JP6831360B2 - 洗浄装置及び洗浄方法 - Google Patents
洗浄装置及び洗浄方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6831360B2 JP6831360B2 JP2018206420A JP2018206420A JP6831360B2 JP 6831360 B2 JP6831360 B2 JP 6831360B2 JP 2018206420 A JP2018206420 A JP 2018206420A JP 2018206420 A JP2018206420 A JP 2018206420A JP 6831360 B2 JP6831360 B2 JP 6831360B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- cleaning
- nozzle
- cleaning liquid
- liquid
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 title claims description 720
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 17
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 623
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 412
- 239000007921 spray Substances 0.000 claims description 236
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 62
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 claims description 35
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims description 33
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 14
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 155
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 139
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 26
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 26
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 25
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 21
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 17
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 15
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 13
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 12
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 11
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 10
- 238000007790 scraping Methods 0.000 description 10
- 229910021642 ultra pure water Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000012498 ultrapure water Substances 0.000 description 10
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 8
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 7
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 7
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 7
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N citric acid Chemical compound OC(=O)CC(O)(C(O)=O)CC(O)=O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 6
- 230000009471 action Effects 0.000 description 5
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 5
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 3
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 3
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 3
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000012487 rinsing solution Substances 0.000 description 3
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 3
- 230000007480 spreading Effects 0.000 description 3
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 3
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 239000003814 drug Substances 0.000 description 2
- 229940079593 drug Drugs 0.000 description 2
- 239000008151 electrolyte solution Substances 0.000 description 2
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 2
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 description 2
- 235000006408 oxalic acid Nutrition 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 2
