化ゲルマニウムと略す）も
非晶質シリコンと同様に水素ａｎｄ１０ｒハロダン元素
を含有させることが光電気的特性を向上させることに対
して有効であシ、更に周期律表第■Ａ族あるいは第ＶＡ
族の元素の添加によってフェル′ミレベルを移動させて
Ｐ型あるいはＮ型の半導体とすることが可能である。
のみの二元系の非晶質材料を用いゲルマニウム、炭素比
をかえることにより、吸収端をさらにダイナミックにか
えるととなできるようにするものである。一般にゲルマ
ニウムと炭素の二元系の非晶質材料は光学的禁制帯幅に
して、１ ｅＶ〜３．５ｅＶ４で任意に変えることがで
きる。これは吸収端波長にして１２００〜３５０ｎｍ程
度の値に相当し、近赤外から近紫外の全域の波長をカバ
ーすることができる。炭素とゲルマニウムを主体とした
非晶質材料（以下、非晶質炭化ゲルマニウムと略す）も
非晶質シリコンと同様に水素ａｎｄ１０ｒハロダン元素
を含有させることが光電気的特性を向上させることに対
して有効であシ、更に周期律表第■Ａ族あるいは第ＶＡ
族の元素の添加によってフェル′ミレベルを移動させて
Ｐ型あるいはＮ型の半導体とすることが可能である。
以下、本発明を第１図および第２図に示す一実施例を参
照して説明する。
照して説明する。
第１図はプラズマＣＶＤ法による成膜を行々う装置の概
略を示すものである。この装置は概略反応容器１、ガス
供給系２、排気系３、放電用電源４に大別される。前記
反応容器１中には導電性支持体５が加熱手段６を内蔵し
、接地されているサセゾタ７上に設置されている。一方
上記導電性支持体５と対向する位置に放電用電源４の出
力に接続されている放電用電極４が反応容器１壁とは電
気的に絶縁されて固定されている。上記放電用電極１は
同時にガス供給系２と接続されておシ、導電性支持体５
に対向する面にはガス吹出孔９が設けられ、ガス供給系
２からのガスを反応容器１内に導入する機構になってい
る。
略を示すものである。この装置は概略反応容器１、ガス
供給系２、排気系３、放電用電源４に大別される。前記
反応容器１中には導電性支持体５が加熱手段６を内蔵し
、接地されているサセゾタ７上に設置されている。一方
上記導電性支持体５と対向する位置に放電用電源４の出
力に接続されている放電用電極４が反応容器１壁とは電
気的に絶縁されて固定されている。上記放電用電極１は
同時にガス供給系２と接続されておシ、導電性支持体５
に対向する面にはガス吹出孔９が設けられ、ガス供給系
２からのガスを反応容器１内に導入する機構になってい
る。
上記ガス供給系からは、膜の主成分となる炭素あるいは
ゲルマニウムを含むガスたとえば、ＣＨ４，Ｃ２Ｈ６，
Ｃ３Ｈ８，Ｃ２Ｈ４，Ｃ２Ｈ２，Ｃ３Ｈ６１ＣＦ４等の
炭素化合物、ＧｅＨ４＋ＧｅＦ４等のゲルマニウム化合
物等があげられる。その他Ｈｅ ＊ Ａｒ ｓ Ｎｅ
＋ Ｈ２等の希釈用ガス、伝導型を制御する元素すなわ
ちｎ ＊ ｈｔ ＊ Ｇ ａ ＋Ｉｎ等の周期律表第ｎ
ｌＡ族元素及びＮ、ＰＩＡ８ 、Ｓｂ等の第ＶＡ族元素
を含むガス、最も典型的なものとしてＢ２Ｈ６，ＰＨ，
ＡｓＨ３等があげられる。その他５ｔＨ４＋５ｔ２Ｈ６
ｓｓｉ３Ｈ８，ＳｉＦ４等のシリコンを含むガスを導入
することも有効である。
ゲルマニウムを含むガスたとえば、ＣＨ４，Ｃ２Ｈ６，
Ｃ３Ｈ８，Ｃ２Ｈ４，Ｃ２Ｈ２，Ｃ３Ｈ６１ＣＦ４等の
炭素化合物、ＧｅＨ４＋ＧｅＦ４等のゲルマニウム化合
物等があげられる。その他Ｈｅ ＊ Ａｒ ｓ Ｎｅ
＋ Ｈ２等の希釈用ガス、伝導型を制御する元素すなわ
ちｎ ＊ ｈｔ ＊ Ｇ ａ ＋Ｉｎ等の周期律表第ｎ
ｌＡ族元素及びＮ、ＰＩＡ８ 、Ｓｂ等の第ＶＡ族元素
を含むガス、最も典型的なものとしてＢ２Ｈ６，ＰＨ，
