JPS5846344A - 電子写真用感光体 - Google Patents
電子写真用感光体Info
- Publication number
- JPS5846344A JPS5846344A JP14376481A JP14376481A JPS5846344A JP S5846344 A JPS5846344 A JP S5846344A JP 14376481 A JP14376481 A JP 14376481A JP 14376481 A JP14376481 A JP 14376481A JP S5846344 A JPS5846344 A JP S5846344A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- photoreceptor
- sensitivity
- small
- layer contg
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/043—Photoconductive layers characterised by having two or more layers or characterised by their composite structure
- G03G5/0433—Photoconductive layers characterised by having two or more layers or characterised by their composite structure all layers being inorganic
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、帯電特性が良好で且つ８００ ｎｍ近傍の長
波長域まで高い光感度を示す電子写真用感光体に関する
。
波長域まで高い光感度を示す電子写真用感光体に関する
。
電子写真用感光体として従来よりＡｔ導電性支持体上に
Ｓｅの光導電層を設けたＳｅ感光体が６００ ｎｍ以下
程度の比較的短波長域で電子感光体として優れた特性を
示すことから広く用いられている。しかしながら、その
感度域が短波長域に限定されることから、Ｔｅ ＋ Ａ
ｓ等の増感剤を添加して感度域を長波長域まで広げた感
光体も提案されているが、帯電特性、キャリア移動度の
点で好ましくない現象を生ずる。例えばｐ、を支持体上
にＳｅ −２０４Ｔｅ層とＳｅ層を順次設けた感光体が
知られているが、これは感光体表面を正、負いずれの極
性に帯電する場合も実用上問題がある。この感光体にお
いて、５ｅ−Ｔｅ層は電荷発生層として作用し、可視光
吸収によりホール−エレクトロン対を発生する。そして
ここで発生したホール・エレクトロンのうちいずれか一
方はＳｅ層を通じて感光体表面へ、他方は支持体側へ移
動して表面電位が光減衰するわけであるが、感光体表面
が負に帯電された場合には、エレクトロンに比較して移
動度大のホールがＳｅ −Ｔｅ層及びＳｅ層の長い距離
を移動し、エレクトロンはごくわずかしか移動しないの
で、光減衰が速く有利であるが、支持体側から一光導電
層へホールが容易に注入する為暗減衰が速く、感光体表
面を充分な電位に帯電できない。他方、感光体表面が正
に帯電される場合には、光減衰は、負帯電とは全く逆に
移動度の小さいエレクトロン（−３ｅ層、Ｓｅ −Ｔｅ
層ともエレクトロンの移動度はホールに比較し、２オ一
ダー以上小さい。）が長い距離を移動することになるの
で、極めて遅く実用的でない。
Ｓｅの光導電層を設けたＳｅ感光体が６００ ｎｍ以下
程度の比較的短波長域で電子感光体として優れた特性を
示すことから広く用いられている。しかしながら、その
感度域が短波長域に限定されることから、Ｔｅ ＋ Ａ
ｓ等の増感剤を添加して感度域を長波長域まで広げた感
光体も提案されているが、帯電特性、キャリア移動度の
点で好ましくない現象を生ずる。例えばｐ、を支持体上
にＳｅ −２０４Ｔｅ層とＳｅ層を順次設けた感光体が
知られているが、これは感光体表面を正、負いずれの極
性に帯電する場合も実用上問題がある。この感光体にお
いて、５ｅ−Ｔｅ層は電荷発生層として作用し、可視光
吸収によりホール−エレクトロン対を発生する。そして
ここで発生したホール・エレクトロンのうちいずれか一
方はＳｅ層を通じて感光体表面へ、他方は支持体側へ移
動して表面電位が光減衰するわけであるが、感光体表面
が負に帯電された場合には、エレクトロンに比較して移
動度大のホールがＳｅ −Ｔｅ層及びＳｅ層の長い距離
を移動し、エレクトロンはごくわずかしか移動しないの
