JPS585748A - 電子写真用感光体 - Google Patents
電子写真用感光体Info
- Publication number
- JPS585748A JPS585748A JP10351381A JP10351381A JPS585748A JP S585748 A JPS585748 A JP S585748A JP 10351381 A JP10351381 A JP 10351381A JP 10351381 A JP10351381 A JP 10351381A JP S585748 A JPS585748 A JP S585748A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photoreceptor
- weight
- tellurium
- selenium
- arsenic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、電子写真用感光体に関し、さらに詳しくはカ
ラー用複写機にも使用しうる優れた分光感度特性を有す
る電子写真用感光体に関する。
ラー用複写機にも使用しうる優れた分光感度特性を有す
る電子写真用感光体に関する。
カラー用複写機にも使用しうる電子写真用感光体は、４
００〜７００ ａｍにわたる広範囲な波長領域の光に対
して浸れた分光感度特性を有すること、暗減衰速度が小
さいこと、光照射時の光減衰速度が大きく光感度が優れ
ていること、光疲労および繰返し疲労が小さく残留電位
が使用により増加しないこと、耐熱性が良いこと、使用
により感光体層成分が結晶化しないことなどの性質を備
えることが必要とされる。
００〜７００ ａｍにわたる広範囲な波長領域の光に対
して浸れた分光感度特性を有すること、暗減衰速度が小
さいこと、光照射時の光減衰速度が大きく光感度が優れ
ていること、光疲労および繰返し疲労が小さく残留電位
が使用により増加しないこと、耐熱性が良いこと、使用
により感光体層成分が結晶化しないことなどの性質を備
えることが必要とされる。
上記のような諸性質を満足させるため、テルル−セレン
系感光体、テルルーヒ素−セレン系感光体、テルル−ハ
ロゲン−セレン系感光体など種々の感光体が開発されて
きた。しかしながらこのような感光体は、いずれも長波
長領域の光に対して充分な感度を有しているとはいえず
、しかも残留 。
系感光体、テルルーヒ素−セレン系感光体、テルル−ハ
ロゲン−セレン系感光体など種々の感光体が開発されて
きた。しかしながらこのような感光体は、いずれも長波
長領域の光に対して充分な感度を有しているとはいえず
、しかも残留 。
電位が無視できないという欠点があった。また光感度が
充分でないため、１２００〜１８００ Ｗもの光源を必
要とし、このため原稿面および複写機内部の温度が上昇
し、感光体層成分であるセレンの結晶化が生起する。こ
のようなセレンの結晶化が起こると、感光体の耐久性の
低下を招くため好ましくない。
充分でないため、１２００〜１８００ Ｗもの光源を必
要とし、このため原稿面および複写機内部の温度が上昇
し、感光体層成分であるセレンの結晶化が生起する。こ
のようなセレンの結晶化が起こると、感光体の耐久性の
低下を招くため好ましくない。
本発明は、とのよ５な欠点を解決しようとするものであ
り、長波長領域の光に対し【も良好な光感度を有し、か
つ残留電位が小さくしかもセレンの結晶化を防止するこ
とにより耐久性の優れた感光体を提供することを目的と
している。
り、長波長領域の光に対し【も良好な光感度を有し、か
つ残留電位が小さくしかもセレンの結晶化を防止するこ
とにより耐久性の優れた感光体を提供することを目的と
している。
本発明による電子写真用感光体は、導電性基体上に、１
〜１２重量−のテルル、０．５〜ｌＯ重量−のヒ素およ
び１０ ｐｐｍ〜２重量俤のインジウムを含有するセレ
ンからなる感光体層を設けたことを特徴としており、カ
ールソンプロセスで使用する。
〜１２重量−のテルル、０．５〜ｌＯ重量−のヒ素およ
び１０ ｐｐｍ〜２重量俤のインジウムを含有するセレ
ンからなる感光体層を設けたことを特徴としており、カ
ールソンプロセスで使用する。
以下本発明の電子写真用感光体を、図面を参照して詳述
する。
する。
第１図には、本発明による電子写真用感光体の断面図を
示す。
示す。
アル電ニウム、ニッケル、ステンレス、ＬＭ、酸化スズ
などの導電性基体１上には、感光体層２が、３０〜１０
０ ｓｗａの膜厚で積層されている。この感光体層２は
