TWI814740B - 磨合裝置、磨合系統及記憶媒體 - Google Patents

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Abstract

磨合裝置100具有：供給清洗液之供給部20；保持虛擬基板W1之基板支撐部30；及藉由使清洗構件200旋轉同時接觸前述虛擬基板W1，來對前述清洗構件200進行磨合處理之清洗構件保持部40。

Description

磨合裝置、磨合系統及記憶媒體
本發明係關於一種對清洗構件進行磨合(break in)處理之磨合裝置、磨合系統及記憶媒體。
本申請案針對於2017年9月19日提出申請之日本專利申請案亦即特願2017-178534號主張優先權，並以參照之方式將其全部內容納入。
過去晶圓等基板之清洗方法習知有：將圓筒形狀之海綿等滾筒清洗構件，以其中心軸與基板表面平行之方式保持，藉由使其在中心軸周圍旋轉，以其側面磨擦基板表面來擦洗基板表面之滾筒清洗；以及將圓筒形狀之海綿等筆型清洗構件，以其中心軸與基板表面垂直之方式保持，藉由使其底面接觸於基板表面，並使基板旋轉來擦洗基板表面之筆型清洗(例如參照日本特開2016-92158號公報)。
使用新的滾筒清洗構件、筆型清洗構件等清洗構件時，為了避免在晶圓等基板發生不良的情況，無法將新的清洗構件直接用於清洗基板，而需要先進行磨合處理(適應處理)。
過去，由於清洗構件之磨合處理係藉由基板清洗裝置本身來進行，因此，在進行磨合處理中，無法藉由基板清洗裝置進行基板清洗，而發生在一定規定期間可將基板清洗裝置利用於清洗基板之時間縮短的問題。
本發明一個目的為藉由不用或減低以基板清洗裝置進行之磨合處理，以縮短基板清洗裝置運轉停止之時間。
[概念1]
本發明之磨合裝置，係對清洗構件進行磨合處理的裝置，且亦可具備：供給部，其係供給清洗液；基板支撐部，其係保持虛擬基板；及清洗構件保持部，其係藉由使前述清洗構件旋轉同時接觸前述虛擬基板，來對前述清洗構件進行磨合處理。
[概念2]
如概念1所述之磨合裝置，其中前述清洗構件保持部亦可構成可保持3個以上之清洗構件。
[概念3]
如概念1或2所述之磨合裝置，其中前述清洗構件亦可係滾筒清洗構件或筆型清洗構件。
[概念4]
如概念1至3中任何一個所述之磨合裝置， 其中前述清洗構件保持部係構成可保持2個以上之清洗構件，並且前述虛擬基板的表面及背面各自接觸前述清洗構件，前述基板支撐部亦可將前述虛擬基板在鉛直方向延伸地保持。
[概念5]
如概念1至4中任何一個所述之磨合裝置，其中亦可進一步具備第一移動部，其係可移動前述磨合裝置。
[概念6]
如概念1至5中任何一個所述之磨合裝置，前述供給部亦可開始從前述清洗構件之內側供給清洗液，然後開始從前述清洗構件之外側供給清洗液。
[概念7]
如概念1至6中任何一個所述之磨合裝置，其中亦可進一步具備檢測部，其係用於檢測施加於前述清洗構件之力。
[概念8]
如概念1至7中任何一個所述之磨合裝置，其中亦可進一步具備第一通信部，其係用於與基板清洗裝置通信，前述磨合裝置接收來自前述第一通信部之資訊，開始對前述清洗構件進行磨合處理。
[概念9]
如概念1至8中任何一個所述之磨合裝置，其中亦可進一步具備回收利用部，其係回收對前述虛擬基板供給之清洗液而利用，前述供給部對前述虛擬基板供給由前述回收利用部所回收之清洗液。
[概念10]
如概念1至9中任何一個所述之磨合裝置，其中前述清洗構件保持部亦可保持虛擬清洗構件。
[概念11]
本發明之磨合系統可以具備：磨合裝置，其係具有：供給部，其係供給清洗液；基板支撐部，其係保持虛擬基板；及清洗構件保持部，其係拆卸自如地保持清洗構件，藉由使前述清洗構件旋轉同時接觸前述虛擬基板，來對前述清洗構件進行磨合處理；及基板清洗裝置，其係使用清洗構件來清洗基板；前述基板清洗裝置對前述磨合裝置能傳送關於更換前述基板清洗裝置所使用之前述清洗構件的資訊。
[概念12]
本發明之磨合系統可以具備：磨合裝置，其係具有：供給部，其係供給清洗液；基板支撐部，其係保持虛擬基板；清洗構件保持部，其係拆卸自如地保持清洗構件，藉由使前述清洗構件旋轉同時接觸前述虛擬基板，來對前述清洗構件進行磨合處理；及第一通信部，其係用於從外部接收關於前述清洗構件之更換的資訊；基板清洗裝置，其係具有用於對前述磨合裝置傳送關於更換前述清洗構件之資訊的第二通信部，並且使用清洗構件來清洗基板；及磨合控制部，其係具有用於依據關於前述清洗構件之更換的資訊控制磨合裝置之程式；關於前述清洗構件之更換的資訊，包含清洗構件識別資訊與裝置識別資訊。
[概念13]
本發明之記憶媒體， 可以係記憶有在電腦上動作，用於控制概念12所述之磨合系統的程式，前述程式在執行時，以使用概念12所述之磨合系統進行清洗構件之磨合處理的方式，使電腦控制前述磨合系統。
採用如本發明一般之磨合裝置時，藉由不用或減低以基板清洗裝置進行之磨合處理，可縮短基板清洗裝置運轉停止之時間。此外，可依用於基板清洗裝置之各個清洗構件的尺寸、形狀、表面性狀，更適切地實施磨合處理。
5‧‧‧框體
10‧‧‧磨合模組
20‧‧‧供給部
21‧‧‧內部供給部
22‧‧‧外部供給部
30‧‧‧基板支撐部
40‧‧‧清洗構件保持部
45‧‧‧檢測部
50‧‧‧磨合控制部
55‧‧‧磨合記憶部
60‧‧‧第二移動部
80‧‧‧清洗液貯存部
81‧‧‧藥液貯存部
82‧‧‧沖洗液貯存部
84‧‧‧排液貯存部
85‧‧‧回收利用部
86‧‧‧藥液回收利用部
87‧‧‧沖洗液回收利用部
90‧‧‧第一移動部
91‧‧‧鎖定部
100‧‧‧磨合裝置
110‧‧‧機架
112‧‧‧裝載埠
114a~114d‧‧‧研磨單元
116‧‧‧第一清洗單元
118‧‧‧第二清洗單元
120‧‧‧乾燥單元
