JP5784269B2 - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
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Description
前記基板上に形成されたゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極と、
前記基板に形成され、平面視において前記ゲート電極を介して互いに対向している第1導電型の第1高濃度拡散層及び第1導電型の第2高濃度拡散層と、
前記第1高濃度拡散層を内側に含むように、前記第1高濃度拡散層より広くかつ深く形成された第1導電型の第1低濃度拡散層と、
を備え、
前記第1高濃度拡散層は、平面視で前記ゲート電極から離間しており、
前記第1低濃度拡散層は、平面視において前記第1高濃度拡散層よりも前記ゲート電極の近くまで形成されており、
さらに、
前記第1低濃度拡散層の中に前記第1高濃度拡散層より深い領域で、前記第1高濃度拡散層の下方から前記ゲート電極に向けて延在しており、前記第1低濃度拡散層より不純物濃度が高い第1導電型の第1埋込層と、
前記第1低濃度拡散層の中に形成され、前記第1埋込層と前記第1高濃度拡散層とを接続する第1導電型の第2埋込層と、
を備える半導体装置が提供される。
前記第1低濃度拡散層に、第1導電型の第1埋込層を形成する工程と、
前記基板に、平面視において前記第1低濃度拡散層と隣り合うようにゲート絶縁膜及びゲート電極を形成する工程と、
前記第1低濃度拡散層に、下端が前記第1埋込層に接続していて前記第1埋込層の上方に向けて延伸している第1導電型の第2埋込層を形成する工程と、
前記第1低濃度拡散層の中に第1導電型の第1高濃度拡散層を、前記第1低濃度拡散層より浅く、底面が前記第2埋込層に接続するように、かつ平面視で前記ゲート電極から離間するように形成するとともに、前記ゲート電極を介して前記第1高濃度拡散層とは逆側に第2高濃度拡散層を形成する工程と、
を備え、
前記第1埋込層は、平面視で前記第1高濃度拡散層より前記ゲート電極の近くまで延在するように形成される半導体装置の製造方法が提供される。
102 素子分離膜
103 第1低濃度拡散層
104 第2低濃度拡散層
105 ゲート絶縁膜
106 ゲート電極
107 拡散層
108 第2高濃度拡散層
109 第1高濃度拡散層
110 層間絶縁膜
111a コンタクト
111b コンタクト
111c コンタクト
112 第2埋込層
113a 配線
113b 配線
114 第1埋込層
115 レジストパターン
120 マスクパターン
122 レジストパターン
124 レジストパターン
126 レジストパターン
128 レジストパターン
130 レジストパターン
201 基板
Claims (5)
- 基板と、
前記基板上に形成されたゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極と、
前記基板に形成され、平面視において前記ゲート電極を介して互いに対向している第1導電型の第1高濃度拡散層及び第1導電型の第2高濃度拡散層と、
前記第1高濃度拡散層を内側に含むように、前記第1高濃度拡散層より広くかつ深く形成された第1導電型の第1低濃度拡散層と、
を備え、
前記第1高濃度拡散層は、平面視で前記ゲート電極から離間しており、
前記第1低濃度拡散層は、平面視において、前記第1高濃度拡散層よりも前記ゲート電極の近くまで形成されて前記ゲート絶縁膜の一部と重なっており、かつ前記第2高濃度拡散層とは重なっておらず、
さらに、
前記第1低濃度拡散層の中に前記第1高濃度拡散層より深い領域で、前記第1高濃度拡散層の下方から前記ゲート電極に向けて延在しており、前記第1低濃度拡散層より不純物濃度が高い第1導電型の第1埋込層と、
前記第1低濃度拡散層の中に形成され、前記第1埋込層と前記第1高濃度拡散層とを接続する第1導電型の第2埋込層と、
を備え、
前記第2埋込層は、前記第1低濃度拡散層に接し、かつ前記第1低濃度拡散層に周囲を囲まれており、
前記第1高濃度拡散層はドレインであり、前記第2高濃度拡散層はソースである半導体装置。 - 請求項1に記載の半導体装置において、
前記第1埋込層は、平面視で前記ゲート絶縁膜の一部と重なっている半導体装置。 - 請求項1又は2に記載の半導体装置において、
平面視において前記基板のうち前記ゲート絶縁膜が形成されている領域と前記第1高濃度拡散層が形成されている領域とを相互に分離する素子分離領域をさらに備える半導体装置。 - 請求項1〜3のいずれか一つに記載の半導体装置において、
前記第2高濃度拡散層を内側に含むように、前記第2高濃度拡散層より広くかつ深く形成された第2導電型の第2低濃度拡散層をさらに備える半導体装置。 - 基板に第1導電型の第1低濃度拡散層を形成する工程と、
前記第1低濃度拡散層に、第1導電型の第1埋込層を形成する工程と、
前記基板に、平面視において前記第1低濃度拡散層と隣り合うようにゲート絶縁膜及びゲート電極を形成する工程と、
前記第1低濃度拡散層に、下端が前記第1埋込層に接続していて前記第1埋込層の上方に向けて延伸している第1導電型の第2埋込層を形成する工程と、
前記第1低濃度拡散層の中に、ドレインとなる第1導電型の第1高濃度拡散層を、前記第1低濃度拡散層より浅く、底面が前記第2埋込層に接続するように、かつ平面視で前記ゲート電極から離間するように形成するとともに、前記ゲート電極を介して前記第1高濃度拡散層とは逆側に、ソースとなる第2高濃度拡散層を形成する工程と、
を備え、
前記第1埋込層は、平面視で前記第1高濃度拡散層より前記ゲート電極の近くまで延在するように形成され、
前記第2埋込層は、前記第1低濃度拡散層に接し、かつ前記第1低濃度拡散層に周囲を囲まれるように形成され、
前記第1低濃度拡散層は、平面視において、前記第1高濃度拡散層よりも前記ゲート電極の近くまで形成されて前記ゲート絶縁膜の一部と重なっており、かつ前記第2高濃度拡散層とは重なっていない半導体装置の製造方法。
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