JPS5945445A - 電子写真感光体 - Google Patents
電子写真感光体Info
- Publication number
- JPS5945445A JPS5945445A JP57155941A JP15594182A JPS5945445A JP S5945445 A JPS5945445 A JP S5945445A JP 57155941 A JP57155941 A JP 57155941A JP 15594182 A JP15594182 A JP 15594182A JP S5945445 A JPS5945445 A JP S5945445A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- nitride
- amorphous silicon
- silicon hydride
- photoreceptor
- Prior art date
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- Pending
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の属する技術分野〕
本発明はアモルファス水素化／リコン層とｙ＋ｊ、荷ブ
ロッキング層との積層からなる′ｉ７．子写、子方（感
光体に関するものであり、更に肝しくは？１１：荷ブロ
ッキング層（・Ｃアモルファス水本章ンリコンの酸・窒
化物（（Ｊｘｙｎｉｔｒｉｄｅ ）を使用することを特
徴とする・１℃子万−（′（感光体に間するものである
。
ロッキング層との積層からなる′ｉ７．子写、子方（感
光体に関するものであり、更に肝しくは？１１：荷ブロ
ッキング層（・Ｃアモルファス水本章ンリコンの酸・窒
化物（（Ｊｘｙｎｉｔｒｉｄｅ ）を使用することを特
徴とする・１℃子万−（′（感光体に間するものである
。
笛−来、山：子方真感光体としで、例えばＳｅ、あるい
ｔよＣｄＳ等の感光体が実用化されている。これらのノ
ド鴇光体は非常に有毒であり、熱安定性が悪い上に、機
械的強度も弱り、′成子写真感光体としてぐよ未だｉ’
ｌ’／決すべき多くの問題を残している。従って、これ
らの問題点を解決する光導４７１件の良好な感光体が待
望され、アモルファス水素化シリコン感光体か近年注目
されている。アモルファス水素化シリコン層の暗抵抗は
セレン等と比較すると２乃至３桁はど低く、１子方真感
光体の必須条件である帯ｆ【１；特性が劣り、実用でき
るもので乾１なかった。
ｔよＣｄＳ等の感光体が実用化されている。これらのノ
ド鴇光体は非常に有毒であり、熱安定性が悪い上に、機
械的強度も弱り、′成子写真感光体としてぐよ未だｉ’
ｌ’／決すべき多くの問題を残している。従って、これ
らの問題点を解決する光導４７１件の良好な感光体が待
望され、アモルファス水素化シリコン感光体か近年注目
されている。アモルファス水素化シリコン層の暗抵抗は
セレン等と比較すると２乃至３桁はど低く、１子方真感
光体の必須条件である帯ｆ【１；特性が劣り、実用でき
るもので乾１なかった。
−ツバ帯電’ｌ？ｉ’性を改良−する方法として′１１
ｃ荷ブロッ・Ｖ−ング層ｋ・−アモルファス水素化シリ
コン層と積層としたｒｌ＋２ Ｔ ’θ′真感）ｌｃ、
体が開示されでいる。すなワ（）、ｔＫ、荷７’ ｒ＋
ツキ７りＷｔトＬ”（８ｉ０２．ＳｉＯ，Ａｆ２２０
３゜Ｚｒ（）２ 、’Ｉ’ｉ０２ 謀ｇＩ’２ 、Ｚｎ
Ｓ等の絶縁体や半導体材料、あるいｔよボリンノーボイ
イト、ポリビニルブチラールへ））の有］幾ｊ５°ら分
子が使用され又いる。ところが１．上記の電荷ブｌ：１
ソヤング層をア丁−ルノアス水素化シリコン層とノ♂「
層すると帯電’Ｆ！１．（／４．ｉＪ−一様に向上する
もののブロン・ヤング層に’「ｌｔ、荷がトラップされ
