JPH02167555A - 電子写真感光体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はアモルファスシリコンカーバイド光導電層と有
機光半導体層を積層して成る電子写真感光体に関するも
のである。

〔従来技術及びその問題点〕

電子写真感光体の光導電材料には、Ｓｅ、　５ｅ−Ｔｅ
八へＯ３＝３．ＺｎＯ，ＣｄＳ、了モルファスシリコン
などの無機材料と各種有機材料がある。そのなかで最初
に実用化されたものはＳｅであり、次いで、ＺｎＯ，Ｃ
ｄＳ、アモルファスシリコンも実用化された。他方、有
機利料でばＰＶＫ−ＴＮＦが最初に実用化され、その後
、電荷の発生並びに電荷の輸送とい・う機能を別々の利
料に分担させるという機能分離型感光体が提案され、こ
の機能分離型感光体によって有機祠料の開発が飛躍的に
発展している。

一方、無機光導電層の上に有機光半導体層を積層した電
子写真感光体も提案された。

例えばＳｅ層と有機光半導体層の積層型感光体があり、
既に実用化されたが、この感光体においてはＳｅ自体有
害であり、しかも、長波長側の感度に劣るという欠点も
あった。

そこで、特開昭５６４４２４１号にはアモルファスシリ
コンカーバイド光導電層と有機光半導体層から成る積層
型感光体が提案されており、この感光体によれば、上記
問題点を解消して無公害性並びに高光感度な特性が得ら
れた。

しかしながら、本発明者等がこのような電子写真感光体
を製作し、その光感度、表面電位及び残留電位を測定し
たところ、いずれも未だ満足し得るような特性が得られ
ず、更に改善を要することが判明した。

従って本発明は畝上に鑑みて完成されたものであり、そ
の目的は高い光感度及び表面電位が得られ、しかも、残
留電位を低減させた電子写真感光体を提供することにあ
る。

〔問題点を解決するための手段〕

本発明によれば、導電性基板上にアモルファスシリコン
カーバイド光導電層（以下、アモルファスシリコンカー
バイドをａ−３ｉ’Ｃと略す）と有機光半導体層が順次
積層された電子写真感光体において、前記ａ−３ｉＣ光
導電層が第１の層領域、第２の層領域及び第３の層領域
が順次形威された層構成であり、第１の層領域に周期律
表第Ｖａ族元素を０〜５０００ｐｐｍ含有させ、第２の
層領域に周期律表第ＩＩＩａ族元素を０〜２００ｐｐｍ
含有させ、第３の層領域に周期律表第■ａ族元素を１〜
１１０００ｐｐ含有させ、更に第１の層領域の厚みを０
．０１〜３μｍの範囲内に、第２の層領域の厚みを０．
０１〜３μｍの範囲内に、第３の層領域の厚みを０．０
１〜３μｍの範囲内に設定したことを特徴とする電子写
真感光体が提供される。

以下、本発明の詳細な説明する。

第１図は本発明電子写真感光体の層構成を示しており、
同図によれば、導電性基板（１）の上にａＳｉＣ光導電
層（２）及び有機光半導体層（３）が順次積層されてい
る。そして、ａ−３ｉＣ光導電層（２）には電荷発生と
いう機能があり、他方の有機光半導体層（３）には電荷
輸送という機能がある。

本発明はａ−３ｉＣ光導電Ｎ（２）の内部に第１の層領
域（２ａ）、第２の層領域（２ｂ）及び第３の層領域（
２Ｃ）を順次形威し、第１の層領域（２ａ）に周期律表
第Ｖａ族元素（以下、Ｖａ族元素と略す）を所定の範囲
内で含有させ、しかも、第３の層領域（２ｃ）に周期律
表第１１１ａ族元素（以下、ｌ１ｌａ族元素と略す）を
所定の範囲内で含有させ、そして、各々の層領域の厚み
を所定の範囲内に設定し、これにより、光感度、表面電
位及び残留電位を改善したことが特徴である。

また、このような層領域を形成したことにより負帯電用
電子写真感光体となることも特徴である。

先ず、ａ−３ｉＣ光導電層（２）はアモルファス化した
Ｓｉ元素とＣ元素並びにこれらの元素のダングリングボ
ンド終端部に導入された水素（ＩＩ）元素又はハロゲン
元素から成り、そのｍ威武は下記の通りに設定するとよ
い。

