JP2000056458A - ポジ型可視光感光性樹脂組成物及びその用途 - Google Patents
ポジ型可視光感光性樹脂組成物及びその用途Info
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- JP2000056458A JP2000056458A JP22192298A JP22192298A JP2000056458A JP 2000056458 A JP2000056458 A JP 2000056458A JP 22192298 A JP22192298 A JP 22192298A JP 22192298 A JP22192298 A JP 22192298A JP 2000056458 A JP2000056458 A JP 2000056458A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 可視光領域、特に、アルゴンレーザー及びY
AGレーザーの第二高調波に十分な感度を有し、かつ、
保存安定性に優れたポジ型可視光感光性樹脂組成物であ
り、可視光レーザー用の優れた感光層を形成する。 【解決手段】 ポジ型可視光感光性樹脂及び光増感剤を
含有してなるポジ型可視光感光性樹脂組成物において、
光増感剤として一般式(1)で表されるベンゾピロメテ
ン系化合物を含有することを特徴とするポジ型可視光感
光性樹脂組成物。 【化1】
AGレーザーの第二高調波に十分な感度を有し、かつ、
保存安定性に優れたポジ型可視光感光性樹脂組成物であ
り、可視光レーザー用の優れた感光層を形成する。 【解決手段】 ポジ型可視光感光性樹脂及び光増感剤を
含有してなるポジ型可視光感光性樹脂組成物において、
光増感剤として一般式(1)で表されるベンゾピロメテ
ン系化合物を含有することを特徴とするポジ型可視光感
光性樹脂組成物。 【化1】
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、特異な構造を有す
るベンゾピロメテン系化合物を光増感剤として含有する
可視光領域の光線に対し高い感度を示すポジ型可視光感
光性樹脂組成物及びその用途に係わる。
るベンゾピロメテン系化合物を光増感剤として含有する
可視光領域の光線に対し高い感度を示すポジ型可視光感
光性樹脂組成物及びその用途に係わる。
【0002】
【従来の技術】近年、光反応を用いた情報、あるいは画
像記録の分野で、従来のフィルム原稿等を用いた紫外線
による記録方法に代わり、コンピューターによって電子
編集された原稿を、そのまま、高出力レーザーを用いて
直接出力し、記録する方法が検討されている。この方法
は、レーザーによる直接書き込みにより、記録、画像形
成工程が、大幅に簡略化できるという利点を持つ。
像記録の分野で、従来のフィルム原稿等を用いた紫外線
による記録方法に代わり、コンピューターによって電子
編集された原稿を、そのまま、高出力レーザーを用いて
直接出力し、記録する方法が検討されている。この方法
は、レーザーによる直接書き込みにより、記録、画像形
成工程が、大幅に簡略化できるという利点を持つ。
【0003】現在、一般的に使用されている高出力で安
定なレーザー光源は、可視領域にその出力波長を有する
ものが多い。具体的には、波長488nmおよび51
4.5nmに安定な発振線を持つアルゴンレーザー、あ
るいは第二高調波として532nmに輝線を持つYAG
レーザー等が汎用されている。そのため、それらの波長
に対して高感度な化合物が望まれているが、従来使用さ
れてきた紫外線用の感光剤では、可視領域での感度が低
いため使用できなかった。また、ピリリウム塩、または
チオピリリウム塩類等の添加で、可視部での感度の向上
は可能ではあるが、その感光層の保存安定性が低く、使
用するのが困難であった。
定なレーザー光源は、可視領域にその出力波長を有する
ものが多い。具体的には、波長488nmおよび51
4.5nmに安定な発振線を持つアルゴンレーザー、あ
るいは第二高調波として532nmに輝線を持つYAG
レーザー等が汎用されている。そのため、それらの波長
に対して高感度な化合物が望まれているが、従来使用さ
れてきた紫外線用の感光剤では、可視領域での感度が低
いため使用できなかった。また、ピリリウム塩、または
チオピリリウム塩類等の添加で、可視部での感度の向上
は可能ではあるが、その感光層の保存安定性が低く、使
用するのが困難であった。
【0004】可視領域に感光性を有する化合物として、
例えば、7−ジエチルアミノ−3−ベンゾチアゾイルク
マリン(慣用名:クマリン−6)、あるいは、ビス〔3
−(7−ジエチルアミノクマリル)〕ケトン(慣用名:
ケトクマリン)が知られているが、これらは、最大吸収
波長が450nm前後にあるために、アルゴンレーザー
の488nmよりは短波長であり、感度が不十分であ
る。また、特開平4−18088号公報に記載の4−置
換−3−ベンゾチアゾイルクマリン化合物は、アルゴン
レーザーの488nmには高感光性を示すものの、51
4.5nmあるいはYAGレーザーの第二高調波である
532nmには吸収をほとんど持たず、感度向上の余地
を残していた。
例えば、7−ジエチルアミノ−3−ベンゾチアゾイルク
マリン(慣用名:クマリン−6)、あるいは、ビス〔3
−(7−ジエチルアミノクマリル)〕ケトン(慣用名:
ケトクマリン)が知られているが、これらは、最大吸収
波長が450nm前後にあるために、アルゴンレーザー
の488nmよりは短波長であり、感度が不十分であ
る。また、特開平4−18088号公報に記載の4−置
換−3−ベンゾチアゾイルクマリン化合物は、アルゴン
レーザーの488nmには高感光性を示すものの、51
4.5nmあるいはYAGレーザーの第二高調波である
532nmには吸収をほとんど持たず、感度向上の余地
を残していた。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、高出力で安
定なレーザー光源であるアルゴンレーザーの514.5
nmの発振線、あるいは、YAGレーザーの第二高調波
である532nm等の可視光領域の長波長のレーザー光
に対して高感度で、保存安定性に優れる光増感剤を含有
するポジ型可視光感光性樹脂組成物を提供するものであ
る。
定なレーザー光源であるアルゴンレーザーの514.5
nmの発振線、あるいは、YAGレーザーの第二高調波
である532nm等の可視光領域の長波長のレーザー光
に対して高感度で、保存安定性に優れる光増感剤を含有
するポジ型可視光感光性樹脂組成物を提供するものであ
る。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記した
問題点を解決するために鋭意研究を重ねた結果、特異な
構造を有するベンゾピロメテン系化合物を光増感剤とし
て使用したポジ型可視光感光性樹脂組成物が、従来から
の問題点を解決することを見出し、本発明を完成するに
至った。
問題点を解決するために鋭意研究を重ねた結果、特異な
構造を有するベンゾピロメテン系化合物を光増感剤とし
て使用したポジ型可視光感光性樹脂組成物が、従来から
の問題点を解決することを見出し、本発明を完成するに
至った。
【0007】即ち、本発明は、 1、ポジ型可視光感光性樹脂及び光増感剤を含有してな
るポジ型可視光感光性樹脂組成物において、光増感剤と
して一般式(1)で表されるベンゾピロメテン系化合物
を含有することを特徴とするポジ型可視光感光性樹脂組
成物、
るポジ型可視光感光性樹脂組成物において、光増感剤と
して一般式(1)で表されるベンゾピロメテン系化合物
を含有することを特徴とするポジ型可視光感光性樹脂組
成物、
【0008】
【化2】
【0009】〔式中、R1,R2,R3,R5,R6,R7,
R8,R9はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、
ニトロ基、シアノ基、ヒドロキシ基、アミノ基、カルボ
キシル基、スルホン酸基、アルキル基、ハロゲノアルキ
ル基、アルコキシアルキル基、アルコキシ基、アルコキ
シアルコキシ基、アリールオキシ基、アシル基、アルコ
キシカルボニル基、アミノカルボニル基、アルキルアミ
ノカルボニル基、ジアルキルアミノカルボニル基、アル
キルカルボニルアミノ基、アリールカルボニルアミノ
基、アリールアミノカルボニル基、アリールオキシカル
ボニル基、アラルキル基、アリール基、ヘテロアリール
基、アルキルチオ基、アリールチオ基、アルケニルオキ
シカルボニル基、アラルキルオキシカルボニル基、アル
コキシカルボニルアルコキシカルボニル基、アルキルカ
ルボニルアルコキシカルボニル基、モノ(ヒドロキシア
ルキル)アミノカルボニル基、ジ(ヒドロキシアルキ
ル)アミノカルボニル基、モノ(アルコキシアルキル)
アミノカルボニル基、ジ(アルコキシアルキル)アミノ
カルボニル基、アルケニル基、アルキルアミノ基、ジア
ルキルアミノ基、モノ(ヒドロキシアルキル)アミノ基
またはジ(ヒドロキシアルキル)アミノ基を表し、R4
は水素原子、シアノ基、アルキル基、アラルキル基、ア
リール基、ヘテロアリール基またはアルケニル基を表
し、R10,R11はそれぞれ独立に、ハロゲン原子、アル
キル基、アラルキル基、アリール基、ヘテロアリール
基、アルコキシ基またはアルコキシアルコキシ基を示
す。〕
R8,R9はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、
ニトロ基、シアノ基、ヒドロキシ基、アミノ基、カルボ
キシル基、スルホン酸基、アルキル基、ハロゲノアルキ
ル基、アルコキシアルキル基、アルコキシ基、アルコキ
シアルコキシ基、アリールオキシ基、アシル基、アルコ
キシカルボニル基、アミノカルボニル基、アルキルアミ
ノカルボニル基、ジアルキルアミノカルボニル基、アル
キルカルボニルアミノ基、アリールカルボニルアミノ
基、アリールアミノカルボニル基、アリールオキシカル
ボニル基、アラルキル基、アリール基、ヘテロアリール
基、アルキルチオ基、アリールチオ基、アルケニルオキ
シカルボニル基、アラルキルオキシカルボニル基、アル
コキシカルボニルアルコキシカルボニル基、アルキルカ
ルボニルアルコキシカルボニル基、モノ(ヒドロキシア
ルキル)アミノカルボニル基、ジ(ヒドロキシアルキ
ル)アミノカルボニル基、モノ(アルコキシアルキル)
アミノカルボニル基、ジ(アルコキシアルキル)アミノ
カルボニル基、アルケニル基、アルキルアミノ基、ジア
ルキルアミノ基、モノ(ヒドロキシアルキル)アミノ基
またはジ(ヒドロキシアルキル)アミノ基を表し、R4
は水素原子、シアノ基、アルキル基、アラルキル基、ア
リール基、ヘテロアリール基またはアルケニル基を表
し、R10,R11はそれぞれ独立に、ハロゲン原子、アル
キル基、アラルキル基、アリール基、ヘテロアリール
基、アルコキシ基またはアルコキシアルコキシ基を示
す。〕
【0010】2、ポジ型可視光感光性樹脂が、光酸発生
剤成分を含む樹脂又はそれらの混合物であって、これら
の樹脂が可視光の照射により露光部が有機溶剤又は水性
現像液に溶解し、また未照射部は有機溶剤又は水性現像
液に溶解しない樹脂であることを特徴とする上記のポジ
型可視光感光性樹脂組成物、 3、上記のポジ型可視光感光性樹脂組成物と溶剤を含有
してなるポジ型可視光感光性材料用組成物、 4、上記のポジ型可視光感光性樹脂組成物を基材上に含
有してなるポジ型レジスト材料 に関するものである。
剤成分を含む樹脂又はそれらの混合物であって、これら
の樹脂が可視光の照射により露光部が有機溶剤又は水性
現像液に溶解し、また未照射部は有機溶剤又は水性現像
液に溶解しない樹脂であることを特徴とする上記のポジ
型可視光感光性樹脂組成物、 3、上記のポジ型可視光感光性樹脂組成物と溶剤を含有
してなるポジ型可視光感光性材料用組成物、 4、上記のポジ型可視光感光性樹脂組成物を基材上に含
有してなるポジ型レジスト材料 に関するものである。
【0011】
【発明の実施の形態】本発明のポジ型可視光感光性樹脂
組成物は、前記一般式(1)のベンゾピロメテン系化合
物の光増感剤を含有するものである。
組成物は、前記一般式(1)のベンゾピロメテン系化合
物の光増感剤を含有するものである。
【0012】本発明の一般式(1)で表されるベンゾピ
ロメテン系化合物を使用した光増感剤は極めて有用であ
ることを見出した。本発明に用いる一般式(1)で表さ
れるベンゾピロメテン系化合物はアルゴンレーザー光や
YAGレーザー高波長光の波長に極めて大きな吸収を有
しており、かつ、それらの光に非常に高感度であり、樹
脂及び光酸発生剤を用いるポジ型感光性樹脂組成物に適
用可能な、光増感剤として有用な材料である。
ロメテン系化合物を使用した光増感剤は極めて有用であ
ることを見出した。本発明に用いる一般式(1)で表さ
れるベンゾピロメテン系化合物はアルゴンレーザー光や
YAGレーザー高波長光の波長に極めて大きな吸収を有
しており、かつ、それらの光に非常に高感度であり、樹
脂及び光酸発生剤を用いるポジ型感光性樹脂組成物に適
用可能な、光増感剤として有用な材料である。
【0013】なお、本発明で言う「ポジ型可視光感光性
材料用組成物」とは、例えば、塗料、インキ、接着剤、
刷版材、レジスト材及びこれらのものから形成される未
感光被膜等を意味する。
材料用組成物」とは、例えば、塗料、インキ、接着剤、
刷版材、レジスト材及びこれらのものから形成される未
感光被膜等を意味する。
【0014】以下、本発明についてさらに詳細に説明す
る。
る。
【0015】一般式(1)で表されるベンゾピロメテン
系化合物の光増感剤は、400〜700nmの可視光領
域の光に、特に、400〜600nmの光を吸収するこ
とにより励起され、樹脂や、光酸発生剤と相互作用を有
する化合物である。ここで言う「相互作用」には、励起
された光増感剤から樹脂または光酸発生剤へのエネルギ
ー移動や電子移動が包含される。このことから、ここで
使用する光増感剤は、光増感剤として極めて有用な化合
物である。
系化合物の光増感剤は、400〜700nmの可視光領
域の光に、特に、400〜600nmの光を吸収するこ
とにより励起され、樹脂や、光酸発生剤と相互作用を有
する化合物である。ここで言う「相互作用」には、励起
された光増感剤から樹脂または光酸発生剤へのエネルギ
ー移動や電子移動が包含される。このことから、ここで
使用する光増感剤は、光増感剤として極めて有用な化合
物である。
【0016】本発明の一般式(1)で表される化合物に
おいて、R1,R2,R3,R5,R6,R7,R8,R9の具
体例としては、水素原子;ニトロ基;シアノ基;ヒドロ
キシ基;アミノ基;カルボキシル基;スルホン酸基;フ
ッ素原子、塩素原子、臭素原子等のハロゲン原子;メチ
ル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n
−ブチル基、イソブチル基、t−ブチル基、n−ペンチ
ル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、n−ヘキシル
基、n−オクチル基、2−エチルヘキシル基、シクロヘ
キシル基、、デカリル基、イコサニル基等のアルキル
基;クロロメチル基、ジクロロメチル基、フルオロメチ
ル基、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル
基、1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロ−2−プ
ロピル基、ノナフルオロブチル基等のハロゲノアルキル
基;メトキシエチル基、エトキシエチル基、イソプロピ
ルオキシエチル基、3−メトキシプロピル基、2−メト
キシブチル基等のアルコキシアルキル基;
おいて、R1,R2,R3,R5,R6,R7,R8,R9の具
体例としては、水素原子;ニトロ基;シアノ基;ヒドロ
キシ基;アミノ基;カルボキシル基;スルホン酸基;フ
ッ素原子、塩素原子、臭素原子等のハロゲン原子;メチ
ル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n
−ブチル基、イソブチル基、t−ブチル基、n−ペンチ
ル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、n−ヘキシル
基、n−オクチル基、2−エチルヘキシル基、シクロヘ
キシル基、、デカリル基、イコサニル基等のアルキル
基;クロロメチル基、ジクロロメチル基、フルオロメチ
ル基、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル
基、1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロ−2−プ
ロピル基、ノナフルオロブチル基等のハロゲノアルキル
基;メトキシエチル基、エトキシエチル基、イソプロピ
ルオキシエチル基、3−メトキシプロピル基、2−メト
キシブチル基等のアルコキシアルキル基;
【0017】メトキシ基、エトキシ基、n−プロポキシ
基、イソプロポキシ基、n−ブトキシ基、n−ペンチル
オキシ基、n−ヘキシルオキシ基、n−オクチルオキシ
基、n−デシルオキシ基、シクロペンチルオキシ基、シ
クロヘキシルオキシ基、4−メチルシクロヘキシルオキ
シ基等のアルコキシ基;メトキシエトキシ基、エトキシ
エトキシ基、3−メトキシプロポキシ基、3−(イソプ
ロピルオキシ)プロポキシ基等のアルコキシアルコキシ
基;フェノキシ基、2−メチルフェノキシ基、4−メチ
ルフェノキシ基、4−t−ブチルフェノキシ基、2−メ
トキシフェノキシ基、4−イソプロピルフェノキシ基等
のアリールオキシ基;ホルミル基、アセチル基、エチル
カルボニル基、n−プロピルカルボニル基、イソプロピ
ルカルボニル基、イソブチルカルボニル基、t−ブチル
カルボニル基、イソペンチルカルボニル基、ベンジルカ
ルボニル基等のアシル基;メトキシカルボニル基、エト
キシカルボニル基、n−ブトキシカルボニル基、n−ヘ
キシルオキシカルボニル基、n−オクチルオキシカルボ
ニル基、n−デシルオキシカルボニル基,シクロペンチ
ルオキシカルボニル基、シクロヘキシルオキシカルボニ
ル基、4−メチルシクロヘキシルオキシカルボニル基等
のアルコキシカルボニル基;
基、イソプロポキシ基、n−ブトキシ基、n−ペンチル
オキシ基、n−ヘキシルオキシ基、n−オクチルオキシ
基、n−デシルオキシ基、シクロペンチルオキシ基、シ
クロヘキシルオキシ基、4−メチルシクロヘキシルオキ
シ基等のアルコキシ基;メトキシエトキシ基、エトキシ
エトキシ基、3−メトキシプロポキシ基、3−(イソプ
ロピルオキシ)プロポキシ基等のアルコキシアルコキシ
基;フェノキシ基、2−メチルフェノキシ基、4−メチ
ルフェノキシ基、4−t−ブチルフェノキシ基、2−メ
トキシフェノキシ基、4−イソプロピルフェノキシ基等
のアリールオキシ基;ホルミル基、アセチル基、エチル
カルボニル基、n−プロピルカルボニル基、イソプロピ
ルカルボニル基、イソブチルカルボニル基、t−ブチル
カルボニル基、イソペンチルカルボニル基、ベンジルカ
ルボニル基等のアシル基;メトキシカルボニル基、エト
キシカルボニル基、n−ブトキシカルボニル基、n−ヘ
キシルオキシカルボニル基、n−オクチルオキシカルボ
ニル基、n−デシルオキシカルボニル基,シクロペンチ
ルオキシカルボニル基、シクロヘキシルオキシカルボニ
ル基、4−メチルシクロヘキシルオキシカルボニル基等
のアルコキシカルボニル基;
【0018】アミノカルボニル基;メチルアミノカルボ
ニル基、n−ブチルアミノカルボニル基、n−ヘキシル
アミノカルボニル基、シクロヘキシルアミノカルボニル
基、4−メチルシクロヘキシルアミノカルボニル基等の
アルキルアミノカルボニル基;ジメチルアミノカルボニ
ル基、ジエチルアミノカルボニル基、ジ−n−ブチルア
ミノカルボニル基、ジ−n−ヘキシルアミノカルボニル
基、ジ−n−オクチルアミノカルボニル基、N−イソア
ミル−N−メチルアミノカルボニル基等のジアルキルア
ミノカルボニル基;アセチルアミノ基、エチルカルボニ
ルアミノ基、イソブチルカルボニルアミノ基等のアルキ
ルカルボニルアミノ基;フェニルカルボニルアミノ基、
4−エチルフェニルカルボニルアミノ基、3−イソプロ
ピルフェニルカルボニルアミノ基、2−メトキシフェニ
ルカルボニルアミノ基等のアリールカルボニルアミノ
基;フェニルアミノカルボニル基、4−メチルフェニル
アミノカルボニル基、2−メトキシフェニルアミノカル
ボニル基、4−n−プロピルフェニルアミノカルボニル
基等のアリールアミノカルボニル基;フェノキシカルボ
ニル基、4−メチルフェノキシカルボニル基、3−メチ
ルフェノキシカルボニル基、2−メチルフェノキシカル
ボニル基、2,4−ジメチルフェノキシカルボニル基、
2,6−ジメチルフェノキシカルボニル基、2,4、6
−トリメチルフェノキシカルボニル基、4−フェニルフ
ェノキシカルボニル基等のアリールオキシカルボニル
基;
ニル基、n−ブチルアミノカルボニル基、n−ヘキシル
アミノカルボニル基、シクロヘキシルアミノカルボニル
基、4−メチルシクロヘキシルアミノカルボニル基等の
アルキルアミノカルボニル基;ジメチルアミノカルボニ
ル基、ジエチルアミノカルボニル基、ジ−n−ブチルア
ミノカルボニル基、ジ−n−ヘキシルアミノカルボニル
基、ジ−n−オクチルアミノカルボニル基、N−イソア
ミル−N−メチルアミノカルボニル基等のジアルキルア
ミノカルボニル基;アセチルアミノ基、エチルカルボニ
ルアミノ基、イソブチルカルボニルアミノ基等のアルキ
ルカルボニルアミノ基;フェニルカルボニルアミノ基、
4−エチルフェニルカルボニルアミノ基、3−イソプロ
ピルフェニルカルボニルアミノ基、2−メトキシフェニ
ルカルボニルアミノ基等のアリールカルボニルアミノ
基;フェニルアミノカルボニル基、4−メチルフェニル
アミノカルボニル基、2−メトキシフェニルアミノカル
ボニル基、4−n−プロピルフェニルアミノカルボニル
基等のアリールアミノカルボニル基;フェノキシカルボ
ニル基、4−メチルフェノキシカルボニル基、3−メチ
ルフェノキシカルボニル基、2−メチルフェノキシカル
ボニル基、2,4−ジメチルフェノキシカルボニル基、
2,6−ジメチルフェノキシカルボニル基、2,4、6
−トリメチルフェノキシカルボニル基、4−フェニルフ
ェノキシカルボニル基等のアリールオキシカルボニル
基;
【0019】ベンジル基、フェネチル基等のアラルキル
基;フェニル基、3−ニトロフェニル基、4−シアノフ
ェニル基、4−ヒドロキシフェニル基、2−メチルフェ
ニル基、3,5−ジメチルフェニル基、3−トリフルオ
ロメチルフェニル基、4−クロロフェニル基、4−メト
キシフェニル基、4−(ジメチルアミノ)フェニル基、
ナフチル基、ビフェニル基、フルオレニル基などのアリ
ール基;ピロリル基、チエニル基、フラニル基、オキサ
ゾイル基、イソオキサゾイル基、オキサジアゾイル基、
チアジアゾイル基、イミダゾイル基、ベンゾチアゾイル
基、ベンゾオキサゾイル基、ベンゾイミダゾイル基、ベ
ンゾフラニル基、インド−3−イル基等のヘテロアリー
ル基;
基;フェニル基、3−ニトロフェニル基、4−シアノフ
ェニル基、4−ヒドロキシフェニル基、2−メチルフェ
ニル基、3,5−ジメチルフェニル基、3−トリフルオ
ロメチルフェニル基、4−クロロフェニル基、4−メト
キシフェニル基、4−(ジメチルアミノ)フェニル基、
ナフチル基、ビフェニル基、フルオレニル基などのアリ
ール基;ピロリル基、チエニル基、フラニル基、オキサ
ゾイル基、イソオキサゾイル基、オキサジアゾイル基、
チアジアゾイル基、イミダゾイル基、ベンゾチアゾイル
基、ベンゾオキサゾイル基、ベンゾイミダゾイル基、ベ
ンゾフラニル基、インド−3−イル基等のヘテロアリー
ル基;
【0020】メチルチオ基、エチルチオ基、n−プロピ
ルチオ基、イソプロピルチオ基、n−ブチルチオ基、イ
ソブチルチオ基、t−ブチルチオ基、3,5,5−トリ
メチルヘキシルチオ基等のアルキルチオ基;フェニルチ
オ基、4−メチルフェニルチオ基、2−メトキシフェニ
ルチオ基、4−t−ブチルフェニルチオ基、ナフチルチ
オ基等のアリールチオ基;アリルオキシカルボニル基、
2−ブテノキシカルボニル基等のアルケニルオキシカル
ボニル基;ベンジルオキシカルボニル基、4−メチルベ
ンジルオキシカルボニル基、フェネチルオキシカルボニ
ル基等のアラルキルオキシカルボニル基;メトキシカル
ボニルメトキシカルボニル基、エトキシカルボニルメト
キシカルボニル基、n−プロポキシカルボニルメトキシ
カルボニル基、イソプロポキシカルボニルメトキシカル
ボニル基等のアルコキシカルボニルアルコキシカルボニ
ル基;メチルカルボニルメトキシカルボニル基、エチル
カルボニルメトキシカルボニル基等のアルキルカルボニ
ルアルコキシカルボニル基;
ルチオ基、イソプロピルチオ基、n−ブチルチオ基、イ
ソブチルチオ基、t−ブチルチオ基、3,5,5−トリ
メチルヘキシルチオ基等のアルキルチオ基;フェニルチ
オ基、4−メチルフェニルチオ基、2−メトキシフェニ
ルチオ基、4−t−ブチルフェニルチオ基、ナフチルチ
オ基等のアリールチオ基;アリルオキシカルボニル基、
2−ブテノキシカルボニル基等のアルケニルオキシカル
ボニル基;ベンジルオキシカルボニル基、4−メチルベ
ンジルオキシカルボニル基、フェネチルオキシカルボニ
ル基等のアラルキルオキシカルボニル基;メトキシカル
ボニルメトキシカルボニル基、エトキシカルボニルメト
キシカルボニル基、n−プロポキシカルボニルメトキシ
カルボニル基、イソプロポキシカルボニルメトキシカル
ボニル基等のアルコキシカルボニルアルコキシカルボニ
ル基;メチルカルボニルメトキシカルボニル基、エチル
カルボニルメトキシカルボニル基等のアルキルカルボニ
ルアルコキシカルボニル基;
【0021】ヒドロキシエチルアミノカルボニル基、2
−ヒドロキシプロピルアミノカルボニル基、3−ヒドロ
キシプロピルアミノカルボニル基等のモノ(ヒドロキシ
アルキル)アミノカルボニル基;ジ(ヒドロキシエチ
ル)アミノカルボニル基、ジ(2−ヒドロキシプロピ
ル)アミノカルボニル基、ジ(3−ヒドロキシプロピ
ル)アミノカルボニル基等のジ(ヒドロキシアルキル)
アミノカルボニル基;メトキシメチルアミノカルボニル
基、メトキシエチルアミノカルボニル基、エトキシメチ
ルアミノカルボニル基、エトキシエチルアミノカルボニ
ル基、プロポキシエチルアミノカルボニル基等のモノ
(アルコキシアルキル)アミノカルボニル基;ジ(メト
キシメチル)アミノカルボニル基、ジ(メトキシエチ
ル)アミノカルボニル基、ジ(エトキシメチル)アミノ
カルボニル基、ジ(エトキシエチル)アミノカルボニル
基、ジ(プロポキシエチル)アミノカルボニル基等のジ
(アルコキシアルキル)アミノカルボニル基;
−ヒドロキシプロピルアミノカルボニル基、3−ヒドロ
キシプロピルアミノカルボニル基等のモノ(ヒドロキシ
アルキル)アミノカルボニル基;ジ(ヒドロキシエチ
ル)アミノカルボニル基、ジ(2−ヒドロキシプロピ
ル)アミノカルボニル基、ジ(3−ヒドロキシプロピ
ル)アミノカルボニル基等のジ(ヒドロキシアルキル)
アミノカルボニル基;メトキシメチルアミノカルボニル
基、メトキシエチルアミノカルボニル基、エトキシメチ
ルアミノカルボニル基、エトキシエチルアミノカルボニ
ル基、プロポキシエチルアミノカルボニル基等のモノ
(アルコキシアルキル)アミノカルボニル基;ジ(メト
キシメチル)アミノカルボニル基、ジ(メトキシエチ
ル)アミノカルボニル基、ジ(エトキシメチル)アミノ
カルボニル基、ジ(エトキシエチル)アミノカルボニル
基、ジ(プロポキシエチル)アミノカルボニル基等のジ
(アルコキシアルキル)アミノカルボニル基;
【0022】ビニル基、プロペニル基、1−ブテニル
基、1−ペンテニル基、2−ペンテニル基、3−メチル
−1−ブテニル基、2,2−ジシアノビニル基、1,
2,2−トリシアノビニル基等のアルケニル基 メチルアミノ基、n−ブチルアミノ基、n−ヘキシルア
ミノ基、シクロヘキシルアミノ基、4−メチルシクロヘ
キシルアミノ基等のアルキルアミノ基;ジメチルアミノ
基、ジエチルアミノ基、ジ−n−ブチルアミノ基、ジ−
n−ヘキシルアミノ基、ジ−n−オクチルアミノ基、N
−イソアミル−N−メチルアミノ基等のジアルキルアミ
ノ基;ヒドロキシメチルアミノ基、ヒドロキシエチルア
ミノ基、2−ヒドロキシプロピルアミノ基、3−ヒドロ
キシプロピルアミノ基等のモノ(ヒドロキシアルキル)
アミノ基;ジ(ヒドロキシメチル)アミノ基、ジ(ヒド
ロキシエチル)アミノ基、ジ(2−ヒドロキシプロピ
ル)アミノ基、ジ(3−ヒドロキシプロピル)アミノ基
等のジ(ヒドロキシアルキル)アミノ基等を挙げること
ができる。
基、1−ペンテニル基、2−ペンテニル基、3−メチル
−1−ブテニル基、2,2−ジシアノビニル基、1,
2,2−トリシアノビニル基等のアルケニル基 メチルアミノ基、n−ブチルアミノ基、n−ヘキシルア
ミノ基、シクロヘキシルアミノ基、4−メチルシクロヘ
キシルアミノ基等のアルキルアミノ基;ジメチルアミノ
基、ジエチルアミノ基、ジ−n−ブチルアミノ基、ジ−
n−ヘキシルアミノ基、ジ−n−オクチルアミノ基、N
−イソアミル−N−メチルアミノ基等のジアルキルアミ
ノ基;ヒドロキシメチルアミノ基、ヒドロキシエチルア
ミノ基、2−ヒドロキシプロピルアミノ基、3−ヒドロ
キシプロピルアミノ基等のモノ(ヒドロキシアルキル)
アミノ基;ジ(ヒドロキシメチル)アミノ基、ジ(ヒド
ロキシエチル)アミノ基、ジ(2−ヒドロキシプロピ
ル)アミノ基、ジ(3−ヒドロキシプロピル)アミノ基
等のジ(ヒドロキシアルキル)アミノ基等を挙げること
ができる。
【0023】R4の具体例としては、水素原子;シアノ
基;メチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピ
ル基、n−ブチル基、イソブチル基、t−ブチル基、n
−ペンチル基、イソペンチル基、n−ヘキシル基、n−
オクチル基、2−エチルヘキシル基、シクロヘキシル
基、デカリル基、イコサニル基等のアルキル基;ベンジ
ル基、2−メチルベンジル基、4−エチルベンジル基、
フェネチル基等のアラルキル基;フェニル基、3−ニト
ロフェニル基、4−シアノフェニル基、4−ヒドロキシ
フェニル基、2−メチルフェニル基、3,5−ジメチル
フェニル基、3−トリフルオロメチルフェニル基、4−
クロロフェニル基、4−メトキシフェニル基、4−(ジ
メチルアミノ)フェニル基、ナフチル基、ビフェニル
基、フルオレニル基などのアリール基;
基;メチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピ
ル基、n−ブチル基、イソブチル基、t−ブチル基、n
−ペンチル基、イソペンチル基、n−ヘキシル基、n−
オクチル基、2−エチルヘキシル基、シクロヘキシル
基、デカリル基、イコサニル基等のアルキル基;ベンジ
ル基、2−メチルベンジル基、4−エチルベンジル基、
フェネチル基等のアラルキル基;フェニル基、3−ニト
ロフェニル基、4−シアノフェニル基、4−ヒドロキシ
フェニル基、2−メチルフェニル基、3,5−ジメチル
フェニル基、3−トリフルオロメチルフェニル基、4−
クロロフェニル基、4−メトキシフェニル基、4−(ジ
メチルアミノ)フェニル基、ナフチル基、ビフェニル
基、フルオレニル基などのアリール基;
【0024】ピロリル基、N−メチルピロリル基、N−
エチルピロリル基、N−プロピルピロリル基、N−ブチ
ルピロリル基、N−イソブチルピロリル基、N−イソペ
ンチルピロリル基、N−オクチルピロリル基、N−メト
キシメチルピロリル基、N−メトキシエチルピロリル
基、N−エトキシメチルピロリル基、N−エトキシエチ
ルピロリル基、N−メトキシカルボニルメチルピロリル
基、N−メトキシカルボニルエチルピロリル基、N−エ
トキシカルボニルメチルピロリル基、N−エトキシカル
ボニルエチルピロリル基、N−ベンジルピロリル基、N
−フェニルピロリル基、N−トリルピロリル基、N−ア
リルピロリル基、N−ブテニルピロリル基、N−ペンテ
ニルピロリル基、チエニル基、フリル基、ピリジル基、
キノリル基、イソキノリル基、オキサゾイル基、イソオ
キサゾイル基、オキサジアゾイル基、チアジアゾイル
基、イミダゾイル基、ベンゾチアゾイル基、ベンゾオキ
サゾイル基、ベンゾイミダゾイル基、ベンゾフリル基、
インド−3−イル基等のヘテロアリール基;ビニル基、
プロペニル基、1−ブテニル基、1−ペンテニル基、2
−ペンテニル基、3−メチル−1−ブテニル基、2,2
−ジシアノビニル基、1,2,2−トリシアノビニル基
等のアルケニル基等を挙げることができる。
エチルピロリル基、N−プロピルピロリル基、N−ブチ
ルピロリル基、N−イソブチルピロリル基、N−イソペ
ンチルピロリル基、N−オクチルピロリル基、N−メト
キシメチルピロリル基、N−メトキシエチルピロリル
基、N−エトキシメチルピロリル基、N−エトキシエチ
ルピロリル基、N−メトキシカルボニルメチルピロリル
基、N−メトキシカルボニルエチルピロリル基、N−エ
トキシカルボニルメチルピロリル基、N−エトキシカル
ボニルエチルピロリル基、N−ベンジルピロリル基、N
−フェニルピロリル基、N−トリルピロリル基、N−ア
リルピロリル基、N−ブテニルピロリル基、N−ペンテ
ニルピロリル基、チエニル基、フリル基、ピリジル基、
キノリル基、イソキノリル基、オキサゾイル基、イソオ
キサゾイル基、オキサジアゾイル基、チアジアゾイル
基、イミダゾイル基、ベンゾチアゾイル基、ベンゾオキ
サゾイル基、ベンゾイミダゾイル基、ベンゾフリル基、
インド−3−イル基等のヘテロアリール基;ビニル基、
プロペニル基、1−ブテニル基、1−ペンテニル基、2
−ペンテニル基、3−メチル−1−ブテニル基、2,2
−ジシアノビニル基、1,2,2−トリシアノビニル基
等のアルケニル基等を挙げることができる。
【0025】R10,R11の具体例としては、フッ素、塩
素、臭素等のハロゲン原子;メチル基、エチル基、n−
プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチ
ル基、t−ブチル基、n−ペンチル基、イソペンチル
基、ネオペンチル基、n−ヘキシル基、n−オクチル
基、2−エチルヘキシル基、シクロヘキシル基、、デカ
リル基、イコサニル基等のアルキル基;ベンジル基、2
−メチルベンジル基、4−エチルベンジル基、フェネチ
ル基等のアラルキル基;
素、臭素等のハロゲン原子;メチル基、エチル基、n−
プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチ
ル基、t−ブチル基、n−ペンチル基、イソペンチル
基、ネオペンチル基、n−ヘキシル基、n−オクチル
基、2−エチルヘキシル基、シクロヘキシル基、、デカ
リル基、イコサニル基等のアルキル基;ベンジル基、2
−メチルベンジル基、4−エチルベンジル基、フェネチ
ル基等のアラルキル基;
【0026】フェニル基、3−ニトロフェニル基、4−
シアノフェニル基、4−ヒドロキシフェニル基、2−メ
チルフェニル基、3,5−ジメチルフェニル基、3−ト
リフルオロメチルフェニル基、4−クロロフェニル基、
4−メトキシフェニル基、4−(ジメチルアミノ)フェ
ニル基、ナフチル基、ビフェニル基、フルオレニル基な
どのアリール基;ピロリル基、N−メチルピロリル基、
N−エチルピロリル基、N−プロピルピロリル基、N−
ブチルピロリル基、N−イソブチルピロリル基、N−イ
ソペンチルピロリル基、N−オクチルピロリル基、N−
メトキシメチルピロリル基、N−メトキシエチルピロリ
ル基、N−エトキシメチルピロリル基、N−エトキシエ
チルピロリル基、N−メトキシカルボニルメチルピロリ
ル基、N−メトキシカルボニルエチルピロリル基、N−
エトキシカルボニルメチルピロリル基、N−エトキシカ
ルボニルエチルピロリル基、N−ベンジルピロリル基、
N−フェニルピロリル基、N−トリルピロリル基、N−
アリルピロリル基、N−ブテニルピロリル基、N−ペン
テニルピロリル基、チエニル基、フリル基、ピリジル
基、キノリル基、イソキノリル基、オキサゾイル基、イ
ソオキサゾイル基、オキサジアゾイル基、チアジアゾイ
ル基、イミダゾイル基、ベンゾチアゾイル基、ベンゾオ
キサゾイル基、ベンゾイミダゾイル基、ベンゾフリル
基、インド−3−イル基等のヘテロアリール基;
シアノフェニル基、4−ヒドロキシフェニル基、2−メ
チルフェニル基、3,5−ジメチルフェニル基、3−ト
リフルオロメチルフェニル基、4−クロロフェニル基、
4−メトキシフェニル基、4−(ジメチルアミノ)フェ
ニル基、ナフチル基、ビフェニル基、フルオレニル基な
どのアリール基;ピロリル基、N−メチルピロリル基、
N−エチルピロリル基、N−プロピルピロリル基、N−
ブチルピロリル基、N−イソブチルピロリル基、N−イ
ソペンチルピロリル基、N−オクチルピロリル基、N−
メトキシメチルピロリル基、N−メトキシエチルピロリ
ル基、N−エトキシメチルピロリル基、N−エトキシエ
チルピロリル基、N−メトキシカルボニルメチルピロリ
ル基、N−メトキシカルボニルエチルピロリル基、N−
エトキシカルボニルメチルピロリル基、N−エトキシカ
ルボニルエチルピロリル基、N−ベンジルピロリル基、
N−フェニルピロリル基、N−トリルピロリル基、N−
アリルピロリル基、N−ブテニルピロリル基、N−ペン
テニルピロリル基、チエニル基、フリル基、ピリジル
基、キノリル基、イソキノリル基、オキサゾイル基、イ
ソオキサゾイル基、オキサジアゾイル基、チアジアゾイ
ル基、イミダゾイル基、ベンゾチアゾイル基、ベンゾオ
キサゾイル基、ベンゾイミダゾイル基、ベンゾフリル
基、インド−3−イル基等のヘテロアリール基;
【0027】メトキシ基、エトキシ基、n−プロポキシ
基、イソプロポキシ基、n−ブトキシ基、n−ペンチル
オキシ基、n−ヘキシルオキシ基、n−オクチルオキシ
基、n−デシルオキシ基、シクロペンチルオキシ基、シ
クロヘキシルオキシ基、4−メチルシクロヘキシルオキ
シ基等のアルコキシ基;メトキシエトキシ基、エトキシ
エトキシ基、3−メトキシプロポキシ基、3−(イソプ
ロピルオキシ)プロポキシ基等のアルコキシアルコキシ
基等を挙げることができる。
基、イソプロポキシ基、n−ブトキシ基、n−ペンチル
オキシ基、n−ヘキシルオキシ基、n−オクチルオキシ
基、n−デシルオキシ基、シクロペンチルオキシ基、シ
クロヘキシルオキシ基、4−メチルシクロヘキシルオキ
シ基等のアルコキシ基;メトキシエトキシ基、エトキシ
エトキシ基、3−メトキシプロポキシ基、3−(イソプ
ロピルオキシ)プロポキシ基等のアルコキシアルコキシ
基等を挙げることができる。
【0028】以下の表−1に一般式(1)で表されるベ
ンゾピロメテン系ホウ素化合物の具体例を示すが、本発
明はこれらの例のみに限定されるものではない。
ンゾピロメテン系ホウ素化合物の具体例を示すが、本発
明はこれらの例のみに限定されるものではない。
【0029】
【表1】
【0030】
【表2】
【0031】
【表3】
【0032】
【表4】
【0033】本発明記載の一般式(1)で表されるベン
ゾピロメテン系ホウ素化合物は以下の方法で製造するこ
とができる。即ち、代表的には、まず、例えば臭化水素
酸や塩化水素等の酸触媒の存在下、一般式(2)で示さ
れる化合物と一般式(3)で示される化合物、または一
般式(4)で示される化合物と一般式(5)で示される
化合物とを反応させることにより、一般式(6)で表さ
れる化合物を得ることができる。次に一般式(6)で表
される化合物を三ハロゲン化ホウ素と反応させることに
より、一般式(7)で表される化合物を得ることができ
る。更に少なくとも一方がハロゲン原子ではないR10と
R11の置換基の場合には、一般式(7)の化合物のハロ
ゲン原子の一部または全部を置換して一般式(1)で示
されるベンゾピロメテン系ホウ素化合物を得ることがで
きる。
ゾピロメテン系ホウ素化合物は以下の方法で製造するこ
とができる。即ち、代表的には、まず、例えば臭化水素
酸や塩化水素等の酸触媒の存在下、一般式(2)で示さ
れる化合物と一般式(3)で示される化合物、または一
般式(4)で示される化合物と一般式(5)で示される
化合物とを反応させることにより、一般式(6)で表さ
れる化合物を得ることができる。次に一般式(6)で表
される化合物を三ハロゲン化ホウ素と反応させることに
より、一般式(7)で表される化合物を得ることができ
る。更に少なくとも一方がハロゲン原子ではないR10と
R11の置換基の場合には、一般式(7)の化合物のハロ
ゲン原子の一部または全部を置換して一般式(1)で示
されるベンゾピロメテン系ホウ素化合物を得ることがで
きる。
【0034】
【化3】 (式中、R4〜R9は前記に同じ。)
【0035】
【化4】 (式中、R1〜R3は前記に同じ。)
【0036】
【化5】 (式中、R5〜R9は前記に同じ。)
【0037】
【化6】 (式中、R1〜R4は前記に同じ。)
【0038】
【化7】 (式中、R1〜R9は前記に同じ。)
【0039】
【化8】 (式中、R1〜R9は前記に同じであり、Xはハロゲン原
子を表す。)
子を表す。)
【0040】光増感剤は、一般式(1)で表されるベン
ゾピロメテン系化合物の光増感剤を少なくとも1種含有
するものであり、その他の公知の光増感剤を併用してい
てもよい。
ゾピロメテン系化合物の光増感剤を少なくとも1種含有
するものであり、その他の公知の光増感剤を併用してい
てもよい。
【0041】その他の公知の光増感剤としては、一般に
使用されている光増感剤であれば特に限定はされない
が、ケトクマリン、クマリン−6および特開平4−18
088号公報に記載されたクマリン化合物等が挙げられ
る。
使用されている光増感剤であれば特に限定はされない
が、ケトクマリン、クマリン−6および特開平4−18
088号公報に記載されたクマリン化合物等が挙げられ
る。
【0042】この場合、光増感剤中の一般式(1)で表
されるベンゾピロメテン系化合物の光増感剤の含有量と
しては、特に制限はないが、本発明で所望の効果を得る
ためには、光増感剤中の一般式(1)で表されるベンゾ
ピロメテン系化合物の光増感剤の含有量は、10重量%
以上であることが好ましく、より好ましくは20重量%
以上であり、さらに好ましくは30重量%以上であり、
50重量%以上含有する光増感剤は特に好ましい。
されるベンゾピロメテン系化合物の光増感剤の含有量と
しては、特に制限はないが、本発明で所望の効果を得る
ためには、光増感剤中の一般式(1)で表されるベンゾ
ピロメテン系化合物の光増感剤の含有量は、10重量%
以上であることが好ましく、より好ましくは20重量%
以上であり、さらに好ましくは30重量%以上であり、
50重量%以上含有する光増感剤は特に好ましい。
【0043】ベンゾピロメテン系化合物の光増感剤の使
用量は、光増感剤中に含有される一般式(1)で表され
るベンゾピロメテン系化合物の光増感剤の種類や量、相
互作用すべき樹脂成分の種類により異なるが、通常、樹
脂成分100重量部当たり、一般式(1)で表されるベ
ンゾピロメテン系化合物の光増感剤の使用量が0.1〜
10重量部、好ましくは0.3〜5重量部の範囲内が適
当である。ベンゾピロメテン系化合物の光増感剤の使用
量が0.1重量部より少なすぎると、形成される被膜の
感光性が低下する傾向があり、10重量部より多くなる
と、溶解性の点から、組成物を均一な状態に保つことが
困難になる傾向が見られる。
用量は、光増感剤中に含有される一般式(1)で表され
るベンゾピロメテン系化合物の光増感剤の種類や量、相
互作用すべき樹脂成分の種類により異なるが、通常、樹
脂成分100重量部当たり、一般式(1)で表されるベ
ンゾピロメテン系化合物の光増感剤の使用量が0.1〜
10重量部、好ましくは0.3〜5重量部の範囲内が適
当である。ベンゾピロメテン系化合物の光増感剤の使用
量が0.1重量部より少なすぎると、形成される被膜の
感光性が低下する傾向があり、10重量部より多くなる
と、溶解性の点から、組成物を均一な状態に保つことが
困難になる傾向が見られる。
【0044】本発明のポジ型可視光感光性樹脂組成物
は、露光により化合物が分解し現像液に溶解性を示すよ
うな、従来から公知のポジ型可視光感光性樹脂組成物
(例えば、塗料、インキ、接着剤、刷板材、プリント配
線板用レジスト材で使用されているもの)に前記一般式
(1)で表されるベンゾピロメテン系化合物の光増感剤
を必須成分として含有するものである。
は、露光により化合物が分解し現像液に溶解性を示すよ
うな、従来から公知のポジ型可視光感光性樹脂組成物
(例えば、塗料、インキ、接着剤、刷板材、プリント配
線板用レジスト材で使用されているもの)に前記一般式
(1)で表されるベンゾピロメテン系化合物の光増感剤
を必須成分として含有するものである。
【0045】上記した従来から公知のポジ型可視光感光
性樹脂組成物について、代表的なものについて以下に述
べる。
性樹脂組成物について、代表的なものについて以下に述
べる。
【0046】該組成物としては、例えば、光酸発生剤を
含む樹脂、光酸発生剤成分以外の成分(例えば、光塩基
発生剤等)を含む樹脂、それ自体が光により分解する樹
脂等が挙げられる。これらの樹脂は光により樹脂が分解
することにより極性、分子量等の性質が変化し、これに
より現像液(水性、有機溶剤等)等の物質に対して溶解
性を示すようになるものである。該樹脂は光酸発生剤等
の成分が組み込まれたものであっても光酸発生剤等の成
分と酸等により分解する基を有する樹脂との混合物であ
っても構わない。また、これらのものには更に現像液の
溶解性を調製するその他の樹脂等を必要に応じて配合す
ることができる。
含む樹脂、光酸発生剤成分以外の成分(例えば、光塩基
発生剤等)を含む樹脂、それ自体が光により分解する樹
脂等が挙げられる。これらの樹脂は光により樹脂が分解
することにより極性、分子量等の性質が変化し、これに
より現像液(水性、有機溶剤等)等の物質に対して溶解
性を示すようになるものである。該樹脂は光酸発生剤等
の成分が組み込まれたものであっても光酸発生剤等の成
分と酸等により分解する基を有する樹脂との混合物であ
っても構わない。また、これらのものには更に現像液の
溶解性を調製するその他の樹脂等を必要に応じて配合す
ることができる。
【0047】上記した光酸発生剤成分を含む樹脂につい
て述べる。該樹脂は、光酸発生剤が樹脂骨格に組み込ま
れた樹脂(例えば、露光により樹脂が酸基を発生し、こ
れによりアルカリ現像が可能となるもの)や光酸発生剤
と樹脂との混合物[光酸発生剤により発生した酸によ
り、樹脂が切断されて低分子量となったり、樹脂に酸基
が付与されたり、溶解性物質(例えば、(ポリ)P−ヒ
ドロキシスチレン)に変化し、これにより有機溶剤や水
性現像液に分散性もしくは溶解性を示すものとなったり
するもの]等が挙げられる。
て述べる。該樹脂は、光酸発生剤が樹脂骨格に組み込ま
れた樹脂(例えば、露光により樹脂が酸基を発生し、こ
れによりアルカリ現像が可能となるもの)や光酸発生剤
と樹脂との混合物[光酸発生剤により発生した酸によ
り、樹脂が切断されて低分子量となったり、樹脂に酸基
が付与されたり、溶解性物質(例えば、(ポリ)P−ヒ
ドロキシスチレン)に変化し、これにより有機溶剤や水
性現像液に分散性もしくは溶解性を示すものとなったり
するもの]等が挙げられる。
【0048】これらのものとしては、例えば、イオン
形成基を有するアクリル樹脂等の基体樹脂にキノンジア
ジドスルホン酸類をスルホン酸エステル結合を介して結
合させた樹脂を主成分とする組成物(特開昭61−20
6293号公報、特開平7−133449号公報等参
照)、即ち照射光によりキノンジアジド基が光分解して
ケテンを経由してインデンカルボン酸を形成する反応を
利用したナフトキノンジアジド感光系組成物;照射光
によって酸基を発生する光酸発生剤を触媒として基体樹
脂(ポリマー)に脱離反応を連鎖的に生じさせて照射部
と未照射部との溶解性の変化を利用した化学増幅系感光
材料(特開平4−226461号公報、米国特許第4,
491,628号、特開昭59−45439号、特開昭
63−250642号公報、Polymers in Electronics
”Davidson T.編集.ACS SymposiumSeries 242, Americ
an Chemical Society, Washington D.C., 1984の11
頁”、N.Hayashi, T. Ueno, M. Toriumi, etc, ACS Pol
ym.Materials Sci. Eng., 61, 417(1989)、H. Ito, C.
G. Wilson, ACS Symp. Ser., 242, 11(1984)等参照);
加熱により溶剤やアルカリ水溶液に対して不溶性の架
橋被膜を形成し、更に光線照射により酸基を発生する光
酸発生剤により架橋構造が切断されて照射部が溶剤やア
ルカリ水溶液に対して可溶性となるメカニズムを利用し
たポジ型感光性組成物(特開平6−295064号公
報、特開平6−308733号公報、特開平6−313
134号公報、特開平6−313135号公報、特開平
6−313136号公報、特開平7−146552号公
報等参照)等が代表的なものとして挙げられる。
形成基を有するアクリル樹脂等の基体樹脂にキノンジア
ジドスルホン酸類をスルホン酸エステル結合を介して結
合させた樹脂を主成分とする組成物(特開昭61−20
6293号公報、特開平7−133449号公報等参
照)、即ち照射光によりキノンジアジド基が光分解して
ケテンを経由してインデンカルボン酸を形成する反応を
利用したナフトキノンジアジド感光系組成物;照射光
によって酸基を発生する光酸発生剤を触媒として基体樹
脂(ポリマー)に脱離反応を連鎖的に生じさせて照射部
と未照射部との溶解性の変化を利用した化学増幅系感光
材料(特開平4−226461号公報、米国特許第4,
491,628号、特開昭59−45439号、特開昭
63−250642号公報、Polymers in Electronics
”Davidson T.編集.ACS SymposiumSeries 242, Americ
an Chemical Society, Washington D.C., 1984の11
頁”、N.Hayashi, T. Ueno, M. Toriumi, etc, ACS Pol
ym.Materials Sci. Eng., 61, 417(1989)、H. Ito, C.
G. Wilson, ACS Symp. Ser., 242, 11(1984)等参照);
加熱により溶剤やアルカリ水溶液に対して不溶性の架
橋被膜を形成し、更に光線照射により酸基を発生する光
酸発生剤により架橋構造が切断されて照射部が溶剤やア
ルカリ水溶液に対して可溶性となるメカニズムを利用し
たポジ型感光性組成物(特開平6−295064号公
報、特開平6−308733号公報、特開平6−313
134号公報、特開平6−313135号公報、特開平
6−313136号公報、特開平7−146552号公
報等参照)等が代表的なものとして挙げられる。
【0049】上記のものは、樹脂中で現像液に対する
溶解性を支配している官能基(水酸基、カルボキシル基
等)をブロック(酸不安定基)して不溶性とし、光酸発
生剤によりブロックを解離し、ポリマーの溶解性を復元
するものである。該水酸基(−OH基)をブロックした
酸不安定基(−ORのR基)としては、例えば、t−ブ
トキシカルボニル基(t−BOC基)、t−ブトキシ
基、t−ブトキシカルボニルメチル基、テトラヒドロピ
ラニル基、トリメチルシリル基、iso−プロポキシカ
ルボニル基等が包含される。水酸基を有する樹脂として
は、上記した効果を発揮するものであれば特に制限され
ないが、通常、フェノール性水酸基である。該酸不安定
基としては、特に、t−BOC基、t−ブトキシ基が好
ましくこのものとしては、例えば、ポリ(t−ブトキシ
カルボニルオキシスチレン)、ポリ(t−ブトキシカル
ボニルオキシ−α−スチレン)、ポリ(t−ブトキシス
チレン)及びこれらのモノマーとその他の重合性モノマ
ー(例えば、メチル(メタ)アクリル酸のC1〜24個
のアルキル又はシクロアルキルエステル類、マレイミ
ド、スルフォン等)との共重合体等が挙げられる。該t
−BOC基を含有するポリ(t−ブトキシカルボニルオ
キシスチレン)の組成物について説明すると、例えば、
光酸発生剤によって発生した酸によりt−BOC基が分
解してイソブテンと炭酸ガスが蒸発してポリスチレンと
なり、t−BOC基が水酸基に変化することにより樹脂
の極性が変化(高くなる)することにより現像液(アル
カリ水溶液)に対する溶解性が向上する性質を利用した
ものである。また、カルボキシル基(−COOH基)を
ブロックした酸不安定基(−COOR’のR’基)とし
ては、t−ブチル基を有するカルボン酸エステル誘導体
等が挙げられる。
溶解性を支配している官能基(水酸基、カルボキシル基
等)をブロック(酸不安定基)して不溶性とし、光酸発
生剤によりブロックを解離し、ポリマーの溶解性を復元
するものである。該水酸基(−OH基)をブロックした
酸不安定基(−ORのR基)としては、例えば、t−ブ
トキシカルボニル基(t−BOC基)、t−ブトキシ
基、t−ブトキシカルボニルメチル基、テトラヒドロピ
ラニル基、トリメチルシリル基、iso−プロポキシカ
ルボニル基等が包含される。水酸基を有する樹脂として
は、上記した効果を発揮するものであれば特に制限され
ないが、通常、フェノール性水酸基である。該酸不安定
基としては、特に、t−BOC基、t−ブトキシ基が好
ましくこのものとしては、例えば、ポリ(t−ブトキシ
カルボニルオキシスチレン)、ポリ(t−ブトキシカル
ボニルオキシ−α−スチレン)、ポリ(t−ブトキシス
チレン)及びこれらのモノマーとその他の重合性モノマ
ー(例えば、メチル(メタ)アクリル酸のC1〜24個
のアルキル又はシクロアルキルエステル類、マレイミ
ド、スルフォン等)との共重合体等が挙げられる。該t
−BOC基を含有するポリ(t−ブトキシカルボニルオ
キシスチレン)の組成物について説明すると、例えば、
光酸発生剤によって発生した酸によりt−BOC基が分
解してイソブテンと炭酸ガスが蒸発してポリスチレンと
なり、t−BOC基が水酸基に変化することにより樹脂
の極性が変化(高くなる)することにより現像液(アル
カリ水溶液)に対する溶解性が向上する性質を利用した
ものである。また、カルボキシル基(−COOH基)を
ブロックした酸不安定基(−COOR’のR’基)とし
ては、t−ブチル基を有するカルボン酸エステル誘導体
等が挙げられる。
【0050】また、このものの成分としては酸不安定基
を持つ樹脂及び光酸発生剤の2成分系として、また、酸
不安定基を持つ樹脂、光酸発生剤、その他の樹脂の3成
分系として使用することができる。該その他の樹脂は、
このものを使用することにより、例えば、組成物の塗装
作業性を向上させたり現像液に対する溶解性を変化させ
たりすることができる。
を持つ樹脂及び光酸発生剤の2成分系として、また、酸
不安定基を持つ樹脂、光酸発生剤、その他の樹脂の3成
分系として使用することができる。該その他の樹脂は、
このものを使用することにより、例えば、組成物の塗装
作業性を向上させたり現像液に対する溶解性を変化させ
たりすることができる。
【0051】上記のものは、カルボキシル基及び/又
はヒドロキシフェニル基を含有する樹脂(a)、エーテ
ル結合含有オレフィン性不飽和化合物(b)、光線照射
により酸基を発生する光酸発生剤を含有してなる液状も
しくは固体状樹脂組成物である。
はヒドロキシフェニル基を含有する樹脂(a)、エーテ
ル結合含有オレフィン性不飽和化合物(b)、光線照射
により酸基を発生する光酸発生剤を含有してなる液状も
しくは固体状樹脂組成物である。
【0052】樹脂(a)において、カルボキシル基及び
ヒドロキシフェニル基の両方の基を有する場合は、これ
らの基が同一分子中に有する樹脂であっても、これらの
基が異なって含有する樹脂の混合樹脂であってもどちら
でも構わない。
ヒドロキシフェニル基の両方の基を有する場合は、これ
らの基が同一分子中に有する樹脂であっても、これらの
基が異なって含有する樹脂の混合樹脂であってもどちら
でも構わない。
【0053】カルボキシル基含有樹脂(a−1)として
は、例えば、アクリル系樹脂、ポリエステル系樹脂等が
挙げられる。
は、例えば、アクリル系樹脂、ポリエステル系樹脂等が
挙げられる。
【0054】上記した樹脂(a−1)は一般に約500
〜約100000、特に約1500〜30000の数平
均分子量を有していることが好ましく、また、カルボキ
シル基は樹脂1kg当たり約0.5〜10モル、特に約
0.7〜5モルのものが好ましい。
〜約100000、特に約1500〜30000の数平
均分子量を有していることが好ましく、また、カルボキ
シル基は樹脂1kg当たり約0.5〜10モル、特に約
0.7〜5モルのものが好ましい。
【0055】ヒドロキシフェニル基含有樹脂(a−2)
としては、例えば、1官能又は多官能フェノール化合
物、アルキルフェノール化合物、又はそれらの混合物と
ホルムアルデヒド、アセトン等のカルボニル化合物との
縮合物;P−ヒドロキシスチレン等のヒドロキシフェニ
ル基含有不飽和単量体と必要に応じて上記したその他の
重合性不飽和単量体との共重合体等が挙げられる。
としては、例えば、1官能又は多官能フェノール化合
物、アルキルフェノール化合物、又はそれらの混合物と
ホルムアルデヒド、アセトン等のカルボニル化合物との
縮合物;P−ヒドロキシスチレン等のヒドロキシフェニ
ル基含有不飽和単量体と必要に応じて上記したその他の
重合性不飽和単量体との共重合体等が挙げられる。
【0056】上記した樹脂(a−2)は一般に約500
〜約100000、特に約1500〜30000の数平
均分子量を有していることが好ましく、また、ヒドロキ
シフェニル基は樹脂1kg当たり約1.0モル以上、特
に約2〜8モルが好ましい。
〜約100000、特に約1500〜30000の数平
均分子量を有していることが好ましく、また、ヒドロキ
シフェニル基は樹脂1kg当たり約1.0モル以上、特
に約2〜8モルが好ましい。
【0057】また、樹脂(a−1)と樹脂(a−2)と
を混合して使用する場合には、その混合割合は90/1
0〜10/90重量比で配合することが好ましい。
を混合して使用する場合には、その混合割合は90/1
0〜10/90重量比で配合することが好ましい。
【0058】カルボキシル基及びヒドロキシフェニル基
を有する樹脂(a−3)としては、例えばカルボキシル
基含有重合性不飽和単量体((メタ)アクリル酸等)と
ヒドロキシフェニル基含有重合性不飽和単量体(ヒドロ
キシスチレン等)及び必要に応じてその他の重合性不飽
和単量体(メチル(メタ)アクリレート、エチル(メ
タ)アクリレート、プロピル(メタ)アクリレート、ブ
チル(メタ)アクリレート、2−エチルヘキシル(メ
タ)アクリレート等のアクリル酸の炭素数1〜12のア
ルキルエステル、スチレン等の芳香族化合物、(メタ)
アクリロニトリル等の含窒素不飽和単量体等)との共重
合体;ヒドロキシ安息香酸類、没食子酸、レゾルシン酸
等と、又はそれらとフェノール、ナフトール類、レゾル
シン、カテコール等との混合物をホルムアルデヒドと反
応して得られるフェノール樹脂等が挙げられる。
を有する樹脂(a−3)としては、例えばカルボキシル
基含有重合性不飽和単量体((メタ)アクリル酸等)と
ヒドロキシフェニル基含有重合性不飽和単量体(ヒドロ
キシスチレン等)及び必要に応じてその他の重合性不飽
和単量体(メチル(メタ)アクリレート、エチル(メ
タ)アクリレート、プロピル(メタ)アクリレート、ブ
チル(メタ)アクリレート、2−エチルヘキシル(メ
タ)アクリレート等のアクリル酸の炭素数1〜12のア
ルキルエステル、スチレン等の芳香族化合物、(メタ)
アクリロニトリル等の含窒素不飽和単量体等)との共重
合体;ヒドロキシ安息香酸類、没食子酸、レゾルシン酸
等と、又はそれらとフェノール、ナフトール類、レゾル
シン、カテコール等との混合物をホルムアルデヒドと反
応して得られるフェノール樹脂等が挙げられる。
【0059】上記した樹脂(a−3)は一般に約500
〜約100000、特に約1500〜30000の数平
均分子量を有していることが好ましく、また、カルボキ
シル基は樹脂1kg当たり約0.5〜10モル、特に約
0.7〜5モルのものが好ましい。ヒドロキシフェニル
基は樹脂1kg当たり約1.0モル以上、特に約2〜8
モルが好ましい。
〜約100000、特に約1500〜30000の数平
均分子量を有していることが好ましく、また、カルボキ
シル基は樹脂1kg当たり約0.5〜10モル、特に約
0.7〜5モルのものが好ましい。ヒドロキシフェニル
基は樹脂1kg当たり約1.0モル以上、特に約2〜8
モルが好ましい。
【0060】エーテル結合含有オレフィン性不飽和化合
物(b)としては、例えば、分子末端にビニルエーテル
基、1−プロペニルエーテル基、1−ブテニルエーテル
基等の不飽和エーテル基を約1〜4個含有するものが挙
げられる。該化合物(b)は、1分子中に、式−R”−
O−A[ここで、Aはビニル基、1−プロペニル基又は
1−ブテニルのオレフィン性不飽和基を示し、R”はエ
チレン、プロピレン、ブチレンなどの炭素数1〜6の直
鎖状もしくは分岐鎖状のアルキレン基を表わす]で示さ
れる不飽和エーテル基を少なくとも1個、好ましくは2
〜4個含有する低分子量又は高分子量の化合物であり、
例えば、ビスフェノールA、ビスフェノールF、ビスフ
ェノールS、フェノール樹脂などのポリフェノール化合
物や、エチレングリコール、プロピレングリコール、ト
リメチロールプロパン、トリメチロールエタン、ペンタ
エリスリトールなどのポリオール類とクロロエチルビニ
ルエーテルなどのハロゲン化アルキル不飽和エーテルと
の縮合物;トリレンジイソシアネート、キシリレンジイ
ソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート、イソ
ホロンジイソシアネートなどのポリイソシアネート化合
物とヒドロキシエチルビニルエーテルのようなヒドロキ
シアルキル不飽和エーテルとの反応物等が挙げられる。
特に、上記ポリフェノール化合物とハロゲン化アルキル
不飽和エーテルとの縮合物及び芳香環をもつポリイソシ
アネート化合物とヒドロキシアルキル不飽和エーテルと
の反応物が、エツチング耐性、形成されるパターンの精
度等の観点から好適である。該化合物(b)は、樹脂
(a)100重量部に対して、通常約5〜150重量
部、好ましくは約10〜100重量部の範囲である。
物(b)としては、例えば、分子末端にビニルエーテル
基、1−プロペニルエーテル基、1−ブテニルエーテル
基等の不飽和エーテル基を約1〜4個含有するものが挙
げられる。該化合物(b)は、1分子中に、式−R”−
O−A[ここで、Aはビニル基、1−プロペニル基又は
1−ブテニルのオレフィン性不飽和基を示し、R”はエ
チレン、プロピレン、ブチレンなどの炭素数1〜6の直
鎖状もしくは分岐鎖状のアルキレン基を表わす]で示さ
れる不飽和エーテル基を少なくとも1個、好ましくは2
〜4個含有する低分子量又は高分子量の化合物であり、
例えば、ビスフェノールA、ビスフェノールF、ビスフ
ェノールS、フェノール樹脂などのポリフェノール化合
物や、エチレングリコール、プロピレングリコール、ト
リメチロールプロパン、トリメチロールエタン、ペンタ
エリスリトールなどのポリオール類とクロロエチルビニ
ルエーテルなどのハロゲン化アルキル不飽和エーテルと
の縮合物;トリレンジイソシアネート、キシリレンジイ
ソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート、イソ
ホロンジイソシアネートなどのポリイソシアネート化合
物とヒドロキシエチルビニルエーテルのようなヒドロキ
シアルキル不飽和エーテルとの反応物等が挙げられる。
特に、上記ポリフェノール化合物とハロゲン化アルキル
不飽和エーテルとの縮合物及び芳香環をもつポリイソシ
アネート化合物とヒドロキシアルキル不飽和エーテルと
の反応物が、エツチング耐性、形成されるパターンの精
度等の観点から好適である。該化合物(b)は、樹脂
(a)100重量部に対して、通常約5〜150重量
部、好ましくは約10〜100重量部の範囲である。
【0061】(a)及び(b)成分を含有する組成物
は、それから形成された被膜は加熱により、カルボキシ
ル基及び/又はヒドロキシフェニル基と不飽和エーテル
基との付加反応により架橋して、溶剤やアルカリ水溶液
に対して不溶性となり、次いで活性エネルギー線照射
し、更に照射後加熱すると、発生した酸の触媒作用で架
橋構造が切断されて照射部が溶剤やアルカリ水溶液に対
して再び可溶性となるポジ型感光性樹脂組成物である。
は、それから形成された被膜は加熱により、カルボキシ
ル基及び/又はヒドロキシフェニル基と不飽和エーテル
基との付加反応により架橋して、溶剤やアルカリ水溶液
に対して不溶性となり、次いで活性エネルギー線照射
し、更に照射後加熱すると、発生した酸の触媒作用で架
橋構造が切断されて照射部が溶剤やアルカリ水溶液に対
して再び可溶性となるポジ型感光性樹脂組成物である。
【0062】該組成物においては、形成される膜を露光
する際に発生する酸によって酸加水分解反応が露光部分
で生じるが、この酸加水分解反応をスムーズに進行させ
るには水分が存在することが望ましい。このため本発明
の組成物中に、ポリエチレングリコール、ポリプロピレ
ングリコール、メチルセルロース、エチルセルロース等
の親水性樹脂を含有させておくことによって、形成され
る塗膜中に上記反応に必要な水分を容易に取り込ませる
ようにすることができる。かかる親水性樹脂の添加量
は、通常、樹脂成分100重量部に対して一般に20重
量部以下、好ましくは0.1〜10重量部の範囲内とす
ることができる。
する際に発生する酸によって酸加水分解反応が露光部分
で生じるが、この酸加水分解反応をスムーズに進行させ
るには水分が存在することが望ましい。このため本発明
の組成物中に、ポリエチレングリコール、ポリプロピレ
ングリコール、メチルセルロース、エチルセルロース等
の親水性樹脂を含有させておくことによって、形成され
る塗膜中に上記反応に必要な水分を容易に取り込ませる
ようにすることができる。かかる親水性樹脂の添加量
は、通常、樹脂成分100重量部に対して一般に20重
量部以下、好ましくは0.1〜10重量部の範囲内とす
ることができる。
【0063】また、上記、に記載の光酸発生剤は、
露光により酸を発生する化合物であり、この発生した酸
を触媒として、樹脂を分解させるものであり、従来から
公知のものを使用することができる。このものとして
は、例えば、スルホニウム塩、アンモニウム塩、ホスホ
ニウム塩、ヨードニウム塩、セレニウム塩等のオニウム
塩類、鉄−アレン錯体類、シラノ−ル−金属キレート錯
体類、トリアジン化合物類、ジアジドナフトキノン化合
物類、スルホン酸エステル類、スルホン酸イミドエステ
ル類、ハロゲン系化合物類等を使用することができる。
また、上記した以外に特開平7−146552号公報、
特願平9−289218号に記載の光酸発生剤も使用す
ることができる。この光酸発生剤成分は、上記した樹脂
との混合物であっても樹脂に結合したものであっても構
わない。光酸発生剤の配合割合は、樹脂100重量部に
対して約0.1〜40重量部、特に約0.2〜20重量
部の範囲で含有することが好ましい。
露光により酸を発生する化合物であり、この発生した酸
を触媒として、樹脂を分解させるものであり、従来から
公知のものを使用することができる。このものとして
は、例えば、スルホニウム塩、アンモニウム塩、ホスホ
ニウム塩、ヨードニウム塩、セレニウム塩等のオニウム
塩類、鉄−アレン錯体類、シラノ−ル−金属キレート錯
体類、トリアジン化合物類、ジアジドナフトキノン化合
物類、スルホン酸エステル類、スルホン酸イミドエステ
ル類、ハロゲン系化合物類等を使用することができる。
また、上記した以外に特開平7−146552号公報、
特願平9−289218号に記載の光酸発生剤も使用す
ることができる。この光酸発生剤成分は、上記した樹脂
との混合物であっても樹脂に結合したものであっても構
わない。光酸発生剤の配合割合は、樹脂100重量部に
対して約0.1〜40重量部、特に約0.2〜20重量
部の範囲で含有することが好ましい。
【0064】本発明の組成物においては、上記した樹脂
以外に有機溶剤や水性現像液での溶解性を良くしたり、
また、逆に悪くしたりすることができる、水もしくは有
機溶剤に不溶性もしくは溶解(又は分散)を示す上記し
たその他の樹脂を必要に応じて配合することができる。
具体的には、例えば、フェノール系樹脂、ポリエステル
系樹脂、アクリル系樹脂、ビニル系樹脂、酢酸ビニル樹
脂、エポキシ系樹脂、シリコン系樹脂、フッ素系樹脂及
びこれらの2種以上の混合物もしくは変性物等が挙げら
れる。
以外に有機溶剤や水性現像液での溶解性を良くしたり、
また、逆に悪くしたりすることができる、水もしくは有
機溶剤に不溶性もしくは溶解(又は分散)を示す上記し
たその他の樹脂を必要に応じて配合することができる。
具体的には、例えば、フェノール系樹脂、ポリエステル
系樹脂、アクリル系樹脂、ビニル系樹脂、酢酸ビニル樹
脂、エポキシ系樹脂、シリコン系樹脂、フッ素系樹脂及
びこれらの2種以上の混合物もしくは変性物等が挙げら
れる。
【0065】また、本発明の組成物を用いて形成される
膜に適当な可撓性、非粘着性等を付与するために、本発
明の組成物には、フタル酸エステル等の可塑剤、ポリエ
ステル樹脂、アクリル樹脂等を添加することができる。
膜に適当な可撓性、非粘着性等を付与するために、本発
明の組成物には、フタル酸エステル等の可塑剤、ポリエ
ステル樹脂、アクリル樹脂等を添加することができる。
【0066】さらに、本発明の組成物には、必要に応じ
て、流動性調節剤、可塑剤、染料、顔料等の着色剤等を
添加してもよい。
て、流動性調節剤、可塑剤、染料、顔料等の着色剤等を
添加してもよい。
【0067】本発明の可視光硬化性樹脂組成物は、一般
に用いられている公知の感光性材料、例えば、塗料、イ
ンキ、接着剤、レジスト材、刷版材(平板や凸版用製版
材、オフセット印刷用PS板等)、情報記録材料、レリ
ーフ像作製材料等幅広い用途への使用が可能である。
に用いられている公知の感光性材料、例えば、塗料、イ
ンキ、接着剤、レジスト材、刷版材(平板や凸版用製版
材、オフセット印刷用PS板等)、情報記録材料、レリ
ーフ像作製材料等幅広い用途への使用が可能である。
【0068】次に、本発明の可視光硬化性樹脂組成物の
代表的なレジスト材(例えば、一般的なポジ型感光性レ
ジスト材料及び電着塗装用ポジ型レジスト材料)につい
て説明する。
代表的なレジスト材(例えば、一般的なポジ型感光性レ
ジスト材料及び電着塗装用ポジ型レジスト材料)につい
て説明する。
【0069】一般的なポジ型感光性レジスト材料として
は、例えば、本発明のポジ型可視光感光性樹脂組成物を
溶剤(水も含む)に分散もしくは溶解(着色剤に顔料を
用いた場合は顔料を微分散)させて、感光液を調製し、
これを支持体上に、例えば、ローラー、ロールコータ
ー、スピンコーター等のごとき塗布装置を用いて塗布
し、乾燥する方法により、これをポジ型レジスト材料と
して用いることができる。
は、例えば、本発明のポジ型可視光感光性樹脂組成物を
溶剤(水も含む)に分散もしくは溶解(着色剤に顔料を
用いた場合は顔料を微分散)させて、感光液を調製し、
これを支持体上に、例えば、ローラー、ロールコータ
ー、スピンコーター等のごとき塗布装置を用いて塗布
し、乾燥する方法により、これをポジ型レジスト材料と
して用いることができる。
【0070】ポジ型可視光感光性樹脂組成物を溶解もし
くは分散するために使用する溶剤としては、例えば、ケ
トン類(アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブ
チルケトン等)、エステル類(酢酸エチル、酢酸ブチ
ル、安息香酸メチル、プロピオン酸メチル等)、エーテ
ル類(テトラヒドロフラン、ジオキサン、ジメトキシエ
タン等)、セロソルブ類(メチルセロソルブ、エチルセ
ロソルブ、ジエチレングリコールモノメチルエーテル
等)、芳香族炭化水素(ベンゼン、トルエン、キシレ
ン、エチルベンゼン等)、ハロゲン化炭化水素(クロロ
ホルム、トリクロロエチレン、ジクロロメタン等)、ア
ルコール(エチルアルコール、ベンジルアルコール
等)、その他(ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホ
キシド等)、水等が挙げられる。
くは分散するために使用する溶剤としては、例えば、ケ
トン類(アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブ
チルケトン等)、エステル類(酢酸エチル、酢酸ブチ
ル、安息香酸メチル、プロピオン酸メチル等)、エーテ
ル類(テトラヒドロフラン、ジオキサン、ジメトキシエ
タン等)、セロソルブ類(メチルセロソルブ、エチルセ
ロソルブ、ジエチレングリコールモノメチルエーテル
等)、芳香族炭化水素(ベンゼン、トルエン、キシレ
ン、エチルベンゼン等)、ハロゲン化炭化水素(クロロ
ホルム、トリクロロエチレン、ジクロロメタン等)、ア
ルコール(エチルアルコール、ベンジルアルコール
等)、その他(ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホ
キシド等)、水等が挙げられる。
【0071】また、支持体としては、例えば、アルミニ
ウム、マグネシウム、銅、亜鉛、クロム、ニッケル、鉄
等の金属またはそれらを成分とした合金のシートまたは
これらの金属で表面を処理したプリント基板、プラスチ
ック、ガラスまたはシリコーンウエハー、カーボン等が
挙げられる。
ウム、マグネシウム、銅、亜鉛、クロム、ニッケル、鉄
等の金属またはそれらを成分とした合金のシートまたは
これらの金属で表面を処理したプリント基板、プラスチ
ック、ガラスまたはシリコーンウエハー、カーボン等が
挙げられる。
【0072】また、電着塗装用ポジ型レジスト材料とし
て用いる場合には、最初に本発明のポジ型可視光感光性
樹脂組成物を水分散化物とするか、または水溶化物とす
る。
て用いる場合には、最初に本発明のポジ型可視光感光性
樹脂組成物を水分散化物とするか、または水溶化物とす
る。
【0073】ポジ型可視光感光性樹脂組成物の水分散化
または水溶化は、樹脂中にカルボキシル基等のアニオ
ン性基が導入されている場合にはアルカリ(中和剤)で
中和するか、またはアミノ基等のカチオン性基が導入
されている場合には、酸(中和剤)で中和することによ
って行われる。その際に使用されるアルカリ中和剤とし
ては、例えば、モノエタノールアミン、ジエタノールア
ミン、トリエタノールアミン等のアルカノールアミン
類;トリエチルアミン、ジエチルアミン、モノエチルア
ミン、ジイソプロピルアミン、トリメチルアミン、ジイ
ソブチルアミン等のアルキルアミン類;ジメチルアミノ
エタノール等のアルキルアルカノールアミン類;シクロ
ヘキシルアミン等の脂環族アミン類;カセイソーダ、カ
セイカリ等のアルカリ金属水酸化物;アンモニア等が挙
げられる。また、酸中和剤としては、例えば、ギ酸、酢
酸、乳酸、酪酸等のモノカルボン酸が挙げられる。これ
らの中和剤は単独でまたは混合して使用できる。中和剤
の使用量は感光性樹脂組成物中に含まれるイオン性基1
当量当たり、一般に0.2〜1.0当量、特に0.3〜
0.8当量の範囲が望ましい。
または水溶化は、樹脂中にカルボキシル基等のアニオ
ン性基が導入されている場合にはアルカリ(中和剤)で
中和するか、またはアミノ基等のカチオン性基が導入
されている場合には、酸(中和剤)で中和することによ
って行われる。その際に使用されるアルカリ中和剤とし
ては、例えば、モノエタノールアミン、ジエタノールア
ミン、トリエタノールアミン等のアルカノールアミン
類;トリエチルアミン、ジエチルアミン、モノエチルア
ミン、ジイソプロピルアミン、トリメチルアミン、ジイ
ソブチルアミン等のアルキルアミン類;ジメチルアミノ
エタノール等のアルキルアルカノールアミン類;シクロ
ヘキシルアミン等の脂環族アミン類;カセイソーダ、カ
セイカリ等のアルカリ金属水酸化物;アンモニア等が挙
げられる。また、酸中和剤としては、例えば、ギ酸、酢
酸、乳酸、酪酸等のモノカルボン酸が挙げられる。これ
らの中和剤は単独でまたは混合して使用できる。中和剤
の使用量は感光性樹脂組成物中に含まれるイオン性基1
当量当たり、一般に0.2〜1.0当量、特に0.3〜
0.8当量の範囲が望ましい。
【0074】水溶化または水分散化した樹脂成分の流動
性をさらに向上させるために、必要により、上記ポジ型
可視光感光性樹脂組成物に親水性溶剤、例えば、メタノ
ール、エタノール、イソプロパノール、n−ブタノー
ル、t−ブタノール、メトキシエタノール、エトキシエ
タノール、ブトキシエタノール、ジエチレングリコール
モノメチルエーテル、ジオキサン、テトラヒドロフラン
等を加えることができる。かかる親水性溶剤の使用量
は、一般には、樹脂固形成分100重量部当たり、30
0重量部まで、好ましくは100重量部までとすること
ができる。
性をさらに向上させるために、必要により、上記ポジ型
可視光感光性樹脂組成物に親水性溶剤、例えば、メタノ
ール、エタノール、イソプロパノール、n−ブタノー
ル、t−ブタノール、メトキシエタノール、エトキシエ
タノール、ブトキシエタノール、ジエチレングリコール
モノメチルエーテル、ジオキサン、テトラヒドロフラン
等を加えることができる。かかる親水性溶剤の使用量
は、一般には、樹脂固形成分100重量部当たり、30
0重量部まで、好ましくは100重量部までとすること
ができる。
【0075】また、被塗装物への塗着量を多くするた
め、上記ポジ型可視光感光性樹脂組成物に対し、疎水性
溶剤、例えば、トルエン、キシレン等の石油系溶剤;メ
チルエチルケトン、メチルイソブチルケトン等のケトン
類;酢酸エチル、酢酸ブチル等のエステル類;2−エチ
ルヘキシルアルコール、ベンジルアルコール等のアルコ
ール類等も加えることができる。これらの疎水性溶剤の
配合量は、樹脂固形成分100重量部当たり、通常、2
00重量部まで、好ましくは、100重量部以下とする
ことができる。
め、上記ポジ型可視光感光性樹脂組成物に対し、疎水性
溶剤、例えば、トルエン、キシレン等の石油系溶剤;メ
チルエチルケトン、メチルイソブチルケトン等のケトン
類;酢酸エチル、酢酸ブチル等のエステル類;2−エチ
ルヘキシルアルコール、ベンジルアルコール等のアルコ
ール類等も加えることができる。これらの疎水性溶剤の
配合量は、樹脂固形成分100重量部当たり、通常、2
00重量部まで、好ましくは、100重量部以下とする
ことができる。
【0076】電着塗料としてポジ型可視光感光性樹脂組
成物の調製は、従来から公知の方法で行うことができ
る。例えば、前記の中和により水溶化された樹脂又は樹
脂混合物、ベンゾピロメテン系化合物の光増感剤、さら
に必要に応じ、溶剤およびその他の成分をよく混合し、
水を加えることにより調製することができる。
成物の調製は、従来から公知の方法で行うことができ
る。例えば、前記の中和により水溶化された樹脂又は樹
脂混合物、ベンゾピロメテン系化合物の光増感剤、さら
に必要に応じ、溶剤およびその他の成分をよく混合し、
水を加えることにより調製することができる。
【0077】このようにして調製された組成物は、通常
の方法で、さらに水で希釈し、例えば、pHが4〜9の
範囲内、浴濃度(固形分濃度)3〜25重量%、好まし
くは5〜15重量%の範囲内の電着塗料(または電着
浴)とすることができる。
の方法で、さらに水で希釈し、例えば、pHが4〜9の
範囲内、浴濃度(固形分濃度)3〜25重量%、好まし
くは5〜15重量%の範囲内の電着塗料(または電着
浴)とすることができる。
【0078】上記のようにして調製された電着塗料は、
次のようにして被塗物である導体表面に塗装することが
できる。すなわち、まず、浴のpHおよび浴濃度を上記
の範囲に調整し、浴温度を15〜40℃、好ましくは1
5〜30℃に管理する。次いで、このように管理された
電着塗装浴に、塗装されるべき導体を電着塗料がアニオ
ン型の場合には陽極として、また、カチオン型の場合に
は陰極として、浸漬、5〜200Vの直流電流を通電す
る。通電時間は10秒〜5分が適当である。
次のようにして被塗物である導体表面に塗装することが
できる。すなわち、まず、浴のpHおよび浴濃度を上記
の範囲に調整し、浴温度を15〜40℃、好ましくは1
5〜30℃に管理する。次いで、このように管理された
電着塗装浴に、塗装されるべき導体を電着塗料がアニオ
ン型の場合には陽極として、また、カチオン型の場合に
は陰極として、浸漬、5〜200Vの直流電流を通電す
る。通電時間は10秒〜5分が適当である。
【0079】得られる膜厚は乾燥膜厚で、一般に0.5
〜50μm、好適には、1〜20μmである。電着塗装
後、電着浴から被塗物を引き上げ水洗いした後、電着塗
膜中に含まれる水分等を熱風等で乾燥、除去する(組成
物として、(a)及び(b)を使用した場合には、塗布
された基板を、カルボキシル基及び/又はヒドロキシフ
ェニル基含有重合体とビニルエーテル基含有化合物との
間で架橋反応が実質的に起る温度及び時間条件下、例え
ば、約60〜約150℃の温度で約1分〜約30分間加
熱して、塗膜を架橋硬化させる)。
〜50μm、好適には、1〜20μmである。電着塗装
後、電着浴から被塗物を引き上げ水洗いした後、電着塗
膜中に含まれる水分等を熱風等で乾燥、除去する(組成
物として、(a)及び(b)を使用した場合には、塗布
された基板を、カルボキシル基及び/又はヒドロキシフ
ェニル基含有重合体とビニルエーテル基含有化合物との
間で架橋反応が実質的に起る温度及び時間条件下、例え
ば、約60〜約150℃の温度で約1分〜約30分間加
熱して、塗膜を架橋硬化させる)。
【0080】導体としては、金属、カーボン、酸化錫等
の導電性材料またはこれらを積層、メッキ等によりプラ
スチック、ガラス表面に固着させたものが使用できる。
上記のようにして導体表面に形成される可視光レジスト
材料、および、電着塗装によって得られる可視光レジス
ト電着塗膜は、画像に応じて、可視光で露光し、分解さ
せ、露光部を現像処理によって除去することにより、画
像を形成することができる。
の導電性材料またはこれらを積層、メッキ等によりプラ
スチック、ガラス表面に固着させたものが使用できる。
上記のようにして導体表面に形成される可視光レジスト
材料、および、電着塗装によって得られる可視光レジス
ト電着塗膜は、画像に応じて、可視光で露光し、分解さ
せ、露光部を現像処理によって除去することにより、画
像を形成することができる。
【0081】露光のための光源としては、超高圧、高
圧、中圧、低圧の水銀灯、ケミカルランプ、カーボンア
ーク灯、キセノン灯、メタルハライド灯、蛍光灯、タン
グステン灯、太陽光等の各光源により得られる光源のう
ち、紫外線を紫外カットフィルターによりカットした可
視領域の光線や、可視領域に発振線を持つ各種レーザー
等が使用できる。高出力で安定なレーザー光源として、
アルゴンレーザー、あるいはYAGレーザーの第二高調
波(532nm)が好ましい。
圧、中圧、低圧の水銀灯、ケミカルランプ、カーボンア
ーク灯、キセノン灯、メタルハライド灯、蛍光灯、タン
グステン灯、太陽光等の各光源により得られる光源のう
ち、紫外線を紫外カットフィルターによりカットした可
視領域の光線や、可視領域に発振線を持つ各種レーザー
等が使用できる。高出力で安定なレーザー光源として、
アルゴンレーザー、あるいはYAGレーザーの第二高調
波(532nm)が好ましい。
【0082】現像処理は、露光部膜がアニオン性の場合
にはアルカリ水溶液を用いて、また、カチオン性の場合
にはpH5以下の酸水溶液を用いて洗い流すことにより
行われる。アルカリ水溶液は通常、カセイソーダ、炭酸
ソーダ、カセイカリ、アンモニア水等塗膜中に有する遊
離のカルボン酸と中和して水溶性を与えることのできる
ものが、また、酸水溶液は酢酸、ギ酸、乳酸等が使用可
能である。
にはアルカリ水溶液を用いて、また、カチオン性の場合
にはpH5以下の酸水溶液を用いて洗い流すことにより
行われる。アルカリ水溶液は通常、カセイソーダ、炭酸
ソーダ、カセイカリ、アンモニア水等塗膜中に有する遊
離のカルボン酸と中和して水溶性を与えることのできる
ものが、また、酸水溶液は酢酸、ギ酸、乳酸等が使用可
能である。
【0083】また、イオン性基を持たない感光性樹脂の
場合の現像処理は、1,1,1−トリクロロエタン、ト
リクレン、メチルエチルケトン、塩化メチレン等の溶剤
を使って露光部を溶解することによって行う。現像した
後の塗膜は、水洗後、熱風等により乾燥され、導体上に
目的とする画像が形成される。また、必要に応じて、エ
ッチングを施し、露出した導体部を除去した後、レジス
ト膜を除去し、プリント回路板の製造を行うこともでき
る。
場合の現像処理は、1,1,1−トリクロロエタン、ト
リクレン、メチルエチルケトン、塩化メチレン等の溶剤
を使って露光部を溶解することによって行う。現像した
後の塗膜は、水洗後、熱風等により乾燥され、導体上に
目的とする画像が形成される。また、必要に応じて、エ
ッチングを施し、露出した導体部を除去した後、レジス
ト膜を除去し、プリント回路板の製造を行うこともでき
る。
【0084】組成物として、(a)及び(b)を使用し
た場合には、可視光線が照射された基板を該照射により
発生した酸の存在下で前記硬化塗膜の架橋構造の切断が
生ずるような温度及び時間条件下、例えば、約60〜約
150℃の温度で約1〜約30分間加熱し、照射部分の
塗膜の架橋構造を実質的に切断する。その際好適には、
可視光線が照射された基板を予め水と接触させる。水と
の接触によって酸が発生しやすくなり、次の架橋構造の
切断反応が容易になる。水との接触は基板を常温水又は
温水中に浸漬するか、水蒸気を吹付けることにより行う
ことができる。
た場合には、可視光線が照射された基板を該照射により
発生した酸の存在下で前記硬化塗膜の架橋構造の切断が
生ずるような温度及び時間条件下、例えば、約60〜約
150℃の温度で約1〜約30分間加熱し、照射部分の
塗膜の架橋構造を実質的に切断する。その際好適には、
可視光線が照射された基板を予め水と接触させる。水と
の接触によって酸が発生しやすくなり、次の架橋構造の
切断反応が容易になる。水との接触は基板を常温水又は
温水中に浸漬するか、水蒸気を吹付けることにより行う
ことができる。
【0085】本発明のポジ型可視光感光性樹脂組成物
は、上記した以外に、例えば、カバーフィルム層となる
ポリエチレンテレフタレート等のポリエステル樹脂、ア
クリル樹脂、ポリエチレン、ポリ塩化ビニル樹脂等の透
明樹脂フィルム上に、本発明の組成物をロールコ−タ、
ブレ−ドコ−タ、カーテンフロ−コータ等を使用して塗
布し、乾燥してレジスト被膜(乾燥膜厚約0.5〜5μ
m)を形成した後、該被膜表面に保護フィルムを貼り付
けたドライフィルムレジストとして使用することができ
る。
は、上記した以外に、例えば、カバーフィルム層となる
ポリエチレンテレフタレート等のポリエステル樹脂、ア
クリル樹脂、ポリエチレン、ポリ塩化ビニル樹脂等の透
明樹脂フィルム上に、本発明の組成物をロールコ−タ、
ブレ−ドコ−タ、カーテンフロ−コータ等を使用して塗
布し、乾燥してレジスト被膜(乾燥膜厚約0.5〜5μ
m)を形成した後、該被膜表面に保護フィルムを貼り付
けたドライフィルムレジストとして使用することができ
る。
【0086】このようなドライフィルムレジストは、保
護フィルムを剥離した後、レジスト被膜が面接するよう
に支持体に熱圧着させる等の方法で接着してレジスト被
膜を形成することができる。該レジスト被膜は上記した
電着塗膜と同様の方法で、画像に応じて、可視光で露光
し、現像処理することにより画像を形成することができ
る。
護フィルムを剥離した後、レジスト被膜が面接するよう
に支持体に熱圧着させる等の方法で接着してレジスト被
膜を形成することができる。該レジスト被膜は上記した
電着塗膜と同様の方法で、画像に応じて、可視光で露光
し、現像処理することにより画像を形成することができ
る。
【0087】
【実施例】本発明について実施例を掲げて詳細に説明す
る。尚、実施例及び比較例の「部」は「重量部」を示
す。
る。尚、実施例及び比較例の「部」は「重量部」を示
す。
【0088】実施例1 テトラヒドロフラン200部、P−ヒドロキシスチレン
65部、n−ブチルアクリレート28部、アクリル酸1
1部及びアゾビスイソブチロニトリル3部の混合物を1
00℃で2時間反応させて得られた反応物を1500c
cのトルエン溶剤中に注ぎ込み、反応物を沈殿、分離し
た後、沈殿物を60℃で乾燥して分子量約5200、ヒ
ドロキシフェニル基含有量4.6モル/kgの感光性樹
脂を得た。次いでこのもの100部にジビニルエーテル
化合物(ビスフェノール化合物1モルと2−クロロエチ
ルビニルエーテル2モルとの縮合物)60部、NAI−
105(光酸発生剤、みどり化学株式会社製、商品名)
10部及び光増感色素として表1の1−1の化合物1.
5部の配合物をジエチレングリコールジメチルエーテル
に溶解して固形分20%に調整して感光液を得た。
65部、n−ブチルアクリレート28部、アクリル酸1
1部及びアゾビスイソブチロニトリル3部の混合物を1
00℃で2時間反応させて得られた反応物を1500c
cのトルエン溶剤中に注ぎ込み、反応物を沈殿、分離し
た後、沈殿物を60℃で乾燥して分子量約5200、ヒ
ドロキシフェニル基含有量4.6モル/kgの感光性樹
脂を得た。次いでこのもの100部にジビニルエーテル
化合物(ビスフェノール化合物1モルと2−クロロエチ
ルビニルエーテル2モルとの縮合物)60部、NAI−
105(光酸発生剤、みどり化学株式会社製、商品名)
10部及び光増感色素として表1の1−1の化合物1.
5部の配合物をジエチレングリコールジメチルエーテル
に溶解して固形分20%に調整して感光液を得た。
【0089】次いで、この感光液を乾燥膜厚が5μmに
なるように、銅張積層板上に、スピンコーターを用いて
塗布した後、120℃で8分間加熱させてレジスト被膜
を形成した。この基板にポジ型パターンマスクを介して
5mJ/cm2強度のアルゴンレーザーを、上記の感光
層に光照射し、120℃で10分間加熱した後、1%炭
酸ナトリウム水溶液を用いて現像した。可視光線照射量
に対する現像後の膜の残存を調べた結果、コントラスト
に優れた被膜を形成し、未露光部分の膜の減少、膨潤は
全く見られなかつた。キセノンランプ(紫外線波長領域
をカットした光線)及びYAGレーザーの第二高調波
(532nm)の照射によっても同様の結果を得た。
なるように、銅張積層板上に、スピンコーターを用いて
塗布した後、120℃で8分間加熱させてレジスト被膜
を形成した。この基板にポジ型パターンマスクを介して
5mJ/cm2強度のアルゴンレーザーを、上記の感光
層に光照射し、120℃で10分間加熱した後、1%炭
酸ナトリウム水溶液を用いて現像した。可視光線照射量
に対する現像後の膜の残存を調べた結果、コントラスト
に優れた被膜を形成し、未露光部分の膜の減少、膨潤は
全く見られなかつた。キセノンランプ(紫外線波長領域
をカットした光線)及びYAGレーザーの第二高調波
(532nm)の照射によっても同様の結果を得た。
【0090】また、感光層を室温で6ヶ月間放置した後
に、同様の評価を行ったところ、前記の感光感度に変化
は認められなかった。
に、同様の評価を行ったところ、前記の感光感度に変化
は認められなかった。
【0091】実施例2〜50 実施例1において、表1の1−2〜1−50を光増感剤
として使用した以外は実施例1と同様にして感光液を調
製した。これを用いて、実施例1と同様に感光層を形成
し、120℃で8分間加熱し、得られた基板にポジ型パ
ターンマスクを介して5mJ/cm2強度のアルゴンレ
ーザーを、上記の感光層に光照射し、120℃で10分
間加熱した後、1%炭酸ナトリウム水溶液を用いて現像
した。可視光線照射量に対する現像後の膜の残存を調べ
た結果、コントラストに優れた被膜を形成し、未露光部
分の膜の減少、膨潤は全く見られなかつた。キセノンラ
ンプ(紫外線波長領域をカットした光線)及びYAGレ
ーザーの第二高調波(532nm)の照射によっても同
様の結果を得た。
として使用した以外は実施例1と同様にして感光液を調
製した。これを用いて、実施例1と同様に感光層を形成
し、120℃で8分間加熱し、得られた基板にポジ型パ
ターンマスクを介して5mJ/cm2強度のアルゴンレ
ーザーを、上記の感光層に光照射し、120℃で10分
間加熱した後、1%炭酸ナトリウム水溶液を用いて現像
した。可視光線照射量に対する現像後の膜の残存を調べ
た結果、コントラストに優れた被膜を形成し、未露光部
分の膜の減少、膨潤は全く見られなかつた。キセノンラ
ンプ(紫外線波長領域をカットした光線)及びYAGレ
ーザーの第二高調波(532nm)の照射によっても同
様の結果を得た。
【0092】また、感光層を室温で6ヶ月間放置した後
に、同様の評価を行ったところ、前記の感光感度に変化
は認められなかった。
に、同様の評価を行ったところ、前記の感光感度に変化
は認められなかった。
【0093】実施例51 アクリル酸22部、スチレン50部、n−ブチルメタア
クリレート28部、アゾビスイソブチロニトリル(AI
BN)5部よりなる混合物を、80℃に加熱し撹拌され
ているメチルイソブチルケトン60部中に2時間を要し
て滴下した後、その温度に更に2時間保つて、固形分約
62.5%、カルボキシル基3モル/kgの重合体を得
た。
クリレート28部、アゾビスイソブチロニトリル(AI
BN)5部よりなる混合物を、80℃に加熱し撹拌され
ているメチルイソブチルケトン60部中に2時間を要し
て滴下した後、その温度に更に2時間保つて、固形分約
62.5%、カルボキシル基3モル/kgの重合体を得
た。
【0094】上記で得られたカルボキシル基含有重合体
(固形分62.5%)80部、P−ヒドロキシスチレン
重合体(分子量1000)20部、ジビニルエーテル化
合物(ビスフェノール化合物1モルと2−クロロエチル
ビニルエーテル2モルとの縮合物)60部、ポリエチレ
ングリコール(平均分子量400)2部、NAI−10
5(光酸発生剤、みどり化学株式会社製、商品名)10
部、実施例1で使用した光増感剤1.5部の配合物をジ
エチレングリコールジメチルエーテルに溶解して20重
量%の感光液を得た。
(固形分62.5%)80部、P−ヒドロキシスチレン
重合体(分子量1000)20部、ジビニルエーテル化
合物(ビスフェノール化合物1モルと2−クロロエチル
ビニルエーテル2モルとの縮合物)60部、ポリエチレ
ングリコール(平均分子量400)2部、NAI−10
5(光酸発生剤、みどり化学株式会社製、商品名)10
部、実施例1で使用した光増感剤1.5部の配合物をジ
エチレングリコールジメチルエーテルに溶解して20重
量%の感光液を得た。
【0095】この感光液を使用して、実施例1と同様に
感光層を形成し、120℃で8分間加熱し得られた基板
にポジ型パターンマスクを介して5mJ/cm2強度の
アルゴンレーザーを、上記の感光層に光照射し、120
℃で10分間加熱した後、1%炭酸ナトリウム水溶液を
用いて現像した。可視光線照射量に対する現像後の膜の
残存を調べた結果、コントラストに優れた被膜を形成
し、未露光部分の膜の減少、膨潤は全く見られなかつ
た。キセノンランプ(紫外線波長領域をカットした光
線)及びYAGレーザーの第二高調波(532nm)の
照射によっても同様の結果を得た。
感光層を形成し、120℃で8分間加熱し得られた基板
にポジ型パターンマスクを介して5mJ/cm2強度の
アルゴンレーザーを、上記の感光層に光照射し、120
℃で10分間加熱した後、1%炭酸ナトリウム水溶液を
用いて現像した。可視光線照射量に対する現像後の膜の
残存を調べた結果、コントラストに優れた被膜を形成
し、未露光部分の膜の減少、膨潤は全く見られなかつ
た。キセノンランプ(紫外線波長領域をカットした光
線)及びYAGレーザーの第二高調波(532nm)の
照射によっても同様の結果を得た。
【0096】また、感光層を室温で6ヶ月間放置した後
に、同様の評価を行ったところ、前記の感光感度に変化
は認められなかった。
に、同様の評価を行ったところ、前記の感光感度に変化
は認められなかった。
【0097】実施例52 P−ヒドロキシスチレン重合体(分子量1000)10
0部、ジビニルエーテル化合物(ビスフェノール化合物
1モルと2−クロロエチルビニルエーテル2モルとの縮
合物)60部、ポリエチレングリコール(平均分子量4
00)2部、NAI−105(光酸発生剤、みどり化学
株式会社製、商品名)10部、実施例1で使用した光増
感剤1.5部の配合物をジエチレングリコールジメチル
エーテルに溶解して20重量%の感光液を得た。
0部、ジビニルエーテル化合物(ビスフェノール化合物
1モルと2−クロロエチルビニルエーテル2モルとの縮
合物)60部、ポリエチレングリコール(平均分子量4
00)2部、NAI−105(光酸発生剤、みどり化学
株式会社製、商品名)10部、実施例1で使用した光増
感剤1.5部の配合物をジエチレングリコールジメチル
エーテルに溶解して20重量%の感光液を得た。
【0098】この感光液を使用して、実施例1と同様に
感光層を形成し、120℃で8分間加熱し得られた基板
にポジ型パターンマスクを介して5mJ/cm2強度の
アルゴンレーザーを、上記の感光層に光照射し、120
℃で10分間加熱した後、1%炭酸ナトリウム水溶液を
用いて現像した。可視光線照射量に対する現像後の膜の
残存を調べた結果、コントラストに優れた被膜を形成
し、未露光部分の膜の減少、膨潤は全く見られなかつ
た。キセノンランプ(紫外線波長領域をカットした光
線)及びYAGレーザーの第二高調波(532nm)の
照射によっても同様の結果を得た。
感光層を形成し、120℃で8分間加熱し得られた基板
にポジ型パターンマスクを介して5mJ/cm2強度の
アルゴンレーザーを、上記の感光層に光照射し、120
℃で10分間加熱した後、1%炭酸ナトリウム水溶液を
用いて現像した。可視光線照射量に対する現像後の膜の
残存を調べた結果、コントラストに優れた被膜を形成
し、未露光部分の膜の減少、膨潤は全く見られなかつ
た。キセノンランプ(紫外線波長領域をカットした光
線)及びYAGレーザーの第二高調波(532nm)の
照射によっても同様の結果を得た。
【0099】また、感光層を室温で6ヶ月間放置した後
に、同様の評価を行ったところ、前記の感光感度に変化
は認められなかった。
に、同様の評価を行ったところ、前記の感光感度に変化
は認められなかった。
【0100】実施例53 実施例1で得られた感光液100部(固形分)にカルボ
キシル基に対してトリエチルアミン0.8当量を混合攪
拌した後、脱イオン水中に分散して水分散樹脂溶液(固
形分15%)を得た。
キシル基に対してトリエチルアミン0.8当量を混合攪
拌した後、脱イオン水中に分散して水分散樹脂溶液(固
形分15%)を得た。
【0101】得られた水分散樹脂溶液を電着塗装浴とし
て、積層銅板を陽極とし、乾燥膜厚が5μmとなるよう
にアニオン電着塗装を行った後、水洗し、120℃で8
分間加熱し、得られた基板にポジ型パターンマスクを介
して5mJ/cm2強度のアルゴンレーザーを、上記の
感光層に光照射し、120℃で10分間加熱した後、1
%炭酸ナトリウム水溶液を用いて現像した。可視光線照
射量に対する現像後の膜の残存を調べた結果、コントラ
ストに優れた被膜を形成し、未露光部分の膜の減少、膨
潤は全く見られなかつた。キセノンランプ(紫外線波長
領域をカットした光線)及びYAGレーザーの第二高調
波(532nm)の照射によっても同様の結果を得た。
て、積層銅板を陽極とし、乾燥膜厚が5μmとなるよう
にアニオン電着塗装を行った後、水洗し、120℃で8
分間加熱し、得られた基板にポジ型パターンマスクを介
して5mJ/cm2強度のアルゴンレーザーを、上記の
感光層に光照射し、120℃で10分間加熱した後、1
%炭酸ナトリウム水溶液を用いて現像した。可視光線照
射量に対する現像後の膜の残存を調べた結果、コントラ
ストに優れた被膜を形成し、未露光部分の膜の減少、膨
潤は全く見られなかつた。キセノンランプ(紫外線波長
領域をカットした光線)及びYAGレーザーの第二高調
波(532nm)の照射によっても同様の結果を得た。
【0102】また、感光層を室温で6ヶ月間放置した後
に、同様の評価を行ったところ、前記の感光感度に変化
は認められなかった。
に、同様の評価を行ったところ、前記の感光感度に変化
は認められなかった。
【0103】実施例54 テトラヒドロフラン200部、P−ヒドロキシスチレン
65部、ジメチルアミノエチルメタクリレート18部、
n−ブチルアクリレート17部及びアゾビスイソブチロ
ニトリル3部の混合物を100℃で2時間反応させて得
られた反応物を1500ccのトルエン溶剤中に注ぎ込
み、反応物を沈殿、分離した後、沈殿物を60℃で乾燥
して分子量約5000、ヒドロキシフェニル基含有量
4.6モル/kgの感光性樹脂を得た。次いでこのもの
100部にジビニルエーテル化合物(ビスフェノール化
合物1モルと2−クロロエチルビニルエーテル2モルと
の縮合物)60部、NAI−105(光酸発生剤、みど
り化学株式会社製、商品名)10部及び実施例1で使用
した光増感剤1.5部の配合物をジエチレングリコール
ジメチルエーテルに溶解して固形分60%に調整して感
光液を得た。
65部、ジメチルアミノエチルメタクリレート18部、
n−ブチルアクリレート17部及びアゾビスイソブチロ
ニトリル3部の混合物を100℃で2時間反応させて得
られた反応物を1500ccのトルエン溶剤中に注ぎ込
み、反応物を沈殿、分離した後、沈殿物を60℃で乾燥
して分子量約5000、ヒドロキシフェニル基含有量
4.6モル/kgの感光性樹脂を得た。次いでこのもの
100部にジビニルエーテル化合物(ビスフェノール化
合物1モルと2−クロロエチルビニルエーテル2モルと
の縮合物)60部、NAI−105(光酸発生剤、みど
り化学株式会社製、商品名)10部及び実施例1で使用
した光増感剤1.5部の配合物をジエチレングリコール
ジメチルエーテルに溶解して固形分60%に調整して感
光液を得た。
【0104】上記で得られた感光液100部(固形分)
にアミノ基に対して酢酸0.8当量を混合攪拌した後、
脱イオン水中に分散して水分散樹脂溶液(固形分15
%)を得た。
にアミノ基に対して酢酸0.8当量を混合攪拌した後、
脱イオン水中に分散して水分散樹脂溶液(固形分15
%)を得た。
【0105】得られた水分散樹脂溶液を電着塗装浴とし
て、積層銅板を陰極とし、乾燥膜厚が5μmとなるよう
にカチオン電着塗装を行った後、水洗し、120℃で8
分間加熱し得られた基板に、ポジ型パターンマスクを介
して5mJ/cm2強度のアルゴンレーザーを、上記の
感光層に光照射し、120℃で10分間加熱した後、
2.38%のテトラメチルアンモニウムヒドロオキサイ
ド水溶液を用いて現像した。可視光線照射量に対する現
像後の膜の残存を調べた結果、コントラストに優れた被
膜を形成し、未露光部分の膜の減少、膨潤は全く見られ
なかつた。キセノンランプ(紫外線波長領域をカットし
た光線)及びYAGレーザーの第二高調波(532n
m)の照射によっても同様の結果を得た。
て、積層銅板を陰極とし、乾燥膜厚が5μmとなるよう
にカチオン電着塗装を行った後、水洗し、120℃で8
分間加熱し得られた基板に、ポジ型パターンマスクを介
して5mJ/cm2強度のアルゴンレーザーを、上記の
感光層に光照射し、120℃で10分間加熱した後、
2.38%のテトラメチルアンモニウムヒドロオキサイ
ド水溶液を用いて現像した。可視光線照射量に対する現
像後の膜の残存を調べた結果、コントラストに優れた被
膜を形成し、未露光部分の膜の減少、膨潤は全く見られ
なかつた。キセノンランプ(紫外線波長領域をカットし
た光線)及びYAGレーザーの第二高調波(532n
m)の照射によっても同様の結果を得た。
【0106】また、感光層を室温で6ヶ月間放置した後
に、同様の評価を行ったところ、前記の感光感度に変化
は認められなかった。
に、同様の評価を行ったところ、前記の感光感度に変化
は認められなかった。
【0107】実施例55 テトラヒドロフラン1000部にポリ(t−ブトキシカ
ルボニルオキシスチレン)(分子量1000)50部、
下記ノボラックフェノール樹脂50部、NAI−105
(光酸発生剤、みどり化学株式会社製、商品名)10部
及び実施例1で使用した光増感色素1.5部を配合して
固形分9%の感光液を得た。
ルボニルオキシスチレン)(分子量1000)50部、
下記ノボラックフェノール樹脂50部、NAI−105
(光酸発生剤、みどり化学株式会社製、商品名)10部
及び実施例1で使用した光増感色素1.5部を配合して
固形分9%の感光液を得た。
【0108】ノボラックフェノール樹脂の製造 o−クレゾール1490部、30%フォルマリン114
5部、脱イオン水130部及び蓚酸6.5部をフラスコ
に入れ60分加熱還流させた。次いで15%塩酸を1
3.5部を加え40分加熱還流させた後、400部の約
15℃の脱イオン水を加え内容物を約75℃に保ち樹脂
を沈殿させた。ついで35%水酸化ナトリウム溶液を加
え中和後水層を除去し、400部の脱イオン水を加え7
5℃で樹脂を洗浄した後水層を除去し、更に同様な洗浄
操作を2度繰り返した後、減圧下に約120℃で乾燥し
て分子量600のノボラックフェノール樹脂を得た。
5部、脱イオン水130部及び蓚酸6.5部をフラスコ
に入れ60分加熱還流させた。次いで15%塩酸を1
3.5部を加え40分加熱還流させた後、400部の約
15℃の脱イオン水を加え内容物を約75℃に保ち樹脂
を沈殿させた。ついで35%水酸化ナトリウム溶液を加
え中和後水層を除去し、400部の脱イオン水を加え7
5℃で樹脂を洗浄した後水層を除去し、更に同様な洗浄
操作を2度繰り返した後、減圧下に約120℃で乾燥し
て分子量600のノボラックフェノール樹脂を得た。
【0109】上記で得られた感光液を使用して、実施例
1と同様に感光層を形成し、溶剤を蒸発させた後、基板
にポジ型パターンマスクを介して5mJ/cm2強度の
アルゴンレーザーを、上記の感光層に光照射し、120
℃で10分間加熱した後、1%炭酸ナトリウム水溶液を
用いて現像した。可視光線照射量に対する現像後の膜の
残存を調べた結果、コントラストに優れた被膜を形成
し、未露光部分の膜の減少、膨潤は全く見られなかつ
た。キセノンランプ(紫外線波長領域をカットした光
線)及びYAGレーザーの第二高調波(532nm)の
照射によっても同様の結果を得た。
1と同様に感光層を形成し、溶剤を蒸発させた後、基板
にポジ型パターンマスクを介して5mJ/cm2強度の
アルゴンレーザーを、上記の感光層に光照射し、120
℃で10分間加熱した後、1%炭酸ナトリウム水溶液を
用いて現像した。可視光線照射量に対する現像後の膜の
残存を調べた結果、コントラストに優れた被膜を形成
し、未露光部分の膜の減少、膨潤は全く見られなかつ
た。キセノンランプ(紫外線波長領域をカットした光
線)及びYAGレーザーの第二高調波(532nm)の
照射によっても同様の結果を得た。
【0110】また、感光層を室温で6ヶ月間放置した後
に、同様の評価を行ったところ、前記の感光感度に変化
は認められなかった。
に、同様の評価を行ったところ、前記の感光感度に変化
は認められなかった。
【0111】実施例56 テトラヒドロフラン1000部にポリ(テトラヒドロピ
ラニルエーテルスチレン)(分子量1000)50部、
実施例55のノボラックフェノール樹脂50部、NAI
−105(光酸発生剤、みどり化学株式会社製、商品
名)10部及び実施例1で使用した光増感色素1.5部
を配合して固形分9%の感光液を得た。
ラニルエーテルスチレン)(分子量1000)50部、
実施例55のノボラックフェノール樹脂50部、NAI
−105(光酸発生剤、みどり化学株式会社製、商品
名)10部及び実施例1で使用した光増感色素1.5部
を配合して固形分9%の感光液を得た。
【0112】この感光液を使用して、実施例1と同様に
感光層を形成し、溶剤を蒸発させた後、基板にポジ型パ
ターンマスクを介して5mJ/cm2強度のアルゴンレ
ーザーを、上記の感光層に光照射し、120℃で10分
間加熱した後、1%炭酸ナトリウム水溶液を用いて現像
した。可視光線照射量に対する現像後の膜の残存を調べ
た結果、コントラストに優れた被膜を形成し、未露光部
分の膜の減少、膨潤は全く見られなかつた。キセノンラ
ンプ(紫外線波長領域をカットした光線)及びYAGレ
ーザーの第二高調波(532nm)の照射によっても同
様の結果を得た。
感光層を形成し、溶剤を蒸発させた後、基板にポジ型パ
ターンマスクを介して5mJ/cm2強度のアルゴンレ
ーザーを、上記の感光層に光照射し、120℃で10分
間加熱した後、1%炭酸ナトリウム水溶液を用いて現像
した。可視光線照射量に対する現像後の膜の残存を調べ
た結果、コントラストに優れた被膜を形成し、未露光部
分の膜の減少、膨潤は全く見られなかつた。キセノンラ
ンプ(紫外線波長領域をカットした光線)及びYAGレ
ーザーの第二高調波(532nm)の照射によっても同
様の結果を得た。
【0113】また、感光層を室温で6ヶ月間放置した後
に、同様の評価を行ったところ、前記の感光感度に変化
は認められなかった。
に、同様の評価を行ったところ、前記の感光感度に変化
は認められなかった。
【0114】比較例1 実施例1において、光増感剤としてNKX−1595
(日本感光色素(株)社製、商品名、クマリン系化合
物)1.5部を使用した以外は実施例1と同様にして感
光液を調製した。これを用いて、実施例1と同様に感光
層を形成し、120℃で8分間加熱し、得られた基板に
ポジ型パターンマスクを介して5mJ/cm 2強度のア
ルゴンレーザーを、上記の感光層に光照射し、120℃
で10分間加熱した後、1%炭酸ナトリウム水溶液を用
いて現像した。可視光線照射量に対する現像後の膜の残
存を調べた結果、被膜が溶解せずに悪かった。
(日本感光色素(株)社製、商品名、クマリン系化合
物)1.5部を使用した以外は実施例1と同様にして感
光液を調製した。これを用いて、実施例1と同様に感光
層を形成し、120℃で8分間加熱し、得られた基板に
ポジ型パターンマスクを介して5mJ/cm 2強度のア
ルゴンレーザーを、上記の感光層に光照射し、120℃
で10分間加熱した後、1%炭酸ナトリウム水溶液を用
いて現像した。可視光線照射量に対する現像後の膜の残
存を調べた結果、被膜が溶解せずに悪かった。
【0115】キセノンランプ(紫外線波長領域をカット
した光線)及びYAGレーザーの第二高調波(532n
m)の照射によっても同様の結果で悪かった。
した光線)及びYAGレーザーの第二高調波(532n
m)の照射によっても同様の結果で悪かった。
【0116】
【発明の効果】本発明において、特定の化合物を光増感
剤として含有するポジ型可視光感光性樹脂組成物は実用
上極めて有用性の高い組成物である。従来、光分解反応
を用いた情報記録の分野で、コンピューターによって電
子編集された原稿を、そのまま直接レーザーを用いて出
力し記録する方式では、感光層の経時安定性が低く、ま
た、感度が低く、溶解性、保存安定性等の問題があっ
た。
剤として含有するポジ型可視光感光性樹脂組成物は実用
上極めて有用性の高い組成物である。従来、光分解反応
を用いた情報記録の分野で、コンピューターによって電
子編集された原稿を、そのまま直接レーザーを用いて出
力し記録する方式では、感光層の経時安定性が低く、ま
た、感度が低く、溶解性、保存安定性等の問題があっ
た。
【0117】しかし、本発明のポジ型可視光感光性樹脂
組成物は、樹脂と光増感剤の相溶性が極めてよく、か
つ、汎用の塗布溶液に溶解し、支持体上で均一、かつ、
経時保存安定性に優れた塗面を得ることができる。
組成物は、樹脂と光増感剤の相溶性が極めてよく、か
つ、汎用の塗布溶液に溶解し、支持体上で均一、かつ、
経時保存安定性に優れた塗面を得ることができる。
【0118】また、本発明で使用する光増感剤は、48
8nmおよび514.5nmに安定な発振線を持つアル
ゴンレーザーや第二高調波として532nmに輝線を持
つYAGレーザー等の汎用可視レーザーに対して、非常
に高い感度を有するため、本発明のポジ型可視光感光性
樹脂組成物を用いて得られた感光材料は、このようなレ
ーザーにより高速走査露光が可能である。また、高速走
査露光により画像を形成した場合、極めて微細な高解像
度の画像が得られる。
8nmおよび514.5nmに安定な発振線を持つアル
ゴンレーザーや第二高調波として532nmに輝線を持
つYAGレーザー等の汎用可視レーザーに対して、非常
に高い感度を有するため、本発明のポジ型可視光感光性
樹脂組成物を用いて得られた感光材料は、このようなレ
ーザーにより高速走査露光が可能である。また、高速走
査露光により画像を形成した場合、極めて微細な高解像
度の画像が得られる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 木暮 英雄 神奈川県平塚市東八幡4丁目17番1号 関 西ペイント株式会社内 (72)発明者 小木曽 章 神奈川県横浜市栄区笠間町1190番地 三井 化学株式会社内 (72)発明者 三沢 伝美 神奈川県横浜市栄区笠間町1190番地 三井 化学株式会社内 (72)発明者 西本 泰三 神奈川県横浜市栄区笠間町1190番地 三井 化学株式会社内 (72)発明者 塚原 宇 神奈川県横浜市栄区笠間町1190番地 三井 化学株式会社内 (72)発明者 詫摩 啓輔 神奈川県横浜市栄区笠間町1190番地 三井 化学株式会社内 Fターム(参考) 2H025 AA01 AA02 AC01 AC08 AD03 BE00 CA28 CB52 4J011 RA03 RA10 RA11 RA12 SA78 SA86 SA87 SA90 TA07 UA02 UA06 WA01
Claims (4)
- 【請求項1】 ポジ型可視光感光性樹脂及び光増感剤を
含有してなるポジ型可視光感光性樹脂組成物において、
光増感剤として一般式(1)で表されるベンゾピロメテ
ン系化合物を含有することを特徴とするポジ型可視光感
光性樹脂組成物。 【化1】 〔式中、R1,R2,R3,R5,R6,R7,R8,R9はそ
れぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、シ
アノ基、ヒドロキシ基、アミノ基、カルボキシル基、ス
ルホン酸基、アルキル基、ハロゲノアルキル基、アルコ
キシアルキル基、アルコキシ基、アルコキシアルコキシ
基、アリールオキシ基、アシル基、アルコキシカルボニ
ル基、アミノカルボニル基、アルキルアミノカルボニル
基、ジアルキルアミノカルボニル基、アルキルカルボニ
ルアミノ基、アリールカルボニルアミノ基、アリールア
ミノカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アラ
ルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、アルキルチ
オ基、アリールチオ基、アルケニルオキシカルボニル
基、アラルキルオキシカルボニル基、アルコキシカルボ
ニルアルコキシカルボニル基、アルキルカルボニルアル
コキシカルボニル基、モノ(ヒドロキシアルキル)アミ
ノカルボニル基、ジ(ヒドロキシアルキル)アミノカル
ボニル基、モノ(アルコキシアルキル)アミノカルボニ
ル基、ジ(アルコキシアルキル)アミノカルボニル基、
アルケニル基、アルキルアミノ基、ジアルキルアミノ
基、モノ(ヒドロキシアルキル)アミノ基またはジ(ヒ
ドロキシアルキル)アミノ基を表し、R4は水素原子、
シアノ基、アルキル基、アラルキル基、アリール基、ヘ
テロアリール基またはアルケニル基を表し、R10,R11
はそれぞれ独立に、ハロゲン原子、アルキル基、アラル
キル基、アリール基、ヘテロアリール基、アルコキシ基
またはアルコキシアルコキシ基を示す。〕 - 【請求項2】 ポジ型可視光感光性樹脂が、光酸発生剤
成分を含む樹脂又はそれらの混合物であって、これらの
樹脂の可視光による露光部は有機溶剤又は水性現像液に
溶解するが、未露光部は有機溶剤又は水性現像液に溶解
しない樹脂であることを特徴とする請求項1に記載のポ
ジ型可視光感光性樹脂組成物。 - 【請求項3】 請求項1記載のポジ型可視光感光性樹脂
組成物と溶剤を含有してなるポジ型可視光感光性材料用
組成物。 - 【請求項4】 請求項1に記載のポジ型可視光感光性樹
脂組成物を基材上に含有してなるポジ型レジスト材料。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP22192298A JP2000056458A (ja) | 1998-08-05 | 1998-08-05 | ポジ型可視光感光性樹脂組成物及びその用途 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP22192298A JP2000056458A (ja) | 1998-08-05 | 1998-08-05 | ポジ型可視光感光性樹脂組成物及びその用途 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2000056458A true JP2000056458A (ja) | 2000-02-25 |
Family
ID=16774267
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP22192298A Withdrawn JP2000056458A (ja) | 1998-08-05 | 1998-08-05 | ポジ型可視光感光性樹脂組成物及びその用途 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2000056458A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007269853A (ja) * | 2006-03-30 | 2007-10-18 | Chiba Univ | 光酸発生材料、これを用いたフォトリソグラフィー材料、光パターニングまたは光リソグラフィー |
JPWO2021100814A1 (ja) * | 2019-11-21 | 2021-05-27 | ||
US11822242B2 (en) | 2019-11-14 | 2023-11-21 | Merck Patent Gmbh | DNQ-type photoresist composition including alkali-soluble acrylic resins |
-
1998
- 1998-08-05 JP JP22192298A patent/JP2000056458A/ja not_active Withdrawn
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007269853A (ja) * | 2006-03-30 | 2007-10-18 | Chiba Univ | 光酸発生材料、これを用いたフォトリソグラフィー材料、光パターニングまたは光リソグラフィー |
JP4631059B2 (ja) * | 2006-03-30 | 2011-02-16 | 国立大学法人 千葉大学 | 光酸発生材料、これを用いたフォトリソグラフィー材料、光パターニングまたは光リソグラフィー |
US11822242B2 (en) | 2019-11-14 | 2023-11-21 | Merck Patent Gmbh | DNQ-type photoresist composition including alkali-soluble acrylic resins |
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WO2021100814A1 (ja) * | 2019-11-21 | 2021-05-27 | 富士フイルム株式会社 | 化合物及びこれを用いた蛍光標識生体物質 |
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