て、電子−’７．ｒ（感）°ｒ；体の疲労、メモリー現
象の装置とな一、 −ｒＪ シ甘い、連続？Ｖ写で？１
ないのが現状である。
ｃ荷ブロッ・Ｖ−ング層ｋ・−アモルファス水素化シリ
コン層と積層としたｒｌ＋２ Ｔ ’θ′真感）ｌｃ、
体が開示されでいる。すなワ（）、ｔＫ、荷７’ ｒ＋
ツキ７りＷｔトＬ”（８ｉ０２．ＳｉＯ，Ａｆ２２０
３゜Ｚｒ（）２ 、’Ｉ’ｉ０２ 謀ｇＩ’２ 、Ｚｎ
Ｓ等の絶縁体や半導体材料、あるいｔよボリンノーボイ
イト、ポリビニルブチラールへ））の有］幾ｊ５°ら分
子が使用され又いる。ところが１．上記の電荷ブｌ：１
ソヤング層をア丁−ルノアス水素化シリコン層とノ♂「
層すると帯電’Ｆ！１．（／４．ｉＪ−一様に向上する
もののブロン・ヤング層に’「ｌｔ、荷がトラップされ
て、電子−’７．ｒ（感）°ｒ；体の疲労、メモリー現
象の装置とな一、 −ｒＪ シ甘い、連続？Ｖ写で？１
ないのが現状である。
本３゛＾明ｔま十１１１％ Ｌ／た１（１、荀ブロツＷ
ング層の欠点を新規な７日料で解決したものである。す
なわち、アモルファス水素化シリコンの酸化物と窒化物
との混合物（Ｏｘｙｍｔ ｔｒｉｄｏ）から成るｉ〔を
荷ブロッキング層どアモルノ１ス水素化ンリコン層とを
積層した成子写真感光体において絶縁耐圧を高め、帯電
特性をＪ・ＩＡめて、しかも電荷の捕獲率を低くするこ
とに目的があり、もって、 ；ｉＫ続親写する場合に疲
労およびメモリー現象が発生１．ないｔＵ、子方−６感
光体を提供することに本発明の主たる１−１的がある。
ング層の欠点を新規な７日料で解決したものである。す
なわち、アモルファス水素化シリコンの酸化物と窒化物
との混合物（Ｏｘｙｍｔ ｔｒｉｄｏ）から成るｉ〔を
荷ブロッキング層どアモルノ１ス水素化ンリコン層とを
積層した成子写真感光体において絶縁耐圧を高め、帯電
特性をＪ・ＩＡめて、しかも電荷の捕獲率を低くするこ
とに目的があり、もって、 ；ｉＫ続親写する場合に疲
労およびメモリー現象が発生１．ないｔＵ、子方−６感
光体を提供することに本発明の主たる１−１的がある。
←発明の概少〕
本発明は、導Ｉ比性支持体」二にアモルファス水素化シ
リコンの酸・窒化物で構成される１（１，荷ブロッキン
グ層とアモルファス水素化シリコンの感光層とが順次積
層されることをｌ待機とする、１）、子育〆（感方、体
に関する。
リコンの酸・窒化物で構成される１（１，荷ブロッキン
グ層とアモルファス水素化シリコンの感光層とが順次積
層されることをｌ待機とする、１）、子育〆（感方、体
に関する。
１゛丈下、本発明について詳述する。
本発明における電荷ブロッキング層Ｖよアモルファス水
素化シリコンのＩ冥化物と窒化物との（１１７合物（Ｏ
ｘ）’ｎ１ｔｔ・１ｄｅ）であり、光照射時に石、荷の
効率良いトンネル効果が発揮されるものである。つ“ま
り、従来の酸化物（５１０２、ＳｉＯ）に比較して、酸
素を含有したアモルファス水素化シリコンＫ ’Ｊ化物
を混合することで電荷に対する電位障壁を低くシ、トラ
ップすることのないトンネル効果を実現している。壕だ
、５ｉｏ２等に代表される電荷ブロンキング層を使用し
／こ鳴合の欠点はトンネル酸化物で容易に発生−ノる絶
縁破壊であるのに対し、窒化物を混−１４，’る仁ノ・
でＩ・ンネル酸・へ゛イ化物の絶縁耐圧を篩くしでいる
。
素化シリコンのＩ冥化物と窒化物との（１１７合物（Ｏ
ｘ）’ｎ１ｔｔ・１ｄｅ）であり、光照射時に石、荷の
効率良いトンネル効果が発揮されるものである。つ“ま
り、従来の酸化物（５１０２、ＳｉＯ）に比較して、酸
素を含有したアモルファス水素化シリコンＫ ’Ｊ化物
を混合することで電荷に対する電位障壁を低くシ、トラ
ップすることのないトンネル効果を実現している。壕だ
、５ｉｏ２等に代表される電荷ブロンキング層を使用し
／こ鳴合の欠点はトンネル酸化物で容易に発生−ノる絶
縁破壊であるのに対し、窒化物を混−１４，’る仁ノ・
でＩ・ンネル酸・へ゛イ化物の絶縁耐圧を篩くしでいる
。
本イ１３明によるアモルファス水素化シリコンを感光層
とＬ／ ％ ４’１１＋荷ブロッギブロッキングしまた
ｉに了写豹、感光体のｉｌｉ面図を小１図に示−４０第
１図においで（ＩＩｌｌ、導「ｄ↑−ト支持体であり、
材質はアルミ、ごツクル等２．Ｉ９電性の材料であれば
、そｆ／） ＄４’ ｑ！ｊ ｒ；１．問わ々い６！ｉ
／こ、ｆ該グーＭ体の形状Ｖｊ版板状ベルト伏、ドラノ
、状のいすわでもよい。（２）は不発り月の・ｌ’ｉ６
文である串、６１１ノロッキング１台であ！ノ、膜厚は
１（）八乃至１ ｔｒのｉ′１１１）囲である。この１
１１ イ逝プロツキ右 ング層は尋Ｉ粍層と感）°Ｃ層間及び感光層表面の雨戸
にに設け−（も」、い１．′屯萌プロｖ Ａ’ング層の
成膜はグロー！ｉｋ 「＋１．法１・υ、いｔ、ｌスパ
ッターリング法によって実ｈ１０される。例えば、り「
１−放電、法では８１１１４１８ｔ ２ｒ１４ ？Ｊ
）水ＪＡ （ｔ：、物を−ｔへ＋−Ｌｔ、又はＴＩ２
、Ａｒなどでイ１）釈し７だこれＡ、！’Ｉのガスと、
０２又はＯｚ’ｒＡｒ等の不活性カスで希釈し、たガス
とを別々の導入口から反応槽に導入し、グロー放電によ
り分解し、酸素ヲ含ム“７′モルファス水素化シリコン
層（ａ−８ｉｌｌ：す ０）を堆積させる。−片、スパッターリング法による場
合には、ターゲットとしてＳｉを用い、 １１２をＡｒ
等の不活性ガスで希釈したガスと、０２をＡｒ等の不活
性ガスで希釈したガスとを別々の５７１゜入１コから反
応槽に導入してスパッターリングを行う。このようにし
て、成膜された酸素を含むアモルファス水素化シリコン
層を引き続いて、アンモニア（ＮＪ（３）雰囲気中で熱
アニールすることにより、アモルファスシリコンの酸化
物と窒化物との混合物（０ｘｙｎｉｔｒｔｄｅ ）から
成る電荷ブロッキング層が得られろ。
とＬ／ ％ ４’１１＋荷ブロッギブロッキングしまた
ｉに了写豹、感光体のｉｌｉ面図を小１図に示−４０第
１図においで（ＩＩｌｌ、導「ｄ↑−ト支持体であり、
材質はアルミ、ごツクル等２．Ｉ９電性の材料であれば
、そｆ／） ＄４’ ｑ！ｊ ｒ；１．問わ々い６！ｉ
／こ、ｆ該グーＭ体の形状Ｖｊ版板状ベルト伏、ドラノ
、状のいすわでもよい。（２）は不発り月の・ｌ’ｉ６
文である串、６１１ノロッキング１台であ！ノ、膜厚は
１（）八乃至１ ｔｒのｉ′１１１）囲である。この１
１１ イ逝プロツキ右 ング層は尋Ｉ粍層と感）°Ｃ層間及び感光層表面の雨戸
にに設け−（も」、い１．′屯萌プロｖ Ａ’ング層の
成膜はグロー！ｉｋ 「＋１．法１・υ、いｔ、ｌスパ
ッターリング法によって実ｈ１０される。例えば、り「
１−放電、法では８１１１４１８ｔ ２ｒ１４ ？Ｊ
）水ＪＡ （ｔ：、物を−ｔへ＋−Ｌｔ、又はＴＩ２
、Ａｒなどでイ１）釈し７だこれＡ、！’Ｉのガスと、
０２又はＯｚ’ｒＡｒ等の不活性カスで希釈し、たガス
とを別々の導入口から反応槽に導入し、グロー放電によ
り分解し、酸素ヲ含ム“７′モルファス水素化シリコン
層（ａ−８ｉｌｌ：す ０）を堆積させる。−片、スパッターリング法による場
合には、ターゲットとしてＳｉを用い、 １１２をＡｒ
等の不活性ガスで希釈したガスと、０２をＡｒ等の不活
性ガスで希釈したガスとを別々の５７１゜入１コから反
応槽に導入してスパッターリングを行う。このようにし
て、成膜された酸素を含むアモルファス水素化シリコン
層を引き続いて、アンモニア（ＮＪ（３）雰囲気中で熱
アニールすることにより、アモルファスシリコンの酸化
物と窒化物との混合物（０ｘｙｎｉｔｒｔｄｅ ）から
成る電荷ブロッキング層が得られろ。
７１（荷ブロッキング層に含有される水素、酸素、窒素
の箭は積層される光導電層（３）の特性に応じて適宜決
定されねばならないが、通常の場合、水素；１乃至４０
ａ、ｆｏｎｉｃ％、酸素；０１乃至３０ ａｔｏｍｉ
ｃチ、窒素；０，１乃至６０ ａｔｏｍｉｃチとされる
のが望咬しい。
の箭は積層される光導電層（３）の特性に応じて適宜決
定されねばならないが、通常の場合、水素；１乃至４０
ａ、ｆｏｎｉｃ％、酸素；０１乃至３０ ａｔｏｍｉ
ｃチ、窒素；０，１乃至６０ ａｔｏｍｉｃチとされる
のが望咬しい。
さて、次に第１図における（３）は光導電層であり、ア
ー■−ルファス水素化シリコン層からなる。該光導電層
の膜厚ｔＪ、０．５乃至；３０μ、好適には５乃至１５
μとされるのがｌ／ｌヰしい。アモルファス水素化シリ
コン層の成＋＋ｃｖ、 ｔ」、例えば、グロー放ｔｈ、
法でνま：；ｉｌＬ＋Ｓ ｉ ２Ｔｆ６等の水素化り勿
五そのまま、又はＩ２．Ａｒなどで希釈したこれ等のガ
スを用い、グロー放電により分解（７て堆積込−ＩＪる
。硯いはスパッターリング法でもげ能である。アモルフ
ァス水素化シリコン層中に不純物と１７で、周朋神表中
の■族又は／及びＶ族元素を含有１．−〇も何ら構わな
い。例ρ−ば、Ｈ、Ｉ）などのｉｒｌは涌常１０ 乃
至１． Ｏａｔｎｍｉｃ ％、好適には１（） ハキ１
ａｔｏ＋ｎｉｃ％とされるのが望ましい。
ー■−ルファス水素化シリコン層からなる。該光導電層
の膜厚ｔＪ、０．５乃至；３０μ、好適には５乃至１５
μとされるのがｌ／ｌヰしい。アモルファス水素化シリ
コン層の成＋＋ｃｖ、 ｔ」、例えば、グロー放ｔｈ、
法でνま：；ｉｌＬ＋Ｓ ｉ ２Ｔｆ６等の水素化り勿
五そのまま、又はＩ２．Ａｒなどで希釈したこれ等のガ
スを用い、グロー放電により分解（７て堆積込−ＩＪる
。硯いはスパッターリング法でもげ能である。アモルフ
ァス水素化シリコン層中に不純物と１７で、周朋神表中
の■族又は／及びＶ族元素を含有１．−〇も何ら構わな
い。例ρ−ば、Ｈ、Ｉ）などのｉｒｌは涌常１０ 乃
至１． Ｏａｔｎｍｉｃ ％、好適には１（） ハキ１
ａｔｏ＋ｎｉｃ％とされるのが望ましい。
本発明ｔよ一ヒ述したように新規な電荷ブロッキング層
を使用−することにより、帯電時に導電層側伐いＦ′、
１、感尤層＆面側からの市、荷の注入を効果的に防Ｉ卜
する。寸だ、光照射時に！ｆ！、電荷ブロッキング層Ｑ
よ１１毛荷に対して効率良いトンネル作用を・有し、１
ケ。
を使用−することにより、帯電時に導電層側伐いＦ′、
１、感尤層＆面側からの市、荷の注入を効果的に防Ｉ卜
する。寸だ、光照射時に！ｆ！、電荷ブロッキング層Ｑ
よ１１毛荷に対して効率良いトンネル作用を・有し、１
ケ。
荷がトラップされないため１．電子写真感光体としで縁
り返し使用しても疲労及びメモリー現象が観測されるこ
とのない顕著の効果を示した。
り返し使用しても疲労及びメモリー現象が観測されるこ
とのない顕著の効果を示した。
さらに、アモルファス水素化シリコンの酸化物と窒化物
との混合物（０ｘｙｎｉｔｖｔｄｅ）−（’あることか
ら、４．１１５縁耐圧が高く、帯’ｊｌ’ｉ、 １ｔ４
ｊ性が著しく向上することが見られた。
との混合物（０ｘｙｎｉｔｖｔｄｅ）−（’あることか
ら、４．１１５縁耐圧が高く、帯’ｊｌ’ｉ、 １ｔ４
ｊ性が著しく向上することが見られた。
以下に実施例を掲げ本発明を更に詳しく説明する。
実施例１
表面が清浄にされた外径１３ｏ ｔｑｍφ×長さ３５０
ｒｌｍのアルミドラムをグ「Ｊ−放電反応槽内に固定
ｊ〜、反応４〜′１１内を排気し、一旦、約７ Ｘ ｉ
Ｏ−”Ｉ’ｏｒｒの真空度にし／こ。ドラム内側の加
熱ヒーターで、ドラノ・表面ｖ）１５度を２ ＋１０
’Ｑに保持し、１６ ＲＰＭの速度で回転させた。
ｒｌｍのアルミドラムをグ「Ｊ−放電反応槽内に固定
ｊ〜、反応４〜′１１内を排気し、一旦、約７ Ｘ ｉ
Ｏ−”Ｉ’ｏｒｒの真空度にし／こ。ドラム内側の加
熱ヒーターで、ドラノ・表面ｖ）１５度を２ ＋１０
’Ｑに保持し、１６ ＲＰＭの速度で回転させた。
その後、１００ Ｖｏｌ ％ （７） ５１）Ｉ４ガス
を２０ ＋Ｉ Ｓ（Ｘ：Ｍ 及び０２ガスを１０ ｓｅ
ｃＭそれぞれ反応槽内に流入させ、内圧を０．５Ｔｏｒ
ｒとしだ。次いで、ドラムと同心円上に５Ｑｍｍ離れて
設置された対向電極に１３．５６ Ｍｌｌｚの高周波電
力を投入１７、ドラムと、民権との間にグロー放ｑ１（
を発生−、Ｋｌ−）−、：（ＯＷの入力、ｌｔ力とした
。以上の条件を５分間保ったイそ、高周波市、源を切っ
た。
を２０ ＋Ｉ Ｓ（Ｘ：Ｍ 及び０２ガスを１０ ｓｅ
ｃＭそれぞれ反応槽内に流入させ、内圧を０．５Ｔｏｒ
ｒとしだ。次いで、ドラムと同心円上に５Ｑｍｍ離れて
設置された対向電極に１３．５６ Ｍｌｌｚの高周波電
力を投入１７、ドラムと、民権との間にグロー放ｑ１（
を発生−、Ｋｌ−）−、：（ＯＷの入力、ｌｔ力とした
。以上の条件を５分間保ったイそ、高周波市、源を切っ
た。
５ｉｔ（４ガス及び０２ガスの流入を停止し、代りにＮ
Ｈ：＋ガスを：１１） ＯＳＣＣＭ； ｌ ’ｌ’ｏｒ
ｒ流した状Ｍｌで、酸素を含イ１し／こアモルファス水
素化シリコン層を３０分間熱アニーリングした。
Ｈ：＋ガスを：１１） ＯＳＣＣＭ； ｌ ’ｌ’ｏｒ
ｒ流した状Ｍｌで、酸素を含イ１し／こアモルファス水
素化シリコン層を３０分間熱アニーリングした。
ネで、次にＮＩＬ＋ガスの流入を停止した後、再び１０
０％５ｔＨ４ガスのみ２００ＳＣＣＭをグロー放電反応
槽に導入り１、内圧を０．５Ｔｏｒｒとした、アルミド
ジム・と対向゛螺極間に１３．５６ ＭＦｌｙ、の高周
波電力を投入し、クロー放電全生起させ、５０Ｗの入力
′ｊｉｆ、力とし７た。この条件を６時間保った後、高
周波電源を［ＪＪす８ｉＨ４ガスの流入全停上させた。
０％５ｔＨ４ガスのみ２００ＳＣＣＭをグロー放電反応
槽に導入り１、内圧を０．５Ｔｏｒｒとした、アルミド
ジム・と対向゛螺極間に１３．５６ ＭＦｌｙ、の高周
波電力を投入し、クロー放電全生起させ、５０Ｗの入力
′ｊｉｆ、力とし７た。この条件を６時間保った後、高
周波電源を［ＪＪす８ｉＨ４ガスの流入全停上させた。
反応槽内を約゛ンｘ １ ｏ ”Ｉ’ｏｒｒ Ｋ Ｍ気
して、加”Ｎ５１１−ターを１；りり、ドラノ・温度が
５０’０以下になる壕で徐冷Ｉ、７、感光層が１トａ成
されたアルミドジムを取りＩｌｌ Ｌ、 ｋｏぞの活用
、アルミドラム（導電支持休１）の、Ｈに、出、荷フ゛
ロソギング層（２）としてアモルファス水素化シリコン
の酸化物と窒化物との混合物（０ｘｙｎｉｔｒｏｌｅ
）層が０．６μの厚さに形成され、その上に光導電層（
３）であるアモルファス水素化シリコン層が１２μに形
成されたｒｌを子方真感光体を得た。
して、加”Ｎ５１１−ターを１；りり、ドラノ・温度が
５０’０以下になる壕で徐冷Ｉ、７、感光層が１トａ成
されたアルミドジムを取りＩｌｌ Ｌ、 ｋｏぞの活用
、アルミドラム（導電支持休１）の、Ｈに、出、荷フ゛
ロソギング層（２）としてアモルファス水素化シリコン
の酸化物と窒化物との混合物（０ｘｙｎｉｔｒｏｌｅ
）層が０．６μの厚さに形成され、その上に光導電層（
３）であるアモルファス水素化シリコン層が１２μに形
成されたｒｌを子方真感光体を得た。
こうして得られた電子写真感光体を帯電露光評価装置に
設置し、■７ ＫＶで２ ｓｅｅ間コロナ帯電を行い、
１αちに光像を照射した。光像はタングステンランプ光
源を用い、 １０１１ｔｘ、ｓｅｅの光Ｍ、で反則型
のテストチャートを通して照射された。その後直ちに、
ｅｉ電性の現像剤で感光体表面を磁気プジシ現像し、さ
らに転写紙上に転写した所、カプリがなく解像力に優れ
、階調性のよい鮮明な高濃度の画像が得られた。寸だ、
上述の複写サイクルを繰り返し実施した所、画像濃度の
低下や前画像が二重写りするようないわゆるメモリー現
象は見られなかった。
設置し、■７ ＫＶで２ ｓｅｅ間コロナ帯電を行い、
１αちに光像を照射した。光像はタングステンランプ光
源を用い、 １０１１ｔｘ、ｓｅｅの光Ｍ、で反則型
のテストチャートを通して照射された。その後直ちに、
ｅｉ電性の現像剤で感光体表面を磁気プジシ現像し、さ
らに転写紙上に転写した所、カプリがなく解像力に優れ
、階調性のよい鮮明な高濃度の画像が得られた。寸だ、
上述の複写サイクルを繰り返し実施した所、画像濃度の
低下や前画像が二重写りするようないわゆるメモリー現
象は見られなかった。
実施例２
表面が清浄にされた外径１３０＋ｆｆｉφ×長さ３５０
１．７１１１のアルミドラムを実施例１と同様にグロー
放電反応槽内に固定し、反応槽内を排気し、一旦、約９
Ｘ 、１０ ’ｌ’ｎｒｒの１゛１．り：’、 Ｉｔ
）に（、ｈ・１．ドラム内側の加熱ヒーターで、じラノ
、表面温１壜（を２５０”０に保持し、１、６ ＲＰｔ
ｖｌのｉ’ｌｊ 鵬で同転さ一所だ。
１．７１１１のアルミドラムを実施例１と同様にグロー
放電反応槽内に固定し、反応槽内を排気し、一旦、約９
Ｘ 、１０ ’ｌ’ｎｒｒの１゛１．り：’、 Ｉｔ
）に（、ｈ・１．ドラム内側の加熱ヒーターで、じラノ
、表面温１壜（を２５０”０に保持し、１、６ ＲＰｔ
ｖｌのｉ’ｌｊ 鵬で同転さ一所だ。
その後、Ｉ ００ Ｖｏｌ ％のＳ＋Ｉ（４ガスを３
ｏ ｏ Ｓｃｃ＋ｖｒ及びＯｚガスを４０ ＳＣＣＭそ
ｔｌぞれＪシ応槽内に流入さ１」、内ＩＦ ｆ ｆｌ、
６ ’Ｉ’ｎｒｒとした０次いで、Ａ１向ル極に１３
、５ ｆｉ Ｍｌｌｚの高周波重力台・投入し２アルミ
ドラムとの間にグｊＪ −放ｔ１１）を発生さ［トだ。
ｏ ｏ Ｓｃｃ＋ｖｒ及びＯｚガスを４０ ＳＣＣＭそ
ｔｌぞれＪシ応槽内に流入さ１」、内ＩＦ ｆ ｆｌ、
６ ’Ｉ’ｎｒｒとした０次いで、Ａ１向ル極に１３
、５ ｆｉ Ｍｌｌｚの高周波重力台・投入し２アルミ
ドラムとの間にグｊＪ −放ｔ１１）を発生さ［トだ。
高周波入力電力ｔ」： ３ （ｌ Ｗであり、この条件
を３分間保った後、高周波電源を切っ／ζ。５ｉｌｌａ
ガス及び０２ガスの流入を停止−１７，１−１代りｆ（
Ｎｒｌ：＋ガスを反応槽内に充填し７．て５′１’（ｌ
ｒ ｒの圧力とシ２／ζ。（＜９素を含有したア壬ル
フ７′ス水素化シリコン層を１）１１述・′Ｉ−件で２
０分間ｉ１．ｊ７Ｂフニ リング処１甲した。
を３分間保った後、高周波電源を切っ／ζ。５ｉｌｌａ
ガス及び０２ガスの流入を停止−１７，１−１代りｆ（
Ｎｒｌ：＋ガスを反応槽内に充填し７．て５′１’（ｌ
ｒ ｒの圧力とシ２／ζ。（＜９素を含有したア壬ル
フ７′ス水素化シリコン層を１）１１述・′Ｉ−件で２
０分間ｉ１．ｊ７Ｂフニ リング処１甲した。
Ｎｉ１３ガス番・排気し７だ後、１カび１． ｆｌ Ｏ
ＶＯＩ ＺのＳｉｌ！＜ガス１． ＨＯＳ（で（°Ｍと
水素正釈されたｎ２Ｈ６ガス（２０（１０ｐｐｍ ）
Ｔ ：；（、’、：ＣＭ 、！： ５：り「＋ −１ｊ
ｊ（ｔｒ（反応槽内に導入し７、内圧をｆｌ、 ５ Ｔ
ｎ ｒ ｒとした。アルミドラムと対向電極との間に１
３．５ （ｉ ＭＨｙ、の高周波電力を投入（７、グロ
ー放電を生起さ１ト、５（ＩＷの入力ｉｉ：力と１７ノ
Ｅ０この条件を７時間保った後、高周波′１１（源を１
．υす、ξ：１Ｌｒ４ガスと１’３２１１６ガスとの流
入を停止１−させた。
ＶＯＩ ＺのＳｉｌ！＜ガス１． ＨＯＳ（で（°Ｍと
水素正釈されたｎ２Ｈ６ガス（２０（１０ｐｐｍ ）
Ｔ ：；（、’、：ＣＭ 、！： ５：り「＋ −１ｊ
ｊ（ｔｒ（反応槽内に導入し７、内圧をｆｌ、 ５ Ｔ
ｎ ｒ ｒとした。アルミドラムと対向電極との間に１
３．５ （ｉ ＭＨｙ、の高周波電力を投入（７、グロ
ー放電を生起さ１ト、５（ＩＷの入力ｉｉ：力と１７ノ
Ｅ０この条件を７時間保った後、高周波′１１（源を１
．υす、ξ：１Ｌｒ４ガスと１’３２１１６ガスとの流
入を停止１−させた。
さて、次に相、荷ブロッギング層（２）を成；１ｑシた
のと回−条件下で感光層表面側にも笛、荷ブロッキング
層（２）を１ヒ成した。。その結果、アルミドラム、上
に箱、荷ブロッキング層として−アモルファス水素化シ
リコンの酸化物と窒化物との混合層が約０．４ｔｔの厚
さに形成され、その上に光導電層とし−Ｃホウ素を含有
したアモルファス水素化７９１７層がＩ ：ｌ ｔｒの
厚さに成膜され、さらにその」二に電荷ブロッキング層
としてアモルファス大索化ソリ、フンの酸化物と空化物
との混合層が約０．４μの１すさに形成され／Ｃ・１を
子方真感光体を得た。
のと回−条件下で感光層表面側にも笛、荷ブロッキング
層（２）を１ヒ成した。。その結果、アルミドラム、上
に箱、荷ブロッキング層として−アモルファス水素化シ
リコンの酸化物と窒化物との混合層が約０．４ｔｔの厚
さに形成され、その上に光導電層とし−Ｃホウ素を含有
したアモルファス水素化７９１７層がＩ ：ｌ ｔｒの
厚さに成膜され、さらにその」二に電荷ブロッキング層
としてアモルファス大索化ソリ、フンの酸化物と空化物
との混合層が約０．４μの１すさに形成され／Ｃ・１を
子方真感光体を得た。
こう１〜て得らノまたｔＩが子方真感光体を帯電露光評
価４−’； １ｉに設置Ｉ７、○ｓｉ＜ｖで３ ｓｅｃ
間−７０ナ帯電を行い、直ちに光像をＩｉ１則した。）
Ｙ、像ｔ、１、タングステンランプ光源を用い、１３１
ｕｘ・８ｅＣの光）辻を反射型のテストチャートをＩｔ
Ｔｔして傅射頃れた。その後直ちに（り帯電性の現像剤
で感光体表面を磁気ブラシ現像し、さらに転写紙上に転
写し、だ所、カプリのない解像力に優れ、階ｙ＝”ＶＩ
性のよい鮮明な高−）仄の画像が？ＩＩらｔｌだ。寸だ
、ｌ＝、：ｖｌｌの複写リイクルを繰りｉｔｓ Ｌｋ所
、ｐｉ １！濃度の低−トや前画像が二重写り一４ロＪ
、”Ｊ ｆ） メ’Ｅ ’） 、１）、 ｆＪ！ Ｖ
、Ｊ見らｈなか−）だ。
価４−’； １ｉに設置Ｉ７、○ｓｉ＜ｖで３ ｓｅｃ
間−７０ナ帯電を行い、直ちに光像をＩｉ１則した。）
Ｙ、像ｔ、１、タングステンランプ光源を用い、１３１
ｕｘ・８ｅＣの光）辻を反射型のテストチャートをＩｔ
Ｔｔして傅射頃れた。その後直ちに（り帯電性の現像剤
で感光体表面を磁気ブラシ現像し、さらに転写紙上に転
写し、だ所、カプリのない解像力に優れ、階ｙ＝”ＶＩ
性のよい鮮明な高−）仄の画像が？ＩＩらｔｌだ。寸だ
、ｌ＝、：ｖｌｌの複写リイクルを繰りｉｔｓ Ｌｋ所
、ｐｉ １！濃度の低−トや前画像が二重写り一４ロＪ
、”Ｊ ｆ） メ’Ｅ ’） 、１）、 ｆＪ！ Ｖ
、Ｊ見らｈなか−）だ。
４ 図Ｉ川の？ｉＩｉ中な＋＋；１．明１’＋ Ｉ図Ｃ
よ本発明のｆは子ｑ真感尤体の構成の−・例をノｊ＜ず
仔Ｖ成１＋１ｒ而図である。
よ本発明のｆは子ｑ真感尤体の構成の−・例をノｊ＜ず
仔Ｖ成１＋１ｒ而図である。
（１）・・・導′［１を性支持体
＋２１ 、１２）・・・１１１、イ：ｊ丁プロノギング
層（゛））・・・）γ）へＰ？重層 代理人 弁、ｊｉｌｌ−，１−則 近 憲 佑（ｔコか
１今、） 第 １ 図 （
層（゛））・・・）γ）へＰ？重層 代理人 弁、ｊｉｌｌ−，１−則 近 憲 佑（ｔコか
１今、） 第 １ 図 （
Claims (3)
- （１）導出−件保持体１〕に７しルファス水素化シリコ
ンの酸・窒化物−Ｃ”１７．１７成されるｉ（荷ブロッ
キング層とアモルノアス水素化ンリコンの感）Ｙ、層と
が順次積層さノすることをＱ、ｌｒ徴とする准子写真感
光体。 - （２）アモルノｒス水素化シリコンの酸・窒化物で１１
−を成される巾： ＋ｉ！ｊプロ・キング層に酸素Ｘ
ｔＪ、／及びｚ＞４１が−ｆ−れ−ｔ゛れ０１乃−７Ｔ
３３０ ａｆｏｍｉｃ％、Ｏｌ乃至６０ハゲ子係含イ１
されでいろ！［η許１１〜求の範囲第１項に１１＋１載
の１（１１子′ｑ氏感光体。 - （３）ア沿ルノアス水素化シリコンの感光層に周１１律
表１１１族又Ｌｔｉ ／ ＆ ヒＶ 族ノｊ＋： ：Ｒ
カ１．０−４乃至１ （Ｉ原Ｔ−％ ＊ １゛に７ ；
ｉ＋、 −Ｃイ／：＋）ｆ！Ｉ’ Ｓ’ｌ’ Ｎ〆ｆ求
の範囲ＦＢ ｉ ＩＱに記載のｄｉ、 Ｉ−′￥、 、
ＢＱ、感）４１体５、（４）ア壬ルフ・“ス水素化シ、
リコンの感光層」二にアモルファス水素１１−シリコン
の酸・窒化物で構成される［に荷プロツギング層が設け
られている特許請求の範囲第１項に記載のＴ（を子方！
（感光体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57155941A JPS5945445A (ja) | 1982-09-09 | 1982-09-09 | 電子写真感光体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57155941A JPS5945445A (ja) | 1982-09-09 | 1982-09-09 | 電子写真感光体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5945445A true JPS5945445A (ja) | 1984-03-14 |
Family
ID=15616862
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57155941A Pending JPS5945445A (ja) | 1982-09-09 | 1982-09-09 | 電子写真感光体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5945445A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61201257A (ja) * | 1985-03-04 | 1986-09-05 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光導電体 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4848857A (ja) * | 1971-10-19 | 1973-07-10 | ||
| JPS56101412A (en) * | 1980-01-18 | 1981-08-14 | Textron Inc | Threaded fixing equipment and structural joining obtained by using the same |
-
1982
- 1982-09-09 JP JP57155941A patent/JPS5945445A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4848857A (ja) * | 1971-10-19 | 1973-07-10 | ||
| JPS56101412A (en) * | 1980-01-18 | 1981-08-14 | Textron Inc | Threaded fixing equipment and structural joining obtained by using the same |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61201257A (ja) * | 1985-03-04 | 1986-09-05 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光導電体 |
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