|
JPS60198861A
(ja)
|
1984-03-23 |
1985-10-08 |
Fujitsu Ltd |
薄膜トランジスタ
|
|
JPH0244256B2
(ja)
|
1987-01-28 |
1990-10-03 |
Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho |
Ingazn2o5deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho
|
|
JPH0244260B2
(ja)
|
1987-02-24 |
1990-10-03 |
Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho |
Ingazn5o8deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho
|
|
JPS63210023A
(ja)
|
1987-02-24 |
1988-08-31 |
Natl Inst For Res In Inorg Mater |
ＩｎＧａＺｎ↓４Ｏ↓７で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法
|
|
JPH0244258B2
(ja)
|
1987-02-24 |
1990-10-03 |
Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho |
Ingazn3o6deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho
|
|
JPH0244262B2
(ja)
|
1987-02-27 |
1990-10-03 |
Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho |
Ingazn6o9deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho
|
|
JPH0244263B2
(ja)
|
1987-04-22 |
1990-10-03 |
Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho |
Ingazn7o10deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho
|
|
JPH04313729A
(ja)
*
|
1991-04-09 |
1992-11-05 |
Mitsubishi Electric Corp |
液晶表示装置
|
|
JPH05251705A
(ja)
|
1992-03-04 |
1993-09-28 |
Fuji Xerox Co Ltd |
薄膜トランジスタ
|
|
JP3479375B2
(ja)
|
1995-03-27 |
2003-12-15 |
科学技術振興事業団 |
亜酸化銅等の金属酸化物半導体による薄膜トランジスタとｐｎ接合を形成した金属酸化物半導体装置およびそれらの製造方法
|
|
KR100394896B1
(ko)
*
|
1995-08-03 |
2003-11-28 |
코닌클리케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이. |
투명스위칭소자를포함하는반도체장치
|
|
JP3625598B2
(ja)
*
|
1995-12-30 |
2005-03-02 |
三星電子株式会社 |
液晶表示装置の製造方法
|
|
JP3716580B2
(ja)
*
|
1997-02-27 |
2005-11-16 |
セイコーエプソン株式会社 |
液晶装置及びその製造方法、並びに投写型表示装置
|
|
JPH11191626A
(ja)
*
|
1997-12-26 |
1999-07-13 |
Matsushita Electric Ind Co Ltd |
液晶表示装置の製造方法
|
|
JP4170454B2
(ja)
|
1998-07-24 |
2008-10-22 |
Ｈｏｙａ株式会社 |
透明導電性酸化物薄膜を有する物品及びその製造方法
|
|
JP2000150861A
(ja)
*
|
1998-11-16 |
2000-05-30 |
Tdk Corp |
酸化物薄膜
|
|
JP3276930B2
(ja)
|
1998-11-17 |
2002-04-22 |
科学技術振興事業団 |
トランジスタ及び半導体装置
|
|
TW460731B
(en)
*
|
1999-09-03 |
2001-10-21 |
Ind Tech Res Inst |
Electrode structure and production method of wide viewing angle LCD
|
|
JP2001284592A
(ja)
*
|
2000-03-29 |
2001-10-12 |
Sony Corp |
薄膜半導体装置及びその駆動方法
|
|
JP2001324725A
(ja)
*
|
2000-05-12 |
2001-11-22 |
Hitachi Ltd |
液晶表示装置およびその製造方法
|
|
JP4089858B2
(ja)
|
2000-09-01 |
2008-05-28 |
国立大学法人東北大学 |
半導体デバイス
|
|
JP4083379B2
(ja)
|
2000-11-09 |
2008-04-30 |
シャープ株式会社 |
液晶表示装置及びその製造方法
|
|
KR20020038482A
(ko)
*
|
2000-11-15 |
2002-05-23 |
모리시타 요이찌 |
박막 트랜지스터 어레이, 그 제조방법 및 그것을 이용한표시패널
|
|
JP3868735B2
(ja)
*
|
2000-11-30 |
2007-01-17 |
