JPS585745A - 電子写真用感光体 - Google Patents
電子写真用感光体Info
- Publication number
- JPS585745A JPS585745A JP10308581A JP10308581A JPS585745A JP S585745 A JPS585745 A JP S585745A JP 10308581 A JP10308581 A JP 10308581A JP 10308581 A JP10308581 A JP 10308581A JP S585745 A JPS585745 A JP S585745A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photoreceptor
- selenium
- layer
- halogen
- photosensitive layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、電子写真用感光体に関し、さらに詳しくはカ
ラー用複写機にも使用しうる優れた分光感度特性を有す
る電子写真用感光体に関する〇カラー用複写機にも使用
しつる電子写真用感光体は、 参〇〇 ％ １００ ａ
ｍ にわたる広範囲な波長領域の光に対して優れた分
光感度特性を有すること。
ラー用複写機にも使用しうる優れた分光感度特性を有す
る電子写真用感光体に関する〇カラー用複写機にも使用
しつる電子写真用感光体は、 参〇〇 ％ １００ ａ
ｍ にわたる広範囲な波長領域の光に対して優れた分
光感度特性を有すること。
暗減衰速度が小さいこと、光照射時の光減衰速度が大き
く光感度が優れていること、光疲労および繰返し疲労が
小さく残留電位が使用によシ増加しないこと、耐熱性が
良いこと、使用によシ感光体一層成分が結晶化しないこ
となどの性質を備えることが必要とされる。
く光感度が優れていること、光疲労および繰返し疲労が
小さく残留電位が使用によシ増加しないこと、耐熱性が
良いこと、使用によシ感光体一層成分が結晶化しないこ
となどの性質を備えることが必要とされる。
上記の諸性質を満足させるため、多層構造ｔ−膚する電
子写真用感光体が開発されてきた。たとえば、特公昭弘
ｔ−＋３１弘コ号公報には、セレノ−テルル−ゲルマニ
ウム感光層ト、セレノーゲルマニウム感光層とを基体上
に積層してなる電子写真感光体が開示されている。また
特開昭ダ９−／クコ←Ｏ号公報には、導電性基板と、非
晶質セレン電荷移動層と、非晶質セレンーテルルーヒ素
からなる電荷発生層とからなる電子写真用感光体が開示
されている。これらの公報に開示された電子写真用感光
体は、いずれも喪好な分光一度特性を有しているが、繰
返し使用した場合における暗時の帯電電位の減衰すなわ
ち暗減衰が無視できないという欠点がＴｏすた・筐た光
感度が充分でないため、／Ｘ）０〜ｔｚｏｏ Ｗ ４の
光源を必要とし、このため原稿面および複写機内部の温
度が上昇し、感光体層成分であるセレンの結晶化が生起
する０このようなセレノの結晶化が起こると、感光体の
耐久性の低下を招くため好ましくない〇 本発明は、このような欠点を解決しようとするものであ
シ、暗時の帯電電位の低下すなわち暗減衰が小さく、シ
かも感光体層成分の結晶化を防止することができ、かつ
一層優れた分光感度特性を有するカラー複写機にも使用
しうる電子写真用感光体１ｍ供することｔ目的としてい
る〇本実１１による電子写真用感光体は、導電性基体上
に、セレンまたは１重量−までのヒ素を含有するセレン
から選択される餉Ｉ感光体層ｔ３０−１０ｐｍの膜厚で
設け、との第１感光体層上に、１０−／３重量−のテル
ル、１重量−までのヒ素、および１０〜斧１１Ｐ鵬のハ
ロゲンまたはインジウムを含有するセレノからなる鮪コ
