JPS58117558A - 電子写真による画像形成方法 - Google Patents
電子写真による画像形成方法Info
- Publication number
- JPS58117558A JPS58117558A JP40382A JP40382A JPS58117558A JP S58117558 A JPS58117558 A JP S58117558A JP 40382 A JP40382 A JP 40382A JP 40382 A JP40382 A JP 40382A JP S58117558 A JPS58117558 A JP S58117558A
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- JP
- Japan
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- light
- exposed
- photoreceptor
- image
- wavelength
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G21/00—Arrangements not provided for by groups G03G13/00 - G03G19/00, e.g. cleaning, elimination of residual charge
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は電子写真法に関する。特に本発明はＢｉ、２Ｘ
ｓＯ，。（ココテＸ ＆ｉＧ＊ 、Ｓｉ 又ハＴｉ ｆ
表ワｔ、。
ｓＯ，。（ココテＸ ＆ｉＧ＊ 、Ｓｉ 又ハＴｉ ｆ
表ワｔ、。
算は０．７〜ｔ５の数を表わす）を用いた電子写真法に
よる画像形成方法に関する。
よる画像形成方法に関する。
Ｂ＆□２Ｇ−〇□。等の結晶性酸化ビスマス化合物をＸ
線又はｒｌｍの線量計用センナとして用いることやゼロ
ツジオ〆ツフイーに用いることが特開昭５５−４５５３
１号に開示されている。後者は上記の如き結晶性酸化ビ
スマス化合物を導電性支持体上に設け、これを暗室内で
コロナ帯電した後ＶｃＸ、ｉｉを照射し、トナー現像し
て画像を得ている。この方式は、Ｘ線の照射を受は九部
分が導電性になり。
線又はｒｌｍの線量計用センナとして用いることやゼロ
ツジオ〆ツフイーに用いることが特開昭５５−４５５３
１号に開示されている。後者は上記の如き結晶性酸化ビ
スマス化合物を導電性支持体上に設け、これを暗室内で
コロナ帯電した後ＶｃＸ、ｉｉを照射し、トナー現像し
て画像を得ている。この方式は、Ｘ線の照射を受は九部
分が導電性になり。
帯電した電荷が暗減衰を起こす現象を利用している。本
発明者等はＢ ＆ ｔｚＧ ｇ Ｏｘ。の上記のＩＥＯ
ＩＸ線照射による暗減衰に及ぼす光前照射効果について
検射し、７ＱＱｓｓ付近の光前照射がｘ！！照射による
暗減衰効果を遅＜Ｌ、４５０％農付近の光前照射効果が
同暗減衰効果を速めることを見出し九。
発明者等はＢ ＆ ｔｚＧ ｇ Ｏｘ。の上記のＩＥＯ
ＩＸ線照射による暗減衰に及ぼす光前照射効果について
検射し、７ＱＱｓｓ付近の光前照射がｘ！！照射による
暗減衰効果を遅＜Ｌ、４５０％農付近の光前照射効果が
同暗減衰効果を速めることを見出し九。
（１９８１年第２ａ回応用物理学関係連合講演会予稿集
。
。
１８５６年３月６０８ｊ参照）。
本発明者等は更に研究を進めた結果、 Ｂｉｔ□ＣＩｇ
Ｏ２゜及びこれと同系統の結晶性酸化ビスマス化合物に
暗所中７００路雁付近の光で光前照射を行った後にコロ
ナ帯電を行った場合、暗減衰効果が未照射のものと比べ
て遅くなり、従って両者での暗減衰速度の差を利用し、
７００１１１＆付近の光で像露光した後に帯電及びトナ
ー現像を行うことにより電子写真画（ＩＪを形成し得る
ことを見出し本発明を達成した。
Ｏ２゜及びこれと同系統の結晶性酸化ビスマス化合物に
暗所中７００路雁付近の光で光前照射を行った後にコロ
ナ帯電を行った場合、暗減衰効果が未照射のものと比べ
て遅くなり、従って両者での暗減衰速度の差を利用し、
７００１１１＆付近の光で像露光した後に帯電及びトナ
ー現像を行うことにより電子写真画（ＩＪを形成し得る
ことを見出し本発明を達成した。
更に、同様の材料に４５０％富付近の光で光前照射を行
った後にコロナ帯電を行うと、短時間の範囲ではめるが
暗減衰効果が速くなることを見出し。
った後にコロナ帯電を行うと、短時間の範囲ではめるが
暗減衰効果が速くなることを見出し。
従って、上記の７００％易付近の光で像露光する前に４
５１鯖付近の光で全面露光全行うことにより。
５１鯖付近の光で全面露光全行うことにより。
得られる画像のコントラストを上げ得ることも見出した
。
。
従って、本発明の１つの態様は導電性基板上ＫＢ１□２
Ｘルｏ２゜又はｆ３ｉ、Ｔｉ及びＡｊの少くとも１種を
添加剤として含むＢ１１２Ｘ％０２゜（ここでＸはＧｇ
、Ｓｊを単独又は分散された状態で設けた感光体を７０
０ｎｗｈ付近の光で像露光し１次いで帯電及びトナー現
惨することを特徴とする電子写真法による画像形成方法
であり１本発明の他の態様は上記の画像形成方法におい
て、７００ ｍｍの光によＺ＠ＩＥ光を行う前［４５０
％ｗ付近の光で全面露光を行うことを特徴としている。
Ｘルｏ２゜又はｆ３ｉ、Ｔｉ及びＡｊの少くとも１種を
添加剤として含むＢ１１２Ｘ％０２゜（ここでＸはＧｇ
、Ｓｊを単独又は分散された状態で設けた感光体を７０
０ｎｗｈ付近の光で像露光し１次いで帯電及びトナー現
惨することを特徴とする電子写真法による画像形成方法
であり１本発明の他の態様は上記の画像形成方法におい
て、７００ ｍｍの光によＺ＠ＩＥ光を行う前［４５０
％ｗ付近の光で全面露光を行うことを特徴としている。
以下１本発明の詳細な説明する。
例えば、Ｂｊ ＯとＧ ｇ Ｏｘとの混合物を出発原料
３ とし、チョクラルスキー法等によって結晶成長させて得
られたＢ ＆ １□Ｃ，ｇ Ｏ□。をスライスしてα１
〜３■のウェハーを作り、これをアルミニウム、スチー
ル等の金属板又はポリエチレンテレフタレート等の４リ
マーのフィーｖｈｌｆ金属層を蒸着、電着勢によって設
けた導電性基板上に設けた感光体に暗所でコロナ帯電を
行うと、第１図Ａに示す如き暗減衰を示し、電荷が次第
に失われてゆ（。一方。
３ とし、チョクラルスキー法等によって結晶成長させて得
られたＢ ＆ １□Ｃ，ｇ Ｏ□。をスライスしてα１
〜３■のウェハーを作り、これをアルミニウム、スチー
ル等の金属板又はポリエチレンテレフタレート等の４リ
マーのフィーｖｈｌｆ金属層を蒸着、電着勢によって設
けた導電性基板上に設けた感光体に暗所でコロナ帯電を
行うと、第１図Ａに示す如き暗減衰を示し、電荷が次第
に失われてゆ（。一方。
同様な感光体に６００ｓｓ 〜８００ｓｓａの７０［１
１ＬＩｌｌｔ中心とし走光（本明細書では７００絡襲付
近の光と称す）で照射した後にコロナ帯電を行うと第１
図已に示す叩く暗減衰が遅くなり、又この暗減衰遅延効
果は感光体を７００ Ｓｍ−付近の光で照射後数日以上
軒ってからコロナ帯電しては保持されていることが見出
式れた。この現象はコロナ帯電が正であって負であって
も全く同様でめる。
１ＬＩｌｌｔ中心とし走光（本明細書では７００絡襲付
近の光と称す）で照射した後にコロナ帯電を行うと第１
図已に示す叩く暗減衰が遅くなり、又この暗減衰遅延効
果は感光体を７００ Ｓｍ−付近の光で照射後数日以上
軒ってからコロナ帯電しては保持されていることが見出
式れた。この現象はコロナ帯電が正であって負であって
も全く同様でめる。
本発明においては、上記の如き感光体を暗所で７００謁
付近の光で（Ｉ露光後コμす帯電すると。
付近の光で（Ｉ露光後コμす帯電すると。
無光部では第１図ＢＫ示すように暗減衰が遅（、未３Ｉ
元では第１図Ａに示すように暗減衰が比較的速（進行し
て電荷が失われてゆくので、露光部と未露光部との間に
暗減衰速度の差に基づ（電荷の差、すなわち静電潜像が
形成され、これをトナー現像することによってトナーに
よる可視儂を得ることができる。この場合、コロナ帯電
の極性に応じて適当な極性のトナーを選ぶことによりネ
ガーポジ現（１％ポジーポジ現像も可能でおる。又、現
像手段としては／セウダークラウＶ法、カスケーｒ法、
磁気ブラシ法、を体現像法等一般の電子写真法で用いら
れる現儂法を利用することができる。
元では第１図Ａに示すように暗減衰が比較的速（進行し
て電荷が失われてゆくので、露光部と未露光部との間に
暗減衰速度の差に基づ（電荷の差、すなわち静電潜像が
形成され、これをトナー現像することによってトナーに
よる可視儂を得ることができる。この場合、コロナ帯電
の極性に応じて適当な極性のトナーを選ぶことによりネ
ガーポジ現（１％ポジーポジ現像も可能でおる。又、現
像手段としては／セウダークラウＶ法、カスケーｒ法、
磁気ブラシ法、を体現像法等一般の電子写真法で用いら
れる現儂法を利用することができる。
なお、上記の場合、前記し良知（、Ｂ ｓ ｓ＊Ｇ １
％。
％。
を用いた感光体においては、７ＱＱｓ＋ｍ付近の光の照
射による暗減衰遅延効果は数日以上保持されるので、７
ＱＱｓｉｍ付近の光で像露光後数日経ってからコロナ帯
電、トナー現像してもトナー像を得ることができる。
射による暗減衰遅延効果は数日以上保持されるので、７
ＱＱｓｉｍ付近の光で像露光後数日経ってからコロナ帯
電、トナー現像してもトナー像を得ることができる。
本発明の他の態様によれば、上記の如きＢＫｉｇＯ２Ｉ
）を用いた感光体に暗所中で４００％寓〜５００１１罵
の４５０ ％１１ｋを中心とした光（本明細書では４５
０ｍ＆ｌｌ付近の光と称する）で照射すると第１図ＧＫ
示す如く暗減衰が未照射のものに較べて連（なる。
）を用いた感光体に暗所中で４００％寓〜５００１１罵
の４５０ ％１１ｋを中心とした光（本明細書では４５
０ｍ＆ｌｌ付近の光と称する）で照射すると第１図ＧＫ
示す如く暗減衰が未照射のものに較べて連（なる。
４５０襲襲付近の光で全面露光した後に７００ ％ｌｌ
付近の光で像露光すると、後から行なった７００％Ｓ付
近の光による光照射効果が優先する。従って。
付近の光で像露光すると、後から行なった７００％Ｓ付
近の光による光照射効果が優先する。従って。
像露光後、コロナ帯電すると、像露光部分の暗減衰効果
は第１図ＢＫ示す如（遅延するが、未偉露光部（４５（
Ｄｌｌ付近の光で全面露光されている）は＠１図ＣｏＷ
ｌ（暗減衰が速くなるので、暗減衰速度が前記の場合よ
り大と１ｋＪｉ１．コントラストの大きいトナー像を得
ることができる。
は第１図ＢＫ示す如（遅延するが、未偉露光部（４５（
Ｄｌｌ付近の光で全面露光されている）は＠１図ＣｏＷ
ｌ（暗減衰が速くなるので、暗減衰速度が前記の場合よ
り大と１ｋＪｉ１．コントラストの大きいトナー像を得
ることができる。
なお、４５０５ｍ付近の光の光照射効果の保持時間（光
照射後コロナ帯′屯するまでの時間）が２〜５分程度で
おるから、この効果を利用する場合には、４５０ａｍ付
近の光で全面露光後、像露光及びコロナ帯電を、２〜５
分以内の全面露光による暗減衰促進効果が残っているう
ちに行なう必要があり、特許請求の範囲第（２）項にお
いて「４５０％脇付近の光で全面露光後速かＫ」と表現
しているのはこの意味である。
照射後コロナ帯′屯するまでの時間）が２〜５分程度で
おるから、この効果を利用する場合には、４５０ａｍ付
近の光で全面露光後、像露光及びコロナ帯電を、２〜５
分以内の全面露光による暗減衰促進効果が残っているう
ちに行なう必要があり、特許請求の範囲第（２）項にお
いて「４５０％脇付近の光で全面露光後速かＫ」と表現
しているのはこの意味である。
以上、Ｂ番□、ＧｇＯ２゜のウェハーを導電性基板上に
設けた感光体について本発明を説明したが１本発明では
このような感光体のみに限定されない。例えば２Ｂ＆１
□Ｇ ｇ ０２゜を粉砕し、セレン、無定形セレン等ヤ
ポリビニルカルノＺゾールの如きＮ型有機半導体中に分
散させ導電性基板上に設けたものも用いられる。更に、
本発明はＢｉ、ＧｇＯ，。のみに限られず、一般式Ｂｉ
□２ＸｓＯ２゜（ココテＸ ｋｉＧｇ 、 Ｅ３ｉ 又
４１番９％はＱ、７〜ｔ５の数を表わす）で示される系
統の結晶性酸化ビスマス化合物を用いることができ、上
記と同様な結果が得られる。又、これらの材料添加する
と、前記の７０［綿付近の光の照射による暗減衰遅延効
果と、４５０３７１１付近の光の照射による暗減衰促進
効果を向上させることができる。
設けた感光体について本発明を説明したが１本発明では
このような感光体のみに限定されない。例えば２Ｂ＆１
□Ｇ ｇ ０２゜を粉砕し、セレン、無定形セレン等ヤ
ポリビニルカルノＺゾールの如きＮ型有機半導体中に分
散させ導電性基板上に設けたものも用いられる。更に、
本発明はＢｉ、ＧｇＯ，。のみに限られず、一般式Ｂｉ
□２ＸｓＯ２゜（ココテＸ ｋｉＧｇ 、 Ｅ３ｉ 又
４１番９％はＱ、７〜ｔ５の数を表わす）で示される系
統の結晶性酸化ビスマス化合物を用いることができ、上