ＡｓＨ３等があげられる。その他５ｔＨ４＋５ｔ２Ｈ６
ｓｓｉ３Ｈ８，ＳｉＦ４等のシリコンを含むガスを導入
することも有効である。
しかして、上述したプラズマＣＶＤ装置を用いて以下の
要領で電子写真感光体を形成した。導電性支持体５には
アルミニウム板１０１００ｍｍＸ１００、厚さ０．８
ｖａｎをトリクレンによシ脱脂洗浄を行なったものを用
いた。先ず、反応容器１を１０ Ｔｏｒｒまで排気し
、導電性支持体５を約２３０℃まで加熱し、次にＧ ｅ
Ｈ４ガス１００ ｃｃ、ＣＨ４１５０ｃｃを導入し、排
気系３を調節して反応容器１内の圧力なＣ１７Ｔｏｒｒ
に維持した。更に放電用電源４に１３．５６ ＭＥ（ｚ
の高周波電源を用い３００Ｗの電力を６一 投入し、導電性支持体５上に放電を生起せしめた。放電
は１．５時間継続させた。終了後試料加熱を停止し、反
応容器１内のガスをチッ素によシパークした。試料が室
温まで冷却した後、反応容器１から取シ出した。この感
光体１ノはたとえば第２図に示すように導電性支持体５
上に単層の非晶質炭化ゲルマニウム感光層１２が積層さ
れた構成となシ、感光層１２は電荷保持能、光吸収能、
光発生キャリア輸送能の三種の能力を兼ね備えている。
要領で電子写真感光体を形成した。導電性支持体５には
アルミニウム板１０１００ｍｍＸ１００、厚さ０．８
ｖａｎをトリクレンによシ脱脂洗浄を行なったものを用
いた。先ず、反応容器１を１０ Ｔｏｒｒまで排気し
、導電性支持体５を約２３０℃まで加熱し、次にＧ ｅ
Ｈ４ガス１００ ｃｃ、ＣＨ４１５０ｃｃを導入し、排
気系３を調節して反応容器１内の圧力なＣ１７Ｔｏｒｒ
に維持した。更に放電用電源４に１３．５６ ＭＥ（ｚ
の高周波電源を用い３００Ｗの電力を６一 投入し、導電性支持体５上に放電を生起せしめた。放電
は１．５時間継続させた。終了後試料加熱を停止し、反
応容器１内のガスをチッ素によシパークした。試料が室
温まで冷却した後、反応容器１から取シ出した。この感
光体１ノはたとえば第２図に示すように導電性支持体５
上に単層の非晶質炭化ゲルマニウム感光層１２が積層さ
れた構成となシ、感光層１２は電荷保持能、光吸収能、
光発生キャリア輸送能の三種の能力を兼ね備えている。
そして、この感光体１１に＋６．５ ｋＶの正コロナ帯
電を施したところ３５０Ｖの表面電位まで帯電した。こ
れにタングステンランプによ如露光したところ電位半減
露光量値は０．８１ｕｘ−ｓｅｃであった。また−５．
５ ｋＶの負コロナ帯電を施したところ４００ｖの表面
電位が得られた。これにタングステンランプによ如露光
したところ電位半減露光量値は０．６１ｕｘ・ｓｅｅで
あった。更に正負両帯電を各々別に行ない、２．５１ｕ
ｘ・８ｅｅの像露光後、各々負トナー及び正トナーによ
りカスケード現像を行なったところコントラストの高い
鮮明々画像が得られた。
電を施したところ３５０Ｖの表面電位まで帯電した。こ
れにタングステンランプによ如露光したところ電位半減
露光量値は０．８１ｕｘ−ｓｅｃであった。また−５．
５ ｋＶの負コロナ帯電を施したところ４００ｖの表面
電位が得られた。これにタングステンランプによ如露光
したところ電位半減露光量値は０．６１ｕｘ・ｓｅｅで
あった。更に正負両帯電を各々別に行ない、２．５１ｕ
ｘ・８ｅｅの像露光後、各々負トナー及び正トナーによ
りカスケード現像を行なったところコントラストの高い
鮮明々画像が得られた。
なお、感光体としては第３図に示すように導電性支持体
５上に第一の感光層１６、第二の感′光層１７と二層の
感光層が積層されたものでもよい。この構造で各層の役
割は、第一の感光層１６が光吸収、光発生キャリアの輸
送能、帯電能を持ち、第二の感光層１７が表面保護能ブ