- -1 and for example Substances 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 description 1
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 238000005201 scrubbing Methods 0.000 description 1
- 239000007779 soft material Substances 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
- B08B3/02—Cleaning by the force of jets or sprays
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
- H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
-
- B08B1/143—
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B13/00—Accessories or details of general applicability for machines or apparatus for cleaning
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
- B08B3/02—Cleaning by the force of jets or sprays
- B08B3/024—Cleaning by means of spray elements moving over the surface to be cleaned
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02041—Cleaning
- H01L21/02057—Cleaning during device manufacture
- H01L21/02068—Cleaning during device manufacture during, before or after processing of conductive layers, e.g. polysilicon or amorphous silicon layers
- H01L21/02074—Cleaning during device manufacture during, before or after processing of conductive layers, e.g. polysilicon or amorphous silicon layers the processing being a planarization of conductive layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
- H01L21/67046—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly scrubbing means, e.g. brushes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02041—Cleaning
- H01L21/02057—Cleaning during device manufacture
Description
図2(a)は、第1の実施の形態の洗浄装置における基板と単管ノズルとの位置関係を示す平面図であり、図2(b)は、図2(a)の正面図である。図2(a)及び(b)は、平置き基板表面への単管ノズルによる洗浄液供給を示している。洗浄液供給ノズルとしての単管ノズル41は、基板Wの上方であって基板Wの上部空間の外側から基板Wの表面(上面)に向けてリンス液Lを吐出する。即ち、単管ノズル41は、基板Wの表面に対して斜め上からリンス液Lを供給する。リンス液Lは、超純水(DIW)であっても、水素水等の機能水であってもよい。
図3(a)は、第2の実施の形態の洗浄装置における基板と単管ノズルと噴霧ノズルとの位置関係を示す平面図であり、図3(b)は、図3(a)の正面図である。図3(a)及び(b)は、平置き基板表面への単管ノズル及び噴霧ノズルによる洗浄液供給を示している。洗浄液供給ノズルとしての単管ノズル41は、第1の実施の形態と同様に構成される。本実施の形態では、第1の実施の形態に対してさらに、洗浄液供給ノズルとして噴霧ノズル42が追加されている。単管ノズル41によるリンス液L1の吐出と、噴霧ノズル42によるリンス液L2の噴霧とは同時に行われる。
図4(a)は、第3の実施の形態の洗浄装置における基板と2つの単管ノズルとの位置関係を示す平面図であり、図4(b)は、図4(a)の正面図である。図4(a)及び(b)は、平置き基板表面への2つの単管ノズルによる洗浄液供給を示している。第1の単管ノズル41は、第1の実施の形態と同様に構成される。本実施の形態では、第1の実施の形態に対してさらに第2の単管ノズル43が追加されている。単管ノズル41によるリンス液L1の吐出と、単管ノズル43によるリンス液L3の吐出とは同時に行われる。図4(b)に示すように、単管ノズル43は、基板Wの上方であって基板Wの上部空間の外側から基板Wの表面(上面)に向けてリンス液L3を吐出する。即ち、単管ノズル43は、基板Wの表面に対して斜め上からリンス液L3を供給する。
図6(a)は、第4の実施の形態の洗浄装置における基板と噴霧ノズルとの位置関係を示す平面図であり、図6(b)は、図6(a)の正面図である。図6(a)及び(b)は、平置き基板表面への噴霧ノズルによる洗浄液供給を示している。図6(a)及び(b)に示すように、噴霧ノズル44は、基板Wの上方であって基板Wの上部空間の外側から基板Wの表面(上面)に向けてリンス液L4を噴霧する。即ち、噴霧ノズル44は、基板Wの表面に対して斜め上からリンス液L4を供給する。本実施の形態の噴射ノズル44からはリンス液La4が扇状に広がって噴霧されるが、噴射ノズル44は、この噴霧されたリンス液La4において流量(噴霧量)が最大となる方向が噴霧されたリンス液La4の中心からずれている非対称扇状噴射ノズルである。
図10は、本発明の第5の実施の形態の洗浄装置の平面図である。図10では、スピンドルは図示を省略している。洗浄装置には、洗浄液としてリンス液を吐出する単管ノズル61と、洗浄液として薬液を吐出する単管ノズル63とが備えられている。単管ノズル61、63は、基板Wの上方であって基板Wの上部空間の外側から基板Wの表面(上面)に向けて洗浄液を吐出する。即ち、単管ノズル61、63は、基板Wの表面に対して斜め上から洗浄液を供給する。リンス液は、超純水(DIW)であっても、水素水等の機能水であってもよい。薬液には電解液(pH7付近の溶液)以外の溶液(酸性薬液または弱アルカリ性薬液)を用いる。酸性薬液としては、例えばクエン酸またはシュウ酸などの有機酸が用いられ、弱アルカリ性薬液としては、例えば有機アルカリが用いられる。
