JP5521253B2 - フォトレジストパターン上にコーティングするための水性組成物 - Google Patents
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Description
Xは、C1〜C6アルキレン、不飽和C1〜C6アルキレン、直接結合、及びこれらの混合物から選択され、
Yは、C1〜C6アルキレン、不飽和C1〜C6アルキレン、直接結合、及びこれらの混合物から選択され、
Zは、CH2、O、C=O、N、NH、N(C1〜C6アルキル)、N=N及びN−CH=N、好ましくはO、C=O、及びNから選択される。
例1: ポリ(N,N−ジメチルアミノエチルアクリレート−co−N−ビニルピロリドン)の合成
ポリマー3の13C NMR(CD3OD)データ: δ 177.5ppm(>C=O,NVP);δ 175.8ppm(>C=O,DMAEA);δ62.9ppm(O−CH2,DMAEA);δ58.3ppm(>N−CH2,DMAEA);δ 45.9ppm(−N−CH3,DMAEA);δ 45.6ppm(−N−CH2,NVP);δ 42.0−34.0ppm(NVP&DMAEAの主鎖−CH,CH2,重複);δ 32.2ppm(O=C−CH2,NVP);δ 19.0ppm(−N−CH2−CH2−,NVP)
ArFフォトレジストとしてのAZ(登録商標)AX2050P上でのポリ(DMAEA−co−NVP)のリソグラフィー評価: 180nmピッチの90nmC/Hのミキシングベーク温度の変化。
ポリマー9の13C NMR(CD3OD):δ 174.2ppm(>C=O,AMOR);δ 176.3ppm(>C=O,DMAEA);δ61.9ppm(O−CH2,DMAEA);δ58.4ppm(O−CH2−CH2−,DMAEA);δ 45.9ppm(−N−CH3,DMAEA);δ 48.1ppm(−N−CH2−CH2−O,AMOR);δ 40.0−34.0ppm(AMOR&DMAEAの主鎖−CH,CH2,重複);δ 43.5ppm((−N−CH2−CH2−O,AMOR)
例1に示すようにリソグラフィー評価をポリマー7〜11について行った。詳細を表2に纏める。ミキシング温度を高めると、ホールの縮小量も大きくなった。
ポリマー22aの13C NMR(CD3OD):δ 178.8ppm(>C=O,VCL);δ 174.4ppm(>C=O,AMOR);176.6ppm(>C=O,DMAEA);δ62.5ppm(O−CH2−CH2−N,DMAEA);δ58.3ppm(O−CH2−CH2−N,DMAEA);δ 68.3ppm(−N−CH2,VCL);δ 46.2ppm(−N−CH3,DMAEA);δ 48.1ppm(−N−CH2−CH2−O,AMOR);δ 43.8ppm(−N−CH2−CH2−O,AMOR);δ 40.0−34.0ppm(AMOR,VCL & DMAEAの主鎖−CH,CH2,重複);δ 31.1ppm(O=C−CH2−,VCL);δ 24.3ppm((−N−CH2−CH2−CH2−CH2−,VCL)
例1に示すようにリソグラフィー評価をポリマー12〜22dについて行った。詳細を表3に纏める。ミキシング温度を高めると、ホールの縮小量が大きくなった。
ポリマー26の13C NMR(CD3OD):δ 178.5ppm(>C=O,VCL);δ 174.0ppm(>C=O,AMOR);176.2ppm(>C=O,DMAEA);δ62.3ppm(O−CH2−CH2−N,DMAEA);δ58.6ppm(O−CH2−CH2−N,DMAEA);δ 68.0ppm(−N−CH2,VCL);δ 46.4ppm(−N−CH3,DMAEA);δ 48.3ppm(−N−CH2−CH2−O,AMOR);δ 43.6ppm(−N−CH2−CH2−O,AMOR);δ 40.3−34.2ppm(AMOR,VCL & DMAEAの主鎖−CH,CH2,重複);δ 31.5ppm(O=C−CH2−,VCL);δ 24.1ppm((−N−CH2−CH2−CH2−CH2−,VCL),δ 20.0ppm((−CH3−,主鎖,DMAEMA)
例1に示すようにポリマー23〜28についてリソグラフィー評価を行った。詳細は表4に示す。ミキシング温度を高めると、ホールの縮小量が大きくなった。
ポリマー34の13C NMR(CD3OD):δ 175.4ppm(>C=O,DMAEA);δ138.3ppm(CH−N−CH−N−CH−,イミダゾール基);δ130.3ppm(CH−N−CH−N−CH−,イミダゾール基);δ118.3ppm(CH−N−CH−N−CH−,イミダゾール基);δ62.7ppm(O−CH2,DMAEA);δ58.5ppm(>N−CH2,DMAEA);δ 45.7ppm(−N−CH3,DMAEA);δ42.0−34.0ppm(VI & DMAEAの主鎖−CH,CH2,重複)
ポリマー29を用いた処方は例4と同じであった(1.8gのポリマー及び58.9gの水)。フォトレジスト及びRELACSリソグラフィープロセス条件は例1と同じであった。添加剤不含のポリマー29含有組成物は、90nm1:1コンタクトホールについて、120℃のミキシング温度で8.4nmのホール縮小、130℃のミキシング温度では12.0nmのホール縮小、140℃のミキシング温度では15.4nmのホール縮小、150℃のミキシング温度では18.3nmのホール縮小、及び160℃のミキシング温度では19.9nmのホール縮小を示した。
