JPS6035744A - 電子写真感光体 - Google Patents
電子写真感光体Info
- Publication number
- JPS6035744A JPS6035744A JP14531783A JP14531783A JPS6035744A JP S6035744 A JPS6035744 A JP S6035744A JP 14531783 A JP14531783 A JP 14531783A JP 14531783 A JP14531783 A JP 14531783A JP S6035744 A JPS6035744 A JP S6035744A
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はアモルファスシリコン（以下ではａ −８１と
かく）と炭化シリコン（以下では８１０とかく）から成
る電子写真感光体において、α−８１層の両（面にそれ
ぞれ導電率の異なる８１０層をつけることにより、特性
劣化とｂ：ｌ １４’ｔを防止した電子写真感光体に感
する。
かく）と炭化シリコン（以下では８１０とかく）から成
る電子写真感光体において、α−８１層の両（面にそれ
ぞれ導電率の異なる８１０層をつけることにより、特性
劣化とｂ：ｌ １４’ｔを防止した電子写真感光体に感
する。
近年、電荷の発生を担う感光層と電荷の輸送と’ｉｆ）
′ｒａ圧を担う電荷輸送層とにｌｉ′ｊ能を分離した
２ノ９り構造の電子写真感光体が普及しはじめている。
′ｒａ圧を担う電荷輸送層とにｌｉ′ｊ能を分離した
２ノ９り構造の電子写真感光体が普及しはじめている。
その中でも感光層にアモルファスシリコン（以下ではｔ
ｔ−８ｉとかく）を用い、電荷輸送層に炭化シリコン（
以下では８１０とかく）を用いた？ｑ電子写真感光体、
その優れた特性から注目を集めている。
ｔ−８ｉとかく）を用い、電荷輸送層に炭化シリコン（
以下では８１０とかく）を用いた？ｑ電子写真感光体、
その優れた特性から注目を集めている。
１例として第１図に示す構造、すなわち、アルミの支持
体１０１の上に電荷輸送ＪＱＳｉ０１０２と感光ｊ慴α
−３ｉ１０３をつりた（ｊｑ造について、Ｄｉｊ単に原
理な説明する。
体１０１の上に電荷輸送ＪＱＳｉ０１０２と感光ｊ慴α
−３ｉ１０３をつりた（ｊｑ造について、Ｄｉｊ単に原
理な説明する。
第１図のように、感光層表１ＩＬＩを正ηｔ１′屯させ
た状態で感う°（，１饅ＣＬ−Ｂｉの禁止イ））幅より
大きなエネルギー（ｈν）のホトンをもつ光を照射する
。こ゛の光により感光層１０３の表面近傍、すなわち吸
収領域内で電子・正孔対が生成される。電子は電界によ
って感光層表面に達し、正の帯電電荷を打消す。一方、
正孔は感光層１０６と電荷輸送１ｔ”ｉ ’＋ ０２を
通って、アルミ支持体１０１に達し、見かけ上砂光層と
電荷輸送層の中を電流が流れ、帯′屯電荷が消滅したこ
とになる。また、負に帯電した場合も光によって生成さ
れた電子と正孔の動きが逆になるだけで原理的には上述
の説明と同じである第１図のように感ブｅｌ曽１０６に
α−８１、′電荷ｉ自送層１０２に８１０を用いた場合
の利点は、ａ−８１単層の感光体に比べて１ ■ ＳｉＯの耐電圧がａ −Ｓ ｉより大きいので、大
きな帯′亀屯位を得ることができる。
た状態で感う°（，１饅ＣＬ−Ｂｉの禁止イ））幅より
大きなエネルギー（ｈν）のホトンをもつ光を照射する
。こ゛の光により感光層１０３の表面近傍、すなわち吸
収領域内で電子・正孔対が生成される。電子は電界によ
って感光層表面に達し、正の帯電電荷を打消す。一方、
正孔は感光層１０６と電荷輸送１ｔ”ｉ ’＋ ０２を
通って、アルミ支持体１０１に達し、見かけ上砂光層と
電荷輸送層の中を電流が流れ、帯′屯電荷が消滅したこ
とになる。また、負に帯電した場合も光によって生成さ
れた電子と正孔の動きが逆になるだけで原理的には上述
の説明と同じである第１図のように感ブｅｌ曽１０６に
α−８１、′電荷ｉ自送層１０２に８１０を用いた場合
の利点は、ａ−８１単層の感光体に比べて１ ■ ＳｉＯの耐電圧がａ −Ｓ ｉより大きいので、大
きな帯′亀屯位を得ることができる。
■ ＳｉＯはアルミ支持体と非常に強固な化７ｈ力をも
つ。
つ。
■ ＳｉＯはα−８１に比べ誘電率が小さいので〜膜厚
が同じ場合、同じ帯電電位を得るのに、ａ−８１の場合
に比べ少ない電荷量ですむ。したがって、電荷の消滅も
少ない光量でよく感度が高い。
が同じ場合、同じ帯電電位を得るのに、ａ−８１の場合
に比べ少ない電荷量ですむ。したがって、電荷の消滅も
少ない光量でよく感度が高い。
■について数値例で説明する。（Ｌ−Ｓｉ単層の容量を
Ｏｓ、上述の２ｊ曽Ｂ４造の場合の容量をＣｄ、帯１Ｆ
Ｌ電位をそれぞれＶθ、Ｖｄとし、各に必要な帯電電荷
をＱｓ、Ｑｄとすると、 Ｑｓ＝ＯｓＶθ ……（１） Ｑｄ＝ＯｄＶ（１・・・・・・（２） 帯’＋ｔｊ： 電位を同じ、すなわち■θ＝Ａｄとした
ときの両者の電荷の比は、 牝＝だ ・・・・・・（３） となる。
Ｏｓ、上述の２ｊ曽Ｂ４造の場合の容量をＣｄ、帯１Ｆ
Ｌ電位をそれぞれＶθ、Ｖｄとし、各に必要な帯電電荷
をＱｓ、Ｑｄとすると、 Ｑｓ＝ＯｓＶθ ……（１） Ｑｄ＝ＯｄＶ（１・・・・・・（２） 帯’＋ｔｊ： 電位を同じ、すなわち■θ＝Ａｄとした
ときの両者の電荷の比は、 牝＝だ ・・・・・・（３） となる。
第１図の感光体でα−８１感光層１０６の厚さをｄｌと
し、Ｓ１０電荷輸送層１０２の厚さをｄ２とすると、単
位面積当りの容量は ε０ 、ε１．６２はそれぞれ真空の誘電率α−８１感
光層の誘電率、そしてｓｉａ電荷軸送層の誘電率である
。
し、Ｓ１０電荷輸送層１０２の厚さをｄ２とすると、単
位面積当りの容量は ε０ 、ε１．６２はそれぞれ真空の誘電率α−８１感
光層の誘電率、そしてｓｉａ電荷軸送層の誘電率である
。
一方、α−５Ｂ１のみの感光体の厚さをｄ。とし、２層
構造の感光体と同じ厚さｄ。＝ｄ＋ ＋ｄ２とすると、 ε０ ε１− εＯ’ Ｉ 、、、、、、 （５）０６
＝−ζ−−１７蓬ｑ （３）、（４）、（５）から εＩ ” １２＋６２＝７であるから、たとえばｄ＋
＝”＋ｌ’ｆｉ＋ ｄ２＝１５μｍとすればＱｄ ７≦＋０６５ すなわち、単層に比べ、２層構造にすると同じ厚さで、
同じ帯電′に位を得るのに約６５％の電イ１カ量で良い
。したがって、この゛電荷を消滅させるためのホトン数
も６５％でよく、感度の良いことがわかる。
構造の感光体と同じ厚さｄ。＝ｄ＋ ＋ｄ２とすると、 ε０ ε１− εＯ’ Ｉ 、、、、、、 （５）０６
＝−ζ−−１７蓬ｑ （３）、（４）、（５）から εＩ ” １２＋６２＝７であるから、たとえばｄ＋
＝”＋ｌ’ｆｉ＋ ｄ２＝１５μｍとすればＱｄ ７≦＋０６５ すなわち、単層に比べ、２層構造にすると同じ厚さで、
同じ帯電′に位を得るのに約６５％の電イ１カ量で良い
。したがって、この゛電荷を消滅させるためのホトン数
も６５％でよく、感度の良いことがわかる。
このように、２ＪＶ４ｆ＃造の感ブＣ体は利点がある反
面、α−８１表面が露出しているため、特性劣化があり
、またくり返し帯・重露光を行なうとピンホール状にα
−８１層がはがれることが多い。
面、α−８１表面が露出しているため、特性劣化があり
、またくり返し帯・重露光を行なうとピンホール状にα
−８１層がはがれることが多い。
これを解決する手段としてａ−ｓｉ衣表面酸化シリ：＋
ン（ＳｉＯ２）、窒化シリコ：ｙ （ｓ １３Ｎ４）あ
るいは有機物等の絶縁物層をつけて表面を保獲する方法
が用いられている。
ン（ＳｉＯ２）、窒化シリコ：ｙ （ｓ １３Ｎ４）あ
るいは有機物等の絶縁物層をつけて表面を保獲する方法
が用いられている。
しかし、絶縁物層はキャリアの通過を防げるため、光で
発生したキャリアは絶縁物の表面に帯電した電荷のとこ
ろまで到達できない。これは、帯電によって絶縁物表面
に存在する電荷と、金属支持体に誘起された電荷が、光
を照射することにより、絶縁物層をはさんで両側に相対
した状態となる。
発生したキャリアは絶縁物の表面に帯電した電荷のとこ
ろまで到達できない。これは、帯電によって絶縁物表面
に存在する電荷と、金属支持体に誘起された電荷が、光
を照射することにより、絶縁物層をはさんで両側に相対
した状態となる。
すなわち、光の照射によって、コンデンサの厚さが薄く
なったのと等価であり、容量の′増加しただけ帯１４Ｌ
電位は減少するが、絶縁物層が存在するかぎり、強い光
を照射しても帯電電位は零にはなり得ない、すなわち残
留電位が残る。したがって従来の２層構造の感光体のも
つ欠点である特性劣化とピンホール等による破損に対す
る；「失策としては不充分である。
なったのと等価であり、容量の′増加しただけ帯１４Ｌ
電位は減少するが、絶縁物層が存在するかぎり、強い光
を照射しても帯電電位は零にはなり得ない、すなわち残
留電位が残る。したがって従来の２層構造の感光体のも
つ欠点である特性劣化とピンホール等による破損に対す
る；「失策としては不充分である。
本発明はかかる欠点を除失したものであって、その目的
とするところは、電子写真感う′０体の特性劣化と損１
易を防ぐことにある。
とするところは、電子写真感う′０体の特性劣化と損１
易を防ぐことにある。
第２図は本発明の構造を示した図で、正電荷の帯屯を例
にとって図示しである。同図において、２０１は金属支
持体で、一般にはアルミを用いるｏ ２０２は５５−５
０ＰＰの硼素を含むＳ ｉ Ｃｌ曽、２０３は１〜１１
００ＰＰの硼素を含むα−８ｉ層、そして、２０４は５
〜５０ＰＰＭのリンを含む８１０ Ｉ＜（である。Ｓｉ
Ｏ中の硼素とリンは量が少ないとキャリアの通過が防げ
られ、多すぎると耐圧が小さくなり帯電量が少なくなる
。
にとって図示しである。同図において、２０１は金属支
持体で、一般にはアルミを用いるｏ ２０２は５５−５
０ＰＰの硼素を含むＳ ｉ Ｃｌ曽、２０３は１〜１１
００ＰＰの硼素を含むα−８ｉ層、そして、２０４は５
〜５０ＰＰＭのリンを含む８１０ Ｉ＜（である。Ｓｉ
Ｏ中の硼素とリンは量が少ないとキャリアの通過が防げ
られ、多すぎると耐圧が小さくなり帯電量が少なくなる
。
各層の厚さについて１例をあげると、硼素を含む８１０
層２０２は約１５μ情、硼素を含むａ−８１ハゲ２０３
は約５μ洛、そしてリンを含む８１０層は約２μ情であ
る。
層２０２は約１５μ情、硼素を含むａ−８１ハゲ２０３
は約５μ洛、そしてリンを含む８１０層は約２μ情であ
る。
第２図かられかるように、８１Ｃの禁止４１７幅は２ｇ
Ｖ以上あり、ａ −８１（７） 禁止帯幅１．７ ｇ
Ｖより大きいので、１．７ ｅ Ｖ近辺の光はＥｌｉ（
Ｊψ２０４を通過しα−ａｌｌ凶２０３０表面近くで吸
収され、電子と正札を生成する。
Ｖ以上あり、ａ −８１（７） 禁止帯幅１．７ ｇ
Ｖより大きいので、１．７ ｅ Ｖ近辺の光はＥｌｉ（
Ｊψ２０４を通過しα−ａｌｌ凶２０３０表面近くで吸
収され、電子と正札を生成する。
８１０１ｒＪ２０４の表面が正イｉ） Ｔｉの状態にあ
ると、光によって生成された正孔は（Ｌ ８ ｉ Ｗ７
２０３と５１ａ７傍２ｏ２を通って金Ｊ’ｌＳ支持体２
０１に達する。この場合、ｓ ｘ ａ）＝、ｓ；２０２
は硼素を含みＰ形伝導を示すので正孔は再結合の確率が
少なく通過しやすい。
ると、光によって生成された正孔は（Ｌ ８ ｉ Ｗ７
２０３と５１ａ７傍２ｏ２を通って金Ｊ’ｌＳ支持体２
０１に達する。この場合、ｓ ｘ ａ）＝、ｓ；２０２
は硼素を含みＰ形伝導を示すので正孔は再結合の確率が
少なく通過しやすい。
一方、光によって発生した′電子は、８１０ｊｄ２０４
を通過して表面に達し、帯電した１Ｌ荷を打消す、この
場合も、Ｓ：ＬＯ１１２０４はリンを含み、ル形伝導を
示すので電子は非常に通過しやすい。
を通過して表面に達し、帯電した１Ｌ荷を打消す、この
場合も、Ｓ：ＬＯ１１２０４はリンを含み、ル形伝導を
示すので電子は非常に通過しやすい。
したがって、光の照射された場所では、Ｂ１０２０４の
表面から支持体２０１に向って電流が流れ、帯′「比し
た電荷は消滅する。製漬方法については実施例をもって
説明する。
表面から支持体２０１に向って電流が流れ、帯′「比し
た電荷は消滅する。製漬方法については実施例をもって
説明する。
実施例
＋ｒｆ径１２０ ｍｍφ、長さ約６００解のアルミ円筒
を支持体とする。支持体の温度を１５０〜１８０℃に保
ちつつ、通常のプラズマＯＶＤ法により、硼素を含んだ
５１ａＩｖをつける。ガスはモノシラン（ｓｌａ、）＋
メタン（ＯＨ，）、ジボラン（Ｂ２Ｈ６）および水素の
混合ガスを用いる。このときジボランの量は体積パーセ
ントで５〜５０ＰＰＭとする。１３．５６ＭＨｚの高周
波で約ＩＫＷの電力で放電をさせる。Ｊ漢厚が約１５μ
常に達したところで、メタンガスを遮断し、Ｂｉ’Ｈ，
。
を支持体とする。支持体の温度を１５０〜１８０℃に保
ちつつ、通常のプラズマＯＶＤ法により、硼素を含んだ
５１ａＩｖをつける。ガスはモノシラン（ｓｌａ、）＋
メタン（ＯＨ，）、ジボラン（Ｂ２Ｈ６）および水素の
混合ガスを用いる。このときジボランの量は体積パーセ
ントで５〜５０ＰＰＭとする。１３．５６ＭＨｚの高周
波で約ＩＫＷの電力で放電をさせる。Ｊ漢厚が約１５μ
常に達したところで、メタンガスを遮断し、Ｂｉ’Ｈ，
。
Ｂ２Ｈ６、およびＨ２の混合ガス中で放電させる。
このときのＢ２Ｈ，の垣は体積パーセントで１〜１００
ＰＰＭである。また、高周波電力は約ＩＫＷであるａ
−８１１ｉの厚さが約１５μ悟に達したところで、さ
らにガス系を切シ替え、ホスヒン（ＰＨ３ン＋ Ｓ ｉ
Ｈ４１０Ｈ４’水素の混合ガスを流して高周波放電を
させる。このときのＰＨ，のガス殴度は５〜５０ＰＰＭ
である。約２μ常の８１０膜が形成てれたところで放′
Ｑを終了する。
ＰＰＭである。また、高周波電力は約ＩＫＷであるａ
−８１１ｉの厚さが約１５μ悟に達したところで、さ
らにガス系を切シ替え、ホスヒン（ＰＨ３ン＋ Ｓ ｉ
Ｈ４１０Ｈ４’水素の混合ガスを流して高周波放電を
させる。このときのＰＨ，のガス殴度は５〜５０ＰＰＭ
である。約２μ常の８１０膜が形成てれたところで放′
Ｑを終了する。
なおリンと硼素は実験上膜中に含まれるｍｌは混合ガス
の体積パーセントとほぼ等しかった。
の体積パーセントとほぼ等しかった。
以上の方法によって本発明の電子写真感光体が完成する
。
。
本発明は、従来のもη造と異って非常に固い８１０層で
表向を保睡している為に、ａ−Ｅｌｉは４１１１ｍを受
りない。またＳｉＯの保獲層によって算囲気の影響を受
けず特性の劣化も生じない。
表向を保睡している為に、ａ−Ｅｌｉは４１１１ｍを受
りない。またＳｉＯの保獲層によって算囲気の影響を受
けず特性の劣化も生じない。
また、従来のように絶縁物で表１ｆｉｉをコートしたも
のとｈ′へなりＳｉ０層の中をキャリアが通過できるの
で残留電位は生じない。
のとｈ′へなりＳｉ０層の中をキャリアが通過できるの
で残留電位は生じない。
湿度８５％、温度４０°Ｃ中で帯電露光試験をくり返し
た場合、従来の構造では約５万〜１０万回で帯電電位が
初期の７０〜８０％に低下する。また、ａ Ｂ１ＪＳ？
ｊにピンホールの発生も見られる。
た場合、従来の構造では約５万〜１０万回で帯電電位が
初期の７０〜８０％に低下する。また、ａ Ｂ１ＪＳ？
ｊにピンホールの発生も見られる。
−力木発明の感光体では同条件で２０万回の帯電層ブ０
試験を行なっても特性の劣化はみられながった。このよ
うに本究明の効果は大きいものである。
試験を行なっても特性の劣化はみられながった。このよ
うに本究明の効果は大きいものである。
また、前述の説明では正帯′亀の場合について説明した
が、第２図）ｓ １ａ ＪＹｉ ２０２ トａ −ｓ
ｉ ＩｔＪ２０６にリンを混入し、８ｉ０］−２０４に
硼素を混入することにより負帯電の感光体をも作りうる
。。このように本発明の応用範囲は広いものである
が、第２図）ｓ １ａ ＪＹｉ ２０２ トａ −ｓ
ｉ ＩｔＪ２０６にリンを混入し、８ｉ０］−２０４に
硼素を混入することにより負帯電の感光体をも作りうる
。。このように本発明の応用範囲は広いものである
第１図は電向輸送層と感光ＩＷ七を有する２ １’ｒ’
ｉ感元体の原理図、第２図は本発明の横皺を示す断ハ１
１１図である。 １０１・・・・・・アルミの支持体 １０２・・・・・・電荷輸送層 １０６・・・・・・感光層 ２０１・・・・・・金属支持体 ２０２・・・・・・硼素を含むＥｌ ｉ Ｏ＋−１２０
６・・・・・・硼素を含むα−８１層２０４・・・・・
・リンを含むα−５ｉ１台以 上 出願人 株式会社ｉ１フ訪Ｑ’＋１工舎第１１」 箒２０
ｉ感元体の原理図、第２図は本発明の横皺を示す断ハ１
１１図である。 １０１・・・・・・アルミの支持体 １０２・・・・・・電荷輸送層 １０６・・・・・・感光層 ２０１・・・・・・金属支持体 ２０２・・・・・・硼素を含むＥｌ ｉ Ｏ＋−１２０
６・・・・・・硼素を含むα−８１層２０４・・・・・
・リンを含むα−５ｉ１台以 上 出願人 株式会社ｉ１フ訪Ｑ’＋１工舎第１１」 箒２０
Claims (2)
- （１） アモルファスシリコンと炭化シリコンの少なく
とも両者から成る電子写真感光体において、異なる心′
成形の炭化シリコン層の間にアモルファスシリコン層を
形成したことを特徴とする電子写真ｅ！光体。 - （２） ｙ？なる導電形のアモルファスシリコン層の、
一方が５ＰＰＭ以上の硼素を含有し、他方が５ＰＰＭ以
上のリンを含有することを特徴とする特許ｉ（、請求の
範囲第１項記載の電子写真感光体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14531783A JPS6035744A (ja) | 1983-08-09 | 1983-08-09 | 電子写真感光体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14531783A JPS6035744A (ja) | 1983-08-09 | 1983-08-09 | 電子写真感光体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6035744A true JPS6035744A (ja) | 1985-02-23 |
Family
ID=15382360
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14531783A Pending JPS6035744A (ja) | 1983-08-09 | 1983-08-09 | 電子写真感光体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6035744A (ja) |
-
1983
- 1983-08-09 JP JP14531783A patent/JPS6035744A/ja active Pending
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