記と同様な結果が得られる。又、これらの材料添加する
と、前記の７０［綿付近の光の照射による暗減衰遅延効
果と、４５０３７１１付近の光の照射による暗減衰促進
効果を向上させることができる。
上記のＢ Ｌ ＊ｘＸ％０□。で表わされる結晶性酸化
ビスマス化合４ｍｌ！ Ｂｉ２５３トＸ０２（ＸハＧｍ
、Ｓｉ 又ハＴｉを表わす）を所望の比率（Ｓが０．７
〜ｔ５の範囲）の混合を前記した如きテヨクラスキー法
や一方向凝固法その他の結晶成長法によって製造するこ
とができ、 Ｓｊ、Ｔｉ、ＡＩ等の添加物を加える場合
には、上記混合物に加えればよい。
ビスマス化合４ｍｌ！ Ｂｉ２５３トＸ０２（ＸハＧｍ
、Ｓｉ 又ハＴｉを表わす）を所望の比率（Ｓが０．７
〜ｔ５の範囲）の混合を前記した如きテヨクラスキー法
や一方向凝固法その他の結晶成長法によって製造するこ
とができ、 Ｓｊ、Ｔｉ、ＡＩ等の添加物を加える場合
には、上記混合物に加えればよい。
以上述べたように１本発明はＢ 寥１ｚ ＸａＯｚ。の
特定波長の光の照射による暗減衰遅延効果及び所望によ
り他の特定波長の光の照射による暗減衰促進効果を利用
した新規な電子写真法を提供するものである。
特定波長の光の照射による暗減衰遅延効果及び所望によ
り他の特定波長の光の照射による暗減衰促進効果を利用
した新規な電子写真法を提供するものである。
【図面の簡単な説明】
第１図はＢ ＊ １ｚＧ ｇ Ｏ□。の前光照射による
暗減衰特性を示す！ラフであって、Ａ、Ｂ及びＣは夫々
未照射、７００ａｍ付近の光の照射及び４５０１１１１
付近の光の照射時における暗減衰特性曲線である。 （ほか３名）
暗減衰特性を示す！ラフであって、Ａ、Ｂ及びＣは夫々
未照射、７００ａｍ付近の光の照射及び４５０１１１１
付近の光の照射時における暗減衰特性曲線である。 （ほか３名）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ｔｉ） 導電性基板上に８番、□ＸｓＯ□。又はＳｉ
、Ｔｉ、及ヒＡｌｔ７）少（と４１種ｆｉ−添加剤とし
て含むＢ ＆ ｔｘＸｓ０２Ｇ（ここで、ＸはＧｇ 、
Ｓｉ又はＴｉを表わし、Ｓは０．７〜ｔ５の数を表わ
す）を単独又は分散された状態で設けた感光体ｔ ７０
０ ａｎｔ付近の光で像露光し、次いで帯電及びトナー
現像することを特徴とする電子写真法による画像形成方
法。 （２）導電性基板上にＢ ｓ 、ｚＸｓＯｚ。又はＳｉ
、 Ｔｉ 及びＡ／の少（とも１種を添加剤として含
むＢｔ１２ｘ７ＬＯ２゜（ここでＸはＧｇ、Ｓｉ又はＴ
ｉを表わし１％は０．７〜ｔ５の数を表わす）を単独又
は分散された状態で設けた感光体を４５いり付近の光で
全面露光後速かに７００１１ｊｌＬの光での像冨光と帯
電を行い５次いで、トナー現像することを特徴とする電
子写真法による画像形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP40382A JPS58117558A (ja) | 1982-01-06 | 1982-01-06 | 電子写真による画像形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP40382A JPS58117558A (ja) | 1982-01-06 | 1982-01-06 | 電子写真による画像形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58117558A true JPS58117558A (ja) | 1983-07-13 |
Family
ID=11472827
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP40382A Pending JPS58117558A (ja) | 1982-01-06 | 1982-01-06 | 電子写真による画像形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58117558A (ja) |
-
1982
- 1982-01-06 JP JP40382A patent/JPS58117558A/ja active Pending
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