（５ｌｌ−Ｘ　　ＣＸ）　　Ｉ−八。

（但しＡはＨ元素又はハロゲン元素） ０＜ｘ＜０．５ 好適には　０．０１　＜　ｘ　　＜　０．４最適には　
０．０５　＜　ｘ　＜　０．２０．１＜ｙ＜０．５ 好適には　０．２　　＜ｙ　　＜０．５最適には　０．
２５＜　ｙ　＜　０．４５Ｘ値が０＜ｘ＜０．５の範囲
内であれば、高い光導電性が得られ、更に０．０１　＜
　ｘ　＜　０．４の範囲内に設定した場合には短波長側
の光感度が高められ、しかも、光導電性が顕著に高くな
って光キャリアの励起機能が大きくなる。

また、ｙ値が０．１以下の場合には膜質が低下し、これ
によって光導電性が著しく低下し、更に０．２　＜　Ｖ
　＜　０．５の範囲内に設定した場合には暗導電率が小
さくなり且つ光導電率が大きくなり、優れた光導電性が
得られ、また、基板との密着性にも優れる。

このａ−５ｉＣ光導電層（２）には水素（Ｈ）元素やハ
ロゲン元素がダングリングボンド終端用に含有されてい
るが、これらの元素のなかでＨ元素が終端部に取り込ま
れ易く、これによってバンドギャップ中の局在準位密度
が低減化するという点で望ましい。

また、ａ−５ｉＣ光導電層（２）の厚みは０．１５〜５
μｍ、好適には０．２〜３μｍの範囲内に設定すればよ
く、この範囲内であれば高い光感度が得られ、残留電位
が低くなる。

次に第１の層領域（２ａ）については、Ｖａ族元素を実
質上含有しないか或いは０〜５０００ｐｐｍ　、好適に
は３００〜３０００ｐｐｍの範囲内で含有させ、これに
より、ｎ形半導体となし、ａ−５ｉＣ光導電層（２）で
発生した光キャリア、特に負電荷を基板側へスムーズに
流すことができ、また、基板側のキャリアがａ−３ｉＣ
光導電層（２）へ流入するのを阻止することができる。

即ち、第１のＮ領域（２ａ）は基板（１）に対して整流
性を有するという点で非オーミツク接触していると言え
る。

従って、この非オーミツク接触により表面電位が高くな
り、残留電位が低減する。

このような第１の層領域（２ａ）はＶａ族元素の含有量
により表わされるが、その含有量が層厚方向に亘って不
均一になる場合にはその平均含有量で表示される。

かかるＶａ族元素が５０００ｐｐｍを超える場合には、
この層領域の内部欠陥が増大して膜質が低下し、表面電
位の低下並びに残留電位の上昇をきたす。

また、第１の層領域（２ａ）はＶａ族元素含有量ととも
に、その厚みでもって更に具体的に設定する。

即ち、第１の層領域（２ａ）の厚みは０．０１〜３μｍ
、好適には０．１〜０．５μｍの範囲内に設定するとよ
く、この範囲内であれば残留電位を低減できるとともに
感光体の耐電圧を高めることができる。

更に、第１の層領域（２ａ）はＶａ族元素含有量及び厚
みとともに、そのＳｉＣ組成比を下記の通りに設定する
のが望ましい。

即ち、組成式Ｓｉ、ＸＣＸで表わした場合、０．１＜　
ｘ　＜　０．５の範囲内に設定するとよく、この範囲内
であれば、表面電位を高め、しかも、基板との密着性を
高めることができる。

＝７ また、上記のようにＣ元素比率を設定するに当たって、
その比率を第２の層領域（２ｂ）に比べて大きくすると
よく、これは表面電位を高め、基板との密着性を高める
ことができる点で有利である。

上記Ｖａ族元素にはＨ，Ｐ、Ａｓ＋Ｓｂ、Ｂｉがあるが
、Ｐが共有結合性に優れて半導体特性を敏感に変え得る
点で、その上、優れた帯電能並びに光感度が得られると
いう点で望ましい。