ハ帯電の補助能をもつ場合、第一の感光層１６が光吸収
能を第二の感光層１７が光発生キャリアの輸送能、帯電
能をもつ場合、またこの逆に第一の感光層１６が光発生
キャリアの輸送能、帯電能をもち、第二の感光層１７が
光吸収能を持つ場合、さらに第一の感光層１６が４電性
支持体からの電荷注入を阻止し、これによって、帯電能
を維持し、第二の感光層１７が光吸収能、光発生キャリ
アの輸送能をもつ場合の四種がある。
５上に第一の感光層１６、第二の感′光層１７と二層の
感光層が積層されたものでもよい。この構造で各層の役
割は、第一の感光層１６が光吸収、光発生キャリアの輸
送能、帯電能を持ち、第二の感光層１７が表面保護能ブ
ハ帯電の補助能をもつ場合、第一の感光層１６が光吸収
能を第二の感光層１７が光発生キャリアの輸送能、帯電
能をもつ場合、またこの逆に第一の感光層１６が光発生
キャリアの輸送能、帯電能をもち、第二の感光層１７が
光吸収能を持つ場合、さらに第一の感光層１６が４電性
支持体からの電荷注入を阻止し、これによって、帯電能
を維持し、第二の感光層１７が光吸収能、光発生キャリ
アの輸送能をもつ場合の四種がある。
また第４図に示すように導電性支持体５上に第一の感光
層３ノ１、第二の感光層３２、第三の感光層３３を積層
してもよい。この構造で各層の役割は第一の感光層３ノ
が導電性支持体５からの電荷注入を阻止し、帯電能を、
第二の感光層３２が光吸収能、光発生キャリアの輸送能
を、第三の感光層３３が表面保護能及び帯電の補助能を
持つことである。この場合、第二の感光層３２は光吸収
能を向上させるため、この層中に更に光吸収のための層
を挿入し複数層にすることも有効である。また、第一の
感光層３１もその電荷注入阻止能を上昇させるために複
数層にすることも非常に有効である。
層３ノ１、第二の感光層３２、第三の感光層３３を積層
してもよい。この構造で各層の役割は第一の感光層３ノ
が導電性支持体５からの電荷注入を阻止し、帯電能を、
第二の感光層３２が光吸収能、光発生キャリアの輸送能
を、第三の感光層３３が表面保護能及び帯電の補助能を
持つことである。この場合、第二の感光層３２は光吸収
能を向上させるため、この層中に更に光吸収のための層
を挿入し複数層にすることも有効である。また、第一の
感光層３１もその電荷注入阻止能を上昇させるために複
数層にすることも非常に有効である。
また第５図に示すように、感光層４１が２つの導電層４
２．４３にはさまれた形で感光層４１が自由表面をもた
ない感光体であってもよい。これは電子写真用の感光体
でなく、イメーゾセンサ、カラーセンサ、赤外センサ等
のセンサあるいは太陽電池等の光起電力素子などに応用
される。このとき、２つの導電層４２．４３のうち少な
くともいずれか一方は光を透過する必要があシ、１だこ
れとは無関係に一方が支持体の機能を有する必要がある
。具体的には下側の導電層４２がたとえば、金属板のよ
うに支持体の機能をもった導電体でかつ、上側の導電層
４２が透明導電性膜である場合と下側の導電層４２がガ
ラス等の支持体上に透明導電性膜を積層したものでかつ
、上側の導電層４２が透明あるいは、金属等の不透明、
半透明の導電膜である場合がある。また感光層４２は単
層であってもＰＮあるいはＰＩＮ等の接合をもっている
ものであってもよい。
２．４３にはさまれた形で感光層４１が自由表面をもた
ない感光体であってもよい。これは電子写真用の感光体
でなく、イメーゾセンサ、カラーセンサ、赤外センサ等
のセンサあるいは太陽電池等の光起電力素子などに応用
される。このとき、２つの導電層４２．４３のうち少な
くともいずれか一方は光を透過する必要があシ、１だこ