感光体層を設けたことｔ特徴として＞１）、カールソン
プａ＊、ｘ＋で使用する０以下本発明による電子写真用
感光体を９図面を参照して詳述する。
子写真用感光体が開発されてきた。たとえば、特公昭弘
ｔ−＋３１弘コ号公報には、セレノ−テルル−ゲルマニ
ウム感光層ト、セレノーゲルマニウム感光層とを基体上
に積層してなる電子写真感光体が開示されている。また
特開昭ダ９−／クコ←Ｏ号公報には、導電性基板と、非
晶質セレン電荷移動層と、非晶質セレンーテルルーヒ素
からなる電荷発生層とからなる電子写真用感光体が開示
されている。これらの公報に開示された電子写真用感光
体は、いずれも喪好な分光一度特性を有しているが、繰
返し使用した場合における暗時の帯電電位の減衰すなわ
ち暗減衰が無視できないという欠点がＴｏすた・筐た光
感度が充分でないため、／Ｘ）０〜ｔｚｏｏ Ｗ ４の
光源を必要とし、このため原稿面および複写機内部の温
度が上昇し、感光体層成分であるセレンの結晶化が生起
する０このようなセレノの結晶化が起こると、感光体の
耐久性の低下を招くため好ましくない〇 本発明は、このような欠点を解決しようとするものであ
シ、暗時の帯電電位の低下すなわち暗減衰が小さく、シ
かも感光体層成分の結晶化を防止することができ、かつ
一層優れた分光感度特性を有するカラー複写機にも使用
しうる電子写真用感光体１ｍ供することｔ目的としてい
る〇本実１１による電子写真用感光体は、導電性基体上
に、セレンまたは１重量−までのヒ素を含有するセレン
から選択される餉Ｉ感光体層ｔ３０−１０ｐｍの膜厚で
設け、との第１感光体層上に、１０−／３重量−のテル
ル、１重量−までのヒ素、および１０〜斧１１Ｐ鵬のハ
ロゲンまたはインジウムを含有するセレノからなる鮪コ
感光体層を設けたことｔ特徴として＞１）、カールソン
プａ＊、ｘ＋で使用する０以下本発明による電子写真用
感光体を９図面を参照して詳述する。
第１図には、本発明による電子写真用感光体の断面図を
示す。
示す。
アルミニウム、ニッケル、ステンレス、鉛、を酸化スズ
などの導電性基体ｌ上には、セレンまたはＪ重量％盲で
の、好ましくはｏ、ｓ−ｔ、ｏ重量−のヒ素を含有する
セレンから選択される第１感光体層３が、 ３０〜ｔｏ
μｍ好ましくはり〜孟０声ｍの膜厚で積層されている。
などの導電性基体ｌ上には、セレンまたはＪ重量％盲で
の、好ましくはｏ、ｓ−ｔ、ｏ重量−のヒ素を含有する
セレンから選択される第１感光体層３が、 ３０〜ｔｏ
μｍ好ましくはり〜孟０声ｍの膜厚で積層されている。
ヒ素は、セレノの結晶化を防止するために添加されるが
、ヒ素を添加しなくとも充分な耐久性を有する。ヒ素の
添加量は、ｏ、ｊ−７重量−であることが好筐しく、そ
の添加量が１重量Ｓｔ超えると、残留電位が増加するた
め好ましくない◎一方膜厚が０μｍを超えると、残留電
位が増加するため、好ましくない。
、ヒ素を添加しなくとも充分な耐久性を有する。ヒ素の
添加量は、ｏ、ｊ−７重量−であることが好筐しく、そ
の添加量が１重量Ｓｔ超えると、残留電位が増加するた
め好ましくない◎一方膜厚が０μｍを超えると、残留電
位が増加するため、好ましくない。
この鮪ｌ感光体層３は、真窯蒸着法、スパッタ法、電子
ビーム法などにより、導電性基体上に積層される・真空
蒸着法により前記Ｍｔ感光体層Ｊを積層させる際Ｋｔｌ
！、導電性基体Ｉを３０−１０ ”Ｃに保つことが好ま
しい。蒸着源である≦し／筐たは１重量ｌＩｔでのヒ素
を含有するセレンは、蒸着用＆−）Ｋ入れられて蒸着装
置内に設置されるが、蒸着に際して、前記ボートをコｊ
Ｏ〜ＪコＯ℃に保つことが好ましい。−芳真空蒸着装置
内はｊｘ ｉｏ″５〜／ Ｘ１０Ｔｏｒｒの真空度に保
つことが好ましい。
ビーム法などにより、導電性基体上に積層される・真空