株式会社半導体エネルギー研究所 |
半導体装置
|
|
JP2002175053A
(ja)
*
|
2000-12-07 |
2002-06-21 |
Sony Corp |
アクティブマトリクス型表示装置およびこれを用いた携帯端末
|
|
US6780652B2
(en)
*
|
2001-03-15 |
2004-08-24 |
Micron Technology, Inc. |
Self-aligned MRAM contact and method of fabrication
|
|
JP3997731B2
(ja)
|
2001-03-19 |
2007-10-24 |
富士ゼロックス株式会社 |
基材上に結晶性半導体薄膜を形成する方法
|
|
JP2002289859A
(ja)
|
2001-03-23 |
2002-10-04 |
Minolta Co Ltd |
薄膜トランジスタ
|
|
JP2003029293A
(ja)
|
2001-07-13 |
2003-01-29 |
Minolta Co Ltd |
積層型表示装置及びその製造方法
|
|
KR100776768B1
(ko)
|
2001-07-21 |
2007-11-16 |
삼성전자주식회사 |
액정표시패널용 기판 및 그 제조방법
|
|
JP4090716B2
(ja)
*
|
2001-09-10 |
2008-05-28 |
雅司 川崎 |
薄膜トランジスタおよびマトリクス表示装置
|
|
JP3925839B2
(ja)
|
2001-09-10 |
2007-06-06 |
シャープ株式会社 |
半導体記憶装置およびその試験方法
|
|
KR100796795B1
(ko)
|
2001-10-22 |
2008-01-22 |
삼성전자주식회사 |
반도체 소자의 접촉부 및 그 제조 방법과 이를 포함하는표시 장치용 박막 트랜지스터 어레이 기판 및 그 제조 방법
|
|
JP3600229B2
(ja)
|
2001-10-31 |
2004-12-15 |
株式会社半導体エネルギー研究所 |
電界効果型トランジスタの製造方法
|
|
EP1443130B1
(en)
*
|
2001-11-05 |
2011-09-28 |
Japan Science and Technology Agency |
Natural superlattice homologous single crystal thin film, method for preparation thereof, and device using said single crystal thin film
|
|
JP4164562B2
(ja)
|
2002-09-11 |
2008-10-15 |
独立行政法人科学技術振興機構 |
ホモロガス薄膜を活性層として用いる透明薄膜電界効果型トランジスタ
|
|
US6433609B1
(en)
*
|
2001-11-19 |
2002-08-13 |
International Business Machines Corporation |
Double-gate low power SOI active clamp network for single power supply and multiple power supply applications
|
|
JP2003179069A
(ja)
*
|
2001-12-12 |
2003-06-27 |
Matsushita Electric Ind Co Ltd |
薄膜トランジスタ、液晶表示装置、有機エレクトロルミネッセンス素子、ならびに表示装置用基板およびその製造方法
|
|
JP4083486B2
(ja)
*
|
2002-02-21 |
2008-04-30 |
独立行政法人科学技術振興機構 |
ＬｎＣｕＯ（Ｓ，Ｓｅ，Ｔｅ）単結晶薄膜の製造方法
|
|
JP2003258226A
(ja)
|
2002-02-27 |
2003-09-12 |
Canon Inc |
放射線検出装置及びその製造方法
|
|
CN1445821A
(zh)
*
|
2002-03-15 |
2003-10-01 |
三洋电机株式会社 |
ZnO膜和ZnO半导体层的形成方法、半导体元件及其制造方法
|
|
JP2003273361A
(ja)
*
|
2002-03-15 |
2003-09-26 |
Sharp Corp |
半導体装置およびその製造方法
|
|
JP3933591B2
(ja)
*
|
2002-03-26 |
2007-06-20 |
淳二 城戸 |
有機エレクトロルミネッセント素子
|
|
US7339187B2
(en)
*
|
2002-05-21 |
2008-03-04 |
State Of Oregon Acting By And Through The Oregon State Board Of Higher Education On Behalf Of Oregon State University |
Transistor structures
|
|
JP2004022625A
(ja)
*
|
2002-06-13 |
2004-01-22 |
Murata Mfg Co Ltd |
半導体デバイス及び該半導体デバイスの製造方法
|
|
US7105868B2
(en)
*
|
2002-06-24 |
2006-09-12 |
Cermet, Inc. |
High-electron mobility transistor with zinc oxide
|
|
JP4723787B2
(ja)
*
|
2002-07-09 |
2011-07-13 |
シャープ株式会社 |
電界効果型トランジスタ、その製造方法及び画像表示装置
|
|
US7067843B2
(en)
*
|
2002-10-11 |
2006-06-27 |
E. I. Du Pont De Nemours And Company |
Transparent oxide semiconductor thin film transistors
|
|
JP2004235180A
(ja)
|
2003-01-28 |
2004-08-19 |
Sanyo Electric Co Ltd |
半導体装置及びその製造方法
|
|
JP4166105B2
(ja)
|
2003-03-06 |
2008-10-15 |
シャープ株式会社 |
半導体装置およびその製造方法
|
|
JP2004273732A
(ja)
|
2003-03-07 |
2004-09-30 |
Sharp Corp |
アクティブマトリクス基板およびその製造方法
|
|
JP4108633B2
(ja)
*
|
2003-06-20 |
2008-06-25 |
シャープ株式会社 |
薄膜トランジスタおよびその製造方法ならびに電子デバイス
|
|
US7262463B2
(en)
*
|
2003-07-25 |
2007-08-28 |
Hewlett-Packard Development Company, L.P. |
Transistor including a deposited channel region having a doped portion
|
|
JP4578826B2
(ja)
*
|
2004-02-26 |
2010-11-10 |
株式会社半導体エネルギー研究所 |
半導体装置の作製方法
|
|
US7145174B2
(en)
*
|
2004-03-12 |
2006-12-05 |
Hewlett-Packard Development Company, Lp. |
Semiconductor device
|
|
US7297977B2
(en)
|
2004-03-12 |
2007-11-20 |
Hewlett-Packard Development Company, L.P. |
Semiconductor device
|
|
US20070194379A1
(en)
|
2004-03-12 |
2007-08-23 |
Japan Science And Technology Agency |
Amorphous Oxide And Thin Film Transistor
|
|
US7282782B2
(en)
*
|
2004-03-12 |
2007-10-16 |
Hewlett-Packard Development Company, L.P. |
Combined binary oxide semiconductor device
|
|
US7211825B2
(en)
*
|
2004-06-14 |
2007-05-01 |
Yi-Chi Shih |
Indium oxide-based thin film transistors and circuits
|
|
JP2006100760A
(ja)
*
|
2004-09-02 |
2006-04-13 |
Casio Comput Co Ltd |
薄膜トランジスタおよびその製造方法
|
|
US7285501B2
(en)
*
|
2004-09-17 |
2007-10-23 |
Hewlett-Packard Development Company, L.P. |
Method of forming a solution processed device
|
|
US7298084B2
(en)
*
|
2004-11-02 |
2007-11-20 |
3M Innovative Properties Company |
Methods and displays utilizing integrated zinc oxide row and column drivers in conjunction with organic light emitting diodes
|
|
US7791072B2
(en)
*
|
2004-11-10 |
2010-09-07 |
Canon Kabushiki Kaisha |
Display
|
|
US7453065B2
(en)
*
|
2004-11-10 |
2008-11-18 |
Canon Kabushiki Kaisha |
Sensor and image pickup device
|
|
AU2005302963B2
(en)
*
|
2004-11-10 |
2009-07-02 |
Cannon Kabushiki Kaisha |
Light-emitting device
|
|
US7863611B2
(en)
*
|
2004-11-10 |
2011-01-04 |
Canon Kabushiki Kaisha |
Integrated circuits utilizing amorphous oxides
|
|
EP2453480A2
(en)
*
|
2004-11-10 |
2012-05-16 |
Canon Kabushiki Kaisha |
Amorphous oxide and field effect transistor
|
|
EP1815530B1
(en)
*
|
2004-11-10 |
2021-02-17 |
Canon Kabushiki Kaisha |
Field effect transistor employing an amorphous oxide
|
|
US7829444B2
(en)
*
|
2004-11-10 |
2010-11-09 |
Canon Kabushiki Kaisha |
Field effect transistor manufacturing method
|
|
US20060118869A1
(en)
|
2004-12-03 |
2006-06-08 |
Je-Hsiung Lan |
Thin-film transistors and processes for forming the same
|
|
US7579224B2
(en)
*
|
2005-01-21 |
2009-08-25 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Method for manufacturing a thin film semiconductor device
|
|
TWI412138B
(zh)
*
|
2005-01-28 |
2013-10-11 |
半導體能源研究所股份有限公司 |
半導體裝置，電子裝置，和半導體裝置的製造方法
|
|
TWI481024B
(zh)
*
|
2005-01-28 |
2015-04-11 |
半導體能源研究所股份有限公司 |
半導體裝置，電子裝置，和半導體裝置的製造方法
|
|
US7858451B2
(en)
*
|
2005-02-03 |
2010-12-28 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Electronic device, semiconductor device and manufacturing method thereof
|
|
JP2006229081A
(ja)
*
|
2005-02-18 |
2006-08-31 |
Sony Corp |
半導体装置およびその製造方法
|
|
US7948171B2
(en)
*
|
2005-02-18 |
2011-05-24 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Light emitting device
|
|
JP2006245031A
(ja)
*
|
2005-02-28 |
2006-09-14 |
Casio Comput Co Ltd |
薄膜トランジスタパネル
|
|
US20060197092A1
(en)
*
|
2005-03-03 |
2006-09-07 |
Randy Hoffman |
System and method for forming conductive material on a substrate
|
|
US8681077B2
(en)
*
|
2005-03-18 |
2014-03-25 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Semiconductor device, and display device, driving method and electronic apparatus thereof
|
|
US7544967B2
(en)
*
|
2005-03-28 |
2009-06-09 |
Massachusetts Institute Of Technology |
Low voltage flexible organic/transparent transistor for selective gas sensing, photodetecting and CMOS device applications
|
|
US7645478B2
(en)
*
|
2005-03-31 |
2010-01-12 |
3M Innovative Properties Company |
Methods of making displays
|
|
US8300031B2
(en)
*
|
2005-04-20 |
2012-10-30 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Semiconductor device comprising transistor having gate and drain connected through a current-voltage conversion element
|
|
JP2006344849A
(ja)
|
2005-06-10 |
2006-12-21 |
Casio Comput Co Ltd |
薄膜トランジスタ
|
|
US7402506B2
(en)
*
|
2005-06-16 |
2008-07-22 |
Eastman Kodak Company |
Methods of making thin film transistors comprising zinc-oxide-based semiconductor materials and transistors made thereby
|
|
US7691666B2
(en)
|
2005-06-16 |
2010-04-06 |
Eastman Kodak Company |
Methods of making thin film transistors comprising zinc-oxide-based semiconductor materials and transistors made thereby
|
|
US7507618B2
(en)
|
2005-06-27 |
2009-03-24 |
3M Innovative Properties Company |
Method for making electronic devices using metal oxide nanoparticles
|
|
KR100711890B1
(ko)
*
|
2005-07-28 |
2007-04-25 |
삼성에스디아이 주식회사 |
유기 발광표시장치 및 그의 제조방법
|
|
JP2007059128A
(ja)
*
|
2005-08-23 |
2007-03-08 |
Canon Inc |
有機ｅｌ表示装置およびその製造方法
|
|
JP4280736B2
(ja)
*
|
2005-09-06 |
2009-06-17 |
キヤノン株式会社 |
半導体素子
|
|
JP4850457B2
(ja)
|
2005-09-06 |
2012-01-11 |
キヤノン株式会社 |
薄膜トランジスタ及び薄膜ダイオード
|
|
JP2007073705A
(ja)
*
|
2005-09-06 |
2007-03-22 |
Canon Inc |
酸化物半導体チャネル薄膜トランジスタおよびその製造方法
|
|
JP5116225B2
(ja)
*
|
2005-09-06 |
2013-01-09 |
キヤノン株式会社 |
酸化物半導体デバイスの製造方法
|
|
KR100729043B1
(ko)
|
2005-09-14 |
2007-06-14 |
삼성에스디아이 주식회사 |
투명 박막 트랜지스터 및 그의 제조방법
|
|
JP5078246B2
(ja)
|
2005-09-29 |
2012-11-21 |
株式会社半導体エネルギー研究所 |
半導体装置、及び半導体装置の作製方法
|
|
EP3614442A3
(en)
|
2005-09-29 |
2020-03-25 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Semiconductor device having oxide semiconductor layer and manufactoring method thereof
|
|
JP5064747B2
(ja)
|
2005-09-29 |
2012-10-31 |
株式会社半導体エネルギー研究所 |
半導体装置、電気泳動表示装置、表示モジュール、電子機器、及び半導体装置の作製方法
|
|
CN101283388B
(zh)
*
|
2005-10-05 |
2011-04-13 |
出光兴产株式会社 |
Tft基板及tft基板的制造方法
|
|
JP5037808B2
(ja)
*
|
2005-10-20 |
2012-10-03 |
キヤノン株式会社 |
アモルファス酸化物を用いた電界効果型トランジスタ、及び該トランジスタを用いた表示装置
|
|
JP5129473B2
(ja)
|
2005-11-15 |
2013-01-30 |
富士フイルム株式会社 |
放射線検出器
|
|
US7745798B2
(en)
*
|
2005-11-15 |
2010-06-29 |
Fujifilm Corporation |
Dual-phosphor flat panel radiation detector
|
|
CN101667544B
(zh)
*
|
2005-11-15 |
2012-09-05 |
株式会社半导体能源研究所 |
半导体器件及其制造方法
|
|
JP5250929B2
(ja)
*
|
2005-11-30 |
2013-07-31 |
凸版印刷株式会社 |
トランジスタおよびその製造方法
|
|
KR100732849B1
(ko)
|
2005-12-21 |
2007-06-27 |
삼성에스디아이 주식회사 |
유기 발광 표시장치
|
|
TWI292281B
(en)
*
|
2005-12-29 |
2008-01-01 |
Ind Tech Res Inst |
Pixel structure of active organic light emitting diode and method of fabricating the same
|
|
US7867636B2
(en)
*
|
2006-01-11 |
2011-01-11 |
Murata Manufacturing Co., Ltd. |
Transparent conductive film and method for manufacturing the same
|
|
JP4977478B2
(ja)
*
|
2006-01-21 |
2012-07-18 |
三星電子株式会社 |
ＺｎＯフィルム及びこれを用いたＴＦＴの製造方法
|
|
US20090001374A1
(en)
|
2006-01-31 |
2009-01-01 |
Kazuyoshi Inoue |
Tft Substrate, Reflective Tft Substrate and Method for Manufacturing These Substrates
|
|
JP5000290B2
(ja)
*
|
2006-01-31 |
2012-08-15 |
出光興産株式会社 |
Ｔｆｔ基板及びｔｆｔ基板の製造方法
|
|
US7576394B2
(en)
*
|
2006-02-02 |
2009-08-18 |
Kochi Industrial Promotion Center |
Thin film transistor including low resistance conductive thin films and manufacturing method thereof
|
|
JP2007220818A
(ja)
*
|
2006-02-15 |
2007-08-30 |
Kochi Prefecture Sangyo Shinko Center |
薄膜トランジスタ及びその製法
|
|
US7977169B2
(en)
*
|
2006-02-15 |
2011-07-12 |
Kochi Industrial Promotion Center |
Semiconductor device including active layer made of zinc oxide with controlled orientations and manufacturing method thereof
|
|
KR20070101595A
(ko)
|
2006-04-11 |
2007-10-17 |
삼성전자주식회사 |
ＺｎＯ ＴＦＴ
|
|
US20070252928A1
(en)
*
|
2006-04-28 |
2007-11-01 |
Toppan Printing Co., Ltd. |
Structure, transmission type liquid crystal display, reflection type display and manufacturing method thereof
|
|
JP5060738B2
(ja)
*
|
2006-04-28 |
2012-10-31 |
株式会社ジャパンディスプレイイースト |
画像表示装置
|
|
JP5135709B2
(ja)
*
|
2006-04-28 |
2013-02-06 |
凸版印刷株式会社 |
薄膜トランジスタ及びその製造方法
|
|
JP4948896B2
(ja)
|
2006-05-16 |
2012-06-06 |
株式会社 日立ディスプレイズ |
液晶表示装置
|
|
JP4277874B2
(ja)
*
|
2006-05-23 |
2009-06-10 |
エプソンイメージングデバイス株式会社 |
電気光学装置の製造方法
|
|
WO2007142167A1
(en)
|
2006-06-02 |
2007-12-13 |
Kochi Industrial Promotion Center |
Semiconductor device including an oxide semiconductor thin film layer of zinc oxide and manufacturing method thereof
|
|
JP5028033B2
(ja)
|
2006-06-13 |
2012-09-19 |
キヤノン株式会社 |
酸化物半導体膜のドライエッチング方法
|
|
JP4999400B2
(ja)
*
|
2006-08-09 |
2012-08-15 |
キヤノン株式会社 |
酸化物半導体膜のドライエッチング方法
|
|
JP4609797B2
(ja)
*
|
2006-08-09 |
2011-01-12 |
Ｎｅｃ液晶テクノロジー株式会社 |
薄膜デバイス及びその製造方法
|
|
JP4332545B2
(ja)
*
|
2006-09-15 |
2009-09-16 |
キヤノン株式会社 |
電界効果型トランジスタ及びその製造方法
|
|
JP5164357B2
(ja)
*
|
2006-09-27 |
2013-03-21 |
キヤノン株式会社 |
半導体装置及び半導体装置の製造方法
|
|
JP4274219B2
(ja)
*
|
2006-09-27 |
2009-06-03 |
セイコーエプソン株式会社 |
電子デバイス、有機エレクトロルミネッセンス装置、有機薄膜半導体装置
|
|
JP4932415B2
(ja)
*
|
2006-09-29 |
2012-05-16 |
株式会社半導体エネルギー研究所 |
半導体装置
|
|
JP2008112136A
(ja)
|
2006-10-04 |
2008-05-15 |
Mitsubishi Electric Corp |
表示装置及びその製造方法
|
|
US7622371B2
(en)
*
|
2006-10-10 |
2009-11-24 |
Hewlett-Packard Development Company, L.P. |
Fused nanocrystal thin film semiconductor and method
|
|
JP2008129314A
(ja)
*
|
2006-11-21 |
2008-06-05 |
Hitachi Displays Ltd |
画像表示装置およびその製造方法
|
|
US7772021B2
(en)
*
|
2006-11-29 |
2010-08-10 |
Samsung Electronics Co., Ltd. |
Flat panel displays comprising a thin-film transistor having a semiconductive oxide in its channel and methods of fabricating the same for use in flat panel displays
|
|
JP2008140684A
(ja)
*
|
2006-12-04 |
2008-06-19 |
Toppan Printing Co Ltd |
カラーｅｌディスプレイおよびその製造方法
|
|
JP2008145768A
(ja)
*
|
2006-12-11 |
2008-06-26 |
Sharp Corp |
アクティブマトリクス基板
|
|
US20080157081A1
(en)
*
|
2006-12-28 |
2008-07-03 |
Samsung Electronics Co., Ltd. |
Organic light emitting device and method for manufacturing the same
|
|
KR101303578B1
(ko)
*
|
2007-01-05 |
2013-09-09 |
삼성전자주식회사 |
박막 식각 방법
|
|
US8207063B2
(en)
*
|
2007-01-26 |
2012-06-26 |
Eastman Kodak Company |
Process for atomic layer deposition
|
|
KR100851215B1
(ko)
*
|
2007-03-14 |
2008-08-07 |
삼성에스디아이 주식회사 |
박막 트랜지스터 및 이를 이용한 유기 전계 발광표시장치
|
|
US7795613B2
(en)
*
|
2007-04-17 |
2010-09-14 |
Toppan Printing Co., Ltd. |
Structure with transistor
|
|
KR101325053B1
(ko)
*
|
2007-04-18 |
2013-11-05 |
삼성디스플레이 주식회사 |
박막 트랜지스터 기판 및 이의 제조 방법
|
|
KR20080094300A
(ko)
*
|
2007-04-19 |
2008-10-23 |
삼성전자주식회사 |
박막 트랜지스터 및 그 제조 방법과 박막 트랜지스터를포함하는 평판 디스플레이
|
|
KR101334181B1
(ko)
*
|
2007-04-20 |
2013-11-28 |
삼성전자주식회사 |
선택적으로 결정화된 채널층을 갖는 박막 트랜지스터 및 그제조 방법
|
|
US8274078B2
(en)
*
|
2007-04-25 |
2012-09-25 |
Canon Kabushiki Kaisha |
Metal oxynitride semiconductor containing zinc
|
|
JP2009194351A
(ja)
*
|
2007-04-27 |
2009-08-27 |
Canon Inc |
薄膜トランジスタおよびその製造方法
|
|
KR101345376B1
(ko)
|
2007-05-29 |
2013-12-24 |
삼성전자주식회사 |
ＺｎＯ 계 박막 트랜지스터 및 그 제조방법
|
|
ATE490560T1
(de)
|
2007-05-31 |
2010-12-15 |
Canon Kk |
Verfahren zur herstellung eines dünnschichttransistors mit einem oxidhalbleiter
|
|
JP5138276B2
(ja)
*
|
2007-05-31 |
2013-02-06 |
株式会社ジャパンディスプレイイースト |
表示装置の製造方法
|
|
JPWO2009034953A1
(ja)
|
2007-09-10 |
2010-12-24 |
出光興産株式会社 |
薄膜トランジスタ
|
|
JP5354999B2
(ja)
|
2007-09-26 |
2013-11-27 |
キヤノン株式会社 |
電界効果型トランジスタの製造方法
|
|
JP5357493B2
(ja)
*
|
2007-10-23 |
2013-12-04 |
株式会社半導体エネルギー研究所 |
半導体装置の作製方法
|
|
JP2009130180A
(ja)
|
2007-11-26 |
2009-06-11 |
Sony Corp |
電子機器の製造方法および電子機器
|
|
JP5430846B2
(ja)
|
2007-12-03 |
2014-03-05 |
株式会社半導体エネルギー研究所 |
半導体装置の作製方法
|
|
JP5377940B2
(ja)
*
|
2007-12-03 |
2013-12-25 |
株式会社半導体エネルギー研究所 |
半導体装置
|
|
JP5213422B2
(ja)
|
2007-12-04 |
2013-06-19 |
キヤノン株式会社 |
絶縁層を有する酸化物半導体素子およびそれを用いた表示装置
|
|
CN103258857B
(zh)
*
|
2007-12-13 |
2016-05-11 |
出光兴产株式会社 |
使用了氧化物半导体的场效应晶体管及其制造方法
|
|
US8202365B2
(en)
*
|
2007-12-17 |
2012-06-19 |
Fujifilm Corporation |
Process for producing oriented inorganic crystalline film, and semiconductor device using the oriented inorganic crystalline film
|
|
KR100936874B1
(ko)
|
2007-12-18 |
2010-01-14 |
삼성모바일디스플레이주식회사 |
박막 트랜지스터의 제조 방법 및 박막 트랜지스터를구비하는 유기전계발광 표시 장치의 제조 방법
|
|
WO2009093602A1
(ja)
*
|
2008-01-21 |
2009-07-30 |
Nec Lcd Technologies, Ltd. |
表示装置
|
|
JP5264197B2
(ja)
*
|
2008-01-23 |
2013-08-14 |
キヤノン株式会社 |
薄膜トランジスタ
|
|
JP5540517B2
(ja)
|
2008-02-22 |
2014-07-02 |
凸版印刷株式会社 |
画像表示装置
|
|
JP2009211009A
(ja)
*
|
2008-03-06 |
2009-09-17 |
Hitachi Displays Ltd |
液晶表示装置
|
|
JP2009265271A
(ja)
|
2008-04-23 |
2009-11-12 |
Nippon Shokubai Co Ltd |
電気光学表示装置
|
|
US9041202B2
(en)
|
2008-05-16 |
2015-05-26 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Semiconductor device and manufacturing method of the same
|
|
JP4623179B2
(ja)
*
|
2008-09-18 |
2011-02-02 |
ソニー株式会社 |
薄膜トランジスタおよびその製造方法
|
|
JP5451280B2
(ja)
*
|
2008-10-09 |
2014-03-26 |
キヤノン株式会社 |
ウルツ鉱型結晶成長用基板およびその製造方法ならびに半導体装置
|
|
JP2009135530A
(ja)
|
2009-03-13 |
2009-06-18 |
Semiconductor Energy Lab Co Ltd |
液晶表示装置及び電子機器
|
|
TWI528527B
(zh)
*
|
2009-08-07 |
2016-04-01 |
半導體能源研究所股份有限公司 |
半導體裝置及半導體裝置之製造方法
|
|
JP5624955B2
(ja)
*
|
2011-07-21 |
2014-11-12 |
オリンパスメディカルシステムズ株式会社 |
内視鏡装置
|