JP6027051B2 - リトグラフ装置 - Google Patents

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Description

本発明は、リトグラフ装置およびデバイスの製造方法に関するものである。
リトグラフ装置は、基板に(通常は、基板の目標部分に)、所望のパターンを付与する機械である。リトグラフ投影装置は、例えば、集積回路(IC)の製造で使用可能である。この例では、パターン付与装置(別の呼び方では、マスクまたはレチクル)が、ICの個々の層に形成される回路パターンを作るために使用される。このパターンを、基板(例えば、シリコンウェハ)の目標部分(例えば、一つまたは複数のダイ部分を含む)に転写することができる。パターン転写は、一般に、基板上に設けた放射線感受材料(レジスト)の層に画像投与することによる。一般に、単一基板は、順次パターン化される互いに隣接する網目状の目標部分を含む。既知のリトグラフ装置は、1回の操作でパターン全体を目標部分に露光することにより各目標部分が照射される、いわゆるステッパと、所定方向(走査方向)で放射線ビームによってパターンを走査する一方、前記方向と平行または逆平行に基板を走査することによって各目標部分が照射される、いわゆるスキャナーとを含む。基板上にパターンを押印(imprint)することによって、パターン付与装置から基板へパターンを転写することも可能である。
リトグラフ投影装置において、投影装置の最終部材と基板との間のスペースを満たすように、比較的高い屈折率を有する液体(例えば、水)に基板を浸漬することが提案されている。その要点は、露光放射線が液体中で短波長を有することから、より画像構造の画像投与を可能にすることである。(液体の効果はまた、投影装置の有効NAを増すと共に、焦点深度も増すと考えられる。)固体微粒子(例えば、水晶)が浮遊する水を含むその他の浸漬液も提案されている。
しかしながら、基板、または、基板と基板テーブルを液体浴中に沈めること(例えば、米国特許出願番号第4509852号参照。その全記載内容を本明細書の記載として援用する)は、液体の大部分を走査露光中に加速させなければならないことを意味する。これには、追加のモータ、または、より強力なモータを必要とし、また、液体中の乱流が、望ましからざる、予測できない影響をもたらすだろう。
提案されている解決方法の一つに、液体供給装置において、液体閉込めシステムを用い、基板の局所的領域だけに、かつ投影装置の最終部材と基板との間に液体を供給するというものがある。(一般に、基板は投影装置の最終部材よりも表面領域が大きい。)これを構成するために提案された一方法が、WO 99/49504に開示されている(その全記載内容を本明細書の記載として援用する)。図2、図3に示されるように、好ましくは最終部材に対する基板の移動方向に沿って、少なくとも一つのインレット(入口)INにより液体が基板に供給され、かつ、投影装置下を通過した後、液体は少なくとも一つのアウトレット(出口)OUTによって取り除かれる。すなわち、基板が最終部材の下でX方向に走査されると、最終部材の+X側で液体が供給され、−X側で取り出される。図2は、この構成を示しており、ここで液体がインレットINにより供給され、この最終部材の他側で低圧力源に連結されたアウトレットOUTによって取り去られる。図2では、最終部材に対して基板が動く方向に沿って液体が供給されているが、これに限定されるわけではない。最終部材の周囲に配置されるインレットおよびアウトレットの方向および数は任意であり、その一例を図3に示す。ここで、両側にアウトレットを伴なう4組のインレットが最終部材の周囲に規則正しく配設されている。
既に提案されたその他の解決方法は、投影装置の最終部材と基板テーブル間のスペースの境界の少なくとも一部分に沿って伸長するシール部材を有する液体供給装置を提供することである。そのような解決法を図4に示す。Z方向(光軸の方向)の相対動作が多少あるかもしれないが、シール部材はXY面における投影装置に対してほぼ静止状態にある。シールはシール部材と基板表面間に形成される。好ましくは、シールはガスシールのような非接触シールである。斯かるガスシールを有するシステムが欧州特許出願番号第03252955.4において開示されている。その全記載内容を本明細書の記載として援用する。
欧州特許申請第03257072.3号において、ツインステージすなわち2ステージの液浸リトグラフ装置の発案が開示されている。このような装置には基板を支持する2つのステージが配設されている。第一位置のステージでは浸漬液なしでレべリング計測が実行され、浸漬液のある第二位置のステージにて露光が実行される。あるいは、該装置は一つのみのステージを備える。
結像放射線の経路に影響を及ぼす構成部材の温度変化を最小限に抑えることが重要である。レンズやミラー等の光学部品の熱膨張および収縮は、温度によって誘起される浸漬液の屈折率変化と、基板に達する画像のゆがみ(distorsions)を招く。構成部品の温度調整は、電気的および機械的両方の発散プロセスの、あるいは他の熱流束源(すなわち、熱供給源または熱吸収源)の範囲と近接を制限して、構成部材と高熱容量部材間の熱連結を良くすることで通常は可能である。しかし、光学部材に関して、こうした手段を用いるにもかかわらず、温度の変化および/または局所的ビーム強度の変化に起因する画像のゆがみが、依然として検出される。
本発明は、基板および浸漬液の温度勾配による画像のゆがみを減じることを目的とする。
本発明の一観点によれば、以下のリトグラフ投影装置が提供される。
放射線ビームを調節するように構成された照射装置と、
放射線ビームの断面にパターンを与えてパターン化された放射線ビームを形成することのできるパターン付与装置を支持するように構成された支持体と、
基板を保持するように構成された基板テーブルと、
パターン化された放射線ビームを基板の目標部分に投影するように構成された投影装置と、
前記投影装置の最終部材と基板との間のスペースを少なくとも部分的に液体で満たすための液体供給装置とを含むリトグラフ投影装置であり、
液体供給装置が、前記投影装置の最終部材、基板、および、液体の温度を共通の目標温度に調整するための温度制御器を含む前記リトグラフ投影装置。
本発明の別の観点によれば、以下のリトグラフ投影装置が提供される。
放射線ビームを調節するように構成された照射装置と、
放射線ビームの断面にパターンを与えてパターン化された放射線ビームを形成することのできるパターン付与装置を支持するように構成された支持体と、
基板を保持するように構成された基板テーブルと、
パターン化された放射線ビームを基板の目標部分に投影するように構成された投影装置と、
前記投影装置の最終部材と前記基板との間のスペースを少なくとも部分的に液体で満たす液体供給装置と、
前記投影装置の最終部材、基板、および、液体のうちの少なくとも一つの温度と、目標温度との差によって生じる、基板上に形成される前記パターンにおけるゆがみに応じて前記投影装置の光学特性を調整するように構成された投影装置補償器とを含むリトグラフ投影装置。
本発明の別の観点によれば、以下のデバイス製造方法が提供される。
放射線感受材料層によって少なくとも部分的に覆われた基板を用意する段階と、
放射線装置を用いて放射線投影ビームを供給する段階と、
パターン付与手段を用いて投影ビームの断面にパターンを付与する段階と、
放射線感受材料層の目標部分にパターン化された放射線投影ビームを投影する段階と、
前記投影装置の最終部材と、基板との間のスペースを少なくとも部分的に液体で満たす液体供給装置を用意する段階と、
前記投影装置の最終部材、基板、および、液体の温度を共通の目標温度に調整する段階とを含むデバイス製造方法。
本明細書では、本発明装置の使用法に関して、特にICの製造に言及するが、斯かる装置が、その他の多くの用途を有することを明確に理解すべきである。例えば、集積光学装置、磁気ドメインメモリ用ガイダンスおよび検出パターン、液晶ディスプレイパネル、薄膜磁気ヘッド等の製造においても使用可能である。こうした代替的な用途における文脈では、本明細書中の用語「レチクル」、「ウェハ」または「ダイ」は、それぞれ、一般的な用語である「マスク」、「基板」または「目標部分」に置き換え得ることを、当業者は理解できるだろう。
本明細書において、「放射線」および「ビーム」なる用語は、紫外線(例えば、365nm、248nm、193nm、157nm、あるいは126nmの波長を有する)を含めた、あらゆる種類の電磁放射線を網羅するものとして使用されている。
以下、添付の図面を見ながら、単なる例示としての本発明の実施例について説明する。ここで、同一符合は、同一部品を示す。
本発明の一実施例に係わるリトグラフ投影装置を示す。 従来技術に係わるリトグラフ投影装置で使用される液体供給装置を示す。 従来技術に係わるリトグラフ投影装置で使用される液体供給装置を示す。 別の従来技術に係わるリトグラフ投影装置で使用される液体供給装置を示す。 本発明の一実施例に係わる液体供給装置およびシール部材を示す。 本発明の一実施例に係わる流量調整装置および液体温度調整装置を示す。 投影装置補償器、パターン化された放射線ビームのゆがみ検出器、温度センサ、および記憶装置を含む本発明の一実施例に係わるリトグラフ装置を示す。
図1は、本発明の一実施例に係わるリトグラフ装置を示している。
この装置は、
放射線ビームB(例えば、UV放射線あるいはDUV放射線)を調整するように構成された照明システム(照射装置)ILと、
パターン付与装置(例えばマスク)MAを支持するように構成され、かつ、特定のパラメータに基づいて正確にパターン付与装置の位置決めを行うように構成された第一位置決め装置PMに連結を行った支持構造(例えばマスクテーブル)MTと、
基板(例えばレジスト塗布ウェハ)を保持するように構成され、かつ、特定のパラメータに基づいて正確に基板の位置決めを行うように構成された第二位置決め装置PWに連結を行った基板テーブル(例えばウェハテーブル)WTと、
パターン付与装置MAにより投影ビームBに与えられたパターンを、基板Wの目標部分C(例えば、一つあるいはそれ以上のダイから成る)に投影するように構成された投影装置(例えば屈折投影レンズ)PSとを含む。
照明システムには、放射線の誘導、成形、あるいは調整を行う、屈折、反射、磁気、電磁、静電、また他のタイプの光学部品、もしくはこれらの組み合わせといったような様々なタイプの光学部品が含まれる。
支持構造はパターン付与装置を支持する(すなわちパターン付与装置の重量を支える)。支持構造は、パターン付与装置の位置、リトグラフ装置の設計、かつ、例えば、パターン付与装置が真空環境に保持されているか否かといったような他の条件に基づく方法でパターン付与装置を保持する。支持構造には、パターン付与装置を保持する目的に、機械式、真空吸引式、静電気式、または、その他のクランプ技術が使用され得る。支持構造は、例えば、その要求に応じて、固定されるか、または、可動式であるフレームまたはテーブルであろう。支持構造はパターン付与装置を例えば投影装置に対して所望位置に配置可能にする。本明細書で用いる用語「レチクル」または「マスク」は、より一般的な用語である「パターン付与装置」と同義であると考えてよい。
本明細書で用いる用語「パターン付与装置」は、基板の目標部分にパターンを作り出すべく、投影ビームの断面にパターンを付与するために使用可能なデバイスに相当するものとして広義に解釈されるべきである。投影ビームに付与されるパターンは、例えばパターンが位相シフト構造(phase-shifting features)または所謂アシスト構造(assist features)を含む場合、基板の目標部分における所望のパターンとは必ずしも完全には一致しないことに留意すべきである。一般に、投影ビームに付与されるパターンは、集積回路等の、目標部分に作り出されるデバイスにおける特別な機能層に相当する。
パターン付与装置は透過型または反射型である。パターン付与装置の例には、マスク、プログラム可能なミラーアレイ、および、プログラム可能なLCDパネルが含まれる。マスクは、リトグラフにおいて周知であり、これには、各種ハイブリッドマスク種(types)は勿論のこと、バイナリマスク、レベンソンマスク、減衰位相シフトマスク等のマスク種も含まれる。プログラム可能なミラーアレイの例では、微小ミラーのマトリックス配列を用い、入射する放射線ビームを異なる方向に反射させるために、ミラーの各々が個別に傾斜可能である。傾斜ミラーは、ミラー・マトリックスによって、反射される放射線ビームにパターンを与える。
本明細書で用いる用語「投影装置」は、使用される露光放射線に適するか、または、浸漬液の使用または真空の使用等のその他の要因に適する、屈折光学系、反射光学系、反射屈折光学系、磁気光学系、電磁光学系、および静電光学系、または、これらの組み合わせを含めた各種投影装置を網羅するものとして、広義に解釈されるべきである。本明細書で用いる用語「投影レンズ」は、より一般的な用語である「投影装置」と同義であるとみなしてよい。
図示の装置は透過型(例えば、透過マスクを使用する)である。または、装置は反射型(例えば、上記に相当する種類のプログラム可能なミラーアレイを使用するか、または、反射マスクを使用するもの)も可能である。