で、光減衰が速く有利であるが、支持体側から一光導電
層へホールが容易に注入する為暗減衰が速く、感光体表
面を充分な電位に帯電できない。他方、感光体表面が正
に帯電される場合には、光減衰は、負帯電とは全く逆に
移動度の小さいエレクトロン（−３ｅ層、Ｓｅ −Ｔｅ
層ともエレクトロンの移動度はホールに比較し、２オ一
ダー以上小さい。）が長い距離を移動することになるの
で、極めて遅く実用的でない。
本発明は、以上の従来の欠点を解決したものであり、特
には、ｐ、を支持体上に、Ａｓを３０ｗｔ％以上含むＳ
ｅ −Ａｇ層と、Ｔｅを２０ ｗｔ％以上含むＳｅ −
Ｔｅ層とＳｅ層との３種の光導電層を順次設けることに
より、帯電特性が良好で、且つ８００ ｎｍ付近のＬＤ
発光帯域までもの長波長域まで高い感度を有する電子写
真用感光体を提供するものである。
には、ｐ、を支持体上に、Ａｓを３０ｗｔ％以上含むＳ
ｅ −Ａｇ層と、Ｔｅを２０ ｗｔ％以上含むＳｅ −
Ｔｅ層とＳｅ層との３種の光導電層を順次設けることに
より、帯電特性が良好で、且つ８００ ｎｍ付近のＬＤ
発光帯域までもの長波長域まで高い感度を有する電子写
真用感光体を提供するものである。
本発明感光体のＴｅ、八Ｓの増減作用を図面を用いて説
明すると、図はＳｅ 、ｋｓ２ｓｅ５、及びＳｅ −２
５％Ｔｅの分光感度を曲線１．Ｉ［及び■のそれぞれで
示しだものであり、図から明らかなように、Ｔｅ ＋
ＡｓをＳｅに加えることによって長波長領域へ感度を増
感している。
明すると、図はＳｅ 、ｋｓ２ｓｅ５、及びＳｅ −２
５％Ｔｅの分光感度を曲線１．Ｉ［及び■のそれぞれで
示しだものであり、図から明らかなように、Ｔｅ ＋
ＡｓをＳｅに加えることによって長波長領域へ感度を増
感している。
本発明ではＡｌｌ −Ｓｅ層並びにＳｅ −Ｔｅ層はノ
マンクロマチックな特性を有することから電荷発生層と
して用い、又、特にホール輸送に有効なｊｅ層を電荷移
動層として用いでおり、感光体表面の帯電は、光減衰速
度を大とする高質に帯電される。Ｔｅは図からも明らか
なように微少量で極めて大なる増感効果を示すが、Ｓｅ
の結晶化を防止する為３０％以下とすることが好ましい
。更に前述の如く、本発明感光体は負に帯電されること
から、Ａｓ’ −Ｔｅ層を最下層とすることは好ましく
ない。即ち、Ｓｅ −Ｔｅ層は感光体が正帯電される場
合にはブロッキング層として作用し、支持体から光導電
層へのキャリア注入を防ぐが負帯電では、ホールが容易
に支持体側から光導電層へ注入され充分な電位に帯電す
ることができない。そこで、これに比較して、Ａｓ −
Ｓｅ層を最下層とすると、負帯電の場合もブロッキング
層として作用する為、帯電特性は改善される。
マンクロマチックな特性を有することから電荷発生層と
して用い、又、特にホール輸送に有効なｊｅ層を電荷移
動層として用いでおり、感光体表面の帯電は、光減衰速
度を大とする高質に帯電される。Ｔｅは図からも明らか
なように微少量で極めて大なる増感効果を示すが、Ｓｅ
の結晶化を防止する為３０％以下とすることが好ましい
。更に前述の如く、本発明感光体は負に帯電されること
から、Ａｓ’ −Ｔｅ層を最下層とすることは好ましく
ない。即ち、Ｓｅ −Ｔｅ層は感光体が正帯電される場
合にはブロッキング層として作用し、支持体から光導電
層へのキャリア注入を防ぐが負帯電では、ホールが容易
に支持体側から光導電層へ注入され充分な電位に帯電す
ることができない。そこで、これに比較して、Ａｓ −
Ｓｅ層を最下層とすると、負帯電の場合もブロッキング
層として作用する為、帯電特性は改善される。
前記本発明の各光導電層の厚さとしては、Ｓｅ層は、帯
電時の電荷保持能力から４０μ以上が必要であるが、光
照射め際下層に光が侵入し易くする為、８０μ以下とす
込ことが好ましい。Ｓｅ −Ｔｅ層、Ｓｅ −Ａｇ層の
厚さとしてはキャリア発生性能より１μ以上が好ましく
、父、発生したキャリアがトラップして残留電位を増大
しないようにする為、５μ以下とすることが好ましい。
電時の電荷保持能力から４０μ以上が必要であるが、光
照射め際下層に光が侵入し易くする為、８０μ以下とす
込ことが好ましい。Ｓｅ −Ｔｅ層、Ｓｅ −Ａｇ層の
厚さとしてはキャリア発生性能より１μ以上が好ましく
、父、発生したキャリアがトラップして残留電位を増大
しないようにする為、５μ以下とすることが好ましい。
以下、本発明の詳細な説明する。
実施例
１２０℃でｉＲ−クレン洗浄されたμ−支持体を１９５
′℃に維持しつつ、蒸発源温度４００℃とし、Ａｓを３
８．７ ｗｔ％含有のＡ８２ Ｓｅ３原材料を支持体上
に膜厚１μで真空蒸着しＡｓ −Ｓｅ層を形成した。次
いで３ｅ −２５％Ｔｅを原材料とし、支持体温度７０
℃、蒸発源温度２８０℃でＳｅ −Ａｓ層上に膜厚３μ
のＳｅ −Ｔｅ層形成後、更に支持体温度７０℃、蒸発
源温度３００℃で膜厚５０μのｆ３．ｅ層を形成して本
発明の感光体を作成した。
′℃に維持しつつ、蒸発源温度４００℃とし、Ａｓを３
８．７ ｗｔ％含有のＡ８２ Ｓｅ３原材料を支持体上
に膜厚１μで真空蒸着しＡｓ −Ｓｅ層を形成した。次
いで３ｅ −２５％Ｔｅを原材料とし、支持体温度７０
℃、蒸発源温度２８０℃でＳｅ −Ａｓ層上に膜厚３μ
のＳｅ −Ｔｅ層形成後、更に支持体温度７０℃、蒸発
源温度３００℃で膜厚５０μのｆ３．ｅ層を形成して本
発明の感光体を作成した。
比較例として、ＡＬ支持体上にＡｓ −Ｓｅ層を形成せ
ずにＳｅ −Ｔｅ層、Ｓｅ層を設ける他は同様にして比
較用の感光体を作成し負帯電時の受容型（５） 位、並びに８００ ｎｍの光に対する光感度を比較した
ところ、本発明の場合は、受容電位は１．５倍、光感度
は１．２倍それぞれ優れた結果を示した。
ずにＳｅ −Ｔｅ層、Ｓｅ層を設ける他は同様にして比
較用の感光体を作成し負帯電時の受容型（５） 位、並びに８００ ｎｍの光に対する光感度を比較した
ところ、本発明の場合は、受容電位は１．５倍、光感度
は１．２倍それぞれ優れた結果を示した。
図は、Ｓｅ ＋ Ａｓ２Ｓｅ３及びＳｅ −２５％Ｔｅ
の分光感度である。 特許出願人 株式会社リコー 代理人弁理士 小 松 秀 岳 （６） 浪圭（−穎） 手続補正書（方式） ％式％ １、事件の表示 ２、発明の名称 電子写真用感光体 ３、 補正をする者 事件との関係 特許出願人 ４、代 理 人 〒１０７ （電話５８６−８８５
４）５、補正命令の日付 昭和５７年１月５日（発送日
：昭和５７年１月２６１１）６、 補正により増加する
発明の数 ８、補正の内容 ゝパ−′１１）明
細書第６０第６行ないし第７行の「図は・・・・・分光
感度である。」を下記のとおり訂正する。 「図は、Ｓｅ ％ Ａｓ２５ｅａ及びＳｅ −２５％Ｔ
ｅの分光感Ｊ８：を示すグラフである。、」 ＝２６１
の分光感度である。 特許出願人 株式会社リコー 代理人弁理士 小 松 秀 岳 （６） 浪圭（−穎） 手続補正書（方式） ％式％ １、事件の表示 ２、発明の名称 電子写真用感光体 ３、 補正をする者 事件との関係 特許出願人 ４、代 理 人 〒１０７ （電話５８６−８８５
４）５、補正命令の日付 昭和５７年１月５日（発送日
：昭和５７年１月２６１１）６、 補正により増加する
発明の数 ８、補正の内容 ゝパ−′１１）明
細書第６０第６行ないし第７行の「図は・・・・・分光
感度である。」を下記のとおり訂正する。 「図は、Ｓｅ ％ Ａｓ２５ｅａ及びＳｅ −２５％Ｔ
ｅの分光感Ｊ８：を示すグラフである。、」 ＝２６１
Claims (1)
- ｋｔｔ持体上にＡＳを３０ ｗｔ係係上上むＳｅ −Ａ
ｓ層と、Ｔｅを２０ ｗｔ％以上含むＳｅ −Ｔｅ層と
、Ｓｅ層とを順次設けたことを特徴とする電子写真用感
光体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14376481A JPS5846344A (ja) | 1981-09-14 | 1981-09-14 | 電子写真用感光体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14376481A JPS5846344A (ja) | 1981-09-14 | 1981-09-14 | 電子写真用感光体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5846344A true JPS5846344A (ja) | 1983-03-17 |
Family
ID=15346472
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14376481A Pending JPS5846344A (ja) | 1981-09-14 | 1981-09-14 | 電子写真用感光体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5846344A (ja) |
-
1981
- 1981-09-14 JP JP14376481A patent/JPS5846344A/ja active Pending
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