、１〜１２重量−のテルル、０．５〜１０重量−のヒ素
およびｌＯｐｐｍ〜２重量参のインジウムな含有するセ
レンから構成されている。
などの導電性基体１上には、感光体層２が、３０〜１０
０ ｓｗａの膜厚で積層されている。この感光体層２は
、１〜１２重量−のテルル、０．５〜１０重量−のヒ素
およびｌＯｐｐｍ〜２重量参のインジウムな含有するセ
レンから構成されている。
テルルは、５００〜７５０ ａｍ程度の波長を有する光
に対しても優れた光感度な持たせるために添加されるが
、その添加量が１２重量−を超えると、固有抵抗値の低
下に伴う暗減衰の増加および繰返し疲労を招き、得られ
る画像の鮮明度が低下する。
に対しても優れた光感度な持たせるために添加されるが
、その添加量が１２重量−を超えると、固有抵抗値の低
下に伴う暗減衰の増加および繰返し疲労を招き、得られ
る画像の鮮明度が低下する。
またテルルの添加量が１重量−よりも少ない場合には、
５５０ ｎｍ以上の波長を有する光に対する感度が充分
には向上しない。テルルの添加量は２〜８重量−である
ことが好ましい。
５５０ ｎｍ以上の波長を有する光に対する感度が充分
には向上しない。テルルの添加量は２〜８重量−である
ことが好ましい。
ヒ素は、０．５〜ｌＯ重量−の量で添加される。ヒ素を
添加することにより、７００ ｎｍ ８度の長波長の光
に対する光感度が改善され、セレン−テルル感光体にお
ける６６０ ！ｌ！ｌ近辺の感度の落込みが改善される
。またヒ素はセレンの結晶化を防止する働きをも有する
と考えられる。ヒ素の添加量が１０重量−を超えると、
残留電位が増加するため好ましくなく、またその添加量
が０．５重量−よりも少ない場合には、光感度の敗譬お
よびセレンの結晶化の防止が充分に達成されないため好
ましくない。
添加することにより、７００ ｎｍ ８度の長波長の光
に対する光感度が改善され、セレン−テルル感光体にお
ける６６０ ！ｌ！ｌ近辺の感度の落込みが改善される
。またヒ素はセレンの結晶化を防止する働きをも有する
と考えられる。ヒ素の添加量が１０重量−を超えると、
残留電位が増加するため好ましくなく、またその添加量
が０．５重量−よりも少ない場合には、光感度の敗譬お
よびセレンの結晶化の防止が充分に達成されないため好
ましくない。
インジウムは、１Ｏｐ−〜２重量慢θ型しくは０．１ｍ
ｆｔ−２重量−の量で添加される。インジウムを添加す
ることにより、残留電位の低下が達成されるが、インジ
ウムの添加量が０．１重量−を超えると、繰返し疲労が
大きくなる傾向が出始じめる。
ｆｔ−２重量−の量で添加される。インジウムを添加す
ることにより、残留電位の低下が達成されるが、インジ
ウムの添加量が０．１重量−を超えると、繰返し疲労が
大きくなる傾向が出始じめる。
前記の感光体層２は、真空蒸着法１．スパッタ法、電子
ビーム法などにより、導電性基体１上に被着される。こ
の感光体層２は、真空蒸着法により導電性基体１上に被
着されることが好ましく、この際導電性基体１を（資）
〜（資）℃に保つことが好ましい。
ビーム法などにより、導電性基体１上に被着される。こ
の感光体層２は、真空蒸着法により導電性基体１上に被
着されることが好ましく、この際導電性基体１を（資）
〜（資）℃に保つことが好ましい。
蒸着源であるテルル、ヒ素およびインジウムを含有する
セレンは、蒸着用／−）Ｋ入れられて蒸着装置内に設置
される。蒸着に際して、前記−一トを２９０〜３２０℃
に保ち、真空蒸着装置内を１×１０−５〜５Ｘ１０−’
↑・ｒｒの真空度に保つことが好ましい。
セレンは、蒸着用／−）Ｋ入れられて蒸着装置内に設置
される。蒸着に際して、前記−一トを２９０〜３２０℃
に保ち、真空蒸着装置内を１×１０−５〜５Ｘ１０−’
↑・ｒｒの真空度に保つことが好ましい。
感光体層２において、テルルの分布状態は均一であって
もよいが、導電性基体から離れる方向に、その濃度が増
すような濃度分布勾配をなしていてもよい。
もよいが、導電性基体から離れる方向に、その濃度が増
すような濃度分布勾配をなしていてもよい。
本発明による感光体は、広範囲な波長領域の光に対して
優れた分光感度特性を有するため、特にカラー用複写機
に使用するのが好ましいが、もちろん一般用複写機に使
用することもできる。
優れた分光感度特性を有するため、特にカラー用複写機
に使用するのが好ましいが、もちろん一般用複写機に使
用することもできる。
貝下本発明の電子写真用感光体を、例により説明するが
、本発明はこれらに限定されるものではない。
、本発明はこれらに限定されるものではない。
