JPH01315761A - 電子写真感光体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はアモルファスシリコンカーバイド光導電層と有
機光半導体層を積層して成る電子写真感光体に関するも
のである。

〔従来技術及びその問題点〕

電子写真感光体の光導電材料には、Ｓｅ、５ｅ−Ｔｅ。

ＡｓｚＳ　ａｚ＋ＺｎＯ＋Ｃｄ５１アモルファスシリコ
ンなどの無機材料と各種有機材料がある。そのなかで最
初に実用化されたものはＳｅであり、次いで、ＺｎＯ，
ＣｄＳ、アモルファスシリコンも実用化された。他方、
−有機材料ではＰＶＫ−ＴＮＦが最初に実用化され、そ
の後、電荷の発生並びに電荷の輸送という機能を別々の
材料に分担させるという機能分離型感光体が提案され、
この機能分離型感光体によって有機材料の開発が飛躍的
に発展している。

一方、無機光導電層の上に有機光半導体層を積層した電
子写真感光体も提案された。

例えばＳｅ層と有機光半導体層の積層型感光体があり、
既に実用化されたが、この感光体によれば、Ｓｅ自体有
害であり、しかも、長波長側の感度に劣るという欠点も
あった。

そこで、特開昭５６−１４２４１号にはアモルファスシ
リコンカーバイド光導電層と有機光半導体層から成る積
層型感光体が提案されており、この感光体によれば、上
記問題点を解消して無公害性並びに高光感度な特性が得
られた。

上記提案の電子写真感光体によれば、化学式Ｓ＋＋−，
ｌＣＸ　ｎ　ｙ　（但し０＜Ｘ＜１．０，０５≦ｙ≦０
．２）で表わされるアモルファスシリコンカーバイド層
と有機光半導体層が順次積層された構造から成る。

しかしながら、本発明者等がこのような電子写真感光体
を製作し、その光感度、表面電位及び残留電位を測定し
たところ、いずれも未だ満足し得るような特性が得られ
ず、更に改善を要することが判明した。

従って本発明は畝上に鑑みて完成されたものであり、そ
の目的は高い光感度と表面電位が得られ、しかも、残留
電位を低減させた電子写真感光体を提供することにある
。

〔問題点を解決するための手段〕

本発明によれば、導電性基板上にアモルファスシリコン
カーバイド光導電層（以下、アモルファスシリコンカー
バイドをａ−３ｉＣと略す）と有機光半導体層が順次積
層された電子写真感光体において、前記ａ−５ｉＣ光導
電層が第１のＪ！層領域びに第２の層領域が順次形成さ
れた層構成であり、第１の層領域に周期律表第Ｖａ族元
素を０〜５０００ｐｐｍ並びに酸素又は窒素の少なくと
も一種の元素を０゜０１〜３０原子％含有させ、更に第
２の層領域の構成元素がＳｉ元素Ｃ元素並びに水素又は
ハロゲンであって水素又はハロゲンがへ元素と表記され
該Ｎ領域の元素比率が組成式（Ｓｉ＋−’ｘｃ　ｘ　）
　＋−ｙ　Ａｙと３００ｐｐｍ榊正の範囲内で含有させ
たことを特徴とする電子写真感光体が提供される。

以下、本発明の詳細な説明する。

第１図は本発明電子写真感光体の層構成を示しており、
同図によれば、導電性基板（１）の上にａ−３ｉＣ光導
電層（２）及び有機光半導体＠　（３）が順次積層され
ている。そして、ａ−３ｉＣ光導電層（２）には電荷発
生という機能があり、他方の有機光半導体層（３）には
電荷輸送という機能がある。

本発明はａ−３ｉＣ光導電層（２）の内部に第１の層領
域（２ａ）と第２のＮ領域（２ｂ）が順次形成されてお
り、第１の層領域（２ａ）に周期律表第Ｖａ族元素（以
下、Ｖａ族元素と略す）並びに酸素及び／又は窒素をそ
れぞれ所定の範囲内で含有させ、しかも、第２の層領域
（２ｂ）の元素比率及び周期律表第■ａ族元素（以下、
Ｉｏｔａ族元素と略す）の含有量を所定の範囲内に設定
し、これにより、光感度、表面電位及び残留電位を改善
したことが特徴である。

