JPS5949549A - 電子写真用感光体 - Google Patents

電子写真用感光体

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Publication number
JPS5949549A
JPS5949549A JP16032982A JP16032982A JPS5949549A JP S5949549 A JPS5949549 A JP S5949549A JP 16032982 A JP16032982 A JP 16032982A JP 16032982 A JP16032982 A JP 16032982A JP S5949549 A JPS5949549 A JP S5949549A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
selenium
lead
photoconductive layer
tellurium
photoreceptor
Prior art date
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Pending
Application number
JP16032982A
Other languages
English (en)
Inventor
Setsu Rokutanzono
節 六反園
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ricoh Co Ltd
Original Assignee
Ricoh Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Ricoh Co Ltd filed Critical Ricoh Co Ltd
Priority to JP16032982A priority Critical patent/JPS5949549A/ja
Publication of JPS5949549A publication Critical patent/JPS5949549A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03GELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
    • G03G5/00Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
    • G03G5/02Charge-receiving layers
    • G03G5/04Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
    • G03G5/08Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Photoreceptors In Electrophotography (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は光導電層を有する電子写真用感光体に関する。
電子写真用感光体としては、アルミニウムなどの導電性
支持体上にセレンを主体とする光導電層を設けた感光体
が広く用いられている。これは、セレン系感光体が受M
N位、暗減衰、感度などで総合的に優れているからであ
る。そして、一般には自由表面に向かって高くなるよう
な濃度勾配をもってテルルを含有するセレン−テルル層
が用いられている。テルルをドープする理由は、セレン
単独では400〜500nmの短波側にしか有しないの
で、感度を、eンクロマチツクにし、複写機の実用面に
おいて有効に使用するためである。
テルルをドープすると、ドープ量に従い感度が増大する
が、一方において、抵抗が低下して帯電の保持が極めて
悪くなり、暗減衰、光疲労にも極端に影響が現われて、
残留電位も増加する。セレン−テルル系感光体における
残留電位の増加を防止する方法として、セレン−テルル
に−・ロゲンをドープすることも報告されているが(特
公昭49−2631号公報)、未だ総てを解決するもの
ではない。
本発明、上記の如き従来技術の欠点を解決することを目
的としてさされたもので、セレン感光体、とくにセレン
−テルル感光体のもつ光感度上の長所を損なうことなく
、帯電特性、暗減衰特性に優れ、しかも光疲労のない電
子写に用感光体を提供することを目的とする。
すなわち、本発明の電子写真用感光体は、導電性支持体
上に、セレンを主体とし、且つ、鉛を含有する光導電層
を有することを特徴とする特導%性支持体としては、ア
ルミニウム、ステンレス、鉄、銅などの金属、8 n0
2 、 Cu I、 Cr02などの金属化合物、これ
らの金属あるいは金属化合物からなる膜を表面に形成し
たプラスチックフィルム、ガラス板1紙などが例示でき
る。
また、その形状は板状、ドラム状、シームレスベルト状
など特に問わない。
光導電層はセレンを主体とし、且つ、鉛を含有する。光
導電層中の鉛の含有量は、好ましくは5〜20ppmで
ある。鉛の含有量が30ppmを越えると光減衰時の残
留電位が上昇して実用的で1よい。また、5ppm以下
では抵抗の増加効果が十分に得られず、本発明の効果が
十分に期待できない。第1図はSe92wt%−Te8
 wt%−Ct60ppmに対するpbの添加による比
抵抗の増加効果を示すグラフである。また、光導電層に
はセレン、鉛に加え、テルル、?bるいはさらに塩素を
含有せしめることができる。
光導電層中のセレンおよび塩素の含有量は、好ましくは
それぞれ6〜8重量%1および20〜60ppmである
第2図および第3図は共に本発明の電子写真用感光体の
実施態様を示す4d略断面図であり、第2図においては
導電性支持体11上に本発明のSs −Pb光導電層1
3が設けられている。光導電層13の厚さは、好ましく
は10〜100μmであり、この厚さが10μmよりも
少ないと感光層の靜n容量が大きくなり表面電位が同−
電荷量に対して小さくなる。また、100μInを越え
ると機械的強度が保たれず層の剥離が生じたり、原料を
多情に要するばかりでなく真空蒸着時間が長くなり調造
コストが上昇するなどの欠点が多くなる。
第3図は導電性支持体上に、セレン系の第1の光導電層
15および本発明のSe−Pb光導゛nL層(第2の光
導電層)13を設けた場合について示す。この場合、S
e −pb光光電電層13厚さは5〜10μmが好まし
い。また、第1の光4電層i5は、典型的にはアモルフ
ァスセレンからなり、好ましくは10〜90μn1の厚
さである。
本発明の感光体を作成するKは、真空蒸着などの薄膜形
成方法により、導電性支持体上に光導電層を形成すれば
よい。真空蒸着に際しては、セレン、鉛あるいはさらに
テルル、塩素を含む光導電材料を調製し、これを蒸着す
ればよい。
この光導電材料は、たとえば、適量のセレン。
イ〉るいはセレン−テルル、またはさらに塩素を含む化
合物に鉛を添加し、てパイレックスアンプルに入れ、揺
動型電気炉において500℃にて1時間反応させ、これ
を蒸留水にショットし急冷したものを適当な大きさに粉
砕することによって得られる。
本発明の感光体によれば、鉛を光導電層中に含有せしめ
ることにより、セレン系感光体、特にセレン−テルル系
感光体のもつ光感度上の長所を損なうことなく、帯電特
性、暗減衰特性、光疲労などの点で優れた特性が得られ
る。
実施例1 アルミニウム基板上に、セレン92’W t′3′6−
テルル8wt%−塩素60pp?F1−鉛10ppmの
組成よりなる光導電材料を、タングステンボートで蒸着
し、厚さ65μmの光導電層を形成し。
本発明の感光体を得た。このときの蒸着条件は、アルミ
ニウム基板温度70℃、真空度5X10−”Torr以
下、ゼート温度3300伝蒸着時間30分である。
また、比較のため、セレン92wt%−テルル8vt%
−塩素60ppmの組成の光導電材料を用いて上記と同
様にして比較用の感光体を作成した。
この2つの感光体について抵抗および静電特性を測定し
たところ、鉛を添加した本発明の感光体は抵抗が高く、
暗減衰も小さいことが確認された。
実施例2 セレン92wt%−テルル8 wt%−塩素60ppm
−鉛20 p pmの光導゛屯材料を用(・る他は実施
例1と同様にして、感ブC体を作成し、抵抗および静電
特性を測定したところ、実施例1とほ−ぼ同様な結果が
得られた。
実施例3 アルミニウム元版−ヒに、実施例1と同様の蒸着条件で
厚さ60μmのアモルファスセレン層(第1の光導電層
)を形成した。その上に、センン92wt%−テルル8
 wt%−塩素60 ppm−鉛10ppmの光導電材
料を蒸着し、厚さ5μmの第2の光導電層を形成して本
発明の感光体を得た。この感光体について抵抗および静
電特性を測定し、たとと・51実施例1とほぼ同様の結
果が得られた。
実施例4 光導電材料としてセレン92wt%−テルル8wt  
%−塩素60ppm−鉛20 p pmを用いる他は実
施例3と同様にして感光体を作成し。
抵抗および静電特性を測定したところ、実施例1とほぼ
同様の結果がヤ)られた。
【図面の簡単な説明】
第1図は鉛の含有量と比抵抗の関係を示すグラフである
。 第2図および第3図は、本発明の感光体の構成例を示す
概略断面図である。 11・・・導電性支持体 13・・・5e−Pb光導電層 Pb 弔2 m3霞 □□□□□□□□□□□□□□□□ コマラノ13

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1、 導電性支持体上に、セレンを主体とし、且つ、鉛
    を含有する光導電層を有することを特徴とする電子写真
    用感光体。
JP16032982A 1982-09-14 1982-09-14 電子写真用感光体 Pending JPS5949549A (ja)

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JP16032982A JPS5949549A (ja) 1982-09-14 1982-09-14 電子写真用感光体

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JP16032982A JPS5949549A (ja) 1982-09-14 1982-09-14 電子写真用感光体

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JPS5949549A true JPS5949549A (ja) 1984-03-22

Family

ID=15712604

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JP16032982A Pending JPS5949549A (ja) 1982-09-14 1982-09-14 電子写真用感光体

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