第３の層領域（２ｃ）については、Ｕｉａ族元素を１〜
１１０００ｐｐ　、好適には３〜１１００ｐｐ含有させ
、これにより、ａ−３ｉＣ光導電層（２）内部の有機光
半導体層（３）側にＰ形半導体層を形威し、この層（２
）で発生した光キャリア、特に正電荷を有機光半導体層
（３）へスムーズに流すことができ、その結果、表面電
位が高くなり、残留電位が低下する。

このように第３の層領域（２ｃ）はＩＩＩａ族元素の含
有量により表わされるが、その含有量が層厚方向に亘っ
て不均一になる場合にはその平均含有量で表示される。

かかる■ａ族元素がｌｐｐｍ未満の場合には帯電能を向
上させることができず、１１０００ｐｐを超える場合に
は光励起キャリアの発生能力が劣り、光感度が低下する
。

また、第３の層領域（２ｃ）はＩＩＩａ族元素含有量と
ともに、その厚みでもって更に具体的に設定する。

即ち、第３の層領域（２ｃ）の厚みは０．０１〜３μｍ
、好適には０．１〜０．５μｍの範囲内に設定するとよ
く、この範囲内であれば高い光感度が得られ、残留電位
が低くなる。

上記ＩＩＩａ族元素にはＢ＋ＡＬＧａ、Ｉｎ等があるが
、Ｂが共有結合性に優れて半導体特性を敏感に変え得る
点で、その上、優れた帯電能並びに光感度が得られると
いう点で望ましい。

第２の層領域（２ｂ）はＩＩＩａ族元素を実質上含有し
ないか或いはＩＩＩａ族元素を２００ｐｐｍ以下の範囲
内で含有し、これにより、ｉ形半導体層となす。そして
、ａ−５ｉＣ光導電層（２）の主たるキャリア発生層で
ある。

第２の層領域（２ｂ）の厚みは０．０１〜３μｍ、好適
には０．１〜２μｍの範囲内に設定すればよく、この範
囲内であれば、高い光感度が得られ、残留電位が低くな
る。

上記の通り、ａ−５ｉＣ光導電層（２）にはｐ−１−ｎ
接合が形成され、そのため、この層（２）で発生したキ
ャリアのうち正孔は有機光半導体層（３）へ向かい、一
方、電子は基板（１）へ向かう。従って、負帯電型の電
子写真感光体となる。

このような負帯電型電子写真感光体においては、有機光
半導体層（３）に電子供与性化合物が選ばれ、この化合
物には例えば高分子量のものとして、ポリ−Ｎ−ビニル
カルバゾール、ポリビニルピレン、ポリビニルアントラ
セン、ピレン−ホルムアルデヒド縮重合体などがあり、
また、低分子量のものとしてオキサジアゾール、オキサ
ゾール、ビラプリン、トリフェニルメタン、ヒドラゾン
、１〜リアリールア旦ン、Ｎ−フェニルカルバゾール、
スチルベンなどがあり、この低分子物質は、ポリカーボ
ネート、ポリエステル、メタアクリル樹脂、ボリア旦ド
、アクリルエポキシ、ポリエチレン、フェノール、ポリ
ウレタン、ブチラール樹脂、ポリ酢酸ビニル、ユリア樹
脂などのバインダに分散されて用いる。

また、前記基板（１）には銅、黄銅、５ＩＩＳ　、ＡＩ
等の金属導電体、或いはガラス、セラミックス等の絶縁
体の表面に導電体薄膜をコーティングしたものがあり、
就中、ＡＩがコス１〜面並びにａ−３ｉＣ層との密着性
という点で有利である。

かくして本発明によれば、ａ−５ｉＣ光導電層にＶａ族
元素及びＩＩＩａ族元素が所定の範囲内で含有した層領
域を形成したことにより、表面電位及び残留電位が改善
され、光感度が高められる。