122‧‧‧第一搬送機器人
124‧‧‧搬送單元
126‧‧‧第二搬送機器人
128‧‧‧第三搬送機器人
150‧‧‧整體控制部
160‧‧‧整體記憶部
170‧‧‧清洗檢測部
200‧‧‧清洗構件
205‧‧‧虛擬清洗構件
210‧‧‧滾筒清洗構件
215‧‧‧虛擬滾筒清洗構件
220‧‧‧筆型清洗構件
225‧‧‧虛擬筆型清洗構件
310‧‧‧第一通信部
320‧‧‧第二通信部
350‧‧‧行動終端機
W‧‧‧基板
W1‧‧‧虛擬基板
第一圖係顯示本發明第一種實施形態之包含基板處理裝置的處理裝置整體構成的俯視圖。
第二圖係本發明第一種實施形態所使用之磨合裝置的立體圖。
第三圖係顯示本發明第一種實施形態所使用之磨合模組內的構成之立體圖。
第四圖係顯示在第三圖所示之樣態中，於磨合模組中安裝滾筒清洗構件或虛擬滾筒清洗構件時之狀態的立體圖。
第五圖係顯示在第四圖所示之樣態中，於磨合模組中安裝虛擬基板時之狀態的立體圖。
第六圖係顯示本發明第一種實施形態之基板清洗裝置、磨合模組及清洗液貯存部的構成的方塊圖。
第七圖係顯示本發明第二種實施形態之基板清洗裝置、磨合模組及清洗液貯存部的構成的方塊圖。
第八圖係顯示本發明第三種實施形態之基板清洗裝置、磨合模組及清洗液貯存部的構成的方塊圖。
第九圖係顯示使用本發明第三種實施形態之磨合系統進行控制方法之一例的流程圖。
第十圖係顯示開始本發明第三種實施形態中之磨合處理時，抽出、生成之資料內容的一例圖。
第十一圖係顯示本發明第四種實施形態之基板清洗裝置及磨合模組的構成的方塊圖。
第十二圖係顯示以本發明第五種實施形態之磨合模組安裝筆型清洗構件或虛擬筆型清洗構件樣態的側視圖。
第十三圖係顯示以本發明第五種實施形態之磨合模組安裝筆型清洗構件或虛擬筆型清洗構件、及滾筒清洗構件或虛擬滾筒清洗構件樣態的側視圖。
第一種實施形態
《構成》
以下，參照圖式說明具有本發明之基板清洗裝置的基板處理裝置之實施形態。首先，就基板處理裝置進行說明。本實施形態之磨合裝置100係用於進行供基板處理裝置之基板清洗裝置使用的後述之滾筒清洗構件210、筆型清洗構件220等清洗構件200之磨合處理(適應處理)的裝置。另外，所謂磨合處理 (適應處理)，係指將清洗基板W之清洗構件200中，與基板W接觸之表面等接觸部，在利用於清洗處理基板W之前進行修整(conditioning)等。
磨合處理係為了預先將清洗構件200表面之物理性凹凸狀態加以均勻化等，將表面狀態形成所謂「適應的」狀態，開始基板W之清洗處理而進行。此外，有的情況，進行基板W之清洗處理的清洗構件200之接觸部係由多孔質構件而形成。該情況下，例如在製造清洗構件200之工序時，有的情形下，異物會附著於清洗構件200之多孔質構件的細孔，事前除去此種異物也是進行磨合處理的原因之一。
如第一圖所示，本實施形態之基板處理裝置具有：概略矩形狀之機架110；及裝載用於貯存多數個基板之基板匣盒的裝載埠112。裝載埠112鄰接於機架110而配置。裝載埠112中可搭載開放式匣盒、SMIF(標準機械化介面(Standard Mechanical Interface))盒、或FOUP(前開式晶圓傳送盒(Front Opening Unified Pod))。SMIF盒、FOUP係在內部收納基板匣盒，並藉由以分隔壁覆蓋，可保持與外部空間獨立之環境的密閉容器。基板例如可為半導體晶圓等。
在機架110內部收容有複數個(第一圖所示之樣態係4個)研磨單元114a~114d；清洗研磨後之基板的第一清洗單元116及第二清洗單元118；以及使清洗後之基板乾燥的乾燥單元120。研磨單元114a~114d沿著基板處理裝置之長度方向排列，清洗單元116、118及乾燥單元120亦沿著基板處理裝置之長度方向排列。採用本實施形態之基板處理裝置時，可在直徑300mm或450mm之半導體晶圓、平板、CMOS(互補式金氧半導體(Complementary Metal Oxide Semiconductor))或CCD(電荷耦合元件(Charge Coupled Device))等影像感測器、MRAM(磁性隨機存取記憶體(Magneto resistive Random Access Memory)) 中之磁性膜的製造工序中研磨處理各種基板。另外，其他實施形態之基板處理裝置亦可為機架110中不設研磨基板W之研磨單元，而進行基板W之清洗處理及乾燥處理的裝置。
在裝載埠112、位於裝載埠112側之研磨單元114a及乾燥單元120所包圍的區域配置有第一搬送機器人122。此外，與研磨單元114a~114d以及清洗單元116、118及乾燥單元120平行地配置有搬送單元124。第一搬送機器人122從裝載埠112接收研磨前之基板而轉交搬送單元124，或是從搬送單元124接收從乾燥單元120取出之乾燥後的基板。
在第一清洗單元116與第二清洗單元118之間，配置有在該第一清洗單元116與該第二清洗單元118之間進行基板轉交的第二搬送機器人126，在第二清洗單元118與乾燥單元120之間，配置有在該第二清洗單元118與該乾燥單元120之間進行基板轉交的第三搬送機器人128。再者，在機架110之內部配置有控制基板處理裝置之各設備動作的整體控制部150。本實施形態係使用在機架110內部配置有整體控制部150之樣態作說明，不過不限於此，亦可在機架110之外部配置整體控制部150，亦可遠距設置整體控制部150。此外，如第六圖所示，亦可對整體控制部150連接記憶各種資訊之整體記憶部160。
第一清洗單元116亦可使用在清洗液存在下，使在基板之直徑的大致全長直線狀延伸之滾筒清洗構件210(參照第四圖)接觸，使其在與基板平行之中心軸周圍自轉同時擦洗基板表面的滾筒清洗裝置。例如，亦可水平或垂直保持基板W，使其旋轉同時使清洗構件200接觸於基板進行清洗處理。此外，第二清洗單元118亦可使用在清洗液存在下，使在鉛直方向延伸之圓柱狀的筆型清洗構件220(參照第十圖)之接觸面接觸，使筆型清洗構件220自轉同時使其朝向一個方向移動，來擦洗基板表面之筆型清洗裝置。此外，乾燥單元120亦可使用朝向水平保持同時旋轉之基板，從移動之噴射噴嘴噴出IPA蒸氣使 基板乾燥，進一步使基板高速旋轉藉由離心力使基板乾燥之自旋乾燥單元。另外，滾筒清洗構件210及筆型清洗構件220例如可使用日本特開2016-92158號公報之第二圖、第三圖及第五圖記載的清洗構件。
另外，第一清洗單元116亦可並非滾筒清洗裝置，而使用與第二清洗單元118同樣之筆型清洗裝置，或是亦可使用藉由雙流體噴射來清洗基板表面之雙流體噴射清洗裝置。此外，第二清洗單元118亦可並非筆型清洗裝置，而使用與第一清洗單元116同樣之滾筒清洗裝置，或是亦可使用藉由雙流體噴射來清洗基板表面之雙流體噴射清洗裝置。
本實施形態之清洗液包含純水(DIW)等沖洗液(rinsing liquid)、及氨過氧化氫(SC1)、鹽酸過氧化氫(SC2)、硫酸過氧化氫(SPM)、硫酸水解、氫氟酸等藥液。本實施形態除非另有說明，否則清洗液係指沖洗液、藥液、或是沖洗液及藥液兩者。
如前述，磨合裝置100係用於進行滾筒清洗構件210、筆型清洗構件220等清洗構件200之磨合處理(適應處理)的裝置。磨合裝置100例如第一圖所示係設置於機架110外。但是不限於此，磨合裝置100亦可設於機架110內。本實施形態之清洗構件200係就使用滾筒清洗構件210之樣態作說明。如後述，清洗構件200亦可採用筆型清洗構件220，並磨合處理該筆型清洗構件220。
磨合裝置100具有：框體5；設於框體5內之磨合模組10；用於控制磨合模組10之磨合控制部50；及記憶各種資訊之磨合記憶部55。磨合控制部50例如亦可由觸控面板等構成，且設於框體5之側面。本實施形態係使用將2個磨合模組10設於框體5內之樣態作說明，不過不限於此，亦可將1個磨合模組10設於框體5內，亦可將3個以上磨合模組10設於框體5內。將複數個磨合模組10 設於框體5內之情況下，亦可以1個以上磨合模組10進行滾筒清洗構件210之磨合處理，並以另外之1個以上磨合模組10進行筆型清洗構件220的磨合處理。
磨合裝置100亦可具有可移動該磨合裝置100之第一移動部90。一個例子為亦可在框體5之下面設置滾動輪(Caster)等第一移動部90。此外，磨合裝置100亦可具有用於鎖定以免第一移動部90引起移動之鎖定部91。本實施形態係使用設有4個第一移動部90、與對應於此等而設置之4個鎖定部91的樣態作說明。
如第三圖所示，磨合裝置100之磨合模組10亦可具有：供給清洗液之供給部20(參照第六圖)；保持虛擬基板W1之基板支撐部30；及藉由對虛擬基板W1使清洗構件200旋轉同時接觸，來對清洗構件200進行磨合處理之清洗構件保持部40。從供給部20供給之清洗液供給至藉由基板支撐部30所保持之虛擬基板W1上。
從供給部20供給之清洗液亦可係沖洗液，亦可係藥液。從供給部20供給藥液之情況下，從避免藥液殘留於滾筒清洗構件210內之觀點而言，宜採用在藥液供給結束後供給沖洗液之樣態。沖洗液典型而言可使用純水。
如第六圖所示，供給部20亦可具有：從滾筒清洗構件210之內側供給清洗液的內部供給部21；與從滾筒清洗構件210之外側供給清洗液的外部供給部22。此種樣態下，磨合控制部50亦可以開始藉由內部供給部21從滾筒清洗構件210內側供給清洗液，然後開始藉由外部供給部22從滾筒清洗構件210外側供給清洗液之方式來控制。但是不限於此，供給部20亦可僅具有外部供給部22，而僅從滾筒清洗構件210之外側供給清洗液，或供給部20亦可僅具有內部供給部21，而僅從滾筒清洗構件210之內側供給清洗液。外部供給部22亦可具有使清洗液如噴霧般擴大而構成的扇形噴嘴、圓錐噴嘴等。
亦可以內部供給部21僅供給沖洗液，而以外部供給部22供給藥液及沖洗液兩者。由於從內部供給部21供給之清洗液容易滯留在滾筒清洗構件210內，因此亦考慮採用此種樣態。
如第六圖所示，供給部20亦可構成連結有貯存清洗液之清洗液貯存部80，並從清洗液貯存部80供給清洗液。更具體而言，供給部20亦可構成連結有貯存藥液之藥液貯存部81以及貯存沖洗液之沖洗液貯存部82至少其中之一，並從該藥液貯存部81以及該沖洗液貯存部82至少其中之一供給藥液沖洗液至少其中之一。藥液貯存部81及沖洗液貯存部82亦可為基板清洗裝置所利用者，亦可為與基板清洗裝置利用者不同的設置。第六圖所示之樣態係清洗液貯存部80連接於磨合控制部50，不過其顯示電性連接。實體上，藥液貯存部81亦可構成分別連結於內部供給部21及外部供給部22，而分別對內部供給部21及外部供給部22供給藥液。同樣地，沖洗液貯存部82亦可構成分別連接於內部供給部21及外部供給部22，並分別對內部供給部21及外部供給部22供給沖洗液。
磨合裝置100亦可連結具有排放管等之排液部(無圖示)。磨合裝置100用於磨合處理之清洗液亦可經由排液部進行排液處理。但是不限於此，磨合裝置100亦可具有貯存用於磨合處理之清洗液的排液貯存部84(參照第六圖)。採用此種樣態情況下，有助於即使是未設排液部之部位仍可設置磨合裝置100。
虛擬基板W1宜由與基板清洗裝置清洗之基板相同厚度及相同面方向的大小而構成，更宜由與基板相同材質構成。但是，虛擬基板W1亦可並非如基板實施圖案化等。
清洗構件保持部40亦可構成可保持3個以上之清洗構件200。但是不限於此。清洗構件保持部40亦可構成可保持1個或2個清洗構件200。第三圖至第五圖所示之樣態係清洗構件保持部40可保持4個滾筒清洗構件210。
從將滾筒清洗構件210在與實際清洗相同環境下「適應化」之觀點而言，清洗構件保持部40引起滾筒清洗構件210之旋轉速度，宜為與基板清洗裝置中清洗工序時採用之旋轉速度相同的速度。
如第五圖所示，基板支撐部30亦可構成將虛擬基板W1在鉛直方向延伸(換言之，虛擬基板W1之面內方向在上下方向延伸)而保持。但是不限於此，基板支撐部30亦可構成將基板在水平方向延伸而保持，亦可構成從水平方向傾斜而保持。
第三圖至第五圖所示之樣態係均等地(以旋轉中心為中心之90°角度)配置4個基板支撐部30。本實施形態之基板支撐部30由主軸(spindle)構成，且構成旋轉同時保持虛擬基板W1。基板支撐部30亦可並非此種主軸，而使用由夾盤形成者。此種情況下，係藉由夾盤(chuck)保持虛擬基板W1，藉由夾盤保持之虛擬基板W1接收來自旋轉部的驅動力而旋轉。基板支撐部30之數量只要可穩定地保持虛擬基板W1即可，例如亦可為3個或6個。
基板支撐部30採用夾盤情況下，基板支撐部30亦可在並未保持虛擬基板W1時成為打開狀態，於保持虛擬基板W1時成為關閉狀態。亦可依據來自磨合控制部50之指令控制虛擬基板W1的開閉，亦可成為藉由裝載虛擬基板W1而基板支撐部30自動成為關閉狀態，取出虛擬基板W1時(藉由施加一定以上的力道)基板支撐部30自動成為打開狀態。
基板支撐部30採用主軸情況下，亦可在設於基板支撐部30支撐虛擬基板W1之部位且剖面由三角形狀等形狀構成之凹部內，可旋轉地支撐虛擬基板W1。
在基板支撐部30中設置虛擬基板W1時，亦可由作業人員將虛擬基板W1設置於基板支撐部30中，亦可由機器手臂等基板搬送部將虛擬基板W1設置於基板支撐部30中。
第三圖至第五圖所示之樣態係設有4個外部供給部22，如第四圖及第五圖所示，亦可以1個外部供給部22對應之方式而設於1個清洗構件保持部40。採用此種樣態時，有助於可對各滾筒清洗構件210確實供給清洗液。
如第四圖及第五圖所示，清洗構件保持部40亦可保持虛擬清洗構件205。更具體而言，清洗構件保持部40亦可保持虛擬滾筒清洗構件215。虛擬滾筒清洗構件215亦可由與滾筒清洗構件210相同重量及相同大小而構成，亦可由與滾筒清洗構件210相同材質而構成。
清洗構件保持部40亦可連結用於使清洗構件保持部40對虛擬基板W1接近及離開之第二移動部60(參照第五圖之箭頭及第六圖)。另外，為了降低製造成本或促進裝置構成小型化，第二移動部60為僅使清洗構件保持部40對虛擬基板W1接近及離開的構成，亦可為不使清洗構件保持部40搖動等之構成。
為了對包含滾筒清洗構件210之長度方向兩端部的整體進行磨合處理，第二移動部60亦可形成可使滾筒清洗構件210沿著其長度方向或與長度方向正交之虛擬基板W1面內方向移動或搖動。
可藉由清洗構件保持部40保持3個以上滾筒清洗構件210之構成，無法使各個滾筒清洗構件210抵接於虛擬基板W1最大直徑的部位。另外，如前述，藉由第二移動部60形成可使滾筒清洗構件210在其長度方向或與長度方向正交之虛擬基板W1面內方向移動或搖動，成為可使各個滾筒清洗構件210抵接於虛擬基板W1最大直徑的部位，且有助於可對包含滾筒清洗構件210之長度方向兩端部的整體進行磨合處理。
第五圖所示之樣態係在虛擬基板W1表面側及背面側這兩側分別設置第二移動部60，使位於虛擬基板W1表面側之2個滾筒清洗構件210、與位 於虛擬基板W1背面側之2個滾筒清洗構件210同步移動而構成。第二移動部60例如亦可由致動器等構成。
亦可預設滾筒清洗構件210對虛擬基板W1之壓入量，此種情況下，亦可採用與對基板清洗裝置清洗之基板壓入滾筒清洗構件210的量(壓入量)相同量程度，來對虛擬基板W1壓入滾筒清洗構件210。另外，為了測定壓入量亦可測定滾筒清洗構件210對虛擬基板W1之負荷，亦可將與滾筒清洗構件210對基板清洗裝置清洗之基板的負荷相同負荷施加於虛擬基板W1同時進行磨合處理。一個例子為第二移動部60亦可在0~12N之範圍變更滾筒清洗構件210對虛擬基板W1的負荷。
如第六圖所示，本實施形態之磨合裝置100亦可具有用於與基板清洗裝置之第二通信部320通信的第一通信部310。亦可從磨合裝置100經由第一通信部310及第二通信部320傳送資訊至基板清洗裝置，並從基板清洗裝置經由第二通信部320及第一通信部310傳送資訊至磨合裝置100。
《方法》
使用本實施形態之磨合裝置100磨合滾筒清洗構件210之一例方法如下。另外，由於與上述重複，因此僅簡單說明，不過「方法」中可適用上述「構成」所敘述的全部樣態。此外，反之，在「構成」中可適用「方法」中所敘述的全部樣態。此外，用於實施本實施形態之方法的程式亦可記錄於記憶媒體，亦可藉由電腦(無圖示)讀取該記憶媒體，並以基板處理裝置實施本實施形態之方法。
首先，將成為磨合處理(適應處理)對象之滾筒清洗構件210設置於清洗構件保持部40(參照第四圖)。成為磨合處理對象之滾筒清洗構件210比藉由清洗構件保持部40可保持的數量(第三圖至第五圖所示之樣態係4 個)少之情況下，係將從可保持之滾筒清洗構件210數量減去成為磨合處理對象之滾筒清洗構件210數量所得到的數量之虛擬滾筒清洗構件215，設置於清洗構件保持部40。
其次，將虛擬基板W1設置於基板支撐部30(參照第五圖)。另外，並非限於此種樣態，亦可在將虛擬基板W1設置於基板支撐部30後，再設置滾筒清洗構件210。
其次，開始藉由內部供給部21從滾筒清洗構件210內側供給清洗液，然後，藉由外部供給部22從滾筒清洗構件210外側供給清洗液。
開始藉由內部供給部21供給清洗液之後，並在藉由外部供給部22供給清洗液開始之前或開始之後，藉由第二移動部60使清洗構件保持部40靠近虛擬基板W1，滾筒清洗構件210或滾筒清洗構件210及虛擬滾筒清洗構件215分別接觸於虛擬基板W1。此時，虛擬基板W1藉由基板支撐部30而旋轉，滾筒清洗構件210或滾筒清洗構件210及虛擬滾筒清洗構件215分別藉由清洗構件保持部40而旋轉。
一定時間(例如1小時)藉由基板支撐部30使虛擬基板W1旋轉，同時使接觸於虛擬基板W1之滾筒清洗構件210或滾筒清洗構件210及虛擬滾筒清洗構件215分別旋轉，磨合處理結束。
滾筒清洗構件210或滾筒清洗構件210及虛擬滾筒清洗構件215之各個旋轉速度亦可為相同速度。此外，滾筒清洗構件210或滾筒清洗構件210及虛擬滾筒清洗構件215之各個旋轉速度亦可以第一速度旋轉至第一時間經過，於第一時間經過後，再以第二速度旋轉。從逐漸「適應化」之觀點而言，宜採用第一速度比第二速度慢的樣態。但是不限於此，亦可第一速度比第二速度快。
此外，虛擬基板W1之旋轉速度亦可以第三速度旋轉至第二時間經過，於第二時間經過後，以第四速度旋轉。從逐漸「適應化」之觀點而言，宜採用第三速度比第四速度慢的樣態。但是不限於此，亦可第三速度比第四速度快。關於滾筒清洗構件210等之第一時間、與關於虛擬基板W1的第二時間亦可為相同時間，亦可為不同時間。
滾筒清洗構件210或滾筒清洗構件210及虛擬滾筒清洗構件215各自的旋轉速度亦可比在基板清洗裝置中之旋轉速度快。藉由採用此種樣態，可期待縮短磨合處理需要之時間。另外，由於旋轉過快造成滾筒清洗構件210破損的可能性高，因此，應在上限轉數以下(例如500rpm以下)使滾筒清洗構件210旋轉。
此等之控制亦可藉由磨合裝置100之磨合控制部50來進行。
如以上磨合處理結束時，清洗構件保持部40藉由第二移動部60從虛擬基板W1離開。更具體而言，滾筒清洗構件210或滾筒清洗構件210及虛擬滾筒清洗構件215各自從虛擬基板W1離開。
然後，從清洗構件保持部40取出滾筒清洗構件210而安裝於基板清洗裝置。此時，滾筒清洗構件210亦可放入托盤等容器而搬送。
從保持滾筒清洗構件210清潔之觀點而言，亦可在從清洗構件保持部40取出滾筒清洗構件210之前繼續從內部供給部21供給清洗液(典型而言為沖洗液)。此外，不限於藉由此種內部供給部21供給清洗液，亦可在從清洗構件保持部40取出滾筒清洗構件210之前繼續從外部供給部22供給清洗液(典型而言為沖洗液)。但是，從有效率地保持滾筒清洗構件210清潔之觀點而言，宜採用僅從內部供給部21供給清洗液的樣態。
此外，從前述保持滾筒清洗構件210清潔之觀點而言，清洗構件保持部40引起滾筒清洗構件210之旋轉，亦可持續進行至從清洗構件保持部40取出滾筒清洗構件210為止。
另外，亦可在從清洗構件保持部40取出滾筒清洗構件210之前，從磨合控制部50輸入結束磨合處理之要旨，藉以停止滾筒清洗構件210旋轉，並停止從供給部20供給清洗液。
在虛擬基板W1之表面進行磨合處理的滾筒清洗構件210亦可利用於清洗基板之表面，在虛擬基板W1之背面進行磨合處理的滾筒清洗構件210亦可利用於清洗基板之背面。但是，採用鉛直方向設置虛擬基板W1而均等地進行磨合處理的樣態情況下，與是否在虛擬基板W1之表面或背面進行磨合處理無關，亦可將各滾筒清洗構件210設置於基板清洗裝置。
《作用、效果》
其次，主要說明上述構成所形成之本實施形態的作用與效果中尚未說明者。即使「構成」中並未記載時，在「作用、效果」中說明之所有構成仍可在本案發明中採用。關於「作用、效果」，由於清洗構件200採用筆型清洗構件220時亦可期待同樣之效果，因此，基本上使用「清洗構件200」一詞作說明，而不使用「滾筒清洗構件210」一詞。
使用新的滾筒清洗構件210、筆型清洗構件220等清洗構件200情況下，無法直接使用於清洗基板，而需要進行磨合處理。由於過去清洗構件200之磨合處理係藉由基板清洗裝置來進行，因此，在進行磨合處理中，無法藉由基板清洗裝置進行基板清洗，而有在一定規定期間可利用基板清洗裝置來清洗基板W之時間縮短的問題。
關於這一點，若採用本實施形態之磨合裝置100情況下，可以不用或減低以基板清洗裝置進行之磨合處理，而可縮短基板清洗裝置停止運轉之時間。
清洗構件保持部40採用可保持3個以上清洗構件200而構成的樣態情況下，有助於一次對多個清洗構件200進行磨合處理。
清洗構件保持部40可保持2個以上之清洗構件200，並且構成分別使虛擬基板W1之表面及背面接觸清洗構件200，且採用基板支撐部30使虛擬基板W1保持在鉛直方向延伸的樣態情況下，有助於可對分別接觸於虛擬基板W1之表面及背面的各個清洗構件200以同樣條件進行磨合處理。換言之，使虛擬基板W1保持在水平方向延伸，並使用虛擬基板W1之表面及背面進行磨合處理情況下，接觸於虛擬基板W1表面之清洗構件200與接觸於背面的清洗構件200，有可能因為重力影響導致清洗液之供給方式不同等因素，而無法以同樣條件進行磨合處理。關於這一點，採用本樣態情況下，可期待分別對接觸於虛擬基板W1之表面及背面的各個清洗構件200以同樣條件進行磨合處理。
此外，藉由採用基板支撐部30使虛擬基板W1保持在鉛直方向延伸之樣態，有助於可使清洗液良好地流動，亦可防止清洗液在虛擬基板W1之中央部對流。
如第二圖所示，採用設有可移動磨合裝置100之第一移動部90的樣態之情況下，有助於可任意變更磨合裝置100之配置位置。當清洗之基板種類改變或清洗之基板數量增加時，基板清洗裝置在機架中之佈局會改變。因而，可移動磨合裝置100時，有助於可輕易配置在多餘的空間。
此外，設有第一移動部90情況下，亦可使磨合裝置100移動至預定更換滾筒清洗構件210之基板清洗裝置附近。因而，亦可縮短從磨合裝置100取出磨合處理結束之滾筒清洗構件210而移動的距離。
採用開始從清洗構件200內側供給清洗液，然後開始從清洗構件200外側供給清洗液之樣態情況下，可從內側以清洗液濕潤清洗構件200，有助於可更確實地在濕潤狀態下對清洗構件200進行磨合處理。從濕潤清洗構件200之觀點而言，應先從清洗構件200外側供給清洗液，再適時從清洗構件200內側供給清洗液，不過，採用本樣態時，有助於可減少供給之清洗液量。
