JP2002122986A - ポジ型感光性樹脂組成物、ポジ型感光性ドライフィルム、その組成物を使用して得られる材料及びパターン形成方法 - Google Patents

ポジ型感光性樹脂組成物、ポジ型感光性ドライフィルム、その組成物を使用して得られる材料及びパターン形成方法

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JP2002122986A JP2000314987A JP2000314987A JP2002122986A JP 2002122986 A JP2002122986 A JP 2002122986A JP 2000314987 A JP2000314987 A JP 2000314987A JP 2000314987 A JP2000314987 A JP 2000314987A JP 2002122986 A JP2002122986 A JP 2002122986A
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Genji Imai
玄児 今井
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 ポジ型感光性樹脂組成物、ポジ型感光性ドラ
イフィルム、その組成物を使用して得られる材料及びパ
ターン形成方法を提供する。 【解決手段】 (A)ポジ型感光性樹脂、(B)光酸
発生剤及び(C)波長500nm以上の可視光に対して
光増感能を有するベンゾピラン環縮合化合物を含むこと
を特徴とするポジ型感光性樹脂組成物。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】 本発明は新規なポジ型感光
性樹脂組成物、ポジ型感光性ドライフィルム、その組成
物を使用して得られる材料及びパターン形成方法に関す
る。
【0002】
【従来の技術およびその課題】 従来、ポジ型感光性樹
脂組成物は無公害、省資源、省エネルギー、高生産効率
等の面で優れた特色を持つことから、塗料、インキ、接
着剤として多方面に使用されている。該感光性樹脂組成
物は、例えば回路板、プラスチック、木材、金属、紙、
ガラス、繊維等を素材とする用途に適用されている。ポ
ジ型感光性樹脂組成物は、露光部と未露光部に生じる溶
解度の違いを利用したものであるが、従来、露光に使用
される可視光線の発光スペクトルの波長は、例えば、4
88nm、532nm等の活性光線が一般的に使用され
ている。このような活性光線を使用した場合に、樹脂層
の感光性が充分でないためにシャープなパターンが形成
できないといった問題があった。
【0003】
【課題を解決するための手段】 本発明者は、上記した
問題点を解決するために鋭意研究を重ねた結果、特定の
波長500nm以上の可視光に対して光増感能を有する
ベンゾピラン環縮合化合物を光増感剤として使用するこ
とにより、上記した問題点を解消することを見出し、本
発明を完成するに至った。即ち、本発明は、(A)ポジ
型感光性樹脂、(B)光酸発生剤及び(C)波長500
nm以上の可視光に対して光増感能を有するベンゾピラ
ン環縮合化合物を含むことを特徴とするポジ型感光性樹
脂組成物。
【0004】また、支持フィルム層の表面に上記のポジ
型感光性樹脂組成物から形成されるポジ型感光性樹脂層
を積層してなることを特徴とするポジ型感光性ドライフ
ィルム。
【0005】そしてポジ型感光性樹脂組成物又はポジ型
感光性ドライフィルムを使用して得られる材料。
【0006】更に、(1)上記ポジ型感光性樹脂組成物
又はポジ型感光性ドライフィルムにより、必要に応じて
ポジ型感光性ドライフィルムの支持フィルム層を剥離し
てポジ型感光性樹脂被膜を形成する工程、(2)所望の
パターンが得られるように可視光線をマスクを介して照
射もしくは直接に照射させる工程、(3)次いで、ポジ
型感光性ドライフィルムの支持フィルム層を剥離してい
ない場合は剥離した後、照射部のポジ型感光性樹脂被膜
を現像処理してレジストパターン被膜を形成する 工程
を含むことを特徴するパターン形成方法に関する。
【0007】
【発明の実施の形態】 本発明のポジ型感光性樹脂組成
物について以下に述べる。
【0008】本発明樹脂組成物は、(A)ポジ型感光性
樹脂、(B)光酸発生剤及び(C)下記一般式(1) 化2
【0009】
【化2】
【0010】(ただし、R1は水素原子、ハロゲン基、
シアノ基、トリフルオロメチル基、カルボキシル基又は
カルボン酸エステル基を、R2はアルキル基を、R3は
水素原子、アルキル基、アルコキシ基、シアノ基、トリ
フルオロメチル基、スルホキシ基又はハロゲン基を、X
は一価の酸残基を、YはNH基又はOを表すものとす
る。)で表される波長500nm以上の可視光に対して
光増感能を有するベンゾピラン環縮合化合物を含むもの
である。本発明で使用するポジ型感光性樹脂(A)及び
光酸発生剤(B)は、光照射で発生した酸により樹脂が
分解し、これにより現像液に溶解する、従来来から公知
のポジ型感光に使用されている樹脂であれば特に制限な
しに使用することができる。このような樹脂は光により
樹脂が分解することにより極性、分子量等の性質が変化
し、これにより現像液(水性、有機溶剤等)等の物質に
対して溶解性を示すようになるものである。また、これ
らのものには更に現像液の溶解性を調製するその他の樹
脂等を必要に応じて配合することができる。
【0011】該樹脂は光酸発生剤との混合物[光酸発生
剤により発生した酸により、樹脂が切断されて低分子量
となったり、樹脂に酸基が付与されたり、溶解性物質
(例えば、(ポリ)P−ヒドロキシスチレン)に変化
し、これにより有機溶剤や水性現像液に分散性もしくは
溶解性を示すものとなったりするもの]等が挙げられ
る。
【0012】これらのものとしては、例えば、照射光
によって酸基を発生する光酸発生剤を触媒として基体樹
脂(ポリマー)に脱離反応を連鎖的に生じさせて照射部
と未照射部との溶解性の変化を利用した化学増幅系感光
材料(特開平4-226461号公報、米国特許第4,491,628
号、特開昭59-45439号、特開昭63-250642号公報、Polym
ers in Electronics”Davidson T.編集.ACS Symposium
Series 242,American Chemical Society,Washington D.
C,,1984の11頁”、N.Hayashi,T.Ueno,M.Toriumi,etc,AC
S Polym.materials Sci. Eng.,61,417(1989)、H.Ito,C.
G.Wilson,ACS Symp.Ser.,242,11(1984)等参照);加
熱により溶剤やアルカリ水溶液に対して不溶性の架橋被
膜を形成し、更に光線照射により酸基を発生する光酸発
生剤により架橋構造が切断されて照射部が溶剤やアルカ
リ水溶液に対して可溶性となるメカニズムを利用したポ
ジ型感光性組成物(特開平6-295064号公報、特開平6-30
8733号公報、特開平6-313134号公報、特開平6-313135号
公報、特開平6-313136号公報、特開平7-146552号公報等
参照)等が代表的なものとして挙げられる。
【0013】上記のものは、樹脂中で現像液に対する
溶解性を支配している官能基(水酸基、カルボキシル基
等)をブロック(酸不安定基)して不溶性とし、光酸発
生剤によりブロックを解離し、ポリマーの溶解性を復元
するものである。該水酸基(−OH基)をブロックした
酸不安定基(−ORのR基)としては、例えば、t−ブ
トキシカルボニル基(t−BOC基)、t−ブトキシ
基、t−ブトキシカルボニルメチル基、テトラヒドロピ
ラニル基、トリメチルシリル基、iso−プロポキシカ
ルボニル基等が包含される。水酸基を有する樹脂として
は、上記した効果を発揮するものであれば特に制限され
ないが、通常、フェノール性水酸基である。
【0014】該酸不安定基としては、特に、t−BOC
基、t−ブトキシ基が好ましくこのものとしては、例え
ば、ポリ(t−ブトキシカルボニルオキシスチレン)、
ポリ(t−ブトキシカルボニルオキシ−α−スチレ
ン)、ポリ(t−ブトキシスチレン)及びこれらのモノ
マーとその他の重合性モノマー(例えば、メチル(メ
タ)アクリル酸のC1〜24個のアルキル又はシクロア
ルキルエステル類、マレイミド、スルフォン等)との共
重合体等が挙げられる。
【0015】該t−BOC基を含有するポリ(t−ブト
キシカルボニルオキシスチレン)の組成物について説明
すると、例えば、光酸発生剤によって発生した酸により
t−BOC基が分解してイソブテンと炭酸ガスが蒸発し
てポリスチレンとなり、t−BOC基が水酸基に変化す
ることにより樹脂の極性が変化(高くなる)することに
より現像液(アルカリ水溶液)に対する溶解性が向上す
る性質を利用したものである。また、カルボキシル基
(−COOH基)をブロックした酸不安定基(−COO
R′のR′基)としては、t−ブチル基を有するカルボ
ン酸エステル誘導体等が挙げられる。
【0016】また、このものの成分としては酸不安定基
を持つ樹脂及び光酸発生剤の2成分系として、また、酸
不安定基を持つ樹脂、光酸発生剤、その他の樹脂の3成
分系として使用することができる。該その他の樹脂は、
このものを使用することにより、例えば、組成物の塗装
作業性を向上させたり現像液に対する溶解性を変化させ
たりすることができる。
【0017】上記のものは、カルボキシル基及び/又
はヒドロキシフェニル基を含有する樹脂(a)、エーテ
ル結合含有オレフィン性不飽和化合物(b)、光線照射
により酸基を発生する光酸発生剤を含有してなる液状も
しくは固体状樹脂組成物である。
【0018】樹脂(a)において、カルボキシル基及び
ヒドロキシフェニル基の両方の基を有する場合は、これ
らの基が同一分子中に有する樹脂であっても、これらの
基が異なって含有する樹脂の混合樹脂であってもどちら
でも構わない。
【0019】カルボキシル基含有樹脂(aー1)として
は、例えば、アクリル系樹脂、ポリエステル系樹脂等が
挙げられる。
【0020】上記した樹脂(aー1)は一般に約500
〜約100000、特に約1500〜30000の数平
均分子量を有していることが好ましく、また、カルボキ
シル基は樹脂1Kg当たり約0.5〜10モル、特に約
0.7〜5モルのものが好ましい。
【0021】ヒドロキシフェニル基含有樹脂(a−2)
としては、例えば、1官能又は多官能フェノール化合
物、アルキルフェノール化合物、又はそれらの混合物と
ホルムアルデヒド、アセトン等のカルボニル化合物との
縮合物;P−ヒドロキシスチレン等のヒドロキシフェニ
ル基含有不飽和単量体と必要に応じて上記したその他の
重合性不飽和単量体との共重合体等が挙げられる。
【0022】上記した樹脂(aー2)は一般に約500
〜約100000、特に約1500〜30000の数平
均分子量を有していることが好ましく、また、ヒドロキ
シフェニル基は樹脂1Kg当たり約1.0モル以上、特
に約2〜8モルが好ましい。
【0023】また、樹脂(aー1)と樹脂(a−2)と
を混合して使用する場合には、その混合割合は90/1
0〜10/90重量比で配合することが好ましい。カル
ボキシル基及びヒドロキシフェニル基を有する樹脂(a
ー3)としては、例えばカルボキシル基含有重合性不飽
和単量体((メタ)アクリル酸等)とヒドロキシフェニ
ル基含有重合性不飽和単量体(ヒドロキシスチレン等)
及び必要に応じてその他の重合性不飽和単量体(メチル
(メタ)アクリレート、エチル(メタ)アクリレート、
プロピル(メタ)アクリレート、ブチル(メタ)アクリ
レート、2ーエチルヘキシル(メタ)アクリレート等の
アクリル酸の炭素数1〜12のアルキルエステル、スチ
レン等の芳香族化合物、(メタ)アクリロニトリル等の
含窒素不飽和単量体等)との共重合体;ヒドロキシ安息
香酸類、没食子酸、レゾルシン酸等と、又はそれらとフ
ェノール、ナフトール類、レゾルシン、カテコール等と
の混合物をホルムアルデヒドと反応して得られるフェノ
ール樹脂等が挙げられる。
【0024】上記した樹脂(aー3)は一般に約500
〜約100000、特に約1500〜30000の数平
均分子量を有していることが好ましく、また、カルボキ
シル基は樹脂1Kg当たり約0.5〜10モル、特に約
0.7〜5モルのものが好ましい。ヒドロキシフェニル
基は樹脂1Kg当たり約1.0モル以上、特に約2〜8
モルが好ましい。
【0025】エーテル結合含有オレフィン性不飽和化合
物(b)としては、例えば、分子末端にビニルエーテル
基、1ープロペニルエーテル基、1ーブテニルエーテル
基等の不飽和エーテル基を約1〜4個含有するものが挙
げられる。該化合物(b)は、1分子中に、式 −R″
−O−A[ここで、Aはビニル基、1ープロペニル基又
は1ーブテニルのオレフィン性不飽和基を示し、R″は
エチレン、プロピレン、ブチレンなどの炭素数1〜6の
直鎖状もしくは分岐鎖状のアルキレン基を表わす]で示
される不飽和エーテル基を少なくとも1個、好ましくは
2〜4個含有する低分子量又は高分子量の化合物であ
り、例えば、ビスフエノールA、ビスフエノールF、ビ
スフエノールS、フエノール樹脂などのポリフエノール
化合物や、エチレングリコール、プロピレングリコー
ル、トリメチロールプロパン、トリメチロールエタン、
ペンタエリスリトールなどのポリオール類とクロロエチ
ルビニルエーテルなどのハロゲン化アルキル不飽和エー
テルとの縮合物;トリレンジイソシアネート、キシリレ
ンジイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネー
ト、イソホロンジイソシアネートなどのポリイソシアネ
ート化合物とヒドロキシエチルビニルエーテルのような
ヒドロキシアルキル不飽和エーテルとの反応物等が挙げ
られる。特に、上記ポリフエノール化合物とハロゲン化
アルキル不飽和エーテルとの縮合物及び芳香環をもつポ
リイソシアネート化合物とヒドロキシアルキル不飽和エ
ーテルとの反応物が、エツチング耐性、形成されるパタ
ーンの精度等の観点から好適である。該化合物(b)
は、樹脂(a)100重量部に対して、通常約5〜15
0重量部、好ましくは約10〜100重量部の範囲であ
る。
【0026】(a)及び(b)成分を含有する組成物
は、それから形成された被膜は加熱により、カルボキシ
ル基及び/又はヒドロキシフェニル基と不飽和エーテル
基との付加反応により架橋して、溶剤やアルカリ水溶液
に対して不溶性となり、次いで活性エネルギー線照射
し、更に照射後加熱すると、発生した酸の触媒作用で架
橋構造が切断されて照射部が溶剤やアルカリ水溶液に対
して再び可溶性となるポジ型可視光感光性樹脂組成物で
ある。
【0027】該組成物においては、形成される膜を露光
する際に発生する酸によって酸加水分解反応が露光部分
で生じるが、この酸加水分解反応をスムーズに進行させ
るには水分が存在することが望ましい。このため本発明
の組成物中に、ポリエチレングリコール、ポリプロピレ
ングリコール、メチルセルロース、エチルセルロース等
の親水性樹脂を含有させておくことによって、形成され
る塗膜中に上記反応に必要な水分を容易に取り込ませる
ようにすることができる。かかる親水性樹脂の添加量
は、通常、樹脂成分100重量部に対して一般に20重
量部以下、好ましくは0.1〜10重量部の範囲内とす
ることができる。
【0028】また、上記、に記載の光酸発生剤は、
露光により酸を発生する化合物であり、この発生した酸
を触媒として、樹脂を分解させるものであり、従来から
公知のものを使用することができる。このものとして
は、例えば、スルホニウム塩、アンモニウム塩、ホスホ
ニウム塩、ヨードニウム塩、セレニウム塩等のオニウム
塩類、鉄−アレン錯体類、シラノ−ル−金属キレート錯
体類、トリアジン化合物類、ジアジドナフトキノン化合
物類、スルホン酸エステル類、スルホン酸イミドエステ
ル類、ハロゲン系化合物類等を使用することができる。
また、上記した以外に特開平7-146552号公報、特願平9-
289218号に記載の光酸発生剤も使用することができる。
この光酸発生剤成分は、上記した樹脂との混合物であっ
ても樹脂に結合したものであっても構わない。光酸発生
剤の配合割合は、樹脂100重量部に対して約0.1〜
40重量部、特に約0.2〜20重量部の範囲で含有す
ることが好ましい。
【0029】上記した樹脂及び光酸発生剤において、本
発明においては、光酸発生剤が樹脂骨格に組み込まれた
樹脂(例えば、露光により樹脂が酸基を発生し、これに
よりアルカリ現像が可能となるもの)も使用することが
できる。
【0030】このものとしては、例えば、イオン形成基
を有するアクリル樹脂等の基体樹脂にキノンジアジドス
ルホン酸類をスルホン酸エステル結合を介して結合させ
た樹脂を主成分とする組成物(特開昭61-206293号公
報、特開平7-133449号公報等参照)、即ち照射光により
キノンジアジド基が光分解してケテンを経由してインデ
ンカルボン酸を形成する反応を利用したナフトキノンジ
アジド感光系組成物が挙げられる。
【0031】本発明で使用する光増感剤(C)は、上記
した一般式(1)で表されるベンゾピラン環縮合化合物
である。
【0032】一般式(1)において、R1は水素原子、
ハロゲン基、シアノ基、トリフルオロメチル基、カルボ
キシル基、又はエチルカルボキシル基、ブチルカルボキ
シル基、オクチルカルボキシル基、4−ブチルフェニル
カルボキシル基、4−ヘキシルシクロヘキシルカルボキ
シル基などのカルボン酸エステル基を表す。R2はメチ
ル基、エチル基、ブチル基、オクチル基、ドデシル基、
オクタデシル基などのアルキル基を、R3はそれぞれ水
素原子、アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン基、シア
ノ基、トリフルオロメチル基又はスルホキシ基を表す。
XはCH3SO4、C25SO4、p−CH364
3、Br、I、BF4、PF6、ClO4、(C653
BC49を始めとする一価の酸残基を、また、YはNH
基またはOを表す。ただし、nは0又は1から選ばれる
整数であって、nが0のときはR4もXも存在しない。
【0033】上記した光増感剤(C)としては、例え
ば、下記化合物 化3
【0034】
【化3】
【0035】等が挙げられる。
【0036】また、本発明において、上記した光増感剤
(C)以外に、必要に応じてその他の光増感色素を配合
してもよく、例えば、フェノチアジン系、アントラセン
系、コロネン系、ベンズアントラセン系、ペリレン系、
メロシアニン系、ケトクマリン系、フマリン系、ボレー
ト系等の色素が挙げられる。ボレート系光増感色素とし
ては、例えば特開平5-241338号公報、特開平7-5685号公
報及び特開平7-225474号公報等に挙げられたものを使用
することができる。
【0037】光増感剤(C)の配合割合は、樹脂(A)
及び光酸発生剤(B)100重量部に対して約0.1〜
10重量部、特に約0.3〜5重量部の範囲で含有する
ことが好ましい。
【0038】本発明において、上記した以外に光酸増殖
剤(D)を必要に応じて配合することができる。
【0039】該光酸増殖剤(D)としては、有機酸エス
テル(a)及び/又は架橋炭素環骨格を有し、該架橋炭
素環上に水酸基とその水酸基が結合している炭素原子の
隣接位の炭素原子に下記一般式(2) −OSO2−R5 (式中、R5は脂肪族基、多環芳香族基又は複素環基を
示す)で表されるスルホナート基を有する架橋炭素環化
合物(b)のものである。
【0040】これらの光酸増殖剤(D)は、光酸発生剤
(C)と組合せて用いることにより、光を照射すると、
その光酸発生剤から酸が遊離し、この酸が酸増殖剤を分
解し、そしてこの分解により生成した遊離酸が酸増殖剤
を分解して遊離酸を生成する。このようにして、光の照
射により、それに含まれる酸増殖剤が連鎖的に分解し、
多数の遊離酸分子を生成させるものである。
【0041】有機酸エステル(a)は、比較的強い酸の
残基で置換された化合物であって、光酸発生剤の存在下
で容易に脱離して新たに酸を発生する化合物である。す
なわち、光酸発生剤の酸によって分解し、再び酸(以
下、一般式でZOHと記す。)を発生する。一反応で1
つ以上の酸が増えており、反応の進行に伴って加速的に
酸濃度が増加することにより、飛躍的に感光速度が向上
する光重合性組成物を得ることができる。この発生する
酸の強度は酸解離定数(pKa)として3以下であり、
さらに2以下であることが好ましい。これよりも弱い酸
であれば、酸触媒による脱離反応を引き起こすことがで
きない。このような酸触媒に用いられる酸としては、ジ
クロロ酢酸、トリクロロ酢酸、メタンスルホン酸、エタ
ンスルホン酸、ベンゼンスルホン酸、p−トルエンスル
ホン酸、ナフタレンスルホン酸、フェニルホスホン酸な
どを挙げることができる。
【0042】本発明における酸増殖剤(C)の第1の具
体例としては、一般式(3)で表される有機酸エステル
化合物を挙げることができる。化4
【0043】
【化4】
【0044】(式中、A1 は炭素原子数が1から6まで
のアルキル基またはアリール基を示し、A2 は炭素原子
数が1から6までのアルキル基を示し、A3 はビス(p
−アルコキシフェニル)メチル基、2−アルキル−2−
プロピル基、2−アリール−2−プロピル基、シクロヘ
キシル基またはテトラヒドロピラニル基を示し、Zはp
Kaが3以下であるZOHで表される酸の残基を示
す。)これらの化合物に酸が作用すると、エステル基が
分解してカルボン酸となり、これらさらに脱カルボン酸
を起こすことによって酸(ZOH)が脱離するものであ
り、具体的な例を以下に示す。化5
【0045】
【化5】
【0046】第2の具体例としては、一般式(4)で表
されるアセタールまたはケタール基をもつ有機酸エステ
ルを挙げることができる。化6
【0047】
【化6】
【0048】(式中、ZはpKaが3以下であるZOH
で表される酸の残基を示し、B1 は水素原子、アルキル
基あるいはアリール基であり、B2 およびB3 はメチル
基あるいはエチル基または両者でエチレンまたはプロピ
レン基を形成するものであり、B4 は水素原子またはメ
チル基を示す。) これらの化合物は酸の作用でアセタールあるいはケター
ルが分解してβ−アルデヒドあるいはケトンとなり、こ
れからZOHが容易に脱離する。具体的な例を以下に示
す。化7
【0049】
【化7】
【0050】第3の具体例は、一般式(5)で表される
有機酸エステルを挙げることができる。化8
【0051】
【化8】
【0052】(式中、ZはpKaが3以下であるZOH
で表される酸の残基を示し、D1 、D3 は炭素原子数が
1から6までのアルキル基または双方が脂環状構造を形
成するアルキレンあるいは置換アルキレン残基を示し、
D2 は水素原子、炭素原子数が1から6までのアルキル
基またはアリール基を示す。) これらの化合物は、酸触媒によって水酸基が脱離してカ
ルボカチオンを形成し、水素移動をしてからZOHが発
生するものと推定される。具体的な例を以下に示す。化
【0053】
【化9】
【0054】第4の具体例は、一般式(6)で表される
エポキシ環を有する有機酸エステルを挙げることができ
る。化10
【0055】
【化10】
【0056】(式中、ZはpKaが3以下であるZOH
で表される酸の残基を示し、Fは炭素原子数が1から6
までのアルキル基またはフェニル基を示す。) これらの化合物に酸が作用するとエポキシ環の開環が起
こり、β−炭素にカチオンが形成され、水素移動の結果
として有機酸が発生するものと推定される。具体的な例
を以下に示す。化11
【0057】
【化11】
【0058】これらの化合物は酸が作用しない限り室温
で安定に存在する。これらの化合物が酸触媒の存在下で
分解するためには一定の酸強度が必要となるが、pKa
で3以下であり、さらに好ましくは2以下であることが
好ましい。3を越えるpKa、すなわち、3を越える弱
い酸であれば、酸増殖剤の反応を引き起こすことができ
ない。
【0059】その他の化合物としては、シス−3−(p
−トルエンスルホニルオキシ)−2−ピナノール
(1)、多官能のものとしては化12
【0060】
【化12】
【0061】などが挙げられる。これらの化合物を2種
以上混合して使用しても一向に差し支えない。
【0062】架橋炭素環化合物(b)は、架橋炭素環骨
格を有し、該架橋炭素環上に水酸基とその水酸基が結合
している炭素原子の隣接位の炭素原子に下記一般式
(2) −OSO2−R5 (式中、R5は脂肪族基、多環芳香族基又は複素環基を
示す)で表されるスルホナート基を有する架橋炭素環化
合物(b)のものである。
【0063】本発明の化合物は、酸増殖剤として作用
し、酸触媒反応によって分解して再び酸(R5SO3H)
を発生する。一回の反応で1つの酸が増えて、反応の進
行に伴って加速的に反応が進む。発生した酸自体が自己
分解を誘起するために、ここで発生する酸の強度は酸解
離定数、pKa、として3以下、とくに、2以下である
ことが望ましい。これより弱い酸であれば、自己分解を
引き起こすことができない。このような反応によって遊
離される酸(R5SO3H)として、メタンスルホン酸、
エタンスルホン酸、プロパンスルホン酸、ブタンスルホ
ン酸、ペンタンスルホン酸、ヘキサンスルホン酸、ヘプ
タンスルホン酸、オクタンスルホン酸、シクロヘキサン
スルホン酸、カンファースルホン酸、トリフルオロメタ
ンスルホン酸、2,2,2−トリフルオロエタンスルホ
ン酸、ベンゼンスルホン酸、p−トルエンスルホン酸、
p−ブロモベンゼンスルホン酸、p−ニトロベンゼンス
ルホン酸、2−チオフェンスルホン酸、1−ナフタレン
スルホン酸、2−ナフタレンスルホン酸などをあげるこ
とができる。
【0064】該酸増殖剤は、加熱により連鎖的に分解さ
せることができる。
【0065】該酸増殖剤は、架橋炭素環骨格構造を有す
ることを特徴とする。このようなものには、複数の炭素
環、通常、2〜6、好ましくは2〜3の炭素環を有する
架橋炭素環が包含される。また、この架橋炭素環には、
置換基、例えば、メチル基やエチル基、プロピル基等の
炭素数1〜6、好ましくは1〜3の低級く、また、二重
結合等の不飽和結合を有していてもよい。このような架
橋炭素環は、その分子内に架橋結合が存在し、分子が剛
直化されたものであり、熱安定性の向上した酸増殖剤を
与える。
【0066】本発明の化合物は、その架橋炭素環上に、
水酸基と、その水酸基が結合している炭素原子の隣接位
の炭素原子に下記一般式(2)で表されるスルホナート
基を有する。 −OSO2−R5 前記式において、R5は脂肪族基、多環芳香族基又は複
素環基を示す。脂肪族基には、鎖状又は環状(架橋炭素
環状を含む)のアルキル基及びアルケニル基が包含され
る。脂肪族基の炭素数は、通常、1〜12、好ましくは
1〜8である。多環芳香族基には、ナフチル基やビフェ
ニル基、ナフチルメチル基等が包含される。複素環基
は、単環又は多環構造のものであることができ、その複
素環基には、従来公知の各種の複素環化合物から誘導さ
れるものが包含される。前記脂肪族基、多環芳香族基及
び複素環基は、ハロゲン、炭化水素オキシ基、アミノ
基、置換アミノ基等の置換基を有していてもよい。前記
脂肪族基及び多環芳香族基の具体例としては、例えば、
メチル、エチル、プロピル、ブチル、アシル、ヘキシ
ル、ビニル、プロピレン、アリル、シクロヘキシル、シ
クロオクチル、ビシクロ炭化水素基、トリシクロ炭化水
素基、ナフチル、ナフチルメチル、ビフェニル及びそれ
らの置換体が挙げられる。前記複素環基としては、各種
の複素環化合物、例えば、フラン、チオフェン、ピロー
ル、ベンゾフラン、チオナフテン、インドール、カルバ
ゾール等の1つのヘテロ原子を含む五員環化合物とその
縮合環化合物、オキサゾール、チアゾール、ピラゾール
等の2つのヘテロ原子を含む五員環化合物とその縮合環
化合物、ピラン、ピロン、クマリン、ピリジン、キノリ
ン、イソキノリン、アクリジン等の1つのヘテロ原子を
含む六員環化合物とその縮合環化合物、ピリダジン、ピ
リミジン、ピラジン、フタルジン等の2つのヘテロ原子
を含む六員環化合物とその縮合環化合物等から誘導され
た各種のものが挙げられる。
【0067】好ましい酸増殖剤を与える化合物の構造例
を以下に示す。化13
【0068】
【化13】
【0069】前記式において、R5は前記と同じ意味を
有し、R4は水素原子、脂肪族基又は芳香族基を示す。
脂肪族基には、鎖状又は環状(架橋環状を含む)のアル
キル基又はアルケニル基が包含され、芳香族基には、ア
リール基やアリールアルキル基が包含される。それらの
脂肪族基及び芳香族基はハロゲン原子やアルコキシ基、
アミノ基、置換アミノ基等の置換基を有していてもよ
い。
【0070】前記脂肪族基の炭素数は1〜12、好まし
くは1〜8である。芳香族基は、単環又は多環構造であ
ることができる。R4は脂肪族基又は芳香族基であるの
が好ましい。
【0071】前記ビシクロ化合物(デカリン)(a)
は、その1,6位に架橋結合を有し、また、ビシクロ化
合物(b)はその1,3位に架橋結合を有し、ビシクロ
化合物(c)、(d)はその1,4位に架橋結合を有す
る。従って、これらのビシクロ化合物において、そのシ
クロヘキサン環のコンホーメーション変化は高度に抑制
され、その環構造は剛直性を示す。
【0072】本発明の化合物の具体例を以下に示す。化
14
【0073】
【化14】
【0074】本発明の組成物においては、有機溶剤や水
性現像液での溶解性を良くしたり、また、逆に悪くした
りすることができる、水もしくは有機溶剤に不溶性もし
くは溶解(又は分散)を示す上記したその他の樹脂を必
要に応じて配合することができる。具体的には、例え
ば、フェノール系樹脂、ポリエステル系樹脂、アクリル
系樹脂、ビニル系樹脂、酢酸ビニル樹脂、エポキシ系樹
脂、シリコン系樹脂、フッ素系樹脂及びこれらの2種以
上の混合物もしくは変性物等が挙げられる。
【0075】また、本発明の組成物を用いて形成される
膜に適当な可撓性、非粘着性等を付与するために、本発
明の組成物には、フタル酸エステル等の可塑剤、ポリエ
ステル樹脂、アクリル樹脂等を添加することができる。
【0076】さらに、本発明の組成物には、必要に応じ
て、流動性調節剤、可塑剤、染料、顔料等の着色剤等を
添加してもよい。
【0077】本発明組成物は、例えば、有機溶剤系ポジ
型感光性樹脂組成物、水性ポジ型感光性樹脂組成物等の
液状レジスト感光性樹脂組成物;ポジ型感光性ドライフ
ィルムの感光性ドライフィルムとして使用することがで
きる。
【0078】上記したポジ型感光性樹脂組成物の有機溶
剤型のものとしては、上記したポジ型感光性樹脂組成物
を有機溶剤(ケトン類、エステル類、エーテル類、セロ
ソルブ類、芳香族炭化水素類、アルコール類、ハロゲン
化炭化水素類など)に溶解もしくは分散して得られるも
のである。
【0079】また、このものを基材に塗装する方法とし
ては、例えば、ローラー、ロールコーター、スピンコー
ター、カーテンロールコーター、スプレー、静電塗装、
浸漬塗装、シルク印刷、スピン塗装等の手段により塗布
することができる。
【0080】次いで、必要に応じてセッテングした後、
乾燥することによりレジスト被膜を得ることができる。
【0081】水性ポジ型感光性樹脂組成物は、上記した
ポジ型感光性樹脂組成物を水に溶解もしくは分散するこ
とによって得られる。水性ポジ型感光性樹脂組成物の水
溶化又は水分散化は、ポジ型感光性樹脂組成物中のカル
ボキシル基又はアミノ基をアルカリ又は酸(中和剤)で
中和することによって行われる。
【0082】また、このものを基材に塗装する方法とし
ては、例えば、ローラー、ロールコーター、スピンコー
ター、カーテンロールコーター、スプレー、静電塗装、
浸漬塗装、シルク印刷、スピン塗装等の手段により塗布
することができる。
【0083】次いで、必要に応じてセッテングした後、
乾燥することによりレジスト被膜を得ることができる。
【0084】有機溶剤系もしくは水性ポジ型感光性樹脂
組成物を基材上に塗装して得られたポジ型感光性被膜
は、必要に応じてセッテング等を行って、約50〜13
0℃の範囲の温度で乾燥を行うことによりポジ型感光性
被膜を形成することができる。次いで、所望のレジスト
被膜(画像)が得られるように光線で直接感光させ露光
部分の被膜を現像液で現像処理して除去する。
【0085】本発明で使用できる光源としては、従来か
ら使用されているもの、例えば超高圧、高圧、中圧、低
圧の水銀灯、ケミカルランプ、カーボンアーク灯、キセ
ノン灯、メタルハライド灯、蛍光灯、タングステン灯、
太陽光等の各光源により得られる光源を紫外カットフィ
ルターによりカットした可視領域の光線や、可視領域に
発振線を持つ各種レーザー等が使用できる。高出力で安
定なレーザー光源として、アルゴンレーザー、あるいは
YAGレーザーの第二高調波(532nm)が好まし
い。
【0086】上記した現像処理としては、ポジ型感光性
樹脂組成物が、アニオン性の場合にはアルカリ現像処理
がおこなわれ、また、カチオン性の場合には酸現像処理
がおこなわれる。ポジ型感光性ドライフィルムは、例え
ば、上記したポジ型感光性樹脂組成物をポリエチレンテ
レフタレート等の剥離紙に塗装し、乾燥を行って水や有
機溶剤を揮発させ、もしくは加熱硬化させたものを使用
することができる。このものを使用するときは、剥離紙
を剥離して使用する。
【0087】本発明のポジ型可視光感光性樹脂組成物
は、一般に用いられている公知の感光性材料、例えば、
塗料、インキ、接着剤、レジスト材、刷版材(平板や凸
版用製版材、オフセット印刷用PS板等)、情報記録材
料、レリーフ像作製材料等幅広い用途への使用が可能で
ある。液状現像処理は、例えば、現像液を約10〜80
℃、好ましくは約15〜50℃の液温度で約1分間〜6
0分間、好ましくは約2分間〜30分間吹き付けや浸漬
することにより被膜形成用樹脂層にパターンを形成させ
ることができる。
【0088】該液状現像処理は、例えば、被膜形成用樹
脂中に酸性基を含有させた場合にはアルカリ性現像液が
使用でき、被膜形成用樹脂中に塩基性基を含有させた場
合には酸性現像液が使用でき、樹脂中に親水性基を含有
させた場合には水現像液が使用でき、また被膜形成用樹
脂が有機溶剤に溶解(もしくは分散)するものは有機溶
剤現像液を使用することができる。
【0089】アルカリ性現像液としては、例えば、モノ
メチルアミン、ジメチルアミン、トリメチルアミン、モ
ノエチルアミン、ジエチルアミン、トリエチルアミン、
モノイソプロピルアミン、ジイソプロピルアミン、トリ
イソプロピルアミン、モノブチルアミン、ジブチルアミ
ン、モノエタノールアミン、ジエタノールアミン、トリ
エタノールアミン、ジメチルアミノエタノール、ジエチ
ルアミノエタノール、アンモニア、苛性ソーダー、苛性
カリ、メタ珪酸ソーダー、メタ珪酸カリ、炭酸ソーダ
ー、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド等の水性液
が挙げられる。
【0090】酸性現像液としては、例えば、ギ酸、クロ
トン酸、酢酸、プロピオン酸、乳酸、塩酸、硫酸、硝
酸、燐酸等の水性液が挙げられる。有機溶剤としては、
例えば、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、トルエン、キ
シレン、ジクロロメタン、クロロホルム、四塩化炭素、
トリクロロエチレンなどの炭化水素系、メタノール、エ
タノール、プロパノール、ブタノールなどのアルコール
系、ジエチルエーテル、ジプロピルエーテル、ジブチル
エーテル、エチルビニルエーテル、ジオキサン、プロピ
レンオキシド、テトラヒドロフラン、セロソルブ、メチ
ルセロソルブ、ブチルセロソルブ、メチルカルビトー
ル、ジエチレングルコールモノエチルエーテル等のエー
テル系、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブ
チルケトン、イソホロン、シクロヘキサノン等のケトン
系、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸プロピル、酢酸ブチ
ル等のエステル系、ピリジン、ホルムアミド、N,N−
ジメチルホルムアミド等のその他の溶剤等が挙げられ
る。
【0091】本発明は、下記工程 (1)上記ポジ型感光性樹脂組成物又はポジ型感光性ド
ライフィルムにより、必要に応じてポジ型感光性ドライ
フィルムの支持フィルム層を剥離してポジ型感光性樹脂
被膜を形成する工程、(2)所望のパターンが得られる
ように可視光線をマスクを介して照射もしくは直接に照
射させる工程、(3)次いで、ポジ型感光性ドライフィ
ルムの支持フィルム層を剥離していない場合は剥離した
後、照射部のポジ型感光性樹脂被膜を現像処理してレジ
ストパターン被膜を形成する工程を含むパターン形成方
法に関する。本発明において、感エネルギー線被膜層と
してドライレジストフィルムを使用する場合には、支持
フィルム層(剥離紙)及び感エネルギー線被膜層を積層
してなるドライレジストフィルムを目的とする素材表面
と該ドライレジストフィルムの感エネルギー線被膜層が
接するように貼り付けた後、支持フィルム層を樹脂層か
ら剥離し、次いで本発明の(2)、(3)の工程を行う
ことにより、又は支持フィルム層及び感エネルギー線被
膜層を積層してなるドライレジストフィルムを目的とす
る素材表面と該ドライレジストフィルムの感エネルギー
線被膜層が接するように貼り付けた後、(2)工程を行
った後、支持フィルム層を剥離し、次いで(3)工程を
行うことができる。
【0092】本発明方法は、上記した工程を含むもので
あれば用途等特に制限なしに適用することができる。
【0093】該用途としては、例えば産業分野別には、
電気部品関係、照明関係、電気素子関係、半導体関係、
印刷関係、印刷回路関係、電子通信関係、電力関係等の
電気類;計測関係、光学関係、表示関係、音響関係、制
御関係、自動販売関係、信号関係、情報記録関係等の物
理類;無機化学類、有機化学関係、高分子化学関係、冶
金関係、繊維等の化学・冶金・繊維類;分離・混合関
係、金属加工関係、塑性加工関係、印刷関係、容器関
係、包装関係等の処理・輸送類;農水産関係、食品関
係、発酵関係、家庭用品関係、健康・娯楽関係等の生活
用品類;機械工学類などが挙げられる。
【0094】上記した電気類としては、例えばブラック
マトリックス絶縁被膜形成方法、ビルドアップ法による
絶縁被膜形成方法、ソルダーレジスト絶縁被膜形成方
法、表示パネルの隔壁形成方法、表示パネルのブラック
ベルト形成方法、カラーフィルターの着色絶縁被膜形成
方法、表示パネル蛍光体、ホログラムパターン、CDマ
スタリング、コイル等;物理類としては、例えば光ファ
イバー加工、フロッピデスク、磁気テープ、磁気カー
ド、光学部品、電波吸収体等;化学・冶金・繊維類とし
ては、例えば無機、ガラス、セメント、セラミックの絶
縁体等;処理・輸送類としては、例えば印刷物、印刷原
版、回折格子、マーキング、バーコード、マスク、フィ
ルター、食刻、デフロスター、セメント加工、石材加
工、繊維加工、プラスチック加工、ラベル等;生活用品
類としては、例えば担体、化粧品、発酵工業等;機械工
学類としては、例えばマイクロマシーン部品等が挙げら
れる。
【0095】
【実施例】 実施例により本発明をさらに具体的に説明
する。なお、部及び%は重量基準である。
【0096】水性ポジ型感光性アニオン組成物1の製造
例 テトラヒドロフラン200部、Pーヒドロキシスチレン
65部、n−ブチルアクリレート28部、アクリル酸1
1部及びアゾビスイソブチロニトリル3部の混合物を1
00℃で2時間反応させて得られた反応物を1500c
cのトルエン溶剤中に注ぎ込み、反応物を沈殿、分離し
た後、沈殿物を60℃で乾燥して分子量約5200、ヒ
ドロキシフェニル基含有量4.6モル/Kgの感光性樹
脂を得た。次いでこのもの100部にジビニルエーテル
化合物(ビスフェノール化合物1モルと2ークロロエチ
ルビニルエーテル2モルとの縮合物)60部、NAIー
105(光酸発生剤、みどり化学株式会社製、商品名)
10部及び光増感色素としてNKXー1595(光増感
色素、日本感光色素社製、クマリン系色素、商品名)
1.5部、下記化合物 化15
【0097】
【化15】
【0098】1部の配合物100部(固形分)にトリエ
チルアミン7部を混合攪拌した後、脱イオン水中に分散
して水分散樹脂溶液(固形分15%)を得た。
【0099】水性ポジ型感光性カチオン組成物2の製造
例 テトラヒドロフラン200部、P−ヒドロキシスチレン
65部、ジメチルアミノエチルメタクリレート18部、
n−ブチルアクリレート17部及びアゾビスイソブチロ
ニトリル3部の混合物を100℃で2時間反応させて得
られた反応物を1500ccのトルエン溶剤中に注ぎ込
み、反応物を沈殿、分離した後、沈殿物を60℃で乾燥
して分子量約5000、ヒドロキシフェニル基含有量
4.6モル/Kgの感光性樹脂を得た。次いでこのもの
100部にジビニルエーテル化合物(ビスフェノール化
合物1モルと2ークロロエチルビニルエーテル2モルと
の縮合物)60部、NAIー105(光酸発生剤、みど
り化学株式会社製、商品名)10部及び光増感色素とし
てNKXー1595(光増感色素、日本感光色素社製、
クマリン系色素、商品名)1.5部及び下記化合物化1
【0100】
【化16】
【0101】1部及びシス−3−(p−トルエンスルホ
ニルオキシ)−2−ピナノール1部の配合物100部
(固形分)にヒドロキシ酢酸7部を混合攪拌した後、脱
イオン水中に分散して水分散樹脂溶液(固形分15%)
を得た。
【0102】有機溶剤系ポジ型感光性組成物3の製造例 上記水性ポジ型感光性アニオン組成物1の感光液(アミ
ン及び水を配合する前の組成物)をジエチレングリコー
ルジメチルエーテル溶媒に溶解して有機溶剤樹脂溶液
(固形分30%)を得た。
【0103】有機溶剤系ポジ型感光性組成物4の製造例 上記水性ポジ型感光性カチオン組成物2の感光液(酸及
び水を配合する前の組成物)をジエチレングリコールジ
メチルエーテル溶媒に溶解して有機溶剤樹脂溶液(固形
分30%)を得た。
【0104】水性ポジ型感光性アニオン組成物5の製造
例 水性ポジ型感光性アニオン組成物1の製造例において、
化15の化合物を使用しない以外は水性ポジ型感光性ア
ニオン組成物1の製造例と同様にして製造した。
【0105】ポジ型ドライフィルム1の製造例 ポリエチレンテレフタレートフィルムに有機溶剤系ポジ
型感光性組成物3を乾燥膜厚が20μmになるようにロ
ーラー塗装し、セッテングした後90℃で30分間加熱
して製造した。
【0106】ポジ型ドライフィルム2の製造例 ポリエチレンテレフタレートフィルムに有機溶剤系ポジ
型感光性組成物4を乾燥膜厚が20μmになるようにロ
ーラー塗装し、セッテングした後90℃で30分間加熱
して製造した。
【0107】実施例1 銅張り積層板の表面に水性ポジ型感光性アニオン組成物
1を乾燥膜厚が6μmになるようにローラー塗装し、8
0℃で20分間加熱硬化させて黒色被膜の上にポジ型感
光性アニオン被膜を形成した。
【0108】アルゴンレーザー(発振線488nm)5
mj/cm2をパターン状に直接ポジ型感光性アニオン
被膜表面から照射し露光した。次いで露光部以外のポジ
型感光性アニオンレジスト被膜を25℃のアルカリ現像
液a(炭酸ナトリウム水溶液0.25重量%)で剥離し
た。
【0109】ライン/スペース=100/20μmのス
トライプ状にパターニングされ良好であった。
【0110】実施例2 銅張り積層板の表面に水性ポジ型感光性カチオン組成物
2を乾燥膜厚が6μmになるようにローラー塗装し、8
0℃で20分間加熱してポジ型感光性カチオン被膜を形
成した。次いでアルゴンレーザー(発振線488nm)
5mj/cm2をパターン状に直接ポジ型感光性カチオ
ン被膜表面から照射し露光した。次いで酸現像液b(酢
酸水溶液1重量%)に25℃で60秒間浸漬して露光部
のカチオン性被膜を現像処理した。ライン/スペース=
100/20μmのストライプ状にパターニングされ良
好であった。
【0111】実施例3 銅張り積層板の表面にポジ型ドライフィルム1の感光面
が重なるようにラミネートし、次いでポリエチレンテレ
フタレート離型紙を剥離してポジ型感光性ドライフィル
ムを形成した。
【0112】次いで、アルゴンレーザー(発振線488
nm)5mj/cm2をパターン状に直接ポジ型感光性
被膜表面から照射し露光した。次いで上記アルカリ現像
液aに25℃で60秒間浸漬して感光性被膜を現像処理
した。ライン/スペース=100/20μmのストライ
プ状にパターニングされ良好であった。
【0113】実施例4 銅張り積層板の表面にポジ型ドライフィルム2の感光面
が重なるようにラミネートし、次いでポリエチレンテレ
フタレート離型紙を剥離してポジ型感光性ドライフィル
ムを形成した。
【0114】次いで、アルゴンレーザー(発振線488
nm)5mj/cm2をパターン状に直接ポジ型感光性
被膜表面から照射し露光した。次いで上記酸現像液bに
25℃で60秒間浸漬して感光性被膜を現像処理した。
ライン/スペース=100/20μmのストライプ状に
パターニングされ良好であった。
【0115】比較例1 実施例1において、水性ポジ型感光性アニオン組成物1
に代えて組成物5を使用した以外は実施例1と同様にし
て行った。その結果、繊細なパターニングが形成されず
悪かった。
【0116】
【発明の効果】 本発明は上記した構成を有することか
ら、組成物の貯蔵安定性、感光性に優れた効果を発揮す
る。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) C08K 5/42 C08K 5/42 C08L 101/00 C08L 101/00

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 (A)ポジ型感光性樹脂、(B)光酸発
    生剤及び(C)波長500nm以上の可視光に対して光
    増感能を有するベンゾピラン環縮合化合物を含むことを
    特徴とするポジ型感光性樹脂組成物。
  2. 【請求項2】 ベンゾピラン環縮合化合物が、下記一般
    式(1) 化1 【化1】 (ただし、R1は水素原子、ハロゲン基、シアノ基、ト
    リフルオロメチル基、カルボキシル基又はカルボン酸エ
    ステル基を、R2はアルキル基を、R3は水素原子、ア
    ルキル基、アルコキシ基、シアノ基、トリフルオロメチ
    ル基、スルホキシ基又はハロゲン基を、Xは一価の酸残
    基を、YはNH基又はOを表すものとする。)であるこ
    とを特徴とする請求項1に記載のポジ型感光性樹脂組成
    物。
  3. 【請求項3】 上記ポジ型感光性樹脂組成物に(D)有
    機酸エステル(a)及び/又は架橋炭素環骨格を有し、
    該架橋炭素環上に水酸基とその水酸基が結合している炭
    素原子の隣接位の炭素原子に下記一般式(2) −OSO2−R5 (式中、R5は脂肪族基、多環芳香族基又は複素環基を
    示す)で表されるスルホナート基を有する架橋炭素環化
    合物(b)の光酸増殖剤を配合してなることを特徴とす
    る請求項1又は2に記載のポジ型感光性樹脂組成物。
  4. 【請求項4】 上記ポジ型感光性樹脂組成物を水又は有
    機溶剤の媒体に分散もしくは溶解させてなることをなる
    ことを特徴とする請求項1〜3の少なくとも1項に記載
    のポジ型感光性樹脂組成物。
  5. 【請求項5】 支持フィルム層の表面に請求項1〜4の
    少なくとも1項に記載のネガ型感光性樹脂組成物から形
    成されるネガ型感光性樹脂層を積層してなることを特徴
    とするポジ型感光性ドライフィルム。
  6. 【請求項6】 上記ポジ型感光性樹脂組成物又はネガ型
    感光性ドライフィルムを使用して得られる材料。
  7. 【請求項7】 下記工程 (1)上記ポジ型感光性樹脂組成物又はポジ型感光性ド
    ライフィルムにより、必要に応じてポジ型感光性ドライ
    フィルムの支持フィルム層を剥離してポジ型感光性樹脂
    被膜を形成する工程、(2)所望のパターンが得られる
    ように可視光線をマスクを介して照射もしくは直接に照
    射させる工程、(3)次いで、ポジ型感光性ドライフィ
    ルムの支持フィルム層を剥離していない場合は剥離した
    後、照射部のポジ型感光性樹脂被膜を現像処理してレジ
    ストパターン被膜を形成する工程を含むことを特徴する
    パターン形成方法。
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Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7148265B2 (en) * 2002-09-30 2006-12-12 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Functional polymer
TWI308993B (en) * 2003-02-25 2009-04-21 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd Photoresist composition and method of forming the same
US20070231741A1 (en) * 2006-04-04 2007-10-04 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Resist composition and patterning process
KR20090029207A (ko) * 2006-06-13 2009-03-20 세키스이가가쿠 고교가부시키가이샤 패턴막의 제조 방법 및 감광성 수지 조성물
US7923200B2 (en) * 2007-04-09 2011-04-12 Az Electronic Materials Usa Corp. Composition for coating over a photoresist pattern comprising a lactam
JP5069494B2 (ja) * 2007-05-01 2012-11-07 AzエレクトロニックマテリアルズIp株式会社 微細化パターン形成用水溶性樹脂組成物およびこれを用いた微細パターン形成方法
EP2450746A1 (en) * 2007-08-10 2012-05-09 Fujifilm Corporation Positive resist composition and pattern forming method using the composition
US7745077B2 (en) * 2008-06-18 2010-06-29 Az Electronic Materials Usa Corp. Composition for coating over a photoresist pattern
US8455176B2 (en) * 2008-11-12 2013-06-04 Az Electronic Materials Usa Corp. Coating composition
JP5838101B2 (ja) 2012-02-06 2015-12-24 富士フイルム株式会社 パターン形成方法、及びこれらを用いた電子デバイスの製造方法
TWI576654B (zh) * 2015-12-01 2017-04-01 冠橙科技股份有限公司 光罩基板以及光罩
JP6573721B2 (ja) * 2016-06-10 2019-09-11 富士フイルム株式会社 パターン付き基材の製造方法、及び、回路基板の製造方法
JP6874649B2 (ja) * 2016-11-24 2021-05-19 信越化学工業株式会社 化学増幅ポジ型レジストフィルム積層体及びパターン形成方法
CN111155350A (zh) * 2020-01-13 2020-05-15 浙江理工大学 一种正性光刻胶用纤维素基成膜树脂的制备方法

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5496678A (en) * 1993-04-16 1996-03-05 Kansai Paint Co., Ltd. Photosensitive compositions containing a polymer with carboxyl and hydroxyphenyl groups, a compound with multiple ethylenic unsaturation and a photo-acid generator
JP3441246B2 (ja) * 1995-06-07 2003-08-25 富士写真フイルム株式会社 光重合性組成物
JP3522454B2 (ja) 1995-06-27 2004-04-26 株式会社林原生物化学研究所 ベンゾピラン環縮合化合物
ATE199985T1 (de) * 1996-02-09 2001-04-15 Wako Pure Chem Ind Ltd Polymer und resistmaterial
JP3993691B2 (ja) * 1997-09-24 2007-10-17 関西ペイント株式会社 レジストパターン形成方法
JP2000035665A (ja) 1998-05-11 2000-02-02 Kunihiro Ichimura 酸増殖剤及び感光性組成物
JP3810215B2 (ja) * 1998-06-17 2006-08-16 富士写真フイルム株式会社 感光性平版印刷版
JP2000056450A (ja) 1998-08-05 2000-02-25 Kansai Paint Co Ltd ポジ型可視光感光性樹脂組成物及びその用途
US6072006A (en) * 1998-11-06 2000-06-06 Arch Specialty Chemicals, Inc. Preparation of partially cross-linked polymers and their use in pattern formation
US6555286B1 (en) * 1999-08-25 2003-04-29 Kansai Paint Co., Ltd. Positive type actinic-ray-curable dry film and pattern-forming method by use of the same

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