また、このような層領域を形成したことにより負帯電用
電子写真感光体となることも特徴である。

先ず、第２の層領域（２ｂ）については、実質上の光キ
ヤリア発生機能があり、その元素比率が下記の通りの範
囲内に設定された場合、この層領域（２ｂ）自体の光感
度を顕著に高めることができる。

〔以下余白〕

組成式：　　〔Ｓｉ１−ｘＣ１１）　＋−ｙ　　Ａｙ　
（但しＡは水素又はハロゲン） ０＜ｘ＜０．５、好適には０．０１　＜　ｘ　＜　０．
４０．２　　＜ｙ　　＜０．５、好適には０．２５＜　
ｙ　＜　０．４５上記ｘ値が０．５以上の場合には光導
電性が著しく低くなり、光キャリアの励起機能が低下す
る。

また、ｙ値が０．２以下の場合には暗導電率が大きくな
る傾向にあり、しかも、光導電率が低下傾向にあり、そ
のために所望通りの光導電性が得られず、ｙ値が０．５
以上の場合にはａ−ＳｉＣ層の内部応力が増大し、基板
との密着性が劣化して剥離し易くなる。

また、上記第２の層領域（２ｂ）には水素（Ｈ）元素や
ハロゲン元素がダングリングボンド終端用に含有される
が、これらの元素のなかでＨ元素が終端部に取り込まれ
易く、これによってバンドギャップ中の局在準位密度が
低減化されるという点で望ましい。

第２のＮｅＩ域（２ｂ）にＩＩＩａ族元素を１〜３００
ｐｐｍの範囲内で含有させた場合、電子移動度が高くな
り、負帯電用の電子写真感光体として高感度な特性が得
られる。

上記ＩＩＩａ族元素にはＢ、ＡＩ、Ｇａ、　Ｉｎ等があ
るが、Ｂが共有結合性に優れて半導体特性を敏感に変え
得る点で、その上、優れた帯電能並びに光感度が得られ
るという点で望ましい。

第２の層領域（２ｂ）の厚みは０．０５〜５μｍ、好適
には０．１〜３μｍの範囲内に設定すればよく、この範
囲内であれば高い光感度が得られ、残留電位が低くなる
。

第１の層領域（２ａ）については、Ｖａ族元素を実質上
含有しないか或いは５０００ｐｐｍ以下の範囲内で含有
させ、これにより、第２の層領域（２ｂ）で発生した光
キャリア、特に負電荷を基板側へスムーズに流すことが
でき、しかも、基板側のキャリアが第２の層領域（２ｂ
）へ流入されるのを阻止することができる。即ち、第１
の層領域（２ａ）は基板（１）に対して整流性を有する
という点で非オーミツク接触していると言える。したが
って、この非オーミツク接触により表面電位が高くなり
、残留電位が低減する。

加えて、第１の層領域（２ａ）には酸素又は窒素の少な
くとも一種の元素（以下、酸素・窒素元素と略す）が０
．０１〜３０原子％、好適には０．１〜１０原子％含有
され、これにより、基板側のキャリアが第２の層領域（
２ｂ）へ流入されるのを一層阻止することができ、その
結果、表面電位が益々高くなる。

尚、上記酸素（０）又は窒素（Ｎ）の含有量（原子％）
は組成式（ＳｉＣ）＋−ｇ（０・Ｎ）２のＺ値に対応す
る。

このように第１の層領域（２ａ）はＶａ族元素の含有量
並びに酸素・窒素含有量により表わされるが、その含有
量が層厚方向に亘って不均一になる場合には、その平均
含有量で表示される。

かかるＶａ族元素が５０００ｐｐｍを超える場合にはこ
の層領域の内部欠陥が増大して膜質が低下し、表面電位
の低下並びに残留電位の上昇をきたす。

また、酸素・窒素元素が０．０１原子％未溝の場合には
基板からのキャリア注入を阻止する機能が小さくなり、
そのために表面電位が高くならず、３０原子％を超える
場合には、光キャリアの基板側への流れが阻害され、残
留電位の上昇をきたす。