また本発明によれば、第１の層領域（２ａ）、第２の層
領域（２ｂ）並びに第３の層領域（２Ｃ）のそれぞれの
Ｃ元素含有量は層厚方向に亘って変化させてもよい。例
えば第６図〜第１０図に示す例があり、これらの図にお
いて、横軸は層厚方向であり、ａは第１の層領域（２ａ
）と基板の界面、ｂは第１の層領域（２ａ）と第２の層
領域（２ｂ）の界面、Ｃは第２の層領域（２ｂ）と第３
の層領域（２Ｃ）の界面、ｄは第３の層領域（２ｃ）と
有機光半導体Ｎ（３）の界面を表わし、また、縦軸ばＣ
元素含有量を表わす。

尚、第１の層領域（２ａ）、第２の層領域（２ｂ）又は
第３の層領域（２ｃ）の内部で層厚方向に亘ってＣ元素
含有量を変えた場合、そのＣ元素含有比率（Ｘ値）はそ
れぞれ層領域（２ａ）　（２ｂ）　（２ｃ）全体当たり
のＣ元素平均含有比率に対応する。

更にまた、本発明の電子写真感光体においては、第１の
層領域（２ａ）と第３の層領域（２ｃ）のそれぞれのＶ
ａ族元素含有量及び■ａ族元素含有量を層厚方向に亘っ
て変化させてもよい。その例を第１１図〜第１６図に示
す。特に第３の層領域（２ｃ）のＩＩＩａ族元素を有機
光半導体層（３）へ向けて漸次増大するように含有させ
ると残留電位を低減させるという点で望ましい。

これらの図において、横軸は層厚方向であり、ａは基板
（１）と第１の層領域（２ａ）の界面、ｂは第１の層領
域（２ａ）と第２の層領域（２ｂ）の界面、Ｃは第２の
層領域（２ｂ）と第３の層領域（２Ｃ）の界面、ｄは第
３の層領域（２ｃ）と有機光半導体層（３）の界面を表
わし、また、縦軸はＶａ族元素又は■ａ族元素のそれぞ
れの含有量を表わす。

このように第１の層領域（２ａ）又は第３の層領域（２
ｃ）で層厚方向に亘ってそれぞれＶａ族元素又は１１１
ａ族元素の含有量を変えた場合には、その元素含有量は
それぞれの層領域（２ａ）　（２ｃ）全体当たりの平均
含有量に対応する。

次に本発明電子写真感光体の製法を述べる。

ａ−３ｉＣ層を形成するにはグロー放電分解法、イオン
ブレーティング法、反応性スパッタリング法、真空蒸着
法、ＣＶＯ法などの薄膜形成方法がある。

グロー放電分解法を用いる場合、Ｓｉ元素含有ガスとＣ
元素含有ガスを組合せ、この混合ガスをプラズマ分解し
て底膜形成する。このＳｉ元素含有ガスには５ｉＨａＳ
ｉｚ１１６＋５ｉ３１１ａ＋５ｉＦｔ＋５ｉＣ１４，５
ｉｔｌＣ１：＋等々があり、また、Ｃ元素含有ガスには
Ｃｌ１ａ、ＣＪｔ、ＣｚＨ２、Ｃ３１１，等々があり、
就中、Ｃ２Ｈ２は高速成膜性が得られるという点で望ま
しい。

本実施例に用いられるグロー放電分解装置を第２図によ
り説明する。

図中、第１タンク（４）、第２タンク（５）、第３タン
ク（６）、第４タンク（７）、第５タンク（８）にはそ
れぞれ５ｉｌ１４＋　Ｃ２１１２１ＰＩｈ＋　８２１１
１．　（Ｐｌｈガス及び８２＋１６ガスはいずれも水素
ガスで希釈されている）及びＨ２が密封され、これらの
ガスは各々対応する第１調整弁（９）、第２調整弁（１
０）　、第３調整弁（１１）第４調製弁（１２）及び第
５調整弁（１３）を開放することにより放出される。そ
の放出ガスの流量はそれぞれマスフローコントローラ（
１４）　（１５）　（１６）　（１７）　（１８）によ
り制御され、各々のガスは混合されて主管（１９）へ送
られる。尚、（２０）　（２１）は止め弁である。