第6の実施の形態の説明に先立って、第6の実施の形態の洗浄装置で解決される従来の問題を説明する。図11は、基板上の各エリアを説明するための平面図である。図11に示すように、基板Wの回転中心OWを通り、上部ロール洗浄部材52の回転軸ORと直交する直線をX軸とし、上部ロール洗浄部材52の回転軸ORに沿った直線をY軸とする。上部ロール洗浄部材52は、正面視で時計回り方向に回転(自転)し、基板Wは平面視で時計回り方向に回転している。
本発明の第7の実施の形態も第6の実施の形態と同様の課題を解決することを目的とする。図18は、本発明の第7の実施の形態におけるロール洗浄装置の平面図であり、図19は、図18のA−A’断面図であり、図20は、図19の部分拡大図であり、図21は、図18のB−B’断面図である。図18に示すように、ロール洗浄装置は、4つの噴霧ノズル71〜74を備えている。噴霧ノズル71〜74は、いずれも円錐状に洗浄液を噴霧するノズルである。噴霧ノズル71〜74は、いずれも基板Wのロール巻込み側エリアに洗浄液を供給する。噴霧ノズル71、74は洗浄液としてリンス液を噴霧し、噴霧ノズル72、73は洗浄液として薬液を噴霧する。噴霧ノズル71、74から噴霧されたリンス液の着水エリアは、それぞれ上部ロール洗浄部材52にまで達しており、一部のリンス液は上部ロール部材52に直接噴霧される。なお、噴霧ノズル71〜74として、円錐状に洗浄液を噴霧するノズルの代わりに、扇状にリンス液を噴霧するノズルや流量(噴霧量)が最大となる方向が噴霧されたリンス液の中心からずれている非対称扇状噴射ノズルを採用することもできる。
本発明の第8の実施の形態も第7の実施の形態と同様の課題を解決することを目的とする。図22は、本発明の第8の実施の形態におけるロール洗浄装置の平面図であり、図23は図22のA−A’断面図である。図22に示すように、ロール洗浄装置は、2つの噴霧ノズル62、64を備えている。噴霧ノズル62、64は、基板Wのロール巻き込み側エリアに薬液を噴霧する。噴霧ノズル62、64は、いずれも第4の実施の形態で説明した非対称扇状噴射ノズルである。それらの噴霧量最大方向621、641は、平面視でいずれも基板Wの中心Oに向けられている。この噴霧量最大方向621、641の間の角度は約90度とされるが、これに限定されるものではない。
図25は、本発明の第9の実施の形態における洗浄装置の平面図である。図25では、スピンドル51、支柱56、及びアーム57は図示を省略している。また、上述のようにペンシル洗浄部材58の移動軌跡は、アーム57を半径とする円弧状となるが、アーム57が十分に長い場合には、ペンシル洗浄部材58の軌跡はほぼ直線状とみることができるので、図25では、ペンシル洗浄部材58の移動軌跡を直線で示している。また、図25では、基板Wは反時計回りに回転している。
図26は、本発明の第10の実施の形態における洗浄装置の平面図である。本実施の形態では、単管ノズル81、82及び噴霧ノズル83の平面視での配置のみが第9の実施の形態と異なっており、その他の構成は第9の実施の形態と同様である。本実施の形態では、単管ノズル81、83は、噴霧ノズル82、84よりも基板Wの回転方向の上流側に設けられる。単管ノズル81、83は、第9の実施の形態と同様に、その吐出方向811、831が平面視で基板Wの中心Oに向けられる。また、噴霧ノズル82の噴霧量最大方向821が平面視で基板Wの中心Oに向けられる。
図27は、本発明の第11の実施の形態における洗浄装置の平面図であり、図28は、アーム57の長手方向を横から見た図である。本実施の形態の洗浄装置では、アーム57の先端部にペンシル洗浄部材58が支持されている。ペンシル洗浄部材58は、基板Wに垂直な中心軸周りに自転するとともに、アーム57の回動によって基板Wの中心から外周にかけて、基板Wの上面に摺接しながら移動することで、基板Wの上面を洗浄する。基板Wの外周の外側には、洗浄液としてリンスを吐出する単管ノズル81と、洗浄液としてリンス液を噴霧する噴霧ノズル82と、洗浄液として薬液を噴霧する噴霧ノズル84が、第9の実施の形態(図25参照)と同様の配置で設けられている。
図30は、本発明の第12の実施の形態における洗浄装置の平面図であり、図31は、図30の部分拡大図であり、図32は、アーム57の長手方向を横から見た図である。本実施の形態の洗浄装置では、アーム57の先端部に二流体ジェット(2FJ)ノズル59が支持されている。また、本実施の形態でも、アーム57には洗浄液として薬液を噴霧するオンアームの噴霧ノズル86が設けられている。
図34は、本発明の第13の実施の形態における洗浄装置の平面図であり、図35は、図34の部分拡大図であり、図36は、アーム57の長手方向を横から見た図である。本実施の形態の洗浄装置においても、第12の実施の形態と同様に、アーム57の先端部に2FJノズル59が設けられている。また、本実施の形態でも、第12の実施の形態と同様に、アーム57には洗浄液として薬液を噴霧するオンアームの噴霧ノズル87が設けられている。
図38は、本発明の第14の実施の形態における洗浄装置の平面図である。本実施の形態の洗浄装置では、アーム57の先端部に2FJノズル59が設けられているが、オンアームの洗浄ノズルは設けられていない。基板Wの外側に、洗浄液として薬液を吐出する単管ノズル83が設けられている。この単管ノズル83は、上記の実施の形態と同様に、薬液が基板Wの中心の手前に着水して、着水した薬液が基板Wの中心に向けて流れるように薬液を吐出する。これによって、基板Wの中心付近で薬液の液流が形成されて、基板Wの中心付近で薬液が淀むことがなくなる。
図40は、本発明の第15の実施の形態における洗浄装置の側面図である。本実施の形態でも、一端が支柱56に回転可能に支持されるアーム57の他端側(先端部)に、2FJノズル59が設けられる。この2FJノズル59’は、上記の実施の形態のように鉛直方向に向けられるのではなく、基板Wの半径方向の外側に向かって傾いて設けられる。
図41は、本発明の第16の実施の形態の洗浄装置の斜視図である。本実施の形態のペンシル洗浄装置80’は、図24を参照して説明したペンシル洗浄装置80と同様に、基板回転機構として4本のスピンドル51と、昇降可能な鉛直方向に延びる支柱56と、一端が支柱56の先端部に回転可能に取り付けられ、水平方向に延びるアーム57と、アーム57の他端の下面に回転可能に取り付けられた円柱状のペンシル洗浄部材58を備えている。
12 ロードポート
14a〜14d 研磨ユニット
16 第1洗浄ユニット
18 第2洗浄ユニット
20 乾燥ユニット
22 第1搬送ロボット
24 搬送ユニット
26 第2搬送ロボット
41、43 単管ノズル
42、44、45 噴霧ノズル
50 ロール洗浄装置
51 スピンドル
51a コマ
52 上部ロール洗浄部材(ロールスポンジ)
53 下部ロール洗浄部材(ロールスポンジ)
54、55 洗浄液供給ノズル
56 支柱
57 アーム
58 ペンシル洗浄部材
59、59’ 二流体ジェットノズル
61、63 単管ノズル
62、64 噴霧ノズル
66、67 噴霧ノズル
71〜74 噴霧ノズル
80、80’ ペンシル洗浄装置
81、83 単管ノズル
82、84 噴霧ノズル
85、86、87 噴霧ノズル(オンアーム)
88 洗浄液供給ノズル(二段)
Claims (9)
- 基板を保持して回転させる基板回転機構と、
前記基板回転機構に保持された前記基板に向けて第1の洗浄液を吐出する第1の単管ノズルと、
アームの先端に支持され、前記アームの回動によって前記基板の中心から外周にかけて移動する際であって基板洗浄時に、その中心軸を回転軸として平面視で前記基板回転機構によって回転する基板と同じ回転方向に駆動機構によって自転するペンシル洗浄部材と、
