KR20080012626A - 유체분사노즐 및 이를 갖는 유체분사장치 - Google Patents

유체분사노즐 및 이를 갖는 유체분사장치 Download PDF

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Abstract

유체분사노즐은 유체가 유입되는 분사노즐바, 상기 분사노즐바의 하부에 형성되며 상기 유체를 분사시키는 슬릿을 갖는 노즐팁 및 상기 노즐팁에 구비되어 상기 슬릿의 단면적을 조절하는 노즐조리개를 포함한다. 상기 노즐조리개는 한 쌍의 제1 및 제2 개폐식 조리개를 포함하며, 상기 제1 및 제2 개폐식 조리개는 상기 슬릿의 길이방향으로 각각 슬라이딩 이동하는 것을 특징으로 할 수 있다.

Description

유체분사노즐 및 이를 갖는 유체분사장치 {LIQUID DIFFUSING NOZZLE AND LIQUID DIFFUSING DEVICE HAVING THE SAME}
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 유체분사노즐을 나타내는 단면도이다. 도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 유체분사노즐의 노즐팁을 나타내는 평면도이다.
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 유체분사장치를 나타내는 단면도이다.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 유체분사장치에 의해 반도체 기판 상에 분사되는 영역을 나타내는 사시도이다.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *
10, 120: 유체분사노즐 20, 121: 분사노즐바
30, 123: 노즐팁 35, 125: 슬릿
40, 127:노즐조리개 100: 유체분사장치
110: 기판지지대 115: 기판
117: 현상액 130: 제어부
140: 유체분사노즐 구동부 150:챔버
160: 유체공급부
본 발명은 유체분사노즐 및 이를 갖는 유체분사장치에 관한 것이다. 더욱 상세하게는, 유체의 분사각을 조절할 수 있는 유체분사노즐 및 이를 갖는 유체분사장치에 관한 것이다.
반도체 장치의 제조공정에서 유체를 이용한 기판 처리에는 반도체 기판의 습식 에칭만이 아닌 여러 가지 유체에 의한 반도체 기판 세정 등이 있다. 또한, 반도체의 제조 공정 중 포토리소그래피(photo lithography) 공정은 반도체 기판 상에 원하는 패턴을 형성시키기 위한 공정이다. 세척 및 건조를 마친 반도체 기판 상에 포토레지스트층을 균일하게 도포하고, 소정의 레이 아웃으로 형성된 포토마스크 상의 특정 패턴에 따라 노광공정을 수행하며, 이렇게 노광된 포토레지스트층의 불필요한 부분을 현상액으로 제거함으로써 요구되는 패턴을 형성하는 공정을 말한다.
특히, 고집적 반도체를 제조하기 위해서는 포토마스크에 형성된 차광막 패턴의 선폭(CD; Criticla Dimension)이 허용한도 이내의 균일한 값을 가져야 한다.
반도체 포토리소그래피 공정 중 노광된 포토레지스트층의 불필요한 부분을 제거하는 현상 공정은 스트림(stream) 방식, 스프레이(spray) 방식, 멀티 스트림/멀티 스프레이(multi stream/multi spray) 등이 있다. 반도체 기판 상에 현상액을 공급하는 분사 노즐이 다수 개 설치되어 현상액을 분사하는 멀티 스트림/멀티 스프레이 방식이 일반적으로 널리 쓰인다.
종래의 멀티 스프레이 방식을 사용하는 유체분사장치를 살펴보면 다음과 같 다. 유체분사장치의 기판지지대 상에 반도체 기판을 안착한다. 상기 기판지지대의 회전과 동시에 분사 노즐로부터 케미컬을 분사한다. 상기 반도체 기판 상에 케미컬을 공급하는 상기 분사 노즐은 고정된 노즐 팁을 통해 유체를 분사한다. 예를 들면, 현상 공정 및 습식 에칭 공정에서는 2개의 노즐을 사용할 수 있다. 상기 2개의 분사 노즐의 노즐 팁에는 슬릿이 형성되어 있다. 상기 슬릿의 노출면을 통해 분사되는 케미컬은 상기 반도체 기판 상에 일정한 분사 영역을 형성한다. 2개의 분사 노즐로부터 분사되는 케미컬은 상기 반도체 기판 상에 서로 중복되는 분사 영역을 갖게 된다. 따라서, 현상 공정에서 레지스트 현상 후 형성되는 레지스트 패턴의 선폭은 균일하지 않게 형성되므로, 미세한 패턴을 형성하는 데 어려움이 있다.
또한, 케미컬의 분사 모양 및 분사 영역을 바꾸기 위해서는 다른 노출면의 슬릿을 갖는 노즐 팁으로 바꾸어야 하는 등 시간적, 비용적으로 손실을 가져온다.
상술한 문제점을 해결하기 위한 본 발명의 목적에 따르면, 유체의 분사각을 조절할 수 있는 유체분사노즐을 제공한다.
또한, 본 발명의 다른 목적은 유체의 분사각을 조절할 수 있는 유체분사노즐을 갖는 유체분사장치를 제공하는데 있다.
상기한 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 일 실시예에 의한 유체분사노즐은 유체가 유입되는 분사노즐바, 상기 분사노즐바의 하부에 형성되며 상기 유체를 분사시키는 슬릿을 갖는 노즐팁 및 상기 노즐팁에 구비되어 상기 슬릿의 단면적을 조 절하는 노즐조리개를 포함한다.
본 발명의 일실시예에 따르면, 상기 노즐조리개는 한 쌍의 제1 및 제2 개폐식 조리개를 포함하며, 상기 제1 및 제2 개폐식 조리개는 상기 슬릿의 길이방향으로 각각 슬라이딩 이동하는 것을 특징으로 할 수 있다.
또한, 상기 제1 및 제2 개폐식 조리개의 이동을 제어하여 상기 제1 및 제2 개폐식 조리개를 통한 상기 슬릿의 노출 면적을 조정하기 위한 조정부를 더 포함하는 것을 특징으로 할 수 있다.
상기 노즐 조리개를 통한 상기 슬릿의 노출면은 타원형, 반쪽 마름모꼴 또는 원형인 것을 특징으로 할 수 있다.
상기 노즐팁은 탈부착이 가능한 것을 특징으로 할 수 있다.
상기 유체는 레지스트 현상액 또는 습식 식각액인 것을 특징으로 할 수 있다.
상기한 목적을 달성하기 위하여 다른 실시예에 따른 유체분사장치는 챔버 내부에 설치되며, 기판을 회전 가능하게 지지하는 기판 지지대, 상기 기판 상에 일정간격 이격 배치되며, 유체가 유입되는 분사노즐바, 상기 분사 노즐바의 하부에 형성되며 상기 유체를 분사시키는 슬릿을 포함하는 노즐팁 및 상기 노즐팁에 밀착 결합되어 상기 슬릿의 단면적을 조절하는 노즐조리개를 포함하는 유체분사노즐, 상기 유체분사노즐로부터 분사되는 유체의 분사각과 분사량 및 유속 중 적어도 하나를 제어하며, 상기 각각의 분사 노즐의 위치를 제어하는 제어부, 및 상기 제어부의 제어 신호에 의하여 상기 유체분사노즐을 구동시키는 유체분사노즐 구동부를 포함한 다.
이러한 유체분사노즐 및 이를 포함하는 유체분사장치에 의하면, 유체의 분사각을 조절하여 기판 표면상에 분사함으로써 패턴의 선폭이 허용한도 이내의 균일한 값을 갖도록 제어할 수 있다.
이하, 본 발명에 따른 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 상세하게 설명한다.\
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 유체분사노즐을 나타내는 단면도이다. 도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 유체분사노즐의 노즐팁을 나타내는 평면도이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 유체분사노즐(10)은 분사노즐바(20) 및 노즐팁(30)을 포함한다.
상기 분사노즐바(20)에는 유체공급부로부터 유체가 유입된다. 상기 분사노즐바(20)는 원통형 형상을 가질 수 있다. 상기 분사노즐바(20)의 하부에는 상기 노즐팁(30)이 형성된다. 상기 노즐팁(30)은 상기 공급된 유체를 분사시키는 슬릿(35)을 갖는다. 상기 슬릿(35)은 폭에 대한 길이의 비가 10이상인 개구면을 가질 수 있다.
상기 노즐팁(30)은 상기 슬릿(35)의 단면적을 조절하는 노즐조리개(40)를 포함한다. 상기 노즐조리개(40)는 한 쌍의 제1 및 제2 개폐식 조리개(41, 42)를 포함할 수 있다. 상기 제1 및 제2 개폐식 조리개(41, 42)는 상기 슬릿(35)의 길이방향으로 각각 슬라이딩 이동할 수 있다.
상기 노즐팁(30)은 상기 제1 및 제2 개폐식 조리개(41, 42)의 이동을 제어하 여 상기 제1 및 제2 개폐식 조리개를 통한 상기 슬릿의 노출 면적을 조정하기 위한 조정부(미도시)를 더 포함할 수 있다.
상기 제1 개폐식 조리개(41)가 상기 슬릿(35)의 길이방향으로 이동할 때, 상기 제2 개폐식 조리개(42)는 상기 제1 개폐식 조리개(41)의 이동방향의 반대 방향으로 이동하여 상기 슬릿(35)의 단면적을 조절할 수 있다.
또한, 상기 제1 개폐식 조리개(41)만이 이동하거나 상기 제2 개폐식 조리개(42)만이 이동할 수 있으며, 상기 노즐조리개(40)는 상기 조정부에 의해 상기 슬릿(35)의 노출 면적을 조정하여, 상기 슬릿(35)의 노출면을 변화시킬 수 있다. 예를 들면, 상기 슬릿(35)의 노출면은 타원형, 반쪽 마름모꼴 또는 원형일 수 있다.
더욱 상세하게는, 상기 유체는 상기 노즐팁(30)의 슬릿(35)을 통해 일정한 분사각과 분사량으로 분사된다. 상기 슬릿(35)을 통해 분사되는 각도는 도 1의 각도 A이다. 상기 노즐조리개(40)는 상기 슬릿(35)의 노출 면적을 조절하여 상기 노즐조리개(40)를 통과한 유체는 조절된 분사각 B로 분사된다. 따라서, 다수의 유체분사노즐을 이용하여 대상 표면에 유체를 고르게 분사할 수 있다.
상기 노즐팁(30)은 상기 분사노즐바(20)에 탈부착이 가능할 수 있다.
상기 유체분사노즐(10)은 현상 공정 및 습식 에칭 공정 등에 사용될 수 있다. 상기 유체는 레지스트 현상액 또는 습식 식각액일 수 있다.
이에 따라, 반도체 기판 상에 원하는 분사 영역으로 유체를 분사시킬 수 있으며, 패턴의 선폭을 균일하게 형성시킬 수 있다.
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 유체분사장치를 나타내는 단면도이다. 도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 유체분사장치에 의해 반도체 기판 상에 분사되는 영역을 나타내는 사시도이다.
상기 유체분사장치(100)는 포토 현상 장치와 습식 식각 장치로 사용될 수 있다. 여기서는 편의상 현상 장치를 일 에로 들어 설명한다.
도 3을 참조하면, 본 발명의 다른 실시예에 따른 유체분사장치(100)는 기판지지대(110), 유체분사노즐(120), 제어부(130) 및 구동부(140)를 포함한다.
상기 기판지지대(110)는 챔버(150) 내부에 설치된다. 상기 기판지지대(110)에 포토레지스트가 도포된 기판(115)이 안착되고, 다수의 상기 유체분사노즐(120)은 반도체 기판(115) 상부에 일정 간격 이격되어 배치된다. 펌프 구동에 의해 유체공급부(160)로부터 현상액(117)이 배관 라인을 통해 상기 유체분사노즐(120)로 공급된다. 상기 기판지지대(110)는 기판(115)을 회전시키고 상기 유체분사노즐(120)로부터 상기 현상액(117)이 상기 기판(115) 상의 포토레지스트 위로 분사된다. 한편, 먼저 상기 포토레지스트 상으로 현상액(117)이 분사되고, 분사된 현상액(117)이 상기 포토레지스트 표면에 고르게 퍼지도록 상기 기판(115)이 놓여진 상기 기판지지대(110)를 소정의 속도로 회전시킬 수 있다.
이 때, 상기 배관 라인을 통해 현상액(117)이 분사노즐바(121)로 유입되고, 현상액(117)은 상기 분사노즐바(121)의 내부를 통해 이동하여 일정한 유속 및 압력을 가지고, 상기 분사노즐바(121)의 하부에 형성된 노즐팁(123)으로 이동한다. 상기 현상액(117)은 상기 노즐팁(123)의 슬릿(125)을 통해 일정한 분사각과 분사량으로 분사된다.
상기 슬릿(125)은 폭에 대한 길이의 비가 10이상인 개구면을 가질 수 있다. 현상액(117)이 분사되는 상기 슬릿(125)의 하부에는 노즐조리개(127)가 형성된다. 상기 노즐조리개(127)는 상기 슬릿(125)의 단면적을 조절한다.
상기 노즐조리개(127)는 한 쌍의 제1 및 제2 개폐식 조리개(128, 129)를 포함할 수 있다. 상기 제1 및 제2 개폐식 조리개(128, 129)는 상기 슬릿(125)의 길이방향으로 각각 슬라이딩 이동할 수 있다.
상기 노즐팁(123)은 상기 제1 및 제2 개폐식 조리개(128, 129)의 이동을 제어하여 상기 제1 및 제2 개폐식 조리개를 통한 상기 슬릿의 노출 면적을 조정하기 위한 조정부를 더 포함할 수 있다.
상기 제1 개폐식 조리개(128)가 상기 슬릿(125)의 길이방향으로 이동할 때, 상기 제2 개폐식 조리개(129)는 상기 제1 개폐식 조리개(128)의 이동방향의 반대 방향으로 이동하여 상기 슬릿(125)의 단면적을 조절할 수 있다.
또한, 상기 제1 개폐식 조리개(128)만이 이동하거나 상기 제2 개폐식 조리개(129)만이 이동할 수 있으며, 상기 노즐조리개(127)는 상기 제어부에 의해 상기 슬릿(125)의 노출 면적을 조정하여, 상기 슬릿(125)의 노출면을 변화시킬 수 있다. 예를 들면, 상기 슬릿(125)의 노출면은 타원형, 반쪽 마름모꼴 또는 원형일 수 있다.
상기 슬릿(125)의 노출면이 조정되어 상기 현상액(117)은 상기 노출면의 형상에 따라 상기 기판(115)상의 포토레지스트 위로 분사된다. 이 때, 종래의 다수의 분사노즐로부터 분사되는 현상액은 상기 반도체 기판 상에 서로 중복되는 분사 영 역이 발생하게 된다. 하지만, 상기 다수의 유체분사노즐(120)로부터 분사되는 현상액(117)은 상기 노즐조리개(127)에 의해 상기 슬릿(125)의 노출면이 변화되어 상기 반도체 기판(115)상에 서로 중복되는 분사 영역을 갖지 않도록 조정될 수 있다. 따라서, 레지스트 현상 후에 형성되는 레지스트 패턴의 선폭을 균일하게 형성될 수 있다.
또한, 상기 노즐팁(123)은 상기 분사노즐바(121)에 탈부착이 가능할 수 있다.
상기 유체분사장치(100)는 현상 공정 중에 분사되는 현상액(117)의 분사각, 분사량 및 유속을 제어하는 제어부(130)를 포함한다. 또한, 상기 제어부(130)는 상기 기판지지대(110)의 회전을 제어한다. 또한, 상기 제어부(130)는 상기 다수의 유체분사노즐(120)의 위치를 제어한다.
상기 유체분사노즐(120)은 상기 기판(115) 상에 일정한 각도를 가지고 설치될 수 있다. 상기 제어부(130)는 상기 기판(115)에 대하여 일정한 각도를 가지고 분사시키는 상기 유체분사노즐(120)의 각도를 제어할 수 있다.
상기 유체분사장치(100)는 상기 제어부(130)의 제어 신호에 의하여 상기 유체분사노즐(120)을 구동시키는 유체분사노즐 구동부(140)를 포함한다. 상기 유체분사노즐 구동부(140)는 상기 제어부(130)의 제어 신호에 따라 상기 유체분사노즐(120)의 위치 및 각도를 구동시킨다. 또한, 상기 유체분사노즐 구동부(140)에 의해 현상 공정 중에 분사되는 현상액(117)은 제어된 분사각, 분사량 및 유속을 갖게된다.
상기 유체분사장치(100)는 현상 장치 뿐 아니라 분사노즐을 이용하여 기판 상에 케미컬을 분사하는 모든 장치 예컨대, 습식식각 장치 등에 적용 가능할 수 있다.
상기와 같은 본 발명의 실시예에 따르면, 다수의 분사 노즐로부터 분사되는 현상액이 반도체 기판 상에 서로 중복되는 분사 영역을 갖지 않도록 조정될 수 있다. 따라서, 레지스트 현상 후에 형성되는 레지스트 패턴의 선폭을 균일하게 형성될 수 있다.
상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.

Claims (7)

  1. 유체가 유입되는 분사노즐바;
    상기 분사노즐바의 하부에 형성되며 상기 유체를 분사시키는 슬릿을 갖는 노즐팁; 및
    상기 노즐팁에 구비되어 상기 슬릿의 단면적을 조절하는 노즐조리개를 포함하는 유체분사노즐.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 노즐조리개는 한 쌍의 제1 및 제2 개폐식 조리개를 포함하며, 상기 제1 및 제2 개폐식 조리개는 상기 슬릿의 길이방향으로 각각 슬라이딩 이동하는 것을 특징으로 하는 유체분사노즐.
  3. 제 2 항에 있어서, 상기 제1 및 제2 개폐식 조리개의 이동을 제어하여 상기 제1 및 제2 개폐식 조리개를 통한 상기 슬릿의 노출 면적을 조정하기 위한 조정부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유체분사노즐.
  4. 제 1 항에 있어서, 상기 노즐 조리개를 통한 상기 슬릿의 노출면은 타원형, 반쪽 마름모꼴 또는 원형인 것을 특징으로 하는 유체분사노즐.
  5. 제 1 항에 있어서, 상기 노즐팁은 탈부착이 가능한 것을 특징으로 하는 유체 분사노즐.
  6. 제 1 항에 있어서, 상기 유체는 레지스트 현상액 또는 습식 식각액인 것을 특징으로 하는 유체분사노즐.
  7. 챔버 내부에 설치되며, 기판을 회전 가능하게 지지하는 기판 지지대;
    상기 기판 상에 일정간격 이격 배치되며, 유체가 유입되는 분사노즐바, 상기 분사 노즐바의 하부에 형성되며 상기 유체를 분사시키는 슬릿을 포함하는 노즐팁 및 상기 노즐팁에 밀착 결합되어 상기 슬릿의 단면적을 조절하는 노즐조리개를 포함하는 유체분사노즐;
    상기 유체분사노즐로부터 분사되는 유체의 분사각과 분사량 및 유속 중 적어도 하나를 제어하며, 상기 각각의 분사 노즐의 위치를 제어하는 제어부; 및
    상기 제어부의 제어 신호에 의하여 상기 유체분사노즐을 구동시키는 유체분사노즐 구동부를 포함하는 유체분사장치.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20180043005A (ko) * 2016-10-19 2018-04-27 주식회사 케이씨텍 이산화탄소 분사노즐
CN111589752A (zh) * 2014-04-01 2020-08-28 株式会社荏原制作所 清洗装置
US11837477B2 (en) 2014-04-01 2023-12-05 Ebara Corporation Washing device and washing method

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111589752A (zh) * 2014-04-01 2020-08-28 株式会社荏原制作所 清洗装置
US11837477B2 (en) 2014-04-01 2023-12-05 Ebara Corporation Washing device and washing method
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