主管（１９）を通して流れるガスは反応管（２２）へ流
入するが、この反応管（２２）の内部には容量結合型放
電用電極（２３）が設置され、また、筒状の成膜用基板
（２４）が基板支持体（２５）の上に載置され、基板支
持体（２５）がモータ（２６）により回転駆動され、こ
れに伴って基板（２４）が回転する。そして、電極（２
３）に電力５０Ｗ　〜３　Ｋｕ、周波数１〜５０Ｍｔｌ
ｚの高周波電力を印加し、しかも、基板（２４）を適当
な加熱手段により約２００〜４００℃、好適には約２０
０〜３５０℃の温度に加熱する。また、反応管（２２）
は回転ポンプ（２７）と拡散ポンプク２８）に連結され
ており、これによってグロー放電による成膜形成時に所
要な真空状態（放電時のガス圧０．０１〜２．０Ｔｏｒ
ｒ）が維持される。

このような構成のグロー放電分解装置を用いて基板（２
４）の上にａ−３ｉＣ層を形成する場合、第１調整弁（
９）、第２調整弁（１，０）、第３調整弁（１１）及び
第５調整弁（１３）を開いて５ｉＨｔ、Ｃｚｌ＋ｚ、Ｐ
ｌｈ、Ｉｔ□の各々のガスを放出し、その放出量をマス
フローコントローラ（１４）　（１５）　（１６）　（
１８）により制御し、各々のガスは混合されて主管（１
９）を介して反応管（２２）へ流入する。そして、反応
管内部の真空状態、基板温度、電極印加用高周波電力を
それぞれ所定の条件に設定するとグロー放電が発生し、
ガスの分解に伴ってＰ元素含有のａ−３ｉＣ膜が基板上
に高速に形成する。

上述した通りの薄膜形成方法によりａ−５ｉＣ層を形成
すると、次に有機光半導体層を形成する。

有機光半導体層は浸漬塗工方法又はコーティング法によ
り形成する。前者は感光月が溶媒中に分敗された塗工液
の中に浸漬し、次いで、一定な速度で引上げ、そして、
自然乾燥及び熱エージング（約１５０°Ｃ１約１時間）
を行うという方法であり、また、後者のコーティング法
によれば、コーター（管機）を用いて、溶媒に分散され
た感光材を塗布し、次いで熱風乾燥を行う。

〔実施例〕

次に本発明の実施例を述べる。

（例１） 第２図のグロー放電分解装置を用いて、ＳｉＨ４ガスを
２００ｓｅｃｍの流量で、Ｏ□ガスを２７０ｓｅｃｍの
流量で、そして、Ｃ２Ｈ２ガスの流量を変化させ、また
、ガス圧を０．６Ｔｏｒｒ　、高周波電力を１５０Ｗ、
基板温度を２５０℃に設定し、グロー放電によってａ−
３ｉＣ膜（膜厚約１μｍ）を形成した。

このようにしてａ−５ｉＣ膜のカーボン含有比率を変え
、そして、膜中のカーボン量をＸＭＡ法により測定し、
また、光導電率及び暗導電率を測定したところ、第３図
に示す通りの結果が得られた。

第３図中、横軸はカーボン含有比率、即ちＳｉ】　６ ＸＣＸのＸ値であり、縦軸は導電率を表わし、○印は発
光波長５５０ｎｍ　（光量５０μＷ／ｃｍ２）の光に対
する光導電率のプロットであり、・印は暗導電率のプロ
ットであり、また、ａ、ｂはそれぞれの特性曲線である
。

更に上記各ａ−５ｉＣ膜について、その水素含有量を赤
外吸収測定法により求めたところ、第４図に示す通りの
結果が得られた。

第４図中、横軸は５ｌｌ−Ｘ　ＣｘのＸ値であり、縦軸
は水素含有量、即ち（Ｓｌ＋−ｘ　Ｃｘ　〕＋−ｙ　　
ｆｌｙのｙ値であり、○印はＳｉ原子に結合した水素量
のプロットであり、・印はＣ原子に結合した水素量のプ
ロットであり、また、ｃ、ｄはそれぞれの特性曲線であ
る。

第４図より明らかな通り、本例のａ−３ｉＣ膜はいずれ
もｙ値が０．３〜０．４の範囲内にあることが判る。

また、第３図より明らかな通り、カーボン含有比率Ｘが
０．２　＜　Ｘ　＜　０．５の範囲内であれば、高い光
導電性が得られるとともに光導電率と暗導電率の比率が
顕著に大きくなり、優れた光感度が得られることが判る
。

（例２） 次に本例においては、ＳｉＨ４ガスを２００ｓｅｃｍの
流量で、Ｃ２１１２ガスを２０ｓｅｃｍの流量で、Ｈｚ
ガスをＯ〜１０１０００ｓｅの流量で導入し、そして、
高周波電力を５０〜３００Ｗ、ガス圧を０．３〜１．２
Ｔｏｒｒに設定し、グロー放電によりａ−３ｉＣ膜（膜
厚約１μｍ　）を形威した。

かくして、カーボン含有比率Ｘを０．３に設定し、しか
も、水素含有量ｙを変化させた種々のａ−３ｉＣ膜を形
威し、各々の膜について光導電率及び暗導電率を測定し
たところ、第５図に示す通りの結果が得られた。

第５図中、横軸は水素含有量、即ち（Ｓｉ＋−ＸＣｘ）
＋−ｙ）Ｉｙのｙ値であり、縦軸は導電率を表わし、○
印は発光波長５５０ｎｍ　（光量５０μ−／ｃｍ”）の
光に対する光導電率のプロットであり、・印は暗導電率
のプロットであり、また、ｅ、ｆはそれぞれの特性曲線
である。

第５図より明らかな通り、ｙ値が０．２を超えた場合、
高い光導電率並びに低い暗導電率が得られたことが判る
。

（例３） グロー放電分解装置の反応管内部にアルミニウム製基板
（２５ｍｍ　ｘ　５０ｍｍ）を設置し、第１表に示ず成
膜条件により順次第１の層領域（２ａ）、第２の層領域
（２ｂ）及び第３の層領域（２Ｃ）を形威する。

次いで、ポリカーボネートにヒドラヅン系化合物を分散
させた有機光半導体層（ｌＩＭ厚約１ｓμｍ　）を形威
し、負帯電型の電子写真感光体とした。

そして、第２の層領域及び第３の層領域のそれぞれの８
元素含有量を、第１の層領域のＰ元素含有量を二次イオ
ン質量分析計により測定したところ、それぞれ順次４０
ｐｐｍ　、１１００ｐｐ、２０００ｐｐｍであった。

また、第１の層領域の炭素含有量（ｙ値）をＸＭＡ法に
より測定したところ、ｘ＝０．２３であり、その水素含
有量（ｙ値）を赤外吸収測定法により求めたところ、ｙ
＝０．３５であった。同様に、第２の層領域のｙ値及び
ｙ値を求めたところ、それぞれ０．３及び０．１７とな
り、第３の層領域のｙ値及びｙ値はそれぞれ０．３及び
０．４０であった。

かくして得られた電子写真感光体の特性評価を電子写真
特性測定装置により測定したところ、優れた光感度及び
表面電位が得られ、しかも、低い残留電位が得られた。

〔以下余白〕

（例４） また本発明者等は（例３）の電子写真感光体を製作する
に当たって、ｐＨ＋ガス流量と８２１１６ガス流量を変
化させ、これにより、第２表に示す通りに第１の層領域
のＰ元素含有量並びに第３の層領域のＢ元素含有量を変
え、そして、第２の層領域にＢ元素を１１）９ｍ含有さ
せた１４種類の電子写真感光体（感光体Ａ−Ｎ）を製作
した。

これらの電子写真感光体の光感度、表面電位並びに残留
電位を測定したところ、第２表に示す通りの結果が得ら
れた。

同表中、光感度は相対評価により◎印、○印及びΔ印の
三段階に区分し、◎印は最も優れた光感度が得られた場
合であり、○印は幾分優れた光感度が得られた場合であ
り、Δ印は他に比べてわずかに劣る光感度になった場合
である。

表面電位の特性評価も◎印、Ｏ印及びΔ印の三段階に区
分し、◎印は最も高い表面電位が得られた場合であり、
○印は幾分高い表面電位が得られた場合であり、Δ印は
他に比べて高い表面電位が認められなかった場合である
。

また、残留電位についても三段階に相対評価しており、
◎印は残留電位が最も小さくなった場合であり、○印は
残留電位の低下が幾分認められた場合であり、Δ印は他
に比べて残留電位の低減が認められなかった場合である
。

〔以下余白〕

第 表 第２表より明らかな通り、感光体Ｂ−Ｌは優れた光感度
が得られ、しかも、表面電位が高く、残留電位の低減が
認められた。

然るに感光体Ａは光感度及び残留電位が劣り、また、感
光体Ｍ及び感光体Ｎは光感度、表面電位並びに残留電位
のいずれの特性も改善されていないことが判る。

（例５） 本例においては、（例３）に電子写真感光体を製作する
に当たり、第２の層領域（２ｂ）の■ａ族元素含有量を
第３表に示す通りに変え、これにより、６種類の電子写
真感光体（感光体０〜Ｔ）を製作した。

〔以下余白〕

第 表 第３表より明らかな通り、感光体Ｏ−Ｓは優れた光感度
が得られ、しかも、表面電位が高く、残留電位の低減が
認められた。

（例６） 本発明者等は（例３）の電子写真感光体を製作するに当
たり、第３の層領域（２ｃ）のＩＩＩａ族元素を成膜形
成に伴って６００　＝　１２００ｓｅｃｍに連続的かつ
漸次堆大させた。

かくして得られた電子写真感光体の残留電位を測定した
ところ、約２０χ低下した。

〔発明の効果〕

以上の通り、本発明の電子写真感光体によれば、ａ−３
＋Ｃ光導電層の内部にＶａ族元素とＩ［Ｉａ族元素を所
定の範囲内で含有された各層領域を形成したことにより
優れた光感度が得られ、表面電位を高め、しかも、残留
電位を低減させることができた。

また、この電子写真感光体によれば、ａ−５ｉＣ光導電
層が基板に対して非オー乏ツク接触であり、これにより
、整流機能が高められ、高い表面電位並びに低い残留電
位の負帯電用電子写真感光体が提供できた。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明電子写真感光体の層構成を表わす断面図
、第２図は実施例に用いられるグロー放電分解装置の概
略図、第３図はカーボン含有比率と導電率の関係を示す
線図、第４図はカーボン含有比率と水素含有量の関係を
示す線図、第５図は水素含有量と導電率の関係を示す線
図であり、また、第６図、第７図、第８図、第９図及び
第１０図はアモルファスシリコンカーバイド光導電層の
層厚方向に亘るカーボン含有量を表わす線図である。そ
して、第１１図、第１２図、第１３図、第１４図、第１
５図及び第１６図はアモルファスシリコンカーバイド光
導電層の層厚方向に亘るＶａ族元素含有量及び■ａ族元
素含有量を表わす線図である。 １・・・導電性基板 ２・・・アモルファスシリコンカーバイド光導電層 ２ａ・・・第１の層領域 ２ｂ・・・第２の層領域 ２ｃ・・・第３の層領域 ３・・・有機光半導体層 特許出願人　（６６３）京セラ株式会社代表者　　安　
城　欽　寿 同　　　河村孝夫

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）導電性基板上にアモルファスシリコンカーバイド
   光導電層と有機光半導体層が順次積層された電子写真感
   光体において、前記アモルファスシリコンカーバイド光
   導電層が第１の層領域、第２の層領域及び第３の層領域
   が順次形成された層構成であり、第１の層領域に周期律
   表第Ｖａ族元素を０〜５０００ｐｐｍ含有させ、第２の
   層領域に周期律表第IIIａ族元素を０〜２００ｐｐｍ含
   有させ、第３の層領域に周期律表第IIIａ族元素を１〜
   １０００ｐｐｍ含有させ、更に第１の層領域の厚みを０
   ．０１〜３μｍの範囲内に、第２の層領域の厚みを０．
   ０１〜３μｍの範囲内に、第３の層領域の厚みを０．０
   １〜３μｍの範囲内に設定したことを特徴とする電子写
   真感光体。
2. （２）第３の層領域に周期律表第IIIａ族元素を有機光
   半導体層へ向けて漸次増大するように含有させた請求項
   （１）記載の電子写真感光体。