前記アームの先端に設けられ、前記ペンシル洗浄部材の近傍で前記基板に第2の洗浄液を供給するオンアームの洗浄液供給ノズルと、
を備え、
前記第2の洗浄液を供給するとともにペンシル洗浄部材を基板に接触させながらアームを回動させる際に、前記第1の単管ノズルは、前記第1の洗浄液が前記基板の中心の手前に着水して、着水した前記第1の洗浄液が平面視で第1の単管ノズルの供給方向と一致する方向に前記基板の上面を前記基板の中心に向けて直線状に進んで流れるように前記第1の洗浄液を吐出し、前記第1の単管ノズルから吐出された前記第1の洗浄液の着水後の前記基板の上面における液流の液束が前記基板の中心を直線状に進んで通過するように構成したことを特徴とする洗浄装置。 - 前記アームを前記基板の中心から基板の周縁へと移動すると同時に、前記単管ノズルから第1の洗浄液及び前記オンアームノズルから第2の洗浄液をそれぞれ回転する基板上に供給しながら前記ペンシル洗浄部材を前記回転する基板に接触させて前記基板をスクラブ洗浄するように、前記基板回転機構による基板の回転、前記第1の単管ノズルからの第1の洗浄液の吐出、前記洗浄液供給ノズルからの第2の洗浄液の供給及び前記アームの移動を制御するための制御装置をさらに備えたことを特徴とする、請求項1記載の洗浄装置。
- 前記ペンシル洗浄部材及び前記基板がともに反時計回りに回転するように構成されたことを特徴とする、請求項1記載の洗浄装置。
- 前記オンアームの洗浄液供給ノズルは、基板面に対して傾斜して設けられたことを特徴とする、請求項1記載の洗浄装置。
- 前記第1の単管ノズルは、さらに、第1の洗浄液を基板の外周の地点と基板中心を過ぎた基板中心付近の地点とを通過する前記ペンシル洗浄部材の移動軌跡より前記基板の回転方向の上流側に着水させるように、前記移動軌跡を挟んで前記アームの反対側に配置されたことを特徴とする請求項1記載の洗浄装置。
- 前記第1の単管ノズルは、さらに、第1の洗浄液を前記ペンシル洗浄部材の移動軌跡より前記基板の回転方向の下流側に着水させるように配置されたことを特徴とする請求項1記載の洗浄装置。
- 基板を保持して前記基板の中心軸を回転軸として前記基板を回転させる基板回転機構と、
前記基板回転機構に保持された前記基板の上面に向けて第2の洗浄液を扇形状に噴霧する噴霧ノズルと、
を備え、
前記噴霧ノズルにおいて噴霧量が最大となる噴霧量最大方向は、噴霧中心から前記基板の中心寄りにずれていることを特徴とする洗浄装置。 - 基板を基板回転機構に保持させて回転させ、
前記基板回転機構に保持された前記基板に向けて第1の単管ノズルから第1の洗浄液を吐出し、
アームの先端に支持され、その中心軸を回転軸として平面視で前記基板回転機構によって回転する基板と同じ回転方向に自転するペンシル洗浄部材を基板に接触させ、前記アームの先端に設けられたオンアームの洗浄液供給ノズルから、前記ペンシル洗浄部材の近傍で前記基板に第2の洗浄液を供給しながら前記アームの回動によって前記ペンシル洗浄部材を前記基板の中心から外周にかけて移動させ、
前記アームを回動させる際に、前記第1の単管ノズルは、前記第1の洗浄液が前記基板の中心の手前に着水して、着水した前記第1の洗浄液が平面視で第1の単管ノズルの供給方向と一致する方向に前記基板の上面を前記基板の中心に向けて流れるように前記第1の洗浄液を吐出し、前記第1の単管ノズルから吐出された前記第1の洗浄液の着水後の前記基板の上面における液流の液束が前記基板の中心を直線状に進んで通過するようにしたことを特徴とする基板洗浄方法。 - 基板を基板回転機構に保持させて前記基板の中心軸を回転軸として前記基板を回転させ、
前記基板の上面に向けて噴霧ノズルから洗浄液を扇形状に噴霧する
基板洗浄方法において、
前記噴霧ノズルにおいて噴霧量が最大となる噴霧量最大方向は、噴霧中心から前記基板の中心寄りにずれていることを特徴とする基板洗浄方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2020192856A JP6964745B2 (ja) | 2014-04-01 | 2020-11-19 | 洗浄装置及び洗浄方法 |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014075712 | 2014-04-01 | ||
JP2014075712 | 2014-04-01 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015042868A Division JP6600470B2 (ja) | 2014-04-01 | 2015-03-04 | 洗浄装置及び洗浄方法 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020192856A Division JP6964745B2 (ja) | 2014-04-01 | 2020-11-19 | 洗浄装置及び洗浄方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2019041116A JP2019041116A (ja) | 2019-03-14 |
JP6831360B2 true JP6831360B2 (ja) | 2021-02-17 |
Family
ID=54552613
Family Applications (4)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015042868A Active JP6600470B2 (ja) | 2014-04-01 | 2015-03-04 | 洗浄装置及び洗浄方法 |
JP2018206420A Active JP6831360B2 (ja) | 2014-04-01 | 2018-11-01 | 洗浄装置及び洗浄方法 |
JP2020192856A Active JP6964745B2 (ja) | 2014-04-01 | 2020-11-19 | 洗浄装置及び洗浄方法 |
JP2021170814A Active JP7241844B2 (ja) | 2014-04-01 | 2021-10-19 | 洗浄装置及び洗浄方法 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015042868A Active JP6600470B2 (ja) | 2014-04-01 | 2015-03-04 | 洗浄装置及び洗浄方法 |
Family Applications After (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020192856A Active JP6964745B2 (ja) | 2014-04-01 | 2020-11-19 | 洗浄装置及び洗浄方法 |
JP2021170814A Active JP7241844B2 (ja) | 2014-04-01 | 2021-10-19 | 洗浄装置及び洗浄方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (3) | US10170344B2 (ja) |
JP (4) | JP6600470B2 (ja) |