例6:ポリ(ヒドロキシエチルメタクリレート−co−N,N−ジメチルアミノエチルメタクリレート)の合成
ポリマー30の13C NMR(CD3OD):δ 175.4ppm(>C=O,DMAEA);δ 167.2ppm(>C=O,HMEA);δ67.5ppm(O−CH2,HEMA);δ60.6ppm(HO−CH2,HEMA);δ62.5ppm(O−CH2,DMAEA);δ58.2ppm(>N−CH2,DMAEA);δ 45.8ppm(−N−CH3,DMAEA);δ 42.0−34.0ppm(VI & DMAEAの主鎖−CH,CH2,重複).δ 19.1ppm(−CH3,主鎖,HEMA)
ポリマー30を用いた処方は例4と同じであった(1.8gのポリマーと58.9gの水)。フォトレジスト及びRELACSリソグラフィープロセス条件は例1と同じであった。添加剤不含のポリマー30含有組成物は、90nm 1:1コンタクトホールについて、140℃のミキシング温度において17.5nmのホール縮小を示した。
例7a:KLAによるポリ(DMAEA−co−NVP/(40/60))の欠陥検査
反射防止膜材料AZ(登録商標)ArF−1C5D(AZ EM USA Corp,70 Meister Ave.,Somerville,NJ製)をケイ素基材上にスピンコートし、そして200℃で60秒間ベークして、厚さ0.037μmの反射防止膜を形成した。次いで、AZ(登録商標)AX2050Pフォトレジスト溶液(AZ EM USA Corps,70,Meister Ave.,Somerville, NJ製)を、前記の底面反射防止膜(B.A.R.C.)がコーティングされたケイ素基材上にスピンコートした。このフォトレジストフィルムを110℃で60秒間ベークして0.15μmの厚さを得た。次いで、このフォトレジストフィルムを、6%ハーフトーン型位相シフトマスクを用いて193nmスキャナ(開口数0.78、及びコヒーレンス0.9)で露光した。露光後、このウェハを110℃で60秒間ポスト露光ベークし、そしてAZ(登録商標)MIF現像剤(AZ EM USA Corp,70 Meister Ave.,Somerville, NJ製)を用いて60秒間現像して、180nmピッチで90nm径のコンタクトホールパターンを形成した。このフォトレジストパターンを次いで走査型電子顕微鏡で観察した。
例7b:ArFフォトレジストとしてのAZ AX2050P(90nm C/H 180nmピッチ)上のポリ(AMOR/DMAEA/VCL)
反射防止膜材料としてのAZ(登録商標)ArF−1C5D(AZ EM USA Corp.,70,Meister Ave.,Somerville,NJ製)をケイ素基材上にスピンコートし、そして200℃で60秒間ベークして、厚さが0.037μmの反射防止膜を形成した。次いで、AZ(登録商標)AX2050Pフォトレジスト溶液(AZ EM USA Corp,70,Meister Ave.,Somerville,NJ製)を、底面反射防止膜(B.A.R.C.)がコーティングされた前記ケイ素基材上にスピンコートした。このフォトレジストフィルムを110℃で60秒間ベークして0.15μmの厚さを得た。次いで、このフォトレジストフィルムを、6%ハーフトーン型位相シフトマスクを用いて193nmスキャナ(開口数0.78及びコヒーレンス0.9)で露光した。露光後、このウェハを110℃で60秒間ポスト露光ベークし、そしてAZ(登録商標)626MIF現像剤(AZEM USA Corps,70 Meister Ave.,Somerville,NJ製)を用いて60秒間現像して、180nmピッチで90nm径のコンタクトホールパターンを形成した。次いで、このフォトレジストパターンを走査型電子顕微鏡で観察した。
Claims (13)
- ポリマーが、以下の構造2のモノマー性単位を更に含む、請求項1のコーティング組成物。
X、Y、Z及びNは環状構造を形成し、ここで更に、Xは、C1〜C6アルキレン、不飽和C1〜C6アルキレン、直接結合、及びこれらの混合物から選択され、Yは、C1〜C6アルキレン、不飽和C1〜C6アルキレン、直接結合、及びこれらの混合物から選択され、Zは、CH2、O、C(O)、N、NH、N(C1〜C6アルキル)、N=N、及びN−CH=Nから選択され、そしてNは窒素である] - ポリマーがカルボン酸基を含まない、請求項1のコーティング組成物。
- 組成物が水混和性溶剤を更に含む、請求項1の組成物。
- 組成物が、界面活性剤、アミノアルコール、アミン、C1〜C8アルコール、光酸発生剤、架橋性化合物、熱酸発生剤、及び遊離酸から選択される添加剤を更に含む、請求項1〜5のいずれか一つの組成物。
- 組成物が架橋性化合物を含まない、請求項1〜6のいずれか一つの組成物。
- 組成物が光酸発生剤を含まない、請求項1〜7のいずれか一つの組成物。
- a)基材にフォトレジストパターンを供し;
b)フォトレジストパターンを、請求項1〜8のいずれか一つのコーティング材料でコーティングし;
c)フォトレジストパターンと接触する部分のコーティング材料を反応させ;
d)反応していない部分のコーティング材料を除去液で除去する、
ことを含む、微細電子デバイスの製造方法。 - 基材を加熱し、それによってコーティング材料とフォトレジストとの反応を引き起こす、請求項9の方法。
- 除去液が、水酸化物塩基を含む水溶液である、請求項9または10の方法。
- 除去液が水混和性溶剤を更に含む、請求項9〜11のいずれか一つの方法。
- フォトレジストがポリマー及び光酸発生剤を含む、請求項9〜12のいずれか一つの方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US12/141,307 | 2008-06-18 | ||
US12/141,307 US7745077B2 (en) | 2008-06-18 | 2008-06-18 | Composition for coating over a photoresist pattern |
PCT/IB2009/005975 WO2009153648A1 (en) | 2008-06-18 | 2009-06-17 | Aqueous composition for coating over a photoresist pattern |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011524930A JP2011524930A (ja) | 2011-09-08 |
JP2011524930A5 JP2011524930A5 (ja) | 2012-07-05 |
JP5521253B2 true JP5521253B2 (ja) | 2014-06-11 |
Family
ID=40974659
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011514143A Active JP5521253B2 (ja) | 2008-06-18 | 2009-06-17 | フォトレジストパターン上にコーティングするための水性組成物 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7745077B2 (ja) |
EP (1) | EP2294149B1 (ja) |
JP (1) | JP5521253B2 (ja) |
KR (1) | KR101697792B1 (ja) |
CN (1) | CN102066509B (ja) |
TW (1) | TWI459146B (ja) |
WO (1) | WO2009153648A1 (ja) |
Families Citing this family (42)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008102343A (ja) * | 2006-10-19 | 2008-05-01 | Az Electronic Materials Kk | 現像済みレジスト基板処理液とそれを用いたレジスト基板の処理方法 |
JP5000260B2 (ja) * | 2006-10-19 | 2012-08-15 | AzエレクトロニックマテリアルズIp株式会社 | 微細化されたパターンの形成方法およびそれに用いるレジスト基板処理液 |
US7923200B2 (en) * | 2007-04-09 | 2011-04-12 | Az Electronic Materials Usa Corp. | Composition for coating over a photoresist pattern comprising a lactam |
JP5069494B2 (ja) * | 2007-05-01 | 2012-11-07 | AzエレクトロニックマテリアルズIp株式会社 | 微細化パターン形成用水溶性樹脂組成物およびこれを用いた微細パターン形成方法 |
KR101585992B1 (ko) * | 2007-12-20 | 2016-01-19 | 삼성전자주식회사 | 반사방지 코팅용 고분자, 반사방지 코팅용 조성물 및 이를 이용한 반도체 장치의 패턴 형성 방법 |
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JP5306755B2 (ja) * | 2008-09-16 | 2013-10-02 | AzエレクトロニックマテリアルズIp株式会社 | 基板処理液およびそれを用いたレジスト基板処理方法 |
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JP6459759B2 (ja) * | 2014-05-26 | 2019-01-30 | 信越化学工業株式会社 | パターン形成方法及びシュリンク剤 |
US9448483B2 (en) | 2014-07-31 | 2016-09-20 | Dow Global Technologies Llc | Pattern shrink methods |
JP6402702B2 (ja) * | 2014-11-04 | 2018-10-10 | 信越化学工業株式会社 | パターン形成方法及びシュリンク剤 |
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TWI615460B (zh) | 2015-06-03 | 2018-02-21 | 羅門哈斯電子材料有限公司 | 用於圖案處理的組合物和方法 |
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- 2008-06-18 US US12/141,307 patent/US7745077B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2009
- 2009-06-17 CN CN200980122674.6A patent/CN102066509B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2009-06-17 WO PCT/IB2009/005975 patent/WO2009153648A1/en active Application Filing
- 2009-06-17 EP EP09766190.4A patent/EP2294149B1/en not_active Not-in-force
- 2009-06-17 JP JP2011514143A patent/JP5521253B2/ja active Active
- 2009-06-17 KR KR1020107028937A patent/KR101697792B1/ko active IP Right Grant
- 2009-06-18 TW TW098120495A patent/TWI459146B/zh not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN102066509A (zh) | 2011-05-18 |
TW201005444A (en) | 2010-02-01 |
JP2011524930A (ja) | 2011-09-08 |
US7745077B2 (en) | 2010-06-29 |
KR101697792B1 (ko) | 2017-01-18 |
EP2294149B1 (en) | 2014-12-03 |
EP2294149A1 (en) | 2011-03-16 |
CN102066509B (zh) | 2014-03-05 |
TWI459146B (zh) | 2014-11-01 |
KR20110018921A (ko) | 2011-02-24 |
US20090317739A1 (en) | 2009-12-24 |
WO2009153648A1 (en) | 2009-12-23 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120521 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20120521 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130910 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20131209 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140311 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
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|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20140320 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20140319 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5521253 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
R360 | Written notification for declining of transfer of rights |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R360 |
|
R360 | Written notification for declining of transfer of rights |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R360 |
|
R371 | Transfer withdrawn |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R371 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
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R250 | Receipt of annual fees |
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R250 | Receipt of annual fees |
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