また、第１の層領域（２ａ）はＶａ族元素含有量並びに
酸素・窒素元素含有量とともにその厚みでもって更に具
体的に設定するのが望ましい。

即ち、第１の層領域（２ａ）の厚みは０．１〜５μｍ、
好適には０．５〜３μｍの範囲内に設定するとよく、こ
の範囲内であれば表面電位を高め且つ残留電位を低減で
きると共に感光体の耐電圧を高めることができるという
点で有利である。

更に、第１の層領域（２ａ）はＶａ族元素含有量及び酸
素・窒素含有量並びに厚みとともにそのＳｉＣ組成比を
下記の通りに設定するのが望ましい。

即ち、組成式Ｓｉ、−８Ｃ８で表わした場合、０．１＜
　ｘ　＜　０．５の範囲内に設定、するとよく、この範
囲内であれば、表面電位を高め、しかも、基板との密着
性を高めることができる。

また、上記のようにＣ元素比率を設定する、に当たって
、その比率を第２の層領域（２ｂ）に比べて大きくする
とよく、これは表面電位を高め、基板との密着性を高め
ることができる点で有利である。

上記Ｖａ族元素にはＮ＋Ｐ、Ａｓ＋Ｓｂ＋Ｂｔ等がある
が、Ｐが共有結合性に優れて半導体特性を敏感に変え得
る点で、その上、優れた帯電能並びに光感度が得られる
という点で望ましい。

上記の通り、本発明に係る電子写真感光体によれば、ａ
−３ｉＣ光導電層（２）に第１の層領域を形成しており
、そのため、発生したキャリアのうち、正孔は有機光半
導体層（３）へ向かい、一方、電子は基板（１）へ向か
う。従って、負帯電型の電子写真感光体となる。

このような負帯電型電子写真感光体においては、有機光
半導体層（３）に電子供与性化合物が選ばれ、この化合
物には例えば高分子量のものとして、ポリ−Ｎ−ビニル
カルバゾール、ポリビニルピレン、ポリビニルアントラ
セン、ピレン〜ホルムアルデヒド縮重合体などがあり、
また、低分子量のものとしてオキサジアゾール、オキサ
ゾール、ビラプリン、トリフェニルメタン、ヒドラゾン
、トリアリールアミン、Ｎ−フェニルカルバゾール、ス
チルベンなどがあり、この低分子物質は、ポリカーボネ
ート、ポリエステル、メタアクリル樹脂、ポリアミド、
アクリルエポキシ、ポリエチレン、フェノール、ポリウ
レタン、ブチラール樹脂、ポリ酢酸ビニル、ユリア樹脂
などのバインダに分散されて用いる。

また、前記基板（１）には銅、黄銅、ＳＯＳ　、ＡＩ等
の金属導電体、あるいはガラス、セラミックス等の絶縁
体の表面に導電体薄膜をコーティングしたものがあり、
就中、ＡＩがコスト面並びにａ−ＳｉＣ層との密着性と
いう点で有利である。

かくして本発明によれば、ａ−ＳｉＣ光導電層に■ａ、
■ａ族元素と酸素・窒素元素を所定の範囲内で含有した
層領域を形成したことにより、光感度、表面電位及び残
留電位が改善され、更にこの光導電層のＳｉＣ元素比率
を所定の範囲内に設定して光感度が高められた。

また、本発明の電子写真感光体については第１２図に示
す通り、第２の層領域（２ｂ）と有機光半導体層（３）
の間にＣ元素を多く含有する層領域を形成してもよく、
このカーボン（Ｃ）元素高含有層領域が形成された場合
、第２の層領域（２ｂ）と有機光半導体層（３）の間の
暗導電率の差が顕著に小さくなり、これにより、両層（
２ｂ）　（３）の界面でキャリアがトラップされなくな
る。

