JPS5870235A - 感光体の製造方法 - Google Patents
感光体の製造方法Info
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- JPS5870235A JPS5870235A JP16977481A JP16977481A JPS5870235A JP S5870235 A JPS5870235 A JP S5870235A JP 16977481 A JP16977481 A JP 16977481A JP 16977481 A JP16977481 A JP 16977481A JP S5870235 A JPS5870235 A JP S5870235A
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- photoreceptor
- vapor
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/043—Photoconductive layers characterised by having two or more layers or characterised by their composite structure
- G03G5/0433—Photoconductive layers characterised by having two or more layers or characterised by their composite structure all layers being inorganic
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はセレン（Ｓｅ ）層、セレンテルル（ＳｅＴｅ
）層、セレン層を順次積層してなる感光体の製造方法に
関する。
）層、セレン層を順次積層してなる感光体の製造方法に
関する。
従来、半導体レーザプリンタなど長波長に高感度な感光
体として、アルン（Ａｎ）基体上ＫＳｅ／８＠Ｔ・／Ｓ
・を順次積層した感光体が提案されているが、この感光
体を通常の電子写真プロセスで繰返し使石すると、とく
に長波長光で露光工程を行うと感光体内部にキャリヤが
蓄積し、いわゆる光疲労によシ初期帯電能力が劣化する
。
体として、アルン（Ａｎ）基体上ＫＳｅ／８＠Ｔ・／Ｓ
・を順次積層した感光体が提案されているが、この感光
体を通常の電子写真プロセスで繰返し使石すると、とく
に長波長光で露光工程を行うと感光体内部にキャリヤが
蓄積し、いわゆる光疲労によシ初期帯電能力が劣化する
。
こうした内部電荷は蹄状ＩＩ（ＩＩＩ光工程前）で帯電
電荷と結合するため印字のとき残倫を生じ印字員度の低
下をきたす。
電荷と結合するため印字のとき残倫を生じ印字員度の低
下をきたす。
本発明の目的は半導体レーザのような長波長の光を露光
に用い良電子写真用感光体に供されるＳｅ層 Ｓ ＠
Ｔ ｅ ／ Ｓ・積層感光体通常のカールソンプロセス
で安定に機能するように最上層のＢｅ層の製造方法を提
供することにある。
に用い良電子写真用感光体に供されるＳｅ層 Ｓ ＠
Ｔ ｅ ／ Ｓ・積層感光体通常のカールソンプロセス
で安定に機能するように最上層のＢｅ層の製造方法を提
供することにある。
Ｓ・／５ｅＴｅ／Ｓ・積層感光体の最上層のＳ・として
要求される性質としては第１図に示すように。
要求される性質としては第１図に示すように。
露光源として半導体レーザを用いる場合つｔｂ。
長波長光の場合、電子に対して輸送性を有すること、を
九可視光である複写光の場合には正孔に対して輸送性を
有することである。Ｓ・は正孔輸送性であることはこれ
まで知られ実際に正帯電で利用されているが、半導体レ
ーザ光と可視光である複写光を併用する場合、電子輸堺
性にすることも必要である。
九可視光である複写光の場合には正孔に対して輸送性を
有することである。Ｓ・は正孔輸送性であることはこれ
まで知られ実際に正帯電で利用されているが、半導体レ
ーザ光と可視光である複写光を併用する場合、電子輸堺
性にすることも必要である。
本発明では最上層のＳｅｔ蒸着技術で形成するにあたっ
て。基板温度を低温に維持することによって、非晶質膜
の構造を変化させ、膜内のキャリヤである電子、正孔濃
度分布を変化せし絶、より電子伝導性にし′た。さらに
膜内の電子トラップは蒸着速度を緩やかにすることによ
って大巾に減少させた。
て。基板温度を低温に維持することによって、非晶質膜
の構造を変化させ、膜内のキャリヤである電子、正孔濃
度分布を変化せし絶、より電子伝導性にし′た。さらに
膜内の電子トラップは蒸着速度を緩やかにすることによ
って大巾に減少させた。
実施例
アルミニウム基板上に基板温度６５℃でＳｓを５０声ｍ
の厚さに蒸着し、その上に５ｅＴｅを２μｍ蒸着した。