KR (3) | KR102314682B1 (ja) |
CN (1) | CN109647769B (ja) |
SG (2) | SG10201901404XA (ja) |
TW (2) | TWI666068B (ja) |
Families Citing this family (23)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2017090505A1 (ja) * | 2015-11-24 | 2017-06-01 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板液処理装置、基板液処理方法および記憶媒体 |
JP6968547B2 (ja) * | 2016-03-30 | 2021-11-17 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置、基板処理方法およびプログラム記録媒体 |
JP2017204495A (ja) * | 2016-05-09 | 2017-11-16 | 株式会社荏原製作所 | 基板洗浄装置 |
TWI772294B (zh) | 2016-05-09 | 2022-08-01 | 日商荏原製作所股份有限公司 | 基板清洗裝置 |
JP6710129B2 (ja) | 2016-09-02 | 2020-06-17 | 株式会社荏原製作所 | 基板洗浄装置および基板洗浄方法 |
JP7052280B2 (ja) * | 2016-11-29 | 2022-04-12 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体 |
JP6812262B2 (ja) * | 2017-02-09 | 2021-01-13 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP6882017B2 (ja) * | 2017-03-06 | 2021-06-02 | 株式会社荏原製作所 | 研磨方法、研磨装置、および基板処理システム |
JP6877221B2 (ja) | 2017-04-05 | 2021-05-26 | 株式会社荏原製作所 | 基板洗浄装置、基板洗浄方法および基板洗浄装置の制御方法 |
CN109127493A (zh) * | 2018-07-19 | 2019-01-04 | 安徽天裕汽车零部件制造有限公司 | 一种汽车金属零部件加工用清洗装置 |
CN110125059A (zh) * | 2019-05-29 | 2019-08-16 | 广东电网有限责任公司 | 一种防风瓷绝缘子用自动擦瓷装置 |
JP7285166B2 (ja) * | 2019-08-20 | 2023-06-01 | 株式会社荏原製作所 | 基板洗浄方法および基板洗浄装置 |
KR102265857B1 (ko) * | 2019-09-04 | 2021-06-17 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치 |
CN114762089A (zh) * | 2019-12-11 | 2022-07-15 | 株式会社荏原制作所 | 基板清洗系统及基板清洗方法 |
US11265176B1 (en) | 2019-12-18 | 2022-03-01 | Wells Fargo Bank, N.A. | Systems and applications to provide anonymous feedback |
CN111463152B (zh) * | 2020-04-17 | 2023-03-14 | 重庆芯洁科技有限公司 | 半导体衬底的高压水洗设备及其使用方法 |
TW202201517A (zh) | 2020-05-15 | 2022-01-01 | 日商荏原製作所股份有限公司 | 清洗裝置及清洗方法 |
CN112264362B (zh) * | 2020-09-29 | 2022-06-28 | 黑龙江省医院 | 一种麻醉面罩清洁装置及操作方法 |
JP7093390B2 (ja) * | 2020-10-15 | 2022-06-29 | 株式会社荏原製作所 | 基板洗浄装置 |
JP2023028395A (ja) * | 2021-08-19 | 2023-03-03 | 株式会社荏原製作所 | 基板洗浄装置、基板洗浄方法及び基板研磨装置 |
US20230150084A1 (en) * | 2021-11-18 | 2023-05-18 | Sandisk Technologies Llc | Wafer surface chemical distribution sensing system and methods for operating the same |
US20230178388A1 (en) * | 2021-12-03 | 2023-06-08 | Applied Materials, Inc. | Surface cleaning with directed high pressure chemistry |
JP7471671B2 (ja) | 2022-04-12 | 2024-04-22 | Aiメカテック株式会社 | 基板洗浄装置及び基板洗浄方法 |
Family Cites Families (66)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4027686A (en) | 1973-01-02 | 1977-06-07 | Texas Instruments Incorporated | Method and apparatus for cleaning the surface of a semiconductor slice with a liquid spray of de-ionized water |
JPS57112818A (en) | 1980-09-30 | 1982-07-14 | Eidai Co Ltd | Constitutional material of furniture |
JPH047766A (ja) | 1990-04-26 | 1992-01-13 | Fujitsu Ltd | 障害ルートの解除方式 |
JP2640999B2 (ja) * | 1991-01-22 | 1997-08-13 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 回転式表面処理方法及びその方法を実施するための回転式表面処理装置 |
JPH08150380A (ja) * | 1994-11-29 | 1996-06-11 | M Setetsuku Kk | 基板のスクラビング装置のロック機構 |
JPH09148295A (ja) * | 1995-11-27 | 1997-06-06 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 回転式基板処理装置 |
JP3810499B2 (ja) * | 1996-11-29 | 2006-08-16 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | スピン洗浄方法およびその装置 |