採用清洗構件保持部40可保持虛擬滾筒清洗構件215等虛擬清洗構件205之樣態情況下，需要進行磨合處理之清洗構件200少時，藉由將從清洗構件保持部40可保持之清洗構件200數量減去成為磨合處理對象之清洗構件200數量所得之數量的虛擬滾筒清洗構件215設置於清洗構件保持部40，有助於不致喪失平衡而可藉由虛擬基板W1進行磨合處理。換言之，需要進行磨合處理之清洗構件200少時，不利用虛擬清洗構件205情況下，使虛擬基板W1與清洗構件200接觸來進行磨合處理時，可能造成虛擬基板W1傾斜，或是即使不發生傾斜，但是虛擬基板W1與清洗構件200之間的按壓力不均勻。關於這一點，藉由將從清洗構件保持部40可保持之清洗構件200數量減去成為磨合處理對象的清洗構件200數量所得之數量的虛擬滾筒清洗構件215設置於清洗構件保持部40，有助於可消除此種不適當。
第二種實施形態
其次，說明本發明之第二種實施形態。
本實施形態之磨合裝置100如第七圖所示，具有用於檢測施加於清洗構件200之力的檢測部45。關於其他構成則與第一種實施形態同樣，可採用第一種實施形態中說明之所有樣態。並就在第一種實施形態中說明之構件使用相同符號作說明。
檢測部45可使用檢測滾筒清洗構件210、筆型清洗構件220等清洗構件200之按壓力的按壓力檢測部。採用該樣態情況下，將清洗構件200按壓於虛擬基板W1時，可藉由檢測部45檢測從虛擬基板W1施加於清洗構件200的反作用力。此外，亦可藉由第二移動部60之移動距離來檢測將清洗構件200壓入虛擬基板W1之量。可從檢測部45所檢測之反作用力及第二移動部60可計測的壓入量檢測清洗構件200之硬度，亦可在柔軟至預定硬度時結束磨合處理。藉由採用此種樣態，可均勻進行清洗構件200之磨合處理，進而有助於可均勻進行基板清洗裝置中之清洗處理。
此外，亦可依據檢測部45之檢測結果，以一定之力施加於清洗構件200的方式控制第二移動部60。而後，亦可在第二移動部60移動清洗構件200之距離達到一定值時結束磨合處理。採用該樣態時，可將適當且均勻之力施加於清洗構件200來進行磨合處理，有助於可防止對清洗構件200施加極度大負荷。
此外，亦可藉由第二移動部60移動預定距離後固定，依據來自檢測部45之檢測結果，在施加於清洗構件200之力低於或等於一定值時結束磨合處理。採用該樣態時，第二移動部60不必再移動清洗構件200的程度，有助於容易控制。
第三種實施形態
其次，說明本發明之第三種實施形態。
本實施形態之磨合裝置100接收從整體控制部150對第一通信部310傳送的資訊，磨合控制部50開始對清洗構件200進行磨合處理。本實施形態 可採用上述各種實施形態所說明之所有樣態。就上述各種實施形態所說明之構件使用相同符號作說明。
通常，更換基板清洗裝置使用之清洗構件200的時間為藉由清洗構件200清洗指定片數之基板時，且概略可預測更換的時間。本實施形態係接收來自整體控制部150之資訊，並從基板清洗裝置之第二通信部320傳送清洗構件200更換時間接近的要旨資訊至磨合裝置100之第一通信部310。採用該樣態時，有助於可在適當時間開始磨合處理，可期待無須等待時間，即可將使用後之清洗構件200更換成完成磨合處理的清洗構件200。
關於清洗構件200之更換時間是否已近？例如亦可從磨合處理需要的時間反算。磨合處理需要一定時間(例如1小時)時，亦可在比一定時間(例如1小時)稍前(數分鐘~10分鐘前)，從整體控制部150傳送清洗構件200之更換時間接近的要旨資訊至磨合控制部50，並控制成在清洗構件200更換之時間磨合處理結束。藉由採用此種樣態，不需要將磨合處理結束之清洗構件200保管在其他場所，此外，有助於不致損壞磨合處理之效果，可期待可迅速將使用後之清洗構件200更換成磨合處理完成的清洗構件200。
此外，採用即使磨合處理結束後，仍然對清洗構件200供給清洗液同時使其旋轉的樣態情況下，有助於亦可藉由縮短等待時間，而縮短對清洗構件200供給清洗液同時使其旋轉的狀態(空轉狀態)。
清洗構件200亦可預先設置於磨合裝置100。而後，亦可在從整體控制部150對磨合控制部50傳送更換時間已近之要旨資訊時，即自動對清洗構件200開始進行磨合處理。採用此種樣態情況下，有助於作業人員只須事前將清洗構件200設置於清洗構件保持部40，即可自動對清洗構件200開始磨合處理。
此外，如第八圖所示，第一通信部310亦可對作業人員之智慧型手機或行動電話等行動終端機350通知磨合處理結束、或不久將結束等作業狀態。此外，第二通信部320亦可對作業人員之智慧型手機或平板電腦、行動電話等行動終端機350通知磨合處理結束、或不久將結束等作業狀態。採用此等樣態情況下，作業人員即使在遙遠地時，仍可掌握磨合處理狀況，可更有效率地進行清洗構件200之更換。
整體記憶部160亦可記憶有以下表1所示之資料庫。另外，該資料庫亦可記憶於磨合記憶部55，亦可記憶於整體控制部150。
Figure 107131961-A0202-12-0022-1
表1所示之資料庫的「ID」欄中儲存用於唯一地識別記錄的資訊。此外，「裝置識別資訊」欄中儲存用於唯一地識別成為對象之各清洗裝置的資訊。「清洗構件識別資訊」中儲存用於識別清洗構件之類型的資訊。另外，該資訊中預先分配有係滾筒清洗構件(上述「表1」係以「Roll」來表示。)或是筆型清洗構件(上述「表1」以「Pen」來表示。)的區別，以及進一步依清洗構件之形狀等形態而唯一地指定的類型。「指定時間」欄中依各清洗構件分別儲存為了下次更換而開始對更換零件(新的清洗構件)進行磨合處理的指定時間。此外，「累計使用時間」欄中儲存從最初設置於基板清洗裝置起算之累計使用時間逐次更新的各個數值。當該資料庫中，各個清洗構件超過預設的指定時間情況下，係由整體控制部150控制，藉以開始對與抽出之抽出 記錄對應的清洗構件進行磨合處理。另外，開始磨合處理時抽出、生成之資料亦可係第十圖所示之資料D1的集合。
使用第九圖說明本實施形態之控制方法的一例。另外，以下係說明使用時間計測關於清洗構件200更換之資訊(更換時間已近之資訊、需要更換之資訊等)的樣態作說明，不過不限於此種樣態。亦可使用設置連接於整體控制部150之清洗檢測部170(參照第八圖)，藉由該清洗檢測部170測定對以基板清洗裝置清洗之基板W的按壓力以及基板W與清洗構件200之距離，來計測關於更換清洗構件200之資訊的樣態。
首先，將磨合處理完成之清洗構件200設置於基板清洗裝置(S1)。此時，以整體記憶部160記憶清洗構件200之開始使用時間。
如此在基板清洗裝置中設置清洗構件200時，開始使用清洗構件200進行清洗基板W之處理(S2)。在此期間隨時合計實際運轉時間，並隨時或適當比較合計實際運轉時間之累計使用時間與指定時間的大小。另外，該指定時間亦可考慮更換時間等安裝新的清洗構件200時所需時間來設定，磨合處理需要一定時間(例如1小時)時，亦可設定比一定時間(例如1小時)稍早(數分鐘~10分鐘前)之時間作為指定時間。
累計使用時間大於或等於指定時間時，生成關於包含清洗構件識別資訊與裝置識別資訊之清洗構件的更換資訊，亦即生成開始磨合處理信號，並從第二通信部320傳送該信號至第一通信部310(S4)。第一通信部310接收此種資訊時，第一通信部310對作業人員之智慧型手機及行動電話等行動終端機350通知應開始磨合處理等開始作業信號(S5)。或是，亦可將第一通信部310所接收之開始磨合處理信號傳送至磨合控制部50，在磨合控制部50 中，將該信號轉換成作業人員之智慧型手機及行動電話等行動終端機350可接收的信號後，從第一通信部310向行動終端機350傳送信號(S5)。
接收此種通知之作業人員將新的清洗構件200設置於磨合裝置100，開始對該清洗構件200進行磨合處理(S6)。
此外，磨合控制部50具有依據開始磨合處理信號自動在裝置側設定磨合處理哪個種類、形狀之清洗構件的無圖示之程式情況下，亦可依據開始磨合處理信號來控制磨合裝置之各個設備。或是，亦可作業人員個別確認、判斷磨合處理哪個種類、表面性狀之清洗構件後，將磨合處理之處理程式(recipe)及條件經由無圖示之輸入設備，由作業人員在磨合控制部50中手動輸入設定項目(不過，亦可以是設於磨合控制部50的程式依據開始磨合處理信號自動更新或設定磨合處理結束時間、及磨合處理之處理程式)。
第四種實施形態
其次，說明本發明之第四種實施形態。
上述各種實施形態係以供給部20連結於藥液貯存部81及沖洗液貯存部82至少其中之一，供給部20係以供給從該藥液貯存部81及該沖洗液貯存部82至少其中之一供給之藥液及沖洗液至少其中之一而構成為前提。本實施形態之磨合裝置100如第十一圖所示，具有回收對虛擬基板W1供給之清洗液而利用的回收利用部85。而後，供給部20對虛擬基板W1供給回收利用部85所回收之清洗液(清洗液循環)而構成。亦可設置用於在回收利用部85回收之前或回收之後過濾清洗液的過濾器。本實施形態可採用上述各種實施形態所說明之所有樣態。關於上述各種實施形態所說明之構件，使用相同符號作說明。
本實施形態之回收利用部85亦可具有：回收藥液再利用之藥液回收利用部86；及回收沖洗液再利用之沖洗液回收利用部87。第十一圖所示之樣態係回收利用部85連接於磨合控制部50，不過其顯示電性連接。實體上亦可構成藥液回收利用部86分別連接於內部供給部21及外部供給部22，而分別對內部供給部21及外部供給部22供給藥液。同樣地，亦可構成沖洗液回收利用部87分別連接於內部供給部21及外部供給部22，而分別對內部供給部21及外部供給部22供給沖洗液。
採用本實施形態之樣態時，不需要將供給部20連結於清洗液貯存部80，此有助於即使配置於無法與清洗液貯存部80連結之場所，仍可藉由磨合裝置100進行磨合處理。
如前述，清洗之基板種類改變、或是清洗之基板數量增加時，基板清洗裝置在機架內之佈局會改變。因而非常有助於可任意選擇磨合裝置100之配置場所。
本實施形態之磨合裝置100亦可構成可連結於清洗液貯存部80，可使用從清洗液貯存部80供給之清洗液進行磨合處理。
第五種實施形態
其次，說明本發明之第五種實施形態。
上述各種實施形態係使用滾筒清洗構件210作為清洗構件200，來磨合處理滾筒清洗構件210之樣態作說明，不過，本實施形態如第十二圖所示，係使用筆型清洗構件220作為清洗構件200，來磨合處理該筆型清洗構件220之樣態作說明。本實施形態可採用上述各種實施形態所說明之所有樣態。就上述各種實施形態說明之構件使用相同符號作說明。本實施形態之磨合裝置 100亦可構成可磨合處理滾筒清洗構件210及筆型清洗構件220兩者，亦可構成僅可磨合處理筆型清洗構件220。
過去，即使筆型清洗構件220仍有與滾筒清洗構件210同樣之問題，由於筆型清洗構件220之磨合處理亦藉由基板清洗裝置進行，因此在進行磨合處理中無法藉由基板清洗裝置進行基板清洗，而有在一定規定期間可將基板清洗裝置利用於清洗基板W的時間縮短之問題。藉由將前述所有樣態適用於筆型清洗構件220，即使關於筆型清洗構件220，不但可解決上述問題，還可實現有助益的效果。
如第十三圖所示，亦可構成滾筒清洗構件210抵接於虛擬基板W1之中心部分(直徑大的部分)附近，而筆型清洗構件220係與滾筒清洗構件210比較時，在虛擬基板的周緣部抵接。採用此種構成情況下，有助於可使用相同裝置且同時磨合處理滾筒清洗構件210與筆型清洗構件220。
如前述，本實施形態可採用上述各種實施形態說明之所有樣態，清洗構件保持部40亦可保持虛擬筆型清洗構件225等虛擬清洗構件205。
上述記載之各種實施形態及揭示的圖式不過是用於說明申請專利範圍記載之發明的一例，而並非藉由上述記載之實施形態或揭示的圖式而限定申請專利範圍記載之發明。此外，提出申請時記載的申請專利範圍僅是一例，亦可依據說明書、圖式等記載而適切變更申請專利範圍的記載。
22‧‧‧外部供給部
30‧‧‧基板支撐部
40‧‧‧清洗構件保持部
200‧‧‧清洗構件
205‧‧‧虛擬清洗構件
210‧‧‧滾筒清洗構件
215‧‧‧虛擬滾筒清洗構件
W1‧‧‧虛擬基板

Claims (12)

  1. 一種磨合裝置，係對清洗構件進行磨合處理的裝置，其特徵為具備：供給部，其係供給清洗液；基板支撐部，其係保持虛擬基板；及清洗構件保持部，其係藉由使前述清洗構件旋轉同時接觸前述虛擬基板，來對前述清洗構件進行磨合處理；前述供給部具有從前述清洗構件之內側供給清洗液濕潤前述清洗構件的內部供給部，以及從前述清洗構件之外側供給清洗液的外部供給部；前述供給部，開始藉由前述內部供給部從前述清洗構件之內側供給清洗液，然後開始藉由前述外部供給部從前述清洗構件之外側供給清洗液；在開始藉由前述內部供給部供給清洗液之後，並在開始藉由前述外部供給部供給清洗液之後，使前述清洗構件保持部靠近前述虛擬基板，使前述虛擬基板旋轉，在此狀態，使前述清洗構件接觸前述虛擬基板並進行前述清洗構件之磨合。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之磨合裝置，其中前述清洗構件保持部係構成可保持3個以上之清洗構件。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之磨合裝置，其中前述清洗構件係滾筒清洗構件或筆型清洗構件。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之磨合裝置，其中前述清洗構件保持部係構成可保持2個以上之清洗構件，並且前述虛擬基板的表面及背面各自接觸前述清洗構件， 前述基板支撐部係將前述虛擬基板在鉛直方向延伸地保持。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之磨合裝置，其中進一步具備第一移動部，其係可移動前述磨合裝置。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之磨合裝置，其中進一步具備檢測部，其係用於檢測施加於前述清洗構件之力。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之磨合裝置，其中進一步具備第一通信部，其係用於與基板清洗裝置通信，前述磨合裝置接收來自前述第一通信部之資訊，開始對前述清洗構件進行磨合處理。
  8. 如申請專利範圍第1項所述之磨合裝置，其中進一步具備回收利用部，其係回收對前述虛擬基板供給之清洗液而利用，前述供給部對前述虛擬基板供給由前述回收利用部所回收之清洗液。
  9. 如申請專利範圍第1項所述之磨合裝置，其中前述清洗構件保持部可保持虛擬清洗構件。
  10. 一種磨合系統，其特徵為具備：磨合裝置，其係具有：供給部，其係供給清洗液；基板支撐部，其係保持虛擬基板；及清洗構件保持部，其係拆卸自如地保持清洗構件，藉由使前述清洗構件旋轉同時接觸前述虛擬基板，來對前述清洗構件進行磨合處理；及基板清洗裝置，其係使用清洗構件來清洗基板；前述供給部具有從前述清洗構件之內側供給清洗液濕潤前述清洗構件的內部供給部，以及從前述清洗構件之外側供給清洗液的外部供給部； 前述供給部，開始藉由前述內部供給部從前述清洗構件之內側供給清洗液，然後開始藉由前述外部供給部從前述清洗構件之外側供給清洗液；前述磨合裝置在開始藉由前述內部供給部供給清洗液之後，並在開始藉由前述外部供給部供給清洗液之後，使前述清洗構件保持部靠近前述虛擬基板，使前述虛擬基板旋轉，在此狀態，使前述清洗構件接觸前述虛擬基板並進行前述清洗構件之磨合；前述基板清洗裝置對前述磨合裝置能傳送關於更換前述基板清洗裝置所使用之前述清洗構件的資訊。
  11. 一種磨合系統，其特徵為具備：磨合裝置，其係具有：供給部，其係供給清洗液；基板支撐部，其係保持虛擬基板；清洗構件保持部，其係拆卸自如地保持清洗構件，藉由使前述清洗構件旋轉同時接觸前述虛擬基板，來對前述清洗構件進行磨合處理；及第一通信部，其係用於從外部接收關於前述清洗構件之更換的資訊；基板清洗裝置，其係具有用於對前述磨合裝置傳送關於更換前述清洗構件之資訊的第二通信部，並且使用清洗構件來清洗基板；及磨合控制部，其係具有用於依據關於前述清洗構件之更換的資訊控制磨合裝置之程式；前述供給部具有從前述清洗構件之內側供給清洗液濕潤前述清洗構件的內部供給部，以及從前述清洗構件之外側供給清洗液的外部供給部；前述供給部，開始藉由前述內部供給部從前述清洗構件之內側供給清洗液，然後開始藉由前述外部供給部從前述清洗構件之外側供給清洗液；前述磨合裝置在開始藉由前述內部供給部供給清洗液之後，並在開始藉由前述外部供給部供給清洗液之後，使前述清洗構件保持部靠近前述虛 擬基板，使前述虛擬基板旋轉，在此狀態，使前述清洗構件接觸前述虛擬基板並進行前述清洗構件之磨合；關於前述清洗構件之更換的資訊，係包含清洗構件識別資訊與裝置識別資訊。
  12. 一種能讀取的記憶媒體，係記憶有在電腦上動作，用於控制申請專利範圍第11項所述之磨合系統的程式，前述程式在執行時，係以使用申請專利範圍第11項所述之磨合系統進行清洗構件之磨合處理的方式，使電腦控制前述磨合系統。
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