例１
５ｃｓ＋×１Ｑｃｘのアルミニウム基体ドラムの表面に
洗浄を施こし、アルコールふきなした後、熱処理した。
洗浄を施こし、アルコールふきなした後、熱処理した。
冷却後前記ドラムを真空蒸着装置内にセットした。蒸着
源として、タンクルーートを蒸着装置内に設置し、この
−一トに、８重量参のテルル、２重量−のヒ素および５
５９−のインジウムを含有するセレンを３０ｇ入れた。
源として、タンクルーートを蒸着装置内に設置し、この
−一トに、８重量参のテルル、２重量−のヒ素および５
５９−のインジウムを含有するセレンを３０ｇ入れた。
アルミニウム基体の下地温度を（資）℃に保ち、Ｉ Ｘ
１０−’ Ｔｏｒｒの真空度で、前記タンタルーート
な３２０℃に保って、ｎ分間真空蒸着させ、膜厚ωμｍ
の感光体層を、アル建ニウム基体上に被着させた。
１０−’ Ｔｏｒｒの真空度で、前記タンタルーート
な３２０℃に保って、ｎ分間真空蒸着させ、膜厚ωμｍ
の感光体層を、アル建ニウム基体上に被着させた。
このようＫして製造された電子写真用感光体の分光感度
特性を第２図に示す。比較例として、アルン二つ五基体
上に、８重量−のテルルを含有するセレン３０ｇを被着
したもの（比較例１）を用いた０図中曲Ｉｌｌは例１の
感光体に関するものであり、曲線４は比較例１に関する
ものである。
特性を第２図に示す。比較例として、アルン二つ五基体
上に、８重量−のテルルを含有するセレン３０ｇを被着
したもの（比較例１）を用いた０図中曲Ｉｌｌは例１の
感光体に関するものであり、曲線４は比較例１に関する
ものである。
第２図から、例１の感光体は、従東のセレン−テルル系
感光体と比較して、６６０ ｍｖａ近辺の感度の落込み
がなく、優れた分光感度特性を有することがわかる。
感光体と比較して、６６０ ｍｖａ近辺の感度の落込み
がなく、優れた分光感度特性を有することがわかる。
また、上記のよ５Ｋｔ、て製造した感光体の諸物性を以
下のようｋして測定した。
下のようｋして測定した。
１） 感度二８（秒）
ｔｏｏｏ ｖの表面帯電電位を与え、１８ルツクスの光
を照射し、この帯電電位が１００ｖまで減衰するのに要
する時間（Ｓ・・）。
を照射し、この帯電電位が１００ｖまで減衰するのに要
する時間（Ｓ・・）。
■）表面電位：ｖＭにｔルト）
１２μムのコｐす電流を印加し、帯電９秒後の表面電位
。
。
■）暗減衰比＋ ＤＤ
１２ｓムのコ四す電流を印加し、帯電９秒後の表両電位
からのに秒後の暗減衰比。
からのに秒後の暗減衰比。
Ｎ）残留電位＋ＶＲ，。（ボルト）
ｔｏｏｏ ｖの帯電電位より光減衰１０秒後の残留電位
。
。
上記測定は、ペーＡ−アナライザー（川口電機製）を使
用して行なった。
用して行なった。
結果を表に示す。
例２
タンタルーー′トに、８重量−のテルル、２重量−のヒ
素およびＺｏｏ ｐｐｍのインジウムを含有するセレン
３０ｇを入れた以外は、例１と同様にして感光体を製造
した。
素およびＺｏｏ ｐｐｍのインジウムを含有するセレン
３０ｇを入れた以外は、例１と同様にして感光体を製造
した。
例１と同様にして感光体の諸物性を測定し、結果を表に
示す。
示す。
例３
タンタルーートに、８重量−のテルル、４重量−のヒ素
および１０ν戸のインジウムを含有するセレン３０ｇを
入れた以外は、例１と同様にして感光体を製造した。
および１０ν戸のインジウムを含有するセレン３０ｇを
入れた以外は、例１と同様にして感光体を製造した。
得られた感光体の分光感度特性を測定し、第２図に示す
。図中、曲線２が例３の感光体に関するものである。
。図中、曲線２が例３の感光体に関するものである。
また、例１と同様にして感光体の諸物性を測定し、結果
を表に示す。
を表に示す。
例４
タンタルーートに、８重量％のテルル、６重量−のヒ素
および５５１１Ｐのインジウムを含有するセレン３０ｇ
を入れた以外は、例１と同様にして感光体を製造した。
および５５１１Ｐのインジウムを含有するセレン３０ｇ
を入れた以外は、例１と同様にして感光体を製造した。
例１と同様にして感光体の諸物性な測定し、結果を表に
示す。
示す。
例５
タンタル−−）Ｋ、８重量−のテルル、１重量％のヒ素
および２重量−のインジウムを含有するセレン３０１を
入れた以外は、例１と同様にして感光体を製造した。
および２重量−のインジウムを含有するセレン３０１を
入れた以外は、例１と同様にして感光体を製造した。
得られた感光体の分光感度特性を測定し、第２図に示す
。図中、−線３が例６の感光体に関するものである。
。図中、−線３が例６の感光体に関するものである。
また、例１と同様にして感光体の諸物性を測定し、結果
を表に示す。
を表に示す。
なお、８重量−のテルル、２重量−のインジウムを含有
するセレンを、アル建ニウム基体上に被着した感光体（
比較例２）を製造し、例１と同様にして諸物性を測定し
、結果を表に示す。
するセレンを、アル建ニウム基体上に被着した感光体（
比較例２）を製造し、例１と同様にして諸物性を測定し
、結果を表に示す。
表
表から、本発明の感光体は、優れた物性を有しているこ
とがわかる。
とがわかる。
第１１１１は、本発明による電子写真用感光体の断面図
であり、第２図はその分光感度特性を示す図である。 １・・・導電性基体、２・・・感光体層。 出願人代理人 猪 股 清 躬 １ 閃 躬 ２ 尺 波−Ｗ（ｎｍ）
であり、第２図はその分光感度特性を示す図である。 １・・・導電性基体、２・・・感光体層。 出願人代理人 猪 股 清 躬 １ 閃 躬 ２ 尺 波−Ｗ（ｎｍ）
Claims (1)
- 導電性基体上に、１〜１２車１％のテルル、０．５〜１
０重量−のヒ素および１０ ｐｐｍ〜２重量−のインジ
ウムを含有するセレンからなる感光体層を設けたことを
特徴とする電子写真用感光体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10351381A JPS585748A (ja) | 1981-07-02 | 1981-07-02 | 電子写真用感光体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10351381A JPS585748A (ja) | 1981-07-02 | 1981-07-02 | 電子写真用感光体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS585748A true JPS585748A (ja) | 1983-01-13 |
Family
ID=14356033
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10351381A Pending JPS585748A (ja) | 1981-07-02 | 1981-07-02 | 電子写真用感光体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS585748A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5575325A (en) * | 1993-02-03 | 1996-11-19 | Asahi Tec Corporation | Semi-molten metal molding method and apparatus |
| US6984011B2 (en) | 1999-03-10 | 2006-01-10 | Seiko Epson Corporation | Dot formation position misalignment adjustment performed using pixel-level information indicating dot non-formation |
-
1981
- 1981-07-02 JP JP10351381A patent/JPS585748A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5638889A (en) * | 1992-03-14 | 1997-06-17 | Asahi Tec Corportion | Semi-molten metal molding apparatus |
| US5575325A (en) * | 1993-02-03 | 1996-11-19 | Asahi Tec Corporation | Semi-molten metal molding method and apparatus |
| US6984011B2 (en) | 1999-03-10 | 2006-01-10 | Seiko Epson Corporation | Dot formation position misalignment adjustment performed using pixel-level information indicating dot non-formation |
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