US6106635A (en) * | 1997-03-06 | 2000-08-22 | Ebara Corporation | Washing method and washing apparatus |
JPH1147665A (ja) | 1997-07-29 | 1999-02-23 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 処理液の置換機構および該置換機構を備えた基板処理装置 |
JPH11102885A (ja) * | 1997-09-29 | 1999-04-13 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP2000084811A (ja) | 1998-09-16 | 2000-03-28 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | ウェーハ面取り装置 |
JP3395696B2 (ja) | 1999-03-15 | 2003-04-14 | 日本電気株式会社 | ウェハ処理装置およびウェハ処理方法 |
JP3990073B2 (ja) | 1999-06-17 | 2007-10-10 | 株式会社荏原製作所 | 基板洗浄装置及び基板洗浄方法 |
JP2001054765A (ja) * | 1999-08-19 | 2001-02-27 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板洗浄装置 |
JP4519234B2 (ja) * | 2000-01-19 | 2010-08-04 | 野村マイクロ・サイエンス株式会社 | 物品表面の清浄化方法およびそのための清浄化装置 |
JP4007766B2 (ja) | 2000-02-29 | 2007-11-14 | 東京エレクトロン株式会社 | 液処理装置および液処理方法 |
JP2002043267A (ja) | 2000-07-21 | 2002-02-08 | Ebara Corp | 基板洗浄装置、基板洗浄方法及び基板処理装置 |
JP2002151455A (ja) | 2000-08-31 | 2002-05-24 | Super Silicon Kenkyusho:Kk | 半導体ウエハ用洗浄装置 |
JP3808719B2 (ja) * | 2001-04-17 | 2006-08-16 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置 |
US6684890B2 (en) | 2001-07-16 | 2004-02-03 | Verteq, Inc. | Megasonic cleaner probe system with gasified fluid |
JP3725809B2 (ja) | 2001-09-19 | 2005-12-14 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP3779582B2 (ja) | 2001-09-28 | 2006-05-31 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板周縁処理装置および基板周縁処理方法 |
JP3834542B2 (ja) * | 2001-11-01 | 2006-10-18 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板洗浄装置及び基板洗浄方法 |
TW561516B (en) | 2001-11-01 | 2003-11-11 | Tokyo Electron Ltd | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
KR100445259B1 (ko) | 2001-11-27 | 2004-08-21 | 삼성전자주식회사 | 세정방법 및 이를 수행하기 위한 세정 장치 |
JP4349606B2 (ja) | 2002-03-25 | 2009-10-21 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板洗浄方法 |
US20030192570A1 (en) | 2002-04-11 | 2003-10-16 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for wafer cleaning |
JP2004335671A (ja) * | 2003-05-07 | 2004-11-25 | Renesas Technology Corp | 枚葉式2流体洗浄装置及び半導体装置の洗浄方法 |
JP2005032948A (ja) | 2003-07-11 | 2005-02-03 | Sansha Electric Mfg Co Ltd | 半導体ウエハの洗浄方法および,洗浄装置 |
JP2005183937A (ja) | 2003-11-25 | 2005-07-07 | Nec Electronics Corp | 半導体装置の製造方法およびレジスト除去用洗浄装置 |
JP2005223149A (ja) | 2004-02-05 | 2005-08-18 | Fuji Electric Holdings Co Ltd | 払拭洗浄装置ならびに汚れ検査装置および汚れ検査方法 |
JP4318561B2 (ja) | 2004-02-09 | 2009-08-26 | Hoya株式会社 | フォトマスクブランクの製造方法及びフォトマスクの製造方法 |
JP4423289B2 (ja) | 2004-04-06 | 2010-03-03 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板洗浄装置、基板洗浄方法及びその方法に使用するプログラムを記録した媒体 |
CN100501931C (zh) * | 2004-04-23 | 2009-06-17 | 东京毅力科创株式会社 | 基板清洗方法、基板清洗装置 |
JP2005327807A (ja) | 2004-05-12 | 2005-11-24 | Sony Corp | 枚葉式洗浄装置及びその洗浄方法 |
JP2007088398A (ja) | 2004-12-14 | 2007-04-05 | Realize Advanced Technology Ltd | 洗浄装置、この洗浄装置を用いた洗浄システム、及び被洗浄基板の洗浄方法 |
JP4502854B2 (ja) | 2005-03-22 | 2010-07-14 | 株式会社高田工業所 | 基板の処理装置及び処理方法 |
JP2006278957A (ja) | 2005-03-30 | 2006-10-12 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置および基板処理方法 |
KR101203505B1 (ko) | 2005-04-19 | 2012-11-21 | 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
JP4734063B2 (ja) | 2005-08-30 | 2011-07-27 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板洗浄装置及び基板洗浄方法。 |
JP2007173277A (ja) | 2005-12-19 | 2007-07-05 | Fujitsu Ltd | スピン洗浄装置およびウエハ洗浄方法 |
JP2007194367A (ja) * | 2006-01-18 | 2007-08-02 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | 洗浄装置及び該洗浄装置を備えるダイシング装置 |
JP2007273608A (ja) | 2006-03-30 | 2007-10-18 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP2008016660A (ja) | 2006-07-06 | 2008-01-24 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理方法および基板処理装置 |
KR20080012626A (ko) | 2006-08-04 | 2008-02-12 | 삼성전자주식회사 | 유체분사노즐 및 이를 갖는 유체분사장치 |
CN100518948C (zh) * | 2006-10-13 | 2009-07-29 | 大日本网目版制造株式会社 | 喷嘴及具有该喷嘴的基板处理装置 |
JP4989370B2 (ja) | 2006-10-13 | 2012-08-01 | 大日本スクリーン製造株式会社 | ノズルおよびそれを備える基板処理装置 |
JP2008153322A (ja) | 2006-12-15 | 2008-07-03 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 二流体ノズル、基板処理装置および基板処理方法 |
JP4983565B2 (ja) * | 2006-12-20 | 2012-07-25 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板洗浄装置、基板洗浄方法及び記憶媒体 |
JP2008183532A (ja) | 2007-01-31 | 2008-08-14 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP2008311481A (ja) | 2007-06-15 | 2008-12-25 | Sony Corp | 基板洗浄方法、基板洗浄装置及び半導体製造方法 |
JP5009253B2 (ja) * | 2008-08-07 | 2012-08-22 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板洗浄装置 |
KR101004435B1 (ko) | 2008-11-28 | 2010-12-28 | 세메스 주식회사 | 기판 연마 장치 및 이를 이용한 기판 연마 방법 |
JP5650896B2 (ja) | 2009-09-03 | 2015-01-07 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP5405955B2 (ja) | 2009-09-18 | 2014-02-05 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置 |
US8458842B2 (en) | 2011-05-10 | 2013-06-11 | Nanya Technology Corp. | Post-CMP wafer cleaning apparatus |
JP5732376B2 (ja) * | 2011-06-21 | 2015-06-10 | 東京エレクトロン株式会社 | 2流体ノズル及び基板液処理装置並びに基板液処理方法 |
CN202275804U (zh) | 2011-06-29 | 2012-06-13 | 彩虹(佛山)平板显示有限公司 | 一种用于制造液晶及oled面板的湿刻机水洗槽喷嘴 |
CN102319686B (zh) | 2011-08-26 | 2015-04-08 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 晶圆清洗装置及晶圆清洗方法 |
US9385020B2 (en) | 2011-12-19 | 2016-07-05 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Substrate holding and rotating device, substrate treatment apparatus including the device, and substrate treatment method |
JP5940824B2 (ja) | 2012-02-07 | 2016-06-29 | 株式会社荏原製作所 | 基板洗浄方法 |
KR101344921B1 (ko) | 2012-03-28 | 2013-12-27 | 세메스 주식회사 | 기판처리장치 및 방법 |
JP5886224B2 (ja) | 2012-05-23 | 2016-03-16 | 株式会社荏原製作所 | 基板洗浄方法 |
JP5586734B2 (ja) | 2012-08-07 | 2014-09-10 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板洗浄装置、基板洗浄システム、基板洗浄方法および記憶媒体 |
JP6093569B2 (ja) | 2012-12-28 | 2017-03-08 | 株式会社荏原製作所 | 基板洗浄装置 |
CN103687265B (zh) | 2013-11-22 | 2017-01-04 | 大连日佳电子有限公司 | 一种去除基板表面静电和灰尘的方法和装置 |
-
2015
- 2015-03-04 JP JP2015042868A patent/JP6600470B2/ja active Active
- 2015-03-17 SG SG10201901404XA patent/SG10201901404XA/en unknown
- 2015-03-17 SG SG10201502035RA patent/SG10201502035RA/en unknown
- 2015-03-31 KR KR1020150045204A patent/KR102314682B1/ko active IP Right Grant
- 2015-03-31 US US14/675,567 patent/US10170344B2/en active Active
- 2015-03-31 TW TW104110403A patent/TWI666068B/zh active
- 2015-03-31 TW TW108119842A patent/TWI709440B/zh active
- 2015-04-01 CN CN201811309797.8A patent/CN109647769B/zh active Active
-
2018
- 2018-11-01 JP JP2018206420A patent/JP6831360B2/ja active Active
- 2018-11-13 US US16/189,896 patent/US11164758B2/en active Active
-
2020
- 2020-11-19 JP JP2020192856A patent/JP6964745B2/ja active Active
-
2021
- 2021-05-19 US US17/325,037 patent/US11837477B2/en active Active
- 2021-10-13 KR KR1020210135505A patent/KR102450849B1/ko active IP Right Grant
- 2021-10-19 JP JP2021170814A patent/JP7241844B2/ja active Active
-
2022
- 2022-09-29 KR KR1020220123928A patent/KR102513280B1/ko active IP Right Grant
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR102513280B1 (ko) | 2023-03-24 |
US20190080933A1 (en) | 2019-03-14 |
SG10201502035RA (en) | 2015-11-27 |
TWI666068B (zh) | 2019-07-21 |
KR20210127668A (ko) | 2021-10-22 |
TW201540381A (zh) | 2015-11-01 |
JP7241844B2 (ja) | 2023-03-17 |
US10170344B2 (en) | 2019-01-01 |
JP2019041116A (ja) | 2019-03-14 |
TWI709440B (zh) | 2020-11-11 |
CN109647769B (zh) | 2022-02-11 |
CN109647769A (zh) | 2019-04-19 |
US20150348806A1 (en) | 2015-12-03 |
US20210272820A1 (en) | 2021-09-02 |
TW201945090A (zh) | 2019-12-01 |
KR20150114428A (ko) | 2015-10-12 |
JP6600470B2 (ja) | 2019-10-30 |
JP6964745B2 (ja) | 2021-11-10 |
KR102450849B1 (ko) | 2022-10-06 |
JP2015201627A (ja) | 2015-11-12 |
US11164758B2 (en) | 2021-11-02 |
SG10201901404XA (en) | 2019-03-28 |
US11837477B2 (en) | 2023-12-05 |
KR20220137855A (ko) | 2022-10-12 |
JP2021016007A (ja) | 2021-02-12 |
KR102314682B1 (ko) | 2021-10-20 |
JP2022003705A (ja) | 2022-01-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6831360B2 (ja) | 洗浄装置及び洗浄方法 | |
KR102146872B1 (ko) | 기판 세정 장치 및 기판 세정 방법 | |
JP6265702B2 (ja) | 基板洗浄装置及び基板洗浄方法 | |
JP5886224B2 (ja) | 基板洗浄方法 | |
CN111589752B (zh) | 清洗装置 | |
KR102103356B1 (ko) | 기판 세정 장치 | |
JP2019145734A (ja) | 基板洗浄装置および基板洗浄方法 | |
JP7290695B2 (ja) | 超音波洗浄装置および洗浄具のクリーニング装置 | |
CN113471108B (zh) | 一种基于马兰戈尼效应的晶圆竖直旋转处理装置 | |
JP2015015284A (ja) | 基板洗浄装置および基板洗浄方法 | |
JP6431159B2 (ja) | 基板洗浄装置 | |
JP6934918B2 (ja) | 基板洗浄装置 | |
CN219233267U (zh) | 一种晶圆后处理装置 | |
WO2021230344A1 (ja) | 洗浄装置および洗浄方法 | |
JP2017163017A (ja) | 基板処理装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20181101 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20181101 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20190724 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20190730 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20190927 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20191126 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20191127 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20200331 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20200825 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20201119 |
|
C60 | Trial request (containing other claim documents, opposition documents) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C60 Effective date: 20201119 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20201130 |
|
C21 | Notice of transfer of a case for reconsideration by examiners before appeal proceedings |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C21 Effective date: 20201201 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20210119 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20210128 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6831360 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |