CN114762089A - 基板清洗系统及基板清洗方法 - Google Patents

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Abstract

本发明关于一种清洗基板的基板清洗系统及基板清洗方法。基板清洗系统(50)具备加热器(51)、药液稀释模块(52)及清洗模块。通过药液稀释模块(52)混合后的稀释药液的温度被决定为高于常温的温度且低于清洗部件的玻璃化转变温度的温度。在将具有所决定的温度的稀释药液供给至基板(W)的状态下,清洗部件对基板(W)进行擦洗。

Description

基板清洗系统及基板清洗方法
技术领域
本发明关于一种清洗基板的基板清洗系统及基板清洗方法。
背景技术
在半导体元件的制造中,进行基板表面的平坦化处理的CMP装置中,进行下述处理:清洗处理,在使用包含研磨粒与研磨助剂的悬浮液(浆液)将基板表面进行研磨处理后,使用清洗液将附着于基板表面及背面的浆液去除;及干燥处理,将因清洗处理而附着于基板表面及背面的液滴去除。
清洗处理不恰当的情况下,元件的结构产生缺陷,由此发生元件的特性不良,因此必须选择不会发生元件的破坏或腐蚀而在短时间内确实地去除浆液的清洗处理方法。在这样的背景下,主要应用于辊状或笔形状的海绵部件进行的擦洗,且并用由各种药液构成的清洗液作为其辅助性作用(例如参照专利文献1)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特许第5866227号公报
专利文献2:日本特开2002-43267号公报
专利文献3:日本特开2010-74191号公报
发明要解决的课题
专利文献1所记载的擦洗主要应用在形成由铜(Cu)配线与低介电常数(Low-k)绝缘膜构成的多层配线的配线制程(后段制程,BEOL)。近年来,由于逻辑元件的高速化及存储器元件的低成本化的必要性,在形成电极与插塞的晶体管制程(前段制程,FEOL)中亦广泛应用化学机械研磨(CMP,Chemical Mechanical Polishing)。
相较于BEOL,FEOL中形成的膜厚、线宽、线间距更细微,因此必须改善对于微小粒子或分子状污染的清洗性能,而利用加热药液来促进化学作用的清洗方法则有望作为其实现方法。
然而,在专利文献1所记载的擦洗中,从喷嘴供给加热药液的情况,若药液温度太高,则海绵部件的机械特性受热而劣化,而具有清洗效果比仅使用室温的药液时更低的疑虑。
再者,根据发明人等的研究,可知下述课题:由于伴随着清洗基板时基板旋转运动的冷却作用,在基板的周缘部附近液温降低,而具有无法以预期的液温进行清洗处理的情况,结果无法得到稳定的清洗效果。
发明内容
于是,本发明的第一目的是提供一种基板清洗系统及基板清洗方法,其具备可得到清洗效果经过改善的加热药液供给单元。又,本发明的第二目的是提供一种基板清洗装置及基板清洗方法,其在清洗处理中遍及基板的整个被清洗面达成液温的高度均匀性。
[解决课题的手段]
一方式中提供一种基板清洗系统,其具备:加热器,该加热器将纯水加热;药液稀释模块,该药液稀释模块使药液与由所述加热器加热的纯水按预定的体积比混合;及清洗模块,该清洗模块对基板进行清洗,所述清洗模块具备:基板保持装置,该基板保持装置保持所述基板;清洗部件,该清洗部件与所述基板接触,并对所述基板进行擦洗;药液供给喷嘴,该药液供给喷嘴朝向所述基板供给已决定为预定温度的药液;及纯水供给喷嘴,该纯水供给喷嘴朝向所述基板供给已加热的纯水,通过所述药液稀释模块混合后的稀释药液的温度被决定为高于常温的温度且低于所述清洗部件的玻璃化转变温度的温度;在将具有所决定的所述温度的稀释药液供给至所述基板的状态下,所述清洗部件对所述基板进行擦洗。
一方式中,所述基板清洗系统具备:药液供给线,该药液供给线连接有所述药液供给喷嘴;及纯水供给线,该纯水供给线连接有所述纯水供给喷嘴,所述加热器连接于所述纯水供给线,且在纯水的流动方向上,配置于将所述药液供给线与所述纯水供给线连接的连接部件的上游侧。
一方式中,从所述纯水供给喷嘴供给的纯水的温度高于从所述药液供给喷嘴供给的稀释药液的温度。
一方式中,所述清洗模块具备:第1过滤器,该第1过滤器与所述药液供给喷嘴相邻配置,且捕捉流经所述药液供给线的异物;及第2过滤器,该第2过滤器与所述纯水供给喷嘴相邻配置,且捕捉流经所述纯水供给线的异物。
一方式中,所述药液供给喷嘴是放射喷嘴,该放射喷嘴从保持于所述基板保持装置的所述基板的中心遍及所述基板的周缘部地供给稀释药液。
一方式中,所述药液供给喷嘴具备:第1药液供给喷嘴,该第1药液供给喷嘴朝向保持于所述基板保持装置的所述基板的中心供给稀释药液;及第2药液供给喷嘴,该第2药液供给喷嘴朝向保持于所述基板保持装置的所述基板的周缘部供给稀释药液。
一方式中,所述药液供给喷嘴具备:表面侧药液供给喷嘴,该表面侧药液供给喷嘴朝向保持于所述基板保持装置的所述基板的表面供给稀释药液;及背面侧药液供给喷嘴,该背面侧药液供给喷嘴朝向保持于所述基板保持装置的所述基板的背面供给稀释药液。
一方式中,所述清洗模块具备与保持于所述基板保持装置的所述基板的周缘部相邻配置的加热装置,所述加热装置将存在于所述基板的周缘部的稀释药液加热。
一方式中提供一种基板清洗系统,其具备:药液稀释模块,该药液稀释模块将药液与纯水按预定体积比混合;清洗模块,该清洗模块使用与基板接触的清洗部件及通过所述药液稀释模块供给的稀释药液对基板进行清洗;流量调整装置,该流量调整装置调整所述稀释药液的流量;加热器,该加热器将所述药液、所述纯水及所述稀释药液中的至少一个加热;及控制装置,在将所述稀释药液供给至所述清洗模块时,该控制装置以使所述稀释药液的温度高于常温且低于所述清洗部件的玻璃化转变温度的方式,控制所述加热器及所述流量调整装置。
一方式中提供一种基板清洗方法,通过加热器将纯水加热,使药液与经由所述加热器加热后的纯水按预定体积比混合,将混合后的所述稀释药液的温度决定为高于常温的温度且低于对基板进行擦洗的清洗部件的玻璃化转变温度的温度,通过药液供给喷嘴将已决定为预定温度的稀释药液供给至保持于基板保持装置的所述基板,通过纯水供给喷嘴将经由所述加热器加热后的纯水供给至保持于所述基板保持装置的所述基板,在将具有所决定的所述温度的稀释药液供给至所述基板的状态下,通过所述清洗部件对所述基板进行擦洗。
一方式中,通过所述加热器将流经连接有所述纯水供给喷嘴的纯水供给线的纯水加热,在纯水的流动方向上,在所述加热器的下游侧的位置,将药液与流经药液供给线的纯水混合,所述药液供给线与所述纯水供给线连接。
一方式中,从所述纯水供给喷嘴供给的纯水的温度高于从所述药液供给喷嘴供给的稀释药液的温度。
一方式中,通过与所述药液供给喷嘴相邻配置的第1过滤器,捕捉流经所述药液供给线的异物,通过与所述纯水供给喷嘴相邻配置的第2过滤器,捕捉流经所述纯水供给线的异物。
一方式中,使用作为从保持于所述基板保持装置的所述基板的中心遍及所述基板的周缘部地供给稀释药液的放射喷嘴的所述药液供给喷嘴,将稀释药液供给至保持于所述基板保持装置的所述基板。
一方式中,使用具备第1药液供给喷嘴和第2药液供给喷嘴的所述药液供给喷嘴将稀释药液供给至保持于所述基板保持装置的所述基板,所述第1药液供给喷嘴朝向保持于所述基板保持装置的所述基板的中心供给稀释药液,所述第2药液供给喷嘴朝向保持于所述基板保持装置的所述基板的周缘部供给稀释药液。
一方式中,使用具备表面侧药液供给喷嘴和背面侧药液供给喷嘴的所述药液供给喷嘴将稀释药液供给至保持于所述基板保持装置的所述基板,所述表面侧药液供给喷嘴朝向保持于所述基板保持装置的所述基板的表面供给稀释药液,所述背面侧药液供给喷嘴朝向保持于所述基板保持装置的所述基板的背面供给稀释药液。
一方式中,使用与保持于所述基板保持装置的所述基板的周缘部相邻配置的加热装置,将存在于所述基板的周缘部的稀释药液加热。
一方式中提供一种基板清洗系统,其具备:加热器,该加热器将纯水加热以生成加热纯水;药液稀释模块,该药液稀释模块使药液与所述加热纯水混合以生成加热药液;及清洗模块,该清洗模块对基板进行清洗,所述清洗模块具备:基板保持装置,该基板保持装置保持所述基板;清洗部件,该清洗部件与所述基板接触,并对所述基板进行擦洗;药液供给喷嘴,该药液供给喷嘴对所述基板供给所述加热药液;纯水供给喷嘴,该纯水供给喷嘴对所述基板供给纯水;及内部配管,该内部配管连结于所述清洗部件,将作为所述加热纯水和所述加热药液中的任意一个的加热流体供给至所述清洗部件,所述内部配管与所述加热器及所述药液稀释模块中的至少一者连通。
一方式中,所述内部配管配置于所述清洗部件内,且在所述清洗部件的长边方向上延伸。
一方式中,所述内部配管具有与所述清洗部件相对的至少1个开口部。
一方式中,所述基板清洗系统进一步具备:药液供给线,该药液供给线连接有所述药液供给喷嘴;纯水供给线,该纯水供给线连接有所述纯水供给喷嘴;及加热流体输送线,该加热流体输送线连接于所述内部配管,所述加热器连接于所述纯水供给线,所述加热流体输送线与所述纯水供给线及所述药液供给线中的至少一者连结。
一方式中,所述清洗部件是具有圆筒形状的辊清洗部件,且所述清洗部件的长边方向的长度比所述基板的直径长。
一方式中,所述清洗部件是具有笔形状的笔形清洗部件,所述内部配管与所述笔形清洗部件的上部连接。
一方式中提供一种基板清洗系统,其具备:加热器,该加热器将药液加热以生成加热药液;及清洗模块,该清洗模块对基板进行清洗,所述清洗模块具备:基板保持装置,该基板保持装置保持所述基板;清洗部件,该清洗部件与所述基板接触,并对所述基板进行擦洗;药液供给喷嘴,该药液供给喷嘴对所述基板供给所述加热药液;纯水供给喷嘴,该纯水供给喷嘴对所述基板供给纯水;及内部配管,该内部配管连结于所述清洗部件,且将所述加热药液供给至所述清洗部件,所述内部配管与所述加热器连通。
一方式中,所述内部配管配置于所述清洗部件内,且在所述清洗部件的长边方向上延伸。
一方式中,所述内部配管具有与所述清洗部件相对的至少1个开口部。
一方式中,所述基板清洗系统进一步具备:药液供给线,该药液供给线连接有所述药液供给喷嘴;纯水供给线,该纯水供给线连接有所述纯水供给喷嘴;及加热流体输送线,该加热流体输送线连接于所述内部配管,所述加热器连接于所述药液供给线,所述加热流体输送线连结于所述药液供给线。
一方式中,所述清洗部件是具有圆筒形状的辊清洗部件,且所述清洗部件的长边方向的长度比所述基板的直径长。
一方式中,所述清洗部件是具有笔形状的笔形清洗部件,所述内部配管与所述笔形清洗部件的上部连接。
一方式中提供一种基板清洗方法,通过加热器将纯水加热以生成加热纯水,使药液与所述加热纯水混合以生成加热药液,通过连结于清洗部件的内部配管,将作为所述加热纯水和所述加热药液中的任意一个的加热流体供给至所述清洗部件,在一边将所述加热药液从药液供给喷嘴供给至所述基板,一边将所述加热流体通过所述内部配管供给至所述清洗部件的状态下,通过所述清洗部件擦洗所述基板。
一方式中,基板清洗方法是在所述基板的擦洗工序中,使已浸透有所述加热流体的所述清洗部件与所述基板的中央部及周缘部接触,将所述加热流体通过所述清洗部件供给至所述基板的中央部及周缘部。
一方式中,所述基板清洗方法进一步包含如下工序:在擦洗所述基板后,从纯水供给喷嘴将纯水供给至所述基板。
一方式中提供一种基板清洗方法,通过加热器将药液加热以生成加热药液,通过连结于清洗部件的内部配管将所述加热药液供给至所述清洗部件,在一边将所述加热药液从药液供给喷嘴供给至所述基板,一边将所述加热药液通过所述内部配管供给至所述清洗部件的状态下,通过所述清洗部件擦洗所述基板。
一方式中,基板清洗方法是在所述基板的擦洗工序中,使已浸透有所述加热药液的所述清洗部件与所述基板的中央部及周缘部接触,将所述加热药液通过所述清洗部件供给至所述基板的中央部及周缘部。
一方式中,基板清洗方法进一步包含如下工序:在擦洗所述基板后,从纯水供给喷嘴将纯水供给至所述基板。
[发明的效果]
基板清洗系统在稀释药液的温度高于常温且低于清洗部件的玻璃化转变温度的状态下将稀释药液供给至基板,在供给稀释药液的状态下,清洗部件对于基板进行擦洗。因此,基板清洗系统可得到最佳的清洗效果。
再者,基板清洗系统经由内部配管及清洗部件,将加热流体(加热纯水或加热药液)供给至基板的被清洗面。此时,清洗部件不仅与基板的中央部接触,而且与周缘部接触,故加热流体不会受到伴随着基板旋转运动的冷却作用,而供给遍及整个基板。因此,基板清洗装置及基板清洗方法可在清洗处理中遍及基板的整个被清洗面达成液温的高度均匀性,而可得到稳定去除粒子状污染、分子状污染及金属元素污染的效果。
附图说明
图1是表示基板处理装置的整体构成的俯视图。
图2是表示基板清洗系统的图。
图3是表示第1清洗模块的图。
图4是表示第2清洗模块的图。
图5是表示基板清洗系统的另一实施方式的图。
图6是表示与基板W的周缘部相邻配置的加热器的图。
图7是表示与基板的周缘部相邻配置的防液体飞溅杯状物的图。
图8是表示药液供给喷嘴的另一实施方式的图。
图9是表示药液供给喷嘴的再一实施方式的图。
图10是表示基板清洗系统及干燥模块所进行的一系列清洗/干燥顺序的一实施方式的图。
图11是表示第1清洗模块所进行的基板的表面及背面的清洗工序的图。
图12是表示清洗模块的构成所产生的清洗效果的图。
图13是表示基板清洗系统的另一实施方式的图。
图14是表示基板清洗系统的再一实施方式的图。
图15是表示基板清洗系统的再一实施方式的图。
图16是表示基板清洗系统的再一实施方式的图。
图17是表示图13至图16所示的清洗模块的一实施方式的立体图。
图18是表示图17所示的第1清洗模块的一部分的剖面图。
图19是表示第2清洗模块的另一实施方式的立体图。
图20是表示图19所示的第2清洗模块的一部分的剖面图。
图21是表示以图13所示的第1清洗模块清洗基板的顺序的流程图。
图22是表示基板清洗系统的一实施方式中基板的表面上的液温均匀性效果的图。
具体实施方式
以下参照图说明本发明的实施方式。此外,在以下说明的图式中,针对相同或相当的构成要件,标注相同符号而省略重复说明。
以下说明的实施方式是关于一种对基板(特别是半导体晶圆)的表面(及背面)进行清洗的基板清洗方法(及基板清洗系统),特别是关于一种在CMP等基板研磨后将基板的表面进行清洗的基板清洗工序中执行的基板清洗方法。该基板清洗方法亦应用于例如平板制造、互补金属氧化物半导体(CMOS)、电荷偶合元件(CCD)等的图像传感器制造及MRAM(磁性随机存储器)的磁性膜制造等的清洗工序。
此外,若无特别说明,“上”表示以基板为起点,清洗工具存在的方向,“下”表示其相反方向。又,关于清洗工具及构成其的构成物,“顶面”或“表面”表示清洗工具与基板接触的一侧的面。又,基板的中央部是指包含基板的中心的区域,基板的周缘部是指不含基板的中心的环状区域,亦即包围基板的中央部且从基板的中心观看距离基板的中央部更远的区域,其是基板W的表面上沿着基板W的外周端部的固定宽度的区域。
图1是表示应用上述基板清洗方法的基板处理装置1(更具体而言为研磨装置)的整体构成的俯视图。如图1所示,基板处理装置1具备:壳体10;及装载埠12,载置有存放大量半导体晶圆等基板的基板卡匣。装载埠12与壳体10相邻配置。
基板处理装置1具备配置于壳体10的内部的研磨部2及清洗部4。研磨部2具备多个(本实施方式中为4个)研磨模块14A~14D。清洗部4具备:第1清洗模块16及第2清洗模块18,将已研磨的基板进行清洗;及干燥模块20,使已清洗的基板干燥。研磨模块14A~14D沿着基板处理装置1的长边方向排列。同样地,第1清洗模块16、第2清洗模块18及干燥模块20沿着基板处理装置1的长边方向排列。
基板处理装置1具备:第1运送机器人22,与装载埠12相邻配置;及运送模块24,与研磨模块14A~14D相邻配置。第1运送机器人22将研磨前的基板从装载埠12接收并传递至运送模块24,同时将干燥后的基板从干燥模块20接收并放回到装载埠12。运送模块24运送从第1运送机器人22接收的基板,在各研磨模块14A~14D之间进行基板的传递。
基板处理装置1具备:第2运送机器人26,配置于第1清洗模块16与第2清洗模块18之间;及第3运送机器人28,配置于第2清洗模块18与干燥模块20之间。第2运送机器人26在运送模块24与各清洗模块16、18之间进行基板的传递。第3运送机器人28在各模块18、20之间进行基板的传递。
基板处理装置1具备配置于壳体10的内部的控制装置30。控制装置30构成为控制基板处理装置1的各设备运作。本实施方式中,控制装置30特别构成为控制下述基板清洗系统50的运作。
图2是表示基板清洗系统50的图。基板处理装置1具备基板清洗系统50。基板清洗系统50具备:加热器51,将纯水加热;药液稀释模块(换言之为药液供给模块)52,使药液与经由加热器51加热的纯水按预定体积比混合;及清洗模块16、18,对于基板进行清洗。本实施方式中,基板清洗系统50具备第1清洗模块16及第2清洗模块18,但一实施方式中,基板清洗系统50亦可具备第1清洗模块16及第2清洗模块18中的任意一个。
图3是表示第1清洗模块16的图。如图3所示,第1清洗模块16具备:基板保持装置60,一边保持基板W一边使其旋转;清洗部件61、62,与基板W接触以对于基板W进行擦洗;药液供给喷嘴65、66,朝向基板W的表面W1及背面W2供给已决定为预定温度的药液;及纯水供给喷嘴67、68,朝向基板W的表面W1及背面W2供给已加热的纯水。
药液供给喷嘴65是朝向基板W的表面W1供给稀释药液的表面侧药液供给喷嘴。药液供给喷嘴66是朝向基板W的背面W2供给稀释药液的背面侧药液供给喷嘴。同样地,纯水供给喷嘴67是朝向基板W的表面W1供给纯水的表面侧纯水供给喷嘴。纯水供给喷嘴68是朝向基板W的背面W2供给纯水的背面侧纯水供给喷嘴。药液供给喷嘴66及纯水供给喷嘴68不仅具有对于基板W的背面W2的清洗作用,而且通过其热传递作用,防止基板W的表面W1上的药液及纯水的温度降低。
各清洗部件61、62是具有圆筒形状且长边方向的长度比基板W的直径长的海绵部件。作为海绵部件的材质,较佳为亲水性高的材质,期望为例如PU(聚胺基甲酸酯)或PVA(聚乙烯醇)等。各清洗部件61、62其中心轴的方向相对于基板W的面(亦即,表面W1及背面W2)平行地配置。以下有时将清洗部件61称为上侧辊清洗部件61,有时将清洗部件62称为下侧辊清洗部件62。
如图3所示,基板保持装置60具备4个滚轮60a~60d,使基板W的表面W1朝上且将基板W保持水平,并使其旋转。滚轮60a~60d构成为可通过图中未显示的驱动机构(例如气缸)而在互相接近及分开的方向上移动。
本实施方式中,基板保持装置60具备滚轮60a~60d作为其构成要件,但基板保持装置60只要可保持基板W的侧面即可,并不限定于滚轮。亦可具备例如多个夹具(图中未显示)来代替滚轮。夹具构成为可在保持基板W的周缘部的位置与离开基板W的位置之间移动。
一实施方式中,基板保持装置60亦可构成为将基板W保持为铅直方向。此情况下,滚轮60a~60d(或夹具)是纵向配置。
第1清洗模块16具备使上侧辊清洗部件61及下侧辊清洗部件62旋转的旋转机构69。上侧辊清洗部件61及下侧辊清洗部件62分别支承于升降机构(图中未显示),可通过升降机构而在上下方向上移动。作为升降机构的一例,可列举使用滚珠螺杆的马达驱动机构或气缸。
在搬入搬出基板W时,上侧辊清洗部件61及下侧辊清洗部件62互相分开。在清洗基板W时,上侧辊清洗部件61及下侧辊清洗部件62往互相接近的方向移动,而与基板W的表面及背面接触。之后,上侧辊清洗部件61及下侧辊清洗部件62分别通过旋转机构69而旋转,以将基板W擦洗(擦洗清洗)。
图4是表示第2清洗模块18的图。如图4所示,第2清洗模块18具备:基板保持装置60,一边保持基板W一边使其旋转;清洗部件71,与基板W接触以对于基板W进行擦洗;药液供给喷嘴75、76,朝向基板W的表面W1及背面W2供给已决定为预定温度的药液;及纯水供给喷嘴77、78,朝向基板W的表面W1及背面W2供给已加热的纯水。
药液供给喷嘴75是朝向基板W的表面W1供给稀释药液的表面侧药液供给喷嘴。药液供给喷嘴76是朝向基板W的背面W2供给稀释药液的背面侧药液供给喷嘴。同样地,纯水供给喷嘴77是朝向基板W的表面W1供给纯水的表面侧纯水供给喷嘴。纯水供给喷嘴78是朝向基板W的背面W2供给纯水的背面侧纯水供给喷嘴。
清洗部件71是具有笔形状且一边绕着清洗部件71的中心轴旋转一边与基板W的表面W1接触以对于基板W进行擦洗的海绵部件。以下有时将清洗部件71称为笔形清洗部件71。基板保持装置60具备4个滚轮60a~60d(或夹具),使基板W的表面W1朝上且将基板W保持水平,并使其旋转。
第2清洗模块18具备使笔形清洗部件71摆动的摆动机构79。笔形清洗部件71支承于升降机构(图中未显示),并可通过升降机构而在上下方向上移动。作为升降机构的一例,可列举使用滚珠螺杆的马达驱动机构或气缸。
摆动机构79构成为使笔形清洗部件71在基板W的半径方向上摆动。在笔形清洗部件71摆动时,笔形清洗部件71的中心轴方向相对于基板W的表面W1(或背面W2)垂直。
一实施方式中,摆动机构79一边以预定的按压力使旋转中的笔形清洗部件71的底面与旋转中的基板W的表面W1接触,一边使笔形清洗部件71从基板W的中心朝向基板W的周缘部摆动(单向摆动)。另一实施方式中,摆动机构79一边以预定的按压力使旋转中的笔形清洗部件71的底面与旋转中的基板W的表面W1接触,一边使笔形清洗部件71从基板W的周缘部通过基板W的中心再朝向基板W的周缘部摆动(来回摆动)。如此,笔形清洗部件71对于基板W进行擦洗(擦洗清洗)。
如上所述,第1清洗模块16在辊清洗部件61及下侧辊清洗部件62正在擦洗基板W时,通过药液供给喷嘴65、66,将药液供给至基板W的表面W1及背面W2。药液例如为碱性清洗液。具体而言,较佳为含有氨、一级胺、二级胺、三级胺、四级铵化合物中任意一个作为成分的水溶液。同样地,第2清洗模块18在笔形清洗部件71正在擦洗基板W时,通过药液供给喷嘴75、76,将药液(例如碱性清洗液)供给至基板W的表面W1及背面W2。以下参照图2说明对基板W供给药液的药液供给单元。
如图2所示,基板清洗系统50具备:药液供给线80,连接有药液供给喷嘴65、66及药液供给喷嘴75、76;纯水供给线81,连接有纯水供给喷嘴67、68及纯水供给喷嘴77、78;及纯水回送线83,使纯水从纯水供给线81循环至加热器51。
加热器51连接于纯水供给线81。药液供给线80连接于纯水供给线81,且在流经纯水供给线81的纯水的流动方向上,配置于加热器51的下游侧。药液供给线80通过连接部件82连接于纯水供给线81。因此,加热器51在纯水的流动方向上配置于连接部件82的上游侧。
加热器51将流经纯水供给线81的纯水加热至预定温度。更具体而言,在加热器51的下游侧,与加热器51相邻而配置有流量传感器84及温度传感器85。控制装置30(参照图1)与流量传感器84及温度传感器85电连接,根据从温度传感器85传送的温度数据,以使流经纯水供给线81的纯水的温度成为预定温度且纯水的流量成为预定流量的方式,来控制加热器51的运作。
图1所示的实施方式中,加热器51于其内部具备:加热器要件54,将流经纯水供给线81的纯水加热;及流量调整装置55,调整流经纯水供给线81的纯水的流量。作为加热器要件54,可举例如红外线照射型加热器。作为加热器要件54的种类,具体而言,亦可使用卤素加热器、碳加热器、陶瓷加热器、石英管加热器等。作为加热器,只要为电加热(电阻、电弧、电感、介电(微波)、红外线、雷射、加热泵)、光、热风、燃烧器等的公知的加热单元,满足要求的设置环境、启动时间、温度条件,再者可维持其温度即可。此外,若可从设置的工厂供给温水,则亦可应用其装置。
图1所示的实施方式中,加热器51将流经纯水供给线81的纯水加热,并调整纯水的流量。一实施方式中,加热器51亦可配置于药液稀释模块52的下游侧。此情况下,加热器51将稀释药液加热,并调整稀释药液的流量。另一实施方式中,加热器51亦可配置于药液连结线52b(于以下叙述)。此情况下,加热器51将药液原液加热,并调整药液原液的流量。如此,加热器51构成为将纯水、稀释药液及药液原液的中的至少一个加热,并调整纯水、稀释药液及药液原液中的至少一个的流量。此外,图1所示的实施方式中设有单一加热器51,但加热器51的数量并不限定于本实施方式。亦可设置多个加热器51。
一实施方式中,流量调整装置55亦可作为独立于加热器51之外的另一个构成要件而设置。此情况下,流量调整装置55亦可配置于药液供给线80、纯水供给线81及药液连结线52b中任意一个。此外,流量调整装置55的数量亦不限定于本实施方式。亦可设置多个流量调整装置55。
一实施方式中,加热器51亦可为其内部内置有流量传感器84及温度传感器85的加热装置。另一实施方式中,基板清洗系统50亦可进一步具备与药液供给喷嘴65、66、75、76及纯水供给喷嘴67、68、77、78相邻配置的流量传感器(图中未显示)及温度传感器(图中未显示)。温度传感器的数量亦可与纯水供给喷嘴的数量及药液供给喷嘴的数量对应。
通过加热器51加热至预定温度的纯水,流经纯水供给线81。之后,加热纯水在纯水供给线81的中途分流,而流经纯水供给线81及药液供给线80。
药液稀释模块52连接于药液供给线80。更具体而言,药液稀释模块52具备:药液供给源52a;及药液连结线52b,将药液供给源52a及药液供给线80连结。
药液稀释模块52通过药液连结线52b,将从药液供给源52a供给至药液供给线80的常温药液原液添加至流动于药液供给线80中的加热纯水。如此,药液稀释模块52将常温药液原液与加热纯水按预定的体积比混合稀释。因此,从纯水供给喷嘴67、68、77、78供给的纯水的温度,高于从药液供给喷嘴65、66、75、76供给的稀释药液的温度。
通过药液稀释模块52混合的稀释药液的温度被决定为高于常温的温度且低于清洗部件61、62(及/或清洗部件71)的玻璃化转变温度的温度。其理由如下所述。为了提升基板W的清洗效果,换言之,从促进化学作用的观点来看,期望稀释药液的温度高于常温且低于水的沸点100℃。
然而,在供给加热药液的状态下执行基板W的擦洗的情况,必须考虑清洗部件(省略符号)的耐热性。如上所述,清洗部件由海绵部件构成。海绵部件的材料一般为热塑性树脂,故在低于熔点的温度范围中存在玻璃化转变温度。
玻璃化转变温度是树脂处于坚固的玻璃状与柔软的橡胶状之间的温度,比该附近更高温则弹性系数大幅降低。亦即,海绵部件的刚性变小,结果海绵部件的擦洗作用变弱。因此,期望执行擦洗时药液的温度高于常温且低于海绵部件的玻璃化转变温度。例如,海绵部件为聚乙烯醇(PVA)树脂的情况,其玻璃化转变温度约为60℃。
本实施方式中,在将温度已决定为高于常温且低于清洗部件61、62(及/或清洗部件71)的玻璃化转变温度的加热药液供给至基板W上的状态下,清洗部件61、62(及/或清洗部件71)对基板W进行擦洗。
视使用的清洗部件的种类,具有玻璃化转变温度不同的情况。于是,控制装置30针对每种清洗部件,将与清洗部件对应的玻璃化转变温度预先储存于储存装置30a。控制装置30具备处理装置30b,处理装置30b根据储存于储存装置30a的数据来执行运算。储存装置30a是控制装置30的一构成要件。控制装置30根据使用的清洗部件及储存于储存装置30a的玻璃化转变温度,来控制加热药液的温度。
根据上述实施方式,不会发生因海绵部件的机械特性降低而导致擦洗作用降低,且通过加热药液而促进化学作用(例如,表面张力降低、动黏度降低、有机物溶解)。结果,基板清洗系统50可得到对于基板W的高清洗效果。此外,不对基板W执行擦洗而实施冲洗的情况下,加热药液的温度亦可为高于玻璃化转变温度的温度。
如图2所示,在连接部件82的上游侧配置有过滤器86,该过滤器86捕捉流经纯水供给线81的纯水中混入的异物。若已通过加热器51加热的纯水流经纯水供给线81,则具有附着于纯水供给线81的内壁的异物因加热纯水而剥离的疑虑。此情况下,剥离的异物会流经纯水供给线81(及药液供给线80)而被供给至基板W上。本实施方式中,基板清洗系统50具备与加热器51相邻配置的过滤器86,故可防止将异物供给至基板W上。
为了更确实地防止将异物供给至基板W上,基板清洗系统50亦可具备与纯水供给喷嘴67相邻配置的过滤器87以及与纯水供给喷嘴77相邻配置的过滤器88。虽然图中未显示,基板清洗系统50亦可具备与纯水供给喷嘴68、78相邻配置的过滤器。
同样地,基板清洗系统50亦可具备与药液供给喷嘴65相邻配置的过滤器90及与药液供给喷嘴75相邻配置的过滤器91。虽然图中未显示,基板清洗系统50亦可具备与药液供给喷嘴66、76相邻配置的过滤器。
在过滤器87的上游侧配置有开闭阀120,在过滤器88的上游侧配置有开闭阀121,在过滤器90的上游侧配置有开闭阀122,在过滤器91的上游侧配置有开闭阀123。这些开闭阀120、121、122、123分别与控制装置30电连接。因此,控制装置30使开闭阀120、121、122、123分别运作,由此将纯水及/或药液供给至基板W上。
更具体而言,药液供给线80具备:第1药液分流线80A,安装有过滤器87及开闭阀120;及第2药液分流线80B,安装有过滤器91及开闭阀123。同样地,纯水供给线81具备:第1纯水分流线81A,安装有过滤器90及开闭阀122;及第2纯水分流线81B,安装有过滤器88及开闭阀121。
如图2所示,在纯水供给线81及加热器51上连接有纯水回送线83。纯水回送线83作为保温单元而设置,用于在清洗部4待机时防止存在于纯水供给线81的纯水的温度降低。通过设置纯水回送线83,可将存在于纯水供给线81的纯水的温度维持固定。因此,于基板W的研磨部2进行处理中等情形,清洗部4待机时,纯水通过纯水供给线81及纯水回送线83回到加热器51。结果,可将流经纯水供给线81的纯水维持固定温度。
纯水回送线83具备:第1回送分流线83A,连接于第1纯水分流线81A且安装有开闭阀124;及第2回送分流线83B,连接于第2纯水分流线81B且安装有开闭阀125。
开闭阀124、125分别与控制装置30电连接。于清洗部4待机时,控制装置30将开闭阀124、125开启,并将开闭阀120、121、122、123关闭。通过这样的运作,纯水在纯水供给线81及纯水回送线83与加热器51之间循环。结果,将循环的纯水维持固定温度。于清洗部4运转时,控制装置30将开闭阀124、125关闭,并将开闭阀120、121、122、123开启。
图5是表示基板清洗系统50的另一实施方式的图。在本实施方式中,针对与上述实施方式相同或相当的部件标注相同符号而省略重复说明。
如图5所示,基板清洗系统50亦可具备覆盖药液供给线80及纯水供给线81的隔热部件100。隔热部件100可将流经药液供给线80的加热药液及流经纯水供给线81的加热纯水的温度降低抑制在最低限度,结果,加热纯水及加热药液分别在维持其温度的状态下,分别到达第1清洗模块16及第2清洗模块18。如此,通过设置隔热部件100,可提高加热器51的热效率。
如上所述,通过将加热药液供给至基板W上,可促进药液的化学作用,以提高基板W的清洗效果。为了将加热药液均匀地供给至整个基板W,而将加热药液供给至旋转的基板W的中心上。旋转的基板W所形成的离心力对于供给至基板W的中心上的加热药液发挥作用,加热药液从基板W的中心朝向基板W的周缘部扩散至基板W的半径方向外侧。
本实施方式中,加热药液的供给位置为固定,但一实施方式中,亦可一边使药液供给喷嘴65(及/或药液供给喷嘴66)在基板W的中心与基板W的周缘部之间摆动,一边将加热药液供给至基板W上。
因此,基板W的周缘部上的加热药液温度可能低于基板W的中心上的加热药液温度。结果,具有基板W周缘部的清洗效果低于基板W中心的清洗效果的疑虑。于是,第1清洗模块16(及第2清洗模块18)亦可具有将基板W的周缘部上的加热药液温度与基板W的中心上的加热药液温度维持相同温度的结构。
图6是表示与基板W的周缘部相邻配置的加热器101的图。图6所示的实施方式中,针对设于第1清洗模块16的加热器101进行说明,但加热器101亦可设于第2清洗模块18。如图6所示,清洗模块16亦可具备与基板W的周缘部相邻配置的加热器101。
加热器101是用于将存在于基板W的周缘部的加热药液(及加热纯水)加热的加热装置。加热器101可将基板W的周缘部上的加热药液(及加热纯水)的温度与基板W的中心上的加热药液(加热纯水)的温度维持相同的温度。因此,可提升基板W的周缘部的清洗效果。
图7是表示与基板W的周缘部相邻配置的防液体飞溅杯状物102的图。如图7所示,第1清洗模块16亦可具备配置于防液体飞溅杯状物102的内侧的加热器105。防液体飞溅杯状物102是挡住从基板W飞散的液体以防止液体飞散的部件。
加热器105安装于防液体飞溅杯状物102的内周面,并包围基板W。设于防液体飞溅杯状物102的加热器105可将基板W的周缘部上的加热药液(及加热纯水)的温度与基板W的中心上的加热药液(加热纯水)的温度维持相同的温度。因此,可提升基板W的周缘部的清洗效果。
图8是表示药液供给喷嘴65(及纯水供给喷嘴67)的另一实施方式的图。如图8所示,药液供给喷嘴65(及纯水供给喷嘴67)亦可为从保持于基板保持装置60的基板W的中心遍及基板W的周缘部地供给已加热的稀释药液的放射喷嘴。放射喷嘴较佳是在基板W的面上的喷射图案剖面具有大致圆形、椭圆形、扁平形状等面积的喷嘴。例如,作为放射喷嘴的一例,可列举扇形喷嘴或圆锥形喷嘴。
作为放射喷嘴的药液供给喷嘴65可从基板W的中心遍及基板W的周缘部均匀地供给药液。因此,药液供给喷嘴65可将基板W的周缘部上的加热药液(及加热纯水)的温度与基板W的中心上的加热药液(加热纯水)的温度维持相同的温度。由此,可将基板W的清洗对象面的温度维持相同的温度。
一实施方式中,药液供给喷嘴66(及纯水供给喷嘴68)亦可为放射喷嘴。再者,设于第2清洗模块18的药液供给喷嘴75、76及纯水供给喷嘴77、78亦可为放射喷嘴。
图9是表示药液供给喷嘴65(及纯水供给喷嘴67)的再一实施方式的图。如图9所示,药液供给喷嘴65(及纯水供给喷嘴67)亦可具备:第1药液供给喷嘴65A(及第1纯水供给喷嘴67A),朝向保持于基板保持装置60的基板W的中心供给稀释药液;及第2药液供给喷嘴65B(及第2纯水供给喷嘴67B),朝向保持于基板保持装置60的基板W的周缘部供给稀释药液。
一实施方式中,亦可将图8所示的实施方式与图9所示的实施方式组合。此情况下,第1药液供给喷嘴65A(及第1纯水供给喷嘴67A)以及第2药液供给喷嘴65B(及第2纯水供给喷嘴67B)分别为放射喷嘴。
图10是表示基板清洗系统50及干燥模块20所进行的一系列清洗/干燥顺序的一实施方式的图。图10所示的实施方式中,针对利用第1清洗模块16及干燥模块20执行的清洗/干燥顺序进行说明。一实施方式中,亦可利用第2清洗模块18及干燥模块20执行清洗顺序。
一实施方式中,亦可利用清洗模块16或清洗模块18所组成的单一模块(亦即清洗/干燥模块)执行清洗/干燥顺序。通过这样的构成,可省略运送机器人28(参照图1),故可提升基板处理装置1的处理量。
一实施方式中,清洗/干燥模块亦可具有具备排气口的构成,该排气口配置于运送至其内部的基板W的下方。通过这样的构成,清洗/干燥模块可于其清洗/干燥腔室内形成降流,将已加温的纯水及药液的蒸气(雾气)迅速排出。结果,清洗/干燥模块可防止蒸气再附着于基板W上。
如图10的步骤S101所示,首先,将加热药液供给至基板W上,以执行基板W的冲洗,之后,保持继续供给加热药液,以清洗部件61、62对于基板W进行擦洗(参照步骤S102)。之后,使清洗部件61、62离开基板W,再次执行基板W的冲洗(参照步骤S103)。步骤S103结束后,停止供给加热药液,且开始供给加热纯水,以执行基板W的冲洗(参照步骤S104)。
本实施方式中,供给加热纯水来执行基板W的冲洗,由此可将附着于基板W的加热药液迅速去除,故可缩短冲洗时间。步骤S104中供给的加热纯水的温度高于步骤S101中供给的加热药液的温度。以加热纯水冲洗基板W结束后,将基板W运送至干燥模块20,使基板W干燥(参照步骤S105)。
图11是表示第1清洗模块16所进行的基板W的表面W1及背面W2的清洗工序的图。如图11所示,基板W的清洗以下述方式进行。首先,利用运送模块24(参照图1)将待机中的基板W运送至第1清洗模块16。一实施方式中,亦可利用运送模块24对于待机中的基板W供给加热纯水。此情况下,运送模块24具备对于待机中的基板W供给加热纯水的加热纯水供给喷嘴(图中未显示)。
基板保持装置60保持运送至第1清洗模块16的基板W,在此状态下,开始基板W的旋转(参照步骤S201)。之后,开始通过药液供给喷嘴65、66将加热药液供给至基板W的双面(亦即,表面W1及背面W2)(参照步骤S202)。开始擦洗后,为了均匀地清洗整个基板W,期望事前先进行预热以使基板W的中心部区域及周缘部区域不易产生温度差。从这样的观点来看,期望对于基板W的表面W1的药液供给及基板W的背面W2的药液供给同时进行。
开始供给加热药液后,使清洗部件61、62从预定待机位置移动至预定处理位置,并使清洗部件61、62与基板W的双面接触(参照步骤S203)。之后,开始清洗部件61、62对于基板W的擦洗(参照步骤S204),执行基板W的擦洗。
基板W的擦洗结束后,使清洗部件61、62离开基板W(参照步骤S205),并使清洗部件61、62移动至待机位置(参照步骤S206)。之后,停止供给加热药液(参照步骤S207)。之后,开始供给加热纯水(参照步骤S208),执行基板W的冲洗。步骤S206、步骤S207及步骤S208可依序进行,或亦可同时进行。同时进行这些步骤的情况,基板清洗系统50可实现缩短一系列清洗顺序的时间。
基板W的冲洗结束后,停止供给加热纯水(参照步骤S209),使基板W停止旋转(参照步骤S210)。之后,将基板W运送至干燥模块20。干燥模块20中,例如,喷出IPA蒸气的喷嘴及喷出非活性气体的喷嘴与在基板W上摆动的臂部前端相邻而设置。一边将IPA蒸气供给至旋转的基板W上,同时将非活性气体供给至基板W,一边使上述臂部在基板W上摆动,以使基板W干燥,通过此方法,以干燥模块20进行干燥。之后,干燥的基板W回到装载埠12。
图12是表示上述实施方式的清洗模块的构成所产生的清洗效果的图。图12中显示对于形成有硅氧化膜的基板W执行图10所示的清洗顺序时,硅氧化膜表面的缺陷数(污染粒子数)的比较结果,其中,该硅氧化膜上残留有刚进行研磨处理后浆液等的粒子。
比较例1中的加热药液温度为22℃。比较例1中使用常温药液。本实施方式中的加热药液温度为55℃。本实施方式中使用温度高于常温且低于清洗部件(省略符号)的玻璃化转变温度的药液。比较例2中的加热药液温度为63℃。比较例2中使用温度高于清洗部件的玻璃化转变温度的药液。
由图12明显可知,使用本实施方式中的加热药液的情况,相较于比较例1中的污染粒子数及比较例2中的污染粒子数,基板W上存在的污染粒子数非常少。根据本实施方式,基板清洗系统50可得到最佳清洗效果。
上述实施方式中,作为清洗部件,以辊清洗部件及笔形清洗部件为例进行说明,但清洗部件亦可为辊清洗部件及笔形清洗部件以外的部件。一实施方式中,清洗部件亦可为抛光垫。
图13是表示基板清洗系统50的另一实施方式的图。未特别说明的本实施方式的运作与参照图2所说明的上述实施方式相同,故省略其重复说明。
基板清洗系统50具备:加热器51,将纯水加热以生成加热纯水;药液稀释模块52,使药液与加热纯水混合以生成加热药液;及清洗模块16,对于基板进行清洗。一实施方式中,基板清洗系统50可具备第2清洗模块18(参照图4)来取代第1清洗模块16,亦可具备第1清洗模块16及第2清洗模块18两者。
基板清洗系统50进一步具备:药液供给线80,连接有药液供给喷嘴65、66;纯水供给线81及常温纯水供给线81-2,连接有纯水供给喷嘴67、68;及纯水回送线83,使纯水从纯水供给线81循环至加热器51。纯水供给线81连接于加热器51。纯水供给线81中,在纯水的流动方向上,于加热器51的下游侧,通过连接部件82连接有药液供给线80。一实施方式中,与参照图2所说明的实施方式相同,基板清洗系统50亦可不具备常温纯水供给线81-2。又,参照图2所说明的实施方式中亦可应用具备常温纯水供给线81-2的构成。
第1清洗模块16具备分别与清洗部件61、62连结的内部配管63a、64a。内部配管63a、64a分别配置于清洗部件61、62的内部,且在清洗部件61、62的长边方向(轴向)上延伸。
基板清洗系统50进一步具备与纯水供给线81及内部配管63a、64a连接的加热流体输送线111A、111B。加热流体输送线111A、111B的一端连接于纯水供给线81,加热流体输送线111A、111B的另一端经由图中未显示的旋转连接器分别连接于内部配管63a、64a。流经纯水供给线81的加热纯水通过加热流体输送线111A、111B流入内部配管63a、64a,再从内部配管63a、64a的多个开口部直接供给至清洗部件61、62的内部。加热纯水浸透整个清洗部件61、62,而将加热纯水供给至与清洗部件61、62接触的基板W的表面W1及背面W2。关于本实施方式的第1清洗模块16的构成,详细内容于以下叙述。
加热器51于其内部具备:加热器要件54,将流经纯水供给线81的纯水加热;及流量调整装置55,调整流经纯水供给线81的纯水的流量。加热器要件54的一例为红外线灯加热器。流量调整装置55的一例为隔膜泵。加热器51将流经纯水供给线81的纯水加热至预定温度。已通过加热器51加热至预定温度的纯水流经纯水供给线81。之后,加热纯水从纯水供给线81分流,而流经药液供给线80及加热流体输送线111A、111B。
药液稀释模块52连接于药液供给线80。药液稀释模块52具备:药液供给源52a;及药液连结线52b,将药液供给源52a及药液供给线80连结。药液稀释模块52将常温药液原液与加热纯水按预定体积比混合稀释,由此生成加热药液。
药液供给线80在加热药液的流动方向上,于药液稀释模块52的下游侧连接于药液供给喷嘴65、66。药液供给线80上分别配置有开闭阀120A、120B。开闭阀120A位于药液稀释模块52与药液供给喷嘴65之间,开闭阀120B位于药液稀释模块52与药液供给喷嘴66之间。
加热流体输送线111A、111B在纯水的流动方向上,于加热器51的下游侧连接于纯水供给线81。常温纯水供给线81-2在纯水的流动方向上,于加热器51的上游侧连接于纯水供给线81。在纯水供给线81上分别配置有开闭阀122A、122B。开闭阀122A位于加热器51与纯水供给喷嘴67之间,开闭阀122B位于加热器51与纯水供给喷嘴68之间。在常温纯水供给线81-2上分别配置有开闭阀122C、122D。在加热流体输送线111A、111B上分别配置有开闭阀126A、126B。开闭阀126A、126B位于清洗部件61、62与纯水供给线81之间。在纯水回送线83上配置有开闭阀124。纯水供给线81中,在纯水的流动方向上,于加热器51的上游侧配置有开闭阀127。
开闭阀120A、120B、122A、122B、122C、122D、124、126A、126B、127分别与控制装置30(参照图1)电连接,可根据从控制装置30发出的控制信号来进行开闭阀120A、120B、122A、122B、122C、122D、124、126A、126B、127的开闭运作。在清洗待机时,控制装置30将开闭阀124、127开启,并将开闭阀120A、120B、122A、122B、122C、122D、126A、126B关闭。通过这样的运作,纯水通过纯水供给线81、纯水回送线83及加热器51而循环。结果,将加热纯水维持固定温度。
控制装置30使开闭阀120A、120B、122A、122B、122C、122D分别运作,由此将纯水及/或加热药液供给至基板W上。若将开闭阀122A、122B开启,并将开闭阀122C、122D关闭,则对纯水供给喷嘴67、68供给加热纯水。若将开闭阀122C、122D开启,并将开闭阀122A、122B关闭,则对纯水供给喷嘴67、68供给常温纯水。如此,可选择性地将加热纯水或常温纯水从纯水供给喷嘴67、68供给至基板W上。若控制装置30将开闭阀126A、126B开启,则加热纯水流经加热流体输送线111A、111B并流入内部配管63a、64a,加热纯水通过清洗部件61、62被供给至基板W的表面W1及背面W2。
图14是表示基板清洗系统50的再一实施方式的图。未特别说明的本实施方式的运作与参照图2及图13所说明的上述实施方式相同,故省略其重复说明。参照图13所说明的实施方式中将作为加热流体的加热纯水供给至清洗部件61、62,但图14所示的实施方式中将作为加热流体的加热药液供给至清洗部件61、62。
如图14所示,连接于内部配管63a、64a的加热流体输送线111A、111B与药液供给线80连接。若控制装置30将开闭阀126A、126B打开,则加热药液流经加热流体输送线111A、111B并流入内部配管63a、64a。将加热药液进一步从内部配管63a、64a的多个开口部直接供给至清洗部件61、62的内部。加热药液浸透整个清洗部件61、62,对与清洗部件61、62接触的基板W的表面W1及背面W2供给加热药液。
图15是表示基板清洗系统50的再一实施方式的图。未特别说明的本实施方式的运作与参照图14所说明的上述实施方式相同,故省略其重复说明。图15所示的实施方式中,通过加热器51将药液直接加热,由此生成加热药液。从药液供给源52a将药液供给至连接有药液供给喷嘴65、66的药液供给线80。加热器51连接于药液供给线80,加热器51将流经药液供给线80的药液加热至预定温度。已通过加热器51加热至预定温度的加热药液流经药液供给线80。之后,加热药液从药液供给线80分流,并流经加热流体输送线111A、111B。
在纯水供给线81上流动纯水,并连接有纯水供给喷嘴67、68。本实施方式中,从纯水供给喷嘴67、68供给常温纯水,但亦可在纯水供给线81上具备加热器以生成加热纯水,而从纯水供给喷嘴67、68供给加热纯水。或与参照图13所说明的实施方式相同,亦可构成为选择性地从纯水供给喷嘴67、68供给加热纯水或常温纯水。又,参照图2所说明的实施方式中亦可应用通过通过加热器51将药液直接加热来生成加热药液的上述构成。
图16是表示基板清洗系统50的再一实施方式的图。未特别说明的本实施方式的运作与参照图2及图14所说明的上述实施方式相同,故省略其重复说明。图16所示的实施方式中,内部配管63a、64a经由加热流体输送线111A、111B连结于纯水供给线81及药液供给线80两者。在加热流体输送线111A、111B与纯水供给线81之间配置有第1切换阀129,并在加热流体输送线111A、111B与药液供给线80之间配置有第2切换阀130。第1切换阀129及第2切换阀130与控制装置30(参照图1)电连接,通过控制装置30控制第1切换阀129及第2切换阀130的开闭运作。
若将第1切换阀129开启,并将第2切换阀130关闭,则纯水供给线81通过第1切换阀129及加热流体输送线111A、111B与内部配管63a、64a连通。因此,加热纯水从纯水供给线81通过第1切换阀129及加热流体输送线111A、111B流入内部配管63a、64a。若将第2切换阀130开启,并将第1切换阀129关闭,则药液供给线80通过第2切换阀130及加热流体输送线111A、111B与内部配管63a、64a连通。因此,加热药液从药液供给线80通过第2切换阀130及加热流体输送线111A、111B流入内部配管63a、64a。如此,连接于加热流体输送线111A、111B的内部配管63a、64a选择性地与纯水供给线81或药液供给线80连通。
图17是表示图13至图16所示的第1清洗模块16的一实施方式的立体图,图18是表示图17所示的第1清洗模块16的一部分的剖面图。未特别说明的本实施方式的运作与参照图3所说明的上述实施方式相同,故省略其重复说明。如图17所示,第1清洗模块16具备:滚轮60a~60d,保持基板W并使其旋转;清洗部件61、62,对于基板W进行擦洗;旋转机构69,使清洗部件61、62旋转;药液供给喷嘴65、66,朝向基板W的表面W1及背面W2供给加热药液;及纯水供给喷嘴67、68,朝向基板W的表面W1及背面W2供给加热纯水。
滚轮60a~60d可通过图中未显示的驱动机构(例如气缸)而在互相接近及分开的方向上移动。滚轮60a~60d形成由保持部60a-1~60d-1与肩部(支承部)60a-2~60d-2所构成的两段结构。肩部60a-2~60d-2的直径大于保持部60a-1~60d-1的直径,且保持部60a-1~60d-1分别位于肩部60a-2~60d-2上。
在保持基板W时,基板W首先载置于肩部60a-2~60d-2上。接着,滚轮60a~60d往互相接近的方向移动,由此,基板W的周缘部被保持部60a-1~60d-1所保持。滚轮60a~60d中的至少1个构成为通过图中未显示的旋转机构(例如主轴)而旋转,由此,基板W在保持于滚轮60a~60d的状态下旋转。
如图18所示,肩部60a-2~60d-2的顶面具有朝向外侧往下方倾斜的锥状,在被保持部60a-1~60d-1保持期间,基板W与肩部60a-2~60d-2保持非接触的状态。
回到图17,药液供给喷嘴65是朝向基板W的表面W1供给稀释药液的表面侧药液供给喷嘴。药液供给喷嘴66是朝向基板W的背面W2供给稀释药液的背面侧药液供给喷嘴。同样地,纯水供给喷嘴67是朝向基板W的表面W1供给纯水的表面侧纯水供给喷嘴。纯水供给喷嘴68是朝向基板W的背面W2供给纯水的背面侧纯水供给喷嘴。
各清洗部件61、62是具有圆筒形状且长边方向的长度比基板W的直径长的海绵部件。各清洗部件61、62其中心轴的方向相对于基板W的面(亦即,表面W1及背面W2)平行地配置。以下有时将清洗部件61称为上侧辊清洗部件61,有时将清洗部件62称为下侧辊清洗部件62。
在搬入搬出基板W时,上侧辊清洗部件61及下侧辊清洗部件62互相分开。在清洗基板W时,上侧辊清洗部件61及下侧辊清洗部件62往互相接近的方向移动,而且与基板W的表面W1及背面W2接触。上侧辊清洗部件61及下侧辊清洗部件62分别通过旋转机构69而旋转,将正在旋转的基板W的整个表面擦洗(擦洗清洗)。
旋转机构69具备上侧清洗部件旋转机构69A、下侧清洗部件旋转机构69B、导轨69C及升降机构69D。上侧清洗部件旋转机构69A安装于决定其上下方向动作的导轨69C上,同时支承于升降机构69D。上侧辊清洗部件61可通过升降机构69D而在上下方向上移动。升降机构69D的一例为使用滚珠螺杆的马达驱动机构或气缸。下侧清洗部件旋转机构69B亦同样支承于图中未显示的导轨及升降机构,下侧辊清洗部件62可在上下方向上移动。
如图18所示,第1清洗模块16具备配置于清洗部件61、62的内部的轴63、64。轴63为清洗部件61的旋转轴,轴64为清洗部件62的旋转轴。轴63具备内部配管63a,该内部配管63a具有多个开口部63b,轴64具备内部配管64a,该内部配管64a具有多个开口部64b。将由加热纯水或加热药液构成的加热流体从加热流体输送线111A、111B供给至内部配管63a、64a(参照图13至图16)。
多个开口部63b、64b分别排列于内部配管63a、64a的整个外周面,且与内部配管63a、64a的内部连通。内部配管63a、64a比基板W的直径长,多个开口部63b、64b以横穿基板W的方式排列。开口部63b、64b与清洗部件61、62相对。更具体而言,开口部63b、64b与清洗部件61、62的内表面相对。因此,通过加热流体输送线111A、111B供给的由加热纯水或加热药液构成的加热流体,在流入内部配管63a、64a后,从开口部63b、64b被直接供给至清洗部件61、62的内部。加热流体浸透整个清洗部件61、62,进一步渗出至清洗部件61、62的外侧,而被供给至基板W的整个表面W1及背面W2。
根据本实施方式,被直接供给加热流体的清洗部件61、62不仅与基板W的中央部接触,而且与周缘部接触,故基板W的周缘部上的液温不会受到伴随着基板W旋转运动的冷却作用而下降,第1清洗模块16能够以预期的温度进行基板W的擦洗。因此,可在清洗处理中提升基板W整个表面上的液温的均匀性,而可得到稳定去除粒子状污染、分子状污染及金属元素污染的效果。
图19是表示第2清洗模块18的另一实施方式的立体图,图20是表示图19所示的第2清洗模块18的一部分的剖面图。未特别说明的本实施方式的运作与参照图4及图13所说明的上述实施方式相同,故省略其重复说明。又,为了简化图而省略图13所示的各阀的图示。
如图19所示,第2清洗模块18具备:基板保持装置74,保持基板W并使其旋转;清洗部件71,对于基板W进行擦洗;臂部73,与清洗部件71连结;移动机构79,使清洗部件71移动;药液供给喷嘴75,朝向基板W的表面W1供给加热药液;及纯水供给喷嘴77,朝向基板W的表面W1供给加热纯水。虽然图中未显示,图19中亦可具备朝向基板W的背面W2供给加热药液及加热纯水的喷嘴。
基板保持装置74具备:夹头95a~95d,保持基板W的周缘部;及马达96,连结于夹头95a~95d。作为夹头95a~95d的一例,可列举弹簧式夹持机构。夹头95a~95d保持基板W,通过驱动马达96,基板W绕着其轴心当作中心旋转。
清洗部件71是具有笔形状且一边绕着清洗部件71的中心轴旋转一边与基板W的表面W1接触以对于基板W进行擦洗的海绵部件。以下有时将清洗部件71称为笔形清洗部件71。笔形清洗部件71于上部与内部配管72连接,内部配管72与加热流体输送线111连接。加热流体输送线111连接于纯水供给线81。一实施方式中,加热流体输送线111亦可如图14及图15所示的实施方式中说明,连接于药液供给线80,或是如图16所示的实施方式中所说明,加热流体输送线111亦可连接于纯水供给线81及药液供给线80两者。
臂部73配置于基板W的上方,并与移动机构79连结。移动机构79具备旋绕轴79A及清洗部件移动机构79B。臂部73的一端与旋绕轴79A连结,臂部73的另一端则连结有笔形清洗部件71。笔形清洗部件71的中心轴的方向相对于基板W的表面W1(或背面W2)垂直。
旋绕轴79A连结有使臂部73旋绕的清洗部件移动机构79B。清洗部件移动机构79B构成为通过使旋绕轴79A以预定角度旋转而使臂部73在与基板W平行的平面内旋绕。清洗部件71通过臂部73的旋绕而在基板W的半径方向上移动。旋绕轴79A可通过升降机构(图中未显示)而在上下方向上移动,以预定的按压力将清洗部件71按压于基板W的表面W1以对于基板W进行擦洗(擦洗清洗)。作为升降机构的一例,可列举使用滚珠螺杆的马达驱动机构或气缸。一实施方式中,移动机构79亦可与图4参照所说明的摆动机构的运作相同。
如图20所示,笔形清洗部件71固定于支承轴73A的下端,该支承轴73A相对于基板W而在垂直方向、亦即铅直方向上延伸。支承轴73A形成中空结构,并与设于臂部73的内部的清洗部件旋转机构73B连结。笔形清洗部件71通过清洗部件旋转机构73B而以支承轴73A为轴进行旋转,并通过臂部73的旋绕而在基板W的半径方向上移动,由此将正在旋转的基板W的表面W1进行擦洗。
笔形清洗部件71与贯通支承轴73A内部而延伸的内部配管72连结。内部配管72的一端连接于加热流体输送线111,内部配管72的另一端则连接于笔形清洗部件71的上部。内部配管72具有与笔形清洗部件71的上部相对的开口部72a。将作为加热流体的加热纯水通过内部配管72的开口部72a直接供给至笔形清洗部件71。
加热纯水浸透整个笔形清洗部件71,再渗出至笔形清洗部件71的外侧而供给至基板W的表面W1。一实施方式中,加热流体输送线111亦可与药液供给线80(参照图19)连接,将加热药液通过内部配管72直接供给至笔形清洗部件71。
根据本实施方式,被直接供给加热纯水或加热药液的笔形清洗部件71不仅与基板W的中央部接触,而且与周缘部接触,因此基板W的周缘部附近的液温不会受到伴随着基板W旋转运动的冷却作用而下降,而可在维持预期温度的状态下进行擦洗。因此,第2清洗模块18可提升清洗处理中基板W整个表面上的液温的均匀性,而可得到稳定去除粒子状污染、分子状污染及金属元素污染的效果。
图21是表示以图13所示的第1清洗模块16清洗基板W的顺序的一实施方式的流程图。第1清洗模块16在未执行基板W的处理的待机状态下,预先运转加热器51,将纯水供给线81内的加热纯水的温度保持在60℃。于药液供给线80内,通过药液稀释模块52将常温药液原液与加热纯水按预定体积比混合稀释而成的加热药液的温度则被保持在54℃。
首先,将连接于药液供给喷嘴65、66的开闭阀120A、120B及连接于纯水供给喷嘴67、68的开闭阀122A、122B关闭,并将连接于内部配管63a、64a的开闭阀126A、126B开启(参照步骤S301)。加热纯水通过内部配管63a、64a供给至清洗部件61、62并渗出至外侧,故清洗部件61、62成为干净且经过加温的状态。于基板的清洗处理中,开闭阀126A、126B持续开启(亦即持续将加热纯水供给至清洗部件61、62)。
将基板W运送至第1清洗模块16,并将基板W的周缘部载置于肩部60a-2~60d-2上。通过将滚轮60a~60d往接近基板W的中心部的方向移动,保持部60a-1~60d-1保持基板W。若滚轮60a~60d旋转,则基板W开始旋转(参照步骤S302)。
将开闭阀122A、122B开启,开始将加热纯水从纯水供给喷嘴67、68供给至基板W的双面(亦即,表面W1及背面W2)(参照步骤S303)。将开闭阀122A关闭,停止将加热纯水从纯水供给喷嘴67供给至基板W的表面W1(参照步骤S304)。将开闭阀120A、120B开启并开始从药液供给喷嘴65、66对于基板W的双面供给加热药液(参照步骤S305)。运送至第1清洗模块16的基板W为常温,故在步骤S303中,供给加热纯水来预先提高基板W的表面温度,由此可防止在步骤S305中供给加热药液时药液温度的降低。
通过升降机构69D及图中未显示的升降机构,使清洗部件61、62从预定的待机位置移动至预定的处理位置,并在通过旋转机构69A、69B使清洗部件61、62旋转的状态下,将清洗部件61、62按压于基板W的双面以开始擦洗基板W(参照步骤S306)。此时,经由清洗部件61、62将加热纯水供给至与清洗部件61、62接触的基板W的表面W1及背面W2,故第1清洗模块16可在保持基板W的周缘部上的液温的状态下进行擦洗。
经过预定时间后,通过升降机构69D及图中未显示的升降机构,使清洗部件61、62离开基板W的表面W1与背面W2并结束擦洗(参照步骤S307)。之后,将开闭阀120A、120B关闭以停止将加热药液从药液供给喷嘴65、66供给至基板W的双面(参照步骤S308)。将开闭阀122A开启,再次开始将加热纯水从纯水供给喷嘴67供给至基板W的表面W1(参照步骤S309)。之后,将开闭阀122A、122B关闭,停止将加热纯水从纯水供给喷嘴67、68供给至基板W的双面(参照步骤S310)。此外,在步骤309中,亦可替代开闭阀122A而打开122C,从纯水供给喷嘴67将常温纯水供给至基板W的表面W1。
使滚轮60a~60d停止旋转,以停止基板W的旋转(参照步骤S311)。通过使滚轮60a~60d往离开基板W中心的方向移动,保持部60a-1~60d-1离开基板W,基板W的周缘部再次载置于肩部60a-2~60d-2上。之后,通过图中未显示的运送机器人将已清洗的基板W从第1清洗模块16取出。将开闭阀126A、126B维持开启状态,以维持清洗部件61、62持续干净且经过加温的状态。
上述实施方式中将作为加热流体的加热纯水供给至清洗部件61、62,但一实施方式中,亦可如参照图14及图15所说明的实施方式,将作为加热流体的加热药液供给至清洗部件61、62。又,另一实施方式中,亦可在擦洗基板W时将作为加热流体的加热药液供给至清洗部件61、62,并在擦洗基板W后将作为加热流体的加热纯水供给至清洗部件61、62。例如,亦可在从药液供给喷嘴65、66将药液正在供给至基板W的双面的步骤(参照步骤S305~S308)中将加热药液供给至清洗部件61、62,而在其以外的步骤中将加热纯水供给至清洗部件61、62。
虽然省略说明,但参照图19所说明的第2清洗模块18亦依照与图21所示的清洗顺序基本相同的清洗顺序实施基板W的擦洗。
图22是表示基板清洗系统的一实施方式中基板W的表面W1上的液温均匀性效果的图。具体而言,是表示在执行图21所示的清洗顺序时,基板W的表面W1的中心部及周缘部上的液温测量结果的图。测量方法例如为使用热成像摄影机的辐射热的量测。
比较例1是表示下述状态中的测量结果:将开闭阀120A、120B开启以从药液供给喷嘴65、66供给加热药液,将开闭阀122B开启以从纯水供给喷嘴68供给加热纯水,且开闭阀122A、126A、126B为关闭状态。亦即,未对清洗部件61、62供给加热流体。
比较例2是表示下述状态中的测量结果:将开闭阀120A、120B开启以从药液供给喷嘴65、66供给加热药液,将开闭阀122B开启以从纯水供给喷嘴68供给加热纯水,并将开闭阀122A关闭的状态,且从内部配管63a、64a供给未加热的纯水的状态。亦即,对于清洗部件61、62供给常温纯水。
实施例是表示下述状态中的测量结果:将开闭阀120A、120B开启以从药液供给喷嘴65、66供给加热药液,将开闭阀122B开启以从纯水供给喷嘴68供给加热纯水,并将开闭阀122A关闭的状态,且从内部配管63a、64a供给加热纯水的状态。亦即,对清洗部件61、62供给加热纯水。
由图22明显可知,在本实施方式中,从清洗部件61、62供给加热纯水的情况,可抑制基板W的表面W1上的液温从加热纯水的温度60℃降低。再者,亦可将基板W的中心部与周缘部的温度差压低。因此,根据本实施方式,第1清洗模块16不仅可提高基板W的温度,而且可提升基板W整个表面上的液温的均匀性,而可得到稳定去除基板W的污染的效果。
上述实施方式,其记载的目的是使本发明所属技术领域的技术人员能够实施本发明。本领域技术人员当然能够完成上述实施方式的各种变化例,亦可将本发明的技术思想应用于其他实施方式。因此,本发明并不限定于已记载的实施方式,而应视为依照由权利要求所定义的技术思想的最广泛范围。
产业上的可利用性
本发明可应用于清洗基板的基板清洗系统及基板清洗方法。
符号说明
1:基板处理装置
2:研磨部
4:清洗部
10:壳体
12:装载埠
14A~14D:研磨模块
16:第1清洗模块
18:第2清洗模块
20:干燥模块
22:第1运送机器人
24:运送模块
26:第2运送机器人
28:第3运送机器人
30:控制装置
30a:储存装置
30b:处理装置
50:基板清洗系统
51:加热器
52:药液稀释模块
52a:药液供给源
52b:药液连结线
54:加热器要件
55:流量调整装置
60:基板保持装置
60a~60d:滚轮
60a-1~60d-1:保持部
60a-2~60d-2:肩部(支承部)
61,62:清洗部件(辊清洗部件)
63,64:轴
63a,64a:内部配管
63b,64b:开口部
65,66:药液供给喷嘴
65A:第1药液供给喷嘴
65B:第2药液供给喷嘴
67,68:纯水供给喷嘴
67A:第1纯水供给喷嘴
67B:第2纯水供给喷嘴
69:旋转机构
69A:上侧清洗部件旋转机构
69B:下侧清洗部件旋转机构
69C:导轨
69D:升降机构
71:清洗部件(笔形清洗部件)
72:内部配管
73:臂部
73A:支承轴
73B:清洗部件旋转机构
74:基板保持装置
75,76:药液供给喷嘴
77,78:纯水供给喷嘴
79:摆动机构(移动机构)
79A:旋绕轴
79B:清洗部件移动机构
80:药液供给线
80A:第1药液分流线
80B:第2药液分流线
81:纯水供给线
81A:第1纯水分流线
81B:第2纯水分流线
81-2:常温纯水供给线
82:连接部件
83:纯水回送线
83A:第1回送分流线
83B:第2回送分流线
84:流量传感器
85:温度传感器
86,87,88,90,91:过滤器
95a~95d:夹头
96:马达
100:隔热部件
101:加热器
102:防液体飞溅杯状物
105:加热器
111,111A,111B:加热流体输送线
120,120A,120B,121,122,122A,122B,122C,122D,123,124,125,126A,126B,127:开闭阀
129:第1切换阀
130:第2切换阀
W:基板
W1:表面
W2:背面。

Claims (35)

1.一种基板清洗系统,其特征在于,具备:
加热器,该加热器将纯水加热;
药液稀释模块,该药液稀释模块使药液与由所述加热器加热的纯水按预定的体积比混合;及
清洗模块,该清洗模块对基板进行清洗,
所述清洗模块具备:
基板保持装置,该基板保持装置保持所述基板;
清洗部件,该清洗部件与所述基板接触,并对所述基板进行擦洗;
药液供给喷嘴,该药液供给喷嘴朝向所述基板供给已决定为预定温度的药液;及
纯水供给喷嘴,该纯水供给喷嘴朝向所述基板供给已加热的纯水,
通过所述药液稀释模块混合后的稀释药液的温度被决定为高于常温的温度且低于所述清洗部件的玻璃化转变温度的温度;
在将具有所决定的所述温度的稀释药液供给至所述基板的状态下,所述清洗部件对所述基板进行擦洗。
2.如权利要求1所述的基板清洗系统,其特征在于,
所述基板清洗系统具备:
药液供给线,该药液供给线连接有所述药液供给喷嘴;及
纯水供给线,该纯水供给线连接有所述纯水供给喷嘴,
所述加热器连接于所述纯水供给线,且在纯水的流动方向上,配置于将所述药液供给线与所述纯水供给线连接的连接部件的上游侧。
3.如权利要求1或2所述的基板清洗系统,其特征在于,
从所述纯水供给喷嘴供给的纯水的温度高于从所述药液供给喷嘴供给的稀释药液的温度。
4.如权利要求1-3中任一项所述的基板清洗系统,其特征在于,
所述清洗模块具备:
第1过滤器,该第1过滤器与所述药液供给喷嘴相邻配置,且捕捉流经所述药液供给线的异物;及
第2过滤器,该第2过滤器与所述纯水供给喷嘴相邻配置,且捕捉流经所述纯水供给线的异物。
5.如权利要求1-4中任一项所述的基板清洗系统,其特征在于,
所述药液供给喷嘴是放射喷嘴,该放射喷嘴从保持于所述基板保持装置的所述基板的中心遍及所述基板的周缘部地供给稀释药液。
6.如权利要求1-5中任一项所述的基板清洗系统,其特征在于,
所述药液供给喷嘴具备:
第1药液供给喷嘴,该第1药液供给喷嘴朝向保持于所述基板保持装置的所述基板的中心供给稀释药液;及
第2药液供给喷嘴,该第2药液供给喷嘴朝向保持于所述基板保持装置的所述基板的周缘部供给稀释药液。
7.如权利要求1-6中任一项所述的基板清洗系统,其特征在于,
所述药液供给喷嘴具备:
表面侧药液供给喷嘴,该表面侧药液供给喷嘴朝向保持于所述基板保持装置的所述基板的表面供给稀释药液;及
背面侧药液供给喷嘴,该背面侧药液供给喷嘴朝向保持于所述基板保持装置的所述基板的背面供给稀释药液。
8.如权利要求1-7中任一项所述的基板清洗系统,其特征在于,
所述清洗模块具备与保持于所述基板保持装置的所述基板的周缘部相邻配置的加热装置,
所述加热装置将存在于所述基板的周缘部的稀释药液加热。
9.一种基板清洗系统,其特征在于,具备:
药液稀释模块,该药液稀释模块将药液与纯水按预定体积比混合;
清洗模块,该清洗模块使用与基板接触的清洗部件及通过所述药液稀释模块供给的稀释药液对基板进行清洗;
流量调整装置,该流量调整装置调整所述稀释药液的流量;
加热器,该加热器将所述药液、所述纯水及所述稀释药液中的至少一个加热;及
控制装置,在将所述稀释药液供给至所述清洗模块时,该控制装置以使所述稀释药液的温度高于常温且低于所述清洗部件的玻璃化转变温度的方式,控制所述加热器及所述流量调整装置。
10.一种基板清洗方法,其特征在于,
通过加热器将纯水加热,
使药液与经由所述加热器加热后的纯水按预定体积比混合,
将混合后的所述稀释药液的温度决定为高于常温的温度且低于对基板进行擦洗的清洗部件的玻璃化转变温度的温度,
通过药液供给喷嘴将已决定为预定温度的稀释药液供给至保持于基板保持装置的所述基板,
通过纯水供给喷嘴将经由所述加热器加热后的纯水供给至保持于所述基板保持装置的所述基板,
在将具有所决定的所述温度的稀释药液供给至所述基板的状态下,通过所述清洗部件对所述基板进行擦洗。
11.如权利要求10所述的基板清洗方法,其特征在于,
通过所述加热器将流经连接有所述纯水供给喷嘴的纯水供给线的纯水加热,
在纯水的流动方向上,在所述加热器的下游侧的位置,将药液与流经药液供给线的纯水混合,所述药液供给线与所述纯水供给线连接。
12.如权利要求10或11所述的基板清洗方法,其特征在于,
从所述纯水供给喷嘴供给的纯水的温度高于从所述药液供给喷嘴供给的稀释药液的温度。
13.如权利要求10-12中任一项所述的基板清洗方法,其特征在于,
通过与所述药液供给喷嘴相邻配置的第1过滤器,捕捉流经所述药液供给线的异物,
通过与所述纯水供给喷嘴相邻配置的第2过滤器,捕捉流经所述纯水供给线的异物。
14.如权利要求10-13中任一项所述的基板清洗方法,其特征在于,
使用作为从保持于所述基板保持装置的所述基板的中心遍及所述基板的周缘部地供给稀释药液的放射喷嘴的所述药液供给喷嘴,将稀释药液供给至保持于所述基板保持装置的所述基板。
15.如权利要求10-14中任一项所述的基板清洗方法,其特征在于,
使用具备第1药液供给喷嘴和第2药液供给喷嘴的所述药液供给喷嘴将稀释药液供给至保持于所述基板保持装置的所述基板,所述第1药液供给喷嘴朝向保持于所述基板保持装置的所述基板的中心供给稀释药液,所述第2药液供给喷嘴朝向保持于所述基板保持装置的所述基板的周缘部供给稀释药液。
16.如权利要求10-15中任一项所述的基板清洗方法,其特征在于,
使用具备表面侧药液供给喷嘴和背面侧药液供给喷嘴的所述药液供给喷嘴将稀释药液供给至保持于所述基板保持装置的所述基板,所述表面侧药液供给喷嘴朝向保持于所述基板保持装置的所述基板的表面供给稀释药液,所述背面侧药液供给喷嘴朝向保持于所述基板保持装置的所述基板的背面供给稀释药液。
17.如权利要求10-16中任一项所述的基板清洗方法,其特征在于,
使用与保持于所述基板保持装置的所述基板的周缘部相邻配置的加热装置,将存在于所述基板的周缘部的稀释药液加热。
18.一种基板清洗系统,其特征在于,具备:
加热器,该加热器将纯水加热以生成加热纯水;
药液稀释模块,该药液稀释模块使药液与所述加热纯水混合以生成加热药液;及
清洗模块,该清洗模块对基板进行清洗,
所述清洗模块具备:
基板保持装置,该基板保持装置保持所述基板;
清洗部件,该清洗部件与所述基板接触,并对所述基板进行擦洗;
药液供给喷嘴,该药液供给喷嘴对所述基板供给所述加热药液;
纯水供给喷嘴,该纯水供给喷嘴对所述基板供给纯水;及
内部配管,该内部配管连结于所述清洗部件,将作为所述加热纯水和所述加热药液中的任意一个的加热流体供给至所述清洗部件,
所述内部配管与所述加热器及所述药液稀释模块中的至少一者连通。
19.如权利要求18所述的基板清洗系统,其特征在于,
所述内部配管配置于所述清洗部件内,且在所述清洗部件的长边方向上延伸。
20.如权利要求18或19所述的基板清洗系统,其特征在于,
所述内部配管具有与所述清洗部件相对的至少1个开口部。
21.如权利要求18-20中任一项所述的基板清洗系统,其特征在于,
所述基板清洗系统进一步具备:
药液供给线,该药液供给线连接有所述药液供给喷嘴;
纯水供给线,该纯水供给线连接有所述纯水供给喷嘴;及
加热流体输送线,该加热流体输送线连接于所述内部配管,
所述加热器连接于所述纯水供给线,
所述加热流体输送线与所述纯水供给线及所述药液供给线中的至少一者连结。
22.如权利要求18-21中任一项所述的基板清洗系统,其特征在于,
所述清洗部件是具有圆筒形状的辊清洗部件,且所述清洗部件的长边方向的长度比所述基板的直径长。
23.如权利要求18-21中任一项所述的基板清洗系统,其特征在于,
所述清洗部件是具有笔形状的笔形清洗部件,
所述内部配管与所述笔形清洗部件的上部连接。
24.一种基板清洗系统,其特征在于,具备:
加热器,该加热器将药液加热以生成加热药液;及
清洗模块,该清洗模块对基板进行清洗,
所述清洗模块具备:
基板保持装置,该基板保持装置保持所述基板;
清洗部件,该清洗部件与所述基板接触,并对所述基板进行擦洗;
药液供给喷嘴,该药液供给喷嘴对所述基板供给所述加热药液;
纯水供给喷嘴,该纯水供给喷嘴对所述基板供给纯水;及
内部配管,该内部配管连结于所述清洗部件,且将所述加热药液供给至所述清洗部件,
所述内部配管与所述加热器连通。
25.如权利要求24所述的基板清洗系统,其特征在于,
所述内部配管配置于所述清洗部件内,且在所述清洗部件的长边方向上延伸。
26.如权利要求24或25所述的基板清洗系统,其特征在于,
所述内部配管具有与所述清洗部件相对的至少1个开口部。
27.如权利要求24-26中任一项所述的基板清洗系统,其特征在于,
所述基板清洗系统进一步具备:
药液供给线,该药液供给线连接有所述药液供给喷嘴;
纯水供给线,该纯水供给线连接有所述纯水供给喷嘴;及
加热流体输送线,该加热流体输送线连接于所述内部配管,
所述加热器连接于所述药液供给线,
所述加热流体输送线连结于所述药液供给线。
28.如权利要求24-27中任一项所述的基板清洗系统,其特征在于,
所述清洗部件是具有圆筒形状的辊清洗部件,且所述清洗部件的长边方向的长度比所述基板的直径长。
29.如权利要求24-27中任一项所述的基板清洗系统,其特征在于,
所述清洗部件是具有笔形状的笔形清洗部件,
所述内部配管与所述笔形清洗部件的上部连接。
30.一种基板清洗方法,其特征在于,
通过加热器将纯水加热以生成加热纯水,
使药液与所述加热纯水混合以生成加热药液,
通过连结于清洗部件的内部配管,将作为所述加热纯水和所述加热药液中的任意一个的加热流体供给至所述清洗部件,
在一边将所述加热药液从药液供给喷嘴供给至所述基板,一边将所述加热流体通过所述内部配管供给至所述清洗部件的状态下,通过所述清洗部件擦洗所述基板。
31.如权利要求30所述的基板清洗方法,其特征在于,
在所述基板的擦洗工序中,使已浸透有所述加热流体的所述清洗部件与所述基板的中央部及周缘部接触,将所述加热流体通过所述清洗部件供给至所述基板的中央部及周缘部。
32.如权利要求30或31所述的基板清洗方法,其特征在于,
进一步包含如下工序:在擦洗所述基板后,从纯水供给喷嘴将纯水供给至所述基板。
33.一种基板清洗方法,其特征在于,
通过加热器将药液加热以生成加热药液,
通过连结于清洗部件的内部配管将所述加热药液供给至所述清洗部件,
在一边将所述加热药液从药液供给喷嘴供给至所述基板,一边将所述加热药液通过所述内部配管供给至所述清洗部件的状态下,通过所述清洗部件擦洗所述基板。
34.如权利要求33所述的基板清洗方法,其特征在于,
在所述基板的擦洗工序中,使已浸透有所述加热药液的所述清洗部件与所述基板的中央部及周缘部接触,将所述加热药液通过所述清洗部件供给至所述基板的中央部及周缘部。
35.如权利要求33或34所述的基板清洗方法,其特征在于,
进一步包含如下工序:在擦洗所述基板后,从纯水供给喷嘴将纯水供给至所述基板。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2023117668A (ja) * 2022-02-14 2023-08-24 株式会社Screenホールディングス 基板処理装置及び基板処理システム並びに基板処理方法
JP2023135897A (ja) * 2022-03-16 2023-09-29 株式会社Screenホールディングス 基板処理方法および基板処理装置

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002043267A (ja) 2000-07-21 2002-02-08 Ebara Corp 基板洗浄装置、基板洗浄方法及び基板処理装置
US8608858B2 (en) 2004-09-28 2013-12-17 Ebara Corporation Substrate cleaning apparatus and method for determining timing of replacement of cleaning member
JP5866227B2 (ja) 2012-02-23 2016-02-17 株式会社荏原製作所 基板洗浄方法
JP6345393B2 (ja) * 2013-07-19 2018-06-20 株式会社荏原製作所 基板洗浄装置および基板洗浄方法
JP6295107B2 (ja) * 2014-03-07 2018-03-14 株式会社荏原製作所 基板処理システムおよび基板処理方法
JP6600470B2 (ja) * 2014-04-01 2019-10-30 株式会社荏原製作所 洗浄装置及び洗浄方法
JP6491908B2 (ja) * 2015-03-09 2019-03-27 株式会社荏原製作所 基板洗浄装置、基板洗浄方法、および基板処理装置
JP6750040B2 (ja) * 2016-12-28 2020-09-02 芝浦メカトロニクス株式会社 基板処理装置及び基板処理方法

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