リトグラフ装置は、2つ(デュアルステージ)、または、それ以上の基板テーブル(および/または2つ以上のマスクテーブル)を有する形式のものである。このような「多段」機械において、追加のテーブルを並行して使用可能である。あるいはまた、一つ以上のテーブルが露光に使用されている間に、別の一つ以上のテーブルで準備工程を実行可能である。
図1において、照射装置ILは放射線源SOから放射線ビームを受け取る。この放射線源とリトグラフ装置は、例えば源がエキシマレーザである場合、別体品である。そのような場合、放射線源がリトグラフ装置の一部を構成するとはみなされず、放射線ビームは、ビーム供給装置BD(例えば、適切な誘導ミラー、および/または、ビーム拡張器を含む)により、放射線源SOから照射装置ILに進む。別の場合では、例えば放射線源が水銀ランプである場合、放射線源はリトグラフ装置に一体化された部分である。放射線源SOと照射装置ILは、必要に応じてビーム供給装置BDと共に、放射線装置と呼んでもよい。
照射装置ILは、ビームの角強度分布を調整する調整装置ADを備える。一般的に、照射装置の瞳面における強度分布の少なくとも外側および/または内側放射範囲(一般に、それぞれ、外側σおよび内側σに相当する)が調整可能である。さらに、照射装置ILは、一般に積分器INおよびコンデンサCOといったような、他のさまざまな構成要素を含む。照射装置は、その断面に亘って所望の均一性と強度分布を有するように、投影ビームを調整するために使用できる。
投影ビームBは、支持構造(例えばマスクテーブルMT)に保持されたパターン付与装置(例えばマスクMA)に入射し、パターン付与装置によってパターン付与される。ビームBは、マスクMAを横断して基板Wの目標部分C上にビームPBの焦点を合わせる投影装置PSを通過する。第二位置決め手段PWおよび位置センサIF(例えば干渉計、リニアエンコーダ、または容量センサ)により、基板テーブルWTは、例えば放射線ビームBの経路における異なる目標部分Cに位置を合わせるために正確に動くことができる。同様に、第一位置決め装置PMおよび他の位置センサ(図1には明示しておらない)は、例えばマスク・ライブラリからマスクMAを機械的に検索した後に、または、走査運動の間に放射線ビームBの経路に対してマスクMAを正確に位置決めするために使用可能である。一般に、マスクテーブルMTの運動は、位置決装置PM、PWの一部を形成する、ロングストローク(大行程)モジュールおよびショートストローク(小行程)モジュール(微動位置決め)を用いて行われる。しかし、ステッパの場合(スキャナとは対照的に)、マスクテーブルMTは、ショートストローク・アクチュエータのみに連結されるか、または、固定される。マスクMAおよび基板Wは、マスクアライメント(マスク位置合わせ)マークM1、M2、および基板アライメント(基板位置合わせ)マークP1、P2を用いて位置合わせされる。
図示のような基板アライメントマークが専用目標部分を占めるが、これらは目標部分間の余白に配置してよい。(これらは、罫書き線位置合わせマークとして知られている。)同様に、一つ以上のダイがマスクMAに配置される場合、マスクアライメントマークはダイ間に配置してよい。
図示装置は、以下のモード(様式)中、少なくとも一つのモードで使用できる。
1.ステップモードにおいて、マスクテーブルMTおよび基板テーブルWTは基本的に静止状態に維持されており、投影ビームに与えられた全体パターンが1回の作動(すなわちシングル静的露光)で目標部分Cに投影される。次に基板テーブルWTがx方向および/あるいはy方向にシフトされ、異なる目標部分Cが露光可能となる。ステップモードにおいては、露光フィールドの最大サイズにより、シングル静的露光にて結像される目標部分Cのサイズが制限される。
2.スキャンモードにおいて、投影ビームに与えられたパターンが目標部分Cに投影されている間、マスクテーブルMTおよび基板テーブルWTは同時走査される(すなわちシングル動的露光)。マスクテーブルMTに対する基板テーブルWTの速度および方向は、投影装置PSの拡大(縮小)および画像反転特性により判断される。スキャンモードにおいては、露光フィールドの最大サイズにより、シングル動的露光における目標部分の幅(非走査方向における)が制限される。一方、走査動作長が目標部分の高さ(走査方向における)を決定する。
3.他のモードにおいて、マスクテーブルMTは、プログラム可能パターニング手段を保持し、基本的に静止状態が維持される。そして、基板テーブルWTは、投影ビームに与えられたパターンが目標部分Cに投影されている間、移動あるいは走査される。このモードにおいては、一般にパルス放射線ソースが用いられ、プログラム可能なパターン付与装置は、基板テーブルWTの各運動後、もしくは走査中の連続的放射線パルスの間に、要求に応じて更新される。この稼動モードは、上述のようなタイプのプログラム可能なミラーアレイといった、プログラム可能パターニング手段を使用するマスクレスリトグラフに容易に適用可能である。
前記使用モードを組み合わせたもの、および/または、変更を加えたもの、または、それとは全く異なる使用モードも使用できる。
図5、図6は、本発明の一実施例に係わる液体供給装置10、および温度制御器の機能21、22、23を示したものである。投影装置PL、基板W、および浸漬液は、基板に書き込まれる画像の質に影響を与える温度依存特性を有する。各種源からの熱流束は、解決策が何もとられない場合、一つ以上のこれら部材の温度のオフセット(ずれ)、そして、温度勾配さえ引き起こし得る。この可能性は、(使用材料および薄い寸法の両者による)比較的低い熱コンダクタンスと比較的低い基板の熱容量とによって悪化される。温度勾配は、問題の部材によって、書き込まれる画像をゆがませる熱膨張/収縮勾配となる。結像ビームが基板に対して移動するとき、例えば、基板それ自体で生じるように、温度プロファイル(輪郭)が変わると、これは特に困難な問題となる。浸漬液の場合、ホットスポットまたはコールドスポットの近くにある液体は、遠くにある液体よりも、それぞれ、温度が高く、または、低くなり、基板上の局所的なホットスポットまたはコールドスポットもまた液体の温度勾配をもたらす。屈折率は一般に温度依存性であるから、これは、結像放射線が液体を通過する経路に影響し、画像をゆがませる。投影装置の温度を一定にするだけでなく、基板Wと浸漬液をも一定にする温度制御器を使用することによって、こうした要因による画像のゆがみが減じられる。
図示例において、液体供給装置10は、投影装置PLと基板W間にある画像投与領域貯留部12に液体を供給する。液体は、実質的に1よりも大きい屈折率を有するものを選択することが望ましい。つまり、投影ビームの波長は空気や真空中よりも、液体中で短いことから、小画像構造の解像を可能にすることを意味する。投影装置の解像度はとりわけ、投影ビームの波長およびシステムの開口数によって決定されることは周知である。液体が介在することで有効開口数も増すと考えられる。
画像投与領域貯留部12は、投影装置PLの最終部材の下で、これを囲んで配置されたシール部材13によって少なくとも部分的に閉ざされている。シール部材13は投影装置の最終部材よりも少し上方に伸長し、液面は投影レンズPLの最終部材の低端部よりも高くなっている。シール部材13は、その上端部で、投影装置のステップまたはその最終部材にきっちり一致する内周を有し、例えば囲んでいる。その底面において、内周は例えば長方形(しかしながら、どのような形状でもよい)の画像範囲の形状にきっちり一致する。
シール部材13と基板Wとの間において、シール部材13と基板W間のギャップに加圧下で供給されるガスによって形成されるガスシール等の非接触シール14によって、液体が貯留部に閉じ込められる。
上で論じたように、リトグラフ装置は光学素子の物理的特性における熱的に誘起される変化に特に敏感である。こうした変化には熱膨張/収縮、または屈折率といったような特有の特性における変化を含む。一般的なリトグラフ装置と同様に複雑な装置においては、温度変化を生じさせる多数の重要な熱流束源が重要な部分に必然的にある。これらの熱流束源は、外部環境温度の変化から、または、流体の蒸発/結露から、可動部分を有するか、または、可動部分を有しない電気的に駆動される装置で生じる損失に由来する。重要な熱源は、基板Wによる結像放射線の吸収(オーバレイエラーとなる)を原因とする。また、この熱源は、基板からの伝達によって基板Wと浸漬液を保持する基板テーブルを熱する。このメカニズムによって、特に157nm等の短波長の放射線において、大きな温度上昇が生じる。装置内で生じる加熱を最小限に抑え、外部環境温度の過度の変化を回避するよう配慮されるが、特に光学系それ自身内で放熱が生じるような場合には、こうした影響を完全に解消するのは難しい。
これらの温度変化は比較的均一であって基板Wに達する画像の変化を均一にする(均一転換あるいは拡大/収縮といったように)か、または、これらの温度変化は強い空間依存による寄与を含む。こうした後者の変化は非均一的な方法で画像を歪曲させることから、よりダメージを与えると考えられる。例えば、基板Wは結像放射線によって局所的に熱せられることから、特にそうしたような温度変化には弱い。液浸リトグラフ装置において、温度により液体の屈折率が変わることから、浸漬液は温度依存光学特性をも有する。
これらの構成部材の熱管理は、標準的光学素子に用いられる方法とは異なる。基板Wの場合、いくつかの重要な要因がある。まず始めに、板状のジオメトリは2つの点に悩まされる。第一に、基板Wの各部分は、基板Wの残り部分との熱接触が相対的によくない。よって、熱がゆっくり伝播する。第二に、単位面積当たりの基板Wの熱容量はスラブが厚くなるに従って減じる。このような両要因は、結像放射線からの、または、その他の熱流束源からの少量のエネルギーで基板Wを所定の温度に局所的に熱するか、または、冷却する必要があることを意味する。さらに、これらの問題は、厳しい位置合わせ許容値と基板Wの必要とされる可動性が、基板Wに対する機械的な熱連結の配置を大幅に制限することによって悪化される。浸漬液の場合、基板Wと液体間において交換される熱は、伝導よりもむしろ温度に誘起される密度変化によって誘発される対流電流および同種のものによって、非均一的方法にて液体を熱するか、または、冷却する傾向がある。静止液体内において、このプロセスは時に液体内においてかなりの温度(および屈折率)勾配をゆっくりと生じる。液体と基板との間の接触部分は大きく、これら2つの間で熱が効率的に交換される。
図5、図6に示した実施形態において、浸漬液は投影装置PLの最終部材および基板Wと熱を交換する。加熱または冷却された液体を搬出するために、液体は画像投与領域貯留部12を通って流動せしめられる(矢印11)。層流の影響によって、液体と接触する、加熱または冷却された素子の近くの薄い層(約300μm)で対流が生じる傾向のあることが示されている。問題の加熱または冷却された素子の方向に(すなわち、図5に示す実施形態における基板W方向に)流れを誘導することによって、より効率的な熱交換がなされる。特に、基板Wの温度が懸念される場合、シール部材13の下に浸漬液アウトレットを(図示のように)配備し、基板Wの方向に誘導することも有効である。この配置は、比較的新鮮な浸漬液が基板Wの近くにくるようにして、画像投与領域貯留部12のその最低位の境界(シール部材13が基板Wと面している部分)にて画像投与領域貯留部12内に引き込まれる過度に加熱または冷却された液体の流入を最小限にする。
流量を増すことは、接触する液体と素子間の熱交換を改善することにもなる。この事実を有効に使うため、温度制御器は液体流速調整装置21を備え、液体の流量は、共通の目標温度と、投影装置PLの最終部材、基板W、および液体の温度との差を最適化するように調整される。液体との熱交換により、投影装置の最終部材および基板の温度を、液体の温度に近づくようにする。これら構成要素上の流量を増すことはこの工程の効率を増すことになる。しかし、乱流あるいは摩擦加熱によってそれ自身が結像性能を低下させることなく、達し得る流量に制限がある。流量制御工程は、浸漬液の循環に使用されるポンプ装置のパワーを変えることによって、あるいは、(例えば、それの部分を形成する循環チャネルの断面をかえることで)液体供給装置10の流れインピーダンスを変えることによって実行される。
温度制御器は液体温度調整装置22をも含み、液体供給装置10を流動する液体の温度は、共通の目標温度と、投影装置PLの最終部材、基板W、および液体の温度との差を最適化するように調整される。浸漬液の温度調整は、温度調整装置22が温度測定器25と共に沈められる温度調整貯留部24内にて実行される。温度調整装置22は冷却装置により、共通の目標温度に、あるいはそれ以下に液体を冷却するよう作用し、液体供給装置10の他のどこかで液体のヒーティングを補正する。あるいは、温度調整装置22は、例えば電気ヒータにより、共通の目標温度に、あるいはそれ以上に液体を熱するように作用する。温度調整装置22の作用は、浸漬液への第一入力、および温度調整水供給への第二入力を有する水−水熱交換器により達成される。この構成の長所は、温度調整水の供給がすでにこの構成から可能であり、スキャナーの他の部分に情報を提供する。例えば、レンズはこうした水が連続的に流動することですでに冷却されている。さらには、温度調整水は再循環されていることから、化学的に浄化が行われる必要がない。
温度制御器は、共通の目標温度への効率のよい収束性を達成する、フィードバック制御器のタイプである、PID(比例−積分−微分)制御器23を備える。PID制御器23は、例えば、共通の目標温度を有する投影装置の最終部材、基板W、および液体のうちの一つのまたはそのいくつかの温度の効率のよい収束性を確保するように(すなわち、出来るだけ早く、かつ、行き過ぎのないように)構成される。
