KR20110018921A - 포토레지스트 패턴 상의 코팅을 위한 수성 조성물 - Google Patents

포토레지스트 패턴 상의 코팅을 위한 수성 조성물 Download PDF

Info

Publication number
KR20110018921A
KR20110018921A KR1020107028937A KR20107028937A KR20110018921A KR 20110018921 A KR20110018921 A KR 20110018921A KR 1020107028937 A KR1020107028937 A KR 1020107028937A KR 20107028937 A KR20107028937 A KR 20107028937A KR 20110018921 A KR20110018921 A KR 20110018921A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
composition
photoresist
polymer
alkylene
aqueous coating
Prior art date
Application number
KR1020107028937A
Other languages
English (en)
Other versions
KR101697792B1 (ko
Inventor
무티아 티야가라잔
이 카오
성은 홍
랄프 알. 다멜
Original Assignee
에이제트 일렉트로닉 머트리얼즈 유에스에이 코프.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 에이제트 일렉트로닉 머트리얼즈 유에스에이 코프. filed Critical 에이제트 일렉트로닉 머트리얼즈 유에스에이 코프.
Publication of KR20110018921A publication Critical patent/KR20110018921A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101697792B1 publication Critical patent/KR101697792B1/ko

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D133/00—Coating compositions based on homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by only one carboxyl radical, or of salts, anhydrides, esters, amides, imides, or nitriles thereof; Coating compositions based on derivatives of such polymers
    • C09D133/04—Homopolymers or copolymers of esters
    • C09D133/14—Homopolymers or copolymers of esters of esters containing halogen, nitrogen, sulfur or oxygen atoms in addition to the carboxy oxygen
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D133/00—Coating compositions based on homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by only one carboxyl radical, or of salts, anhydrides, esters, amides, imides, or nitriles thereof; Coating compositions based on derivatives of such polymers
    • C09D133/04—Homopolymers or copolymers of esters
    • C09D133/06—Homopolymers or copolymers of esters of esters containing only carbon, hydrogen and oxygen, the oxygen atom being present only as part of the carboxyl radical
    • C09D133/062—Copolymers with monomers not covered by C09D133/06
    • C09D133/066—Copolymers with monomers not covered by C09D133/06 containing -OH groups
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D139/00—Coating compositions based on homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by a single or double bond to nitrogen or by a heterocyclic ring containing nitrogen; Coating compositions based on derivatives of such polymers
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/40—Treatment after imagewise removal, e.g. baking

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Wood Science & Technology (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)
  • Paints Or Removers (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)

Abstract

본 발명은 포토레지스트 패턴을 코팅하기 위한 수성 코팅 조성물로서, 알킬아미노 기를 갖는 하나 이상의 단위를 포함한 중합체를 포함하고, 여기서 단위는 하기 구조식 (1)을 갖는 수성 코팅 조성물에 관한 것이다:
Figure pct00023

상기 식에서,
R1 내지 R5는 수소 및 C1 내지 C6 알킬 중에서 독립적으로 선택되고, W는 C1 내지 C6 알킬이다. 본 발명은 또한 본 발명의 조성물을 사용하여 포토레지스트 층을 이미지화시키는 방법에 관한 것이다.

Description

포토레지스트 패턴 상의 코팅을 위한 수성 조성물{AQUEOUS COMPOSITION FOR COATING OVER A PHOTORESIST PATTERN}
본 발명은 리소그래피 성능을 향상시키기 위해 포토레지스트 패턴 상의 코팅을 위한 조성물에 관한 것이고 또한 기판 상에 이미지를 제조하기 위해 그러한 코팅을 사용하는 방법(공정)에 관한 것이다.
반도체 기술에서 집적 회로의 치밀화(densification)는 그 집적 회로 내 매우 미세한 인터커넥션(interconnection)을 제조할 필요에 의해 수행되어 왔다. 초미세 패턴은 통상 포토리소그래피 기술을 이용하여 포토레지스트 코팅에 패턴을 형성시킴으로써 생성된다. 일반적으로, 그러한 공정에서는, 우선 포토레지스트 조성물 필름의 얇은 코팅을 집적 회로의 제조에 사용되는 실리콘계 웨이퍼와 같은 기판 재료에 도포한다. 그리고나서 이 코팅된 기판을 소성시켜 포토레지스트 조성물 중 임의의 용매를 증발시키고 기판 상에 코팅을 고정시킨다. 다음으로는, 기판의 소성되고 코팅된 표면을 방사선에 이미지 방식(image-wise)으로 노광시킨다. 이러한 방사선 노광은 코팅된 표면의 노광된 부분에 화학적 변형을 유도한다. 가시광선, 자외선(UV), 전자빔 및 X-선 방사 에너지는 최근 마이크로리소그래피 공정에 통상적으로 사용되는 방사선 유형이다. 이러한 이미지 방식 노광 후, 코팅된 기판에 현상액을 처리하여 포토레지스트의 방사선 노광 또는 비노광 부분을 용해 및 제거한다.
집적 회로의 소형화는 포토레지스트 내에서 점점 더 좁은 치수의 프린팅을 요구한다. 포토레지스트로 프린트하고자 하는 치수를 축소시키는 각종 기술들이 개발되었고, 그러한 기술들의 예로는 다단계 코팅, 반사 방지 코팅, 상 이동 마스크(phase-shift mask), 점점 더 짧은 파장에 감광성이 있는 포토레지스트 등이 있다.
더 작은 치수를 프린팅하는데 중요한 한 공정은 포토레지스트 이미지를 넓히고 인접한 포토레지스트 피쳐 사이의 공간 치수를 줄이는, 포토레지스트 패턴의 탑 상에 얇은 층을 형성시키는 기술에 의존하고 있다. 이렇게 좁아진 공간은 기판을 에칭하고 규정하는데 사용될 수 있거나 또는 금속과 같은 물질을 침착시키는데 사용될 수 있다. 그러한 2 단계 기술은 새로운 포토레지스트 화학을 재조정할 필요없이 더 작은 치수가 마이크로전자 소자(microelecronic device)의 제조 공정의 부분으로서 규정되도록 한다. 탑 코팅 층 또는 수축 물질은 무기 층, 예컨대 유전 물질일 수 있거나, 또는 가교결합성 중합체 물질과 같은 유기물일 수 있다.
유전 수축 물질은 US 5,863,707에 기술되어 있고, 산화규소, 질화규소, 산질화규소, 스핀 온(spin on) 물질 또는 화학 증착된 물질을 포함한다. 유기 중합체 코팅은 US 5,858,620에 기술되어 있으며, 그러한 코팅은 산의 존재 하에서 가교결합성 반응을 실시함으로써, 포토레지스트 표면에 부착되지만 탑 수축 코팅이 가교결합되지 않은 경우에는 제거된다. US 5,858,620에는 반도체 소자의 제조 방법이 개시되어 있는데, 여기서 기판은 탑 층으로 코팅된 패턴화된 포토레지스트를 가지며, 이어서 그 포토레지스트를 광에 노광시키고 가열하여 포토레지스트에서 광발생된 산(photogenerated acid)을 탑 층을 통해 확산시킨 후 탑 층을 가교결합시킬 수 있다. 산이 탑 코트를 통하여 확산되는 정도는 가교결합된 층의 두께를 측정한다. 가교결합되지 않은 탑 층 부분은 중합체를 용해시킬 수 있는 용액을 사용하여 제거한다.
도면의 간단한 설명
도 1에는 수축 물질을 사용하여 이미지화 공정이 도시되고 있으며, 여기서 (I) 포토레지스트를 의미하고, (II)는 반사방지 코팅을 의미하고, (III)은 규소를 의미하고, (IV)는 포토레지스트 패턴을 의미한다. (V)는 수축 코팅을 의미하며, 그리고 (VI)은 계면 층을 의미한다.
발명의 개요
본 발명은 포토레지스트 패턴을 코팅하기 위한 수성 코팅 조성물로서, 알킬아미노 기를 갖는 하나 이상의 단위를 포함한 중합체를 포함하고, 여기서 단위는 하기 구조식 (1)을 갖는 수성 코팅 조성물에 관한 것이다:
Figure pct00001
상기 식에서,
R1 내지 R5는 수소 및 C1 내지 C6 알킬 중에서 독립적으로 선택되고, W는 C1 내지 C6 알킬렌이다. 바람직하게는, R5는 C1 내지 C6 알킬이고, 더욱 바람직하게는 R4 및 R5 둘다는 C1 내지 C6 알킬이다. 본 발명은 또한 본 발명의 신규한 조성물을 사용하여 포토레지스트 층을 이미지화시키는 방법에 관한 것이다.
발명의 상세한 설명
본 발명은 바람직하게는 디알킬아미노 (-N(알킬1)(알킬2)) 기를 포함한 수용성 중합체(즉, 중합체에 결합된 펜던트 질소는 바람직하게는 (알킬1) 및 (알킬2) 기에 의해 알킬화되고 수소를 포함하지 않음)를 포함하는 수축 코팅 물질의 코팅 조성물에 관한 것이다. 수용성을 갖고 알킬아미노 기를 포함하는 중합체는 원자외선, 특히 248 nm, 193 nm 및 157 nm에서의 원자외선에 감광성이 있는 포토레지스트 상에 코팅하기에 특히 유용하고, 여기서 포토레지스트 중합체는 알킬아미노 기와 반응시킬 수 있는 기를 포함한다. 포토레지스트 중합체에서 반응성 기는 카르보닐(C=O) 및 히드록실 중에서 선택된 것과 같은 기일 수 있다. 본 발명의 목적은 포토레지스트와 반응하여 포토레지스트 패턴을 안정화시키고 좁은 공간을 규정할 수 있도록 포토레지스트의 치수 두께를 추가로 증가시키는 이미지화된 포토레지스트 패턴 상에 코팅을 형성시키는 것이다. 본 발명자들은 이러한 신규한 코팅 수축 조성물이 예상 외로 향상된 패턴 규정, 높은 해상도, 적은 결함, 보다 작은 피쳐 크기, 낮은 온도 감광성 및 이미지화된 포토레지스트의 안정된 패턴 형성을 유도한다는 것을 발견하였다.
본 발명은 바람직하게는 하나 이상의 알킬아미노(바람직하게는, 디알킬아미노) 기를 함유하는 수용성 중합체를 포함하는 신규한 수성 수축 코팅 조성물에 관한 것이다. 중합체는 수계 용매 조성물 중에 용해된다. 조성물은 첨가제, 예컨대 가교결합제, 광산 발생제(photoacid generator), 아미노알콜 화합물, 아미드 화합물, 아미도아크릴레이트 화합물 및 아크릴레이트 화합물을 포함하지 않을 수 있다. 조성물은 신규한 중합체 및 경우에 따라 수중에 용해된 계면활성제를 함유할 수 있다. 본 발명은 또한 패턴화된 포토레지스트 기판의 임계 치수를 감소시키기 위한 마이크로전자 소자의 제조 방법으로서, 이미지화된 포토레지스트 패턴의 탑 상에 신규한 수축 코팅 조성물의 층을 형성시키는 단계, 포토레지스트 계면에 근접한 수축 조성물의 부분을 반응시키는 단계, 및 수축 물질의 미반응된 용해 부분을 제거 용액(removal solution)으로 제거하는 단계를 포함하는 제조 방법에 관한 것이다.
도 1에는 포토레지스트 패턴 사이의 공간을 감소시키기 위해 수축 물질을 사용하는 방법이 도시되어 있고, 여기서 포토레지스트(I)는 반사방지 코팅(II) 상에 코팅되고, 이미지화되어 포토레지스트 패턴(IV)을 형성시키고, 그리고나서 수축 물질 조성물(V)에 의해 코팅된다. 기판이 가열되어 계면 층(VI)을 형성한다. 미반응된 수축 층은 제거되고, 이에 따라 포토레지스트 단독보다 보다 좁은 공간을 갖는 포토레지스트/계면 층 패턴이 형성된다.
포토레지스트 패턴을 코팅하기 위한 신규한 수성 수축 코팅 조성물은 수용성 중합체 또는 하나 이상의 알킬아미노 기를 포함한 본질적으로 수용성을 갖는 중합체를 포함하고, 여기서 디알킬아미노 기를 포함하는 단량체 단위는 하기 구조식 (1)을 갖는다:
Figure pct00002
상기 식에서,
R1 내지 R5는 수소 및 C1 내지 C6 알킬 중에서 독립적으로 선택되고, W는 C1 내지 C6 알킬렌이다. 바람직하게는, R5는 C1 내지 C6 알킬이고, 더욱 바람직하게는 R4 및 R5는 C1 내지 C6 알킬이다. W는 카르보닐(C=O) 기를 포함하지 않는다. W는 분지형 또는 선형 C1 내지 C6 알킬렌일 수 있다. 일 구체예에서, W는 에틸렌, 프로필렌 및 부틸렌 중에서 선택될 수 있다. 또다른 구체예에서, R4 및 R5는 메틸, 에틸, 프로필 및 부틸 중에서 독립적으로 선택될 수 있다. 중합체에서 단량체 단위 (1)의 또다른 구체예에서, R1 및 R2는 수소이고, R3은 수소 또는 메틸이고, W는 에틸 또는 프로필이고, R4 및 R5는 메틸, 에틸, 프로필 및 부틸 중에서 선택될 수 있다. 구조식 (1)의 단량체 단위를 형성하는데 사용될 수 있는 단량체의 예로는 디메틸아미노에틸 아크릴레이트, 디메틸아미노에틸 메타크릴레이트 및 디메틸아미노프로필메타크릴레이트이 있다.
중합체는 구조식 (1)의 단량체 단위의 단독 중합체일 수 있다. 중합체는 또한 구조식 (1)의 하나 이상의 단량체 단위 및 하나 이상의 다른 공단량체 단위를 포함할 수 있다. 공단량체 단위는 비닐 단량체일 수 있다. 신규한 조성물에서 중합체의 일 구체예에서, 중합체는 구조식 (1)의 단위 및 하기 구조식 (2)의 하나 이상의 단위를 포함한다:
Figure pct00003
상기 식에서, R6 내지 R8은 수소 및 C1 내지 C6 알킬 중에서 독립적으로 선택되고, A는 단일 결합, O, C(O), (C=O)O, 및 C1 내지 C4 알킬렌 중에서 선택되고, X, Y, Z 및 N(질소)은 조합되어 환형 구조를 형성하고, 여기서 추가적으로
X는 C1 내지 C6 알킬렌, 불포화 C1 내지 C6 알킬렌, 직접 결합, 및 이들의 혼합물 중에서 선택되고,
Y는 C1 내지 C6 알킬렌, 불포화 C1 내지 C6 알킬렌, 직접 결합, 및 이들의 혼합물 중에서 선택되고,
Z는 CH2, O, C=O, N, NH, N(C1 내지 C6 알킬), N=N 및 N-CH=N, 바람직하게는 O, C=O, 및 N 중에서 선택된다.
구조식 (2)에서 질소 함유 고리는 하나 이상의 포화 결합, 하나 이상의 불포화 결합을 포함할 수 있고, 방향족 또는 이의 혼합물일 수 있다. 불포화 결합은 이중 결합일 수 있다. 알킬렌은 일반적으로 본 발명에서 선형 또는 분지형으로 지칭된다. 질소 함유 환형 기의 예는, 비제한적 예로서, 이미다졸, N-피롤리돈, 카프로락탐, N-모르폴린, 피페리딘, 아지리딘 및 트리아진일 수 있다.
구조식 (2)의 단량체 단위의 추가예로는 구조식 (2a) 및 (2b)의 단량체 단위가 있다:
Figure pct00004
상기 식들에서,
R6 내지 R8은 수소 및 C1 내지 C6 알킬 중에서 독립적으로 선택되고, X, Y, Z에 의해 정의된 부분은 구조식 (2)에서와 같다. 구조식 (2a) 및 (2b)의 질소 함유 환형 부분은 환형 구조에서 하나 이상의 포화 결합, 환형 구조에서 하나 이상의 불포화 결합을 포함할 수 있고, 방향족 고리 또는 이의 혼합물일 수 있다. 환형 부분의 예로는 이미다졸, N-피롤리돈, 카프로락탐, N-모르폴린, 피페리딘, 아지리딘 및 트리아진이 있다. 구조식 (2)의 단위의 추가 예로는
Figure pct00005
가 있다.
중합체의 일 구체예에서, 중합체는 상기와 같은 구조식 (1)의 하나 이상의 단량체 단위, 경우에 따라 상기와 같은 구조식 (2)의 단량체 단위, 및 하기 구조식 (3)의 제3 단량체 단위를 포함할 수 있다:
상기 식에서,
R9는 H 또는 C1 내지 C6 알킬이고 B는 C1 내지 C6 알킬렌이다. B는 분지형 또는 선형 C1 내지 C6 알킬렌일 수 있다. B 기는 에틸렌, 프로필렌 또는 부틸렌일 수 있고, R9는 수소 또는 메틸일 수 있다. 구조식 (3)의 단위를 제공하는 단량체의 일례로는 히드록시에틸메타크릴레이트가 있다.
구조식 (1)의 단량체 단위를 제공하는 단량체는 다른 비닐 단량체, 예컨대 비제한적 예로서 구조식 (2) 및 (3)의 단위에 의해 예시된 단량체 및 또한 N-비닐 피롤리돈, 아크릴산, 비닐 알콜, 메타크릴산, N-비닐이미디졸, 아크릴아미드, 알릴아민, 비닐 트리아진, 2-비닐-4,6-디아미노-1 ,3,5-트리아진, 디알릴아민, 비닐아민; N-아크릴로일모르폴린, 피페리디닐 메타크릴레이트; 및 이작용성 단량체, 예컨대 에틸렌글리콜디아크릴레이트, 및 에틸렌글리콜디메타크릴레이트에 의해 예시된 단량체와 공중합될 수 있다. 중합체는 여러 개의 단량체 단위의 혼합물을 포함할 수 있다.
중합체의 일 구체예에서, 중합체는 펜던트 아크릴레이트 기 및/또는 아미드 기를 포함하지 않는다. 중합체는 본 발명의 중합체의 합성에서 단량체, 예컨대 (메트)아크릴아미드를 사용하지 않는다. 조성물의 일 구체예에서, 조성물은 1) 구조식 (1)을 포함하고 임의의 아미드 기를 포함하지 않는 중합체, 예컨대 (메트)아크릴아미드로부터 유도된 단량체 단위, 2) 경우에 따라 계면활성제, 및 3) 물을 함유한다.
수용성 중합체의 일 구체예에서, 중합체는 2-디메틸아미노에틸 메타크릴레이트 중 하나 이상, 및 아크릴로일 모르폴린 중 하나 이상, N-비닐 카프로락탐, 및 N 비닐 피롤리돈의 혼합물로부터 중합된다. 또다른 구체예에서, 알킬아미노 기를 함유하는 공중합체는 폴리(2-디메틸아미노에틸 메타크릴레이트-코-비닐 아민), 폴리(2-디메틸아미노에틸 메타크릴레이트-코-알릴 아민), 폴리(2-디메틸아미노에틸 메타크릴레이트-코-디알릴 아민), 폴리(2-디메틸아미노에틸 메타크릴레이트-코-아크릴로일 모르폴린), 폴리(2-디메틸아미노에틸 메타크릴레이트-코-N-비닐 카프로락탐) 및 폴리(2-디메틸아미노에틸 메타크릴레이트-코-피페리디닐 메타크릴레이트)에 의해 예시된다.
