JP2008311481A - 基板洗浄方法、基板洗浄装置及び半導体製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】基板の洗浄に際して、洗浄ブラシへのパーティクルの蓄積による洗浄効果の低下を防止する。
【解決手段】研磨後の半導体基板４の被研磨面上に２つの円筒型の洗浄ブラシ１１，１２を並列に配置するとともに、それら２つの洗浄ブラシ１１，１２のうち、一方の洗浄ブラシ１１を半導体基板４に接触させ、かつ他方の洗浄ブラシ１２を半導体基板２から離して一方の洗浄ブラシ１１に接触させた状態で、一方のノズル１７から洗浄液１９を供給しつつ半導体基板４の洗浄を行なう。
【選択図】図７

Description

本発明は、洗浄ブラシを用いて基板を洗浄する際に用いられる基板洗浄方法、基板洗浄装置及び半導体製造方法に関する。

半導体集積回路における銅配線の加工技術として、ＣＭＰ(Chemical Mechanical Polishing：化学的機械研磨）技術が広く用いられている。本技術は一般的に、絶縁膜上に露光及びドライエッチングにより形成した接続孔や溝に、導電材料としてバリアメタルと銅（Ｃｕ）のシード層をスパッタリング法で形成し、その上に配線主材料となる銅を電解めっきにより堆積した後、絶縁膜上の余分な導電材料（バリアメタル及び銅）をＣＭＰにより除去するものである。

一般的なＣＭＰ装置は研磨部と洗浄部とを備えている。研磨部では、スラリーと研磨布を用いて基板を研磨する。研磨部で研磨された基板は洗浄部に搬送される。洗浄部では、例えば、洗浄ユニットにおいて回転させた基板に洗浄液を供給しながら、回転させたブラシを基板に接触させて薬液洗浄と純水リンス処理を行ない、次いで、乾燥ユニットにおいてスピン乾燥やＩＰＡ（イソプロピルアルコール）乾燥などの乾燥処理を行なう。これにより、一連のＣＭＰプロセスが完了する。

洗浄部で使用される洗浄ブラシとしては、ブラシの表面（外周面）に円柱型の突起を持つＰＶＡ(Polyvinyl Alcohol)製のロールブラシが用いられている。ＰＶＡは、加工がしやすく、親水性で軟質な合成樹脂である。このため、ＰＶＡロールブラシを用いることで、基板を傷つけることなくパーティクルを除去することができる。ロールブラシを用いた基板洗浄装置としては、例えば下記特許文献１に記載されたものが知られている。

特開平１０−３２１５７２号公報

しかしながら、従来においては、ＣＭＰ後の基板洗浄に際して、処理枚数の増加とともに洗浄ブラシにパーティクルが蓄積し、このパーティクルが基板に転移するという問題があった。パーティクルが基板上に残ると、凸状の段差が発生するため、露光不良やエッチング不良などを招く恐れがある。特に、金属を含むパーティクルが配線間上に残った場合は、ショート不良を発生させ、半導体素子の歩留まりが低下してしまう。

本発明は、上記課題を解決するためになされたもので、その目的とするところは、基板の洗浄に際して、洗浄ブラシへのパーティクルの蓄積による洗浄効果の低下を防止する仕組みを提供することにある。

本発明に係る基板洗浄方法は、基板の少なくとも一方の面上に２つの円筒型の洗浄ブラシを並列に配置するとともに、それら２つの洗浄ブラシのうち、一方の洗浄ブラシを基板に接触させ、かつ他方の洗浄ブラシを基板から離して一方の洗浄ブラシに接触させた状態で、基板の洗浄を行なうことを特徴とするものである。

本発明に係る基板洗浄装置は、基板の少なくとも一方の面上に並列に配置された２つの円筒型の洗浄ブラシと、それら２つの洗浄ブラシのうち、一方の洗浄ブラシを基板に接触させ、かつ他方の洗浄ブラシを基板から離して一方の洗浄ブラシに接触させるように、各々の洗浄ブラシの位置を調整する調整手段とを備えることを特徴とするものである。

本発明に係る基板洗浄装置及び基板洗浄方法においては、基板への接触によって一方の洗浄ブラシに付着したパーティクルが他方の洗浄ブラシによって除去される。このため、洗浄ブラシへのパーティクルの蓄積を防止することが可能となる。

本発明に係る半導体製造方法は、研磨後の半導体基板の被研磨面上に２つの円筒型の洗浄ブラシを並列に配置するとともに、それら２つの洗浄ブラシのうち、一方の洗浄ブラシを半導体基板に接触させ、かつ他方の洗浄ブラシを半導体基板から離して一方の洗浄ブラシに接触させた状態で、半導体基板の洗浄を行なうことを特徴とするものである。

本発明に係る半導体製造方法においては、半導体基板への接触によって一方の洗浄ブラシに付着したパーティクルが他方の洗浄ブラシによって除去される。このため、洗浄ブラシへのパーティクルの蓄積を防止することが可能となる。

本発明の基板洗浄装置及び基板洗浄方法によれば、洗浄ブラシを用いた基板の洗浄に際して、洗浄ブラシへのパーティクルの蓄積を防止して、基板の洗浄効果を高めることができる。

本発明の半導体製造方法によれば、洗浄ブラシを用いた半導体基板の洗浄に際して、洗浄ブラシへのパーティクルの蓄積を防止して、基板の洗浄効果を高めることができる。その結果、パーティクルの残存に起因する不良の発生を防止して、半導体素子の歩留まりを向上させることができる。

本発明は、半導体素子の形成に用いられる半導体基板（ウエハ）や、液晶表示装置、有機ＥＬ(Electro Luminescence)表示装置、プラズマ表示装置などの表示用基板（ガラス基板）、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板など、種々の基板の洗浄に適用可能であるが、ここでは一例として、半導体基板の洗浄に適用した場合の具体的な実施の形態について、図面を参照しつつ詳細に説明する。

半導体素子を形成する一連の工程の中には、シリコンウエハ等からなる半導体基板をＣＭＰ法で研磨した後、当該研磨後の半導体基板を洗浄する基板処理工程がある。この基板処理工程には、図１に示すように、基板研磨装置１、基板洗浄装置２及び基板乾燥装置３を備える基板処理装置（半導体製造装置）が用いられる。

基板研磨装置１は、半導体基板（以下、単に「基板」という）４をＣＭＰ法で研磨するものである。基板洗浄装置２は、基板研磨装置１で研磨した後の基板４を洗浄（湿式洗浄）するものである。基板乾燥装置３は、基板洗浄装置２で洗浄した後の基板４を乾燥するものである。

基板乾燥装置３は、例えば、高速回転による遠心力を利用して基板表面の水分を振り切るスピン乾燥装置や、ＩＰＡなどの有機溶媒の蒸気を利用した蒸気乾燥装置、あるいは加熱した空気や窒素ガスなどを吹き付けて基板表面の水分を蒸発させる熱風乾燥装置などを用いて構成されるものである。ここでは一例としてスピン乾燥装置を用いるものとする。

図２は基板研磨装置１の構成例を示す断面図である。図２において、研磨定盤５は回転可能に設けられている。研磨定盤５の上面には研磨布６が設けられている。基板４は研磨ヘッド７の下面に取り付けられている。研磨ヘッド７は回転可能に設けられている。ノズル８はスラリー９を供給するものである。

上記構成からなる基板研磨装置１を用いて基板４を研磨する場合は、研磨ヘッド７の下面に、被研磨面が下向きとなるように基板４を取り付ける。この状態で研磨定盤５と研磨ヘッド７をそれぞれ矢印方向に回転させるとともに、この回転中にノズル８から研磨布６上にスラリー９を供給しつつ、研磨ヘッド７の下降により基板４の下面（被研磨面）を所定の荷重で研磨布６に押し付ける。これにより、基板４の下面が研磨される。

図３は本発明の実施形態に係る基板洗浄装置２の構成例を示すもので、（Ａ）はその平面図、（Ｂ）はその側面図である。図３において、４つの基板支持具１０は、上記の被研磨面を上向きにして基板４を水平状態に支持するとともに、図示しないモータの駆動にしたがって回転（自転）するものである。各々の基板支持具１０は、基板４の円周方向の４箇所で、それぞれ基板４の外周部に係合しつつ回転することにより、基板４を回転させるものである。その際、基板４は、当該基板４の中心を通る垂直軸を中心に回転する。

４つの基板支持具１０によって支持される基板４の上方には、スクラバ洗浄のための２つの洗浄ブラシ１１，１２が並列に配置されている。各々の洗浄ブラシ１１，１２は、全体的に円筒型をなす、いわゆるロールブラシである。洗浄ブラシ１１は回転軸１３に取り付けられ、洗浄ブラシ１２は回転軸１４に取り付けられている。回転軸１３，１４は互いに平行に配置されている。このため、洗浄ブラシ１１，１２も互いに平行に配置されている。各々の回転軸１３，１４は、図示しないブラシ回転用モータの駆動にしたがって回転するものである。ブラシ回転用モータは、基板洗浄に際して、各々の洗浄ブラシ１１，１２を回転させるためのモータである。

各々の回転軸１３，１４の軸方向を洗浄ブラシ１１，１２の長手方向とすると、各々の洗浄ブラシ１１，１２の長手寸法は、基板４の直径よりも大きく設定されている。そして、４つの基板支持具１０で支持される基板４の回転中心付近に洗浄ブラシ１１，１２を配置したときに、各々の洗浄ブラシ１１，１２の両端が基板４の外周部よりも外側にはみ出して配置されるようになっている

なお、長方形や正方形の基板を洗浄する場合は、洗浄ブラシ１１，１２の長手寸法が基板の一辺よりも大きく設定される。そして、洗浄ブラシ１１，１２と基板のいずれか一方を水平方向（基板面に平行な方向）に移動させることにより、基板全体を洗浄する。

洗浄ブラシ１１，１２のブラシ材料としては、加工がしやすく、軟質で親水性の高いＰＶＡを用いることが望ましい。各々の洗浄ブラシ１１，１２の表面（外周面）には、図４にも示すように、円柱型の小さな突起１１Ａ，１２Ａが多数設けられている。各々の突起１１Ａ，１２Ａは、図５に示すように、ブラシ長手方向に対しては一定の間隔に並んで配列され、ブラシ回転方向に対しては隣り合う突起同士に「被り」をつけて配列されている。このため、各々の洗浄ブラシ１１，１２を回転させることで、ブラシ長手方向に隙間なく基板４を洗浄することができる。

洗浄ブラシ１１の回転軸１３は可動アーム１５に支持され、洗浄ブラシ１２の回転軸１４は可動アーム１６によって支持されている。各々の可動アーム１５，１６は、互いに独立した駆動源によって上下動（昇降）するものである。また、可動アーム１５，１６は、図６に示す回転軸１３，１４の軸間距離Ｌｇを任意に調整できるように、水平面内でブラシ長手方向に直交する方向（図６の左右方向）に移動可能に設けられている。

また、基板洗浄装置２には２つのノズル１７，１８が設けられている。各々のノズル１７，１８は、４つの基板支持具１０で支持された基板４の上面に洗浄液を供給するものである。一方のノズル１７は洗浄ブラシ１１に対応して設けられ、他方のノズル１８は洗浄ブラシ１２に対応して設けられている。

また、４つの基板支持具１０によって支持される基板４の下方には、ウエハ裏面洗浄用として、スクラバ洗浄のための洗浄ブラシ２０とノズル２１が設けられている。洗浄ブラシ２０は、上述した洗浄ブラシ１１，１２と同様の構造を有し、かつ同様の機構によって回転するものである。ノズル２１は、４つの基板支持具１０に支持された基板４の下面に洗浄液を供給するものである。

続いて、上記構成の基板洗浄装置２を用いた基板洗浄方法（半導体製造方法）について説明する。

まず、被研磨面を上向きにして基板４を４つの基板支持具１０で支持するとともに、当該基板４の被研磨面上に２つの洗浄ブラシ１１，１２を並列に配置する。そして、図７（Ａ），（Ｂ）に示すように、各々の基板支持具１０の回転にしたがって基板４を回転させるとともに、この回転中の基板４の表面（被研磨面）に一方のノズル１７から洗浄液１９を供給するとともに、当該回転中の基板４の裏面にノズル２１から洗浄液１９を供給する。このとき、他方のノズル１８からは洗浄液を供給しない。

また、一方の洗浄ブラシ１１と他方の洗浄ブラシ１２を互いに逆方向に回転させながら下降させることにより、一方の洗浄ブラシ１１を基板４の表面に接触させ、他方の洗浄ブラシ１２は基板４から離して配置する。また、洗浄ブラシ２０を回転させながら上昇させることにより、当該洗浄ブラシ２０を基板４の裏面に接触させる。このとき、基板４に対する洗浄ブラシ１１，２０の押し込み量は、パーティクルを効率的に除去し、かつ洗浄ブラシ１１と基板４の過剰な接触によって洗浄ブラシ１１が摩耗するのを避けるために、例えば０．５〜１ｍｍの範囲に設定するとよい。この場合、基板４の表面には洗浄ブラシ１１の突起１１Ａだけが接触するように、基板４への押し込み量を突起１１Ａの高さ寸法よりも小さく設定する。基板４に対する洗浄ブラシ１１の押し込み量は、洗浄ブラシ１１の突起１１Ａの先端を基板４の表面に接触させたところから、洗浄ブラシ１１を下降させたときの下降量によって規定される。なお、基板４に接触させるときの洗浄ブラシ１１の位置は、基板４との接触によって洗浄ブラシ１１に加わる圧力を図示しない圧力センサで検知し、当該検知した圧力値が所定値となるように調整してもよい。

基板洗浄中において、基板４に接触する洗浄ブラシ１１の回転方向は、ノズル１７から供給される洗浄液１９の流れる方向に対して順方向とする。同様に、基板４に接触する洗浄ブラシ２０の回転方向は、ノズル２１から供給される洗浄液１９の流れる方向に対して順方向とする。洗浄ブラシ１２は、基板４に接触しないように、基板４の表面から所定の距離（例えば、３ｍｍ）だけ離して配置する。基板４と洗浄ブラシ１２の離間距離は、両者が接触しない範囲で、回転する洗浄ブラシ１２から洗浄液等が広範囲に基板４上に飛散するのを避けるために、例えば１〜５ｍｍの範囲に設定することが望ましい。また、ノズル１７から供給された洗浄液１９は基板４の表面に沿って流れるため、その液面に突起１２Ａが僅かに接触する状態で洗浄ブラシ１２を配置してもよい。

また、上述のように一方の洗浄ブラシ１１を基板４に接触させて基板４を洗浄する場合は、一方の洗浄ブラシ１１に対して他方の洗浄ブラシ１２を接触させる。洗浄ブラシ１１，１２同士の接触状態は、上記図６に示すように、回転軸１３，１４の軸間距離を「Ｌｇ」とし、洗浄ブラシ１１の回転中心から突起１１Ａの先端までの距離を「Ｌｒ１」とし、洗浄ブラシ１２の回転中心から突起１２Ａの先端までの距離を「Ｌｒ２」とすると、これらの寸法関係を「Ｌｇ＜（ＬＲ１＋Ｌｒ２）」の条件で設定することにより得られる。また、洗浄ブラシ１１，１２同士を接触させる際のブラシの押し込み量を「ΔＬ」とすると、このブラシの押し込み量は「ΔＬ＝（Ｌｒ１＋Ｌｒ２）−Ｌｇ」で表される。

上記ブラシの押し込み量ΔＬは、洗浄ブラシ１１，１２同士の接触に伴うブラシ自身の摩耗を抑えたり、基板４に接触している洗浄ブラシ１１へのパーティクルの蓄積を抑えたりするために、例えば０．５〜２ｍｍの範囲に設定することが望ましい。具体例として、図８（Ａ）に示すように、洗浄ブラシ１１，１２の突起１１Ａ，１２Ａ同士が互いに変形せずに接触するところから、図８（Ｂ）に示すように、上記の押し込み量ΔＬが０．５〜２ｍｍの範囲（例えば、ΔＬ＝１ｍｍ）に設定されるように、回転軸１３，１４の軸間距離Ｌｇを調整する。こうした洗浄ブラシ１１，１２の位置調整は、上述のように可動アーム１５，１６を上下動させる駆動系（不図示）や、可動アーム１５，１６を水平面内でブラシ長手方向に移動させる駆動系（不図示）によって実現されるものである。

このように洗浄ブラシ１１，１２同士を接触させることにより、基板４との接触（スクラバ洗浄）によって洗浄ブラシ１１に付着したパーティクルを洗浄ブラシ１２で取り除くことができる。このため、基板４に接触している洗浄ブラシ１１へのパーティクルの蓄積を防止することができる。したがって、基板４に接触している洗浄ブラシ１１を清浄な状態に維持しながら基板４の洗浄を行なうことができる。このため、洗浄ブラシ１１から基板４へのパーティクルの転移を防止することができる。また、基板４からのパーティクルの除去効率を高めることができる。さらに、基板４を用いて半導体素子を形成するにあたっては、パーティクルの除去効率が高まることで、露光不良やエッチング不良、ショート不良の発生を低減し、半導体素子の歩留まりを向上させることができる。

また、基板洗浄中はブラシ回転用モータの駆動により洗浄ブラシ１１，１２を非同期で回転させることが望ましい。非同期での回転を実現する一つの手法としては、例えば下記の基板洗浄条件に示すように、洗浄ブラシ１１の回転数（ｒｐｍ）と洗浄ブラシ１２の回転数（ｒｐｍ）を異なる値に設定すればよい。ただし、その場合は、洗浄ブラシ１１の回転数に対して、洗浄ブラシ１２の回転数がｎ倍又は１／ｎ倍（ｎは自然数）とならないようにする。

＜基板洗浄条件＞
洗浄時間：３０ｓｅｃ
洗浄液（薬液）の流量：２５０ｍｌ／ｍｉｎ
基板回転数：１２０ｒｐｍ
洗浄ブラシ１１の回転数：１５０ｒｐｍ
洗浄ブラシ１２の回転数：１４０ｒｐｍ

これにより、互いに逆方向に回転する洗浄ブラシ１１，１２同士を接触させる際に、一方の洗浄ブラシ１１に対して他方の洗浄ブラシ１２の接触部位が回転のたびに円周方向にずれるようになる。また、洗浄ブラシ１１，１２の回転数を変えることにより、両者の接触部分に、周速差による適度な擦れが生じる。このため、基板４の洗浄を洗浄ブラシ１１で行なう場合に、洗浄ブラシ１１に付着したパーティクルを洗浄ブラシ１２で効率良く除去することができる。

その後、薬液によるブラシ洗浄が終わったら、基板４に純水を供給してリンス処理を行なう。次いで、基板４を基板乾燥装置３に搬送し、必要に応じてリンス処理を行なった後、下記の条件でスピン乾燥を行なうことにより、一連の処理を終える。

＜スピン乾燥条件＞
乾燥時間：３０ｓｅｃ
基板回転数：２０００ｒｐｍ

その後、上記同様の条件で所定枚数の基板４の洗浄処理を終えたら、次の基板４を洗浄するにあたって、当該次の基板４に接触させる洗浄ブラシを、洗浄ブラシ１１から洗浄ブラシ１２に切り替える。すなわち、図９（Ａ），（Ｂ）に示すように、４つの基板支持具１０で水平に保持した基板４の表面に洗浄ブラシ１２を接触させ、洗浄ブラシ１１は基板４から離して洗浄ブラシ１１に接触させる。洗浄ブラシ１１，１２の切り替えは、各々の洗浄ブラシ１１，１２の位置を上下方向で入れ替える（上下動させる）ことにより行なう。その場合、一方の洗浄ブラシ１１は前回の基板洗浄時よりも高い位置に配置し、他方の洗浄ブラシ１２は前回の基板洗浄時よりも低い位置に配置する。また、基板４に対する洗浄ブラシ１２の押し込み量や、洗浄ブラシ１１，１２同士の押し込み量は、前回の基板洗浄時と同様に設定する。

また、洗浄ブラシ１１，１２の切り替えに伴って、基板４に洗浄液１９を供給するノズルを、ノズル１７からノズル１８に切り替える。すなわち、上述のように基板４に洗浄ブラシ１２を接触させる場合は、この洗浄ブラシ１２に対応して設けられたノズル１８から洗浄液１９を供給し、ノズル１７からは洗浄液を供給しない。

ここで、ノズル１７は洗浄ブラシ１１側に面する方向から洗浄液１９から供給し、ノズル１８は洗浄ブラシ１２側に面する方向から洗浄液１９を供給するため、基板洗浄中に両方のノズル１７，１８から同時に洗浄液１９を供給すると、ノズル１７によって供給された洗浄液１９とノズル１８によって供給された洗浄液１９が基板４上で衝突して流れを乱し、基板４の洗浄効果が低下する恐れがある。したがって、基板４に洗浄ブラシ１２を接触させる場合は、この洗浄ブラシ１２に対応するノズル１８から洗浄液１９を供給し、前述のように基板４に洗浄ブラシ１１を接触させる場合は、この洗浄ブラシ１１に対応するノズル１７から洗浄液１９を供給することが望ましい。

また、各々の洗浄ブラシ１１，１２の回転方向は、基板４に接触する洗浄ブラシ１２の回転方向がノズル１８から供給される洗浄液１９の流れる方向に対して順方向となるように、前回の基板洗浄時と同様の方向とする。ただし、各々の洗浄ブラシ１１，１２の回転数（ｒｐｍ）は、前回の基板洗浄時と比較して、下記の基板洗浄条件で示すように洗浄ブラシ１１の回転数と洗浄ブラシ１２の回転数を相互に入れ替えた値とし、洗浄時間、洗浄液の流量及び基板回転数は、前回の基板洗浄時と同じ値とする。

＜基板洗浄条件＞
洗浄時間：３０ｓｅｃ
洗浄液（薬液）の流量：２５０ｍｌ／ｍｉｎ
基板回転数：１２０ｒｐｍ
洗浄ブラシ１１の回転数：１４０ｒｐｍ
洗浄ブラシ１２の回転数：１５０ｒｐｍ

以後、所定枚数の基板４を洗浄するごとに、２つの洗浄ブラシ１１，１２を交互に切り替えて使用する。所定枚数は、１枚であってもよし、複数枚であってもよい。このように２つの洗浄ブラシ１１，１２の間で基板４に接触させる洗浄ブラシを交互に切り替えることにより、常に同じ洗浄ブラシを基板に接触させて洗浄する場合に比較して、洗浄ブラシに蓄積するパーティクルの量が格段に少なくなる。また、洗浄ブラシ１１，１２を交互に使用することで、ブラシ交換後の洗浄ブラシの寿命が長くなる。このため、プロセスコストを削減することができる。

なお、上記実施形態においては、基板４の一方の面上に２つの洗浄ブラシ１１，１２を並列に配置し、基板４の他方の面上には１つの洗浄ブラシ２０を配置して基板洗浄を行なう場合について説明したが、本発明はこれに限らず、例えば表示用基板などの洗浄に際して、基板の一方の面上に２つの洗浄ブラシを並列に配置し、基板の他方の面上にもそれと別に２つの洗浄ブラシを並列に配置して基板洗浄を行なってもよい。

基板処理装置の構成を示す概略図である。 基板研磨装置の構成例を示す断面図である。 基板洗浄装置の構成例を示す図である。 洗浄ブラシの構造を示す側面図である。 洗浄ブラシの構造を示す拡大図である。 洗浄ブラシの位置関係を示す図である。 基板洗浄時の装置動作例（その１）を示す図である。 洗浄ブラシの接触状態を示す図である。 基板洗浄時の装置動作例（その２）を示す図である。

符号の説明

１…基板研磨装置、２…基板洗浄装置、３…基板乾燥装置、４…基板、１０…基板支持具、１１，１２…洗浄ブラシ、１３，１４…回転軸、１７，１８…ノズル、１９…洗浄液

Claims (7)

1. 基板の少なくとも一方の面上に２つの円筒型の洗浄ブラシを並列に配置するとともに、前記２つの洗浄ブラシのうち、一方の洗浄ブラシを前記基板に接触させ、かつ他方の洗浄ブラシを前記基板から離して前記一方の洗浄ブラシに接触させた状態で、前記基板の洗浄を行なう
   ことを特徴とする基板洗浄方法。
2. 所定枚数の基板を洗浄するごとに、前記２つの洗浄ブラシの間で前記基板に接触させる洗浄ブラシを交互に切り替える
   ことを特徴とする請求項１記載の基板洗浄方法。
3. 前記２つの洗浄ブラシに対応して２つのノズルを設け、一方の洗浄ブラシを前記基板に接触させる場合は、当該一方の洗浄ブラシに対応するノズルから洗浄液を供給し、他方の洗浄ブラシを前記基板に接触させる場合は、当該他方の洗浄ブラシに対応するノズルから洗浄液を供給する
   ことを特徴とする請求項２記載の基板洗浄方法。
4. 前記２つの洗浄ブラシ同士を接触させる場合の押し込み量を０．５〜２ｍｍの範囲に設定する
   ことを特徴とする請求項１記載の基板洗浄方法。
5. 前記２つの洗浄ブラシを互いに逆方向に非同期で回転させる
   ことを特徴とする請求項１記載の基板洗浄方法。
6. 基板の少なくとも一方の面上に並列に配置された２つの円筒型の洗浄ブラシと、
   前記２つの洗浄ブラシのうち、一方の洗浄ブラシを前記基板に接触させ、かつ他方の洗浄ブラシを前記基板から離して前記一方の洗浄ブラシに接触させるように、各々の洗浄ブラシの位置を調整する調整手段と
   を備えることを特徴とする基板洗浄装置。
7. 研磨後の半導体基板の被研磨面上に２つの円筒型の洗浄ブラシを並列に配置するとともに、前記２つの洗浄ブラシのうち、一方の洗浄ブラシを前記半導体基板に接触させ、かつ他方の洗浄ブラシを前記半導体基板から離して前記一方の洗浄ブラシに接触させた状態で、前記半導体基板の洗浄を行なう
   ことを特徴とする半導体製造方法。

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