即ち、第２の層領域（２ｂ）の暗導電率は約１０−目〜
１０−　”　（Ω・ｃｍ）−’であり、他方の有機光半
導体層（３）の暗導電率は約１０−”　〜１Ｏ−ＩＳ（
Ω’ｃｍ）−１であり、そのために第２の層領域（２ｂ
）で発生したキャリアは暗導電率の大きな差により有機
光半導体層（３）へスムーズに流れなくなる。従って、
本発明者等はＣ元素高含有層領域（２ｃ）を形成し、こ
れにより、その層領域（２Ｃ）の暗導電率を小さくし、
両層（２ｂ）　（３）の界面で暗導電率の差を小さくす
ることができ、その結果、光感度及び残留電位の両特性
が改善されることを見い出した。

このようなＣ元素高含有層領域（２ｃ）は下記の通りＣ
元素含有比率と厚みにより表わされる。

Ｃ元素含有比率は５ｉＩ−、Ｃ、の×値で０．２＜　ｘ
　＜０．５、好適には０．３　＜　ｘ　＜　０．５の範
囲内に設定するとよく、ｘ値が０．２以下の場合には両
層（２ｂ）　（３）の間で暗導電率の差を所要通りに小
さくできず、これによって光感度及び残留電位のそれぞ
れの特性を改善することができず、また、Ｘ値が０．５
以上の場合には、ａ−３ｉＣ光導電層でキャリアがトラ
ップされ易くなり、光感度特性が低下する。

また、厚みは１０〜２０００人、好適には５００〜１０
００人の範囲内に設定するとよく、１０人未満の場合に
は光感度及び残留電位のそれぞれの特性を改善すること
ができず、２０００人を超えた場合には残留電位が大き
くなる傾向にある。

このような第２の層領域（２ｂ）並びにＣ元素高含有層
領域（２ｃ）のそれぞれのＣ元素含有量は層厚方向に亘
って変化させてもよい。例えば第６図〜第１１図に示す
例があり、これらの図において、横軸は層厚方向であり
、ａは第１の層領域（２ａ）と第２の層領域（２ｂ）の
界面、ｂは第２の層領域（２ｂ）とＣ元素高含有層領域
（２ｃ）の界面、そして、ＣはＣ元素高含有層領域（２
ｃ）と有機光半導体層（３）の界面を表わし、また、縦
軸はＣ元素含有量を表わす。

尚、第２の層領域（２ｂ）又はＣ元素高含有層領域（２
ｃ）の内部でＮ厚方向に亘ってＣ元素含有量を変えた場
合、そのＣ元素含有比率（Ｘ値）はそれぞれこの層領域
（２ｂ）　（２ｃ）全体当たりのＣ元素平均含有比率に
対応する。

次に本発明電子写真感光体の製法を述べる。

ａ−５ｉＣ層を形成するにはグロー放電分解法、イオン
ブレーティング法、反応性スパッタリング法、真空蒸着
法、ＣＶＯ法などの薄膜形成方法がある。

グロー放電分解法を用いる場合、Ｓｉ元素含有ガスとＣ
元素含有ガスを組合せ、この混合ガスをプラズマ分解し
て成膜形成する。このＳｉ元素含有ガスには５ｉＨ４１
ＳｉＪｂ＋５ｉｄＬａ＋ＳｉＦ４，５ｉＣ１４，５ｉＨ
Ｃ１ｔ等々があり、また、Ｃ元素含有ガスにはＣＨ４，
ＣＪ４．ＣｚＨ２＋ＣＪｌ１等々があり、就中、ＣｚＨ
ｚは高速成膜性が得られるという点で望ましい。

本実施例に用いられるグロー放電分解装置を第２図によ
り説明する。

図中、第１タンク（４）、第２タンク（５）、第３タン
ク（６）、第４タンク（７）、第５タンク（８）にはそ
れぞれＳｉＨ４，Ｃｄｌ□、［１ｚＨｈ（ＢＪｓガスが
水素ガスで希釈されている）、Ｈ２及びＮｏが密封され
、これらのガスは各々対応する第１調整弁（９）、第２
調整弁（１０）　、第３調整弁（１１）、第４調整弁（
１２）及び第５調整弁（１３）を開放することにより放
出される。その放出ガスの流量はそれぞれマスフローコ
ントローラ（１４）　（１５）　（１６）　（１７）　
（１８）により制御され、そして、ＳｉＨ，、Ｃｚｔｈ
、ＢＪｂ、Ｈｚの各々のガスは混合されて第１主管（１
９）へ送られ、ＮＯガスは第２主管（２０）へ送られる
。尚、（２１）　（２２）は止め弁である。

第１主管（１９）及び第２主管（２０）を通じて流れる
ガスは反応管（２３）へ流入されるが、この反応管（２
３）の内部には容量結合型放電用電極（２４）が設置さ
れ、また、筒状の成膜用基板（２５）が基板支持体（２
６）の上に載置され、基板支持体（２６）がモータ（２
７）により回転駆動され、これに伴って基板（２５）が
回転される。そして、電極（２４）に電力５０−〜３　
Ｋｗ、周波数１〜５０ＭＨｚの高周波電力が印加され、
しかも、基板（２５）が適当な加熱手段により約２００
〜４００℃、好適には約２００〜３５０℃の温度に加熱
される。また、反応管（２３）は回転ポンプ（２８）と
拡散ポンプ（２９）に連結されており、これによってグ
ロー放電による成膜形成時に所要な真空状Ｂ（放電時の
ガス圧０．０１〜２．０Ｔｏｒｒ）が維持される。

このような構成のグロー放電分解装置を用いて基板（２
５）の上にａ−ＳｉＣ層を形成する場合、第１調整弁（
９）、第２調整弁（１０）　、第３調整弁（１１）、第
４調整弁（１２）及び第５調整弁（Ｉ３）を開いてＳｉ
Ｈ４，Ｃ２Ｈ２、Ｂｉ１２．　Ｈ２，Ｎｏの各々のガス
を放出し、その放出量をマスフローコントローラ（１４
）　（１５）　（１６）　（１７）　（１８）により制
御し、各々のガスは混合されて第１主管（１９）及び第
２主管（２０）を介して反応管（２３）へ流入される。

そして、反応管内部の真空状態、基板温度、電極印加用
高周波電力をそれぞれ所定の条件に設定するとグロー放
電が発生し、ガスの分解に伴ってＢ元素、０元素及びＮ
元素含有のａ−ＳｉＣ膜が基板上に高速に形成される。

また、ａ−３ｉＣ層にＰを含有させる場合にはＰＨ３ガ
スが密封されたタンク並びにその調整弁及びマスフロー
コントローラを付設する。

上述した通りの薄膜形成方法によりａ−５ｉＣ層が形成
されると、次に有機光半導体層を形成する。

有機光半導体層は浸漬塗工方法又はコーティング法によ
り形成され、前者は感光材が溶媒中に分散された塗工液
の中に浸漬し、次いで、一定な速度で引上げ、そして、
自然乾燥及び熱エージング（約１５０℃、約１時間）を
行うという方法であり、また、後者のコーティング法に
よれば、コーター（塗機）を用いて、溶媒に分散された
感光材を塗布し、次いで熱風乾燥を行う。

〔実施例〕

次に本発明の実施例を述べる。

（例１） 第２図のグロー放電分解装置を用いて、ＳｉＨ４ガスを
２００ｓｅｃｍの流量で、Ｈ２ガスを２１０ｓｃｃｒｎ
の流量で、そして、ＣＪｚガスの流量を変化させ、また
、ガス圧を０．６Ｔｏｒｒ　、高周波電力を１５０Ｗ、
基板温度を２５０℃に設定し、グロー放電によってａ−
ｓｉｃ膜（膜要約１μｍ）を形成した。

このようにしてａ−３ｉＣ膜のカーボン含有比率を変え
、そして、膜中のカーボン量をＸＭＡ法により測定し、
また、光導電率及び暗導電率を測定したところ、第３図
に示す通りの結果が得られた。

第３図中、横軸はカーボン含有比率、即ちＳｉ、−ＸＣ
ＸのＸ値であり、縦軸は導電率を表わし、○印は発光波
長５５０ｎｍ　（光量５０μＷ／ｃｍ”）の光に対する
光導電率のプロットであり、・印は暗導電率のプロント
であり、また、ａ、ｂはそれぞれの特性曲線である。

更に上記各ａ−５ｉＣ膜について、その水素含有量を赤
外吸収測定法により求めたところ、第４図に示す通りの
結果が得られた。

第４図中、横軸は５ｉｎ−ＸＣＸのＸ値であり、縦軸は
水素含有量、即ち（Ｓｊｌ−ｘ　Ｃや）ｌ−、Ｈｙのｙ
値であり、○印はＳｔ原子に結合した水素量のプロット
であり、・印はＣ原子に結合した水素量のプロットであ
り、また、ｃ＋ｄはそれぞれの特性曲線である。

第４図より明らかな通り、本例のａ−５ｉＣ膜はいずれ
もｙ値が０．３〜０．４の範囲内にあることが判る。

また、第３図より明らかな通り、カーボン含有比率Ｘが
Ｏ＜　ｘ　＜　０．５の範囲内であれば、高い光導電性
が得られると共に光導電率と暗導電率の比率が顕著に大
きくなり、優れた光感度が得られることが判る。

（例２） 次に本例においては、ＳｉＬガスを２００ｓｅｃｍの流
量で、Ｃ２Ｈ２ガスを２０ｓｅｃｍの流量で、Ｈ２ガス
をθ〜１０１０００ｓｅの流量で導入し、そして、高周
波電力を５０〜３００Ｗ　、ガス圧を０．３〜１．２Ｔ
ｏｒｒに設定し、グロー放電によりａ−ＳｉＣ膜（膜要
約１μｍ　）を形成した。

かくして、カーボン含有比率Ｘを０．３に設定し、そし
て、水素含有ｆｆ１ｙを変化させた種々のａ−３ｉＣ膜
を形成し、各々の膜について光導電率及び暗導電率を測
定したところ、第５図に示す通りの結果が得られた。

第５図中、横軸は水素含有量、即ち（ｓｔ＋−ｘ　Ｃつ
〕１□　Ｈｙのｙ値であり、縦軸は導電率を表わし、○
印は発光波長５５０ｎｍ（光量５０μＷ／ｃｍ”）の光
に対する光導電率のプロットであり、・印は暗導電率の
プロットであり、また、ｅ、ｆはそれぞれの特性曲線で
ある。

第５図より明らかな通り、ｙ値が０．２を超えた場合、
高い光導電率並びに低い暗導電率が得られることが判る
。

（例３） 本例においては、第１表に示す成膜条件により順次第１
の層領域（２ａ）と第２の層領域（２ｂ）を形成する。

〔以下余白〕

このようにして成膜した第１の層領域（２ａ）及び元素
含有量並びに酸素及び窒素の合計含有量を二次イオン質
量分析計により測定したところ、第２表に示す通りの結
果が得られた。

一トリニトロフルオレノンを主成分とする有機光半導体
層（膜要約１５μｍ　）を形成し、電子写真感光体とし
た。

かくして得られた電子写真感光体の特性評価を電子写真
特性測定装置により測定したところ、優れた光感度及び
表面電位が得られ、しかも、低い残留電位が得られた。

（例４） また本発明者等は（例３）の電子写真感光体を製作する
に当たって、ＢＪ＆ガス流量及びＰＨｓガス流量を変化
させ、これにより、第３表に示す通りに第１の層領域の
Ｐ元素含有量並びに第２の層領域のＢ元素含有量を変え
た１２種類の電子写真感光体（感光体Ａ〜し）を製作し
た。

これらの電子写真感光体の光感度、表面電位並びに残留
電位を測定したところ、第３表に示す通りの結果が得ら
れた。

同表中、光感度は相対評価により◎印、○印及びΔ印の
三段階に区分され、◎印は最も優れた光感度が得られた
場合であり、○印は幾分優れた光感度が得られた場合で
あり、Δ印は他に比べてわずかに劣る光感度になった場
合である。

表面電位の特性評価も◎印、Ｏ印及びΔ印の三段階に区
分され、◎印は最も高い表面電位が得られた場合であり
、○印は幾分高い表面電位が得られた場合であり、Δ印
は他に比べて高い表面電位が認められなかった場合であ
る。

また、残留電位についても三段階に相対評価しており、
◎印は残留電位が最も小さくなった場合であり、○印は
残留電位の低下が幾分認められた場合であり、Δ印は他
に比べて残留電位の低減が認められなかった場合である
。

〔以下余白〕

第３表 本印の感光体は本発明の範囲外のものである。

第３表より明らかな通り、感光体Ａ−１は優れ（例５）
′ 更に本発明者等は（例３）の電子写真感光体を製作する
に当たって、ＮＯガスに代えてＮ２ガス又は０２ガスを
使用し、第１の層領域に含有されるＮ元素又は０元素の
量を２．５原子％に設定し、これによって得られる電子
写真感光体も優れた光感度、高い表面電位並びに低い残
留電位が得られることを確認した。そして、このような
電子写真感光体について第１の層領域のＮ元素又は０元
素のそれぞれの含有量が０．０５，０．４，２．帆４．
０，７．０，２０．０原子％である場合には光感度、表
面電位のいずれの特性も改善され、しかも、Ｎ元素又は
０元素の含有量が０．００５原子％である場合には光感
度、表面電位及び残留電位のいずれの特性も改善が見ら
れず、Ｎ元素又は０元素の含有量が４０原子％である場
合には光感度が低下し、（例３）の感光体に比べて残留
電位が１５χ上昇することを確認した。

かくして、本発明の電子写真感光体は光感度、表面電位
及び残留電位のいずれの特性についても改善されている
が、本発明者等の実験によれば、第１の層領域に酸素・
窒素元素が０．０１〜３０原子％含有された場合、ａ−
ＳｉＣ層　の基板に対する密着性が顕著に大きくなるこ
とが見い出された。

〔発明の効果〕

以上の通り、本発明の電子写真感光体によれば、ａ−３
ｔＣ光導電層の内部にＩＩＩａ族元素及びＶａ族元素並
びに酸素・窒素元素を所定の範囲内で含有された層領域
を形成したことにより優れた光感度が得られ、表面電位
を高め、しかも、残留電位を低減させることができた。

また、この電子写真感光体によれば、ａ−３ｉＣ光導電
層が基板に対して非オーミツク接触であり、これにより
、整流機能が高められ、高い表面電位並びに低い残留電
位の負帯電用電子写真感光体が提供できた。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明電子写真感光体の層構成を表わす断面図
、第２図は実施例に用いられるグロー放電分解装置の概
略図、第３図はカーボン含有比率と導電率の関係を示す
線図、第４図はカーボン含有比率と水素含有量の関係を
示す線図、第５図は水素含有量と導電率の関係を示す線
図であり、また、第６図、第７図、第８図、第９図、第
１０図及び第１１図はアモルファスシリコンカーバイド
光導電層の層厚方向に亘るカーボン含有量を表わす線図
である。そして、第１２図は本発明電子写真感光体の他
の層構成を表わす断面図である。 １・・・導電性基板 ２・・・アモルファスシリコンカーバイド光導電層 ２ａ・・・第１の層領域 ２ｂ・・・第２の層領域 ３・・・有機光半導体層 特許出願人　（６６３）京セラ株式会社代表者　安城欽
寿 同　　　河村孝夫

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 導電性基板上にアモルファスシリコンカーバイド光導電
   層と有機光半導体層が順次積層された電子写真感光体に
   おいて、前記アモルファスシリコンカーバイド光導電層
   が第１の層領域並びに第２の層領域が順次形成された層
   構成であり、第１の層領域に周期律表第Ｖａ族元素を０
   〜５０００ｐｐｍ並びに酸素又は窒素の少なくとも一種
   の元素を０．０１〜３０原子％含有させ、更に第２の層
   領域の構成元素がＳｉ元素Ｃ元素並びに水素又はハロゲ
   ンであって水素又はハロゲンがＡ元素と表記され該層領
   域の元素比率が組成式〔Ｓｉ＿１＿−＿ｘＣ＿ｘ〕＿１
   ＿−＿ｙＡ＿ｙとして表わされた場合、ｘ及びｙをそれ
   ぞれ０＜ｘ＜０．５、０．２＜ｙ＜０．５の範囲内に設
   定し且つ周期律表第IIIａ族元素を１〜３００ｐｐｍの
   範囲内で含有させたことを特徴とする電子写真感光体。