PID制御器23は、投影装置の最終部材の(好ましくは複数のロケーションで計測された)温度プロファイルT1、基板および基板テーブルの(好ましくは複数のロケーションで計測された)温度プロファイルT2、液体の(好ましくは複数のロケーションで計測された)温度プロファイルT3、および共通の目標温度T4とを入力として受け取り、流量調整装置21および/または液体温度調整装置22の動作を制御する。PID制御器23の動作は、前記説明に限定されず、スキャナー装置全体に亘って冷却工程を調整するために使用可能である。
共通の目標温度は所定の値に設定される。この所定値は投影装置が較正された温度によって決定可能である。
投影装置の最終部材PL、基板W、および浸漬液といったような光学的に重要な構成部材における温度変化がいかにリトグラフ装置の結像特性にダメージを与えるかということを上記において詳述した。図7は、このようにして生じる放射線ビームのゆがみを投影装置補償器28を使用して補正するまた別の実施形態を示したものであり、これは、投影装置PLの最終部材、基板W、および液体のうちの少なくとも一つの温度と、(システムが較正された温度といった)目標温度との差によって生じる、基板W上に生成されるパターンにおけるゆがみに応じて、投影装置の光学特性を調整するように構成されている。基板W上に作られるパターンのゆがみは、例えば浸漬液および/または投影装置PLの最終部材の目標温度からの温度変動によって生じる、パターン化された放射線ビームのゆがみによって生じるか、または、(ゆがむかもしれない、または、ゆがみが与えられないかもしれない)パターン化された放射線ビームによる露光中の基板の温度に誘起されるゆがみによって生じる。基板W上に作られるパターンのゆがみは、この場合、ゆがんだ基板がその通常の形状を回復するときに生じる。
投影装置補償器28は、これに配設された(作動可能なレンズまたは可動ミラー等の)一つ以上の調整可能素子により、投影装置PLの結像特性を調整することができる。これらの調整がパターン化放射線ビームの形状に与える影響は、予め較正される。これは、各調整可能素子をその動作範囲において作動させ、現れたパターン化放射線ビームの形状を分析することによって達成される。一般的に云うと、放射線ビームのゆがみは、(例えば、Zernikeシリーズによって表されるような)基本的なゆがみモードの展開として表される。較正表は、そのような展開の係数から成るマトリックス、および各調整可能素子の設定から成る。調整可能素子がゆがみの主タイプを十分カバーするよう選択される場合、それらの連携した使用により、浸漬液およびそれを囲む構成要素の温度変化から生じうる大部分の種類のゆがみの補正を可能にすべきである。
投影装置補償器28はパターン化された放射線ビームゆがみを検出する装置30から入力を受け取る。これは、図示の実施形態の例において、投影装置PL内の光検出器36にリンクされているが、この目的に他の代替手段を用いることも可能である。ここで光検出器36は、基板から反射するメインのパターン化された放射線ビームからの迷光38を捕らえるように構成される。この迷光は分析されて、パターン化ビームゆがみ検出器30によってパターン化されたビームのゆがみが判断される。これは、例えば、制御条件下で得られた標準パターンと検出された放射線とを比較する比較器により達成される。標準パターンからの偏差範囲が分析され、パターン化されたビームのゆがみの特徴を示すことが可能である。この手法は、温度に誘起されるゆがみを直接計測する長所を有する。これは、リトグラフ装置の通常の作動中にそのまま適用することも可能であり、そのようにして投影装置補償器をリアルタイムに動的に作動させることが可能である。
代替的な手法、または、別の手法では、パターン化された放射線ビームのゆがみを生じうる構成部材の温度プロファイルを計測して、較正計測あるいは計算から、どのような結果のゆがみとなるかを判断する。投影装置補償器28は前記のようにゆがみそれ自体を直接計測することなく、投影装置PLを補正する。図7は、温度センサーの構成部品32a、32b、および32cの構成を図示したものである。これらの構成部品32a、32b、および32cは層で示されており、例えば、その各々は、投影装置PLの最終部材、基板W(および/または基板テーブルWT)、および液体の少なくとも一つの、少なくとも部分の温度を判断するように配置された一つあるいは複数の温度計から成る。構成部品32a、32b、および32cの各々は、データ伝送ライン34a、34b、および34cを介して投影装置補償器28と通信可能である。投影装置PLの調整可能素子の各々に適用する調整量は、この場合、ストレージデバイス40に格納される第二較正表への基準を必要とする。この場合、較正データは、所定の素子温度または温度プロファイルと、結果もたらされたゆがみとの関係を記録し、前の計測から得られた情報を保存する。予測ゆがみが決定すると、パターン化された放射線ビームゆがみ検出器28から送られたゆがみ情報を有しておれば、投影装置補償器は作動可能である。
本記載の工程はリアルタイムで実行され、画像投与領域貯留部12の周辺領域における予測されていない、および/または調整不可の温度変化に動的に適応する。ここで示されているように、投影装置補償器28およびパターン化された放射線ビームゆがみ検出装置30はフィードバックループを形成し、放射線ビームのゆがみが特定の所定制限内であるように構成される。浸漬液の温度調整のために用いられる制御器と類似のPID制御器が取り入れられ、安定性と効率のよい収束性を可能にする。
前記の構成は全て、重要な部材の小さな温度変化に迅速に対応可能であるという長所を有する。このシステムは、高度な温度安定性および結像精度を達成するために、温度変化そのものを最小限にするシステムとの連携において有効に使用できる。
本明細書では、特にICの製造におけるリトグラフ装置の使用法について言及したが、本明細書で記載されたリトグラフ装置は、集積光学装置、磁気ドメインメモリ用ガイダンスおよび検出パターン、フラットパネル・ディスプレイ、液晶ディスプレイ(LCD)、薄膜磁気ヘッド等の製造といったようなその他の用途においても使用可能であることを理解すべきである。こうした代替的な用途では、本明細書で使用する用語「ウェハ」または「ダイ」が、それぞれ、「基板」または「目標部分」といったより一般的な用語と同義とみなし得ることは、当業者の理解できることであろう。明細書で述べるような基板は、例えばトラック(一般に、レジスト層を基板に塗布し、露光されたレジストを現像するツール)、または計測ツールおよび/または検査ツールにおいて、露光前または後に処理が施される。適用が可能な場合、ここに行う開示内容をこうした基板処理ツールおよび他の基板処理ツールに用いることも可能である。さらに、たとえば多層ICを作り出すため、基板には幾度もの処理が施される。よって本文に使用する基板なる用語は、複数の処理層をすでに含んだ基板にも相当する。
光リトグラフについての文脈で、本発明の実施例の使用法について説明したが、本発明は、例えば、インプリント(押印)リトグラフ等のその他の用途でも使用でき、かつ、文脈上明らかなように、本発明が光リトグラフにのみ限定されるものではないことは理解できるだろう。インプリント(押印)リトグラフにおいて、パターン付与装置のトポグラフィは基板に作り出されるパターンを明確にする。パターン付与装置のトポグラフィは、基板に与えられたレジスト層にプレスされ、該基板上にて、電磁放射線、熱、圧力、またはこれらの組み合わせを付与することでレジストが硬化される。パターン付与装置は、レジストが硬化した後、それにパターンを残してレジストから離れる。
本明細書で使用する用語「放射線」および「ビーム」は、イオンビームあるいは電子ビームといったような粒子ビームのみならず、紫外線(UV)(例えば365nm、248nm、193nm、157nm、または126nmの波長を有する)、および、極超紫外線(EUV)(例えば5〜20nmの波長を有する)を含む、あらゆるタイプの電磁放射線を網羅するものである。
文脈上許容されるとおり、用語「レンズ」は、屈折、反射、磁気、電磁および静電光学部品を含む、あらゆるタイプの光学部品のいずれか、またはこれらの組み合わせに相当する。
以上、本発明の実施例について説明したが、本発明はその他の方法でも具体化できることは明らかである。例えば、本発明は、前記で開示した方法を記述する一つ以上の機械読取可能な命令シーケンスを含むコンピュータプログラムの形態、または、そのようなコンピュータプログラムを格納したデータ記憶媒体(例えば、半導体メモリ、磁気あるいは光ディスク)の形態をとり得る。
本発明は、あらゆる液浸リトグラフ装置に適用可能であり、限定的ではないが、特に、前記種類のリトグラフ装置に適用可能である。
前記説明は例示目的でなされたものであり、限定的な意図を有しない。よって、前記のとおり、特許請求の範囲を逸脱することなく、本発明に修正を加えてもよいことは当業者にとって明らかであろう。

Claims (16)

  1. 可動テーブルと、
    放射線ビームを基板の放射線感受目標部分に投影する投影装置であって、最終部材を備える投影装置と、
    前記投影装置と前記基板及び/または前記可動テーブルとの間のスペースを温度制御された液体で少なくとも部分的に満たすよう構成されている液体供給装置と、
    前記投影装置の光学特性を複数のロケーションでの温度情報に基づいて調整するよう構成されている投影装置補償器と、を備え、
    前記液体供給装置は、前記投影装置の前記最終部材の下で該最終部材を囲んで配置されたシール部材を備え、該シール部材は、前記基板及び/または前記可動テーブルの局所的な領域に前記液体を閉じ込めるよう構成され、前記投影装置の光軸の方向に移動可能であり、
    前記投影装置補償器は、前記投影装置に配設された一つ以上の調整可能素子により前記投影装置の結像特性を調整するよう構成され
    前記シール部材は、前記基板及び/または前記可動テーブルの前記局所的な領域における前記液体の液面が前記最終部材の底端部より高くなるよう前記最終部材より上方に伸長しているリトグラフ装置。
  2. 前記投影装置補償器で使用される前記基板の前記温度情報を測定するよう配置された温度センサをさらに備える、請求項1に記載の装置。
  3. 前記投影装置補償器で使用される前記可動テーブルの前記温度情報を測定するよう配置された温度センサをさらに備える、請求項1または2に記載の装置。
  4. 放射線ビームを基板の放射線感受目標部分に投影する投影装置であって、最終部材を備える投影装置と、
    前記基板及び/または可動テーブルの複数のロケーションでの温度情報を測定するよう配置された温度センサを備える可動テーブルと、
    前記投影装置と前記基板及び/または前記可動テーブルとの間のスペースを温度制御された液体で少なくとも部分的に満たすよう構成されている液体供給装置と、
    温度情報と目標温度との差を用いて前記投影装置の光学特性を調整するよう構成されている投影装置補償器と、を備え、
    前記投影装置補償器は、前記投影装置に配設された一つ以上の調整可能素子により前記投影装置の結像特性を調整するよう構成され
    前記液体供給装置は、前記投影装置の前記最終部材の下で該最終部材を囲んで配置されたシール部材を備え、該シール部材は、前記基板及び/または前記可動テーブルの局所的な領域に前記液体を閉じ込めるよう構成され、前記シール部材は、前記基板及び/または前記可動テーブルの前記局所的な領域における前記液体の液面が前記最終部材の底端部より高くなるよう前記最終部材より上方に伸長しているリトグラフ装置。
  5. 前記シール部材は、前記最終部材の下で該最終部材の全周を囲んで配置されている、請求項4に記載の装置。
  6. 放射線ビームを基板の放射線感受目標部分に投影する投影装置であって、最終部材を備える投影装置と、
    前記基板及び/または可動テーブルの複数のロケーションでの温度情報を測定するよう配置された温度センサを備える可動テーブルと、
    前記投影装置と前記基板及び/または前記可動テーブルとの間のスペースを温度制御された液体で少なくとも部分的に満たすよう構成されている液体供給装置と、
    温度情報と目標温度との差を用いて前記投影装置の光学特性を調整するよう構成されている投影装置補償器と、を備え、
    前記液体供給装置は、前記最終部材の下で該最終部材の全周を囲んで配置されたシール部材を備え、該シール部材は、前記基板及び/または前記可動テーブルの局所的な領域に前記液体を閉じ込めるよう構成され、その底面の少なくとも一部は前記基板及び/または前記可動テーブルに面する平面を備え、
    前記投影装置補償器は、前記投影装置に配設された一つ以上の調整可能素子により前記投影装置の結像特性を調整するよう構成され
    前記シール部材は、前記基板及び/または前記可動テーブルの前記局所的な領域における前記液体の液面が前記最終部材の底端部より高くなるよう前記最終部材より上方に伸長しているリトグラフ装置。
  7. 前記最終部材は、前記基板及び/または前記可動テーブルに直接面する前記投影装置の最終レンズであり、
    前記投影装置は、放射線ビームの経路における前記最終レンズの上流に配設された複数の調整可能素子をさらに備えることを特徴とする請求項1から6のいずれかに記載の装置。
  8. 前記基板及び/または前記可動テーブルの温度を調整する温度制御器をさらに備える、請求項1から7のいずれかに記載の装置。
  9. 前記投影装置補償器は、前記最終部材、前記基板、及び前記液体の少なくとも一つの温度と目標温度との差によって生じる、前記基板上に生成されるパターンにおけるゆがみに応じて、前記投影装置の光学特性を調整するよう構成されている、請求項1から8のいずれかに記載の装置。
  10. 前記温度情報に基づいて前記温度制御された液体の温度を調整する温度制御器をさらに備える、請求項1から9のいずれかに記載の装置。
  11. 前記投影装置補償器は、較正データを処理するよう構成されており、前記較正データは、前記温度情報に応じて前記投影装置の光学特性に適用する調整を表す、請求項1から10のいずれかに記載の装置。
  12. 前記液体供給装置は、前記温度制御された液体の流れを前記スペース及び/または対象物の局所的な領域へと誘導するためのアウトレットを備える、請求項1から11のいずれかに記載の装置。
  13. 前記投影装置補償器で使用される前記液体の前記温度情報を測定するよう配置された液体温度センサをさらに備える、請求項1から12のいずれかに記載の装置。
  14. 可動テーブルと、
    放射線ビームを基板の放射線感受目標部分に投影する投影装置であって、最終部材を備える投影装置と、
    前記投影装置と前記基板及び/または前記可動テーブルとの間のスペースを温度制御された液体で少なくとも部分的に満たすよう構成されている液体供給装置と、
    前記投影装置の光学特性を複数のロケーションでの温度情報に基づいて調整するよう構成されている投影装置補償器と、を備え、
    前記液体供給装置は、前記投影装置の前記最終部材の下で該最終部材を囲んで配置されたシール部材を備え、該シール部材は、前記基板及び/または前記可動テーブルの局所的な領域に前記液体を閉じ込めるよう構成され、前記投影装置の光軸の方向に移動可能であり、
    前記投影装置補償器は、前記投影装置に配設された一つ以上の調整可能素子により前記投影装置の結像特性を調整するよう構成され、
    前記投影装置補償器で使用される前記最終部材の前記温度情報を測定するよう配置された最終部材温度センサをさらに備えるリトグラフ装置。
  15. 前記シール部材は、前記投影装置の光軸の方向に移動可能である、請求項5から14のいずれかに記載の装置。
  16. 前記液体供給装置は、前記最終部材、前記基板、及び前記液体の温度を共通の目標温度に調整する温度制御器を備える、請求項1から15のいずれかに記載の装置。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2018132771A (ja) * 2003-07-16 2018-08-23 エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. リトグラフ装置

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9482966B2 (en) 2002-11-12 2016-11-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7372541B2 (en) * 2002-11-12 2008-05-13 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP3977324B2 (ja) * 2002-11-12 2007-09-19 エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. リソグラフィ装置
SG121819A1 (en) * 2002-11-12 2006-05-26 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
US10503084B2 (en) 2002-11-12 2019-12-10 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
DE10257766A1 (de) * 2002-12-10 2004-07-15 Carl Zeiss Smt Ag Verfahren zur Einstellung einer gewünschten optischen Eigenschaft eines Projektionsobjektivs sowie mikrolithografische Projektionsbelichtungsanlage
DE10261775A1 (de) * 2002-12-20 2004-07-01 Carl Zeiss Smt Ag Vorrichtung zur optischen Vermessung eines Abbildungssystems
KR101533206B1 (ko) * 2003-04-11 2015-07-01 가부시키가이샤 니콘 액침 리소그래피 머신에서 웨이퍼 교환동안 투영 렌즈 아래의 갭에서 액침 액체를 유지하는 장치 및 방법
AU2003233318A1 (en) * 2003-05-12 2004-11-26 Carl Zeiss Smt Ag Optical measuring device and operating method for an optical imaging system
KR20180122033A (ko) * 2003-05-28 2018-11-09 가부시키가이샤 니콘 노광 방법, 노광 장치, 및 디바이스 제조 방법
US7213963B2 (en) 2003-06-09 2007-05-08 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP2261742A3 (en) 2003-06-11 2011-05-25 ASML Netherlands BV Lithographic apparatus and device manufacturing method.
TW201445617A (zh) 2003-06-13 2014-12-01 尼康股份有限公司 基板載台、曝光裝置
KR101419663B1 (ko) 2003-06-19 2014-07-15 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조방법
EP1650787A4 (en) 2003-07-25 2007-09-19 Nikon Corp INVESTIGATION METHOD AND INVESTIGATION DEVICE FOR AN OPTICAL PROJECTION SYSTEM AND METHOD OF MANUFACTURING AN OPTICAL PROJECTION SYSTEM
EP1653501B1 (en) 2003-07-28 2012-09-19 Nikon Corporation Exposure apparatus, device producing method, and exposure apparatus controlling method
US7779781B2 (en) 2003-07-31 2010-08-24 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US6844206B1 (en) 2003-08-21 2005-01-18 Advanced Micro Devices, Llp Refractive index system monitor and control for immersion lithography
CN100407371C (zh) * 2003-08-29 2008-07-30 株式会社尼康 曝光装置和器件加工方法
TWI263859B (en) 2003-08-29 2006-10-11 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP3223053A1 (en) * 2003-09-03 2017-09-27 Nikon Corporation Apparatus and method for providing fluid for immersion lithography
JP4444920B2 (ja) * 2003-09-19 2010-03-31 株式会社ニコン 露光装置及びデバイス製造方法
KR20170058458A (ko) * 2003-09-29 2017-05-26 가부시키가이샤 니콘 노광장치, 노광방법 및 디바이스 제조방법
KR101361892B1 (ko) 2003-10-08 2014-02-12 가부시키가이샤 자오 니콘 기판 반송 장치 및 기판 반송 방법, 노광 장치 및 노광 방법, 디바이스 제조 방법
JP2005136364A (ja) * 2003-10-08 2005-05-26 Zao Nikon Co Ltd 基板搬送装置、露光装置、並びにデバイス製造方法
JP4335213B2 (ja) 2003-10-08 2009-09-30 株式会社蔵王ニコン 基板搬送装置、露光装置、デバイス製造方法
TWI598934B (zh) 2003-10-09 2017-09-11 Nippon Kogaku Kk Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
EP1524558A1 (en) 2003-10-15 2005-04-20 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7411653B2 (en) 2003-10-28 2008-08-12 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus
US7528929B2 (en) 2003-11-14 2009-05-05 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP3139214B1 (en) * 2003-12-03 2019-01-30 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
EP1699073B1 (en) * 2003-12-15 2010-12-08 Nikon Corporation Stage system, exposure apparatus and exposure method
US20070081133A1 (en) * 2004-12-14 2007-04-12 Niikon Corporation Projection exposure apparatus and stage unit, and exposure method
JPWO2005057635A1 (ja) * 2003-12-15 2007-07-05 株式会社ニコン 投影露光装置及びステージ装置、並びに露光方法
JP4429023B2 (ja) * 2004-01-07 2010-03-10 キヤノン株式会社 露光装置及びデバイス製造方法
WO2005071491A2 (en) * 2004-01-20 2005-08-04 Carl Zeiss Smt Ag Exposure apparatus and measuring device for a projection lens
US7589822B2 (en) 2004-02-02 2009-09-15 Nikon Corporation Stage drive method and stage unit, exposure apparatus, and device manufacturing method
KR101276392B1 (ko) 2004-02-03 2013-06-19 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
JP5167572B2 (ja) * 2004-02-04 2013-03-21 株式会社ニコン 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法
US8208119B2 (en) * 2004-02-04 2012-06-26 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device
US7034917B2 (en) * 2004-04-01 2006-04-25 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method and device manufactured thereby
US8054448B2 (en) * 2004-05-04 2011-11-08 Nikon Corporation Apparatus and method for providing fluid for immersion lithography
US7616383B2 (en) 2004-05-18 2009-11-10 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7486381B2 (en) * 2004-05-21 2009-02-03 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
CN101833247B (zh) 2004-06-04 2013-11-06 卡尔蔡司Smt有限责任公司 微光刻投影曝光系统的投影物镜的光学测量的测量系统
JP2005353762A (ja) * 2004-06-09 2005-12-22 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体製造装置及びパターン形成方法
US7463330B2 (en) 2004-07-07 2008-12-09 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
WO2006006562A1 (ja) * 2004-07-12 2006-01-19 Nikon Corporation 露光条件の決定方法、露光方法、露光装置、及びデバイス製造方法
KR101202230B1 (ko) * 2004-07-12 2012-11-16 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
JP4655792B2 (ja) * 2004-07-12 2011-03-23 株式会社ニコン 露光条件の決定方法、及び露光方法、露光装置、並びにデバイス製造方法
JP3870207B2 (ja) * 2004-08-05 2007-01-17 キヤノン株式会社 液浸露光装置及びデバイス製造方法
US7304715B2 (en) 2004-08-13 2007-12-04 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7701550B2 (en) 2004-08-19 2010-04-20 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP2006190971A (ja) * 2004-10-13 2006-07-20 Nikon Corp 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法
US7158896B1 (en) * 2004-11-01 2007-01-02 Advanced Micro Devices, Inc. Real time immersion medium control using scatterometry
US7411657B2 (en) * 2004-11-17 2008-08-12 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7623218B2 (en) * 2004-11-24 2009-11-24 Carl Zeiss Smt Ag Method of manufacturing a miniaturized device
US7256121B2 (en) * 2004-12-02 2007-08-14 Texas Instruments Incorporated Contact resistance reduction by new barrier stack process
US7446850B2 (en) * 2004-12-03 2008-11-04 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7196770B2 (en) * 2004-12-07 2007-03-27 Asml Netherlands B.V. Prewetting of substrate before immersion exposure
US7397533B2 (en) * 2004-12-07 2008-07-08 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7365827B2 (en) 2004-12-08 2008-04-29 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7352440B2 (en) * 2004-12-10 2008-04-01 Asml Netherlands B.V. Substrate placement in immersion lithography
US7403261B2 (en) * 2004-12-15 2008-07-22 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7880860B2 (en) 2004-12-20 2011-02-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7528931B2 (en) 2004-12-20 2009-05-05 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7405805B2 (en) * 2004-12-28 2008-07-29 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7491661B2 (en) * 2004-12-28 2009-02-17 Asml Netherlands B.V. Device manufacturing method, top coat material and substrate
US20060147821A1 (en) 2004-12-30 2006-07-06 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
DE602006012746D1 (de) * 2005-01-14 2010-04-22 Asml Netherlands Bv Lithografische Vorrichtung und Herstellungsverfahren
SG124351A1 (en) * 2005-01-14 2006-08-30 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
KR101513840B1 (ko) * 2005-01-31 2015-04-20 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
US8692973B2 (en) * 2005-01-31 2014-04-08 Nikon Corporation Exposure apparatus and method for producing device
JP2006222165A (ja) * 2005-02-08 2006-08-24 Canon Inc 露光装置
WO2006084641A2 (en) * 2005-02-10 2006-08-17 Asml Netherlands B.V. Immersion liquid, exposure apparatus, and exposure process
US8018573B2 (en) * 2005-02-22 2011-09-13 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7378025B2 (en) * 2005-02-22 2008-05-27 Asml Netherlands B.V. Fluid filtration method, fluid filtered thereby, lithographic apparatus and device manufacturing method
US7224431B2 (en) * 2005-02-22 2007-05-29 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7282701B2 (en) * 2005-02-28 2007-10-16 Asml Netherlands B.V. Sensor for use in a lithographic apparatus
US7428038B2 (en) 2005-02-28 2008-09-23 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method and apparatus for de-gassing a liquid
US7324185B2 (en) 2005-03-04 2008-01-29 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7684010B2 (en) * 2005-03-09 2010-03-23 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method, seal structure, method of removing an object and a method of sealing
JP4946109B2 (ja) * 2005-03-18 2012-06-06 株式会社ニコン 露光方法、露光装置、及びデバイス製造方法
JP4072543B2 (ja) * 2005-03-18 2008-04-09 キヤノン株式会社 液浸露光装置及びデバイス製造方法
WO2006101120A1 (ja) * 2005-03-23 2006-09-28 Nikon Corporation 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法
JP4858744B2 (ja) * 2005-03-24 2012-01-18 株式会社ニコン 露光装置
US7330238B2 (en) * 2005-03-28 2008-02-12 Asml Netherlands, B.V. Lithographic apparatus, immersion projection apparatus and device manufacturing method
US7411654B2 (en) 2005-04-05 2008-08-12 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
USRE43576E1 (en) 2005-04-08 2012-08-14 Asml Netherlands B.V. Dual stage lithographic apparatus and device manufacturing method
US7291850B2 (en) * 2005-04-08 2007-11-06 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP4872916B2 (ja) 2005-04-18 2012-02-08 株式会社ニコン 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法
US7286205B2 (en) * 2005-04-25 2007-10-23 Infineon Technologies Ag Closing disk for immersion head
US7317507B2 (en) * 2005-05-03 2008-01-08 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US20060250588A1 (en) * 2005-05-03 2006-11-09 Stefan Brandl Immersion exposure tool cleaning system and method
US7433016B2 (en) 2005-05-03 2008-10-07 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US8248577B2 (en) * 2005-05-03 2012-08-21 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP2006319064A (ja) * 2005-05-11 2006-11-24 Canon Inc 測定装置、露光方法及び装置
WO2006133800A1 (en) 2005-06-14 2006-12-21 Carl Zeiss Smt Ag Lithography projection objective, and a method for correcting image defects of the same
US7751027B2 (en) 2005-06-21 2010-07-06 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7652746B2 (en) * 2005-06-21 2010-01-26 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP2007036193A (ja) * 2005-06-23 2007-02-08 Canon Inc 露光装置
US7834974B2 (en) * 2005-06-28 2010-11-16 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7474379B2 (en) 2005-06-28 2009-01-06 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7468779B2 (en) * 2005-06-28 2008-12-23 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7291569B2 (en) * 2005-06-29 2007-11-06 Infineon Technologies Ag Fluids for immersion lithography systems
US8054445B2 (en) * 2005-08-16 2011-11-08 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP2009508327A (ja) * 2005-09-13 2009-02-26 カール・ツァイス・エスエムティー・アーゲー 光学撮像特性設定方法および投影露光装置
US7411658B2 (en) 2005-10-06 2008-08-12 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP2007103841A (ja) * 2005-10-07 2007-04-19 Toshiba Corp 半導体装置の製造方法
US7864292B2 (en) 2005-11-16 2011-01-04 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7804577B2 (en) * 2005-11-16 2010-09-28 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus
US7656501B2 (en) * 2005-11-16 2010-02-02 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus
US7633073B2 (en) * 2005-11-23 2009-12-15 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP4765580B2 (ja) * 2005-11-28 2011-09-07 株式会社ニコン 液浸観察方法、液浸顕微鏡装置、及び検査装置
US20070124987A1 (en) * 2005-12-05 2007-06-07 Brown Jeffrey K Electronic pest control apparatus
EP1965414A4 (en) * 2005-12-06 2010-08-25 Nikon Corp EXPOSURE METHOD, EXPOSURE DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING COMPONENTS
US7420194B2 (en) 2005-12-27 2008-09-02 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and substrate edge seal
US7839483B2 (en) 2005-12-28 2010-11-23 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method and a control system
US7649611B2 (en) * 2005-12-30 2010-01-19 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
CN1996145B (zh) * 2005-12-31 2010-08-25 上海集成电路研发中心有限公司 一种降低浸没式光刻技术中光学部件被水溶液沾污的方法
US8045134B2 (en) 2006-03-13 2011-10-25 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, control system and device manufacturing method
US7760324B2 (en) * 2006-03-20 2010-07-20 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
CN100590173C (zh) * 2006-03-24 2010-02-17 北京有色金属研究总院 一种荧光粉及其制造方法和所制成的电光源
US9477158B2 (en) 2006-04-14 2016-10-25 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
DE102006021797A1 (de) * 2006-05-09 2007-11-15 Carl Zeiss Smt Ag Optische Abbildungseinrichtung mit thermischer Dämpfung
US7969548B2 (en) * 2006-05-22 2011-06-28 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and lithographic apparatus cleaning method
US20070296937A1 (en) * 2006-06-26 2007-12-27 International Business Machines Corporation Illumination light in immersion lithography stepper for particle or bubble detection
US7613538B2 (en) * 2006-07-24 2009-11-03 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Compensation for distortion in contact lithography
US8045135B2 (en) 2006-11-22 2011-10-25 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus with a fluid combining unit and related device manufacturing method
US9632425B2 (en) 2006-12-07 2017-04-25 Asml Holding N.V. Lithographic apparatus, a dryer and a method of removing liquid from a surface
US8634053B2 (en) 2006-12-07 2014-01-21 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7791709B2 (en) * 2006-12-08 2010-09-07 Asml Netherlands B.V. Substrate support and lithographic process
US8817226B2 (en) 2007-02-15 2014-08-26 Asml Holding N.V. Systems and methods for insitu lens cleaning using ozone in immersion lithography
US8654305B2 (en) * 2007-02-15 2014-02-18 Asml Holding N.V. Systems and methods for insitu lens cleaning in immersion lithography
US8947629B2 (en) * 2007-05-04 2015-02-03 Asml Netherlands B.V. Cleaning device, a lithographic apparatus and a lithographic apparatus cleaning method
US7866330B2 (en) * 2007-05-04 2011-01-11 Asml Netherlands B.V. Cleaning device, a lithographic apparatus and a lithographic apparatus cleaning method
US8011377B2 (en) 2007-05-04 2011-09-06 Asml Netherlands B.V. Cleaning device and a lithographic apparatus cleaning method
US7841352B2 (en) * 2007-05-04 2010-11-30 Asml Netherlands B.V. Cleaning device, a lithographic apparatus and a lithographic apparatus cleaning method
US8705010B2 (en) 2007-07-13 2014-04-22 Mapper Lithography Ip B.V. Lithography system, method of clamping and wafer table
TWI450047B (zh) 2007-07-13 2014-08-21 Mapper Lithography Ip Bv 微影系統、夾緊方法及晶圓台
US9025126B2 (en) 2007-07-31 2015-05-05 Nikon Corporation Exposure apparatus adjusting method, exposure apparatus, and device fabricating method
US9176393B2 (en) * 2008-05-28 2015-11-03 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and a method of operating the apparatus
JP5277731B2 (ja) * 2008-06-02 2013-08-28 株式会社ニコン 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法
NL2002964A1 (nl) * 2008-06-16 2009-12-17 Asml Netherlands Bv Lithographic Apparatus, a Metrology Apparatus and a Method of Using the Apparatus.
EP2136250A1 (en) * 2008-06-18 2009-12-23 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and method
NL2003341A (en) * 2008-08-22 2010-03-10 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method.
US8477284B2 (en) * 2008-10-22 2013-07-02 Nikon Corporation Apparatus and method to control vacuum at porous material using multiple porous materials
NL2004808A (en) 2009-06-30 2011-01-12 Asml Netherlands Bv Fluid handling structure, lithographic apparatus and device manufacturing method.
NL2005207A (en) * 2009-09-28 2011-03-29 Asml Netherlands Bv Heat pipe, lithographic apparatus and device manufacturing method.
AU2010343143A1 (en) * 2009-12-28 2012-06-28 Pioneer Hi-Bred International, Inc. Sorghum fertility restorer genotypes and methods of marker-assisted selection
CN102947874B (zh) * 2010-03-11 2016-08-17 皮克斯特罗尼克斯公司 反射和透射反射操作模式
EP2381310B1 (en) 2010-04-22 2015-05-06 ASML Netherlands BV Fluid handling structure and lithographic apparatus
NL2007498A (en) * 2010-12-23 2012-06-27 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and method of modifying a beam of radiation within a lithographic apparatus.
SG188036A1 (en) 2011-08-18 2013-03-28 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus, support table for a lithographic apparatus and device manufacturing method
JP6122252B2 (ja) * 2012-05-01 2017-04-26 キヤノン株式会社 露光装置及びデバイスの製造方法
US9017934B2 (en) 2013-03-08 2015-04-28 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Photoresist defect reduction system and method
US9543147B2 (en) 2013-03-12 2017-01-10 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Photoresist and method of manufacture
US9256128B2 (en) 2013-03-12 2016-02-09 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
US9110376B2 (en) 2013-03-12 2015-08-18 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Photoresist system and method
US9502231B2 (en) 2013-03-12 2016-11-22 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Photoresist layer and method
US8932799B2 (en) 2013-03-12 2015-01-13 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Photoresist system and method
US9245751B2 (en) 2013-03-12 2016-01-26 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Anti-reflective layer and method
US9175173B2 (en) 2013-03-12 2015-11-03 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Unlocking layer and method
US9354521B2 (en) 2013-03-12 2016-05-31 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Photoresist system and method
US9117881B2 (en) 2013-03-15 2015-08-25 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Conductive line system and process
JP6362399B2 (ja) * 2013-05-30 2018-07-25 キヤノン株式会社 インプリント装置、インプリント方法および物品の製造方法
US9341945B2 (en) 2013-08-22 2016-05-17 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Photoresist and method of formation and use
US10036953B2 (en) 2013-11-08 2018-07-31 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Photoresist system and method
US10095113B2 (en) 2013-12-06 2018-10-09 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Photoresist and method
US9761449B2 (en) 2013-12-30 2017-09-12 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Gap filling materials and methods
US9599896B2 (en) 2014-03-14 2017-03-21 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Photoresist system and method
US9581908B2 (en) 2014-05-16 2017-02-28 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Photoresist and method
CN107003619B (zh) 2014-12-01 2019-08-09 Asml荷兰有限公司 投影系统、光刻设备及其控制方法
CN105183037B (zh) * 2015-09-09 2017-11-14 合肥芯碁微电子装备有限公司 一种激光直写式光刻机精确温度控制方法
CN108121077A (zh) * 2016-11-30 2018-06-05 北京航天计量测试技术研究所 一种高功率激光光斑均匀化装置
JP7390777B2 (ja) 2017-12-27 2023-12-04 いすゞ自動車株式会社 補強構造
CN109213231B (zh) * 2018-08-17 2022-01-14 奥比中光科技集团股份有限公司 温度控制系统
CN112445084B (zh) * 2020-12-20 2021-11-30 华中科技大学 一种浸没式光刻机的温度控制方法及装置

Family Cites Families (147)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE206607C (ja)
DE221563C (ja)
DE221533C (ja)
DE242880C (ja)
DE224448C (ja)
GB1242527A (en) 1967-10-20 1971-08-11 Kodak Ltd Optical instruments
US3573975A (en) 1968-07-10 1971-04-06 Ibm Photochemical fabrication process
DE2963537D1 (en) 1979-07-27 1982-10-07 Tabarelli Werner W Optical lithographic method and apparatus for copying a pattern onto a semiconductor wafer
FR2474708B1 (fr) 1980-01-24 1987-02-20 Dme Procede de microphotolithographie a haute resolution de traits
JPS5754317A (en) 1980-09-19 1982-03-31 Hitachi Ltd Method and device for forming pattern
US4346164A (en) 1980-10-06 1982-08-24 Werner Tabarelli Photolithographic method for the manufacture of integrated circuits
US4509852A (en) 1980-10-06 1985-04-09 Werner Tabarelli Apparatus for the photolithographic manufacture of integrated circuit elements
US4390273A (en) 1981-02-17 1983-06-28 Censor Patent-Und Versuchsanstalt Projection mask as well as a method and apparatus for the embedding thereof and projection printing system
JPS57153433A (en) 1981-03-18 1982-09-22 Hitachi Ltd Manufacturing device for semiconductor
JPS57169244A (en) * 1981-04-13 1982-10-18 Canon Inc Temperature controller for mask and wafer
JPS58202448A (ja) 1982-05-21 1983-11-25 Hitachi Ltd 露光装置
DD206607A1 (de) 1982-06-16 1984-02-01 Mikroelektronik Zt Forsch Tech Verfahren und vorrichtung zur beseitigung von interferenzeffekten
DD242880A1 (de) 1983-01-31 1987-02-11 Kuch Karl Heinz Einrichtung zur fotolithografischen strukturuebertragung
DD221563A1 (de) 1983-09-14 1985-04-24 Mikroelektronik Zt Forsch Tech Immersionsobjektiv fuer die schrittweise projektionsabbildung einer maskenstruktur
JPS60158626A (ja) * 1984-01-30 1985-08-20 Canon Inc 半導体露光装置
JPS60163046A (ja) * 1984-02-03 1985-08-24 Nippon Kogaku Kk <Nikon> 投影露光光学装置及び投影露光方法
DD224448A1 (de) 1984-03-01 1985-07-03 Zeiss Jena Veb Carl Einrichtung zur fotolithografischen strukturuebertragung
JPS61100929A (ja) 1984-10-23 1986-05-19 Canon Inc 投影型半導体露光装置
JPS6265326A (ja) 1985-09-18 1987-03-24 Hitachi Ltd 露光装置
JPS62121417A (ja) 1985-11-22 1987-06-02 Hitachi Ltd 液浸対物レンズ装置
JPS6370522A (ja) * 1986-09-12 1988-03-30 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 紫外線露光方法
JPS63157419A (ja) 1986-12-22 1988-06-30 Toshiba Corp 微細パタ−ン転写装置
US4825247A (en) 1987-02-16 1989-04-25 Canon Kabushiki Kaisha Projection exposure apparatus
JPH01152639A (ja) * 1987-12-10 1989-06-15 Canon Inc 吸着保持装置
US5040020A (en) 1988-03-31 1991-08-13 Cornell Research Foundation, Inc. Self-aligned, high resolution resonant dielectric lithography
EP0363098B1 (en) * 1988-10-03 1995-04-05 Canon Kabushiki Kaisha Temperature controlling device
FI95708C (fi) 1988-10-31 1996-03-11 Eisai Co Ltd Analogiamenetelmä 1,4-diatsepiinijohdannaisen ja sen farmaseuttisesti sopivan suolan valmistamiseksi
JPH02185016A (ja) * 1989-01-12 1990-07-19 Nikon Corp 投影光学装置
US5231291A (en) * 1989-08-01 1993-07-27 Canon Kabushiki Kaisha Wafer table and exposure apparatus with the same
JPH03209479A (ja) 1989-09-06 1991-09-12 Sanee Giken Kk 露光方法
JPH03198320A (ja) * 1989-12-27 1991-08-29 Nikon Corp 投影光学装置
US5142132A (en) 1990-11-05 1992-08-25 Litel Instruments Adaptive optic wafer stepper illumination system
US5121256A (en) 1991-03-14 1992-06-09 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University Lithography system employing a solid immersion lens
JPH04305915A (ja) 1991-04-02 1992-10-28 Nikon Corp 密着型露光装置
JPH04305917A (ja) 1991-04-02 1992-10-28 Nikon Corp 密着型露光装置
JP3218478B2 (ja) 1992-09-04 2001-10-15 株式会社ニコン 投影露光装置及び方法
US5294778A (en) * 1991-09-11 1994-03-15 Lam Research Corporation CVD platen heater system utilizing concentric electric heating elements
US5402224A (en) 1992-09-25 1995-03-28 Nikon Corporation Distortion inspecting method for projection optical system
JPH06124873A (ja) 1992-10-09 1994-05-06 Canon Inc 液浸式投影露光装置
JP2753930B2 (ja) 1992-11-27 1998-05-20 キヤノン株式会社 液浸式投影露光装置
JP2520833B2 (ja) 1992-12-21 1996-07-31 東京エレクトロン株式会社 浸漬式の液処理装置
US6753948B2 (en) * 1993-04-27 2004-06-22 Nikon Corporation Scanning exposure method and apparatus
JPH07220990A (ja) 1994-01-28 1995-08-18 Hitachi Ltd パターン形成方法及びその露光装置
US5638687A (en) * 1994-11-21 1997-06-17 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Substrate cooling method and apparatus
US5716763A (en) 1994-12-06 1998-02-10 International Business Machines Corporation Liquid immersion heating process for substrate temperature uniformity
JPH08316124A (ja) 1995-05-19 1996-11-29 Hitachi Ltd 投影露光方法及び露光装置
US5883704A (en) 1995-08-07 1999-03-16 Nikon Corporation Projection exposure apparatus wherein focusing of the apparatus is changed by controlling the temperature of a lens element of the projection optical system
US6645701B1 (en) * 1995-11-22 2003-11-11 Nikon Corporation Exposure method and exposure apparatus
JPH09270384A (ja) * 1996-03-29 1997-10-14 Nikon Corp 温度制御装置及び露光装置
WO1998009278A1 (en) 1996-08-26 1998-03-05 Digital Papyrus Technologies Method and apparatus for coupling an optical lens to a disk through a coupling medium having a relatively high index of refraction
US5825043A (en) 1996-10-07 1998-10-20 Nikon Precision Inc. Focusing and tilting adjustment system for lithography aligner, manufacturing apparatus or inspection apparatus
JP3612920B2 (ja) 1997-02-14 2005-01-26 ソニー株式会社 光学記録媒体の原盤作製用露光装置
JPH10255319A (ja) 1997-03-12 1998-09-25 Hitachi Maxell Ltd 原盤露光装置及び方法
JP3747566B2 (ja) 1997-04-23 2006-02-22 株式会社ニコン 液浸型露光装置
JP3352354B2 (ja) * 1997-04-28 2002-12-03 キヤノン株式会社 露光装置およびデバイス製造方法
JP3817836B2 (ja) 1997-06-10 2006-09-06 株式会社ニコン 露光装置及びその製造方法並びに露光方法及びデバイス製造方法
US5900354A (en) 1997-07-03 1999-05-04 Batchelder; John Samuel Method for optical inspection and lithography
KR19990034784A (ko) 1997-10-30 1999-05-15 윤종용 노광장비의 척부
JPH11176727A (ja) 1997-12-11 1999-07-02 Nikon Corp 投影露光装置
AU1505699A (en) 1997-12-12 1999-07-05 Nikon Corporation Projection exposure method and projection aligner
WO1999049504A1 (fr) 1998-03-26 1999-09-30 Nikon Corporation Procede et systeme d'exposition par projection
JP2000058436A (ja) 1998-08-11 2000-02-25 Nikon Corp 投影露光装置及び露光方法
KR200224439Y1 (ko) 1999-04-16 2001-05-15 나재흠 파일직기에 있어서 침포롤러
TWI242111B (en) 1999-04-19 2005-10-21 Asml Netherlands Bv Gas bearings for use in vacuum chambers and their application in lithographic projection apparatus
US6225224B1 (en) * 1999-05-19 2001-05-01 Infineon Technologies Norht America Corp. System for dispensing polishing liquid during chemical mechanical polishing of a semiconductor wafer
JP4504479B2 (ja) 1999-09-21 2010-07-14 オリンパス株式会社 顕微鏡用液浸対物レンズ
JP2001118783A (ja) 1999-10-21 2001-04-27 Nikon Corp 露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法
JP2001143992A (ja) * 1999-11-12 2001-05-25 Nikon Corp 露光量制御装置、露光量制御方法、露光装置及び露光方法
JP2001244178A (ja) * 2000-02-29 2001-09-07 Canon Inc 露光装置および露光方法ならびにデバイス製造方法
JP2001332490A (ja) * 2000-03-14 2001-11-30 Nikon Corp 位置合わせ方法、露光方法、露光装置、及びデバイス製造方法
JP2001272604A (ja) 2000-03-27 2001-10-05 Olympus Optical Co Ltd 液浸対物レンズおよびそれを用いた光学装置
JP3531914B2 (ja) 2000-04-14 2004-05-31 キヤノン株式会社 光学装置、露光装置及びデバイス製造方法
US6699630B2 (en) * 2000-07-07 2004-03-02 Nikon Corporation Method and apparatus for exposure, and device manufacturing method
TW591653B (en) 2000-08-08 2004-06-11 Koninkl Philips Electronics Nv Method of manufacturing an optically scannable information carrier
JP2002118050A (ja) * 2000-10-10 2002-04-19 Canon Inc ステージ装置、露光装置、半導体デバイス製造方法、半導体製造工場、および露光装置の保守方法
KR100866818B1 (ko) 2000-12-11 2008-11-04 가부시키가이샤 니콘 투영광학계 및 이 투영광학계를 구비한 노광장치
US20020163629A1 (en) 2001-05-07 2002-11-07 Michael Switkes Methods and apparatus employing an index matching medium
JP2002341249A (ja) 2001-05-11 2002-11-27 Nikon Corp 液浸系顕微鏡対物レンズ
US6954255B2 (en) 2001-06-15 2005-10-11 Canon Kabushiki Kaisha Exposure apparatus
JP2003059807A (ja) 2001-08-20 2003-02-28 Nikon Corp 露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法
JP4302376B2 (ja) 2001-09-03 2009-07-22 東京エレクトロン株式会社 液処理方法及び液処理装置
US6600547B2 (en) 2001-09-24 2003-07-29 Nikon Corporation Sliding seal
CN1791839A (zh) 2001-11-07 2006-06-21 应用材料有限公司 光点格栅阵列光刻机
JP2003195476A (ja) 2001-12-27 2003-07-09 Toshiba Corp パターン形成装置およびパターン形成方法
JP3799275B2 (ja) * 2002-01-08 2006-07-19 キヤノン株式会社 走査露光装置及びその製造方法並びにデバイス製造方法
DE10229818A1 (de) 2002-06-28 2004-01-15 Carl Zeiss Smt Ag Verfahren zur Fokusdetektion und Abbildungssystem mit Fokusdetektionssystem
DE10210899A1 (de) 2002-03-08 2003-09-18 Zeiss Carl Smt Ag Refraktives Projektionsobjektiv für Immersions-Lithographie
WO2004019128A2 (en) 2002-08-23 2004-03-04 Nikon Corporation Projection optical system and method for photolithography and exposure apparatus and method using same
US6788477B2 (en) 2002-10-22 2004-09-07 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Apparatus for method for immersion lithography
JP3977324B2 (ja) * 2002-11-12 2007-09-19 エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. リソグラフィ装置
CN101424881B (zh) * 2002-11-12 2011-11-30 Asml荷兰有限公司 光刻投射装置
EP1420298B1 (en) * 2002-11-12 2013-02-20 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus
DE60335595D1 (de) * 2002-11-12 2011-02-17 Asml Netherlands Bv Lithographischer Apparat mit Immersion und Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung
SG121822A1 (en) * 2002-11-12 2006-05-26 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
SG121819A1 (en) * 2002-11-12 2006-05-26 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
SG131766A1 (en) * 2002-11-18 2007-05-28 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
SG121829A1 (en) * 2002-11-29 2006-05-26 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
DE10258718A1 (de) 2002-12-09 2004-06-24 Carl Zeiss Smt Ag Projektionsobjektiv, insbesondere für die Mikrolithographie, sowie Verfahren zur Abstimmung eines Projektionsobjektives
JP4595320B2 (ja) * 2002-12-10 2010-12-08 株式会社ニコン 露光装置、及びデバイス製造方法
US6992750B2 (en) 2002-12-10 2006-01-31 Canon Kabushiki Kaisha Exposure apparatus and method
AU2003289272A1 (en) 2002-12-10 2004-06-30 Nikon Corporation Surface position detection apparatus, exposure method, and device porducing method
JP4352874B2 (ja) 2002-12-10 2009-10-28 株式会社ニコン 露光装置及びデバイス製造方法
CN100429748C (zh) 2002-12-10 2008-10-29 株式会社尼康 曝光装置和器件制造方法
TW200421444A (en) 2002-12-10 2004-10-16 Nippon Kogaku Kk Optical device and projecting exposure apparatus using such optical device
WO2004053951A1 (ja) 2002-12-10 2004-06-24 Nikon Corporation 露光方法及び露光装置並びにデバイス製造方法
AU2003289271A1 (en) * 2002-12-10 2004-06-30 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method and method for manufacturing device
KR101037057B1 (ko) 2002-12-10 2011-05-26 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
DE10257766A1 (de) 2002-12-10 2004-07-15 Carl Zeiss Smt Ag Verfahren zur Einstellung einer gewünschten optischen Eigenschaft eines Projektionsobjektivs sowie mikrolithografische Projektionsbelichtungsanlage
KR20050085236A (ko) 2002-12-10 2005-08-29 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
JP4232449B2 (ja) 2002-12-10 2009-03-04 株式会社ニコン 露光方法、露光装置、及びデバイス製造方法
CN101852993A (zh) 2002-12-10 2010-10-06 株式会社尼康 曝光装置和器件制造方法
CN101872135B (zh) 2002-12-10 2013-07-31 株式会社尼康 曝光设备和器件制造法
WO2004055803A1 (en) 2002-12-13 2004-07-01 Koninklijke Philips Electronics N.V. Liquid removal in a method and device for irradiating spots on a layer
AU2003283717A1 (en) 2002-12-19 2004-07-14 Koninklijke Philips Electronics N.V. Method and device for irradiating spots on a layer
DE60314668T2 (de) 2002-12-19 2008-03-06 Koninklijke Philips Electronics N.V. Verfahren und anordnung zum bestrahlen einer schicht mittels eines lichtpunkts
US6781670B2 (en) 2002-12-30 2004-08-24 Intel Corporation Immersion lithography
JP4358530B2 (ja) * 2003-02-17 2009-11-04 財団法人国際科学振興財団 半導体デバイス製造用マスク作成装置
JP3939670B2 (ja) 2003-03-26 2007-07-04 シャープ株式会社 フレア測定用フォトマスク対、フレア測定機構、及び、フレア測定方法
CN103383527B (zh) 2003-04-10 2015-10-28 株式会社尼康 包括用于沉浸光刻装置的真空清除的环境系统
TWI295414B (en) * 2003-05-13 2008-04-01 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP5143331B2 (ja) 2003-05-28 2013-02-13 株式会社ニコン 露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法
KR20180122033A (ko) * 2003-05-28 2018-11-09 가부시키가이샤 니콘 노광 방법, 노광 장치, 및 디바이스 제조 방법
US7213963B2 (en) * 2003-06-09 2007-05-08 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP2261742A3 (en) * 2003-06-11 2011-05-25 ASML Netherlands BV Lithographic apparatus and device manufacturing method.
US7317504B2 (en) * 2004-04-08 2008-01-08 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US6867844B2 (en) 2003-06-19 2005-03-15 Asml Holding N.V. Immersion photolithography system and method using microchannel nozzles
US6809794B1 (en) 2003-06-27 2004-10-26 Asml Holding N.V. Immersion photolithography system and method using inverted wafer-projection optics interface
SG109000A1 (en) * 2003-07-16 2005-02-28 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7326522B2 (en) * 2004-02-11 2008-02-05 Asml Netherlands B.V. Device manufacturing method and a substrate
US6954256B2 (en) * 2003-08-29 2005-10-11 Asml Netherlands B.V. Gradient immersion lithography
US7545481B2 (en) * 2003-11-24 2009-06-09 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7125652B2 (en) * 2003-12-03 2006-10-24 Advanced Micro Devices, Inc. Immersion lithographic process using a conforming immersion medium
US7394521B2 (en) * 2003-12-23 2008-07-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7589818B2 (en) * 2003-12-23 2009-09-15 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, alignment apparatus, device manufacturing method, and a method of converting an apparatus
JP4429023B2 (ja) 2004-01-07 2010-03-10 キヤノン株式会社 露光装置及びデバイス製造方法
US7050146B2 (en) * 2004-02-09 2006-05-23 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7463330B2 (en) * 2004-07-07 2008-12-09 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7304715B2 (en) 2004-08-13 2007-12-04 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP1804278A4 (en) 2004-09-14 2011-03-02 Nikon Corp CORRECTION METHOD AND EXPOSURE DEVICE
US8045134B2 (en) 2006-03-13 2011-10-25 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, control system and device manufacturing method
DE102006032877A1 (de) 2006-07-15 2008-01-17 Carl Zeiss Smt Ag Mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage
JP2015072574A (ja) 2013-10-02 2015-04-16 ヤフー株式会社 配信装置、配信方法及び端末装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2018132771A (ja) * 2003-07-16 2018-08-23 エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. リトグラフ装置
US10656538B2 (en) 2003-07-16 2020-05-19 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method

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