れとは無関係に一方が支持体の機能を有する必要がある
。具体的には下側の導電層４２がたとえば、金属板のよ
うに支持体の機能をもった導電体でかつ、上側の導電層
４２が透明導電性膜である場合と下側の導電層４２がガ
ラス等の支持体上に透明導電性膜を積層したものでかつ
、上側の導電層４２が透明あるいは、金属等の不透明、
半透明の導電膜である場合がある。また感光層４２は単
層であってもＰＮあるいはＰＩＮ等の接合をもっている
ものであってもよい。
また、第６図に示すように絶縁性支持体５上に感光層５
１を更にその上に二つの電極５３．５４が並列している
という構造としてもよい。
１を更にその上に二つの電極５３．５４が並列している
という構造としてもよい。
第２図〜第５図の構造の感光体においては、電流方向が
膜厚方向であるのに対し、本構造では、電流方向が面方
向である。この場合、光照射は、両電極５２．５３の間
隙に対してなされるものである。この構造の感光体も主
に各種光センサとして用いられる。
膜厚方向であるのに対し、本構造では、電流方向が面方
向である。この場合、光照射は、両電極５２．５３の間
隙に対してなされるものである。この構造の感光体も主
に各種光センサとして用いられる。
上記のように本発明によれば、吸収端を近赤外の長波長
から近紫外の短波長まで任意に選ぶことができ、所望の
分光感度を選ぶことが可能で、かつ熱的に安定で機械的
強度の強い感光体を得ることができる。
から近紫外の短波長まで任意に選ぶことができ、所望の
分光感度を選ぶことが可能で、かつ熱的に安定で機械的
強度の強い感光体を得ることができる。
また、第１図に示したプラズマＣＶＤ装置を用いて、以
下の要領で電子写真感光体を形成した。
下の要領で電子写真感光体を形成した。
導電性支持体にはアルミニウム板１００ｍｍ ＸＩ ０
０ Ｂ厚さＯ６８，表面粗さ０．３８をトリクレンによ
シ脱脂洗浄を行なったものを用いた。先ず反応容器を１
０ ’Ｔｏｒｒまで排気し、導電性支持体を約２３０°
Ｃまで加熱した。次にＧｅＨ４ガス１５０ ｃｃ。
０ Ｂ厚さＯ６８，表面粗さ０．３８をトリクレンによ
シ脱脂洗浄を行なったものを用いた。先ず反応容器を１
０ ’Ｔｏｒｒまで排気し、導電性支持体を約２３０°
Ｃまで加熱した。次にＧｅＨ４ガス１５０ ｃｃ。
ＣＨ４ガス１５０ ｅｅを導入し排気系を調節して反応
容器１内の圧力を０．７ Ｔｏｒｒに維持した。更に放
電用電源４として１３．５６ ＭＩ（ｚの高周波電源を
用い３００Ｗの電力を投入し、導電性支持体５上に放電
を生起せしめた。放電は１２分継続し、一度高周波電源
の出力を切シ、ＣＨ４量を４００ ｃｃとして再度高周
波電力を投入し、１時間の放電を行なった。放電終了後
試料加熱を停止し反応容器１内のガスをチッ素によｆ）
ｐ＋−ジした。試料が室温まで冷却した後試料を取シ
出した。取シ出した試料に６．５ ｋｖの正コロナ帯電
を施したところ５５０Ｖの表面電位まで帯電した。更に
この試料に初期電位５１０ｖの状態から発振波長７９５
ｎｍの半導体レーデ−を照射したところ、電位半減露
光量は０．７５μＪ／ｃ１ｎ２であシ、従来のものに比
べて感度的に優れたものが得られた。また、上記半導体
レーザーを用いて露光後負トナーによシカスケート現象
を行なったところコントラストの高い鮮明な画像が得ら
れた。
容器１内の圧力を０．７ Ｔｏｒｒに維持した。更に放
電用電源４として１３．５６ ＭＩ（ｚの高周波電源を
用い３００Ｗの電力を投入し、導電性支持体５上に放電
を生起せしめた。放電は１２分継続し、一度高周波電源
の出力を切シ、ＣＨ４量を４００ ｃｃとして再度高周
波電力を投入し、１時間の放電を行なった。放電終了後
試料加熱を停止し反応容器１内のガスをチッ素によｆ）
ｐ＋−ジした。試料が室温まで冷却した後試料を取シ
出した。取シ出した試料に６．５ ｋｖの正コロナ帯電
を施したところ５５０Ｖの表面電位まで帯電した。更に
この試料に初期電位５１０ｖの状態から発振波長７９５
ｎｍの半導体レーデ−を照射したところ、電位半減露
光量は０．７５μＪ／ｃ１ｎ２であシ、従来のものに比
べて感度的に優れたものが得られた。また、上記半導体
レーザーを用いて露光後負トナーによシカスケート現象
を行なったところコントラストの高い鮮明な画像が得ら
れた。
また、第７図は反応性スパッタリング法による成膜を行
なう装置の概略を示すものである。
なう装置の概略を示すものである。
装置は第１図に示すプラズマＣＶＤ装置とほぼ同様であ
るがスパッタリング装置であるため、放電用電極１０４
のかわシにターゲット２１がある点、壕だガス吹出孔２
２が独立して設置されている点等が相違点である。図中
第１図と共通の番号の部分は第１図と同様のものを示す
、ターゲット２１用の材料にはゲルマニウム単結晶、多
結晶あるいは非晶質ゲルマニウム、またグラファイト等
が用いられる。使用ガスとしてはターゲットのスパッタ
リング用としてＡｒ 、 Ｎｏ等の不活性ガスその他水
素導入用のガスとしてＨ２、さらに、ゲルマニウム、炭
素のいずれか一方をガスを供給源として成膜する場合は
、プラズマＣＶＤの項で列挙した炭素あるいはケ９ルマ
ニウムを含むガスを導入する。また、ゲルマニウム、炭
素の供給源をターゲットとガスの双方に求めることも有
効である。更にプラズマＣＶＤ法と同様に伝導型を制御
する元素を含むガスを導入する。その他ＳｉＨ４，Ｓｉ
２Ｈ６，５ｔ３Ｈ８，ＳｉＦ４等のシリコンを含むガス
を導入することも有効である。
るがスパッタリング装置であるため、放電用電極１０４
のかわシにターゲット２１がある点、壕だガス吹出孔２
２が独立して設置されている点等が相違点である。図中
第１図と共通の番号の部分は第１図と同様のものを示す
、ターゲット２１用の材料にはゲルマニウム単結晶、多
結晶あるいは非晶質ゲルマニウム、またグラファイト等
が用いられる。使用ガスとしてはターゲットのスパッタ
リング用としてＡｒ 、 Ｎｏ等の不活性ガスその他水
素導入用のガスとしてＨ２、さらに、ゲルマニウム、炭
素のいずれか一方をガスを供給源として成膜する場合は
、プラズマＣＶＤの項で列挙した炭素あるいはケ９ルマ
ニウムを含むガスを導入する。また、ゲルマニウム、炭
素の供給源をターゲットとガスの双方に求めることも有
効である。更にプラズマＣＶＤ法と同様に伝導型を制御
する元素を含むガスを導入する。その他ＳｉＨ４，Ｓｉ
２Ｈ６，５ｔ３Ｈ８，ＳｉＦ４等のシリコンを含むガス
を導入することも有効である。
第７図に示した反応性スパッタリング装置を用いて以下
の要領で電子写真感光体を形成した。
の要領で電子写真感光体を形成した。
導電性支持体５にはアルミニウム板１００ｍｍ Ｘ １
．ＯＯｍ＋ｎＸ０．８＋ｗ＋をトリクレンによシ脱脂洗
浄を行なったものを用いた。また、ターゲットにはゲル
マニウム単結晶を用いた。先ず、反応容器１を２Ｘ１０
−５Ｔｏｒｒまで排気し、導電性支持体５を約２５０℃
まで加熱した。次にＣＨ４ガス３０ ｃｃ及びＡｒガス
５０ ｃｃを導入し排気系３を調節して反応容器１内の
圧力を７ Ｘ １０ ’Ｔｏｒｒに維持した。更に放電
用電源４に１３．５６ ＭＨｚの高周波電源を用い３０
０Ｗの電力を投入し、導電性支持体５上に放電を生起せ
しめた。放電は２０分間継続し、一度高周波電源の出力
を切、！：ｌ ＣＨ４ガス量を１００ ｃｃに増やし再
び７Ｘ１０−３Ｔｏｒｒの圧力に調整し、高周波電源か
ら４００Ｗの電力を投入し３時間の放電を行なった。放
電終了後試料加熱を停止し反応容器１内のガスをチッ素
によシパージした。試料が室温までに冷却した後試料を
取シ出した。取シ出した試料に６，５ｋＶの正、コロナ
帯電を施したところ５１０ｖの表面電位まで帯電した。
．ＯＯｍ＋ｎＸ０．８＋ｗ＋をトリクレンによシ脱脂洗
浄を行なったものを用いた。また、ターゲットにはゲル
マニウム単結晶を用いた。先ず、反応容器１を２Ｘ１０
−５Ｔｏｒｒまで排気し、導電性支持体５を約２５０℃
まで加熱した。次にＣＨ４ガス３０ ｃｃ及びＡｒガス
５０ ｃｃを導入し排気系３を調節して反応容器１内の
圧力を７ Ｘ １０ ’Ｔｏｒｒに維持した。更に放電
用電源４に１３．５６ ＭＨｚの高周波電源を用い３０
０Ｗの電力を投入し、導電性支持体５上に放電を生起せ
しめた。放電は２０分間継続し、一度高周波電源の出力
を切、！：ｌ ＣＨ４ガス量を１００ ｃｃに増やし再
び７Ｘ１０−３Ｔｏｒｒの圧力に調整し、高周波電源か
ら４００Ｗの電力を投入し３時間の放電を行なった。放
電終了後試料加熱を停止し反応容器１内のガスをチッ素
によシパージした。試料が室温までに冷却した後試料を
取シ出した。取シ出した試料に６，５ｋＶの正、コロナ
帯電を施したところ５１０ｖの表面電位まで帯電した。
更にこの試料に初期電位４７０ｖの状態から発振波長、
７９５ｎｍの半導体レーザーを照射したところ、電位半
減露光量は０．７０μＪ／ｃｍであシ高感度の電子写真
感光体が得られた。
７９５ｎｍの半導体レーザーを照射したところ、電位半
減露光量は０．７０μＪ／ｃｍであシ高感度の電子写真
感光体が得られた。
−１４＝
〔発明の効果〕
以上、説明したように、本発明によれば、吸収端を近赤
外の長波長から近紫外の短波長から近紫外の短波長まで
任意に選ぶことができ、所望の分光感度を選ぶことが可
能で、かつ、熱的に安定で機械的強度の強い感光体を提
供できるという効果を奏する。
外の長波長から近紫外の短波長から近紫外の短波長まで
任意に選ぶことができ、所望の分光感度を選ぶことが可
能で、かつ、熱的に安定で機械的強度の強い感光体を提
供できるという効果を奏する。
第１図および第２図は本発明の一実施例を示すもので、
第１図はプラズマＣＶＤ装置を示す概略的構成図、第２
図は感光体を示す断面図、第３図は第１の他の感光体を
示す断面図、第４図は第２の他の感光体を示す断面図、
第５図は第３の他の感光体を示す断面図、第６図は第４
の他の感光体を示す断面図、第７図は他の成膜装置を示
す概略的構成図である。 ５・・・導電性支持体、１２，１６，３１．４１・・・
感光層。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第１図 区 区 へ の 味 棲 ぐ い ｑフ
第１図はプラズマＣＶＤ装置を示す概略的構成図、第２
図は感光体を示す断面図、第３図は第１の他の感光体を
示す断面図、第４図は第２の他の感光体を示す断面図、
第５図は第３の他の感光体を示す断面図、第６図は第４
の他の感光体を示す断面図、第７図は他の成膜装置を示
す概略的構成図である。 ５・・・導電性支持体、１２，１６，３１．４１・・・
感光層。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第１図 区 区 へ の 味 棲 ぐ い ｑフ
Claims (4)
- （１）導電性支持体と感光層からなる感光体において、
感光層を炭素とゲルマニウムを主成分とした非晶質材料
により構成したことを特徴とする感光体。 - （２）感光層が少なくとも水素あるいはハロゲン元素を
含む炭素とゲルマニウムを主成分とした非晶質材料によ