の厚さに蒸着し、その上に５ｅＴｅを２μｍ蒸着した。
このようにして基板上に得られた蒸着膜を恒温槽で７０
℃３０分のボストベーク丸環した。こうして得られたＳ
ｅ ／ Ｓ ｅ Ｔ ｅ ２層感光体上にさらにＳｅ
の２μｍ程度の層を基板温度４５℃、蒸着送度０．２μ
ｍ／分によって設けえ。
℃３０分のボストベーク丸環した。こうして得られたＳ
ｅ ／ Ｓ ｅ Ｔ ｅ ２層感光体上にさらにＳｅ
の２μｍ程度の層を基板温度４５℃、蒸着送度０．２μ
ｍ／分によって設けえ。
比較試料として、基板温度を６０℃に保持して前述の上
層Ｓ・を形成した屯のをつくった。
層Ｓ・を形成した屯のをつくった。
このようにして得た感光体を第２図に示すような１回転
ドラムの表面に設けて感光体ドラムとし。
ドラムの表面に設けて感光体ドラムとし。
同図に示す通常のカールソンプロセスと呼ばれる電子写
真プロセスによシ、感光体の特性の試験を行った。
真プロセスによシ、感光体の特性の試験を行った。
まず感光体ドラムＤの表面に帯電器ＴＩで一様帯電を施
し、露光部して半導体レーザ又は可視光である複写光に
より露光を行う。そして電位計にで感光体ドラム表面の
霧光部および非露光部の電位を御］定した彼、現像器Ｇ
で現像してトナー像を得、転写部Ｃでこれを記録紙Ｐに
転写する。
し、露光部して半導体レーザ又は可視光である複写光に
より露光を行う。そして電位計にで感光体ドラム表面の
霧光部および非露光部の電位を御］定した彼、現像器Ｇ
で現像してトナー像を得、転写部Ｃでこれを記録紙Ｐに
転写する。
感光体ドラム表面に残留する現像剤を除去すべくコロナ
帯電器Ｔ １ ｅ 除電２ンプＲで現像剤および感光体
ドラム表面の電荷を中和し、クリーナＳで残留現像剤を
除去する。
帯電器Ｔ １ ｅ 除電２ンプＲで現像剤および感光体
ドラム表面の電荷を中和し、クリーナＳで残留現像剤を
除去する。
この後再び帯電器ＴＩで感光体ドラム表面に一様帯電を
行う。
行う。
このようにして前述の本発明に係る感光体の特性を測定
した結果、波長が７８ｏｎの半導体レーザに対する記録
エネルギーは３ｐＪ／ｃｄであり複写光に対してＦｉ２
ルックスｅ秒ｍｍで記録される。
した結果、波長が７８ｏｎの半導体レーザに対する記録
エネルギーは３ｐＪ／ｃｄであり複写光に対してＦｉ２
ルックスｅ秒ｍｍで記録される。
そして、電位計にで測定した感光体ドラム表面の非露光
部の電位（帯電電位）と、露光部の電位（残留電位）を
測定し九結果Ｉｉ３図に黒丸で示すように前述の比較試
料の特性（白丸で示す。）に比して特性が改善されてい
ることが判る。
部の電位（帯電電位）と、露光部の電位（残留電位）を
測定し九結果Ｉｉ３図に黒丸で示すように前述の比較試
料の特性（白丸で示す。）に比して特性が改善されてい
ることが判る。
第４図は蒸着による感光体形成時の基−の湿度を変化さ
せたときにそれぞれ得られる感光体を用いて第２図に示
し九装置により帯電電位の測定結果を示す。最上層Ｓｅ
層の蒸着速度は０．１μｍ／分である。−図から明らか
なように基板温度が６０℃以下ではカールソンプロセス
の繰返しに伴う感光体ドラム表面の帯電電位の低下ΔＶ
は比較的少い。なおΔＶが゛１００ｖ以上になると、再
生像にトナームラが生じ品質が悪く実用的ではない。
せたときにそれぞれ得られる感光体を用いて第２図に示
し九装置により帯電電位の測定結果を示す。最上層Ｓｅ
層の蒸着速度は０．１μｍ／分である。−図から明らか
なように基板温度が６０℃以下ではカールソンプロセス
の繰返しに伴う感光体ドラム表面の帯電電位の低下ΔＶ
は比較的少い。なおΔＶが゛１００ｖ以上になると、再
生像にトナームラが生じ品質が悪く実用的ではない。
第５図は感光体の最上層Ｓｅ層形成時の蒸着速度をかえ
たとき得られるりそれぞれの感光体を用いた感光ドラム
を用い九ときの帯電電位の変化ΔＶを示すもので、蒸着
速度が０．５μｍ／分以下の場合、露光波長７７０ｍ、
１００ＯＶＯ初期帯電のカールソンプロセス工程の２５
０回の繰返し後の帯電電位の変化が少く東好な感光体が
得られることが判る。
たとき得られるりそれぞれの感光体を用いた感光ドラム
を用い九ときの帯電電位の変化ΔＶを示すもので、蒸着
速度が０．５μｍ／分以下の場合、露光波長７７０ｍ、
１００ＯＶＯ初期帯電のカールソンプロセス工程の２５
０回の繰返し後の帯電電位の変化が少く東好な感光体が
得られることが判る。
第６図は感光体を前述の蒸着技術によって基板上ＫＳ・
層、５ｅＴｅ層形成後に行う熱処Ｉｌ（つまシ、蒸着で
最上層Ｓｓ層形成前に一定の処理温度で、恒温槽中で保
管すること。）の処理温度と。
層、５ｅＴｅ層形成後に行う熱処Ｉｌ（つまシ、蒸着で
最上層Ｓｓ層形成前に一定の処理温度で、恒温槽中で保
管すること。）の処理温度と。
感光体ドラムの帯電電位の関係を示す図であって処理温
度が６０℃〜８０℃の間では帯電電位が大きくなってい
ることが判る。
度が６０℃〜８０℃の間では帯電電位が大きくなってい
ることが判る。
これＦｉ８０℃以上の高温では下層Ｓｅ層、 ５ｅＴｅ
層が結晶化し結晶中の電子が感光体ドラムの正の帯電電
荷と結合するため帯電電位が低下するためであり、６０
℃以下では下層Ｓｓ層、５ｅＴｅ層中の電子が正孔に比
して過剰になりこの電子が感光体ドラム表面の帯電電荷
と結合するためと考えられる。
層が結晶化し結晶中の電子が感光体ドラムの正の帯電電
荷と結合するため帯電電位が低下するためであり、６０
℃以下では下層Ｓｓ層、５ｅＴｅ層中の電子が正孔に比
して過剰になりこの電子が感光体ドラム表面の帯電電荷
と結合するためと考えられる。
以上の説明から明らかなように本発明に係る感光体の製
造方法は基板上の最上層Ｓ・膚を６０℃以下の基板温度
で、０．５μｍ／分の蒸着速度で形成するため感光体の
光疲労が少く良質の再生像が得られる利点がある。
造方法は基板上の最上層Ｓ・膚を６０℃以下の基板温度
で、０．５μｍ／分の蒸着速度で形成するため感光体の
光疲労が少く良質の再生像が得られる利点がある。
第１図は感光体の構成図、第２図はカールソンプロセス
を説明する図、第３図〜ｍ６図は本発明に係る感光体の
特性を示す図である。 ＴＩ ＝帯電器、Ｌ：露光部、に：電位声。 Ｃ：転零部、Ｇ：現儂器、Ｄ＝感光体ドラム０第 １
図 箔ン図 第 ４ 図 基板５１度（°Ｃ） （Ａ）ＡＶ−Ｌ慣にψＵ鼾鼻息費
を説明する図、第３図〜ｍ６図は本発明に係る感光体の
特性を示す図である。 ＴＩ ＝帯電器、Ｌ：露光部、に：電位声。 Ｃ：転零部、Ｇ：現儂器、Ｄ＝感光体ドラム０第 １
図 箔ン図 第 ４ 図 基板５１度（°Ｃ） （Ａ）ＡＶ−Ｌ慣にψＵ鼾鼻息費
Claims (2)
- （１） 基板上にセレン（８゛・）層、セレンテルル
（Ｓ０Ｔｅ）層、最上層のセレン層を順次積層してなる
感光体の製造方法において、前記最上層のＢｅ層を６０
℃以下の基板温度て、ｉＴｈつ、０，５μｍ／分以下の
蒸着速度で蒸着して形成することを特徴とする感光体の
製造方法。 - （２）前記基板上に前記Ｓｅ層、８＠Ｔ・層を順次形成
後、前記最上層のＢｅを形成する前に大気中で６０℃〜
８０℃の範囲内の温度でボストベークをすることを特徴
とする特許請求の範１１１１（１）項に記載の感光体の
製造方法〇
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16977481A JPS5870235A (ja) | 1981-10-23 | 1981-10-23 | 感光体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16977481A JPS5870235A (ja) | 1981-10-23 | 1981-10-23 | 感光体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5870235A true JPS5870235A (ja) | 1983-04-26 |
| JPS647381B2 JPS647381B2 (ja) | 1989-02-08 |
Family
ID=15892608
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16977481A Granted JPS5870235A (ja) | 1981-10-23 | 1981-10-23 | 感光体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5870235A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6437563A (en) * | 1987-08-03 | 1989-02-08 | Ricoh Kk | Method for stabilizing characteristic of electrophotographic sensitive body |
-
1981
- 1981-10-23 JP JP16977481A patent/JPS5870235A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6437563A (en) * | 1987-08-03 | 1989-02-08 | Ricoh Kk | Method for stabilizing characteristic of electrophotographic sensitive body |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS647381B2 (ja) | 1989-02-08 |
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