일 구체예에서 알킬아미노 기를 포함하는 중합체는 임의의 방향족 부분 또는 흡수 발색단, 예컨대 페닐 부분을 함유하는 기를 포함하지 않는다. 중합체 또는 조성물은 수축 층의 아래의 층에 코팅된 포토레지스트를 이미지화하는데 사용되는 방사선을 흡수하지 않는다. 조성물은 조성물이 포토이미지 형성가능(photoimageable)하지 않도록 광산 발생제를 포함하지 않을 수 있다.
수용성 중합체는 임의의 중합 기술에 의해 제조될 수 있다. 벌크 또는 용액 중합이 사용될 수 있다. 통상, 비닐 단량체는 중합 개시제, 예컨대 아조 또는 퍼옥시드 개시제를 사용하여 중합된다. 퍼옥시드 개시제의 예로는 아세틸 퍼옥시드, 벤조일 퍼옥시드, 라우릴 퍼옥시드, 쿠멘히드로퍼옥시드 등이 있다. 아조 개시제의 예로는 아조비스이소부티로니트릴(AIBN), 2,2'-디아미디노-2,2'-아조디프로판 디히드로클로라이드, 2,2'-아조비스[2-(2-이미다졸린-2-일)프로판]디히드로클로라이드, 2,2'-아조비스(2-아미디노 프로판)디히드로클로라이드, 2,2'-아조비스[2-(2-이미다졸린-2-일)프로판]디히드로클로라이드가 있고 퍼설페이트의 예로는, 예를 들어 암모늄 퍼설페이트 및 칼륨 퍼설페이트가 있다. 중합은 용매(예를 들어, 아세토니트릴, 메탄올, 에탄올, 이소프로판올, 2-부탄온 및 물이 있고, 바람직하게는 일부 반응의 경우에, 이소프로판올이 사용됨)의 존재 하에서 수행될 수 있다. 반응은 적당량의 시간 동안 그리고 적당한 온도에서 수행될 수 있다. 반응 시간은 약 3시간∼약 18시간의 범위일 수 있다. 반응 온도는 약 40℃∼약 80℃의 범위일 수 있다. 수축 코팅 물질을 위한 중합체의 중량 평균 분자량은 대략 3,000∼100,000, 바람직하게는 Mw 5,000∼100,000, 더욱 바람직하게는 10,000∼50,000의 범위일 수 있지만, 적절한 분자량을 갖는 임의의 중합체가 사용될 수 있다.
본 발명의 조성물의 공중합체에서, 구조식 (1)의 단위는 약 20 몰%∼약 80 몰%의 범위일 수 있고; 중합체에 사용되는 경우 구조식 (2)의 단위는 약 30 몰%∼약 80 몰%의 범위일 수 있고; 중합체에 사용되는 경우 구조식 (3)의 단위는 약 20 몰%∼약 60 몰%의 범위일 수 있다. 공중합체는 또한 약 20 몰%∼약 60 몰%의 범위 내에서 구조식 (1)의 단위 및 약 40 몰%∼약 80 몰%의 범위 내에서 구조식 (2)의 단위를 포함할 수도 있다. 공중합체는 또한 약 20 몰%∼약 60 몰%의 범위 내에서 구조식 (1)의 단위 및 약 40 몰%∼약 60 몰%의 범위 내에서 구조식 (3)의 단위를 포함할 수도 있다.
본 발명의 수축 코팅 물질 조성물은 디알킬아미노(-N(R4)R5) 기 및 물을 함유하는 신규한 수용성 중합체를 포함하고, 여기서 중합체 농도는 중합체의 물리적 매개변수 및 중합체의 상이한 화학적 조성물에 따라 조성물의 약 1 중량%∼약 20 중량%, 바람직하게는 2∼10 중량%, 더욱 바람직하게는 2∼6 중량%의 범위이다. 수혼화성인 첨가제 및/또는 다른 용매는 조성물, 예컨대 가교결합제, 수용성 계면활성제, 알콜, 아미노알콜, 아민, 계면활성제, 열산 발생제(thermal acid generator), 유리산, 광산 발생제, 및 알킬아민 또는 아미도 기를 함유하는 것 이외의 수용성 중합체에 첨가될 수 있다. 수축 물질의 제형에서, 균일한 코팅을 얻기 위해 수혼화성 용매를 사용할 수 있다. 사용된 수혼화성 유기 용매는 (C1-C8)알콜, 예컨대 메틸 알콜, 에틸 알콜, 이소프로필 알콜, 디올(예, 글리콜) 및 트리올(예, 글리세롤); 케톤, 예컨대 아세톤, 메틸 에틸 케톤, 2-헵탄온, 시클로헥산온; 에스테르, 예컨대 메틸 아세테이트 및 에틸 아세테이트; 락테이트, 예컨대 메틸 락테이트 및 에틸 락테이트, 락톤, 예컨대 감마-부티로락톤; 아미드, 예컨대 N,N-디메틸 아세트아미드; 에틸렌 글리콜 모노알킬 에테르, 예컨대 에틸렌 글리콜 모노메틸 에테르, 및 에틸렌 글리콜 모노에틸 에테르; 에틸렌 글리콜 모노알킬 에테르 아세테이트, 예컨대 에틸렌 글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트, 에틸렌 글리콜 모노에틸 에테르 아세테이트; 다른 용매, 예컨대 N-메틸 피롤리돈, 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르, 프로필렌 글리콜 모노에틸 에테르, 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트, 프로필렌 글리콜 모노에틸 에테르 아세테이트에 의해 예시된다. 용매, 예컨대 (C1-C8)알콜, 구체적으로는, 이소프로판올, 메틸 알콜, 에틸 알콜이 첨가될 수 있다. 용매는 총 조성물의 약 30 중량% 이하 또는 20 중량% 이하에서 조성물에 첨가될 수 있다.
중합체 및 물을 포함하는 수축 물질 조성물에 첨가된 일부 첨가제는 아미노알콜, 예컨대 모노에탄올아민, 디에탄올아민, 트리에탄올아민, 2-(2-아미노에톡시)에탄올, N,N-디메틸에탄올아민, N,N-디에탄올아민, N-메틸디에탄올아민; 아민, 예컨대 모노이소프로필아민, 디이소프로필아민 및 트리이소프로필아민, 폴리알킬렌폴리아민, 2-에틸헥실아민, 디옥틸아민, 트리프로필아민, 트리부틸아민, 트리알릴아민; 및 환형 아민, 예컨대 피페라진, 피페리딘, 1,4-디아자바이시클로[2.2.2]옥탄, N-메틸피페라진 및 히드록시에틸피페라진에 의해 예시될 수 있다. 가교결합제, 예컨대 임의의 공지된 가교결합제는 첨가제, 예컨대 글리콜우릴, 멜라민, 우레아/포름알데히드 중합체 등으로서 사용될 수 있다. 일 구체예에서, 코팅 조성물은 가교결합제, 특히 멜라민계 및 우레아계 가교결합제를 함유하지 않는다. 탑 코트의 중합체와 포토레지스트 중합체 사이의 반응에는 가교결합제가 필요하지 않은데, 그 이유는, 이론에 한정하고자 하는 것은 아니지만, 본 발명이 본 발명의 신규한 중합체에 의해 포토레지스트 중합체에서 작용성의 염기 유도 반응을 수반하기 때문인 것으로 여겨지고 있다. 따라서, 일 구체예에서, 수축 물질 조성물은 가교결합제를 포함하지 않는다. 계면활성제는, 필요한 경우, 수축 조성물에 첨가되어 보다 우수한 필름 형성 특성을 이룰 수 있다. 계면활성제의 예로는 양이온성 화합물, 음이온성 화합물 및 비이온성 중합체가 있다. 계면활성제의 예로는 Air Products Corp.에 의해 판매되는 아세틸렌 알콜인 Surfynols®가 있다. 나머지는 아세틸렌 글리콜, 폴리에톡시화된 아세틸렌 알콜 및 폴리에톡시화된 아세틸렌 글리콜일 수 있다. 다른 수용성 중합체는 조성물, 예컨대 폴리비닐 알콜, 부분적으로 아세탈 캡핑된 폴리비닐 알콜, 폴리알릴아민, 폴리아크릴산, 폴리메타크릴산, 폴리(비닐피롤리돈-코-비닐 알콜), 폴리(비닐피롤리돈-코-비닐 멜라민) 등에 첨가될 수 있다. 그러한 중합체는 고체의 30 중량% 이하에서 첨가될 수 있다. 유리산, 예컨대 p-톨루엔설폰산, 퍼플루오로부탄설폰산, 퍼플루오로옥탄설폰산, (±) 캄포르설폰산 및 도데실벤젠설폰산이 조성물에 첨가될 수 있다.
수용성인, 임의의 공지된 열산 발생제 및 광산 발생제는 신규한 조성물에 단독으로 또는 혼합물로서 첨가될 수 있다. 산 발생 감광성 화합물의 적당한 예로는, 비제한적 예로서, 이온성 광산 발생제(PAG), 예컨대 디아조늄 염, 요오드늄 염, 설포늄 염이 포함된다. 본 발명에 사용되는 열산 발생제(TAG)는 가열 하에 본 발명에 존재하는 산 분해가능한(cleavable) 결합을 분해시킬 수 있는 산, 특히 강산, 예컨대 설폰산을 발생시키는 임의의 것일 수 있다. 바람직하게는, 열산 발생제는 90℃, 더욱 바람직하게는 120℃ 이상, 더욱 더 바람직하게는 150℃ 이상에서 활성화된다. 포토레지스트 필름은 코팅과 반응하기에 충분한 시간 동안 가열된다. 유리산, 광산 발생제 및/또는 열산 발생제는 전체 조성물의 약 0.1∼약 10 고체중량%, 바람직하게는 0.3∼5 고체중량%, 더욱 바람직하게는 0.5∼2.5 고체중량%의 범위 내에서 혼입될 수 있다.
신규한 조성물의 일 구체예에서, 조성물 및/또는 중합체는 아미드를 포함하지 않는다. 본 발명의 또다른 구체예에서, 조성물은 아미드 및 첨가제를 포함하지 않는데, 즉 조성물은 본 발명의 중합체 및 수성 용매 조성물을 함유한다. 구조식 (1)을 포함하는 중합체는 가교결합성을 갖고 추가의 가교결합제를 필요로 하지 않는다.
신규한 조성물의 또다른 구체예에서, 조성물에서 중합체는 카르복실산 기를 포함하지 않는다. 조성물은 또한 카르복실산, 아미도 기 및 첨가제도 포함하지 않을 수 있는데, 즉 조성물은 물을 포함한 용매 조성물 및 중합체를 함유한다. 구조식 (1)을 포함하는 중합체는 가교결합성을 갖고 가교결합제를 필요로 하지 않는다.
포토레지스트의 이미지화된 패턴은 당업자에게 잘 공지된 공정에 따라 기판 상에 형성된다. 포토레지스트는 반도체 업계에서 사용되는 임의의 유형일 수 있다. 포토레지스트 조성물에는 네가티브 작용(negative-working) 및 포지티브 작용(positive-working)의 두가지 유형이 있다. 네가티브 작용 포토레지스트 조성물을 이미지 방식으로 방사선에 노광시키는 경우, 방사선에 노광된 레지스트 조성물 부분은 현상액에 대한 용해성이 극히 낮아지는 반면, 포토레지스트 코팅의 비노광 부분은 그러한 용액에 대해 비교적 용해성을 갖는다. 따라서, 노광된 네가티브 작용 레지스트를 현상제로 처리하면 포토레지스트 코팅의 비노광 부분이 제거되고 코팅에 네가티브 이미지이 생성된다. 이에 따라 포토레지스트 조성물이 증착되는 이면의 기판 표면의 원하는 부분이 노출된다.
한편, 포지티브 작용 포토레지스트 조성물을 이미지 방식으로 방사선에 노광시킬 경우 방사선에 노광된 포토레지스트 조성물 부분은 현상액에 대한 용해성이 더욱 높아지는 반면, 노광되지 않은 부분은 현상액에 대해 비교적 불용성을 유지하게 된다. 따라서, 노광된 포지티브 작용 포토레지스트를 현상제로 처리하면 코팅의 노광 부분이 제거되고 포토레지스트 코팅에 포지티브 이미지가 생성된다. 마찬가지로, 이면 표면의 원하는 부분이 노출된다.
포토레지스트 해상도는 포토레지스트 조성물이 노광 및 현상 후 포토마스크로부터 고도의 이미지 에지 선명도를 갖는 기판으로 전사될 수 있는 가장 작은 피쳐로서 정의된다. 또한, 현상된 포토레지스트 벽 프로파일은 기판에 대하여 거의 수직인 것이 거의 항상 바람직하다. 포토레지스트 코팅의 현상 및 비현상 부분 사이의 경계는 기판 상에 마스크 이미지의 정확한 패턴 전사로 옮겨진다. 이는 소형화로의 압박이 소자 상의 임계 치수를 감소시키기 때문에 더욱 더 중요하게 된다.
일반적으로, 포토레지스트는 중합체 및 감광성 화합물을 포함한다. 포토레지스트 시스템의 예로는, 비제한적 예로서, 노볼락/디아조나프토퀴논, 폴리히드록시스티렌/오늄 염, 캡핑된 폴리히드록시스티렌/오늄 염, 지환족 중합체/오늄 염, 지환족 아크릴레이트 중합체/오늄 염 및 플루오로중합체/오늄 염 등이 있다. 이러한 포토레지스트는 436 nm 내지 13 nm 범위의 파장에서 사용하는 것으로 잘 공지되어 있다. 이미지를 형성시킬 수 있는 임의 유형의 포토레지스트가 사용될 수 있다. 일반적으로, 기판 상에 포토레지스트를 코팅하고, 이 포토레지스트 코팅을 소성시켜 실질적으로 모든 코팅 용매를 소성시킨다. 그리고나서 코팅을 적절한 광의 파장에 의해 노광시키고, 적당한 현상제에 의해 현상한다.
적당한 소자 기판으로는, 비제한적 예로서, 규소, 금속 표면으로 코팅된 규소 기판, 구리 코팅된 실리콘계 웨이퍼, 구리, 알루미늄, 중합체 수지, 이산화규소, 금속, 도핑된 이산화규소, 질화규소, 탄화규소, 탄탈, 폴리실리콘, 세라믹, 알루미늄/구리 혼합물, 유리, 코팅된 유리; 비화갈륨 및 기타 그러한 III족/V족 화합물이 포함된다. 기판은 상기 기술된 물질로부터 제조된 임의의 갯수의 층을 포함할 수 있다. 일반적으로, 소자 기판 상에는 반사 방지 코팅의 하나 이상의 층이 코팅되고 반사 방지 코팅(들) 상에는 포토레지스트가 코팅된다.
포토레지스트 층은 기판 상에 포토레지스트 조성물을 코팅함으로써 형성된다. 원자외선 방사선, 통상 248 nm, 193 nm 및 157 nm에 대해 감광성이 있는 포토레지스트가 바람직하다. 포토레지스트는 마스크를 통해 이미지화되고 경우에 따라 소성된다. 그리고나서 포토레지스트는 통상 수성 알칼리 현상제, 예컨대 수산화테트라메틸암모늄 용액에 의해 현상된다. 당업계에는 포토레지스트의 이미지화 공정이 공지되어 있다.
일단 포토레지스트 패턴이 기판 상에 규정되면, 본 발명의 신규한 수축 물질을 포토레지스트 패턴에 의해 기판 상에 코팅시키고 포토레지스트의 표면과 반응시켜 수성 제거 용액에 불용성인 계면 층을 형성시킨다. 세척 용액은 반응하지 않은 수축 물질을 제거하여 계면 층을 형성시킬 수 있다. 계면 층은 적당한 온도에서 적당한 시간 동안 수축 물질 코팅된 포토레지스트 패턴을 가열함으로써 형성된다. 계면 층은 포토레지스트 패턴의 폭을 증가시킨다. 따라서, 2개의 인접한 포토레지스트 피쳐 사이의 공간은 계면 층의 형성 후 보다 작아지게 되고, 이러한 더 좁은 공간은 포토레지스트 단독의 피쳐보다 더 작인 피쳐를 규정하는데 사용될 수 있다. 도 1에는 수축 조성물을 사용하는 공정이 예시되어 있다.
본 발명의 신규한 수축 물질은 패턴화된 포토레지스트 상에 코팅되고 포토레지스트와 반응한다. 반응된 수축 계면 층의 두께는 약 10 nm∼약 500 nm, 바람직하게는 10 nm∼100 nm, 더욱 바람직하게는 10 nm∼60 nm의 범위일 수 있다. 수축 코팅 물질과 포토레지스트 사이의 반응은 통상 가열 단계 동안 발생한다. 포토레지스트 개구부 또는 홀(hole)의 수축은 포토레지스트 개구부의 백분율 감소로서 계산될 수 있는데, 즉 수축률% =(원래의 포토레지스트 개구부 치수 - 반응된 계면 층에 의한 개구부의 치수)x100/ 원래의 포토레지스트 개구부 치수이다. 개구부는 2개의 인접한 포토레지스트 벽 사이의 공간이다. 포토레지스트 패턴에서는 개구부가 트랜치(trench) 또는 홀일 수 있다. 수축률%은 약 10%∼약 60% 또는 약 10%∼약 45% 또는 약 10%∼약 35%의 범위일 수 있다. 기판을 30초∼180초 동안 열판 상에서 8O℃∼200℃, 바람직하게는 9O℃∼190℃, 더욱 바람직하게는 100℃∼180℃로 가열하여 수축 층을 반응시키고 포토레지스트 상에 계면 층을 형성시킬 수 있다.
계면 층을 형성시키기 위해 포토레지스트와 반응하지 않은 수축 물질의 잔여 부분은 제거 용액을 사용하여 제거된다. 제거 용액은 물일 수 있거나 계면활성제의 수성 용액을 포함하고, 이는 알칼리 및/또는 수혼화성 용매를 추가로 포함할 수 있다. 알칼리의 예로는 수산화테트라메틸암모늄, 수산화테트라에틸 암모늄, 콜린 또는 이들의 혼합물이 있다. 또한 앞서 기술된 바와 같이 수혼화성 용매로는, 예컨대 저급 지방족 알콜, 예컨대 에탄올 또는 이소프로판올; 다작용성 알콜, 예컨대 에틸렌 글리콜, 프로필렌 글리콜, 글리세롤, 또는 이의 모노메틸 에테르, 특히 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르(PGME)가 있다. 수용성 비이온성 계면활성제 및 음이온성 계면활성제는 우수한 리소그래피 결과를 제공하는 것으로 밝혀졌다. 비이온성 계면활성제의 예로는 알킬, 플루오로알킬 또는 방향족 기에 의해 말단화되는 산화에틸렌/산화프로필렌 중합체가 있다. 음이온성 계면활성제는 또한 뛰어난 리소그래피 성능을 형성하고, 그러한 계면활성제의 예로는 보다 긴 장쇄 알칸산의 염, 예컨대 라우레이트, 스테아레이트, 또는 헵타노에이트, 알킬 또는 아르알킬 설폰산의 염, 예컨대 라우릴설폰산, 또는 설폰산 아미드의 다양하게 치환된 염, 또는 상기 부류의 화합물의 일부 또는 전부 플루오르화된 유도체가 있다. 암모늄, 테트라메틸 암모늄, 테트라에틸 암모늄, 또는 다른 알킬 암모늄 이온은 유용한 짝이온이다. 제거 용액의 실제 조성물은 수축 물질, 바람직한 리소그래피 성능, 물질의 상용성, 생산 규격 등과 같은 요인들에 따라 달라진다.
제거 용액은 당업계에 공지된 방식으로 기판의 표면 상에 적용된다. 퍼들(puddle) 현상, 침지 현상, 분사 현상 또는 이러한 기술의 임의의 혼합은 기판으로부터 화학 조성물을 제거하는데 사용될 수 있다. 제거 공정의 시간 및 온도는 가장 우수한 리소그래피 특성을 형성하도록 달라지게 된다. 바람직한 리소그래피 특성은, 예를 들면 (a) 미반응된 수축 물질의 제거 후 기판의 청결(cleanliness)(즉, 기판은 불용성 침전물, 스트링거(stringer), 브리지(bridge) 등을 포함하지 않음), (b) 수직 벽 각도, 및 (c) 평활 표면이다.
최근 해상도 목표에서, 포토레지스트 상에 계면 층에 의해 얻어지는 포토레지스트 피쳐의 공간 감소는 약 10 nm∼약 60 nm, 바람직하게는 약 20 nm∼약 50 nm을 얻는 것이 바람직하다. 정확한 공간 폭의 감소 요건은 제조된 마이크로전자 소자의 유형에 따라 상당히 달라진다.
일단 원하는 좁은 공간이 상기 기술된 공정에 정의된 바와 같이 형성되면, 소자는 요구된 바와 같이 추가로 처리될 수 있다. 공간 내에 금속이 침전될 수 있고, 기판이 에칭될 수 있고, 포토레지스트가 평탄화될 수도 있다.
달리 제시하지 않는 한, 명세서 및 청구범위에 사용된 성분의 양, 특성을 표시하는 모든 수치, 예컨대 분자량, 반응 조건 등은 모든 예에서 용어 "약"으로서 변형된다는 것을 이해할 것이다. 상기 지칭된 문헌들 각각은 일반적으로 그 전문이 본원에 참고 인용된다. 하기 특정한 실시예는 본 발명의 조성물을 제조하고 사용하는 방법을 상세하게 예시한 것을 제공할 것이다. 하지만, 그러한 실시예들은 어떠한 방식으로도 본 발명의 범위를 한정하거나 제한하고자 하는 것이 아니며 본 발명을 실시하기 위해 전적으로 사용되어야 하는 제공 조건, 매개변수 또는 값으로서 이해되서는 안된다.
겔 투과 크로마토그래프 상에서 중합체의 분자량을 측정하였다.
결함 검사 도구인, KLA Tencor Co.(미국 캘리포니아 산 호세 소재)에 의해 제조된 KLA2360(픽셀 크기 0.25 ㎛)을 사용하여 현상 후 노광 및 비노광 부분에서 결함을 측정하였다.
실시예 1 : 폴리(N,N- 디메틸아미노에틸아크릴레이트 -코-N- 비닐피롤리돈 )의 합성
Figure pct00007
N,N-디메틸아미노에틸아크릴레이트(DMAEA)(25.70 g, 0.1795 몰), N-비닐피롤리돈(NVP)(19.95 g, 0.1795 몰), 6.85 g의 개시제, 아조-비스이소부티로니트릴(AIBN) 및 97.50 g의 아세토니트릴의 혼합물을 물 콘덴서 및 질소 유입구가 구비된 500 ㎖ 둥근 바닥 플라스크에 첨가하였다. 개시제 농도는 단량체의 총 중량에 비례하여 15 중량%이다. 아세토니트릴 대신에 이소프로필알콜(IPA), 2-부탄온 및 메탄올과 같은 다른 용매가 또한 사용될 수 있다. 실온에서 30분 동안 교반하면서 용액 내에 질소 기체를 퍼지시켰다. 질소 퍼지 이후, 반응 용액을 65℃로 가열하였다. 중합 반응을 6시간 동안 수행하였다. 중합을 완료시킨 후, 중합체 용액을 30℃로 냉각시키고 회전식 증발기를 사용하여 이 용액을 농축시켰다. 농축된 용액을 디에틸 에테르 중에 침전시켰다. 다른 용매, 예컨대 디이소프로필 에테르 및 tert-부틸메틸 에테르도 또한 사용될 수 있다. 사용된 침전 용매의 양은 반응물 초기 부피의 7배였다. 최종 공중합체는 40℃에서 진공 건조되고 그 수율은 70%였다. 공중합체(표 1에서 중합체 3)는 NMR, GPC 및 리소그래피 분석에 의해 특성화되었다. 중합체의 중량 평균 분자량은 24,832(Mw)였고 다분산도는 4.0이었다.
상기 절차는, 표 1에 요약된 상이한 중합체(중합체 1∼6)에 대해 표 1에 제시된 바와 같이, 다양한 단량체의 몰%, N-비닐피롤리돈(20∼80%), N,N-디메틸아미노에틸아크릴레이트(20∼80%)로 반복되었다. 중합체의 분자량(Mw)은 15,000∼27,000의 범위 내였고 이의 다분산도는 2.0∼5.0의 범위 내였다.
중합체 3에 대한 13C NMR (CD3OD) 데이타: δ 177.5 ppm(>C=O, NVP) ; δ 175.8 ppm(>C=O, DMAEA); δ62.9 ppm (O-CH2, DMAEA); δ58.3 ppm (>N-CH2, DMAEA); δ 45.9 ppm (-N-CH3, DMAEA); δ 45.6 ppm (-N-CH2, NVP); δ 42.0-34.0 ppm (NVP & DMAEA의 주쇄 -CH, CH2, 중첩됨);δ 32.2 ppm (O=C-CH2,NVP); δ 19.0 ppm (-N-CH2-CH2-, NVP).
ArF 포토레지스트, AZ®AX2050P 상에서 폴리(DMAEA-코-NVP)의 리소그래피 평가: 180 nm 핏치에 의한 90 nm C/ H를 위한 혼합 소성 온도 변경.
버텀 반사 방지 코팅 물질(B.A.R.C)인 AZ® ArF-1C5D(AZ® EM USA Corp(미국 뉴저지주 소머빌 마이스터 에비뉴 70 소재)에 의해 제조됨)를 규소 기판 상에 스핀 코팅하고 60초 동안 200℃에서 소성시켜 0.037 ㎛ 두께의 반사 방지 코팅 층을 제조하였다. 그리고나서 AZ® AX2050P 포토레지스트 용액(AZ EM USA Corp(미국 뉴저지주 소머빌 마이스터 에비뉴 70 소재)에 의해 제조된 193 nm 포토레지스트)을 버텀 반사 방지 코팅된 (B.A.R.C) 규소 기판 상에 스핀 코팅하였다. 포토레지스트 필름을 60초 동안 110℃에서 소성시켜 0.15 ㎛의 두께를 형성하였다. 그리고나서 6% 감쇠형(attenuated) 상 이동 마스크를 사용하여 포토레지스트 필름을 193 nm 스캐너(개구수 0.78 및 간섭성(coherence) 0.9) 상에 노광시켰다. 노광시킨 후, 웨이퍼를 60초 동안 110℃에서 노광후 소성시키고 AZ®626 MIF Developer(AZ EM USA Corp(미국 뉴저지주 소머빌 마이스터 에비뉴 70 소재)에 의해 제조됨)를 사용하여 60초 동안 현상하여 180 nm 핏치(핏치는 제1 홀의 출발점에서 제2 홀의 출발점까지의 거리임)에 의해 90 nm의 직경을 갖는 컨택홀(C/H) 패턴을 형성시켰다. 그리고나서 주사 전자 현미경 상에서 포토레지스트 패턴을 관찰하고 컨택홀 직경을 측정하였다.
2.0 g의 폴리(N,N-디메틸아미노에틸아크릴레이트-코-N-비닐피롤리돈(표 1로부터의 중합체 4)과 0.2878 g의 계면활성제 S-485(Air Products & Chemicals, Inc.(미국 펜실베니아주 앨런타운)에 의해 제조된 Surfynol® 계면활성제)의 혼합물을 48.7194 g의 탈이온(deionized) 수 중에 용해시켜 수축 물질 조성물을 제조하였다. 0.2 ㎛ 필터를 사용하여 용액을 여과시켰다. 제형 내 총 고체 함량은 4%였다.
상기 기술된 수축 물질 조성물 또는 RELACS 물질(Resolution Enhancement Lithography Assisted by Chemical Shrink 물질)을 앞서 포토레지스트 패턴화된 기판 상에 도포하였고 RELACS 또는 수축 필름의 두께는 100 nm였다. 기판은 열판 상에서 60초 동안 150℃에서 열 처리(즉, 혼합 소성)되었다. 후속으로, 미반응된 수축 물질은 60초 동안 탈이온수 퍼들을 사용하여 제거되었고 30초 동안 세척되었다. 첨가제를 포함하지 않고 포토레지스트와 RELACS 층 사이의 계면에서 가교결합 반응을 촉진하기 위해, 60초 동안 120℃∼160℃의 다양한 여러 가지의 혼합 소성 온도를 이용하여 상이한 실험을 실시하였고, 그 이후에 중합체는 자가 가교결합성을 가졌다. 수축은 RELACS(수축) 공정 이전에 그리고 이후에 컨택홀 직경(C/H) 또는 트랜치의 임계 치수(CD) 차이의 척도이다. 수축 또는 수축 계면 층이 두꺼워 질수록 포토레지스트 피쳐의 수축이 커지게 되고, 보다 큰 수축은 더욱 바람직한 것이다. 수축은 CD-SEM(주사 전자 검경)을 사용하여 측정되었다. 포토레지스트/RELACS 패턴에서 홀의 직경은 포토레지스트 패턴에서 이의 초기 홀의 직경에서 24.4 nm 이하로 감소되었다. 본 발명자들은 소성 온도가 120℃∼160℃로 다양한 경우에 수축(12 nm∼25 nm)의 변화가 존재하는 것을 발견하였다. 상기 제시된 리소그래피 실시예는 중합체 1∼6에 대해 수행되었고 상세한 사항은 하기 표 1에 요약되어 있다. 혼합 온도를 증가시키는 것은 홀의 수축을 증가시켰다.
Figure pct00008
실시예 2: 폴리(N,N- 디메틸아미노에틸아크릴레이트 -코- 아크릴로일모르폴린 )의 합성
Figure pct00009
N,N-디메틸아미노에틸아크릴레이트(30.69 g, 0.2144 몰), 아크릴로일모르폴린(AMOR)(45.39 g, 0.3215 몰), 11.41 g의 개시제, 아조-비스이소부티로니트릴(AIBN) 및 162.5 g의 아세토니트릴의 혼합물을 500 ㎖ 둥근 바닥 플라스크에 첨가하였다. 질소 퍼지 이후, 반응 용액을 70℃로 가열하였다. 중합 반응을 6시간 동안 수행하였다. 농축된 용액을 디이소프로필에테르 중에 침전시켰다. 사용된 침전 용매의 양은 반응물 초기 부피의 8배였다. 최종 공중합체(중합체 9)는 40℃에서 진공 건조되고 그 수율은 75%였다. 공중합체는 NMR, GPC 및 리소그래피 분석에 의해 특성화되었다. 중합체의 중량 평균 분자량은 19,340(Mw)였고 다분산도는 4.0이었다.
합성은, 표 3에 요약된 상이한 중합체(중합체 7∼11)에 대해 단량체의 몰%, 디메틸아미노에틸아크릴레이트(20∼60%), 아크릴로일모르폴린(40∼80%)을 변경시키면서 반복되었다. 중합체의 분자량(Mw)은 15,000∼33,000의 범위 내였고 이의 다분산도는 2.0∼5.0의 범위 내였다.
중합체 9에 대한 13C NMR (CD3OD): δ 174.2 ppm(>C=O, AMOR) ; δ 176.3 ppm(>C=O, DMAEA); δ61.9 ppm (O-CH2, DMAEA); δ58.4 ppm (0-CH2-CH2-, DMAEA); δ 45.9 ppm (-N-<(>CH3, DMAEA); δ 48.1 ppm (-N-CH2-CH2-O, AMOR); δ 40.0-34.0 ppm (AMOR & DMAEA의 주쇄 -CH, CH2, 중첩됨);δ 43.5 ppm (-N-CH2-CH2-O, AMOR).
리소그래피 평가는 실시예 1에 제시된 중합체 7∼11에 대해 수행되었고, 상세한 사항은 하기 표 2에 요약되어 있다. 혼합 온도를 증가시키는 것은 홀의 수축을 증가시켰다.
Figure pct00010
실시예 3 : 폴리 ( 아크릴로일모르폴린 -코-N,N- 디메틸아미노에틸아크릴레이트 -코-비닐카프로락탐)의 합성
Figure pct00011
아크릴로일모르폴린(22.81 g, 0.1615 몰), N,N-디메틸아미노에틸아크릴레이트(29.30 g, 0.2046 몰), 비닐카프로락탐(VCL)(23.98 g, 0.1723 몰), 11.41 g의 개시제, 아조-비스이소부티로니트릴(AIBN) 및 162.50 g의 아세토니트릴의 혼합물을 500 ㎖ 둥근 바닥 플라스크에 첨가하였다. 실험 장치, 반응 조건 및 반응 이후 단리 공정은 실시예 2에서와 동일하였다. 최종 공중합체(중합체 22a)는 40℃에서 진공 건조되었고 수율은 78%였다. 공중합체는 NMR, GPC 및 리소그래피 분석에 의해 특성화되었다. 중합체의 중량 평균 분자량은 64,401(Mw)였고 다분산도는 6.0이었다.
상이한 중합체(중합체 12∼22d)에 대한 단량체의 몰%, 디메틸아미노에틸아크릴레이트(10∼60%), 아크릴로일모르폴린(30∼80%), 비닐카프로락탐(10%∼60%)은 하기 표 3에 요약되어 있다. 중합체의 분자량(Mw)은 16,000∼65,000의 범위 내였고 이의 다분산도는 2.0∼6.0의 범위 내였다.
중합체 22a에 대한 13C NMR (CD3OD): δ 178.8 ppm(>C=O, VCL) ; δ 174.4 ppm(>C=O, AMOR); 176.6 ppm(>C=O, DMAEA); δ62.5 ppm (0-CH2-CH2-N, DMAEA); δ58.3 ppm (0-CH2-CH2-N, DMAEA); δ 68.3 ppm (-N-CH2, VCL); δ 46.2 ppm (-N-CH3, DMAEA); δ 48.1 ppm (-N-CH2-CH2-O, AMOR); δ 43.8 ppm (-N-CH2-CH2-O, AMOR); δ 40.0-34.0 ppm (AMOR, VCL & DMAEA의 주쇄 -CH, CH2, 중첩됨);δ 31.1 ppm (O=C-CH2-, VCL); δ 24.3 ppm (-N-CH2-CH2-CH2-CH2-, VCL).
리소그래피 평가는 실시예 1에 제시된 중합체 12∼22d에 대해 수행되었고, 상세한 사항은 하기 표 3에 요약되어 있다. 혼합 온도를 증가시키는 것은 홀의 수축을 증가시켰다.
Figure pct00012
실시예 4 : 폴리( 아크릴로일모르폴린 -코-N,N- 디메틸아미노에틸메타크릴레이트 -코- 비닐카프로락탐의 합성
Figure pct00013
아크릴로일모르폴린(40.17 g, 0.2845 몰), N,N-디메틸아미노에틸메타크릴레이트(19.05 g, 0.1212 몰), 비닐카프로락탐(16.87 g, 0.1212 몰), 11.41 g의 개시제, 아조-비스이소부티로니트릴(AIBN) 및 162.50 g의 아세토니트릴의 혼합물을 500 ㎖ 둥근 바닥 플라스크에 첨가하였다. 실험 장치, 반응 조건 및 반응 이후 단리 공정은 실시예 2에서와 동일하였다. 최종 공중합체(중합체 26)는 40℃에서 진공 건조되었고 수율은 73%였다. 공중합체는 NMR, GPC 및 리소그래피 분석에 의해 특성화되었다. 중합체의 중량 평균 분자량은 23,043(Mw)였고 다분산도는 3.0이었다.
상이한 중합체(중합체 23∼28)에 대한 단량체의 몰%, 디메틸아미노에틸아크릴레이트(23∼60%), 아크릴로일모르폴린(30∼54%), 비닐카프로락탐(10%∼60%)은 하기 표 4에 요약되어 있다. 중합체의 분자량(Mw)은 20,000∼40,000의 범위 내였고 이의 다분산도는 2.0∼7.0의 범위 내였다.
중합체 26에 대한 13C NMR (CD3OD): δ 178.5 ppm(>C=O, VCL) ; δ 174.0 ppm(>C=O, AMOR); 176.2 ppm(>C=O, DMAEA); δ62.3 ppm (0-CH2-CH2-N, DMAEA); δ58.6 ppm (0-CH2-CH2-N, DMAEA); δ 68.0 ppm (-N-CH2, VCL); δ 46.4 ppm (-N-CH3, DMAEA); δ 48.3 ppm (-N-CH2-CH2-O, AMOR); δ 43.6 ppm (-N-CH2-CH2-O, AMOR); δ 40.3-34.2 ppm (AMOR, VCL & DMAEA의 주쇄 -CH, CH2, 중첩됨);δ 31.5 ppm (O=C-CH2-, VCL); δ 24.1 ppm (-N-CH2-CH2-CH2-CH2-, VCL), δ 20.0 ppm (-CH3-, 주쇄, DMAEMA).
리소그래피 평가는 실시예 1에 제시된 중합체 23∼28에 대해 수행되었고, 상세한 사항은 하기 표 4에 요약되어 있다. 혼합 온도를 증가시키는 것은 홀의 수축을 증가시켰다.
Figure pct00014
실시예 5 : 폴리(N,N- 디메틸아미노에틸메타크릴레이트 -코- 비닐이미다졸 )의 합성
Figure pct00015
N,N-디메틸아미노에틸메타크릴레이트(55.09 g, 0.3847 몰), 비닐이미다졸(36.21 g, 0.3847 몰), 13.7 g의 개시제, 아조-비스이소부티로니트릴(AIBN) 및 195 g의 아세토니트릴의 혼합물을 500 ㎖ 둥근 바닥 플라스크에 첨가하였다. 질소 퍼지 이후, 반응 용액을 65℃로 가열하였다. 중합 반응을 7시간 동안 수행하였다. 실험 장치 및 단리 공정은 실시예 2에서와 동일하였다. 최종 공중합체(중합체 29)는 40℃에서 진공 건조되었고 수율은 75%였다. 공중합체는 NMR, GPC 및 리소그래피 분석에 의해 특성화되었다. 중합체의 중량 평균 분자량은 18,350(Mw)였고 다분산도는 2.2였다.
중합체 34에 대한 13C NMR (CD3OD): δ 175.4 ppm(>C=O, DMAEA); δ138.3 ppm (CH-N-CH-N-CH-, 이미다졸 기); δ130.3 ppm (CH-N-CH-N-CH-, 이미다졸 기); δ118.3 ppm (CH-N-CH-N-CH-, 이미다졸 기); δ62.7 ppm (O-CH2, DMAEA); δ58.5 ppm (>N-CH2, DMAEA); δ 45.7 ppm (-N-CH3, DMAEA); δ 42.0-34.0 ppm (VI & DMAEA의 주쇄 -CH, CH2, 중첩됨).
중합체 29를 사용한 제형은 실시예 4(1.8 g 중합체 및 58.9 g 물)에서와 동일하였다. 포토레지스트 및 RELACS 리소그래피 공정 조건은 실시예 1에서와 동일하였다. 중합체 29를 포함하고 임의의 첨가제를 포함하지 않는 조성물은 90 nm 1:1 컨택홀에 대하여 120℃의 혼합 온도에서 8.4 nm, 130℃의 혼합 온도에서 12.0 nm, 140℃의 혼합 온도에서 15.4 nm, 150℃의 혼합 온도에서 18.3 nm 및 160℃의 혼합 온도에서 19.9 nm의 홀 수축을 나타내었다.
실시예 6 : 폴리( 히드록시에틸메타크릴레이트 -코-N,N- 디메틸아미노에틸메타크릴 레이트)의 합성
Figure pct00016
히드록시에틸메타크릴레이트(36.23 g, 0.2784 몰), N,N-디메틸아미노에틸메타크릴레이트(39.86 g, 0.2784 몰), 11.41 g의 개시제, 아조-비스이소부티로니트릴(AIBN) 및 162.5 g의 이소프로필알콜(IPA)의 혼합물을 500 ㎖ 둥근 바닥 플라스크에 첨가하였다. 반응 용액을 디에틸 에테르 중에 침전시켰다. 실험 장치, 반응 조건 및 단리 공정은 실시예 6에서와 동일하였다. 최종 공중합체(중합체 30)는 40℃에서 진공 건조되었고 수율은 75%였다. 공중합체는 NMR, GPC 및 리소그래피 분석에 의해 특성화되었다. 중합체의 중량 평균 분자량은 16,248(Mw)였고 다분산도는 2.0이었다.
중합체 30의 13C NMR (CD3OD): δ 175.4 ppm(>C=O, DMAEA); δ 167.2 ppm(>C=O, HMEA); δ67.5 ppm (0-CH2, HEMA); δ60.6 ppm (HO-CH2, HEMA); δ62.5 ppm (O-CH2, DMAEA); δ58.2 ppm (>N-CH2, DMAEA); δ 45.8 ppm (-N-CH3, DMAEA); δ 42.0-34.0 ppm (VI & DMAEA의 주쇄 -CH, CH2, 중첩됨), δ 19.1 ppm (-CH3, 주쇄, HEMA).
중합체 30을 사용한 제형은 실시예 4(1.8 g 중합체 및 58.9 g 물)에서와 동일하였다. 포토레지스트 및 RELACS 리소그래피 공정 조건은 실시예 1에서와 동일하였다. 중합체 30을 포함하고 임의의 첨가제를 포함하지 않는 조성물은 90 nm 1:1 컨택홀에 대해 140℃의 혼합 온도에서 17.5 nm의 홀 수축을 나타내었다.
실시예 7a: KLA 에 의한 폴리(DMAEA-코-NVP/(40/60))의 결함 검사
반사 방지 코팅 물질인 AZ® ArF-1C5D(AZ EM USA Corp(미국 뉴저지주 소머빌 마이스터 에비뉴 70 소재)에 의해 제조됨)를 규소 기판 상에서 스핀 코팅하고 60초 동안 200℃에서 소성시켜 두께가 0.037 ㎛인 반사 방지 코팅을 제조하였다. 그리고나서 AZ® AX2050P 포토레지스트 용액(AZEM USA Corps(미국 뉴저지주 소머빌 마이스터 에비뉴 70 소재)에 의해 제조됨)을 버텀 반사방지 코팅된 (B.A.R.C) 규소 기판 상에 스핀 코팅하였다. 포토레지스트 필름을 60초 동안 110℃에서 소성하여 0.15 ㎛의 두께를 형성하였다. 그리고나서 6% 감쇠형 상 이동 마스크를 사용하여 포토레지스트 필름을 193 nm 스캐너(개구수 0.78 및 간섭성 0.9) 상에 노광시켰다. 노광시킨 후, 웨이퍼를 60초 동안 110℃에서 노광후 소성시키고 60초 동안 AZ®626 MIF Developer(AZ EM USA Corp(미국 뉴저지주 소머빌 마이스터 에비뉴 70 소재)에 의해 제조됨)를 사용하여 현상하여 180 nm 핏치에 의해 90 nm의 직경을 갖는 컨택홀 패턴을 형성시켰다. 그리고나서 주사 전자 현미경 상에서 포토레지스트 패턴을 관찰하였다.
중합체 4를 사용하여 표1에서와 같이 제조된 수축 코팅 물질을 포토레지스트 패턴화된 기판 상에 도포하고 수축 필름은 100 nm의 두께를 갖고 60초 동안 140℃에서 열 처리(즉, 혼합 소성)되었다. 후속으로, 수축 물질은 60초 동안 탈이온수 퍼들을 사용하여 제거되었고 60초 동안 세척되었다. 현상 이후에 노광 및 비노광 부분에서 KLA2360(픽셀 크기 0.25 ㎛(KLA Tencor Co.에 의해 제조됨))을 사용하여 결함 측정이 실시되었다. 스머지 결함(smudge defect)은 결함이 표면 상에 입자가 아닌 타원형 스머지 결함인 것이다. 비교 물질에 대해 동일한 공정을 수행하였고, 여기서 수축 물질로서 생성물 AZ® R607(AZ®EM USA Corp(미국 뉴저지주 소머빌 마이스터 에비뉴 70 소재)에 의해 제조됨)을 사용하였다. 결함 데이타는 하기 표 5에 요약되어 있다. 결과는 관찰된 입자 결함이 허용가능한 범위 내에 있다는 것을 나타낸다. 데이타는 추가적으로 스머지 결함이 없다는 것도 나타낸다.
실시예 7b: ArF 포토레지스트 , AZ AX2050P (180 nm 핏치에 의한 90 nm C/H) 상에서의 폴리( AMOR / DMAEA / VCL )
반사 방지 코팅 물질인 AZ® ArF-1C5D(AZ EM USA Corp.(미국 뉴저지주 소머빌 마이스터 에비뉴 70 소재)에 의해 제조됨)를 규소 기판 상에 스핀 코팅하고 60초 동안 200℃에서 소성시켜 0.037 ㎛ 두께의 반사 방지 코팅을 제조하였다. 그리고나서 AZ® AX2050P 포토레지스트 용액(AZ EM USA Corp(미국 뉴저지주 소머빌 마이스터 에비뉴 70 소재)에 의해 제조됨)을 버텀 반사방지 코팅된 (B.A.R.C) 규소 기판 상에 스핀 코팅하였다. 포토레지스트 필름을 60초 동안 110℃에서 소성시켜 0.15 ㎛의 두께를 형성하였다. 그리고나서 6% 감쇠형 상 이동 마스크를 사용하여 포토레지스트 필름을 193 nm 스캐너(개구수 0.78 및 간섭성 0.9) 상에 노광시켰다. 노광시킨 후, 웨이퍼를 60초 동안 110℃에서 노광후 소성시키고 AZ®626 MIF Developer(AZEM USA Corps(미국 뉴저지주 소머빌 마이스터 에비뉴 70 소재)에 의해 제조됨)를 사용하여 60초 동안 현상하여 180 nm 핏치에 의해 90 nm의 직경을 갖는 컨택홀 패턴을 형성시켰다. 그리고나서 주사 전자 현미경 상에서 포토레지스트 패턴을 관찰하였다.
중합체 22b를 사용하여 하기 표 3에서와 같이 제조된 수축 코팅 물질을 패턴화된 포토레지스트 상에 도포하고 수축 필름의 두께는 100 nm였다. 기판은 60초 동안 150℃에서 열 처리(즉, 혼합 소성)되었다. 후속으로, 미반응된 수축 물질은 60초 동안 탈이온수 퍼들을 사용하여 제거되었고 30초 동안 세척되었다. 포토레지스트와 수축 층 사이의 계면에서 가교결합 반응을 촉진하기 위해, 혼합 소성 온도는 60초 동안 160℃∼170℃로 변경되었다. 수축은 수축 공정 이전에 그리고 이후에 컨택홀(C/H) 또는 트랜치의 임계 치수(CD) 차이의 척도이다. 결함 데이타는 하기 표 5에 요약되어 있다. 표 5의 데이타는 관찰된 입자 결함이 허용가능한 범위 내에 있다는 것을 나타낸다. 데이타는 추가적으로 스머지 결함이 없다는 것도 나타낸다.
Figure pct00017

Claims (19)

  1. 포토레지스트 패턴을 코팅하기 위한 수성 코팅 조성물로서, 알킬아미노 기를 갖는 하나 이상의 단위를 포함한 중합체를 포함하고, 여기서 단위는 하기 구조식 (1)을 갖는 수성 코팅 조성물:
    Figure pct00018

    상기 식에서,
    R1 내지 R4는 수소 및 C1 내지 C6 알킬 중에서 독립적으로 선택되고, R5는 C1 내지 C6 알킬이고, W는 C1 내지 C6 알킬렌이다.
  2. 제1항에 있어서, 중합체는 하기 구조식 (2)의 단량체 단위를 추가로 포함하는 것인 수성 코팅 조성물:
    Figure pct00019

    상기 식에서,
    R6 내지 R8은 수소 및 C1 내지 C6 알킬 중에서 독립적으로 선택되고, A는 단일 결합, O, C(O), (C=O)O, C1 내지 C4 알킬 중에서 선택되고,
    X, Y, Z 및 N은 환형 구조를 형성하고, 여기서, 추가적으로 X는 C1 내지 C6 알킬렌, 불포화 C1 내지 C6 알킬렌, 직접 결합 및 이들의 혼합물 중에서 선택되고, Y는 C1 내지 C6 알킬렌, 불포화 C1 내지 C6 알킬렌, 직접 결합 및 이들의 혼합물 중에서 선택되고, Z는 CH2, O, C(O), N, NH, N (C1 내지 C6 알킬), N=N 및 N-CH=N 중에서 선택되고, N은 질소이다.
  3. 제2항에 있어서, 구조식 (2)의 단량체 단위는
    Figure pct00020

    중에서 선택되는 것인 수성 코팅 조성물:
    상기 식들에서,
    R6 내지 R8은 수소 및 C1 내지 C6 알킬 중에서 독립적으로 선택되고,
    X, Y, Z 및 N은 환형 구조를 형성하고, 여기서, 추가적으로 X는 C1 내지 C6 알킬렌, 불포화 C1 내지 C6 알킬렌, 직접 결합 및 이들의 혼합물 중에서 선택되고, Y는 C1 내지 C6 알킬렌, 불포화 C1 내지 C6 알킬렌, 직접 결합 및 이들의 혼합물 중에서 선택되고, Z는 CH2, O, C(O), N, NH, N (C1 내지 C6 알킬), N=N 및 N-CH=N 중에서 선택되고, N은 질소이다.
  4. 제3항에 있어서, 구조식 (2)의 단량체 단위는
    Figure pct00021

    중에서 선택되는 것인 수성 코팅 조성물.
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 하나의 항에 있어서, W가 에틸렌인 수성 코팅 조성물.
  6. 제1항 내지 제5항 중 어느 하나의 항에 있어서, 중합체는 아미도 기를 포함하지 않는 것인 수성 코팅 조성물.
  7. 제6항에 있어서, 조성물은 아미도 기를 포함하지 않는 것인 수성 코팅 조성물.
  8. 제1항 내지 제7항 중 어느 하나의 항에 있어서, 중합체는 아크릴레이트 및/또는 카르복실산을 포함하지 않는 것인 수성 코팅 조성물.
  9. 제1항 내지 제8항 중 어느 하나의 항에 있어서, 중합체는 하기 구조식 (3)의 단량체 단위를 추가로 포함하는 것인 수성 코팅 조성물:
    Figure pct00022

    상기 식에서,
    B는 C1 내지 C6 알킬렌이고, R9는 H 또는 C1 내지 C6 알킬이다.
  10. 제1항에 있어서, 조성물은 수혼화성 용매를 추가로 함유하는 것인 수성 코팅 조성물.
  11. 제10항에 있어서, 조성물은 (C1-C8)알콜, 디올, 트리올, 케톤, 에스테르, 락테이트, 아미드, 에틸렌 글리콜 모노알킬 에테르, 에틸렌 글리콜 모노알킬 에테르 아세테이트, N-메틸 피롤리돈, 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르, 프로필렌 글리콜 모노에틸 에테르, 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트 및 프로필렌 글리콜 모노에틸 에테르 아세테이트 중에서 선택된 수혼화성 용매를 추가로 함유하는 것인 수성 코팅 조성물.
  12. 제1항 내지 제11항 중 어느 하나의 항에 있어서, 조성물은 계면활성제, 아미노알콜, 아민, C1-C8 알콜, 광산 발생제(photoacid generator), 가교결합성 화합물, 열산 발생제(thermal acid generator) 및 유리산 중에서 선택된 첨가제를 추가로 포함하는 것인 수성 코팅 조성물.
  13. 제1항 내지 제12항 중 어느 하나의 항에 있어서, 조성물은 가교결합성 화합물을 포함하지 않는 것인 수성 코팅 조성물.
  14. 제1항 내지 제13항 중 어느 하나의 항에 있어서, 조성물은 광산 발생제를 포함하지 않는 것인 수성 코팅 조성물.
  15. 마이크로전자 소자(microelecronic device)의 제조 방법으로서,
    (a) 포토레지스트 패턴을 기판에 제공하는 단계,
    (b) 포토레지스트 패턴을 제1항 내지 제14항 중 어느 하나의 항에 따른 코팅 물질로 코팅하는 단계,
    (c) 포토레지스트 패턴과 접촉한 코팅 물질의 부분을 반응시키는 단계, 및
    (d) 반응되지 않은 코팅 물질의 부분을 제거 용액(removal solution)으로 제거하는 단계
    를 포함하는 제조 방법.
  16. 제15항에 있어서, 기판은 가열하여 코팅 물질과 포토레지스트의 반응을 발생시키는 것인 제조 방법.
  17. 제15항 또는 제16항에 있어서, 제거 용액이 수산화물 염기를 포함한 수용액인 제조 방법.
  18. 제15항 내지 제17항 중 어느 하나의 항에 있어서, 제거 용액은 수혼화성 용매를 추가로 포함하는 것인 제조 방법.
  19. 제15항 내지 제18항 중 어느 하나의 항에 있어서, 포토레지스트는 중합체 및 광산 발생제를 포함하는 것인 제조 방법.
KR1020107028937A 2008-06-18 2009-06-17 포토레지스트 패턴 상의 코팅을 위한 수성 조성물 KR101697792B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US12/141,307 2008-06-18
US12/141,307 US7745077B2 (en) 2008-06-18 2008-06-18 Composition for coating over a photoresist pattern
PCT/IB2009/005975 WO2009153648A1 (en) 2008-06-18 2009-06-17 Aqueous composition for coating over a photoresist pattern

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20110018921A true KR20110018921A (ko) 2011-02-24
KR101697792B1 KR101697792B1 (ko) 2017-01-18

Family

ID=40974659

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020107028937A KR101697792B1 (ko) 2008-06-18 2009-06-17 포토레지스트 패턴 상의 코팅을 위한 수성 조성물

Country Status (7)

Country Link
US (1) US7745077B2 (ko)
EP (1) EP2294149B1 (ko)
JP (1) JP5521253B2 (ko)
KR (1) KR101697792B1 (ko)
CN (1) CN102066509B (ko)
TW (1) TWI459146B (ko)
WO (1) WO2009153648A1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20140090189A (ko) * 2011-10-11 2014-07-16 에이제토 엘렉토로닉 마티리알즈 아이피 (재팬) 가부시키가이샤 미세 레지스트 패턴 형성용 조성물 및 이를 사용한 패턴 형성 방법

Families Citing this family (41)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008102343A (ja) * 2006-10-19 2008-05-01 Az Electronic Materials Kk 現像済みレジスト基板処理液とそれを用いたレジスト基板の処理方法
JP5000260B2 (ja) * 2006-10-19 2012-08-15 ＡｚエレクトロニックマテリアルズＩｐ株式会社 微細化されたパターンの形成方法およびそれに用いるレジスト基板処理液
US7923200B2 (en) * 2007-04-09 2011-04-12 Az Electronic Materials Usa Corp. Composition for coating over a photoresist pattern comprising a lactam
JP5069494B2 (ja) * 2007-05-01 2012-11-07 ＡｚエレクトロニックマテリアルズＩｐ株式会社 微細化パターン形成用水溶性樹脂組成物およびこれを用いた微細パターン形成方法
KR101585992B1 (ko) * 2007-12-20 2016-01-19 삼성전자주식회사 반사방지 코팅용 고분자, 반사방지 코팅용 조성물 및 이를 이용한 반도체 장치의 패턴 형성 방법
KR101622797B1 (ko) * 2008-07-17 2016-05-19 제이에스알 가부시끼가이샤 제1막의 개질 방법 및 이것에 이용하는 산 전사 수지막 형성용 조성물
JP5306755B2 (ja) * 2008-09-16 2013-10-02 ＡｚエレクトロニックマテリアルズＩｐ株式会社 基板処理液およびそれを用いたレジスト基板処理方法
KR101523951B1 (ko) * 2008-10-09 2015-06-02 삼성전자주식회사 반도체 소자의 미세 패턴 형성 방법
US9640396B2 (en) * 2009-01-07 2017-05-02 Brewer Science Inc. Spin-on spacer materials for double- and triple-patterning lithography
JP5423367B2 (ja) * 2009-01-23 2014-02-19 Ｊｓｒ株式会社 酸転写用組成物、酸転写用膜及びパターン形成方法
JP5451417B2 (ja) * 2010-01-21 2014-03-26 株式会社日本触媒 Ｎ−ビニル環状ラクタム重合体の製造方法
JP5598351B2 (ja) * 2010-02-16 2014-10-01 信越化学工業株式会社 電子線用又はｅｕｖ用化学増幅ポジ型レジスト組成物及びパターン形成方法
US8852848B2 (en) 2010-07-28 2014-10-07 Z Electronic Materials USA Corp. Composition for coating over a photoresist pattern
KR101311446B1 (ko) * 2011-01-21 2013-09-25 금호석유화학 주식회사 수용성 수지 조성물 및 이를 이용하여 미세패턴을 형성하는 방법
CA2831741A1 (en) 2011-04-05 2012-10-11 The Government Of The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Microfabrication of tunnels
US8623589B2 (en) 2011-06-06 2014-01-07 Az Electronic Materials Usa Corp. Bottom antireflective coating compositions and processes thereof
JP5682542B2 (ja) * 2011-11-17 2015-03-11 信越化学工業株式会社 ネガ型パターン形成方法
KR102028109B1 (ko) * 2011-12-23 2019-11-15 금호석유화학 주식회사 미세패턴 형성용 수용성 수지 조성물 및 이를 이용한 미세패턴의 형성방법
JP6283477B2 (ja) * 2012-06-25 2018-02-21 ローム アンド ハース エレクトロニック マテリアルズ エルエルシーＲｏｈｍ ａｎｄ Ｈａａｓ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ ＬＬＣ アミド成分を含むフォトレジスト
JP6384966B2 (ja) * 2013-02-25 2018-09-05 ザ ユニバーシティー オブ クイーンズランド リソグラフィーによって生成された形体
JP6157151B2 (ja) 2013-03-05 2017-07-05 アーゼッド・エレクトロニック・マテリアルズ（ルクセンブルグ）ソシエテ・ア・レスポンサビリテ・リミテ 微細レジストパターン形成用組成物およびそれを用いたパターン形成方法
US9291909B2 (en) * 2013-05-17 2016-03-22 Az Electronic Materials (Luxembourg) S.A.R.L. Composition comprising a polymeric thermal acid generator and processes thereof
CN103489767B (zh) * 2013-09-22 2017-03-08 上海华力微电子有限公司 能简化极小线宽栅极线条的制作工艺的栅极线条制作方法
JP5920322B2 (ja) * 2013-11-28 2016-05-18 信越化学工業株式会社 ネガ型レジスト材料並びにこれを用いたパターン形成方法
JP6003873B2 (ja) * 2013-11-28 2016-10-05 信越化学工業株式会社 レジスト材料並びにこれを用いたパターン形成方法
JP6459759B2 (ja) * 2014-05-26 2019-01-30 信越化学工業株式会社 パターン形成方法及びシュリンク剤
US9448483B2 (en) 2014-07-31 2016-09-20 Dow Global Technologies Llc Pattern shrink methods
JP6402702B2 (ja) * 2014-11-04 2018-10-10 信越化学工業株式会社 パターン形成方法及びシュリンク剤
JP6332113B2 (ja) * 2014-12-08 2018-05-30 信越化学工業株式会社 シュリンク材料及びパターン形成方法
JP6398848B2 (ja) * 2014-12-08 2018-10-03 信越化学工業株式会社 シュリンク材料及びパターン形成方法
JP6481602B2 (ja) * 2015-01-09 2019-03-13 信越化学工業株式会社 パターン形成方法及びシュリンク剤
TWI627220B (zh) 2015-06-03 2018-06-21 羅門哈斯電子材料有限公司 用於圖案處理之組合物及方法
TWI617900B (zh) 2015-06-03 2018-03-11 羅門哈斯電子材料有限公司 圖案處理方法
TWI615460B (zh) 2015-06-03 2018-02-21 羅門哈斯電子材料有限公司 用於圖案處理的組合物和方法
CN106249540A (zh) 2015-06-03 2016-12-21 陶氏环球技术有限责任公司 图案处理方法
JP2018537703A (ja) 2015-11-19 2018-12-20 アーゼッド・エレクトロニック・マテリアルズ（ルクセンブルグ）ソシエテ・ア・レスポンサビリテ・リミテ 微細レジストパターン形成用組成物およびそれを用いたパターン形成方法
US10162265B2 (en) 2015-12-09 2018-12-25 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Pattern treatment methods
WO2017192688A1 (en) * 2016-05-06 2017-11-09 Saudi Arabian Oil Company Methods for synthesizing acryloyl-based copolymers, terpolymers
JP6757623B2 (ja) * 2016-08-10 2020-09-23 東京応化工業株式会社 レジストパターン厚肉化用ポリマー組成物、及びレジストパターン形成方法
US10672610B2 (en) 2017-05-19 2020-06-02 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Grafting design for pattern post-treatment in semiconductor manufacturing
JP6888493B2 (ja) * 2017-09-14 2021-06-16 三菱電機株式会社 半導体装置の製造方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2002048260A2 (en) * 2000-12-15 2002-06-20 Avery Dennison Corporation Compositions for printable media
US20040109958A1 (en) * 2002-12-09 2004-06-10 Asutosh Nigam Ink-jet recording medium with an opaque or semi-opaque layer coated thereon, method for recording an image, and a recorded medium with at least one layer rendered clear or semi-opaque
KR20050098745A (ko) * 2004-04-08 2005-10-12 삼성전자주식회사 반도체 소자 제조용 마스크 패턴 및 그 형성 방법과 미세패턴 형성용 코팅 조성물 제조 방법 및 반도체 소자의제조 방법
WO2007013230A1 (ja) * 2005-07-29 2007-02-01 Hitachi Chemical Co., Ltd. 樹脂組成物およびこれを用いた膜状光学部材

Family Cites Families (85)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3104205A (en) * 1959-12-17 1963-09-17 Warner Lambert Pharmaceutical Deodorant composition comprising the copper complex of the copolymer of allylamine and methacrylic acid
US3666473A (en) * 1970-10-06 1972-05-30 Ibm Positive photoresists for projection exposure
JPS6485258A (en) * 1980-09-12 1989-03-30 Sekisui Chemical Co Ltd Coating composition
JPS5849715A (ja) * 1981-08-13 1983-03-24 ジ−・エ−・エフ・コ−ポレ−シヨン ビニルカプロラクタム／ビニルピロリドン／アクリル酸アルキルを含有する毛髪調合剤
DE3423446A1 (de) * 1984-06-26 1986-01-02 Basf Ag, 6700 Ludwigshafen Wasserloesliche terpolymere, verfahren zu deren herstellung und verwendung als klebstoff
JP2590342B2 (ja) * 1986-11-08 1997-03-12 住友化学工業株式会社 ポジ型フォトレジスト用ノボラック樹脂及びそれを含有するポジ型フォトレジスト組成物
US4823345A (en) * 1987-06-15 1989-04-18 International Business Machines Corp. Method and apparatus for communication network alert record identification
US4873176A (en) * 1987-08-28 1989-10-10 Shipley Company Inc. Reticulation resistant photoresist coating
JPH01221750A (ja) 1988-02-29 1989-09-05 Hoya Corp パターン形成又は修正方法
JPH0825861B2 (ja) * 1989-04-24 1996-03-13 サンスター株式会社 歯磨組成物
GB8913090D0 (en) * 1989-06-07 1989-07-26 Ciba Geigy Ag Method
CA2020629C (en) * 1989-07-21 2000-02-01 Frank Landy Shelf stable fast-cure aqueous coating
JPH0699499B2 (ja) 1989-12-28 1994-12-07 積水化学工業株式会社 水溶性ポリビニルアセタールの精製方法
JP3008212B2 (ja) * 1990-11-26 2000-02-14 花王株式会社 透明ないし半透明の化粧料
JP3000745B2 (ja) * 1991-09-19 2000-01-17 富士通株式会社 レジスト組成物とレジストパターンの形成方法
JPH05166717A (ja) 1991-12-16 1993-07-02 Mitsubishi Electric Corp 微細パターン形成方法
JP3057879B2 (ja) 1992-02-28 2000-07-04 株式会社日立製作所 半導体装置の製造方法
JP3219165B2 (ja) 1992-08-31 2001-10-15 ティーディーケイ株式会社 金属膜パターン形成方法
JP3340493B2 (ja) 1993-02-26 2002-11-05 沖電気工業株式会社 パターン形成方法、位相シフト法用ホトマスクの形成方法
DE4328945C2 (de) * 1993-08-30 1996-03-28 Ltg Lufttechnische Gmbh Einschub-Querstromventilator
JP3263219B2 (ja) 1993-12-26 2002-03-04 東洋紙業株式会社 水性塗料の画像形成方法
US5626836A (en) * 1994-12-28 1997-05-06 Isp Investments Inc. Low VOC hair spray compositions containing terpolymers of vinyl pyrrolidone, vinyl caprolactam and 3-(N-dimethylaminopropyl) methacrylamide
US6080707A (en) * 1995-02-15 2000-06-27 The Procter & Gamble Company Crystalline hydroxy waxes as oil in water stabilizers for skin cleansing liquid composition
US6444264B2 (en) * 1995-03-31 2002-09-03 Advanced Technology Materials, Inc. Method for liquid delivery CVD utilizing alkane and polyamine solvent compositions
US5547812A (en) * 1995-06-05 1996-08-20 International Business Machines Corporation Composition for eliminating microbridging in chemically amplified photoresists comprising a polymer blend of a poly(hydroxystyrene) and a copolymer made of hydroxystyrene and an acrylic monomer
KR0178475B1 (ko) * 1995-09-14 1999-03-20 윤덕용 신규한 n-비닐락탐 유도체 및 그의 중합체
US5820491A (en) * 1996-02-07 1998-10-13 Ppg Industries, Inc. Abrasion resistant urethane topcoat
JP3494261B2 (ja) 1996-02-29 2004-02-09 日東紡績株式会社 Ｎ−アリルウレタン系重合体およびその製造方法
ATE297562T1 (de) * 1996-03-07 2005-06-15 Sumitomo Bakelite Co Photoresist zusammensetzungen mit polycyclischen polymeren mit säurelabilen gruppen am ende
US5843624A (en) * 1996-03-08 1998-12-01 Lucent Technologies Inc. Energy-sensitive resist material and a process for device fabrication using an energy-sensitive resist material
JPH09244262A (ja) 1996-03-12 1997-09-19 Nippon Zeon Co Ltd 感光性印刷版用水性現像液
JPH09325502A (ja) 1996-06-05 1997-12-16 Nippon Paint Co Ltd 感光性樹脂組成物の現像方法
TW329539B (en) 1996-07-05 1998-04-11 Mitsubishi Electric Corp The semiconductor device and its manufacturing method
JP3071401B2 (ja) 1996-07-05 2000-07-31 三菱電機株式会社 微細パターン形成材料及びこれを用いた半導体装置の製造方法並びに半導体装置
US5955408A (en) * 1996-07-10 1999-09-21 Steris Inc. Triclosan skin wash with enhanced efficacy
JP3642896B2 (ja) * 1996-09-13 2005-04-27 大日本印刷株式会社 黒色系熱転写シート
TW464791B (en) 1996-09-30 2001-11-21 Hoechst Celanese Corp Bottom antireflective coatings containing an arylhydrazo dye
KR100530727B1 (ko) * 1996-10-02 2005-11-23 산요가세이고교 가부시키가이샤 감광성 조성물 및 그의 용도
KR100197673B1 (en) * 1996-12-20 1999-06-15 Hyundai Electronics Ind Copolymers containing n-vinyllactam derivatives, preparation methods thereof and photoresists therefrom
US5863707A (en) * 1997-02-11 1999-01-26 Advanced Micro Devices, Inc. Method for producing ultra-fine interconnection features
TW372337B (en) * 1997-03-31 1999-10-21 Mitsubishi Electric Corp Material for forming micropattern and manufacturing method of semiconductor using the material and semiconductor apparatus
TW526390B (en) * 1997-06-26 2003-04-01 Shinetsu Chemical Co Resist compositions
US5830964A (en) * 1997-12-18 1998-11-03 Isp Investments Inc. Vinyl pyrrolidone polymers substantially free of vinyl lactam monomers
JP3189773B2 (ja) * 1998-01-09 2001-07-16 三菱電機株式会社 レジストパターン形成方法及びこれを用いた半導体装置の製造方法並びに半導体装置
IL141803A0 (en) 1998-09-23 2002-03-10 Du Pont Photoresists, polymers and processes for microlithography
EP1183571B1 (en) 1999-05-04 2010-06-02 E.I. Du Pont De Nemours And Company Fluorinated photoresists and processes for microlithography
JP3950584B2 (ja) * 1999-06-29 2007-08-01 Ａｚエレクトロニックマテリアルズ株式会社 水溶性樹脂組成物
JP2001100428A (ja) * 1999-09-27 2001-04-13 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置の製造方法、微細パターン形成用薬液および半導体装置
JP2001109165A (ja) 1999-10-05 2001-04-20 Clariant (Japan) Kk パターン形成方法
US6365322B1 (en) 1999-12-07 2002-04-02 Clariant Finance (Bvi) Limited Photoresist composition for deep UV radiation
TW507116B (en) 2000-04-04 2002-10-21 Sumitomo Chemical Co Chemically amplified positive resist composition
KR20030076228A (ko) * 2000-06-21 2003-09-26 아사히 가라스 가부시키가이샤 레지스트 조성물
US6447980B1 (en) * 2000-07-19 2002-09-10 Clariant Finance (Bvi) Limited Photoresist composition for deep UV and process thereof
JP2002049161A (ja) * 2000-08-04 2002-02-15 Clariant (Japan) Kk 被覆層現像用界面活性剤水溶液
JP2002122986A (ja) * 2000-10-16 2002-04-26 Kansai Paint Co Ltd ポジ型感光性樹脂組成物、ポジ型感光性ドライフィルム、その組成物を使用して得られる材料及びパターン形成方法
CN1221861C (zh) * 2001-02-09 2005-10-05 旭硝子株式会社 光致抗蚀剂组合物
DE10209024A1 (de) * 2001-03-07 2002-09-19 Inctec Inc Photoempfindliche Zusammensetzungen
GB0109087D0 (en) * 2001-04-11 2001-05-30 Ciba Spec Chem Water Treat Ltd Treatment of suspensions
US20030008968A1 (en) * 2001-07-05 2003-01-09 Yoshiki Sugeta Method for reducing pattern dimension in photoresist layer
JP4237430B2 (ja) * 2001-09-13 2009-03-11 Ａｚエレクトロニックマテリアルズ株式会社 エッチング方法及びエッチング保護層形成用組成物
US20030102285A1 (en) * 2001-11-27 2003-06-05 Koji Nozaki Resist pattern thickening material, resist pattern and forming method thereof, and semiconductor device and manufacturing method thereof
JP3476081B2 (ja) 2001-12-27 2003-12-10 東京応化工業株式会社 パターン微細化用被覆形成剤およびそれを用いた微細パターンの形成方法
US20030129538A1 (en) * 2002-01-09 2003-07-10 Macronix International Co., Ltd. Method for eliminating corner round profile of the RELACS process
JP3953822B2 (ja) * 2002-01-25 2007-08-08 富士通株式会社 レジストパターン薄肉化材料、レジストパターン及びその製造方法、並びに、半導体装置及びその製造方法
JP3698688B2 (ja) * 2002-06-26 2005-09-21 東京応化工業株式会社 微細パターンの形成方法
JP3485182B1 (ja) * 2002-06-28 2004-01-13 東京応化工業株式会社 パターン微細化用被覆形成剤およびそれを用いた微細パターンの形成方法
JP2004078033A (ja) * 2002-08-21 2004-03-11 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd パターン微細化用被覆形成剤およびそれを用いた微細パターンの形成方法
JP3850772B2 (ja) * 2002-08-21 2006-11-29 富士通株式会社 レジストパターン厚肉化材料、レジストパターンの製造方法、及び半導体装置の製造方法
JP3895269B2 (ja) * 2002-12-09 2007-03-22 富士通株式会社 レジストパターンの形成方法並びに半導体装置及びその製造方法
JP4235466B2 (ja) 2003-02-24 2009-03-11 Ａｚエレクトロニックマテリアルズ株式会社 水溶性樹脂組成物、パターン形成方法及びレジストパターンの検査方法
JP4012480B2 (ja) * 2003-03-28 2007-11-21 Ａｚエレクトロニックマテリアルズ株式会社 微細パターン形成補助剤及びその製造法
JP2005003840A (ja) * 2003-06-11 2005-01-06 Clariant Internatl Ltd 微細パターン形成材料および微細パターン形成方法
US7399582B2 (en) * 2003-07-17 2008-07-15 Az Electronic Materials Usa Corp. Material for forming fine pattern and method for forming fine pattern using the same
JP4496404B2 (ja) * 2003-10-10 2010-07-07 Ｄｏｗａメタルテック株式会社 金属−セラミックス接合基板およびその製造方法
US7314691B2 (en) * 2004-04-08 2008-01-01 Samsung Electronics Co., Ltd. Mask pattern for semiconductor device fabrication, method of forming the same, method for preparing coating composition for fine pattern formation, and method of fabricating semiconductor device
JP4485241B2 (ja) * 2004-04-09 2010-06-16 Ａｚエレクトロニックマテリアルズ株式会社 水溶性樹脂組成物およびそれを用いたパターン形成方法
JP4428642B2 (ja) * 2004-04-30 2010-03-10 東京応化工業株式会社 パターン微細化用被覆形成剤およびそれを用いた微細パターンの形成方法
JP2006054353A (ja) * 2004-08-13 2006-02-23 Az Electronic Materials Kk フラットバンドシフトの少ないシリカ質膜およびその製造法
JP4535374B2 (ja) 2004-08-20 2010-09-01 東京応化工業株式会社 パターン微細化用被覆形成剤およびそれを用いた微細パターンの形成方法
JP2006064851A (ja) 2004-08-25 2006-03-09 Renesas Technology Corp 微細パターン形成材料、微細レジストパターン形成方法及び電子デバイス装置
JP4583860B2 (ja) * 2004-10-04 2010-11-17 富士通株式会社 レジストパターン厚肉化材料、レジストパターンの形成方法、並びに、半導体装置及びその製造方法
US7595141B2 (en) * 2004-10-26 2009-09-29 Az Electronic Materials Usa Corp. Composition for coating over a photoresist pattern
JP4859437B2 (ja) * 2005-10-25 2012-01-25 大阪有機化学工業株式会社 被膜形成用樹脂組成物
US7923200B2 (en) * 2007-04-09 2011-04-12 Az Electronic Materials Usa Corp. Composition for coating over a photoresist pattern comprising a lactam
CN101970585B (zh) 2008-01-15 2014-02-19 惠普开发有限公司 具有优异图像质量的高性多孔喷墨介质

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2002048260A2 (en) * 2000-12-15 2002-06-20 Avery Dennison Corporation Compositions for printable media
US20040109958A1 (en) * 2002-12-09 2004-06-10 Asutosh Nigam Ink-jet recording medium with an opaque or semi-opaque layer coated thereon, method for recording an image, and a recorded medium with at least one layer rendered clear or semi-opaque
KR20050098745A (ko) * 2004-04-08 2005-10-12 삼성전자주식회사 반도체 소자 제조용 마스크 패턴 및 그 형성 방법과 미세패턴 형성용 코팅 조성물 제조 방법 및 반도체 소자의제조 방법
WO2007013230A1 (ja) * 2005-07-29 2007-02-01 Hitachi Chemical Co., Ltd. 樹脂組成物およびこれを用いた膜状光学部材

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20140090189A (ko) * 2011-10-11 2014-07-16 에이제토 엘렉토로닉 마티리알즈 아이피 (재팬) 가부시키가이샤 미세 레지스트 패턴 형성용 조성물 및 이를 사용한 패턴 형성 방법

Also Published As

Publication number Publication date
JP5521253B2 (ja) 2014-06-11
US20090317739A1 (en) 2009-12-24
CN102066509A (zh) 2011-05-18
EP2294149B1 (en) 2014-12-03
US7745077B2 (en) 2010-06-29
WO2009153648A1 (en) 2009-12-23
JP2011524930A (ja) 2011-09-08
EP2294149A1 (en) 2011-03-16
TW201005444A (en) 2010-02-01
TWI459146B (zh) 2014-11-01
CN102066509B (zh) 2014-03-05
KR101697792B1 (ko) 2017-01-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101697792B1 (ko) 포토레지스트 패턴 상의 코팅을 위한 수성 조성물
EP2158277B1 (en) Aqueous composition comprising lactam for coating over a photoresist pattern
KR101465257B1 (ko) 포토레지스트 패턴상의 코팅을 위한 조성물
US20120219919A1 (en) Composition for Coating over a Photoresist Pattern Comprising a Lactam
US20100183851A1 (en) Photoresist Image-forming Process Using Double Patterning
JP2004212967A (ja) フォトレジスト用オーバーコーティング組成物及びこれを利用したフォトレジストパターン形成方法
WO2006025292A1 (ja) リソグラフィー用現像液組成物とレジストパターン形成方法
KR101426321B1 (ko) 미세 패턴 형성용 조성물 및 이것을 사용한 미세 패턴 형성 방법
JP4104117B2 (ja) 微細パターンの形成方法
EP1373331A2 (en) Thermally cured underlayer for lithographic application
KR20090049406A (ko) 환형 에스테르기를 포함하는 고분자 중합체, 및 이를포함하는 유기반사방지막 조성물
KR20090067258A (ko) 아크릴 아마이드기를 포함하는 고분자 중합체, 및 이를포함하는 유기반사방지막 조성물
KR20090067257A (ko) 옥세탄기를 포함하는 고분자 중합체, 및 이를 포함하는유기반사방지막 조성물

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
N231 Notification of change of applicant
N231 Notification of change of applicant
E902 Notification of reason for refusal
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant