JP4590884B2 - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
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Description
請求項8に記載の半導体装置の製造方法においては、第1導電型の半導体基板の主表面にトレンチを形成する。そして、トレンチの内壁を含む半導体基板の主表面の上に第1および第2のゲート絶縁膜を形成する。さらに、トレンチの内面において前記第1のゲート絶縁膜を介して前記第1導電型をドープしたポリシリコンによりトレンチゲート電極を形成するとともに、主表面の上に前記第2のゲート絶縁膜を介してプレーナゲート電極を形成する。さらには、第2導電型のベース領域を形成するとともにプレーナゲート電極をマスクとしたイオン注入にて第1導電型のソース領域を形成する。そして、熱処理により前記第1導電型をドープしたポリシリコンから同第1導電型の元素を前記第2導電型のベース領域に拡散させてこの第2導電型のベース領域における不純物濃度よりも同第2導電型の不純物濃度が低い不純物拡散領域を形成する。加えて、前記第2導電型のベース領域におけるプレーナゲート電極と対向するチャネル領域となる部位に対し同第2導電型の元素を斜めイオン注入して前記第2導電型のベース領域における不純物濃度よりも同第2導電型の不純物濃度が高い不純物拡散領域を形成する。そして、トレンチゲート電極と対向するチャネル領域となる不純物拡散領域が形成された部位のソース領域との縦方向の接合部濃度は、第2導電型のベース領域におけるプレーナゲート電極と対向するチャネル領域となる部位の不純物濃度よりも同第2導電型の不純物濃度が低濃度となる態様となる。その結果、請求項2に記載の半導体装置を得ることができる。
以下、この発明を具体化した第1の実施の形態を図面に従って説明する。
図1に、本実施形態における半導体装置の縦断面を示す。本実施形態においてはSOI基板を用いている。つまり、シリコン基板1の上に絶縁膜(シリコン酸化膜)2を介して薄い単結晶シリコン層(単結晶半導体層)3が形成され、SOI基板を構成している。単結晶シリコン層3において、絶縁膜2に達する素子分離用トレンチ4が形成され、このトレンチ4にて多数の素子形成島が区画形成されている。素子分離用トレンチ4に関して、トレンチ4の側面にはシリコン酸化膜5が形成されるとともに、シリコン酸化膜5の内方にはポリシリコン膜6が充填されている。図1において、第1の素子形成島はロジック部であり、このロジック部においてCMOSトランジスタが形成されている。また、第2の素子形成島はパワーMOS部であり、横型パワーMOSトランジスタ(トレンチゲート型LDMOS)が形成されている。以下の説明においてN型を第1導電型とするとともに、P型を第2導電型とする。
一方、横型パワーMOSトランジスタがオン時(ドレイン電位:正の所定電位,ゲート電位:正の所定電位,ソース電位:0ボルト)の場合、Pベース領域20,21におけるトレンチゲート電極28に対向する部位およびプレーナゲート電極31に対向する部位に反転層が形成される。そして、図2,3においてIplにて示す電流経路にてN+ソース領域22から、Pベース領域20,21におけるプレーナゲート電極31に対向する部位(反転層)を通して、ドリフト領域であるNウエル領域24を介してN+ドレイン領域25に電流が流れる。また、図2,4においてItrにて示す電流経路にてN+ソース領域22から、Pベース領域20,21におけるトレンチゲート電極28に対向する部位(反転層)を通して、ドリフト領域であるNウエル領域24を介してN+ドレイン領域25に電流が流れる。このとき、電流経路Itrは表面から離れた深い部分にまで形成され、そのためオン抵抗を小さくすることができる。このようにして、トレンチゲートとプレーナゲートの両方を利用した横型パワー素子構造の本トランジスタにおいては、従来のプレーナゲートの横型パワー素子に対して、深く電流を流し、かつチャネル密度を向上することでオン抵抗の低減を実現することができる。
まず、図5に示すように、SOI基板を用意する。つまり、シリコン基板1の上に絶縁膜(シリコン酸化膜)2を介してN-シリコン層3が形成されたSOI基板を用意する。そして、N-シリコン層3にトレンチ4(図1参照)を形成するとともに、トレンチ4の側面にシリコン酸化膜5を形成し、さらに、シリコン酸化膜5の内方にポリシリコン膜6を充填する。これにより、トレンチ4にて多数の素子形成島に区画される。続いて、横型パワーMOSトランジスタ(トレンチゲート型LDMOS)の形成島において、図5のごとくPベース領域20およびNウエル領域24を形成する。
その後、図7(a)に示すように、熱酸化により、トレンチ26の内壁を含むN-シリコン層3(基板の主表面3a)の上にゲート酸化膜27,30を形成する。ゲート酸化膜27,30の膜厚は500Å程度である。さらに、図7(b)に示すように、不純物ドープトポリシリコン膜42を9000Å程度成膜(デポ)してトレンチ26内を不純物ドープトポリシリコン膜42で埋め込む。そして、基板上の不純物ドープトポリシリコン膜42をエッチバックして厚さを3700Å程度にする。さらに、反応生成物を除去するとともに洗浄する。
図11において、横軸には耐圧をとり、縦軸にはオン抵抗をとっている。サンプルとして、プレーナゲートのみを有するデバイスと、プレーナゲートとトレンチゲートの両方を有するデバイスを用いた。プレーナゲートとトレンチゲートの両方を有するデバイスは、縦方向の閾値Vtと横方向の閾値Vtの相対的な関係をコントロールした場合としていない場合を比較した。さらに、図3においてNウエル領域24のソース側への広がりをZ1としたとき、それよりも狭いZ2,Z3としたデバイスもサンプルとして用いた。
(イ)構造として、図2,3に示すように、ベース領域20,21におけるプレーナゲート電極31と対向するチャネル領域となる部位にP+領域35を形成した。これにより、トレンチゲート電極28に対向するチャネル領域の不純物濃度と、プレーナゲート電極31に対向するチャネル領域の不純物濃度との関係において、プレーナゲート電極31に対向するチャネル領域の不純物濃度が高くなる。よって、トレンチゲート電極28に対向するチャネル領域を通して電流を流す際のVt値と、プレーナゲート電極31に対向するチャネル領域を通して電流を流す際のVt値との関係において、プレーナゲート電極31に対向するチャネル領域を通して電流を流す際のVt値が高くなる。その結果、従来構造に比べトレンチゲートによる縦方向の電流を流しやすくしてオン抵抗の低減を図ることができる。
(ロ)そのための製造方法として、図9に示すように、Pベース領域21におけるプレーナゲート電極31と対向するチャネル領域となる部位に対しP型の元素を斜めイオン注入して当該部位の不純物濃度を高くする工程を有することにより、(イ)の構造が得られる。
(第2の実施の形態)
次に、第2の実施の形態を、第1の実施の形態との相違点を中心に説明する。
(第3の実施の形態)
次に、第3の実施の形態を、第1の実施の形態との相違点を中心に説明する。
まず、横型パワーMOSトランジスタ(トレンチゲート型LDMOS)の形成島において、図15のPベース領域20およびNウエル領域24、LOCOS酸化膜29を形成する。さらに、図18(a)に示すように、N-シリコン層3をエッチングして、N-シリコン層3(基板の主表面3a)にトレンチ26を形成する。その後、図18(b)に示すように、熱酸化により、トレンチ26の内壁を含むN-シリコン層(基板)3の上にゲート酸化膜27,30(図15参照)を形成する。さらに、図18(c)に示すように、トレンチ26の内壁の表層部のチャネル領域となる部位に対し、N型イオン種を用いて斜めイオン注入してN+領域61を形成する。
(イ)構造として、ベース領域20,21におけるトレンチゲート電極28と対向するチャネル領域となる部位に、図14,17に示すように、P-領域60を形成した。これにより、トレンチゲート電極28に対向するチャネル領域の不純物濃度と、プレーナゲート電極31に対向するチャネル領域の不純物濃度との関係において、トレンチゲート電極28に対向するチャネル領域の不純物濃度が低くなる。よって、トレンチゲート電極28に対向するチャネル領域を通して電流を流す際のVt値と、プレーナゲート電極31に対向するチャネル領域を通して電流を流す際のVt値との関係において、トレンチゲート電極28に対向するチャネル領域を通して電流を流す際のVt値が低くなる。その結果、従来構造に比べトレンチゲートによる縦方向の電流を流しやすくしてオン抵抗の低減を図ることができる。
(ロ)そのための製造方法として、図18(c)に示すように、トレンチ26およびゲート酸化膜27,30を形成した後に、トレンチ26の内壁の表層部のチャネル領域となる部位に対しN型の元素をイオン注入する。そして、トレンチゲート電極28およびプレーナゲート電極31を形成した後に、図17に示すように、Pベース領域21を形成する。これにより、(イ)の構造が得られる。
(第4の実施の形態)
次に、第4の実施の形態を、第3の実施の形態との相違点を中心に説明する。
(比較例)
次に、上記各実施の形態に対する比較例を、第1の実施の形態との相違点を中心に説明する。
本比較例においては、P型シリコン層(P基板)70を用い、P型シリコン層(P基板)70にはNウエル領域71を形成して、P型シリコン層(P基板)70にてベース領域72を構成している。つまり、ベース領域72は、P型シリコン層70(基板の主表面70a)の表層部に形成されたドリフト領域となるNウエル領域71以外のバルク部分よりなる。
(第5の実施の形態)
次に、第5の実施の形態を、第1の実施の形態との相違点を中心に説明する。
プレーナゲートとトレンチゲートを独立して電圧を制御することにより、横方向よりも縦方向に電流が流れる。これによって、深く電流を流し、かつ、チャネル密度を向上することでオン抵抗の低減を図ることができる。
図25において、横軸には耐圧をとり、縦軸にはオン抵抗をとっている。サンプルとして、プレーナゲートとトレンチゲートを独立して電圧制御しない場合と、独立して電圧制御した場合を比較した。つまり、縦方向の閾値Vtと横方向の閾値Vtの相対的な関係をコントロールした場合と、していない場合を比較した。さらに、図23においてNウエル領域24のソース側への広がりをZ1としたとき、それよりも狭いZ2,Z3としたデバイスもサンプルとして用いた。
(第6の実施の形態)
次に、第6の実施の形態を、第1の実施の形態との相違点を中心に説明する。
図26,27においてトレンチゲートのゲート酸化膜(シリコン酸化膜)27の膜厚t2を、プレーナゲートのゲート酸化膜(シリコン酸化膜)30の膜厚t1よりも薄くしている(t2<t1)。これにより、トレンチゲート電極28による縦方向のVt値よりも、プレーナゲート電極31による横方向のVt値が高くなるように制御することができる。
(第7の実施の形態)
次に、第7の実施の形態を、第1の実施の形態との相違点を中心に説明する。
図28の平面図に示すように、シリコン層3における横型MOSトランジスタの周囲には素子分離用のトレンチ100が形成されている。ゲート用のトレンチ26と素子分離用のトレンチ100とは同時に形成され、図29に示すように、絶縁膜(埋め込みシリコン酸化膜)2に達している。
両方のトレンチ26,100を同時に形成する。このとき、図28での素子分離用のトレンチ100の溝幅t11を2μm程度とし、ゲートトレンチ26の幅t10を1μm程度とし、素子分離トレンチの溝幅t11をゲートトレンチの幅t10よりも大きくする。その後、両方のトレンチ26,100の内壁にシリコン酸化膜(27,101)を同時に形成する。さらに、膜厚0.9μm程度のポリシリコン膜をデポしてゲートトレンチ26をポリシリコン膜(28)で完全に埋め込むとともに、当該ポリシリコン膜をエッチバックする。ここで、素子分離用のトレンチ100においては完全にポリシリコン膜(102)で埋められていない。この素子分離用のトレンチ100内におけるポリシリコン膜102の表面を酸化させて素子絶縁耐圧を確保できる膜厚のシリコン酸化膜103を形成する。
(第8の実施の形態)
次に、第8の実施の形態を、第7の実施の形態との相違点を中心に説明する。
本実施形態では第7の実施形態と同じ目的で別の構造および製造方法を用いている。
(第9の実施の形態)
次に、第9の実施の形態を、第8の実施の形態との相違点を中心に説明する。
(第10の実施の形態)
次に、第10の実施の形態を、第7の実施の形態との相違点を中心に説明する。
本実施形態においては、横型MOSトランジスタの周囲に素子分離用トレンチを二重に形成している。つまり、横型MOSトランジスタの周囲にトレンチ130を形成するとともに、そのトレンチ130の外方にトレンチ131を形成している。
なお、横型MOSトランジスタの周囲に素子分離用トレンチを二重に形成したが、三重、四重といったように更に多重に形成してもよく、要は二重以上に形成することによりレイアウトのみで分離耐圧を向上させることができる。
(イ)第1導電型の半導体基板(3)における主表面(3a)での表層部に形成された第2導電型のベース領域(20,21)と、
前記ベース領域(20,21)内における前記主表面(3a)での表層部に前記ベース領域(20,21)よりも浅く形成された第1導電型のソース領域(22)と、
前記主表面(3a)での表層部において前記ベース領域(20,21)とは離間した位置に形成された第1導電型のドレイン領域(25)と、
前記半導体基板(3)の主表面(3a)から掘られ、その平面構造として前記ソース領域(22)からドレイン領域(25)に向かう方向においてソース領域(22)とドレイン領域(25)との間のベース領域(20)を貫通するように形成されたトレンチ(26)と、
前記トレンチ(26)の内面においてゲート絶縁膜(27)を介して形成されたトレンチゲート電極(28)と、
前記主表面(3a)の上にゲート絶縁膜(30)を介して形成されたプレーナゲート電極(31)と、
を備えた半導体装置の製造方法であって、
第1導電型の半導体基板(3)の主表面(3a)にトレンチ(26)を形成する工程と、
前記トレンチ(26)の内壁を含む前記半導体基板(3)の上にゲート絶縁膜(27,
30)を形成する工程と、
前記トレンチ(26)の内壁の表層部のチャネル領域となる部位に対し第1導電型の元素をイオン注入する工程と、
前記トレンチ(26)の内面においてゲート絶縁膜(27)を介してトレンチゲート電極(28)を形成するとともに、前記主表面(3a)の上にゲート絶縁膜(30)を介してプレーナゲート電極(31)を形成する工程と、
第2導電型のベース領域(21)を形成するとともにプレーナゲート電極(28)をマスクとしたイオン注入にて第1導電型のソース領域(22)を形成する工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
(ロ)第1導電型の半導体基板(3)における主表面(3a)での表層部に形成された第2導電型のベース領域(20,21)と、
前記ベース領域(20,21)内における前記主表面(3a)での表層部に前記ベース領域(20,21)よりも浅く形成された第1導電型のソース領域(22)と、
前記主表面(3a)での表層部において前記ベース領域(20,21)とは離間した位置に形成された第1導電型のドレイン領域(25)と、
前記半導体基板(3)の主表面(3a)から掘られ、その平面構造として前記ソース領域(22)からドレイン領域(25)に向かう方向においてソース領域(22)とドレイン領域(25)との間のベース領域(20)を貫通するように形成されたトレンチ(26)と、
前記トレンチ(26)の内面においてゲート絶縁膜(27)を介して形成されたトレンチゲート電極(28)と、
前記主表面(3a)の上にゲート絶縁膜(30)を介して形成されたプレーナゲート電極(31)と、
を備えた半導体装置の製造方法であって、
第1導電型の半導体基板(3)の主表面(3a)にトレンチ(26)を形成する工程と、
前記トレンチ(26)の内壁を含む前記半導体基板(3)の上にゲート絶縁膜(27,30)を形成する工程と、
前記トレンチ(26)の内面においてゲート絶縁膜(27)を介して第1導電型の元素をドープしたトレンチゲート電極(28)を形成するとともに、前記主表面(3a)の上にゲート絶縁膜(30)を介してプレーナゲート電極(31)を形成する工程と、
第2導電型のベース領域(21)を形成するとともにプレーナゲート電極(31)をマスクとしたイオン注入にて第1導電型のソース領域(22)を形成する工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
Claims (8)
- 第1導電型の半導体基板(3)における主表面(3a)での表層部に形成された第2導電型のベース領域(20,21)と、
前記第1導電型の半導体基板(3)における主表面(3a)での表層部において前記第2導電型のベース領域(21)と接するように形成された第1導電型のウエル領域(24)と、
前記ベース領域(20,21)内における前記主表面(3a)での表層部に前記ベース領域(20,21)よりも浅く形成された第1導電型のソース領域(22)と、
前記第1導電型のウエル領域(24)内における前記主表面(3a)での表層部において前記ベース領域(20,21)とは離間した位置に形成された第1導電型のドレイン領域(25)と、
前記半導体基板(3)の主表面(3a)から掘られ、その平面構造として前記ソース領域(22)からドレイン領域(25)に向かう方向においてソース領域(22)とドレイン領域(25)との間のベース領域(20,21)を貫通するように形成されたトレンチ(26)と、
前記トレンチ(26)の内面において第1のゲート絶縁膜(27)を介して形成されたトレンチゲート電極(28)と、
前記主表面(3a)の上に第2のゲート絶縁膜(30)を介して形成されたプレーナゲート電極(31)と、
前記ベース領域(20,21)における前記プレーナゲート電極(31)と対向するチャネル領域となる部位に形成された第2導電型の不純物拡散領域(35,51)と、を備え、
前記ベース領域(20,21)における前記プレーナゲート電極(31)と対向するチャネル領域となる前記不純物拡散領域(35,51)が形成された部位の、前記ソース領域(22)との横方向の接合部の濃度は、前記ベース領域(20,21)における前記トレンチゲート電極(28)と対向するチャネル領域となる部位の、前記ソース領域(22)との縦方向の接合部の濃度よりも高いことを特徴とする半導体装置。 - 第1導電型の半導体基板(3)における主表面(3a)での表層部に形成された第2導電型のベース領域(20,21)と、
前記第1導電型の半導体基板(3)における主表面(3a)での表層部において前記第2導電型のベース領域(21)と接するように形成された第1導電型のウエル領域(24)と、
前記ベース領域(20,21)内における前記主表面(3a)での表層部に前記ベース領域(20,21)よりも浅く形成された第1導電型のソース領域(22)と、
前記第1導電型のウエル領域(24)内における前記主表面(3a)での表層部において前記ベース領域(20,21)とは離間した位置に形成された第1導電型のドレイン領域(25)と、
前記半導体基板(3)の主表面(3a)から掘られ、その平面構造として前記ソース領域(22)からドレイン領域(25)に向かう方向においてソース領域(22)とドレイン領域(25)との間のベース領域(20,21)を貫通するように形成されたトレンチ(26)と、
前記トレンチ(26)の内面において第1のゲート絶縁膜(27)を介して形成されたトレンチゲート電極(28)と、
前記主表面(3a)の上に第2のゲート絶縁膜(30)を介して形成されたプレーナゲート電極(31)と、
前記ベース領域(20,21)における前記トレンチゲート電極(28)と対向するチャネル領域となる部位に形成された不純物拡散領域(60)と、を備え、
前記ベース領域(20,21)における前記トレンチゲート電極(28)と対向するチャネル領域となる前記不純物拡散領域(60)が形成された部位の、前記ソース領域(22)との縦方向の接合部の濃度は、前記ベース領域(20,21)における前記プレーナゲート電極(31)と対向するチャネル領域となる部位の、前記ソース領域(22)との横方向の接合部の濃度よりも低いことを特徴とする半導体装置。 - 前記半導体基板(3,70)における素子形成領域の周囲に形成した素子分離用トレンチ(100)の内面に、前記第1のゲート絶縁膜(27)と同一の絶縁膜(101)を形成するとともに当該膜(101)の内面にトレンチゲート電極(28)を構成する膜と同一の膜(102)を形成し、さらに、当該膜(102)の内面に絶縁膜(103)を形成したことを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体装置。
- 前記半導体基板(3,70)における素子形成領域の周囲に形成した素子分離用トレンチ(110)の内面に、前記第1のゲート絶縁膜(27)よりも厚い絶縁膜(111)を形成するとともに当該膜(111)の内面にトレンチゲート電極(28)を構成する膜と同一の膜(112)を形成したことを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体装置。
- 前記半導体基板(3,70)における素子形成領域の周囲に形成する素子分離用トレンチを二重以上設け、各トレンチ(130,131)の内面に、前記第1のゲート絶縁膜(27)と同一の絶縁膜(132,134)を形成するとともに当該膜(132,134)の内面にトレンチゲート電極(28)を構成する膜と同一の膜(133,135)を形成したことを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体装置。
- 第1導電型の半導体基板(3)における主表面(3a)での表層部に形成された第2導電型のベース領域(20,21)と、
前記第1導電型の半導体基板(3)における主表面(3a)での表層部において前記第2導電型のベース領域(21)と接するように形成された第1導電型のウエル領域(24)と、
前記ベース領域(20,21)内における前記主表面(3a)での表層部に前記ベース領域(20,21)よりも浅く形成された第1導電型のソース領域(22)と、
前記第1導電型のウエル領域(24)内における前記主表面(3a)での表層部において前記ベース領域(20,21)とは離間した位置に形成された第1導電型のドレイン領域(25)と、
前記半導体基板(3)の主表面(3a)から掘られ、その平面構造として前記ソース領域(22)からドレイン領域(25)に向かう方向においてソース領域(22)とドレイン領域(25)との間のベース領域(20,21)を貫通するように形成されたトレンチ(26)と、
前記トレンチ(26)の内面において第1のゲート絶縁膜(27)を介して形成されたトレンチゲート電極(28)と、
前記主表面(3a)の上に第2のゲート絶縁膜(30)を介して形成されたプレーナゲート電極(31)と、を備え、
前記ベース領域(20,21)における前記プレーナゲート電極(31)と対向するチャネル領域となる前記不純物拡散領域(35,51)が形成された部位の、前記ソース領域(22)との横方向の接合部の濃度が、前記ベース領域(20,21)における前記トレンチゲート電極(28)と対向するチャネル領域となる部位の、前記ソース領域(22)との縦方向の接合部の濃度よりも高い半導体装置の製造方法であって、
前記第1導電型の半導体基板(3)の主表面(3a)に前記トレンチ(26)を形成する工程と、
前記トレンチ(26)の内壁を含む前記半導体基板(3)の主表面(3a)の上に前記第1のゲート絶縁膜(27)及び前記第2のゲート絶縁膜(30)を形成する工程と、
前記トレンチ(26)の内面において前記第1のゲート絶縁膜(27)を介して前記トレンチゲート電極(28)を形成するとともに、前記主表面(3a)の上に前記第2のゲート絶縁膜(30)を介して前記プレーナゲート電極(31)を形成する工程と、
前記ベース領域(21)を形成するとともに前記プレーナゲート電極(31)をマスクとしたイオン注入にて前記ソース領域(22)を形成する工程と、
前記ベース領域(21)における前記プレーナゲート電極(31)と対向する前記チャネル領域となる部位に対して第2導電型の元素を斜めイオン注入して前記不純物拡散領域(35)を形成する工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 第1導電型の半導体基板(3)における主表面(3a)での表層部に形成された第2導電型のベース領域(20,21)と、
前記第1導電型の半導体基板(3)における主表面(3a)での表層部において前記第2導電型のベース領域(21)と接するように形成された第1導電型のウエル領域(24)と、
前記ベース領域(20,21)内における前記主表面(3a)での表層部に前記ベース領域(20,21)よりも浅く形成された第1導電型のソース領域(22)と、
前記第1導電型のウエル領域(24)内における前記主表面(3a)での表層部において前記ベース領域(20,21)とは離間した位置に形成された第1導電型のドレイン領域(25)と、
前記半導体基板(3)の主表面(3a)から掘られ、その平面構造として前記ソース領域(22)からドレイン領域(25)に向かう方向においてソース領域(22)とドレイン領域(25)との間のベース領域(20,21)を貫通するように形成されたトレンチ(26)と、
前記トレンチ(26)の内面において第1のゲート絶縁膜(27)を介して形成されたトレンチゲート電極(28)と、
前記主表面(3a)の上に第2のゲート絶縁膜(30)を介して形成されたプレーナゲート電極(31)と、を備え、
前記ベース領域(20,21)における前記プレーナゲート電極(31)と対向するチャネル領域となる前記不純物拡散領域(35,51)が形成された部位の、前記ソース領域(22)との横方向の接合部の濃度が、前記ベース領域(20,21)における前記トレンチゲート電極(28)と対向するチャネル領域となる部位の、前記ソース領域(22)との縦方向の接合部の濃度よりも高い半導体装置の製造方法であって、
前記第1導電型の半導体基板(3)の主表面(3a)に前記トレンチ(26)を形成する工程と、
前記トレンチ(26)の内壁を含む前記半導体基板(3)の主表面(3a)の上に前記第1のゲート絶縁膜(27)及び前記第2のゲート絶縁膜(30)を形成する工程と、
前記トレンチ(26)の内面において前記第1のゲート絶縁膜(27)を介して前記トレンチゲート電極(28)を形成する工程と、
前記ベース領域(21)を形成するとともに前記ソース領域(22)を形成する工程と、
前記ベース領域(21)における前記主表面(3a)での表層部の前記チャネル領域となる部位に対して第2導電型の元素をイオン注入して前記不純物拡散領域(51)を形成する工程と、
前記主表面(3a)の上に前記第2のゲート絶縁膜(30)を介してプレーナゲート電極(31)を形成する工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 第1導電型の半導体基板(3)における主表面(3a)での表層部に形成された第2導電型のベース領域(20,21)と、
前記第1導電型の半導体基板(3)における主表面(3a)での表層部において前記第2導電型のベース領域(21)と接するように形成された第1導電型のウエル領域(24)と、
前記ベース領域(20,21)内における前記主表面(3a)での表層部に前記ベース領域(20,21)よりも浅く形成された第1導電型のソース領域(22)と、
前記第1導電型のウエル領域(24)内における前記主表面(3a)での表層部において前記ベース領域(20,21)とは離間した位置に形成された第1導電型のドレイン領域(25)と、
前記半導体基板(3)の主表面(3a)から掘られ、その平面構造として前記ソース領域(22)からドレイン領域(25)に向かう方向においてソース領域(22)とドレイン領域(25)との間のベース領域(20,21)を貫通するように形成されたトレンチ(26)と、
前記トレンチ(26)の内面において第1のゲート絶縁膜(27)を介して形成されたトレンチゲート電極(28)と、
前記主表面(3a)の上に第2のゲート絶縁膜(30)を介して形成されたプレーナゲート電極(31)と、
前記ベース領域(20,21)における前記トレンチゲート電極(28)と対向するチャネル領域となる部位に形成された第2導電型の不純物拡散領域(60)と、を備え、
前記ベース領域(20,21)における前記トレンチゲート電極(28)と対向するチャネル領域となる前記不純物拡散領域(60)が形成された部位の、前記ソース領域(22)との縦方向の接合部の濃度が、前記ベース領域(20,21)における前記プレーナゲート電極(31)と対向するチャネル領域となる部位の、前記ソース領域(22)との横方向の接合部の濃度よりも低い半導体装置の製造方法であって、
前記第1導電型の半導体基板(3)の主表面(3a)に前記トレンチ(26)を形成する工程と、
前記トレンチ(26)の内壁を含む前記半導体基板(3)の主表面(3a)の上に前記第1のゲート絶縁膜(27)及び前記第2のゲート絶縁膜(30)を形成する工程と、
前記トレンチ(26)の内壁の表層部のチャネル領域となる部位に対し前記第1導電型の元素を斜めイオン注入して不純物注入領域(61)を形成する工程と、
前記トレンチ(26)の内面において前記第1のゲート絶縁膜(27)を介して前記トレンチゲート電極(28)を形成するとともに、前記主表面(3a)の上に前記第2のゲート絶縁膜(30)を介して前記プレーナゲート電極(31)を形成する工程と、
前記不純物注入領域(61)に重ねるように第2導電型の前記ベース領域(21)を形成して前記不純物注入領域(61)を前記不純物拡散領域(60)とするとともに前記プレーナゲート電極(31)をマスクとしたイオン注入にて第1導電型の前記ソース領域(22)を形成する工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI820688B (zh) * | 2021-05-06 | 2023-11-01 | 南韓商三星電子股份有限公司 | 半導體裝置 |
Families Citing this family (51)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7087959B2 (en) * | 2004-08-18 | 2006-08-08 | Agere Systems Inc. | Metal-oxide-semiconductor device having an enhanced shielding structure |
DE102005022129B4 (de) * | 2005-05-12 | 2015-06-18 | Infineon Technologies Ag | Feldeffekttransistor und Verfahren zum Herstellen eines Feldeffekttransistors |
JP4501820B2 (ja) * | 2005-09-07 | 2010-07-14 | 株式会社デンソー | 半導体装置の製造方法 |
DE102006053145B4 (de) | 2005-11-14 | 2014-07-10 | Denso Corporation | Halbleitervorrichtung mit Trennungsbereich |
KR100649867B1 (ko) * | 2005-12-14 | 2006-11-27 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 고전압 반도체소자 및 그 제조방법 |
US8410539B2 (en) | 2006-02-14 | 2013-04-02 | Stmicroelectronics (Crolles 2) Sas | MOS transistor with a settable threshold |
JP5186729B2 (ja) * | 2006-05-11 | 2013-04-24 | 株式会社デンソー | 半導体装置 |
US7804150B2 (en) | 2006-06-29 | 2010-09-28 | Fairchild Semiconductor Corporation | Lateral trench gate FET with direct source-drain current path |
US20080042221A1 (en) * | 2006-08-15 | 2008-02-21 | Liming Tsau | High voltage transistor |
DE102007013803A1 (de) * | 2007-03-22 | 2008-10-09 | Austriamicrosystems Ag | MOS Transistor mit verbessertem Driftgebiet |
JP4616856B2 (ja) * | 2007-03-27 | 2011-01-19 | 株式会社日立製作所 | 半導体装置、及び半導体装置の製造方法 |
JP2008270318A (ja) * | 2007-04-17 | 2008-11-06 | Renesas Technology Corp | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
KR20090072013A (ko) * | 2007-12-28 | 2009-07-02 | 주식회사 동부하이텍 | 수평형 디모스 트랜지스터 |
CN101510559B (zh) * | 2008-02-15 | 2011-12-07 | 联咏科技股份有限公司 | 功率金属氧化物半导体晶体管元件与布局 |
KR101009399B1 (ko) * | 2008-10-01 | 2011-01-19 | 주식회사 동부하이텍 | Ldmos 트랜지스터 및 그 제조방법 |
JP2010098189A (ja) * | 2008-10-17 | 2010-04-30 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
KR101530579B1 (ko) * | 2008-12-11 | 2015-06-29 | 주식회사 동부하이텍 | 반도체 소자 및 이의 제조 방법 |
US9184097B2 (en) * | 2009-03-12 | 2015-11-10 | System General Corporation | Semiconductor devices and formation methods thereof |
JP5784269B2 (ja) * | 2009-11-11 | 2015-09-24 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
CN102148251B (zh) * | 2011-01-10 | 2013-01-30 | 电子科技大学 | Soi横向mosfet器件和集成电路 |
CN102769036B (zh) * | 2011-05-03 | 2014-12-03 | 旺宏电子股份有限公司 | Ldmos半导体结构及其制造方法与操作方法 |
JP6084357B2 (ja) * | 2011-11-02 | 2017-02-22 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置 |
US8575694B2 (en) | 2012-02-13 | 2013-11-05 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Insulated gate bipolar transistor structure having low substrate leakage |
JP5644793B2 (ja) * | 2012-03-02 | 2014-12-24 | 株式会社デンソー | 半導体装置 |
JP5852913B2 (ja) | 2012-03-27 | 2016-02-03 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置 |
JP5718265B2 (ja) | 2012-03-27 | 2015-05-13 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
US8686505B2 (en) * | 2012-07-27 | 2014-04-01 | Infineon Technologies Dresden Gmbh | Lateral semiconductor device and manufacturing method therefor |
US8772867B2 (en) * | 2012-12-03 | 2014-07-08 | Monolithic Power Systems, Inc. | High voltage high side DMOS and the method for forming thereof |
US9142540B2 (en) * | 2013-04-30 | 2015-09-22 | United Microelectronics Corp. | Electrostatic discharge protection semiconductor device |
CN105556647B (zh) * | 2013-07-19 | 2017-06-13 | 日产自动车株式会社 | 半导体装置及其制造方法 |
CN104979381B (zh) * | 2014-04-01 | 2018-07-13 | 世界先进积体电路股份有限公司 | 半导体装置及其制造方法 |
US9263436B2 (en) * | 2014-04-30 | 2016-02-16 | Vanguard International Semiconductor Corporation | Semiconductor device and method for fabricating the same |
US10281571B2 (en) * | 2014-08-21 | 2019-05-07 | Raytheon Company | Phased array antenna using stacked beams in elevation and azimuth |
CN105826380A (zh) * | 2015-01-09 | 2016-08-03 | 世界先进积体电路股份有限公司 | 半导体装置及其制造方法 |
JP5961295B2 (ja) * | 2015-03-18 | 2016-08-02 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
JP6578724B2 (ja) * | 2015-04-24 | 2019-09-25 | 富士電機株式会社 | 半導体装置 |
CN106486546B (zh) * | 2015-08-31 | 2019-07-26 | 立锜科技股份有限公司 | 横向双扩散金属氧化物半导体元件及其制造方法 |
US11004762B2 (en) * | 2015-09-04 | 2021-05-11 | Hitachi Automotive Systems, Ltd. | Semiconductor device, vehicle-mounted semiconductor device, and vehicle-mounted control device |
CN107180762B (zh) * | 2016-03-09 | 2019-12-03 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 半导体结构及其形成方法 |
US10937874B2 (en) * | 2016-08-10 | 2021-03-02 | Nissan Motor Co., Ltd. | Semiconductor device |
JP6726092B2 (ja) | 2016-12-28 | 2020-07-22 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
TWI647850B (zh) * | 2017-05-17 | 2019-01-11 | 立錡科技股份有限公司 | 高壓元件及其製造方法 |
CN109216175B (zh) | 2017-07-03 | 2021-01-08 | 无锡华润上华科技有限公司 | 半导体器件的栅极结构及其制造方法 |
US10262997B2 (en) * | 2017-09-14 | 2019-04-16 | Vanguard International Semiconductor Corporation | High-voltage LDMOSFET devices having polysilicon trench-type guard rings |
WO2019202350A1 (ja) * | 2018-04-19 | 2019-10-24 | 日産自動車株式会社 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
JP7365154B2 (ja) * | 2019-07-04 | 2023-10-19 | ローム株式会社 | 半導体装置 |
CN111969065B (zh) * | 2020-10-22 | 2021-02-09 | 晶芯成(北京)科技有限公司 | 一种半导体装置的制备方法 |
CN112599601B (zh) * | 2020-12-08 | 2022-09-30 | 武汉新芯集成电路制造有限公司 | 半导体器件及其制造方法 |
CN112599602B (zh) * | 2020-12-08 | 2022-09-30 | 武汉新芯集成电路制造有限公司 | 半导体器件及其制造方法 |
CN112490293B (zh) * | 2020-12-08 | 2022-10-11 | 武汉新芯集成电路制造有限公司 | 半导体器件及其制造方法 |
CN113555442A (zh) * | 2021-07-05 | 2021-10-26 | 浙江芯国半导体有限公司 | 一种三栅Ga2O3横向MOSFET功率器件及其制备方法 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000323706A (ja) * | 1999-05-06 | 2000-11-24 | Nissan Motor Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2002076355A (ja) * | 2000-08-31 | 2002-03-15 | Matsushita Electric Works Ltd | 半導体装置及び製造方法 |
JP2003017503A (ja) * | 2001-06-29 | 2003-01-17 | Denso Corp | 半導体装置の製造方法および半導体装置 |
Family Cites Families (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US1084A (en) * | 1839-02-20 | Improvement in fire-arms | ||
US12663A (en) * | 1855-04-10 | Improvement in drills for artesian wells | ||
US30347A (en) * | 1860-10-09 | Joseph pine | ||
JPS5242078A (en) | 1975-09-30 | 1977-04-01 | Sanken Electric Co Ltd | Insulated gate tupe field effect transistor |
JPS59228762A (ja) * | 1983-06-10 | 1984-12-22 | Hitachi Ltd | マルチゲ−トトランジスタ |
JPH0897411A (ja) * | 1994-09-21 | 1996-04-12 | Fuji Electric Co Ltd | 横型高耐圧トレンチmosfetおよびその製造方法 |
JP3329973B2 (ja) | 1995-01-26 | 2002-09-30 | 松下電工株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
US5828101A (en) * | 1995-03-30 | 1998-10-27 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Three-terminal semiconductor device and related semiconductor devices |
DE69534919T2 (de) * | 1995-10-30 | 2007-01-25 | Stmicroelectronics S.R.L., Agrate Brianza | Leistungsvorrichtung in MOS-Technologie mit einer einzigen kritischen Größe |
KR100204033B1 (ko) * | 1996-11-15 | 1999-06-15 | 정선종 | 고압 소자 및 그 제조 방법 |
US6118149A (en) * | 1997-03-17 | 2000-09-12 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Trench gate MOSFET |
JP3405681B2 (ja) * | 1997-07-31 | 2003-05-12 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
EP1005091B1 (en) * | 1998-11-17 | 2002-07-10 | STMicroelectronics S.r.l. | A method of manufacturing a vertical-channel MOSFET |
US6198131B1 (en) * | 1998-12-07 | 2001-03-06 | United Microelectronics Corp. | High-voltage metal-oxide semiconductor |
JP3356162B2 (ja) * | 1999-10-19 | 2002-12-09 | 株式会社デンソー | 半導体装置及びその製造方法 |
JP4175750B2 (ja) | 1999-10-27 | 2008-11-05 | 株式会社東芝 | 絶縁ゲート型半導体装置 |
US6642577B2 (en) * | 2000-03-16 | 2003-11-04 | Denso Corporation | Semiconductor device including power MOSFET and peripheral device and method for manufacturing the same |
JP4471480B2 (ja) * | 2000-10-18 | 2010-06-02 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
TWI288472B (en) * | 2001-01-18 | 2007-10-11 | Toshiba Corp | Semiconductor device and method of fabricating the same |
AU2003260899A1 (en) * | 2002-10-04 | 2004-04-23 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Power semiconductor devices |
JP4225177B2 (ja) * | 2002-12-18 | 2009-02-18 | 株式会社デンソー | 半導体装置およびその製造方法 |
-
2004
- 2004-03-04 JP JP2004061077A patent/JP4590884B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2004-06-09 EP EP20140190774 patent/EP2833411A3/en not_active Withdrawn
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- 2004-06-10 US US10/864,518 patent/US20050001265A1/en not_active Abandoned
-
2008
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Patent Citations (3)
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---|---|---|---|---|
JP2000323706A (ja) * | 1999-05-06 | 2000-11-24 | Nissan Motor Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2002076355A (ja) * | 2000-08-31 | 2002-03-15 | Matsushita Electric Works Ltd | 半導体装置及び製造方法 |
JP2003017503A (ja) * | 2001-06-29 | 2003-01-17 | Denso Corp | 半導体装置の製造方法および半導体装置 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI820688B (zh) * | 2021-05-06 | 2023-11-01 | 南韓商三星電子股份有限公司 | 半導體裝置 |
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