蒸着法により前記Ｍｔ感光体層Ｊを積層させる際Ｋｔｌ
！、導電性基体Ｉを３０−１０ ”Ｃに保つことが好ま
しい。蒸着源である≦し／筐たは１重量ｌＩｔでのヒ素
を含有するセレンは、蒸着用＆−）Ｋ入れられて蒸着装
置内に設置されるが、蒸着に際して、前記ボートをコｊ
Ｏ〜ＪコＯ℃に保つことが好ましい。−芳真空蒸着装置
内はｊｘ ｉｏ″５〜／ Ｘ１０Ｔｏｒｒの真空度に保
つことが好ましい。
前記第７感光体層３上には、１０−／ｊ重量−のテルル
、１重量−までのヒ素および７０〜９０ ｐｐｍのハは
ゲンま九はインジウムを含有するセレンからなる第コ感
光体層！が、３〜ＩＯμｍの膜厚で積層されている。テ
ルルは、１００〜７ｊＯｎｍの波長を有する光に対して
も優れた光感度を持たせるために添加されるが、その添
加量が１５重量−を超えると、固有抵抗値の低下に伴う
暗減衰の増加および繰返し疲労を招き、得られる画儂の
鮮明度が低下する。
、１重量−までのヒ素および７０〜９０ ｐｐｍのハは
ゲンま九はインジウムを含有するセレンからなる第コ感
光体層！が、３〜ＩＯμｍの膜厚で積層されている。テ
ルルは、１００〜７ｊＯｎｍの波長を有する光に対して
も優れた光感度を持たせるために添加されるが、その添
加量が１５重量−を超えると、固有抵抗値の低下に伴う
暗減衰の増加および繰返し疲労を招き、得られる画儂の
鮮明度が低下する。
を九テルルの添加量が／θ重量−よシも少ない場合には
、 ｊｊＯｎｗａ以上の波長を有する光に対する感度を
充分に保証することができない。
、 ｊｊＯｎｗａ以上の波長を有する光に対する感度を
充分に保証することができない。
と素は、第１感光体層の場合と同様に、セレンの結晶化
を防止するために添加される。Ｖ−素の添加量は、００
１〜１重量−であることが好ましく、その添加量が１重
量−を超えるーと、残留電位が増電 加するため好ましくない。
を防止するために添加される。Ｖ−素の添加量は、００
１〜１重量−であることが好ましく、その添加量が１重
量−を超えるーと、残留電位が増電 加するため好ましくない。
ハロゲンまたはインジウムは、残留電位の蓄積を防止す
るために添加され、ハロゲンの場合には。
るために添加され、ハロゲンの場合には。
セレンの結晶化を防止する働きをも併せて有する。
添加されるハロゲンとしては、塩素、臭嵩、ヨウ素など
が挙げられるが、特に塩素が好ましい。
が挙げられるが、特に塩素が好ましい。
ハロゲンの添加量は、／θ〜６０ｐｐｍであることが好
ましい。その添加量が、９０ｐｐｒｎを超えると、繰返
し疲労、光疲労、表面電位の温度依存性が悪くなシ、色
の再現性に支障を来たす。
ましい。その添加量が、９０ｐｐｒｎを超えると、繰返
し疲労、光疲労、表面電位の温度依存性が悪くなシ、色
の再現性に支障を来たす。
インジウムの添加量は、ハロゲンの場合と比較して、
１０−９０ ＰＰ”の範囲内の比較的高＠開領域すなわ
ち３０−１０ ｐｐｔａの範囲内が好ましい。
１０−９０ ＰＰ”の範囲内の比較的高＠開領域すなわ
ち３０−１０ ｐｐｔａの範囲内が好ましい。
第コ感光体層！は、３〜７０ｋｍの膜厚で、第１感光体
層上Ｋ、真空蒸着法、スパッタ法、電子ビー人法などＫ
より積層される。積層に際して、導電性基体温度、ボー
ト温度および真空装置の真空度は、前述の第１感光体層
の積層条件とほぼ同様に保つことが好ましい、第１感光
体層！の膜厚がＪ趨 よシ小さい場合には、摩耗による
感度の低下が生じ、一方属厚が７０μｍよシも大きい場
合には、残留電位の増加を来たし、との九め繰返し使用
し九際に、地肌の汚れあるいは色の再現性欠如などが生
ずる虎め好ましくない。
層上Ｋ、真空蒸着法、スパッタ法、電子ビー人法などＫ
より積層される。積層に際して、導電性基体温度、ボー
ト温度および真空装置の真空度は、前述の第１感光体層
の積層条件とほぼ同様に保つことが好ましい、第１感光
体層！の膜厚がＪ趨 よシ小さい場合には、摩耗による
感度の低下が生じ、一方属厚が７０μｍよシも大きい場
合には、残留電位の増加を来たし、との九め繰返し使用
し九際に、地肌の汚れあるいは色の再現性欠如などが生
ずる虎め好ましくない。
第コ感光体層において、テルルの分布状態は均一であつ
てもよいが、導電性基体から離れる方向にその濃度分布
勾配をなしていてもよ−、また第１および第コ感光体層
の界面は、混晶状態となりている仁とが好ましい。
てもよいが、導電性基体から離れる方向にその濃度分布
勾配をなしていてもよ−、また第１および第コ感光体層
の界面は、混晶状態となりている仁とが好ましい。
本発明による感光体は、広範囲な波長領域の光に対して
優れ九分光感ＩＩＩ特性を有するため、特にカラー用複
写機に使用するのが好ましｂが、もちろん一般用複写機
にも使用できる。
優れ九分光感ＩＩＩ特性を有するため、特にカラー用複
写機に使用するのが好ましｂが、もちろん一般用複写機
にも使用できる。
以下本発明の電子写真用感光体を、例によシ説明するが
１本発明はこれらに限定されるものではない。
１本発明はこれらに限定されるものではない。
」１△
／コ０φのアル建ニウム基体ドラムの表面に超仕げを施
こし、次いでトリクレン超音波洗浄および水洗を加え、
アルコールぶきをした。そのｖｋｌλＯ〜ｉｚｏ℃で５
ｏ−ｔｏ分間熱処理し、冷却した後１．＃着装置内にセ
ットし喪。蒸着源として、一本のタンタルボートを蒸着
装置内に設置し、第１タンタルボートにセレンをａｌｌ
入れ、第コタンタルボート内ＩＣ，／コ重量優のテルル
、ｏ３重量−のヒ素およびｌＩＯｐｐｍの塩素を含有す
るセレンを／、り！ｌ入れ九。
こし、次いでトリクレン超音波洗浄および水洗を加え、
アルコールぶきをした。そのｖｋｌλＯ〜ｉｚｏ℃で５
ｏ−ｔｏ分間熱処理し、冷却した後１．＃着装置内にセ
ットし喪。蒸着源として、一本のタンタルボートを蒸着
装置内に設置し、第１タンタルボートにセレンをａｌｌ
入れ、第コタンタルボート内ＩＣ，／コ重量優のテルル
、ｏ３重量−のヒ素およびｌＩＯｐｐｍの塩素を含有す
るセレンを／、り！ｌ入れ九。
アルにラム基体の下地温度を６Ｉ℃に保ち。
／Ｘ１０ Ｔｏｒｒの真空度で、前記第１タンタルボ
ー。
ー。
トをコブ（７ｔＫ保ってｙ分間セレンを真空蒸着させ。
膜厚ｙμｍのセレン第１感光体層をアルミニウム基体上
に被着させた。続いて前記１ｓコタンタルボートを３１
０℃に保ってＩＯ分間真真空層させ、膜厚！μｍのセレ
ン−テルル第コ感光体層を第１感感光体層上に被着させ
九。
に被着させた。続いて前記１ｓコタンタルボートを３１
０℃に保ってＩＯ分間真真空層させ、膜厚！μｍのセレ
ン−テルル第コ感光体層を第１感感光体層上に被着させ
九。
このようにして製造された電子写真用感光体の分光感度
特性を第一図に示す。比較例として、アルミニウム基体
上にセレン層を被着したもの（比較例１）および１重量
−のテルルを含有するセレン層を被清し九もの（比較例
コ）を用いた。図中、曲線ｌは零発１ｊｉＫ関するもの
であシ１曲線コは比較例／に関するものであシ１曲１ｓ
Ｊは比較例コに関するものである。
特性を第一図に示す。比較例として、アルミニウム基体
上にセレン層を被着したもの（比較例１）および１重量
−のテルルを含有するセレン層を被清し九もの（比較例
コ）を用いた。図中、曲線ｌは零発１ｊｉＫ関するもの
であシ１曲線コは比較例／に関するものであシ１曲１ｓ
Ｊは比較例コに関するものである。
第１図から１本発明による感光体は、従来のセレン系感
光体と比較して、７００ｒＡｍ以上の光に対しても嵐好
な感度を示すことがわかる。
光体と比較して、７００ｒＡｍ以上の光に対しても嵐好
な感度を示すことがわかる。
ま九、塩素の含有量を、、ｗ、ｓｏ、ｇｏ、１００．／
１１０ｐｐ■とする以外は上記の製造法と同様にして感
光体を製造し、１００回繰返し使用した後の暗時表面電
位の低下を測定し九、結果を第Ｊ！ｇＫ示す。
１１０ｐｐ■とする以外は上記の製造法と同様にして感
光体を製造し、１００回繰返し使用した後の暗時表面電
位の低下を測定し九、結果を第Ｊ！ｇＫ示す。
第３図から、塩素の添加量が９０ ｐｐｍを超えると、
表面電位低下がｔＯＶＨ度となるため好ましくないこと
がわかる。
表面電位低下がｔＯＶＨ度となるため好ましくないこと
がわかる。
壕九、上記のようにして製造した本発明の感光体の諸物
性を以下のようＫして測定した。
性を以下のようＫして測定した。
Ｉ）繰返し疲労（蓄積疲労）富ｖＤ
ｔＱＯルックスの光と４４１μＡのコロナ電流を３０秒
間印加し九ときの表面電位の変動（ボルト）。
間印加し九ときの表面電位の変動（ボルト）。
−） 感趨【 富 ８Ｗ
ｌｏｏｏ ｖの帯電電位を与え、２０ルツクスの光量を
照射し、この帯電電位がｔｏＯＶｌで減良するのに要す
る時間（畠・ｃ）。
照射し、この帯電電位がｔｏＯＶｌで減良するのに要す
る時間（畠・ｃ）。
１ｉｔ） 結晶化速度：Ｔ＠１
７０℃のｌ５ｏｐａｒ Ｈ液中に感光体を入れ、結晶核
力１発生するのに要する時間（ｈｏｕｒ ） ＠ＩＶ）
残留電位Ｉ ＶＲＩ。
力１発生するのに要する時間（ｈｏｕｒ ） ＠ＩＶ）
残留電位Ｉ ＶＲＩ。
１ｏｏｏｖの帯電電位よシの光減衰後１０秒たった後の
残留電位（ボルト）。
残留電位（ボルト）。
Ｖ）帯電電位の変動値寞Ｖν
帯電および光減衰を一００回繰返した後の暗時に訃ける
帯電電位の変動値（ボルト）。
帯電電位の変動値（ボルト）。
結果を表７４Ｃ示す。
剋ｌ
Ｈｉメタンルボートに、１重量−のヒ素を含有するセレ
ンを／Ｉｌｌ入れ、第２タンタルボートに、／ｊ重量−
のテルル、０．ｊ重量−のヒ素および１ＩＯｐμの塩素
を含有するセレンを１．りｊＩＩを入れた以外は、例／
と同ｍＫして感光体を製造し九。
ンを／Ｉｌｌ入れ、第２タンタルボートに、／ｊ重量−
のテルル、０．ｊ重量−のヒ素および１ＩＯｐμの塩素
を含有するセレンを１．りｊＩＩを入れた以外は、例／
と同ｍＫして感光体を製造し九。
例１と同様にして感光体の諸物性を測定し、結果を表に
示す。
示す。
ｔＪ。
第１タンタルボートに、０，１重量−のヒ素を含有する
セレンをｌｌ１ｌ入れ、第１／ンタルボートに。
セレンをｌｌ１ｌ入れ、第１／ンタルボートに。
７０重量−のテルル、０．！重量−のヒ素およびｂＯｐ
ｙｎのインジウムを含有するセレンを１．り！ｌ入れた
以外は１例１と同様にして感光体を製造した。
ｙｎのインジウムを含有するセレンを１．り！ｌ入れた
以外は１例１と同様にして感光体を製造した。
例１と同様にして、感光体の諸物性を測定し、結果を表
に示す。
に示す。
舊ヱ
第１／ンタルボートにセレン／１ｌｉｆ−入れ、第一タ
ンクルボー）Ｋ、／！重量憾のテルルを含有するセレン
を１．り！ｌを入れた以外は１例Ｉと同様にして感光体
を製造した。
ンクルボー）Ｋ、／！重量憾のテルルを含有するセレン
を１．り！ｌを入れた以外は１例Ｉと同様にして感光体
を製造した。
例１と同様にして、感光体の諸物性を測定し、結果を表
に示す。
に示す。
氾
第１タンタルボートに０．Ｊ重址饅のヒ素を含有するセ
レンをＩＩＩ入れ、第１タンタルボートｋ。
レンをＩＩＩ入れ、第１タンタルボートｋ。
ｉｏ型重量のテルルを含有するセレンを入れた以外は１
例１と同様にして感光体を製造し九。
例１と同様にして感光体を製造し九。
例１と同様にして、感光体の諸物性を測定し、結果を表
に示す。
に示す。
氾
第１タンタルボートに、００５重量−のテルルを含有す
るセレンをｌｌ１ｌ入れ、第１タンタルボートに、７２
重量−のテルル、０．！重量−のヒ素および１００ ｐ
ｐｍの塩素を含有するセレンを１．りｚｉ入れ九以外は
、例１と同様にして感光体を製造した。
るセレンをｌｌ１ｌ入れ、第１タンタルボートに、７２
重量−のテルル、０．！重量−のヒ素および１００ ｐ
ｐｍの塩素を含有するセレンを１．りｚｉ入れ九以外は
、例１と同様にして感光体を製造した。
例１と同様にして、感光体の諸物性を測定し。
結果を表に示す。
氾
第１タンタルボートにセレン／Ｉｌｌを入れ、第１タン
タルボートを用いなかった以外は、例１と同様にして感
光体を製造した。
タルボートを用いなかった以外は、例１と同様にして感
光体を製造した。
例１と同１１Ｋして、感光体の諸物性を測定し。
結果を表に示す。
」Ｌ
なお表には、各物性の情死すべき規格値を併記し比、こ
の規格値を１つでも満たさなりものは、判定結果を不可
とした・ 表から１本発明の感光体は優れた物性を有していること
がわかる。
の規格値を１つでも満たさなりものは、判定結果を不可
とした・ 表から１本発明の感光体は優れた物性を有していること
がわかる。
第１図は、本発明による電子写真用感光体の断面図であ
シ、第一図はその分光感度特性を示す図であシ、第３図
は第１感光体層中の塩素濃度を変化させた場合の、塩素
濃度と暗時表面電位の低下との関係を示す図である。 ｌ・・・導電性基体 Ｊ・・・第１感光体層 ！・・・第一感光体層 出願人代理人 猪 股 清 惰１図 第３図
シ、第一図はその分光感度特性を示す図であシ、第３図
は第１感光体層中の塩素濃度を変化させた場合の、塩素
濃度と暗時表面電位の低下との関係を示す図である。 ｌ・・・導電性基体 Ｊ・・・第１感光体層 ！・・・第一感光体層 出願人代理人 猪 股 清 惰１図 第３図
Claims (1)
- 導電性基体上に、セレンまたは１重量−マでのヒ素を含
有するセレンから選択される第１感光体層を設け、この
第１感光体層上に、１０−／３重量−（ＱＴｋル、１重
量−オでのヒ素およヒ１０−９□ｐｐｍのハロゲンまた
はインジウムを含有するセレンからなる第コ感光体層を
設けたことを特徴とする電子写真用感光体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10308581A JPS585745A (ja) | 1981-07-01 | 1981-07-01 | 電子写真用感光体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10308581A JPS585745A (ja) | 1981-07-01 | 1981-07-01 | 電子写真用感光体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS585745A true JPS585745A (ja) | 1983-01-13 |
Family
ID=14344790
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10308581A Pending JPS585745A (ja) | 1981-07-01 | 1981-07-01 | 電子写真用感光体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS585745A (ja) |
-
1981
- 1981-07-01 JP JP10308581A patent/JPS585745A/ja active Pending
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