り構成したことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載
の感光体。 - （３）炭素とゲルマニウムを主成分とした非晶質材料中
に少なくとも周期律表IIIＡ族あるいはＶＡ族元素を含
有したことを特徴とする特許請求の範囲第１項または第
２項記載の感光体。 - （４）炭素とゲルマニウムを主成分とした非晶質材料中
にケイ素を含有したことを特徴とする特許請求の範囲第
１項または第２項記載の感光体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21571684A JPS6194048A (ja) | 1984-10-15 | 1984-10-15 | 感光体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21571684A JPS6194048A (ja) | 1984-10-15 | 1984-10-15 | 感光体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6194048A true JPS6194048A (ja) | 1986-05-12 |
Family
ID=16676990
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21571684A Pending JPS6194048A (ja) | 1984-10-15 | 1984-10-15 | 感光体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6194048A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS629355A (ja) * | 1985-07-05 | 1987-01-17 | ゼロツクス コ−ポレ−シヨン | 無定形炭素を含有する電子写真像形成部材 |
| JPH02181154A (ja) * | 1989-01-04 | 1990-07-13 | Fuji Xerox Co Ltd | 電子写真感光体 |
| JPH0424746U (ja) * | 1990-06-20 | 1992-02-27 | ||
| JP4847462B2 (ja) * | 2004-10-26 | 2011-12-28 | カバ ギルゲン アクチェンゲゼルシャフト | 封止する引き戸のための吊り下げ装置および走行キャリッジ |
-
1984
- 1984-10-15 JP JP21571684A patent/JPS6194048A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS629355A (ja) * | 1985-07-05 | 1987-01-17 | ゼロツクス コ−ポレ−シヨン | 無定形炭素を含有する電子写真像形成部材 |
| JPH02181154A (ja) * | 1989-01-04 | 1990-07-13 | Fuji Xerox Co Ltd | 電子写真感光体 |
| JPH0424746U (ja) * | 1990-06-20 | 1992-02-27 | ||
| JP4847462B2 (ja) * | 2004-10-26 | 2011-12-28 | カバ ギルゲン アクチェンゲゼルシャフト | 封止する引き戸のための吊り下げ装置および走行キャリッジ |
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